KR20060031943A - 바리스터-ｌｃ필터 겸용 복합소자 - Google Patents

바리스터-ｌｃ필터 겸용 복합소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20060031943A
KR20060031943A KR1020040080928A KR20040080928A KR20060031943A KR 20060031943 A KR20060031943 A KR 20060031943A KR 1020040080928 A KR1020040080928 A KR 1020040080928A KR 20040080928 A KR20040080928 A KR 20040080928A KR 20060031943 A KR20060031943 A KR 20060031943A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
varistor
filter
input
pattern
ground
Prior art date
Application number
KR1020040080928A
Other languages
English (en)
Inventor
안진모
신성식
박광수
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020040080928A priority Critical patent/KR20060031943A/ko
Priority to FI20055283A priority patent/FI20055283A/fi
Priority to DE102005025680A priority patent/DE102005025680A1/de
Priority to US11/150,287 priority patent/US20060077646A1/en
Priority to GB0512129A priority patent/GB2419034B/en
Priority to JP2005174737A priority patent/JP2006115460A/ja
Priority to CNA2005100772296A priority patent/CN1761151A/zh
Priority to DK200500888A priority patent/DK200500888A/da
Publication of KR20060031943A publication Critical patent/KR20060031943A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203—Strip line filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12—Overvoltage protection resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C13/00—Resistors not provided for elsewhere
    • H01C13/02—Structural combinations of resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/005—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection avoiding undesired transient conditions
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/041—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage using a short-circuiting device
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
    • H02H9/043—Protection of over-voltage protection device by short-circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/075—Ladder networks, e.g. electric wave filters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

본 발명은 방사 특성 개선을 위한 EMI 필터기능과 과전류에 대한 회로 보호를 바리스터 기능을 하나의 칩 소자로 구현함으로서 실장 면적을 감소시킬 수 있는 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자에 관한 것으로서, 본 발명은 소정 전압 이하에서는 절연체로서 작용하고, 소정 전압 이상에서는 저항이 급격히 감소되는 산화아연을 주성분으로 하는 몸체에, LC 공진회로를 구현하는 인덕턴스 패턴과, 캐패시턴스 패턴 및 접지패턴을 다층으로 구현함으로서, 상기 소자가 저전압에서는 LC 필터로서 동작하고, 고전압에서는 바리스터로서 기능하도록 한다.
바리스터, ESD, EMI, LC 필터, ZnO

Description

바리스터-ＬＣ필터 겸용 복합소자{Varistor-LC filter compositon device}
도 1은 이동통신기기의 프론트 엔드단의 일부 구성을 나타낸 회로도이다.
도 2는 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자의 외부 구조를 나타낸 사시도이다.
도 3은 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자의 내부 구조를 나타낸 분해사시도이다.
도 4a는 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자의 등가회로도이고, 도 4b는 정상전압인가시의 등가회로도이고, 도 4c는 과전압 인가시의 등가회로도이다.
도 5의 (a)는 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자에 있어서의 필터 특성을 측정한 그래프이고, (b)는 ESD특성을 측정한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예로서, 다단자 어레이구조의 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자를 나타낸 외부 사시도이다.
도 7은 도 6에 보인 다단자 어레이구조의 내부 구조를 보인 분해사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
20 : 바리스터-LC필터 복합소자
21 : ZnO 몸체
22 : 입력전극
23 : 출력전극
24 : 접지전극
본 발명은 이동통신용 기기에 사용되는 복합소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 서지전압을 흡수하여 회로를 보호하는 바리스터 기능과 설정대역외 신호를 필터링하여 방사특성을 개선하는 EMI 필터기능을 동시에 만족시킬 수 있는 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자에 관한 것이다.
대다수의 이동통신용 기기들에는, 부품간 노이즈 제거를 위한 고주파 EMI 억제 필터와 함께, 외부에서 유입된 과전압 또는 정전기로부터 회로를 보호하기 위한 바리스터(varistor)가 동시에 구비된다.
도 1은 이러한 바리스터와 EMI 억제 필터의 회로구성예를 보인 것으로서, 바리스터(11)는 신호가 전달되는 신호라인과 접지사이에 구비되어, 소정 전압이상의 과전압이 인가될 경우 저항성분이 급격히 감소되어 해당 과전압을 흡수시킨다. 그리고, EMI 억제 필터로는 신호라인(IN-OUT)에 직렬로 연결된 인덕터(L)와, 상기 인 덕터(L)의 양단에서 접지사이에 구비되는 캐패시터(C1,C2)로 이루어진 EMI 필터(12)가 이용된다. 상기 EMI 필터(12)는 상기 LC 공진주파수대역의 신호는 통과시키고, 그외의 노이즈성분을 그라운드로 바이패스시켜 감쇄시킨다.
상기 바리스터(11)는 인가전압에 따라 저항이 변하여 현저한 비직선적 전압/전류특성을 나타내는 소자로서, 정상상태에서는 절연체로 작동하고, 전압이 적정값을 초과하여 소자에 인가될 경우에는 저항값이 급속히 감소하며, 이러한 특성으로 인하여, 서지(surge) 전압의 인가시 이를 흡수하여 다른 반도체 소자들을 보호하는데 널이 이용되고 있다.
이러한 바라스터(11)는 특히 전압/전류 비직선 특성이 우수하며 큰 서지 흡수능력을 갖도록 주성분인 산화아연(ZnO)에 복수개의 첨가물과 혼합하여 바리스터용 세라믹 원료 분말을 준비하고, 이 세라믹 원료 분말로 형성된 성형체를 소성하는 방법으로 제조된다. 이렇게 제조된 바리스터(11)는 내부의 산화아연 입자들 사이의 경계에서 형성되는 불순물 에너지 준위에 의해서 경계장벽층(boundary barrier layers)에 에너지 장벽이 형성되고, 결과적으로 이것이 우수한 전압/전류 비직선성을 나타낸다.
상기 EMI 필터(12)는 상기 외에도 RC 공진회로로 구현될 수 도 있다.
이러한 EMI 필터(12)는 보통 L 요소와 C 요소 혹은 R 요소와 C요소를 세라믹 등과 같은 유전물질로 이루어진 몸체의 내외부에 다층 구조로 인쇄하는 공정에 의하여 제조된다.
그런데, 최근 이동통신기기의 다기능화 및 소형화요구에 따라서, 이동통신기기에 사용되는 소자의 소형화에 대한 연구가 많이 이루어지고 있으며, 여기에 더하여, 여러 기능을 하나의 칩소자로 복합화하고자 하는 시도까지 이루어지고 있다.
그러나, 상기 EMI 필터와 바리스터의 경우, 모두 이동통신기기의 프론트엔드(front-end) 측에 공통적으로 사용되고 있으나, 종래에는 상기와 같이 각각의 소자로 제작되어, 이동통신기기의 세트상에서 조립되고 있기 때문에, 각각의 실장 면적이 요구되어, 단품간의 간섭 효과도 발생할 수 있다는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 방사 특성 개선을 위한 EMI 필터기능과 과전류에 대한 회로 보호를 바리스터 기능을 하나의 칩 소자로 구현함으로서 실장 면적을 감소시킬 수 있는 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 구성수단으로서, 본 발명의 바리스 터-LC 필터 겸용 복합 소자는,
소정 전압 이하에서는 절연체로서 작용하고, 소정 전압 이상에서는 저항이 급격히 감소되는 산화아연을 주성분으로 하는 몸체;
상기 몸체의 외부 표면에 형성되어 그라운드에 연결되는 외부 접지 전극;
상기 몸체의 외부 표면에 형성되어 신호가 입출력되는 입,출력 전극;
상기 몸체 내부에 소정 길이로 형성되며 상기 입력 전극과 출력 전극에 그 양단이 각각 연결되는 인덕턴스 패턴;
각각 상기 몸체 내부의 소정 평면상에 형성되는 둘 이상의 내부 접지패턴; 및
상기 내부 접지 패턴의 사이의 소정 평면상에 상기 내부 접지 패턴과 평행하게 형성되며, 상기 입력 전극 혹은 출력전극에 연결되는 하나 이상의 캐패시턴스 패턴을 포함하여 이루어진다.
더하여, 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자에 있어서, 상기 인덕턴스 패턴은 하나 이상의 서로 다른 평면상에 다수의 도전성패턴을 각각 형성하고, 상기 다수의 도전성패턴을 비아홀을 통해 상호 전기적으로 연결시켜 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자에 있어서, 상기 인덕턴스 패턴은 나선형 혹은 민더라인 형상으로 이루어진다.
또한, 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자에 있어서, 상기 소자는 입출력전극으로 소정 레벨 이상의 과전압이 인가되면, 상기 몸체의 저항값이 감소되어 인가된 과전압을 그라운드로 흡수하는 바리스터로 기능하고, 상기 소자는 입출력전극으로 소정 레벨 이상의 전압신호가 인가되면, 상기 인덕턴스패턴에 의해 형성된 L성분과, 상기 캐패시턴스 패턴과 내부접지패턴사이에 형성된 C 성분에 따른 공진주파수로 공진하여, 소정 주파수 대역만을 통과시키는 필터로 기능하는 것을 특징으로 한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 하기 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지와 관련성이 낮은 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략하며, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용한다.
도 2는 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자의 외부 구조를 나타낸 사시도이다. 또한, 도 3은 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자의 내부 구조를 나타낸 분해 사시도이다.
상기 도 2를 참조하면, 본 발명의 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자(20)는 소정 전압 이하에서는 절연체로서 작용하고, 소정 전압 이상에서는 저항이 급격히 감소되는 산화아연을 주성분으로 하는 몸체(21)와, 상기 몸체(21)의 외부 표면에 형성되어 그라운드에 연결되는 외부 접지 전극(24,25)과, 상기 몸체(21)의 외부 표면에 형성되어 신호가 입출력되는 입,출력 전극(22,23)을 구비한다.
또한, 상기 도 2 및 도 3를 참조하면, 본 발명의 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자(20)는 상기 몸체(21) 내부에 소정 길이로 형성되며 상기 입력 전극과 출력 전극에 그 양단이 각각 연결되는 인덕턴스 패턴(25)과, 각각 상기 몸체(21) 내부의 소정 평면상에 형성되며 상기 외부 접지전극(24,25)에 연결되는 둘 이상의 내부 접지패턴(26)과, 상기 내부 접지 패턴(26)의 사이에 위치한 소정 평면상에 상기 내부 접지 패턴(26)과 평행하게 형성되며 상기 입력 전극(22) 혹은 출력전극(23)에 연결되는 하나 이상의 캐패시턴스 패턴(27)을 포함하여 이루어진다.
상기에서, 인덕턴스 패턴(25)은 기본적으로, 소정 길이를 갖도록 직선 혹은 민더라인 형상 혹은 나선 형으로 이루어질 수 있다. 여기서, 직선 보다는 나선형 혹은 민더라인으로 형성하는 경우 보다 적은 면적으로 요구되는 인덕턴스 성분을 구현할 수 있으며, 이로부터 소자의 사이즈를 더 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 인덕턴스패턴(25)은 직선 혹은 민더라인 혹은 나선 형상의 도전성패턴을 상기 몸체(21) 내부의 서로 다른 평면상에 형성한 후, 비아홀(28)을 통해 전기적으로 연결하여 구현할 수 있다. 이 경우, 요구되는 인덕턴스 성분을 보다 적은 면적을 통해 구현가능하게 됨으로서, 소자의 사이즈 감소를 도모할 수 있다. 상기에서 생성된 인덕턴스 성분은 상기 인덕턴스패턴(25)의 길이, 몸체(21)의 유전율등으로부터 산출가능하다.
이어서, 상기 캐패시턴스 패턴(27)은 대체적으로 상호 평행하게 인접한 접지 전극(26)과의 사이에서 소정의 캐패시턴스 성분을 생성한다. 이때 생성되는 캐패시턴스는 상기 접지전극(26)과 마주보는 캐패시턴스 패턴(27)의 면적과, 상기 접지전극(26)과 캐패시턴스 패턴(27)의 간격 및 상기 몸체(21)를 구현하는 물질의 유전율등으로부터 알 수 있다.
따라서, 상기 본 발명의 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자(20)의 경우, 저지하고자 하는 주파수 대역이 설정되면, 상기 주파수대역을 기준으로 공진주파수와, 캐패시턴스 및 인덕턴스가 결정되면, 이에 따라 상기 인덕턴스 패턴(25)의 길이, 캐패시턴스 패턴(27)의 면적 및 접지전극(26)과의 간격등을 설계함으로서, 요구되는 EMI LC 필터를 구현할 수 있다.
더불어, 상기 본 발명의 바리스터- LC필터 겸용 복합소자(20)의 몸체(21)는 세라믹소재가 대신에, 전압/전류 비직선 특성이 우수하며 큰 서지 흡수능력을 갖는 산화아연(ZnO)이 주성분이 된다. 여기에, 소자의 특성 향상을 위하여 복수개의 첨가물이 혼합될 수 있다.
이상의 상기 몸체(21)는 내부의 산화아연 입자들 사이의 경계에서 형성되는 불순물 에너지 준위에 의해서 경계장벽층(boundary barrier layers)에 에너지 장벽이 형성되고, 이로부터 전압/전류 비직선성을 갖게 된다.
이상과 같이 구현된 본 발명에 따른 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자(20)의 등가회로는 도 4a와 같이 표현될 수 있다.
즉, 소정 주파수 및 전압의 전기 신호가 들어오고 나가는 입력단(IN)과 출력단(OUT)에 대하여, 인덕터(L)이 직렬로 연결되고, 상기 인덕터(L)의 양단과 접지사이에 캐패시터(C1),(C2)가 형성되어, LC 공진회로를 구현하고, 더불어, 상기 입력단(IN)과 출력단(OUT)과 접지사이에 바리스터(V1,V2)가 구현된다.
상기 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자(20)의 동작은 소정 레벨이상의 전압이 인가되는 경우와, 소정 레벨 이상의 전압이 인가되는 경우 두가지로 구분되어 나타난다.
먼저, 상기 입,출력단자(22,23)를 통해 상기 몸체(21)로 산화아연 사이의 불순물의 에너지 준위에 의해 형성된 경계장벽 이상의 전압이 인가되면, 상기 몸체(21)의 저항값이 급격히 감소되며, 이에 인가된 과전압은 상기 몸체(21)로 흡수된다. 즉, 몸체(21)의 저항값이 급속히 감소되면서, 소자(20)는 도 4c에 도시된 바와 같이, 바리스터로서 동작한다.
반대로, 상기 입력전극(22)과 출력전극(23)으로 상기 경계장벽 이하의 전압신호가 인가될 경우, 상기 산화아연물질로 이루어진 몸체(21)는 세라믹소재와 같은 절연체로서 작용한다.
따라서, 상기 몸체(21)의 내부에 형성된 인덕턴스 패턴(25)과 내부 접지패턴(26) 및 캐패시턴스패턴(27)들은 상호 전기적으로 연결되어, 도 4b와 같은 LC 공진 회로를 구현되며, 그 결과, 상기 인덕턴스패턴(25)에 의해 형성된 L성분과, 상기 캐패시턴스 패턴(27)과 내부접지패턴(27) 사이에 형성된 C 성분에 따른 공진주파수로 공진하여, 소정 주파수 대역의 신호는 통과시키고, 그외 대역의 신호는 감쇄시키는 필터로서 동작한다.
다음으로, 도 5의 (a) 및 (b)는 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자(20)의 동작 특성을 나타내는 그래프로서, (a)는 소정 전압 이하의 전기신호가 인가될 경우, 주파수별 감쇄비를 측정한 것으로서, 상기 복합소자(20)가 소정 주파수, 예를 들어, 0.5MHz이하의 주파수 신호는 통과시키고, 그 이상의 고주파신호는 감소시키는 저역통과필터로서 기능함을 알 수 있따. 다음으로 (b)는 8kV의 ESD(Electrostatic discharge)를 인가한 경우의 시간경과별 출력 전압을 측정하여 도시한 것으로서, 과전압인가에 대하여, 출력전압은 0 V로 유지됨을 알 수 있으며, 결과적으로 과전압을 흡수하여, 출력단에 연결되는 회로를 보호하는 것을 알 수 있다.
본 발명에 의한 바리스터-LC필터 겸용 복합소자는 하나의 칩에 둘 이상의 바리스터 겸용 LC필터가 병렬로 형성되는 다단자 어레이구조로도 구현될 수 있다.
도 6 및 도 7은 다단자 어레이구조의 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자의 일예를 보인 외형도 및 분해 사시도이다.
상기 도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명에 의한 바리스터-LC 필터 겸용 복합소자(60)는 소정 전압 이하에서는 절연체로서 작용하고, 소정 전압 이상에서는 저 항이 급격히 감소되는 산화아연을 주성분으로 하며 직육면체 형상을 갖는 몸체(61)의 보다 짧은 길이의 상호 마주보는 두 측면상에 각각 외부 접지 전극(64)을 형성하고, 긴 길이의 상호 마주보는 두 측면상에 각각 둘 이상의 입력전극(62) 및 출력전극(63)을 형성한다. 상기 다수의 입력전극(62)들은 상호 전기적으로 절연되어 있으며, 마찬가지로 다수의 출력전극(63)들도 상호 연결되지 않는다.
그리고, 그 내부에는 도 7에 도시된 바와 같이, 몸체(61)를 형성하도록 상하로 차례로 적층되는 산화아연으로 이루어진 다수의 시트(71~77)상에는, 상기 복수의 입력전극(62) 및 출력전극(63)에 각각 연결되는 복수의 인덕턴스패턴(65)과, 복수의 입력전극(62) 혹은 복수의 출력전극(63)에 연결되는 복수의 캐패시턴스 패턴(67)을 병렬로 형성하며, 상기 복수 캐패시턴스 패턴(67)의 상하에 위치한 시트(73,75,77)상에는 하나의 접지패턴(66)을 형성하는데, 이때 접지패턴(66)는 상기 상하부에 위치한 복수의 캐패시턴스 패턴(67) 전체와 대응될 수 있도록 크게 형성된다.
상기 인덕턴스패턴(65), 접지패턴(66) 및 캐패시턴스 패턴(67)은 각각 상기 도 3에 보인 인덕턴스패턴(25), 접지패턴(26) 및 캐패시턴스 패턴(67)과 동일한 기능을 한다.
이때, 복수의 인덕턴스패턴(65)들은 상기 연결되지 않으며, 마찬가지로 복수의 캐패시턴스 패턴(67)도 상호 연결되지 않는다.
따라서, 하나의 칩 내에 각각 동작하는 복수의 바리스터겸용 LC 필터가 형성 되어, 더불어, 복수의 바리스터 겸용 LC 필터가 요구되는 세트내에서의 실장면적을 감소시킬 수 있게 된다.
이상의 설명에서는 본 발명의 구체적인 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 특허청구범위에 기재된 기술적 요지를 변경하지 않는 범위내에서, 여러가지 변형이 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 하나의 칩 상에 과전압으로부터 회로를 보호하는 바리스터 기능과, 방사 특성을 개선시키는 필터기능이 동시에 구현할 수 있으며, 그 결과 바라스터와 필터가 동시에 요구되는 이동통신기기의 실장 부품수를 감소시켜, 실장 면적의 감소로 세트의 소형화를 도모할 수 있는 우수한 효과가 있다.
더불어, 세트의 조립 부품수를 감소시켜, 부품간의 간섭문제 및 SMT 점수의 감소효과를 얻을 수 있다.

Claims (6)

  1. 소정 전압 이하에서는 절연체로서 작용하고, 소정 전압 이상에서는 저항이 급격히 감소되는 산화아연을 주성분으로 하는 몸체;
    상기 몸체의 외부 표면에 형성되어 그라운드에 연결되는 외부 접지 전극;
    상기 몸체의 외부 표면에 형성되어 신호가 입출력되는 입,출력 전극;
    상기 몸체 내부에 소정 길이로 형성되며 상기 입력 전극과 출력 전극에 그 양단이 각각 연결되는 인덕턴스 패턴;
    각각 상기 몸체 내부의 소정 평면상에 상기 외부 접지전극에 연결되도록 형성되는 둘 이상의 내부 접지패턴; 및
    상기 내부 접지 패턴의 사이의 소정 평면상에 상기 내부 접지 패턴과 평행하게 형성되며, 상기 입력 전극 혹은 출력전극에 연결되는 하나 이상의 캐패시턴스 패턴을 포함하는 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 인덕턴스 패턴은 하나 이상의 서로 다른 평면상에 다수의 도전성패턴을 각각 형성하고, 상기 다수의 도전성패턴을 비아홀을 통해 상호 전기적으로 연결시킨 것임을 특징으로 하는 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 인덕턴스 패턴은 나선형 혹은 민더라인 형상으로 이루어지는 것임을 특징으로 하는 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 소자는 입출력전극으로 소정 레벨 이상의 과전압이 인가되면, 상기 몸체의 저항값이 감소되어 인가된 과전압을 그라운드로 흡수하는 바리스터로 기능하는 것을 특징으로 하는 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소자는 입출력전극으로 소정 레벨 이상의 전압신호가 인가되면, 상기 인덕턴스패턴에 의해 형성된 L성분과, 상기 캐패시턴스 패턴과 내부접지패턴사이에 형성된 C 성분에 따른 공진주파수로 공진하여, 소정 주파수 대역만을 통과시키는 필터로 기능하는 것을 특징으로 하는 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자.
  6. 소정 전압 이하에서는 절연체로서 작용하고, 소정 전압 이상에서는 저항이 급격히 감소되는 산화아연을 주성분으로 하는 직육면체 형상의 몸체;
    상기 몸체 외부 표면중 짧은 길이의 대향하는 두 측면상에 각각 형성되어 그라운드에 연결되는 외부 접지 전극;
    상기 몸체 외부 표면중 긴 길이의 대향하는 두 측면상에 각각 형성되어 신호가 입출력되는 복수의 입,출력 전극;
    상기 몸체 내부의 소정 평면상에 각각 소정 길이를 갖도록 병렬로 배치되며, 그 양단이 상기 복수의 입,출력전극에 각각 연결되는 복수의 인덕턴스 패턴;
    상기 복수의 인덕턴스 패턴의 하부 소정 평면상에 상하로 평행하도록 형성되며 상기 외부 접지전극에 연결되는 둘 이상의 내부 접지패턴; 및
    상기 두 내부 접지 패턴의 사이에 위치한 소정 평면상에, 서로 병렬로 위치하도록 형성되며, 상기 입력 전극 혹은 출력전극에 연결되는 복수의 캐패시턴스 패턴을 포함하여, 다단자 어레이구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 바리스터-LC 필터 겸용 복합 소자.
KR1020040080928A 2004-10-11 2004-10-11 바리스터-ｌｃ필터 겸용 복합소자 KR20060031943A (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040080928A KR20060031943A (ko) 2004-10-11 2004-10-11 바리스터-ｌｃ필터 겸용 복합소자
FI20055283A FI20055283A (fi) 2004-10-11 2005-06-03 Yhdistetty varistori- ja LC-suodatinlaite
DE102005025680A DE102005025680A1 (de) 2004-10-11 2005-06-03 Kombinierte Varistor- und LC-Filter-Vorrichtung
US11/150,287 US20060077646A1 (en) 2004-10-11 2005-06-13 Combined varistor and LC filter device
GB0512129A GB2419034B (en) 2004-10-11 2005-06-15 Combined varistor and lc filter device
JP2005174737A JP2006115460A (ja) 2004-10-11 2005-06-15 バリスター、ｌｃフィルター兼用複合素子
CNA2005100772296A CN1761151A (zh) 2004-10-11 2005-06-16 变阻器和lc滤波器组合装置
DK200500888A DK200500888A (da) 2004-10-11 2005-06-16 Kombineret varistor- og LC filtermekanisme

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040080928A KR20060031943A (ko) 2004-10-11 2004-10-11 바리스터-ｌｃ필터 겸용 복합소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060031943A true KR20060031943A (ko) 2006-04-14

Family

ID=34793374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040080928A KR20060031943A (ko) 2004-10-11 2004-10-11 바리스터-ｌｃ필터 겸용 복합소자

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20060077646A1 (ko)
JP (1) JP2006115460A (ko)
KR (1) KR20060031943A (ko)
CN (1) CN1761151A (ko)
DE (1) DE102005025680A1 (ko)
DK (1) DK200500888A (ko)
FI (1) FI20055283A (ko)
GB (1) GB2419034B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100716137B1 (ko) * 2005-03-28 2007-05-10 조인셋 주식회사 표면실장형 칩 어레이 및 그 제조방법
KR100732128B1 (ko) * 2005-11-10 2007-06-25 (주) 래트론 이종소재를 이용한 비드-배리스터 복합 소자
KR101026712B1 (ko) * 2007-05-18 2011-04-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층 대역 통과 필터

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007115931A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Taiyo Yuden Co Ltd バリスタ
JP4586760B2 (ja) * 2006-03-29 2010-11-24 Ｔｄｋ株式会社 ローパスフィルタ及びローパスフィルタアレイ
KR100771781B1 (ko) 2006-11-27 2007-10-30 삼성전기주식회사 저항 내장형 ｅｍｉ 필터
JP4415986B2 (ja) 2006-12-07 2010-02-17 Ｔｄｋ株式会社 積層型電子部品
JP4506759B2 (ja) 2007-01-12 2010-07-21 Ｔｄｋ株式会社 複合電子部品
JP5014856B2 (ja) 2007-03-27 2012-08-29 Ｔｄｋ株式会社 積層型フィルタ
US8493744B2 (en) * 2007-04-03 2013-07-23 Tdk Corporation Surface mount devices with minimum lead inductance and methods of manufacturing the same
DE102007020783A1 (de) * 2007-05-03 2008-11-06 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
DE102007031510A1 (de) 2007-07-06 2009-01-08 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
JP2009055116A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd ローパスフィルタ及びオーディオアンプ
KR100920026B1 (ko) * 2007-10-16 2009-10-05 주식회사 쎄라텍 자성체 및 유전체 복합 전자 부품
DE102008019127B4 (de) 2008-04-16 2010-12-09 Epcos Ag Vielschichtbauelement
DE102008035102A1 (de) 2008-07-28 2010-02-11 Epcos Ag Vielschichtbauelement
DE102010007443A1 (de) 2010-02-10 2011-08-11 Epcos Ag, 81669 Keramisches Vielschichtbauelement
EP2564482B1 (en) * 2010-04-28 2023-10-25 Littelfuse, Inc. Embedded protection against spurious electrical events
CN102024541A (zh) * 2010-12-09 2011-04-20 深圳顺络电子股份有限公司 一种多层片式压敏电阻及其制造方法
CN102064784A (zh) * 2011-01-20 2011-05-18 中国科学院半导体研究所 分析调控纳米三明治结构谐振波长的等效电路方法
CN102169872B (zh) * 2011-01-26 2013-07-03 上海腾怡半导体有限公司 集成电感的电源模块
CN102647166A (zh) * 2012-04-18 2012-08-22 南京航空航天大学 一种构成平面emi滤波器的感容模块
KR102064013B1 (ko) * 2013-07-18 2020-01-08 삼성전기주식회사 복합 전자부품 및 그 실장 기판
CN208797911U (zh) 2016-08-01 2019-04-26 株式会社村田制作所 带有esd保护功能的安装型复合部件
KR102404329B1 (ko) * 2017-04-17 2022-06-07 삼성전기주식회사 정합 모듈

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2663300B2 (ja) * 1989-07-07 1997-10-15 株式会社村田製作所 ノイズフイルタ
JP3077056B2 (ja) * 1996-09-12 2000-08-14 株式会社村田製作所 積層型電子部品
JPH10270289A (ja) * 1997-03-24 1998-10-09 Sumitomo Metal Ind Ltd チップ型ｌｃバリスタ及びその製造方法
JP2000077265A (ja) * 1998-09-03 2000-03-14 Mitsubishi Materials Corp バリスタ機能付ｌｃフィルタ
JP3635631B2 (ja) * 1999-12-20 2005-04-06 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP3680713B2 (ja) * 2000-07-21 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品
WO2002011160A1 (en) * 2000-08-01 2002-02-07 Avx Corporation Integrated dual frequency noise attenuator and transient suppressor
JP2003198308A (ja) * 2001-12-25 2003-07-11 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層型ｌｃフィルタ
KR100461719B1 (ko) * 2002-04-25 2004-12-14 삼성전기주식회사 적층형 유전체 필터

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100716137B1 (ko) * 2005-03-28 2007-05-10 조인셋 주식회사 표면실장형 칩 어레이 및 그 제조방법
KR100732128B1 (ko) * 2005-11-10 2007-06-25 (주) 래트론 이종소재를 이용한 비드-배리스터 복합 소자
KR101026712B1 (ko) * 2007-05-18 2011-04-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 적층 대역 통과 필터

Also Published As

Publication number Publication date
FI20055283A0 (fi) 2005-06-03
GB2419034B (en) 2007-07-04
GB0512129D0 (en) 2005-07-20
DE102005025680A1 (de) 2006-04-20
FI20055283A (fi) 2006-04-12
CN1761151A (zh) 2006-04-19
DK200500888A (da) 2006-04-12
GB2419034A (en) 2006-04-12
US20060077646A1 (en) 2006-04-13
JP2006115460A (ja) 2006-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060077646A1 (en) Combined varistor and LC filter device
US7085118B2 (en) Electrostatic discharge protection component
US8179210B2 (en) Electrical multilayer component with shielding and resistance structures
US7443647B2 (en) Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package
KR100495871B1 (ko) 각형 소자를 내장한 관통형 필터
JP2010251771A (ja) 複合積層チップ素子
US10504655B2 (en) Composite electronic component and board having the same
JPWO2006085492A1 (ja) 静電気保護機能付きチップ部品
JP4078804B2 (ja) 一体パッケージになっておりサージ保護とともに差動コモンモードフィルターをする対になった多層誘電体独立受動部品アーキテクチャー
US20230238186A1 (en) Low Inductance Component
KR100711092B1 (ko) 적층형 칩 소자
KR100638802B1 (ko) 다양한 커패시턴스 값을 갖는 적층 칩 소자
US7312971B2 (en) Surge absorption circuit and laminated surge absorption device
KR100733816B1 (ko) 적층형 칩소자
JP2000077265A (ja) バリスタ機能付ｌｃフィルタ
KR20090037099A (ko) 적층 칩 소자 및 이의 제조 방법
KR100786416B1 (ko) 적층형 칩 소자
US20230318575A1 (en) Band pass filter circuit with over-voltage protection
KR20080078143A (ko) 적층형 칩 소자
US20120262829A1 (en) Protection device against electromagnetic interference
CN116526999A (zh) 陷波滤波器
JPH056810A (ja) 抵抗付チツプバリスタ
JPH0389613A (ja) ノイズフイルタ
KR20170010723A (ko) 전기적 충격 보호소자 및 이를 구비한 휴대용 전자장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application