KR20050116755A - Method for preventing pattern defects of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 패턴 불량 방지방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 감광막을 노광, 현상한 후 식각공정 직전에 기판을 회전시키며 왕복운동하는 노즐을 통해 탈이온수 또는 불활성가스를 분사하여 기판 상에 존재하는 오염물을 제거하여 후속 식각공정에서의 불량을 방지하고자 하는 반도체 소자의 패턴 불량 방지방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of preventing a pattern defect of a semiconductor device, and more particularly, after exposing and developing a photoresist, spraying deionized water or an inert gas through a reciprocating nozzle while rotating the substrate immediately before an etching process. The present invention relates to a method for preventing a pattern defect of a semiconductor device to remove contaminants to prevent defects in a subsequent etching process.
본 발명의 상기 목적은 소정의 하부층이 형성되어 있는 기판 상에 감광막을 도포하고 노광, 현상하는 단계 및 상기 하부층의 식각공정 직전에 상기 기판을 회전시키면서 왕복운동하는 노즐을 통해 탈이온수 또는 불활성가스를 분사하여 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 불량 방지방법에 의해 달성된다.The object of the present invention is to apply deionized water or inert gas through a nozzle reciprocating while rotating the substrate immediately before the photosensitive film is coated, exposed and developed on the substrate on which the predetermined lower layer is formed, and the etching process of the lower layer. It is achieved by a method for preventing a pattern defect of a semiconductor device, comprising the step of spraying and cleaning.
따라서, 본 발명의 반도체 소자의 패턴 불량 방지방법은 감광막을 노광, 현상한 후 식각공정 직전에 기판 상에 존재하는 파티클, 스컴, 감광막 잔류물 및 현상액에 의한 유기물 등의 오염물을 제거함으로써 후속 식각공정에서의 불량을 방지하여 반도체 소자의 수율을 향상시키는 효과가 있다.Accordingly, in the method of preventing a pattern defect of a semiconductor device of the present invention, a subsequent etching process is performed by removing contaminants such as particles, scum, photoresist residue, and organic matter by a developing solution on the substrate immediately after the photosensitive film is exposed and developed. There is an effect of improving the yield of the semiconductor device by preventing a defect in the.
Description
본 발명은 반도체 소자의 패턴 불량 방지방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 감광막을 노광, 현상한 후 식각공정 직전에 기판을 회전시키며 왕복운동하는 노즐을 통해 탈이온수 또는 불활성가스를 분사하여 기판 상에 존재하는 오염물을 제거하여 후속 식각공정에서의 불량을 방지하고자 하는 반도체 소자의 패턴 불량 방지방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of preventing a pattern defect of a semiconductor device, and more particularly, after exposing and developing a photoresist, spraying deionized water or an inert gas through a reciprocating nozzle while rotating the substrate immediately before an etching process. The present invention relates to a method for preventing a pattern defect of a semiconductor device to remove contaminants to prevent defects in a subsequent etching process.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 발전에 따라 반도체 소자 제조 기술도 비약적으로 발전하고 있다. 상기 반도체 소자는 집적도, 미세화, 동작속도 등을 향상시키는 방향으로 기술이 발전하고 있다. 이에 따라 집적도 향상을 위한 리소그래피 공정과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구 특성 또한 엄격해지고 있다. In recent years, with the rapid development of information media such as computers, semiconductor device manufacturing technology is also rapidly developing. The semiconductor device has been developed in the direction of improving the degree of integration, miniaturization, operating speed and the like. As a result, requirements for microfabrication techniques, such as lithography processes for improved integration, are becoming more stringent.
리소그래피 기술은 마스크(mask) 상에 형성된 패턴을 기판으로 전사하는 사진 기술로서 반도체 소자의 미세화 및 고집적화를 주도하는 핵심 기술이다. 일반적으로, 리소그래피 공정은 감광막을 도포하는 단계, 소프트베이크(softbake)하는 단계, 정렬 및 노광하는 단계, 노광후베이크(PEB : Post Exposure Bake)하는 단계 및 현상하는 단계를 포함하는 일련의 공정을 거쳐 수행된다.Lithography technology is a photographic technology for transferring a pattern formed on a mask to a substrate and is a core technology that leads to miniaturization and high integration of semiconductor devices. In general, the lithography process involves a series of processes including applying a photoresist, softbake, align and expose, post exposure bake (PEB), and develop. Is performed.
상기 노광을 위한 노광장치로는 스테퍼(stepper), 스캐너(scanner) 등이 존재한다. 1990년대 이후 많이 사용되고 있는 스테퍼는 하나의 샷(shot)을 노광한 후 기판을 X축, Y축으로 하나의 샷만큼 이동하여 다음 샷을 노광하는 방식으로 통상, 5 ~ 6 인치 정도의 마스크 사이즈를 가지며 샷 영역을 한정하기 때문에 균일도가 좋으며 스테퍼의 투영렌즈를 통과한 빛은 그 크기가 1/5로 축소되어 기판에 노광되는 것이 보통이다. 스캐너는 필드 내 슬릿을 이용하여 노광을 함으로써 보다 균일도를 향상시키고 칩 사이즈의 대형화에 대응 가능한 대형 필드를 구현할 수 있다는 장점 때문에 최근에 많이 사용되고 있다. 통상, 6인치 정도의 마스크 사이즈를 가지며 1/4 축소 노광을 한다.An exposure apparatus for the exposure includes a stepper, a scanner, and the like. Steppers, which have been widely used since the 1990s, typically expose a mask size of about 5 to 6 inches by exposing one shot and then moving the substrate by one shot on the X and Y axes to expose the next shot. It has good uniformity because it limits the shot area, and the light passing through the projection lens of the stepper is usually reduced to 1/5 and exposed to the substrate. Scanners have been used in recent years because of the advantage that the exposure by using the slits in the field to improve the uniformity and to implement a large field that can cope with the increase in chip size. Typically, a mask size of about 6 inches and a quarter reduction exposure.
감광막은 하부층을 식각할 때 내식각성을 가지고 빛에 반응하는 감광성을 가진 재료로 양성 감광막(positive photoresist)과 음성 감광막(negative photoresist)이 존재한다. 양성 감광막은 빛에 노출된 영역에서 분해, 분자쇄 절단 등의 반응이 일어나 용해성이 크게 증가하여 현상시 제거되는 것으로서 내식각성이 강하고 해상력이 뛰어나 고집적도 반도체 공정에 많이 사용되고 있다. 이에 비해 음성 감광막은 빛에 노출된 영역에서 가교 등의 반응이 일어나 분자량이 크게 증가하여 현상시 제거되지 않고 남는 특성을 보이는 감광막이다.The photoresist film is a material having a photoresist that reacts to light with etching resistance when etching the lower layer, and includes a positive photoresist film and a negative photoresist film. The positive photoresist film is removed during development due to a large increase in solubility due to decomposition, molecular chain cleavage, and the like, and is widely used in high-density semiconductor processes due to its strong etching resistance and high resolution. On the other hand, the negative photoresist film is a photoresist film that exhibits a characteristic of being left unremoved during development due to a large increase in molecular weight due to a reaction such as crosslinking in a region exposed to light.
현상이란 노광에 의해 변화된 감광막을 제거하여 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 공정으로, 일반적으로 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드(TetraMethyl Ammonium Hydroxide, 이하 TMAH)를 주성분으로 하는 NaOH 또는 KOH 알칼리 수용액을 현상액으로 사용하는 습식현상을 주로 이용한다.Development is a process of transferring a pattern of a mask to a substrate by removing a photosensitive film changed by exposure. In general, an aqueous solution of NaOH or KOH alkali containing tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) as a main component is used as a developer. The wet phenomenon is mainly used.
도 1은 일반적인 노광 공정의 개념도이다.1 is a conceptual diagram of a general exposure process.
광원(100)에서 송출된 광은 소정의 광학계(도시하지 않음)를 거친 후, 석영기판(102)과 크롬막(104)으로 구성되는 마스크(103)를 통과하면서 상기 마스크(103)의 크롬막(104)에 의해 형성되는 소정의 패턴을 가지게 된다. 이후, 투영렌즈(106)을 통해 기판(108) 상에 축소 투영되며 빛에 노출된 감광막을 현상하면 상기 소정의 패턴에 대응하는 감광막 패턴(110)이 형성된다.The light emitted from the light source 100 passes through a predetermined optical system (not shown), and then passes through a mask 103 composed of a quartz substrate 102 and a chromium film 104, and then the chromium film of the mask 103. It has a predetermined pattern formed by 104. Thereafter, when the photoresist film is reduced and projected onto the substrate 108 through the projection lens 106 and exposed to light, the photoresist pattern 110 corresponding to the predetermined pattern is formed.
도 2a 및 도 2b는 종래기술에 의한 패턴형성 공정을 나타낸 단면도이다.2A and 2B are cross-sectional views illustrating a pattern forming process according to the prior art.
도 2a는 소정의 하부층(202)이 존재하는 기판(200) 상에 감광막을 코팅하고 노광 및 현상공정을 거쳐 소정의 감광막 패턴(204)을 형성한 상태를 나타낸 단면도이다. 상기 감광막 패턴(204)을 형성한 이후 상기 하부층(202)에 대한 식각공정을 진행하게 된다. 그런데, 상기 현상공정 중의 린스 공정에서도 제거되지 않고 존재하는 오염물 또는 패턴 측정 내지는 기판의 이동 중에 생성된 오염물은 이어지는 식각공정에서 상기 하부층(202)에 대한 식각을 방해하여 소자의 불량을 유발하게 된다.FIG. 2A is a cross-sectional view illustrating a state in which a photosensitive film is coated on a substrate 200 having a predetermined lower layer 202 and a predetermined photosensitive film pattern 204 is formed through an exposure and development process. After the photoresist pattern 204 is formed, an etching process is performed on the lower layer 202. However, contaminants that are not removed even in the rinsing process during the developing process or contaminants generated during the measurement of the pattern or the movement of the substrate may interfere with the etching of the lower layer 202 in the subsequent etching process, thereby causing device defects.
도 2a에 도시된 바와 같이, 상기 감광막 패턴(204) 상에 존재하는 파티클(220), 스컴, 감광막 잔류물(230) 및 현상액에 의한 유기물과 같은 다양한 오염물이 존재하게 되며 이 오염물은 이후의 식각공정에서 식각을 방해하는 마스킹 역할을 하게되어 패턴불량을 일으키게 된다. 도 2b는, 일례로서 상기 파티클(220)과 감광막 잔류물(230)이 상기 하부층(202)의 식각을 방해하여 생성된 패턴불량(220a, 230a)을 나타내었다. 상기 하부층(202)이 금속배선일 경우, 상기 패턴불량(220a, 230a)은 금속배선간의 브리지(bridge)를 형성하여 쇼트(short) 불량을 유발시키게 된다.As shown in FIG. 2A, various contaminants such as particles 220, scums, photoresist residues 230, and organic matter by the developer are present on the photoresist pattern 204, and the contaminants are subsequently etched. It acts as a masking mask to prevent etching in the process, causing pattern defects. FIG. 2B illustrates pattern defects 220a and 230a generated by the particle 220 and the photoresist residue 230 by interfering with etching of the lower layer 202 as an example. When the lower layer 202 is a metal wiring, the pattern defects 220a and 230a form a bridge between the metal wirings, causing short short.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해 대한민국 공개특허 제2002-0009881호는 감광막이 형성된 반도체 기판을 25℃ 내지 80℃ 온도의 열순수로 세정하는 단계를 포함하는 감광막 패턴 형성 방법을 개시하고 있다. 그러나 상기와 같은 감광막 패턴 형성 방법은 열순수의 온도를 유지하기 위한 히터 또는 램프가 추가적으로 필요하다는 문제가 있으며 현상 후 하드베이크 공정 전에 실시함으로써 기판의 이동 및 측정 중에 발생하는 오염물은 제거할 수 없다는 문제가 있다. In order to solve the above problems, Korean Patent Laid-Open Publication No. 2002-0009881 discloses a method of forming a photosensitive film pattern including cleaning a semiconductor substrate on which a photosensitive film is formed with thermal pure water at a temperature of 25 ° C to 80 ° C. However, the method of forming the photosensitive film pattern as described above has a problem that additional heaters or lamps are required to maintain the temperature of the thermal pure water, and after the development, it is not possible to remove contaminants generated during the movement and measurement of the substrate by performing it before the hard bake process. There is.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 감광막을 노광, 현상한 후 식각공정 직전에 기판을 회전시키며 왕복운동하는 노즐을 통해 탈이온수 또는 불활성가스를 분사하여 기판 상에 존재하는 오염물을 제거하여 후속 식각공정에서의 불량을 방지하고자 하는 반도체 소자의 패턴 불량 방지방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다. Accordingly, the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, after exposing and developing the photoresist film, and spraying deionized water or inert gas through the nozzle reciprocating while rotating the substrate immediately before the etching process on the substrate SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for preventing a pattern defect of a semiconductor device, which is intended to remove contaminants present to prevent defects in subsequent etching processes.
본 발명의 상기 목적은 소정의 하부층이 형성되어 있는 기판 상에 감광막을 도포하고 노광, 현상하는 단계 및 상기 하부층의 식각공정 직전에 상기 기판을 회전시키면서 왕복운동하는 노즐을 통해 탈이온수 또는 불활성가스를 분사하여 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 불량 방지방법에 의해 달성된다.The object of the present invention is to apply deionized water or inert gas through a nozzle reciprocating while rotating the substrate immediately before the photosensitive film is coated, exposed and developed on the substrate on which the predetermined lower layer is formed, and the etching process of the lower layer. It is achieved by a method for preventing a pattern defect of a semiconductor device, comprising the step of spraying and cleaning.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.Details of the above object and technical configuration of the present invention and the effects thereof according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 의한 패턴형성 공정을 나타낸 단면도이다.3A to 3C are cross-sectional views illustrating a pattern forming process according to the present invention.
도 3a는 감광막의 현상공정 후에 기판(300) 상에 존재하는 파티클(320), 스컴, 감광막 잔류물(330) 등의 오염물을 제거하는 방법에 대한 모식도이다.FIG. 3A is a schematic diagram of a method for removing contaminants such as particles 320, scum, and photoresist residue 330 that are present on the substrate 300 after the development process of the photoresist layer.
현상공정까지의 진행과정을 간략하게 살펴보면, 먼저, 하부층(302)이 형성된 기판(300) 상의 수분을 제거하기 위해 기판(300)을 진공상태에서 적정온도, 예를 들어 120 ~ 200℃로 가열하는 탈수베이크(dehydration bake)를 실시한다. 상기 탈수베이크 후에 감광막의 접착력을 강화시키기 위한 접착강화제, 예를 들어 HMDS(HexaMethylDiSilazane)로 기판을 소수성화시켜 수분에 대한 저항을 향상시킨 후 감광막을 코팅한다.Looking at the progress of the development process briefly, first, in order to remove the moisture on the substrate 300 on which the lower layer 302 is formed, the substrate 300 is heated to an appropriate temperature, for example, 120 to 200 ° C. in a vacuum state. Dehydration bake is carried out. After the dehydration bake, the substrate is coated with a hydrophobization agent to enhance adhesion to the photoresist film, for example, HMDS (HexaMethylDiSilazane), thereby improving resistance to moisture and then coating the photoresist film.
상기 감광막 코팅 후, 소프트베이크 공정을 실시하여 감광막의 용매를 제거한다. 상기 소프트베이크 공정은 감광막 성분이 열분해되지 않을 정도의 온도 조건을 설정한다. After the photoresist coating, a soft bake process is performed to remove the solvent of the photoresist film. The soft bake process sets temperature conditions such that the photoresist components are not pyrolyzed.
이후, 얼라인먼트(alignment) 센서를 이용하여 상기 기판(300)에 존재하는 얼라인 마크의 위치를 읽는 단계, 상기 얼라인 마크의 위치와 잡파일(job file)에 설정된 얼라인 마크와의 위치를 비교하여 위치오차(position error)를 산출하는 단계, 상기 위치오차를 기준으로 기판의 이동(translation), 회전(rotation), 팽창(expansion) 데이터를 산출하는 단계, 상기 산출된 데이터를 바탕으로 현재 레어의 노광위치를 산출하는 단계 및 상기 기판(300)을 노광하는 단계를 포함하는 일련의 정렬 및 노광 공정을 수행한다.Thereafter, reading the position of the alignment mark existing on the substrate 300 using an alignment sensor, comparing the position of the alignment mark with the position of the alignment mark set in the job file. Calculating a position error, calculating a translation, rotation, and expansion data of the substrate based on the position error, and calculating a current error based on the calculated data. A series of alignment and exposure processes are performed, including calculating an exposure position and exposing the substrate 300.
상기 노광 후, PEB를 실시한다. 상기 PEB는 정재파 현상을 제거하여 기판 내의 선폭의 균일성을 높이고 감광막 패턴의 프로파일을 우수하게 해 주는 역할을 한다. 이후, 감광막을 현상한다. 상기 현상은 TMAH를 주성분으로 하는 KOH 또는 NaOH 등의 알칼리 수용액을 사용한 현상액으로 수행하는 것이 가능하다.After the exposure, PEB is performed. The PEB serves to remove standing wave phenomena to increase the uniformity of the line width in the substrate and to improve the profile of the photoresist pattern. Thereafter, the photosensitive film is developed. The development can be carried out with a developer using an aqueous alkali solution such as KOH or NaOH containing TMAH as a main component.
도 3a에 도시된 바와 같이, 감광막의 현상공정 후에 기판 상에는 파티클(320), 스컴, 감광막 잔류물(330) 및 현상액 내의 계면활성제와 같은 유기물 등의 오염물이 존재할 수 있다. 또한, 현상공정 이후 패턴 측정 중 또는 이동 중에도 오염물이 형성될 수 있다. 본 발명은, 상기 하부층(302)의 식각공정시 상기 오염물에 의한 영향을 배제하기 위해 상기 하부층(302)의 식각공정 또는 이온주입 공정 직전에 세정공정을 실시한다. 일례로, 현상공정에 이어지는 후속 공정이 이온주입 또는 플라즈마 식각공정인 경우에는 감광막의 경화를 위한 하드베이크(hard bake) 공정을 실시하는 것이 일반적이며 본 발명은 하드베이크 공정 후 기판 상에 존재하는 오염물을 제거하기 위해 이용될 수 있다.As shown in FIG. 3A, contaminants such as particles 320, scum, photoresist residue 330, and organic substances such as surfactants in the developer may be present on the substrate after the photoresist development process. In addition, contaminants may be formed during pattern measurement or movement after the development process. In the present invention, in order to exclude the influence of the contaminants during the etching process of the lower layer 302, the cleaning process is performed immediately before the etching process or the ion implantation process of the lower layer 302. For example, when the subsequent process following the developing process is an ion implantation or plasma etching process, a hard bake process for curing the photosensitive film is generally performed, and the present invention contaminants present on the substrate after the hard bake process. It can be used to remove the.
상기 오염물을 제거하기 위해 기판을 진공척(340)으로 진공흡착한 후 회전시키면서 기판 상부에서는 노즐(350)을 통해 기판 상에 탈이온수(deionized water) 또는 불활성가스를 분사한다. 상기 노즐은 1개 또는 다수개 형성되어 있으며 기판 상을 왕복운동하면서 탈이온수 또는 불활성가스를 분사한다. 상기 탈이온수는 환경오염의 문제가 거의 없고 가격이 저렴하다는 장점이 있다. 또한, 본 발명에서는 상온의 탈이온수를 사용하기 때문에 탈이온수를 가열하기 위한 별도의 히터 내지는 램프가 필요하지 않다. 상기 불활성가스로는 99.9999% 이상의 고순도 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 기판(300)의 회전은 100 ~ 500 rpm, 보다 바람직하게는 150 ~ 300 rpm 정도의 회전속도가 되도록 하며 대략 1분 이상의 시간 동안 세정을 실시하는 것이 바람직하다. 이후, 기판을 고속회전, 예를 들어 3500 rpm 이상으로 회전시키면서 기판을 건조한다. 그러나, 상기 노즐(350)을 통해 불활성가스를 분사한 경우라면 기판의 건조 과정은 생략해도 무방하다.In order to remove the contaminants, deionized water or inert gas is injected onto the substrate through the nozzle 350 while the substrate is vacuum-adsorbed with the vacuum chuck 340 and rotated thereon. One or a plurality of nozzles are formed to inject deionized water or inert gas while reciprocating on the substrate. The deionized water has an advantage that there is little problem of environmental pollution and the price is low. In addition, since the present invention uses deionized water at room temperature, a separate heater or lamp for heating the deionized water is not required. As the inert gas, it is preferable to use high purity nitrogen (N 2 ) or argon (Ar) gas of 99.9999% or more. The substrate 300 is rotated at a rotational speed of about 100 to 500 rpm, more preferably about 150 to 300 rpm, and is preferably cleaned for about 1 minute or more. Thereafter, the substrate is dried while rotating the substrate at a high speed, for example, 3500 rpm or more. However, if the inert gas is injected through the nozzle 350, the drying process of the substrate may be omitted.
도 3b는 본 발명에 따른 세정공정 후의 기판의 모습을 나타낸 것이다. 상기 기판(300) 상의 하부층(302) 및 감광막(304) 상에 오염물이 모두 제거되게 되어 상기 감광막(304)을 저항층으로 하여 하부층(302)의 식각공정을 수행할 경우, 도 3c에 도시된 바와 같이, 불량이 없는 양호한 하부층 패턴(302)을 얻을 수 있다.Figure 3b shows the state of the substrate after the cleaning process according to the present invention. When all the contaminants are removed from the lower layer 302 and the photosensitive film 304 on the substrate 300, the etching process of the lower layer 302 is performed using the photosensitive film 304 as a resistive layer. As such, a good lower layer pattern 302 can be obtained without defects.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.
따라서, 본 발명의 반도체 소자의 패턴 불량 방지방법은 감광막을 노광, 현상한 후 식각공정 직전에 기판 상에 존재하는 파티클, 스컴, 감광막 잔류물 및 현상액에 의한 유기물 등의 오염물을 제거함으로써 후속 식각공정에서의 불량을 방지하여 반도체 소자의 수율을 향상시키는 효과가 있다.Accordingly, in the method of preventing a pattern defect of a semiconductor device of the present invention, a subsequent etching process is performed by removing contaminants such as particles, scum, photoresist residue, and organic matter by a developing solution on the substrate immediately after the photosensitive film is exposed and developed. There is an effect of improving the yield of the semiconductor device by preventing a defect in the.
도 1은 일반적인 노광 공정의 개념도.1 is a conceptual diagram of a general exposure process.
도 2a 및 도 2b는 종래기술에 의한 패턴형성 공정을 나타낸 단면도.Figure 2a and Figure 2b is a cross-sectional view showing a pattern forming process according to the prior art.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 의한 패턴형성 공정을 나타낸 단면도.3A to 3C are cross-sectional views showing a pattern forming process according to the present invention.
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| KR1020040041984A KR20050116755A (en) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | Method for preventing pattern defects of semiconductor device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=37290327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040041984A KR20050116755A (en) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | Method for preventing pattern defects of semiconductor device |
Country Status (1)
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2004
- 2004-06-08 KR KR1020040041984A patent/KR20050116755A/en not_active Application Discontinuation
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