KR20050091161A - Light emitting diode - Google Patents
Light emitting diode Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050091161A KR20050091161A KR20040016296A KR20040016296A KR20050091161A KR 20050091161 A KR20050091161 A KR 20050091161A KR 20040016296 A KR20040016296 A KR 20040016296A KR 20040016296 A KR20040016296 A KR 20040016296A KR 20050091161 A KR20050091161 A KR 20050091161A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- light
- color film
- diode device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 색 필름을 이용하여 제조하는 발광 다이오드 소자에 관한 것으로서, 기판에 실장된 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 측면에서 둘러싸는 반사기과, 상기 발광 다이오드 칩의 상부에 설치되며 형광체 또는 염료를 함유하는 색 필름을 포함하는 발광 다이오드 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode device manufactured using a color film, comprising: a light emitting diode chip mounted on a substrate; It relates to a light emitting diode element comprising a color film containing.
본 발명에 따른 발광 다이오드 소자는 입사광의 일부를 흡수해서 흡수한 광의 파장과는 다른 파장을 가지는 광을 발광할 수 있는 색 필름을 이용하므로 간단한 소자 구조로 백색을 구현하는 것이다. The light emitting diode device according to the present invention uses a color film capable of emitting light having a wavelength different from the wavelength of light absorbed and absorbed by a part of the incident light, thereby implementing white with a simple device structure.
Description
본 발명은 색 필름을 이용하여 제조하는 발광 다이오드 소자에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 형광체 또는 염료를 함유함으로써 입사광의 일부를 흡수해서 흡수한 광의 파장과는 다른 파장을 가지는 광을 발광할 수 있는 색 필름을 설치하여 여러 가지 색깔을 용이하게 출광하는 발광 다이오드 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode device manufactured using a color film. That is, the present invention provides a light emitting diode device which easily emits various colors by providing a color film capable of emitting light having a wavelength different from the wavelength of light absorbed by absorbing part of incident light by containing a phosphor or dye. It is about.
발광 다이오드는 화합물 반도체의 PN 접합 다이오드로 전압을 인가하여 빛을 발광하는 발광 소자로서, 일반적으로 사용 목적에 따라 고광도, 초소형 및 박형의 특징을 가진 칩 LED(light emitting diode), 탑 LED, 초고광도 고내습성, 내열성 옥외 디스플레이 또는 전광판 등에 사용되는 램프 LED등으로 나뉜다. A light emitting diode is a light emitting diode that emits light by applying a voltage to a PN junction diode of a compound semiconductor. Generally, a light emitting diode (LED), a top LED, and an ultra high brightness having characteristics of high brightness, ultra small size, and thinness according to the purpose of use are used. It is divided into lamp LED lamp which is used for high humidity and heat resistance outdoor display or electronic display.
종래의 발광 소자 중 발광 다이오드 칩을 이용한 탑형 발광 다이오드 소자는 도1과 같으며 개구부가 형성된 반사기(3)가 리드(2)가 설치된 기판(1)에 부착되고, 개구부 내의 기판에 발광 다이오드 칩(4)을 실장하여 개구부를 통해 광을 출광하는 구조이며, 반사기의 내부에는 액상 에폭시를 주입하여 몰드 성형부(6)를 형성한다. 이때 백색 또는 중간색을 발광하는 발광 다이오드 소자를 구현하기 위해서는 상기의 액상 에폭시에 여러 가지 발광 특성을 가지는 형광체를 포함시킨다. Among the conventional light emitting devices, a top light emitting diode device using a light emitting diode chip is illustrated in FIG. 1, and a reflector 3 having an opening is attached to a substrate 1 provided with a lead 2, and a light emitting diode chip ( 4) is mounted to emit light through the opening, and the liquid molding is injected into the reflector to form the mold molding part 6. In this case, in order to implement a light emitting diode device emitting white or intermediate colors, phosphors having various light emitting characteristics are included in the liquid epoxy.
상기의 탑형 발광 다이오드 소자에서 발광 다이오드 칩으로부터 광이 방출되면 그 중 일부는 몰드 성형부를 그대로 통과하고, 일부는 형광체에 의해 녹색에서 적색에 이르는 가시광선으로 발광 파장이 변환되어, 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 광과 변환된 광이 조합됨으로써 백색광 또는 중간색 광이 형성된다. In the tower light emitting diode device, when light is emitted from a light emitting diode chip, part of the light is passed through the mold molding part, and a part of the light emitting wavelength is converted into visible light from green to red by a phosphor and emitted from the light emitting diode chip. The combined light and the converted light are combined to form white light or intermediate light.
그러나, 종래의 탑형 발광 다이오드는 액상 에폭시를 사용하기 때문에 경화 시간이 길어, 발광 다이오드 소자의 생산 수율이 감소되며, 백색 또는 중간색을 출광하는 발광 다이오드 소자를 제조할 때 액상 에폭시 수지 내에 형광체를 함유시키면 형광체는 에폭시 내에 임의의 방향을 향하여 산재될 뿐만 아니라, 형광체의 비중이 높아 시간이 지남에 따라 발광 다이오드 칩 근처에 모이게 되므로 광의 투과율을 떨어뜨려 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광의 휘도를 저하시키는 문제점이 발생한다.However, since the conventional top light emitting diode uses liquid epoxy, the curing time is long, and the production yield of the light emitting diode device is reduced, and when the phosphor is contained in the liquid epoxy resin when manufacturing a light emitting diode device emitting white or intermediate color, Phosphors are not only scattered in any direction in the epoxy, but because the specific gravity of the phosphors is concentrated near the light emitting diode chip over time, there is a problem of lowering the transmittance of light and lowering the brightness of light emitted from the light emitting diode chip. do.
또한, 백색 또는 중간색 발광 다이오드 소자에 있어서, 발광 다이오드 칩의 상부에 형광체가 혼합된 에폭시를 도포하기 때문에 형광체의 균일한 혼합이 어려워 하나의 인쇄회로기판에서 제작되는 각각의 발광 다이오드 소자에서 방출되는 색뿐만 아니라 한번의 공정에서 제작되는 개별 발광 다이오드 소자 사이에서도 방출되는 색이 분산되는 등의 문제점이 발생한다.In addition, in a white or medium color light emitting diode device, since a mixture of phosphors is coated on top of a light emitting diode chip, it is difficult to uniformly mix the phosphors, and thus the color emitted from each light emitting diode device manufactured on one printed circuit board. In addition, there occurs a problem such that the emitted color is dispersed between the individual light emitting diode devices manufactured in one process.
또한, 액상 에폭시는 표면 장력에 의해 반사기의 내벽을 타고 오르기 때문에 몰드 성형부의 상면이 평탄하게 형성되기 어려워, 이에 의해 발광 다이오드 칩으로부터 방출된 광이 몰드 성형부 상면에서 난반사를 일으켜 휘도가 저하되고, 상부 표면이 평평하지 않아 개별 패키지마다 그 높이가 서로 다르게 되어 패키지 성능이 저하된다. In addition, since the liquid epoxy rises on the inner wall of the reflector due to the surface tension, it is difficult to form a flat upper surface of the mold molding portion, whereby the light emitted from the light emitting diode chip causes diffuse reflection on the upper surface of the mold molding portion, thereby decreasing the luminance. The top surface is not flat, resulting in different package heights resulting in poor package performance.
본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 형광체가 균일하게 분포된 색 필름을 이용하여 발광 소자를 패키지 하므로 고휘도의 광을 방출하는 발광 다이오드 소자를 제공하는 것이다. An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, to provide a light emitting diode device that emits light of high brightness because the light emitting device is packaged using a color film in which the phosphor is uniformly distributed.
본 발명의 다른 목적은 매우 용이한 작업 공정으로 생산 수율 및 양품율을 향상시킨 발광 다이오드 소자를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a light emitting diode device having improved production yield and yield rate in a very easy working process.
본 발명의 다른 목적은 발광 다이오드 소자의 패키지 상부면을 평탄화시킬 뿐만 아니라 개별 패키지의 높이를 일정하게 형성할 수 있도록 함으로 패키지 성능 및 제품의 신뢰성을 향상시킨 발광 다이오드 소자를 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a light emitting diode device that improves package performance and product reliability by not only flattening the package upper surface of the light emitting diode device, but also allowing the height of individual packages to be uniformly formed.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명은 기판에 실장된 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 측면에서 둘러싸는 반사기와, 상기 발광 다이오드 칩의 상부에 설치되며 형광체 또는 염료를 함유하는 색 필름을 포함하는 발광 다이오드 소자이다. In order to achieve the above object, the present invention provides a light emitting diode chip mounted on a substrate, a reflector surrounding the light emitting diode chip from the side, and a color film provided on the light emitting diode chip and containing a phosphor or a dye. It includes a light emitting diode device.
또한, 본 발명은 상기 색 필름을 반사기의 상부에 설치하며, 상기 색 필름의 상부에 블랙 매트릭스를 포함하는 발광 다이오드 소자이다. In addition, the present invention is a light emitting diode device provided with the color film on the reflector, and comprises a black matrix on the top of the color film.
또한, 본 발명은 상기 색 필름을 반사기의 내측에 설치하고, 상기 색 필름의 상하부에 투명 수지를 포함하는 발광 다이오드 소자이다.Moreover, this invention is a light emitting diode element provided with the said color film in the inside of a reflector, and containing transparent resin in the upper and lower parts of the said color film.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 발광 다이오드 소자에 사용되는 색 필름(70)은 광을 통과하는 일반적인 수지(PVC 계열 등)에 형광체 또는 염료를 혼합 확산시켜 얇은 필름 형태로 제조한 것으로 광을 통과시키면 입사된 입사광의 일부를 흡수해서 흡수한 광의 파장과는 다른 파장을 가지는 광으로 발광하여 색을 변환하는 기능을 수행한다. 이때 색 필름에 함유되는 형광체 또는 염료는 YAG계 또는 오소실리케이트 계열의 형광체를 사용할 수 있으며, 원하는 색을 얻기 위하여 필요에 따라 여러 가지 형광체를 선택하여 사용할 수 있다. The color film 70 used in the light emitting diode device according to the present invention is manufactured in a thin film form by mixing and diffusing fluorescent materials or dyes into a general resin (PVC series, etc.) that passes light. It performs a function of converting color by emitting light with light having a wavelength different from the wavelength of light absorbed and absorbed. In this case, the phosphor or dye contained in the color film may be a phosphor of the YAG-based or orthosilicate-based, and may be used by selecting a variety of phosphors as necessary to obtain a desired color.
예를 들어 (Y, Gd, Ce)-Al-O계 형광체를 함유시킨 황색의 색 필름을 제조한 경우, 이러한 색 필름에 청색 발광 다이오드 칩에서 출광되는 청색 파장 450nm 내지 475nm의 광을 입사시키면 입사된 광은 색 필름을 통과하면서 파장 천이를 발생시켜 백색으로 색 변환하게 된다. For example, in the case of manufacturing a yellow color film containing (Y, Gd, Ce) -Al-O-based phosphors, incident light is incident on the color film when light having a blue wavelength of 450 nm to 475 nm emitted from the blue light emitting diode chip is incident. The light passes through the color film to generate a wavelength transition, thereby converting the color to white.
도2 및 도3는 본 발명에 따른 발광 다이오드 소자를 설명하기 위한 도면이다. 2 and 3 are views for explaining a light emitting diode device according to the present invention.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 탑형 발광 다이오드 소자의 단면도이다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 소자는 인쇄회로기판(10) 위에 마련된 한 쌍의 리드(20a, 20b) 중의 일측 리드(20a)에 발광 다이오드 칩(40)이 실장 되고, 상기 발광 다이오드 칩은 전도성 와이어(50)를 통해 타측의 리드(20b)와 연결되며, 발광 다이오드 칩으로부터 출광되는 광을 반사하는 반사기(30)가 발광 다이오드 칩의 측면 방향으로 발광 다이오드 칩을 둘러싼다. 이때 발광 다이오드 칩은 적외선 영역에서부터 자외선 영역의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩 중에서 선택적으로 채택 가능하다.2 is a cross-sectional view of a tower light emitting diode device according to an exemplary embodiment of the present invention. In the LED device according to the present embodiment, the LED chip 40 is mounted on one side lead 20a of the pair of leads 20a and 20b provided on the printed circuit board 10, and the LED chip is a conductive wire. The reflector 30, which is connected to the other lead 20b through the 50 and reflects the light emitted from the LED chip, surrounds the LED chip in the lateral direction of the LED chip. In this case, the light emitting diode chip may be selectively selected from the light emitting diode chips emitting light in the ultraviolet region from the infrared region.
한편, 반사기(30)는 리드(20a, 20b) 및 그 상부에 실장된 발광 다이오드 칩(40)을 수용시키는 개구부를 구비하며. 이러한 반사기(30)는 인쇄회로기판(10)과 일체로 제작되거나 별개로 제작된 후 인쇄회로기판(10)과 접착시킬 수 있다. 반사기의 개구부를 형성하는 내면은 소정의 경사면을 이루고 있어 발광 다이오드 칩에서 출광되는 광이 상향 반사된다. 광의 효과적이 반사를 위해 반사기의 내면에 반사 물질 혹은 반사판을 부가시킬 수 있다.On the other hand, the reflector 30 has an opening for accommodating the leads 20a and 20b and the LED chip 40 mounted thereon. The reflector 30 may be manufactured integrally with the printed circuit board 10 or separately manufactured and then adhered to the printed circuit board 10. The inner surface forming the opening of the reflector forms a predetermined inclined surface so that the light emitted from the light emitting diode chip is upwardly reflected. Reflective materials or reflectors can be added to the inner surface of the reflector for effective reflection of light.
상기의 발광 다이오드 칩 및 반사기의 상부에는 발광 다이오드 칩으로부터 출광되는 광이 통과하는 색 필름(70)이 설치된다. 이때 발광 다이오드 칩과 색 필름 사이는 빈 공간으로 형성될 수도 있고, 투명 수지로 채워질 수도 있다. 이때 상기의 색 필름(70)은 반사기(30)의 상부에 설치되어 발광 다이오드 칩(40), 전도성 와이어(50) 및 리드(0a, 20b)를 밀봉한다. The color film 70 through which light emitted from the light emitting diode chip passes is provided on the light emitting diode chip and the reflector. At this time, between the light emitting diode chip and the color film may be formed as an empty space, or may be filled with a transparent resin. At this time, the color film 70 is installed on the reflector 30 to seal the light emitting diode chip 40, the conductive wire 50 and the leads (0a, 20b).
상기 색 필름의 상부에는 블랙 매트릭스(80)가 설치된다. 상기의 블랙 매트릭스는 발광 다이오드 칩으로부터 광이 출광되는 경로 외의 영역에 설치되어 불필요한 광을 차단한다. The black matrix 80 is installed on the color film. The black matrix is installed in an area other than a path through which light is emitted from the light emitting diode chip to block unnecessary light.
상기에 서술한 바와 같이 본 실시예에 따른 탑형 발광 다이오드 소자는 반사기 내의 인쇄회로기판 위에 발광 다이오드 칩이 실장 되며 발광 다이오드 칩의 상부에 색 필름이 위치하게 되고, 발광 다이오드 칩과 색 필름은 원하는 색을 발광시키기 위해서 여러 가지 조합으로 선택될 수 있다. As described above, in the top light emitting diode device according to the present embodiment, a light emitting diode chip is mounted on a printed circuit board in a reflector, and a color film is positioned on the top of the light emitting diode chip, and the light emitting diode chip and the color film have a desired color. It can be selected in various combinations to emit light.
예를 들어 발광 다이오드 칩을 450nm 내지 475nm의 청색 파장을 출광하는 청색 발광 다이오드 칩으로 하고, 색 필름을 (Y, Gd, Ce)-Al-O계 형광체를 함유시킨 황색 색 필름으로 하면, 청색 발광 다이오드 칩에서 출광되는 광이 색 필름에 입사되어 광은 색 필름을 통과하면서 파장 천이를 발생시켜 백색으로 색 변환하게 되어 간단한 소자 구조로 백색을 출광하는 발광 다이오드 소자를 제조하게 된다. For example, when the light emitting diode chip is a blue light emitting diode chip that emits a blue wavelength of 450 nm to 475 nm, and the color film is a yellow film containing (Y, Gd, Ce) -Al-O-based phosphor, blue light emission Since the light emitted from the diode chip is incident on the color film, the light passes through the color film to generate a wavelength shift, thereby converting the color to white, thereby manufacturing a light emitting diode device emitting white light with a simple device structure.
도3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탑형 발광 다이오드 소자의 단면도이다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 소자는 인쇄회로기판(10) 위에 마련된 한 쌍의 리드(20a, 20b) 중의 일측 리드(20a)에 발광 다이오드 칩(40)이 실장 되고, 상기 발광 다이오드 칩은 전도성 와이어(50)를 통해 타측의 리드(20b)와 연결되며, 발광 다이오드 칩으로부터 출광되는 광을 반사하는 반사기(30)가 발광 다이오드 칩의 측면 방향으로 발광 다이오드 칩을 둘러싼다. 이때 발광 다이오드 칩은 적외선 영역에서부터 자외선 영역의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩 중에서 선택적으로 채택 가능하다.3 is a cross-sectional view of a tower light emitting diode device according to another exemplary embodiment of the present invention. In the LED device according to the present embodiment, the LED chip 40 is mounted on one side lead 20a of the pair of leads 20a and 20b provided on the printed circuit board 10, and the LED chip is a conductive wire. The reflector 30, which is connected to the other lead 20b through the 50 and reflects the light emitted from the LED chip, surrounds the LED chip in the lateral direction of the LED chip. In this case, the light emitting diode chip may be selectively selected from the light emitting diode chips emitting light in the ultraviolet region from the infrared region.
상기의 반사기의 내부는 소정 높이까지 투명 수지(90a)로 채워지며, 반사기 내의 투명 수지(90a) 상부에 색 필름(70)이 설치되고, 상기 색 필름의 상부는 다시 투명 수지(90b)로 도포된다. The inside of the reflector is filled with a transparent resin 90a to a predetermined height, and a color film 70 is installed on the transparent resin 90a in the reflector, and the upper part of the color film is coated with the transparent resin 90b again. do.
상기와 같은 탑형 발광 다이오드 소자는 반사기 내의 인쇄회로기판 위에 발광 다이오드 칩이 실장 되며 반사기 내부의 발광 다이오드 칩의 상부에 색 필름이 위치하게 되어, 발광 다이오드 칩과 색 필름을 여러 가지 조합으로 선택하므로 원하는 색을 발광시킬 수 있을 뿐만 아니라 색 필름의 상하부에 투명 수지가 위치하므로 색 필름이 효과적으로 보호된다. In the tower light emitting diode device as described above, a light emitting diode chip is mounted on a printed circuit board in a reflector, and a color film is positioned on an upper part of the light emitting diode chip in the reflector, so the light emitting diode chip and the color film are selected in various combinations. In addition to emitting color, transparent resins are positioned above and below the color film, thereby effectively protecting the color film.
이하에서는 본 발명에 따른 발광 다이오드 소자의 작용을 설명한다. 외부의 전원이 리드(20a, 20b)를 통해 발광 다이오드 칩(40)에 공급되면 발광 다이오드 칩(40)은 그 고유의 파장을 가지는 광을 발생시킨다. 발생되는 광은 각 실시예의 구조상 상부를 향해 진행하고 그 경로 상에 존재하는 색 필름(70)에 입사된다. 색 필름에 입사된 광은 색 필름을 통과하면서 파장 천이를 일으켜 입사광과는 다른 파장의 광을 출광하는 색 변환을 일으킨다.Hereinafter will be described the operation of the light emitting diode device according to the present invention. When external power is supplied to the LED chip 40 through the leads 20a and 20b, the LED chip 40 generates light having a unique wavelength. The generated light travels upwards on the structure of each embodiment and is incident on the color film 70 present on its path. The light incident on the color film causes a wavelength transition while passing through the color film, resulting in color conversion that emits light having a wavelength different from that of the incident light.
종래에는 발광 다이오드 칩에서 발생되어 진행하는 광이 형광체가 혼합된 몰드 성형부를 통과하면서 색 변환을 하기 때문에 몰드 성형부에 형광체가 균일하게 분포하지 못하여 광의 투과율을 떨어뜨려 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광의 휘도를 저하시키는 경우가 많다. 그런데, 본 발명에 따르면 형광체가 균일하게 분포한 색 필름을 통과하면서 광의 색 변환이 일어나므로 고휘도의 균일한 색분포를 얻을 수 있다. Conventionally, since the light generated from the light emitting diode chip undergoes color conversion while passing through the mold molding portion in which the phosphor is mixed, the phosphor is not uniformly distributed in the mold molding portion, thereby decreasing the transmittance of light, thereby causing the brightness of the light emitted from the light emitting diode chip. It is often lowered. However, according to the present invention, since color conversion of light occurs while the phosphor is uniformly distributed through the color film, it is possible to obtain a uniform color distribution with high luminance.
상기와 같은 구성에 의한 본 발명의 발광 다이오드 소자는 색 필름 내에 형광체가 균일하게 분포하므로, 형광체 분포의 오차에서 발생하는 불량을 제거할 수 있다.In the light emitting diode device of the present invention having the above-described configuration, since phosphors are uniformly distributed in the color film, defects caused by errors in the phosphor distribution can be eliminated.
상기와 같은 구성에 의한 본 발명의 발광 다이오드 소자는 간단한 공정으로 제조할 수 있어 작업이 용이하며 생산성을 향상시킬 수 있고, 생산 단가를 감소시키는 효과가 있고, 구조가 간단하여 양품율을 증가시킨다. The light emitting diode device of the present invention by the above configuration can be manufactured in a simple process can be easy to work and improve the productivity, there is an effect of reducing the production cost, and the structure is simple to increase the yield.
또한 본 발명의 본 발명의 발광 다이오드 소자는 패키지 상부면을 평탄화시킬 뿐만 아니라 개별 패키지의 높이를 일정하게 형성할 수 있어 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. In addition, the light emitting diode device of the present invention can not only flatten the upper surface of the package, but also can form the height of each individual package to improve the reliability of products.
도1는 종래의 탑형 발광 다이오드 소자의 일례를 도시하는 단면도1 is a cross-sectional view showing an example of a conventional tower light emitting diode element.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 단면도2 is a cross-sectional view of a light emitting diode device according to an embodiment of the present invention.
도3는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 소자의 단면도3 is a cross-sectional view of a light emitting diode device according to another embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
1, 10: 기판1, 10: substrate
2, 20: 리드2, 20: lead
3, 30: 반사기3, 30: reflector
4, 40: 발광 다이오드 칩4, 40: LED chip
5, 50: 와이어5, 50: wire
70: 색 필름 70: color film
80: 블랙 매트릭스 80: black matrix
90a, 90b: 투명 수지90a, 90b: transparent resin
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20040016296A KR100585915B1 (en) | 2004-03-10 | 2004-03-10 | Light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20040016296A KR100585915B1 (en) | 2004-03-10 | 2004-03-10 | Light emitting diode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050091161A true KR20050091161A (en) | 2005-09-15 |
| KR100585915B1 KR100585915B1 (en) | 2006-06-01 |
Family
ID=37272890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20040016296A KR100585915B1 (en) | 2004-03-10 | 2004-03-10 | Light emitting diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100585915B1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256057B2 (en) | 2004-09-11 | 2007-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Methods for producing phosphor based light sources |
| KR100837847B1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-06-13 | 한국광기술원 | Wavelength-converted Light Emitting Diode Using Phosphor And Manufacturing Method Of The Same |
| KR101481294B1 (en) * | 2013-07-15 | 2015-01-15 | (주)그린솔루션 | Led lamp |
| US9991240B2 (en) | 2016-04-08 | 2018-06-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
-
2004
- 2004-03-10 KR KR20040016296A patent/KR100585915B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7256057B2 (en) | 2004-09-11 | 2007-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Methods for producing phosphor based light sources |
| KR100837847B1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-06-13 | 한국광기술원 | Wavelength-converted Light Emitting Diode Using Phosphor And Manufacturing Method Of The Same |
| KR101481294B1 (en) * | 2013-07-15 | 2015-01-15 | (주)그린솔루션 | Led lamp |
| US9991240B2 (en) | 2016-04-08 | 2018-06-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| US10522523B2 (en) | 2016-04-08 | 2019-12-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| US10964679B2 (en) | 2016-04-08 | 2021-03-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100585915B1 (en) | 2006-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100880638B1 (en) | Light emitting device package | |
| US9305903B2 (en) | Light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| US7906892B2 (en) | Light emitting device | |
| JP6436193B2 (en) | Light emitting device | |
| KR102235258B1 (en) | Light emitting diode package and back light unit comprising the same | |
| US8035122B2 (en) | Light diffusion type light emitting diode | |
| KR20120131955A (en) | Light emitting device | |
| KR20100058779A (en) | Light emitting diode package and manufacturing method thereof | |
| KR20110048397A (en) | LED Package and Backlight Assembly using the same | |
| KR20090039932A (en) | Light emitting device package | |
| KR100585916B1 (en) | Light emitting diode | |
| US11024779B2 (en) | LED device | |
| KR100837847B1 (en) | Wavelength-converted Light Emitting Diode Using Phosphor And Manufacturing Method Of The Same | |
| JP2007043074A (en) | Luminaire | |
| CN102282687B (en) | Led packaging enabling light emitting with uniform colors | |
| KR100585915B1 (en) | Light emitting diode | |
| US20200161511A1 (en) | Led light tube | |
| KR100574628B1 (en) | LED module using Color film | |
| KR101518459B1 (en) | Light emitting diode package | |
| KR100809225B1 (en) | Light emitting diode module | |
| CN110890452A (en) | LED packaging device and manufacturing method | |
| KR20130022251A (en) | Led package | |
| US10243116B1 (en) | LED device | |
| KR101456267B1 (en) | Lighting apparatus | |
| KR20080025715A (en) | Light emitting diode module for backlight unit and backlight using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130318 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140305 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150303 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160304 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170308 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |