KR20060009683A - Light emitting diode and method for manufacturing led - Google Patents

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KR20060009683A KR20040058351A KR20040058351A KR20060009683A KR 20060009683 A KR20060009683 A KR 20060009683A KR 20040058351 A KR20040058351 A KR 20040058351A KR 20040058351 A KR20040058351 A KR 20040058351A KR 20060009683 A KR20060009683 A KR 20060009683A
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이상현
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Abstract

본 발명은 활성층과 P형 GaN층 사이에 멀티 양자 베리어층을 형성함으로써, 발광 효율을 높이면서 고온 동작시 과전류(current overflow)를 억제할 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 사파이어 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 버퍼층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계와; 상기 질화갈륨층 상에 N형 질화갈륨층을 형성하는 단계와; 상기 N형 질화갈륨층 상에 활성층을 형성하는 단계와; 상기 활성층 상에 다중 양자 베리어층을 형성하는 단계와; 상기 다중 양자 베리어층 상에 P형 질화갈륨층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a light emitting diode and a method of manufacturing the same, by forming a multi-quantum barrier layer between an active layer and a P-type GaN layer to increase light emission efficiency and to suppress current overflow during high temperature operation. The disclosed invention comprises the steps of forming a buffer layer on a sapphire substrate; Forming a gallium nitride layer on the buffer layer; Forming an N-type gallium nitride layer on the gallium nitride layer; Forming an active layer on the N-type gallium nitride layer; Forming a multiple quantum barrier layer on the active layer; Forming a P-type gallium nitride layer on the multi-quantum barrier layer.

여기서, 상기 다중 양자 베리어층은 AlxGa(1-x)N/GaN 성분으로 성장하고, 상기 다중 양자 베리어층의 AlxGa(1-x)N/GaN 성분에서 x의 범위는 0.1~0.2인 것을 특징으로 한다. Here, the multi-quantum barrier layer is Al x Ga (1-x) N / growth of GaN components, the range of x in the Al x Ga (1-x) N / GaN component in the multi-quantum barrier layer is 0.1 to 0.2 It is characterized by that.

LED, 활성층, 다중, 양자, 과전류LED, active layer, multiple, quantum, overcurrent

Description

발광 다이오드 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING LED}LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING LED}

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드의 구조를 도시한 도면.1 is a view showing the structure of a light emitting diode according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 구조를 도시한 도면.2 is a view showing the structure of a light emitting diode according to the present invention;

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

100: 사파이어 기판 101: 버퍼층(buffer layer)100: sapphire substrate 101: buffer layer

103: Undoped GaN 층 105: N형 GaN 층103: Undoped GaN layer 105: N-type GaN layer

107: 활성층 108: 다중 양자 베리어층107: active layer 108: multiple quantum barrier layer

109: P형 질화갈륨층109: P-type gallium nitride layer

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 활성층과 P형 GaN층 사이에 멀티 양자 베리어층을 형성함으로써, 발광 효율을 높이면서 고온 동작시 과전류(current overflow)를 억제할 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, by forming a multi-quantum barrier layer between an active layer and a P-type GaN layer, a light emitting diode capable of suppressing overcurrent during high temperature operation while increasing luminous efficiency; It relates to a manufacturing method.

일반적으로, 발광다이오드(Light Emitting Diode: 이하 LED라고 함)는 화합 물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜 신호를 보내고 받는데, 사용되는 반도체의 일종으로 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용된다.In general, a light emitting diode (LED) is a compound semiconductor that converts electricity into infrared or light to send and receive signals. It is a kind of semiconductor used for home appliances, remote controls, and electronic displays. Used for displays, indicators, and various automation devices.

상기 LED의 동작원리는 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극(Positive-Negative)의 접합(junction) 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데, 전자와 정공의 결합에 의하여 에너지 준위가 떨어져 빛이 방출되는 것이다.The operating principle of the LED is that when a forward voltage is applied to a semiconductor of a specific element, electrons and holes move and recombine with each other through a junction portion of a positive and negative electrode, and an energy level is caused by the combination of electrons and holes. Fall and light is emitted.

또한, LED는 보편적으로 0.25㎟로 매우 작으며 크기로 제작되며, 에폭시 몰드와 리드 프레임 및 PCB에 실장된 구조를 하고 있다. 현재 가장 보편적으로 사용하는 LED는 5㎜(T 1 3/4) 플라스틱 패키지(Package)나 특정 응용 분야에 따라 새로운 형태의 패키지를 개발하고 있다. LED에서 방출하는 빛의 색깔은 반도체 칩 구성원소의 배합에 따라 파장을 만들며 이러한 파장이 빛의 색깔을 결정 짓는다.In addition, the LED is generally 0.25 mm 2, which is very small and manufactured in size, and has an epoxy mold, a lead frame, and a PCB mounted structure. Currently, the most commonly used LEDs are 5mm (T 1 3/4) plastic packages or new types of packages depending on the specific application. The color of the light emitted by the LED creates a wavelength depending on the composition of the semiconductor chip components, and the wavelength determines the color of the light.

특히, LED는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림화(slim) 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며 PCB(Printed Circuit Board: 이하 PCB라고 함) 기판에 직접 장착하기 위하여 표면실장소자(Surface Mount Device: SMD)형으로 만들어지고 있다.In particular, LEDs are becoming smaller and smaller, such as resistors, capacitors, and noise filters, due to the trend toward miniaturization and slimming of information and communication devices, and directly mounting them on a PCB (Printed Circuit Board) board. In order to make the surface mount device (SMD) type.

이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 SMD 형으로 개발되고 있다. 이러한 SMD는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.Accordingly, LED lamps, which are used as display elements, are also being developed in SMD type. Such SMD can replace the existing simple lighting lamp, which is used for lighting indicators of various colors, character display and image display.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드의 구조를 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a light emitting diode according to the prior art.                         

도 1에 도시된 바와 같이, Al2O3 계열의 성분으로 되어있는 사파이어 기판(10) 상에 질화갈륨(GaN)으로된 버퍼층(GaN buffer layer: 1)을 형성한다. 그런 다음, 상기 버퍼층(1) 상에 도핑되지 않은(Undoped) GaN 층(3)을 연속적으로 성장시켜 형성한다.As shown in FIG. 1, a buffer layer made of gallium nitride (GaN) is formed on a sapphire substrate 10 composed of an Al 2 O 3 series component. Then, an undoped GaN layer 3 is successively grown on the buffer layer 1.

상기에서와 같이 상기 사파이어 기판(10) 상에 3족 계열의 원소를 박막 성장하기 위해서는 일반적으로 금속유기화학기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD)을 사용하고, 성장 압력은 200 토르(torr)~ 650 토르(torr)를 유지하면서 레이어(layer)를 형성한다.As described above, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is generally used to grow a thin film of Group 3 series on the sapphire substrate 10, and the growth pressure is 200 torr. Form a layer while maintaining 650 torr.

상기 도핑되지 않은(Undoped) GaN층(3) 상에는 N형 GaN 층(5)을 형성하는데, 이를 형성하기 위해서는 사수소화 실리콘(Si:H4) 또는 이수소화 실리콘(Si2H6)가스를 이용한 실리콘이 사용된다.On the undoped GaN layer 3, an N-type GaN layer 5 is formed. To form the same, silicon using silicon tetrahydride (Si: H4) or silicon dihydrogen (Si2H6) gas is used. .

상기 N형 질화갈륨층(GaN: 5)이 성장되면 상기 N형 질화갈륨층(5) 상에 활성층(7)을 성장시킨다. 상기 활성층(7)은 발광 영역으로서 질화인듐갈륨(InGaN)으로된 발광체 물질을 첨가한 반도체 층이다. 상기 활성층(7)이 성장되면 계속해서 P형 질화갈륨층(GaN: 9)을 형성한다. 여기서 상기 P형 질화갈륨층(9)에는 Mg 계열의 2족 원소를 사용한다.When the N-type gallium nitride layer (GaN: 5) is grown, an active layer 7 is grown on the N-type gallium nitride layer 5. The active layer 7 is a semiconductor layer to which a light emitting material made of indium gallium nitride (InGaN) is added as a light emitting region. As the active layer 7 is grown, a P-type gallium nitride layer (GaN: 9) is continuously formed. Mg-based Group 2 elements are used for the P-type gallium nitride layer 9.

상기 P형 질화갈륨층(9)은 상기 N형 질화갈륨층(5)과 대조되는 것으로 상기 N형 질화갈륨층(5)은 외부로부터 인가되는 전압에 의하여 전자들을 상기 활성층(7)에 공급한다. The P-type gallium nitride layer 9 is contrasted with the N-type gallium nitride layer 5, and the N-type gallium nitride layer 5 supplies electrons to the active layer 7 by a voltage applied from the outside. .                         

그리고 상대적으로 상기 P형 질화갈륨층(9)은 외부에 인가되는 전압에 의하여 정공(hole)들을 상기 활성층(7)에 공급함으로써, 상기 활성층(7)에서 정공(hole)과 전자가 서로 결합하여 광을 발생시키도록 한다.In addition, the P-type gallium nitride layer 9 supplies holes to the active layer 7 by a voltage applied to the outside, whereby holes and electrons in the active layer 7 are coupled to each other. Generate light.

도면에서는 도시하지 않았지만, 상기 P형 질화갈륨층(9) 상에 투명한 금속계열의 TM층(TM: Transparent Metal)을 형성하여 상기 활성층(7)에서 발생하는 광을 외부로 발광하게 한다.Although not shown in the drawing, a transparent metal-based TM layer (TM) is formed on the P-type gallium nitride layer 9 to emit light generated from the active layer 7 to the outside.

상기 TM(TM: Transparent Metal) 층을 형성한 다음, P형 전극을 형성하여 발광 다이오드를 완성하게 된다.After forming the transparent metal (TM) layer, a P-type electrode is formed to complete a light emitting diode.

그러나, 상기에서 설명한 종래 발광 다이오드는 N형 질화갈륨층으로 공급되는 전자와 P형 질화갈륨층으로부터 공급되는 정공이 활성층의 밴드갭 또는 에너지 레벨 차이 만큼에 해당하는 에너지를 광으로 발생시킨다.However, in the above-described conventional light emitting diode, electrons supplied to the N-type gallium nitride layer and holes supplied from the P-type gallium nitride layer generate energy corresponding to the band gap or energy level difference of the active layer as light.

이때, 활성층에서 계속적으로 광을 발생시켜 고온상태가 되거나 고온인 조건하에서 발광 다이오드를 동작시키면, 반도체층의 저항 값이 증가하여 발광 효율이 급격히 떨어지는 문제가 있다.At this time, when the light emitting diode is operated under a condition where the active layer continuously generates light or becomes a high temperature state or a high temperature condition, there is a problem in that the light emission efficiency of the semiconductor layer is increased and the light emission efficiency rapidly decreases.

특히, 고온 동작시에는 과전류(current flow)로 인하여 발광 효율이 저하된다.  In particular, in high temperature operation, luminous efficiency is lowered due to overcurrent.

본 발명은, 발광 다이오드의 활성층과 P형 질화갈륨층 사이에 다중 양자 베리어층을 형성함으로써, 고온 상태에서 과전류 발생을 방지하고 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a light emitting diode and a method of manufacturing the same, by forming a multiple quantum barrier layer between an active layer of a light emitting diode and a P-type gallium nitride layer, thereby preventing overcurrent in high temperature and improving luminous efficiency. There is this.

상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조방법은,A light emitting diode manufacturing method according to the present invention for achieving the above object,

사파이어 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계와;Forming a buffer layer on the sapphire substrate;

상기 버퍼층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계와;Forming a gallium nitride layer on the buffer layer;

상기 질화갈륨층 상에 N형 질화갈륨층을 형성하는 단계와;Forming an N-type gallium nitride layer on the gallium nitride layer;

상기 N형 질화갈륨층 상에 활성층을 형성하는 단계와;Forming an active layer on the N-type gallium nitride layer;

상기 활성층 상에 다중 양자 베리어층을 형성하는 단계와;Forming a multiple quantum barrier layer on the active layer;

상기 다중 양자 베리어층 상에 P형 질화갈륨층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming a P-type gallium nitride layer on the multi-quantum barrier layer.

여기서, 상기 다중 양자 베리어층은 AlxGa(1-x)N/GaN 성분으로 성장하고, 상기 다중 양자 베리어층의 AlxGa(1-x)N/GaN 성분에서 x의 범위는 0.1~0.2인 것을 특징으로 한다.Here, the multi-quantum barrier layer is Al x Ga (1-x) N / growth of GaN components, the range of x in the Al x Ga (1-x) N / GaN component in the multi-quantum barrier layer is 0.1 to 0.2 It is characterized by that.

본 발명에 따른 발광 다이오드는,The light emitting diode according to the present invention,

기판과;A substrate;

상기 기판 상에 형성된 버퍼층과;A buffer layer formed on the substrate;

상기 버퍼층 상에 형성된 질화갈륨층과;A gallium nitride layer formed on the buffer layer;

상기 질화갈륨층 상에 형성되어 전자를 공급하는 N형 질화갈륨층과;An N-type gallium nitride layer formed on the gallium nitride layer to supply electrons;

상기 N형 질화갈륨층 상에 형성된 활성층과;An active layer formed on the N-type gallium nitride layer;

상기 활성층 상에 형성된 다중 양자 베리어층과; A multiple quantum barrier layer formed on the active layer;                     

상기 다중 양자 베리어층 상에 형성된 P형 질화갈륨층을 포함하는 것을 특징으로 한다.It characterized in that it comprises a P-type gallium nitride layer formed on the multi-quantum barrier layer.

여기서, 상기 다중 양자 베리어층은 고온 동작시 상기 P형 질화갈륨층과 N형 질화갈륨층에서 유입되는 정공, 전자를 억제함으로써 광효율을 향상시키고, 상기 다중 양자 베리어층은 AlxGa(1-x)N/GaN로 구성되며, 상기 다중 양자 베리어층의 AlxGa(1-x)N/GaN에서 x의 범위는 0.1~0.2인 것을 특징으로 한다.Here, the multi-quantum barrier layer improves the light efficiency by suppressing holes and electrons flowing from the P-type gallium nitride layer and the N-type gallium nitride layer during high temperature operation, the multi-quantum barrier layer is Al x Ga (1-x ) N / GaN, the range of x in Al x Ga (1-x) N / GaN of the multi-quantum barrier layer is characterized in that 0.1 ~ 0.2.

본 발명에 의하면, 발광 다이오드의 활성층과 P형 질화갈륨층 사이에 다중 양자 베리어층을 형성함으로써, 고온 상태에서 과전류 발생을 방지하고 발광 효율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by forming a multi-quantum barrier layer between the active layer of the light emitting diode and the P-type gallium nitride layer, it is possible to prevent the occurrence of overcurrent in the high temperature state and to improve the luminous efficiency.

이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 구조를 도시한 도면이다.2 is a view showing the structure of a light emitting diode according to the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, Al2O3 계열의 성분으로 되어있는 사파이어 기판(100) 상에 질화갈륨(GaN)으로된 버퍼층(GaN buffer layer: 101)을 형성한다. 그런 다음, 상기 버퍼층(101) 상에 도핑되지 않은(Undoped) GaN 층(103)을 연속적으로 성장시켜 형성한다.As shown in FIG. 2, a GaN buffer layer 101 made of gallium nitride (GaN) is formed on the sapphire substrate 100 having Al 2 O 3 based components. Then, an undoped GaN layer 103 is formed on the buffer layer 101 by successive growth.

상기에서와 같이, 상기 사파이어 기판(100) 상에 3족 계열의 원소를 박막 성장하기 위해서는 일반적으로 금속유기화학기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD)을 사용하고, 성장 압력은 200 토르(torr)~ 650 토르(torr)를 유지하면서 레이어(layer)를 형성한다.As described above, in order to grow a thin film of the Group 3 series element on the sapphire substrate 100, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) is generally used, and the growth pressure is 200 torr (torr). Form a layer while maintaining 650 torr.

상기 도핑되지 않은(Undoped) GaN층(103) 상에는 N형 GaN 층(105)을 형성하는데, 이를 형성하기 위해서는 사수소화 실리콘(Si:H4) 또는 이수소화 실리콘(Si2H6)가스를 이용한 실리콘이 사용된다.An N-type GaN layer 105 is formed on the undoped GaN layer 103. To form the same, silicon using silicon tetrahydride (Si: H4) or silicon dihydrogen (Si 2 H 6 ) gas is formed. This is used.

상기 N형 질화갈륨층(GaN: 105)이 성장되면 상기 N형 질화갈륨층(105) 상에 활성층(107)을 성장시킨다. 상기 활성층(107)은 발광 영역으로서 질화인듐갈륨(InGaN)으로된 발광체 물질을 첨가한 반도체 층이다.When the N-type gallium nitride layer (GaN) 105 is grown, an active layer 107 is grown on the N-type gallium nitride layer 105. The active layer 107 is a semiconductor layer to which a light emitting material made of indium gallium nitride (InGaN) is added as a light emitting region.

상기 활성층(107)이 성장되면 AlxGa(1-x)N/GaN(0.1<x<0.2) 성분으로 다중 양자 베리어층(108)을 성장시킨다. 상기 다중 양자 베리어층(108)은 고온 동작시 발생되는 과전류(overflow) 발생을 억제하는 장벽 역할을 한다.When the active layer 107 is grown, the multi-quantum barrier layer 108 is grown with Al x Ga (1-x) N / GaN (0.1 <x <0.2) components. The multiple quantum barrier layer 108 serves as a barrier to suppress the occurrence of overcurrent generated during high temperature operation.

상기와 같이 다중 양자 베리어층(108)이 형성되면, 계속해서 P형 질화갈륨층(GaN: 109)을 형성한다. 여기서 상기 P형 질화갈륨층(109)에는 Mg 계열의 2족 원소를 사용한다.When the multi-quantum barrier layer 108 is formed as described above, a P-type gallium nitride layer (GaN) 109 is formed subsequently. In the P-type gallium nitride layer 109, an Mg group II element is used.

상기 P형 질화갈륨층(109)은 외부에 인가되는 전압에 의하여 정공(hole)들을 상기 활성층(107)에 공급함으로써, 상기 활성층(107)에서 정공(hole)과 전자가 서로 결합하여 광을 발생시키도록 한다.The P-type gallium nitride layer 109 supplies holes to the active layer 107 by a voltage applied to the outside, whereby holes and electrons in the active layer 107 combine with each other to generate light. Let's do it.

특히, 본 발명에서는 발광 다이오드의 동작 온도가 높을 경우에는 P형 질화갈륨층(109)에 존재하는 정공들이 다수개 발생되어 상기 활성층(107) 영역으로 다량의 정공이 유입되는 문제가 발생된다. In particular, in the present invention, when the operating temperature of the light emitting diode is high, a plurality of holes existing in the P-type gallium nitride layer 109 are generated, thereby causing a problem of a large amount of holes flowing into the active layer 107.                     

상기 활성층(107)에 다량의 정공이 유입되면 전자와의 결합력을 저하시켜 발광 효율이 현저히 저하되는 문제가 발생된다.When a large amount of holes are introduced into the active layer 107, a problem arises in that the luminous efficiency is significantly lowered by lowering the binding force with the electrons.

이를 방지하기 위해서 상기 P형 질화갈륨층(109)에서 다량의 정공이 발생하더라도, 상기 다중 양자 베리어층(108)에서 일부를 차단함으로써, 온도가 상승하더라도 항상 일정한 수의 정공이 상기 활성층(107)으로 유입되어 발광 효율을 개선시킬 수 있다.In order to prevent this, even if a large amount of holes are generated in the P-type gallium nitride layer 109, by blocking some of the multiple quantum barrier layer 108, even if the temperature rises, a certain number of holes are always in the active layer 107 It can be introduced into the can improve the luminous efficiency.

특히 상기 다중 양자 베리어층(108)의 형성으로 별도의 저항 성분 증가 없이 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.In particular, the formation of the multi-quantum barrier layer 108 has an advantage of improving the light emitting efficiency of the light emitting diode without increasing an additional resistance component.

도면에서는 도시하지 않았지만, 상기 P형 질화갈륨층(109)이 형성되면, 투명한 금속계열의 TM층(TM: Transparent Metal)을 형성하여 상기 활성층(107)에서 발생하는 광을 외부로 발산하게 한다.Although not shown, when the P-type gallium nitride layer 109 is formed, a transparent metal (TM) layer (TM) is formed to emit light generated from the active layer 107 to the outside.

상기 TM(TM: Transparent Metal) 층을 형성한 다음, P형 전극을 형성하여 발광 다이오드를 완성하게 된다.After forming the transparent metal (TM) layer, a P-type electrode is formed to complete a light emitting diode.

따라서 본 발명에서는 P형 질화갈륨층(109)과 활성층(107) 사이에 다중 양자 베리어층(108)을 형성함으로써, 전자를 활성층(107: 웰, well)에 집중시켜 발광 효율을 높이고, 고온 동작시에도 과전류 발생을 억제시켜 발광 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, in the present invention, by forming a multi-quantum barrier layer 108 between the P-type gallium nitride layer 109 and the active layer 107, electrons are concentrated in the active layer 107 to improve luminous efficiency and high temperature operation. The occurrence of overcurrent can be suppressed even when the light emission efficiency is lowered.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 발광 다이오드의 활성층과 P형 질화갈륨층 사이에 다중 양자 베리어층을 형성함으로써, 고온 상태에서 과전류 발생을 방지하고 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention has the effect of preventing the occurrence of overcurrent in a high temperature state and improving the luminous efficiency by forming a multi-quantum barrier layer between the active layer and the P-type gallium nitride layer of the light emitting diode.

본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims.

Claims (5)

사파이어 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계와;Forming a buffer layer on the sapphire substrate; 상기 버퍼층 상에 질화갈륨층을 형성하는 단계와;Forming a gallium nitride layer on the buffer layer; 상기 질화갈륨층 상에 N형 질화갈륨층을 형성하는 단계와;Forming an N-type gallium nitride layer on the gallium nitride layer; 상기 N형 질화갈륨층 상에 활성층을 형성하는 단계와;Forming an active layer on the N-type gallium nitride layer; 상기 활성층 상에 다중 양자 베리어층을 형성하는 단계와;Forming a multiple quantum barrier layer on the active layer; 상기 다중 양자 베리어층 상에 P형 질화갈륨층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.Forming a P-type gallium nitride layer on the multi-quantum barrier layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다중 양자 베리어층은 AlxGa(1-x)N/GaN 성분이고, x의 범위는 0.1~0.2인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.The multi-quantum barrier layer is an Al x Ga (1-x) N / GaN component, the range of x is 0.1 to 0.2 LED manufacturing method characterized in that. 기판과;A substrate; 상기 기판 상에 형성된 버퍼층과;A buffer layer formed on the substrate; 상기 버퍼층 상에 형성된 질화갈륨층과;A gallium nitride layer formed on the buffer layer; 상기 질화갈륨층 상에 형성되어 전자를 공급하는 N형 질화갈륨층과;An N-type gallium nitride layer formed on the gallium nitride layer to supply electrons; 상기 N형 질화갈륨층 상에 형성된 활성층과;An active layer formed on the N-type gallium nitride layer; 상기 활성층 상에 형성된 다중 양자 베리어층과;A multiple quantum barrier layer formed on the active layer; 상기 다중 양자 베리어층 상에 형성된 P형 질화갈륨층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.A light emitting diode comprising a p-type gallium nitride layer formed on the multi-quantum barrier layer. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 다중 양자 베리어층은 AlxGa(1-x)N/GaN이고, x의 범위는 0보다 크거나 같고 1보다 작거나 같은 값을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The multi-quantum barrier layer is Al x Ga (1-x) N / GaN, the range of x is greater than or equal to 0 and less than or equal to 1, the light emitting diode. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 다중 양자 베리어층은 AlxGa(1-x)N/GaN에서 x의 범위는 0.1~0.2인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The multi-quantum barrier layer is a light emitting diode, characterized in that the range of x in Al x Ga (1-x) N / GaN is 0.1 ~ 0.2.
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KR100935974B1 (en) * 2007-11-23 2010-01-08 삼성전기주식회사 Manufacturing method of Nitride semiconductor light emitting devide
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US8253125B2 (en) 2007-11-23 2012-08-28 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

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