KR20050052629A - Method for manufacturing of image sensor - Google Patents
Method for manufacturing of image sensor Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050052629A KR20050052629A KR1020030085799A KR20030085799A KR20050052629A KR 20050052629 A KR20050052629 A KR 20050052629A KR 1020030085799 A KR1020030085799 A KR 1020030085799A KR 20030085799 A KR20030085799 A KR 20030085799A KR 20050052629 A KR20050052629 A KR 20050052629A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- microlens
- pattern
- isolation
- image sensor
- semiconductor substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 6
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Abstract
본 발명은 마이크로렌즈(Microlens)의 광집속효율을 개선시키는 이미지센서의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 방법은, 수광영역이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 칼라필터 및 평탄화층을 차례로 형성하는 단계; 상기 평탄화층 상에 유기물 감광막을 도포하는 단계; 상기 유기물 감광막을 선택적으로 패터닝하여 마이크로렌즈용 패턴 및 상기 마이크로렌즈용 패턴 사이의 공간에 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 각각 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈용 패턴과 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴에 1차 열공정을 통한 플로우를 실시하여 상기 마이크로렌즈용 패턴을 볼록한 형태로 변화시키고, 동시에, 상기 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 상기 마이크로렌즈 사이에 돌출된 형태로 변화시키는 단계; 및 상기 결과물에 2차 열공정을 실시하여 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a method of manufacturing an image sensor that improves the light focusing efficiency of microlens. The disclosed method includes providing a semiconductor substrate having a light receiving region formed thereon; Sequentially forming a color filter and a planarization layer on the semiconductor substrate; Applying an organic photoresist film on the planarization layer; Selectively patterning the organic photoresist to form an auxiliary pattern for inter-lens isolation between the microlens pattern and the microlens pattern; The microlens pattern and the microlens isolation auxiliary pattern are subjected to a flow through a first thermal process to change the microlens pattern into a convex shape, and at the same time, the microlens isolation auxiliary pattern is separated from the microlens. Varying the shape between the protrusions; And curing the resultant by performing a secondary thermal process.
Description
본 발명은 이미지센서(Image Sensor)의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 마이크로렌즈의 광집속효율을 개선시키기 위한 이미지센서의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an image sensor, and more particularly, to a method of manufacturing an image sensor for improving the light focusing efficiency of a microlens.
일반적으로, 이미지센서는 광학 영상(Optical Image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 장치로서, 전하결합소자(Charge Coupled Device ; CCD)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS(Complementary MOS) 이미지센서는 제어 회로(Control Circuit) 및 신호처리회로(Signal Processing Circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소(Pixel)수 만큼 MOS 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 순차적으로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal, and a charge coupled device (CCD) is located at a position where individual metal-oxide-silicon (MOS) capacitors are very close to each other. And charge carriers are stored and transported in the capacitors, and CMOS (Complementary MOS) image sensors use pixel technology using CMOS technology that uses a control circuit and a signal processing circuit as peripheral circuits. It is a device that adopts a switching method that makes as many MOS transistors and uses it to sequentially detect output.
이러한 이미지센서는 외부로부터 빛을 받아 광전하를 생성 및 축적하는 광감지부분 상부에 칼라필터가 배열되어 있으며, 칼라필터어레이(Color Filter Array ; CFA)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 칼라로 이루어지거나, 옐로우(Yellow), 마젠타(Magenta) 및 시안(Cyan)의 3가지 칼라로 이루어진다.The image sensor has a color filter arranged on the upper part of the light sensing part that receives and receives light from the outside to generate and accumulate photocharges. The color filter array (CFA) is red, green, and blue. It consists of three colors of (Blue) or three colors of Yellow, Magenta, and Cyan.
또한, 이미지센서는 빛을 감지하는 광감지부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있는 바, 광감도를 높이기 위하여 전체 이미지센서 소자에서 광감지부분의 면적이 차지하는 비율(Fill Factor)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있지만, 근본적으로 로직회로 부분을 제거할 수 없기 때문에 제한된 면적 하에서 이러한 노력에는 한계가 있다.In addition, the image sensor is composed of a light sensing portion for detecting light and a logic circuit portion for processing the detected light as an electrical signal to make data. The ratio of the area of the light sensing portion in the entire image sensor element is increased to increase the light sensitivity. Efforts have been made to increase the fill factor, but these efforts are limited in a limited area because the logic circuit part cannot be removed.
따라서, 광감도를 높여주기 위하여 광감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광감지부분으로 모아주는 집광기술이 등장하였는데, 이러한 집광을 위하여 이미지센서는 칼라필터 상에 마이크로렌즈(Microlens)를 형성하는 방법을 사용하고 있다.Therefore, a condensing technology has emerged to change the path of light incident to a region other than the light sensing portion to raise the light sensitivity and collect the light into the light sensing portion. For this purpose, the image sensor uses a microlens on a color filter. The method of forming is used.
종래의 이미지센서의 제조방법에 대하여 도 1을 참조하여 간략하게 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a conventional image sensor is briefly described with reference to FIG. 1 as follows.
종래의 이미지센서의 제조방법은, 도 1에 도시된 바와 같이, 먼저, 반도체 기판(11)에 소자간의 전기적인 절연을 위한 필드산화막(12)을 형성한 후, 상기 필드산화막(12)에 의해 정의된 상기 반도체 기판(11)의 액티브영역에 게이트전극(미도시)을 형성한다. In the conventional method of manufacturing an image sensor, as shown in FIG. 1, first, a field oxide film 12 for electrical insulation between devices is formed on a semiconductor substrate 11, and then the field oxide film 12 is formed by the field oxide film 12. A gate electrode (not shown) is formed in the defined active region of the semiconductor substrate 11.
다음으로, 불순물 이온주입 공정을 통해 상기 반도체 기판(11) 내에 포토다이오드(13)로 이루어진 수광영역을 형성한 후, 소오스/드레인 및 센싱노드(미도시)를 형성하기 위한 이온주입을 실시한다.Next, after forming a light receiving region of the photodiode 13 in the semiconductor substrate 11 through an impurity ion implantation process, ion implantation for forming a source / drain and a sensing node (not shown) is performed.
그리고, 상기 반도체 기판(11) 상에 층간절연막(14)과 금속배선(15)을 차례로 형성한 다음, 상기 금속배선(15) 상에 보호막(16)을 형성한다. 이 때, 금속배선을 여러개 사용하는 경우에는 금속배선 사이에 금속층간절연막(Inter Metal Dielectric ; IMD)을 형성하고 최종 금속배선 상부에 보호막을 형성하는데, 도 1에서는 하나의 금속배선을 사용하는 경우를 도시하였다.Then, the interlayer insulating film 14 and the metal wiring 15 are sequentially formed on the semiconductor substrate 11, and then, the protective film 16 is formed on the metal wiring 15. In this case, in the case of using a plurality of metal wires, an inter metal dielectric (IMD) is formed between the metal wires and a protective film is formed on the final metal wire. In FIG. 1, a single metal wire is used. Shown.
그런 다음, 상기 보호막(16) 상에 칼라 이미지 구현을 위한 세 가지 종류의 레드(Red), 그린(Green), 블루(Blue) 칼라필터(17)를 형성한 후, 상기 칼라필터(17)를 포함한 전면에 평탄화층(18)을 형성한다. 여기서, 상기 평탄화층(18)은 상기 칼라필터(17)가 형성되면 그 단차에 의해 평탄도가 불량해지므로 상기 칼라필터(17) 상부에 형성될 마이크로렌즈가 단위 픽셀마다 모양이 상이하게 형성되어 균일성(Uniformity)이 저하되는 것을 막기 위함이다.Thereafter, three types of red, green, and blue color filters 17 are formed on the passivation layer 16 to implement color images. Then, the color filters 17 are formed. The planarization layer 18 is formed in the whole surface containing. In this case, the flattening layer 18 has a poor flatness due to the step when the color filter 17 is formed, and thus the microlenses to be formed on the color filter 17 have different shapes for each unit pixel. This is to prevent degradation of uniformity.
그리고, 상기 평탄화층(18) 상에 광집속율을 증가시키기 위해 마이크로렌즈(19)를 형성한다. 이 때, 상기 마이크로렌즈(19)의 형성방법은, 먼저, 마이크로렌즈용 유기물 감광막(미도시)을 상기 평탄화층(18) 상에 도포한 후, 상기 유기물 감광막을 선택적으로 패터닝하여 감광막패턴을 형성하고, 이 후, 이를 열공정으로 플로우(Flow)시켜서 볼록한 형태의 마이크로렌즈(19)를 형성한다.Then, the microlens 19 is formed on the planarization layer 18 to increase the light focusing rate. At this time, in the method of forming the microlens 19, first, an organic photoresist film (not shown) for microlenses is applied on the planarization layer 18, and then the organic photoresist film is selectively patterned to form a photoresist pattern. Then, this is flowed in a thermal process to form a convex micro lens 19.
상기한 마이크로렌즈는 그 크기가 클수록 광집속효율이 높아지고, 이미지센서의 특성이 향상되지만, 그렇게 되면 인접한 마이크로렌즈간의 간격이 좁아지게 된다. 따라서, 종래와 같은 방법을 이용하여 마이크로렌즈를 형성하게 되면 플로우 공정 시에 인접한 유기물 감광막패턴이 서로 붙어버리는 브릿지(Bridge) 현상이 발생하는 문제점이 있다. 이때, 이러한 브릿지 현상을 방지하기 위하여 인접한 마이크로렌즈간의 간격을 넓히게 되면, 넓어진 공간으로 입사하는 빛이 수광영역으로 집광하지 못하게 됨에따라, 광집속효율이 저하되어 이미지센서의 광감도가 떨어지는 문제점이 발생된다.The larger the size of the microlenses, the higher the light focusing efficiency and the image sensor's characteristics are improved, but the gap between the adjacent microlenses becomes narrower. Therefore, when the microlenses are formed using the same method as in the related art, there is a problem in that a bridge phenomenon in which adjacent organic photoresist patterns adhere to each other during a flow process occurs. At this time, if the distance between adjacent microlenses is widened to prevent such a bridge phenomenon, the light incident on the widened space cannot be focused on the light-receiving area, resulting in a low light focusing efficiency, resulting in a decrease in light sensitivity of the image sensor. .
따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 마이크로렌즈용 패턴 사이에 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 형성함으로써, 후속의 플로우 공정 진행시 인접한 마이크로렌즈용 패턴간에 발생되는 브릿지 현상을 방지하려는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, by forming an auxiliary pattern for isolation between the microlenses between the microlens pattern, it is generated between the adjacent microlens patterns during the subsequent flow process This is to prevent the bridge phenomenon.
동시에, 본 발명의 다른 목적은 마이크로렌즈의 크기를 증가시켜 광집속효율을 개선시키고, 이미지센서의 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서의 제조방법을 제공함에 있다.At the same time, another object of the present invention is to provide a manufacturing method of an image sensor that can increase the size of the microlens to improve the light focusing efficiency and improve the light sensitivity of the image sensor.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지센서의 제조방법은, 수광영역이 형성된 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 칼라필터 및 평탄화층을 차례로 형성하는 단계; 상기 평탄화층 상에 유기물 감광막을 도포하는 단계; 상기 유기물 감광막을 선택적으로 패터닝하여 마이크로렌즈용 패턴 및 상기 마이크로렌즈용 패턴 사이의 공간에 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 각각 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈용 패턴과 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴에 1차 열공정을 통한 플로우를 실시하여 상기 마이크로렌즈용 패턴을 볼록한 형태로 변화시키고, 동시에, 상기 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 상기 마이크로렌즈 사이에 돌출된 형태로 변화시키는 단계; 및 상기 결과물에 2차 열공정을 실시하여 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Method of manufacturing an image sensor of the present invention for achieving the above object comprises the steps of: providing a semiconductor substrate having a light receiving region; Sequentially forming a color filter and a planarization layer on the semiconductor substrate; Applying an organic photoresist film on the planarization layer; Selectively patterning the organic photoresist to form an auxiliary pattern for inter-lens isolation between the microlens pattern and the microlens pattern; The microlens pattern and the microlens isolation auxiliary pattern are subjected to a flow through a first thermal process to change the microlens pattern into a convex shape, and at the same time, the microlens isolation auxiliary pattern is separated from the microlens. Varying the shape between the protrusions; And curing the resultant by performing a secondary thermal process.
본 발명에 따르면, 마이크로렌즈용 패턴 사이에 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 형성시킴으로써, 플로우(Flow) 공정 시 인접한 마이크로렌즈용 패턴간의 브릿지(Bridge) 현상을 방지함과 동시에, 마이크로렌즈의 크기를 증가시켜 광집속효율을 개선시키고, 이미지센서의 광감도를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, by forming an auxiliary pattern for inter-microlens isolation between the microlens patterns, it prevents the bridge phenomenon between the adjacent microlens patterns during the flow process, and at the same time increases the size of the microlenses. By increasing the light focusing efficiency, the light sensitivity of the image sensor can be improved.
(실시예) (Example)
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다. 2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법은, 도 2a에 도시된 바와 같이, 먼저, 반도체 기판(31)에 소자간의 전기적인 절연을 위한 필드산화막(32)을 형성한 후, 상기 필드산화막(32)에 의해 정의된 상기 반도체 기판(31)의 액티브영역에 게이트전극(미도시)을 형성한다. In the method of manufacturing an image sensor according to an embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2A, first, a field oxide film 32 is formed on a semiconductor substrate 31 for electrical insulation between devices, and then the field oxide film is formed. A gate electrode (not shown) is formed in the active region of the semiconductor substrate 31 defined by (32).
다음으로, 불순물 이온주입 공정을 통해 상기 반도체 기판(31) 내에 포토다이오드(33)로 이루어진 수광영역을 형성한 후, 소오스/드레인 및 센싱노드(미도시)를 형성하기 위한 이온주입을 실시한다.Next, after forming a light receiving region of the photodiode 33 in the semiconductor substrate 31 through an impurity ion implantation process, ion implantation is performed to form a source / drain and a sensing node (not shown).
그리고, 상기 반도체 기판(31) 상에 층간절연막(34)과 금속배선(35)을 차례로 형성한 다음, 상기 금속배선(35) 상에 보호막(36)을 형성한다. 이 때, 금속배선을 여러개 사용하는 경우에는 금속배선 사이에 금속층간절연막(Inter Metal Dielectric ; IMD)을 형성하고 최종 금속배선 상부에 보호막을 형성하는데, 도 2에서는 하나의 금속배선을 사용하는 경우를 도시하였다.Then, the interlayer insulating film 34 and the metal wiring 35 are sequentially formed on the semiconductor substrate 31, and then a protective film 36 is formed on the metal wiring 35. In this case, in the case of using a plurality of metal wires, an intermetal dielectric (IMD) is formed between the metal wires and a protective film is formed on the final metal wire. In FIG. 2, a single metal wire is used. Shown.
그런 다음, 상기 보호막(36) 상에 칼라 이미지 구현을 위한 세 가지 종류의 R(Red), G(Green), B(Blue) 칼라필터(37)를 형성한 후, 상기 칼라필터(37)를 포함한 전면에 평탄화층(38)을 형성한다. 이와 같이, 상기 평탄화층(38)을 형성하는 이유는 상기 칼라필터(37) 형성 후 발생되는 단차를 제거하기 위함이다. Thereafter, three types of R (Red), G (Green), and B (Blue) color filters 37 for color image realization are formed on the passivation layer 36, and then the color filter 37 is formed. The planarization layer 38 is formed in the whole surface containing. As such, the reason for forming the planarization layer 38 is to remove a step generated after the color filter 37 is formed.
그리고, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 평탄화층(38) 상에 유기물 감광막(미도시)을 도포한 후, 상기 유기물 감광막을 선택적으로 패터닝하여 마이크로렌즈용 패턴(39) 및 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴(40)을 각각 형성한다. 이 때, 상기 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴(40)은 상기 마이크로렌즈용 패턴(39)들의 사이의 공간에 형성한다.2B, after applying an organic photoresist film (not shown) on the planarization layer 38, the organic photoresist film is selectively patterned to isolate the microlenses pattern 39 and the microlenses. Each auxiliary pattern 40 is formed. In this case, the microlens isolation auxiliary pattern 40 is formed in a space between the microlens patterns 39.
한편, 이후의 열공정을 통한 플로우(Flow) 진행 시, 패턴의 면적이 넓으면 플로우량이 많고, 패턴의 면적이 좁으면 플로우량이 적으므로, 상기 마이크로렌즈용 패턴(39)은 넓은 면적을 갖도록 형성하고, 그 사이의 상기 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴(40)은 상기 마이크로렌즈용 패턴(39)에 비해 상대적으로 좁은 면적을 갖도록 형성하여서, 이후에 형성될 마이크로렌즈가 되도록 크게 형성될 수 있도록 한다.On the other hand, when the flow proceeds through the subsequent thermal process, if the area of the pattern is large, the flow amount is large, and if the area of the pattern is narrow, the flow amount is small, so that the microlens pattern 39 is formed to have a large area. In addition, the microlens isolation auxiliary pattern 40 therebetween is formed to have a relatively narrow area compared to the microlens pattern 39, so that the microlenses to be formed later can be made larger to be a microlens to be formed later. .
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로렌즈용 패턴 및 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 나타내기 위한 평면도이다. 도 3에서 미설명된 도면부호 22는 평탄화층, 23은 마이크로렌즈용 패턴 및 24는 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 각각 나타낸다.3 is a plan view illustrating a microlens pattern and an auxiliary pattern for isolation between microlenses according to an exemplary embodiment of the present invention. In FIG. 3, reference numeral 22 denotes a planarization layer, 23 denotes a microlens pattern, and 24 denotes an auxiliary pattern for inter-microlens isolation.
이어서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 마이크로렌즈용 패턴과 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴에 1차 열공정을 통한 플로우(Flow)를 실시한다. 이에 따라, 상기 마이크로렌즈용 패턴은 볼록한 형태의 마이크로렌즈(41)로 변화되고, 상기 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴은 상기 마이크로렌즈(41) 사이에 도면부호 42과 같은 돌출된 형태로 변화된다. Subsequently, as shown in FIG. 2C, a flow through a first thermal process is performed on the microlens pattern and the auxiliary pattern for isolation between the microlenses. Accordingly, the microlens pattern is changed into a convex microlens 41, and the microlens isolation auxiliary pattern is changed into a protruding form as indicated by reference numeral 42 between the microlenses 41. As shown in FIG.
한편, 상기 도면부호 42의 돌출된 형태 부위는 상기 마이크로렌즈(41)간의 브릿지(Bridge) 발생을 막는 역할을 한다. On the other hand, the protruding portion of the reference numeral 42 serves to prevent the bridge (Bridge) generation between the microlens (41).
그런다음, 상기 결과물에 2차 열공정을 실시하여 경화(Hardening)시킨다.Then, the resultant is subjected to a second thermal process to harden.
이상에서와 같이, 본 발명은 마이크로렌즈용 패턴 사이에 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 형성한 다음, 상기 패턴들에 열공정을 통한 플로우를 실시하여 상기 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴이 상기 마이크로렌즈 사이에 돌출된 형태로 변화되도록 하며, 이로써, 상기 돌출부가 상기 마이크로렌즈간에 브릿지가 발생되는 것을 막아줌과 동시에, 상기 마이크로렌즈의 크기를 충분히 크게 형성시킬 수 있다. 따라서, 광집속효율을 개선시킬 수 있고, 이미지센서의 광감도를 향상시킬 수 있는 것은 물론, 시장 경쟁력도 향상시킬 수 있다. As described above, the present invention forms an auxiliary pattern for isolation between microlenses between the microlens patterns, and then performs a flow through the thermal process on the patterns to form the auxiliary pattern for isolation between the microlenses. The protrusion may be changed into a protruding shape, thereby preventing the bridge from generating a bridge between the microlenses, and at the same time, making the microlens large enough. Therefore, the light focusing efficiency can be improved, the light sensitivity of the image sensor can be improved, and the market competitiveness can be improved.
기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.
도 1은 종래의 기술에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.1 is a cross-sectional view for explaining a manufacturing method of an image sensor according to the prior art.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 이미지센서의 제조방법을 설명하기 위한 공정 단면도.2A to 2C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an image sensor according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로렌즈용 패턴 및 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴을 나타내기 위한 평면도.3 is a plan view for showing a microlens pattern and the auxiliary pattern for isolation between microlenses according to an embodiment of the present invention.
-도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명-Explanation of symbols on main parts of drawing
31 : 반도체 기판 32 : 필드산화막31 semiconductor substrate 32 field oxide film
33 : 포토다이오드 34 : 층간절연막33 photodiode 34 interlayer insulating film
35 : 금속배선 36 : 보호막35 metal wiring 36 protective film
37 : 칼라필터 38 : 평탄화층37 color filter 38 planarization layer
39 : 마이크로렌즈용 패턴 40 : 마이크로렌즈간 격리용 보조패턴39: pattern for microlenses 40: auxiliary pattern for isolation between microlenses
41 : 마이크로렌즈 42 : 돌출부41: microlens 42: protrusion
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030085799A KR20050052629A (en) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | Method for manufacturing of image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030085799A KR20050052629A (en) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | Method for manufacturing of image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050052629A true KR20050052629A (en) | 2005-06-03 |
Family
ID=37248498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030085799A KR20050052629A (en) | 2003-11-28 | 2003-11-28 | Method for manufacturing of image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20050052629A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685906B1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-02-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Fabrication method of cmos image sensor |
| KR100741911B1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | CMOS Image Sensor and Method for Fabricating The Same |
-
2003
- 2003-11-28 KR KR1020030085799A patent/KR20050052629A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100685906B1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-02-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Fabrication method of cmos image sensor |
| KR100741911B1 (en) * | 2005-12-29 | 2007-07-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | CMOS Image Sensor and Method for Fabricating The Same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5318325B2 (en) | Manufacturing method of image sensor | |
| KR100649034B1 (en) | Method for manufacturing of cmos image | |
| KR100504563B1 (en) | Method for fabricating an image sensor | |
| US7579209B2 (en) | Image sensor and fabricating method thereof | |
| JP2004235635A (en) | Method of manufacturing cmos image sensor | |
| KR100544018B1 (en) | Cmos image sensor with detecting light in backside of wafer and having enlarged photodiode | |
| KR100449951B1 (en) | Image sensor and method of fabricating the same | |
| KR100461977B1 (en) | CMOS image sensor and fabricating method of the same | |
| KR100700267B1 (en) | Image sensor and fabricating method of the same | |
| KR100817710B1 (en) | CMOS image sensor with microlense having different radius of curvature comparing to wavelength of incident light and the method of fabricating the same | |
| KR100748325B1 (en) | Image sensor | |
| KR20040059760A (en) | Fabricating method for CMOS image sensor with concavo-convex shape in over coating layer | |
| KR100790209B1 (en) | CMOS Image sensor | |
| KR100757653B1 (en) | Method for fabricating light detecting device | |
| KR20050052629A (en) | Method for manufacturing of image sensor | |
| KR100752162B1 (en) | Method for fabricating of COMS image sensor | |
| KR101001093B1 (en) | Cmos image sensor with improved characteristics and fabricating method of the same | |
| KR100873289B1 (en) | CMOS image sensor with reduced effect of oblinque incident light | |
| KR100399897B1 (en) | Method of fabrication for image sensor | |
| KR100760140B1 (en) | Method of fabricating microlense in CMOS image sensor | |
| KR20060076430A (en) | Light shielding layer and method of forming the same in cmos image sensor | |
| KR20060077064A (en) | Cmos image sensor with tripple microlens and method for manufacturing the same | |
| KR100672693B1 (en) | Method for fabricating an COMS image sensor | |
| KR20050039165A (en) | Fabricating method of cmos image sensor | |
| KR100660332B1 (en) | Method for fabricating image sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |