KR20050119101A - Method for manufacturing solid-state imaging apparatus - Google Patents
Method for manufacturing solid-state imaging apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050119101A KR20050119101A KR1020050118936A KR20050118936A KR20050119101A KR 20050119101 A KR20050119101 A KR 20050119101A KR 1020050118936 A KR1020050118936 A KR 1020050118936A KR 20050118936 A KR20050118936 A KR 20050118936A KR 20050119101 A KR20050119101 A KR 20050119101A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- state imaging
- solid
- semiconductor chip
- circuit board
- thin film
- Prior art date
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 36
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/51—Housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
고체 촬상용 반도체 장치의 소형화를 도모하는 본 발명의 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법은, 회로기판에 개구부를 형성하고 개구부 내에 고체 촬상용 반도체 칩 또는 화상처리용 반도체 칩을 위치시킴으로써 두께가 얇고 실장면적도 작은 고체 촬상용 반도체 장치를 제공할 수 있다.The manufacturing method of the solid-state imaging semiconductor device of the present invention aims at miniaturization of the solid-state imaging semiconductor device is thin and mounted by forming an opening in the circuit board and placing the solid-state imaging semiconductor chip or the image processing semiconductor chip in the opening. The semiconductor device for solid-state imaging with a small area can also be provided.
Description
본 발명은 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로, 특히 수광 소자를 갖는 반도체 소자와 고체 촬상용 렌즈를 일체로 한 고체 촬상용 반도체 장치 패키지 모듈의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a solid-state imaging semiconductor device, and more particularly, to a method for manufacturing a solid-state imaging semiconductor device package module in which a semiconductor element having a light receiving element and a solid-state imaging lens are integrated.
휴대 단말이나 휴대 전화기 등의 모바일 장치에는, 보통 고체 촬상용 반도체 칩과 렌즈를 조합시킨 형태의 카메라 모듈이 탑재되어 있다. 이러한 소형 카메라를 구비한 휴대 전화기는 통화자의 영상을 소형 카메라에 의해서 촬상하여 화상 데이터로서 입력하여, 통화 상대방에게 그 화상 데이터를 송신한다. Mobile devices, such as a portable terminal and a mobile telephone, are normally equipped with the camera module of the form which combined the semiconductor chip for solid-state imaging with a lens. A portable telephone provided with such a small camera captures an image of a caller with a small camera, inputs it as image data, and transmits the image data to a call counterpart.
휴대 전화기나 휴대형 퍼스널 컴퓨터(휴대형 PC)는 더 소형화가 진행되고 있으며, 이들에 사용되는 카메라 모듈도 소형화가 요구되고 있다. 이와 같은 카메라 모듈의 소형화의 요구를 만족시키기 위해서, 렌즈와 고체 촬상용 반도체 칩을 일체화하여 형성된 반도체 장치 패키지가 개발되고 있다.Miniaturization of mobile telephones and portable personal computers (portable PCs) is progressing further, and camera modules used in these systems are also required to be miniaturized. In order to satisfy the demand of miniaturization of such a camera module, a semiconductor device package formed by integrating a lens and a semiconductor chip for solid-state imaging has been developed.
도 1은 본 발명과 관련기술인 고체 촬상용 반도체 장치의 개략적 구성을 나타낸 것이다.1 shows a schematic configuration of a semiconductor device for solid-state imaging according to the present invention.
도 1은 카메라 모듈의 구성을 나타내고 있다. 즉, 고체 촬상용 렌즈(160)와 적외선 차단용 필터(IR cut filter; 170)가 부착되어 있는 렌즈부착부(180)가 회로기판(100)의 상부 일면에 접착제에 의해 고착되어 있다. 고체 촬상용 반도체 칩(110)은 상기 고체 촬상용 렌즈(20)로부터의 광을 화상신호로 변환하는 광전변환소자군으로 이루어진 칩으로서, 상기 회로기판(100)의 상부에 위치하고 상기 회로기판(100)의 상면의 소정의 부분에 형성된 기판패드와 와이어본딩(Wire Bonding; 120)되어 있다. 1 shows a configuration of a camera module. That is, the lens attaching part 180 to which the solid-state imaging lens 160 and the IR cut filter 170 are attached is fixed to the upper surface of the circuit board 100 by an adhesive. The solid-state imaging semiconductor chip 110 is formed of a photoelectric conversion element group for converting light from the solid-state imaging lens 20 into an image signal. The solid-state imaging semiconductor chip 110 is positioned on the circuit board 100 and is positioned on the circuit board 100. The substrate pad and the wire bonding (120) formed on a predetermined portion of the upper surface of the ().
또한, 상기 회로기판(100)의 후면의 소정의 부분에 형성된 기판패드와 화상처리용 반도체 칩(130)이 와이어본딩(140)된다. 그리고, 상기 화상처리용 반도체 칩(130)은 트랜스퍼몰드 기술에 의한 절연성 봉지수지(150)에 의해 봉지된다. 여기서, 상기 화상처리용 반도체 칩(130)은 상기 고체 촬상용 반도체 칩(110)으로부터의 이미지신호를 처리하는 역할을 한다.In addition, the substrate pad and the image processing semiconductor chip 130 formed on a predetermined portion of the rear surface of the circuit board 100 are wire bonded 140. The semiconductor chip 130 for image processing is encapsulated by an insulating encapsulation resin 150 by a transfer molding technique. Here, the image processing semiconductor chip 130 serves to process an image signal from the solid state imaging semiconductor chip 110.
상기 회로기판(100)과 플랙시블 배선기판(flexible cable; 190)은 배선접합부(185)에 의하여 전기적으로 연결된다.The circuit board 100 and the flexible cable 190 are electrically connected to each other by the wiring joint 185.
도 1에 도시된 바와 같은 고체 촬상용 반도체 장치는 가장 일반적인 카메라 모듈이다. 그리고, 고체 촬상용 반도체 칩(110)과 화상처리용 반도체 칩(130)을 각각 회로기판(100)의 상면, 하면에 접착하고 와이어본딩(120, 140)에 의해서 전기적으로 연결하기 때문에, 제조공정이 용이하고 카메라 모듈을 조립하는 비용이 저렴하다. 하지만, 상기 회로기판(100)의 하부에 있는 화상처리용 반도체 칩(130)과 절연성 봉지수지(150)으로 인하여 카메라 모듈의 두께가 두꺼워지게 되어 카메라 모듈의 소형화의 장애가 된다.The solid state imaging semiconductor device as shown in FIG. 1 is the most common camera module. In addition, since the solid-state imaging semiconductor chip 110 and the image processing semiconductor chip 130 are bonded to the upper and lower surfaces of the circuit board 100 and electrically connected by wire bonding 120 and 140, the manufacturing process is performed. This is easy and the cost of assembling the camera module is low. However, the thickness of the camera module becomes thick due to the image processing semiconductor chip 130 and the insulating encapsulation resin 150 under the circuit board 100, which is an obstacle to miniaturization of the camera module.
본 발명의 목적은 상기한 점에 비추어서 관련기술보다 두께가 얇고 소형화된, 그리고 제조 비용이 저렴한 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법을 제시하는 것이다.DISCLOSURE OF THE INVENTION In view of the above, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device for solid-state imaging, which is thinner, smaller, and lower in manufacturing cost than related art.
상기의 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치는 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부; 상기 렌즈 부착부의 하부에 접착되어 형성되고, 소정의 부분에 개구부가 형성된 회로기판; 및 상기 고체 촬상용 렌즈의 수직하부에 위치하고 상기 회로기판과 제1 전기적 접속수단에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 고체 촬상용 렌즈로부터의 광을 화상 신호로 변환하는 고체 촬상용 반도체 칩을 포함한다.In order to achieve the above object of the present invention, a solid-state imaging semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a lens attachment portion is attached to the solid-state imaging lens; A circuit board bonded to the lower part of the lens attaching part and having an opening formed in a predetermined portion; And a solid-state imaging semiconductor chip positioned below the solid-state imaging lens and electrically connected to the circuit board by the first electrical connection means and converting light from the solid-state imaging lens into an image signal.
상기 회로기판의 개구부 내에 위치하고 상기 회로기판과 제2 전기적 접속수단에 의해 전기적으로 연결되는 화상처리용 반도체 칩을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상용 반도체 장치.And an image processing semiconductor chip located in the opening of the circuit board and electrically connected by the circuit board and the second electrical connection means.
상기 제2 전기적 접속수단은 와이어본딩인 것이 바람직하다.Preferably, the second electrical connecting means is wire bonding.
상기 제2 전기적 접속수단은 절연성 봉지수지로 봉지되는 것이 바람직하다.Preferably, the second electrical connection means is sealed with an insulating encapsulation resin.
상기 고체 촬상용 렌즈와 소정의 간격을 두고 대향하며, 상기 고체 촬상용 렌즈와 상기 회로기판 사이에 위치하고 상기 렌즈 부착부 내에 고정 위치하는 적외선 차단용 필터를 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include an infrared cut-off filter facing the solid-state imaging lens at a predetermined interval and positioned between the solid-state imaging lens and the circuit board and fixedly positioned in the lens attachment portion.
상기 제1 전기적 접속수단은 와이어본딩인 것이 바람직하다.Preferably, the first electrical connection means is wire bonding.
또한, 상기의 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치는 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부; 상기 렌즈 부착부의 하부에 접착되어 형성되고, 상기 고체 촬상용 렌즈의 수직하부에 개구부가 형성된 회로기판; 상기 개구부의 하면을 덮는 박막 테이프; 및 상기 박막 테이프와 접착하여 상기 회로기판의 개구부 내에 위치하고 상기 회로기판의 기판패드와 제3 전기적 접속수단에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 고체 촬상용 렌즈로부터의 광을 화상 신호로 변환하는 고체 촬상용 반도체 칩을 포함한다.In addition, in order to achieve the above object of the present invention, a solid-state imaging semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a lens attachment portion is attached to the lens for solid-state imaging; A circuit board bonded to the lower part of the lens attaching part and having an opening formed in a vertical lower part of the solid-state imaging lens; A thin film tape covering a lower surface of the opening; And adhesively attached to the thin film tape and positioned in an opening of the circuit board and electrically connected to the substrate pad of the circuit board by a third electrical connection means, and converting light from the solid-state imaging lens into an image signal. It includes a semiconductor chip.
상기 제3 전기적 접속수단은 와이어본딩인 것이 바람직하다.Preferably, the third electrical connection means is wire bonding.
상기 고체 촬상용 렌즈와 소정의 간격을 두고 대향하며, 상기 고체 촬상용 렌즈와 상기 회로기판 사이에 위치하고 상기 렌즈 부착부 내에 고정 위치하는 적외선 차단용 필터를 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include an infrared cut-off filter facing the solid-state imaging lens at a predetermined interval and positioned between the solid-state imaging lens and the circuit board and fixedly positioned in the lens attachment portion.
상기 박막 테이프는 폴리이미드로 이루어진 것이 바람직하다.The thin film tape is preferably made of polyimide.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 회로기판의 소정의 부분에 개구부를 형성하고 상기 개구부의 상면을 박막 테이프로 덮는 제1 단계; 화상처리용 반도체 칩을 상기 박막 테이프에 접착시켜 상기 개구부 내에 위치시키고 상기 화상처리용 반도체 칩과 상기 회로기판을 제2 전기적 접속수단으로 전기적으로 연결하는 제2 단계; 상기 회로기판의 상면에 고체 촬상용 반도체 칩을 접착시키고, 상기 고체 촬상용 반도체 칩과 상기 회로기판을 제1 전기적 접속수단으로 전기적으로 연결하는 제3 단계; 및 상기 고체 촬상용 반도체 칩의 수직상부에 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부를 상기 회로기판의 상부에 접착하는 제4 단계를 포함하는 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.In addition, in order to achieve the above object of the present invention, the present invention comprises a first step of forming an opening in a predetermined portion of the circuit board and covering the upper surface of the opening with a thin film tape; A second step of attaching an image processing semiconductor chip to the thin film tape and placing it in the opening and electrically connecting the image processing semiconductor chip and the circuit board with a second electrical connection means; Bonding a solid-state imaging semiconductor chip to an upper surface of the circuit board, and electrically connecting the solid-state imaging semiconductor chip and the circuit board with first electrical connection means; And a fourth step of adhering a lens attaching portion having a solid-state imaging lens attached to a vertical portion of the solid-state imaging semiconductor chip to an upper portion of the circuit board.
상기 제2 전기적 접속수단은 와이어본딩인 것이 바람직하다. Preferably, the second electrical connecting means is wire bonding.
상기 제2 단계 이후에, 상기 화상처리용 반도체 칩과 상기 회로기판을 절연성 봉지수지로 봉지하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다. After the second step, the method may further include encapsulating the semiconductor chip for image processing and the circuit board with an insulating encapsulation resin.
상기 절연성 봉지수지가 열경화되면 상기 박막 테이프를 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the insulating encapsulation resin further includes removing the thin film tape when the insulating encapsulation resin is thermoset.
상기 고체 촬상용 렌즈와 소정의 간격을 두고 대향하며, 상기 고체 촬상용 렌즈와 상기 회로기판 사이에 위치하는 적외선 차단용 필터를 상기 렌즈 부착부 내에 고정 위치시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include a step of fixing the infrared blocking filter in the lens attachment portion facing the solid-state imaging lens at a predetermined interval, and positioned between the solid-state imaging lens and the circuit board.
상기 제1 전기적 접속수단은 와이어본딩인 것이 바람직하다.Preferably, the first electrical connection means is wire bonding.
상기 제1 전기적 접속수단은 솔더볼 또는 금속범프인 것이 바람직하다.Preferably, the first electrical connection means is a solder ball or a metal bump.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 회로기판의 소정의 부분에 개구부를 형성하고 상기 개구부의 하면을 박막 테이프로 덮는 제1 단계; 고체 촬상용 렌즈로부터의 광을 화상 신호로 변환하는 고체 촬상용 반도체 칩을 상기 박막 테이프에 접착시켜 상기 개구부 내에 위치시키고, 상기 고체 촬상용 반도체 칩과 상기 회로기판을 제3 전기적 접속수단으로 전기적으로 연결하는 제2 단계; 및 상기 고체 촬상용 반도체 칩의 수직상부에 상기 고체 촬상용 렌즈가 부착된 렌즈 부착부를 상기 회로기판의 상부에 부착하는 제3 단계를 포함하는 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.In addition, in order to achieve the above object of the present invention, the present invention comprises a first step of forming an opening in a predetermined portion of the circuit board and covering the lower surface of the opening with a thin film tape; A solid-state imaging semiconductor chip for converting light from a solid-state imaging lens into an image signal is adhered to the thin film tape and placed in the opening, and the solid-state imaging semiconductor chip and the circuit board are electrically connected to a third electrical connection means. A second step of connecting; And a third step of attaching a lens attaching portion having the solid-state imaging lens attached to a vertical portion of the solid-state imaging semiconductor chip to an upper portion of the circuit board.
상기 제3 전기적 접속수단은 와이어본딩인 것이 바람직하다.Preferably, the third electrical connection means is wire bonding.
상기 고체 촬상용 렌즈와 소정의 간격을 두고 대향하며, 상기 고체 촬상용 렌즈와 상기 회로기판 사이에 위치하는 적외선 차단용 필터를 상기 렌즈 부착부 내에 고정 위치시키는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include a step of fixing the infrared blocking filter in the lens attachment portion facing the solid-state imaging lens at a predetermined interval, and positioned between the solid-state imaging lens and the circuit board.
상기 박막 테이프는 폴리이미드로 이루어진 것이 바람직하다.The thin film tape is preferably made of polyimide.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예를 소개하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be introduced in order to enable those skilled in the art to more easily implement the present invention.
이하, 본 발명의 일 실시예를 도 2에 근거하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 제조과정을 나타낸 개략도이다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor device for solid-state imaging according to an embodiment of the present invention.
도 2a에 도시된 바와 같이, 회로기판(Printed Circuit Board; PCB 300)의 소정의 부분에 개구부(375)를 형성한다. 상기 회로기판(300)은 상면과 하면 모두에 배선이 설계되어 있는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 개구부(375)의 상면을 박막 테이프(310)으로 덮는다. 상기 박막 테이프(310)는 표면에 접착물질이 도포되어 있는 것이 바람직하다. 상기 박막 테이프(310)는 높은 공정온도에서도 열 안정성이 있는 물질을 사용한다. 예를 들면, 상기 박막 테이프(310)은 폴리이미드(polyimide)를 포함하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 2A, an opening 375 is formed in a predetermined portion of a printed circuit board (PCB 300). Preferably, the circuit board 300 has a wiring designed on both top and bottom surfaces thereof. The upper surface of the opening 375 is covered with the thin film tape 310. The thin film tape 310 is preferably coated with an adhesive material on the surface. The thin film tape 310 uses a material having thermal stability even at a high process temperature. For example, the thin film tape 310 preferably includes polyimide.
도 2b에 도시된 바와 같이, 화상처리용 반도체 칩(320)을 상기 개구부(375) 내에 위치시키고 상기 화상처리용 반도체 칩(320)의 일면을 상기 박막 테이프(310)와 접착한다. 상기 화상처리용 반도체 칩(320)의 하면에 형성된 칩패드(chip pad)와 상기 회로기판(300)의 하면에 형성된 기판패드를 제2 전기적 접속수단(330)으로 전기적으로 연결한다. 상기 제2 전기적 접속수단(330)은 와이어본딩(wire bonding)인 것이 바람직하다.As shown in FIG. 2B, an image processing semiconductor chip 320 is positioned in the opening 375, and one surface of the image processing semiconductor chip 320 is adhered to the thin film tape 310. A chip pad formed on the bottom surface of the semiconductor chip 320 for image processing and a substrate pad formed on the bottom surface of the circuit board 300 are electrically connected to each other by the second electrical connection means 330. The second electrical connection means 330 is preferably wire bonding.
그리고, 상기 화상처리용 반도체 칩(320)을 절연성 봉지수지(340)로 봉지한다. 상기 절연성 봉지수지(340)는 전기적으로 접합된 부분의 신뢰성의 향상과 접합 부분의 강도의 보강을 도모한다. 상기 절연성 봉지수지(740)로는 절연성의 에폭시 수지, 절연성의 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.The semiconductor chip 320 for image processing is encapsulated with an insulating encapsulation resin 340. The insulating encapsulation resin 340 improves the reliability of the electrically bonded portion and reinforces the strength of the bonded portion. As the insulating encapsulation resin 740, an insulating epoxy resin, an insulating silicone resin, or the like may be used.
상기 봉지공정은 몰딩(Molding)공정과 디스펜서(Dispenser)공정 등이 있다. The encapsulation process includes a molding process and a dispenser process.
몰딩공정은 반도체를 외부 변화와 충격으로부터 칩, 와이어, 이너리드 등을 보호하기 위해 일정한 형태로 주위를 둘러싸는 과정을 말한다. 몰딩공정은 일정한 형태로 음각한 금형(Mold Die)에 리드 프래임(Lead Frame)과 기판(Substrate)을 장착하고 점도를 가진 물질을 열과 압을 이용해서 채워넣고 경화시키는 방법이다. 가장 널리 사용되는 대표적인 형식으로는 트랜스퍼 몰드방식이 있다.The molding process is a process in which a semiconductor is surrounded in a certain form to protect chips, wires, and inner leads from external changes and impacts. The molding process is a method of attaching a lead frame and a substrate to a mold die in a uniform shape, and filling and curing a material having a viscosity using heat and pressure. The most widely used type is the transfer mold method.
디스펜서 공정은 디스펜싱할 수 있는 구조칩의 둘레에 용액을 토출시켜, 칩 하부에 용액이 채워지도록 하는 방식(모세관 현상 이용)으로, 낮은 점도의 용액이 사용된다. 디스펜서 공정과 몰딩 공정의 가장 큰 차이점은 금형(Mold Die)이 없다는 점이다. 디스펜싱 방법으로는 댐(Dam)과 필(Fill) 등의 방법이 있다. 댐공정은 디스펜싱하고자 하는 부위의 외각에 액상 봉재를 이용해서 한계선을 성형하는 작업을 말한다. 필공정은 댐공정이 끝난 안쪽에 액상 봉재를 채워 실질적으로 칩을 밀폐하는 작업을 말한다 In the dispenser process, a solution of low viscosity is used in such a manner that a solution is discharged around a structureable chip that can be dispensed so that the solution is filled in the lower part of the chip (using capillary phenomenon). The main difference between the dispenser process and the molding process is the absence of mold dies. Dispensing methods include dams and fills. The dam process refers to a process of forming a limit line using a liquid bar at the outer surface of a portion to be dispensed. Filling process is the work of sealing the chip substantially by filling the liquid rod inside the dam process.
열경화성 수지인 상기 절연성 봉지수지(340)가 경화된 후, 상기 박막 테이프(310)를 제거한다. 도 2c에 도시된 바와 같이, 박막 테이프(310)이 제거된 화상처리용 반도체 칩(320)의 일면에 고체 촬상용 반도체 칩(350)을 접착한다. 상기 접착은 은(Ag)을 포함한 에폭시 수지(epoxy resin) 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 박막 테이프(310)를 제거하지 않고, 고체 촬상용 반도체 칩(350)을 그 일면에 접착할 수도 있다.After the insulating encapsulation resin 340, which is a thermosetting resin, is cured, the thin film tape 310 is removed. As shown in FIG. 2C, the solid-state imaging semiconductor chip 350 is attached to one surface of the image processing semiconductor chip 320 from which the thin film tape 310 is removed. The adhesion is preferably using an epoxy resin adhesive containing silver (Ag). Here, the semiconductor chip 350 for solid-state imaging may be adhered to one surface thereof without removing the thin film tape 310.
상기 고체 촬상용 반도체 칩(350)의 상면에 형성된 칩패드와 회로기판(300)의 상면에 형성된 기판패드를 제1 전기적 접속수단(360)으로 전기적으로 연결한다. 상기 제1 전기적 접속수단(360)은 와이어본딩인 것이 바람직하다.The chip pad formed on the upper surface of the solid-state imaging semiconductor chip 350 and the substrate pad formed on the upper surface of the circuit board 300 are electrically connected to each other by the first electrical connection means 360. Preferably, the first electrical connecting means 360 is wire bonding.
여기에서 고체 촬상용 반도체 칩(350)은 상기 고체 촬상용 렌즈(370)로부터의 광을 화상신호로 변환하는 광전변환소자군으로 이루어진 칩이다. 상기 고체 촬상용 반도체 칩(350)에는 예를 들면 CMOS 이미지 센서(CMOS Image Sensor; CIS)를 구성하는 2차원으로 배열된 광전변환소자군으로 이루어지는 광전변화부(센서부)와, 상기 광전변화소자군을 차례로 구동하여 신호전하를 얻는 구동회로부와, 상기 신호전하를 디지털신호로 변환하는 A/D변환부와, 상기 디지탈신호를 영상신호출력으로 만드는 신호처리부와, 상기 디지탈신호의 출력레벨을 토대로 전기적으로 노광시간을 제어하는 노광제어수단을 동일한 반도체 칩상에 형성한 반도체회로부 등이 설치되어 있는 것으로 한다. 물론 상기 고체 촬상용 반도체 칩(350)은 CCD(Charged Coupled Device)를 포함한다.Here, the solid-state imaging semiconductor chip 350 is a chip composed of a group of photoelectric conversion elements for converting light from the solid-state imaging lens 370 into an image signal. The solid-state imaging semiconductor chip 350 includes, for example, a photoelectric change unit (sensor unit) comprising a group of photoelectric conversion elements arranged in two dimensions constituting a CMOS image sensor (CIS), and the photoelectric change element. A driving circuit unit for driving a group in order to obtain signal charge, an A / D converter for converting the signal charge into a digital signal, a signal processing unit for converting the digital signal into an image signal output, and an output level of the digital signal It is assumed that a semiconductor circuit portion or the like in which exposure control means for electrically controlling the exposure time is formed on the same semiconductor chip. Of course, the solid-state imaging semiconductor chip 350 includes a charged coupled device (CCD).
도 2d에 도시된 바와 같이, 고체 촬상용 렌즈(370)가 부착된 렌즈부착부(390)를 상기 회로기판(300) 상의 소정의 부분에 접착제로 고정한다. 이때, 상기 고체 촬상용 렌즈(370)는 상기 고체 촬상용 반도체 칩(350)의 수직상부에 위치하도록 한다.As shown in FIG. 2D, the lens attaching part 390 to which the solid-state imaging lens 370 is attached is fixed to a predetermined portion on the circuit board 300 with an adhesive. In this case, the solid-state imaging lens 370 is positioned on the vertical portion of the solid-state imaging semiconductor chip 350.
상기 렌즈부착부(390) 내에 위치하여 상기 고체 촬상용 렌즈(370)와 대향하면서, 상기 고체 촬상용 렌즈(370)를 통과한 광이 지나가는 부분에 위치하는 적외선 차단용 필터(IR cut filter; 380)나 고주파 차광용 필터를 더 포함하는 것이 바람직하다.An IR cut filter (380) positioned in the lens attachment part 390 to face the solid-state imaging lens 370 and positioned at a portion where light passing through the solid-state imaging lens 370 passes; ) And a high frequency light shielding filter.
본 발명에 의한 고체 촬상용 반도체 장치는 상기 고체 촬상용 렌즈(370) 및 상기 적외선 차단용 필터(390)를 통하여 상기 고체 촬상용 반도체 칩(350)에 있어서의 센서부에 피사체상을 결상시켜서 광전변환함으로써 예를 들면 디지털 또는 아날로그의 이미지신호가 출력되도록 동작한다. 그리고, 상기 화상처리용 반도체 칩(320)은 상기 회로기판(300)의 하부와 제2 전기적 접속수단(330)을 통하여 전기적으로 연결되어, 상기 고체 촬상용 반도체 칩(320)으로부터의 이미지신호를 처리하는 역할을 한다.In the solid-state imaging semiconductor device according to the present invention, an image of an object is formed by forming an image of a subject in the sensor unit of the solid-state imaging semiconductor chip 350 through the solid-state imaging lens 370 and the infrared cut-off filter 390. By converting, for example, a digital or analog image signal is outputted. In addition, the image processing semiconductor chip 320 is electrically connected to the lower portion of the circuit board 300 through the second electrical connection means 330 to receive an image signal from the solid state imaging semiconductor chip 320. It plays a role.
상기 회로기판(300)은 플렉시블 배선기판(Flexible Cable; 410)과 배선 접합부(400)에 의하여 전기적으로 연결되어, 고체 촬상용 반도체 장치와 외부 본체를 이어준다.The circuit board 300 is electrically connected by the flexible cable 410 and the wire junction 400 to connect the solid state imaging semiconductor device to the external body.
다음에, 본 발명의 다른 일 실시예를 도 3에 근거하여 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 제조과정을 나타낸 개략도이다.Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor device for solid-state imaging according to an embodiment of the present invention.
도 3a에 도시된 바와 같이, 회로기판(700)의 소정의 부분에 개구부(775)를 형성한다. 상기 회로기판(700)은 상면과 하면 모두에 배선이 설계되어 있는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 개구부(775)의 상면을 박막 테이프(710)으로 덮는다. 상기 박막 테이프(710)는 표면에 접착물질이 도포되어 있는 것이 바람직하다. 상기 박막 테이프(710)는 높은 공정온도에서도 열 안정성이 있는 물질을 사용한다. 예를 들면, 상기 박막 테이프(710)은 폴리이미드(polyimide)를 포함하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3A, an opening 775 is formed in a predetermined portion of the circuit board 700. Preferably, the circuit board 700 has wiring designed on both top and bottom surfaces thereof. The upper surface of the opening 775 is covered with the thin film tape 710. The thin film tape 710 is preferably coated with an adhesive material on the surface. The thin film tape 710 uses a material having thermal stability even at a high process temperature. For example, the thin film tape 710 may include polyimide.
도 3b에 도시된 바와 같이, 화상처리용 반도체 칩(720)을 상기 개구부(775) 내에 위치시키고 상기 화상처리용 반도체 칩(720)의 일면을 상기 박막 테이프(710)와 접착한다. 상기 화상처리용 반도체 칩(720)의 하면에 형성된 칩패드와 상기 회로기판(700)의 하면에 형성된 기판패드를 제2 전기적 접속수단(730)으로 전기적으로 연결한다. 상기 제2 전기적 접속수단(730)은 와이어본딩(wire bonding)인 것이 바람직하다.As shown in FIG. 3B, an image processing semiconductor chip 720 is positioned in the opening 775 and one surface of the image processing semiconductor chip 720 is adhered to the thin film tape 710. The chip pad formed on the bottom surface of the semiconductor chip 720 for image processing and the substrate pad formed on the bottom surface of the circuit board 700 are electrically connected to each other by the second electrical connection means 730. The second electrical connection means 730 is preferably wire bonding.
그리고, 상기 화상처리용 반도체 칩(720)을 절연성 봉지수지(740)로 봉지한다. 상기 절연성 봉지수지(740)는 전기적으로 접합된 부분의 신뢰성의 향상과 접합 부분의 강도의 보강을 도모한다. 상기 절연성 봉지수지(740)로는 절연성의 에폭시 수지, 절연성의 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.The semiconductor chip 720 for image processing is encapsulated with an insulating encapsulation resin 740. The insulating encapsulation resin 740 improves the reliability of the electrically bonded portion and reinforces the strength of the bonded portion. As the insulating encapsulation resin 740, an insulating epoxy resin, an insulating silicone resin, or the like may be used.
열경화성 수지인 상기 절연성 봉지수지(740)가 경화된 후, 상기 박막 테이프(710)를 제거한다. 도 3c에 도시된 바와 같이, 박막 테이프(710)이 제거된 화상처리용 반도체 칩(720)의 일면에 고체 촬상용 반도체 칩(750)을 접착한다. 상기 접착은 은(Ag)을 포함한 에폭시 수지(epoxy resin) 접착제를 사용하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 박막 테이프(710)를 제거하지 않고, 고체 촬상용 반도체 칩(750)을 그 일면에 접착할 수도 있다.After the insulating encapsulation resin 740, which is a thermosetting resin, is cured, the thin film tape 710 is removed. As illustrated in FIG. 3C, the solid-state imaging semiconductor chip 750 is attached to one surface of the image processing semiconductor chip 720 from which the thin film tape 710 is removed. The adhesion is preferably using an epoxy resin adhesive containing silver (Ag). Here, the semiconductor chip 750 for solid-state imaging may be adhered to one surface thereof without removing the thin film tape 710.
상기 고체 촬상용 반도체 칩(750)의 상면에 형성된 칩패드를 상기 고체 촬상용 반도체 칩(750)의 하면에 형성된 터미널을 전기적으로 연결한다. 상기 칩패드와 터미널을 전기적으로 연결하는 방법은 에칭기술 또는 레이저를 이용하여 상기 고체 촬상용 반도체 칩(750)의 칩패드에 비어홀(via hole)을 만들거나, 상기 고체 촬상용 반도체 칩(750)의 측면을 따라 도전성 라인을 형성하는 방법이 있다. 비아홀의 형성 및 비아홀과 회로기판의 연결 방법은 미합중국특허 제6,235,554호, 한국공개특허 제2003-0023040호에 개시되어 있다. 그리고, 도전성 라인 및 도전성 라인과 회로기판의 연결 방법은 미합중국특허 제6,391,685호, 한국공개특허 제2001-0001159호 및 한국공개특허 제2001-0018694호에 개시되어 있다.A chip pad formed on the top surface of the solid state semiconductor chip 750 is electrically connected to a terminal formed on the bottom surface of the solid state semiconductor chip 750. The method of electrically connecting the chip pad and the terminal may include a via hole in the chip pad of the solid state imaging semiconductor chip 750 using an etching technique or a laser, or the solid state imaging semiconductor chip 750. There is a method of forming a conductive line along the side of the. A method of forming a via hole and connecting a via hole and a circuit board is disclosed in United States Patent No. 6,235,554 and Korean Patent Publication No. 2003-0023040. In addition, a conductive line and a method of connecting the conductive line and the circuit board are disclosed in United States Patent No. 6,391,685, Korean Patent Publication No. 2001-0001159, and Korean Patent Publication No. 2001-0018694.
상기 고체 촬상용 반도체 칩(750)의 하면에 형성된 터미널과 회로기판(700)의 상면에 형성된 기판패드를 제1 전기적 접속수단(760)으로 전기적으로 연결한다. 상기 제1 전기적 접속수단(760)은 솔더볼(Solder Ball) 또는 금속범프(Metal Bump)인 것이 바람직하다.The terminal formed on the lower surface of the solid-state imaging semiconductor chip 750 and the substrate pad formed on the upper surface of the circuit board 700 are electrically connected to each other by the first electrical connection means 760. The first electrical connection means 760 is preferably a solder ball or a metal bump.
도 3d에 도시된 바와 같이, 고체 촬상용 렌즈(770)가 부착된 렌즈부착부(790)를 상기 회로기판(700) 상의 소정의 부분에 접착제로 고정한다. 이때, 상기 고체 촬상용 렌즈(770)는 상기 고체 촬상용 반도체 칩(750)의 수직상부에 위치하도록 한다.As shown in FIG. 3D, the lens attaching part 790 to which the solid-state imaging lens 770 is attached is fixed to a predetermined portion on the circuit board 700 with an adhesive. In this case, the solid-state imaging lens 770 is positioned on the vertical portion of the solid-state imaging semiconductor chip 750.
상기 렌즈부착부(790) 내에 위치하여 상기 고체 촬상용 렌즈(770)와 대향하면서, 상기 고체 촬상용 렌즈(770)를 통과한 광이 지나가는 부분에 위치하는 적외선 차단용 필터(780)나 고주파 차광용 필터를 더 포함하는 것이 바람직하다.An infrared blocking filter 780 or a high frequency light shielding part located in the lens attaching part 790 and facing the solid-state imaging lens 770 and positioned at a portion where light passing through the solid-state imaging lens 770 passes. It is preferable to further include the solvent filter.
본 발명에 의한 고체 촬상용 반도체 장치는 상기 고체 촬상용 렌즈(770) 및 상기 적외선 차단용 필터(790)를 통하여 상기 고체 촬상용 반도체 칩(750)에 있어서의 센서부에 피사체상을 결상시켜서 광전변환함으로써 예를 들면 디지털 또는 아날로그의 이미지신호가 출력되도록 동작한다. 그리고, 상기 화상처리용 반도체 칩(720)은 상기 회로기판(700)의 하부와 제2 전기적 접속수단(730)을 통하여 전기적으로 연결되어, 상기 고체 촬상용 반도체 칩(720)으로부터의 이미지신호를 처리하는 역할을 한다.In the semiconductor device for solid-state imaging according to the present invention, an image of an object is formed by forming an image of a subject in the sensor unit of the solid-state imaging semiconductor chip 750 through the solid-state imaging lens 770 and the infrared cut-off filter 790. By converting, for example, a digital or analog image signal is outputted. In addition, the image processing semiconductor chip 720 is electrically connected to the lower portion of the circuit board 700 through the second electrical connection means 730 to receive an image signal from the solid state imaging semiconductor chip 720. It plays a role.
상기 회로기판(700)은 플렉시블 배선기판(Flexible Cable; 795)과 배선 접합부(785)에 의하여 전기적으로 연결되어, 고체 촬상용 반도체 장치와 외부 본체를 이어준다.The circuit board 700 is electrically connected by a flexible cable 795 and a wire junction 785 to connect the solid-state imaging semiconductor device to the external body.
다음에, 본 발명의 다른 일 실시예를 도 4에 근거하여 설명한다. 도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 제조과정을 나타낸 개략도이다.Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor device for solid-state imaging according to an embodiment of the present invention.
도 4a에 도시된 바와 같이, 회로기판(700)의 소정의 부분에 개구부(875)를 형성한다. 그리고, 상기 개구부(875)의 하면을 박막 테이프(810)으로 덮는다. 상기 박막 테이프(810)는 표면에 접착물질이 도포되어 있는 것이 바람직하다. 상기 박막 테이프(810)는 높은 공정온도에서도 열 안정성이 있는 물질을 사용한다. 예를 들면, 상기 박막 테이프(810)은 폴리이미드(polyimide)를 포함하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 4A, an opening 875 is formed in a predetermined portion of the circuit board 700. The lower surface of the opening 875 is covered with the thin film tape 810. The thin film tape 810 is preferably coated with an adhesive material on the surface. The thin film tape 810 uses a material having thermal stability even at a high process temperature. For example, the thin film tape 810 may include polyimide.
도 4b에 도시된 바와 같이, 고체 촬상용 반도체 칩(820)을 상기 개구부(875) 내에 위치시키고 상기 고체 촬상용 반도체 칩(820)의 일면을 상기 박막 테이프(810)와 접착한다. 여기서, 상기 회로기판(800)의 개구부 내의 상기 고체 촬상용 반도체 칩(820) 주위에 절연성 봉지수지를 도포하여 안정성을 유지할 수 있다.As shown in FIG. 4B, a solid state imaging semiconductor chip 820 is positioned in the opening 875, and one surface of the solid state imaging semiconductor chip 820 is adhered to the thin film tape 810. The insulating encapsulation resin may be coated around the solid-state imaging semiconductor chip 820 in the opening of the circuit board 800 to maintain stability.
상기 박막 테이프(810)은 상기 고체 촬상용 반도체 칩(820)과의 고정 안정성 유지를 위해 0.05 내지 0.2mm의 두께인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 상기 박막 테이프(810)의 두께는 0.1mm 이상인 것이 바람직하다.The thin film tape 810 may have a thickness of 0.05 to 0.2 mm in order to maintain stability with the solid-state imaging semiconductor chip 820. More preferably, the thickness of the thin film tape 810 is 0.1 mm or more.
또한, 상기 고체 촬상용 반도체 칩(820)은 내부에 화상처리용 반도체를 포함할 수 있다.In addition, the solid-state imaging semiconductor chip 820 may include an image processing semiconductor therein.
상기 고체 촬상용 반도체 칩(820)의 상면에 형성된 칩패드와 상기 회로기판(800)의 상면에 형성된 기판패드를 제3 전기적 접속수단(830)으로 전기적으로 연결한다. 상기 제3 전기적 접속수단(830)은 와이어본딩(wire bonding)인 것이 바람직하다.The chip pad formed on the upper surface of the solid-state imaging semiconductor chip 820 and the substrate pad formed on the upper surface of the circuit board 800 are electrically connected to each other by the third electrical connection means 830. The third electrical connection means 830 is preferably wire bonding.
도 4c에 도시된 바와 같이, 고체 촬상용 렌즈(840)가 부착된 렌즈부착부(860)를 상기 회로기판(800) 상의 소정의 부분에 접착제로 고정한다. 이때, 상기 고체 촬상용 렌즈(840)는 상기 고체 촬상용 반도체 칩(820)의 수직상부에 위치하도록 한다.As shown in FIG. 4C, the lens attaching part 860 to which the solid-state imaging lens 840 is attached is fixed to a predetermined portion on the circuit board 800 with an adhesive. In this case, the solid-state imaging lens 840 is positioned on the vertical portion of the solid-state imaging semiconductor chip 820.
상기 렌즈부착부(860) 내에 위치하여 상기 고체 촬상용 렌즈(840)와 대향하면서, 상기 고체 촬상용 렌즈(840)를 통과한 광이 지나가는 부분에 위치하는 적외선 차단용 필터(850)나 고주파 차광용 필터를 더 포함하는 것이 바람직하다.Infrared cut filter 850 or high frequency light shielding, which is located in the lens attachment part 860 and faces the solid-state imaging lens 840 and is positioned at a portion where light passing through the solid-state imaging lens 840 passes. It is preferable to further include the solvent filter.
상기 회로기판(800)은 플렉시블 배선기판(880)과 배선 접합부(870)에 의하여 전기적으로 연결되어, 고체 촬상용 반도체 장치와 외부 본체를 이어준다.The circuit board 800 is electrically connected by the flexible wiring board 880 and the wiring junction 870 to connect the solid-state imaging semiconductor device to the external body.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.As mentioned above, although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 제조방법에 의하면, 회로기판에 개구부를 형성하고 개구부 내에 고체 촬상용 반도체 칩 또는 화상처리용 반도체 칩을 위치시킴으로써 관련기술보다 두께가 얇고 실장면적도 작은 고체 촬상용 반도체 장치를 제공할 수 있다.As described above, according to the manufacturing method of the semiconductor device for solid-state imaging according to the present invention, by forming an opening in a circuit board and placing a solid-state imaging semiconductor chip or an image processing semiconductor chip in the opening, the thickness is thinner than the related art and the mounting area. A small solid-state imaging semiconductor device can be provided.
도 1은 본 발명과 관련기술인 고체 촬상용 반도체 장치의 개략적 구성을 나타낸 것이다.1 shows a schematic configuration of a semiconductor device for solid-state imaging according to the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 제조과정을 나타낸 개략도이다.2 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor device for solid-state imaging according to an embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 제조과정을 나타낸 개략도이다.3 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor device for solid-state imaging according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 고체 촬상용 반도체 장치의 제조과정을 나타낸 개략도이다.4 is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of a semiconductor device for solid-state imaging according to another exemplary embodiment of the present invention.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
300, 800: 회로기판 310, 810: 박막 테이프300, 800: circuit board 310, 810: thin film tape
320: 화상처리용 반도체 칩 330: 제2 전기적 접속수단320: semiconductor chip for image processing 330: second electrical connection means
340: 절연성 봉지수지 350, 820: 고체 촬상용 반도체 칩340: insulating sealing resin 350, 820: semiconductor chip for solid-state imaging
360: 제1 전기적 접속수단 370, 840: 고체 촬상용 렌즈360: first electrical connection means 370, 840: solid-state imaging lens
380, 850: 적외선 차단용 필터 390, 860: 렌즈부착부380, 850: Infrared cut filter 390, 860: Lens attachment portion
400, 870: 배선 접합부 410, 880: 플렉시블 배선기판400 and 870: Wiring junctions 410 and 880: Flexible wiring board
830: 제3 전기적 접속수단830: third electrical connection means
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050118936A KR20050119101A (en) | 2005-12-07 | 2005-12-07 | Method for manufacturing solid-state imaging apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050118936A KR20050119101A (en) | 2005-12-07 | 2005-12-07 | Method for manufacturing solid-state imaging apparatus |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030055786A Division KR100541650B1 (en) | 2003-08-12 | 2003-08-12 | Solid-state Imaging Apparatus and Method For Manufacturing The Same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050119101A true KR20050119101A (en) | 2005-12-20 |
Family
ID=37291955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050118936A KR20050119101A (en) | 2005-12-07 | 2005-12-07 | Method for manufacturing solid-state imaging apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050119101A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100840501B1 (en) * | 2005-12-21 | 2008-06-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | Semiconductor device and manufacturing method thereof, and camera module |
-
2005
- 2005-12-07 KR KR1020050118936A patent/KR20050119101A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100840501B1 (en) * | 2005-12-21 | 2008-06-23 | 산요덴키가부시키가이샤 | Semiconductor device and manufacturing method thereof, and camera module |
| US7576402B2 (en) | 2005-12-21 | 2009-08-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and camera module |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7576401B1 (en) | Direct glass attached on die optical module | |
| US7202460B2 (en) | Camera module for compact electronic equipments | |
| US7701044B2 (en) | Chip package for image sensor and method of manufacturing the same | |
| US7675131B2 (en) | Flip-chip image sensor packages and methods of fabricating the same | |
| US6737292B2 (en) | Method of fabricating an image sensor module at the wafer level and mounting on circuit board | |
| US7579583B2 (en) | Solid-state imaging apparatus, wiring substrate and methods of manufacturing the same | |
| US20070210246A1 (en) | Stacked image sensor optical module and fabrication method | |
| KR20170064624A (en) | Semiconductor package | |
| KR100568223B1 (en) | Solid-State Imaging Apparatus | |
| US20120273908A1 (en) | Stacked sensor packaging structure and method | |
| JP2012182491A (en) | Glass cap molding package, method of manufacturing thereof, and camera module | |
| KR20140126598A (en) | semiconductor package and method for manufacturing of the same | |
| KR20110001659A (en) | Camera module | |
| US20090224344A1 (en) | Packaging method of image sensing device | |
| KR100664316B1 (en) | Image sensor package, Photographing apparatus and Method thereof | |
| KR100541650B1 (en) | Solid-state Imaging Apparatus and Method For Manufacturing The Same | |
| KR101515777B1 (en) | Method of manufacturing Semiconductor package | |
| KR100526191B1 (en) | Solid-State Imaging Apparatus | |
| KR20050119101A (en) | Method for manufacturing solid-state imaging apparatus | |
| KR100370116B1 (en) | semiconductor package and manufacturing method the same | |
| KR20050120142A (en) | Camera module and method of fabricating the same using epoxy | |
| KR100388290B1 (en) | semiconductor package and its manufacturing method | |
| CN210040172U (en) | Chip packaging structure and electronic equipment | |
| US20210391368A1 (en) | Reliable semiconductor packages | |
| JP2008124160A (en) | Semiconductor device, its manufacturing method and camera module with the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| WITB | Written withdrawal of application |