KR20060016563A - Apparatus for manufactuing semiconductor device and method for removing polymer used the same - Google Patents

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KR20060016563A KR1020040065058A KR20040065058A KR20060016563A KR 20060016563 A KR20060016563 A KR 20060016563A KR 1020040065058 A KR1020040065058 A KR 1020040065058A KR 20040065058 A KR20040065058 A KR 20040065058A KR 20060016563 A KR20060016563 A KR 20060016563A
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Abstract

본 발명은 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조장치 및 그를 이용한 웨이퍼 상의 폴리머 제거방법을 개시한다. 그의 장치는, 웨이퍼의 식각공정이 진행되는 적어도 하나이상의 식각 챔버와, 상기 식각 챔버를 포함한 복수개의 공정 챔버간에 상기 웨이퍼를 이송시키는 공간을 제공하는 트랜스퍼 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 식각 챔버 사이를 서로 연결하는 게이트와, 상기 게이트의 하부에 형성되어 상기 식각 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 선택적으로 차폐 또는 연통시키는 이너 도어 어셈블리와, 상기 이너 도어 어셈블리의 상측 상기 게이트에 형성되고, 상기 식각 챔버에서 상기 트랜스퍼 챔버로 언로딩되는 웨이퍼의 표면에 형성된 폴리머를 감지하는 센서를 포함하여 이루어진다.
The present invention discloses a semiconductor manufacturing apparatus capable of increasing or maximizing production yield and a method for removing a polymer on a wafer using the same. The apparatus includes at least one etching chamber through which an etching process of a wafer proceeds, a transfer chamber providing a space for transferring the wafer between a plurality of process chambers including the etching chamber, and a space between the transfer chamber and the etching chamber. A gate connected to each other, an inner door assembly formed below the gate to selectively shield or communicate with the etching chamber and the transfer chamber, and formed in the gate above the inner door assembly, wherein the transfer in the etching chamber And a sensor for sensing a polymer formed on the surface of the wafer that is unloaded into the chamber.

이너 도어(inner door), 식각 챔버(etching chamber), 트랜스퍼 챔버(transfer chamber), 로드락 챔버(load-lock chamber), 게이트(gate)Inner door, etching chamber, transfer chamber, load-lock chamber, gate

Description

반도체 제조장치 및 그를 이용한 웨이퍼 상의 폴리머 제거방법{apparatus for manufactuing semiconductor device and method for removing polymer used the same} Apparatus for manufactuing semiconductor device and method for removing polymer used the same}             

도 1은 일반적인 식각장치를 개략적으로 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a general etching apparatus.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치를 개략적으로 나타내는 평면도.2 is a plan view schematically showing a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2의 게이트 부분을 나타내는 확대 단면도.3 is an enlarged cross-sectional view showing the gate portion of FIG. 2;

도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조장치를 이용한 웨이퍼 상의 폴리머 제거방법을 나타내는 흐름도.4 is a flowchart illustrating a method of removing a polymer on a wafer using a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

110 : 식각 챔버 120 : 트랜스퍼 챔버110: etching chamber 120: transfer chamber

130 : 스트립 챔버 140 : 로드락 챔버130: strip chamber 140: load lock chamber

150 : 웨이퍼 정렬 챔버 160 : 웨이퍼150: wafer alignment chamber 160: wafer

170 : 게이트 180 : 로봇암170: gate 180: robot arm

190 : 슬릿 밸브 200 : 센서190: slit valve 200: sensor

210 : 뷰 포트210: viewport

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 상에 형성된 폴리머를 제거하여 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus capable of increasing or maximizing a production yield by removing a polymer formed on a wafer.

반도체 소자의 제조 기술은 크게 웨이퍼 상에 가공막을 형성하는 증착(deposition)공정과, 상기 증착공정으로 형성된 가공막 상에 포토레지스트를 형성하여 패터닝 하는 포토리소그래피(photolithography) 공정으로 이루어진다.The manufacturing technology of a semiconductor device is largely composed of a deposition process of forming a processed film on a wafer and a photolithography process of forming and patterning a photoresist on the processed film formed by the deposition process.

상기 포토리소그래피 공정은 상기 가공막이 형성된 웨이퍼 상에 포토레지스트를 형성하여 구현하고자 하는 가공막 상부의 상기 포토레지스트가 선택적으로 남도록 상기 포토레지스트를 패터닝하는 사진공정과, 상기 포토레지스트로부터 노출되는 상기 가공막을 선택적으로 제거하는 식각공정과, 세정액을 이용하여 상기 식각공정 시 이용된 상기 포토레지스트와, 상기 식각공정에 의한 부산물을 완전히 제거하여 상기 식각공정으로부터 식각되지 않은 상기 가공막만이 남도록 세정하는 스트립(strip)공정으로 구분된다. 여기서, 상기 식각공정은 습식식각과 건식식각에 의해 수행될 수 있는 데, 최근의 서브마이크론 디자인 룰을 요구하는 미세패턴을 형성하기 위한 식각은 주로 건식식각에 의해 이루어지고 있다. The photolithography process may be performed by forming a photoresist on a wafer on which the processed film is formed and patterning the photoresist so that the photoresist on the processed film is selectively left. A strip which selectively removes the etching process and the photoresist used in the etching process using a cleaning solution and by-products of the etching process to completely remove the processed film from the etching process. strip) process. Here, the etching process may be performed by wet etching and dry etching, and etching for forming a micro pattern that requires a recent submicron design rule is mainly performed by dry etching.

이와 같은 건식식각은 식각 챔버내에 충만한 불활성 기체 및 식각용 반응가스에 RF(Radio Frequency)의 높은 전압을 인가하여 상기 반응가스(process gas)를 플라즈마(plasma) 상태로 만들고, 상기 가공막을 상기 플라즈마 상태의 반응가스에 노출시킴으로서 이루어질 수 있다.Such dry etching applies a high voltage of RF (Radio Frequency) to an inert gas and an etching reaction gas filled in the etching chamber to make the process gas into a plasma state, and the processed film is in the plasma state. By exposing to a reaction gas of

이하, 도면을 참조하여 일반적인 식각장치에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a general etching apparatus will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 식각장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a general etching apparatus.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 식각장치는, 웨이퍼(1) 또는 상기 웨이퍼(1)에 형성된 박막의 식각공정이 진행되는 식각 챔버(10)와, 상기 식각 챔버의 상단에서 반응가스가 공급되는 샤워헤드(16)와, 상기 샤워헤드(16)를 통하여 공급되는 반응가스를 플라즈마 상태로 만들기 위해 외부에서 고전압이 인가되는 상부전극(20)과, 상기 상부전극(20)에 대향하여 식각 챔버(10)의 하단에 고전압이 인가되는 하부전극(22)과, 상기 하부전극(도시하지 않음) 상에서 상기 웨이퍼(1)를 고정하는 정전척(18)을 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 1, a general etching apparatus includes an etching chamber 10 in which an etching process of a wafer 1 or a thin film formed on the wafer 1 is performed, and a reaction gas is supplied from an upper end of the etching chamber. The shower head 16, the upper electrode 20 to which a high voltage is applied from outside to make the reaction gas supplied through the shower head 16 into a plasma state, and an etching chamber facing the upper electrode 20 ( 10, a lower electrode 22 to which a high voltage is applied, and an electrostatic chuck 18 fixing the wafer 1 on the lower electrode (not shown).

여기서, 상기 식각 챔버(10)는 상기 정전척(18) 및 상기 웨이퍼(1)를 둘러싸는 에지링(24) 또는 포커스 링과 같은 각종 링이 장착되어 수직으로 왕복이동되는 페데스탈 벨로즈(26)를 구비한 하부 하우징(14)과, 상기 반응 가스 공급되는 반응가스 공급관이 연장되는 상기 샤워헤드(16) 및 상부전극(20)이 형성된 업퍼(upper) 하우징(12)으로 이루어진다.Here, the etching chamber 10 is a pedestal bellows 26 which is reciprocated vertically by mounting various rings such as an edge ring 24 or a focus ring surrounding the electrostatic chuck 18 and the wafer 1. And an upper housing 12 having a shower head 16 and an upper electrode 20 to which the reaction gas supply pipe to which the reaction gas is supplied is extended.

또한, 상기 하부 하우징(14) 및 업퍼 하우징(12)으로 이루어진 상기 공정 챔버(10)는 밀폐되어 소정의 진공압을 갖는다. 이때, 상기 샤워헤드(16)를 통해 유동되는 상기 반응가스는 상기 웨이퍼(1)의 중심부근에서 화살표 방향을 따라 수직으로 플로우되고, 상기 웨이퍼(1)의 가장자리로 유동된 후 배출된다. In addition, the process chamber 10 including the lower housing 14 and the upper housing 12 is sealed to have a predetermined vacuum pressure. In this case, the reaction gas flowing through the shower head 16 flows vertically in the direction of the arrow near the center of the wafer 1, flows to the edge of the wafer 1, and then discharges.                         

그리고, 상기 웨이퍼(1)를 고정하기 위한 상기 정전척(18)에는 상기 하부 전극 및 상부 전극과 별개 또는 상기 플라즈마 상태의 반응가스와 무관한 교류전압이 인가된다.In addition, an alternating current voltage is applied to the electrostatic chuck 18 for fixing the wafer 1 separately from the lower electrode and the upper electrode or independent of the reaction gas in the plasma state.

따라서, 종래 기술에 따른 반도체 제조장치는 상기 웨이퍼(1)의 상부에서 수직으로 반응가스를 유동시키면서 상기 상하부전극으로 인가된 고전압에 의해 유도되는 플라즈마 반응을 이용하여 상기 웨이퍼(1) 또는 상기 웨이퍼(1) 상에 형성된 박막을 제거할 수 있다. Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus according to the related art uses the plasma 1 induced by the high voltage applied to the upper and lower electrodes while flowing the reaction gas vertically from the upper portion of the wafer 1 or the wafer ( The thin film formed on 1) can be removed.

하지만, 종래 기술에 따른 반도체 제조장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art has the following problems.

종래 기술에 따른 반도체 제조장치는 플라즈마 반응에 의한 부산물인 폴리머가 식각 챔버(10)에 유발되고, 상기 식각 챔버(10) 내에서 일정시간이상의 식각공정이 진행된 후 상기 폴리머가 상기 식각 챔버(10)에서 언로딩되는 웨이퍼(1)에 떨어져 상기 웨이퍼(1)를 오염시킬 수 있지만 현재 개발된 기술로는 식각공정 후 상기 웨이퍼(1) 상에 떨어진 폴리머를 파악하고 제거할 수 없기 때문에 생산 수율이 떨어지는 단점이 있었다.
In the semiconductor manufacturing apparatus according to the related art, a polymer, which is a byproduct of a plasma reaction, is induced in an etching chamber 10, and after the etching process is performed for a predetermined time or more in the etching chamber 10, the polymer is in the etching chamber 10. Although the wafer 1 can be contaminated with the wafer 1 being unloaded from the wafer, the production yield is low because the currently developed technology cannot identify and remove the polymer dropped on the wafer 1 after the etching process. There was a downside.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 식각 공정이 완료된 웨이퍼 상에 떨어진 폴리머를 파악하고 제거하여 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조장치를 제공하는 데 있다. An object of the present invention for solving the above problems is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of increasing or maximizing the production yield by identifying and removing the polymer dropped on the wafer, the etching process is completed.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따라, 반도체 제조장치는, 웨 이퍼의 식각공정이 진행되는 적어도 하나이상의 식각 챔버와, 상기 식각 챔버를 포함한 복수개의 공정 챔버간에 상기 웨이퍼를 이송시키는 공간을 제공하는 트랜스퍼 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 식각 챔버 사이를 서로 연결하는 게이트와, 상기 게이트의 하부에 형성되어 상기 식각 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 선택적으로 차폐 또는 연통시키는 이너 도어 어셈블리와, 상기 이너 도어 어셈블리의 상측 상기 게이트에 형성되고, 상기 식각 챔버에서 상기 트랜스퍼 챔버로 언로딩되는 웨이퍼의 표면에 형성된 폴리머를 감지하는 센서를 포함함을 특징으로 한다.In accordance with an aspect of the present invention for achieving the above object, the semiconductor manufacturing apparatus includes a space for transferring the wafer between at least one etching chamber through which an etching process of a wafer is performed, and a plurality of process chambers including the etching chamber. A transfer chamber providing a gate, a gate connecting the transfer chamber and the etching chamber to each other, an inner door assembly formed under the gate to selectively shield or communicate with the etching chamber and the transfer chamber, the inner door And a sensor formed on the gate on the upper side of the assembly and sensing the polymer formed on the surface of the wafer that is unloaded from the etching chamber to the transfer chamber.

또한, 본 발명의 다른 양태는, 웨이퍼의 식각 공정을 완료하는 단계와, 식각 챔버에서 트랜스퍼 챔버로 상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계와, 상기 식각 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이에 형성된 센서가 상기 웨이퍼의 표면을 스캐닝하여 상기 웨이퍼의 표면에 형성되는 폴리머를 감지하는 단계와, 상기 웨이퍼의 표면에 폴리머가 발생될 경우, 상기 웨이퍼의 후속 공정이 수행되지 못하도록 제어부에 의해 인터락이 발생되는 단계를 포함하는 반도체 제조장치를 이용한 웨이퍼 상의 폴리머 제거방법이다.
In addition, another aspect of the invention, the step of completing the etching process of the wafer, the step of unloading the wafer from the etching chamber to the transfer chamber, and a sensor formed between the etching chamber and the transfer chamber to the surface of the wafer Detecting a polymer formed on the surface of the wafer by scanning; and generating a polymer on the surface of the wafer, and generating an interlock by a controller to prevent subsequent processing of the wafer. It is a method of removing the polymer on the wafer using.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완 전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and the like of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings means the same elements. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조장치를 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 3은 도 2의 게이트 부분을 나타내는 확대 단면도이다.2 is a plan view schematically illustrating a semiconductor manufacturing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view illustrating the gate portion of FIG. 2.

도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조장치는, 웨이퍼(160)의 식각공정이 진행되는 적어도 하나이상의 식각 챔버(110)와, 상기 식각 챔버(110)를 포함한 복수개의 공정 챔버간에 상기 웨이퍼(160)를 이송시키는 공간을 제공하는 트랜스퍼 챔버(120)와, 상기 트랜스퍼 챔버(120)와 상기 식각 챔버(110) 사이를 서로 연결하는 게이트(170)와, 상기 게이트(170)의 하부에 형성되어 상기 식각 챔버(110)와 상기 트랜스퍼 챔버(120)를 선택적으로 차폐 또는 개방시키는 이너 도어 어셈블리(도시하지 않음)와, 상기 이너 도어 어셈블리의 상측 상기 게이트(170)에 형성되고, 상기 식각 챔버(110)에서 상기 트랜스퍼 챔버(120)로 언로딩되는 웨이퍼(160)의 표면에 형성된 폴리머를 감지하는 센서(200)를 포함하여 구성된다. 도시되지는 않았지만, 상기 식각 챔버(110)에서 상기 트랜스퍼 챔버(120)로 언로딩되는 웨이퍼(160)의 표면에 상기 폴리머가 형성될 경우, 상기 센서(200)에서 출력되는 감지신호를 이용하여 후속의 식각공정을 정지시키는 상기 제어부를 더 포함하여 구성된다. 2 to 3, the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention includes a plurality of processes including at least one etching chamber 110 through which an etching process of the wafer 160 is performed, and the etching chamber 110. A transfer chamber 120 providing a space for transferring the wafer 160 between chambers, a gate 170 connecting the transfer chamber 120 and the etching chamber 110 to each other, and the gate 170. Is formed in the lower portion of the inner door assembly (not shown) to selectively shield or open the etching chamber 110 and the transfer chamber 120, and is formed in the gate 170, the upper side of the inner door assembly, The sensor 200 includes a sensor 200 that detects a polymer formed on the surface of the wafer 160 that is unloaded from the etching chamber 110 to the transfer chamber 120. Although not shown, when the polymer is formed on the surface of the wafer 160 that is unloaded from the etching chamber 110 to the transfer chamber 120, the polymer may be subsequently detected using a sensing signal output from the sensor 200. The control unit is further configured to stop the etching process of.                     

여기서, 상기 식각 챔버(110)는 플라즈마 반응을 이용하여 포토레지스트 패턴에 의해 노출되는 상기 웨이퍼(160) 또는 상기 웨이퍼(160) 상에 형성된 박막을 제거할 수 있다.The etching chamber 110 may remove the thin film formed on the wafer 160 or the wafer 160 exposed by the photoresist pattern using a plasma reaction.

상기 트랜스퍼 챔버(120)는 포토레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼(160)의 식각공정을 수행하기 위해 상기 웨이퍼(160)가 상기 식각 챔버(110)로 투입되는 과정에서 버퍼링하는 역할을 수행하고, 후속의 포토레지스트 패턴을 제거하기 위한 스트립 공정과 같은 연속 공정이 수행되는 복수개의 상기 공정 챔버가 클러스터 타입(cluster type)으로 서로 연결되어 있기 때문에 반도체 제조공정의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 트랜스퍼 챔버(120)는 상기 웨이퍼(160)의 식각공정을 수행하기 위해 식각 챔버(110)의 내부로 상기 웨이퍼(160)를 로딩하거나, 상기 식각 챔버(110) 내에서 상기 식각공정이 완료된 웨이퍼(160)를 언로딩하는 로봇암(180)을 구비한다. 그리고, 상기 트랜스퍼 챔버(120)의 일측에는 상기 식각 공정을 수행하기 위한 웨이퍼(160)를 트랜스퍼 챔버(120)로 로딩하기 위한 로드락 챔버(load-lock chamber, 140)가 형성되어 있고, 상기 로드락 챔버(140)에 인접하는 위치에 상기 트랜스퍼 챔버(120)와 연결되어 상기 웨이퍼(160)를 정렬시키는 웨이퍼 정렬 챔버(wafer align chamber, 150)가 형성되어 있다. 이때, 반도체 제조장치 내에 로딩된 상기 웨이퍼(160)의 식각 공정 및 스트립 공정은 도 2의 화살표를 따라 시계방향 또는 반시계방향으로 진행되는 복수개의 공정이 동시에 실시될 수 있다.The transfer chamber 120 serves to buffer the wafer 160 while being introduced into the etching chamber 110 to perform an etching process of the wafer 160 on which the photoresist pattern is formed, and subsequent photo Since the plurality of process chambers in which a continuous process such as a strip process for removing a resist pattern is performed are connected to each other in a cluster type, efficiency of a semiconductor manufacturing process can be improved. In addition, the transfer chamber 120 loads the wafer 160 into the etching chamber 110 to perform the etching process of the wafer 160, or the etching process is completed in the etching chamber 110. A robotic arm 180 for unloading the wafer 160 is provided. In addition, a load-lock chamber 140 is formed at one side of the transfer chamber 120 to load the wafer 160 for performing the etching process into the transfer chamber 120. A wafer align chamber 150 is formed at a position adjacent to the lock chamber 140 to align the wafer 160 with the transfer chamber 120. In this case, in the etching process and the strip process of the wafer 160 loaded in the semiconductor manufacturing apparatus, a plurality of processes proceeding in a clockwise or counterclockwise direction along the arrow of FIG. 2 may be simultaneously performed.

상기 게이트(170)는 각 식각 챔버(110), 스트립 챔버 및 로드락 챔버에 모두 형성되어 상기 각 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버(120)를 서로 연결하고, 상기 로봇암 (180)에 의해 상기 웨이퍼(160)가 상기 트랜스퍼 챔버(120)와 각 챔버사이에 유출입되도록 형성되어 있다. The gate 170 is formed in each of the etching chamber 110, the strip chamber, and the load lock chamber to connect the respective chambers and the transfer chamber 120 to each other, and the wafer 160 by the robot arm 180. ) Is formed to flow in and out between the transfer chamber 120 and each chamber.

상기 이너 도어 어셈블리는 상기 웨이퍼(160) 및 상기 트랜스퍼 챔버(120)의 하부에서 소정의 압력으로 피스톤 왕복운동되는 실린더에 의해 상기 게이트(170)를 개폐시키는 슬릿 밸브(190)와, 상기 슬릿 밸브(190)에 대향하는 상기 웨이퍼(160) 및 상기 트랜스퍼 챔버(120)의 상부에서 작업자로 하여금 내부가 보여지도록 투명한 유리 재질로 형성된 뷰 포터(view port, 210)를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 슬릿 밸브(190)는 상기 게이트(170)에 유출입되는 웨이퍼(160)의 로딩 또는 언로딩 방향에 대하여 수직 또는 45°정도 기울어지도록 형성되어도 무방하다.The inner door assembly may include a slit valve 190 for opening and closing the gate 170 by a cylinder reciprocating piston at a predetermined pressure in the lower portion of the wafer 160 and the transfer chamber 120, and the slit valve ( And a view port 210 formed of a transparent glass material to allow the operator to see the inside of the wafer 160 and the transfer chamber 120 facing the 190. In this case, the slit valve 190 may be formed to be inclined about 45 ° or perpendicular to the loading or unloading direction of the wafer 160 flowing into and out of the gate 170.

그리고, 상기 센서(200)는 상기 식각 챔버(110)에서 식각공정이 완료된 웨이퍼(160)가 게이트(170)를 통해 언로딩될 경우, 상기 웨이퍼(160)의 표면을 스캐닝하여 상기 웨이퍼(160) 상에 유발되는 폴리머를 감지하는 것으로, 상기 뷰 포트(210) 상에 형성되어 있다. 또한, 상기 센서(200)는 상기 웨이퍼(160) 상에 가시광 또는 적외선을 입사하는 입광부(도시되지 않음)와, 상기 입광부에서 입사된 가시광 또는 적외선을 수광하는 수광부(도시되지 않음)를 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 센서(200)는 상기 입광부에서 입사된 상기 가시광 또는 적외선이 상기 웨이퍼(160)의 표면에서 반사되어 상기 수광부에 수광되는 과정에서 상기 폴리머가 상기 웨이퍼(160) 상에 형성되어 있을 경우, 상기 웨이퍼(160)에서 반사되어 상기 수광부에 수광되는 상기 가시광 또는 적외선의 강도(intensity)가 과도하게 줄어들게 됨으로서 폴리머를 감지할 수 있도록 설계되어 있다. In addition, when the wafer 160 in which the etching process is completed in the etching chamber 110 is unloaded through the gate 170, the sensor 200 scans the surface of the wafer 160 to scan the surface of the wafer 160. Detecting the polymer caused in the phase, is formed on the view port 210. In addition, the sensor 200 includes a light incidence unit (not shown) for injecting visible or infrared light onto the wafer 160, and a light incidence unit (not shown) for receiving visible or infrared light incident from the light incidence unit. It is done by In this case, when the polymer is formed on the wafer 160 while the visible or infrared light incident from the light incident part is reflected from the surface of the wafer 160 and is received by the light receiving part, In addition, the intensity of the visible light or infrared light reflected from the wafer 160 and received by the light receiving unit is excessively reduced so that the polymer can be detected.                     

따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조장치는 식각 챔버(110)와 연결되는 게이트(170)에 상기 식각 챔버(110)에서 유발된 폴리머를 감지하는 센서(200)를 형성하여 식각 공정이 완료된 웨이퍼(160) 상에 떨어진 폴리머를 감지하고 제거하도록 할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.Therefore, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention forms a sensor 200 for detecting a polymer induced in the etching chamber 110 in the gate 170 connected to the etching chamber 110 to complete the etching process. It can be used to detect and remove polymers falling on), which can increase or maximize production yield.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 제조장치를 이용한 웨이퍼(160) 상의 폴리머 제거 방법을 설명하면 다음과 같다.The polymer removal method on the wafer 160 using the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention configured as described above is as follows.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 제조장치를 이용한 웨이퍼 상의 폴리머 제거방법을 나타내는 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a method of removing a polymer on a wafer using a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼(160)의 식각 공정이 완료되면(S10), 상기 식각 챔버(110)와 상기 트랜스퍼 챔버(120)는 상기 게이트(170)에 형성된 슬릿 밸브(190)가 오픈되어 서로 개방된다. 이때, 상기 식각 챔버(110) 내부에 공급된 반응가스는 모두 배기되고, 퍼징된 상태에서 상기 슬릿 밸브(190)가 오픈된다.As shown in FIG. 4, when the etching process of the wafer 160 is completed (S10), the etch chamber 110 and the transfer chamber 120 have a slit valve 190 formed in the gate 170. Open to each other. At this time, all of the reaction gas supplied into the etching chamber 110 is exhausted, and the slit valve 190 is opened in the purged state.

다음, 상기 로봇암(180)이 상기 식각 챔버(110)의 내부로 삽입되어 상기 식각 챔버(110) 내의 상기 웨이퍼(160)가 상기 트랜스퍼 챔버(120)로 언로딩되기 시작하면(S20), 상기 게이트(170)에 위치된 상기 센서(200)에 전원이 공급된다. 이때, 상기 센서(200)는 상기 게이트(170)를 통해 언로딩되는 웨이퍼(160)의 표면을 스케닝(scanning)하게 된다(S30). Next, when the robot arm 180 is inserted into the etching chamber 110 so that the wafer 160 in the etching chamber 110 starts to be unloaded into the transfer chamber 120 (S20), Power is supplied to the sensor 200 located at the gate 170. In this case, the sensor 200 scans the surface of the wafer 160 which is unloaded through the gate 170 (S30).

그 다음, 상기 제어부는 상기 센서(200)에서 감지된 감지 신호를 이용하여 상기 웨이퍼(160) 상에 발생되는 폴리머의 유무를 확인한다(S40). 이때, 상기 웨이퍼(160)의 표면에 폴리머가 발생되지 않은 것으로 판단된 경우, 상기 웨이퍼(160) 는 정상적으로 상기 트랜스퍼 챔버(120)에 언로딩되어 후속의 스트립 공정을 수행하기 위한 스트립 챔버(130)로 이송될 수 있다(S60). 그러나, 상기 웨이퍼(160)의 표면에 폴리머가 발생된 것으로 판단될 경우, 상기 트랜스퍼 챔버(120)로 언로딩되는 상기 웨이퍼(160)는 이후의 공정을 수행하지 않고, 상기 로드락 챔버(140)를 통해 반도체 제조장치의 외부로 언로딩되거나, 상기 웨이퍼(160)의 후속 공정이 수행되지 못하도록 상기 제어부에 의해 인터락이 발생되어 반도체 제조장치의 동작을 정지시킬 수도 있다(S50). Next, the controller checks the presence or absence of the polymer generated on the wafer 160 by using the detection signal detected by the sensor 200 (S40). In this case, when it is determined that no polymer is generated on the surface of the wafer 160, the wafer 160 is normally unloaded into the transfer chamber 120 to perform a subsequent strip process 130. Can be transferred to (S60). However, when it is determined that polymer is generated on the surface of the wafer 160, the wafer 160 unloaded into the transfer chamber 120 does not perform a subsequent process, and the load lock chamber 140 does not perform a subsequent process. The interlock may be generated by the controller so as not to be unloaded to the outside of the semiconductor manufacturing apparatus or to perform a subsequent process of the wafer 160 (S50).

이후, 상기 웨이퍼(160) 상에 유발된 폴리머를 제거하고, 상기 스트립 챔버(130)로 상기 웨이퍼(160)를 이송하여 상기 웨이퍼(160) 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 세정할 수 있다.Thereafter, the polymer induced on the wafer 160 may be removed, and the wafer 160 may be transferred to the strip chamber 130 to clean the photoresist pattern formed on the wafer 160.

따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조장치를 이용한 웨이퍼(160) 상의 폴리머 제거방법은 식각 공정을 완료한 웨이퍼(160)가 식각 챔버(110)에서 트랜스퍼 챔버(120)로 이동하는 과정에서 상기 웨이퍼(160) 상에 형성된 폴리머를 센서(200)를 이용하여 감지하고, 상기 센서(200)에 의해 감지된 폴리머를 상기 웨이퍼(160)에서 제거할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.Therefore, in the method of removing the polymer on the wafer 160 using the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the wafer 160 in the process of moving the wafer 160 having completed the etching process from the etching chamber 110 to the transfer chamber 120 is carried out. The polymer formed on the substrate may be sensed using the sensor 200, and the polymer detected by the sensor 200 may be removed from the wafer 160, thereby increasing or maximizing production yield.

또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.In addition, the description of the above embodiment is merely given by way of example with reference to the drawings in order to provide a more thorough understanding of the present invention, it should not be construed as limiting the present invention. In addition, for those skilled in the art, various changes and modifications may be made without departing from the basic principles of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 식각 챔버와 트랜스퍼 챔버가 서로 연결되는 게이트에 상기 식각 챔버에서 유발된 폴리머를 감지하는 센서를 형성하여 식각 공정이 완료된 웨이퍼 상에 떨어진 폴리머를 감지하고 제거하도록 할 수 있기 때문에 생산 수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.
As described above, according to the present invention, a sensor for detecting a polymer induced in the etching chamber may be formed at a gate where the etching chamber and the transfer chamber are connected to each other to detect and remove the polymer dropped on the wafer on which the etching process is completed. As a result, the yield can be increased or maximized.

Claims (5)

웨이퍼의 식각공정이 진행되는 적어도 하나이상의 식각 챔버와,At least one etching chamber through which an etching process of a wafer is performed; 상기 식각 챔버를 포함한 복수개의 공정 챔버간에 상기 웨이퍼를 이송시키는 공간을 제공하는 트랜스퍼 챔버와,A transfer chamber providing a space for transferring the wafer between a plurality of process chambers including the etching chamber; 상기 트랜스퍼 챔버와 상기 식각 챔버 사이를 서로 연결하는 게이트와,A gate connecting the transfer chamber and the etching chamber to each other; 상기 게이트의 하부에 형성되어 상기 식각 챔버와 상기 트랜스퍼 챔버를 선택적으로 차폐 또는 연통시키는 이너 도어 어셈블리와,An inner door assembly formed under the gate to selectively shield or communicate with the etching chamber and the transfer chamber; 상기 이너 도어 어셈블리의 상측 상기 게이트에 형성되고, 상기 식각 챔버에서 상기 트랜스퍼 챔버로 언로딩되는 웨이퍼의 표면에 형성된 폴리머를 감지하는 센서를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조장치.And a sensor formed on the gate above the inner door assembly and sensing a polymer formed on the surface of the wafer unloaded from the etching chamber into the transfer chamber. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 식각 챔버에서 상기 트랜스퍼 챔버로 언로딩되는 웨이퍼의 표면에 상기 폴리머가 형성될 경우, 상기 센서에서 출력되는 감지신호를 이용하여 후속의 식각공정을 정지시키는 상기 제어부를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조장치.And a control unit for stopping a subsequent etching process by using a detection signal output from the sensor when the polymer is formed on the surface of the wafer unloaded from the etching chamber to the transfer chamber. Manufacturing equipment. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 센서는 상기 웨이퍼 상에 형성된 상기 폴리머를 가시광선 또는 적외선을 이용하여 감지하는 포토 센서를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조장치 .The sensor comprises a photo sensor for sensing the polymer formed on the wafer using visible light or infrared light. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 웨이퍼의 식각 공정을 완료하는 단계와,Completing the etching process of the wafer, 식각 챔버에서 트랜스퍼 챔버로 상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계와,Unloading the wafer from an etching chamber to a transfer chamber; 상기 식각 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이에 형성된 센서가 상기 웨이퍼의 표면을 스캐닝하여 상기 웨이퍼의 표면에 형성되는 폴리머를 감지하는 단계와,Detecting a polymer formed on the surface of the wafer by scanning a surface of the wafer by a sensor formed between the etching chamber and the transfer chamber; 상기 웨이퍼의 표면에 폴리머가 발생될 경우, 상기 웨이퍼의 후속 공정이 수행되지 못하도록 제어부에 의해 인터락이 발생되는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조장치를 이용한 웨이퍼 상의 폴리머 제거방법.If the polymer is generated on the surface of the wafer, the step of removing the polymer on the wafer using a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the interlock is generated by a control unit to prevent the subsequent processing of the wafer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 웨이퍼의 표면에 폴리머가 발생될 경우, 상기 트랜스퍼 챔버의 일측에 형성된 로드락 챔버를 통해 상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조장치를 이용한 웨이퍼 상의 폴리머 제거방법.And unloading the wafer through a load lock chamber formed at one side of the transfer chamber when the polymer is generated on the surface of the wafer.
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