KR20050082040A - Method of forming light emitting diode - Google Patents
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Abstract
본 발명은 LED 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는, 절단단계를 대체하기 위한 포토리소그래피 및 에칭공정에 의해 LED 다이가 정의되고, 화학적 또는 물리적 방법에 의해 상기 LED의 금속기판을 형성한다.The present invention relates to a LED manufacturing method. In the present invention, an LED die is defined by a photolithography and etching process to replace the cutting step, and forms a metal substrate of the LED by chemical or physical methods.
Description
본 발명은 발광다이오드(light emitting diode: LED) 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학적 공정 또는 물리적 공정에 의해 LED를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting diode (LED), and more particularly, to a method of manufacturing an LED by a chemical process or a physical process.
LED의 기본 원리는 발광하는 반도체특성을 채용하는 것이다. 이는 방전 또는 가열방식에 의해 빛을 생성하는 종래의 광장치와는 상이하므로, LED는 "냉광 (cold light)"이라고도 한다. 전구 또는 형광등과 같은 종래의 장치와 비교하여, 상기 LED는 높은 지속성, 오랜 수명, 고휘도 및 저전력소모라는 특성을 가질 뿐만 아니라, 수은이 사용되지 않는 장점이 있다.The basic principle of LED is to adopt semiconductor characteristics that emit light. This is different from conventional optical devices that generate light by discharging or heating, so the LED is also referred to as "cold light." Compared with conventional devices such as bulbs or fluorescent lamps, the LEDs not only have the characteristics of high durability, long life, high brightness and low power consumption, but also have the advantage that mercury is not used.
LED의 기본구조는 p형 에피택셜층, n형 에피택셜층 및 그 사이에 형성된 활성층을 포함한 pn구조이다. 일반적으로, 전류가 상기 LED의 에피택셜층 상에 마련된 2개의 패드에 의해 입력된다. 상기 2개의 패드는 기판과 에피택셜층 물질의 선택에 따라서, 도1A 및 도1B와 같이, 동일면 또는 대향하는 면 상에 형성될 수 있다. GaN계 LED의 경우에는, 통상의 기판으로는 비전도성 사파이어(Al2O3) 또는 전도성 SiC가 있다. 도1A는 사파이어 기판(40)을 구비한 GaN LED구조를 나타낸다. 상기 기판(40) 상에는 n형 에피택셜층(30), 활성층(20) 및 p형 에피택셜층(10)이 순차적으로 형성된다. 상기 n형 에피택셜층(30)의 노출된 영역과 p형 에피택셜층(10) 상에는 각각 패드(25,15)가 형성된다. 도1b는 SiC 기판(50)을 구비한 GaN LED 구조를 나타낸다. 상기 기판(50)에는 n형 에피택셜층(30), 활성층(20) 및 p형 에피택셜층(10)이 형성된다. 상기 p형 에피택셜층(10)의 상면과 상기 기판(50)의 하면 상에는 각각 패드(25,15)가 형성된다.The basic structure of the LED is a pn structure including a p-type epitaxial layer, an n-type epitaxial layer and an active layer formed therebetween. In general, current is input by two pads provided on the epitaxial layer of the LED. The two pads may be formed on the same or opposite surfaces, as shown in FIGS. 1A and 1B, depending on the choice of substrate and epitaxial layer material. In the case of GaN-based LEDs, typical substrates include nonconductive sapphire (Al 2 O 3 ) or conductive SiC. 1A shows a GaN LED structure with a sapphire substrate 40. The n-type epitaxial layer 30, the active layer 20, and the p-type epitaxial layer 10 are sequentially formed on the substrate 40. Pads 25 and 15 are formed on the exposed regions of the n-type epitaxial layer 30 and the p-type epitaxial layer 10, respectively. 1B shows a GaN LED structure with a SiC substrate 50. The n-type epitaxial layer 30, the active layer 20, and the p-type epitaxial layer 10 are formed on the substrate 50. Pads 25 and 15 are formed on an upper surface of the p-type epitaxial layer 10 and a lower surface of the substrate 50, respectively.
상기 패드(15,25)의 광흡수 및 광차단문제로 인해, 특정 제조업자는 LED의 휘도를 향상시키기 위해 플립칩(flip-chip)기술에 의해 LED를 제조하고 있다. 도1C에 도시된 바와 같이, 상기 LED 구조는 도1A에 도시된 LED의 역구조이다. 상기 구조는 아래에서 위 순서로 p형 에피택셜층(10), 활성층(20), n형 에피택셜층(30) 및 기판(40)을 가지며, 기판(40)측로부터 상부로 빛을 방출한다. 상기 기판(40)은 투명하므로, 광흡수와 광차단과 같은 문제가 없다. 일반적으로, 상기 플립칩 LED는 서브마운트(60)에 부착되며, 상기 LED에 의해 아래로 방출된 빛을 위로 반사시키기 위해 반사층이 형성된다. 나아가, 상기 서브마운트(60)는 LED의 열을 확산시키는 우수한 냉각효과를 갖는 물질(예, 금속)로 제조되므로, 고전류 하에서도 정확히 작동할 수 있다. 따라서, 플립칩구조를 갖는 LED는 휘도와 냉각효과를 향상시킬 수 있다.Due to light absorption and light blocking issues of the pads 15 and 25, certain manufacturers are manufacturing LEDs by flip-chip technology to improve the brightness of the LEDs. As shown in Fig. 1C, the LED structure is an inverse structure of the LED shown in Fig. 1A. The structure has a p-type epitaxial layer 10, an active layer 20, an n-type epitaxial layer 30 and a substrate 40 in the order from the bottom to emit light from the substrate 40 side to the top. . Since the substrate 40 is transparent, there are no problems such as light absorption and light blocking. In general, the flip chip LED is attached to a submount 60, and a reflective layer is formed to reflect upwardly the light emitted by the LED down. Furthermore, since the submount 60 is made of a material (eg, a metal) having an excellent cooling effect of diffusing heat of the LED, the submount 60 can operate accurately even under high current. Therefore, the LED having the flip chip structure can improve the brightness and the cooling effect.
플립칩 LED의 휘도가 실질적으로 증가되고 플립칩 LED가 고전류하에서 정확히 작동할지라도, 그 제조수율은 그다지 좋지 않다. 이러한 이유는 통상의 플립칩기술가 LED의 패드를 본딩방식으로 서브마운트에 연결하는 것이며, 그 본딩수율이 양호하지 않기 때문이다. 따라서, 상기 플립칩 LED의 수율은 효과적으로 증가되지 않으며, 그 제조비용이 크다는 문제가 있다.Although the brightness of flip-chip LEDs is substantially increased and the flip-chip LEDs operate correctly under high current, their manufacturing yields are not very good. This is because the conventional flip chip technology connects the pad of the LED to the submount by the bonding method, and the bonding yield is not good. Therefore, the yield of the flip chip LED is not effectively increased, and there is a problem that the manufacturing cost is large.
상술된 종래 기술에서, 그 LED 플립칩 기술은 여러 단점과 문제점을 갖는다. 따라서, 본 발명의 일 목적은 LED 수율을 향상시키기 위한 LED 제조방법을 제공하는데 있다.In the prior art described above, the LED flip chip technology has several disadvantages and problems. Accordingly, one object of the present invention is to provide a LED manufacturing method for improving the LED yield.
본 발명의 다른 목적은 전도성 및 냉각효과를 증가시키기 위해, 화학적 또는 물리적 방법으로 LED 기판을 제조하는데 있다.Another object of the present invention is to manufacture LED substrates by chemical or physical methods in order to increase the conductivity and cooling effect.
본 발명의 또 다른 목적은 LED의 휘도를 증가시기 위한 반사층을 형성하는데 있다. Another object of the present invention is to form a reflective layer for increasing the brightness of the LED.
상술한 바와 같이, 본 발명은 아래의 단계를 포함한 LED 제조방법을 제공한다. 우선, 예비기판 상에 LED 에피택셜층을 형성한다. 이어, 포토리소그래피에 의해 상기 LED 에피택셜층을 에칭하여, LED 칩을 형성하고, 상기 LED 칩 상에 반사층을 형성한다. 다음으로, 상기 반사층 상에 영구기판으로서, 화학적 또는 물리적 방법으로 금속층을 형성한다. 상기 LED 칩의 표면이 노출되도록 상기 예비기판을 제거한다. 이어, 상기 LED 칩의 표면 상에 패드를 형성하고, 최종적으로 개별 LED칩이 형성되도록 기계적 힘에 의해 상기 금속층을 분리시킨다.As described above, the present invention provides a LED manufacturing method including the following steps. First, an LED epitaxial layer is formed on the preliminary substrate. The LED epitaxial layer is then etched by photolithography to form an LED chip, and a reflective layer is formed on the LED chip. Next, as a permanent substrate on the reflective layer, a metal layer is formed by a chemical or physical method. The preliminary substrate is removed to expose the surface of the LED chip. Subsequently, a pad is formed on the surface of the LED chip, and the metal layer is separated by mechanical force so that an individual LED chip is finally formed.
또한, 본 발명은 아래의 단계를 포함한 LED 제조방법을 제공한다. 우선, 예비기판 상에 LED 에피택셜층을 형성한다. 이어, 상기 LED 에피택셜층 상에 반사층을 형성한다. 상기 반사층 상에 화학적 또는 물리적 방법에 의해 영구기판으로서 금속층을 형성한다. 다음으로, LED 칩이 형성되도록, 포토리소그래피를 이용하여 상기 LED 에피택셜층, 상기 반사층 및 상기 금속층을 에칭한다. 상기 LED 칩의 표면이 노출되도록 상기 예비기판을 제거한다. 최종적으로, 상기 LED 칩의 표면 상에 패드를 형성한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing an LED including the following steps. First, an LED epitaxial layer is formed on the preliminary substrate. Subsequently, a reflective layer is formed on the LED epitaxial layer. The metal layer is formed on the reflective layer as a permanent substrate by chemical or physical methods. Next, the LED epitaxial layer, the reflective layer and the metal layer are etched using photolithography so that an LED chip is formed. The preliminary substrate is removed to expose the surface of the LED chip. Finally, a pad is formed on the surface of the LED chip.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 종래의 Al2O3 또는 SiC 기판을 본 발명에 따른 금속기판으로 대체함으로써 기판의 전도성 및 냉각효과가 향상될 수 있다. 나아가, 대향하는 면에 패드를 형성한다. 따라서, 패키지공정에서 단지 하나의 패드에 대해서만 본딩이 요구되며, 본딩수율을 증가시킬 수 있다. 상기 LED는 금속층의 우수한 냉각효과로 인해, 높은 전류로 작동하는데 적절하다. 따라서, 본 발명은 고출력 LED를 제조할 수 있다. 또한, LED 칩 상에 반사층을 형성함으로써 동일 방향으로 외부 방출되도록 LED광을 안내할 수 있으므로, 상기 LED의 휘도를 증대시킬 수 있다.As described above, in the present invention, by replacing the conventional Al 2 O 3 or SiC substrate with a metal substrate according to the present invention, the conductivity and cooling effect of the substrate can be improved. Furthermore, pads are formed on opposite surfaces. Therefore, bonding is required for only one pad in the packaging process, and the bonding yield can be increased. The LED is suitable for operation at high currents due to the good cooling effect of the metal layer. Thus, the present invention can produce high power LEDs. In addition, since the LED light can be guided to be externally emitted in the same direction by forming a reflective layer on the LED chip, the brightness of the LED can be increased.
이하, 본 발명의 특정 실시형태를 보다 구체적으로 설명한다. 하지만, 본 발명은 명시적으로 기재된 실시형태 외에도 다른 실시형태로도 폭넓게 실시될 수 있는 것을 인지해야 하며, 본 발명의 범위는 아래의 실시형태에 의해 명확하게 한정되지 않으며, 오히려 첨부된 청구범위에 특정된 바에 의해 정의된다. 또한, 다른 구성요소가 동일한 비율로 축소된 것으로 도시되어 있지 않으며, 일부 관련 요소의 특정된 크기는 과장된 것이며, 사소한 부분은 본 발명에 대한 보다 명확한 설명과 이해를 제공하기 위해서 도시되어 있지 않다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in more detail. It should be understood, however, that the present invention may be broadly embodied in other embodiments in addition to the explicitly described embodiments, and the scope of the present invention is not specifically limited by the following embodiments, but rather, the appended claims. It is defined by what is specified. In addition, other components are not shown to be reduced in the same proportions, and the specific size of some relevant elements is exaggerated, and minor parts are not shown to provide a clearer description and understanding of the invention.
본 발명의 기본적인 특징은 화학적 방법 및 물리적 방법에 의해 금속층을 형성하는데 있으며, 상기 금속층은 종래의 Al2O3 또는 SiC기판을 대체하는 영구 기판으로서 채용된다. 따라서, 상기 기판의 전도성과 냉각효과는 효과적으로 증가될 수 있으며, 나아가 상기 패드는 반대면에 형성되므로, 패키지공정시에 단지 하나의 패드에 대해서만 본딩공정이 요구된다. 또한, 상기 금속기판이 우수한 냉각 효과를 가지므로, 상기 금속기판을 갖는 LED는 고출력 LED가 될 수 있다. 즉, 상기 LED는 높은 전류에서도 구동될 수 있다. 상기한 화학적 방법과 물리적 방법은 전해도금, 무전해도금, 화학적 증착법(CVD), 물리적 증착법(PVD)(예를 들어, 증발법(evaporation) 또는 스퍼터링) 등을 포함한다. 이러한 방법은 상기 금속기판의 두께를 제어할 수 있으며, 연마공정 및 절단공정이 요구되지 않는다. 그러므로, LED공정의 복잡성도 저감시킬 수 있다. 나아가, 반사층은 금속층과 LED칩(또는 LED 에피택셜층) 사이에 형성되어, LED 휘도를 증가시키기 위해 동일한 방향(외부)으로 상기 LED 칩에 의해 방출된 광을 효과적으로 안내할 수 있다.The basic feature of the present invention is the formation of metal layers by chemical and physical methods, which are employed as permanent substrates replacing conventional Al 2 O 3 or SiC substrates. Therefore, the conductivity and cooling effect of the substrate can be effectively increased, and furthermore, since the pad is formed on the opposite side, a bonding process is required for only one pad during the packaging process. In addition, since the metal substrate has an excellent cooling effect, the LED having the metal substrate may be a high output LED. That is, the LED can be driven even at high current. Such chemical and physical methods include electroplating, electroless plating, chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD) (eg evaporation or sputtering) and the like. This method can control the thickness of the metal substrate, no polishing process and cutting process is required. Therefore, the complexity of the LED process can also be reduced. Furthermore, a reflective layer may be formed between the metal layer and the LED chip (or LED epitaxial layer) to effectively guide the light emitted by the LED chip in the same direction (outside) to increase the LED brightness.
상술된 특징에 따라서, 본 발명은 상기한 장점을 갖는 LED의 제조방법을 예시하기 위한 바람직한 실시형태를 제공한다.In accordance with the features described above, the present invention provides a preferred embodiment for illustrating a method of manufacturing an LED having the above advantages.
도2A 내지 도2D는 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 LED 제조방법을 나타내는 개략도이다. 도2A에 도시된 바와 같이, LED 에피택셜층(105)을 예비기판(100) 상에 형성한다. 이어, 도2B에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피공정으로 LED 에피택셜층(105)을 에칭함으로써 LED 칩(110)을 형성한다. 다음으로, 상기 LED 칩 상에 반사층(120)과 금속층(130)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 상기 금속층(130)은 전해도금에 의해 형성될 수 있다. 도2C에 도시된 바와 같이, 상기 금속층(130)을 분리시키는데 유리하도록, 각 2개의 LED칩 사이의 금속층(130) 두께는 5∼30㎛이다.2A-2D are schematic diagrams illustrating a method of manufacturing an LED according to a preferred embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2A, an LED epitaxial layer 105 is formed on the preliminary substrate 100. 2B, the LED chip 110 is formed by etching the LED epitaxial layer 105 by a photolithography process. Next, the reflective layer 120 and the metal layer 130 are sequentially formed on the LED chip. Here, the metal layer 130 may be formed by electroplating. As shown in FIG. 2C, the thickness of the metal layer 130 between each of the two LED chips is 5 to 30 [mu] m, in order to favor the separation of the metal layer 130. FIG.
그 다음으로, 연마공정, 에칭공정 또는 레이저 애블레이션(laser ablation)으로 상기 예비기판을 제거하고, 도2D와 같이 상기 LED 칩(110)의 노출된 표면에 패드(140)를 형성한다. 다음으로, 기계적 힘을 이용하여 상기 금속층을 개별 LED 칩이 형성되도록 분리시킨다.Next, the preliminary substrate is removed by a polishing process, an etching process, or laser ablation, and a pad 140 is formed on the exposed surface of the LED chip 110 as shown in FIG. 2D. Next, the metal layer is separated to form individual LED chips using mechanical force.
도3A 내지 도3D는 본 발명의 바람직한 다른 실시형태에 따른 LED 제조방법을 나타내는 개략도이다.3A to 3D are schematic diagrams showing a method of manufacturing an LED according to another preferred embodiment of the present invention.
도3A에 도시된 바와 같이, 예비기판(100)상에 LED 에피택셜층(105), 반사층(120) 및 금속층(130)을 순차적으로 형성한다. 여기서, 상기 금속층(130)은 전해도금으로 형성될 수 있다. 이어, 도3B에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피으로 상기 구조물을 에칭하여 LED 칩(110)을 형성한다. As shown in FIG. 3A, the LED epitaxial layer 105, the reflective layer 120, and the metal layer 130 are sequentially formed on the preliminary substrate 100. Here, the metal layer 130 may be formed by electroplating. Subsequently, as shown in FIG. 3B, the structure is etched by photolithography to form the LED chip 110.
다음으로, 도3C에 도시된 바와 같이, 상기 LED 구조를 막(130) 위에 접착시키고, 상기 예비기판을 제거한다. 최종적으로, 도3D에 도시된 바와 같이, LED 칩(110)의 노출된 표면에 패드(140)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 3C, the LED structure is bonded onto the film 130, and the preliminary substrate is removed. Finally, as shown in FIG. 3D, pad 140 is formed on the exposed surface of LED chip 110.
본 발명에서, 상기 반사층은 상기 LED의 광을 반사시켜 LED의 외부휘도를 증가시킨다. 상기 반사층의 바람직한 물질은 Ag, Al, Rh, Pt, Pd, Ni, Ti, Co 또는 Au 등 이다. 상기 LED가 청색 LED(예를 들어, GaN LED)인 경우에, Au가 청색광을 흡수할 수 있으므로, 상기 반사층 물질로 Au를 사용하지 않는 것이 바람직하다.In the present invention, the reflective layer reflects the light of the LED to increase the external brightness of the LED. Preferred materials of the reflective layer are Ag, Al, Rh, Pt, Pd, Ni, Ti, Co or Au and the like. When the LED is a blue LED (eg, GaN LED), since Au can absorb blue light, it is preferable not to use Au as the reflective layer material.
또한, 상기 금속층의 바람직한 물질은 Cu 또는 Al, Ni, Mo, W, Ag, Au, Ti, Co, Pd, Pt 또는 Fe와 같이 우수한 냉각효과를 갖는 다른 금속이다. 따라서, 열확산효과가 증가되고 안정성과 수명도 증대된다. 상기 금속층의 바람직한 두께는 30∼100㎛이다.In addition, the preferred material of the metal layer is Cu or another metal having excellent cooling effect such as Al, Ni, Mo, W, Ag, Au, Ti, Co, Pd, Pt or Fe. Therefore, the thermal diffusion effect is increased, and the stability and the lifetime are also increased. The thickness of the said metal layer is 30-100 micrometers.
상술한 바와 같이, 본 발명은 아래의 단계를 포함한 LED 제조방법을 제공한다. 우선, 예비기판 상에 LED 에피택셜층을 형성한다. 이어, 포토리소그래피공정으로 상기 LED 에피택셜층을 에칭하여 LED 칩을 형성하고, 상기 LED 칩 상에 반사층을 형성한다. 다음으로, 상기 반사층 상에 화학적 또는 물리적 방법을 이용하여 금속층을 형성한다. 상기 LED 칩의 표면이 노출되도록 상기 예비기판을 제거한다. 이어, 상기 LED 칩의 표면 상에 패드를 형성하고, 최종적으로 개별 LED칩이 형성되도록 기계적 힘에 의해 상기 금속층을 분리시킨다.As described above, the present invention provides a LED manufacturing method including the following steps. First, an LED epitaxial layer is formed on the preliminary substrate. Subsequently, the LED epitaxial layer is etched by a photolithography process to form an LED chip, and a reflective layer is formed on the LED chip. Next, a metal layer is formed on the reflective layer using a chemical or physical method. The preliminary substrate is removed to expose the surface of the LED chip. Subsequently, a pad is formed on the surface of the LED chip, and the metal layer is separated by mechanical force so that an individual LED chip is finally formed.
또한, 본 발명은 아래의 단계를 포함한 LED 제조방법을 제공한다. 우선, 예비기판 상에 LED 에피택셜층을 형성한다. 이어, 상기 LED 에피택셜층 상에 반사층을 형성한다. 상기 반사층 상에 화학적 또는 물리적 방법을 이용하여 금속층을 형성한다. 다음으로, LED 칩이 형성되도록, 포토리소그래피를 이용하여 상기 LED 에피택셜층, 상기 반사층 및 상기 금속층을 에칭한다. 상기 LED 칩의 표면이 노출되도록 상기 예비기판을 제거한다. 최종적으로, 상기 LED 칩의 표면 상에 패드를 형성한다.In addition, the present invention provides a method for manufacturing an LED including the following steps. First, an LED epitaxial layer is formed on the preliminary substrate. Subsequently, a reflective layer is formed on the LED epitaxial layer. The metal layer is formed on the reflective layer using chemical or physical methods. Next, the LED epitaxial layer, the reflective layer and the metal layer are etched using photolithography so that an LED chip is formed. The preliminary substrate is removed to expose the surface of the LED chip. Finally, a pad is formed on the surface of the LED chip.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 종래의 Al2O3 또는 SiC 기판을 본 발명에 따른 금속기판으로 대체함으로써 기판의 전도성 및 냉각효과가 향상될 수 있다. 나아가, 대향하는 면에 패드를 형성한다. 따라서, 패키지공정에서 단지 하나의 패드에 대해서만 본딩이 요구되며, 본딩수율을 증가시킬 수 있다. 상기 LED는 금속층의 우수한 냉각효과로 인해, 높은 전류로 작동하는데 적절하며, 따라서 본 발명은 고출력 LED를 제조할 수 있다. 또한, LED 칩 상에 반사층을 형성함으로써 동일 방향으로 외부 방출되도록 LED광을 안내할 수 있으므로, 상기 LED의 휘도를 증대시킬 수 있다.As described above, in the present invention, by replacing the conventional Al 2 O 3 or SiC substrate with a metal substrate according to the present invention, the conductivity and cooling effect of the substrate can be improved. Furthermore, pads are formed on opposite surfaces. Therefore, bonding is required for only one pad in the packaging process, and the bonding yield can be increased. The LED is suitable for operating at high currents due to the excellent cooling effect of the metal layer, and thus the present invention can produce high power LEDs. In addition, since the LED light can be guided to be externally emitted in the same direction by forming a reflective layer on the LED chip, the brightness of the LED can be increased.
본 명세서의 상세한 설명 및 첨부된 도면를 통해 특정 실시형태가 설명되고 예시되었으나, 당 기술분야에 숙련된 자라면, 첨부된 특허청구범위에 의해 한정하고자 하는 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 다양하게 변경시킬 수 있다는 것은 자명한 사실이다.While specific embodiments have been described and illustrated in the description and accompanying drawings of this specification, those skilled in the art will recognize that various changes may be made without departing from the scope of the invention as defined by the appended claims. It is obvious that it can.
도1A 내지 도1C는 종래 LED 구조의 개략도이다.1A-1C are schematic diagrams of conventional LED structures.
도2A 내지 도2D는 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 따른 LED 제조방법을 나타내는 개략도이다.2A to 2D are schematic diagrams showing a method of manufacturing an LED according to a preferred embodiment of the present invention.
도3A 내지 도3D는 본 발명의 바람직한 다른 실시형태에 따른 LED 제조방법을 나타내는 개략도이다.3A to 3D are schematic diagrams showing a method of manufacturing an LED according to another preferred embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명><Code Description of Main Parts of Drawing>
100: 예비기판 105: LED 에피택셜층100: preliminary substrate 105: LED epitaxial layer
120: 반사층 130: 금속층120: reflective layer 130: metal layer
140: 패드 150: 막140: pad 150: membrane
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100676061B1 (en) * | 2005-07-14 | 2007-01-30 | 엘지전자 주식회사 | Method of manufacturing light emitting diode |
| KR100682271B1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | Method of manufacturing a light emitting diode for a vertical type electrode |
| KR100691186B1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | Method for Manufacturing Vertical Structure Light Emitting Diode |
| KR100691363B1 (en) * | 2005-09-23 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | Method for manufacturing vertical structure light emitting diode |
| WO2007043768A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Epivalley Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR100710394B1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-04-24 | 엘지전자 주식회사 | Method of manufacturing led having vertical structure |
| KR100774196B1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | Method of manufacturing light emitting device having vertical structure |
| US7696523B2 (en) | 2006-03-14 | 2010-04-13 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same |
| WO2014120086A1 (en) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | Nanyang Technological University | Method of fabricating semiconductor devices |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298313A (en) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting element and manufacture thereof |
| JPH1012917A (en) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Hitachi Cable Ltd | Light emitting diode and fabrication thereof |
| KR20010088931A (en) * | 2001-08-08 | 2001-09-29 | 유태경 | Fabrication Method of GaN related LED using Substrate Remove Technology |
| US20020145147A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-10 | Shu-Woei Chiou | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
| KR20050022242A (en) * | 2003-08-25 | 2005-03-07 | 삼성전자주식회사 | light emitting device and method of manufacturing the same |
-
2004
- 2004-02-17 KR KR1020040010386A patent/KR20050082040A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298313A (en) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | Semiconductor light emitting element and manufacture thereof |
| JPH1012917A (en) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Hitachi Cable Ltd | Light emitting diode and fabrication thereof |
| US20020145147A1 (en) * | 2001-04-09 | 2002-10-10 | Shu-Woei Chiou | Light emitting diode and manufacturing method thereof |
| KR20010088931A (en) * | 2001-08-08 | 2001-09-29 | 유태경 | Fabrication Method of GaN related LED using Substrate Remove Technology |
| KR20050022242A (en) * | 2003-08-25 | 2005-03-07 | 삼성전자주식회사 | light emitting device and method of manufacturing the same |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100691186B1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | Method for Manufacturing Vertical Structure Light Emitting Diode |
| KR100676061B1 (en) * | 2005-07-14 | 2007-01-30 | 엘지전자 주식회사 | Method of manufacturing light emitting diode |
| KR100682271B1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | Method of manufacturing a light emitting diode for a vertical type electrode |
| KR100691363B1 (en) * | 2005-09-23 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | Method for manufacturing vertical structure light emitting diode |
| WO2007043768A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Epivalley Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR100710394B1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-04-24 | 엘지전자 주식회사 | Method of manufacturing led having vertical structure |
| KR100774196B1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | Method of manufacturing light emitting device having vertical structure |
| US7696523B2 (en) | 2006-03-14 | 2010-04-13 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same |
| US8203162B2 (en) | 2006-03-14 | 2012-06-19 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structrue and method for manufacturing the same |
| WO2014120086A1 (en) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | Nanyang Technological University | Method of fabricating semiconductor devices |
| US9530930B2 (en) | 2013-01-29 | 2016-12-27 | Nanyang Technological University | Method of fabricating semiconductor devices |
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