KR20060021211A - 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Description
Claims (28)
- 절연 기판;상기 절연 기판상에 형성된 복수 개의 단위 화소 영역; 및상기 각각의 단위 화소 영역상에 형성된 복수 개의 박막트랜지스터, 스캔 라인, 데이터 라인, 절연막, 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하며,상기 데이터 라인의 소정 영역은 상기 절연막상에 형성된 트랜치 내부에 형성되고, 상기 제1전극의 소정 영역이 상기 데이터 라인의 소정 영역과 오버랩되도록 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연 기판상의 소정 영역에 형성된 캐패시터 및 전원공급 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 스캔 라인, 데이터 라인 및 캐패시터의 하부 전극은 상기 박막트랜지스 터 중 어느 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 캐패시터의 상부 전극, 전원공급 라인 및 제1전극은 상기 박막트랜지스터 중 다른 어느 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 캐패시터의 상부 전극은 전원공급 라인과 전기적으로 연결되어 있음을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 절연 기판;상기 절연 기판상에 형성된 복수 개의 단위 화소 영역; 및상기 각각의 단위 화소 영역상에 형성된 복수 개의 박막트랜지스터, 스캔 라인, 데이터 라인, 전원공급 라인, 절연막, 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하며,상기 n번째 단위 화소 영역의 전원공급 라인의 소정 영역 또는 n+1번째 단위 화소 영역의 데이터 라인의 소정 영역 중 어느 하나 이상은 상기 절연막상에 형성된 트랜치 내부에 형성되고, 상기 제1전극의 소정 영역이 상기 데이터 라인의 소정 영역 및 전원공급 라인과 오버랩되도록 형성된 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 4 항에 있어서,상기 단위 화소 영역의 소정 영역에 형성된 캐패시터를 더 포함하는 것을 특 징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 스캔 라인, 데이터 라인 및 캐패시터의 하부 전극은 상기 박막트랜지스터 중 어느 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 캐패시터의 상부 전극, 전원공급 라인 및 제1전극은 상기 박막트랜지스터 중 다른 어느 하나와 전기적으로 연결되고, 상기 캐패시터의 상부 전극은 전원공급 라인과 전기적으로 연결되어 있음을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 제1전극 하부에 평탄화층 및 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 7 항에 있어서,상기 평탄화층 및 패시베이션층의 두께 합은 2.3㎛ 미만임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 데이터 라인과 상기 제1전극 간의 거리가 2.3㎛ 이상임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 트랜치는 상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극용 콘택홀을 형성할 때 동시에 형성됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 절연막은 층간절연막, 게이트 절연막 또는 버퍼층 중 어느 하나 이상임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 층간절연막의 두께는 2000 내지 6000Å이고, 게이트 절연막의 두께는 500 내지 2000Å이고, 버퍼층의 두께는 1000 내지 6000Å임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 트랜치의 깊이는 6000 내지 8000Å임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 트랜치의 깊이는 평탄화층과 패시베이션층의 두께의 합에서 데이터 라인 또는 전원공급 라인의 두께를 뺀 값이 2.3㎛ 이상이 되도록 하는 깊이임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 절연 기판을 준비하는 단계;상기 절연 기판상에 버퍼층, 제1반도체층, 제2반도체층, 게이트 절연막, 스캔 라인, 제1게이트 전극, 제2게이트 전극 및 캐패시터의 하부 전극을 형성하는 단계;상기 기판상에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 기판상에 제1소오스/드레인 전극 콘택홀, 제2소오스/드레인 전극 콘택홀 및 데이터 라인이 형성될 소정 영역에 트랜치를 형성하는 단계;상기 기판상에 형성된 트랜치 내에 데이터 라인을 형성하고, 상기 기판의 소정 영역에 캐패시터의 상부 전극, 제1소오스/드레인 전극, 제2소오스/드레인 전극 및 전원공급 라인을 형성하는 단계;상기 기판상에 패시베이션막 및 평탄화막을 형성하는 단계;상기 평탄화막 및 패시베이션막의 소정 영역을 식각하여 제2소오스/드레인 전극의 소정 영역을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계;상기 기판상에 상기 비아홀을 통해 상기 제2소오스/드레인 전극과 콘택하고, 상기 데이터 라인과 오버랩되도록 제1전극을 형성하는 단계; 및상기 기판상에 단위 화소 정의막, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막 및 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
- 절연 기판을 준비하는 단계;상기 절연 기판상에 버퍼층, 제1반도체층, 제2반도체층, 게이트 절연막, 스캔 라인, 제1게이트 전극, 제2게이트 전극 및 캐패시터의 하부 전극을 형성하는 단계;상기 기판상에 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 기판상에 제1소오스/드레인 전극 콘택홀, 제2소오스/드레인 전극 콘택홀 및 데이터 라인과 상기 데이터 라인과 이웃하는 전원공급 라인이 형성될 소정 영역에 트랜치를 형성하는 단계;상기 기판상에 형성된 트랜치 내에 데이터 라인 및 상기 데이터 라인과 이웃하는 전원공급 라인을 형성하고, 상기 기판의 소정 영역에 캐패시터의 상부 전극, 제1소오스/드레인 전극 및 제2소오스/드레인 전극을 형성하는 단계;상기 기판상에 패시베이션막 및 평탄화막을 형성하는 단계;상기 평탄화막 및 패시베이션막의 소정 영역을 식각하여 제2소오스/드레인 전극의 소정 영역을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계;상기 기판상에 상기 비아홀을 통해 상기 제2소오스/드레인 전극과 콘택하고, 상기 데이터 라인과 전원공급 라인과 오버랩되도록 제1전극을 형성하는 단계; 및상기 기판상에 단위 화소 정의막, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막 및 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
- 절연 기판;상기 절연 기판상에 형성된 스캔 라인, 데이터 라인 및 전원공급 라인에 의해 정의되는 복수 개의 단위 영역;상기 단위 영역 내에 형성된 복수 개의 박막트랜지스터 및 복수 개의 캐패시터;상기 단위 영역 내의 하나의 박막트랜지스터와 연결된 제1전극; 및상기 제1전극상에 형성된 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막 및 제2전극을 포함하며,상기 데이터 라인 및 전원공급 라인의 소정 영역은 절연막을 식각하여 형성된 트랜치 내부에 형성되어 있고,상기 제1전극은 하나의 단위 영역내에 형성되거나, 두 개의 영역에 걸처 형성되어 있음을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 데이터 라인 및 전원공급 라인의 소정 영역은 상기 제1전극과 오버랩되는 데이터 라인과 전원공급 라인의 영역 보다는 큰 영역임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 제1전극은 빨간색, 녹색 및 파란색의 단위 화소 중 어느 하나의 화소 전극임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 절연막은 층간절연막, 게이트 절연막 또는 버퍼층 중 어느 하나 이상임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 20 항에 있어서,상기 층간절연막의 두께는 2000 내지 6000Å이고, 게이트 절연막의 두께는 500 내지 2000Å이고, 버퍼층의 두께는 1000 내지 6000Å임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 제1전극 하부에 평탄화층 및 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 22 항에 있어서,상기 평탄화층 및 패시베이션층의 두께 합은 2.3㎛ 미만임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 데이터 라인과 상기 제1전극 간의 거리가 2.3㎛ 이상임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 트랜치는 상기 박막트랜지스터의 소오스/드레인 전극용 콘택홀을 형성할 때 동시에 형성됨을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 트랜치의 깊이는 6000 내지 8000Å임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 제 17 항에 있어서,상기 트랜치의 깊이는 평탄화층과 패시베이션층의 두께의 합에서 데이터 라인 또는 전원공급 라인의 두께를 뺀 값이 2.3㎛ 이상이 되도록 하는 깊이임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
- 절연 기판을 준비하는 단계;상기 절연 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층상에 반도체층 및 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 기판상에 게이트 전극, 스캔 라인, 캐패시터의 하부 전극 및 층간절연막을 형성하는 단계;상기 기판상에 소오스/드레인 전극 콘택홀 및 소정 영역의 상기 층간절연막, 게이트 절연막 또는 버퍼층 중 어느 하나 이상을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계;상기 기판상에 소오스/드레인 전극, 캐패시터의 상부 전극 및 상기 트랜치 내에 소정 영역이 형성되도록 데이터 라인 및 전원공급 라인을 형성하는 단계;상기 기판상에 패시베이션층 및 평탄화층을 형성하는 단계;상기 평탄화층 및 패시베이션층의 소정 영역을 식각하여 소오스/드레인 전극의 소정 영역을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계;상기 기판상에 제1전극 형성 물질을 형성하는 단계;상기 제1전극 형성 물질을 패터닝하여 상기 비아홀에 의해 노출된 소오스/드레인 전극의 소정 영역과 연결되고, 상기 스캔 라인, 데이터 라인 및 전원공급 라인에 의해 정의되는 하나의 단위 영역 또는 둘 이상의 단위 영역에 걸처 제1전극을 형성하는 단계; 및상기 제1전극상에 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막 및 제2전극을 형성하는 단계를 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
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