KR20050102243A

KR20050102243A - Device for measuring down force of pad conditioner in polishing device

Info

Publication number: KR20050102243A
Application number: KR1020040027423A
Authority: KR
Inventors: 김성환
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-04-21
Filing date: 2004-04-21
Publication date: 2005-10-26

Abstract

반도체소자 제조공정에서 웨이퍼표면에 형성된 금속층을 폴링싱하기 위한 웨이퍼 지지헤드의 다운퍼스(DOWN FORCE)를 측정하는 폴리싱장치의 패드 컨디셔너 다운퍼스 측정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pad conditioner downpers measuring apparatus of a polishing apparatus for measuring a down force of a wafer support head for polling a metal layer formed on a wafer surface in a semiconductor device manufacturing process.

이를 위한 본 발명의 폴리싱장치의 패드컨디셔너 다운퍼스 측정장치는, 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 웨이퍼 지지헤드와, 상기 웨이퍼 지지헤드가 하강할 때 접촉되어 상기 웨이퍼 지지헤드에 대한 압력을 4개의 로드셀에 의해 각각 측정하는 압력측정부와, 상기 압력측정부로부터 각 검출된 압력을 받아 표시하도록 제어하는 동시에 상기 4개의 로드셀로부터 검출된 압력을 평균하여 표시하도록 제어하는 제어부와, 상기 제어부의 제어에 의해 검출된 압력을 표시하는 표시부를 포함한다.The pad conditioner downpers measuring device of the polishing apparatus of the present invention for this purpose, the wafer support head for vacuum adsorption of the wafer, and when the wafer support head is lowered, the pressure is applied to the wafer support head by four load cells A pressure measuring unit for measuring each, a control unit configured to receive and display the detected pressures from the pressure measuring unit, and to control the average of the pressures detected from the four load cells and to display the detected pressures; It includes a display for displaying the pressure.

본 발명은 플레이트 형태의 지그를 제작하여 4개의 모서리에 로드셀을 각각 설치하여 웨이퍼 지지헤드의 압력에 따른 다운퍼스를 측정하도록 하므로, 데이터 반복성이 우수하고, 케이블을 통해 외부로부터 노이즈가 발생되지 않아 측정데이터의 신뢰성을 높일 수 있으며, 웨이퍼 지지부재의 기울어짐에 의한 측정오차 발생을 줄일 수 있다. According to the present invention, since the plate-shaped jig is manufactured by installing load cells at four corners to measure downpers according to the pressure of the wafer support head, data repeatability is excellent and noise is not generated from the outside through a cable. It is possible to increase the reliability of the data and to reduce the occurrence of measurement errors due to the inclination of the wafer support member.

Description

폴리싱장치의 패드컨디셔너 다운퍼스 측정장치{DEVICE FOR MEASURING DOWN FORCE OF PAD CONDITIONER IN POLISHING DEVICE} Pad conditioner downperth measuring device for polishing equipment {DEVICE FOR MEASURING DOWN FORCE OF PAD CONDITIONER IN POLISHING DEVICE}

본 발명은 반도체 웨이퍼의 폴리싱장치에 관한 것으로, 특히 반도체소자 제조공정에서 웨이퍼표면에 형성된 금속층을 폴링싱하기 위한 웨이퍼 지지헤드의 다운퍼스(DOWN FORCE)를 측정하는 폴리싱장치의 패드 컨디셔너 다운퍼스 측정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for a semiconductor wafer, and more particularly, to a pad conditioner downpers measuring apparatus of a polishing apparatus for measuring a down force of a wafer support head for polling a metal layer formed on a wafer surface in a semiconductor device manufacturing process. It is about.

일반적으로 반도체소자는 고밀도화, 미세화 및 배선구조의 다층화에 의하여 단차가 증가하게 되고 이 단차를 평탄화하기 위해 SOG(Spin on Glass), ETCH BACK, REFLOW등의 여러 평탄화 방법이 개발되어 웨어퍼의 평탄화 공정에 적용되고 있다.In general, semiconductor devices have increased levels due to densification, miniaturization, and multilayered wiring structure, and various planarization methods such as spin on glass (ETG), ETCH BACK, and REFLOW have been developed in order to planarize the level. Is being applied to.

이러한 웨어퍼의 평탄화 공정은 기계적인 연마방식과 화학적인 연마방식이 있으며, 기계적인 연마방식은 가공변질층이 형성되어 반도체칩상의 결점이 되고, 화학적인 연마방식은 가공변질층이 생성되지 않지만 평화된 형상 즉, 형상정밀도를 얻을 수 없으므로, 이러한 기계적인 연마방식과 화학적인 연마방식을 접목시켜 연마하기 위한 평탄화공정이 요구되어 CMP(Chemical Mechanical Polishing)기술이 개발되었다. CMP공정은 폴리싱패드가 부착되어진 연마테이블을 회전운동시키고, 폴리싱 헤드는 회전운동과 요동운동을 동시에 행하며 일정압력으로 가압을 하고, 웨이퍼는 표면장력이나 진공에 의해 폴리싱헤드부에 장착된다. 폴리싱헤드의 자체하중과 인가되는 가압력에 의해 웨이퍼표면과 폴리싱패드가 접촉되고, 이 접촉면 사이의 미세한 틈사이로 가공액인 슬러리(Slurry)가 유동하여 슬러리 내부에 있는 연마입자와 패드의 표면돌기들에 의해 기계적인 제거작용이 이루어지고 슬러리내의 화학성분에 의해 화학적인 제거작용이 이루어진다. The flattening process of the wafer has a mechanical polishing method and a chemical polishing method, and the mechanical polishing method is a defect in the semiconductor chip due to the formation of a processing deterioration layer, and the chemical polishing method does not produce a processing deterioration layer, but peace is achieved. Since a precise shape, that is, shape accuracy cannot be obtained, a planarization process for combining the mechanical polishing method and the chemical polishing method is required, and the CMP (Chemical Mechanical Polishing) technology has been developed. In the CMP process, the polishing table to which the polishing pad is attached is rotated, the polishing head performs rotational and rocking motion simultaneously, pressurized to a constant pressure, and the wafer is mounted on the polishing head portion by surface tension or vacuum. The polishing surface is brought into contact with the surface of the wafer by the self-load of the polishing head and the applied pressure, and a slurry, which is a processing liquid, flows between the minute gaps between the contact surfaces to the abrasive particles and the surface protrusions of the pad. Mechanical removal is achieved and chemical removal is effected by the chemical components in the slurry.

도 1은 종래의 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 장치의 구조도이다.1 is a structural diagram of an apparatus for polishing a conventional semiconductor wafer.

웨이퍼(12)를 진공 흡착하기 위한 폴리싱헤드(10)와, 상기 폴리싱헤드(10)를 회전시키기 위한 모터(18)와, 상기 폴리싱헤드(10)의 하부에 설치되어 상기 웨이퍼(12)를 폴리싱하기 위한 폴리싱패드(16)와, 상기 폴리싱패드(16)를 고정시키는 폴리싱 플래튼(20)으로 구성되어 있다.A polishing head 10 for vacuum suction of the wafer 12, a motor 18 for rotating the polishing head 10, and a lower portion of the polishing head 10 to polish the wafer 12. And a polishing platen 20 for fixing the polishing pad 16 to fix the polishing pad 16.

상기와 같이 구성된 종래의 웨이퍼 폴리싱장치의 폴리싱 동작을 보면, 웨이퍼(12)를 폴리싱헤드(10)에 진공 흡착한 후 폴리싱헤드(10)의 상부에 설치되어 있는 모터(18)를 구동하여 시계방향으로 웨이퍼(12)를 회전시킨다. 그런 후 폴리싱패드(16)가 설치되어 있는 플래튼(20)을 웨이퍼(12)의 회전 반대방향으로 회전시키고, 상기 폴리싱헤드(10)를 아래쪽으로 이동하여 웨이퍼(10)의 하측면을 반대방향으로 회전하는 폴리싱패드(16)에 밀착시켜서 슬러리(SLURRY)(14)를 공급하면서 웨이퍼(10)를 연삭한다. In the polishing operation of the conventional wafer polishing apparatus configured as described above, the wafer 12 is vacuum-adsorbed to the polishing head 10 and then driven by a motor 18 installed on the polishing head 10 in a clockwise direction. The wafer 12 is rotated. Thereafter, the platen 20 on which the polishing pad 16 is installed is rotated in the direction opposite to the rotation of the wafer 12, and the polishing head 10 is moved downward to move the lower side of the wafer 10 in the opposite direction. The wafer 10 is ground while being in close contact with the polishing pad 16 that is rotated with the slurry SL14.

도 2는 종래의 또 다른 폴리싱장치의 구조도이다. 2 is a structural diagram of another conventional polishing apparatus.

도 2를 참조하면，캐리어(carier)(１) 및 리테이너 링(retainer ring)(２)을 구비한 웨이퍼 지지 헤드(３)과 ，연마 패드(４)가 부착된 연마정반(５)을 주된 구성으로 하고 있다．그리고，연마 패드(４)에 압압되는 리테이너 링(２)으로 웨이퍼(wafer)(Ｗ)의 주위를 포위하면서，캐리어(carier)(１)로 웨이퍼(Ｗ)를 회전시키는 연마패드(4)에 압압한 하여 웨이퍼(Ｗ)를 연마하도록 하고 있다．Referring to Fig. 2, the main configuration includes a wafer support head 3 having a carrier 1 and a retainer ring 2, and a polishing table 5 having a polishing pad 4 attached thereto. Then, a polishing pad for rotating the wafer with the carrier 1 while surrounding the wafer with a retainer ring 2 pressed against the polishing pad 4. The wafer is pressed to (4) to polish the wafer.

여기에서 연마패드(４)에 대한 캐리어(carier)(１) 및 리테이너 링(２)의 압박은 웨이퍼 지지 헤드(３)에 갖춰진 캐리어용 에어백(６Ａ) 및 리테이너 링용 에어백(６Ｂ)에 도시하지 않는 에어콘푸레셔로부터 압축 에어(air)를 공급함에 의하고 행해지고，그 압압력의 컨트롤(control)은 압축 에어의 공급 라인에 설치된 압력 제어 밸브(７Ａ，７Ｂ)의 개방량을 제어 장치(８)로 제어한 것에 의하고 행해진다．The pressing of the carrier 1 and the retainer ring 2 against the polishing pad 4 here is not shown in the carrier airbag 6A and the retainer ring airbag 6b provided in the wafer support head 3. The pressure control is performed by supplying compressed air from the air compressor, and the control of the pressure is controlled by the control device to control the opening amount of the pressure control valves 7A and 7Ｂ provided in the supply line of the compressed air. It is done by one.

상기와 같이 캐리어(carier)(１) 및 리테이너 링(２)의 압압력은 압력 제어 밸브(７Ａ，７Ｂ)로 컨트롤(control) 되지만 ，이 압력 제어 밸브(７Ａ，７Ｂ)는 사용에 즈음하여 지시치대로 캐리어(carier)(1）및 리테이너 링(２)이 압박되도록 교정(calibration)이 실시된다．As described above, the pressure pressure of the carrier 1 and the retainer ring 2 is controlled by the pressure control valves 7A and 7Ｂ, but the pressure control valves 7A and 7 지시 are indicated at the time of use. As a result, calibration is carried out so that the carrier (1) and the retainer ring (2) are pressed.

교정(calibration)은 도 3과 같이 다운퍼스 측정장치에 의해 측정하여 테이블을 작성하는 방법으로 이루어진다. 도 3을 참조하면, 로드셀(30)과, 상기 로드셀(30)에 연결된 시그널 케이블(32)과, 상기 시그널 케이블(32)에 결합되어 상기 로드셀(30)로부터 측정된 압력을 표시하는 다운퍼스 디스플레이(34)로 구성되어 있다. 로드셀(30)은 캐리어(1)의 정중앙에 접촉되는 위치에 설치되고, 압력제어밸브(7A, 7B)에 의해 캐리어(1)가 압박되면 로드셀(30)에 의해 압력이 측정되어 케이블(32)을 통해 다운퍼스 디스플레이(34)에 다운퍼스를 디스플레이한다. 이때 작업자는 여러 개의 로드중 해당 로드셀마다 시그널 케이블(32)을 연결하여 캐리어(10)가 압박되면 해당 로드셀에 대한 다운퍼스(DOWN FORCE)가 다운퍼스 디스플레이(34)에 표시될 때 마다 도 4와 같이 압력에 따른 다운퍼스를 측정한 테이블을 작성한다. Calibration is performed by a method of creating a table by measuring with a downperth measuring device as shown in FIG. Referring to FIG. 3, a downper display displaying a load cell 30, a signal cable 32 connected to the load cell 30, and a pressure measured from the load cell 30 coupled to the signal cable 32. It consists of 34. The load cell 30 is installed at a position in contact with the center of the carrier 1, and when the carrier 1 is pressed by the pressure control valves 7A and 7B, the pressure is measured by the load cell 30 and the cable 32. The downper is displayed on the downperm display 34 via the display. At this time, the operator connects the signal cable 32 to each of the load cells among the plurality of loads, and when the carrier 10 is pressed, the downper for the load cell is displayed on the downperes display 34 as shown in FIG. 4 and FIG. Similarly, prepare a table that measures downpers according to pressure.

상기 도 3과 같은 종래의 패드콘디셔너의 다운퍼스 측정장치는 시그널 케이블(32)을 통해 노이즈가 발생하여 데이터의 신뢰성이 떨어지고, 각 노드셀마다 시그널 케이블(32)를 연결하여 다운퍼스를 측정하여야 하므로 측정하는데 시간이 많이 소요되어 생산성이 떨어지는 문제가 있었다. In the conventional down conditioner measuring apparatus of the pad conditioner as shown in FIG. 3, noise is generated through the signal cable 32 so that the reliability of data is reduced, and the downperth should be measured by connecting the signal cable 32 to each node cell. It takes a long time to measure, there was a problem that the productivity is lowered.

따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 시그널 케이블을 통해 노이즈가 발생하지 않고 다운퍼스를 정확하게 측정할 수 있는 폴링싱장치의 패드컨디셔너 다운퍼스 측정장치를 제공함에 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a pad conditioner downpers measuring apparatus of a polling device capable of accurately measuring the downpers without generating noise through a signal cable in order to solve the above problems.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 폴리싱장치의 패드컨디셔너 다운퍼스 측정장치는, 웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 웨이퍼 지지헤드와, 상기 웨이퍼 지지헤드가 하강할 때 접촉되어 상기 웨이퍼 지지헤드에 대한 압력을 4개의 로드셀에 의해 각각 측정하는 압력측정부와, 상기 압력측정부로부터 각 검출된 압력을 받아 표시하도록 제어하는 동시에 상기 4개의 로드셀로부터 검출된 압력을 평균하여 표시하도록 제어하는 제어부와, 상기 제어부의 제어에 의해 검출된 압력을 표시하는 표시부를 포함함을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a pad conditioner downper measuring apparatus of a polishing apparatus, wherein a wafer support head for vacuum adsorption of a wafer is brought into contact with the wafer support head when it is lowered, thereby reducing the pressure on the wafer support head. A pressure measuring unit measuring each of the four load cells, a control unit for controlling to display the detected pressures from the pressure measuring unit, and simultaneously displaying the pressures detected from the four load cells, and controlling the control unit. And a display unit for displaying the pressure detected by the control unit.

상기 압력측정부는, 상기 웨이퍼 지지헤드가 하강할 때 접촉되어 압력을 수평으로 전달하는 플레이트와, 상기 플레이트의 하부에 설치되고 상기 4개의 로드셀이 모서리에 각각 설치되어 상기 플레이트의 압력을 측정하는 압력검출부재로 구성함을 특징으로 한다. The pressure measuring unit includes a plate for contacting when the wafer support head descends to transfer pressure horizontally, and a pressure detection unit installed at a lower portion of the plate and four load cells installed at corners to measure pressure of the plate. It is characterized by consisting of members.

상기 압력검출부재는 ㄷ자형태로 이루어저 있다.The pressure detecting member has a U shape.

이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그리고 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 폴리싱장치의 다운퍼스 측정장치의 구조도이다. 5 is a structural diagram of an apparatus for measuring a downper of a polishing apparatus of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 웨이퍼 지지헤드(40)와, 상기 웨이퍼 지지헤드(40)가 하강할 때 접촉되어 웨이퍼 지지헤드(40)에 대한 압력을 4개의 로드셀(44)에 의해 각각 측정하는 압력측정부(52)와, 상기 압력측정부(52)로부터 각 검출된 압력을 받아 표시하도록 제어하는 동시에 상기 4개의 로드셀(44)로부터 검출된 압력을 평균하여 표시하도록 제어하는 제어부(48)와, 상기 제어부(48)의 제어에 의해 검출된 압력을 표시하는 표시부(50)로 구성되어 있다. 상기 압력측정부(52)는 상기 웨이퍼 지지헤드(40)가 하강할 때 접촉되어 압력을 수평으로 전달하는 플레이트(42)와, 상기 플레이트(42)의 하부에 설치되고 4개의 로드셀(44)이 모서리에 각각 설치되어 상기 플레이트(42)의 압력을 측정하는 압력검출부재(46)로 구성되어 있다.Pressure measurement for contacting the wafer support head 40 for vacuum suction of the wafer with the wafer support head 40 when the wafer support head 40 is lowered to measure the pressure on the wafer support head 40 by the four load cells 44, respectively. The control unit 48 controls the display unit 52 to receive and display the detected pressures from the pressure measuring unit 52 and to display the detected pressures from the four load cells 44 on an average basis. The display part 50 which displays the pressure detected by control of the control part 48 is comprised. The pressure measuring unit 52 is contacted when the wafer support head 40 is lowered, and a plate 42 for horizontally transmitting pressure, and four load cells 44 disposed below the plate 42. The pressure detecting member 46 is installed at each corner and measures the pressure of the plate 42.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 압력측정부(50)의 사시도이다.6 is a perspective view of the pressure measuring unit 50 according to the embodiment of the present invention.

압력검출부재(42)의 모서리에 4개의 로드셀(44)이 설치되어 있고, 상기 압력검출부재(46)의 상부에 플레이트(42)가 겹치도록 설치된다. 상기 플레이트(42)는 웨이퍼 지지헤드(40)가 하강하여 압착될 때 압력이 4개의 로드셀(44)로 균형있게 전달되도록 소정 두께로 홈이 파인 평판(41)이 일체형으로 형성되어 있다. Four load cells 44 are installed at the corners of the pressure detecting member 42, and the plate 42 is installed on the pressure detecting member 46 so as to overlap. The plate 42 is integrally formed with a flat plate 41 grooved to a predetermined thickness so that the pressure is uniformly transmitted to the four load cells 44 when the wafer support head 40 is lowered and compressed.

상술한 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예의 동작을 상세히 설명한다.5 and 6 will be described in detail the operation of the preferred embodiment of the present invention.

웨이퍼 지지헤드(40)는 도시하지 않는 승강 장치에 의하고 승강 자유롭게 마련되어 있고，연마대상의 웨이퍼(wafer)를 흡착한다. 웨이퍼 지지헤드(40)는 웨이퍼(wafer)를 연마할 때에 하강되고 웨이퍼(wafer)와 동시에 플레이트(42)의 평판(41)에 접합된다．The wafer support head 40 is provided freely by a lifting device (not shown), and absorbs a wafer to be polished. The wafer support head 40 is lowered when grinding the wafer and bonded to the flat plate 41 of the plate 42 at the same time as the wafer.

또한， 도 5는 １대의 웨이퍼 지지 헤드(40)만을 도시하고 있지만 ，웨이퍼 지지헤드(40)의 대수는 １ 대로 한정된 것이 아니고，연마패드의 한 원주상에 여러대가 동일 간격에 설치한 것이 가공 효율상 바람직하다．In addition, although FIG. 5 shows only one wafer support head 40, the number of the wafer support heads 40 is not limited to one, and it is process efficiency that several pieces are provided at the same interval on one circumference of the polishing pad, and are processing efficiency. It is desirable.

도 2에 도시된 연마패드(4) 위에 재치된 웨이퍼는 웨이퍼 지지 헤드(40)로 지지하고，에어（air） 펌프(도시하지 않음)로부터 에어공급라인을 통해 압축에어를 공급한다．이것에 의해，웨이퍼 지지헤드(40)가 연마 패드(4)에 꽉 눌리게 된다．이 상태에서 연마정반(5)과 웨이퍼 지지 헤드(40)를 회전시키고，연마 패드(4)위에 슬러리(slurry)를 공급한다．이것에 의해，웨이퍼(wafer)의 하면이 연마된다．The wafer placed on the polishing pad 4 shown in Fig. 2 is supported by the wafer support head 40, and supplies compressed air through an air supply line from an air pump (not shown). The wafer support head 40 is pressed against the polishing pad 4. In this state, the polishing table 5 and the wafer support head 40 are rotated, and a slurry is supplied onto the polishing pad 4. By this, the lower surface of the wafer is polished.

압력측정부재(46)는 ㄷ자형태로 일정두께를 갖도록 형성되어 있고, 4곳의 모서리에 로드셀(44)이 각각 설치되어 있다. 플레이트(42)는 상기 압력측정부재(46)에 겹쳐지도록 놓여지고 홈이 형성된 평판(41)을 웨이퍼 지지헤드(40)가 압박할 때 균일하게 4개의 로드셀(44)에 전달되도록 한다. The pressure measuring member 46 is formed to have a predetermined thickness in a U shape, and the load cells 44 are provided at four corners, respectively. The plate 42 is placed so as to overlap the pressure measuring member 46 and to uniformly transfer the grooved flat plate 41 to the four load cells 44 when the wafer support head 40 is pressed.

이와같이 구성된 교정(calibration)용 지그(jig)는 교정(calibration) 실행 시에 연마 패드(4) 위에 세트（set）된다．그리고，이와 같이 세트（set）된 교정(calibration）용 지그(jig)는 플레이트(42)가 웨이퍼 지지헤드(40)에 의해 압박되고，그 압압력이 4개의 로드 셀(44)로 검출된다．상기 로드셀(44)로부터 검출된 압력은 제어부(48)로 전달되고, 제어부(48)는 상기 4개의 로드셀(44)로부터 검출된 압력을 각각 표시부(50)에 표시하고, 또한 상기 4개의 로드셀(44)로부터 검출된 압력을 평균하여 표시할 수 있다.The calibration jig configured in this way is set on the polishing pad 4 at the time of calibration. The jig for calibration thus set is The plate 42 is pressed by the wafer support head 40 and the pressing pressure is detected by the four load cells 44. The pressure detected from the load cell 44 is transmitted to the controller 48, and the controller 48 may display the pressures detected from the four load cells 44 on the display unit 50, respectively, and display the average of the pressures detected from the four load cells 44. FIG.

또한，본 실시 예서는 교정(calibration） 지그(jig)에 ４개의 로드 셀(cell)(44)을 설치하도록 하고 있지만 ，각 로드 셀(cell)의 설치개수는 본 실시의 형태의 것으로 한정된 것이 아니라 적절히 증감하고 설치한 것도 가능한다．In this embodiment, four load cells 44 are provided in a calibration jig. However, the number of installation of each load cell is not limited to that of the present embodiment. It is also possible to increase and decrease appropriately.

또한，본 실시에서는 플레이트(42)를 통해 로드 셀(44)를 압박하도록 하고 있지만 직접 로드 셀(44)을 압박하는 것도 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 실시 가능하다． In addition, in this embodiment, the load cell 44 is pressed through the plate 42, but it is also possible to press the load cell 44 directly without departing from the scope of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명은 플레이트 형태의 지그를 제작하여 4개의 모서리에 로드셀을 각각 설치하여 웨이퍼 지지헤드의 압력에 따른 다운퍼스를 측정하도록 하므로, 데이터 반복성이 우수하고, 케이블을 통해 외부로부터 노이즈가 발생되지 않아 측정데이터의 신뢰성을 높일 수 있으며, 웨이퍼 지지부재의 기울어짐에 의한 측정오차 발생을 줄일 수 있는 이점이 있다. As described above, the present invention manufactures a plate-shaped jig and installs load cells at each of four corners to measure downpers according to the pressure of the wafer support head. Thus, data repeatability is excellent and noise from the outside through the cable There is an advantage that can not increase the reliability of the measurement data, and can reduce the occurrence of measurement errors due to the inclination of the wafer support member.

도 1은 종래의 반도체 웨이퍼의 폴리싱장치의 구조도1 is a structural diagram of a polishing apparatus of a conventional semiconductor wafer

도 2는 종래의 또 다른 폴리싱장치의 구조도2 is a structural diagram of another conventional polishing apparatus

도 3은 종래의 패드컨디셔너다운퍼스 측정장치의 구조도3 is a structural diagram of a conventional pad conditioner downperth measuring device

도 4는 다운퍼스 보정 테이블4 is a downper correction table

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 폴리싱장치의 다운퍼스 측정장치의 구조도5 is a structural diagram of an apparatus for measuring a downper of a polishing apparatus for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 압력측정부(50)의 사시도6 is a perspective view of a pressure measuring unit 50 according to an embodiment of the present invention

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * Explanation of symbols on main parts of drawing

40: 웨이퍼 지지헤드 42: 플레이트40: wafer support head 42: plate

44: 로드 셀 46: 압력검출부재44: load cell 46: pressure detecting member

48: 제어부 50: 표시부 48: control unit 50: display unit

Claims

폴리싱장치의 패드컨디셔너 다운퍼스 측정장치에 있어서,In the pad conditioner downperth measuring apparatus of the polishing apparatus,

웨이퍼를 진공 흡착하기 위한 웨이퍼 지지헤드와, A wafer support head for vacuum suction of the wafer,

상기 웨이퍼 지지헤드가 하강할 때 접촉되어 상기 웨이퍼 지지헤드에 대한 압력을 4개의 로드셀에 의해 각각 측정하는 압력측정부와, A pressure measuring unit which contacts when the wafer support head is lowered and measures pressure on the wafer support head by four load cells, respectively;

상기 압력측정부로부터 각 검출된 압력을 받아 표시하도록 제어하는 동시에 상기 4개의 로드셀로부터 검출된 압력을 평균하여 표시하도록 제어하는 제어부와,A control unit which controls to display the detected pressures from the pressure measuring unit and simultaneously displays the detected pressures from the four load cells;

상기 제어부의 제어에 의해 검출된 압력을 표시하는 표시부를 포함함을 특징으로 하는 폴리싱장치의 패드컨디셔너 다운퍼스 측정장치.And a display unit for displaying the pressure detected by the control of the control unit.

제1항에 있어서, 상기 압력측정부는,According to claim 1, wherein the pressure measuring unit,

상기 웨이퍼 지지헤드가 하강할 때 접촉되어 압력을 수평으로 전달하는 플레이트와, A plate for contacting when the wafer support head descends to transfer pressure horizontally;

상기 플레이트의 하부에 설치되고 상기 4개의 로드셀이 모서리에 각각 설치되어 상기 플레이트의 압력을 측정하는 압력검출부재로 구성함을 특징으로 하는 폴리싱장치의 패드컨디셔너 다운퍼스 측정장치.Pad conditioner downper measuring apparatus of the polishing apparatus, characterized in that the pressure detection member is installed in the lower portion of the plate and the four load cells are respectively installed at the corners to measure the pressure of the plate.

제2항에 있어서,The method of claim 2,

상기 압력검출부재는 ㄷ자형태로 이루어짐을 특징으로 하는 폴리싱장치의 패드컨디셔너 다운퍼스 측정장치.And the pressure detecting member has a U shape.