KR20060014206A - 대기압 다중 플라즈마 발생기 및 이를 이용한 대기압플라즈마 처리 시스템 - Google Patents

대기압 다중 플라즈마 발생기 및 이를 이용한 대기압플라즈마 처리 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 대기압 다중 플라즈마 발생기 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 처리 시스템에 관한 것으로, 대기압 다중 플라즈마 발생기는 플라즈마 발생을 위한 중공 영역이 다수 형성된 메인 바디와 각각의 중공 영역에 매입되는 기전력 발생 수단을 구비한다. 메인 바디의 하부에는 다수개의 중공 영역으로부터 발생된 플라즈마가 다중으로 분사된다. 대기압 플라즈마 처리 시스템은 대기압 다중 플라즈마 발생기를 이동 가능한 구조로 구성함으로서 대면적의 피 처리 대상물에 대한 플라즈마 처리가 용이하다.

Description

대기압 다중 플라즈마 발생기 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 처리 시스템{ATMOSPHERIC PRESSURE MULTI PLASMA GENERATOR AND ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA PROCESSING SYSTEM USING THE SAME}
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 대기압 다중 플라즈마 발생기의 측단면도 및 정단면도;
도 3은 도 1의 안테나가 탑재된 중공 영역의 부분 확대도;
도 4는 도 1의 안테나 구조와 이의 전원 공급 관계를 보여주는 도면;
도 5 및 도 6은 중공 영역에 매입된 안테나의 변형예를 보여주는 도면으로, 도 5는 중공 영역에 복수개의 안테나를 구비한 예를, 도 6은 중공 영역의 중심부에 안테나를 탑재한 예를 보여주는 도면;
도 7 및 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 대기압 다중 플라즈마 발생기의 측단면도 및 정단면도;
도 9는 도 7의 유도 코일이 탑재된 중공 영역의 부분 확대도;
도 10은 도 7의 유도 코일의 구조와 이의 전원 공급 관계를 보여주는 도면; 그리고
도 11 내지 도 13은 대기압 다중 플라즈마 발생기를 이용한 대기압 플라즈마 처리 시스템의 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 대기압 다중 플라즈마 발생기 20: 가스 공급부
30: 메인 바디 40: 냉각관
50: 캡 60: 전원 공급 회로
80: 대기압 플라즈마 처리 시스템
본 발명은 대기압 플라즈마 발생기에 관한 것으로, 구체적으로는 대면적의 작업물에 대한 플라즈마 처리가 용이한 대기압 플라즈마 발생기 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 처리 시스템에 관한 것이다.
대기압 플라즈마를 발생하기 위한 기술들은 유전체 장벽 방전(Dielectric Barrier Discharge; DBD), 코로나 방전(corona discharge), 마이크로웨이브 방전(microwave discharge), 아크방전(arc discharge) 등이 있다. 이 기술들은 반도체 제조 공정을 비롯한 여러 산업 분야에서 다양하게 사용되고 있다.
유전체 장벽 방전은 유전체의 전하축적(charge build-up) 현상을 이용하여 교류전원에 의해 인가되는 전압 효율을 극대화시켜 균일한 글로우 방전(glow discharge)을 얻는다. 유전체 장벽 방전을 이용한 대기압 플라즈마는 유기 오염물의 세정 및 표면개질 등의 공정에 유용하게 사용된다. 반도체 제조공정의 경우 대형 기판의 세정이나 에싱(ashing), PFC 가스 정화 등에 이용되고 있다.
현재, 대형 웨이퍼 가공에서 수율을 향상 시킬 수 있는 대기압 플라즈마 발생 장치가 요구되고 있다. 특히, TFT LCD, PDP(Plasma Display Panel) 등의 제조 공정에서는 다양한 종류의 대형 글라스(glass) 및 폴리머 평판을 사용하는데 이들 사이즈가 더욱 대형화 되어가고 있어 대형 기판을 처리할 수 있는 대기압 플라즈마 발생 장치가 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서 대면적의 기판 처리가 가능한 대기압 플라즈마 발생 장치 및 이를 이용한 플라즈마 처리 시스템을 제공하는데 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 대기압 다중 플라즈마 발생기는: 상부에 가스 유입구를 갖고 하부에 길이 방향으로 개방된 플라즈마 분사구를 갖는 중공 영역이 적어도 두 개 이상 병렬로 마련된 메인 바디; 각각의 중공 영역은 각기 양단이 관통되도록 양단이 개방되고, 개방된 양단을 막도록 메인 바디에 장착되는 캡; 메인 바디의 상부에 설치되고, 가스 공급원으로부터 반응 가스를 제공받아 메인 바디의 가스 유입구를 통해 중공 영역으로 입력하는 가스 입력부; 상기 중공 영역에 각기 매입 설치되어 중공 영역으로 유입된 반응 가스로 기전력을 전달하여 플라즈마를 발생시키는 기전력 발생 수단 및; 기전력 발생 수단으로 기전력 발생을 위한 주파수를 공급하는 전원공급회로를 포함하여, 메인 바디의 하부에 병렬 배열된 플라즈마 분사구를 통해 다중으로 플라즈마가 분사된다.
이 실시예에 있어서, 상기 중공 영역 매입되어 냉각수를 입/출력하며 기전력 발생 수단이 내부에 설치되는 냉각관, 기전력 발생 수단을 냉각수와 절연시키도록 기전력 발생 수단을 감싸는 절연부재를 더 포함한다.
이 실시예에 있어서, 캡과 메인 바디 사이에 설치되는 제1 절연링과 캡과 냉각관 사이에 설치되는 제2 절연링을 포함한다.
이 실시예에 있어서, 냉각관은 냉각수 입/출구가 양단에 구비되고, 냉각수 입/출구는 캡에 형성된 관통홀에 삽입된다.
이 실시예에 있어서, 상기 기전력 발생 수단은 각각의 냉각관에 각기 하나 이상 설치되는 안테나를 포함하고, 각각의 안테나들은 냉각관에 길이 방향으로 설치되고 전원 공급 회로에 직렬, 병렬, 또는 직/병렬 혼합으로 연결된다.
이 실시예에 있어서, 냉각관에 매입된 안테나로 주파수 전원을 공급하기 위한 도선이 양단의 캡과 냉각관의 양단에 각기 일렬로 형성된 관통홀을 통해 안테나로 연결된다.
이 실시예에 있어서, 상기 기전력 발생 수단은 각각의 냉각관에 각기 하나 이상 설치되는 유도 코일을 포함하고, 각각의 유도 코일들은 냉각관에 길이 방향으로 설치되고 전원 공급 회로에 직렬, 병렬, 또는 직/병렬 혼합으로 연결된다.
이 실시예에 있어서, 상기 절연 부재는 관형상을 갖고 제공되며, 관형상의 절연 부재에 유도 코일이 매입되며, 상기 유도 코일은 절연재의 봉 또는 페라이트 재질의 봉에 권선된다.
이 실시예에 있어서, 관형의 절연 부재의 상부는 다수개의 관통홀이 길이 방향을 따라 직렬로 형성되고, 그 양편으로 소정 간격을 갖고 냉각관의 내측 상부와 절연 부재의 상부에 닫도록 설치되는 격벽과, 격벽 사이에 길이 방향으로 설치된 도체판을 포함하며, 도체판은 다수개의 관통홀을 통해서 도선으로 유도 코일과 연결되며, 도체판은 주파수 전원을 공급하기 위한 도선이 양단의 캡과 냉각관의 양단에 각기 일렬로 형성된 관통홀을 통해 연결된다.
이 실시예에 있어서, 상기 전원공급회로는 제1 주파수를 발생하는 제1 발진기, 제1 발진기와 기전력 발생 수단 사이에 연결되는 임피던스 정합기, 제2 주파수를 발생하는 제2 발진기, 제2 주파수를 입력 받아 변압하여 기전력 발생 수단으로 출력하는 변압 회로 및, 기전력 발생 수단으로 입력되는 제2 주파수의 고주파 성분을 제거하는 고주파 제거 필터를 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 가스 입력부는 다수개의 관통된 홀이 형성된 다수개의 가스 분배 격판이 다층으로 구성되어 가스 공급원으로부터 제공되는 반응 가스를 메인 바디의 가스 유입구를 통해 중공 영역으로 고르게 확산시켜 입력한다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 대기압 다중 플라즈마 발생기를 이용한 대기 압 플라즈마 처리 시스템에 있어서: 플라즈마 처리를 위한 피 처리 대상물이 이송되는 이송반; 이송반을 따라 양측으로 설치되는 이송레일; 대기압 다중 플라즈마 발생기가 이송반을 가로지르도록 탑재되어 이송레일 위에 설치되는 이송프레임; 이송프레임이 이송레일을 따라 이송반 위를 진행하면서 대기압 다중 플라즈마 발생기로부터 다중의 플라즈마가 피 처리 대상물로 분사된다.
이 실시예에 있어서, 상기 이송반의 상부를 덮는 덮개를 더 포함한다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 명확하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이 있을 수 있다.
(실시예)
이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 대기압 다중 플라즈마 발생기의 측단면도 및 정단면도이다. 그리고 도 3은 도 1의 안테나가 탑재된 중공 영역의 부분 확대도;
도면을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 대기압 다중 플라즈마 발생기(10)는 다중으로 플라즈마를 분사하는 구조의 메인 바디(30)를 구비한다. 메인 바디(30)는 상부에 가스 유입구(34)를 갖고 하부에 길이 방향으로 개방된 플라즈마 분사구(36)를 갖는 중공 영역(32)이 적어도 두 개 이상 병렬로 마련된다. 이 실시 예에서는 세 개의 중공 영역(32)이 병렬로 배열된 메인 바디(30)의 경우를 예로 하여 설명한다. 중공 영역(32)의 개수는 적어도 두 개 이상 다수개로 설치가 가능하며, 피 처리 대상물의 크기와 플라즈마 처리 공정의 특성을 고려하여 설계된다.
메인 바디(30)의 상부에는 가스 입력부(20)가 설치된다. 가스 입력부(20)는 가스 공급원(미도시)으로부터 반응 가스를 제공받아 메인 바디(30)의 가스 유입구(34)를 통해 중공 영역(32)으로 입력한다. 가스 입력부(20)는 상부에 가스 입구(22)가 마련되고, 내부에는 다수개의 관통된 홀(26)이 형성된 다수개의 가스 분배 격판(24)이 다층으로 구성된다. 이 실시예서는 세 개의 가스 분배 격판(24)이 설치된 예를 보여주고 있다. 각 격판들(24)에 형성된 홀(26)은 서로 엇갈려 배열되며, 유입된 반응 가스는 이 홀(25)들을 따라 확산되어 메인 바디(30)의 가스 유입구(34)를 통해 중공 영역(32)으로 고르게 유입된다.
중공 영역(32)에는 기전력 발생 수단으로 안테나(44)가 각기 매입 설치된다. 안테나(44)는 후술되는 바와 같이 전원 공급 회로(60)를 통해 소정 주파수의 전원을 입력 받아 중공 영역(32)으로 유입되는 반응 가스로 기전력을 전달하여 플라즈마를 발생시킨다. 다수개의 안테나(44)들은 전원 공급 회로(60)에 직렬, 병렬, 또는 직/병렬 혼합으로 연결될 수 있다.
중공 영역(32)에는 냉각관(40)이 매입된다. 안테나(44)는 냉각관(40)의 내부에 길이 방향으로 설치된다. 그럼으로 냉각관(40)의 냉각수(41)로부터 안테나(44)를 절연하기 위하여 절연부재(46)가 안테나(44)를 감싸도록 설치된다. 이 실시예에서는 안테나(44)를 냉각관(40)에 매입 설치하였으나 냉각관(40)과 안테나 (44)는 분리 설치될 수도 있다.
각각의 중공 영역(32)은 각기 양단이 관통되도록 양단이 개방되고, 개방된 양단을 막도록 메인 바디(30)의 양측으로 각기 캡(50)이 장착된다. 캡(50)과 메인 바디(30) 사이에는 제1 절연링(52)이, 캡(50)과 냉각관(40) 사이에는 제2 절연링(54)이 각기 설치된다. 냉각관(30)의 양단에 마련된 냉각수 입/출구(42)는 캡(50)에 형성된 관통홀(56)에 삽입되어 외축으로 돌출된다. 냉각관(40)에 매입된 안테나(44)로 주파수 전원을 공급하기 위한 도선(48)이 양단의 캡(50)과 냉각관(40)의 양단에 각기 일렬로 형성된 관통 홀(58, 43)을 통해 안테나(44)에 연결된다.
도 4는 도 1의 안테나 구조와 이의 전원 공급 관계를 보여주는 도면이다. 도면을 참조하여, 전원 공급 회로(60)는 제1 주파수를 발생하는 제1 발진기(62), 제1 발진기(62)와 안테나(44) 사이에 연결되는 임피던스 정합기(64), 제2 주파수를 발생하는 제2 발진기(66), 제2 주파수를 입력 받아 변압하여 안테나(44)로 출력하는 변압 회로(66) 및, 안테나(44)로 입력되는 제2 주파수의 고주파 성분을 제거하는 고주파 제거 필터(69)로 구성된다.
제1 주파수는 10MHz~60MHz의 고주파수이고, 제2 주파수는 20KHz~400KHz의 저주파수이다. 변압회로(68)는 제2 발진기(66)로부터 출력되는 전압을 대략 1~20배 범위에서 증압이 가능하다.
이와 같이 구성되는 대기압 다중 플라즈마 발생기(10)는 다수개의 중공 영역(32)으로 유입되는 반응 가스가 안테나(44)로부터 기전력을 전달 받아 플라즈마를 발생한다. 발생된 플라즈마는 메인 바디(30)의 하부에 병렬로 배열되는 다수의 플 라즈마 분사구(36)를 통하여 다중으로 분사된다.
도 5 및 도 6은 중공 영역에 매입된 안테나의 변형예를 보여주는 도면으로, 도 5는 중공 영역에 복수개의 안테나를 구비한 예를, 도 6은 중공 영역의 중심부에 안테나를 탑재한 예를 보여주는 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 두 개의 안테나(44a, 44b)를 냉각관(40)에 매입할 수 있으며, 이때 각 안테나(44a, 44b)를 별도의 절연부재(46a, 46b)가 감싸도록 한다. 그리고 각기 도선(48a, 48b)이 연결되어 외부의 전원 공급 회로(60)에 연결된다. 다른 변형예로, 도 6에 도시된 바와 같이, 냉각관(40)의 내부에 관형상의 절연 부재(46')를 매입하고, 그 내부에 하나의 안테나(44')가 절연 부재(46')의 관형상을 따르는 구조를 갖도록 할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 대기압 다중 플라즈마 발생기의 측단면도 및 정단면도이고, 도 9는 도 7의 유도 코일이 탑재된 중공 영역의 부분 확대도이다. 그리고 도 10은 도 7의 유도 코일의 구조와 이의 전원 공급 관계를 보여주는 도면이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 대기압 다중 플라즈마 발생기(10')는 상술한 제1 실시예의 가스 공급부(20), 메인 바디(30) 및, 전원 공급 회로(60)의 구성은 동일하다.
메인 바디(30)의 중공 영역(32)에 매입되는 냉각관(40)의 내부에는 기전력 발생 수단으로 유도 코일(72)이 구비된다. 냉각수(41)로부터 유도 코일(72)을 절연하기 위한 절연 부재(74)는 관형상을 갖고, 절연 부재(74)에 유도 코일(72)이 매 입된다. 유도 코일(72)은 절연봉(70)에 권선되어 설치되며, 절연봉(70)은 페라이트 재질의 봉으로 대체 될 수 있다.
관형의 절연 부재(74)의 상부는 다수개의 관통 홀(77)이 길이 방향을 따라 직렬로 형성되어 있고, 그 양편으로 소정 간격을 갖고 격벽(78)이 냉각관(40)의 내측 상부와 절연 부재(74)의 상부에 닫도록 설치된다. 그리고 격벽(78) 사이에는 도체판(76)이 길이 방향으로 설치되며, 도체판(76)은 다수개의 관통홀(78)을 통해서 도선(79)으로 유도 코일(72)과 연결된다. 도체판(76)은 주파수 전원을 공급하기 위한 도선(48)이 양단의 캡(50)과 냉각관(40)의 양단에 각기 일렬로 형성된 관통 홀(58, 43)을 통해 연결된다. 다수개의 유도 코일(72)들은 전원 공급 회로(60)에 직렬, 병렬, 또는 직/병렬 혼합으로 연결된다.
이상과 같은 대기압 다중 플라즈마 발생기(10 or 10')는 대형의 피 처리 대상물을 예를 들어, TFT LCD, PDP(Plasma Display Panel) 등의 제조 공정에서는 다양한 종류의 대형 글라스(glass) 및 폴리머 평판을 플라즈마 처리하는데 사용될 수 있다.
도 11 내지 도 13은 대기압 다중 플라즈마 발생기를 이용한 대기압 플라즈마 처리 시스템의 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도면을 참조하여, 대기압 플라즈마 처리 시스템(80)은 플라즈마 처리를 위한 피 처리 대상물이 이송되는 이송반(82), 이송반(82)을 따라 양측으로 설치되는 이송레일(81), 대기압 다중 플라즈마 발생기(10)가 이송반(82)을 가로지르도록 탑재되어 이송레일(81) 위에 설치되는 이송프레임(84)을 포함하여 구성된다. 이송 프 레임(84)의 양측 하단에는 이송 레일(81)에 적합한 휠(85)이 장착된다. 이송 레일(81)과 휠(86)은 이중 구조로 구성하는 것이 바람직하다. 이송반(82)의 상부를 덮도록 덮게(88)가 설치된다.
이송 프레임(84)에 장착된 대기압 다중 플라즈마 발생기(10)의 상부에는 임피던스 정합기(64)등을 포함하는 전원 공급 회로가 탑재된 회로 박스(12)가 장착된다.
이송반(82)은 다수개의 롤러(86)가 장착된 회전축(83)과 회전축(83)을 지지하는 다수개의 지지대(87)를 포함하는 롤러 이송 구조를 갖는다. 그러나 다른 어떠한 형태의 이송 시스템을 사용할 수도 있다.
이와 같은 대기압 플라즈마 처리 시스템(80)은 이송반(82)에 의해 피 처리 기판, 예컨대 대형의 유리 기판(90)이 이송반(82) 위로 배치되면, 이송프레임(84)이 이송레일(81)을 따라 이송반(82) 위를 진행하면서 대기압 다중 플라즈마 발생기(10)로부터 다중의 플라즈마가 피 처리 대상물(90)로 분사되어 플라즈마 처리가 진행된다. 이와 같은 방식의 대기압 플라즈마 처리 시스템(80)에 의하면, 대형의 피 처리 대상물(90)에 대하여 플라즈마 처리가 매우 용이하다.
상술한 바와 같은, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 대기압 다중 플라즈마 발생기 및 이를 이용한 대기압 플라즈마 처리 시스템의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다는 것을 이 분야의 통상적인 기술자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
이상과 같은 본 발명에 의하면, 대기압 다중 플라즈마 발생기는 다중으로 플라즈마를 분사함으로 고밀도의 플라즈마 처리가 가능하며, 대기압 다중 플라즈마 발생기를 이동 가능한 구조로 대기압 플라즈마 처리 시스템을 구성함으로서 대면적의 피 처리 대상물에 대한 플라즈마 처리가 용이하다.

Claims (13)

  1. 상부에 가스 유입구를 갖고 하부에 길이 방향으로 개방된 플라즈마 분사구를 갖는 중공 영역이 적어도 두 개 이상 병렬로 마련된 메인 바디;
    각각의 중공 영역은 각기 양단이 관통되도록 양단이 개방되고, 개방된 양단을 막도록 메인 바디에 장착되는 캡;
    메인 바디의 상부에 설치되고, 가스 공급원으로부터 반응 가스를 제공받아 메인 바디의 가스 유입구를 통해 중공 영역으로 입력하는 가스 입력부;
    상기 중공 영역에 각기 매입 설치되어 중공 영역으로 유입된 반응 가스로 기전력을 전달하여 플라즈마를 발생시키는 기전력 발생 수단 및;
    기전력 발생 수단으로 기전력 발생을 위한 주파수를 공급하는 전원공급회로를 포함하여,
    메인 바디의 하부에 병렬 배열된 플라즈마 분사구를 통해 다중으로 플라즈마가 분사되는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중공 영역 매입되어 냉각수를 입/출력하며 기전력 발생 수단이 내부에 설치되는 냉각관, 기전력 발생 수단을 냉각수와 절연시키도록 기전력 발생 수단을 감싸는 절연부재를 더 포함하는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  3. 제2항에 있어서, 캡과 메인 바디 사이에 설치되는 제1 절연링과 캡과 냉각관 사이에 설치되는 제2 절연링을 포함하는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  4. 제2항에 있어서, 냉각관은 냉각수 입/출구가 양단에 구비되고, 냉각수 입/출구는 캡에 형성된 관통홀에 삽입되는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  5. 제2항에 있어서, 상기 기전력 발생 수단은 각각의 냉각관에 각기 하나 이상 설치되는 안테나를 포함하고, 각각의 안테나들은 냉각관에 길이 방향으로 설치되고 전원 공급 회로에 직렬, 병렬, 또는 직/병렬 혼합으로 연결되는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  6. 제5항에 있어서, 냉각관에 매입된 안테나로 주파수 전원을 공급하기 위한 도선이 양단의 캡과 냉각관의 양단에 각기 일렬로 형성된 관통홀을 통해 안테나로 연결되는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  7. 제2항에 있어서, 상기 기전력 발생 수단은 각각의 냉각관에 각기 하나 이상 설치되는 유도 코일을 포함하고, 각각의 유도 코일들은 냉각관에 길이 방향으로 설치되고 전원 공급 회로에 직렬, 병렬, 또는 직/병렬 혼합으로 연결되는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 절연 부재는 관형상을 갖고 제공되며, 관형상의 절연 부재에 유도 코일이 매입되며, 상기 유도 코일은 절연재의 봉 또는 페라이트 재질의 봉에 권선되는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  9. 제8항에 있어서, 관형의 절연 부재의 상부는 다수개의 관통홀이 길이 방향을 따라 직렬로 형성되고, 그 양편으로 소정 간격을 갖고 냉각관의 내측 상부와 절연 부재의 상부에 닫도록 설치되는 격벽과, 격벽 사이에 길이 방향으로 설치된 도체판을 포함하며,
    도체판은 다수개의 관통홀을 통해서 도선으로 유도 코일과 연결되며, 도체판은 주파수 전원을 공급하기 위한 도선이 양단의 캡과 냉각관의 양단에 각기 일렬로 형성된 관통홀을 통해 연결되는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전원공급회로는 제1 주파수를 발생하는 제1 발진기, 제1 발진기와 기전력 발생 수단 사이에 연결되는 임피던스 정합기, 제2 주파수를 발생하는 제2 발진기, 제2 주파수를 입력 받아 변압하여 기전력 발생 수단으로 출력하는 변압 회로 및, 기전력 발생 수단으로 입력되는 제2 주파수의 고주파 성분을 제거하는 고주파 제거 필터를 포함하는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  11. 제1항에 있어서, 상기 가스 입력부는 다수개의 관통된 홀이 형성된 다수개의 가스 분배 격판이 다층으로 구성되어 가스 공급원으로부터 제공되는 반응 가스를 메인 바디의 가스 유입구를 통해 중공 영역으로 고르게 확산시켜 입력하는 대기압 다중 플라즈마 발생기.
  12. 제1항의 대기압 다중 플라즈마 발생기를 이용한 대기압 플라즈마 처리 시스템에 있어서:
    플라즈마 처리를 위한 피 처리 대상물이 이송되는 이송반;
    이송반을 따라 양측으로 설치되는 이송레일;
    대기압 다중 플라즈마 발생기가 이송반을 가로지르도록 탑재되어 이송레일 위에 설치되는 이송프레임;
    이송프레임이 이송레일을 따라 이송반 위를 진행하면서 대기압 다중 플라즈마 발생기로부터 다중의 플라즈마가 피 처리 대상물로 분사되는 플라즈마 처리 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 이송반의 상부를 덮는 덮개를 더 포함하는 풀라즈마 처리 시스템.
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