KR20060017092A - Semiconductor manufacturing apparatus having a timer to control the supply of reaction gas - Google Patents

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김상용
곽세근
권영도
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 제조장치는 반도체 제조공정이 수행되는 공정챔버; 상기 공정챔버로 공정가스를 공급하도록 상기 공정챔버와 공급유로에 의하여 연결된 가스 공급원; 상기 가스 공급원으로부터 상기 공정챔버로 공급되는 공정가스의 공급을 제어하도록 상기 공급유로 상에 설치된 개폐밸브; 상기 개폐밸브를 설정된 시간에 온/오프 시키는 타이머; 상기 타이머에 상기 개폐밸브의 온/오프 시각을 인가하는 제어부를 구비한 것으로, 이러한 본 발명에 따른 공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치는 공정가스를 각각의 공정챔버로 공급하는 각각의 개폐밸브의 온/오프 지연시간을 최소화 하도록 개폐밸브를 직접 동작시키는 타이머를 설치하여 각각의 공정챔버에서 동일시간 동안 공정수행이 가능하도록 하여 반도체 제조장치의 사용효율과 관리효율을 보다 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다. The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a timer for process gas supply control. The semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a process chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed; A gas supply source connected to the process chamber by a supply passage to supply a process gas to the process chamber; An on / off valve installed on the supply passage to control the supply of the process gas supplied from the gas supply source to the process chamber; A timer for turning on / off the on / off valve at a set time; And a control unit for applying the on / off time of the on / off valve to the timer, wherein the semiconductor manufacturing apparatus having a timer for controlling the process gas supply according to the present invention has a respective on / off valve for supplying process gas to each process chamber. By installing a timer that directly operates the on / off valve to minimize the on / off delay time of the process, it is possible to perform the process for the same time in each process chamber to improve the use efficiency and management efficiency of the semiconductor manufacturing apparatus. There is.

Description

공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치{Semiconductor manufacturing apparatus having a timer to control the supply of reaction gas}Semiconductor manufacturing apparatus having a timer to control the supply of reaction gas}

도 1은 종래의 반도체 제조장치에서의 유체 공급구성을 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing a fluid supply configuration in a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

도 2는 본 발명에 따른 반도체 제조장치에서 유체 공급구성을 도시한 구성도이다.Figure 2 is a block diagram showing a fluid supply configuration in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100a, 100b, 100c ...공정챔버100a, 100b, 100c ... process chamber

110...제어부110 ... control unit

120...공급유로120 ... Supply Euro

130...반응가스 공급원130 Reaction gas source

140a, 140b, 140c...개폐밸브140a, 140b, 140c ... opening and closing valve

150a, 150b, 150c...타이머150a, 150b, 150c ... timer

본 발명은 공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유체를 공급하는 밸브의 온/오프 시간을 정확히 제어하는 타 이머를 설치한 공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a timer for controlling a process gas supply, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus having a timer for controlling a process gas supply having a timer for precisely controlling an on / off time of a valve for supplying a fluid. It is about.

반도체 제조 공정에는 다양한 종류의 반도체 제조 장치가 사용되고, 이들 반도체 제조 장치에는 다양한 종류의 반응가스가 사용된다. 반응가스의 종류로는 반도체 제조 공정 및 막질의 종류에 따라 SiH4, SiH2Cl2, Si2H6 ,AsH3, B2H6, Cl2, BCl3, BF3, PH3, WF6, N2O, NH3, CF4, CO, C3F8, C4F8, HCl, SiCl4, SF6, NF3 등이 있다.Various kinds of semiconductor manufacturing apparatuses are used in the semiconductor manufacturing process, and various kinds of reaction gases are used for these semiconductor manufacturing apparatuses. The reaction gas may be SiH4, SiH2Cl2, Si2H6, AsH3, B2H6, Cl2, BCl3, BF3, PH3, WF6, N2O, NH3, CF4, CO, C3F8, C4F8, HCl, SiCl4, depending on the type of semiconductor manufacturing process and film quality. , SF6, NF3 and the like.

종래의 반도체 제조 장치에서 반응가스를 공급하는 유량제어기의 구성은 도 1에 도시된 바와 같이 세 개의 공정챔버(10a, 10b, 10c)와 이 공정챔버(10a, 10b, 10c)와 공급유로(12)로 연결되어 반응가스를 공정챔버(10a, 10b, 10c)로 공급하는 반응가스 공급원(13) 그리고 반응가스 공급원(13)으로부터 공정챔버(10a, 10b, 10c)로 공급되는 반응가스의 공급을 제어하는 개폐밸브(14a, 14b, 14c)를 구비한다. 이 개폐밸브(14a, 14b, 14c)는 통상적으로 솔레노이드 밸브를 사용한다.In the conventional semiconductor manufacturing apparatus, the configuration of the flow controller for supplying the reaction gas includes three process chambers 10a, 10b, and 10c, the process chambers 10a, 10b, and 10c, and a supply passage 12, as shown in FIG. The reaction gas supply source 13 for supplying the reaction gas to the process chambers 10a, 10b, and 10c, and the reaction gas supply from the reaction gas supply source 13 to the process chambers 10a, 10b, and 10c. On / off valves 14a, 14b, 14c for controlling are provided. These on-off valves 14a, 14b and 14c generally use solenoid valves.

그리고 이 개폐밸브(14a, 14b, 14c)의 동작을 제어하는 제어부(11)가 마련된다. 여기서 공정챔버(10a, 10b, 10c)는 세 개로 된 것을 나타내고 있는데, 이러한 경우는 다수의 공정챔버(10a, 10b, 10c)가 원주상으로 배치되는 멀티형 반도체 제조설비인 경우라고 볼 수 있으나, 개별단위의 공정챔버(10a, 10b, 10c)인 경우인 경우에도 이와 유사한 반응가스 공급 구조를 가진다.And the control part 11 which controls the operation | movement of this open / close valve 14a, 14b, 14c is provided. Here, the process chambers 10a, 10b, and 10c are shown to have three. In this case, the process chambers 10a, 10b, and 10c may be regarded as multi-type semiconductor manufacturing equipment in which a plurality of process chambers 10a, 10b, and 10c are arranged circumferentially. In the case of the unit process chambers 10a, 10b, and 10c, the reaction gas supply structure is similar.

한편 반도체 제조장치에서 공정 진행은 반응가스의 공급이 많을 경우 공정이 빨리 진행하고, 반응가스의 공급이 적을 경우에는 공정이 느리게 진행된다. 즉, 박 막 형성을 위한 공정인 경우 반응가스의 공급량에 따라 설정된 막의 두께와 레인지가 영향을 받게 된다. 더욱이 동종의 설비일지라도 반응가스의 공급량이 다르면 각각의 공정시간이 제각기 달라진다. On the other hand, in the semiconductor manufacturing apparatus, the process proceeds quickly when the supply of the reaction gas is high, and when the supply of the reaction gas is low, the process proceeds slowly. That is, in the case of forming a thin film, the thickness and range of the film set according to the supply amount of the reaction gas are affected. Moreover, even in the same type of facility, if the amount of reactant gas supplied is different, each process time is different.

그런데 종래의 반도체 제조 장치에서 개폐밸브(14a, 14b, 14c)가 공급유로(12)를 개방하여 반응가스를 공정챔버(10a, 10b, 10c)로 공급할 때 개폐밸브(14a, 14b, 14c)의 제어능력에 따라 공정 조건이 변하는 현상이 발생한다. However, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus, when the on-off valves 14a, 14b, and 14c open the supply passage 12 to supply the reaction gas to the process chambers 10a, 10b, and 10c, the on / off valves 14a, 14b, and 14c are closed. Process conditions change depending on controllability.

이는 제어부(11)에서 개폐밸브(14a, 14b, 14c)를 온시키는 신호를 인가하더라도 개폐밸브(14a, 14b, 14c)의 실제 동작이 제어부(11)로부터 신호가 송신된 후 대략 0.1 - 0.2초 지난 후에 이루어지기 때문이며, 이 때문에 이 지연시간만큼 각각의 공정챔버(10a, 10b, 10c)로 공급되는 반응가스의 양이 달라진다. This means that even if the control unit 11 applies a signal to turn on / off the valves 14a, 14b and 14c, the actual operation of the shutoff valves 14a, 14b and 14c is approximately 0.1-0.2 seconds after the signal is transmitted from the control unit 11. This is because the amount of reaction gas supplied to each of the process chambers 10a, 10b, and 10c is changed by this delay time.

더욱이 동종 설비인 경우에도 이러한 지연시간이 각기 다르게 나타나 서로 다른 공정수행 결과를 나타내게 되어 각각의 공정챔버(10a, 10b, 10c)에 대한 공정 관리가 용이하지 않은 문제점이 있다.In addition, even in the case of the same type of equipment, such delay time is different from each other, resulting in different process performances. Therefore, there is a problem in that process management for each process chamber 10a, 10b, 10c is not easy.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 공정가스를 각각의 공정챔버로 공급하는 각각의 개폐밸브의 온/오프 지연시간을 최소화 하여 각각의 공정챔버에서 최대한 동일시간 동안 동일반응이 수행되도록 한 공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to minimize the on / off delay time of each on-off valve for supplying the process gas to each process chamber the same for the same time in each process chamber as possible It is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a timer for controlling the process gas supply to allow the reaction to be carried out.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치는 반도체 제조공정이 수행되는 공정챔버; 상기 공정챔버로 공정가스를 공급하도록 상기 공정챔버와 공급유로에 의하여 연결된 가스 공급원; 상기 가스 공급원으로부터 상기 공정챔버로 공급되는 공정가스의 공급을 제어하도록 상기 공급유로 상에 설치된 개폐밸브; 상기 개폐밸브를 설정된 시간에 온/오프 시키는 타이머; 상기 타이머에 상기 개폐밸브의 온/오프 시각을 인가하는 제어부를 구비한다.A semiconductor manufacturing apparatus having a timer for controlling a process gas supply according to the present invention for achieving the above object includes a process chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed; A gas supply source connected to the process chamber by a supply passage to supply a process gas to the process chamber; An on / off valve installed on the supply passage to control the supply of the process gas supplied from the gas supply source to the process chamber; A timer for turning on / off the on / off valve at a set time; And a control unit for applying an on / off time of the on / off valve to the timer.

그리고 바람직하게 상기 공정챔버는 복수개로 마련되고, 상기 개폐밸브는 상기 공정챔버에 각각 설치되고, 상기 제어부는 상기 타이머에 상기 기준시간과 상기 온/오프 시각을 일괄 인가하여 각각의 상기 개폐밸브의 개폐시간을 맞추도록 한다.Preferably, the process chamber is provided in plural, and the on-off valve is installed in the process chamber, respectively, and the control unit applies the reference time and the on / off time to the timer collectively to open / close each of the on / off valves. Try to set the time.

이하에서는 본 발명에 따른 공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치에 대한 실시예를 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus having a timer for controlling a process gas supply according to the present invention will be described with reference to the drawings.

본 발명에 따른 공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치는 도 2에 도시된 바와 같이 소정의 반도체 제조공정이 수행되는 다수개의 공정챔버(100)와, 이 공정챔버(100)로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급원(130)을 구비한다. 여기서 반응가스는 공정의 종류에 따라 다양하게 적용되고, 공정챔버 또한 다양한 종류가 적용될 수 있다.The semiconductor manufacturing apparatus having a process gas supply control timer according to the present invention, as shown in FIG. 2, supplies a plurality of process chambers 100 in which a predetermined semiconductor manufacturing process is performed, and a reaction gas to the process chamber 100. A reactive gas supply source 130 is provided. Here, the reaction gas may be variously applied according to the type of the process, and the process chamber may also be variously applied.

그리고 반응가스 공급원(130)과 공정챔버(100)를 상호 연결하는 공급유로(120)가 마련되고, 이 공급유로(120) 상에 설치되어 반응가스 공급원(130)으로부터 공정챔버(100)로 공급되는 반응가스의 공급량을 제어하는 개폐밸브(140)가 마련된다. In addition, a supply flow path 120 is provided to interconnect the reaction gas supply source 130 and the process chamber 100, and is installed on the supply flow path 120 to supply the reaction gas supply source 130 from the reaction gas supply source 130 to the process chamber 100. An on-off valve 140 for controlling a supply amount of reactant gas to be provided is provided.                     

이 개폐밸브(140)는 솔레노이드 밸브로 구비되는데, 본 실시예의 솔레노이드 밸브는 노멀 크로즈형(Normal close type) 솔레노이드 밸브이다. 그리고 이 개폐밸브(140)의 동작을 제어하는 타이머(150)와 이 타이머(150)의 동작을 제어하는 제어부(110)가 마련된다. 이 제어부(110)는 타이머(150) 뿐만 아니라 다른 구성요소들에 대한 동작 제어를 함께 수행할 수 있도록 구성될 수 있다. The on-off valve 140 is provided with a solenoid valve, the solenoid valve of the present embodiment is a normal close type solenoid valve. A timer 150 for controlling the operation of the open / close valve 140 and a controller 110 for controlling the operation of the timer 150 are provided. The controller 110 may be configured to perform operation control for not only the timer 150 but also other components.

여기서 공정챔버(100a, 100b, 100c)는 동일한 공정을 수행하는 공정챔버(100a, 100b, 100c)가 복수개로 구현된다. 즉, 근래에 반도체 제조공정에서는 공정효율의 향상을 위하여 다수개의 공정챔버(100a, 100b, 100c)가 원주상으로 배치되고, 그 중앙에 이송챔버 그리고 일측으로 로드락챔버가 설치된 멀티형 반도체 제조장치가 주로 사용된다. 따라서 본 발명에서도 이러한 멀티형 반도체 제조장치에 적용되며, 다르게는 확산로와 같이 개별단위로 마려된 반도체 제조장치에도 적용이 가능하다. Here, the process chambers 100a, 100b and 100c may include a plurality of process chambers 100a, 100b and 100c which perform the same process. That is, in recent years, in the semiconductor manufacturing process, a plurality of process chambers 100a, 100b, and 100c are arranged circumferentially in order to improve process efficiency, and a multi-type semiconductor manufacturing apparatus in which a transfer chamber and a load lock chamber are installed at one side thereof in the center thereof. Mainly used. Therefore, the present invention is also applied to such a multi-type semiconductor manufacturing apparatus, otherwise may be applied to a semiconductor manufacturing apparatus enclosed in individual units, such as a diffusion path.

한편, 반응가스 공급원(130)은 각각의 공정챔버(100a, 100b, 100c) 내에 탑재되어 구성되거나 또는 하나의 반응가스 공급원(130)으로부터 이 각각의 공정챔버(100a, 100b, 100c)로 동일 종류의 반응가스를 공급하도록 구현될 수 있다. 본 발명의 구성은 싱글형 또는 멀티형에서 반응가스 공급원(130)이 탑재형이거나 또는 분리형인 경우 어느 것에도 적용이 가능하다.On the other hand, the reaction gas source 130 is mounted in each process chamber (100a, 100b, 100c) or the same kind from one reaction gas source 130 to each process chamber (100a, 100b, 100c) It can be implemented to supply a reaction gas of. The configuration of the present invention can be applied to either the single type or the multi type when the reaction gas source 130 is mounted or separated.

즉, 어떠한 형태의 반도체 제조설비인 경우에도 각각의 공정챔버(100a, 100b, 100c)에는 개폐밸브(140)가 설치된다. 그리고 본 발명에서는 이들 각각의 개폐밸브(140)에 전술한 바와 같이 타이머(150)를 설치한다. 이 타이머(150)는 바람 직하게 디지털 방식이 적절하며, 신호가 입출력 되는 간격과 체킹(checking) 타임이 적어도 0.05초 이하인 것이 바람직하다.That is, even in the case of any type of semiconductor manufacturing equipment, each of the process chambers 100a, 100b, and 100c is provided with an on / off valve 140. In the present invention, the timer 150 is installed in each of the on-off valves 140 as described above. Preferably, the timer 150 is digitally suitable, and the interval at which the signal is input and output and the checking time are preferably at least 0.05 seconds or less.

이 타이머(150)는 각각의 개폐밸브(140)를 동일시간에 동일시간 동안 개폐되도록 하는데, 타이머(150)는 제어는 제어부(110)에서 수행하고, 타이머(150)는 제어부(110)의 입력신호에 따라 동작한다.The timer 150 is to open and close each on-off valve 140 for the same time at the same time, the timer 150 is controlled by the control unit 110, the timer 150 is input by the control unit 110 It operates according to the signal.

이하에서는 전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 유량제어기를 가진 반도체 제조장치의 작용상태에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an operational state of a semiconductor manufacturing apparatus having a flow controller according to the present invention configured as described above will be described.

본 발명에 따른 유량제어기를 가진 반도체 제조장치는 각 공정챔버(100) 내부로 반응이 수행되는 웨이퍼가 이송장치에 의하여 이송되어 안착된다. 그런 다음 온도, 압력 기타 등의 공정 조건을 맞추어지고, 이후 반응가스가 공급된다.In the semiconductor manufacturing apparatus having a flow controller according to the present invention, a wafer in which a reaction is performed in each process chamber 100 is transferred and seated by a transfer apparatus. Then, the process conditions such as temperature, pressure and the like are adjusted, and then reaction gas is supplied.

반응가스 공급은 제어부(110)에서 각각의 타이머(150a, 150b, 150c)로부터 현재의 시각인 기준시각을 입력받는다. 그러면 제어부(110)에서는 이 기준시각에 따라 각각의 타이머(150a, 150b, 150c)에 기준시각으로부터 소정의 지연시간이 흐른 이후에 개폐밸브(140a, 140b, 140c)를 개방하도록 설정시각을 입력한다.The reaction gas supply receives a reference time that is the current time from the timers 150a, 150b, and 150c in the controller 110. Then, the control unit 110 inputs the set time to open the on-off valves 140a, 140b, and 140c after a predetermined delay time passes from the reference time to the timers 150a, 150b, and 150c according to the reference time. .

그리고 동시에 제어부(110)에서는 미리 입력된 공정조건에 따라 반응가스를 공급하는 소정시간이 설정되어 있다. 따라서 제어부(110)에서는 개폐밸브(140a, 140b, 140c)를 개방하는 온시각과 함께 개폐밸브(140)를 닫는 오프시각도 함께 타이머(150a, 150b, 150c)로 전송한다. 즉 설정시각 이후 소정시간인 반응가스 공급시간이 흐른 후에 개폐밸브(140a, 140b, 140c)를 닫도록 설정시각을 입력할 때 함께 입력되도록 한다. At the same time, the control unit 110 is set a predetermined time for supplying the reaction gas in accordance with the input process conditions. Therefore, the controller 110 transmits the on-times of opening and closing the valves 140a, 140b and 140c together with the off-times of closing the shut-off valve 140 to the timers 150a, 150b and 150c. That is, when the set time is input to close the on / off valves 140a, 140b, and 140c after the reaction gas supply time, which is a predetermined time after the set time, is input together.                     

그러면, 각각의 타이머(150a, 150b, 150c)에는 기준시각으로부터 지연시간이 흐른 설정시각에 개폐밸브(140a, 140b, 140c)가 온되도록 입력받고, 타이머(150a, 150b, 150c)는 이때부터 소정시간에 대한 카운터를 0.05초 간격으로 시작한다. Then, each of the timers 150a, 150b, and 150c is input to turn on / off the valves 140a, 140b, and 140c at a set time at which a delay time passes from the reference time, and the timers 150a, 150b, and 150c are predetermined from this time. Start the counter for the time at 0.05 second intervals.

즉 지연시각이 흘러 온시각이 되면, 타이머(150a, 150b, 150c)는 즉각 개폐밸브(140a, 140b, 140c)를 온하여 반응가스가 공정챔버(100a, 100b, 100c)로 공급되도록 한다. 그리고 계속해서 제어부(110)로부터 입력된 소정시간이 흘러 오프시각이 되면 타이머(150a, 150b, 150c)는 즉각적으로 개폐밸브(140a, 140b, 140c)를 닫도록 한다. 이러한 동작으로 개폐밸브(140a, 140b, 140c)에 의한 반응가스의 공급 조절이 이루어지게 된다.That is, when the delay time flows to the on time, the timers 150a, 150b and 150c immediately turn on the shutoff valves 140a, 140b and 140c so that the reaction gas is supplied to the process chambers 100a, 100b and 100c. Subsequently, when a predetermined time input from the controller 110 flows to the off time, the timers 150a, 150b, and 150c immediately close the on / off valves 140a, 140b, and 140c. In this operation, the supply of the reaction gas is controlled by the on / off valves 140a, 140b, and 140c.

예를 들어서 설명한다면, 도 2에서와 같이 세 개의 공정챔버(100a, 100b, 100c)로 반응가스를 공급한다고 가정하고, 타이머(150)는 0.05초 단위로 한 주기가 12초라고 하고, 각각의 타이머(150)중 제 1타이머(150a)는 기준시각이 3초이고, 제 2타이머(150b)의 기준시각이 6초이라고 한다. 그리고 공정가스가 공급되는 소정시간이 총 1분이라고 하자. 1분은 본 실시예에서의 타이머(150)에서는 5주기에 해당한다. For example, it is assumed that the reaction gas is supplied to the three process chambers 100a, 100b, and 100c as shown in FIG. 2, and the timer 150 has 12 cycles of 0.05 seconds each. The reference time of the first timer 150a of the timer 150 is 3 seconds, and the reference time of the second timer 150b is 6 seconds. In addition, a predetermined time for supplying the process gas is 1 minute in total. One minute corresponds to five cycles in the timer 150 in this embodiment.

이때 제어부(110)는 제 1타이머(150a)와 제 2타이머(150b)에 대해서 기준시각으로부터 3초(지연시간)가 지난 시각(온시각)에 1분(소정시간) 동안 반응가스를 공급하도록 입력하고, 이후 1분 후(오프시각)에 반응가스 공급을 차단하도록 입력한다. At this time, the control unit 110 to supply the reaction gas to the first timer (150a) and the second timer (150b) for one minute (predetermined time) at the time (on time) three seconds (delay time) has passed from the reference time After 1 minute (off time), enter the input gas to cut off the supply.

여기서 지연시간은 3초정도로 설정하지만, 최소 지연시간은 0.2초 이상인 것 이 바람직하다. 즉 제어부(110)에서 각각의 타이머(150)로 입력될 때 걸리는 지연시간을 감안한다. The delay time is set to about 3 seconds, but the minimum delay time is preferably 0.2 seconds or more. That is, the delay time taken when the controller 110 is input to each timer 150 is considered.

그러면, 제 1타이머(150a)와 제 2타이머(150b)는 제어부(110)로부터 별도의 명령을 받지 않더라도 제 1타이머(150a)는 3초의 지연시간이 지난 후인 6초(온시각)에 제 1개폐밸브(140a)를 온시켜 반응가스를 공급하고, 제 2타이머(150b)는 3초의 지연시간이 지난 후인 9초(온시각)에 제 2개폐밸브(140b)를 온시켜 반응가스를 공급하도록 한다. Then, even though the first timer 150a and the second timer 150b do not receive a separate command from the controller 110, the first timer 150a receives the first time at 6 seconds (on time) after a delay of 3 seconds has passed. The on / off valve 140a is turned on to supply the reaction gas, and the second timer 150b turns on the second opening / closing valve 140b at 9 seconds (on time) after 3 seconds of delay time to supply the reactant gas. do.

이와 같은 동작 후에 각각의 타이머(150)는 정확히 5주기 흐른 후인 오프시각이 되면 오프동작을 수행하도록 하는데, 제 1타이머(150a)의 경우는 6초(오프시각)에, 제 2타이머(150b)는 9초(오프시각)에 각각이 정확히 제 1개폐밸브(140a)와 제 2개폐밸브(140b)를 닫아서 반응가스의 공급을 종료하도록 한다. 이러한 동작은 제 3개폐밸브(140c)와 제 3타이머(150c) 에서도 동일하게 수행된다.After this operation, each timer 150 performs an off operation when the off time is reached after exactly 5 cycles. In the case of the first timer 150a, the second timer 150b is performed at 6 seconds (off time). 9 seconds (off time) to close the first opening and closing valve 140a and the second opening and closing valve 140b so as to terminate the supply of the reaction gas. This operation is similarly performed in the third open / close valve 140c and the third timer 150c.

따라서 종래와 같이 제어부(110)에서 공정가스 공급시간을 인가함에 따른 지연되는 시간이 최소화 되어 그 만큼 동일 시간에서의 공정 진행이 가능해지게 되며, 따라서 동종 설비의 경우 그 공정시간을 동일하게 유지하여 반도체 제조설비의 사용효율과 관리효율을 보다 향상시킬 수 있다.Therefore, the delay time caused by applying the process gas supply time from the controller 110 is minimized as in the related art, and thus the process progresses at the same time. Thus, in the case of homogeneous equipment, the process time is kept the same. The use efficiency and management efficiency of manufacturing facilities can be further improved.

전술한 바와 같은 본 발명의 실시예 외에 각각의 구성요소들을 일부 변형하여 다르게 실시할 수 있을 것이다. 그러나 이들 실시예의 기본 구성요소가 본 발명의 필수구성요소들을 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.In addition to the above-described embodiment of the present invention, each component may be modified by some modifications. However, if the basic components of these embodiments include the essential components of the present invention all should be considered to be included in the technical scope of the present invention.

이상과 같은 본 발명에 따른 공정가스 공급제어용 타이머를 가진 반도체 제조장치는 공정가스를 각각의 공정챔버로 공급하는 각각의 개폐밸브의 온/오프 지연시간을 최소화 하도록 개폐밸브를 직접 동작시키는 타이머를 설치하여 각각의 공정챔버에서 동일시간 동안 공정수행이 가능하도록 하여 반도체 제조장치의 사용효율과 관리효율을 보다 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.The semiconductor manufacturing apparatus having the process gas supply control timer according to the present invention as described above is provided with a timer for directly operating the on-off valve to minimize the on / off delay time of each on-off valve for supplying the process gas to each process chamber Thus, the process can be performed for the same time in each process chamber, thereby improving the use efficiency and management efficiency of the semiconductor manufacturing apparatus.

Claims (2)

반도체 제조공정이 수행되는 공정챔버;A process chamber in which a semiconductor manufacturing process is performed; 상기 공정챔버로 공정가스를 공급하도록 상기 공정챔버와 공급유로에 의하여 연결된 가스 공급원;A gas supply source connected to the process chamber by a supply passage to supply a process gas to the process chamber; 상기 가스 공급원으로부터 상기 공정챔버로 공급되는 공정가스의 공급을 제어하도록 상기 공급유로 상에 설치된 개폐밸브;An on / off valve installed on the supply passage to control the supply of the process gas supplied from the gas supply source to the process chamber; 상기 개폐밸브를 설정된 시간에 온/오프 시키는 타이머;A timer for turning on / off the on / off valve at a set time; 상기 타이머에 상기 개폐밸브의 온/오프 시각을 인가하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 유량제어기를 가진 반도체 제조장치. And a control unit for applying the on / off time of the on / off valve to the timer. 제 1항에 있어서, 상기 공정챔버는 복수개로 마련되고, 상기 개폐밸브는 상기 공정챔버에 각각 설치되고,The method of claim 1, wherein the process chamber is provided in plurality, the on-off valves are respectively provided in the process chamber, 상기 제어부는 상기 타이머에 상기 온/오프 시각을 일괄 인가하여 각각의 상기 개폐밸브의 개폐가 상기 타이머에 의하여 수행되도록 한 것을 특징으로 하는 유량제어기를 가진 반도체 제조장치.And the control unit collectively applies the on / off time to the timer so that opening and closing of each of the on / off valves is performed by the timer.
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