KR20050048979A - Window for detecting the end point of etching and etching apparatus having the same - Google Patents
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Abstract
공정 불량을 최소화 할 수 있는 식각 종말점 검출창 및 이를 채용하는 건식 식각 장치가 개시되어 있다. 건식 식각 장치에서 가공 챔버의 일측에 체결되고 식각 중에 방출되는 광을 투과시키기 위한 본체와, 상기 본체에 열적으로 결합되고 전원인가에 의해 발열 가능한 발열체를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 종말점 검출창을 제공한다. 따라서, 상기 식각 종말점 검출창에 건식 식각 공정 중에 발생하는 폴리머 등의 증착을 방지하여 식각 종말점 검출에 대한 오류로 인한 공정 불량을 최소화 할 수 있다.An etching endpoint detection window capable of minimizing process defects and a dry etching apparatus employing the same are disclosed. In the dry etching apparatus, an etching endpoint detection window is provided, comprising: a main body coupled to one side of the processing chamber and transmitting light emitted during etching, and a heating element thermally coupled to the main body and capable of generating heat by applying power. do. Therefore, process defects due to an error in the detection of the etching endpoint can be minimized by preventing deposition of a polymer generated during the dry etching process on the etching endpoint detecting window.
Description
본 발명은 식각 종말점 검출창 및 건식 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 식각을 수행할 때 방출되는 광을 투과시키기 위해 구비되는 식각 종말점 검출창 및 이를 채용하는 건식 식각 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an etching endpoint detection window and a dry etching device, and more particularly, to an etching endpoint detection window and a dry etching device employing the same are provided to transmit the light emitted when the etching.
최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 반도체 장치는 고속 구동과 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라, 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술인 막 형성 기술 또는 식각 기술 등과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to have a high capacity driving capability and a large storage capacity. In response to such demands, manufacturing techniques have been developed for semiconductor devices to improve the degree of integration, reliability, and response speed. Accordingly, the demand for microfabrication techniques, such as a film formation technique or an etching technique, which is a major technique for improving the integration degree of the semiconductor device, has also become strict.
상기 미세 가공 기술 중에서 상기 식각 기술은 기판 상에 형성시킨 막의 소정 부위를 제거하여 상기 막을 원하는 패턴으로 가공하는 기술로써, 0.15㎛ 이하의 디자인 룰(design rule)을 요구하는 최근의 반도체 장치의 제조에서는 플라즈마를 이용하는 건식 식각 장치를 주로 사용한다.Among the microfabrication techniques, the etching technique is a technique of removing a predetermined portion of a film formed on a substrate to process the film into a desired pattern, and in the manufacture of a recent semiconductor device requiring a design rule of 0.15 μm or less Dry etching apparatus using plasma is mainly used.
상기 건식 식각 장치는 플라즈마의 형성하는 방식에 따라 다소 차이는 있지만, 가공 챔버와, 상기 가공 챔버 내부에 배치되어 기판을 지지하기 위한 척과, 플라즈마 형성부를 포함한다. 또한, 상기 건식 식각 장치는 상기 기판 상에 형성된 소정의 막 을 정확한 위치까지 식각하기 위한 부재들을 더 포함한다. 상기 부재들은 식각 반응에 의해 방출되는 광을 투과시키는 식각 종말점 검출창과, 상기 식각 종말점 검출창을 투과한 광의 파장을 감지하여 식각 종말점을 검출하는 검출부를 포함한다. Although the dry etching apparatus is somewhat different depending on the method of forming the plasma, the dry etching apparatus includes a processing chamber, a chuck disposed inside the processing chamber to support a substrate, and a plasma forming unit. In addition, the dry etching apparatus further includes members for etching a predetermined film formed on the substrate to an accurate position. The members include an etching endpoint detection window for transmitting the light emitted by the etching reaction, and a detection unit for detecting the etching endpoint by sensing a wavelength of the light transmitted through the etching endpoint detection window.
상기와 같이 식각 중에 방출되는 광의 파장에 의해 식각 종말점을 검출하는 방법 및 장치의 예는 엥겔 등(Angell, et al.)에게 허여된 미합중국 특허 제5,288,367호에 개시되어 있다. An example of a method and apparatus for detecting an etch endpoint by the wavelength of light emitted during etching as described above is disclosed in US Pat. No. 5,288,367 to Engell, et al.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 종래 식각 장치의 식각 종말점 검출창을 설명하기로 한다.Hereinafter, an etching endpoint detection window of a conventional etching apparatus will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래 건식 식각 챔버와 체결된 식각 종말점 검출창의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an etching endpoint detection window coupled to a conventional dry etching chamber.
종래 식각 종말점 검출창(120)은 가공 챔버(110) 내의 측벽에 체결되며, 상기 가공 챔버(110) 내에서 방출되는 광이 상기 가공 챔버(110)의 외부로 투과되도록 구비된다. 상기 식각 종말점 검출창은 상기 광을 효과적으로 투과시키기 위해 전체가 석영(Qualtz) 재질로 형성된다. Conventional etching endpoint detection window 120 is fastened to the side wall in the processing chamber 110, the light emitted from the processing chamber 110 is provided to be transmitted to the outside of the processing chamber (110). The etch endpoint detection window is formed entirely of quartz material to effectively transmit the light.
상기 식각 종말점 검출창(120)은 브래킷(Bracket)(127)에 의해 가공 챔버(110)에 체결된다. 상기 식각 종말점 검출창(120)과 상기 브래킷(127) 사이에는 상기 가공 챔버 내부로부터 발생하는 플라즈마 상태의 반응 가스가 누출되지 않도록 오 링(O-ring)(128)과 같은 실링 부재가 개재된다. 상기 가공챔버(110) 내부에서 발생된 광은 뷰포터(131)와 광케이블(132)을 통해 검출부로 전달되며, 상기 검출부는 상기 광의 파장을 이용하여 식각 종말점을 검출한다.The etch endpoint detection window 120 is fastened to the processing chamber 110 by a bracket 127. A sealing member such as an O-ring 128 is interposed between the etching end point detection window 120 and the bracket 127 so that the reactive gas in the plasma state generated from the inside of the processing chamber does not leak. The light generated inside the processing chamber 110 is transmitted to the detector through the view porter 131 and the optical cable 132, and the detector detects an etching end point using the wavelength of the light.
그런데, 종래의 식각 종말점 검출창은 아래의 문제점이 있다. However, the conventional etching endpoint detection window has the following problems.
첫째, 건식 식각 공정 중에 발생하는 폴리머 등이 식각 종말점 검출창에 증착 됨에 따라, 식각 공정 중에 발생하는 플라즈마 광의 식각 종말점 검출창 투과시 그 세기의 감쇠를 초래하여 식각 종말점 검출의 오류를 야기할 수 있다. First, as polymers, etc., generated during the dry etching process are deposited in the etching endpoint detection window, the intensity of the plasma light generated during the etching process may be attenuated when the plasma endpoints pass through the etching endpoint detection window, thereby causing an error in the etching endpoint detection. .
둘째, 상기와 같은 식각 종말점 검출의 오류를 방지하기 위해 상기 식각 종말점 검출창을 자주 교체해야 하는 문제점이 발생되며, 이로 인해 반도체 장치의 생산성이 감소되며, 비용이 증가하는 단점이 있다. Second, there is a problem in that the etching endpoint detection window needs to be frequently replaced to prevent the error of the etching endpoint detection, thereby reducing the productivity of the semiconductor device and increasing the cost.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 식각 공정 시에 식각 종말점 검출에 대한 오류 발생을 최소화하는 식각 종말점 검출창을 제공하는데 있다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide an etching endpoint detection window for minimizing the occurrence of an error in the etching endpoint detection during the etching process.
본 발명의 제2 목적은 상술한 바와 같은 식각 종말점 검출창을 갖는 건식 식각 장치를 제공하는데 있다. A second object of the present invention is to provide a dry etching apparatus having an etching endpoint detection window as described above.
상기한 제 1목적을 달성하기 위하여 본 발명은 건식 식각 장치에서 가공 챔버의 일측에 체결되고 식각 중에 방출되는 광을 상기 가공 챔버의 외부로 투과시키기 위한 본체와, 상기 본체에 열적으로 결합되고 전원인가에 의해 발열 가능한 발열체를 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 종말점 검출창을 제공한다.In order to achieve the first object described above, the present invention relates to a main body coupled to one side of a processing chamber in a dry etching apparatus and configured to transmit light emitted during etching to the outside of the processing chamber, and thermally coupled to and applied to the main body. It provides an etching endpoint detection window comprising a heating element capable of generating heat by.
상기한 제 2목적을 달성하기 위하여 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판의 표면을 식각하여 설정된 패턴을 형성하기 위한 가공 챔버와, 상기 가공 챔버의 일측에 체결되고 상기 식각 중에 방출되는 광을 상기 가공 챔버의 외부로 투과시키기 위한 본체와 상기 본체에 열적으로 결합되고 전원인가에 의해 발열 가능한 발열체를 포함하는 식각 종말점 검출창과, 상기 식각 종말점 검출창을 투과한 광의 파장을 검사하여 식각 종말점을 검출하는 검출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조에 사용되는 건식 식각 장치를 제공한다. In order to achieve the above-described second object, the present invention provides a processing chamber for forming a pattern set by etching a surface of a substrate using plasma, and a light coupled to one side of the processing chamber and emitted during the etching. An etch endpoint detection window comprising a body for transmitting to the outside of the body and a heating element thermally coupled to the main body and capable of generating heat by application of power, and a detector configured to detect an etch endpoint by inspecting a wavelength of light transmitted through the etch endpoint detection window. Provided is a dry etching device used for the manufacture of a semiconductor device.
상기 구성을 갖는 식각 종말점 검출창은 식각을 수행할 시 발생되는 폴리머 등이 상기 식각 종말점 검출창의 표면에 증착되는 것을 최소화 할 수 있다. 따라서, 상기 식각 종말점 검출창 표면에 상기 폴리머 등의 증착됨으로써 상기 식각 종말점 검출창의 표면 오염으로 인해 식각 공정 중에 발생되는 플라즈마 광이 상기 식각 종말점 검출창을 투과할 때 상기 광 세기의 감쇠 현상을 방지하여 정확한 식각 종말점 검출을 가능하게 함으로써 공정 불량을 최소화 할 수 있다. The etching endpoint detection window having the above configuration can minimize the deposition of a polymer or the like generated on the surface of the etching endpoint detection window. Therefore, the deposition of the polymer on the surface of the etching endpoint detection window prevents attenuation of the light intensity when plasma light generated during the etching process due to the surface contamination of the etching endpoint detection window passes through the etching endpoint detection window. Process defects can be minimized by enabling accurate etch endpoint detection.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 및 도 3을 참조하면, 식각 종말점 검출창(120)은 플라즈마 상태의 반응가스를 사용하여 반도체 기판을 식각하는 도중에 방출되는 광을 상기 가공 챔버의 외부로 투과시키기 위한 본체(122)와, 상기 본체의 내부에 배치되며, 지그재그(Zigzag) 형상을 갖는 열선을 이용한 발열체(124)로 구성된다. 상기 식각 종말점 검출창(120)은 상기 발열체(124)에 전원을 공급할 수 있는 전원 공급부와 연결될 수 있도록 전원 연결부(127)를 더 포함한다.2 and 3, the etching endpoint detection window 120 includes a main body 122 for transmitting the light emitted during the etching of the semiconductor substrate using the reaction gas in a plasma state to the outside of the processing chamber; It is disposed inside the main body and is composed of a heating element 124 using a hot wire having a zigzag shape. The etching endpoint detection window 120 further includes a power connection unit 127 to be connected to a power supply unit capable of supplying power to the heating element 124.
상기와 같은 구성은, 상기 가공 챔버의 외부로 향하는 면에 열선이 위치하는 경우와 비교하여 열전도 경로가 단축됨으로 인해 상기 발열체에서 발생하는 열이 상기 본체(122)에 효과적으로 전도될 수 있고, 상기 가공 챔버의 내부로 향하는 면에 열선이 위치하는 경우와 비교하여 상기 가공 챔버 내에서 발생하는 플라즈마 이온 등에 의한 상기 발열체(124)의 훼손을 방지하기 위한 것이다. As described above, the heat generated from the heating element can be effectively conducted to the main body 122 due to the shortening of the heat conduction path as compared with the case where the heating wire is located on the surface facing outward of the processing chamber, and the processing This is to prevent damage to the heating element 124 due to plasma ions generated in the processing chamber as compared with the case where the heating wire is located on the surface facing the inside of the chamber.
상기 발열체(124)에서 방출되는 열이 상기 본체(122)에 전도됨에 따라 건식 식각 공정 중에 발생하는 폴리머 등이 상기 본체(122)에 증착되는 현상을 방지하게 된다. 이로써 건식 식각공정 중에 발생하는 플라즈마 광의 세기의 감쇠로 인하여 검출부에서 발생할 수 있는 식각 종말점 검출의 오류를 방지할 수 있다.As the heat emitted from the heating element 124 is conducted to the main body 122, the polymer or the like generated during the dry etching process is prevented from being deposited on the main body 122. As a result, it is possible to prevent an error in the etching endpoint detection that may occur in the detector due to attenuation of the intensity of the plasma light generated during the dry etching process.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 식각 장치(100)를 나타내는 개략적인 구성도이다. 4 is a schematic diagram illustrating a dry etching apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 상기 건식 식각 장치(100)는 기판(10) 상에 형성되어 있는 막들을 식각하여 설정된 패턴을 형성하는 공정을 수행하기 위한 가공 챔버(110)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the dry etching apparatus 100 includes a processing chamber 110 for performing a process of forming a set pattern by etching films formed on the substrate 10.
상기 가공 챔버(110) 내에는 상기 식각을 수행하기 위한 기판(10)이 놓여지는 척(112)이 구비된다. 그리고, 가스 공급부(미도시)로부터 상기 가공 챔버로 공급되는 식각 가스를 플라즈마로 형성하는 플라즈마 형성부(114)가 구비된다. 상기 플라즈마 형성부(114)는 가공 챔버(110)내의 상측에 배치되는 플레이트 형태의 전극(114a)과, 상기 전극(114a)으로 파워를 인가하는 R.F 파워 제공부(114b)로 구성된다. 따라서 상기 가공 챔버에 제공되는 식각 가스를 플라즈마 상태로 형성할 수 있다. 또한, 상기 척(112)으로 바이어스 파워를 인가시키는 바이어스 파워 제공부(115)를 더 구비하여, 상기 플라즈마에 방향성을 제공하여 상기 식각의 효율성을 높일 수 있다. The processing chamber 110 is provided with a chuck 112 on which the substrate 10 for performing the etching is placed. In addition, a plasma forming unit 114 for forming an etching gas supplied from the gas supply unit (not shown) to the processing chamber into plasma is provided. The plasma forming unit 114 includes a plate-shaped electrode 114a disposed above the processing chamber 110 and an R.F power providing unit 114b for applying power to the electrode 114a. Therefore, the etching gas provided to the processing chamber may be formed in a plasma state. In addition, a bias power providing unit 115 for applying a bias power to the chuck 112 may be further provided to increase the efficiency of the etching by providing directionality to the plasma.
또한, 상기 건식 식각 장치는 가공 챔버(110) 일측에 설치되고, 상기 식각 중에 방출되는 광을 상기 가공 챔버(110)의 외부로 투과시키는 식각 종말점 검출창(120)과, 상기 식각 종말점 검출창을 통해 투과되는 광의 파장을 검출하는 검출부(130)를 더 구비한다. In addition, the dry etching apparatus is installed on one side of the processing chamber 110, the etching end point detection window 120 for transmitting the light emitted during the etching to the outside of the processing chamber 110 and the etching end point detection window It further includes a detector 130 for detecting the wavelength of the light transmitted through.
상기 식각 종말점 검출창(120)은 상술한 바와 같이, 식각 중에 발생한 광을 투과시키기 위한 본체(122)와, 열의 효과적인 전달 및 상기 가공 챔버 내에서 발생하는 플라즈마 이온 등으로부터 발열체를 보호하기 위해 상기 본체의 내부에 지그재그(Zigzag) 형상의 열선으로 발열체(124)로 구성된다. 상기 발열체가 열을 방출할 수 있도록 하기 위하여 전원을 공급할 수 있는 전원 공급부(126)를 더 포함한다.As described above, the etching end point detection window 120 includes a main body 122 for transmitting light generated during etching, and a main body for protecting the heating element from effective heat transfer and plasma ions generated in the processing chamber. It is composed of a heating element 124 in a zigzag-shaped hot wire inside the. It further includes a power supply unit 126 that can supply power to enable the heating element to release heat.
상기 검출부는 상기 광의 파장을 검출하여 상기 식각이 이루어지는 막의 식각 종말점(end point)을 검출(detecting)하는 기능을 갖는다. The detection unit has a function of detecting an etching end point of the film on which the etching is performed by detecting the wavelength of the light.
도 5 는 도 4에 도시한 검출부(130)를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다. FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the detector 130 illustrated in FIG. 4.
도시된 바와 같이, 상기 검출부(130)는 광케이블(132), 광학 필터(134), 분광기(136) 및 PMT(138, Photo Multiplier Tube)를 포함한다.As shown, the detector 130 includes an optical cable 132, an optical filter 134, a spectrometer 136, and a PMT 138 (Photo Multiplier Tube).
상기 광케이블(132)은 상기 가공 챔버에 체결되어 있는 식각 종말점 검출창(120)과 연결되며, 상기 식각 종말점 검출창(120)을 통해 투과된 광을 PMT(138)로 전달한다. The optical cable 132 is connected to the etching endpoint detection window 120 fastened to the processing chamber, and transmits the light transmitted through the etching endpoint detection window 120 to the PMT 138.
상기 광학 필터(134)는 상기 광케이블(132) 상에 설치되며, 상기 검출에 사용되는 파장 대역의 광만을 통과시킨다. The optical filter 134 is installed on the optical cable 132 and passes only light of a wavelength band used for the detection.
상기 분광기(136)는 상기 광학 필터(134)를 통과한 광을 각 파장별로 분광시킨다. The spectrometer 136 spectroscopy the light passing through the optical filter 134 for each wavelength.
상기 PMT(138)는 상기 분광기(136)를 통과한 광에서 특정 파장을 증폭시킨 후 전기적 신호로 변환시키며, 상기 전기적 신호의 전압 변화를 분석하여 식각 종말점을 검출한다. 즉, 식각하고자 하는 소정의 막이 전부 식각되면 하부막의 식각이 수행된다. 상기 하부막의 식각이 수행되면, 상기 식각 시에 방출되는 광의 파장이 이전의 막이 식각될 때와는 달라진다. 그 결과 상기 PMT(138)에서 전압의 변화가 생기므로, 상기 전압의 변화에 의해 식각 종말점을 검출할 수 있는 것이다.The PMT 138 amplifies a specific wavelength in the light passing through the spectroscope 136 and converts the wavelength into an electrical signal. The PMT 138 analyzes the voltage change of the electrical signal to detect an etching end point. That is, when all of the predetermined films to be etched are etched, the lower layer is etched. When the lower layer is etched, the wavelength of light emitted during the etching is different from when the previous layer is etched. As a result, since the voltage changes in the PMT 138, the etching end point can be detected by the change in the voltage.
상기 설명한 바와 같은 구성을 갖는 식각 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 방법을 설명하고자 한다. It will be described a method of forming a pattern on a substrate using an etching apparatus having a configuration as described above.
먼저, 다층막이 형성되어 있는 기판을 척의 상부면에 올려놓는다. 상기 최상층 막의 상부면에는 식각 마스크로서 포토레지스트 패턴이 형성되어 있다. 그리고, 가공 챔버를 상기 최상층 막을 식각하기 위한 공정 분위기로 조성한다. 즉, 가공 챔버내에 식각 가스를 제공하고, 상기 가공 챔버의 상부 전극에 파워를 인가한다. 그리고 상기 척에도 바이어스 파워를 인가하며, 상기 발열체의 열발생을 위하여 전원발생부에도 전원을 인가한다. 또한, 가공 챔버 내부에 소정의 압력 및 온도를 갖도록 조성한다. First, the substrate on which the multilayer film is formed is placed on the upper surface of the chuck. A photoresist pattern is formed on the upper surface of the uppermost layer as an etching mask. The processing chamber is then formed in a process atmosphere for etching the top layer film. That is, the etching gas is provided in the processing chamber, and power is applied to the upper electrode of the processing chamber. A bias power is also applied to the chuck, and power is also applied to a power generation unit for heat generation of the heating element. In addition, it is formulated to have a predetermined pressure and temperature inside the processing chamber.
그러면, 상기 식각 가스가 해리되어 플라즈마 상태로 형성되고, 상기 플라즈마 상태의 플라즈마 이온들이 기판 상의 막과 반응하여 식각이 수행된다. 상기 식각의 수행 시에 상기 막과 상기 플라즈마 이온의 반응에 의해 발생되는 반응 부산물로부터 발생된 광은 상기 식각 종말점 검출창을 통해 상기 검출부로 전달된다. 상기 광은 상기 플라즈마 이온과 반응하는 막의 종류에 따라 그 파장이 변화되며, 상기 검출부는 상기 광의 파장변화를 이용하여 식각 종말점을 검출한다. Then, the etching gas is dissociated to form a plasma state, and etching is performed by plasma ions in the plasma state reacting with a film on a substrate. When the etching is performed, light generated from the reaction by-product generated by the reaction between the film and the plasma ions is transmitted to the detection unit through the etching endpoint detection window. The wavelength of the light is changed according to the type of the film reacting with the plasma ions, and the detector detects an etching end point by using the wavelength change of the light.
상기 식각 종말점 검출창은, 식각 중에 발생한 광을 투과시키기 위한 본체와, 상기 본체의 내부에 배치되며 지그재그(Zigzag) 형태를 갖는 발열체를 포함하며, 상기 발열체의 발열에 의해 상기 본체와 본체 주변의 온도를 증가시킴에 따라, 식각 공정 중에 발생하는 폴리머 등이 상기 본체의 표면에 증착되는 것을 최소화 할 수 있다. 이에 따라 식각공정 도중 발생하는 플라즈마 광이 식각 종말점 검출창을 용이하게 투과될 수 있도록 하여 상기 플라즈마 광의 세기 감쇠를 방지할 수 있다. 또한, 식각 종말점 검출창의 교환 주기가 증가되어 반도체 장치의 제조 시에 생산성 증가 및 원가 감소의 효과가 있다. The etching endpoint detection window may include a main body for transmitting light generated during etching, and a heating element disposed inside the main body and having a zigzag shape, and the temperature of the heating element and the temperature around the main body is generated by the heating element. By increasing the, it is possible to minimize the deposition of the polymer or the like generated during the etching process on the surface of the body. Accordingly, the plasma light generated during the etching process can be easily transmitted through the etching endpoint detection window, thereby preventing the intensity decay of the plasma light. In addition, the replacement period of the etching endpoint detection window is increased, thereby increasing productivity and reducing costs in manufacturing a semiconductor device.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 식각 장치의 일측에 체결되는 식각 종말점 검출창에 열을 제공하는 발열체를 포함하게 하여 상기 발열체에서 발생하는 열이 상기 식각 종말점 검출창에 전도되어 상기 식각 공정 중에 발생하는 폴리머 등이 상기 식각 종말점 검출창 상에 증착 됨을 방지하여 식각 공정 중에서 발생되는 플라즈마 광의 세기가 상기 식각 종말점 검출창을 통과시 그 세기가 감쇠되어 식각 종말점 검출의 오류를 방지할 수 있다. As described above, according to the present invention, a heating element is provided to provide heat to the etching end point detection window fastened to one side of the etching apparatus, so that heat generated in the heating element is conducted to the etching end point detection window to be generated during the etching process. By preventing the deposition of a polymer or the like on the etch endpoint detection window, the intensity of plasma light generated during the etching process passes through the etch endpoint detection window so that the intensity is attenuated to prevent an error in the etch endpoint detection.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
도 1은 종래 건식 식각 장치 챔버와 이에 체결되어 있는 식각 종말점 검출창을 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a conventional dry etching apparatus chamber and an etching end point detection window coupled thereto.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 종말점 검출창을 도시한 정면도이다. 2 is a front view illustrating an etching endpoint detection window according to an embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 식각 종말점 검출창의 측면도이다.3 is a side view of the etch endpoint detection window shown in FIG. 2.
도 4는 도 2에 도시된 식각 종말점 검출창을 갖는 건식 식각 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a dry etching apparatus having an etching endpoint detection window illustrated in FIG. 2.
도 5는 도 4에 도시한 검출부를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.FIG. 5 is a schematic configuration diagram for describing the detector illustrated in FIG. 4.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on main parts of drawing
110 : 가공 챔버 114 : 플라즈마 발생부 110: processing chamber 114: plasma generating unit
120 : 식각 종말점 검출창 122 : 본체 120: etching end point detection window 122: main body
124 : 발열체 130 : 식각 종말점 검출부 124: heating element 130: etching endpoint detection unit
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US9564295B2 (en) | 2014-11-04 | 2017-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Diagnosis system for pulsed plasma |
-
2003
- 2003-11-20 KR KR1020030082736A patent/KR20050048979A/en not_active Application Discontinuation
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