KR20050087403A - 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 종래 탄소 나노튜브 전계방출소자는 탄소 나노튜브가 형성되는 캐소드 전극과 전계 발생을 위해 대응되는 게이트 전극이 비교적 멀리 이격되어 있기 때문에 탄소 나노튜브로부터 방출되는 전자가 집속되지 않고 넓게 퍼지므로 원하는 형광체만을 정확하게 발광시키지 못해 색순도 및 휘도가 낮아지는 문제점이 있으며, 방출 전자를 집속하기 위해 카운터 전극을 형성하는 경우에도 카운터 전극과 캐소드 전극 사이의 거리가 멀어 색순도 개선 효과가 미비하고 발광이 실시되는 탄소 나노튜브의 영역이 제한되어 휘도가 낮은 문제점이 있었다. 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 카운터 전극 언더게이트 구조를 가지는 탄소 나노튜브 전계방출 소자 하판을 형성하면서, 게이트 전극과 관통홀을 통해 연결되는 카운터 전극을 요입부를 형성한 캐소드 전극에 맞물리도록 형성한 후 상기 카운터 전극을 둘러싸는 캐소드 전극의 요입부 경계면 상에 탄소 나노튜브를 형성하도록 함으로써, 전자빔의 초기 방출 방향을 카운터 전극으로 한정하여 전자빔을 집속할 수 있으며 탄소 나노튜브의 경계면 길이를 증가시켜 전자 방출량을 증가시킬 수 있어, 용이한 공정 변화만으로 소자의 구동 전압을 낮추고 휘도를 향상시키며 색순도를 높일 수 있는 뛰어난 효과가 있다.

Description

탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조 방법{CARBON NANOTUBE FIELD EMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 발명은 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 특히 새로운 전극 구조를 이용하여 전자빔 퍼짐을 방지하고 전자빔 방출량을 증가시키는 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조 방법에 관한 것이다.

정보통신 기술의 급속한 발달과 다양화되는 정보의 시각화 요구에 따라 전자 디스플레이의 수요는 더욱 증가하고, 요구되는 디스플레이의 모습 또한 다양해 지고 있다. 그 예로 휴대형 정보기기와 같이 이동성이 강조되는 환경에서는 무게, 부피 및 소비전력이 작은 디스플레이가 요구되며, 대중을 위한 정보 전달매체로 사용되는 경우에는 시야각이 넓은 대화면의 디스플레이 특성이 요구된다. 또한, 이와 같은 요구를 만족시켜 나가기 위해 전자 디스플레이는 대형화, 저가격화, 고성능화, 고정세화, 박형화, 경량화 등의 조건이 필수적이어서, 기존의 CRT를 대체할 수 있는 가볍고 얇은 평판 디스플레이 장치의 개발이 절실히 필요하게 되었다. 이러한 다양한 표시 소자의 요구에 따라 최근에는 전계방출(field emission)을 이용한 소자가 디스플레이 분야에 적용되면서, 크기 및 전력 소모를 감소시키면서도 높은 해상도를 제공할 수 있는 박막 디스플레이의 개발이 활발해지고 있다.

상기 전계방출소자는 현재 개발 혹은 양산중인 평판 디스플레이들(LCD와 PDP, VFD등)의 단점을 모두 극복한 차세대 정보 통신용 평판 디스플레이로 주목을 받고 있다. 전계방출소자 디스플레이는 전극 구조가 간단하고, CRT와 같은 원리로 고속동작이 가능하며, 무한대의 칼라, 무한대의 그레이 스케일, 높은 휘도, 높은 비디오(video rate) 속도 등 디스플레이가 가져야 할 장점들을 고루 갖추고 있다.

전계방출 표시소자는 진공 속의 금속 또는 도체 표면(에미터)상에 고전계가 인가될 때 전자들이 금속 또는 도체로부터 진공 밖으로 나오는 양자역학적 터널링 현상을 이용한 것이다. 이 때 소자는 파울러-노드하임(Fowler-Nordheim) 법칙에 의하여 전류-전압 특성을 나타내게 된다. 전계방출 표시소자는 전자 방출 원인 에미터와 방출된 전자가 충돌하여 발광하는 애노드 부, 상하판 사이를 지지하는 스패이서, 그리고 진공기밀을 유지하기 위한 실링부 등으로 구성되어 있다.

최근 들어 탄소 나노튜브가 비교적 낮은 진공도에서 전자방출특성이 우수한 이유로 인해 이를 이용한 전계방출소자의 중요성이 인식되고 있다. 탄소 나노튜브는 하나의 탄소원자가 3개의 다른 탄소와 결합되어 형성된 육각형 벌집 무늬의 구조가 둥굴게 말려 튜브 형태로 된 것으로서, 튜브의 직경이 수 내지 수백 나노미터 정도로 극히 작으며, 단일벽(single wall) 구조나 다중벽(multi-wall)구조 등으로 성장한다. 상기 단일벽 구조는 높은 종횡비를 가지므로 전자 방출 특성이 우수하나 열적으로 취약하여 수명이 짧으며, 다중벽 구조인 경우 그와 반대로 수명이 길지만 전자 방출 특성은 취약하다.

이와 같은 탄소 나노튜브는 감긴 형태 및 직경에 따라 금속과 같은 전기적 도체가 되기도 하며, 전기가 잘 통하지 않는 반도체의 성질을 갖기도 하며, 속이 비어 있고 길이가 길기 때문에 기계적, 전기적, 화학적 특성이 우수하여 전계방출소자의 에미터 소재로 사용되고 있다. 즉, 탄소 나노튜브는 작은 직경(약, 1.0∼ 수십[nm])을 갖기 때문에 종래의 마이크로팁형(spindt형) 전계방출 팁에 비해 전계강화효과(field enhancement factor)가 상당히 우수하여 전자방출이 낮은 임계 전계(turn-on field, 약 1∼5[V/㎛])에서 이루어질 수 있게 되므로, 전력손실 및 생산단가를 줄일 수 있게 된다.

이러한 탄소 나노튜브는 캐소드 전극 상에 페이스트 상태로 스크린 프린팅되어 형성되거나 화학 기상 증착으로 성장시키는 방법으로 형성될 수 있는데, 이 중에서 직접 성장시키는 방법은 구동 전압이 낮아 효율은 높지만 높이를 균일하게 제어하여 대형 패널에 적용하기 어렵다. 따라서, 대형 패널에 적용하기 쉽고 공정이 간단한 페이스트 상태의 탄소 나노튜브를 적용하는 방법이 많이 사용되고 있다.

종래 전계방출소자의 구조 중에서 페이스트 상태의 탄소 나노튜브를 적용하는 대표적인 구조를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 1a 내지 도 1e는 종래의 탄소 나노튜브를 이용한 전계방출소자 중 카운터 전극 언더게이트 구조(undergate with counter electrode)를 제조하는 과정을 나타낸 수순 사시도로서, 이를 통해 구조 및 제조 과정을 설명하도록 한다. 상기 카운터 전극 언더게이트 구조는 코플래너(coplanar) 구조와 언더게이트(undergate) 구조가 혼합된 형태로서, 전극 배치가 용이하며 구동 전압이 낮은 장점이 있으며 대면적화가 용이한 구조로 최근 그 사용이 증가하고 있는 구조이다.

먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이 하판으로 사용되는 유리 기판(1) 상부에 전극 물질을 형성한 후 패터닝하여 데이터 전극으로 사용될 게이트 전극(2)을 형성한다. 상기 전극은 박막 증착후 패터닝하는 상기 방법 외에도 전도성 페이스트를 스크린 프린팅하는 방법으로 인쇄한 후 소결하여 형성할 수 있다.

그 다음, 도 1b에 도시한 바와 같이 상기 형성된 게이트 전극(2) 상부 전면에 박막 절연층(3)을 형성하는데, 이 경우 역시 증착법이나 인쇄법 등을 이용할 수 있다.

그 다음, 도 1c에 도시한 바와 같이 상기 형성된 절연층(3)의 일부를 식각하여 상기 게이트 전극(2)의 일부가 노출되도록 관통홀(4)을 형성한다.

그 다음, 도 1d에 도시한 바와 같이 상기 형성된 구조물 상부에 도전성 물질을 성막한 후 패터닝하거나 도전성 페이스트를 스크린 인쇄한 후 소성하는 방법으로 캐소드 전극(5) 및 카운터 전극(6)을 형성한다. 상기 카운터 전극(6)은 상기 형성된 관통홀(4) 상부에 형성되어 상기 게이트 전극(2)과 전기적으로 연결되도록 한다. 상기 게이트 전극(2)과 캐소드 전극(5)은 각각 데이터 전극과 스캔 전극의 역할을 하도록 상호 직교하는 상태로 배치되어 전계방출 소자로 이루어진 패널을 구현할 수 있다.

그 다음, 도 1e에 도시한 바와 같이 탄소 나노튜브 페이스트(7)를 스크린 프린팅법 등으로 상기 카운터 전극(6)에 대향하는 캐소드 전극(5) 상부에 형성한 후 소결한다.

상기와 같은 방법으로 탄소 나노튜브 에미터를 구비한 전계방출소자 하판을 형성할 수 있는데, 상기 구조는 일반적인 매트릭스(matrix) 구동과 달리 데이터 전극 역할을 하는 게이트 전극(2)이 하부에 위치하고, 스캔 전극 역할을 하는 캐소드 전극(5)이 상부에 위치한다. 이 경우, 게이트 전극(2)에 캐소드 전극(5)보다 높은 전압을 가하면 에미터인 상기 탄소 나노튜브(7)로부터 전자가 방출되어 도시되지 않은 상판의 애노드 고전계에 의해 가속되어 상판의 형광체를 여기시킴으로써 가시광이 발생하게 된다. 상기 구조에서는 카운터 전극(6)을 캐소드 전극(5)과 동일 평면상에 형성했기 때문에 상기 탄소 나노튜브(7)로부터 방출되는 전자가 상기 카운터 전극(6) 방향으로 초기 속도를 가지고 방출되다가 애노드 고전계에 의해 수직한 방향으로 전환되어 형광체쪽으로 진행하게 된다. 따라서, 도시된 바와 같이 카운터 전극(6)이 캐소드 전극(5)과 멀리 이격되어 있는 경우 전자빔이 넓게 퍼지게 된다.

상기와 같이 전자빔이 넓게 퍼지게 되면 정확하게 원하는 형광체 만을 여기시키지 못하고 인접한 형광체를 여기시켜 이상 발광이 발생할 수 있으므로 색순도 및 휘도가 낮아지게 되어 표시 화면 품질이 나빠지게 된다.

또한, 탄소 나노튜브(7)로부터 방출되는 전자는 주로 상대전극(6)과 대향하는 면의 모서리에 집중되기 때문에 적용된 탄소 나노튜브의 면적에 비해 방출되는 전자의 양이 미비하여 휘도가 낮은 문제점 역시 발생하게 된다.

상기 구조 외에도 다양한 구조들이 있으나, 일반적인 코플래너 구조는 전술한 바와 동일한 문제점이 발생하며, 언더게이트 구조의 경우 구동 전압이 높으며 집속 역할을 하는 전극이 없어 빔 퍼짐은 더욱 심해지게 되므로, 현재 사용되는 대부분의 평면형 탄소나노튜브 전계방출소자에서는 전술한 빔 퍼짐 문제가 발생한다.

상기한 바와같이 종래 탄소 나노튜브 전계방출소자는 탄소 나노튜브가 형성되는 캐소드 전극과 전계 발생을 위해 대응되는 게이트 전극이 비교적 멀리 이격되어 있기 때문에 탄소 나노튜브로부터 방출되는 전자가 집속되지 않고 넓게 퍼지므로 원하는 형광체만을 정확하게 발광시키지 못해 색순도 및 휘도가 낮아지는 문제점이 있으며, 방출 전자를 집속하기 위해 카운터 전극을 형성하는 경우에도 카운터 전극과 캐소드 전극 사이의 거리가 멀어 색순도 개선 효과가 미비하고 발광이 실시되는 탄소 나노튜브의 영역이 제한되어 휘도가 낮은 문제점이 있었다.

상기한 바와같은 종래의 문제점들을 해결하기 위한 본 발명은, 카운터 전극 언더게이트 구조를 가지는 탄소 나노튜브 전계방출 소자 하판을 형성하면서, 게이트 전극과 관통홀을 통해 연결되는 카운터 전극을 요입부를 형성한 캐소드 전극에 맞물리도록 형성한 후 상기 카운터 전극을 둘러싸는 캐소드 전극의 요입부 경계면 상에 탄소 나노튜브를 형성하여 전자빔을 집속하고 전자 방출량을 증가시킨 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기한 바와같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하판 기판 상부에 형성된 게이트 전극과; 상기 게이트 전극 상부에 형성되며 상기 게이트 전극의 일부가 노출되는 관통홀을 구비한 절연층과; 상기 형성된 관통홀 부분을 포함하는 소정 영역을 배제한 요입부가 형성된 캐소드 전극과; 상기 캐소드 전극과 이격되면서 캐소드 전극의 요입부에 맞물려 형성되면서 상기 관통홀을 통해 상기 게이트 전극과 연결되는 카운터 전극과; 상기 카운터 전극에 대향하는 캐소드 전극의 요입부 경계면 상에 형성된 탄소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 기판 상부에 차례로 게이트 전극 및 절연층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극의 상부 절연층을 일부 식각하여 상기 게이트 전극을 노출시켜 관통홀을 형성하는 단계와; 상기 구조물 상부 전면에 상기 형성된 관통홀 부분을 포함하는 소정 영역을 배제한 요입부를 가진 캐소드 전극 및 상기 관통홀을 포함한 요입부 영역에 상기 캐소드 전극과 이격된 카운터 전극을 형성하는 단계와; 상기 카운터 전극이 인접한 캐소드 전극의 요입부 경계면 상부에 탄소 나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기한 바와같은 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참고하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명 일 실시예의 제조 과정을 보인 수순 사시도로서, 도시된 바와 같이 종래 기술과 동일한 공정 단계를 거쳐 형성되므로 많은 공정변경이 필요치 않아 많은 추가 비용 없이도 본 발명을 용이하게 적용할 수 있다.

먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이 하판으로 사용되는 유리 기판(10) 상부에 전극 물질을 형성한 후 패터닝하여 데이터 전극으로 사용될 게이트 전극(20)을 형성한다. 상기 전극은 박막 증착후 패터닝하는 상기 방법을 사용할 수 있으며, 그 외에 전도성 페이스트를 스크린 프린팅하는 방법을 비롯한 일반적인 전극 형성 방법을 통해 형성할 수 있다.

그 다음, 도 2b에 도시한 바와 같이 상기 형성된 게이트 전극(20) 상부 전면에 박막 절연층(30)을 형성하는데, 이 경우 역시 증착법이나 인쇄법 등을 이용할 수 있다.

상기 구조물을 형성하는 방법은 종래와 동일한 공정 절차를 거쳐 이루어질 수 있는 부분이다.

그 다음, 도 2c에 도시한 바와 같이 상기 형성된 절연층(30)의 일부를 식각하여 상기 게이트 전극(20)의 일부가 노출되도록 관통홀(40)을 형성하는데, 본 발명에서는 이후 형성될 캐소드 전극의 형성 위치에 근접한 부분에 관통홀(40)을 형성한다. 물론, 이러한 관통홀(40)의 형성 위치는 변경될 수 있으나, 이후 형성될 카운터 전극과 연결되기 쉬운 위치에 형성되는 것이 바람직하다.

그 다음, 도 2d에 도시한 바와 같이 상기 형성된 구조물 상부에 도전성 물질을 성막한 후 패터닝하여 캐소드 전극(50) 및 카운터 전극(60)을 형성한다. 본 발명의 가장 중요한 특징은 상기 캐소드 전극(50)과 카운터 전극(60)의 배치이며, 도시된 바와 같이 카운터 전극(60)이 캐소드 전극(50)에 형성된 요입부에 맞물리는 형태를 가지고 있다. 상기 캐소드 전극(50)은 상기 형성된 관통홀(40) 주변의 일부 영역을 배제하는 형태의 요입부를 가지도록 형성되며 카운터 전극(60)은 상기 관통홀(40) 상부를 포함하는 영역에 형성되어 상기 게이트 전극(20)과 전기적으로 연결되면서 상기 캐소드 전극(50)에 형성된 요입부와 균일한 이격 거리를 가지도록 형성된다.

도시된 캐소드 전극(50)의 요입부 및 카운터 전극(60)의 형태는 직사각형을 띄고 있으나, 모서리 부분을 둥글게 정의하여 캐소드 전극(50)과 카운터 전극(60)의 이격 거리가 모든 부분에서 동일하도록 구성 할 수 있으며, 이렇게 이격 거리가 동일하게 되는 경우 이후 형성될 탄소 나노튜브로부터 방출되는 전자빔을 효과적으로 집속할 수 있게 되고, 방출 전자량 역시 균일하게 유지할 수 있다.

당연하게도, 상기 요입부 및 카운터 전극(60)의 형태는 타원형, 원형을 비롯한 다양한 다각형 형태를 가질 수 있으며, 이러한 구체적인 형태들은 본 발명에 모두 포괄될 수 있다. 하지만, 보다 효과적인 전극 구성을 위해 상기 모든 요입부들은 캐소드 전극(50) 폭의 1/3 이상인 것이 바람직하다.

상기 설명한 캐소드 전극(50) 및 카운터 전극(60)의 형성은 도전체 성막후 패터닝을 실시하는 단일 공정으로 구현가능하여 공정 비용을 줄일 수 있으나, 이러한 단일 공정으로 제한되는 것은 아니며, 캐소드 전극(50)을 먼저 형성한 후, 카운터 전극(60)은 별도의 공정을 통해 제조할 수도 있다. 이 경우 카운터 전극(60)의 두께를 상기 캐소드 전극(50)의 두께보다 두껍게 형성하여 전자 방출 및 집속 효율을 더 높일 수 있다.

그 다음, 도 2e에 도시한 바와 같이 상기 형성된 카운터 전극(60)과 인접하는 캐소드 전극(50)의 요입부 경계면 상부에 탄소 나노튜브(70)를 형성한다. 상기 탄소 나노튜브(70)는 상기 요입부 경계면을 둘러싸면서 형성될 수 있으며, 일부에만 형성될 수 있다.

상기와 같은 구조에서, 상기 탄소 나노튜브(70)와 카운터 전극(60)의 거리가 가깝기 때문에 구동 전압이 낮아질 수 있으며, 이는 탄소 나노튜브(70)로부터 방출되는 전자의 초기 속도를 줄일 수 있어 전자빔의 퍼짐을 방지할 수 있다. 또한, 전자빔이 모이는 방향을 상기 카운터 전극(60) 쪽으로 집속할 수 있어 전자빔이 상기 카운터 전극(70)의 상부에 위치하는 형광체에만 도달하도록 할 수 있다.

상기 전자빔의 집속 정도는 캐소드 전극(50)과 카운터 전극(60)의 이격 거리에 따라 결정할 수 있기 때문에 설계 단계에서 원하는 집속 정도를 결정할 수 있어 패널 크기와 상하판 이격거리등에 상관 없이 본 발명을 적용할 수 있다.

도시된 바와 같이, 탄소 나노튜브(70)의 형태가 카운터 전극(60)을 둘러싸는 형태로 되어 있기 때문에 실제 전자가 방출되는 탄소 나노튜브(70)의 경계면 길이가 길어져 전자 방출량이 크게 증가하게 되며, 이는 휘도를 향상시킬 뿐만 아니라 구동 전력 역시 줄일 수 있게 한다.

따라서, 본 발명의 전극 구조는 카운터 전극(60)과 캐소드 전극(50)의 배치를 변경하고, 탄소 나노튜브(70)의 배치를 변경하는 것 만으로 구동 전력을 낮추고 전자빔의 집속 정도를 조절하며 휘도를 향상시킬 수 있다.

상기한 바와 같은 본 발명 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조 방법은 카운터 전극 언더게이트 구조를 가지는 탄소 나노튜브 전계방출 소자 하판을 형성하면서, 게이트 전극과 관통홀을 통해 연결되는 카운터 전극을 요입부를 형성한 캐소드 전극에 맞물리도록 형성한 후 상기 카운터 전극을 둘러싸는 캐소드 전극의 요입부 경계면 상에 탄소 나노튜브를 형성하도록 함으로써, 전자빔의 초기 방출 방향을 카운터 전극으로 한정하여 전자빔을 집속할 수 있으며 탄소 나노튜브의 경계면 길이를 증가시켜 전자 방출량을 증가시킬 수 있어, 용이한 공정 변화만으로 소자의 구동 전압을 낮추고 휘도를 향상시키며 색순도를 높일 수 있는 뛰어난 효과가 있다.

도 1a 내지 도 1e는 종래 탄소 나노튜브를 이용한 카운터 전극 언더 게이트 구조의 전계방출소자의 제조 방법을 보인 수순 사시도.

도 2a 내지 도 2e는 본 발명 일 실시예의 제조 과정을 보인 수순 사시도.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***

10: 기판 20: 게이트 전극

30: 절연층 40: 관통홀

50: 캐소드 전극 60: 카운터 전극

70: 탄소 나노튜브

Claims (8)

1. 하판 기판 상부에 형성된 게이트 전극과; 상기 게이트 전극 상부에 형성되며 상기 게이트 전극의 일부가 노출되는 관통홀을 구비한 절연층과; 상기 형성된 관통홀 부분을 포함하는 소정 영역을 배제한 요입부가 형성된 캐소드 전극과; 상기 캐소드 전극과 이격되면서 캐소드 전극의 요입부에 맞물려 형성되면서 상기 관통홀을 통해 상기 게이트 전극과 연결되는 카운터 전극과; 상기 카운터 전극에 대향하는 캐소드 전극의 요입부 경계면 상에 형성된 탄소 나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
2. 제 1항에 있어서, 상기 캐소드 전극에 형성된 요입부는 캐소드 전극 폭의 1/3 이상인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
3. 제 1항에 있어서, 상기 캐소드 전극에 형성된 요입부와 상기 요입부에 의해 정의된 카운터 전극의 이격거리는 마주보는 모든 부분에서 균일한 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
4. 제 1항에 있어서, 상기 캐소드 전극에 형성된 요입부와 상기 요입부에 의해 정의된 카운터 전극의 이격거리는 전자빔의 집속 정도에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
5. 제 1항에 있어서, 상기 캐소드 전극에 형성된 요입부는 ㄷ형태이며, 탄소 나노튜브는 상기 카운터 전극과 인접한 상기 캐소드 전극의 요입부 3면 중 적어도 한면 이상에 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자.
6. 기판 상부에 차례로 게이트 전극 및 절연층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극의 상부 절연층을 일부 식각하여 상기 게이트 전극을 노출시켜 관통홀을 형성하는 단계와; 상기 구조물 상부 전면에 상기 형성된 관통홀 부분을 포함하는 소정 영역을 배제한 요입부를 가진 캐소드 전극 및 상기 관통홀을 포함한 요입부 영역에 상기 캐소드 전극과 이격된 카운터 전극을 형성하는 단계와; 상기 카운터 전극이 인접한 캐소드 전극의 요입부 경계면 상부에 탄소 나노튜브를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자 제조 방법.
7. 제 6항에 있어서, 상기 캐소드 전극과 카운터 전극은 도전성 물질을 증착한 후 패터닝하는 단일 금속 공정을 통해 동시에 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자 제조 방법.
8. 제 6항에 있어서, 상기 캐소드 전극과 카운터 전극은 캐소드 전극을 먼저 형성한 후 카운터 전극을 후속 공정으로 형성하면서 상기 캐소드 전극보다 높게 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 전계방출소자 제조 방법.