KR20050102298A - Light sensitized and p-n junction complexed solar cell and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 광감응형 및 Ｐ-Ｎ접합 복합구조를 갖는 태양전지는, 다결정 혹은 비정질 실리콘 태양전지 중의 어느 하나와 광감응형 태양전지가 접합된 복합구조를 갖는 것으로서, 복합 태양전지 구조체의 최하부층에 마련되는 n-형 실리콘 기판; n-형 실리콘 기판 위에 도핑 형성되는 p-형 실리콘층; p-형 실리콘층 위에 형성되며, 그 표면에는 상대전극이 형성되어 있는 하부 투명전극층; 복합 태양전지 구조체의 최상부에 위치되며, 투광성 및 도전성이 양호한 상부 투명전극층; 상부 투명전극층의 하면부에 형성되며, 광감응형 태양전지에서 광을 흡수하여 발전하는 n-형 반도체층; 및 n-형 반도체층이 형성되어 있는 상부 투명전극층과 그 표면에 상대전극이 형성되어 있는 하부 투명전극층 사이에 충전되는 산화환원용 전해질을 포함하여 구성된다.The solar cell having a photosensitive and P-N junction composite structure according to the present invention has a composite structure in which any one of polycrystalline or amorphous silicon solar cells and a photosensitive solar cell are bonded to each other, and the lowermost part of the composite solar cell structure. An n-type silicon substrate provided in the layer; a p-type silicon layer doped over an n-type silicon substrate; a lower transparent electrode layer formed on the p-type silicon layer and having a counter electrode formed on its surface; An upper transparent electrode layer positioned on the top of the composite solar cell structure and having good light transmittance and conductivity; An n-type semiconductor layer formed on a lower surface of the upper transparent electrode layer to absorb and generate light in the photosensitive solar cell; And an redox electrolyte charged between the upper transparent electrode layer on which the n-type semiconductor layer is formed and the lower transparent electrode layer on which the counter electrode is formed.
이와 같은 본 발명에 의하면, 다결정 혹은 비정질 실리콘의 p-n 접합구조의 실리콘 태양전지와 광감응형 태양전지의 복합구조로 되어 있어, 1차적으로 광감응형 태양전지에 의해 400nm 이하의 단파장의 빛을 흡수하여 발전하고, 2차적으로 400nm를 초과하는 파장의 빛을 실리콘 태양전지가 흡수하여 발전함으로써 태양전지의 전체효율을 증대시킬 수 있다.According to the present invention, it is a composite structure of a silicon solar cell having a pn junction structure of polycrystalline or amorphous silicon and a photosensitive solar cell, and primarily absorbs light having a short wavelength of 400 nm or less by the photosensitive solar cell. To generate power, and the second solar cell absorbs and generates light having a wavelength exceeding 400 nm, thereby increasing the overall efficiency of the solar cell.
Description
본 발명은 태양전지와 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 단결정 실리콘 태양전지에 비하여 상대적으로 가격이 저렴한 다결정 또는 비정질 실리콘 전지와, 실리콘 태양전지에서 이용효율이 낮은 단파장광을 이용하여 발전하는 기존의 실리콘계 태양전지의 1/5 가격인 광감응형 전지를 복합화하여 효율이 높고, 셀 단가가 낮아 경제성이 있는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing the same, and more particularly, to generate power using polycrystalline or amorphous silicon cells, which are relatively inexpensive as compared to single crystal silicon solar cells, and short wavelength light having low utilization efficiency in silicon solar cells. The present invention relates to a solar cell having a photosensitive type and a PN junction composite structure having high efficiency and low economical cost by combining a photosensitive cell which is 1/5 the price of a conventional silicon solar cell, and a manufacturing method thereof.
태양전지는 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환시켜 전기를 생산하는 것으로, 현재까지 개발된 태양전지는 소형의 장비나 특정한 지역 및 장비를 위한 독립전원으로 극히 제한적으로 사용되며 고가이다. 즉, 현재 기술의 고효율 태양전지는 제조 단가가 높아 경제성이 떨어지므로, 인공위성 등 주로 특수한 목적에 일부 이용되고, 대부분의 경우는 여러 에너지원 중 효율과 제조단가를 같이 평가하여 경제성이 있는 것이 실제로 이용되게 된다. 이에, 화석연료의 사용이 필요없고, 특별한 유지관리 없이 전기를 생산할 수 있는 미래의 핵심적 대체에너지원인 태양에너지를 이용한 기술은 대중적으로 사용하기 위해 고효율화와 저가화의 방향으로 기술발전이 이루어져 왔다. Solar cells produce electricity by directly converting solar energy into electrical energy. Solar cells, which have been developed to date, are extremely limited and expensive as small power supplies or independent power sources for specific regions and equipment. In other words, the high efficiency solar cell of the current technology has low manufacturing cost due to high manufacturing cost. Therefore, it is mainly used for special purpose such as satellite, and in most cases, economic efficiency is evaluated by evaluating efficiency and manufacturing cost among various energy sources. Will be. Therefore, technology using solar energy, which is a key alternative energy source of the future, which does not require the use of fossil fuel and can generate electricity without special maintenance, has been developed in the direction of high efficiency and low price for public use.
지금까지는 여러 가지 조건이 고려되어, 태양광 에너지 자체 밀도가 낮고, 단위 발전 용량당 셀의 단가가 높음에도 불구하고, 실리콘계 태양전지가 상업화한 태양전지의 대부분을 차지하고 있고, 또한 단결정 실리콘을 이용할 수밖에 없다. 따라서, 실질적인 태양전지의 대량 상용화를 위해서는 기존의 태양전지의 가격을 크게 낮추어야 한다. Until now, various conditions have been taken into consideration. Despite the low solar energy density and high unit cost per unit power generation capacity, silicon-based solar cells occupy most of the commercialized solar cells, and also have to use single crystal silicon. none. Therefore, in order to commercialize solar cells in large quantities, the price of existing solar cells should be greatly reduced.
한편, 많은 연구가 진행되어 실용화 단계에 근접한 염료 감응형 태양전지의 경우 광역의 밴드 갭(band gap)을 가진 반도체에 의해 400nm 이하의 빛을 이용하여 발전하고, 염료의 사용에 따라 800nm의 빛까지 흡수하여 발전한다. 실리콘계 전지의 경우는 400nm 이상의 빛에서 적외선 영역의 아주 약한 빛까지 흡수하여 발전한다. 이에 두 가지 전지의 특성을 살려 장파장과 단파장의 태양광을 효율적으로 활용하기 위해 탠덤(tandem) 구조를 이용하였는데, 밴드 갭이 작은 물질인 GaAs, CdSe, InP 등의 물질을 박막으로 형성하여 실리콘 전지의 뒷면에 위치하게 하거나, 실리콘 전지가 활용하지 못하는 단파장을 최대한 활용하고자 하는 노력을 하였다. 그러나, 이러한 형태의 탠덤 구조는 재료들의 가격과 박막형성 공정 비용이 비싸 경제성을 갖지 못하고 있다. 더군다나 박막공정 자체가 재현성이 떨어져 품질과 성능이 균질한 셀을 대량으로 생산하는데 적합하지 못하다. On the other hand, dye-sensitized solar cells approaching practical stages have been studied a lot by using semiconductors with a wide band gap, using light of 400 nm or less, and using dyes up to 800 nm light. Absorb and develop. In the case of silicon-based batteries, power is generated by absorbing light from 400 nm or more to very weak light in the infrared region. The tandem structure was used to efficiently utilize the long wavelength and short wavelength solar light by utilizing the characteristics of the two batteries, and formed a thin film of materials such as GaAs, CdSe, and InP, which have a small band gap, into a silicon battery. Efforts have been made to make the most of the shorter wavelengths that silicon batteries do not utilize. However, this type of tandem structure is not economical due to the high cost of materials and the cost of thin film formation process. Moreover, the thin film process itself is not reproducible and is not suitable for mass production of cells of uniform quality and performance.
현재의 염료감응형 태양전지는 단파장 특성은 좋고 가격은 저렴하지만, 장파장에서는 전하의 생성이 수집되는 접합부(junction)에서 멀리 떨어져 있어서 수집 효율이 좋지 않은 것이 단점으로 지적되고 있다. 또한, 실리콘(Si) 단결정 태양전지의 경우 에너지 변환효율은 높지만 제조 단가가 매우 고가여서 특수 용도로 제한되어 사용되며, 기존 저가격 양산용 실리콘 태양전지는 표면의 도핑 농도가 높아서 단파장에서의 양자효율이 작다는 단점이 있다. 이에 장파장과 단파장을 모두 효율적으로 이용하기 위해서는 탠덤 구조를 이용하여 밴드 갭이 작은 물질을 뒤쪽에 접합하여 사용하게 된다. 그러나, 이러한 구조에 이용되는 물질들(GaAs, InP, AlGaAs 등)은 재료 가격이나 제조공정이 비싸기 때문에 소면적이나 특수용도로 제한되어 사용되고 있는 실정이다. Current dye-sensitized solar cells have good short-wavelength characteristics and low cost. However, the dye-sensitized solar cells are far from the junction where charge generation is collected. In addition, silicon (Si) single crystal solar cells have high energy conversion efficiency but are very expensive to manufacture and are limited to special applications. Existing low-cost silicon solar cells with high doping concentration on the surface have high quantum efficiency at short wavelength. The disadvantage is small. In order to efficiently use both long and short wavelengths, a material having a small band gap is bonded to the back using a tandem structure. However, the materials used in such a structure (GaAs, InP, AlGaAs, etc.) is limited to small area or special purpose because of the high material price and manufacturing process.
본 발명은 이상과 같은 사항을 감안하여 창출된 것으로서, 단결정 실리콘 태양전지에 비하여 상대적으로 가격이 저렴한 다결정 또는 비정질 실리콘 태양전지와, 실리콘 태양전지에서 이용효율이 낮은 단파장광을 이용하여 발전하는 기존의 실리콘계 태양전지의 1/5 가격인 광감응형 전지를 복합화하여 효율이 높고, 셀 단가가 낮아 경제성이 있는 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다. The present invention has been made in view of the above-mentioned matters, and has been developed by using polycrystalline or amorphous silicon solar cells, which are relatively inexpensive compared to single crystal silicon solar cells, and short wavelength light having low utilization efficiency in silicon solar cells. It is an object of the present invention to provide a photovoltaic cell having a photosensitive and PN junction complex structure having high efficiency and low economical cost by complexing a photosensitive cell which is one-fifth the price of a silicon-based solar cell, and a manufacturing method thereof. .
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지는, In order to achieve the above object, the solar cell having a photosensitive and P-N junction composite structure according to the present invention,
다결정 혹은 비정질 실리콘 태양전지 중의 어느 하나와 광감응형 태양전지가 접합된 복합구조를 갖는 것으로서, It has a complex structure in which either a polycrystalline or amorphous silicon solar cell and a photosensitive solar cell are bonded.
복합 태양전지 구조체의 최하부층에 마련되는 n-형 실리콘 기판;An n-type silicon substrate provided on the lowermost layer of the composite solar cell structure;
상기 n-형 실리콘 기판 위에 도핑 형성되는 p-형 실리콘층;A p-type silicon layer doped on the n-type silicon substrate;
상기 p-형 실리콘층 위에 형성되며, 그 표면에는 상대전극이 형성되어 있는 하부 투명전극층;A lower transparent electrode layer formed on the p-type silicon layer and having a counter electrode formed on a surface thereof;
상기 복합 태양전지 구조체의 최상부에 위치되며, 투광성 및 도전성이 양호한 상부 투명전극층; An upper transparent electrode layer positioned on the top of the composite solar cell structure and having good light transmittance and conductivity;
상기 상부 투명전극층의 하면부에 형성되며, 광감응형 태양전지에서 광을 흡수하여 발전하는 n-형 반도체층; 및An n-type semiconductor layer formed on a lower surface of the upper transparent electrode layer and absorbing and generating power in a photosensitive solar cell; And
상기 n-형 반도체층이 형성되어 있는 상부 투명전극층과 그 표면에 상대전극이 형성되어 있는 하부 투명전극층 사이에 충전되는 산화환원용 전해질을 포함하여 구성된 점에 그 특징이 있다. It is characterized in that it comprises a redox electrolyte that is charged between the upper transparent electrode layer on which the n-type semiconductor layer is formed and the lower transparent electrode layer on which the counter electrode is formed.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조방법은, In addition, in order to achieve the above object, a method of manufacturing a solar cell having a photosensitive and P-N junction composite structure according to the present invention,
다결정 혹은 비정질 실리콘 태양전지 중의 어느 하나와 광감응형 태양전지가 접합된 복합구조를 갖는 태양전지를 제조하기 위한 방법으로서,As a method for manufacturing a solar cell having a composite structure in which either a polycrystalline or amorphous silicon solar cell and a photosensitive solar cell is bonded,
a) 상기 복합구조 태양전지 구조체에서의 실리콘 태양전지측의 형성을 위해 n-형 실리콘 기판을 마련하는 단계; a) preparing an n-type silicon substrate for formation of a silicon solar cell side in said composite solar cell structure;
b) 상기 n-형 실리콘 기판에 도핑하여 p-형 실리콘층을 형성하는 단계;b) doping the n-type silicon substrate to form a p-type silicon layer;
c) 상기 복합구조 태양전지 구조체에서의 광감응형 태양전지측의 형성을 위해 일측 도전성 투명전극을 마련하고, 그 위에 상대전극을 형성하는 단계; c) providing a conductive transparent electrode on one side to form a photosensitive solar cell side in the composite solar cell structure, and forming a counter electrode thereon;
d) 상기 일측 도전성 투명전극에 대응되는 전극으로서 타측 도전성 투명전극을 마련하고, 그 투명전극의 일측면에 광감응형 태양전지의 광투과도를 높이기 위한 n-형 반도체층을 형성하는 단계;d) providing another conductive transparent electrode as an electrode corresponding to the one conductive transparent electrode, and forming an n-type semiconductor layer on one side of the transparent electrode to increase light transmittance of the photosensitive solar cell;
e) 상기 상대전극이 형성되어 있는 일측 투명전극과 n-형 반도체층이 형성되어 있는 타측 투명전극을 소정 간격 이격하여 봉합하고, 두 전극 사이의 공간에 산화환원용 전해질을 충전하는 단계; 및 e) sealing one side of the transparent electrode on which the counter electrode is formed and the other side of the transparent electrode on which the n-type semiconductor layer is formed at a predetermined interval, and filling a space between the two electrodes with a redox electrolyte; And
f) 상기 실리콘 태양전지측 위에 광감응형 태양전지측을 직렬로 접합하여 실리콘 태양전지와 광감응형 태양전지의 복합구조를 갖는 태양전지의 제조를 완료하는 단계를 포함하여 구성된 점에 그 특징이 있다. f) bonding the photosensitive solar cell side in series on the silicon solar cell side to complete the manufacture of the solar cell having a composite structure of the silicon solar cell and the photosensitive solar cell. have.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 구조를 보여주는 도면이다.1 is a view showing the structure of a solar cell having a photosensitive and P-N junction composite structure according to the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지는, 다결정 혹은 비정질 실리콘 태양전지 중의 어느 하나와 광감응형 태양전지가 접합된 복합구조를 갖는 것으로서, n-형 실리콘 기판(101), p-형 실리콘층 (102), 하부 투명전극층(103), 상대전극(104), 상부 투명전극층(105), n-형 반도체층(106), 전해질(107)을 포함하여 구성된다. Referring to FIG. 1, the solar cell having the photosensitive and PN junction composite structures according to the present invention has a composite structure in which any one of polycrystalline or amorphous silicon solar cells and the photosensitive solar cell are bonded, n− The silicon substrate 101, the p-type silicon layer 102, the lower transparent electrode layer 103, the counter electrode 104, the upper transparent electrode layer 105, the n-type semiconductor layer 106, and the electrolyte 107. It is configured to include.
상기 n-형 실리콘 기판(101)은 복합 태양전지 구조체의 최하부층에 마련된다.The n-type silicon substrate 101 is provided on the lowermost layer of the composite solar cell structure.
상기 p-형 실리콘층(102)은 상기 n-형 실리콘 기판(101) 위에 도핑하여 형성된다. The p-type silicon layer 102 is formed by doping on the n-type silicon substrate 101.
여기서, 이상과 같은 상기 n-형 실리콘 기판(101) 및 p-형 실리콘층(102)은 다결정 혹은 비정질 실리콘으로 구성된다. Here, the n-type silicon substrate 101 and the p-type silicon layer 102 as described above are made of polycrystalline or amorphous silicon.
상기 하부 투명전극층(103)은 p-형 실리콘층(102) 위에 형성되며, 그 표면에는 촉매제 역할을 수행하기 위한 상대전극(104)이 형성된다. 여기서, 이 하부 투명전극층(103)의 재질로는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 FTO(Fluorine Tin Oxide)가 사용될 수 있다. 또한, 상기 상대전극(104)의 재질로는 백금(Pt)이 사용될 수 있다. The lower transparent electrode layer 103 is formed on the p-type silicon layer 102, and a counter electrode 104 is formed on a surface thereof to serve as a catalyst. Here, indium tin oxide (ITO) or fluorine tin oxide (FTO) may be used as the material of the lower transparent electrode layer 103. In addition, platinum (Pt) may be used as a material of the counter electrode 104.
상기 상부 투명전극층(105)은 상기 복합 태양전지 구조체의 최상부에 위치되며, 투광성 및 도전성이 양호한 재질로 구성된다. 여기서, 이 상부 투명전극층 (105)의 재질로는 ITO 또는 FTO가 사용될 수 있다. 특히, 이 상부 투명전극층 (105)의 하면부는 후술되는 n-형 반도체층(106)의 표면에서의 광반사를 최소화하고, 반도체와 전해질과의 접촉면적을 크게 하기 위해 바람직하게는 에칭 등에 의해 그 표면이 다공질로 표면처리된다. The upper transparent electrode layer 105 is positioned on the top of the composite solar cell structure and is made of a material having good light transmittance and conductivity. Here, ITO or FTO may be used as the material of the upper transparent electrode layer 105. In particular, in order to minimize light reflection on the surface of the n-type semiconductor layer 106 described later and to increase the contact area between the semiconductor and the electrolyte, the lower surface portion of the upper transparent electrode layer 105 is preferably formed by etching or the like. The surface is porous surface treated.
상기 n-형 반도체층(106)은 상기 상부 투명전극층(105)의 하면부에 형성되며, 광감응형 태양전지에서 광을 흡수하여 발전하는 부분이다. 여기서, 이 n-형 반도체층(106)으로는 TiO2 또는 ZnO가 사용될 수 있으며, 실리콘 전지에 도달하는 광량을 최대화하기 위해 증착법 또는 스퍼터링 방법으로 상부 투명전극층(105)에 형성된다.The n-type semiconductor layer 106 is formed on a lower surface of the upper transparent electrode layer 105 and is a portion that absorbs and generates light in the photosensitive solar cell. Here, TiO 2 or ZnO may be used as the n-type semiconductor layer 106, and is formed on the upper transparent electrode layer 105 by a deposition method or a sputtering method in order to maximize the amount of light reaching the silicon cell.
상기 전해질(107)은 상기 n-형 반도체층(106)이 형성되어 있는 상부 투명전극층(105)과 그 표면에 상대전극(104)이 형성되어 있는 하부 투명전극층(103) 사이에 충전된다. The electrolyte 107 is filled between the upper transparent electrode layer 105 on which the n-type semiconductor layer 106 is formed and the lower transparent electrode layer 103 on which the counter electrode 104 is formed.
그러면, 이상과 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조방법에 대하여 설명해 보기로 한다.Then, a method of manufacturing a solar cell having a photosensitive and P-N junction composite structure according to the present invention having the above configuration will be described.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조공정을 순차적으로 보여주는 도면이다.2A to 2G are views sequentially illustrating a manufacturing process of a solar cell having a photosensitive and P-N junction composite structure according to the present invention.
본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조방법은 다결정 혹은 비정질 실리콘 태양전지 중의 어느 하나와 광감응형 태양전지가 접합된 복합구조를 갖는 태양전지를 제조하기 위한 방법으로서, 먼저 도 2a에 도시된 바와 같이, 복합구조 태양전지 구조체에서의 실리콘 태양전지측의 형성을 위해 n-형 실리콘 기판(101)을 마련한다. 그런 후, 도 2b에서와 같이, 그 n-형 실리콘 기판(101)에 도핑하여 p-형 실리콘층(102)을 형성한다. 여기서, 이와 같은 n-형 실리콘 기판(101) 및 p-형 실리콘층(102)은 다결정 혹은 비정질 실리콘으로 구성된다. 또한, 이때 실리콘층(102) 표면에서의 실리콘 결정의 재결합을 감소시키기 위하여 바람직하게는 표면을 실리콘 산화물로 보호막을 입히거나 TiO2를 코팅하여 열처리함으로써 표면에 약 20Å 두께의 산화막을 형성한다.The method for manufacturing a solar cell having a photosensitive and PN junction composite structure according to the present invention is a method for manufacturing a solar cell having a composite structure in which any one of polycrystalline or amorphous silicon solar cells and a photosensitive solar cell are bonded. First, as shown in FIG. 2A, an n-type silicon substrate 101 is prepared to form the silicon solar cell side in the composite structure solar cell structure. Thereafter, as shown in FIG. 2B, the n-type silicon substrate 101 is doped to form a p-type silicon layer 102. Here, the n-type silicon substrate 101 and the p-type silicon layer 102 are made of polycrystalline or amorphous silicon. In this case, in order to reduce recombination of silicon crystals on the surface of the silicon layer 102, an oxide film having a thickness of about 20 kPa is preferably formed on the surface by coating a surface with silicon oxide or by heat-treating TiO 2 .
이렇게 하여 일단 실리콘 태양전지측의 형성이 완료되면, 도 2c에 도시된 바와 같이, 복합구조 태양전지 구조체에서의 광감응형 태양전지측의 형성을 위해 일측(하부) 도전성 투명전극(103)을 마련하고, 그 위에 상대전극(104)을 형성한다. 여기서, 이 도전성 투명전극(103)으로는 ITO 혹은 FTO가 사용될 수 있다. 또한, 상기 상대전극(104)은 후술되는 전해질에서의 이온의 전달 효율을 좋게 하기 위한 촉매 역할을 하는 것으로서, Pt가 사용될 수 있다. In this manner, once the formation of the silicon solar cell side is completed, as shown in FIG. 2C, one side (lower) conductive transparent electrode 103 is provided to form the photosensitive solar cell side in the composite structure solar cell structure. The counter electrode 104 is formed thereon. Here, ITO or FTO may be used as the conductive transparent electrode 103. In addition, the counter electrode 104 serves as a catalyst for improving the transfer efficiency of ions in the electrolyte to be described later, Pt may be used.
이상에 의해 상대전극(104)의 형성이 완료되면, 도 2d에서와 같이, 상기 일측 도전성 투명전극(103)에 대응되는 전극으로서 타측(상부) 도전성 투명전극(105)을 마련하고, 그 일측면을 후술되는 n-형 반도체층(106)의 표면에서의 광반사를 최소화하고, 반도체와 전해질과의 접촉면적을 크게 하기 위해 바람직하게는 에칭 등에 의해 다공질로 표면 처리한다. When the formation of the counter electrode 104 is completed by the above, as shown in FIG. 2D, the other side (top) conductive transparent electrode 105 is provided as an electrode corresponding to the one conductive transparent electrode 103, and one side surface thereof. In order to minimize light reflection on the surface of the n-type semiconductor layer 106 to be described later, and to increase the contact area between the semiconductor and the electrolyte, the surface is preferably porously treated by etching or the like.
그런 후, 도 2e에서와 같이, 그 다공질 처리된 표면에 광감응형 태양전지의 광투과도를 높이기 위한 n-형 반도체층(106)을 형성한다. 이때, 이 n-형 반도체층 (106)의 형성은 TiO2 또는 ZnO 나노분말을 이용하여 광감응형 태양전지의 투과율 향상을 위해 증착법 혹은 스퍼터링 방법에 의해 형성한다. 여기서, 이와 같은 TiO2 또는 ZnO 나노분말은 광흡수제로 작용하게 된다.Then, as shown in FIG. 2E, an n-type semiconductor layer 106 is formed on the porous surface to increase the light transmittance of the photosensitive solar cell. At this time, the n-type semiconductor layer 106 is formed by vapor deposition or sputtering to improve the transmittance of the photosensitive solar cell using TiO 2 or ZnO nanopowder. Here, such TiO 2 or ZnO nano-powder is to act as a light absorbing agent.
이렇게 하여 타측(상부) 도전성 투명전극(105)에의 n-형 반도체층(106)의 형성까지 완료되면, 도 2f에 도시된 바와 같이, 상기 일측(하부) 투명전극(103)과 타측(상부) 투명전극(105)을 상대전극(104)과 n-형 반도체층(106)이 서로 마주보도록 한 상태에서 소정 간격(예컨대, 10㎛ 이하의 간격)으로 이격하여 봉합하고, 두 전극 사이의 공간에 산화환원용 전해질(107)을 충전한다. In this manner, when the formation of the n-type semiconductor layer 106 on the other side (upper) conductive transparent electrode 105 is completed, as shown in FIG. 2F, the one side (lower) transparent electrode 103 and the other side (upper) are formed. The transparent electrode 105 is spaced apart at a predetermined interval (for example, an interval of 10 μm or less) in a state where the counter electrode 104 and the n-type semiconductor layer 106 face each other, and are sealed in a space between the two electrodes. The redox electrolyte 107 is charged.
그런 후, 도 2g에서와 같이, 상기 도 2b의 실리콘 태양전지측 위에 도 2f의 광감응형 태양전지측을 직렬로 접합하여 실리콘 태양전지와 광감응형 태양전지의 복합구조를 갖는 태양전지의 제조를 완료한다. 이후에는 이와 같이 하여 완성된 복합구조를 갖는 태양전지의 광감응형 태양전지와 실리콘 태양전지에 외부 전극을 각각 연결하여 사용하면 되는 것이다.Then, as shown in FIG. 2g, the photosensitive solar cell side of FIG. 2f is bonded in series on the silicon solar cell side of FIG. 2b to manufacture a solar cell having a composite structure of the silicon solar cell and the photosensitive solar cell. To complete. Thereafter, the external electrodes may be connected to the photosensitive solar cell and the silicon solar cell of the solar cell having the composite structure thus completed.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지 및 그 제조방법은 다결정 혹은 비정질 실리콘의 p-n 접합구조의 실리콘 태양전지와 광감응형 태양전지의 복합구조로 되어 있어, 1차적으로 광감응형 태양전지에 의해 400nm 이하의 단파장의 빛을 흡수하여 발전하고, 2차적으로 400nm를 초과하는 파장의 빛을 실리콘 태양전지가 흡수하여 발전함으로써 효율이 높은 태양전지를 저렴한 비용으로 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한, 다공질 에칭에 의해 일측(상부) 전극을 가공함으로써 증착된 반도체 표면에서의 광반사율을 줄이고, 염료를 사용하지 않음으로써 종래 염료감응형 태양전지에 비해 높은 광투과율을 기대할 수 있으며, 그 결과 태양전지의 전체 효율을 증대시킬 수 있다. 또한, 빛을 효율적으로 사용하여 태양전지의 온도 상승을 감소시킴으로써 광감응형 태양전지의 수명을 증대시킬 수 있다. As described above, the solar cell having a photosensitive and PN junction composite structure according to the present invention and a manufacturing method thereof are a composite structure of a silicon solar cell and a photosensitive solar cell of a pn junction structure of polycrystalline or amorphous silicon. The photosensitive solar cell primarily absorbs and generates light having a short wavelength of 400 nm or less, and the silicon solar cell absorbs and generates light having a wavelength exceeding 400 nm. There is an advantage that can be manufactured at a cost. In addition, by processing the one side (upper) electrode by porous etching, the light reflectance at the deposited semiconductor surface is reduced, and no dye is used, and thus high light transmittance can be expected as compared with conventional dye-sensitized solar cells. The overall efficiency of the battery can be increased. In addition, it is possible to increase the life of the photosensitive solar cell by reducing the temperature rise of the solar cell by using light efficiently.
도 1은 본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 구조를 보여주는 도면.1 is a view showing the structure of a solar cell having a photosensitive and P-N junction composite structure according to the present invention.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명에 따른 광감응형 및 P-N 접합 복합구조를 갖는 태양전지의 제조공정을 순차적으로 보여주는 도면.2A to 2G are views sequentially showing a manufacturing process of a solar cell having a photosensitive and P-N junction composite structure according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
101...n-형 실리콘 기판 102...p-형 실리콘층101 ... n-type silicon substrate 102 ... p-type silicon layer
103...하부 투명전극 104...상대전극103 Bottom transparent electrode 104 Relative electrode
105...상부 투명전극 106...n-형 반도체층105 ... top transparent electrode 106 ... n-type semiconductor layer
107...전해질 107.Electrolyte
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040027586A KR100581840B1 (en) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | Light sensitized and P-N junction complexed solar cell and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040027586A KR100581840B1 (en) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | Light sensitized and P-N junction complexed solar cell and manufacturing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050102298A true KR20050102298A (en) | 2005-10-26 |
| KR100581840B1 KR100581840B1 (en) | 2006-05-22 |
Family
ID=37280521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040027586A KR100581840B1 (en) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | Light sensitized and P-N junction complexed solar cell and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100581840B1 (en) |
Cited By (6)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100581840B1 (en) | 2006-05-22 |
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