KR20050068759A - Slurry exclusion device and method of carrier film at cmp process - Google Patents
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Abstract
본 발명은 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거장치 및 방법에 관한 것으로서, 캐리어필름의 저면 에지부분에 잔류하는 슬러리 파티클을 제거할 수 있도록 폴리싱패드 상에 브러쉬를 설치하였다. 따라서 캐리어필름의 저면 에지부분에 잔류하는 슬러리 파티클을 완벽하게 제거되어 수율이 향상되고, 또한 오버-폴리쉬 발생으로 인한 유지보수를 최소화하여 생산성 향상의 효과가 있다.The present invention relates to an apparatus and a method for removing a slurry of a carrier film in a CMP process, and a brush is installed on a polishing pad to remove slurry particles remaining at the bottom edge of the carrier film. Therefore, the slurry particles remaining on the bottom edge portion of the carrier film are completely removed to improve the yield, and the maintenance of the over-policy is minimized, thereby improving productivity.
Description
본 발명은 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 씨엠피 공정 진행시 캐리어필름에 잔류하는 슬러리를 제거하기 위한 캐리어필름의 슬러리 제거장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus and method for slurry removal of a carrier film in a CMP process, and more particularly, to an apparatus and method for slurry removal of a carrier film for removing a slurry remaining in a carrier film during a CMP process.
일반적으로, 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 반도체 웨이퍼 상에 형성되는 구조물의 높낮이 단차가 증가되고 있는데, 단차가 증가할 경우 후속 리소그래피(lithography)공정에서 촛점깊이(DOF : Depth Of Focusing) 문제로 인하여 마스크 패턴을 정확하게 프린팅하는데 어려움이 발생한다. In general, as the degree of integration of semiconductor devices increases, the height step height of the structure formed on the semiconductor wafer increases. Difficulties arise in accurately printing mask patterns.
따라서, 최근에는 웨이퍼(wafer)의 표면을 평탄화하기 위해서 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공공정으로 합한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing ; 이하 "CMP"라 함) 공정이 널리 이용되고 있다.Therefore, recently, chemical-mechanical polishing (hereinafter referred to as "CMP") process that combines chemical removal processing and mechanical removal processing into one processing process is widely used to planarize a wafer surface. It is becoming.
CMP공정은 단차를 가진 웨이퍼 표면을 폴리싱 패드(polishing pad) 위에 밀착시킨 후, 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 폴리싱 패드 사이에 주입시켜 웨이퍼의 표면을 평탄화시킨다.In the CMP process, a wafer surface having a step is brought into close contact with a polishing pad, and then a slurry containing abrasive and chemical is injected between the wafer and the polishing pad to planarize the surface of the wafer.
이와 같은 CMP공정에 대해서는 일예로 대한민국 실용신안 출원번호 20-2001-0038224호(명칭 : 반도체 웨이퍼용 평탄화 장치)에 잘 나타나 있다.Such a CMP process is well shown in Korean Utility Model Application No. 20-2001-0038224 (name: flattening device for semiconductor wafer) as an example.
CMP공정에서는 캐리어(carrier)를 통한 기계적 후면압력(down pressure)과 회전운동을 이용하여 웨이퍼 표면의 막질을 연마하게 되는데, 캐리어는 웨이퍼의 후면을 통해 웨이퍼의 연마면이 하향되도록 웨이퍼를 홀딩하여 웨이퍼가 공정 중에 이탈되지 않도록 하며, CMP공정의 연마 제거량은 단위 면적당 압력에 비례하므로, 캐리어에 의한 후면압력과 폴리싱 패드에 의해 상방으로 작용하는 압력에 직접적으로 영향을 받게 된다.In the CMP process, the surface of the wafer is polished by using mechanical back pressure and rotational movement through a carrier. The carrier holds the wafer so that the polishing surface of the wafer is downward through the back of the wafer. Since the polishing removal amount of the CMP process is proportional to the pressure per unit area, it is directly affected by the back pressure caused by the carrier and the pressure acting upward by the polishing pad.
도 1은 종래의 CMP장치의 주요 구성을 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows the main configuration of a conventional CMP apparatus.
크린 스테이션(clean station)은, 상면에 폴리싱패드(12)가 안착되는 폴리싱플래튼(polish platen:10)과, 폴리싱플래튼(10)의 일측을 향하는 슬러리 피더(14), 그리고 저면에 캐리어필름(22)이 부착된 캐리어헤드(20)를 주요 구성으로 한다.The clean station includes a polishing platen 10 on which a polishing pad 12 is mounted on an upper surface, a slurry feeder 14 facing one side of the polishing platen 10, and a carrier film on a bottom surface thereof. The carrier head 20 to which 22 is attached is a main configuration.
연마입자와 화학액으로 현탁된 슬러리가 웨이퍼(W)와 폴리싱패드(12) 사이로 공급되면서 가압과 동시에 두 물질을 상대 운동시킴으로서 연마가공이 이루어진다.The slurry suspended by the abrasive particles and the chemical solution is supplied between the wafer W and the polishing pad 12, and the polishing is performed by relative movement of the two materials simultaneously with pressing.
이와 같은 연마가공에서 폴리싱패드(12) 상에 수직하게 브러쉬(16)가 형성되어 캐리어헤드(20)의 외주면에 부착되는 슬러리를 제거하게 된다.In this polishing process, the brush 16 is vertically formed on the polishing pad 12 to remove the slurry adhered to the outer circumferential surface of the carrier head 20.
그러나 캐리어헤드(20)에만 슬러리가 부착되는 것이 아니라 슬러리 파티클들이 웨이퍼(W)와 캐리어헤드(20) 사이에 있는 캐리어필름(22)의 저면 에지부분에도 슬러리가 침투된다. 이 침투한 슬러리 파티클은 도 2에 도시된 바와 같이, 클린 스테이션에서 완전히 제거되지 않아 다음 웨이퍼(W)의 폴리쉬 진행시 웨이퍼(W)의 에지부분에 더 높은 압력이 가해지게 되어 국부적인 오버-폴리쉬(over-polish) 현상이 발생된다.However, not only the slurry is attached to the carrier head 20, but the slurry particles also penetrate into the bottom edge portion of the carrier film 22 between the wafer W and the carrier head 20. This infiltrated slurry particle is not completely removed from the clean station, as shown in FIG. 2, so that higher pressure is applied to the edge of the wafer W during the next polishing of the wafer W, resulting in local over-polishing. (over-polish) phenomenon occurs.
즉, 한 장의 웨이퍼(W)를 폴리싱하고 난 후, 다음 웨이퍼(W)를 폴리싱 하기 전에 클린 스테이션에서 실시하는 캐리어 클리닝 과정 진행시 캐리어필름(22)의 에지부분에 잔류하는 슬러리 파티클이 완전히 제거가 되지 않는다면 오버-플러쉬 발생으로 수율이 저하되는 문제점이 있었다.That is, after polishing one wafer W and before polishing the next wafer W, slurry particles remaining at the edges of the carrier film 22 are completely removed during the carrier cleaning process performed in a clean station. If not, there was a problem that the yield is reduced due to over-flushing.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 폴리싱패드 상에 브러쉬를 설치하여 캐리어필름의 저면 에지부분에 잔류하는 슬러리 파티클을 완벽하게 제거할 수 있는 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the conventional problems as described above, by installing a brush on the polishing pad slurry of the carrier film in the CMP process that can completely remove the slurry particles remaining on the bottom edge of the carrier film It is an object of the present invention to provide a removal device and method.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 회전하는 폴리싱패드 상에 안치되는 웨이퍼에 슬러리를 공급하고 캐리어헤드와 캐리어필름으로 가압하여 기계화학적으로 연마하는 CMP공정에 있어서, 캐리어필름의 저면 에지부분에 잔류하는 슬러리 파티클을 제거할 수 있도록 폴리싱패드 상에 브러쉬를 설치한 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, in the CMP process of supplying a slurry to a wafer placed on a rotating polishing pad, and pressurized with a carrier head and a carrier film to mechanically polish, at the bottom edge of the carrier film Provided is an apparatus for removing a slurry of a carrier film in a CMP process in which a brush is installed on a polishing pad to remove residual slurry particles.
또한, 본 발명은, 폴리싱패드 상에 웨이퍼를 로딩시키는 단계와, 로딩된 웨이퍼를 캐리어헤드의 가압으로 최초 폴리싱하는 단계와, 웨이퍼를 본격적으로 폴리싱하는 단계와, 폴리싱이 완료된 웨이퍼를 언로딩하는 단계와, 캐리어헤드와 캐리어필름에 부착된 슬러리 파티클을 폴리싱패드 상에 설치된 브러쉬를 이용하여 클리닝(cleaning)하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거방법을 제공한다.The present invention also provides a method of loading a wafer onto a polishing pad, first polishing the loaded wafer by pressurization of a carrier head, polishing the wafer in earnest, and unloading the polished wafer. And cleaning the slurry particles attached to the carrier head and the carrier film by using a brush installed on a polishing pad, wherein the slurry film is removed from the CMP process.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거장치의 구성 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거방법의 흐름도이며, 선행기술에 도시된 실시예와 동일한 구성부재에 대해서는 도 1을 참조하여 동일한 도면 부호로서 설명한다.Figure 3 is a cross-sectional view of the slurry removal device of the carrier film in the CMP process according to the invention, Figure 4 is a flow chart of a slurry removal method of the carrier film in the CMP process according to the present invention, the embodiment shown in the prior art The same constituent members as will be described with the same reference numerals with reference to FIG.
본 발명에 따른 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 상면에 폴리싱패드(12)가 안착되는 폴리싱플래튼(polish platen:10)과, 폴리싱플래튼(10)의 일측을 향하는 슬러리 피더(14), 그리고 저면에 캐리어필름(22)이 부착된 캐리어헤드(20)를 주요 구성으로 한다.The slurry removal apparatus of the carrier film in the CMP process according to the present invention, as shown in Figure 3, the polishing platen (polish platen: 10) and the polishing platen (10) on which the polishing pad 12 is mounted on the upper surface Slurry feeder 14 toward one side of the), and the carrier head 20 attached to the carrier film 22 on the bottom as a main configuration.
그리고 연마가공에서 폴리싱패드(12) 상에 수직하게 제 1 브러쉬(16)가 형성되어 캐리어헤드(20)의 외주면에 부착되는 슬러리를 제거하게 된다.In the polishing process, the first brush 16 is vertically formed on the polishing pad 12 to remove the slurry attached to the outer circumferential surface of the carrier head 20.
여기서 본 발명의 특징에 따라서 폴리싱패드(12) 상에 제 2 브러쉬(18)를 설치한다.Here, the second brush 18 is provided on the polishing pad 12 according to the feature of the present invention.
제 2 브러쉬(18)는 캐리어필름(22)의 저면 에지부분에 잔류하는 슬러리 파티클을 제거하기 위한 것으로서, 제 1 브러쉬(16)와는 직교를 이루며, 제 1 브러쉬(16)와 동일 재질로 이루어진다.The second brush 18 is to remove the slurry particles remaining on the bottom edge portion of the carrier film 22, is orthogonal to the first brush 16, and is made of the same material as the first brush 16.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거장치 및 방법은 다음과 같다.The slurry removal apparatus and method of the carrier film in the CMP process according to the present invention configured as described above are as follows.
도 4를 참고하면, 폴리싱패드(12) 상면에 웨이퍼(W)를 로딩시키는 단계(100)와, 로딩된 웨이퍼(W)를 캐리어헤드(20)의 가압으로 최초 폴리싱하는 단계(200)와, 웨이퍼(W)를 본격적으로 폴리싱하는 단계(300)로 이어진다.Referring to FIG. 4, a step 100 of loading a wafer W onto an upper surface of the polishing pad 12, a step of initially polishing the loaded wafer W by pressing the carrier head 20, 200, Polishing the wafer W in earnest proceeds to step 300.
그리고 폴리싱이 완료된 웨이퍼(W)를 언로딩하는 단계(400)와, 캐리어헤드(20)와 캐리어필름(22)에 부착된 슬러리 파티클을 폴리싱패드(12) 상에 설치된 제 1, 2 브러쉬(16)(18)를 이용하여 클리닝(cleaning)하는 단계(500)로 이루어진다.And the step 400 of unloading the polished wafer (W), and the slurry particles attached to the carrier head 20 and the carrier film 22 on the polishing pad 12, the first and second brushes 16 Cleaning (500) using step (18).
클리닝 단계를 좀 더 자세히 설명하면, 연마입자와 화학액으로 현탁된 슬러리가 웨이퍼(W)와 폴리싱패드(12) 사이로 공급되면서 가압과 동시에 두 물질을 상대 운동시킴으로서 연마가공이 이루어진다. 이때, 웨이퍼(W)의 가공이 끝난 후, 다음 웨이퍼(W)를 올리기 전에 캐리어헤드(20)와 캐리어필름(22)을 클리닝하게 된다.In more detail, the cleaning step is performed by grinding the slurry and the slurry suspended in the chemical solution between the wafer W and the polishing pad 12 while simultaneously pressing and moving the two materials relative to each other. At this time, after the processing of the wafer W is finished, the carrier head 20 and the carrier film 22 are cleaned before the next wafer W is raised.
캐리어헤드(20)의 외주면에 부착되는 슬러리 파티클이 제 1 브러쉬(16)로 하여 제거된다.Slurry particles adhering to the outer circumferential surface of the carrier head 20 are removed using the first brush 16.
그리고 웨이퍼(W)와 캐리어헤드(20) 사이에 있는 캐리어필름(22)의 저면 에지부분에 침투한 슬러리 파티클은 제 2 브러쉬(18)로 하여 완전히 제거된다.The slurry particles penetrating into the bottom edge of the carrier film 22 between the wafer W and the carrier head 20 are completely removed by the second brush 18.
따라서, 한 장의 웨이퍼(W)를 폴리싱하고 난 후, 다음 웨이퍼(W)를 폴리싱 하기 전에 클린 스테이션에서 실시하는 캐리어 클리닝 과정 진행시 캐리어필름(22)의 에지부분에 잔류하는 슬러리 파티클이 제거되어 오버-플러쉬가 발생되지 않게 된다.Therefore, after polishing one wafer W and before polishing the next wafer W, slurry particles remaining at the edges of the carrier film 22 are removed and overdone during the carrier cleaning process performed at the clean station. -No flushing occurs.
이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상술한 실시 예에 한정되지 아니하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하 청구범위에 기재된 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변경실시가 가능할 것이다.Although the present invention has been illustrated and described with respect to certain preferred embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and a person skilled in the art to which the present invention pertains has the present invention set forth in the claims below. Various modifications may be made without departing from the spirit of the invention.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명인 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거장치 및 방법은, 캐리어필름의 저면 에지부분에 잔류하는 슬러리 파티클을 완벽하게 제거할 수 있는 브러쉬를 폴리싱패드 상에 설치함으로서, 오버-폴리쉬가 방지되어 수율이 향상되고, 또한 오버-폴리쉬 발생으로 인한 유지보수를 최소화하여 생산성 향상의 효과가 있다.As described above, in the CMP process of the present invention, the slurry film removing apparatus and method of the carrier film are provided with a brush on the polishing pad which can completely remove the slurry particles remaining on the bottom edge of the carrier film. Polishing is prevented and the yield is improved, and there is an effect of improving productivity by minimizing maintenance due to over-polishing.
도 1은 종래의 CMP장치의 주요 구성을 개략적으로 도시한 도면이고,1 is a view schematically showing the main configuration of a conventional CMP apparatus,
도 2는 종래의 캐리어필름의 저면 에지부에 슬러리가 잔류하여 웨이퍼 상에 오버-폴리쉬가 발생된 모습을 도시한 것이고,FIG. 2 illustrates a state in which over-polish is generated on a wafer due to residual slurry at a bottom edge of a conventional carrier film.
도 3은 본 발명에 따른 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거장치의 구성 단면도이고,3 is a cross-sectional view of the slurry removal apparatus of the carrier film in the CMP process according to the present invention,
도 4는 본 발명에 따른 씨엠피 공정에서 캐리어필름의 슬러리 제거방법의 흐름도이다.Figure 4 is a flow chart of the slurry removal method of the carrier film in the CMP process according to the present invention.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>
10 : 폴리싱플래튼 12 : 폴리싱패드10: polishing platen 12: polishing pad
14 : 슬러리피더 16, 18 : 제 1, 2 브러쉬14 slurry feeder 16, 18 first, second brush
20 : 캐리러헤드 22 : 캐리어필름20: Carrier Head 22: Carrier Film
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