KR20050044501A - Anti-reflective coatings for photolithography and methods of preparation thereof - Google Patents

Abstract

Anti-reflective coating materials for ultraviolet photolithography include at least one absorbing compound and at least one material modification agent, such as at least one porogen, at least one high- boiling solvent, at least one capping agent, at least one leveling agent, at least one catalyst, at least one replacement solvent, at least one pH tuning agent, and/or a combination thereof that are incorporated into inorganic-based materials or inorganic compositions and/or compounds. Suitable absorbing compounds are those that absorb around wavelengths such as 365 nm, 248 nm, 193 nm and 157 nm that may be used in photolithography.

Description

포토리소그래피용 무반사 코팅 및 이의 제조 방법{ANTI-REFLECTIVE COATINGS FOR PHOTOLITHOGRAPHY AND METHODS OF PREPARATION THEREOF}Anti-reflective coating for photolithography and its manufacturing method {ANTI-REFLECTIVE COATINGS FOR PHOTOLITHOGRAPHY AND METHODS OF PREPARATION THEREOF}

본 발명은 일반적으로 무반사 코팅 재료에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 코팅재료를 생산하는 방법과 포토리소그래피용 무반사 층들에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates generally to antireflective coating materials, and more particularly to methods of producing coating materials and antireflective layers for photolithography.

더 빠른 수행을 위한 요구조건들을 만족시키기 위하여 복합회로 장치의 특성치수들은 지속적으로 감소되어 왔다. 더 작은 크기를 갖는 장치들을 생산하는 것은 전통적으로 반도체 제조에서 사용되는 많은 과정들 중에 새로운 도전들을 제공한다. 이러한 제조과정 중에서 가장 중요한 것은 포토리소그래피이다.In order to meet the requirements for faster performance, the characteristic dimensions of the composite circuit device have been continuously reduced. Producing devices with smaller sizes presents new challenges among the many processes traditionally used in semiconductor manufacturing. The most important of these manufacturing processes is photolithography.

포토리소그래피에 의하여 생산된 패턴의 미세한 변화들은 반도체 웨이퍼 아래에 놓이는 층으로부터 반사되는 빛의 간섭이 원인이 될 수 있다는 것은 오랜동안 인식되어 왔다. 상기 아래에 놓이는 층의 토포그래피에 의한 포터레지스트 두께의 변화들은 또한 미세한 변화를 이끌어 낸다. 포토레지스트 층 아래에 도포되는 무반사 코팅들은(ARC) 발사되는 빔의 반사로부터 간섭을 막기 위하여 사용되어 왔다. 또한, 무반사 코팅들은 상기 웨이퍼 토포그래피를 부분적으로 평면화시키고, 상기 포토레지스트 두께가 더욱 일정하기 때문에 단계적으로 미세한 변화를 향상시키는데 도움을 준다. It has long been recognized that minute changes in the pattern produced by photolithography can be caused by interference of light reflected from layers underlying the semiconductor wafer. Changes in porterresist thickness due to the topography of the underlying layer also lead to minor changes. Anti-reflective coatings applied below the photoresist layer (ARC) have been used to prevent interference from the reflection of the emitted beam. In addition, antireflective coatings partially planarize the wafer topography and help to improve the microscopic step by step because the photoresist thickness is more constant.

유기 중합체 필름들, 특히 i-라인(365 nm)과 g-라인(436 nm)에서 흡수하는 것들은 전통적으로 포토레지스트들을 노출시키는데 사용되었다. 그리고, 최근에는 157 nm, 193 nm, 248 nm 의 파장들에서 적용되어 왔거나, 무반사 코팅들로서 시험되어 지고 있다. 그러나, 유기 무반사 코팅들이 유기 포토레지스트들과 많은 화학적 특징들을 분담한다는 사실은 사용가능한 프로세서 시퀀스들을 제한할 수 있다. 또한, 유기 및 무기 무반사 코팅들을 모두 포함하는 무반사 코팅들은 포토레지스트 층들과 섞일 수 있다. 유기 및 무기 무반사 코팅들은 충분히 굽거나 교정되지 않으면, 포토레지스트 층들과 섞일 수 있다. Organic polymer films, especially those that absorb at the i-line (365 nm) and g-line (436 nm), have traditionally been used to expose photoresists. And recently it has been applied at wavelengths of 157 nm, 193 nm, 248 nm, or has been tested as antireflective coatings. However, the fact that organic antireflective coatings share many chemical features with organic photoresists can limit the processor sequences available. Also, antireflective coatings, including both organic and inorganic antireflective coatings, can be mixed with the photoresist layers. Organic and inorganic antireflective coatings can mix with photoresist layers if not sufficiently baked or corrected.

서로 섞이는 것을 방지하기 위한 한가지 해결책은 유기 무반사 코팅들의 부가적인 구성요소로서 열경화성의 바인더들(binders)을 제공하는 것이다. 이러한 실예는 Flaim 등에게 허여된 U.S. Patent No. 5,693,691에 기재되어 있다. 염료들은 또한 유기 무반사 코팅들 뿐만아니라 선택적으로 부가되는 부가물들 즉, 젖은 작용물들, 접착 조촉매들, 방부제들, 가소제들과 혼합된다. 이러한 실예는 Arnold등에게 허여된 U.S. Patent No.4,910,122에 기재되어 있다. 서로 섞이는 것을 방지하기 위한 또 다른 시도는 Inguich 등에게 허여된 U.S. Patent No.6,268,108에서 발견된다. 그러나, Inguchi의 특허에서 발견된 무반사 코팅을 형성하기위한 합성물들은 산(acid)을 생산하기 위하여 액틴 광선이 발사되어야 한다. 이때, 상기 산(acid)은 순차적으로 가교 반응을 활성화시킨다. 비록 이러한 선행하는 특허들이 서로 섞이는 문제점들을 언급하고 있더라도, 커플된 무반사 코팅층 때문에 상기 레지스트 위에서 86 ~ 90°정도의 균일성 부족 문제는 선행기술에서 언급되지 않았다. One solution to avoid mixing with each other is to provide thermoset binders as an additional component of organic antireflective coatings. This example is given in U.S. Patent No. 5,693,691. The dyes are also mixed with organic antireflective coatings as well as additives which are optionally added, ie wet agents, adhesion promoters, preservatives, plasticizers. This example is given by U.S. Patent No. 4,910,122. Another attempt to prevent intermingling is given by U.S. It is found in Patent No. 6,268,108. However, composites for forming antireflective coatings found in Inguchi's patent require actin rays to be emitted to produce acid. In this case, the acid sequentially activates a crosslinking reaction. Although these preceding patents address intermixing problems, the lack of uniformity on the resist of about 86-90 ° above the resist is not addressed in the prior art because of the coupled antireflective coating layer.

포토레지스트와 무반사 코팅들은 또한 어느 정도 서로 영향을 줄 수 있다. 상기 무반사 코팅과 상기 레지스트 재료의 화학적 특징들은 상기 레지스트를 한때 상기 레지스트를 현상시켜온 일종의 패턴인 "폴 오버(fall over)"로 이끌 수 있다. 다시 말하면, 상기 패턴의 레지스트 측면부는 포토레지스트의 현상 후에 무반사 코팅에 대하여 약 90°정도의 각을 유지할 수 없다. 대신에 상기 레지스트는 상기 무반사 코팅과 120° 또는 80°정도의 각을 가질 것이다. 이러한 결함들은 포토레지스트 재료들과 무반사 코팅들이 화학적으로, 물리적으로 또는 기계적으로 반드시 혼용할 수 없다는 것을 지시한다.Photoresist and antireflective coatings may also affect each other to some extent. The antireflective coating and the chemical characteristics of the resist material can lead the resist to "fall over", which is a kind of pattern that has been developed once. In other words, the resist side portions of the pattern cannot maintain an angle of about 90 ° with respect to the antireflective coating after development of the photoresist. Instead, the resist will have an angle of 120 ° or 80 ° with the antireflective coating. These defects indicate that photoresist materials and antireflective coatings cannot necessarily be mixed chemically, physically or mechanically.

포토레지스트들과 무반사 코팅들은 표준이하의, 받아들일 수 없는 에칭 선택성 및/혹은 스트리핑(stripping) 선택성을 가질 수 있다. 조잡한 에칭 선택성 및/혹은 스트리핑(stripping) 선택성은 필름에 대하여 낮은 에칭율로 이끌 수 있다. 조잡한 에칭 선택성은 또한 상기 에칭 단계를 통한 프린팅 단계로부터 임계 치수의 조잡한 트랜스퍼(transfer)로 이끌수 있다. 치환 그룹을 가지는 매우 흡입성있는 물질들에 의해 제공됨으로써 에칭율을 개선하는 시도들이 이루어져 왔다. 상기 치환 그룹은 2001년 4월 6일에 공개된 일본 특허 출원 No. 2001-92122에서 보여진 바와 같이 특정 실란(silane) 합성물에 합성되는 실란(silane)을 응축시킬수 있다. 그러나, 이러한 반응 합성물에서 얻어지는 에칭 선택성은 대부분의 포토레지스트와 무반사코팅에 충분하지 않고, 불필요할 수도 있는 부가적인 화학적 반응을 요구한다.Photoresists and antireflective coatings may have substandard, unacceptable etch selectivity and / or stripping selectivity. Coarse etch selectivity and / or stripping selectivity can lead to low etch rates for the film. Coarse etch selectivity can also lead to coarse transfer of critical dimensions from the printing step through the etch step. Attempts have been made to improve the etch rate by being provided by highly inhalable materials having substitution groups. The substitution group is described in Japanese Patent Application No. 1 published on April 6, 2001. As shown in 2001-92122, it is possible to condense the silanes synthesized into certain silane compounds. However, the etch selectivity obtained in such reaction compounds is not sufficient for most photoresists and antireflective coatings and requires additional chemical reactions that may be unnecessary.

또한, 포토레지스트와 무반사코팅들은 필 바이어스(fill bias)와 표면의 어떤 평면화가 심각하게 손상된 지점의 구조에 있어서 보이딩(voiding)의 어려움을 가끔 가지고 있다. 가끔은, 에칭 선택성을 증가시키거나 필 바이어스(fill bias)및 보이딩(voiding)을 최소화 하려는 두가지 목적은 서로 상충된다. 이러한 사실은 출원들의 목적을 이해하고 검토해야하는 중요한 이유이다. 또한, 정렬을 통하여 충분히 채우고 평면화하는 것은 비교적 두꺼운 무반사 코팅이 존재하는 것을 요구한다. 만약 ARC 코팅이 유기적이면, 그러한 두꺼운 코팅은 쌓여진 필름들을 통하여 임계치수를 형성하는 패턴의 정확한 트랜스퍼(transfer)를 더욱 손상시킬 것이다.In addition, photoresist and antireflective coatings often have difficulty voiding in the structure of the fill bias and the point where any planarization of the surface is severely damaged. Sometimes, the two objectives of increasing etch selectivity or minimizing fill bias and voiding are at odds with each other. This is an important reason to understand and review the purpose of the applications. In addition, full filling and planarization through alignment requires the presence of a relatively thick antireflective coating. If the ARC coating is organic, such a thick coating will further damage the correct transfer of the pattern to form a critical dimension through the stacked films.

무반사 층으로 사용되어 질 수있는 재료들의 종류는 염료를 포함하고 있는 스핀-온-글래스(spin-on-glass(SOG))합성물이다. Yau 등에 의한 U.S. Patent No.4,587,138 은 약 1% 중량이 포함된 스핀-온-글래스(spin-on-glass)와 혼합된 베이직 옐로우(basic yellow) #11과 같은 염료를 공개하고 있다.One type of material that can be used as an antireflective layer is a spin-on-glass (SOG) composite containing dyes. U.S. by Yau et al. Patent No. 4,587,138 discloses a dye such as basic yellow # 11 mixed with spin-on-glass containing about 1% by weight.

Allman등에 의한 U.S. Patent No. 5,100,503 은 TiO₂, Cr₂O₇, MoO₄ , 혹은 ScO₄, 그리고 접착 보촉매와 같은 무기 염료를 포함하고 있는 교차 연결된 폴리오가노실록산(polyorganosiloxane)을 공개하고 있다. Allman은 부가적으로 스핀-온-글래스(spin-on-glass) 합성물들은 평면화하는 층의 역할을 한다는 것을 나타내준다. 그러나, 공개된 상기 스핀-온-글래스(spin-on-glass), 염료 화합물들은 강렬한 자외선, 특히 248 과 298 nm, 소형 크기의 장치들을 생산하기 위해 사용되고 있는 광원들에 노출되기에 적합하지 않다. 또한, 모든 염료들이 임의의 스핀-온-글래스(spin-on-glass) 합성물에 쉽게 혼합될 수 있는 것은 아니다. 비록 이러한 무반사 코팅들이 화학적으로 앞에서 언급된 유기 무반사 코팅들과 다를지라도, 커플된 레지스트 층들은 현상이 된 후에 여전히 '폴링 오버(falling over)'로 곤란을 겪을 수 있다. 이러한 곤란은 ARC 층과 레지스트 층의 화학적, 물리적, 기계적 부적합성에 바탕을 둔 것과 같다. 그리고 이것은 레지스트 재료들과 무반사 코팅들을 커플시키기 위해 노력하는데 있어서 일반적인 문제이다.US Patent No. by Allman et al. 5,100,503 is TiO ₂ , Cr ₂ O ₇ , MoO ₄ , or ScO ₄ , And it discloses a cross-linked polyorganosiloxane containing inorganic dyes such as adhesive promoters. Allman additionally indicates that spin-on-glass composites act as planarizing layers. However, the disclosed spin-on-glass, dye compounds are not suitable for exposure to intense ultraviolet light, especially light sources used to produce devices of 248 and 298 nm, small size. In addition, not all dyes can be easily mixed into any spin-on-glass composite. Although these antireflective coatings are chemically different from the aforementioned organic antireflective coatings, coupled resist layers may still suffer from 'falling over' after development. This difficulty is the same as based on the chemical, physical and mechanical incompatibility of the ARC layer and the resist layer. And this is a common problem in trying to couple resist materials and antireflective coatings.

현상을 할때 무반사 코팅들은 a)자외선 스펙트럼 영역에서 강하고, 일정하게 흡수하고; b) 레지스트 재료를 '폴링 오버(falling over)'으로 부터 방지하고, 의도한 레지스트 선을 바깥으로 확장시키거나, 안쪽으로 수축시키며; 그리고 c) 포토레지스트 현상자들과 스핀-온-글래스(spin-on-glass) 무반사 코팅들의 생산방법들에게 영향을 받지않는다. Baldwin 등은 전통적인 무반사 코팅들보다 우수한 여러가지 무반사 코팅들을 설명했다. 상기 재료들과 코팅들은 미국에서 등록된 특허들 2001년 7월 31일에 등록된 6,268,457; 2002년 4월 2일에 등록된 6,365,765; 2002년 4월 9일에 등록된 6,368,400; 미국에서 특허출원된 일련번호들: 2000년 1월 26일에 출원된 09/491166; 2001년 11월 5일에 출원된 10/012651; 2001년 11월 5일에 출원된 10/012649; 2001년 11월 15일에 출원된 10/001143; PCT출원된 일련번호들: 2000년 6월 8일에 출원된 PCT/US00/15772; 2001년 7월 12일에 출원된 WO 02/06402; 2001년 11월 15일에 출원된 PCT/US01/45306; 2002년 10월 31일에 출원되어 진행중인 PCT 출원(일련번호는 아직 할당되지 않음); 유럽 특허 출원의 일련번호들; 2000년 6월 6일에 출원된 00941275.0; 그리고 2001년 7월 17일에 출원된 01958953.0에서 발견되었다. 상기 사건들은 모두 전체적으로 참고문헌에 의해 인정되고 수록되어 있다. Honeywell Elecronics Materials^TM 은 낮은 절연성의 일정한 메틸페닐실세스퀴옥산 화합물로 구성되는 스핀-온 폴리머(spin-on polymer)인 ACCUSSPN? 720을 생산하고 있다. 이러한 상품의 유기 함유량은 대략 47%이고, 엔-프로폭시프로판올(n-propoxypropanol)같은 높은 플래시포인트(flashpoint)용매에서 공식화 된다. 193 nm 파장에서 'n'과 'k'의 특성값들은 각각 대략 1.9 와 0.6을 가진다. 그러나, 이러한 재료들 모두를 가지고 에칭 선택성 및/또는 스트리핑(stripping) 선택성을 향상시키고 필 바이어스(fill bias)를 최소화 하기 위하여 언급된 재료들, 코팅들과 필름들을 수정할 수 있는 것은 유익한 일이다.Anti-reflective coatings when developing: a) are strong and consistently absorb in the ultraviolet spectral region; b) prevent the resist material from 'falling over' and extend the intended resist line outward or shrink inwardly; And c) unaffected by methods of producing photoresist developers and spin-on-glass antireflective coatings. Baldwin et al. Described several antireflective coatings that are superior to traditional antireflective coatings. The materials and coatings are described in US Pat. Nos. 6,268,457, filed Jul. 31, 2001; 6,365,765, registered April 2, 2002; 6,368,400, registered April 9, 2002; Serial numbers filed in the US: 09/491166, filed Jan. 26, 2000; 10/012651, filed November 5, 2001; 10/012649, filed November 5, 2001; 10/001143, filed November 15, 2001; PCT Applied Serial Numbers: PCT / US00 / 15772, filed June 8, 2000; WO 02/06402, filed July 12, 2001; PCT / US01 / 45306, filed November 15, 2001; An ongoing PCT application filed on October 31, 2002 (serial number not yet assigned); Serial numbers of European patent applications; 00941275.0, filed June 6, 2000; And 01958953.0, filed July 17, 2001. All of these events are acknowledged and listed by reference in their entirety. Honeywell Elecronics Materials ^™ is an ACCUSSPN® spin-on polymer consisting of a low insulating constant methylphenylsilsesquioxane compound. Produce 720. The organic content of these products is approximately 47% and is formulated in high flashpoint solvents such as n-propoxypropanol. At 193 nm, the characteristic values of 'n' and 'k' are approximately 1.9 and 0.6, respectively. However, it is beneficial to be able to modify the materials, coatings and films mentioned with all of these materials to improve etch selectivity and / or stripping selectivity and minimize fill bias.

그러므로, 흡수성 있는 무반사 코팅과 리소그라피 재료 a)자외선 스펙트럼 영역에서 강하고 일정하게 흡수하고, b) 레지스트 재료를 '폴링 오버(falling over)'으로 부터 방지할 수 있으며, 의도한 레지스트 선을 바깥으로 확장시키거나, 안쪽으로 수축시키며; c) 언급된 포토레지스트 현상자들과 스핀-온-글래스(spin-on-glass) 무반사 코팅들의 생산방법들에게 영향을 받지 않을 것이며; d)에칭 선택성 및/또는 스트리핑(stripping) 선택성을 증가시키는 목적들을 만족시킬수 있으며, 그리고 e) 층진 재료들, 전기적 구성요소들 그리고 반도체 구성요소들의 생산을 향상시키는데 부적합할 수 있는 구조들의 보이딩(voiding)과 필 바이어스(fill bias)를 최소화 시키는 목적들을 만족시킬 수 있다.Therefore, the absorptive antireflective coating and lithography material a) is strong and consistently absorbed in the ultraviolet spectral region, b) prevents the resist material from 'falling over' and extends the intended resist line outwards. Or contract inwardly; c) will not be affected by the mentioned photoresist developers and methods of producing spin-on-glass antireflective coatings; d) satisfies the objectives of increasing etching selectivity and / or stripping selectivity, and e) voiding structures that may be unsuitable for improving the production of layered materials, electrical components and semiconductor components. The objectives of minimizing voiding and fill bias can be met.

자외선 포토리소그래피용 무반사 코팅 물질은 적어도 하나의 무기계 화합물, 적어도 하나의 흡수 화합물 및 적어도 하나의 물질 개질제를 포함한다. 적어도 하나의 물질 개질제는 상기 코팅 물질을 개질할 수 있는 화합물 또는 조성물을 포함할 수 있어, 에칭 선택성 및/또는 스트립 선택성을 향상시키거나 또는 충전 바이어스를 최소화시키는 것과 같은 최종 필름의 포토리소그래픽, 적합성 또는 물리적 특성을 향상시키도록 할 수 있다. 상기 적어도 하나의 물질 개질제는 적어도 하나의 포로젠(porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent), 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 치환 용매(replacement solvent), 적어도 하나의 캡핑제(capping agent), 레진계 물질과 같은 적어도 하나의 접착 증진제 및/또는 그 조합을 포함할 수 있으며, 이들은 상기 무기계 물질 또는 화합물에 혼합된다. 레진계 접착 증진제는 페놀릭-함유 레진, CRJ-406 또는 HRJ-11040 (둘다 쉐넥태디(Schenectady) 인터네셔날사에서 제조됨)와 같은 노볼락(novolac) 레진, 유기 아크릴레이트 레진 및/또는 스티렌 레진을 포함할 수 있다. 다른 접착 증진제는 폴리디메틸실록산 물질, 에톡시 또는 하이드록시-함유 실란 모노머, 비닐-함유 실란 모노머, 아크릴화된 실란 모노머, 또는 실릴 하이드라이드를 포함할 수 있다. The antireflective coating material for ultraviolet photolithography comprises at least one inorganic compound, at least one absorbent compound and at least one material modifier. At least one material modifier may comprise a compound or composition capable of modifying the coating material, such that photolithographic, suitability of the final film, such as to improve etch selectivity and / or strip selectivity or to minimize charge bias Or to improve physical properties. The at least one substance modifier is at least one porogen, at least one high-boiling solvent, at least one catalyst, at least one leveling agent, at least one pH regulator, at least one substitution At least one adhesion promoter, such as a replacement solvent, at least one capping agent, a resin-based material, and / or combinations thereof, which are mixed with the inorganic material or compound. Resin-based adhesion promoters include novolac resins, organic acrylate resins and / or styrene resins such as phenolic-containing resins, CRJ-406 or HRJ-11040 (both manufactured by Schenectady International). It may include. Other adhesion promoters may include polydimethylsiloxane materials, ethoxy or hydroxy-containing silane monomers, vinyl-containing silane monomers, acrylated silane monomers, or silyl hydrides.

상기 무기 물질 및 무기계 화합물은 실리콘계, 갈륨계, 아세닉계, 보론계, 또는 그와 같은 무기 원소 및 물질의 조합과 같은 무기 모이어티를 포함하는 어떤 화합물, 물질 또는 조성물을 포함할 수 있다. 몇몇 의도된 무기 물질은, 메틸실록산, 메틸실세스퀴옥산, 페닐실록산, 페닐실세스퀴옥산, 디메틸실록산, 디페닐실록산, 메틸페닐실록산, 메틸페닐실세스퀴옥산, 실리케이트 폴리머 및 그 혼합물과 같은 스핀-온 글래스(spin-on glass) 물질을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 사용되는, "스핀-온 글래스"로 공지된 그룹은 또한 일반식(H_0-1.0SiO_1.5-2.0)_X 의 실록산 폴리머와 수소실록산 폴리머, 및 일반식(HSiO_1.5)_X의 수소실세스퀴옥산 폴리머 (여기서, X는 약4보다 큼)를 포함한다. 또한 수소실세스퀴옥산 및 알콕시하이드리도실록산 또는 하이드록시하이드리도실록산의 공중합을 포함한다. 스핀-온 글래스 물질은 또한 오가노실록산 폴리머, 아크릴릭 실록산 폴리머, 실세스퀴옥산계 폴리머, 실리사이산 유도체, 일반식(H_0-1.0SiO_1.5-2.0)n(R_0-1.0SiO_1.5-2.0)m의 오가노하이드리도실록산 폴리머, 및 일반식 (HSiO_1.5)n(RSiO_1.5)m의 오가노하이드리도실세스퀴옥산 폴리머 (여기서, m은 0보다 크고, n과 m의 합은 약4보다 크고, R은 알킬 또는 아릴임)를 포함한다.The inorganic material and inorganic compound may include any compound, material or composition including an inorganic moiety such as silicon-based, gallium-based, arsenic, boron-based, or combinations of such inorganic elements and materials. Some intended inorganic materials include spin- such as methylsiloxane, methylsilsesquioxane, phenylsiloxane, phenylsilsesquioxane, dimethylsiloxane, diphenylsiloxane, methylphenylsiloxane, methylphenylsilsesquioxane, silicate polymers and mixtures thereof. It may comprise a spin-on glass material. As used herein, the group known as “spin-on glass” also includes siloxane polymers and hydrogensiloxane polymers of the general formula (H _0-1.0 SiO _1.5-2.0 ) _X , and hydrogen chambers of the general formula (HSiO _1.5 ) _X. Sesquioxane polymers, wherein X is greater than about 4. It also includes copolymerization of hydrogen silsesquioxane and alkoxyhydridosiloxane or hydroxyhydridosiloxane. Spin-on glass materials also include organosiloxane polymers, acrylic siloxane polymers, silsesquioxane based polymers, silicic acid derivatives, general formula (H _0-1.0 SiO _1.5-2.0 ) n (R _0-1.0 SiO _1.5-2.0 m) organohydridosiloxane polymer, and general formula (HSiO _1.5 ) n (RSiO _1.5 ) m organohydridosilsesquioxane polymer, where m is greater than 0 and the sum of n and m is about 4 Greater than and R is alkyl or aryl.

상기 무기 물질 및 무기계 화합물에 합체되기에 적당한 흡수 화합물은 375nm 또는 약 260nm보다 적은 파장에서 강하게 흡수하는 것이다. 특히, 적당한 흡수 화합물은 포토리소그래피에 사용될 수 있는 248nm, 193nm, 157nm와 같은 파장 주변이거나, 또는 365nm와 같은 자외선 파장 주변인 것이다. 적당한 화합물의 발색단(chromophores)는 일반적으로 적어도 하나의 벤젠고리를 가지며, 두개 이상의 벤젠고리를 가질 경우 그들 고리는 융합될 수도 융합되지 않을 수도 있다. 합체되기 적당한 흡수 화합물은 상기 발색단에 부착되기 용이한 반응기를 가지며, 이때 상기 반응기는 하이드록실기, 아민기, 카르복실산기, 및 하나, 둘, 또는 세개의 알콕시기, 아세톡시기, 하이드록시 또는 할로겐 원소 치환체에 결합된 실리콘를 갖는 치환된 실릴기를 포함할 수 있다. 상기 반응기는 상기 발색단에 직접 결합될 수 있거나, 또는 상기 반응기는 탄화수소 가교, 카르보닐-함유기 또는 에스테르, 케톤 및/또는 산소 연결을 통해 상기 발색단에 결합될 수 있다. 상기 발색단는 또한 실리콘계 화합물 또는 상기 무기 물질을 제제하는데 사용되는 폴리머와 유사한 폴리머를 포함할 수 있다. Absorbent compounds suitable for incorporation into the inorganic materials and inorganic compounds are those that absorb strongly at wavelengths less than 375 nm or about 260 nm. In particular, suitable absorbing compounds are those around wavelengths such as 248 nm, 193 nm, 157 nm that can be used for photolithography, or around ultraviolet wavelengths such as 365 nm. Chrophores of suitable compounds generally have at least one benzene ring and, if they have two or more benzene rings, their rings may or may not be fused. Absorbent compounds suitable for incorporation have a reactor that is easy to attach to the chromophore, wherein the reactor comprises hydroxyl groups, amine groups, carboxylic acid groups, and one, two or three alkoxy groups, acetoxy groups, hydroxy or It may include a substituted silyl group having a silicon bonded to a halogen element substituent. The reactor can be directly bonded to the chromophore, or the reactor can be coupled to the chromophore via a hydrocarbon bridge, carbonyl-containing group or ester, ketone and / or oxygen linkage. The chromophores may also include polymers similar to silicone-based compounds or polymers used to formulate the inorganic material.

언급된 바와 같이, 적어도 하나의 물질 개질제는 적어도 하나의 포로젠(porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent), 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 캡핑제(capping agent), 적어도 하나의 치환 용매(replacement solvent), 적어도 하나의 레벨링제, 레진계 물질과 같은 적어도 하나의 접착 증진제 및/또는 그 조합을 포함하며, 그들은 상기 무기계 물질 또는 화합물에 혼합된다. 레진계 접착 증진제는 페놀릭-함유 레진, CRJ-406 또는 HRJ-11040 (둘다 쉐넥태디(Schenectady) 인터네셔날사에서 제조됨)와 같은 노볼락(novolac) 레진, 유기 아크릴레이트 레진 및/또는 스티렌 레진을 포함할 수 있다. 다른 접착 증진제는 폴리디메틸실록산 물질, 에톡시 또는 하이드록시-함유 실란 모노머, 비닐-함유 실란 모노머, 아크릴화된 실란 모노머, 또는 실릴 하이드라이드를 포함할 수 있다. 상기 물질 개질제가 포로젠(porogen), 고비등 용매(high-boiling solvent), 촉매, 레빌링제, pH 조절제, 치환 용매, 캡핑제(capping agent), 하나의 접착 증진제 및/또는 그 조합이든간에, 상기 물질 개질제는 무반사 코팅 물질을 개조하거나 조절하기 위해 첨가되어, 제조되는 부품 또는 층 물질의 설계 목적을 달성할 수 있도록 한다. 더욱 구체적으로는, 상기 물질 개질제는 a) 상기 코팅 물질의 에칭 선택성 및/또는 스트립 속도를 증가시키고, b) 구조물에서 충전 바이어스 및/또는 보이딩(voiding)을 최소화하고, 그리고/또는 c) 패턴이 상기 레지스트에서 현상될 때 레지스트 "펄오버(fall over)"를 감소시킨다. As mentioned, the at least one material modifier is at least one porogen, at least one high-boiling solvent, at least one catalyst, at least one pH adjuster, at least one capping agent ( capping agent, at least one replacement solvent, at least one leveling agent, at least one adhesion promoter such as a resin-based material and / or combinations thereof, which are mixed with the inorganic material or compound. Resin-based adhesion promoters include novolac resins, organic acrylate resins and / or styrene resins such as phenolic-containing resins, CRJ-406 or HRJ-11040 (both manufactured by Schenectady International). It may include. Other adhesion promoters may include polydimethylsiloxane materials, ethoxy or hydroxy-containing silane monomers, vinyl-containing silane monomers, acrylated silane monomers, or silyl hydrides. Whether the material modifier is a porogen, a high-boiling solvent, a catalyst, a levling agent, a pH adjuster, a substitution solvent, a capping agent, an adhesion promoter and / or combinations thereof In addition, the material modifiers may be added to modify or control the antireflective coating material, to achieve the design goals of the part or layer material to be manufactured. More specifically, the material modifier a) increases the etch selectivity and / or strip rate of the coating material, b) minimizes charge bias and / or voiding in the structure, and / or c) patterns When developed in this resist, resist "fall over" is reduced.

흡수 및 무반사 물질은 일반적으로, 트리에톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 테트라메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸페닐디메톡시실란, 메틸페닐디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 테트라세톡시시란, 메틸트리아세톡시실란, 디메틸디아세톡시실란, 페닐트리아세톡시실란, 및 디페닐디아세톡시실란과 같은 실란 및 실란계 반응물로부터 합성된다. 그러나, 갈륨, 아세닉, 게르마늄, 보론 및 유사 원소와 물질들이 또한 실리콘 원소와 결합되어 사용될 수 있거나, 또는 상기 단독 원소물질이 흡수 및 무반사 물질을 생산하기 위해서 사용될 수 있다. 할로실란, 특히 클로로실란이 또한 실란 반응물로 사용된다. Absorbent and antireflective materials generally include triethoxysilane, tetraethoxysilane, methyltriethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, tetramethoxysilane, methyltrimethoxysilane, trimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, Methylphenyldimethoxysilane, methylphenyldiethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, tetracetoxysilane, methyltriacetoxysilane, dimethyldiacetoxy It is synthesized from silane and silane-based reactants such as silane, phenyltriacetoxysilane, and diphenyldiacetoxysilane. However, gallium, arsenic, germanium, boron and similar elements and materials may also be used in combination with the silicon element, or the single element material may be used to produce absorbent and antireflective materials. Halosilanes, in particular chlorosilanes, are also used as silane reactants.

흡수 무반사 조성물을 제조하는 방법은, 적어도 하나의 무기계 조성물, 적어도 하나의 합체가능한 흡수 화합물, 및 적어도 하나의 포로젠(porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent), 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 접착 증진제 및/또는 적어도 하나의 치환 용매(replacement solvent)를 포함할 수 있는 적어도 하나의 물질 개질제, 니트릭산/물 혼합물과 같은 산/물 혼합물, 및 적어도 하나의 용매를 혼합하여 반응 혼합물을 형성하는 단계, 및 그 후에 대략 실온에서 발열상태에서 반응시키고 40℃ 이상으로 가열하거나 또는 상기 반응 혼합물을 환류하는 단계를 포함하여, 흡수 조성물이 제조된다. 상기 형성된 무반사 조성물은 그 후에 적어도 하나의 용매로 희석되어 다양한 두께의 필름을 형성하는 코팅 용액으로 제조된다. 상기 코팅 용액은 스핀-온 코팅, 드립핑(dripping), 롤링 또는 딥 코팅과 같은 방법 또는 장치에 의해 적용될 수 있다. 적어도 하나의 포로젠(porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent), 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 치환 용매 및/또는 그 조합과 같은 물질 개질제는, 선택적으로 상기 리플럭싱 단계 중에 또는 리플럭싱 단계 후에 첨가될 수 있다. A method of making an absorbent antireflective composition comprises at least one inorganic composition, at least one coalesable absorbent compound, and at least one porogen, at least one high-boiling solvent, at least one leveling At least one material modifier, nitric acid, which may comprise at least one catalyst, at least one pH adjuster, at least one capping agent, at least one adhesion promoter and / or at least one replacement solvent Mixing an acid / water mixture, such as a water mixture, and at least one solvent to form a reaction mixture, and then reacting at an exotherm at approximately room temperature and heating to at least 40 ° C. or refluxing the reaction mixture. Including, an absorbent composition is prepared. The formed antireflective composition is then prepared into a coating solution that is diluted with at least one solvent to form films of various thicknesses. The coating solution may be applied by a method or apparatus such as spin-on coating, dripping, rolling or dip coating. At least one porogen, at least one high-boiling solvent, at least one leveling agent, at least one capping agent, at least one catalyst, at least one pH adjusting agent, at least one substitution solvent Material modifiers such as and / or combinations thereof may optionally be added during or after the refluxing step.

흡수 무반사 조성물을 제조하는 다른 방법에서는, 적어도 하나의 무기계 조성물 또는 무기 물질, 적어도 하나의 혼합가능한 흡수 화합물, 및 적어도 하나의 포로젠(porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent), 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 레빌링제, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 치환 용매, 하나의 접착 증진제 및/또는 그 조합과 같은 적어도 하나의 물질 개질제, 및 적어도 하나의 추가 용매를 혼합하여 반응 혼합물을 형성할 수 있다. 상기 반응 혼합물은 그 후 대략 실온에서 발열상태에서 반응되고 40℃ 이상으로 가열되거나 또는 환류되어, 흡수 무반사 조성물이 형성되게 된다. 상기 형성된 무반사 조성물은 그 후에 적어도 하나의 용매로 희석되어, 다양한 두께의 필름을 형성하기 위해서 적당한 공정에 의해 표면에 적용되는 코팅 용액으로 제조된다. 상기 방법에서 pH 조절제는 종래 산/물 혼합물을 변경하여 사용할 수 있다. 상이한 산이 첨가될 수 있고, 더 적은 산이 첨가될 수 있고, 더 많은 물이 첨가될 수 있다. 그러나, 선택된 pH 조절제에 상관 없이, 기본 원칙은 여전히 유지된다. 즉, pH는 pH 조절제에 의해 영향을 받으며, 상기 ARC의 화학적, 기계적 및 물리적 특성 또한 영향을 받어 더 많은 적합한 레지스트/ARC 커플을 형성하게 된다. In another method of making an absorbent antireflective composition, at least one inorganic composition or inorganic material, at least one blendable absorbent compound, and at least one porogen, at least one high-boiling solvent, At least one material modifier, such as at least one catalyst, at least one pH adjusting agent, at least one rebilizing agent, at least one capping agent, at least one substitution solvent, one adhesion promoter and / or combinations thereof, and at least one Additional solvents of can be mixed to form a reaction mixture. The reaction mixture is then reacted at about room temperature in an exothermic state and heated or refluxed to above 40 ° C. to form an absorbent antireflective composition. The formed antireflective composition is then diluted with at least one solvent to prepare a coating solution that is applied to the surface by a suitable process to form films of various thicknesses. In this process the pH adjusting agent can be used by altering the conventional acid / water mixture. Different acids can be added, less acid can be added, and more water can be added. However, regardless of the pH adjuster selected, the basic principle is still maintained. In other words, pH is affected by pH regulators, and the chemical, mechanical and physical properties of the ARC are also affected to form more suitable resist / ARC couples.

개시된 다른 양태에서, 흡수 무반사 조성물을 적어도 하나의 실리콘계 화합물, 약 375nm 보다 적은 파장의 빛을 흡수하는 적어도 하나의 합체가능한 흡수 화합물, 및 적어도 하나의 포로젠(porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent), 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 접착 증진제 및/또는 적어도 하나의 치환 용매와 같은 적어도 하나의 물질 개질제를 포함하여 제조된다. 또한 흡수 스핀-온 조성물이 제공되는데, 이때 적어도 하나의 실리콘계 화합물 또는 합체가능한 화합물은 적어도 하나의 알킬기, 알콕시기, 아세톡시기, 케톤기 또는 아조기를 포함한다.In another disclosed aspect, an absorbing antireflective composition comprises at least one silicone-based compound, at least one coalesable absorbing compound that absorbs light having a wavelength less than about 375 nm, and at least one porogen, at least one high boiling solvent ( high-boiling solvent), at least one capping agent, at least one catalyst, at least one leveling agent, at least one pH control agent, at least one adhesion promoter and / or at least one substitution solvent It is prepared to include. Also provided is an absorption spin-on composition, wherein at least one silicon-based compound or coalesable compound comprises at least one alkyl group, alkoxy group, acetoxy group, ketone group or azo group.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 9-안트라센 카르복실-알킬 트리알콕시실란을 포함하는 화학 클래스의 흡수 화합물을 포함하는 조성물이 제공된다. 상기 9-안트라센 카르복실-알킬 트리알콕시실란 중 어느 하나를 합성하는 방법은 9-안트라센 카르복실산, 클로로알킬트리알콕시실란, 트리에틸아민, 및 용매를 혼합하여 반응 혼합물을 제조하는 단계, 상기 반응 혼합물을 환류하는 단계, 상기 환류된 반응 혼합물을 냉각하여 침전물과 잔류 용액을 형성하는 단계, 및 상기 잔류 용액을 필터링하는 단계를 포함하여 액상 9-안트라센 카르복실-알킬 트리알콕시실란이 제조된다. 흡수 화합물은 또한 무기계 화합물일 수 있다. According to another feature of the invention, there is provided a composition comprising an absorbing compound of the chemical class comprising 9-anthracene carboxyl-alkyl trialkoxysilane. The method for synthesizing any one of the 9-anthracene carboxyl-alkyl trialkoxysilane comprises the steps of mixing 9-anthracene carboxylic acid, chloroalkyltrialkoxysilane, triethylamine, and a solvent to prepare a reaction mixture, the reaction A liquid 9-anthracene carboxyl-alkyl trialkoxysilane is prepared comprising refluxing the mixture, cooling the refluxed reaction mixture to form a precipitate and a residual solution, and filtering the residual solution. The absorbent compound may also be an inorganic compound.

또한, 흡수 무반사 조성물을 제조하는 다른 방법은, 상기 중합반응이 "단계적 실란 첨가" 방식으로 시작된 후에 첨가되는 적어도 하나의 무기계 모노머를 필요로 한다. 그 후에, 잔류 실란 모노머, 약 375nm 보다 적은 파장의 빛을 흡수하는 적어도 하나의 합체가능한 흡수 화합물, 및 적어도 하나의 포로젠(porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent), 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 접착 증진제, 그 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 캡핑제 및/또는 그 조합을 포함하는 적어도 하나의 물질 개질제가, 중합반응 후에 상기 반응 혼합물에 첨가된다. In addition, another method of preparing an absorption antireflective composition requires at least one inorganic monomer to be added after the polymerization has begun in a "stepwise silane addition" manner. Thereafter, residual silane monomer, at least one coalesable absorbing compound that absorbs light of wavelength less than about 375 nm, and at least one porogen, at least one high-boiling solvent, at least one At least one material modifier comprising a catalyst, at least one pH adjusting agent, at least one leveling agent, at least one adhesion promoter, at least one substitution solvent, at least one capping agent and / or combinations thereof. It is then added to the reaction mixture.

도 1a 내지 1f는 무기화학적 조성물들과 재료들에 혼합되는 흡수성 있는 혼합물의 화학적 공식들을 보여준다.1A-1F show chemical formulas of absorbent mixtures mixed with inorganic chemical compositions and materials.

도 2a 내지 2h는 포토리소그라피 과정에서 흡수성 있는 무반사 조성물들의 사용을 설명한다.2A-2H illustrate the use of absorptive antireflective compositions in the photolithography process.

도 3은 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 분자량(MW)[dalton]과 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다. 3 schematically illustrates the relationship between molecular weight (MW) [dalton] and days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 4은 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 분자량(MW)[dalton]과 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다. 4 graphically illustrates the relationship between molecular weight (MW) [dalton] and days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 5은 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 분자량(MW)[dalton]과 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다.5 schematically illustrates the relationship between molecular weight (MW) [dalton] and days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 6은 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 두께[Angstrom]와 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다.6 schematically illustrates the relationship between the thickness [Angstrom] and the days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 7은 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 두께[Angstrom]와 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다.7 schematically illustrates the relationship between the thickness [Angstrom] and the days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 8은 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 두께[Angstrom]와 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다.8 schematically illustrates the relationship between the thickness [Angstrom] and the days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 9는 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 폴리디스퍼시티(Polydispersity) [Mw/Mn- 무차원]과 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 9 schematically illustrates the relationship between the polydispersity [Mw / Mn-dimensional] and the days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 10는 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 폴리디스퍼시티(Polydispersity) [Mw/Mn- 무차원]과 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 10 schematically illustrates the relationship between the polydispersity [Mw / Mn− dimensionless] and days [days] of the mixture observed at about 40 ° C. FIG.

도 11는 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 폴리디스퍼시티(Polydispersity) [Mw/Mn- 무차원]과 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 11 schematically illustrates the relationship between the polydispersity [Mw / Mn− dimensionless] and days [days] of the mixture observed at about 40 ° C. FIG.

도 12는 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 산성도[pH -무차원]와 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 12 graphically illustrates the relationship between acidity [pH-dimensionless] and days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 13는 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 산성도[pH -무차원]와 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 13 schematically illustrates the relationship between acidity [pH -dimensional] and days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 14는 약 40℃에서 관찰된 혼합물의 산성도[pH -무차원]와 날짜[days]간의 관계를 도식적으로 설명한다. FIG. 14 schematically illustrates the relationship between acidity [pH-dimensionless] and days [days] of the mixture observed at about 40 ° C.

도 15는 관찰된 혼합물들 집단의 온도[℃]와 시간[minutes]의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 15 schematically illustrates the relationship between temperature [° C.] and hours [minutes] of the observed mixture of mixtures.

도 16은 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 16 schematically illustrates the relationship between thickness over via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture.

도 17은 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 17 schematically illustrates the relationship between the thickness fill via / via depth and the blanket film thickness Angstroms of the observed mixture.

도 18은 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 18 schematically illustrates the relationship between thickness over via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture.

도 19은 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 19 diagrammatically illustrates the relationship between the thickness fill via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture.

도 20은 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 20 diagrammatically illustrates the relationship between thickness over via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture.

도 21은 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 21 graphically illustrates the relationship between the thickness fill via / via depth and the blanket film thickness Angstroms of the observed mixture.

도 22는 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명하고, 관찰된 일 실시예에의 SEM 데이터를 보여준다.FIG. 22 schematically illustrates the relationship between thickness over via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture and shows SEM data for one observed embodiment.

도 23는 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명하고, 관찰된 일 실시예에의 SEM 데이터를 보여준다. FIG. 23 graphically illustrates the relationship between the thickness fill via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture and shows SEM data for one observed embodiment.

도 24는 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명하고, 관찰된 일 실시예에의 SEM 데이터를 보여준다.FIG. 24 schematically illustrates the relationship between thickness over via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture and shows SEM data for one observed embodiment.

도 25는 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 25 graphically illustrates the relationship between the thickness fill via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture.

도 26는 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명하고, 관찰된 일 실시예에의 SEM 데이터를 보여준다.FIG. 26 graphically illustrates the relationship between the thickness fill via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture and shows SEM data for one observed embodiment.

도 27는 관찰된 혼합물의 %필(Fill)[Thickness over via/via depth]과 블랭킷(blanket) 필름 두께[Angstroms]간의 관계를 도식적으로 설명하고, 관찰된 일 실시예에의 SEM 데이터를 보여준다.FIG. 27 schematically illustrates the relationship between thickness over via / via depth and blanket film thickness Angstroms of the observed mixture and shows SEM data for one observed embodiment.

도 28은 관찰된 본 주제의 실시예들에 관한 SEM 데이터를 보여준다.28 shows SEM data relating to embodiments of the present subject matter observed.

도 29는 관찰된 본 주제의 여러가지 실시예들에 관한 분자량(Mw)[dalton]과 시간[hours]간의 관계를 도식적으로 설명한다.29 schematically illustrates the relationship between molecular weight (Mw) [dalton] and hours [hours] for the various embodiments of the present subject matter observed.

도 30은 관찰된 본 주제의 여러가지 실시예들에 관한 필름 두께[Angstroms]와 시간[hours]간의 관계를 도식적으로 설명한다.30 schematically illustrates the relationship between film thickness [Angstroms] and hours [hours] for the various embodiments of the present subject matter observed.

도 31은 관찰된 여러가지 실시예들에 관한 델타(Delta) 두께[Angstorms]와 바이어스(Vias)간의 거리[nm] 관계를 도식적으로 설명한다.FIG. 31 diagrammatically illustrates the distance [nm] relationship between Delta thickness [Angstorms] and bias for various embodiments observed.

표 1은 아세톤 없는것(acetone-free)과 aceton/IPA-free 혼합물을 사용하는 예비적인 에이징(aging) 연구를 보여준다. POR= 컨트롤(control) Table 1 shows preliminary aging studies using acetone-free and aceton / IPA-free mixtures. POR = control

표 2는 관찰된 재료들의 환류시간, 온도, 기체 크로마토그래피 정보, 두께, 광학적 특성값들, 수분비, 에탄올, 부탄올(butanol)과 PGMEA, 밀도, 6회 동안 산성도와 총 고체 퍼센트를 보여준다.Table 2 shows the reflux time, temperature, gas chromatographic information, thickness, optical property values, moisture ratio, ethanol, butanol and PGMEA, density, acidity and total solids percentage for 6 times of the observed materials.

표 3은 표2에 나타낸 6회 동안 히트 램프(heat ramp) 데이터를 보여준다.Table 3 shows the heat ramp data for the six times shown in Table 2.

표 4(1부분과 2부분)는 바이어 필(via fill)과 두께간의 관계와, 다른 산성도 측정값에서 관찰된 여러가지 재료들의 피치와 다른 산성도 측정값에서 관찰된 높은 끓는점 용매를 갖는 다른 재료들간의 관계의 요약을 보여준다.Table 4 (parts 1 and 2) shows the relationship between the via fill and thickness, and the pitch of the various materials observed at different acidity measurements, and the different boiling material solvents at different acidity measurements. Show a summary of the relationship.

표 5는 수분 제어 실험들에서 얻어지는 어버이 QC 결과들을 보여준다.Table 5 shows the parental QC results obtained from the moisture control experiments.

표 6는 수분 제어 실험들에서 얻어지는 자손 QC 결과들을 보여준다.Table 6 shows the progeny QC results obtained in the moisture control experiments.

표 7은 도 31에서 도식적으로 나타낸 표본 4의 모여진 데이터를 보여준다.Table 7 shows the aggregated data of sample 4 graphically shown in FIG. 31.

표 8은 관찰된 본 주제의 혼합물을 사용하여 수행된 에칭 용액 실험들을 보여준다. Table 8 shows the etch solution experiments performed using the observed inventive mixtures.

제조 방법Manufacturing method

본 발명의 다른 형태에 따르면, 여기에서 설명된 흡수 혼합물 (absorbing composition) 을 합성하기 위한 방법이 제공되었다. 흡수 재료(absorbing material)은 일반적으로 다양한 실란 반응물을 합성하여 만드는데, 상기 실란 반응물은 트리에톡시실란 (HTEOS), 테트라에톡시실란 (TEOS), 메틸트리에톡시실란(MTEOS), 디메틸디에톡시실란, 테트라메톡시실란(TMOS), 디메틸디에디에톡시실란, 메틸트리메톡시실란 (MTMOS), 트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 트리메틸레콕시실란 (TMEOS), 페닐트레에톡시실란 (PTEOS), 페닐트리메톡시실란 (PTMOS), 디페닐디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 테트라세톡시실란 (TAS), 메틸트리아세톡시실란 (MTAS), 페닐트리아세톡시실란 (PTAS), 디메틸디아세톡시실란 및 디페닐디아세톡시실란을 포함한다. 그러나, 갈륨, 비소, 게르마늄, 붕소 및 비슷한 원소와 물질들을 실리콘 원소와 공동으로 사용하거나, 흡수 재료을 생산하는 단독 원자물로서 사용할 수있다.According to another aspect of the present invention, a method for synthesizing the absorbing composition described herein is provided. Absorbing materials are generally made by synthesizing various silane reactants, the silane reactants being triethoxysilane (HTEOS), tetraethoxysilane (TEOS), methyltriethoxysilane (MTEOS), dimethyldiethoxysilane , Tetramethoxysilane (TMOS), dimethyldiediethoxysilane, methyltrimethoxysilane (MTMOS), trimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, trimethyllecoxisilane (TMEOS), phenyltreethoxysilane (PTEOS) , Phenyltrimethoxysilane (PTMOS), diphenyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, tetracetoxysilane (TAS), methyltriacetoxysilane (MTAS), phenyltriacetoxysilane (PTAS), dimethyldia Cetoxysilane and diphenyldiacetoxysilane. However, gallium, arsenic, germanium, boron and similar elements and materials can be used in combination with the silicon element or as the sole atom for producing absorbent materials.

또한, 트리클로로실란, 메틸트리클로로실란, 에틸트리클로로실란, 페닐트리클로로실란, 테트라클로로실란, 디클로로실란, 메틸디클로로실란,디메틸디클로로실란,클로로트리메톡시실란,클로로메틸트리에톡시실란, 클로로에틸트리에톡시실란, 클로로페닐트리에톡시실란, 클로로메틸트리메톡시실란,클로로에틸트리메톡시실란 및 클로로페닐트리메톡시실란과 같은 클로로실란들을 포함하는 할로실란들을 실란 반응물로 사용할 수 있다. Further, trichlorosilane, methyltrichlorosilane, ethyltrichlorosilane, phenyltrichlorosilane, tetrachlorosilane, dichlorosilane, methyldichlorosilane, dimethyldichlorosilane, chlorotrimethoxysilane, chloromethyltriethoxysilane, chloro Halosilanes including chlorosilanes such as ethyltriethoxysilane, chlorophenyltriethoxysilane, chloromethyltrimethoxysilane, chloroethyltrimethoxysilane and chlorophenyltrimethoxysilane can be used as the silane reactant.

일반적으로, 흡수 혼합물을 생산하기 위하여, 흡수 화합물 1-41과 같은 흡수 화합물 또는 그 조합 (combination)을 상기 흡수 물질의 합성시 실란 반응물과 결합된다. 적어도 하나의 포로젠 (porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent) ,적어도 하나의 레벨링제 (leveling agnet), 적어도 하나의 캡핑제 (capping agent), 적어도 하나의 촉매제 (catalyst), 적어도 하나의 치환 용매 (replacement solvent), 적어도 하나의 접착 촉진물 (adhesion promoting material), 적어도 하나의 pH 조절제 및/또는 그 결합체와 같은 상기 물질 변경제 (material modification agent)는 적어도 하나의 캡핑제(capping agent)의 경우에서처럼 상기 흡수 재료의 합성시 또는 합성이 끝났을때 실란 반응물과 결합될수도 있다.Generally, to produce an absorbent mixture, an absorbent compound such as absorbent compound 1-41 or a combination thereof is combined with the silane reactant in the synthesis of the absorbent material. At least one porogen, at least one high-boiling solvent, at least one leveling agnet, at least one capping agent, at least one catalyst, The material modification agent, such as at least one replacement solvent, at least one adhesion promoting material, at least one pH adjusting agent and / or combination thereof, may comprise at least one capping agent ( As in the case of a capping agent, it may be combined with the silane reactant during the synthesis of the absorbent material or at the end of the synthesis.

흡수 화합물을 만드는 한 방법으로는, 적어도 하나의 무기계 혼합물 (inorganic-based composition), 적어도 하나의 결합가능한 흡수 화합물, 적어도 하나의 물질변경제, 적어도 하나의 포로젠, 적어도 하나의 레벨링제 (leveling agent), 적어도 하나의 고비등 용매 (high-boiling solvent), 적어도 하나의 촉매제 (catalyst), 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 접착 향상제 및/또는 그 결합체, 질산/물 혼합물과 같은 하나의 산/물 혼합물, 반응 혼합물을 형성하기 만드는 적어도 하나의 용매를 결합하는 단계 및 상기 흡수 혼합물을 형성하기 위하여 약 40℃ 또는 그 이상의 온도까지 가열하거나 상기 반응 혼합물을 환류하는 단계를 포함하여 이루어진다. 상기와 같이 형성된 흡수 혼합물에 다양한 두께의 필름을 만드는 코팅 용매를 생산하기 위하여 적어도 하나의 용매를 희석한다. 적어도 하나의 포로젠 (porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent), 적어도 하나의 캡핑제 (capping agent), 적어도 하나의 레벨링제 (leveling agnet), 적어도 하나의 촉매제 (catalyst), 적어도 하나의 치환 용매 (replacement solvent), 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 접착 향상제 (adhesion promoter) 및/또는 그 결합체와 같은 상기 물질 변경제는 상기 환류 단계시 또는 환류/가열 단계시 역시 선택적으로 가해진다.One method of making the absorbent compound is at least one inorganic-based composition, at least one bondable absorbent compound, at least one substance modifying agent, at least one porogen, at least one leveling agent. ), At least one high-boiling solvent, at least one catalyst, at least one capping agent, at least one substitution solvent, at least one pH adjusting agent, at least one adhesion promoter and / or Combining the binder, one acid / water mixture, such as a nitric acid / water mixture, at least one solvent to form a reaction mixture and heating to a temperature of about 40 ° C. or higher to form the absorbent mixture or the reaction mixture It comprises the step of reflux. At least one solvent is diluted in the absorbent mixture thus formed to produce a coating solvent that makes films of various thicknesses. At least one porogen, at least one high-boiling solvent, at least one capping agent, at least one leveling agnet, at least one catalyst, Such material modifying agents, such as at least one replacement solvent, at least one pH adjuster, at least one adhesion promoter and / or combinations thereof, are optionally also present during the reflux step or the reflux / heat step. Is applied.

흡수 혼합물을 만드는 다른 방법으로는, 적어도 하나의 무기물 기반 혼합물, 적어도 하나의 결합가능한 흡수 화합물, 적어도 하나의 포로젠 또는 유기물 타입의 폴리머와 같은 적어도 하나의 물질 변경제, 적어도 하나의 고비등 용매, 적어도 하나의 촉매제, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 레벨링제 (leveling agent), 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 pH조절제 및/또는 그 결합체, 그리고 적어도 하나의 부가 용매가 반응 혼합물을 형성하기 위하여 결합된다. 상기 반응 혼합물은 약 40℃ 또는 그 이상의 온도까지 가열하거나 상기 반응 혼합물을 환류된다. 상기와 같이 형성된 흡수 혼합물에 다양한 두께의 필름을 만드는 코팅 용매를 생산하기 위하여 적어도 하나의 용매를 희석한다. 본 방법의 상기 pH 조절제는 기존의 산/물 혼합물의 변체의 어느하나이며, 상기 혼합물에는 다른 산이 가해질 수도 있고, 산을 덜 가하거나, 물을 더 가할 수도 있다. 그러나, 선택된 pH 조절제와 상관없이, 기본 원리는 그대로 남아서, 상기 pH는 상기 pH 조절제에 의해 영향을 받을 뿐만 아니라, 상기 ARC의 화학적, 물리적 및 물질적인 특성도 역시 영향을 받아 더욱 적합한 저항/ARC 커플을 초래한다. Other methods of making the absorbent mixture include at least one inorganic based mixture, at least one bondable absorbent compound, at least one substance modifier such as at least one porogen or polymer of organic type, at least one high boiling solvent, At least one catalyst, at least one capping agent, at least one leveling agent, at least one adhesion promoter, at least one substitution solvent, at least one pH adjusting agent and / or combination thereof, and at least one additional solvent Is combined to form the reaction mixture. The reaction mixture is heated to a temperature of about 40 ° C. or higher, or the reaction mixture is refluxed. At least one solvent is diluted in the absorbent mixture thus formed to produce a coating solvent that makes films of various thicknesses. The pH adjusting agent of the present method is any one of the variants of existing acid / water mixtures, and other acids may be added to the mixture, less acid may be added, or more water may be added. However, irrespective of the pH regulator selected, the basic principle remains the same, so that the pH is not only affected by the pH regulator, but also the chemical, physical and physical properties of the ARC are also affected so that a more suitable resistance / ARC couple Brings about.

더욱 상세하게는, 실란 반응물을 포함하는 반응 혼합물은 반응기에서 형성되며, 예를 들어 HTEOS, 또는 TEOS 및 MTEOS, TMEOS 또는 TMOS 및 MTMOS; 또는 선택적으로, 테트라클로로실란과 메틸트리클로로실란, 흡수 화합물 1-41과 같은 적어도 하나의 흡수 화합물; APTF와 같은 적어도 하나의 pH 조절제; 하나의 용매 또는 용매들의 결합체; 그리고 산/물 혼합물을 포함하여 이루어진다. 적절한 용매는 아세톤, 2-프로페놀, 그리고 다른 단순한 알콜, 1-프로페놀, MIBK, 프로폭시프로페놀, 프로필 아세테이트와 같은 케톤 및 에스테르를 포함하여 이루어진다.More specifically, the reaction mixture comprising the silane reactant is formed in a reactor, for example HTEOS, or TEOS and MTEOS, TMEOS or TMOS and MTMOS; Or optionally, at least one absorbent compound such as tetrachlorosilane and methyltrichlorosilane, absorbent compound 1-41; At least one pH adjusting agent such as APTF; One solvent or combination of solvents; And acid / water mixtures. Suitable solvents include acetone, 2-propenol, and other simple alcohols, ketones and esters such as 1-propenol, MIBK, propoxypropenol, propyl acetate.

상기 산/물 혼합물은 예를 들어 질산과 물이다. 아세트산, 젖산, 옥살산, 다른 산들 또는 산 무수물, 포름산, 인산, 염산 또는 아세트산 무수물 산 혼합물에 선택적으로 사용된다. 흡수 용액을 생산하기 위하여 결과 혼합물을 약 40℃ 또는 그 이상의 온도까지 가열하거나 대략 1 내지 24시간동안 환류한다. 앞서 언급한 바와 같이, 하나의 포로젠, 적어도 하나의 고비등 용매, 적어도 하나의 촉매제, 적어도 하나의 캡핑제, 물질 변형제, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 pH조절제, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 레벨링제 (leveling agent) 및/또는 그 결합체가 선택된 저항물질에 따라 가열/환류 단계시 또는 그 이후에 가해진다. 또한, 앞서 말한 바와 같이, 산 농도 및/또는 강도 그리고 산/물 혼합물속의 물의 농도는 pH 조절제가 되기 위하여 전자 성분 또는 반도체 성분인 상기 특정한 층을 이룬 물질로 선택된 상기 저항 물질에 따라 다양해 질수 있다.The acid / water mixture is for example nitric acid and water. It is optionally used for acetic acid, lactic acid, oxalic acid, other acids or acid anhydrides, formic acid, phosphoric acid, hydrochloric acid or acetic anhydride acid mixtures. The resulting mixture is heated to or refluxed for approximately 1 to 24 hours to produce an absorbent solution. As mentioned above, one porogen, at least one high boiling solvent, at least one catalyst, at least one capping agent, material modifier, at least one substitution solvent, at least one pH adjuster, at least one adhesion enhancer At least one leveling agent and / or combination thereof is added during or after the heating / refluxing step, depending on the resistance selected. In addition, as mentioned above, the acid concentration and / or strength and the concentration of water in the acid / water mixture may vary depending on the resistive material selected as the particular layered material which is an electronic component or a semiconductor component to be a pH regulator.

상기 흡수 물질은 다양한 두께의 필름을 생산하는 코팅 용액을 얻기 위하여 적절한 용매와 희석될 수 있다. 적절한 묽은 용매는 아세톤, 2-프로페놀, 에탄올(ethanol), 부탄올(butanol), 메탄올 (methanol), 프로필라센테이트 (propylacentate), 에틸 젖산염 (ethyl lactate), 프로필랜 글리콜 메틸 에테르 아세테이트, 그리고 프로필랜 글리콜 프로필 에테르를 포함하고, 에틸 젖산염 (ethyl lactate)과 프로필랜 글리콜 프로필 에테르와 같은 고비등점을 가지는 프로파솔 피. 묽은 용액 (Propasol P. Silutant solvents)으로서 상업적으로 유익한것으로 알려져 있다. The absorbent material may be diluted with a suitable solvent to obtain a coating solution that produces films of various thicknesses. Suitable dilute solvents are acetone, 2-propenol, ethanol, butanol, methanol, methanol, propylacentate, ethyl lactate, propyllan glycol methyl ether acetate, and propyllan Propasol blood containing glycol propyl ether and having high boiling points such as ethyl lactate and propyllan glycol propyl ether. Dilute solutions (Propasol P. Silutant solvents) are known to be commercially beneficial.

고비등점 용매는 버블 필름 결함의 형성 가능성을 줄이는 것으로 믿어진다. 반면에, 낮은 비등점 용매는 필름의 교차 연결되는 상층 밑에 빠질수 있으며, 따라서 굽는 절차 단계시 내몰릴때에 빈 공간을 만든다. 본 발명에서 부가된 용매는 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 선택적으로 글림, 아니솔, 디부틸 에테르, 디프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트 및 펜탄올을 포함한다. 선택적으로, 계면 활성제 (surfactants)를 활용할 수 있으며, 이 선택적인 계면 활성제에 관한 데이터/정보는 아래의 예시란에 나타나 있다. 그러나, 이러한 데이터와 정보는 실시한 검사를 포괄적으로 포함하지 않으며, 검사한 모든 계면 활성제를 나타내지 않는다. 예를 들어, 다음과 같은 계면 활성제의 종류가 검사되었다: 폴리아트릴레이트(이온화되거나 비이온화 된 것 모두) (BYK 브랜드 계면 활성제, 특히 BYK 306, 307, 308, 380 및 381), 기능성 폴리디메틸실록산 (Tagopren 브랜드 계면 활성제), 실리콘, 플르오르 처리된 알킬에스터 (FC 브랜드 계면 활성제, 특히 3M에 의해 제공된 FC4430, FC430, 또는 FC4432, 폴리에테르 및 사슬모양의 타화수소 체인 계면활성제 (Brj 계면활성제), 프로덕트 메가페이스 R08 (DIC(일본) 에 의해 제공), 또는 일반적으로는 플루오르화탄소 계면 활성제의 종류가 코팅 용액에 첨가된다. 게다가, BYK 410 및 BYK 420와 같은 몇몇 점착제들이 상기 코팅 용액의 점착 효과를 위하여 상기 코팅 용액에 첨가된다. 상기 코팅 용액은 전형적으로 0.5 와 20% 폴리머 사이의 무게이다. 사용 전에, 상기 코팅 용액은 규격 여과기법으로 여과된다.High boiling solvents are believed to reduce the likelihood of formation of bubble film defects. On the other hand, low boiling point solvents can fall under the cross-linked top layer of the film, thus creating an empty space when driven during the baking procedure step. Solvents added in the present invention include ethylene glycol dimethyl ether, optionally glim, anisole, dibutyl ether, dipropyl ether, propylene glycol methyl ether acetate and pentanol. Optionally, surfactants may be utilized, and the data / information regarding these optional surfactants is shown in the example column below. However, these data and information do not comprehensively include the tests performed and do not represent all the surfactants tested. For example, the following types of surfactants have been tested: polyacrylates (both ionized and non-ionized) (BYK brand surfactants, in particular BYK 306, 307, 308, 380 and 381), functional polydimethylsiloxanes (Tagopren branded surfactants), silicones, fluorinated alkylesters (FC branded surfactants, especially FC4430, FC430, or FC4432, polyether and chained hydrogenated chain surfactants (Brj surfactants) provided by 3M, Product Megaface R08 (provided by DIC (Japan)), or a type of fluorocarbon surfactant in general, is added to the coating solution In addition, some adhesives, such as BYK 410 and BYK 420, have been found to improve the adhesion effect of the coating solution. The coating solution is typically between 0.5 and 20% polymer prior to use, the coating solution is Filtration is a technique.

흡수재료를 형성하는 제 2 방법에 따르면, 적어도 하나의 실란 반응물, 흡수 화합물 1-41과 같은 적어도 하나의 흡수 화합물, 적어도 하나의 포로젠(porogen)을 포함하는 적어도 하나의 재료 개질제, 적어도 하나의 높은 끓는 점을 갖는 용매, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 캡핑제(capping agent), 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 접착 향상제, 및/또는 그 조합과 부가적인 용매나 용매의 조합을 포함하는 반응 혼합물이 반응용기에서 형성된다. 반응 혼합물을 약 40℃의 온도 또는 이상에서 가열하였고 약 1 내지 24시간동안 요망 온도로 유지하였다. 이러한 실란 반응물 및 용매들은 상기 제 1 방법에서 상술한 바와 같다. 상술한 바와 같이, 산/물 혼합물이 교반동안 반응혼합물에 첨가된다. 결과로서 발생한 혼합물을 약 40℃ 온도 이상에서 가열하였고 흡수재를 생산하기 위해 대략 1 내지 24시간동안 요망 온도로 유지하였다. 흡수 재료를 희석하고 상술한 바와 같이 코팅용액을 형성하기 위해 필터하였다. 다시, 앞서 상술한 바와 같이, 적어도 하나의 포로젠, 적어도 하나의 높은 끓는 점을 갖는 용매, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 라벨링제, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 pH 조절제, 및/또는 그 조합이 제 1 가열단계동안 또는 후에 첨가될 수 있다.According to a second method of forming an absorbent material, at least one silane reactant, at least one absorbent compound such as absorbent compound 1-41, at least one material modifier comprising at least one porogen, at least one A solvent having a high boiling point, at least one catalyst, at least one leveling agent, at least one capping agent, at least one substitution solvent, at least one pH adjuster, at least one adhesion promoter, and / or A reaction mixture is formed in the reaction vessel, including the combination and additional solvent or combination of solvents. The reaction mixture was heated at or above a temperature of about 40 ° C. and maintained at the desired temperature for about 1 to 24 hours. These silane reactants and solvents are as described above in the first method. As mentioned above, the acid / water mixture is added to the reaction mixture during stirring. The resulting mixture was heated above about 40 ° C. and maintained at the desired temperature for approximately 1 to 24 hours to produce an absorbent material. The absorbent material was diluted and filtered to form a coating solution as described above. Again, as described above, at least one porogen, at least one high boiling point solvent, at least one catalyst, at least one substitution solvent, at least one labeling agent, at least one adhesion promoter, at least one pH adjusting agents, and / or combinations thereof may be added during or after the first heating step.

흡수 오르가노하이드리도실록산 재료를 형성하는 방법은 비극성 용매 및 극성 용매를 포함하는 이중상(dual phase) 용매와 상전이 촉매의 혼합물을 형성하는 단계; 적어도 하나의 오르가노트리할로실란(organotrihalosilane), 하이드도트리할로실란(hydridotri halosilane)을 첨가하는 단계; 적어도 하나의 포로젠과 같은 적어도 하나의 재료 개질제를 첨가하는 단계; 이중상 반응물을 제조하기 위해 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 높은 끓는 점을 갖는 용매, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 pH 조절제, 및/또는 그 조합; 및 흡수 화합물 1-41과 같은 적어도 하나의 흡수 화합물을 첨가하는 단계; 및 흡수 오르가노하이드리도실록산 폴리머를 제조하기 위해 1 내지 24 시간동안 이중상 혼합물을 반응시키는 단계를 포함한다. 상전이 촉매로는 테트라부틸암모늄 클로라이드 및 벤질트리메틸암모늄 클로라이드를 포함하나 이에 국한되지 않는다. 대표적인 비극성 용매들로는 펜탄(pentane), 헥산(hexane), 헵탄(heptane), 싸이클로헥산(cyclochexane), 벤젠, 톨루엔, 크실렌(xylene), 카본 테트라클로라이드(carbon tetrachloride) 및 그 혼합물과 같은 할로겐화 용매를 포함하나 이에 국한되지 않는다. 유용한 극성용매로는 물, 알콜, 및 알콜과 물 혼합물을 포함한다. 흡수 폴리머 용액을 희석시키고 상술한 바와 같이 코팅용액을 형성하기 위해 필터시켰다.The method of forming the absorbing organohydridosiloxane material comprises forming a mixture of a dual phase solvent and a phase transfer catalyst comprising a nonpolar solvent and a polar solvent; Adding at least one organotrihalosilane, hydridotri halosilane; Adding at least one material modifier, such as at least one porogen; At least one capping agent, at least one high boiling point solvent, at least one catalyst, at least one substitution solvent, at least one adhesion promoter, at least one pH regulator, and / or combinations thereof to prepare a biphasic reactant ; And adding at least one absorbent compound, such as absorbent compound 1-41; And reacting the biphasic mixture for 1 to 24 hours to produce an absorbent organohydridosiloxane polymer. Phase transfer catalysts include, but are not limited to, tetrabutylammonium chloride and benzyltrimethylammonium chloride. Representative nonpolar solvents include halogenated solvents such as pentane, hexane, heptane, cyclochexane, benzene, toluene, xylene, carbon tetrachloride and mixtures thereof. But not limited to this. Useful polar solvents include water, alcohols, and mixtures of alcohols and water. The absorbent polymer solution was diluted and filtered to form a coating solution as described above.

또 다른 실시예에서, 촉매는 표면상에서 중합화 공정과 함께 고상으로 유지될 수 있다. 지지체는 일반적으로 술폰산과 같은 첨부된 산기나, 사용되는 용매 조건에서 불용성인 (폴리락티드(polylactide), 폴리아크릴산, 폴리비닐술폰산과 같은) 임의의 다른 산함유 폴리머를 갖는 실리카계열의 이온교환 수지를 포함할 수 있다.In yet another embodiment, the catalyst can be maintained in solid phase with the polymerization process on the surface. The support is generally a silica-based ion exchange resin with attached acid groups, such as sulfonic acids, or any other acid-containing polymer (such as polylactide, polyacrylic acid, polyvinylsulfonic acid) that is insoluble in the solvent conditions used. It may include.

또 다른 실시예에서, 흡수 코팅 조성물의 합성 및/또는 제조 동안 및 후에 조성물의 수분 함량은 폴리머의 분자량 성장을 제어하도록 제어될 수 있다. 수분함량을 제어하는 것은 폴리머 분자량성장에 대한 캡핑제와 유사한 효과를 갖는다.In another embodiment, the moisture content of the composition during and after synthesis and / or preparation of the absorbent coating composition can be controlled to control the molecular weight growth of the polymer. Controlling water content has a similar effect to capping agents on polymer molecular weight growth.

대안으로, 무반사 조성물을 제조하는 또 다른 방법은 중합화 반응이 "단계화된 실란 첨가"방식으로 시작된 후에 적어도 하나의 무기계열이 모노머에 추가되는 것을 필요로 한다. 임의의 나머지 실란 모노머들, 약 375㎚ 미만의 파장에서 빛을 흡수하는 합체가능한 흡수 화합물, 및 적어도 하나의 포로젠과 같은 적어도 하나의 재료 개질제, 적어도 하나의 고비등점을 갖는 용매, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 치환 용매 및/또는 그 조합이 반응 혼합물에 추가된다.Alternatively, another method of preparing the antireflective composition requires at least one inorganic series to be added to the monomer after the polymerization reaction has begun in a "stepped silane addition" mode. Any remaining silane monomers, coalesable absorbing compounds that absorb light at wavelengths less than about 375 nm, and at least one material modifier such as at least one porogen, a solvent having at least one high boiling point, at least one catalyst , At least one pH adjusting agent, at least one leveling agent, at least one capping agent, at least one adhesion enhancer, at least one substitution solvent and / or combinations thereof are added to the reaction mixture.

응용Applications

흡수 코팅용액들을, 특정 제조공정에 따라, 일반적으로는 종래의 스핀온 증착기술에 의하여, 층으로 된 재료를 형성하기 위해 여러가지 기판들, 반도체 공정에서 사용되는 층들 또는 전자부품에 사용되는 층들에 도포하였다. 이들 기술들은 흡수 무반사 코팅을 제조하기 위해, 분산 스핀, 두께 스핀(thickness spin) 및 열적 굽기 단계를 포함한다. 일반적인 공정들은 약 20초간 1000 내지 4000 rpm 사이의 두께 스핀 및 각각 약 1분동안 80℃ 내지 300℃ 사이의 온도에서 2 또는 3 굽기 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 흡수 무반사 코팅은 약 1.3 내지 약 2.0 사이의 굴절률과 약 0.07 이상의 흡광계수를 보인다.Absorbent coating solutions are applied to various substrates, layers used in semiconductor processes, or layers used in electronic components, to form layered materials, generally by conventional spin-on deposition techniques, according to a particular manufacturing process. It was. These techniques include dispersion spins, thickness spins, and thermal baking steps to produce absorbent antireflective coatings. Typical processes include thickness spins between 1000 and 4000 rpm for about 20 seconds and two or three baking steps at temperatures between 80 ° C and 300 ° C for about one minute each. Absorption antireflective coatings according to the present invention exhibit an index of refraction between about 1.3 and about 2.0 and an extinction coefficient of at least about 0.07.

본 명세서에서 고려되는 기판들은 임의의 바람직한 실질적으로 고형 재료를 포함할 수 있다. 특히 바람직한 기판층들은 필름, 글래스, 세라믹, 플라스틱, 금속 또는 코팅 금속, 또는 조성물을 포함할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 기판은 실리콘 또는 게르마늄 아스나이드(germanium arsenide) 염료 또는 웨이퍼 표면, 구리, 은, 니켈 또는 금 도금된 리드프레임에서 발견되는 바와 같은 패키징 표면, 회로판 또는 패키지 상호연결 트레이스(trace)에서 발견되는 바와 같은 구리표면, 비아웰(via well) 또는 강성 인터페이스(stiffness interface)("구리"는 나동선 및 그 산화물의 고려를 포함한다), 폴리아미드계열의 가요성 패키지에서 발견되는 바와 같은 폴리머 계열의 패키징 또는 보드 인터페이스(board interface), 납 또는 다른 금속 합금 솔더볼 표면, 글래스 및 폴리아미드와 같은 폴리머를 포함한다. 더 바람직한 실시예에서, 기판은 실리콘, 구리, 글래스 및 또 다른 폴리머와 같은 패키징 및 회로판 산업에서 공통적인 재료를 포함한다.Substrates contemplated herein may include any desired substantially solid material. Particularly preferred substrate layers may comprise a film, glass, ceramic, plastic, metal or coated metal, or composition. In a preferred embodiment, the substrate is at a packaging surface, circuit board or package interconnect trace as found in a silicon or germanium arsenide dye or wafer surface, copper, silver, nickel or gold plated leadframe. Copper surface as found, via well or stiffness interface ("copper" includes consideration of copper and its oxides), polymer series as found in polyamide-based flexible packages And polymers such as packaging or board interfaces, lead or other metal alloy solder ball surfaces, glass and polyamides. In a more preferred embodiment, the substrate comprises materials common in the packaging and circuit board industry, such as silicon, copper, glass and another polymer.

코팅 용액들 및 필름들이 이용될 수 있는 고려되는 코팅 재료들은 다양한 전자장치, 마이크로 전자장치, 특히 반도체 집적회로 및 하드마스크층(hardmask layers), 유전층, 엣칭정지층 및 매장된 엣칭정지층들을 포함하는 전자 및 반도체 부품용의 여러 층으로 된 재료에 사용된다. 이들 코팅 재료들, 코팅 용액들 및 필름들은 Coating materials contemplated in which coating solutions and films may be used include various electronics, microelectronics, in particular semiconductor integrated circuits and hardmask layers, dielectric layers, etch stop layers and buried etch stop layers. Used in multi-layered materials for electronic and semiconductor parts. These coating materials, coating solutions and films

아다만테인(adamantane) 계열의 화합물, 디아만테인(diamantane) 계열의 화합물, 실리콘 코어 화합물, 유기 유전체 및 나노포로스 유전체(nanoporous dielectircs)와 같은 층으로된 재료들 및 장치들에 사용될 수 있는 다른 재료들과 잘 호환될 수 있다. 본 명세서에서 고려되는 코팅 재료들, 코팅 용액들 및 박막들과 상당히 호환될 수 있는 화합물들이 2001년 10월 17일자로 출원된 PCT출원 PCT/US01/32569, 2001년 12월 31일자로 출원된 PCT출원 PCT/US01/50812, 미국연속출원 제09/538276호, 미국연속출원 제09/544504호, 미국연속출원 제09/587851호, 미국특허 제6,214,746호, 미국특허 제6,171,687호, 미국특허 제6,172,128호, 미국특허 제6,156,812호, 2002년 1월 15일자로 출원된 미국연속출원 제60/350187호, 및 2002년 1월 8일자로 출원된 미국연속출원 제60/347195호에 개시되어 있으며, 상기 문헌들은 전체적으로 참조로 본 명세서에 합체된다.Layered materials and other materials that may be used in devices such as adamantane-based compounds, diamantane-based compounds, silicon core compounds, organic dielectrics and nanoporous dielectircs It is compatible with them. Compounds that are highly compatible with coating materials, coating solutions and thin films contemplated herein are PCT Application PCT / US01 / 32569, filed Oct. 17, 2001, PCT, filed Dec. 31, 2001. PCT / US01 / 50812, US Serial Application No. 09/538276, US Serial Application No. 09/544504, US Serial Application No. 09/587851, US Patent No. 6,214,746, US Patent No. 6,171,687, US Patent No. 6,172,128 US Patent No. 6,156,812, US Serial No. 60/350187, filed Jan. 15, 2002, and US Serial No. 60/347195, filed Jan. 8, 2002, supra. The documents are incorporated herein by reference in their entirety.

포토리소그라피 공정에서 무반사 코팅으로서 본 발명에 따른 흡수재료를 사용하는 일반적인 방법이 도 2a-2h에 예시되어 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 유전층(22)이 실리콘 기판(20)에 증착된다. 유전층(22)은, 예를 들어, TEOS로부터 도출되는 실리코 디옥사이드층, 실란계열의 실리콘 디옥사이드층, 열적으로 성장되는 옥사이드, 또는 화학기상층착으로 생산되는 메틸하이드리도실록산 (methylhydridosiloxane) 또는 OSG, FSG, NANOGLASSTM형태의 재료들 또는 다른 원소들 또는 화합물들을 포함하는 실리콘 디옥사이드를 포함하는 다양한 유전체로 구성될 수 있다. 유전층(22)은 일반적으로 광학적으로 투명한 매질이지만, 광학적으로 투명할 필요는 없다. 흡수 무반사 코팅층(24)이, 종래 포지티브 포토레지스트의, 포토레지스트(26)에 의하여 덮여지는 유전층(22)(도 2b)위에 도포되어 도 2c에 도시된 스택(stack)을 만든다. 도 2c의 스택은, 도 2d에 도시된 바와 같이, 마스크(30)를 통하여 자외선(32)에 노출된다. 노출동안, 흡수 및 pH 조절되는 스핀온 무반사 코팅층(24)은 포토레지스트를 통하여 전달되는 UV광(32)을 흡수한다. 유전층(22)은 대개 및 주로 UV 파장범위에서 투명하므로, 흡수 ARC층(24)이 존재하지 않았다면, UV광(32)이 임계치수, 예를 들어, 노출된 임계치수(27)를 떨어뜨리는 아래에 있는 실리콘층(20)에서, 또는 폴리 실리콘, 구리와 같은 다른 반사표면 및 실리콘 질화물 등과 같은 고굴절률 표면에서 반사되된다. 이 실시예에서, 직접적인 이미지 전달을 제공하는 포지티브 포토레지스트가 고려된다. 그러나, 일부 유기 유전체가 광학적으로투명하지 않는 것이 명백해진다.A general method of using the absorbent material according to the invention as an antireflective coating in a photolithography process is illustrated in FIGS. 2A-2H. As shown in FIG. 2A, dielectric layer 22 is deposited on silicon substrate 20. The dielectric layer 22 may be, for example, a silico dioxide layer derived from TEOS, a silane-based silicon dioxide layer, a thermally grown oxide, or methylhydridosiloxane produced by chemical vapor deposition or OSG, FSG, It can be composed of various dielectrics including silicon dioxide, including materials in the form of NANOGLASS ™ or other elements or compounds. The dielectric layer 22 is generally an optically transparent medium, but need not be optically transparent. An absorbing antireflective coating layer 24 is applied over the dielectric layer 22 (FIG. 2B) covered by the photoresist 26 of a conventional positive photoresist to create the stack shown in FIG. 2C. The stack of FIG. 2C is exposed to ultraviolet light 32 through mask 30, as shown in FIG. 2D. During exposure, the absorbed and pH controlled spin-on antireflective coating layer 24 absorbs UV light 32 transmitted through the photoresist. The dielectric layer 22 is usually and mainly transparent in the UV wavelength range, so if the absorbing ARC layer 24 was not present, the UV light 32 would drop below a critical dimension, eg, an exposed critical dimension 27. At the silicon layer 20, or at other reflective surfaces such as polysilicon, copper and high refractive index surfaces such as silicon nitride. In this embodiment, positive photoresists that provide direct image transfer are contemplated. However, it becomes apparent that some organic dielectrics are not optically transparent.

노출된 스택은 도 2e의 스택을 제조하기 위해 현상된다. 흡수 ARC층(24)은 테트라메틸암모늄하이록사이드(TMAH)의 2.5% 용액과 같은 종래의 포토레지스트 현상액에 저항한다. 대조적으로, 포토레지스트 재료의 일부 화학적 특징을 갖는 ARC층은 포토레지스트 현상제에 더 민감하다. 더욱이, 흡수 ARC층들은 포토레지스트 스트립핑 공정에 저항하는 반면에, 유기 ARC들은 저항하지 않는 것으로 기대된다. 따라서, 흡수층들의 사용은 ARC층을 재적용 할 필요없이, 포토레지스트 재공정을 용이하게 할 수 있다.The exposed stack is developed to produce the stack of FIG. 2E. Absorption ARC layer 24 resists conventional photoresist developer, such as a 2.5% solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH). In contrast, ARC layers with some chemical characteristics of the photoresist material are more sensitive to photoresist developers. Moreover, absorbing ARC layers are expected to resist the photoresist stripping process, while organic ARCs are not. Thus, the use of absorbing layers can facilitate the photoresist reprocessing without the need to reapply the ARC layer.

다음으로, 패턴은 도 2f의 엣칭되는 스택을 제조하도록 포토레지스트(26)에서 개방을 통하여 흡수 ARC층(24)에 엣칭된다. 포토레지스트에 대한 고민감도를 갖는 플루오르카본 엣칭은 흡수 스핀온 ARC층(24)을 엣칭하는데 사용된다. 플루오르카본 엣칭에 대한 흡수 스핀온층의 반응은 산소 플라즈마[RIE계열의 플라즈마] 엣칭을 필요로 하는 유기 ARC층 위로 흡수층의 부가적인 이점을 제공한다. 산소 플라즈마 엣칭은 유기계열로 되는 포토레지스트가 또한 산소 플라즈마에 의하여 엣칭되므로, 현상되는 포토레지스트의 임계 치수를 줄일 수 있다. 플루오르카본 플라즈마는 산소 플라즈마보다 낮은 포토레지스트를 소비한다. 더 짧은 UV 파장에서, 촛점(focus) 요건의 깊이는 도 2d에 도시된 노출 단계에서 포토레지스트층(26)의 두께를 제한할 것이다. 예를 들어, 193㎚에서, 포토레지스트층의 두께는 약 300㎚ 이고, 몇몇의 고려되는 실시예에서는, 약 250㎚ 의 두께가 사용되어야하는 것으로 평가된다. 따라서, 이들 짧은 파장들이 사용되기 시작할 때, 포토레지스트에 대하여 민감하게 엣칭될 수 있는 ARC층을 가지는 것이 중요할 것이다. 포토레지스트에 대한 유기 ARC들의 플라즈마 엣칭비 선택도는 극히 2:1을 초과하지 않음을 주목하라. Si-O 계열의 ARC들은 6:1을 초과하는 엣칭비 선택도를 나타낸다.The pattern is then etched through the opening in photoresist 26 to the absorbent ARC layer 24 to produce the etched stack of FIG. 2F. Fluorocarbon etching with high sensitivity to photoresist is used to etch absorbed spin-on ARC layer 24. The reaction of the absorbing spin-on layer to fluorocarbon etching provides the additional advantage of the absorbing layer over the organic ARC layer requiring oxygen plasma [RIE-based plasma] etching. Oxygen plasma etching can reduce the critical dimension of the photoresist to be developed, since the photoresist of the organic series is also etched by the oxygen plasma. Fluorocarbon plasmas consume lower photoresist than oxygen plasmas. At shorter UV wavelengths, the depth of focus requirement will limit the thickness of the photoresist layer 26 in the exposure step shown in FIG. 2D. For example, at 193 nm, the thickness of the photoresist layer is about 300 nm, and in some contemplated embodiments, it is estimated that a thickness of about 250 nm should be used. Thus, when these short wavelengths begin to be used, it will be important to have an ARC layer that can be etched sensitively to the photoresist. Note that the plasma etch ratio selectivity of organic ARCs to photoresist does not exceed extremely 2: 1. Si-O based ARCs exhibit etch rate selectivity in excess of 6: 1.

플로오루카본 엣칭은 도 2g의 스택을 제조하기 위해 유전층(22)을 통하여 계속된다. 포토레지스트층(26)은 부분적으로 연속적인 엣칭 공정동안 소실된다. 마지막으로, 포토레지스트층(26)은 일부 공정에서의 산소 플라즈마 또는 수소감소화학제(hydrogen reducing chemistry)를 사용하거나 습식 화학제를 통하여 스트립되고 ARC층(24)은 버퍼로 되는 산소 엣칭, 예를 들어, 표준 불산(hydrofluoric acid)/물 혼합물, 비수성, 부분 수성 또는 완전한 수성 플루오르 화학제나 수성 또는 비수성 오르가노아민(organoamine)을 사용하여 스트립된다. 이점적으로, ARC층(24)은 아래에 있는 유전층에 대하여 양호한 민감도를 보이는 용액으로 스트립될 수 있다. 따라서, 도 2a-2h에 도시된 일반적인 포토리소그라피 방법은 무반사 코팅층으로서 및 희생 무반사 코팅층으로서 흡수 스핀온 재료의 공정이점을 나타낸다. The fluorocarbon etching continues through the dielectric layer 22 to produce the stack of FIG. 2G. Photoresist layer 26 is partially lost during subsequent etching processes. Finally, the photoresist layer 26 is stripped using oxygen plasma or hydrogen reducing chemistry or wet chemicals in some processes and the ARC layer 24 is buffered with oxygen etching, e.g. For example, stripping is performed using standard hydrofluoric acid / water mixtures, non-aqueous, partially aqueous or fully aqueous fluorine chemistries or aqueous or non-aqueous organoamines. Advantageously, the ARC layer 24 may be stripped with a solution that exhibits good sensitivity to the underlying dielectric layer. Thus, the general photolithography method shown in FIGS. 2A-2H shows the process advantages of absorbing spin-on materials as antireflective coating layers and as sacrificial antireflective coating layers.

본 명세서에서 기술된 화합물들, 코팅들, 필름들 및 재료들 등은 전자 부품 및/또는 반도체 부품의 일부로 되거나, 일부를 이루거나 형성한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "전자부품"은 또한 몇몇 바람직한 전자작동을 얻도록 회로에 사용될 수 있는 임의의 장치 또는 부분을 의미한다. 본 명세서에서 고려되는 전자부품들은 능동 부품 및 수동 부품으로의 분류를 포함하는 여러가지 다른 방식으로 분류될 수 있다. 능동 부품들로는 증폭, 진동, 또는 신호제어와 같은 어떤 동적 기능을 할 수 있는 전자부품들로서, 대개는 동작에 대한 전력원을 필요로 한다. 예들로는 2극(bipolar) 트랜지스터, 전계효과(field effect) 트랜지스터 및 집적회로이다. 수동 부품들로는 동작시에 정적인 전자 부품들, 즉, 일반적인 증폭이나 진동을 할 수 없는 것들로, 주로 특정 동작을 위한 전력도 필요로 하지 않는다. 예들로는 종래의 트랜지스터, 커패시터, 인덕터, 디오드, 정류기(rectifiers) 및 퓨즈들이다.The compounds, coatings, films, materials and the like described herein may be part of, form part of, or form an electronic component and / or a semiconductor component. As used herein, the term "electronic component" also means any device or part that can be used in a circuit to obtain some desirable electronic operation. Electronic components contemplated herein may be classified in many different ways, including classification into active components and passive components. Active components are electronic components capable of some dynamic function, such as amplification, vibration, or signal control, usually requiring a power source for operation. Examples are bipolar transistors, field effect transistors, and integrated circuits. Passive components are static electronic components in operation, that is, those that cannot be amplified or vibrated in general, and do not usually require power for a specific operation. Examples are conventional transistors, capacitors, inductors, diodes, rectifiers and fuses.

본 명세세에서 고려되는 전자부품들로는 또한, 도체, 반도체, 또는 절연체로서 분류될 수 있다. 본 명세서에서, 도체들은 (전자와 같은) 전하 캐리어들이 전류에서와 같이 원자들 사이에서 용이하게 이동하게 하는 부품들이다. 도체부품들의 예들로는 회로 트레이스(circuit traces) 및 금속을 포함하는 바이어스(vias)이다. 절연체들은 기능이 실질적으로 다른 부품들을 전기적으로 분리시키기 위해 사용되는 재료와 같이 전류를 전도하는데 극히 저항할 수 있는 재료의 능력과 관련되는 부품들인 반면에, 반도체들은 도체와 절연체 사이의 본래 저항도로 전류를 전도할 수 있는 재료의 능력과 관련하는 기능을 갖는 부품들이다. 반도체 부품들의 예들로는 트랜지스터, 디오드, 몇몇 레이저, 정류기, 사이리스터(thyristors) 및 포토레지스터이다. Electronic components contemplated in this specification may also be classified as conductors, semiconductors, or insulators. In this specification, conductors are components that allow charge carriers (such as electrons) to move easily between atoms as in current. Examples of conductor components are circuit traces and vias that contain metal. Insulators are components whose function is substantially related to the ability of the material to be extremely resistant to conducting current, such as the material used to electrically separate other components, while semiconductors are currents with inherent resistance between the conductor and the insulator. Parts with functions that relate to the ability of the material to conduct electricity. Examples of semiconductor components are transistors, diodes, some lasers, rectifiers, thyristors and photoresistors.

본 명세서에서 고려되는 전자부품들은 전력원 또는 전력소비자로서 분류될 수 있다. 전력원 부품들로는 일반적으로 다른 부품들을 구동시키는데 사용되며, 전지, 커패시터, 코일 및 연료전지를 포함한다. 전력소비부품들은 저항기, 트랜지스터, 집적회로(ICs), 센서 등을 포함한다.Electronic components contemplated herein may be classified as a power source or a power consumer. Power source components are generally used to drive other components and include cells, capacitors, coils, and fuel cells. Power consumption components include resistors, transistors, integrated circuits (ICs), sensors, and the like.

본 명세서에서 고려되는 또 다른, 전자 부품들은 분리되거나 집적되는 부품들로 분류될 수 있다. 분리되는 부품들은 회로의 한 곳에 집중되는 하나의 특별한 전기성질을 제공하는 장치들이다. 예들로는 저항기, 커패시터, 디오드 및 트랜지스터이다. 집적 부품들로는 회로의 한 곳에서 다수의 전기성질을 제공할 수 있는 부품들의 조합이다. 예들로는 다수의 부품들 및 연결 트레이스들이 로직(logic)과 같은 다수의 또는 복잡한 기능을 수행하도록 조합되는 집적회로이다.Still further contemplated herein, electronic components may be classified into separate or integrated components. Separate components are devices that provide one particular electrical property that is concentrated in one place in the circuit. Examples are resistors, capacitors, diodes and transistors. Integrated components are combinations of components that can provide multiple electrical properties in one place in a circuit. Examples are integrated circuits in which multiple parts and connection traces are combined to perform multiple or complex functions such as logic.

응용Applications

흡수 코팅용액들을, 특정 제조공정에 따라, 일반적으로는 종래의 스핀온 증착기술에 의하여, 층으로 된 재료를 형성하기 위해 여러가지 기판들, 반도체 공정에서 사용되는 층들 또는 전자부품에 사용되는 층들에 도포하였다. 이들 기술들은 흡수 무반사 코팅을 제조하기 위해, 분산 스핀, 두께 스핀(thickness spin) 및 열적 굽기 단계를 포함한다. 일반적인 공정들은 약 20초간 1000 내지 4000 rpm 사이의 두께 스핀 및 각각 약 1분동안 80℃ 내지 300℃ 사이의 온도에서 2 또는 3 굽기 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 흡수 무반사 코팅은 약 1.3 내지 약 2.0 사이의 굴절률과 약 0.07 이상의 흡광계수를 보인다.Absorbent coating solutions are applied to various substrates, layers used in semiconductor processes, or layers used in electronic components, to form layered materials, generally by conventional spin-on deposition techniques, according to a particular manufacturing process. It was. These techniques include dispersion spins, thickness spins, and thermal baking steps to produce absorbent antireflective coatings. Typical processes include thickness spins between 1000 and 4000 rpm for about 20 seconds and two or three baking steps at temperatures between 80 ° C and 300 ° C for about one minute each. Absorption antireflective coatings according to the present invention exhibit an index of refraction between about 1.3 and about 2.0 and an extinction coefficient of at least about 0.07.

본 명세서에서 고려되는 기판들은 임의의 바람직한 실질적으로 고형 재료를 포함할 수 있다. 특히 바람직한 기판층들은 필름, 글래스, 세라믹, 플라스틱, 금속 또는 코팅 금속, 또는 조성물을 포함할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 기판은 실리콘 또는 게르마늄 아스나이드(germanium arsenide) 염료 또는 웨이퍼 표면, 구리, 은, 니켈 또는 금 도금된 리드프레임에서 발견되는 바와 같은 패키징 표면, 회로판 또는 패키지 상호연결 트레이스(trace)에서 발견되는 바와 같은 구리표면, 비아웰(via well) 또는 강성 인터페이스(stiffness interface)("구리"는 나동선 및 그 산화물의 고려를 포함한다), 폴리아미드계열의 가요성 패키지에서 발견되는 바와 같은 폴리머 계열의 패키징 또는 보드 인터페이스(board interface), 납 또는 다른 금속 합금 솔더볼 표면, 글래스 및 폴리아미드와 같은 폴리머를 포함한다. 더 바람직한 실시예에서, 기판은 실리콘, 구리, 글래스 및 또 다른 폴리머와 같은 패키징 및 회로판 산업에서 공통적인 재료를 포함한다.Substrates contemplated herein may include any desired substantially solid material. Particularly preferred substrate layers may comprise a film, glass, ceramic, plastic, metal or coated metal, or composition. In a preferred embodiment, the substrate is at a packaging surface, circuit board or package interconnect trace as found in a silicon or germanium arsenide dye or wafer surface, copper, silver, nickel or gold plated leadframe. Copper surface as found, via well or stiffness interface ("copper" includes consideration of copper and its oxides), polymer series as found in polyamide-based flexible packages And polymers such as packaging or board interfaces, lead or other metal alloy solder ball surfaces, glass and polyamides. In a more preferred embodiment, the substrate comprises materials common in the packaging and circuit board industry, such as silicon, copper, glass and another polymer.

코팅 용액들 및 필름들이 이용될 수 있는 고려되는 코팅 재료들은 다양한 전자장치, 마이크로 전자장치, 특히 반도체 집적회로 및 하드마스크층(hardmask layers), 유전층, 엣칭정지층 및 매장된 엣칭정지층들을 포함하는 전자 및 반도체 부품용의 여러 층으로 된 재료에 사용된다. 이들 코팅 재료들, 코팅 용액들 및 필름들은 Coating materials contemplated in which coating solutions and films may be used include various electronics, microelectronics, in particular semiconductor integrated circuits and hardmask layers, dielectric layers, etch stop layers and buried etch stop layers. Used in multi-layered materials for electronic and semiconductor parts. These coating materials, coating solutions and films

아다만테인(adamantane) 계열의 화합물, 디아만테인(diamantane) 계열의 화합물, 실리콘 코어 화합물, 유기 유전체 및 나노포로스 유전체(nanoporous dielectircs)와 같은 층으로된 재료들 및 장치들에 사용될 수 있는 다른 재료들과 잘 호환될 수 있다. 본 명세서에서 고려되는 코팅 재료들, 코팅 용액들 및 박막들과 상당히 호환될 수 있는 화합물들이 2001년 10월 17일자로 출원된 PCT출원 PCT/US01/32569, 2001년 12월 31일자로 출원된 PCT출원 PCT/US01/50812, 미국연속출원 제09/538276호, 미국연속출원 제09/544504호, 미국연속출원 제09/587851호, 미국특허 제6,214,746호, 미국특허 제6,171,687호, 미국특허 제6,172,128호, 미국특허 제6,156,812호, 2002년 1월 15일자로 출원된 미국연속출원 제60/350187호, 및 2002년 1월 8일자로 출원된 미국연속출원 제60/347195호에 개시되어 있으며, 상기 문헌들은 전체적으로 참조로 본 명세서에 합체된다.Layered materials and other materials that may be used in devices such as adamantane-based compounds, diamantane-based compounds, silicon core compounds, organic dielectrics and nanoporous dielectircs It is compatible with them. Compounds that are highly compatible with coating materials, coating solutions and thin films contemplated herein are PCT Application PCT / US01 / 32569, filed Oct. 17, 2001, PCT, filed Dec. 31, 2001. PCT / US01 / 50812, US Serial Application No. 09/538276, US Serial Application No. 09/544504, US Serial Application No. 09/587851, US Patent No. 6,214,746, US Patent No. 6,171,687, US Patent No. 6,172,128 US Patent No. 6,156,812, US Serial No. 60/350187, filed Jan. 15, 2002, and US Serial No. 60/347195, filed Jan. 8, 2002, supra. The documents are incorporated herein by reference in their entirety.

포토리소그라피 공정에서 무반사 코팅으로서 본 발명에 따른 흡수재료를 사용하는 일반적인 방법이 도 2a-2h에 예시되어 있다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 유전층(22)이 실리콘 기판(20)에 증착된다. 유전층(22)은, 예를 들어, TEOS로부터 도출되는 실리코 디옥사이드층, 실란계열의 실리콘 디옥사이드층, 열적으로 성장되는 옥사이드, 또는 화학기상층착으로 생산되는 메틸하이드리도실록산 (methylhydridosiloxane) 또는 OSG, FSG, NANOGLASS^TM형태의 재료들 또는 다른 원소들 또는 화합물들을 포함하는 실리콘 디옥사이드를 포함하는 다양한 유전체로 구성될 수 있다. 유전층(22)은 일반적으로 광학적으로 투명한 매질이지만, 광학적으로 투명할 필요는 없다. 흡수 무반사 코팅층(24)이, 종래 포지티브 포토레지스트의, 포토레지스트(26)에 의하여 덮여지는 유전층(22)(도 2b)위에 도포되어 도 2c에 도시된 스택(stack)을 만든다. 도 2c의 스택은, 도 2d에 도시된 바와 같이, 마스크(30)를 통하여 자외선(32)에 노출된다. 노출동안, 흡수 및 pH 조절되는 스핀온 무반사 코팅층(24)은 포토레지스트를 통하여 전달되는 UV광(32)을 흡수한다. 유전층(22)은 대개 및 주로 UV 파장범위에서 투명하므로, 흡수 ARC층(24)이 존재하지 않았다면, UV광(32)이 임계치수, 예를 들어, 노출된 임계치수(27)를 떨어뜨리는 아래에 있는 실리콘층(20)에서, 또는 폴리 실리콘, 구리와 같은 다른 반사표면 및 실리콘 질화물 등과 같은 고굴절률 표면에서 반사되된다. 이 실시예에서, 직접적인 이미지 전달을 제공하는 포지티브 포토레지스트가 고려된다. 그러나, 일부 유기 유전체가 광학적으로투명하지 않는 것이 명백해진다.A general method of using the absorbent material according to the invention as an antireflective coating in a photolithography process is illustrated in FIGS. 2A-2H. As shown in FIG. 2A, dielectric layer 22 is deposited on silicon substrate 20. The dielectric layer 22 may be, for example, a silico dioxide layer derived from TEOS, a silane-based silicon dioxide layer, a thermally grown oxide, or methylhydridosiloxane produced by chemical vapor deposition or OSG, FSG, It can be composed of various dielectrics including silicon dioxide, including materials in the form of NANOGLASS ^™ or other elements or compounds. The dielectric layer 22 is generally an optically transparent medium, but need not be optically transparent. An absorbing antireflective coating layer 24 is applied over the dielectric layer 22 (FIG. 2B) covered by the photoresist 26 of a conventional positive photoresist to create the stack shown in FIG. 2C. The stack of FIG. 2C is exposed to ultraviolet light 32 through mask 30, as shown in FIG. 2D. During exposure, the absorbed and pH controlled spin-on antireflective coating layer 24 absorbs UV light 32 transmitted through the photoresist. The dielectric layer 22 is usually and mainly transparent in the UV wavelength range, so if the absorbing ARC layer 24 was not present, the UV light 32 would drop below a critical dimension, eg, an exposed critical dimension 27. At the silicon layer 20, or at other reflective surfaces such as polysilicon, copper and high refractive index surfaces such as silicon nitride. In this embodiment, positive photoresists that provide direct image transfer are contemplated. However, it becomes apparent that some organic dielectrics are not optically transparent.

노출된 스택은 도 2e의 스택을 제조하기 위해 현상된다. 흡수 ARC층(24)은 테트라메틸암모늄하이록사이드(TMAH)의 2.5% 용액과 같은 종래의 포토레지스트 현상액에 저항한다. 대조적으로, 포토레지스트 재료의 일부 화학적 특징을 갖는 ARC층은 포토레지스트 현상제에 더 민감하다. 더욱이, 흡수 ARC층들은 포토레지스트 스트립핑 공정에 저항하는 반면에, 유기 ARC들은 저항하지 않는 것으로 기대된다. 따라서, 흡수층들의 사용은 ARC층을 재적용 할 필요없이, 포토레지스트 재공정을 용이하게 할 수 있다.The exposed stack is developed to produce the stack of FIG. 2E. Absorption ARC layer 24 resists conventional photoresist developer, such as a 2.5% solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH). In contrast, ARC layers with some chemical characteristics of the photoresist material are more sensitive to photoresist developers. Moreover, absorbing ARC layers are expected to resist the photoresist stripping process, while organic ARCs are not. Thus, the use of absorbing layers can facilitate the photoresist reprocessing without the need to reapply the ARC layer.

다음으로, 패턴은 도 2f의 엣칭되는 스택을 제조하도록 포토레지스트(26)에서 개방을 통하여 흡수 ARC층(24)에 엣칭된다. 포토레지스트에 대한 고민감도를 갖는 플루오르카본 엣칭은 흡수 스핀온 ARC층(24)을 엣칭하는데 사용된다. 플루오르카본 엣칭에 대한 흡수 스핀온층의 반응은 산소 플라즈마[RIE계열의 플라즈마] 엣칭을 필요로 하는 유기 ARC층 위로 흡수층의 부가적인 이점을 제공한다. 산소 플라즈마 엣칭은 유기계열로 되는 포토레지스트가 또한 산소 플라즈마에 의하여 엣칭되므로, 현상되는 포토레지스트의 임계 치수를 줄일 수 있다. 플루오르카본 플라즈마는 산소 플라즈마보다 낮은 포토레지스트를 소비한다. 더 짧은 UV 파장에서, 촛점(focus) 요건의 깊이는 도 2d에 도시된 노출 단계에서 포토레지스트층(26)의 두께를 제한할 것이다. 예를 들어, 193㎚에서, 포토레지스트층의 두께는 약 300㎚ 이고, 몇몇의 고려되는 실시예에서는, 약 250㎚ 의 두께가 사용되어야하는 것으로 평가된다. 따라서, 이들 짧은 파장들이 사용되기 시작할 때, 포토레지스트에 대하여 민감하게 엣칭될 수 있는 ARC층을 가지는 것이 중요할 것이다. 포토레지스트에 대한 유기 ARC들의 플라즈마 엣칭비 선택도는 극히 2:1을 초과하지 않음을 주목하라. Si-O 계열의 ARC들은 6:1을 초과하는 엣칭비 선택도를 나타낸다.The pattern is then etched through the opening in photoresist 26 to the absorbent ARC layer 24 to produce the etched stack of FIG. 2F. Fluorocarbon etching with high sensitivity to photoresist is used to etch absorbed spin-on ARC layer 24. The reaction of the absorbing spin-on layer to fluorocarbon etching provides the additional advantage of the absorbing layer over the organic ARC layer requiring oxygen plasma [RIE-based plasma] etching. Oxygen plasma etching can reduce the critical dimension of the photoresist to be developed, since the photoresist of the organic series is also etched by the oxygen plasma. Fluorocarbon plasmas consume lower photoresist than oxygen plasmas. At shorter UV wavelengths, the depth of focus requirement will limit the thickness of the photoresist layer 26 in the exposure step shown in FIG. 2D. For example, at 193 nm, the thickness of the photoresist layer is about 300 nm, and in some contemplated embodiments, it is estimated that a thickness of about 250 nm should be used. Thus, when these short wavelengths begin to be used, it will be important to have an ARC layer that can be etched sensitively to the photoresist. Note that the plasma etch ratio selectivity of organic ARCs to photoresist does not exceed extremely 2: 1. Si-O based ARCs exhibit etch rate selectivity in excess of 6: 1.

플로오루카본 엣칭은 도 2g의 스택을 제조하기 위해 유전층(22)을 통하여 계속된다. 포토레지스트층(26)은 부분적으로 연속적인 엣칭 공정동안 소실된다. 마지막으로, 포토레지스트층(26)은 일부 공정에서의 산소 플라즈마 또는 수소감소화학제(hydrogen reducing chemistry)를 사용하거나 습식 화학제를 통하여 스트립되고 ARC층(24)은 버퍼로 되는 산소 엣칭, 예를 들어, 표준 불산(hydrofluoric acid)/물 혼합물, 비수성, 부분 수성 또는 완전한 수성 플루오르 화학제나 수성 또는 비수성 오르가노아민(organoamine)을 사용하여 스트립된다. 이점적으로, ARC층(24)은 아래에 있는 유전층에 대하여 양호한 민감도를 보이는 용액으로 스트립될 수 있다. 따라서, 도 2a-2h에 도시된 일반적인 포토리소그라피 방법은 무반사 코팅층으로서 및 희생 무반사 코팅층으로서 흡수 스핀온 재료의 공정이점을 나타낸다. The fluorocarbon etching continues through the dielectric layer 22 to produce the stack of FIG. 2G. Photoresist layer 26 is partially lost during subsequent etching processes. Finally, the photoresist layer 26 is stripped using oxygen plasma or hydrogen reducing chemistry or wet chemicals in some processes and the ARC layer 24 is buffered with oxygen etching, e.g. For example, stripping is performed using standard hydrofluoric acid / water mixtures, non-aqueous, partially aqueous or fully aqueous fluorine chemistries or aqueous or non-aqueous organoamines. Advantageously, the ARC layer 24 may be stripped with a solution that exhibits good sensitivity to the underlying dielectric layer. Thus, the general photolithography method shown in FIGS. 2A-2H shows the process advantages of absorbing spin-on materials as antireflective coating layers and as sacrificial antireflective coating layers.

본 명세서에서 기술된 화합물들, 코팅들, 필름들 및 재료들 등은 전자 부품 및/또는 반도체 부품의 일부로 되거나, 일부를 이루거나 형성한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "전자부품"은 또한 몇몇 바람직한 전자작동을 얻도록 회로에 사용될 수 있는 임의의 장치 또는 부분을 의미한다. 본 명세서에서 고려되는 전자부품들은 능동 부품 및 수동 부품으로의 분류를 포함하는 여러가지 다른 방식으로 분류될 수 있다. 능동 부품들로는 증폭, 진동, 또는 신호제어와 같은 어떤 동적 기능을 할 수 있는 전자부품들로서, 대개는 동작에 대한 전력원을 필요로 한다. 예들로는 2극(bipolar) 트랜지스터, 전계효과(field effect) 트랜지스터 및 집적회로이다. 수동 부품들로는 동작시에 정적인 전자 부품들, 즉, 일반적인 증폭이나 진동을 할 수 없는 것들로, 주로 특정 동작을 위한 전력도 필요로 하지 않는다. 예들로는 종래의 트랜지스터, 커패시터, 인덕터, 디오드, 정류기(rectifiers) 및 퓨즈들이다.The compounds, coatings, films, materials and the like described herein may be part of, form part of, or form an electronic component and / or a semiconductor component. As used herein, the term "electronic component" also means any device or part that can be used in a circuit to obtain some desirable electronic operation. Electronic components contemplated herein may be classified in many different ways, including classification into active components and passive components. Active components are electronic components capable of some dynamic function, such as amplification, vibration, or signal control, usually requiring a power source for operation. Examples are bipolar transistors, field effect transistors, and integrated circuits. Passive components are static electronic components in operation, that is, those that cannot be amplified or vibrated in general, and do not usually require power for a specific operation. Examples are conventional transistors, capacitors, inductors, diodes, rectifiers and fuses.

본 명세세에서 고려되는 전자부품들로는 또한, 도체, 반도체, 또는 절연체로서 분류될 수 있다. 본 명세서에서, 도체들은 (전자와 같은) 전하 캐리어들이 전류에서와 같이 원자들 사이에서 용이하게 이동하게 하는 부품들이다. 도체부품들의 예들로는 회로 트레이스(circuit traces) 및 금속을 포함하는 바이어스(vias)이다. 절연체들은 기능이 실질적으로 다른 부품들을 전기적으로 분리시키기 위해 사용되는 재료와 같이 전류를 전도하는데 극히 저항할 수 있는 재료의 능력과 관련되는 부품들인 반면에, 반도체들은 도체와 절연체 사이의 본래 저항도로 전류를 전도할 수 있는 재료의 능력과 관련하는 기능을 갖는 부품들이다. 반도체 부품들의 예들로는 트랜지스터, 디오드, 몇몇 레이저, 정류기, 사이리스터(thyristors) 및 포토레지스터이다. Electronic components contemplated in this specification may also be classified as conductors, semiconductors, or insulators. In this specification, conductors are components that allow charge carriers (such as electrons) to move easily between atoms as in current. Examples of conductor components are circuit traces and vias that contain metal. Insulators are components whose function is substantially related to the ability of the material to be extremely resistant to conducting current, such as the material used to electrically separate other components, while semiconductors are currents with inherent resistance between the conductor and the insulator. Parts with functions that relate to the ability of the material to conduct electricity. Examples of semiconductor components are transistors, diodes, some lasers, rectifiers, thyristors and photoresistors.

본 명세서에서 고려되는 전자부품들은 전력원 또는 전력소비자로서 분류될 수 있다. 전력원 부품들로는 일반적으로 다른 부품들을 구동시키는데 사용되며, 전지, 커패시터, 코일 및 연료전지를 포함한다. 전력소비부품들은 저항기, 트랜지스터, 집적회로(ICs), 센서 등을 포함한다. Electronic components contemplated herein may be classified as a power source or a power consumer. Power source components are generally used to drive other components and include cells, capacitors, coils, and fuel cells. Power consumption components include resistors, transistors, integrated circuits (ICs), sensors, and the like.

본 명세서에서 고려되는 또 다른, 전자 부품들은 분리되거나 집적되는 부품들로 분류될 수 있다. 분리되는 부품들은 회로의 한 곳에 집중되는 하나의 특별한 전기성질을 제공하는 장치들이다. 예들로는 저항기, 커패시터, 디오드 및 트랜지스터이다. 집적 부품들로는 회로의 한 곳에서 다수의 전기성질을 제공할 수 있는 부품들의 조합이다. 예들로는 다수의 부품들 및 연결 트레이스들이 로직(logic)과 같은 다수의 또는 복잡한 기능을 수행하도록 조합되는 집적회로이다.Still further contemplated herein, electronic components may be classified into separate or integrated components. Separate components are devices that provide one particular electrical property that is concentrated in one place in the circuit. Examples are resistors, capacitors, diodes and transistors. Integrated components are combinations of components that can provide multiple electrical properties in one place in a circuit. Examples are integrated circuits in which multiple parts and connection traces are combined to perform multiple or complex functions such as logic.

자외선 포토리소그래피용 무반사 코팅 물질은 적어도 하나의 무기계 화합물 또는 무기 물질; 적어도 하나의 흡수 화합물 및 적어도 하나의 물질 개질제를 포함한다. 적어도 하나의 물질 개질제는 상기 코팅 물질을 개질할 수 있는 화합물 또는 조성물을 포함할 수 있어, 에칭 선택성 및/또는 스트립 선택성을 향상시키거나 또는 충전 바이어스를 최소화시키는 것과 같은, 최종 필름의 포토리소그래픽, 적합성 또는 물리적 특성을 향상시키도록 할 수 있다. 상기 적어도 하나의 물질 개질제는 적어도 하나의 포로젠(porogen), 적어도 하나의 고비등 용매(high-boiling solvent), 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 치환 용매(replacement solvent), 적어도 하나의 캡핑제(capping agent), 레진계 물질과 같은 적어도 하나의 접착 증진제 및/또는 그 조합을 포함할 수 있으며, 이들은 상기 무기계 물질 또는 화합물에 혼합된다. 레진계 접착 증진제는 페놀릭-함유 레진, CRJ-406 또는 HRJ-11040 (둘다 쉐넥태디(Schenectady) 인터네셔날사에서 제조됨)와 같은 노볼락(novolac) 레진, 유기 아크릴레이트 레진 및/또는 스티렌 레진과 같은 유기 레진을 포함할 수 있다. 다른 접착 증진제는 폴리디메틸실록산 물질, 에톡시 또는 히드록시-함유 실란 모노머, 비닐-함유 실란 모노머, 아크릴화된 실란 모노머, 또는 실릴 하이드라이드를 포함할 수 있다. Antireflective coating materials for ultraviolet photolithography include at least one inorganic compound or inorganic material; At least one absorbent compound and at least one substance modifier. At least one material modifier may include a compound or composition capable of modifying the coating material, such as to improve the etch selectivity and / or strip selectivity or to minimize charge bias, To improve the suitability or physical properties. The at least one substance modifier is at least one porogen, at least one high-boiling solvent, at least one catalyst, at least one leveling agent, at least one pH regulator, at least one substitution At least one adhesion promoter, such as a replacement solvent, at least one capping agent, a resin-based material, and / or combinations thereof, which are mixed with the inorganic material or compound. Resin-based adhesion promoters include novolac resins, organic acrylate resins and / or styrene resins such as phenolic-containing resins, CRJ-406 or HRJ-11040 (both manufactured by Schenectady International). And may contain the same organic resin. Other adhesion promoters may include polydimethylsiloxane materials, ethoxy or hydroxy-containing silane monomers, vinyl-containing silane monomers, acrylated silane monomers, or silyl hydrides.

상기 흡수 조성물은 적절한 용매로 희석되어 코팅용액으로 제조되고 층물질, 전자제품 및 반도체 제품을 제조하는데 다양한 물질층에 적용된다. 상기 코팅 용액은 표면 위에 스피닝, 드리핑, 롤링 및/또는 그 조합과 같은 적절한 방법에 의해 적용될 수 있다. 상기 흡수 무반사 코팅은 층물질, 전자부품 또는 반도체 제조에 합체되도록 고안된다. 합체를 용이하게 하는 몇몇 특성은 a) 현상액 저항(developer resistance), b) 표준 포토레지스트 공정 중의 열안정성, c) 기반 층에 대한 선택적 제거등을 들 수 있다. The absorbent composition is diluted with a suitable solvent to prepare a coating solution and is applied to various material layers to produce layered materials, electronics and semiconductor products. The coating solution can be applied by a suitable method such as spinning, dripping, rolling and / or combinations thereof on the surface. The absorptive antireflective coating is designed to be incorporated into the manufacture of layer materials, electronic components or semiconductors. Some properties that facilitate incorporation include a) developer resistance, b) thermal stability during standard photoresist processes, and c) selective removal of the underlying layer.

무기계 물질 및 무기 화합물Inorganic Substances and Inorganic Compounds

실리콘계, 갈륨계, 게르마늄계, 아세닉계, 보론계 화합물 또는 그 조성물과 같은 무기계 화합물 및/또는 물질 및/또는 의도된 스핀-온 무기계 화합물 및/또는 물질이 본 명세서에서 고려된다. 실리콘계 화합물의 예로는 메틸실록산, 메틸실세스퀴옥산, 페닐실록산, 페닐실세스퀴옥산, 메틸페닐실록산, 메틸페닐실세스퀴옥산, 실라잔 폴리머, 디메틸실록산, 디페닐실록산, 메틸페닐실록산과 같은 실록산 화합물, 실리케이트 폴리머, 실실릭산 유도체, 및 그 혼합물을 들 수 있다. 의도된 실라잔 폴리머는 발색단이 부착될 수 있는 "투명한" 폴리머 골격을 갖는 퍼하이드로실라잔이다. Inorganic compounds and / or materials such as silicon-based, gallium-based, germanium-based, acenic-based, boron-based compounds or compositions thereof and / or intended spin-on inorganic compounds and / or materials are contemplated herein. Examples of silicone compounds include siloxane compounds such as methylsiloxane, methylsilsesquioxane, phenylsiloxane, phenylsilsesquioxane, methylphenylsiloxane, methylphenylsilsesquioxane, silazane polymer, dimethylsiloxane, diphenylsiloxane, methylphenylsiloxane, Silicate polymers, silicic acid derivatives, and mixtures thereof. Intended silazane polymers are perhydrosilazanes with "transparent" polymer backbones to which chromophores can be attached.

언급된 바와 같이, 무기계 물질, 무기 화합물 및 스핀-온 글래스 물질은 또한 일반식(H_0-1.0SiO_1.5-2.0)_X의 실록산 폴리머 및 블록 공중합체, 수소실록산 폴리머, 및 일반식(HSiO_1.5)_X의 수소실세스퀴옥산 폴리머 (여기서, X는 4보다 큼), 및 실실릭 산 유도체를 포함한다. 또한, 수소실세스퀴옥산 및 알콕시하이드리도실록산 또는 하이드록시하이드리도실록산의 공중합체도 포함된다. 여기서 의도된 물질은 또한 오가노실록산 폴리머, 아크릴릭 실록산 폴리머, 실세스퀴옥산계 폴리머, 실리사이산 유도체, 일반식(H_0-1.0SiO_1.5-2.0)n(R_0-1.0SiO_1.5-2.0)m의 오가노하이드리도실록산 폴리머, 및 일반식 (HSiO_1.5)n(RSiO_1.5)m의 오가노하이드리도실세스퀴옥산 폴리머 (여기서, m은 0보다 크고, n과 m의 합은 약4보다 크고, R은 알킬 또는 아릴임)를 포함한다. 몇몇 유용한 오가노하이드리도실세스퀴옥산 폴리머는 n과 m의 합이 약 4 내지 5000이고, R은 C₁-C₂₀ 알킬기 또는 C₆-C₁₂ 아릴기이다. 상기 오가노하이드리도실록산 및 오가노하이드리도실세스퀴옥산 폴리머는 선택적으로 스핀-온-폴리머를 나타낸다. 몇몇 구체적인 예로는 메틸하이드리도실록산, 에틸하이드리도실록산, 프로필하이드리도실록산, t-부틸하이드리도실록산, 페닐하이드리도실록산과 같은 알킬하이드리도실록산; 및 메틸하이드리도실세스퀴옥산, 에틸하이드리도실세스퀴옥산, 프로필하이드리도실세스퀴옥산, t-부틸하이드리도실세스퀴옥산, 페닐하이드리도실세스퀴옥산 및 그 조합과 같은 알킬하이드리도실세스퀴옥산을 들 수 있다.As mentioned, inorganic materials, inorganic compounds and spin-on glass materials also include siloxane polymers and block copolymers of formula (H _0-1.0 SiO _1.5-2.0 ) _X , hydrogensiloxane polymers, and formula (HSiO _1.5 ). the number of lost _X silsesquioxane polymer and a (wherein, X is greater than 4), and Rick silsil acid derivative. Also included are copolymers of hydrogen silsesquioxane and alkoxyhydridosiloxane or hydroxyhydridosiloxane. Materials intended here are also organosiloxane polymers, acrylic siloxane polymers, silsesquioxane based polymers, silicic acid derivatives, general formula (H _0-1.0 SiO _1.5-2.0 ) n (R _0-1.0 SiO _1.5-2.0 ) m organohydridosiloxane polymer, and the general formula (HSiO _1.5 ) n (RSiO _1.5 ) m organohydridosilsesquioxane polymer, where m is greater than 0 and the sum of n and m is greater than about 4. Large, R is alkyl or aryl. Some useful organohydridosilsesquioxane polymers have a sum of n and m of about 4 to 5000, and R is a C ₁ -C ₂₀ alkyl group or a C ₆ -C ₁₂ aryl group. The organohydridosiloxane and organohydridosilsesquioxane polymers optionally represent spin-on-polymers. Some specific examples include alkylhydridosiloxanes such as methylhydridosiloxane, ethylhydridosiloxane, propylhydridosiloxane, t-butylhydridosiloxane, phenylhydridosiloxane; And alkylhydrides such as methylhydridosilsesquioxane, ethylhydridosilsesquioxane, propylhydridosilsesquioxane, t-butylhydridosilsesquioxane, phenylhydridosilsesquioxane and combinations thereof Silsesquioxane is mentioned.

본 명세서에서 사용되는, "스핀-온 물질", "스핀-온 유기 물질", "스핀-온 조성물" 및 "스핀-온 무기 조성물"은 교환사용될 수 있으며, 기질 또는 표면에 스핀 온 될 수 있는 용액 및 조성물을 의미한다. 또한, "스핀-온-글래스 물질"은 "스핀-온 무기 물질"의 서브셋(subset)을 의미한다. 즉, 스핀-온 글래스 물질은 전체적으로 또는 부분적으로 실리콘계 화합물 및/또는 폴리머를 포함하는 스핀-온 물질을 의미한다. As used herein, "spin-on material", "spin-on organic material", "spin-on composition" and "spin-on inorganic composition" may be exchanged and spin-on to a substrate or surface. Means solutions and compositions. In addition, "spin-on-glass material" means a subset of "spin-on inorganic material". In other words, a spin-on glass material means a spin-on material that includes a silicon-based compound and / or a polymer in whole or in part.

몇몇 실시예에서, 구체적인 오가노하이드리도실록산 레진은 하기 일반식을 갖는다. In some embodiments, the specific organohydridosiloxane resin has the general formula:

[H-Si_1.5]n[R-SiO_1.5]m 일반식(1)[H-Si _1.5 ] n [R-SiO _1.5 ] m General formula (1)

[H_0-5-Si_1.5-1.8]n[R_0.5-1.0-SiO_1.5-1.8]m 일반식(2)[H _0-5 -Si _1.5-1.8 ] n [R _0.5-1.0 -SiO _1.5-1.8 ] m General Formula (2)

[H_0-1.0-Si_1.5]n[R-SiO_1.5]m 일반식(3)[H _0-1.0 -Si _1.5 ] n [R-SiO _1.5 ] m General formula (3)

[H-Si_1.5]x[R-SiO_1.5]y[SiO₂]z 일반식(4)[H-Si _1.5 ] x [R-SiO _1.5 ] y [SiO ₂ ] z General formula (4)

여기서, n과 m의 합, 또는 x와 y와 z의 합은 약 8 내지 5000이고, m 또는 y는 탄소함유체가 40퍼센트보다 적은 양(낮은 유기 함유 = LOSP)으로, 또는 약 40페센트보다 많은 양(높은 유기 함유 = HOSP)으로 존재하도록 선택되고; R은 치환되거나 치환되지 않은, 노말 및 분지된 알킬(메틸, 에틸, 부틸, 프로필, 펜틸), 알케닐기(비닐, 알릴, 이소프로페닐), 시클로알킬, 시클로알케닐, 아릴(페닐기, 벤질기, 나프탈레닐기, 안트라세닐기 및 펜안트레닐기) 및 그 혼합물에서 선택되고; 특정 몰 퍼센트의 탄소 함유 치환체는 개시 물질의 양의 비율의 함수이다. 몇몇 SOSP 실시예에서, 특히 바람직한 결과물은 약 15 몰 퍼센트 내지 약 25 몰 퍼센트 범위의 탄소 함유 치환체로 얻어진다. 몇몇 HOSP 실시예에서, 바람직한 결과물은 약 55 몰 퍼센트 내지 약 75 몰 퍼센트의 탄소 함유 치환체로 얻어진다. Wherein the sum of n and m, or the sum of x and y and z, is about 8 to 5000, and m or y is less than 40 percent carbon content (low organic content = LOSP), or about 40 percent. Selected to be present in large amounts (high organic content = HOSP); R is substituted or unsubstituted, normal and branched alkyl (methyl, ethyl, butyl, propyl, pentyl), alkenyl group (vinyl, allyl, isopropenyl), cycloalkyl, cycloalkenyl, aryl (phenyl group, benzyl group , Naphthalenyl group, anthracenyl group and phenanthrenyl group) and mixtures thereof; Particular mole percent carbon-containing substituents are a function of the proportion of the amount of starting material. In some SOSP examples, particularly preferred results are obtained with carbon containing substituents ranging from about 15 mole percent to about 25 mole percent. In some HOSP examples, preferred results are obtained with about 55 mole percent to about 75 mole percent carbon containing substituents.

몇몇 의도된 폴리머는 선택적으로 실리콘 및 산소 원자를 포함하는 폴리머 골격을 포함한다. 이전에 공지된 오르가노실록산 레진과 대조적으로, 상기 본 발명에서 이용되는 폴리머, 무기계 조성물 및 물질 중 몇몇은 필수적으로 골격 실리콘 원자에 결합된 하이드록실 또는 알콕시기를 포함하지는 않는다. 더욱이, 이미 언급된 골격 산소 원자와 더불어, 각각의 실리콘 원자는 일반식 1, 2, 3, 및 4에서 정의된 바와 같이 단지 수소 원자 및/또는 R기에만 결합된다. 단지 수소 및/또는 R기를 상기 폴리머의 골격 실리콘 원자에 직접 결합시킴으로써, 원하지 않는 사슬의 연장 및 교차 결합을 피할 수 있다. 다른 것들 중에서, 원하지 않는 사슬의 연장 및 교차 결합이 본 발명의 레진에서 피할 수 있으므로, 상기 레진 용액의 저장 수명(shelf life)은 공지된 오가노시록산 수지에 비하여 향상된다. 또한, 실리콘-탄소 결합이 실리콘 수소 결합보다 반응성이 낮기 때문에, 상기 오가노하이드리도실록산 레진 용액의 저장 수명은 공지된 하이드리도실록산 레진에 비하여 향상된다. Some intended polymers include a polymer backbone that optionally includes silicon and oxygen atoms. In contrast to previously known organosiloxane resins, some of the polymers, inorganic compositions and materials used in the present invention do not necessarily contain hydroxyl or alkoxy groups bonded to skeletal silicon atoms. Moreover, in addition to the skeleton oxygen atoms already mentioned, each silicon atom is bonded to only hydrogen atoms and / or R groups as defined in general formulas (1), (2), (3) and (4). By only bonding hydrogen and / or R groups directly to the backbone silicon atoms of the polymer, unwanted chain extension and crosslinking can be avoided. Among other things, the shelf life of the resin solution is improved compared to known organosiloxane resins, since unwanted chain extension and crosslinking can be avoided in the resin of the present invention. In addition, since the silicon-carbon bond is less reactive than the silicon hydrogen bond, the shelf life of the organohydridosiloxane resin solution is improved compared to known hydridosiloxane resins.

이전에 언급한 의도된 화합물의 몇몇은 등록된 특허인 USP 6,143,855 및 출원중인 특허인 US Serial 10/078919(출원일 2002년 2월 19일)에 개시되어 있다; 허니웰 인터네션날사의 상업적으로 이용가능한 HOSP?제품; 등록된 특허인 USP 6,372,666에 개시된 나노기공 실리카; 허니웰 인터네션날사의 상업적으로 이용가능한 NANOGLASS?E제품; WO 01/29052에 개시된 오가노실세스퀴옥산; 및 등록된 특허인 USP 6,440,550에 개시된 플루오로실세퀴옥산. 다른 의도된 화합물은 다음과 같은 등록된 특허 및 출원중인 특허에 개시되어 있다:(PCT/US00/15772; US Application Serial No. 09/330248; US Application Serial No. 09/491166; USP 6,365,765; USP 6,268,457; US Application Serial No. 10/001143; US Application Serial No. 09/491166; PCT/US00/00523; USP 6,177,199; USP 6,358,559; USP 6,218,020; USP 6,361,820; USP 6,218,497; USP 6,359,099; USP 6,143,855; US Application Serial No. 09/611528; 및 US Application Serial No. 60/043,261). 여기서 의도된 실리카 화합물은 미국 등록 특허(6,022,812; 6,037,275; 6,042,994; 6,048,804; 6,090,448; 6,126,733; 6,140,254; 6,204,202; 6,208,041; 6,318,124 및 6,319,855)에 개시된 화합물이다. Some of the previously intended compounds mentioned are disclosed in registered patent US Pat. No. 6,143,855 and pending patent US Serial 10/078919 filed February 19, 2002; Commercially available HOSP® products from Honeywell International; Nanoporous silica disclosed in registered patent US Pat. No. 6,372,666; Commercially available NANOGLASS® E products from Honeywell International; Organosilsesquioxanes disclosed in WO 01/29052; And the fluorosilsequioxanes disclosed in registered patent US Pat. No. 6,440,550. Other intended compounds are disclosed in the following registered and pending patents: (PCT / US00 / 15772; US Application Serial No. 09/330248; US Application Serial No. 09/491166; USP 6,365,765; USP 6,268,457 ; US Application Serial No. 10/001143; US Application Serial No. 09/491166; PCT / US00 / 00523; USP 6,177,199; USP 6,358,559; USP 6,218,020; USP 6,361,820; USP 6,218,497; USP 6,359,099; USP 6,143,855; US Application Serial No 09/611528; and US Application Serial No. 60 / 043,261). Silica compounds intended herein are those compounds disclosed in US registered patents (6,022,812; 6,037,275; 6,042,994; 6,048,804; 6,090,448; 6,126,733; 6,140,254; 6,204,202; 6,208,041; 6,318,124 and 6,319,855).

본 명세서에서 사용되는, "교차결합"은 적어도 두 개의 분자 또는 긴 분자의 두 부분이 서로 화학 상호작용에 의해 결합되는 공정을 의미한다. 그러한 상호작용은 공유결합의 형성, 수소결합의 형성, 소수성, 친수성, 이온성 또는 정전기성 상호작용을 포함하는 다양한 방식으로 발생된다. 또한, 분자간 상호작용은 분자와 그 분자간에 또는 두개 이상의 분자간의 적어도 일시적인 물리적 결합으로 특징된다. As used herein, "crosslinking" refers to a process in which at least two molecules or two portions of long molecules are bonded to each other by chemical interaction. Such interactions occur in a variety of ways, including the formation of covalent bonds, the formation of hydrogen bonds, hydrophobic, hydrophilic, ionic or electrostatic interactions. Intermolecular interactions are also characterized by at least temporary physical bonds between a molecule and the molecule or between two or more molecules.

몇몇 의도된 실시예에서, 폴리머 골격 구조는 케이지 구조(cage configuration)이다. 따라서, 케이지 구조의 폴리머 레진에는 단지 매우 낮은 레벨 또는 반응성 종결 모이어티만이 존재한다. 상기 폴리머 골격의 케이지 구조로 인해서, 원하지 않는 사슬 연장 중합이 용액에서 발생되지 않고, 연장된 저장 수명을 얻을 수 있게 된다. 상기 폴리머의 실리콘 원자 각각은 적어도 세개의 산소 원자에 결합된다. 폴리머 골격에 결합된 모이어티는 수소 및 본 명세서에 기술된 유기 그룹을 포함한다. 본 명세서에서 사용되는, "골격"은 공유결합된 폴리머 줄기를 형성하는 원자 또는 모이어티의 연속된 사슬을 의미하는 것으로, 그러한 원자 또는 모이어티의 제거로 인해 사슬은 중단되게 된다. In some intended embodiments, the polymer backbone structure is a cage configuration. Thus, only very low levels or reactive termination moieties are present in the cage structured polymer resin. Due to the cage structure of the polymer backbone, undesired chain extension polymerization does not occur in solution, resulting in an extended shelf life. Each silicon atom of the polymer is bonded to at least three oxygen atoms. Moieties bound to the polymer backbone include hydrogen and the organic groups described herein. As used herein, "backbone" refers to a continuous chain of atoms or moieties that form a covalently bonded polymer stem, with the chain interrupted due to the removal of such atoms or moieties.

본 명세서에서 사용되는, "모노머"는 그 자신과 또는 화학적으로 다른 화합물과 반복되어 공유결합을 형성할 수 있는 화합물을 의미한다. 모노머 간의 반복적인 결합 형성으로 선형, 분지형, 슈퍼-분지형, 또는 3차원 제품을 얻을 수 있다. 또한 모노머는 그 자신이 반복적인 빌딩 블록을 포함할 수 있으며, 그러한 모노머로부터 형성된 폴리머가 중합된 경우 "블록 폴리머"라 불린다. 모노머는 유기, 오가노메탈릭, 또는 무기 분자를 포함하는 다양한 화학 클래스에 속한다. 모노머의 분자량은 약 40 달톤 내지 20000 달톤사이로 매우 다양하다. 그러나, 특히 모노머가 반복적인 빌딩 블록을 포함하면, 모노머는 휠씬 더 큰 분자량을 가질 수 있다. 모노머는 또한 교차결합에 사용되는 그룹과 같은 부가적인 그룹을 포함할 수 있다. As used herein, "monomer" means a compound capable of repeating covalent bonds with itself or chemically with other compounds. Repeated bond formation between monomers can yield linear, branched, super-branched, or three-dimensional products. Monomers may also comprise repeating building blocks of their own and are called "block polymers" when polymers formed from such monomers are polymerized. Monomers belong to various chemical classes, including organic, organometallic, or inorganic molecules. The molecular weight of the monomers varies widely between about 40 Daltons and 20000 Daltons. However, especially if the monomer comprises repeating building blocks, the monomer may have a much higher molecular weight. The monomer may also include additional groups, such as groups used for crosslinking.

몇몇 의도된 실시예에서, 무기계 화합물의 분자량은 물질의 용해성을 변화시키기 위해서 증가될 수 있다. 한편, 물질의 용해성을 변화시키면 물질의 평탄화를 증가시키고 보이드(void)를 방지하는데 도움이 된다. In some intended embodiments, the molecular weight of the inorganic compound may be increased to change the solubility of the material. On the other hand, changing the solubility of the material helps to increase the planarization of the material and to prevent voids.

흡수 화합물Absorbent compound

많은 나프탈렌계, 펜안트렌계 및 안트라센계 화합물은 248 nm 이하에서 우수한 흡수성을 가진다. 벤젠계, 본 명세서에서 동일하게 지칭되는 페닐계 화합물은 200 nm보다 짧은 파장에서 우수한 흡수성을 가진다. 이들 나프탈렌계, 안트라센계, 펜안트렌계 및 페닐계 화합물이 빈번히 염료(dye)로 언급되는 반면에, 이들 화합물의 흡수성은 스펙트럼의 가시 영역의 파장에 한정되지 않기 때문에 흡수 화합물이 본 발명에서 사용된다. 그러나, 모든 그러한 흡수 화합물이 무반사 코팅 물질로서 사용되는 무기계 물질에 합체될 수는 없다. 바람직한 흡수 화합물은, 포토리소그래피에 사용될 수 있는, 248nm, 193nm, 157nm의 파장 또는 365nm의 다른 자외선 파장 주변에 중심을 갖는 한정할 수 있는 흡수 피크를 가진다. 바람직한 "한정할 수 있는 흡수 피크"는 적어도 0.5 nm의 폭이며, 이때 폭은 포토리소그래피 분야에서 통상적인 방식으로 계산된다. 더 바람직한 실시예에서, 상기 한정할 수 있는 흡수 피크는 적어도 1 nm의 폭이다. 보다 바람직한 실시예에서, 상기 한정할 수 있는 흡수 피크는 적어도 5 nm의 폭이다. 가장 바람직한 실시예에서, 상기 한정할 수 있는 흡수 피크는 적어도 10 nm의 폭이다. Many naphthalene-based, phenanthrene-based and anthracene-based compounds have good absorbency below 248 nm. Benzene-based, phenyl-based compounds equally referred to herein have good absorption at wavelengths shorter than 200 nm. While these naphthalene-based, anthracene-based, phenanthrene-based and phenyl-based compounds are frequently referred to as dyes, absorbent compounds are used in the present invention because the absorbency of these compounds is not limited to the wavelength of the visible region of the spectrum. . However, not all such absorbent compounds can be incorporated into inorganic materials used as antireflective coating materials. Preferred absorbent compounds have definable absorption peaks centered around wavelengths of 248 nm, 193 nm, 157 nm or other ultraviolet wavelengths of 365 nm, which can be used for photolithography. Preferred "limitable absorption peaks" are at least 0.5 nm wide, where the width is calculated in a manner customary in the field of photolithography. In a more preferred embodiment, the definable absorption peak is at least 1 nm wide. In a more preferred embodiment, the definable absorption peak is at least 5 nm wide. In the most preferred embodiment, the definable absorption peak is at least 10 nm wide.

전형적으로 적합한 흡수 화합물의 발색단은 적어도 하나의 벤젠 고리를 가지고 이때 두개 또는 그 이상의 벤젠 고리가 있고 고리들은 융합되거나 되지 않는다. 혼합될 수 있는 흡수 화합물은 발색단에 부착된 접근 가능 반응기를 가지고 이 반응기는 하이드록실기, 아민기, 카르복실산기 및 알콕시기, 아세톡시기 또는 할로겐 원자와 같은 하나, 둘 또는 세개의 "이탈기"에 결합된 실리콘을 갖는 치환된 실릴기를 포함한다. 에톡시 또는 메톡시기 또는 염소 원자는 종종 이탈기로서 사용된다. 바람직한 반응기는 실리콘에톡시, 실리콘디에톡시, 실리콘트리에톡시, 실리콘메톡시, 실리콘디메톡시, 및 실리콘트리메톡시기와 같은 실리콘알콕시, 실리콘디알콕시 및 실리콘트리알콕시기, 클로로실릴, 디클로로실릴 및 트리클로로실릴기와 같은 할로실릴기, 및 메틸트리아세톡시실란, 테트라아세톡시실란과 같은 아세톡시기를 포함한다. Typically the chromophores of suitable absorbent compounds have at least one benzene ring, where there are two or more benzene rings and the rings are either fused or not. Absorbable compounds that can be mixed have accessible reactors attached to chromophores, which may be one, two or three "leaving groups such as hydroxyl groups, amine groups, carboxylic acid groups and alkoxy groups, acetoxy groups or halogen atoms. And substituted silyl groups having silicon bonded to " Ethoxy or methoxy groups or chlorine atoms are often used as leaving groups. Preferred reactors include silicon alkoxy, silicon dialkoxy and silicon trialkoxy groups such as silicon ethoxy, silicon diethoxy, silicon triethoxy, silicon methoxy, silicon dimethoxy, and silicon trimethoxy groups, chlorosilyl, dichlorosilyl and trichloro Halosilyl groups such as rosilyl groups, and acetoxy groups such as methyltriacetoxysilane and tetraacetoxysilane.

이 반응기들은 발색단에 직접, 예를 들면 페닐트리에톡시실란에서처럼 결합되거나 반응기들은 예를 들면 9-안트라센 카르복시-알킬 트리에톡시실란에서처럼 에스테르, 케톤 및/또는 산소 연결 또는 탄화수소 가교를 통해 발색단에 부착된다. 발색단에의 실리콘트리알콕시기의 포함은 특히 흡수 SOG 필름의 안정성을 증가시키는데에 유익하다는 것을 발견하였다. 다른 유용한 흡수 화합물은 아조기, -N=N 및 접근 가능 반응기를 함유하는 것, 특히 365㎚ 주위에서의 흡수가 특정 적용에 요구되는 때에는 아조기가 연결된 벤제 고리를 함유하는 것이다. These reactors are attached directly to the chromophore, for example as in phenyltriethoxysilane, or the reactors are attached to the chromophore via ester, ketone and / or oxygen linkage or hydrocarbon crosslinking, for example as in 9-anthracene carboxy-alkyl triethoxysilane. do. The inclusion of silicontrialkoxy groups in chromophores has been found to be particularly beneficial for increasing the stability of absorbent SOG films. Other useful absorbing compounds are those containing azo groups, -N = N and accessible reactors, particularly those containing a benzene ring to which the azo groups are linked when absorption around 365 nm is required for a particular application.

흡수 화합물은 무기계 물질 매트릭스에 틈새로 합체될 것이다. 흡수 화합물은 무기계 물질 또는 폴리머에 화학적으로 결합될 수 있다. 어떤 의도된 양태에서, 합체될 수 있는 흡수 화합물은 접근 가능 반응기를 통해 무기계 물질 골격 또는 폴리머 골격과 결합을 형성한다. The absorbent compound will be incorporated into the inorganic material matrix in a niche. The absorbent compound may be chemically bonded to the inorganic material or polymer. In some intended embodiments, the absorbable compounds that can be incorporated form bonds with the inorganic material backbone or polymer backbone through an accessible reactor.

흡수 조성물 및 물질은 실리콘계 화합물 및 약 375㎚ 미만의 파장의 빛을 흡수하는 합체가능한 흡수 화합물을 포함한다. 다른 의도된 양태에서, 적어도 하나의 실리콘계 화합물 또는 합체가능한 유기 흡수 화합물은 적어도 하나의 알킬기, 알콕시기, 케톤기, 아세톡시기 또는 아조기를 포함한다.  Absorbent compositions and materials include silicon-based compounds and coalesable absorbent compounds that absorb light at wavelengths less than about 375 nm. In another intended embodiment, the at least one silicon-based compound or the coalesable organic absorbent compound comprises at least one alkyl group, alkoxy group, ketone group, acetoxy group or azo group.

본 발명에 사용하기 적합한 흡수 화합물의 예들은 안트라플라브산(1), 9-안트라센 카르복실산(2), 9-안트라센 메탄올(3), 9-안트라센 에탄올(4), 9-안트라센 프로판올(5), 9-안트라센 부탄올(6), 알리자린(7), 퀴니자린(8), 프리물린(9), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실릴프로폭시)-디페닐케톤(10), 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실릴프로폭시)-디페닐케톤(11), 2-하이드록시-4-(3-트리부톡시실릴프로폭시)-디페닐케톤(12), 2-하이드록시-4-(3-트리프로폭시실릴프로폭시)-디페닐케톤 (13), 로졸산(14), 트리에톡시실릴프로필-1,8-나프탈이미드(15), 트리메톡시실릴프로필-1,8-나프탈이미드(16), 트리프로폭시실릴프로필-1,8-나프탈이미드(17), 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(18), 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란(19), 9-안트라센 카르복시-부틸 트리에톡시실란(20), 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란(21), 9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시실란(22), 9-안트라센 카르복시-에틸-트리부톡시실란(23), 9-안트라센 카르복시-메틸 트리프로폭시실란(24), 9-안트라센 카르복시-프로필 트리메톡시실란(25), 페닐트리에톡시실란(26), 페닐트리메톡시실란(27), 페닐트리프로폭시실란(28), 10-펜안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(29), 10-펜안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란(30), 10-펜안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시실란(31), 10-펜안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란(32), 4-페닐아조페놀(33), 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸 트리에톡시실란(34), 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-에틸 트리에톡시실란(35), 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필 트리에톡시실란(36), 4-부톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필 트리에톡시실란(37), 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸 트리에톡시실란(38), 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸 트리에톡시실란(39), 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-에틸 트리에톡시실란(40), 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필 트리에톡시실란(41), 및 이들의 조합을 포함한다. 흡수 화합물 1-41의 화학식은 도 1a-1f에 나타내었다. 유익한 결과는 예를 들어, 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(18), 9-안트라센 메탄올(3), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실릴프로폭시)-디페닐케톤(10)과 로졸산(14)의 조합 그리고 페닐트리에톡시실란(26)으로부터 얻어진다. 그러나 이 구체적인 화합물의 리스트는 완전한 리스트는 아니고 의도된 화합물 및 바람직한 화합물은 이 구체적인 화합물을 포함하는 화학적 화합물 클래스로부터 선택될 수 있다는 것을 인식해야만 한다. 또한, 적당한 흡수 화합물은 유기계 또는 무기계 화합물일 수 있다는 것을 인식해야만 한다. 그러나, 몇몇 의도된 양태에서, ARC가 사용가능한 공정 시퀀스를 제한할 수 있는 포토레지스트와 동일한 화학적 특성을 갖지 않는 한, 상기 흡수 화합물은 유기계일 수 있다. 그러나, pH 조절제와 같은 물질 개질제의 첨가로 인해 포토리소그래피 레지스트 물질이 무반사 코팅과 매치될 수 있고, 그 들이 서로 양립될 수 있기 때문에, 포토레지스트 물질의 클래스는 다양할 수 있다. 몇몇 의도된 포토리소그래피 레지스트 물질의 예로는 아크릴레이트계 레지스트 물질, 에폭시계 화학적 증폭 레지스트, 플루오르폴리머 레지스트(157nm 흡수 파장을 의도할 때 특히 유용함), 폴리(노보르넨-말레익 무수물) 교차 공중합, 폴리스티렌 시스템 및 디아조나프토퀴논/노볼락 레지스트를 들 수 있다. Examples of absorbent compounds suitable for use in the present invention include anthraflavic acid (1), 9-anthracene carboxylic acid (2), 9-anthracene methanol (3), 9-anthracene ethanol (4), 9-anthracene propanol (5 ), 9-anthracene butanol (6), alizarin (7), quinizarine (8), primoline (9), 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (10 ), 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (11), 2-hydroxy-4- (3-tributoxysilylpropoxy) -diphenylketone (12 ), 2-hydroxy-4- (3-tripropoxysilylpropoxy) -diphenylketone (13), rosolic acid (14), triethoxysilylpropyl-1,8-naphthalimide (15) , Trimethoxysilylpropyl-1,8-naphthalimide (16), tripropoxysilylpropyl-1,8-naphthalimide (17), 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane (18) , 9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane (19), 9-anthracene carboxy-butyl triethoxysilane (20), 9 -Anthracene carboxy-propyl triethoxysilane (21), 9-anthracene carboxy-methyl trimethoxysilane (22), 9-anthracene carboxy-ethyl-tributoxysilane (23), 9-anthracene carboxy-methyl tripro Foxysilane (24), 9-anthracene carboxy-propyl trimethoxysilane (25), phenyltriethoxysilane (26), phenyltrimethoxysilane (27), phenyltripropoxysilane (28), 10-pen Anthracene carboxy-methyl triethoxysilane (29), 10-phenanthracene carboxy-ethyl triethoxysilane (30), 10-phenanthracene carboxy-methyl trimethoxysilane (31), 10-phenanthracene carboxy-propyl tree Ethoxysilane (32), 4-phenylazophenol (33), 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane (34), 4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-ethyl trie Methoxysilane (35), 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl triethoxysilane (36), 4-butoxyphenylazobenzene-4-carboxy- Lofil triethoxysilane (37), 4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane (38), 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane (39), 4 -Methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-ethyl triethoxysilane (40), 4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl triethoxysilane (41), and combinations thereof. The chemical formula of absorbent compound 1-41 is shown in FIGS. 1A-1F. Beneficial results are for example 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane (18), 9-anthracene methanol (3), 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone A combination of (10) and rosolic acid (14) and from phenyltriethoxysilane (26). However, it should be appreciated that the list of specific compounds is not an exhaustive list and that the intended compounds and preferred compounds may be selected from the class of chemical compounds comprising this specific compound. It should also be appreciated that suitable absorbent compounds may be organic or inorganic compounds. However, in some intended embodiments, the absorbent compound may be organic based, unless the ARC has the same chemical properties as the photoresist, which may limit the process sequences available. However, the class of photoresist materials can vary because the addition of material modifiers, such as pH adjusters, can match the photolithographic resist materials with the antireflective coating and they can be compatible with each other. Examples of some intended photolithographic resist materials include acrylate based resist materials, epoxy based chemically amplified resists, fluoropolymer resists (particularly useful when intended for 157 nm absorption wavelengths), poly (norbornene-maleic anhydride) cross-copolymerization, Polystyrene systems and diazonaphthoquinone / novolak resists.

흡수 화합물 1-25 및 29-41은 상업적으로 예를 들면 알드리치 케미칼 컴퍼니(Aldrich Chemical Company, Milwaukee, WI)로부터 입수할 수 있다. 9-안트라센 카르복시-알킬 트리알콕시실란은 바로 아래에서 기재된 바와 같이 에스테르화 방법을 사용하여 합성된다. 흡수 화합물 26-28은 상업적으로 예를 들면 겔레스트사(Tullytown, PA)로부터 입수할 수 있다. 페닐계 흡수 화합물은 흡수 화합물 26-28과 더불어 겔레스트사로부터 입수할 수 있으며, 페닐 고리에 부착되거나 또는 메틸페닐, 클로로페닐 및 클로로메틸페닐과 같은 치환된 페닐에 부착되는 실리콘계 반응기를 갖는 구조를 포함한다. 구체적인 페닐계 흡수 화합물은 몇가지 예만 들면 페닐트리메톡시실란, 벤질트리클로로실란, 클로로메틸페닐트리메톡시실란, 페닐트리플루오로실란을 포함한다. 다시 몇가지 예만 들면 디페닐메틸에톡시실란, 디페닐디에톡시실란 및 디페닐디클로로실란과 같은 하나 또는 두개의 "이탈기"를 포함하는 디페닐 실란은 또한 적합한 합체 가능 흡수 화합물이다. 또한 메톡시벤조익 산을 포함하는 알콕시벤조익 산은 흡수 물질로서 사용될 수 있다. Absorbent compounds 1-25 and 29-41 are commercially available, for example, from Aldrich Chemical Company, Milwaukee, Wis. 9-anthracene carboxy-alkyl trialkoxysilanes are synthesized using the esterification method as described directly below. Absorbent compounds 26-28 are commercially available from, for example, Gelest (Tullytown, PA). Phenyl-based absorbent compounds are available from Gelest, in addition to absorbent compounds 26-28, and include structures having a silicon-based reactor attached to a phenyl ring or attached to substituted phenyls such as methylphenyl, chlorophenyl and chloromethylphenyl. . Specific phenyl-based absorbent compounds include, for example, phenyltrimethoxysilane, benzyltrichlorosilane, chloromethylphenyltrimethoxysilane, and phenyltrifluorosilane. Diphenyl silanes comprising one or two “leaving groups” such as diphenylmethylethoxysilane, diphenyldiethoxysilane and diphenyldichlorosilane, again with only a few examples, are also suitable coalesable absorbing compounds. Alkoxybenzoic acids, including methoxybenzoic acid, can also be used as absorbent materials.

9-안트라센 카르복시-알킬 트리알콕시실란 화합물을 합성하는 일반적인 방법은, 반응물로서 9-안트라센 카르복실산 및 클로로메틸 트리알콕시실란 화합물을 사용하는 것을 포함한다. 구체적으로, 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(18)을 합성하는 방법은 반응물로서 9-안트라센 카르복실산(2) 및 클로로메틸 트리에톡시실란을 사용한다. 반응물들은 미리 4Å 분자체 이상으로 건조된 트리에틸아민 및 메틸이소부틸케톤(MIBK)과 혼합되어 반응 혼합물을 형성하고 환류되도록 가열된 후 약 6-10시간동안 환류된다. 환류후, 반응 혼합물은 많은 양의 고체 침전을 남기도록 밤새도록 냉각되어진다. 남아있는 용액은 회전-증발되고, 실리카겔 칼럼을 통과시켜 여과시키고 두번째 회전-증발시켜 어두운 호박색 유성 액체로서 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(18)이 제조되고 정제된다. 이러한 방법은 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란, 9-안트라센 카르복시-프로필 트리메톡시실란 및 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 9-안트라센 카르복시-알킬 트리알콕시실란 클래스의 어떠한 화합물을 제조하는데에 사용되기에 적합하기 때문에 중요하다. General methods for synthesizing 9-anthracene carboxy-alkyl trialkoxysilane compounds include using 9-anthracene carboxylic acid and chloromethyl trialkoxysilane compounds as reactants. Specifically, the method for synthesizing 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane (18) uses 9-anthracene carboxylic acid (2) and chloromethyl triethoxysilane as reactants. The reactants are mixed with triethylamine and methylisobutylketone (MIBK) previously dried to at least 4 μg molecular sieve to form a reaction mixture and heated to reflux and refluxed for about 6-10 hours. After reflux, the reaction mixture is cooled overnight to leave a large amount of solid precipitate. The remaining solution is spin-evaporated, filtered through a silica gel column and second spin-evaporated to produce and purify 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane 18 as a dark amber oily liquid. This method comprises any of the 9-anthracene carboxy-alkyl trialkoxysilane classes, including 9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane, 9-anthracene carboxy-propyl trimethoxysilane and 9-anthracene carboxy-propyl triethoxysilane. This is important because it is suitable for use in preparing compounds.

포로젠Porogen

무기질 기반의 화합물이나 물질의 식각 선택도 및/또는 벗김 선택도을 증가시키기 위해, 적어도 하나의 포로젠이 무기화합물 또는 무기물질에 첨가될 수 있다. 그 어느 특정한 이론과는 무관하게, 본 발명에 따라 적어도 한 개의 포로젠을 무기질 기반의 물질에 첨가함으로써, 상기 물질, 코팅층 및/또는 막에 구멍 또는 빈틈이 발생하게 된다. 상기 구멍 또는 빈틈은 구조적인 재구성 또는 잔재하는 구멍이나 빈틈 또는 빈 공간의 증가로 인한 물질의 손실에 의해 생성된다. 상기 물질, 코팅층 및/또는 막 내의 구멍 또는 빈틈은 코팅층 또는 막 상에 표면 면적이 더 추가되어 생성되고, 이는 궁극적으로 상기 물질, 코팅층 및/또는 막의 식각 선택도 및/또는 벗김 선택도을 증가시킨다. 또한, 상승하는 다공성으로 인해 상기 막의 프라즈마 식각율은 상승하게되면, 이로 인해 포토레지스트에 보다 향상된 건식각 선택도가 제공된다. 상기 건식각 선택도는 시각을 통한 인쇄로 인한 최소 면적의 적절한 전이를 유지시키기 위한 필수적인 요소이다. 적어도 하나의 포로젠을 첨가함으로써, 상기 흡수막의 반사방지 특성의 리소그라피 기능을 저하시키지 않고 포로젠 구성성분에 대하여 상기 흡수 물질, 코팅층 및/또는 막의 건식각율 및 습식각율이 증가하게 된다. 또한, 상기 포로젠의 분자량을 이용하여 프로젠이 상기 물질내에 있는 상기 무기 화합물의 메트릭스와 양립될 수 있는지를 판단할 수 있다. 상기 양립가능지수는 무기 화합물의 메트릭스의 용해도 파라미터와 관련된다. 이상적인 경우에, 제제 분자량이 알려져 있을 때, 포로젠의 적당한 분자량이 상기 메트릭스와 상기 용해도 파라미터(solubility parameter)를 대등하게 함으로써 결정될 수 있도록, 상기 포로젠(porogen)은 회복전에 상기 메트릭스 코팅 제제의 용해도 파라미터(solubility parameter)와 대등하여야 한다. 용해도 파라미터들은 굴절률, 유전 상수(dielectric constant), 표면장력, 그리고 고유 점도와의 관계, 또는 그룹 기여법에 의한 계산(calculation using group contribution methods), 또는 응집 에너지의 분자모델에 의하여 실험적으로 결정될 수 있다.(Physical propertics of Polymers Handbook, Chapter 16 "Solubility parmaters" Y. Du, Y. Xue, H.L. Frisch pp 227-239; James E. Mark Ed, 1996, American Institute of Physics, Woodbury, NY 참조)At least one porogen may be added to the inorganic compound or inorganic material to increase the etch selectivity and / or peel selectivity of the inorganic based compound or material. Regardless of any particular theory, the addition of at least one porogen to the inorganic based material in accordance with the present invention results in the formation of holes or voids in the material, coating layer and / or film. The holes or gaps are created by the loss of material due to structural reconstruction or the increase of remaining holes or gaps or voids. Holes or gaps in the material, coating layer and / or film are created by adding more surface area on the coating layer or film, which ultimately increases the etch selectivity and / or peel selectivity of the material, coating layer and / or film. In addition, if the plasma etch rate of the film is increased due to the rising porosity, this provides a better dry etching selectivity to the photoresist. The dry etching selectivity is an essential factor for maintaining a proper transition of the minimum area due to visual printing. By adding at least one porogen, the dry and wet etch rates of the absorbent material, coating layer and / or film with respect to the porogen constituents are increased without degrading the lithographic function of the antireflective properties of the absorbent film. In addition, the molecular weight of the porogen can be used to determine whether a progen is compatible with the matrix of the inorganic compound in the substance. The compatibility index is related to the solubility parameter of the matrix of the inorganic compound. Ideally, when the molecular weight of the formulation is known, the porogen is solubilized before the recovery so that the appropriate molecular weight of the porogen can be determined by matching the matrix with the solubility parameter. It should be equivalent to the solubility parameter. Solubility parameters can be determined experimentally by refractive index, dielectric constant, surface tension, and relationship to intrinsic viscosity, or calculation using group contribution methods, or molecular model of cohesive energy. (See Physical propertics of Polymers Handbook, Chapter 16 "Solubility parmaters" Y. Du, Y. Xue, HL Frisch pp 227-239; James E. Mark Ed, 1996, American Institute of Physics, Woodbury, NY.)

여기서 설명되는 본 발명의 다른 형태로, 상기 포로젠은 둘의 또는 다수의 목적을 만족시킬 수 있다. 상기 포로젠은 특히 극성이나 기능적 기들(functional groups)에 기초한 특정의 흡수 합성물을 위하여 채택될 수 있다. 상기 포로젠이 상기 합성물에 혼합되면, 상기 포로젠 사이의 극성을 이용하거나 상기 포로젠의 기능적 기를 이용함으로써, 상기 포로젠에 제거 용액 및/또는 식각 용액을 끌어당기는 자석으로 효과적으로 작용할 것이다. 상기 포로젠에 의한 인력 효과는 몇가지 방법으로 활성화될 수 있다. 그 예로서, 상기 포로젠이 실내 온도에서 상기 흡수 합성물에 혼합될 때 발생하는 발열 반응이 있을 수 있고, 상기 포로젠을 활성화하기 위하여 가해질 필요가 있는 외부 에너지 및/또는 열이 있을 수 있으며, 상기 포로젠을 활성화할 흡수 합성물에 가해지는 압력차(pressure differential)가 있을 수 있다. 그러나, 에너지가 가해지든 아니든, 일단 상기 포로젠이 가해지면, 본 실시예에 있어서 상기 포로젠은 완전한 구멍이나 빈틈이 형성되는 상태까지 활성화되고, 상기 리소그래피 단계(lithography step)가 완료될 때까지 상기 포로젠이 존재한다는 것을 이해할 수 있다. 일단 상기 리소그래피 단계가 완료되면, 상기 포로젠을 포함하여 이루어지는 흡수 합성물은 더욱 가열되어, 상기 포로젠이 구멍이나 빈틈을 형성할 수 있게 된다. 이 상태에서, 상기 물질의 구멍이나 빈틈, 코팅층, 및/또는 막(film)은, 초기의 실시예에 설명된 바와 같이, 상기 물질, 코팅층, 또는 막에 상기 코팅층 또는 막에 추가된 표면 면적을 형성시켜서, 상기 물질, 코팅, 및/또는 막의 상기 식각 선택도 및/또는 상기 벗김 선택도를 극대화시킨다.In another form of the invention described herein, the porogen can satisfy two or multiple purposes. The porogens can be adapted for particular absorbent compounds, in particular based on polarity or functional groups. When the porogen is mixed with the composite, by using the polarity between the porogens or by using the functional groups of the porogen, it will effectively act as a magnet attracting the removal solution and / or etching solution to the porogen. The attraction effect by the porogen can be activated in several ways. As an example, there may be an exothermic reaction that occurs when the porogen is mixed with the absorbent composite at room temperature, there may be external energy and / or heat that needs to be applied to activate the porogen, There may be a pressure differential applied to the absorbent composite that will activate the porogen. However, once the porogen is applied, whether energy is applied or not, the porogen in this embodiment is activated to the point where a complete hole or gap is formed, until the lithography step is completed. I can understand that porogens exist. Once the lithography step is complete, the absorbent composite comprising the porogen is further heated, allowing the porogen to form pores or voids. In this state, the pores or voids of the material, the coating layer, and / or the film, as described in the earlier examples, may provide a surface area added to the coating layer or film to the material, coating layer, or film. To maximize the etch selectivity and / or the peel selectivity of the material, coating, and / or film.

여기서 사용되는 바와 같이, 상기 '구멍'이라는 용어는 물질의 빈틈과 셀들(cells), 그리고 상기 물질에서 가스로 채워지는 공간을 의미하는 모든 용어를 포함한다. 상기 '구멍'이라는 용어는 빈 공간이 증가된(다공성으로 알려진) 물질 농도에서의 차이도 포함한다. 적절한 가스들은 비교적 순수 가스나 그 혼합물을 포함한다. 질소(N₂)와 산소(O₂)의 혼합물이 지배적인 공기가 상기 구멍에 분포되어 있지만, 질소(nitrogen), 헬륨(helium), 아르곤(argon), 이산화탄소(CO₂), 그리고 일산화탄소(CO)와 같은 순수 가스도 예상될 수 있다. 구멍들은 구형이 대표적이나, 선택 또는 추가적으로 관모양(tubular), 얇은 막(lamellar), 원반형(discoidal), 다른 형상을 가지는 빈틈, 또는 전술한 형상들의 조합을 포함할 수 있으며, 개방되거나 밀폐될 수 있다. 여기서 사용되는 상기 '포로젠'이라는 용어는, 상기 공간을 형성함에 유용한 다양한 메커니즘들(mechanisms)을 가질 수 있으나, 일반적으로는 제거될 때 공간 또는 빈틈이 잔존하는 물질 또는 공간이나 빈틈을 형성하도록 재구성하는 물질이다. 하나의 실시예에 있어서, 포로젠은 열적, 화학적으로 분해할 수 있는 물질(decomposable material)인 방사물 또는 분해, 화학 분해, 중합을 해제하거나 기타 분해될 수 있는 수증기(moisture)이며, 고체나 액체나 기체의 물질을 포함한다.As used herein, the term 'hole' includes all terms that refer to gaps and cells of a material and a space filled with a gas in the material. The term 'pores' also includes differences in the concentration of substances with increased voids (known as porosity). Suitable gases include relatively pure gases or mixtures thereof. Nitrogen, helium, argon, carbon dioxide (CO ₂ ), and carbon monoxide (CO) are distributed in the openings where the air dominates the mixture of nitrogen (N ₂ ) and oxygen (O ₂ ) Pure gas such as) can also be expected. The holes are typically spherical, but may optionally or additionally include tubular, lamellar, discoid, other shaped voids, or a combination of the foregoing shapes, and may be open or closed. have. The term 'porogen' as used herein may have a variety of mechanisms useful for forming the space, but is generally reconstituted to form a material or space or gap in which the space or gap remains when removed. It is a substance. In one embodiment, the porogen is a thermally or chemically decomposable material that is a radiation or vapor that can decompose, chemically decompose, depolymerize or otherwise decompose and is solid or liquid. B) contains gaseous substances.

상기 분해된 포로젠은 그후의 완전히 회복된 메트릭스에서 구멍을 형성하는 부분적 또는 완전히 교차결합된 메트릭스로부터 제거되거나, 증발 또는 확산될 수 있고, 이에 따라 상기 메트릭스의 유전 상수을 낮추고 희생 특성(sacrificial properties)을 향상시킨다. 다른 실시예에 있어서, 상기 포로젠은 분해되지 않고 상기 구멍이 잔존하는 메트릭스로부터 용해되는 물질일 수 있다. 또 다른 실시예에 있어서, 상기 포로젠은 분해되지 않고 250-350℃ 범위와 같이 특정의 고온에서 충분히 분해될 만큼 휘발성이 있는 물질이다. 이산화탄소와 같이 임계 초과의 물질은 상기 포로젠을 제거하거나 분해된 포로젠 파편을 제거하는데 이용될 수 있다. 바람직하게는, 열적으로 분해할 수 있는 포로젠에서, 상기 포로젠은 상기 물질의 최소 교차결합 온도 이상의 분해온도를 가지는 물질을 포함하여 이루어진다. 바람직하게는, 본 발명의 상기 신규한 포로젠은 약 300℃에 달하는, 몇몇 경우에는 약 300℃의 감성 또는 분해 온도를 가진다. 보다 바람직하게는, 상기 감성 또는 분해된 포로젠은 상기 포로젠과 결합하는 물질의 최소 교차결합 온도 이상의 온도에서 증발한다. 보다 바람직하게는, 상기 감성 또는 분해된 포로젠은 약 50℃에서 450℃ 사이의 온도에서 증발한다.The degraded porogen can then be removed, evaporated, or diffused from the partially or fully crosslinked matrix that forms the pores in the fully recovered matrix, thereby lowering the dielectric constant of the matrix and reducing the sacrificial properties. Improve. In another embodiment, the porogen may be a material that does not decompose and dissolves from the matrix in which the pores remain. In another embodiment, the porogen is a substance that is not decomposed and volatile enough to decompose sufficiently at a certain high temperature, such as in the 250-350 ° C range. Subcritical materials, such as carbon dioxide, can be used to remove the porogen or to remove degraded porogen debris. Preferably, in a thermally decomposable porogen, the porogen comprises a material having a decomposition temperature above the minimum crosslinking temperature of the material. Preferably, the novel porogens of the present invention have an sensitization or decomposition temperature of up to about 300 ° C, in some cases about 300 ° C. More preferably, the sensitized or degraded porogen evaporates at a temperature above the minimum crosslinking temperature of the material that binds the porogen. More preferably, the sensitized or degraded porogen evaporates at a temperature between about 50 ° C and 450 ° C.

첨부된 국제특허공보 WO 00/31183 에서는 하나의 포로젠이 열강화 가능한 벤조시클로부텐, 폴리아리렌 또는 열강화 가능한 퍼플루오로에티렌계 모너머에 첨가되어 이들의 다공성을 증가시킨다고 아울러 그 수지의 유전상수를 저하시킨다고 제시하고 있다. 그러나, 첨부된 참조문헌은 또한 제 1 메트릭스 시스템과 잘 작용하는 포로젠은 또 다른 메트릭스 시스템과 반드시 잘 작용하지는 않을 수도 있음을 제시하고 있다. In the attached International Patent Publication WO 00/31183, one porogen is added to a thermosetting benzocyclobutene, polyarylene or a thermosetting perfluoroethylene-based monomer to increase its porosity and It is suggested to lower the dielectric constant. However, the accompanying references also suggest that porogens that work well with the first matrix system may not necessarily work well with another matrix system.

선형 폴리머, 성형 폴리머, 가교결합된 폴리머적 나노스피어, 블록 코폴리머 및 하이퍼브랜치 구조의 폴리머와 같이 널리 알려진 포로젠은 상기 무기 화합물 밀 물질과 더불어 의도된 실시예에 사용될 수 있다. 사용되는 적절한 선형 폴리머로는 폴리(산화에틸렌); 및 폴리(산화프로필렌)과 같은 폴리에테르; 폴리(메틸메타크리레이트)와 같은 폴리아크리레이트; 폴리(프로필렌 칼보네이트) 및 폴리(에틸렌 칼보네이트)와 같은 알리파티크 폴리칼보네이트; 폴리에스터; 폴리설폰; 폴리스티렌 (모너머 단위에서 선택된 할로겐화 스티렌 및 수산화기로 대체된 스티렌도 포함); 폴리(α-메틸스티렌) 및 다른 비닐을 기반으로 하는 폴리머 등이 있다. 유용한 폴리에스터 포로젠에는 폴리카프로락톤; 폴리에틸렌 테레프타레이트; 폴리(옥시아디포이록시-1,4-페닐렌); 폴리(옥시테라프타로이록시-1,4-페닐렌); 폴리(옥시아디폴리록시-1,6-헥사메틸렌); 폴리글리콜라이드; 폴리악타이드(폴리악틱산); 폴리악타이드-글리콜라이드; 폴리피루빅산; 분자량이 약 500 ~ 2500 인 폴리(헥사메틸렌 칼보네이트) 디올과 같은 폴리칼보네이트; 및 분자량이 약 300 ~ 6500 인 폴리(바이스페놀 A-코-에피클로로하이드린)과 같은 폴리에테르 등이 있다. 유용한 (나노에멀젼으로 준비된) 가교결합된 불용성 나노스피어는 폴리스티렌 또는 폴리(메틸메타크리레이트)를 포함하여 구성된다. 그리고, 사용에 적절한 블록 코폴리머에는 폴리-글리콜리드; 폴리악틱산; 폴리(스티렌-코-α-메틸스티린); 폴리(산화 스티렌-이텔렌); 폴리(에테르락톤); 폴리(에스터칼보네이트); 및 폴리(락톤락타이드) 등이 포함된다. 사용 적절한 하이퍼브랜치 구조의 폴리머에는 하이퍼브랜치드 폴리(카프로락톤)과 같은 하이퍼브랜치드 폴리에스터 및 산화폴리에틸린과 산화폴리프로필린과 같은 폴리에테르 등이 있다. 유용한 폴리머 블록에는 폴리비닐피리딘; 수소화 폴리비닐 아로마틱; 폴리아크릴로나이트릴; 폴리실록산; 폴리카프로락탐; 폴리우레탄; 폴리부타디엔과 폴리아이소프렌과 같은 폴리디엔, 폴리비닐 클로라이드, 폴리아세탈; 및 아민캡트 산화알킬렌 등이 포함된다. 다른 열가소성 물질로는 폴리아이소프렌, 폴리테트라히드로푸란 및 폴리에티록사조린 등이 있다.Well-known porogens such as linear polymers, shaped polymers, crosslinked polymeric nanospheres, block copolymers and polymers of hyperbranched structures can be used in the intended embodiments with the inorganic compound mill materials. Suitable linear polymers used include poly (ethylene oxide); And polyethers such as poly (propylene oxide); Polyacrylates such as poly (methylmethacrylate); Aliphatic polycarbonates such as poly (propylene carbonate) and poly (ethylene carbonate); polyester; Polysulfones; Polystyrene, including halogenated styrenes selected from the monomeric units and styrene replaced with hydroxyl groups; Poly (α-methylstyrene) and other vinyl based polymers. Useful polyester porogens include polycaprolactone; Polyethylene terephthalate; Poly (oxyadipooxyoxy-1,4-phenylene); Poly (oxyteraftharooxy-1,4-phenylene); Poly (oxyadipolyoxy-1,6-hexamethylene); Polyglycolide; Polyactide (polyactic acid); Polyactide-glycolide; Polypyruvic acid; Polycarbonates such as poly (hexamethylene carbonate) diols having a molecular weight of about 500 to 2500; And polyethers such as poly (bisphenol A-co-epichlorohydrin) having a molecular weight of about 300-6500. Useful crosslinked insoluble nanospheres (prepared in nanoemulsions) comprise polystyrene or poly (methylmethacrylate). Block copolymers suitable for use include poly-glycolide; Polyactic acid; Poly (styrene-co-α-methylstyrene); Poly (styrene oxide-itylene); Poly (etherlactone); Poly (ester carbonate); And poly (lactone lactide) and the like. Polymers of suitable hyperbranched structures include hyperbranched polyesters such as hyperbranched poly (caprolactone) and polyethers such as polyethylene oxide and polypropyl oxide. Useful polymer blocks include polyvinylpyridine; Hydrogenated polyvinyl aromatics; Polyacrylonitrile; Polysiloxanes; Polycaprolactam; Polyurethane; Polydienes such as polybutadiene and polyisoprene, polyvinyl chloride, polyacetal; And aminecap alkylene oxides and the like. Other thermoplastics include polyisoprene, polytetrahydrofuran and polyetiroxazolin.

의도된 실시예에 적용하기 적절한 포로젠은 폴리머, 바락직하게는 하이드록실 또는 아미노와 같은 반응기로 구성된 폴리머를 포함하여 구성된다. 상기와 같은 일반적인 파라미터 내에서, 본 발명에서 개시된 구성물 및 방법에서 사용적절한 폴리머 폴리젠은 예를 들어, 산화폴리알키렌; 산화폴리알키렌 모노에테르; 산화폴리알키렌 디에테르; 산화폴리알키렌 비스에테르; 알리파타크 폴리에스테르; 아크릴리크 폴리머; 아세탈 폴리머; 폴리(카프로락톤); 폴리(발레락톤); 폴리(메틸메토아크릴레이트); 폴리(비닐부티랄); 및/또는 이들의 혼합물 등을 포함한다. 상기 포로젠이 산화폴리알키렌 모노에테르일 경우, 하나의 특정 실시예는 산소원자들과 알킬에테르 부분 C₁에서 약 알킬에테르 부분 C₆ 사이에 형성된 알킬체인 C₁에서 약 알킬체인 C₆로 형성되고, 여기서 상기 알킬체인은 대체되기도 하고 대체되지 않기도 한다. 그 예로는, 폴리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 또는 폴리프로필렌 글리콜 모노메틸이 있다.Porogens suitable for application to the intended embodiment comprise a polymer, preferably a polymer consisting of a reactor such as hydroxyl or amino. Within such general parameters, suitable polymer polygons for use in the compositions and methods disclosed herein include, for example, polyalkyrene oxides; Polyalkylene oxide monoether; Polyalkyrene oxide ethers; Polyalkylene oxide bisether; Alipatak polyester; Acrylic polymers; Acetal polymers; Poly (caprolactone); Poly (valerlactone); Poly (methylmethoacrylate); Poly (vinylbutyral); And / or mixtures thereof and the like. If the porogen is oxidized poly alkynyl alkylene monomethyl ether, one specific embodiment is formed from the oxygen atom and alkyl ether part C ₁ in the alkyl chain, C ₁ formed between about alkyl ether portion C ₆ to about alkyl chain C ₆ Wherein the alkyl chain may or may not be replaced. Examples are polyethylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol dimethyl ether or polypropylene glycol monomethyl.

의도된 실시예들에서는 적어도 두 개의 융화된 아로마틱링이 포함된 프로젠이 사용될 수 있다. 여기서, 각각의 융화된 아로마틱링은 그 위에 적어도 하나의 알킬 대체물이 포함하고 인접하는 적어도 두 개의 아로마틱링 위에 형성된 적어도 두 개의 알킬 대체물 사이에 화학결합이 형성된다. 바람직한 포로젠에는 비기능성 폴리아세나프틸렌 호모폴리머; 기능성 폴리아세나프틸렌 호모폴리머; 폴리(2-비닐나프탈렌)과 비닐 안트라센과 같은 폴리아세나프틸렌 코폴리머; 및 이들의 혼합물 등이 포함되어 구성된다. 다른 유용한 포로젠에는 아다만탄; 디아다만탄; 풀레렌; 및 폴리노르보르넨이 포함된다. 상기에 명시된 각각의 폴리젠은 서로 혼합되거나, 폴리카프로락톤; 폴리스티렌; 및 폴리에스테르과 같은 다른 포로젠 물질과 혼합될 수도 있다. 유용한 혼합물에는 비기능성 폴리아세나프틸렌 호모폴리머와 폴리카프로락톤이 포함된다. 보다 더 바람직한 포로젠으로는 비기능성 폴리아세나프틸렌 호모폴리머; 기능성 폴리아세나프틸렌 호모폴리머; 폴리아세나프틸렌 코폴리머; 및 폴리노르보르넨 등이 있다.In the intended embodiments, a program containing at least two fused aromatic rings may be used. Wherein each fused aromatic ring contains at least one alkyl substitute thereon and a chemical bond is formed between at least two alkyl substitutes formed on at least two adjacent aromatic rings. Preferred porogens include nonfunctional polyacenaphthylene homopolymers; Functional polyacenaphthylene homopolymers; Polyacenaphthylene copolymers such as poly (2-vinylnaphthalene) and vinyl anthracene; And mixtures thereof. Other useful porogens include adamantane; Diaadamantane; Fullerenes; And polynorbornene. Each of the above-mentioned polygens may be mixed with each other, or polycaprolactone; polystyrene; And other porogen materials such as polyesters. Useful mixtures include nonfunctional polyacenaphthylene homopolymers and polycaprolactones. Even more preferred porogens include nonfunctional polyacenaphthylene homopolymers; Functional polyacenaphthylene homopolymers; Polyacenaphthylene copolymers; And polynorbornene.

유용한 폴리아세나프틸렌 호모폴리머의 평균분자량은 바람직하게는 약 300 ~ 20,000, 더 바람직하게는 300 ~ 10,000, 그리고, 가장 바람직하게는 1,000 ~ 7,000이 될 수 있다. 또한, 상기 유용한 폴리아세나프틸렌 호모폴리머는 2,2'-아조비스아이소부티로나이트릴 (AIBN); 디-테르트-부틸 아조디카르복시레이트; 디-페닐라조디칼복시레이트; 1,1'-아조비스(시클로헤자네카르보나이트릴); 벤조페록사이드 (BPO); 티-부틸 페록사이드; 및 보론 트리플루오라이드 디에틸 에터라에이트와 같은 상이한 이니시에이터를 사용하는 아세나프틸렌으로부터 고분자화될 수 있다. 상기 폴리아세나프틸렌 호모폴리머는 체인말단에 3중결합이나 2중결합이 형성되거나, 알릴 알콜, 프로파르길 알콜, 부티놀, 부테놀 또는 하이드록시에틸메타크릴레이트 등과 같은 2중 또는 3중 알콜결합으로 냉각된 카티오닉 고분자화와 같은 기능적 말단기를 지닐 수 있다.The average molecular weight of the useful polyacenaphthylene homopolymers may preferably be about 300 to 20,000, more preferably 300 to 10,000, and most preferably 1,000 to 7,000. Useful polyacenaphthylene homopolymers also include 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN); Di-tert-butyl azodicarboxylate; Di-phenyllazodicarboxylate; 1,1'-azobis (cyclohezanecarbonitrile); Benzoperoxide (BPO); Thi-butyl peroxide; And acenaphthylene using different initiators such as boron trifluoride diethyl etherate. The polyacenaphthylene homopolymer has a triple bond or a double bond formed at the chain end, or a double or triple alcohol such as allyl alcohol, propargyl alcohol, butynol, butenol or hydroxyethyl methacrylate. It may have functional end groups such as cationic polymerisation cooled by bonds.

유럽특허공보 315543 에서는 실리카 및 특정 산화금속이 탄소와 반응한 후, 휘발성 아산화물과 산화탄소 가스을 형성하여 구멍이 생성된다는 것과, 탄소의 근원은 폴리아세나프틸렌을 포함하는 모든 적용가능한 유기폴리머를 포함하여 구성됨을 제시하고 있다. 그러나, 상기 참조문헌은 폴리아세나프틸렌이 비금속성 물질에 유용하거나 메트릭스의 유전상수를 감소시키거나 스핀온 흡수물질의 식각 선택도를 증가시키는데 유용한 포로젠임을 제시지는 않는다. EP 315543 discloses that after silica and certain metal oxides react with carbon, they form volatile suboxides and carbon oxide gas to form pores, and the source of carbon includes all applicable organic polymers including polyacenaphthylene. It is proposed to be configured. However, this reference does not suggest that polyacenaphthylene is a porogen useful for non-metallic materials, for reducing the dielectric constant of the matrix, or for increasing the etch selectivity of spin-on absorbers.

유용한 폴리아세나프틸렌 코폴리머는 선형 폴리머, 성형 폴리머 또는 하이퍼브랜치드 폴리머가 될 수 있다. 코모노머는 폴리아세나프틸렌 호모폴리머의 코폴리머 구조와 유사한 구조를 형성하는 벌키사이드 체인기 또는 폴리아세나프틸렌 호모폴리머의 코폴리머 구조와 상이한 구조를 형성하는 논벌키사이드 체인기를 지닐 수 있다. 벌키사이드 체인기를 지닌 코모노머는 비닐 피발레이트; 테르트-부틸 아크릴레이트; 스티렌; α-메틸스티렌; 테르트-부틸스티렌; 2-비닐나프탈렌; 5-비닐-2-노르보르넨; 비닐 시클로헥산; 비닐 시클로펜탄트; 9-비닐안트라센; 4-비닐바이페닐; 테트라페닐부티아디엔; 스틸벤; 테르트-부틸스틸벤; 및 인덴를 포함하며, 그리고 바람직하게는 비닐 피발레이트로 구성된다. 하이드리도폴리카르보실란은 추가적인 코모노머나 안세나프틸렌과 적어도 하나의 전술한 코모노머를 포함한 코폴리머 성분으로 사용될 수 있다. 일예로, 유용한 하이드리도폴리카르보실란의 10% 또는 75% 의 알릴기를 지니고 있다. 한편, 논벌키사이드 체인기를 지닌 코폴리머는 비닐아세테이트; 메틸 아크리레이트; 메틸메타크리레이트; 및 비닐 에테르를 포함하여 구성되며, 바람직하게는 비닐 아세테이트로 구성된다.Useful polyacenaphthylene copolymers can be linear polymers, shaped polymers or hyperbranched polymers. The comonomer may have a bulkyside chain group that forms a structure similar to the copolymer structure of the polyacenaphthylene homopolymer or a nonbulkyside chain group that forms a structure that is different from the copolymer structure of the polyacenaphthylene homopolymer. Comonomers with bulkyside chain groups include vinyl pivalate; Tert-butyl acrylate; Styrene; α-methylstyrene; Tert-butylstyrene; 2-vinylnaphthalene; 5-vinyl-2-norbornene; Vinyl cyclohexane; Vinyl cyclopentant; 9-vinylanthracene; 4-vinylbiphenyl; Tetraphenylbutiadiene; Stilbene; Tert-butylstilbene; And indene, and preferably consists of vinyl pivalate. Hydridopolycarbosilanes may be used as additional comonomers or copolymer components including ansenaphthylene and at least one of the aforementioned comonomers. In one example, they have 10% or 75% allyl groups of useful hydridopolycarbosilanes. On the other hand, copolymers having a nonbulky side chain group include vinyl acetate; Methyl acrylate; Methyl methacrylate; And vinyl ethers, preferably vinyl acetate.

구멍 생성에 대해 설명에서, "저하시키다"는 공유결합의 절단을 의미한다. 이러한 결합의 절단은 균일절단과 불균일절단 등을 포함하여 다양한 방법으로 이루어질 수 있다. 결합의 분해는 반드시 완벽해야하는 것은 아니다. 다시 말해서, 절단가능한 결합은 모두 분해되는 것은 아니다. 게다가, 어떤 결합에서는 그 절단 속도가 다른 결합에 비해 더 빠르게 이루어질 수 있다. 예를 들어, 에스터 결합은 일반적으로 아미드 결합보다는 안정적이지 못하기 때문에, 보다 더 빠른 속도로 분해된다. 결합의 절단은 저하된 부분의 화학적 구성에따라 서로다른 파편이 방출된다.In the description of the hole creation, "lowen" means the cleavage of a covalent bond. Cutting of the bond can be made in a variety of ways, including uniform cutting and non-uniform cutting. Decomposition of the bond is not necessarily perfect. In other words, not all cleavable bonds are degraded. In addition, in some bonds the cutting speed may be faster than in other bonds. For example, ester bonds are generally less stable than amide bonds and therefore degrade at higher rates. Cleavage of the bond releases different fragments depending on the chemical composition of the degraded moiety.

열저하 가능한 포로젠에 있어서, 구멍 생성 과정의 바람직한 실시예에서, 열에너지는 포로젠 함유물질에 작용하여 포로젠을 그 최초 구성요소나 모노머의 형태로 실질적으로 저하시키거나 분해한다. 여기서, "실질적으로"란 포로젠의 적어도 약 40% 의 중량이 저하되거나 분해됨을 의미한다. 보다 더 바람직한 실시예에서는, 포로젠의 적어도 약 50% 의 중량이 저하되거나 분해되고, 가장 바람직한 실시예에서는 포로젠의 적어도 약 80% 의 중량이 저하되거나 분해된다. 또 다른 실시예에서는, 상기 포로젠은 별도의 공정에서 용해되거나, 광리소그라피 현상 공정 또는 포로젠 함유물질의 실질적인 습식 벗김 공정과정과 같은 여러 개의 공정 중에 더불어 용해된다.In thermally degradable porogens, in a preferred embodiment of the pore-generating process, thermal energy acts on the porogen containing material to substantially degrade or degrade the porogen in the form of its original component or monomer. Here, "substantially" means that at least about 40% of the weight of the porogen is degraded or degraded. In even more preferred embodiments, at least about 50% of the weight of the porogen is reduced or degraded, and in most preferred embodiments at least about 80% of the weight of the porogen is reduced or degraded. In another embodiment, the porogen is dissolved in a separate process or co-dissolved in several processes, such as a photolithography development process or a substantial wet stripping process of the porogen containing material.

상기 바람직한 실시예에서, 열에너지는 또한 상기 실질적으로 저하 또는 분해된 포로젠을 흡수성 화합물 메트릭스로부터 휘발시키기 위해 활용된다. 바람직하게, 저하공정과 휘발화공정에 동일한 열에너지를 사용한다. 저하된 포로젠의 휘발량이 증가함에 따라 반사방지 물질, 코팅층 또는/및 막에 생성되는 다공성 또한 증가한다.In this preferred embodiment, thermal energy is also utilized to volatilize the substantially degraded or degraded porogen from the absorbent compound matrix. Preferably, the same thermal energy is used for the lowering step and the volatilization step. As the volatilization of the degraded porogen increases, the porosity produced in the antireflective material, coating layer and / or membrane also increases.

본 발명에 참조된 특허공보 PCT/US96/08678 과 미국 특허 6,042,994; 6,080,526; 6,177,143; 및 6,235,353 에서 제시한 바와 같이, 적어도 하나의 포로젠을 제거하거나 적어도 부분적으로 제거하기 위해 그 어떠한 적용가능한 공정이나 조건이 사용될 수 있다. 적용가능한 공정이나 조건은 열, 용매내에서의 용해, 우선적 식각, 복사 에너지로의 노출, 및 자외선, X-선, 레이저 또는 적외선 복사와 같은 전자기적 복사; 초음파 분해나 물리적 압력과 같은 기계적 에너지; 또는 감사선, 전파입자, 뉴트론빔 또는 전자빔과 같은 입자 복사 등이 포함된다. Patent Publications PCT / US96 / 08678 and US Pat. No. 6,042,994 to the present invention; 6,080,526; 6,177,143; And 6,235,353, any applicable process or condition may be used to remove or at least partially remove at least one porogen. Applicable processes or conditions include heat, dissolution in a solvent, preferential etching, exposure to radiant energy, and electromagnetic radiation such as ultraviolet, X-ray, laser or infrared radiation; Mechanical energy such as sonication or physical pressure; Or particle radiation, such as radiation beams, propagating particles, Neutron beams or electron beams, and the like.

용매menstruum

적어도 하나의 고비등 용매 그리고/혹은 적어도 하나의 치환 용매는 반사방지 물질, 코팅 그리고/혹은 필름에 더해질 수 있다. 특정이론에 한정되지 않고, 고비등 용매의 추가는 보이딩(voiding)을 방지하며, 필름을 "저속도 건조화"함으로써 평탄화를 향상시킨다. 여기서, "고비등 용매"란 물질, 코팅 그리고/혹은 필름의 건조 그리고/혹은 경화시의 온도보다 좀 더 높은 온도 근처에서 휘발하는 용매를 의미한다. 예를 들어, 고비등 용매는 글리세롤, 디부틸에테르, 디부틸글리세롤, 디메틸 설폭사이드(DMSO), 디메틸포르마미드(DMF), N-메틸-피롤라이돈(NMP), 디메틸-아세타미드(DMAC), 고비등 방향성 용매, 석유에테르 카비톨계, 글리콜 에테르계를 포함한다. 또한, 고비등점 용매는 디프로피레네글리콜 혹은 에테르 락테이트와 같은 포로젠으로 작용될 수 있다.At least one high boiling solvent and / or at least one substitution solvent may be added to the antireflective material, coating and / or film. Not limited to a specific theory, the addition of high boiling solvents prevents voiding and improves planarization by "low speed drying" the film. As used herein, "high boiling solvent" means a solvent that volatilizes at a temperature higher than the temperature at the time of drying and / or curing the material, coating and / or film. For example, high boiling solvents include glycerol, dibutyl ether, dibutylglycerol, dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethylformamide (DMF), N-methyl-pyrrolidone (NMP), dimethyl-acetamide ( DMAC), high boiling aromatic solvents, petroleum ether carbitols, glycol ethers. In addition, high-boiling solvents can act as porogens such as dipropyreneglycol or ether lactate.

코팅 그리고/혹은 필름의 평탄화를 향상시키고, 보이딩(voiding)을 줄이기 위해, 적어도 하나의 치환 용매는 원래 반사방지 코팅 물질에서 아세톤(혹은 저비등 용매)을 대체하기 위해 사용될 수도 있다. 상기 치환 용매는 고비등 용매일 필요는 없으나, 종래 용매보다는 물질, 코팅 그리고/혹은 필름의 평탄성을 향상시키는 것은 필요하다. 치환 용매는 -OH와 같은 추가 기능 그룹을 포함할 수도 있다. 즉, 대체된 용매를 위한 비슷한 소성 온도에서 좀 더 나은 스트립(strip) 특성을 이끌수 있어야 한다. 특정 이론에 한정되지 않고, 추가 기능 그룹이 치환 용매가 스트립핑 화학 반응을 조성물로 유인하는 포로젠으로 작용하도록한다는 것은 이해될 수 있다. 이런 포로젠의 효과는 매트릭스 혹은 스트립핑 화학 반응과 함께 치환 용매의 수소결합에 기초할 수 있다. 또한, 아세톤은 물질, 코팅 그리고/혹은 필름의 평탄성의 향상에 기초해 제외될 수도 있다. 일반적인 치환 용매는 이소프로필알콜, 프로판올, 부탄올, 에탄올, PGMEA, 에틸 락테이트 그리고/혹은 2-헵타논을 포함한다.At least one substitution solvent may be used to replace acetone (or low boiling solvent) in the original antireflective coating material to improve the planarization of the coating and / or film and to reduce voiding. The substitution solvent need not be a high boiling solvent, but it is necessary to improve the flatness of the material, coating and / or film over the conventional solvent. Substitution solvents may include additional functional groups such as -OH. That is, it should be able to lead to better strip properties at similar firing temperatures for the replaced solvent. Without being limited to a particular theory, it can be understood that additional functional groups allow the substitution solvent to act as a porogen that attracts the stripping chemistry to the composition. The effect of such porogens can be based on hydrogen bonding of the substitution solvent with a matrix or stripping chemistry. Acetone may also be ruled out based on the improved flatness of the material, coating and / or film. Common substitution solvents include isopropyl alcohol, propanol, butanol, ethanol, PGMEA, ethyl lactate and / or 2-heptanone.

위의 실시예를 좀더 살펴보기위해, 용매는 이중 목적 혹은 다단식 목적으로 작용할 수도 있다. 좀 더 구체적으로, 용매는 혼합되거나 흡수 조성물을 용매화하는데 요구되는 다른 특성보다는 극성 그리고/혹은 기능 그룹에 기초한 특정 흡수 조성물에 맞도록 선택된다. 용매가 조성물에 혼합되면, 용매의 기능 그룹을 이용하거나 용매간의 극성 차이를 이용하여 용체를 용매로 스트립핑 그리고/혹은 식각하기 위한 "자석"으로 사용될 것이다. 이런 용매에 의한 유인 작용은 다양한 방법으로 활성화될 수 있다. 예를 들어, 실온에서 용매가 흡수 조성물에 혼합될 때 방열 반응이 사용될 수 있다. 외부 에너지 그리고/혹은 열이 용매를 "활성화" 하기 위해 더해질 수도 있고, 압력차가 흡수 조성물에 적용되어 용매가 활성화 될 수도 있다. 그러나, 본 실시예에서는, 용매가 혼합되고, 에너지가 더해졌느냐는 포토리소그래피 단계가 완료될 때까지 용매가 더이상 나타나지 않는 지점까지 가열되거나 활성화되었냐는 것으로 이해되어야한다. 포토리소그래피 단계가 완료되면, 용매를 포함한 흡수 조성물은 좀 더 가열되고 그 결과 용매는 증발할 수 있다. 이 점에서, 이전 실시예에서 언급된것과 같이, 코팅이나 필름은 처리될 수 있다.To further illustrate the above embodiments, the solvent may serve dual or multi-stage purposes. More specifically, the solvent is selected to suit a particular absorbent composition based on polarity and / or functional group rather than other properties required to be mixed or to solvate the absorbent composition. Once the solvent is mixed into the composition, it will be used as a "magnet" for stripping and / or etching the solution into the solvent using functional groups of the solvent or using polar differences between the solvents. Attraction by these solvents can be activated in a variety of ways. For example, a heat radiation reaction can be used when the solvent is mixed into the absorbent composition at room temperature. External energy and / or heat may be added to "activate" the solvent, and a pressure differential may be applied to the absorbent composition to activate the solvent. However, in the present embodiment, it is to be understood that the solvent is mixed and the energy added is heated or activated to the point where the solvent no longer appears until the photolithography step is completed. Upon completion of the photolithography step, the absorbent composition comprising the solvent may be heated further and the solvent may evaporate as a result. In this regard, as mentioned in the previous examples, the coating or film can be treated.

또한, 일반적인 용매는 흡수 조성물, 무기물 혼합물 그리고 물질로 사용되는 단위체와 중합체를 용매화할 수 있는 용매이다. 상기 용매는 요구 온도에서 증발되는 순수 유기, 유기금속 무기 분자이거나 그 혼합물을 포함한다. 또한, 용매는 순수 극성 및 비극성 화합물이거나 그 혼합물이다. 본 실시예에서, 용매는 물, 에탄올, 프로판올, 아세톤, 톨루엔, 에테르, 씨클로헥사논, 부티로락톤, 메틸레틸케톤, 메틸리소부틸케논, N-메틸-피롤라이돈, 폴리에틸에네글리콜메텔에테르, 메시틸른, 에틸렉타이트, PGMEA, 에니졸, 카비톨(수산기, 알콕시, 카르복시기의 에틸에네글리콜 에테르계을 포함한다)과 같은 폴리-에테르 용매계열, 아나로거스 프로필에네글리콜 에테르를 포함한다.In addition, common solvents are solvents capable of solvating monomers and polymers used as absorbent compositions, inorganic mixtures and materials. The solvent is a pure organic, organometallic inorganic molecule that is evaporated at a required temperature or comprises a mixture thereof. In addition, the solvent is a pure polar and nonpolar compound or a mixture thereof. In this embodiment, the solvent is water, ethanol, propanol, acetone, toluene, ether, cyclohexanone, butyrolactone, methyletylketone, methylisobutylkenone, N-methyl-pyrrolidone, polyethylene glycol methyl Poly-ether solvents such as ether, mesityllene, ethyllectite, PGMEA, enazole, carbitol (including hydroxyl, alkoxy, carboxyl ethyleneglycol ethers), and anarogus propyleneglycol ethers do.

촉매catalyst

다른 실시예에서, 적어도 하나의 촉매는 식각 감도 그리고/혹은 스트립핑 감도를 향상시키기 위해 흡수 물질에 더해질 수 있다. 또한, 촉매는 기공 형성을 촉진시키기 위한 포로젠과의 결합에 더해질 수 있다. 여기서, "촉매"란 그 물질 자체의 소모나 화학 변화 없이 화학 반응비에 영향을 미치는 물질을 의미한다. 촉매는 무기물, 유기물 혹은 유기 그룹과 금속 할로겐의 합성물질로 형성될 수 있다. 또한, 촉매는 액체, 고체, 가스 혹은 그 조합물이 될 수 있다. 포로젠 첨가와 관련없이 첨가하기 위한 촉매는 NHO3, HCl, 락틱산, 아세틱산, 옥살산, 숙식산, 말레익산과 같은 산종류이다. 포로젠 중합해체 촉매는 앞서 언급된 단일 산, 트리아릴설포니움, 트리아릴록소니움 혹은 디아릴리오도니움 염류와 같은 초산 감광성 분자, 비닐계/아크릴계 (다른 다중-결합 단위체계열 중합체) 중합 반응 및 다른 자유라디칼계 화학 반응 (베노질 페록사이드, 아조비시소부티로니트릴)에 사용되는 자유라디칼 발생기를 포함한다. In another embodiment, at least one catalyst may be added to the absorbent material to improve the etching sensitivity and / or stripping sensitivity. In addition, a catalyst can be added to the bond with the porogen to promote pore formation. Here, "catalyst" means a substance which affects the chemical reaction ratio without consuming the chemical itself or changing the chemical. The catalyst may be formed of an inorganic material, an organic material, or a compound of an organic group and a metal halogen. In addition, the catalyst may be a liquid, a solid, a gas or a combination thereof. Regardless of the porogen addition, the catalyst for addition is an acid type such as NHO 3, HCl, lactic acid, acetic acid, oxalic acid, succinic acid and maleic acid. Porogen depolymerization catalysts can be used to polymerize acetic acid photosensitive molecules such as the single acids, triarylsulfonium, triaryloxonium, or diaryliodonium salts mentioned above, and vinyl / acrylic (other multi-bond unit polymer) polymers. Free radical generators used in reactions and other free radical chemistry (benosyl peroxide, azobisisobutyronitrile).

접착 향상제Adhesion enhancer

본 명세서에서 사용된 "접착 향상제"는 열분해성 폴리머와 사용할 때, 열분해성 폴리머들과 비교하여 기질에 대한 이의 접착력을 향상시키는 어떤 성분을 의미한다. 바람직하게는 적어도 하나의 접착 향상제는 열분해성과 폴리머와 함께 사용된다. 접착 향상제는 열분해성 폴리머 전구체 또는 열분해성 폴리머 전구체에 대한 첨가제와 반응하는 코-모노머일 수 있다. 유용한 접착 향상제들의 예들은 본 명서에 전문이 포함된 2002년5월30일에 출원된 미국출원 연속번호158513에 기술된다.As used herein, "adhesion enhancer" means any component that, when used with a pyrolytic polymer, improves its adhesion to a substrate as compared to pyrolytic polymers. Preferably at least one adhesion enhancer is used with the pyrolytic polymer. The adhesion promoter may be a co-monomer that reacts with an additive to the pyrolytic polymer precursor or the pyrolytic polymer precursor. Examples of useful adhesion enhancers are described in US Application Serial No. 158513, filed May 30, 2002, which is incorporated herein in its entirety.

본 명세서 고려되는 접착 향상제들은 적어도 하나의 이중기능성을 갖는 화합물들을 포함할 수 있고, 이중기능성이 동일하거나 다를 수 있고 상기한 제 1 기능성 및 제 2 기능성의 적어도 하나가 Si-함유 그룹; N-함유 그룹; O-함유 그룹들에 결합된 C; 하이드록실 그룹; C가 이중결합인 C-함유 그룹들으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 본 명세서에 사용된 "적어도 이중기능성을 갖는 화합물"은 상호작용하거나 반응하거나 결합을 형성할 수 있는 적어도 두 개의 기능성 그룹을 가즌 어떤 화합물을 의미한다. 기능성 그룹들은 첨가 반응, 친핵성 및 친전자성 치환 반응 또는 제거, 라디칼 반응 등을 포함하는 다양한 방식으로 반응할 수 있다. 다른 선택적인 반응들은 또한 반데르발스, 정전기적 결합, 이온 결합 및 수소 결합과 같은 비-공유 결합의 형성을 포함할 수 있다.Adhesion promoters contemplated herein may include compounds having at least one bifunctionality, wherein the bifunctionality may be the same or different and at least one of the first and second functionalities described above is Si-containing group; N-containing groups; C bound to O-containing groups; Hydroxyl groups; C is selected from the group consisting of C-containing groups wherein double bonds. As used herein, "a compound having at least bifunctionality" means any compound that occupies at least two functional groups capable of interacting, reacting or forming a bond. The functional groups can be reacted in a variety of ways, including addition reactions, nucleophilic and electrophilic substitution reactions or removals, radical reactions, and the like. Other optional reactions may also include the formation of non-covalent bonds such as van der Waals, electrostatic bonds, ionic bonds, and hydrogen bonds.

적어도 하나의 접착 향상제의 일부 실시예들에서, 바람직하게는 적어도 하나의 제 1 기능성 및 제 2 기능성은 Si-함유 그룹; N-함유 그룹; O-함유 그룹들에 결합된 C; 하이드록실 그룹; C-함유 그룹들에 결합된 C 이중결합으로 이루어진 그룹으로부터 선택된다. 바람직하게는, Si-함유 그룹들은 Si-H, Si-O 및 Si-N으로부터 선택되고, N-함유 그룹들은 C-NH₂ 또는 다른 2차 및 3차 아민, 이민, 아마이드 및 이미드로부터 선택되고, C가 이중결합인 O-함유 그룹들은 =CO, 케톤 및 알데하이드와 같은 카보닐 그룹, 에스터, -COOH, 1 내지 5개 탄소 원자를 함유하는 알콕실, 에테르, 글리시딜 에테르; 및 에폭사이드로부터 선택되고, 하이드록시 그룹은 페놀이고, C가 이중결합인 C-함유 그룹들은 알릴 및 비닐 그룹으로부터 선택된다. 반도체에 사용하기 위하여, 보다 바람직한 기능성 그룹들은 Si-함유 그룹; C에 결합된 O-함유 그룹; 하이드록실 그룹 및 비닐 그룹을 포함한다.In some embodiments of the at least one adhesion promoter, preferably at least one of the first and second functional groups is Si-containing group; N-containing groups; C bound to O-containing groups; Hydroxyl groups; Selected from the group consisting of C double bonds bonded to C-containing groups. Preferably, the Si-containing groups are selected from Si-H, Si-O and Si-N, and the N-containing groups are selected from C-NH ₂ or other secondary and tertiary amines, imines, amides and imides O-containing groups wherein C is a double bond include: carbonyl groups such as = CO, ketones and aldehydes, esters, -COOH, alkoxyl containing 1 to 5 carbon atoms, ethers, glycidyl ethers; And epoxides, the hydroxy group is phenol and the C-containing groups where C is a double bond are selected from allyl and vinyl groups. For use in semiconductors, more preferred functional groups include Si-containing groups; O-containing groups bonded to C; Hydroxyl groups and vinyl groups.

고려되는 접착 향상제들은 또한 페놀-함유 수지, CRJ-406 또는 HRJ-11040(Schenectady International, Inc)과 같은 노볼락 수지, 유기 아크릴레이트 및/또는 스티렌 수지를 더 포함한다. 다른 접착 향상제들은 폴리디메틸실록산 물질, 에톡시 또는 하이드록시-함유 실란 모노머, 비닐-함유 실란 모노머, 아크릴화된 실란 모노머 또는 실릴 하이드라이드를 더 포함한다.Adhesion enhancers contemplated further include phenol-containing resins, novolak resins such as CRJ-406 or HRJ-11040 (Schenectady International, Inc), organic acrylates and / or styrene resins. Other adhesion promoters further include polydimethylsiloxane materials, ethoxy or hydroxy-containing silane monomers, vinyl-containing silane monomers, acrylated silane monomers or silyl hydrides.

Si-함유 그룹들을 갖는 고려되는 접착 향상제의 예는 식 I의 실란이다: (R₁₄)_k(R₁₅)₁Si(R₁₆)_m(R₁₇) _n, R₁₄, R₁₅, R₁₆ 및 R₁₇은 각각 수소, 수산기, 불포화 또는 포화 알킬, 치환기가 아미노 또는 에폭시인 치환 또는 비치환 알킬, 포화 또는 불포화 알콕시, 불포화 또는 포화 카복실산 라디칼 또는 아릴; R₁₄, R₁₅, R₁₆ 및 R₁₇의 적어도 두 개가 수소, 수산기, 포화 또는 불포화 알콕시, 불포화 알킬 또는 불포화 카복실산 라디칼이고 k+1+m+n≤4이다. 예들은 H₂C=CHSi(CH₃)₂H 및 H₂ C=CHSi(R₁₈)₃이고 R₁₈이 CH₃0, C₂H₅0, AcO, H₂C=CH, 또는 H₂ C=C(CH₃)O-인 비닐실란 또는 비닐페닐메틸실란; H₂C=CHCH₂-Si(OC₂H₅)₃ 및 H₂C=CHCH ₂-Si(H)(OCH₃)₂의 알릴실란; (3-글리시드옥시프로필)메틸디에톡시실란 및(3-글리시도옥시프로필)트리메톡시실란과 같은 글리시드옥시프로필실란;H₂C=(CH₃)COO(CH₂)3-Si(OR₁₉)₃,여기서 R₁₉가 알킬, 바람직하게는 메틸 또는 에틸인 메타크릴옥시프로필실란; H₂N(CH₂)₃Si(OCH₂CH₃ )₃, H₂N(CH₂)₃SI(OH)₃, 또는 H₂N(CH₂)₃OC(CH₃)₂CH=CHSi(OCH₃)₃ 을 포함하는 아미노프로필실란 유도체를 포함한다.Examples of adhesion promoters considered with Si-containing groups are silanes of formula I: (R ₁₄ ) _k (R ₁₅ ) ₁ Si (R ₁₆ ) _m (R ₁₇ ) _n , R ₁₄ , R ₁₅ , R ₁₆ and R ₁₇ is hydrogen, hydroxyl, unsaturated or saturated alkyl, substituted or unsubstituted alkyl, saturated or unsaturated alkoxy, unsaturated or saturated carboxylic acid radical or aryl, wherein the substituent is amino or epoxy; At least two of R ₁₄ , R ₁₅ , R ₁₆ and R ₁₇ are hydrogen, hydroxyl, saturated or unsaturated alkoxy, unsaturated alkyl or unsaturated carboxylic radicals and k + 1 + m + n ≦ 4. Examples are H ₂ C═CHSi (CH ₃ ) ₂ H and H ₂ C═CHSi (R ₁₈ ) ₃ and R ₁₈ is CH ₃ 0, C ₂ H ₅ 0, AcO, H ₂ C = CH, or H ₂ C Vinylsilane or vinylphenylmethylsilane = C (CH ₃ ) O-; Allylsilane of H ₂ C═CHCH ₂ —Si (OC ₂ H ₅ ) ₃ and H ₂ C═CHCH ₂ —Si (H) (OCH ₃ ) ₂ ; Glycidoxypropylsilanes such as (3-glycidoxypropyl) methyldiethoxysilane and (3-glycidooxypropyl) trimethoxysilane; H ₂ C = (CH ₃ ) COO (CH ₂ ) 3-Si ( OR ₁₉ ) ₃ , wherein methacryloxypropylsilane wherein R ₁₉ is alkyl, preferably methyl or ethyl; H ₂ N (CH ₂ ) ₃ Si (OCH ₂ CH ₃ ) ₃ , H ₂ N (CH ₂ ) ₃ SI (OH) ₃ , or H ₂ N (CH ₂ ) ₃ OC (CH ₃ ) ₂ CH = CHSi ( Aminopropylsilane derivatives comprising OCH ₃ ) ₃ .

C에 결합된 O-함유 그룹을 갖는 바람직한 접착 향상제의 예는 TriQuest로부터 상업적으로 사용할 수 있는 1,1,1-트리스-(하이드록시페닐)에탄 트리-글리시딜 에테르를 포함하나 이에 한정되지 않는 글리시딜 에테르이다.Examples of preferred adhesion promoters having O-containing groups bonded to C include, but are not limited to, 1,1,1-tris- (hydroxyphenyl) ethane tri-glycidyl ether commercially available from TriQuest. Glycidyl ether.

C에 결합된 O-함유 그룹을 갖는 바람직한 접착 향상제의 예는 적어도 하나의 카복실산 그룹을 함유하는 불포화 카복실산의 에스터이다. 예들은 삼중기능성 메타크릴레이트 에스터, 삼중기능성 아크릴레이트 에스터, 트리메틸프로판 트리아크릴레이트, 디펜타에리톨 펜타아크릴레이트, 및 글리시딜 메타크릴레이트를 포함한다. 상기한 것들은 사토머로부터 상업적으로 사용할 수 있다.Examples of preferred adhesion promoters having O-containing groups bonded to C are esters of unsaturated carboxylic acids containing at least one carboxylic acid group. Examples include trifunctional methacrylate esters, trifunctional acrylate esters, trimethylpropane triacrylate, dipentaerytol pentaacrylate, and glycidyl methacrylate. The above are commercially available from Satomer.

비닐 그룹을 갖는 바람직한 접착 향상제들의 예들은 비닐 사이클릭 피리딘 올리고머 또는 폴리머이고, 사이클 그룹은 피리딘, 방향족, 또는 이형 방향족이다. 유용한 예들은 레이리로부터 상업적으로 사용할 수 있는 2-비닐피리딘 및 4- 비닐피리딘; 비닐 방향족 화합물; 및 비닐 큐놀린, 비닐 카바졸, 비닐 아미다졸 및 비닐 옥사졸을 포함하나 이에 한정되지 않는 비닐 이형 방향족 화합물을 포함하나 이에 한정되지 않는다.Examples of preferred adhesion promoters with vinyl groups are vinyl cyclic pyridine oligomers or polymers and the cycle group is pyridine, aromatic, or heteroaromatic. Useful examples include 2-vinylpyridine and 4-vinylpyridine, commercially available from Lari; Vinyl aromatic compounds; And vinyl heteroaromatic compounds, including but not limited to vinyl quinoline, vinyl carbazole, vinyl amidazole, and vinyl oxazole.

Si-함유 그룹들을 갖는 바람직한 접착 향상제의 예는 전문이 참고로 포함된 1999년 12월 23일에 출원된 미국 특허 출원 연속 번호 09/471299호에 기술된다. 폴리카보실란은 하기 식 II로 나타난다:Examples of preferred adhesion promoters having Si-containing groups are described in US Patent Application Serial No. 09/471299, filed December 23, 1999, which is incorporated by reference in its entirety. Polycarbosilane is represented by the following formula II:

R₂₀, R₂₆ 및 R₂₉ 각각은 독립적으로 치환되거나 치환되지 않은 알킬렌, 사이클로알킬렌, 비닐렌, 알릴렌 또는 아릴렌을 나타내고; R₂₁, R₂₂, R₂₃, R₂₄ , R₂₇ 및 R₂₈ 각각은 독립적으로 수소 원자 또는 알킬, 알킬렌, 비닐, 사이클로알킬, 알릴, 또는 아릴을 포함하는 유기 그룹을 나타내고 측쇄 없거나 있을 수 있고; R25는 유기 규소, 실라닐, 실록실 또는 유기 그룹을 나타내고, p, q, r 및 s는 [4≤p+q+r+s≤100,000]의 상태를 만족하고 q 및 r 및 s는 전체적으로 또는 독립적으로 0일 수 있다. 유기 그룹들은 18개 이상의 탄소 원자를 함유할 수 있으나 일반적으로 약 1 내지 약 10 탄소 원자들을 포함한다. 유용한 알킬 그룹은 -CH₂-및 -(CH₂)t-, t＞1을 포함한다.Each of R ₂₀ , R ₂₆ and R ₂₉ independently represents substituted or unsubstituted alkylene, cycloalkylene, vinylene, allylene or arylene; R ₂₁ , R ₂₂ , R ₂₃ , R ₂₄ , R ₂₇ and R ₂₈ each independently represent a hydrogen atom or an organic group comprising alkyl, alkylene, vinyl, cycloalkyl, allyl, or aryl and may be absent or branched ; R25 represents an organosilicon, silanyl, siloxane or organic group, p, q, r and s satisfy the condition of [4 ≦ p + q + r + s ≦ 100,000] and q and r and s as a whole or May be 0 independently. Organic groups may contain 18 or more carbon atoms but generally contain about 1 to about 10 carbon atoms. Useful alkyl groups include -CH ₂ -and-(CH ₂ ) t-, t> 1.

고려되는 폴리카보실란은 R₂₀이 치환되거나 치환되지 않는 알킬렌 또는 페닐이고, R21 그룹은 수소 원자이고 폴리카보실란 사슬에 첨부된 라디칼이 없는, 즉, q, r 및 s가 모두 0인 디하이드라이도폴리카보실란을 포함한다. 폴리카보실란의다른 바람직한 그룹은 식 II의 R₂₁, R₂₂, R₂₃, R₂₄, R₂₅ 및 R₂₈이 2 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 치환되거나 치환되지 않은 알케닐 그룹인 것들이다. 알케닐 그룹은 에테닐, 프로페닐, 알릴, 뷰테닐 또는 10개 이상의 탄소 원자를 갖는 임의의 다른 불포화 유기 주쇄 라디칼 일 수 있다. 알케닐 그룹은 실제로는 디에닐일 수 있고 다른 알킬 또는 불포화 유기 폴리머 주쇄에 첨부되거나 치환된 불포화 알케닐 라디칼을 포함할 수 있다. 이런 바람직한 폴리카보실란의 예들은 폴리디하이드리도카보실란, 폴리알릴하이드리도카보실란 및 폴리디하이드리도카보실란 및 폴리알릴하이드리도카보실란의 랜덤 코폴리머와 같은 디하이드리도 또는 알케닐 치환 폴리카보실란을 포함한다.Polycarbosilanes contemplated are dienes in which R ₂₀ is substituted or unsubstituted alkylene or phenyl, the R21 group is a hydrogen atom and is free of radicals attached to the polycarbosilane chain, i.e., q, r and s are all zero. Drydopolycarbosilanes. Other preferred groups of polycarbosilanes are those in which R ₂₁ , R ₂₂ , R ₂₃ , R ₂₄ , R ₂₅ and R ₂₈ of formula II are substituted or unsubstituted alkenyl groups having 2 to 10 carbon atoms. The alkenyl group can be ethenyl, propenyl, allyl, butenyl or any other unsaturated organic backbone radical having 10 or more carbon atoms. Alkenyl groups may in fact be dienyl and include unsaturated alkenyl radicals attached or substituted to other alkyl or unsaturated organic polymer backbones. Examples of such preferred polycarbosilanes are dihydrido or alkenyl substituted polys such as polydihydridocarbosilane, polyallylhydridocarbosilane and random copolymers of polydihydridocarbosilane and polyallylhydridocarbosilane. Carbosilanes.

보다 바람직한 폴리카보실란에서, 식 II의 R₂₁ 그룹은 수소 원자이고 R₂₁은 메틸렌이며 첨부된 라디칼 q,r 및 s는 0 이다. 본 발명의 다른 바람직한 폴리카보실린 화합물은 R₂₁ 및 R₂₇이 수소이고, R₂₀ 및 R₂₉가 메틸렌 및 R₂₈이 알케닐, 및 첨부된 라디칼 q 및 r이 0인 식 II의 폴리카보실란이다. 폴리카보실란은 당해 기술분야에서 공지된 방법 또는 폴리카보실란 조성물의 제조자들에 의해 제공된 방법에 의해 제조될 수 있다. 가장 바람직한 폴리카보실란에서, 식 II의 R₂₁ 그룹은 수소 원자이고; R₂₄는 -CH₂-이고; q,r 및 s는 영이고 p는 5 내지 25이다. 가장 바람직한 폴리카보실란은 스타파이어 시스템으로부터 얻을 수 있다. 가장 바람직한 폴리카보실란의 구체적인 예들은 다음과 같다:In a more preferred polycarbosilane, the R ₂₁ group of formula II is a hydrogen atom and R ₂₁ is methylene and the attached radicals q, r and s are zero. Other preferred polycarbocillin compounds of the invention are polycarbosilanes of formula II wherein R ₂₁ and R ₂₇ are hydrogen, R ₂₀ and R ₂₉ are methylene and R ₂₈ are alkenyl, and the attached radicals q and r are 0 . Polycarbosilanes can be prepared by methods known in the art or by methods provided by the manufacturers of polycarbosilane compositions. In most preferred polycarbosilanes, the R ₂₁ group of formula II is a hydrogen atom; R ₂₄ is -CH _2- ; q, r and s are zero and p is 5-25. Most preferred polycarbosilanes can be obtained from starfire systems. Specific examples of the most preferred polycarbosilanes are as follows:

식 II에서 볼 수 있듯이, 사용된 폴리카보실란은 r＞0 일 때 실록시 그룹의 형태로 산화된 라디칼을 함유할 수 있다. 따라서, R₂₅는 r＞0 일 때 유기규소, 실란일, 실록시 또는 유기 그룹을 나타낸다. 폴리카보실란(r＞0)의 산화된 형태는 본 발명에서 매우 효과적으로 작동하고, 본 발명의 범위 내에 있다. 동일하게 명백한대로, 식 II 폴리카보실란의 라디칼 p,q,r 및 s는 반드시 [4＜p+q+r+s＜100,000]의 조건을 만족해야 하고, q 및 r은 전체적으로 또는 독립적으로 0 일 수 있는 조건하에서 r은 p,q 및 s와 독립적으로 0일 수 있다.As can be seen from formula II, the polycarbosilanes used may contain oxidized radicals in the form of siloxy groups when r> 0. Thus, R ₂₅ represents organosilicon, silanyl, siloxy or organic group when r> 0. Oxidized forms of polycarbosilanes (r> 0) work very effectively in the present invention and are within the scope of the present invention. As equally evident, the radicals p, q, r and s of the formula II polycarbosilane must meet the conditions of [4 <p + q + r + s <100,000], and q and r are entirely or independently 0 R may be 0 independently of p, q and s under conditions that may be

폴리카보실란은 많은 제조자들로부터 상업적으로 사용할 수 있는 시작 물질들로부터 제조될 수 있고 통상적인 중합법을 사용하여 제조될 수 있다. 폴리카보실란들의 합성법의 예로서, 시작 물질들은 상응하는 폴리머를 제조하기 위하여 안정한 대기에서 폴리실란과 폴리보로실록산의 혼합물을 가열하거나 안정한 대기에서 폴리실란과 저 분자량 카보실란의 혼합물을 가열하거나 안정한 대기하와 폴리보로다잎닐실록산과 같은 촉매하에서 폴리실란과 저 분자량 카보실란의 혼합물을 가열함으로써 통상적인 유기 규소 화합물 또는 시작 물질로서 폴리실란으로부터 제조될 수 있다. 폴리카보실란들은 전문이 참고로 포함된 미국 특허 5,153,295호에 보고된 그리니아드 반응에 의해 합성될 수 있다.Polycarbosilanes can be prepared from starting materials commercially available from many manufacturers and can be prepared using conventional polymerization methods. As an example of the synthesis of polycarbosilanes, the starting materials can be heated to a mixture of polysilane and polyborosiloxane in a stable atmosphere or a mixture of polysilane and low molecular weight carbosilane in a stable atmosphere to produce a corresponding polymer. It can be prepared from polysilanes as conventional organosilicon compounds or starting materials by heating a mixture of polysilanes and low molecular weight carbosilanes under the atmosphere and under a catalyst such as polyboropolyanylsiloxane. Polycarbosilanes can be synthesized by the Grignard reaction reported in US Pat. No. 5,153,295, which is incorporated by reference in its entirety.

하이드록실 그룹들을 가진 바람직한 접착 향상제의 예는 페놀 포름알데하이드 수지 또는 -[R₃₀C₆H₂(OH)(R₃₁)]_u- R₃₀은 치환되거나 치환되지 않은 알킬렌, 사이클로알킬렌, 비닐, 알릴 또는 아릴이고; R₃₁은 알킬, 알킬렌, 비닐, 사이클로알킬렌, 알릴렌 또는 아릴이고; u=3-100인 식 III의 올리고머이다. 유용한 알킬 그룹의 예들은 -CH₂- 및 -(CH₂)_v, 여기서 v＞1을 포함한다. 특히 유용한 페놀-포름알데하이드 수지 올리고머는 1500의 분자량을 가지며 스캐넥타디 인터네셔날로부터 상업적으로 이용할 수 있다.Examples of preferred adhesion promoters having hydroxyl groups are phenol formaldehyde resins or-[R ₃₀ C ₆ H ₂ (OH) (R ₃₁ )] _u -R ₃₀ are substituted or unsubstituted alkylene, cycloalkylene, vinyl , Allyl or aryl; R ₃₁ is alkyl, alkylene, vinyl, cycloalkylene, allylene or aryl; oligomer of Formula III wherein u = 3-100. Examples of useful alkyl groups include -CH ₂ -and-(CH ₂ ) _v where v> 1. Particularly useful phenol-formaldehyde resin oligomers have a molecular weight of 1500 and are commercially available from Schenectadi International.

본 접착향상제는 본 열분해성 폴리머의 중량을 기초로 바람직하게는 약 0.01% 내지 약15%및 바람직하게는 약0.05% 내지 약7%의 소량,유효량으로 첨가된다.The present adhesion promoter is preferably added in a small amount, and an effective amount of about 0.01% to about 15% and preferably about 0.05% to about 7%, based on the weight of the present thermally decomposable polymer.

접착 향상제는 또한 이중의 목적 또는 다단계 목적을 수행할 수 있다. 접착 향상제는 흡수 조성물의 접착을 향상시키기 위하여 접착 향상제에 의해 필요한 특성들 이외에 극성 및/또는 기능성 그룹들을 기초로하여 특정한 흡수 조성물에 대해 구체적으로 선택될 수 있다. 일단 접착 향상제가 조성물에 혼합된 후에는 접착 향상제들 사이의 극성의 차이 또는 접착 향상제의 기능성 그룹을 사용함으로써 접착 향상제에 대한 용액의 스트리핑 및/또는 에칭을 초래하는 "자석"으로서 유효하게 작용할 것이다. 접착 향상제에 의한 이런 인력은 여러 방식으로 활성화될 수 있다. 예를 들어, 접착 향상제가 실온에서 흡수 조성물에 혼합될 때 발생하는 발열반응일 수 있고, 외부 에너지 및/또는 접착 향상제를 활성화하기 위해 첨가될 필요가 있는 열일 수 있고, 접착 향상제의 화학 조성에 따라 조성물에 첨가되는 어떤 에너지가 불필요할 수도 있거나 접착 향상제를 활성하는 흡수 조성물에 차별적인 사용된 압력일 수 있다. 그러나, 에너지가 첨가되건 되지 않건 일단 접착 향상제가 첨가되면 본 실시예에서, 접착 향상제는 포토리소그래피 단계가 완결될 때까지 이것이 화학적으로 변형되거나 파괴되는 점까지 가열되거나 활성화되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 일단 포토리소그래피 단계가 완료되면, 접착 향상제를 포함하는 흡수 조성물은 접착 향상제의 화학 조성이 조성물과 더 혼용가능하도록 변화시키기 위해 가열되지 않거나 더 가열될 수 있다. 이런 점에서, 코팅 또는 필름은 상기한 실시예에서 기술한대로, 더 가공될 수 있다.Adhesion enhancers can also serve dual or multi-step purposes. Adhesion enhancers may be specifically selected for particular absorbent compositions based on polar and / or functional groups in addition to the properties required by the adhesion enhancer to enhance adhesion of the absorbent composition. Once the adhesion promoter is mixed into the composition, it will act effectively as a "magnet" resulting in stripping and / or etching of the solution to the adhesion promoter by using a difference in polarity between the adhesion promoters or using a functional group of the adhesion promoter. This attraction by the adhesion promoter can be activated in several ways. For example, it may be an exothermic reaction that occurs when the adhesion promoter is mixed with the absorbent composition at room temperature, may be heat that needs to be added to activate external energy and / or adhesion promoter, depending on the chemical composition of the adhesion promoter. Any energy added to the composition may be unnecessary or may be the pressure used differentially to the absorbent composition that activates the adhesion promoter. However, once energy adhesion is added, whether or not energy is added, it should be understood that in this embodiment, the adhesion enhancer is not heated or activated until it is chemically deformed or destroyed until the photolithography step is completed. Once the photolithography step is complete, the absorbent composition comprising the adhesion enhancer may be unheated or further heated to change the chemical composition of the adhesion enhancer to be more compatible with the composition. In this regard, the coating or film can be further processed, as described in the above examples.

pH 조절제pH regulator

pH 조절제는 흡수 조성물이 흡수 피크가 약 365nm, 248nm, 193nm 및 157nm인 것들을 포함하는 임의로 선택된 레지스트 물질과 혼용가능하거나 더 혼용가능하도고 하기 위해 최종 흡수 조성물의 pH를 "조절" 또는 조정하기 위해서 무기계 무질 및 흡수 조성물의 혼합물에 첨가되는 화합물, 물질 또는 용액이다. 본 명세서에서 고려되는 pH 조절제들은 2001년 11월 15일에 출원된 PCT 출원 시리얼 번호 PCT/US01/45306호에서 발견되는 것들이다.The pH adjuster is inorganic based to “adjust” or adjust the pH of the final absorbent composition so that the absorbent composition is compatible or more compatible with any selected resist material, including those having absorption peaks of about 365 nm, 248 nm, 193 nm and 157 nm. Compound, substance or solution that is added to a mixture of amorphous and absorbent compositions. PH adjusting agents contemplated herein are those found in PCT Application Serial No. PCT / US01 / 45306, filed November 15, 2001.

그러나, pH 조절제는 흡수 물질, 코팅 및/또는 필름의 pH를 조절하는 것뿐만 아니라 화학적 성능 및 특성들, 흡수 물질의 기계적 성능 및 구조적 구성, 층진 물질의 일부인 코팅 및/또는 필름, 전기적 성분 또는 반도체 성분에 영향을 미칠 수 있어서, 흡수 물질, 코팅 및/또는 필름은 이것에 결합된 레지스트 물질과 더욱 혼용가능하게 된다. 보다 구체적으로, pH 조절제는 폴리머 특성, 구조적 구성 및 최적의 레지스트 성능을 위한 무반사 코팅제의 표면 특성들을 증가시킴으로써 최적화된 필름을 만들게 하는 공간 방향성에 강하게 영향을 미친다. 다시 말하면, 흡수 물질, 코팅 및/또는 필름은 이것에 결합된 레지스트 물질의 기계적 특성 및 구조적 구성에 영향을 미치지 않는 스핀-온 물질의 pH를 단순히 조절하는 pH 조절제는 본 명세서에서 고려하지 않는다.However, pH adjusting agents may not only control the pH of the absorbent material, coatings and / or films, but also chemical performance and properties, mechanical performance and structural composition of the absorbent material, coatings and / or films that are part of the layered material, electrical components or semiconductors. The component can be influenced so that the absorbent material, coating and / or film becomes more compatible with the resist material bonded thereto. More specifically, pH adjusting agents strongly influence the spatial orientation that results in an optimized film by increasing the polymer properties, structural composition, and surface properties of the antireflective coating for optimal resist performance. In other words, pH adjusters that simply adjust the pH of the spin-on material that does not affect the mechanical properties and structural composition of the resist material to which the absorbent material, coating, and / or film are attached are not considered herein.

고려되는 pH 조절제들은 a) 첨가되는 조성물의 pH에 영향을 미치는것; b) 폴리머 특성,구조적 구성 및 기계적 성능 및/또는 최적의 레지스트 성능을 위한 무반사 코팅제의 표면 특성들을 향상시키는 공간 방향성에 강하게 영향을 미치는 것으로 기술된 흡수 물질,코팅제 및/또는 필름의 기계적 성능 및/또는 구조적구성에 영향을 미치는것인 두개의 분리된 때로는 관련된 기능들을 반드시 수행하여야 한다. PH adjusters contemplated include a) affecting the pH of the composition to be added; b) the mechanical and / or mechanical properties of absorbent materials, coatings and / or films described as strongly affecting the spatial properties of the polymer properties, structural composition and mechanical performance and / or the surface properties of the antireflective coating for optimum resist performance. Or two separate and sometimes related functions that affect the structural composition.

고려되는 pH 조절제들은 첨가되는 조성물의 pH에 영향을 미치도록 일부 설계된다. 잠재적인 pH 조절제들의 종류는 a) 임의의 적절한 산 또는 염기 용액, 화합물, 및/또는 성분 및/또는 b) 임의의 적절한 세기 또는 농도의 산 또는 염기 용액, 화합물 및/또는 성분을 포함한다. 적절한 pH "인플루엔서(influencer)"의 명칭은 최적의 pH 조절제가 선택된 화합물의 더 큰 집단을 의미하는데, pH "인플루엔서"는 반드시 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름의 기계적 성능 및/또는 구조적 구성에 영향을 미칠 수 있는 반면 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름이 혼용가능하게 또는 보다 혼용가능하게 만들기 때문이다. 이것은 선택된 pH 조절제는 용해도, 분자량, 용융점 또는 스핀-온 물질 및 유기 흡수 화합물의 일부 다른 특성들과 일치하도록 설계된다는 것을 의미한다. 다시 말하면, pH 조절제 및 무기 매트릭스 물질과 흡수 화합물의 혼합물은 비록 pH 조절제가 혼합물의 pH에 영향을 주는 첫번째 기능을 수행하지만, 원하는 물리적 특성들에 따라 물리적으로 혼용가능하지 않을 수 있다. 바람직한 실시예에서, 원하는 물리적 특성들은 용해도 또는 분자량이다. 보다 바람직한 실시예에서, 원하는 물리적 특성은 용해도이다.The pH regulators contemplated are some designed to influence the pH of the composition to be added. Types of potential pH adjusting agents include a) any suitable acid or base solution, compound, and / or component and / or b) any suitable strength or concentration of acid or base solution, compound and / or component. The designation of a suitable pH "influencer" refers to a larger population of compounds in which an optimal pH control agent is selected, wherein the pH "influencer" necessarily refers to the mechanical performance and / or of the absorbent material, coating and / or film. This may affect the structural composition while making the absorbent materials, coatings and / or films compatible or more compatible. This means that the pH adjuster chosen is designed to match solubility, molecular weight, melting point or spin-on material and some other properties of the organic absorbing compound. In other words, the pH regulator and the mixture of inorganic matrix material and absorbent compound may not be physically compatible depending on the desired physical properties, although the pH regulator performs the first function of affecting the pH of the mixture. In a preferred embodiment, the desired physical properties are solubility or molecular weight. In a more preferred embodiment, the desired physical property is solubility.

또한 pH 조절제가 레지스트 물질/ARC 커플의 성능 및 특성에 기계적 및 구조적으로 영향을 미칠 수 있다고 생각된다. 예를 들어, pH 조절된 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름이 기질 또는 층진 물질에 사용된 후에, 레지스트 물질이 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름에 사용된다. 레지스트 물질이 노출되고 이어서 현상되었을 때 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름(현상 라인)에 대해 85-90도 각을 갖게 될 것이다. 다시 말하면, 레지스트 물질은 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름 위로 떨어지지 않는 대신, 유용한 현상 라인을 갖게 될 것이다. 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름이 pH 조절 되지 않은 경우, 레지스트 물질은 에칭 후에 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름에 떨어질 수 있어서 분명히 결함있는 레지스트 물질 및/또는 결함있는 층진 물질을 만들게 된다. 이런 경우, pH 조절된 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름은 흡수 물질, 코팅제 및/또는 필름의 기계적 및 구조적 완결성과 레지스트 물질/ARC 커플의 혼용성을 향상시킨다. 본 명세서에 사용된 "결합된" 또는 "결합"이란 용어는 두 개의 물질들 또는 조성물들이 두 물질들이 물리적, 기계적 및/또는 화학적으로 서로 결합된 점에서 서로의 상부가 나란히 놓이는 것을 의미한다.It is also contemplated that pH adjusters can mechanically and structurally affect the performance and properties of resist material / ARC couples. For example, after the pH adjusted absorbent material, coating and / or film is used for the substrate or layered material, the resist material is used for the absorbent material, coating and / or film. When the resist material is exposed and then developed, it will have an angle of 85-90 degrees with respect to the absorbent material, coating and / or film (development line). In other words, the resist material will not fall onto the absorbent material, coating and / or film, but will have a useful development line. If the absorbent material, coating and / or film is not pH adjusted, the resist material may fall into the absorbent material, coating and / or film after etching, resulting in a clearly defective resist material and / or a defective layered material. In such cases, pH controlled absorbent materials, coatings and / or films improve the mechanical and structural integrity of the absorbent materials, coatings and / or films and the compatibility of resist material / ARC couples. The term "bonded" or "bonded" as used herein means that two materials or compositions are placed side by side on top of each other in that the two materials are physically, mechanically and / or chemically bonded to each other.

일부 적절한 pH 조절제들의 예들은 γ-아미노알킬트리알콕시실란, 구체적으로, γ-아미노프로필트리에톡시실란(APTF 또는 APTEOS)과 같은 아민; 물; 옥사이드 및 소듐 알콕사이드, 포타슘 알콕사이드와 같은 알콕사이드, 포타슘 하이드록사이드, 브로화 수소와 같은 할로겐화 수소, 염산; 아세트산; 황산, 젖산, 질산; TMAJH; 프로필렌 글리콜 메틸 이써 아세테이트(PGMEA); 실로콘과 같은 무기 원소를가진 올리고머를 포함하는 아민계 올리고머 및 이의 조합의 여러 몰 농도를 포함한다. pH 조절제의 고려되는 몰 농도는 레지스트 물질을 위해 선택된 pH 조절제에 따라 순수, 10M, 1.0M, 0.1M 및 0.01M을 포함한다.Examples of some suitable pH regulators include γ-aminoalkyltrialkoxysilanes, specifically amines such as γ-aminopropyltriethoxysilane (APTF or APTEOS); water; Oxides and sodium alkoxides, alkoxides such as potassium alkoxides, potassium hydroxide, hydrogen halides such as hydrogen bromide, hydrochloric acid; Acetic acid; Sulfuric acid, lactic acid, nitric acid; TMAJH; Propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA); Various molar concentrations of amine-based oligomers and combinations thereof, including oligomers with inorganic elements such as xylocones. Contemplated molar concentrations of the pH adjusting agent include pure water, 10M, 1.0M, 0.1M and 0.01M depending on the pH adjusting agent selected for the resist material.

또 다른 실시예에서, 증가된 pH 용액은 비-pH 조절된 용액으로부터 주조된 필름보다 더 두꺼운 필름을 만들게 된다. 습식 스트립 검사는 치밀화의 정도를 결정하는데 사용될 수 있다. 포토레지스트 처리에서와 같은 유효한 ARC 밀도는 다음과 같다. 만일 ARC가 두껍지 않으면, 레지스트(UV 방사에 대한 포토레지스트의 노출 동안 발생)내의 과량의 광생성 산은 포토레지스트를 통과 분산된다-국소 산 촉매 반응의 감소를 초래하는 광산의 국소 농도의 감소를 초래하는 ARC 경계는 광산의 국소 농도의 감소를 초래하여 국소 산 촉매화 반응의 열화를 초래하여 레지스트 푸팅(footing)(포지티브 톤 레지스트)을 유도할 수 있는 덜 반응된 레지스트가 생기게 한다. 이와 반대로, 만일 ARC 층이 너무 두꺼우면, 국소 광생성 산이 계면에 축적되어 레지스트 언더컷(포지티브 톤 레지스트)을 유도할 수 있는 과 반응된 레지스트가 생기게 한다.In another embodiment, the increased pH solution results in a thicker film than the cast film from the non-pH controlled solution. Wet strip testing can be used to determine the degree of densification. The effective ARC density as in photoresist processing is as follows. If the ARC is not thick, excess photo-generated acid in the resist (which occurs during exposure of the photoresist to UV radiation) is dispersed through the photoresist-resulting in a decrease in the local concentration of the mine resulting in a reduction in the local acid catalysis. The ARC boundary results in a decrease in the local concentration of the mine, resulting in degradation of the local acid catalysis reaction resulting in a less reacted resist that can lead to resist footing (positive tone resist). In contrast, if the ARC layer is too thick, local photoacids accumulate at the interface resulting in over-reacted resist that can lead to resist undercuts (positive tone resists).

다른 실시예에서, pH 조절제는 제제와 물리적으로 분리된 고체-지지 물질(프로필아민-부착 실리카, 멜라민과 같은 아민계 폴리머들 또는 처리 용액 상태에서 불용성인 다른 아민-부착 물질)에서 발견될 수 있다. 예를 들어, pH는 제제가 고체 지지물질을 통과하는 동안 조절될 수 있거나 이후에 여과되는 고체 지지 물질을 가진 슬러리에서 조절될 수 있다.In other embodiments, the pH adjuster may be found in a solid-support material physically separated from the formulation (propylamine-attached silica, amine-based polymers such as melamine or other amine-attached material that is insoluble in the treatment solution). . For example, the pH may be adjusted while the formulation passes through the solid support or may be adjusted in a slurry with the solid support material that is subsequently filtered.

pH 조절제는 이중 목적 또는 다단계 목적을 수행할 수 있다. pH 조절제는 흡수 조성물을 조절하기 위해 pH 조절제에 필요한 특성들 이외의 극성 및/또는 기능성 그룹들을 기초로하여 특정 흡수 조성물을 위해 구체적으로 선택될 수 있다. 일단 pH 조절제가 조성물에 혼합된 후에는 pH 조절제들 사이의 극성의 차이 또는 pH 조절제의 기능성 그룹을 사용함으로써 pH 조절제에 대한 용액의 스트리핑 및/또는 에칭을 초래하는 "자석"으로서 유효하게 작용할 것이다. pH 조절제에 의한 이런 인력은 여러 방식으로 활성화될 수 있다. 예를 들어, pH 조절제가 실온에서 흡수 조성물에 혼합될 때 발생하는 발열반응일 수 있고, 외부 에너지 및/또는 pH 조절제를 활성화하기 위해 첨가될 필요가 있는 열일 수 있고, pH 조절제의 화학 조성에 따라 조성물에 첨가되는 어떤 에너지가 불필요할 수 도 있거나 pH 조절제를 활성하는 흡수 조성물에 차별적인 사용된 압력일 수 있다. 그러나, 에너지가 첨가되건 되지 않건 일단 pH 조절제가 첨가되면 본 실시예에서, pH 조절제는 포토리소그래피 단계가 완결될 때까지 이것이 화학적으로 변형되거나 파괴되는 점까지 가열되거나 활성화되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 일단 포토리소그래피 단계가 완료되면, pH 조절제를 포함하는 흡수 조성물은 pH 조절제의 화학 조성이 조성물과 더 혼용가능하도록 변화시키기 위해 가열되지 않거나 더 가열될 수 있다. 이런 점에서, 코팅제 또는 필름은 상기한 실시예에서 기술한대로, 더 가공될 수 있다. pH adjusters can serve dual or multi-step purposes. The pH adjuster may be specifically selected for a particular absorbent composition based on polar and / or functional groups other than the properties required for the pH adjuster to control the absorbent composition. Once the pH regulator is mixed into the composition, it will act effectively as a "magnet" which results in a difference in polarity between the pH regulators or the use of a functional group of pH regulators resulting in stripping and / or etching of the solution to the pH regulator. This attraction by the pH regulator can be activated in several ways. For example, it may be an exothermic reaction that occurs when the pH regulator is mixed with the absorbent composition at room temperature, may be heat that needs to be added to activate external energy and / or pH regulator, depending on the chemical composition of the pH regulator. Any energy added to the composition may be unnecessary or may be the pressure used differentially to the absorbent composition that activates the pH adjuster. However, it should be understood that once the pH regulator is added, whether or not energy is added, in this example, the pH regulator will not be heated or activated until it is chemically modified or destroyed until the photolithography step is completed. Once the photolithography step is completed, the absorbent composition comprising the pH adjuster may be unheated or further heated to change the chemical composition of the pH adjuster to be more compatible with the composition. In this regard, the coating or film can be further processed, as described in the above examples.

캡핑제Capping agent

적어도 하나의 캡핑제가 물질 변형제로서 흡수 조성물에 첨가될 수 있다. 본 명세서에 사용된 용어 "캡핑제"는 폴리머의 말단을 "캡핑"함으로써 특정 폴리머의 분자량을 효과적으로 조절한는 종결 모노머를 의미한다. 완결된 실시예에서, 캡핑제는 에톡시 반응 그룹과 같은 단 하나의 반응 그룹, 메틸 그룹이 되는 모노머의 나머지를 가진 실란 모노머를 포함한다. 게다가, 실란 모노머는 흡수 조성물을 형성하는 원 반응에 늦게 첨가된다. 임의의 적절한 종결 모노머는 TEMOS와 같은 실란 조성물을 포함하는 형태로 사용될 수 있다.At least one capping agent may be added to the absorbent composition as a material modifier. As used herein, the term "capping agent" means a terminating monomer that effectively regulates the molecular weight of a particular polymer by "capping" the end of the polymer. In the finished embodiment, the capping agent comprises a silane monomer with only one reaction group, such as an ethoxy reaction group, the remainder of the monomer being a methyl group. In addition, the silane monomers are added late to the original reaction to form the absorbent composition. Any suitable terminating monomer can be used in the form comprising a silane composition such as TEMOS.

캡핑제는 이중 목적 또는 다단계 목적을 수행할 수 있다. 캡핑제는 흡수 조성물의 전부 또는 일부를 덮기 위해 캡핑제에 필요한 특성들 이외의 극성 및/또는 기능성 그룹들을 기초로하여 특정 흡수 조성물을 위해 구체적으로 선택될 수 있다. 기능성 그룹의 분자량 및 극성을 조절함으로써, 캡핑제는 과정을 통해 이의 용해도 혼용가능성을 향상시키는 매트릭스 물질의 용해도를 조절하는 기능을 할 수 있다. 일단 캡핑제가 조성물에 혼합된 후에는 캡핑제들 사이의 극성의 차이 또는 캡핑제 의 기능성 그룹을 사용함으로써 캡핑제에 대한 용액의 스트리핑 및/또는 에칭을 초래하는 "자석"으로서 유효하게 작용할 것이다. 캡핑제에 의한 이런 인력은 여러 방식으로 활성화될 수 있다. 예를 들어, pH 조절제가 실온에서 흡수 조성물에 혼합될 때 발생하는 발열반응일 수 있고, 외부 에너지 및/또는 pH 조절제를 활성화하기 위해 첨가될 필요가 있는 열일 수 있고, 캡핑제의 화학 조성에 따라 조성물에 첨가되는 어떤 에너지가 불필요할 수 도 있거나 캡핑제를 활성하는 흡수 조성물에 차별적인 사용된 압력일 수 있다. 그러나, 에너지가 첨가되건 되지 않건 일단 캡핑제가 첨가되면 본 실시예에서, 캡핑제는 포토리소그래피 단계가 완결될 때까지 이것이 화학적으로 변형되거나 파괴되는 점까지 가열되거나 활성화되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 일단 포토리소그래피 단계가 완료되면, 캡핑제를 포함하는 흡수 조성물은 캡핑제의 화학 조성이 조성물과 더 혼용가능하도록 변화시키기 위해 가열되지 않거나 더 가열될 수 있다. 이런 점에서, 코팅제 또는 필름은 상기한 실시예에서 기술한대로, 더 가공될 수 있다.Capping agents can serve dual or multi-stage purposes. The capping agent may be specifically selected for a particular absorbent composition based on polar and / or functional groups other than the properties required for the capping agent to cover all or part of the absorbent composition. By controlling the molecular weight and polarity of the functional group, the capping agent can serve to control the solubility of the matrix material, which enhances its solubility compatibility throughout the process. Once the capping agent is mixed into the composition, it will act effectively as a "magnet" which results in the difference in polarity between the capping agents or the use of functional groups of the capping agent resulting in stripping and / or etching of the solution to the capping agent. This attraction by the capping agent can be activated in several ways. For example, it may be an exothermic reaction that occurs when the pH regulator is mixed with the absorbent composition at room temperature, may be heat that needs to be added to activate external energy and / or pH regulator, depending on the chemical composition of the capping agent Any energy added to the composition may be unnecessary or may be used pressure differential to the absorbent composition that activates the capping agent. However, once energy is added, whether or not energy is added, it should be understood that in this embodiment, the capping agent is not heated or activated until it is chemically modified or destroyed until the photolithography step is completed. Once the photolithography step is complete, the absorbent composition comprising the capping agent may be unheated or further heated to change the chemical composition of the capping agent to be more compatible with the composition. In this regard, the coating or film can be further processed, as described in the above examples.

레벨링제Leveling agent

적어도 하나의 레벨링제가 물질 변형제로서 흡수 조성물에 첨가될 수 있다. 본 명세서에서 고려된대로, 적어도 하나의 레벨링제는 물질 내의 비아 필 바이어스(via fill bias)를 향상시키기 위해 흡수 조성물에 첨가된다. 고려되는 레벨링제는 BYK 380 및 BYK 381와 같은 이온성 및 비이온성인 폴리아크릴레이트를 포함한다.At least one leveling agent may be added to the absorbent composition as a material modifier. As contemplated herein, at least one leveling agent is added to the absorbent composition to enhance via fill bias in the material. Leveling agents contemplated include ionic and nonionic polyacrylates such as BYK 380 and BYK 381.

레벨링제는 이중 목적 또는 다단계 목적을 수행할 수 있다. 레벨링제는 흡수 조성물의 전부 또는 일부를 평면화 하거나 평탄화하기 위해 위해 레벨링제에 필요한 특성들 이외의 극성 및/또는 기능성 그룹들을 기초로하여 특정 흡수 조성물을 위해 구체적으로 선택될 수 있다. 일단 레벨링제가 조성물에 혼합된 후에는 레벨링제들 사이의 극성의 차이 또는 레벨링제의 기능성 그룹을 사용함으로써 레벨링제에 대한 용액의 스트리핑 및/또는 에칭을 초래하는 "자석"으로서 유효하게 작용할 것이다. 레벨링제에 의한 이런 인력은 여러 방식으로 활성화될 수 있다. 예를 들어, 레벨링제가 실온에서 흡수 조성물에 혼합될 때 발생하는 발열반응일 수 있고, 외부 에너지 및/또는 레벨링제를 활성화하기 위해 첨가될 필요가 있는 열일 수 있고, 레벨링제의 화학 조성에 따라 조성물에 첨가되는 어떤 에너지가 불필요할 수 도 있거나 레벨링제를 활성하는 흡수 조성물에 차별적인 사용된 압력일 수 있다. 그러나, 에너지가 첨가되건 되지 않건 일단 레벨링제가 첨가되면 본 실시예에서, 레벨링제는 포토리소그래피 단계가 완결될 때까지 이것이 화학적으로 변형되거나 파괴되는 점까지 가열되거나 활성화되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 일단 포토리소그래피 단계가 완료되면, 레벨링제를 포함하는 흡수 조성물은 레벨링제의 화학 조성이 조성물과 더 혼용가능하도록 변화시키기 위해 가열되지 않거나 더 가열될 수 있다. 이런 점에서, 코팅제 또는 필름은 상기한 실시예에서 기술한대로, 더 가공될 수 있다.Leveling agents can serve dual or multi-level purposes. The leveling agent may be specifically selected for a particular absorbent composition based on polar and / or functional groups other than the properties necessary for the leveling agent to planarize or planarize all or part of the absorbent composition. Once the leveling agent is mixed into the composition, it will act effectively as a “magnet” resulting in stripping and / or etching of the solution to the leveling agent by using a difference in polarity between the leveling agents or a functional group of the leveling agent. This attraction by the leveling agent can be activated in several ways. For example, it may be an exothermic reaction that occurs when the leveling agent is mixed with the absorbent composition at room temperature, may be heat that needs to be added to activate external energy and / or leveling agent, and depending on the chemical composition of the leveling agent Any energy added to the may be unnecessary or may be a used pressure differential to the absorbent composition that activates the leveling agent. However, once energy is added, whether or not energy is added, it is to be understood that in this embodiment, the leveling agent is not heated or activated until it is chemically modified or destroyed until the photolithography step is completed. Once the photolithography step is complete, the absorbent composition comprising the leveling agent may be unheated or further heated to change the chemical composition of the leveling agent to be more compatible with the composition. In this regard, the coating or film can be further processed, as described in the above examples.

분석검사법Assay

수축:필름 수축은 공정 전후의 필름 두께를 결정함으로써 측정된다. 수축은 본래의 필름두께의 퍼센트로 표현된다. 필름 두께가 줄어들었다면 수축은 양(positive)이다. 실제 두께측정은 광학적으로 n&k Analyzer 분광계를 사용하여 실행된다.Shrinkage: Film shrinkage is measured by determining the film thickness before and after the process. Shrinkage is expressed as a percentage of the original film thickness. Shrinkage is positive if the film thickness is reduced. Actual thickness measurements are optically performed using the n & k Analyzer spectrometer.

굴절률: 굴절률(n) 측정은 n&k Analyzer 분광계를 사용하여 두께 측정과 함께 수행된다.Refractive Index: Refractive index (n) measurements are performed with thickness measurements using an n & k Analyzer spectrometer.

흡수계수: 흡수계수(k) 측정은 n&k Analyzer 분광계를 사용하여 두께 측정과 함께 수행된다.Absorption coefficient: Absorption coefficient (k) measurements are performed with thickness measurements using an n & k Analyzer spectrometer.

분자량: 분자량(Mw) 측정은 n&k Analyzer를 사용하여 수행된다.Molecular weight: The molecular weight (Mw) measurement is performed using n & k analyzer.

블랭킷(Blanket) 필름 두께: 블랭킷 필름 두께측정은 n&k Analyzer 분광계를 사용하여 수행된다.Blanket Film Thickness: Blanket film thickness measurements are performed using an n & k Analyzer spectrometer.

% Via Fill: % Vial Fill 측정은 스캐닝 전자현미경으로 via-fill 웨이퍼를 사용하여 수행된다.% Via Fill:% Vial Fill measurements are performed using a via-fill wafer with a scanning electron microscope.

박막품질: 박막품질 측정은 현미경으로 시각 검사를 사용하여 수행된다.Thin Film Quality: Thin film quality measurements are performed using visual inspection under a microscope.

적어도 하나의 포로젠, 적어도 하나의 높은 끓는 점을 갖는 용매(high boiling solvent), 적어도 하나의 캡핑제(capping agent), 적어도 하나의 레벨링제(leveling agent), 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 흡수 프로모터, 적어도 하나의 pH 조절제(turnig point), 및/또는 저항재료(resist material)와 결합하고 호환성을 향상시키기 위한 그 조합을 포함하는 적어도 하나의 무기계열 재료 또는 조성물 및 적어도 하나의 재료 개질제(modification agent)를 포함하는 흡수재료의 합성법은 에칭 선택도 및/또는 스트립핑 선택도를 증가시키고 평탄화도(Planarizationability)를 증가시키는 반면에, 공백을 감소시키는 것이 하기 예에서 보여진다. 하기 예에서 제조된 용액들 및 코팅들은 약 157㎚, 193㎚, 248㎚ 및 375㎚를 흡수하는 재료들을 포함하는, 수개의 포토레지스트(photoresist) 재료들과 호환될 수 있도록 변화되고 또는 제조된다. 193㎚ 저항재료의 예로는 아크릴레이트 저항재료이다. At least one porogen, at least one high boiling solvent, at least one capping agent, at least one leveling agent, at least one catalyst, at least one substitution At least one inorganic material or composition comprising a solvent, at least one absorption promoter, at least one turnig point, and / or a combination thereof for binding and enhancing compatibility and at least Synthesis of absorbent materials comprising one material modification agent increases etch selectivity and / or stripping selectivity and increases planarizationability, while reducing voids is shown in the examples below. . The solutions and coatings prepared in the examples below are changed or prepared to be compatible with several photoresist materials, including materials absorbing about 157 nm, 193 nm, 248 nm and 375 nm. An example of a 193 nm resistive material is an acrylate resistive material.

실시예 1Example 1

22 리터 플라스크에서 6497.86 그램의 용매, 2633.78 그램의 TEOS, 1639.78 그램의 MTEOS, 958.97 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 119.24 그램의 0.1 M 질산 및 1425.58 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류(reflux) 및/또는 가열되었다. 용액에 932.80 그램의 부탄올과 20650.0 그램의 에틸 락테이트가 첨가되었다. 통상적인 경우 반응에 사용되었을 아세톤 또는 2-프로판올/아세톤 혼합물은 적어도 한 가지의 치환 용매(replacement solvent)로 대체된다. 일 실시예에서, 에탄올/PGMEA의 2:1 혼합물이 상기 적어도 한 가지의 치환 용매로서 사용된다. 다른 일 실시예에서는, PGMEA/에탄올의 2:1 혼합물이 상기 적어도 한 가지의 치환 용매로서 사용된다. 실시예 6 내지 21에서 발견되는 모든 화합물 및/또는 혼합물은 상기 화합물을 대신할 수 있음을 아는 것이 중요하다. 실시예 6 내지 21이 화합물의 흡수 및 pH 조절제(pH tuning agent) 첨가를 다루는 것임에도 불구하고, 본 실시예에서 설명되는 것들과 같은 흡수조성물을 생산하기 위하여, pH 조절제는 본 실시예에서 설명되는 무 아세톤(acetone-free) 상태에 따라 포함될 수도 있고 배제될 수도 있다.In a 22 liter flask, 6497.86 grams of solvent, 2633.78 grams of TEOS, 1639.78 grams of MTEOS, 958.97 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 119.24 grams of 0.1 M nitric acid and 1425.58 grams of deionized water were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 932.80 grams butanol and 20650.0 grams ethyl lactate. The acetone or 2-propanol / acetone mixture that would normally be used in the reaction is replaced with at least one replacement solvent. In one embodiment, a 2: 1 mixture of ethanol / PGMEA is used as the at least one substitution solvent. In another embodiment, a 2: 1 mixture of PGMEA / ethanol is used as the at least one substitution solvent. It is important to know that all compounds and / or mixtures found in Examples 6-21 can replace those compounds. Although Examples 6-21 deal with the absorption of compounds and the addition of pH tuning agents, in order to produce absorbent compositions such as those described in this example, the pH regulators are described in this example. It may be included or excluded depending on the acetone-free state.

표 1은 무 아세톤 및 무 아세톤/IPA 혼합물을 사용하는 예비 숙성 연구(preliminary aging study)를 나타낸다. 표 1에서, "POR"은 대조 표준을 나타내며, 상기 대조 표준은 아세톤 및 IPA 둘 다를 용매로서 사용하였다.Table 1 shows a preliminary aging study using acetone free and acetone free / IPA mixtures. In Table 1, "POR" represents a control standard, which used both acetone and IPA as solvent.

도 3 내지 14는 분자량, 두께, 다분산도(polydispersity), 및 7일의 기간에 걸친 pH 안정도 등 표 1에 나타낸 예비 숙성 데이터의 도식적 표현이다.3-14 are schematic representations of preliminary aging data shown in Table 1, including molecular weight, thickness, polydispersity, and pH stability over a 7 day period.

표 2는 환류 시간, 온도, 기체 크로마토그래피 정보, 두께, 광학적 성질, 물과 에탄올과 부탄올 및 PGMEA의 비율, 밀도, pH 및 상기 물질의 6 "런(runs)"에 대한 총 퍼센트 고형물을 나타낸다. 표 3은 상기 6 런(각 런은 특정 환류 시간 대 환류 온도를 의미하는 특정의 "런 식별자(run ID)"를 가짐)에 대한 열 경사(heat ramp) 데이터를 나타내며, 도 15는 상기 6 런에 대한 시간 대 온도의 도식적 표현을 나타낸다. 열 경사 실험은 물질들이 가해진 열에 얼마나 잘 반응하는지 나타내도록 고안되어 있다. 일정한 열이 가해지므로 물질의 온도는 특정 시간 간격으로 측정된다.Table 2 shows the reflux time, temperature, gas chromatography information, thickness, optical properties, ratio of water and ethanol and butanol and PGMEA, density, pH and total percent solids for 6 "runs" of the material. Table 3 shows heat ramp data for the six runs (each run having a specific "run ID", meaning a specific reflux time versus reflux temperature), and FIG. 15 shows the six runs. A graphical representation of time versus temperature for. Thermal gradient experiments are designed to show how well materials react to the applied heat. Since constant heat is applied, the temperature of the material is measured at specific time intervals.

실시예 2Example 2

22 리터 플라스크에서 6331.20 그램의 2-프로판올, 3166.66 그램의 아세톤 등의 용매, 2633.78 그램의 TEOS, 1639.78 그램의 MTEOS, 958.97 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 119.24 그램의 0.1 M 질산 및 1425.58 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 932.80 그램의 부탄올과 20650.0 그램의 에틸 락테이트가 첨가되었다. 본 실시예 세트에 첨가된 물질 변형제는 상기 적어도 한 가지의 고 비등 용매였으며, 상기 고 비등 용매는 이 경우에는 글리세롤이었다. 본 실험 데이터 세트에 있어서, 1% 글리세롤이 혼합물에 첨가되어 빈틈(voiding)을 제거하고 흡수조성 코팅 물질 내의 % 비아 필(% via fill)을 향상시켰다. 실시예 6 내지 21에서 발견되는 모든 화합물 및/또는 혼합물은 상기 화합물을 대신할 수 있음을 아는 것이 중요하다. 실시예 6 내지 21이 화합물의 흡수 및 pH 조절제(pH tuning agent) 첨가를 다루는 것임에도 불구하고, 본 실시예에서 설명되는 것들과 같은 흡수조성물을 생산하기 위하여, pH 조절제는 본 실시예에서 설명되는 고 비등점 용매 상태에 따라 포함될 수도 있고 배제될 수도 있다.In a 22 liter flask, 6331.20 grams of 2-propanol, 3166.66 grams of acetone and the like, 2633.78 grams of TEOS, 1639.78 grams of MTEOS, 958.97 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 119.24 grams of 0.1 M nitric acid And 1425.58 grams of DI water. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 932.80 grams butanol and 20650.0 grams ethyl lactate. The material modifier added to this set of examples was the at least one high boiling solvent, which in this case was glycerol. In this experimental data set, 1% glycerol was added to the mixture to remove voiding and improve% via fill in the absorbent coating material. It is important to know that all compounds and / or mixtures found in Examples 6-21 can replace those compounds. Although Examples 6-21 deal with the absorption of compounds and the addition of pH tuning agents, in order to produce absorbent compositions such as those described in this example, the pH regulators are described in this example. It may be included or excluded depending on the high boiling solvent state.

표 4(파트 1 및 2)는 비아 필과 두께의 대비, 및 여러 pH 값에서 대조 표준 물질에 대한 피치(pitch)와 여러 pH 값에서 대조 표준 물질 더하기 고 비등점 용매의 대비의 요약을 나타낸다. 도 16 내지 27은 표 4(파트 1 및 2)에 있는 블랭킷 필름(blanket film) 두께 및 % 필(fill)에 관련된 데이터 및 그 경향의 도식적 표현을 나타낸다. 도 28은 흡수조성 웨이퍼(wafer) 및 고 비등점 용매를 더욱 포함하는 흡수조성 웨이퍼에 대한 실제 SEM(Scanning Electron Microscope) 데이터를 나타낸다.Table 4 (Parts 1 and 2) shows a summary of the contrast of the via fill with the thickness, and the contrast of the control plus the high boiling point solvent at various pH values and the pitch for the control at various pH values. 16-27 show schematic representations of data and trends related to blanket film thickness and% fill in Table 4 (Parts 1 and 2). FIG. 28 shows actual Scanning Electron Microscope (SEM) data for an absorbent composition wafer further comprising an absorbent composition wafer and a high boiling point solvent.

실시예 3Example 3

22 리터 플라스크에서 6331.20 그램의 2-프로판올, 3166.66 그램의 아세톤, 2633.78 그램의 TEOS, 1639.78 그램의 MTEOS, 958.97 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 119.24 그램의 0.1 M 질산 및 1425.58 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 가열/환류 시간은 비교적 균등한 네 개의 시간 간격으로 분할되었으며, 각 시간 간격마다 TMEOS가 각각 0.2g, 0.5g, 1g 그리고 5g 첨가되었다. 용액에 에틸 락테이트 20650.0 그램이 첨가되었다. 또한, 일부 실시예들에서는 TMEOS 첨가가 완료된 후 부탄올 932.80 그램이 첨가되었다. 본 실시예 세트에 대하여 첨가된 물질 변형제(modification agent)는 상기 적어도 하나의 캡핑제(capping agent)이며, 상기 캡핑제는 이 경우에는 TMEOS이다. 실시예 6 내지 21에서 발견되는 모든 화합물 및/또는 혼합물은 상기 화합물을 대신할 수 있음을 아는 것이 중요하다. 실시예 6 내지 21이 화합물의 흡수 및 pH 조절제(pH tuning agent) 첨가를 다루는 것임에도 불구하고, 본 실시예에서 설명되는 것들과 같은 흡수조성물을 생산하기 위하여, pH 조절제는 본 실시예에서 설명되는 고 비등점 용매 상태에 따라 포함될 수도 있고 배제될 수도 있다. 6331.20 grams of 2-propanol, 3166.66 grams of acetone, 2633.78 grams of TEOS, 1639.78 grams of MTEOS, 958.97 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 119.24 grams of 0.1 M nitric acid and 1425.58 grams in a 22 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. The heating / reflux times were divided into four relatively even time intervals, with 0.2 g, 0.5 g, 1 g and 5 g of TMEOS added at each time interval. To the solution was added 20650.0 grams of ethyl lactate. Also in some embodiments 932.80 grams of butanol were added after the TMEOS addition was complete. The material modification agent added for this set of examples is the at least one capping agent, which in this case is TMEOS. It is important to know that all compounds and / or mixtures found in Examples 6-21 can replace those compounds. Although Examples 6-21 deal with the absorption of compounds and the addition of pH tuning agents, in order to produce absorbent compositions such as those described in this example, the pH regulators are described in this example. It may be included or excluded depending on the high boiling solvent state.

모재(parent)는 40℃에서 일주일간 숙성되었다. 숙성된(aged) 모재에 있어서, TMEOS 첨가 시각은 중합체 분자량 증가에 중요하지 않았다. 중합체 분자량 증가는 TMEOS 5g이 첨가된 세 개의 숙성된 모재들의 경우에 최소였다. TMEOS 5g이 (환류 3시간 경과시(3 hrs into reflux), 부탄올 앞에, 부탄올 뒤에) 첨가된 세 개의 숙성된 모재들에 있어서, TMEOS가 환류 3시간 경과시 첨가된 모재를 제외하고는 GC가 TMEOS에 대하여 피크(peak)를 나타내었다. 중합체 분자량 증가 경사가 최소인 다섯 개의 표본이 가능성 있는 후보들로 선택되었다. 선택된 모재들은 TMEOS 5g이 첨가된 세 개의 표본들과, TMEOS 1g이 환류 3시간 경과시 첨가된 하나의 표본, 및 TMEOS 1g이 부탄올 대신에 첨가된 하나의 표본이었다. 다섯 모재들은 흡수 코팅 조성물을 형성하도록 희석되고, 40℃에서 일주일간 숙성되었다. 숙성된 결과물(child)에 있어서, 중합체 분자량 증가는 TMEOS 5g이 첨가된 세 결과물의 경우에 최소였다.The parent was aged at 40 ° C. for one week. For aged substrates, the time of TMEOS addition was not important for increasing polymer molecular weight. Polymer molecular weight increase was minimal for three aged substrates with 5 g of TMEOS added. In the three aged substrates in which 5 g of TMEOS was added (3 hrs into reflux, before butanol and after butanol), GC was TMEOS except for the base material added after 3 hours of reflux. Peak is shown for. Five samples with minimal polymer molecular weight increase slope were selected as possible candidates. The selected substrates were three samples added with 5 g of TMEOS, one sample with 1 g of TMEOS added after 3 hours of reflux, and one sample with 1 g of TMEOS added in place of butanol. Five substrates were diluted to form an absorbent coating composition and aged at 40 ° C. for one week. For the aged children, the polymer molecular weight increase was minimal for the three results with 5 g of TMEOS added.

중합체 분자량 증가는 모재 성분 중 수분 함량을 조절함으로써 제어 및/또는 정지될 수 있는데, 이는 중합체 분자량 증가의 대부분은 모재의 분자량에 관계없이 희석시에 발생하기 때문이다. 일부 실시예들에서는, 수분이 약 20% 감소되었다. 표 5 및 표 6은 수분조절 실험에서의 모재 및 결과물의 QC 결과를 나타낸다. 도 29 및 30은 분자량 대 시간(시)에 기초한 수분조절 실험 데이터의 도식적 표현을 나타낸다.The increase in polymer molecular weight can be controlled and / or stopped by controlling the moisture content in the base material component, since most of the increase in polymer molecular weight occurs at dilution regardless of the molecular weight of the base material. In some embodiments, moisture has been reduced by about 20%. Table 5 and Table 6 show the QC results of the base material and the results in the moisture control experiment. 29 and 30 show schematic representations of moisture control experimental data based on molecular weight versus time (hours).

실시예 4Example 4

22 리터 플라스크에서 6331.20 그램의 2-프로판올, 3166.66 그램의 아세톤 등의 용매, 2633.78 그램의 TEOS, 1639.78 그램의 MTEOS, 958.97 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 119.24 그램의 0.1 M 질산 및 1425.58 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 20650.0 그램의 에틸 락테이트와 932.80 그램의 부탄올이 첨가되었다. 본 실시예 세트에 대하여 첨가된 물질 변형제는 치환 용매와 같은 하나의 특정 작용제이거나, 또는 적어도 하나의 평활제(leveling agent) 및 적어도 하나의 치환 용매와 같이 여러 작용제들의 혼합이다. 실시예 6 내지 21에서 발견되는 모든 화합물 및/또는 혼합물은 상기 화합물을 대신할 수 있음을 아는 것이 중요하다. 실시예 6 내지 21이 화합물의 흡수 및 pH 조절제(pH tuning agent) 첨가를 다루는 것임에도 불구하고, 본 실시예에서 설명되는 것들과 같은 흡수조성물을 생산하기 위하여, pH 조절제는 본 실시예에서 설명되는 고 비등점 용매 상태에 따라 포함될 수도 있고 배제될 수도 있다. 표 7은 본 실시예에 대해 수집된 데이터를 나타내고, 도 31은 상기 데이터 중 일부 - 델타 두께(격리-밀집) - 의 도시적 표현을 나타낸다.In a 22 liter flask, 6331.20 grams of 2-propanol, 3166.66 grams of acetone and the like, 2633.78 grams of TEOS, 1639.78 grams of MTEOS, 958.97 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 119.24 grams of 0.1 M nitric acid And 1425.58 grams of DI water. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 20650.0 grams of ethyl lactate and 932.80 grams of butanol. The substance modifier added for this set of examples is one particular agent, such as a substitution solvent, or a mixture of several agents, such as at least one leveling agent and at least one substitution solvent. It is important to know that all compounds and / or mixtures found in Examples 6-21 can replace those compounds. Although Examples 6-21 deal with the absorption of compounds and the addition of pH tuning agents, in order to produce absorbent compositions such as those described in this example, the pH regulators are described in this example. It may be included or excluded depending on the high boiling solvent state. Table 7 shows the data collected for this example, and FIG. 31 shows a graphical representation of some of the data—delta thickness (isolated-dense).

다른 관련 실시예에서는, 흡수 조성물의 점도가 다음의 방법으로 변경되었다. 치환 용매를 포함하고 아세톤이 없는 상기와 같이 준비된 흡수조성물이 BYK 306 계면활성제가 존재하는 두께 3000Å의 기판 위에 2000 RPM으로 회전 부착되었다. 약 2 그램의 평활제 및 점성제 BYK 410, 420, 380 및/또는 381를 첨가할 수 있다. 평활 및/또는 점성제가 첨가된 때에는 계면활성제는 추가적인 실시예들에서는 있어도 되고 없어도 된다. 첨가물은 (상기 실시예에서처럼 이미 희석된) 결과물에 첨가될 수도 있고, 결과물들은 첨가제가 첨가된 후에 더욱 희석하여도 되고 그렇게 하지 않아도 된다. 또는 첨가제를 모재에 첨가하고 그 후 희석하거나 또는 희석하지 않거나 하여도 된다. 하나의 첨가제만이 첨가될 수도 있고 표본에 대하여 둘 이상의 첨가제를 혼합하여 혼합된 효과를 얻을 수도 있다. 물성에 대한 효과를 시험하기 위하여 일 범위의 희석 배수(dilution factor)가 410, 420, 380 및 381에 대해 사용되었다. 찾고자 했던 주요한 효과는 비아 필(via fill)이었는데, 이는 상기 표본들이 패턴이 형성된 웨이퍼 상에서 회전되었으며 SEM 아래에서 관찰되었기 때문이다.In another related example, the viscosity of the absorbent composition was changed in the following manner. An absorbent composition prepared as above, including a substituted solvent and free of acetone, was rotated at 2000 RPM on a 3000 mm thick substrate in which BYK 306 surfactant was present. About 2 grams of leveler and viscosity BYK 410, 420, 380 and / or 381 can be added. When the smoothing and / or viscous agent is added, the surfactant may or may not be present in further embodiments. The additive may be added to the result (already diluted as in the above example), and the result may or may not be further diluted after the additive is added. Alternatively, the additive may be added to the base material and then diluted or not diluted. Only one additive may be added or two or more additives may be mixed with the sample to obtain a mixed effect. A range of dilution factors were used for 410, 420, 380 and 381 to test the effect on physical properties. The main effect we sought was via fill, because the specimens were rotated on the patterned wafer and observed under the SEM.

계면활성제와 관련된 데이터에 대해서, 다음의 개요가 적용된다.For data relating to surfactants, the following overview applies.

시험된 계면활성제Tested Surfactants

FC-4430 (3M)FC-4430 (3M)

FC-4432 (3M)FC-4432 (3M)

L-18459 (3M)L-18459 (3M)

Brij-30 (알드리치(Aldrich))Brij-30 (Aldrich)

Brij-35 (알드리치)Brij-35 (Aldrich)

Brij-58 (알드리치)Brij-58 (Aldrich)

Brij-72 (알드리치)Brij-72 (Aldrich)

Brij-76 (알드리치)Brij-76 (Aldrich)

Brij-78 (알드리치)Brij-78 (Aldrich)

Brij-98 (알드리치)Brij-98 (Aldrich)

Brij-700 (알드리치) Brij-700 (Aldrich)

폴리카보메틸실레인 (알드리치)Polycarbomethylsilane (Aldrich)

(PolycarboMethylSilane)(PolycarboMethylSilane)

Tergitol TMN-6 (다우(Dow))Tergitol TMN-6 (Dow)

Tergitol minifoam 2x (다우)Tergitol minifoam 2x (Dow)

Tagopren-6870D (골드슈미트(Goldschmit))Tagopren-6870D (Goldschmit)

Tagopren-5843 (골드슈미트)Tagopren-5843 (gold schmidt)

Tagopren-5852 (골드슈미트)Tagopren-5852 (gold schmidt)

Tagopren-6871 (골드슈미트)Tagopren-6871 (gold schmidt)

Tagopren-7008 (골드슈미트)Tagopren-7008 (gold schmidt)

Tagopren-5884 (골드슈미트)Tagopren-5884 (gold schmidt)

Tagopren-5863 (골드슈미트)Tagopren-5863 (Gold Schmidt)

Tagopren-5851 (골드슈미트)Tagopren-5851 (gold schmidt)

Tagopren-5857 (골드슈미트)Tagopren-5857 (gold schmidt)

Tagopren-5040 (골드슈미트)Tagopren-5040 (gold schmidt)

Clarian surfactant (클라리언(Clarian))Clarian surfactant (Clarian)

BYK 306 (BYK 케미(BYK Chemie))BYK 306 (BYK Chemie)

BYK 307 (BYK 케미)BYK 307 (BYK Chemie)

BYK 320 (BYK 케미)BYK 320 (BYK Chemie)

BYK 333 (BYK 케미)BYK 333 (BYK Chemie)

이번에는, 상기 나열된 계면활성제 중 여러 개가 여러 공급지점들(loading points)에서 가는 줄무늬(striation)를 제거하기 위해 성공적으로 활용되고 있다. 활용된 여러 계면활성제에 대한 데이터 및 관찰 정보가 아래에 제시된다. 그러나, 상기 데이터 및 관찰 정보는 수행된 연구를 포괄하는 것이 아니며 시험된 모든 계면활성제를 나타내지 않는다. 예를 들어, 다음에 분류된 계면활성제들이 시험되었다: 폴리아크릴레이트(이온성 및 비이온성)(BYK 브랜드 계면활성제), 기능성 폴리디메틸실록세인(Tagopren 브랜드 계면활성제), 실리콘, 플루오르화 알킬에스테르(FC 브랜드 계면활성제), 폴리에테르 및 지방족 탄화수소 체인 계면활성제(Brij 계면활성제).This time, several of the surfactants listed above have been successfully utilized to remove the thin streaks at different loading points. Data and observational information for the various surfactants utilized are presented below. However, the data and observation information do not cover the studies performed and do not represent all surfactants tested. For example, the following classified surfactants have been tested: polyacrylates (ionic and nonionic) (BYK branded surfactants), functional polydimethylsiloxanes (Tagopren branded surfactants), silicones, fluorinated alkylesters ( FC brand surfactants), polyethers and aliphatic hydrocarbon chain surfactants (Brij surfactants).

FC-4430FC-4430

다섯 개의 200 ㎜ 표본들이 FC-4430의 공급범위 0.007 내지 0.116으로 만들어졌고, 모두 여과 전후로 시험되었으며, 최대 공급(loading) 세 개가 8인치 웨이퍼 상에서의 시험을 위해 서니베일(Sunnyvale)로 보내졌다. 모든 공급지점들은 여과 전후로 가는 줄무늬가 있었다.Five 200 mm specimens were made with a feed range of 0.007 to 0.116 for the FC-4430, all tested before and after filtration, and three maximum loadings were sent to Sunnyvale for testing on 8 inch wafers. All feed points were striped before and after filtration.

그 후 FC-4430은 300 ㎜ 재료 상에서 공급범위 0.004 내지 0.019로 시험되었다. 공급이 증가함에 따라 가는 줄무늬들이 급격히 감소하는 것이 보였는데, 공급 0.019인 일부 웨이퍼들은 눈에 보이는 가는 줄무늬가 없었으며, 다른 것들은 눈에 보이는 가는 줄무늬가 있었다.FC-4430 was then tested on a 300 mm material with a feed range of 0.004 to 0.019. As the supply increased, the thin streaks showed a sharp decrease, with some wafers with a supply of 0.019 no visible thin streaks, others with visible thin streaks.

계면활성제 공급이 0.015, 0.019, 0.023인 FC-4430 300 ㎜ 표본들이 여러 회전 속도에서 시험되었다. 0.015 및 0.019 공급 웨이퍼들 상에서 가는 줄무늬들이 보였으며, 0.023 공급 웨이퍼들은 일부는 눈에 띄는 가는 줄무늬가 있었고 일부는 없었다.FC-4430 300 mm specimens with surfactant feeds of 0.015, 0.019, 0.023 were tested at various rotational speeds. Fine streaks were seen on 0.015 and 0.019 feed wafers, while 0.023 feed wafers had some noticeable thin streaks and some not.

200 ㎜ 표본 공급 0.004 내지 0.2인 FC-4432에서, 표본 공급 0.08 내지 0.1에서는 가는 줄무늬가 눈에 띄지 않았기에 8인치 웨이퍼상에서 회전될 표준 200 ㎜ 재료와 함께 서니베일로 보내졌으며 마찬가지로 가는 줄무늬는 눈에 띄지 않았고, 0.1 공급 표본상에서 제습(dewetting)이 눈에 띄었다. 여과 상호작용을 제거하기 위한 어떤 여과도 행해지지 않았다.In FC-4432 with a 200 mm sample feed of 0.004 to 0.2, fine streaks were not visible at sample feeds of 0.08 to 0.1, so they were sent to Sunnyvale with a standard 200 mm material to be rotated on an 8 inch wafer and the thin stripes were likewise visible to the eyes. Not noticeable, dewetting was noticeable on the 0.1 feed sample. No filtration was done to eliminate filtration interactions.

FC-4432가 가는 줄무늬를 없애도록 작용하는 최소 농도를 측정하기 위하여 FC-4432가 200 ㎜ 및 300 ㎜에서 0.004에서 0.11까지 공급을 조금씩 증가시키면서 시험되었다. 그 공급은 300 ㎜에서는 0.005, 200 ㎜에서는 0.04로 발견되었다. 여과 상호작용을 제거하기 위한 어떤 여과도 행해지지 않았다.FC-4432 was tested in small increments of feed from 0.004 to 0.11 at 200 mm and 300 mm to determine the minimum concentration at which FC-4432 acted to eliminate thin streaks. The supply was found to be 0.005 at 300 mm and 0.04 at 200 mm. No filtration was done to eliminate filtration interactions.

앞서의 표본들에서 유효하게 작용했던 FC-4432 표본 공급들이 더 큰 크기의 표본들에 대해 반복되었으며, 절반은 여과되고 절반은 여과되지 않았다. 200 ㎜ 재료는 공급이 0.03 내지 0.06이었고, 300 ㎜의 공급은 0.04 내지 0.06이었다. 여과된 표본들은 가는 줄무늬를 없애기 위하여 여과되지 않은 표본들보다 조금 더 높은 계면활성제 공급이 필요하였다.FC-4432 sample feeds that worked in the previous samples were repeated for larger sample sizes, half filtered and half unfiltered. The 200 mm material had a feed of 0.03 to 0.06 and the 300 mm feed had a 0.04 to 0.06. The filtered samples required a slightly higher surfactant supply than the unfiltered samples to eliminate fine streaks.

Tagopren 5884Tagopren 5884

Tagopren 5884가 300 ㎜에서 0.006 내지 0.11의 공급으로 시험되었다. 웨이퍼들 중 어느 것도 가는 줄무늬는 없었지만 웨이퍼 가장자리 주위로 큰 두께 변화가 있었다.Tagopren 5884 was tested at a feed of 0.006 to 0.11 at 300 mm. None of the wafers had thin stripes but there was a large thickness change around the wafer edge.

Tagopren 5884를 큰 가장자리 두께 변화가 없었던 다른 계면활성제들, 즉 Tagopren 5851 및 5857과 FC-4430과 혼합하여, 혼합에 의해 가는 줄무늬와 가장자리 두께 변화를 발생시키지 않을 수 있는지 알아보았다. 가장자리 두께 변화는 제거되지 않았다.Tagopren 5884 was mixed with other surfactants that did not have a large edge thickness change, namely Tagopren 5851 and 5857 and FC-4430, to see if mixing could prevent the generation of fine streaks and edge thickness changes. Edge thickness changes were not removed.

Tagopren 5884는 이전 실험들(공급 0.004, 0.006 및 0.008)에서 유효하게 작용했던 동일한 공급에서 사용되었다. 표본들이 만들어지고 여과되었으며, 이들 중 어느 것도 가는 줄무늬가 없었다.Tagopren 5884 was used in the same feed that worked in previous experiments (feeds 0.004, 0.006 and 0.008). Samples were made and filtered, none of which were thin stripes.

Tagopren 5863Tagopren 5863

Tagopren 5863이 300 ㎜에서 0.006 내지 0.11의 공급으로 시험되었다. 공급이 0.015 이상인 표본들은 가는 줄무늬를 나타내지 않았고, 공급이 0.015 미만인 표본들은 가는 줄무늬가 있었다. 웨이퍼 가장자리 둘레로 큰 두께 변화가 있었다.Tagopren 5863 was tested at a feed of 0.006 to 0.11 at 300 mm. Samples with a supply greater than 0.015 did not show fine stripes, while samples with a supply less than 0.015 had fine stripes. There was a large thickness change around the wafer edge.

Tagopren 5863을 큰 가장자리 두께 변화가 없었던 다른 계면활성제들, 즉 Tagopren 5851 및 5857과 혼합하여, 혼합에 의해 가는 줄무늬와 가장자리 두께 변화를 발생시키지 않을 수 있는지 알아보았다. 가장자리 두께 변화는 제거되지 않았다.Tagopren 5863 was mixed with other surfactants that did not have a large edge thickness change, namely Tagopren 5851 and 5857, to see if mixing could result in fine streaks and edge thickness changes. Edge thickness changes were not removed.

Tagopren 5863는 이전 실험들(공급 0.015, 0.017 및 0.019)에서 유효하게 작용했던 동일한 공급에서 사용되었다. 공급 0.019인 표본에는 가는 줄무늬가 없었으며, 0.015와 0.017은 몇 개의 가는 줄무늬가 있긴 했으나 줄무늬 패턴을 나타내지는 않았다.Tagopren 5863 was used in the same feed that worked effectively in the previous experiments (feed 0.015, 0.017 and 0.019). Samples with a supply of 0.019 had no fine stripes, and 0.015 and 0.017 had some fine stripes but did not show a striped pattern.

Tagopren 5851, 및 5857Tagopren 5851, and 5857

Tagopren 5851 및 5857이 300 ㎜에서 공급 0.006 내지 0.11로 시험되었다. 회전시킨 모든 웨이퍼들은 가는 줄무늬가 눈에 띄었다. 웨이퍼 가장자리 둘레로 큰 두께 변화는 없었다.Tagopren 5851 and 5857 were tested with feeds 0.006 to 0.11 at 300 mm. All the wafers rotated had fine streaks. There was no large thickness change around the wafer edge.

Tagopren 5851 및 5857을 큰 가장자리 두께 변화가 없었던 다른 계면활성제들과 혼합하여, 상기 계면활성제들이 다른 Tagopren 표본들에서 보이는 가장자리 두께 변화를 제거할 것인지 봄으로써 혼합에 의해 가는 줄무늬와 가장자리 두께 변화를 발생시키지 않을 수 있는지 알아보았다. 가장자리 두께 변화는 혼합된 계면활성제 표본들 상에서 눈에 띄었다.Mix Tagopren 5851 and 5857 with other surfactants that did not have large edge thickness changes, so that the surfactants would eliminate the edge thickness changes seen in other Tagopren samples, resulting in thin streaks and edge thickness changes by mixing. See if you can. Edge thickness changes were noticeable on the mixed surfactant samples.

L-18459L-18459

이 표본은 10% EL 용액에서 시험되고 0.003 내지 0.02의 공급에서 시험되었으며 공급이 0.005 이상인 웨이퍼들은 가는 줄무늬를 나타내지 않았다.This specimen was tested in 10% EL solution and tested at a feed of 0.003 to 0.02 and wafers with a feed of 0.005 or more did not show fine streaks.

실시예 5Example 5

상술한 바 있는 흡수조성물의 에칭 선택도(etching selectivity) 및/또는 박피 선택도(stripping selectivity)를 개선하기 위한 가장 좋은 방법 중 하나는 재료에 포로젠(porogen)을 첨가함으로써 표면적을 증가시키고 이어서 에너지를 가하여 세공(pore)들을 형성하는 것이다.One of the best ways to improve the etching selectivity and / or stripping selectivity of the absorbent compositions described above is to increase the surface area by adding porogen to the material and then the energy. Is added to form pores.

22 리터 플라스크에서 6331.20 그램의 2-프로판올, 3166.66 그램의 아세톤, 2633.78 그램의 TEOS, 1639.78 그램의 MTEOS, 958.97 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 119.24 그램의 0.1 M 질산 및 1425.58 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 20650.0 그램의 에틸 락테이트와 932.80 그램의 부탄올이 첨가되었다. 본 실시예 세트에 대하여 첨가된 물질 변형제는 폴리(산화에틸렌)(poly(ethylene oxide); PEO) 또는 폴리(산화프로필렌)(poly(propylene oxide); PPO)와 같은 적어도 한 가지의 포로젠(porogen)이었다. 실시예 6 내지 21에서 발견되는 모든 화합물 및/또는 혼합물은 상기 화합물을 대신할 수 있음을 아는 것이 중요하다. 실시예 6 내지 21이 화합물의 흡수 및 pH 조절제(pH tuning agent) 첨가를 다루는 것임에도 불구하고, 본 실시예에서 설명되는 것들과 같은 흡수조성물을 생산하기 위하여, pH 조절제는 본 실시예에서 설명되는 고 비등점 용매 상태에 따라 포함될 수도 있고 배제될 수도 있음을 아는 것이 또한 중요하다. 표 8은 본 실시예의 흡수 화합물을 사용하여 수행된 실험들 세트를 나타낸다. 다시 또, 임의의 흡수조성물이 상기 시험들에 대신 사용될 수 있음에 유의해야 한다. 표 8에서는, 다음의 약자들이 사용된다: PEO = 폴리(산화에틸렌); TMAA = 테트라메틸암모늄 아세테이트; TMAH = 2.3% 및 23℃에서의 에칭 용액. 6331.20 grams of 2-propanol, 3166.66 grams of acetone, 2633.78 grams of TEOS, 1639.78 grams of MTEOS, 958.97 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 119.24 grams of 0.1 M nitric acid and 1425.58 grams in a 22 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 20650.0 grams of ethyl lactate and 932.80 grams of butanol. The material modifier added for this set of embodiments is at least one porogen (such as poly (ethylene oxide) (PEO) or poly (propylene oxide) (PPO). porogen). It is important to know that all compounds and / or mixtures found in Examples 6-21 can replace those compounds. Although Examples 6-21 deal with the absorption of compounds and the addition of pH tuning agents, in order to produce absorbent compositions such as those described in this example, the pH regulators are described in this example. It is also important to know that it may be included or excluded depending on the high boiling solvent condition. Table 8 shows the set of experiments performed using the absorbent compounds of this example. Again, it should be noted that any absorbent composition can be used instead for the above tests. In Table 8, the following abbreviations are used: PEO = poly (ethylene oxide); TMAA = tetramethylammonium acetate; TMAH = 2.3% and etching solution at 23 ° C.

[표 8]TABLE 8

실시예 6Example 6

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인 및 pH 조절제를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Methyl Triethoxysilane and pH Controlling Agent

22 리터 플라스크에서 6331.20 그램의 2-프로판올, 3166.66 그램의 아세톤, 2633.78 그램의 TEOS, 1639.78 그램의 MTEOS, 958.97 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 119.24 그램의 0.1 M 질산 및 1425.58 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 932.80 그램의 부탄올과 20650.0 그램의 에틸 락테이트가 첨가되었다. 용액은 pH 조절 실험들에 사용되도록 여과되었다. pH 조절제, 즉 0.1 M 질산이 최초 pH가 약 1.5인 스핀온(spin-on) 물질로 된 2개의 별개 용액 650 g에 첨가되었다. 질산은 다음 양만큼 첨가되었으며 다음의 pH를 나타내었다: a) 2.794 g (pH = 0.7); b) 0.293 g (pH = 0.75). APTEOS가 동일한 스핀온 재료로 된 두 개의 추가적인 별개 용액 650 g에 다음 양만큼 첨가되어 다음의 pH 값을 나타내었다: a) 0.053 g (pH = 4.13); b) 0.151 g (pH = 5.47). 그 다음에 용액들은 디스펜스(dispense)되고, 이어서 20초간 3000 rpm 두께 스핀되며, 80 ℃와 180 ℃에서 각각 1분간 구워졌다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기에 의해 광학 특성들이 측정되었다. 필름 두께는 1402.17 Å이었다. 248 ㎚에서, 굴절지수(refractive index)(n)는 1.47이었고, 흡광계수(extinction coefficient)(k)는 0.429이었다. 동일한 스핀 및 구움 공정 파라미터들과 측정 기술이 아래의 모든 실시예들에서 사용되었다.6331.20 grams of 2-propanol, 3166.66 grams of acetone, 2633.78 grams of TEOS, 1639.78 grams of MTEOS, 958.97 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 119.24 grams of 0.1 M nitric acid and 1425.58 grams in a 22 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 932.80 grams butanol and 20650.0 grams ethyl lactate. The solution was filtered for use in pH adjustment experiments. A pH regulator, 0.1 M nitric acid, was added to 650 g of two separate solutions of spin-on material with an initial pH of about 1.5. Nitric acid was added in the following amounts and showed the following pH: a) 2.794 g (pH = 0.7); b) 0.293 g (pH = 0.75). APTEOS was added to 650 g of two additional separate solutions of the same spin-on material in the following amounts to give the following pH values: a) 0.053 g (pH = 4.13); b) 0.151 g (pH = 5.47). The solutions were then dispensed, followed by 3000 rpm thick spins for 20 seconds, and baked for 1 minute at 80 ° C and 180 ° C, respectively. Optical properties were measured by N & K Technology Model 1200 analyzer. The film thickness was 1402.17 mm 3. At 248 nm, the refractive index (n) was 1.47 and the extinction coefficient (k) was 0.429. The same spin and burn process parameters and measurement technique were used in all the examples below.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인 및 pH 조절제를 함유하는 다른 흡수물질의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane and other absorbents containing pH regulator

1 리터 플라스크에서 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니아폴리스, 미네소타)이 첨가되었다. 용액은 여과되었다. 용액은 디스펜스되고, 이어서 20초간 3000 rpm 두께 스핀되며, 80 ℃와 180 ℃에서 각각 1분간 구워졌다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기에 의해 광학 특성들이 측정되었다. 필름 두께는 1635 Å이었다. 248 ㎚에서, 굴절지수(n)는 1.373이었고, 흡광계수(k)는 0.268이었다. 그러나, 본 실시예 및 아래 모든 실시예들에 대한 굴절지수 및 흡광계수 데이터는 초기 반응물 및 최초 화합물의 순도에 따라 달라질 수 있음을 이해하여야 한다. 동일한 스핀 및 구움 공정 파라미터들과 측정 기술이 아래의 모든 실시예들에서 사용되었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 72 grams in a 1 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams deionized water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota). The solution was filtered. The solution was dispensed and then spun at 3000 rpm thick for 20 seconds and baked at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute, respectively. Optical properties were measured by N & K Technology Model 1200 analyzer. The film thickness was 1635 mm 3. At 248 nm, the refractive index n was 1.373 and the extinction coefficient k was 0.268. However, it should be understood that the refractive index and extinction coefficient data for this example and all examples below may vary depending on the purity of the initial reactant and the original compound. The same spin and burn process parameters and measurement technique were used in all the examples below.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인 및 pH 조절제를 함유하는 흡수물질의 합성 Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Methyl Triethoxysilane and pH Controlling Agent

1 리터 플라스크에서 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 0.6 그램의 0.01 M 질산 및 72 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니아폴리스, 미네소타)이 첨가되었다. 용액은 여과되었다. 용액은 디스펜스되고, 이어서 20초간 3000 rpm 두께 스핀되며, 80 ℃와 180 ℃에서 각각 1분간 구워졌다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기에 의해 광학 특성들이 측정되었다. 필름 두께는 1635 Å이었다. 248 ㎚에서, 굴절지수(n)는 1.373이었고, 흡광계수(k)는 0.268이었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 0.6 grams of 0.01 M nitric acid and 72 grams in a 1 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams deionized water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota). The solution was filtered. The solution was dispensed and then spun at 3000 rpm thick for 20 seconds and baked at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute, respectively. Optical properties were measured by N & K Technology Model 1200 analyzer. The film thickness was 1635 mm 3. At 248 nm, the refractive index n was 1.373 and the extinction coefficient k was 0.268.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인 및 pH 조절제를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Methyl Triethoxysilane and pH Controlling Agent

1 리터 플라스크에서 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 0.6 그램의 1.0 M 질산 및 72 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니아폴리스, 미네소타)이 첨가되었다. 용액은 여과되었다. 용액은 디스펜스되고, 이어서 20초간 3000 rpm 두께 스핀되며, 80 ℃와 180 ℃에서 각각 1분간 구워졌다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기에 의해 광학 특성들이 측정되었다. 필름 두께는 1635 Å이었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 0.6 grams of 1.0 M nitric acid and 72 grams in a 1 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams deionized water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota). The solution was filtered. The solution was dispensed and then spun at 3000 rpm thick for 20 seconds and baked at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute, respectively. Optical properties were measured by N & K Technology Model 1200 analyzer. The film thickness was 1635 mm 3.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인 및 pH 조절제를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Methyl Triethoxysilane and pH Controlling Agent

1 리터 플라스크에서 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 130 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니아폴리스, 미네소타)이 첨가되었다. 용액은 여과되었다. 용액은 디스펜스되고, 이어서 20초간 3000 rpm 두께 스핀되며, 80 ℃와 180 ℃에서 각각 1분간 구워졌다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기에 의해 광학 특성들이 측정되었다. 필름 두께는 1635 Å이었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 130 grams in a 1 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams deionized water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota). The solution was filtered. The solution was dispensed and then spun at 3000 rpm thick for 20 seconds and baked at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute, respectively. Optical properties were measured by N & K Technology Model 1200 analyzer. The film thickness was 1635 mm 3.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인 및 pH 조절제를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Methyl Triethoxysilane and pH Controlling Agent

1 리터 플라스크에서 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 77 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 1 g의 APTEOS가 환류 중에 용액에 첨가되었다. 환류 후, 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니아폴리스, 미네소타)이 첨가되었다. 용액은 여과되었다. 용액은 디스펜스되고, 이어서 20초간 3000 rpm 두께 스핀되며, 80 ℃와 180 ℃에서 각각 1분간 구워졌다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기에 의해 광학 특성들이 측정되었다. 필름 두께는 1635 Å이었다. 248 ㎚에서, 굴절지수(n)는 1.373이었고, 흡광계수(k)는 0.268이었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 77 grams in a 1 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. 1 g of APTEOS was added to the solution during reflux. After reflux, 115 grams of butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 53 grams of DI water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) Added. The solution was filtered. The solution was dispensed and then spun at 3000 rpm thick for 20 seconds and baked at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute, respectively. Optical properties were measured by N & K Technology Model 1200 analyzer. The film thickness was 1635 mm 3. At 248 nm, the refractive index n was 1.373 and the extinction coefficient k was 0.268.

-3 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인 및 pH 조절제를 함유하는 흡수물질의 합성-3 Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Methyl Triethoxysilane and pH Controlling Agent

1 리터 플라스크에서 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 77 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 1 g의 APTEOS가 환류 후에 용액에 첨가되었다. 역시 환류 후에, 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니아폴리스, 미네소타)이 첨가되었다. 용액은 여과되었다. 용액은 디스펜스되고, 이어서 20초간 3000 rpm 두께 스핀되며, 80 ℃와 180 ℃에서 각각 1분간 구워졌다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기에 의해 광학 특성들이 측정되었다. 필름 두께는 1635 Å이었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 77 grams in a 1 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. 1 g of APTEOS was added to the solution after reflux. Again after reflux, 115 grams of butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 53 grams of DI water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) Was added. The solution was filtered. The solution was dispensed and then spun at 3000 rpm thick for 20 seconds and baked at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute, respectively. Optical properties were measured by N & K Technology Model 1200 analyzer. The film thickness was 1635 mm 3.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인 및 pH 조절제를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Methyl Triethoxysilane and pH Controlling Agent

1 리터 플라스크에서 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 0.6 그램의 10 M 아세트산 및 72 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니아폴리스, 미네소타)이 첨가되었다. 용액은 여과되었다. 용액은 디스펜스되고, 이어서 20초간 3000 rpm 두께 스핀되며, 80 ℃와 180 ℃에서 각각 1분간 구워졌다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기에 의해 광학 특성들이 측정되었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 0.6 grams of 10 M acetic acid and 72 grams in a 1 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams deionized water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota). The solution was filtered. The solution was dispensed and then spun at 3000 rpm thick for 20 seconds and baked at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute, respectively. Optical properties were measured by N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인 및 pH 조절제를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Methyl Triethoxysilane and pH Controlling Agent

1 리터 플라스크에서 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실레인, 0.6 그램의 1.0 M 아세트산 및 72 그램의 탈이온수가 혼합되었다. 플라스크는 1 내지 12시간 동안 환류 및/또는 가열되었다. 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니아폴리스, 미네소타)이 첨가되었다. 용액은 여과되었다. 용액은 디스펜스되고, 이어서 20초간 3000 rpm 두께 스핀되며, 80 ℃와 180 ℃에서 각각 1분간 구워졌다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기에 의해 광학 특성들이 측정되었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane, 0.6 grams of 1.0 M acetic acid and 72 grams in a 1 liter flask Of deionized water was mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams deionized water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota). The solution was filtered. The solution was dispensed and then spun at 3000 rpm thick for 20 seconds and baked at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute, respectively. Optical properties were measured by N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tunign agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane and pH tunign agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 297 그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 60그램, 순아세트산 (pure acetic acid) 0.6그램 및 탈이온수 (deionized water) 72 그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 부탄올 115그램 , 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329 그램, 탈이온수 (deionized water) 53그램 및 10% FC 430 (3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가했다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 0.6 grams of pure acetic acid and deionized water (deionized water) 72 grams were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams of butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 53 grams of deionized water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tunign agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane and pH tunign agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 297 그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 60그램, 10M 아세트산 0.6그램 및 탈이온수 (deionized water) 100그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 115그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 50그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 0.6 grams of 10M acetic acid and 100 deionized water Mixed grams. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams of butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 50 grams of deionized water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 297 그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 60그램, 1.0M 아세트산 0.6그램 및 탈이온수 (deionized water) 130그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 115그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 0.6 grams of 1.0 M acetic acid and deionized water 130 grams were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agen 흡수물질의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane with pH regulator

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 297 그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 60그램, 순아세트산 0.6그램 및 탈이온수 (deionized water) 72그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 115그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 0.6 grams of pure acetic acid and deionized water 72 Mixed grams. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 297 그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 60그램, 1.0M 아세트산 0.6그램 및 탈이온수 (deionized water) 72그램을 혼합했다. 수산화칼륨(Potassium Hydroxide) 1.0그램을 환류시 가하였다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 115그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 0.6 grams of 1.0 M acetic acid and deionized water 72 grams were mixed. 1.0 gram of Potassium Hydroxide was added at reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 297 그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 60그램, 1,0M 아세트산 0.6그램 및 탈이온수 (deionized water) 72그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 수산화칼륨(Potassium Hydroxide) 1.0그램을 환류전에 가하였다. 또한, 상기 용액에, 부탄올 115그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 60 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 0.6 grams of 1,0M acetic acid and deionized water ) 72 grams were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. 1.0 gram of Potassium Hydroxide was added before reflux. To this solution was also added 115 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams deionized water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 178 그램, 아세톤 89그램, TEOS 52그램, MTEOS 59그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 29그램, 순아세트산 3.3그램 및 탈이온수 (deionized water) 40그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 26그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다. 두께=1487.1Å, k=0.1255, n=1.479.In a 1-liter flask, 178 grams of 2-propanol, 89 grams of acetone, 52 grams of TEOS, 59 grams of MTEOS, 29 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 3.3 grams of pure acetic acid and deionized water 40 Mixed grams. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 26 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer. Thickness = 1487.1 mm, k = 0.1255, n = 1.479.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 178 그램, 아세톤 89그램, TEOS 52그램, MTEOS 59그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 29그램, 10M 젖산 3.3그램 및 탈이온수 (deionized water) 40그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 26그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 178 g 2-propanol, 89 g acetone, 52 g TEOS, 59 g MTEOS, 29 g 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 3.3 g 10M lactic acid and 40 deionized water Mixed grams. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 26 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 178 그램, 아세톤 89그램, TEOS 52그램, MTEOS 59그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 29그램, 순아세트산 3.3그램 및 탈이온수 (deionized water) 40그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 26그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 178 grams of 2-propanol, 89 grams of acetone, 52 grams of TEOS, 59 grams of MTEOS, 29 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 3.3 grams of pure acetic acid and deionized water 40 Mixed grams. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 26 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 178 그램, 아세톤 89그램, TEOS 52그램, MTEOS 59그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 29그램, 10M 젖산 3.3그램 및 탈이온수 (deionized water) 70그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 26그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 178 grams of 2-propanol, 89 grams of acetone, 52 grams of TEOS, 59 grams of MTEOS, 29 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 3.3 grams of 10 M lactic acid and deionized water 70 Mixed grams. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 26 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 178 그램, 아세톤 89그램, TEOS 52그램, MTEOS 59그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 29그램, 10M 젖산 3.3그램 및 탈이온수 (deionized water) 90그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 26그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 178 grams of 2-propanol, 89 grams of acetone, 52 grams of TEOS, 59 grams of MTEOS, 29 grams of 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 3.3 grams of 10M lactic acid, and deionized water 90 Mixed grams. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 26 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 178 그램, 아세톤 89그램, TEOS 52그램, MTEOS 59그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 29그램, 10m 젖산 3.3그램 및 탈이온수 (deionized water) 40그램을 혼합했다. 상기 용액에 TMAH 1.5그램을 환류전에 가하였다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 26그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 178 g 2-propanol, 89 g acetone, 52 g TEOS, 59 g MTEOS, 29 g 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 3.3 g 10 m lactic acid and 40 deionized water Mixed grams. 1.5 grams of TMAH was added to the solution before reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 26 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 178 그램, 아세톤 89그램, TEOS 52그램, MTEOS 59그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 29그램, 10M 젖산 3.3그램 및 탈이온수 (deionized water) 40그램을 혼합했다. 상기 용액에 TMAH 1.5그램을 환류시 가하였다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 26그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 178 g 2-propanol, 89 g acetone, 52 g TEOS, 59 g MTEOS, 29 g 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 3.3 g 10M lactic acid and 40 deionized water Mixed grams. 1.5 grams of TMAH was added to the solution at reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 26 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 178 그램, 아세톤 89그램, TEOS 52그램, MTEOS 59그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 29그램, 10M 젖산 3.3그램 및 탈이온수 (deionized water) 40그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 TMAH 1.5그램을 환류후에 가하였다. 또한 환류후, 상기 용액에, 역시 환류후에, 부탄올 26그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다.In a 1-liter flask, 178 g 2-propanol, 89 g acetone, 52 g TEOS, 59 g MTEOS, 29 g 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 3.3 g 10M lactic acid and 40 deionized water Mixed grams. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. 1.5 grams of TMAH was added to the solution after reflux. After reflux, to the solution, also after reflux, 26 g butanol, 488 g 2-propanol, 245 g acetone, 329 g ethanol, 53 g deionized water and 3.8 g 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) It was. The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란과 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Carboxy-Ethyl Triethoxysilane and pH Tuning Agent

1-리터 플라스크에, 2-프로판올 178 그램, 아세톤 89그램, TEOS 52그램, MTEOS 59그램, 9-안트라센 카르복실-에틸 트리에톡시실란 29그램, 10M 젖산 3.3그램 및 탈이온수 (deionized water) 40그램을 혼합했다. 상기 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류 및/또는 가열되었다. 상기 용액에, 부탄올 26그램, 2-프로판올 488그램, 아세톤 245그램, 에탄올 329그램, 탈이온수 53그램 및 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.8그램을 가하였다. 상기 용액을 여과하였다. 상기 용액을 3000rpm 두께 스핀으로 20초동안 분배하고, 각각 1분동안 80℃에서, 그리고 180℃에서 가열하였다. N&K 테크놀러지 모델 1200 분석기로 광학성질을 측정하였다. 두께=1487.1Å, k=0.4315, n=1.4986.In a 1-liter flask, 178 g 2-propanol, 89 g acetone, 52 g TEOS, 59 g MTEOS, 29 g 9-anthracene carboxyl-ethyl triethoxysilane, 3.3 g 10M lactic acid and 40 deionized water Mixed grams. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 26 grams butanol, 488 grams 2-propanol, 245 grams acetone, 329 grams ethanol, 53 grams DI water and 3.8 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). The solution was filtered. The solution was dispensed for 20 seconds at 3000 rpm thick spins and heated at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute each. Optical properties were measured with a N & K Technology Model 1200 analyzer. Thickness = 1487.1 mm, k = 0.4315, n = 1.4986.

실시예 7Example 7

9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실리프록시)-디페닐케톤(diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 및 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Methanol, 2-Hydroxy-4 (3-triethoxysilipoxy) -diphenylketone, Rosolic Acid and pH Tuning Agent

1리터 플라스크에, 2-프로판올 297그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 메탄올 25그램, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프록폭시)-디페닐케톤 10그램, 로졸산 5그램, 0.1M 질산 0.6그램 및 탈이온수 72그램을 혼합하였다. 플라스크를 1 내지 12시간동안 환류 및/또는 가열했다. 상기 용액에, 부탄올 111그램, 2-프로판올 459그램, 아세톤 230그램, 에탄올 309그램, 탈이온수 50그램과 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.75그램을 가하였다. 두께=1436Å, n=1.479, k=0.1255.In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 25 grams of 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysiloxyoxy) -diphenyl 10 grams of ketone, 5 grams of rosolic acid, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 72 grams of deionized water were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 111 grams butanol, 459 grams 2-propanol, 230 grams acetone, 309 grams ethanol, 50 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN). Thickness = 1436 ms, n = 1.479, k = 0.1255.

9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실리프록시)-디페닐케톤(diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 및 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Methanol, 2-Hydroxy-4 (3-triethoxysilipoxy) -diphenylketone, Rosolic Acid and pH Tuning Agent

1리터 플라스크에, 2-프로판올 297그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 메탄올 25그램, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프록폭시)-디페닐케톤 10그램, 로졸산 5그램, 0.01M 질산 0.6그램 및 탈이온수 72그램을 혼합하였다. 플라스크를 1 내지 12시간동안 환류 및/또는 가열했다. 상기 용액에, 부탄올 111그램, 2-프로판올 459그램, 아세톤 230그램, 에탄올 309그램, 탈이온수 50그램과 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.75그램을 가하였다. In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 25 grams of 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysiloxyoxy) -diphenyl 10 grams of ketone, 5 grams of rosolic acid, 0.6 grams of 0.01 M nitric acid and 72 grams of deionized water were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 111 grams butanol, 459 grams 2-propanol, 230 grams acetone, 309 grams ethanol, 50 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN).

9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실리프록시)-디페닐케톤(diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 및 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Methanol, 2-Hydroxy-4 (3-triethoxysilipoxy) -diphenylketone, Rosolic Acid and pH Tuning Agent

1리터 플라스크에, 2-프로판올 297그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 메탄올 25그램, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프록폭시)-디페닐케톤 10그램, 로졸산 5그램, 1.0M 질산 0.6그램 및 탈이온수 72그램을 혼합하였다. 플라스크를 1 내지 12시간동안 환류 및/또는 가열했다. 상기 용액에, 부탄올 111그램, 2-프로판올 459그램, 아세톤 230그램, 에탄올 309그램, 탈이온수 50그램과 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.75그램을 가하였다.In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 25 grams of 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysiloxyoxy) -diphenyl 10 grams of ketone, 5 grams of rosolic acid, 0.6 grams of 1.0 M nitric acid and 72 grams of deionized water were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 111 grams butanol, 459 grams 2-propanol, 230 grams acetone, 309 grams ethanol, 50 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN).

9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실리프록시)-디페닐케톤(diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 및 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Methanol, 2-Hydroxy-4 (3-triethoxysilipoxy) -diphenylketone, Rosolic Acid and pH Tuning Agent

1리터 플라스크에, 2-프로판올 297그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 메탄올 25그램, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프록폭시)-디페닐케톤 10그램, 로졸산 5그램, 0.1M 질산 0.6그램 및 탈이온수 95그램을 혼합하였다. 플라스크를 1 내지 12시간동안 환류 및/또는 가열했다. 상기 용액에, 부탄올 111그램, 2-프로판올 459그램, 아세톤 230그램, 에탄올 309그램, 탈이온수 50그램과 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.75그램을 가하였다. In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 25 grams of 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysiloxyoxy) -diphenyl 10 grams of ketone, 5 grams of rosolic acid, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 95 grams of deionized water were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 111 grams butanol, 459 grams 2-propanol, 230 grams acetone, 309 grams ethanol, 50 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN).

9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실리프록시)-디페닐케톤(diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 및 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Methanol, 2-Hydroxy-4 (3-triethoxysilipoxy) -diphenylketone, Rosolic Acid and pH Tuning Agent

1리터 플라스크에, 2-프로판올 297그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 메탄올 25그램, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프록폭시)-디페닐케톤 10그램, 로졸산 5그램, 0.1M 질산 0.6그램 및 탈이온수 110그램을 혼합하였다. 플라스크를 1 내지 12시간동안 환류 및/또는 가열했다. 상기 용액에, 부탄올 111그램, 2-프로판올 459그램, 아세톤 230그램, 에탄올 309그램, 탈이온수 50그램과 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.75그램을 가하였다.In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 25 grams of 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysiloxyoxy) -diphenyl 10 grams of ketone, 5 grams of rosolic acid, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 110 grams of deionized water were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 111 grams butanol, 459 grams 2-propanol, 230 grams acetone, 309 grams ethanol, 50 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN).

9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실리프록시)-디페닐케톤(diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 및 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Methanol, 2-Hydroxy-4 (3-triethoxysilipoxy) -diphenylketone, Rosolic Acid and pH Tuning Agent

1리터 플라스크에, 2-프로판올 297그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 메탄올 25그램, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프록폭시)-디페닐케톤 10그램, 로졸산 5그램, 0.1M 질산 0.6그램 및 탈이온수 72그램을 혼합하였다. 상기 용액에, APTEOS 1.2그램을 환류전에 가하였다. 플라스크를 1 내지 12시간동안 환류 및/또는 가열했다. 상기 용액에, 부탄올 111그램, 2-프로판올 459그램, 아세톤 230그램, 에탄올 309그램, 탈이온수 50그램과 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.75그램을 가하였다.In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 25 grams of 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysiloxyoxy) -diphenyl 10 grams of ketone, 5 grams of rosolic acid, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 72 grams of deionized water were mixed. To the solution, 1.2 grams of APTEOS was added before reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 111 grams butanol, 459 grams 2-propanol, 230 grams acetone, 309 grams ethanol, 50 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN).

9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실리프록시)-디페닐케톤(diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 및 pH 조절제 (pH tuning agent)를 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 9-Anthracene Methanol, 2-Hydroxy-4 (3-triethoxysilipoxy) -diphenylketone, Rosolic Acid and pH Tuning Agent

1리터 플라스크에, 2-프로판올 297그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 메탄올 25그램, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프록폭시)-디페닐케톤 10그램, 로졸산 5그램, 0.1M 질산 0.6그램 및 탈이온수 72그램을 혼합하였다. 상기 용액에, APTEOS 1.2그램을 환류시 가하였다. 플라스크를 1 내지 12시간동안 환류 및/또는 가열했다. 상기 용액에, 부탄올 111그램, 2-프로판올 459그램, 아세톤 230그램, 에탄올 309그램, 탈이온수 50그램과 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.75그램을 가하였다.In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 25 grams of 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysiloxyoxy) -diphenyl 10 grams of ketone, 5 grams of rosolic acid, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 72 grams of deionized water were mixed. To the solution, 1.2 grams of APTEOS was added at reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution was added 111 grams butanol, 459 grams 2-propanol, 230 grams acetone, 309 grams ethanol, 50 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN).

9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실리프록시)-디페닐케톤(diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 및 pH 조절제 (pH tuning agentuning agent 흡수물질의 합성Synthesis of 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4 (3-triethoxysiloxyproxy) -diphenylketone, rosolic acid and pH tuning agentuning agent absorbent

1리터 플라스크에, 2-프로판올 297그램, 아세톤 148그램, TEOS 123그램, MTEOS 77그램, 9-안트라센 메탄올 25그램, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프록폭시)-디페닐케톤 10그램, 로졸산 5그램, 0.1M 질산 0.6그램 및 탈이온수 72그램을 혼합하였다. 플라스크를 1 내지 12시간동안 환류 및/또는 가열했다. 상기 용액에, APTEOS 1.2그램을 환류후에 가하였다. 상기 용액에, 부탄올 111그램, 2-프로판올 459그램, 아세톤 230그램, 에탄올 309그램, 탈이온수 50그램과 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN) 3.75그램을 가하였다.In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 25 grams of 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysiloxyoxy) -diphenyl 10 grams of ketone, 5 grams of rosolic acid, 0.6 grams of 0.1 M nitric acid and 72 grams of deionized water were mixed. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. To the solution, 1.2 grams of APTEOS was added after reflux. To the solution was added 111 grams butanol, 459 grams 2-propanol, 230 grams acetone, 309 grams ethanol, 50 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN).

실시예 8Example 8

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 93 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.5599 그램의 10 M 아세트산(acetic acid), 71.90 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(2-propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수(deionized water), 3.75 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 93 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of rosolic acid, 0.5599 grams 10 M acetic acid, 71.90 grams of deionized water was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid) and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 93 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.5599 그램의 1.0M 아세트산(acetic acid), 71.90 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 93 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of rosolic acid, 0.5599 grams 1.0 M acetic acid, 71.90 grams of deionized water was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 93 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.5599 그램의 순수 아세트산(acetic acid), 71.90 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 93 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of rosolic acid, 0.5599 grams Pure acetic acid, 71.90 grams of deionized water, was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid) and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 93 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.5599 그램의 10M 아세트센(acetic acid), 95 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 93 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of rosolic acid, 0.5599 grams 10 M acetic acid, 95 grams of deionized water was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 93 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.5599 그램의 10M 아세트센(acetic acid), 120 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 93 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of rosolic acid, 0.5599 grams 10M acetic acid, 120 grams of deionized water was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 93 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.5599 그램의 10M 아세트산(acetic acid), 71.90 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 환류되기 전에 2.2g의 포타슘 수산화물(potassium hydroxide)가 첨가되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 93 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of rosolic acid, 0.5599 grams 10M acetic acid, 71.90 grams of deionized water was combined. 2.2 g of potassium hydroxide was added before refluxing. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성 9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 93 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.5599 그램의 10M 아세트산(acetic acid), 71.90 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 환류되는 동안 2.2g의 포타슘 수산화물(potassium hydroxide)가 첨가되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 93 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of rosolic acid, 0.5599 grams 10M acetic acid, 71.90 grams of deionized water was combined. 2.2 g of potassium hydroxide was added during reflux. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 93 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.5599 그램의 1075M 아세트산(acetic acid), 71.90 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 환류된 후에 2.2g의 포타슘 수산화물(potassium hydroxide)가 첨가되었다. 또한, 환류된 후에, 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 93 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of rosolic acid, 0.5599 grams 1075M acetic acid, 71.90 grams of deionized water was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. After refluxing 2.2 g of potassium hydroxide was added. In addition, after reflux, the solution contained 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, and 9.5 grams of deionized water. (deionized water), 3.75 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

실시예 9Example 9

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 108 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 질산(nitric acid), 0.5599 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 두께(thickness)=4275Å, n=1.529, k=0.124In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 108 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of nitric acid, 0.5599 grams of 0.1 M nitric acid, 72 grams of deionized water, was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added. Thickness = 4275Å, n = 1.529, k = 0.124

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 108 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 질산(nitric acid), 0.5599 그램의 0.01M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 두께(thickness)=4275Å, n=1.529, k=0.124In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 108 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of nitric acid, 0.5599 grams of 0.01 M nitric acid, 72 grams of deionized water, was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added. Thickness = 4275Å, n = 1.529, k = 0.124

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 108 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 질산(nitric acid), 0.5599 그램의 1.0M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 두께(thickness)=4275Å, n=1.529, k=0.124In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 108 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 5 grams of nitric acid, 0.5599 grams of 1.0 M nitric acid, 72 grams of deionized water, was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added. Thickness = 4275Å, n = 1.529, k = 0.124

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 108 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 질산(nitric acid), 0.5599 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 95 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 두께(thickness)=4275Å, n=1.529, k=0.124 In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 108 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of nitric acid, 0.5599 grams of 0.1 M nitric acid, 95 grams of deionized water, was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added. Thickness = 4275Å, n = 1.529, k = 0.124

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 108 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 질산(nitric acid), 0.5599 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 125 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 두께(thickness)=4275Å, n=1.529, k=0.124In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 108 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of nitric acid, 0.5599 grams of 0.1 M nitric acid, 125 grams of deionized water, was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added. Thickness = 4275Å, n = 1.529, k = 0.124

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 108 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 질산(nitric acid), 0.5599 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 환류되기 전에 3g의 APTEOS는 상기 용액에 첨가되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 두께(thickness)=4275Å, n=1.529, k=0.124In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 108 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of nitric acid, 0.5599 grams of 0.1 M nitric acid, 72 grams of deionized water, was combined. 3 g of APTEOS was added to the solution before refluxing. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added. Thickness = 4275Å, n = 1.529, k = 0.124

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 108 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 질산(nitric acid), 0.5599 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 환류되는 동안 3g의 APTEOS는 상기 용액에 첨가되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 두께(thickness)=4275Å, n=1.529, k=0.124In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 108 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of nitric acid, 0.5599 grams of 0.1 M nitric acid, 72 grams of deionized water, was combined. 3 g of APTEOS was added to the solution during reflux. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added. Thickness = 4275Å, n = 1.529, k = 0.124

9-안트라센 메탄올(antracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 그리고, pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 SOG(absorbing SOG)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, rosolic acid), and the synthesis of absorbing SOG (pH tuning agent) containing pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 108 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올(anthracene methanol), 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 5 그램의 질산(nitric acid), 0.5599 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 환류된 후에 3g의 APTEOS는 상기 용액에 첨가되었다. 또한, 환류된 후에, 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 두께(thickness)=4275Å, n=1.529, k=0.124In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 108 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, 60 grams 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, 5 grams of nitric acid, 0.5599 grams of 0.1 M nitric acid, 72 grams of deionized water, was combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. After reflux 3g of APTEOS was added to the solution. In addition, after reflux, the solution contained 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, and 9.5 grams of deionized water. (deionized water), 3.75 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added. Thickness = 4275Å, n = 1.529, k = 0.124

실시예 10Example 10

2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Of the absorbent material containing 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilpropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent synthesis

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 두께(thickness)=3592Å, n=1.563, k=0.067297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trier in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams 0.1M nitric acid and 72 grams of deionized water combined It became. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added. Thickness = 3592Å, n = 1.563, k = 0.067

2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Of the absorbent material containing 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilpropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent synthesis

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 0.01M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trier in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams of 0.01M nitric acid and 72 grams of deionized water are combined. It became. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Of the absorbent material containing 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilpropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent synthesis

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 1.0M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trier in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams 1.0M nitric acid and 72 grams of deionized water are combined. It became. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Of the absorbent material containing 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilpropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent synthesis

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 90 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trier in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams of 0.1M nitric acid and 90 grams of deionized water are combined. It became. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Of the absorbent material containing 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilpropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent synthesis

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 125 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trier in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams 0.1M nitric acid and 125 grams of deionized water are combined. It became. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Of the absorbent material containing 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilpropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent synthesis

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 환류되기 전에 0.26g의 APTEOS는 상기 용액에 첨가되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trier in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams 0.1M nitric acid and 72 grams of deionized water combined It became. 0.26 g of APTEOS was added to the solution before refluxing. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Of the absorbent material containing 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilpropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent synthesis

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 환류되는 동안 0.26g의 APTEOS는 상기 용액에 첨가되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trier in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams 0.1M nitric acid and 72 grams of deionized water combined It became. 0.26 g of APTEOS was added to the solution during reflux. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Of the absorbent material containing 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilpropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent synthesis

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 0.1M 질산(nitric acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 환류된 후에, 0.26g의 APTEOS는 상기 용액에 첨가되었다. 또한, 환류된 후에, 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trier in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams 0.1M nitric acid and 72 grams of deionized water combined It became. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. After reflux, 0.26 g of APTEOS was added to the solution. In addition, after reflux, the solution contained 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, and 9.5 grams of deionized water. (deionized water), 3.75 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trimethock in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams of 10M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 1.0M 젖산(lactic acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trimethock in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams 1.0M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. . The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 1.0M 젖산(lactic acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trimethock in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams of 1.0 M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. . The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 75 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 75 grams of 2-hydroxy-4- (3-trimethock in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams of 10M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid), 115 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trimethock in a 1 liter flask 2-sylpropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams of 10M lactic acid and 115 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 환류되기 전에 0.06g의 APTEOS는 상기 용액에 첨가되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trimethock in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams of 10M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. 0.06 g of APTEOS was added to the solution before refluxing. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 Gram of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성Synthesis of Absorbents Containing 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 환류되는 동안 0.06g의 APTEOS가 상기 용액에 첨가되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에는, 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trimethock in a 1 liter flask 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, 0.6 grams of 10M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. 0.06 g of APTEOS was added to the solution while refluxing. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. The solution contains 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of deionized water, 3.75 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수물질의 합성 Synthesis of Absorbents Containing 2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone, pH tuning agent

1 리터 플래스크에 297그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51 그램의 MTEOS, 60 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐페닐(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid), 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합(combined)되었다. 상기 플래스크는 한시간에서 12시간동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 환류된 후에 0.06g의 APTEOS는 상기 용액에 첨가되었다. 또한, 환류된 후에, 상기 용액에는 57그램의 부탄올(butanol), 88그램의 2-프로판올(2-propanol), 44그램의 아세톤(acetone), 59그램의 에탄올(ethanol), 9.5그램의 탈이온수(deionized water), 3.75그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스시, 미네소타주)이 첨가되었다.297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51 grams of MTEOS, 60 grams of 2-hydroxy-4- (3-trimethock in a 1 liter flask Sicilypropoxy) -diphenylphenyl (2-hydroxy-4- (3-trimethoxysilypropoxy) -diphenylketone), 0.6 grams of 10M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated from 1 hour to 12 hours. After refluxing 0.06 g of APTEOS was added to the solution. In addition, after reflux, the solution contained 57 grams of butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, and 9.5 grams of deionized water. (deionized water), 3.75 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, Minnesota) was added.

실시예 11Example 11

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)과 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 물질의 합성.Synthesis of absorbent material containing 9-anthracene methanol and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 0.6 그램의 0.1M 염산(hydrochloric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, Combined with 0.6 grams of 0.1 M hydrochloric acid and 72 grams of DI water. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)과 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 물질의 합성.Synthesis of absorbent material containing 9-anthracene methanol and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 0.6 그램의 0.01M 염산(hydrochloric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, Combined with 0.6 grams of 0.01 M hydrochloric acid and 72 grams of DI water. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)과 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 물질의 합성.Synthesis of absorbent material containing 9-anthracene methanol and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 0.6 그램의 1.0M 염산(hydrochloric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, Combined with 0.6 grams of 1.0 M hydrochloric acid and 72 grams of DI water. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)과 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 물질의 합성.Synthesis of absorbent material containing 9-anthracene methanol and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 0.6 그램의 0.1M 염산(hydrochloric acid) 그리고 100 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, 0.6 grams of 0.1 M hydrochloric acid and 100 grams of DI water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)과 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 물질의 합성.Synthesis of absorbent material containing 9-anthracene methanol and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 0.6 그램의 0.1M 염산(hydrochloric acid) 그리고 130 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, Combined with 0.6 grams of 0.1 M hydrochloric acid and 130 grams of DI water. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)과 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 물질의 합성.Synthesis of absorbent material containing 9-anthracene methanol and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 0.6 그램의 0.1M 염산(hydrochloric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 1.2g의 포타슘 하이드록사이드(potassium hydroxide)는 환류 전에 용액에 첨가되었다. 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, Combined with 0.6 grams of 0.1 M hydrochloric acid and 72 grams of DI water. 1.2 g of potassium hydroxide was added to the solution prior to reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)과 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 물질의 합성.Synthesis of absorbent material containing 9-anthracene methanol and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 0.6 그램의 0.1M 염산(hydrochloric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 1.2g의 포타슘 하이드록사이드(potassium hydroxide)는 환류 동안에 용액에 첨가되었다. 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, Combined with 0.6 grams of 0.1 M hydrochloric acid and 72 grams of DI water. 1.2 g of potassium hydroxide was added to the solution during reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)과 pH 조절제(pH tuning agent)을 함유하는 흡수 물질의 합성.Synthesis of absorbent material containing 9-anthracene methanol and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 0.6 그램의 0.1M 염산(hydrochloric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 1.2g의 포타슘 하이드록사이드(potassium hydroxide)는 환류 후에 용액에 첨가되었다. 또한 환류 후에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 상기 용액에 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, Combined with 0.6 grams of 0.1 M hydrochloric acid and 72 grams of DI water. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. 1.2 g of potassium hydroxide was added to the solution after reflux. Also after reflux, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams deionized water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added to the solution.

실시예 12Example 12

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 1.0M 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다. 두께=3503Å, n=1.475, k=0.193. In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 1.0M acetic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added. Thickness = 3503 Hz, n = 1.475, k = 0.193.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M acetic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 순수(pure) M 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of pure M acetic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 아세트산(acetic acid) 그리고 98 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M acetic acid and 98 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 아세트산(acetic acid) 그리고 120 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M acetic acid and 120 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 1.5g의 TMAH가 환류 전에 용액에 첨가되었다. 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M acetic acid and 72 grams of deionized water were combined. 1.5 g of TMAH was added to the solution before reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 1.5g의 TMAH가 환류 동안에 용액에 첨가되었다. 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M acetic acid and 72 grams of deionized water were combined. 1.5 g of TMAH was added to the solution during reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 1.5g의 TMAH가 환류 후에 용액에 첨가되었다. 또한 환류 후에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 상기 용액에 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M acetic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. 1.5 g of TMAH was added to the solution after reflux. Also after reflux, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams deionized water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added to the solution.

실시예 13Example 13

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 5 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다. 두께=3119Å, n=1.454, k=0.175.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 5 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added. Thickness = 3119 mm 3, n = 1.454, k = 0.175.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 5 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 1.0M 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 5 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 1.0M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 5 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 순수(pure) 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 5 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of pure lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 5 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid) 그리고 100 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 5 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M lactic acid and 100 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 5 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid) 그리고 130 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 5 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M lactic acid and 130 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 5 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 0.1g의 APTEOS가 환류 전에 상기 용액에 첨가되었다. 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 5 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. 0.1 g of APTEOS was added to the solution before reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 5 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 0.1g의 APTEOS가 환류 동안에 상기 용액에 첨가되었다. 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 5 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. 0.1 g of APTEOS was added to the solution during reflux. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. In the solution, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams DI water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added.

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbent material containing (rosolic acid) and pH tuning agent.

1-리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 5 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 25 그램의 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 그리고 5 그램의 로졸산(rosolic acid), 0.6 그램의 10M 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수로 결합되었다(combined). 상기 플라스크는 1-12시간 동안 환류 그리고/또는 가열되었다. 0.1g의 APTEOS가 환류 후에 상기 용액에 첨가되었다. 또한 환류 후에, 57 그램의 부탄올(butanol), 88 그램의 2-프로판올(propanol), 44 그램의 아세톤(acetone), 59 그램의 에탄올(ethanol), 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)가 상기 용액에 첨가되었다.In a 1-liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 5 grams of 2-hydroxy-4- (3-tree Ethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (dihydroxyketone), 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid , 0.6 grams of 10M lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. 0.1 g of APTEOS was added to the solution after reflux. Also after reflux, 57 grams butanol, 88 grams 2-propanol, 44 grams acetone, 59 grams ethanol, 9.5 grams deionized water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) was added to the solution.

실시예 14Example 14

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 퀴니자인(quinizarin), 알리자인(alizarin) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성.9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid synthesis of absorbing materials containing rosolic acid, quinizarin, alizarin and pH tuning agents.

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 20 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실실리프로폭시)-디페닐케톤, 25 그램의 9-안트라센 메탄올, 그리고 5 그램의 로졸산, 2 그램의 퀴니자인, 2 그램의 알리자인, (별개의 3개 혼합물들에 첨가된) 0.6 그램의 0.1 M 질산, 1.0 M 질산, 그리고 0.01 M 질산 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 0.1 M 질산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가외었다. 두께=3554 Å, n=1.489, k=0.193. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 20 grams of 2-hydroxy-4- (3-triethoxy in a 1 liter flask Silylpropoxy) -diphenylketone, 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid, 2 grams of quinizaine, 2 grams of alysine, 0.6 grams (added to three separate mixtures) 0.1 M nitric acid, 1.0 M nitric acid, and 0.01 M nitric acid and 72 grams of deionized water were combined. To the other two solutions containing 0.1 M nitric acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) It was added. Thickness = 3554 mm 3, n = 1.489, k = 0.193.

3개의 추가 용액들에, 1.1 g의 수산화 칼륨(potassium hydroxide)이 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 수산화 칼륨이 추가되었다.To three additional solutions, 1.1 g of potassium hydroxide was added. To each solution, the potassium hydroxide was added before, during and after the reflux step, respectively.

실시예 15Example 15

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilypropoxy)-diphenylketone), 로졸산(rosolic acid), 알리자인(alizarin) 그리고 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성9-anthracene methanol, 2-hydroxy-4- (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone (2-hydroxy-4- (3-triethoxysilypropoxy) -diphenylketone), rosolic acid Synthesis of Absorbing Material Containing Rosolic Acid, Alizarin and pH Tuning Agent

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 51.5 그램의 MTEOS, 5 그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실실리프로폭시)-디페닐케톤, 25 그램의 9-안트라센 메탄올, 그리고 5 그램의 로졸산, 2 그램의 알리자인, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.5599 그램의 1.0 M, 10 M 그리고 순수 아세트산 그리고 71.90 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 아세트산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 56.68 그램의 부탄올(Butanol), 87.99 그램의 2-프로판올, 44.10 그램의 아세톤, 59.31 그램의 에탄올, 9.55 그램의 탈이온수 그리고 3.75 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 51.5 grams of MTEOS, 5 grams of 2-hydroxy-4- (3-triethoxy in a 1 liter flask Silylpropoxy) -diphenylketone, 25 grams of 9-anthracene methanol, and 5 grams of rosolic acid, 2 grams of aziline, 0.5599 grams of 1.0 M (added to three separate mixtures each), 10 M and pure acetic acid and 71.90 grams of deionized water were combined. To the other two solutions containing 10 M acetic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 56.68 grams Butanol, 87.99 grams 2-propanol, 44.10 grams acetone, 59.31 grams ethanol, 9.55 grams deionized water and 3.75 grams 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 0.25 g의 APTEOS가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 APTEOS가 추가되었다.To three additional solutions, 0.25 g of APTEOS was added. To each solution, the APTEOS was added before, during and after the reflux step, respectively.

실시예 16Example 16

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane and absorbing material containing pH adjuster

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 0.1 M, 0.01 M과 1.0 M의 질산 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 0.1 M 질산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 30 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 0.1 M, 0.01 M and 1.0 M nitric acid, and 72 grams of DI water (combined to each of the three mixtures) were combined. To the other two solutions containing 0.1 M nitric acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 0.25 g의 염산(HCl)이 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 염산(HCl이 추가되었다.To three additional solutions, 0.25 g hydrochloric acid (HCl) was added. To each solution, the hydrochloric acid (HCl) was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 1.0 M, 10 M과 순수 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 젖산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 30 grams of 9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 1.0 M, 10 M, added to each of the three mixtures of, lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. To the other two solutions containing 10 M lactic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 1.2 g의 APTEOS가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 APTEOS가 추가되었다.To three additional solutions, 1.2 g of APTEOS was added. To each solution, the APTEOS was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-propyl triethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-propyl triethoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 1.0 M, 10 M과 순수 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 젖산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 30 grams of 9-anthracene carboxy-propyl triethoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 1.0 M, 10 M, added to each of the three mixtures of, lactic acid and 72 grams of deionized water were combined. To the other two solutions containing 10 M lactic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 0.2 g의 APTEOS가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 APTEOS가 추가되었다.To three additional solutions, 0.2 g of APTEOS was added. To each solution, the APTEOS was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-펜틸 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-pentyl triethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-pentyl triethoxysilane and absorbing material containing pH adjuster

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-펜틸 트리에톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 0.1 M, 0.01 M, 그리고 1.0 M의 질산(nitric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 0.1 M 질산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 30 grams of 9-anthracene carboxy-pentyl triethoxysilane in one liter flask, (separate 0.6 grams of 0.1 M, 0.01 M, and 1.0 M nitric acid and 72 grams of DI water (combined to each of the three mixtures of) were combined. To the other two solutions containing 0.1 M nitric acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 1.0 g의 수산화 칼륨(potassium hydroxide)이 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 수산화 칼륨이 추가되었다.To three additional solutions, 1.0 g of potassium hydroxide was added. To each solution, the potassium hydroxide was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시실란(9-anthracene carboxy-methyl trimethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-methyl trimethoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 1.0 M, 10 M, 그리고 순수 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 아세트산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 30 grams of 9-anthracene carboxy-methyl trimethoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 1.0 M, 10 M, and pure acetic acid and 72 grams of DI water (combined to each of the three mixtures of) were combined. To the other two solutions containing 10 M acetic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 2.4 g의 TMAH가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 TMAH가 추가되었다.To three additional solutions, 2.4 g of TMAH was added. To each solution, the TMAH was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리메톡시실란(9-anthracene carboxy-ethyl trimethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-ethyl trimethoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리메톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 1.0 M, 10 M, 그리고 순수 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 젖산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 30 grams of 9-anthracene carboxy-ethyl trimethoxysilane in one liter flask, (separate 0.6 grams of 1.0 M, 10 M, and pure lactic acid and 72 grams of DI water (combined to each of the three mixtures of) were combined. To the other two solutions containing 10 M lactic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 1.2 g의 APTEOS가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 APTEOS가 추가되었다.To three additional solutions, 1.2 g of APTEOS was added. To each solution, the APTEOS was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-프로필 트리메톡시실란(9-anthracene carboxy-propyl trimethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-propyl trimethoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리메톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 0.1 M, 0.01 M, 그리고 1.0 M 염산(hydrochloric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 0.1 M 염산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 30 grams of 9-anthracene carboxy-propyl trimethoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 0.1 M, 0.01 M, and 1.0 M hydrochloric acid (added to each of the three mixtures of) and 72 grams of deionized water were combined. To the other two solutions containing 0.1 M hydrochloric acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 1.4 g의 APTEOS가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 APTEOS가 추가되었다.To three additional solutions, 1.4 g of APTEOS was added. To each solution, the APTEOS was added before, during and after the reflux step, respectively.

실시예 17Example 17

9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of Absorbing Material Containing 9-anthracene Methanol and pH Adjuster

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 메탄올, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 0.1 M, 0.01 M, 그리고 1.0 M의 염산(hydrochloric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 0.1 M 염산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene methanol, (in three separate mixtures) 0.6 grams of 0.1 M, 0.01 M, and 1.0 M hydrochloric acid (added respectively) and 72 grams of deionized water were combined. To the other two solutions containing 0.1 M hydrochloric acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 1.4 g의 APTEOS가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 APTEOS가 추가되었다.To three additional solutions, 1.4 g of APTEOS was added. To each solution, the APTEOS was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 에탄올(9-anthracene ethanol)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of Absorbing Material Containing 9-anthracene ethanol and pH Adjuster

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 에탄올, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 0.1 M, 0.01 M, 그리고 1.0 M의 질산(nitric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 0.1 M 질산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene ethanol, (in three separate mixtures) 0.6 grams of 0.1 M, 0.01 M, and 1.0 M nitric acid (added respectively) and 72 grams of deionized water were combined. To the other two solutions containing 0.1 M nitric acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 0.4 g의 APTEOS가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 APTEOS가 추가되었다.To three additional solutions, 0.4 g of APTEOS was added. To each solution, the APTEOS was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 프로판올(9-anthracene propanol)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of Absorbing Material Containing 9-anthracene Propanol and pH Regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 123 그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 10 그램의 9-안트라센 프로판올, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 1.0 M, 10 M, 그리고 순주 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 아세트산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 57 그램의 부탄올(Butanol), 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온수 그리고 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 123 grams of TEOS, 77 grams of MTEOS, 10 grams of 9-anthracene propanol, (in three separate mixtures) 0.6 grams of 1.0 M, 10 M, and net acetic acid, and 72 grams of DI water, respectively, were combined. To the other two solutions containing 10 M acetic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In the solution, 57 grams of Butanol, 88 grams of 2-propanol, 44 grams of acetone, 59 grams of ethanol, 9.5 grams of DI water and 3.7 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 1.25 g의 TMAH가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 TMAH가 추가되었다.To three additional solutions, 1.25 g of TMAH was added. To each solution, the TMAH was added before, during and after the reflux step, respectively.

실시예 18Example 18

9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane and absorbing material containing pH adjuster

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 1.0 M, 10 M, 그리고 순수 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 아세트산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 115 그램의 부탄올(Butanol), 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 그리고 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 90 grams of TMOS, 59 grams of MTMOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 1.0 M, 10 M, and pure acetic acid and 72 grams of DI water (combined to each of the three mixtures of) were combined. To the other two solutions containing 10 M acetic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In this solution, 115 grams of Butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 53 grams of DI water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 1.25 g의 TMAH가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 TMAH가 추가되었다.To three additional solutions, 1.25 g of TMAH was added. To each solution, the TMAH was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 0.1 M, 0.01 M, 그리고 1,0 M의 질산(nitric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 0.1 M 질산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 115 그램의 부탄올(Butanol), 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 그리고 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 90 grams of TMOS, 59 grams of MTMOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 0.1 M, 0.01 M, and 1,0 M nitric acid (added to each of the three mixtures of) and 72 grams of deionized water were combined. To the other two solutions containing 0.1 M nitric acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In this solution, 115 grams of Butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 53 grams of DI water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 0.25 g의 TMAH가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 TMAH가 추가되었다.To three additional solutions, 0.25 g of TMAH was added. To each solution, the TMAH was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시실란(9-anthracene carboxy-methyl trimethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-methyl trimethoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 1.0 M, 10 M, 그리고 순수 젖산(lactic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 젖산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 115 그램의 부탄올(Butanol), 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 그리고 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 90 grams of TMOS, 59 grams of MTMOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl trimethoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 1.0 M, 10 M, and pure lactic acid and 72 grams of DI water (combined to each of the three mixtures of) were combined. To the other two solutions containing 10 M lactic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In this solution, 115 grams of Butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 53 grams of DI water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 1.5 g의 수산화 칼륨(potassium hydroxide)이 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 수산화 칼륨이 추가되었다.To three additional solutions, 1.5 g of potassium hydroxide was added. To each solution, the potassium hydroxide was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-propyl triethoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-propyl triethoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 0.1 M, 0.01 M, 그리고 1.0 M의 질산(nitric acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 0.1 M 질산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 115 그램의 부탄올(Butanol), 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 그리고 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 90 grams of TMOS, 59 grams of MTMOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-propyl triethoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 0.1 M, 0.01 M, and 1.0 M nitric acid and 72 grams of DI water (combined to each of the three mixtures of) were combined. To the other two solutions containing 0.1 M nitric acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In this solution, 115 grams of Butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 53 grams of DI water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 0.5 g의 TMAH가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 TMAH가 추가되었다.To three additional solutions, 0.5 g of TMAH was added. To each solution, the TMAH was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-메틸 트리프로폭시실란(9-anthracene carboxy-methyl tripropoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-methyl tripropoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리프로폭시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 1.0 M, 10 M, 그리고 순수 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 아세트산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 115 그램의 부탄올(Butanol), 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 그리고 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 90 grams of TMOS, 59 grams of MTMOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-methyl tripropoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 1.0 M, 10 M, and pure acetic acid and 72 grams of DI water (combined to each of the three mixtures of) were combined. To the other two solutions containing 10 M acetic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In this solution, 115 grams of Butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 53 grams of DI water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 0.75 g의 TMAH가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 TMAH가 추가되었다.To three additional solutions, 0.75 g TMAH was added. To each solution, the TMAH was added before, during and after the reflux step, respectively.

9-안트라센 카르복시-에틸 트리뷰톡시실란(9-anthracene carboxy-ethyl tributoxysilane)과 pH 조절자를 함유한 흡수 물질(absorbing material)의 합성Synthesis of 9-anthracene carboxy-ethyl tributoxysilane and absorbing material containing pH regulator

1리터 플라스크에 297 그램의 2-프로판올(2-propanol), 148 그램의 아세톤(acetone), 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리뷰톡시실란, (별개의 3개 혼합물들에 각각 첨가된) 0.6 그램의 1.0 M, 10 M, 그리고 순수 아세트산(acetic acid) 그리고 72 그램의 탈이온수가 결합되었다(combined). 10 M 아세트산이 함유된 다른 2 용액에, 90 g과 110 g의 탈이온수가 각각 첨가되었다. 상기 플라스크는 1에서 12시간 동안 환류(reflux) 또는/그리고 가열되었다. 상기 용액에, 115 그램의 부탄올(Butanol), 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온수 그리고 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미니애폴리스, MN)이 첨가되었다. 297 grams of 2-propanol, 148 grams of acetone, 90 grams of TMOS, 59 grams of MTMOS, 60 grams of 9-anthracene carboxy-ethyl tributoxysilane in a 1 liter flask, (separate 0.6 grams of 1.0 M, 10 M, and pure acetic acid and 72 grams of DI water (combined to each of the three mixtures of) were combined. To the other two solutions containing 10 M acetic acid, 90 g and 110 g of deionized water were added respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1 to 12 hours. In this solution, 115 grams of Butanol, 488 grams of 2-propanol, 245 grams of acetone, 329 grams of ethanol, 53 grams of DI water and 3.8 grams of 10% FC 430 (3M, Minneapolis, MN) Added.

3개의 추가 용액들에, 1.00 g의 TMAH가 첨가되었다. 각 용액에, 환류(reflux) 단계 이전, 동안 그리고 이후에 각각 상기 TMAH가 추가되었다.To three additional solutions, 1.00 g of TMAH was added. To each solution, the TMAH was added before, during and after the reflux step, respectively.

실시예 19Example 19

페닐트리에톡시실란(phenyltriethoxysilane) 및 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성 Synthesis of Absorbent Material Containing Phenyltriethoxysilane and pH Tuning Agent

1 리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol)(4.798 moles), 148 그램의 아세톤(acetone)(2.558 moles), 123 그램의 티이오에스(TEOS)(0.593 moles), 104 그램의 페닐트리에톡시실란(phenyltriethoxysilane)(0.432 moles), 각각 다른 세개의 용액에 첨가되는 0.6 그램의 1.0M, 10M 및 순수 아세트산(acetic acid), 그리고, 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합되었다(combined). In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol (4.798 moles), 148 grams of acetone (2.558 moles), 123 grams of TEOS (0.593 moles), 104 grams of phenyl Phenyltriethoxysilane (0.432 moles), 0.6 grams of 1.0M, 10M and acetic acid, and 72 grams of deionized water added to each of the other three solutions were combined ( combined).

10M 아세트산(acetic acid)을 포함하는 두개의 다른 용액들에 있어서, 90 그램, 110 그램의 탈이온수(deionized water)가 각각 첨가되었다. 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류(refluxed) 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올(Butanol)(0.769 moles), 88 그램의 2-프로판올(2-propanol)(1.422 moles), 44 그램의 아세톤(acetone)(0.758 moles), 59 그램의 에탄올(ethanol)(1.227 moles), 9.5 그램의 탈이온수(deionized water)(0.528 moles)가 첨가되었다. 두께는 1727 Å 이고, n=1.957, k=0.384 이다.In two other solutions containing 10M acetic acid, 90 grams and 110 grams of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. The solution contains 57 grams of Butanol (0.769 moles), 88 grams of 2-propanol (1.422 moles), 44 grams of acetone (0.758 moles), 59 grams of ethanol (1.227 moles), 9.5 grams of deionized water (0.528 moles) were added. The thickness is 1727 mm 3, and n = 1.957 and k = 0.384.

세개의 추가적인 용액들에 있어서, 1.00 그램의 티엠에이에이치(TMAH)가 첨가되었다. 각각의 용액에 있어서, 상기 환류 단계 전에, 환류 단계 동안 및 환류 단계 후에 각각 상기 티엠에이에이치(TMAH)가 첨가되었다. In three additional solutions, 1.00 grams of TMAH (TMAH) was added. For each solution, the TMAH was added before the reflux step, during the reflux step and after the reflux step, respectively.

페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane) 및 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성 Synthesis of Absorbents Containing Phenyltrimethoxysilane and pH Tuning Agent

1 리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol)(4.798 moles), 148 그램의 아세톤(acetone)(2.558 moles), 123 그램의 티이오에스(TEOS)(0.593 moles), 104 그램의 페닐트리에톡시실란(phenyltriethoxysilane)(0.432 moles), 각각 다른 세개의 용액에 첨가되는 0.6 그램의 0.1M, 0.01M 및 1.0M 질산(nitric acid), 그리고, 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합되었다(combined). In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol (4.798 moles), 148 grams of acetone (2.558 moles), 123 grams of TEOS (0.593 moles), 104 grams of phenyl Phenyltriethoxysilane (0.432 moles), 0.6 grams of 0.1M, 0.01M and 1.0M nitric acid added to three different solutions, and 72 grams of deionized water Combined.

0.1M 질산(nitric acid)을 포함하는 두개의 다른 용액들에 있어서, 90 그램, 110 그램의 탈이온수(deionized water)가 각각 첨가되었다. 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류(refluxed) 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올(Butanol)(0.769 moles), 88 그램의 2-프로판올(2-propanol)(1.422 moles), 44 그램의 아세톤(acetone)(0.758 moles), 59 그램의 에탄올(ethanol)(1.227 moles), 9.5 그램의 탈이온수(deionized water)(0.528 moles)가 첨가되었다.In two other solutions containing 0.1 M nitric acid, 90 grams and 110 grams of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. The solution contains 57 grams of Butanol (0.769 moles), 88 grams of 2-propanol (1.422 moles), 44 grams of acetone (0.758 moles), 59 grams of ethanol (1.227 moles), 9.5 grams of deionized water (0.528 moles) were added.

세개의 추가적인 용액들에 있어서, 1.00 그램의 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다. 각각의 용액에 있어서, 상기 환류 단계 전에, 환류 단계 동안 및 환류 단계 후에 각각 상기 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다. In three additional solutions, 1.00 grams of APTEOS was added. For each solution, the APTEOS was added before the reflux step, during the reflux step and after the reflux step, respectively.

페닐트리프로폭시실란(phenyltripropoxysilane) 및 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성 Synthesis of Absorbents Containing Phenyltripropoxysilane and pH Tuning Agent

1 리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol)(4.798 moles), 148 그램의 아세톤(acetone)(2.558 moles), 123 그램의 티이오에스(TEOS)(0.593 moles), 104 그램의 페닐트리프로폭시실란(phenyltripropoxysilane)(0.432 moles), 각각 다른 세개의 용액에 첨가되는 0.6 그램의 1.0M, 10M 및 순수한 젖산(lactic acid), 그리고, 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합되었다(combined). In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol (4.798 moles), 148 grams of acetone (2.558 moles), 123 grams of TEOS (0.593 moles), 104 grams of phenyl Phenyltripropoxysilane (0.432 moles), 0.6 grams of 1.0M, 10M and pure lactic acid, added to three different solutions, and 72 grams of deionized water were combined ( combined).

10M 젖산(lactic acid)을 포함하는 두개의 다른 용액들에 있어서, 90 그램, 110 그램의 탈이온수(deionized water)가 각각 첨가되었다. 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류(refluxed) 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올(Butanol)(0.769 moles), 88 그램의 2-프로판올(2-propanol)(1.422 moles), 44 그램의 아세톤(acetone)(0.758 moles), 59 그램의 에탄올(ethanol)(1.227 moles), 9.5 그램의 탈이온수(deionized water)(0.528 moles)가 첨가되었다.In two other solutions containing 10M lactic acid, 90 grams and 110 grams of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. The solution contains 57 grams of Butanol (0.769 moles), 88 grams of 2-propanol (1.422 moles), 44 grams of acetone (0.758 moles), 59 grams of ethanol (1.227 moles), 9.5 grams of deionized water (0.528 moles) were added.

세개의 추가적인 용액들에 있어서, 0.75 그램의 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다. 각각의 용액에 있어서, 상기 환류 단계 전에, 환류 단계 동안 및 환류 단계 후에 각각 상기 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다. In three additional solutions, 0.75 grams of APTEOS was added. For each solution, the APTEOS was added before the reflux step, during the reflux step and after the reflux step, respectively.

페닐트리뷰톡시실란(phenyltributhoxysilane) 및 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성 -4(식별자 입니다)Synthesis of Absorbents Containing Phenyltributhoxysilane and pH Tuning Agent -4 (Identifier)

1 리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol)(4.798 moles), 148 그램의 아세톤(acetone)(2.558 moles), 123 그램의 티이오에스(TEOS)(0.593 moles), 104 그램의 페닐트리뷰톡시실란(phenyltributhoxysilane)(0.432 moles), 각각 다른 세개의 용액에 첨가되는 0.6 그램의 1.0M, 10M 및 순수한 아세트산(acetic acid), 그리고, 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합되었다(combined). In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol (4.798 moles), 148 grams of acetone (2.558 moles), 123 grams of TEOS (0.593 moles), 104 grams of phenyl Tributoxysilane (0.432 moles), 0.6 grams of 1.0M, 10M and pure acetic acid added to each of the three different solutions, and 72 grams of deionized water were combined ( combined).

10M 아세트산(acetic acid)을 포함하는 두개의 다른 용액들에 있어서, 90 그램, 110 그램의 탈이온수(deionized water)가 각각 첨가되었다. 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류(refluxed) 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올(Butanol)(0.769 moles), 88 그램의 2-프로판올(2-propanol)(1.422 moles), 44 그램의 아세톤(acetone)(0.758 moles), 59 그램의 에탄올(ethanol)(1.227 moles), 9.5 그램의 탈이온수(deionized water)(0.528 moles)가 첨가되었다.In two other solutions containing 10M acetic acid, 90 grams and 110 grams of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. The solution contains 57 grams of Butanol (0.769 moles), 88 grams of 2-propanol (1.422 moles), 44 grams of acetone (0.758 moles), 59 grams of ethanol (1.227 moles), 9.5 grams of deionized water (0.528 moles) were added.

세개의 추가적인 용액들에 있어서, 0.5 그램의 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다. 각각의 용액에 있어서, 상기 환류 단계 전에, 환류 단계 동안 및 환류 단계 후에 각각 상기 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다. In three additional solutions, 0.5 grams of APTEOS was added. For each solution, the APTEOS was added before the reflux step, during the reflux step and after the reflux step, respectively.

실시예 20Example 20

4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸 트리에톡시실란(4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane) 및 pH 조절제(pH tuning agent)를 함유하는 흡수 물질의 합성 Synthesis of absorbent material containing 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane and pH tuning agent

1 리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol)(4.798 moles), 148 그램의 아세톤(acetone)(2.558 moles), 123 그램의 티이오에스(TEOS)(0.593 moles), 77 그램의 엠티이오에스(MTEOS)(0.432 moles), 44.5 그램의 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸 트리에톡시실란(0.13 moles), 각각 다른 세개의 용액에 첨가되는 0.6 그램의 0.1M, 10M 및 순수 아세트산(acetic acid), 그리고, 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합되었다(combined). In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol (4.798 moles), 148 grams of acetone (2.558 moles), 123 grams of TEOS (0.593 moles), 77 grams of MT MTEOS (0.432 moles), 44.5 grams of 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane (0.13 moles), 0.6 grams 0.1 M, 10 M and pure water added to three different solutions, respectively Acetic acid and 72 grams of deionized water were combined.

10M 아세트산(acetic acid)을 포함하는 두개의 다른 용액들에 있어서, 90 그램, 110 그램의 탈이온수(deionized water)가 각각 첨가되었다. 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류(refluxed) 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올(Butanol)(0.769 moles), 88 그램의 2-프로판올(2-propanol)(1.422 moles), 44 그램의 아세톤(acetone)(0.758 moles), 59 그램의 에탄올(ethanol)(1.227 moles), 9.5 그램의 탈이온수(deionized water)(0.528 moles)가 첨가되었다. In two other solutions containing 10M acetic acid, 90 grams and 110 grams of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. The solution contains 57 grams of Butanol (0.769 moles), 88 grams of 2-propanol (1.422 moles), 44 grams of acetone (0.758 moles), 59 grams of ethanol (1.227 moles), 9.5 grams of deionized water (0.528 moles) were added.

세개의 추가적인 용액들에 있어서, 0.5 그램의 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다. 각각의 용액에 있어서, 상기 환류 단계 전에, 환류 단계 동안 및 환류 단계 후에 각각 상기 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다.In three additional solutions, 0.5 grams of APTEOS was added. For each solution, the APTEOS was added before the reflux step, during the reflux step and after the reflux step, respectively.

4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-에틸 트리에톡시실란(4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-ethyl triethoxysilane)을 함유하는 흡수 물질의 합성 Synthesis of Absorbent Material Containing 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-ethyl triethoxysilane

1 리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol)(4.798 moles), 148 그램의 아세톤(acetone)(2.558 moles), 123 그램의 티이오에스(TEOS)(0.593 moles), 77 그램의 엠티이오에스(MTEOS)(0.432 moles), 44.5 그램의 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-에틸 트리에톡시실란(0.13 moles), 각각 다른 세개의 용액에 첨가되는 0.6 그램의 1.0M, 10M 및 순수 젖산(lactic acid), 그리고, 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합되었다(combined). In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol (4.798 moles), 148 grams of acetone (2.558 moles), 123 grams of TEOS (0.593 moles), 77 grams of MT MTEOS (0.432 moles), 44.5 grams of 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-ethyl triethoxysilane (0.13 moles), 0.6 grams 1.0M, 10M and pure water added to three different solutions, respectively Lactic acid and 72 grams of deionized water were combined.

10M 젖산(lactic acid)을 포함하는 두개의 다른 용액들에 있어서, 90 그램, 110 그램의 탈이온수(deionized water)가 각각 첨가되었다. 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류(refluxed) 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올(Butanol)(0.769 moles), 88 그램의 2-프로판올(2-propanol)(1.422 moles), 44 그램의 아세톤(acetone)(0.758 moles), 59 그램의 에탄올(ethanol)(1.227 moles), 9.5 그램의 탈이온수(deionized water)(0.528 moles)가 첨가되었다. In two other solutions containing 10M lactic acid, 90 grams and 110 grams of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. The solution contains 57 grams of Butanol (0.769 moles), 88 grams of 2-propanol (1.422 moles), 44 grams of acetone (0.758 moles), 59 grams of ethanol (1.227 moles), 9.5 grams of deionized water (0.528 moles) were added.

세개의 추가적인 용액들에 있어서, 0.25 그램의 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다. 각각의 용액에 있어서, 상기 환류 단계 전에, 환류 단계 동안 및 환류 단계 후에 각각 상기 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다.In three additional solutions, 0.25 grams of APTEOS was added. For each solution, the APTEOS was added before the reflux step, during the reflux step and after the reflux step, respectively.

4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필 트리에톡시실란(4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl triethoxysilane)을 함유하는 흡수 물질의 합성 Synthesis of Absorbent Material Containing 4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl triethoxysilane

1 리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol)(4.798 moles), 148 그램의 아세톤(acetone)(2.558 moles), 123 그램의 티이오에스(TEOS)(0.593 moles), 77 그램의 엠티이오에스(MTEOS)(0.432 moles), 44.5 그램의 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필 트리에톡시실란(0.13 moles), 각각 다른 세개의 용액에 첨가되는 0.6 그램의 0.1M, 0.01M 및 1.0M 질산(nitric acid), 그리고, 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합되었다(combined). In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol (4.798 moles), 148 grams of acetone (2.558 moles), 123 grams of TEOS (0.593 moles), 77 grams of MT MTEOS (0.432 moles), 44.5 grams of 4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl triethoxysilane (0.13 moles), 0.6 grams of 0.1M, 0.01M, and each added to three different solutions, and 1.0 M nitric acid and 72 grams of deionized water were combined.

0.1M 질산을 포함하는 두개의 다른 용액들에 있어서, 90 그램, 110 그램의 탈이온수(deionized water)가 각각 첨가되었다. 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류(refluxed) 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올(Butanol)(0.769 moles), 88 그램의 2-프로판올(2-propanol)(1.422 moles), 44 그램의 아세톤(acetone)(0.758 moles), 59 그램의 에탄올(ethanol)(1.227 moles), 9.5 그램의 탈이온수(deionized water)(0.528 moles)가 첨가되었다. In two other solutions containing 0.1 M nitric acid, 90 grams and 110 grams of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. The solution contains 57 grams of Butanol (0.769 moles), 88 grams of 2-propanol (1.422 moles), 44 grams of acetone (0.758 moles), 59 grams of ethanol (1.227 moles), 9.5 grams of deionized water (0.528 moles) were added.

세개의 추가적인 용액들에 있어서, 0.1 그램의 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다. 각각의 용액에 있어서, 상기 환류 단계 전에, 환류 단계 동안 및 환류 단계 후에 각각 상기 에이피티이오에스(APTEOS)가 첨가되었다.In three additional solutions, 0.1 gram of APTEOS was added. For each solution, the APTEOS was added before the reflux step, during the reflux step and after the reflux step, respectively.

4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필 트리메톡시실란(4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl trimethoxysilane)을 함유하는 흡수 물질의 합성 Synthesis of absorbent material containing 4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl trimethoxysilane

1 리터 플라스크에, 297 그램의 2-프로판올(2-propanol)(4.798 moles), 148 그램의 아세톤(acetone)(2.558 moles), 123 그램의 티이오에스(TEOS)(0.593 moles), 77 그램의 엠티이오에스(MTEOS)(0.432 moles), 44.5 그램의 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸 트리메톡시실란(0.13 moles), 각각 다른 세개의 용액에 첨가되는 0.6 그램의 0.1M, 0.01M 및 1.0M 염산(hydrochloric acid), 그리고, 72 그램의 탈이온수(deionized water)가 결합되었다(combined). In a 1 liter flask, 297 grams of 2-propanol (4.798 moles), 148 grams of acetone (2.558 moles), 123 grams of TEOS (0.593 moles), 77 grams of MT MTEOS (0.432 moles), 44.5 grams of 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl trimethoxysilane (0.13 moles), 0.6 grams of 0.1M, 0.01M, and each added to three different solutions, and 1.0 M hydrochloric acid, and 72 grams of deionized water were combined.

0.1M 염산(hydrochloric acid)을 포함하는 두개의 다른 용액들에 있어서, 90 그램, 110 그램의 탈이온수(deionized water)가 각각 첨가되었다. 플라스크는 1 내지 12 시간동안 환류(refluxed) 및/또는 가열되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올(Butanol)(0.769 moles), 88 그램의 2-프로판올(2-propanol)(1.422 moles), 44 그램의 아세톤(acetone)(0.758 moles), 59 그램의 에탄올(ethanol)(1.227 moles), 9.5 그램의 탈이온수(deionized water)(0.528 moles)가 첨가되었다. 365nm 에서 n=1,499, k=0.162 이다.In two other solutions containing 0.1 M hydrochloric acid, 90 grams and 110 grams of deionized water were added, respectively. The flask was refluxed and / or heated for 1-12 hours. The solution contains 57 grams of Butanol (0.769 moles), 88 grams of 2-propanol (1.422 moles), 44 grams of acetone (0.758 moles), 59 grams of ethanol (1.227 moles), 9.5 grams of deionized water (0.528 moles) were added. N = 1,499, k = 0.162 at 365nm.

세개의 추가적인 용액들에 있어서, 0.5 그램의 TMAH가 첨가되었다. 각각의 용액에 있어서, 상기 환류 단계 전에, 환류 단계 동안 및 환류 단계 동안 각각 상기 TMAH가 첨가되었다.In three additional solutions, 0.5 grams of TMAH was added. For each solution, the TMAH was added before the reflux step, during the reflux step and during the reflux step, respectively.

실시예 21Example 21

PGMEA 및 pH 조절제를 함유하는 흡수재의 합성Synthesis of Absorbents Containing PGMEA and pH Regulator

1리터 플라스크에, PGMEA 504.829g, TEOS 123.6g, MTEOS 76.9g, 0.1M 질산 5.608g 및 이온수 66.869g을 조합하였다. 1 내지 12시간동안 플라스크를 환류시키고 또는 가열시켰다. 용액에 대해, 부탄올 43.777g을 첨가하였다. pH 조절실험에 사용되는 용액을 필터하였다. In a 1 liter flask, 504.829 g PGMEA, 123.6 g TEOS, 76.9 g MTEOS, 5.608 g 0.1 M nitric acid and 66.869 g ionized water were combined. The flask was refluxed or heated for 1-12 h. To the solution, 43.777 g of butanol were added. The solution used for pH adjustment experiment was filtered.

또 따른 1리터 플라스크에, 2-프로판올 297g, 아세톤 148.560g, TEOS 139.902g, MTEOS 19.1g, PTEOS 51.7g, 0.1M 질산 5.624g 및 이온수 66.827g을 조합하였다. 1 내지 12시간동안 플라스크를 환류시키고 또는 가열시켰다. 용액에 대해, 부탄올 43.93g을 첨가하였다. pH 조절실험에 사용되는 용액을 필터하였다. In another 1 liter flask, 297 g of 2-propanol, 148.560 g of acetone, 139.902 g of TEOS, 19.1 g of MTEOS, 51.7 g of PTEOS, 5.624 g of 0.1 M nitric acid and 66.827 g of ionized water were combined. The flask was refluxed or heated for 1-12 h. To the solution, 43.93 g of butanol were added. The solution used for pH adjustment experiment was filtered.

제조된 2개의 용액을 조합하였고, pH 조절제, APTEOS를 약 pH 1.7로 시작하는 조합된 재료의 650g의 6개의 분리된 용액에 첨가하였다. APTEOS를 아래의 양으로 첨가하였고 다음 pH를 나타내었다: a)1.49g(pH=8.07); b)0.26g(pH=7.12); c)0.1g(pH=8.07); d)0.06g(pH=5.50); e)0.03g(pH=2.49) 및 f)0g(pH=1.76). 그런 후 용액을 분배하고 나서, 20초동안 3000rpm 두께 스핀(thickness spin)을 하고, 80℃ 및 180℃에서 각각 1분간 구웠다. N&K Technology Model 1200 분석기로 광학적 성질들을 측정하였다. 광학적 성질들은 상기에서 제시된 각각의 A-F 용액들에 따라간다:The two solutions prepared were combined and a pH adjuster, APTEOS, was added to six separate solutions of 650 g of combined material starting at about pH 1.7. APTEOS was added in the following amounts and showed the following pH: a) 1.49 g (pH = 8.07); b) 0.26 g (pH = 7.12); c) 0.1 g (pH = 8.07); d) 0.06 g (pH = 5.50); e) 0.03 g (pH = 2.49) and f) 0 g (pH = 1.76). The solution was then dispensed, followed by a 3000 rpm thick spin for 20 seconds and baked at 80 ° C. and 180 ° C. for 1 minute, respectively. Optical properties were measured with an N & K Technology Model 1200 analyzer. Optical properties depend on the respective A-F solutions presented above:

a)두께=1686Å; k=0.297; n=1.802; 엣칭비=9.33a) thickness = 1686 mm 3; k = 0.297; n = 1.802; Etching Ratio = 9.33

b)두께=1332Å; k=0.295; n=1.802; 엣칭비=8.5b) thickness = 1332 mm 3; k = 0.295; n = 1.802; Etching ratio = 8.5

c)두께=1298Å; k=0.294; n=1.802; 엣칭비=8.316c) thickness = 1298 mm 3; k = 0.294; n = 1.802; Etching Ratio = 8.316

d)두께=1292Å; k=0.293; n=1.802; 엣칭비=8.17d) thickness = 1292 mm 3; k = 0.293; n = 1.802; Etching Ratio = 8.17

e)두께=1304.9Å; k=0.292; n=1.802; 엣칭비=8.01e) thickness = 1304.9 kPa; k = 0.292; n = 1.802; Etching ratio = 8.01

f)두께=1263.9Å; k=0.289; n=1.802; 엣칭비=7.83f) thickness = 1263.9 mm 3; k = 0.289; n = 1.802; Etching Ratio = 7.83

실시예 22-45Example 22-45

매트릭스에 따라 다음의 실행들을 하였다.The following actions were taken according to the matrix.

1리터 플라스크에, PGMEA [356 내지 89]g, EtOH [356 내지 89]g, 0.1M 질산 5.608g 및 이온수 66.89g을 조합하였다. 그런 후 TEOS [140 내지 0]g, MTEOS [19 내지 0]g 및 PTEOS [52 내지 0]g을 첨가하였다. 1 내지 12시간동안 플라스크를 환류시키고 또는 가열시켰다. 용액에 대해, TEOS [140 내지 0]g, MTEOS [52 내지 0]g 및 PTEOS [52 내지 0]g을 첨가하였다. 1 내지 12시간동안 플라스크를 환류시키고 또는 가열시켰다. 용액을 요망하는 두께로 희석시킨 후 분석하였다.In a 1 liter flask, PGMEA [356-89] g, EtOH [356-89] g, 5.608g 0.1M nitric acid and 66.89g ionized water were combined. Then TEOS [140-0] g, MTEOS [19-0] g and PTEOS [52-0] g were added. The flask was refluxed or heated for 1-12 h. For the solution, TEOS [140 to 0] g, MTEOS [52 to 0] g and PTEOS [52 to 0] g were added. The flask was refluxed or heated for 1-12 h. The solution was diluted to the desired thickness and analyzed.

실시예 46Example 46

극저 k 유전성(유전상수가 약 3 미만)을 통한 비아 제 1 구리 이중상감(via first copper dual damascene) 패터닝은 매우 어렵다. 주요 문제는 이들 극저 k 유전체로부터 선택적인 희생 충진재의 제거이다. 선행 작업은 유전층이 Si-O 기반인 경우 Si-O 충진재(UV, 흡수 또는 투명 충진재)가 최적의 재료 플랫폼임을 보였다. 제거 선택도를 향상시키기 위해, 본 명세서에서 상술한 바와 같은 재료 개질제의 첨가를 통하여 충진재를 화학적으로 더 약하게 하였다. 그러나, Si-O 충진재는 균형을 이루는 것이 필수적이므로 2.5% TMAH 기반의 포토레지스트 현상제에 대한 저항성, 포토레지스트 또는, Si-O 충진재가 투명하다면, 흡수 조성물을 포함하는 용매에 대한 저항성을 보이고, 동시에 극저 k 유전체, 코팅 및/또는 필름에 대한 큰 선택 스트립을 보인다.Patterning via first copper dual damascene through extremely low k dielectrics (dielectric constant less than about 3) is very difficult. The main problem is the removal of selective sacrificial fillers from these very low k dielectrics. Prior work has shown that Si-O fillers (UV, absorbing or transparent fillers) are the optimal material platform when the dielectric layer is Si-O based. To improve the removal selectivity, the fillers were chemically weaker through the addition of material modifiers as described herein above. However, it is essential that the Si-O fillers are balanced, thus showing resistance to 2.5% TMAH based photoresist developers, if the photoresist or Si-O fillers are transparent, resistance to solvents comprising the absorbent composition, At the same time it shows a large selection strip for very low k dielectrics, coatings and / or films.

이 문제를 해결하기 위해, 포토레지스트는 직접 Si-O 재료에 패턴될 수 있다. 패턴가능하도록, 충진재는 2.5% 포토레지스트 현상제 및 ArF, KrF 및 포토레지스트의 다른 형태를 포함하는 용매에 대한 저항성이 있어야 한다. 그런 후 흡수 조성물층이 화학적으로 Si-O계열 충진재의 상단에 도포되어야 한다. 놀랍게도, 저항성은 비수용성 용매(이 경우 PGMEA)에 유지될 수 있는 반면에 동시에 표준 포토레지스트 현상제(물에서의 2.5% TMAH)에 의하여 완전히 제거되게 한다. 이러한 화학적 저항성에서의 대조는 유기 흡수 조성물층이 극히 약한 Si-O 필름상에 코팅되어야함을 의미한다. 그런 후 포토레지스트 패터닝이 Si-O 층이 아니라 유기 흡수조성물층상에 나타나게 된다. Si-O는 가벼운 2.5% TMAH 용액에서 급격히 제거될 수 있으므로, 다른 플루오라이드 및 더 적극적인 알카라인 화학(alkaline chemistries)에서 급격히 제거될 수 있다. 이러한 스트립율(strip rate)에서의 증가는 요구되어지는 극저 k 필름에 대한 선택도를 제공한다.To solve this problem, the photoresist can be patterned directly on the Si-O material. To be patternable, the filler must be resistant to solvents including 2.5% photoresist developer and other forms of ArF, KrF and photoresist. The absorbent composition layer must then be chemically applied on top of the Si-O based filler. Surprisingly, the resistance can be maintained in a non-aqueous solvent (PGMEA in this case) while at the same time allowing it to be completely removed by a standard photoresist developer (2.5% TMAH in water). A contrast in this chemical resistance means that the organic absorbent composition layer should be coated on an extremely weak Si-O film. Photoresist patterning then appears on the organic absorbent composition layer rather than the Si-O layer. Si-O can be removed abruptly in light 2.5% TMAH solutions and therefore abruptly in other fluorides and in more aggressive alkaline chemistries. This increase in strip rate provides the selectivity for the very low k film that is required.

Si-O계열의 오르가노-실록산 용액(이 경우 248㎚ 흡수 조성물을 사용함)에 대해, 폴리에틸렌 옥사이드 포로젠을 첨가하였다(수행된 연구에서는 2.2%의 폴리에틸렌 옥사이드를 사용하였다). 필름들을 비아(vias)를 포함하는(제1 구리 이중상감 패턴을 통하여) 웨이퍼상에 올리고, 약 250 내지 275℃ 온도로 구웠다. 데이터는 "다공성" 248㎚ 흡수 조성물 필름이 이러한 굽기 온도에서 PGMEA에 저항함을 나타낸다. 또한, 이는 (170 내지 220℃의 어디에서든지) 상기 흡수 조성물/무반사 공정에 의하여 요구되는 굽기온도보다 75℃ 위이다. 다음으로 유기 흡수 조성물/무반사 필름을 코팅하고 Si-O층의 상단에서 구웠다. 더 얇은 유기 흡수 조성물/무반사층은 비아필이 Si-O계열 층에 의하여 처리됨에 따라 사용될 수 있다. 더 얇은 유기 흡수 조성물/무반사층은 Si-O 및 극저 k층을 통하여 또는 내로 포토레지스트의 패턴 전달을 용이하게 한다. 또한, Si-O층은 현재 너무 약하기 때문에 평탄도를 향상시키기 위해 충분한 두께로 코팅될 수 있다. 또한 Si-O층은 패터닝 파장에서 흡수될 수 있음로 더 이상 유기 흡수 조성물/무반사에 대한 두께 제약을 두지 않는다. 유기 흡수 조성물/무반사층은 순전히 약한 Si-O 필름에 대한 캡(cap)으로서 작용하도록 충분히 얇게 만들어질 수 있다. 유기 흡수 조성물/무반사를 얇게 만드는 것은 아래의 유전체에서의 저항에서 이미지된 패턴을 플라즈마 엣칭의 사용을 통하여 정확하게 전달할 수 있는 능력을 더 향상시킨다. For the organo-siloxane solution of the Si-O series (in this case using a 248 nm absorbent composition), polyethylene oxide porogen was added (2.2% polyethylene oxide was used in the study performed). The films were placed on a wafer containing vias (via a first copper double damascene pattern) and baked at a temperature of about 250-275 ° C. The data show that the “porous” 248 nm absorbent composition film resists PGMEA at this baking temperature. It is also 75 ° C. above the baking temperature required by the absorbent composition / antireflective process (anywhere from 170 to 220 ° C.). The organic absorbent composition / antireflective film was then coated and baked at the top of the Si-O layer. Thinner organic absorbent compositions / antireflective layers may be used as the viafill is treated by the Si—O based layer. Thinner organic absorbent compositions / reflective layers facilitate pattern transfer of photoresist through or into the Si-O and very low k layers. In addition, the Si-O layer is currently too weak to be coated with a sufficient thickness to improve flatness. In addition, the Si-O layer can be absorbed at the patterning wavelength and thus no longer places thickness constraints on the organic absorbent composition / antireflection. The organic absorbent composition / antireflective layer can be made thin enough to act as a cap for a purely weak Si-O film. Thinning the organic absorbent composition / antireflection further enhances the ability to accurately transfer the imaged pattern at the resistance in the dielectric below through the use of plasma etching.

그런 후 포토레지스트를 증착시키고 나서 유기 흡수 조성물/무반사층상에 트랜치(trench) 패턴시켰다. 그런 후 트랜치 패턴을 유기 흡수 조성물/무반사층, Si-O층을 통하여 극저 k 층에 엣칭시켰다. 엣칭이 완료된 후 나머지 포토레지스트를 제거하였고 유기 흡수 조성물/무반사를 제거한 후에, 나머지 Si-O층을 제거하였다. 이제 트랜치-비아 패턴을 형성하고 금속입힘(metallizaiton)을 준비한다.The photoresist was then deposited and trenched onto the organic absorbent composition / antireflective layer. The trench pattern was then etched in the very low k layer through the organic absorbent composition / antireflective layer, Si-O layer. After etching was complete the remaining photoresist was removed and after removing the organic absorbent composition / antireflection, the remaining Si-O layers were removed. Now form a trench-via pattern and prepare a metallizaiton.

요약하면, 다공성 필름은 너무 낮은 온도에서 구워지므로 포로젠이 빼내어 지지 않는다. 2.3% TMAH에 노출시에 완전히 제거되는 Si-O 무반사 코팅필름내의 포로젠 도관들을 뒤로 남겨둔다. 그러나 PRMEA 노출시에는 어떠한 일도 발생하지 않는다.In summary, the porous film is baked at too low a temperature so no porogen is drawn out. Leave porogen conduits in the Si-O antireflective coating film completely removed upon exposure to 2.3% TMAH. But nothing happens with PRMEA exposure.

따라서, 흡수화합물을 포함하고 적어도 하나의 포로젠과 같은 적어도 하나의 재료 개질제, 적어도 하나의 높은 끓는 점을 갖는 용매(high boiling solvent), 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 캡핑제(capping agent), 적어도 하나의 레벨링제(leveling agent), 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 pH 조절제(tuning point), 및/또는 그 조합을 포함하는 무기계열의 재료, 스핀온 재료, 스핀온 무기재료 및 스핀온 유리재료를 제조하기 위한 특정 실시예 및 조성물들의 응용 및 방법들을 개시하였다. 그러나, 이미 기술한 방법들이외에도 더 많은 변형들이 본 명세서에서의 본 발명의 개념을 벗어남이 없이 가능함을 당업자들에게는 명백해진다. 따라서, 본 발명의 주제는 특허청구범위의 기술사상을 제외하고는 제한되지 않는다. 또한, 명세서와 청구의 범위 모두의 해석에서, 모든 용어들은 문맥과 일치하게 가능한 광범위한 방식으로 해석되어야 한다. 특히, 용어 "포함하다" 및 "포함하는"은 기준 요소, 성분 또는 단계들이 명백하게 인용되지 않은 다른 요소, 성분 또는 단계들과 있거나, 이용되거나 조합될 수 있음을 나타내는 비배타적인 식으로 기준 요소, 성분, 또는 단계를 언급하는 것으로 해석되어야 한다. Thus, at least one material modifier, such as at least one porogen, an absorbent compound, at least one high boiling solvent, at least one catalyst, at least one substituted solvent, at least one cap Inorganic materials, spin-on materials, spins, including a pping agent, at least one leveling agent, at least one adhesion enhancer, at least one pH tuning point, and / or combinations thereof Disclosed are applications and methods of specific examples and compositions for making warm inorganic materials and spin-on glass materials. However, it will be apparent to those skilled in the art that more modifications in addition to the methods already described are possible without departing from the inventive concept herein. Accordingly, the subject matter of the invention is not limited except as by the technical spirit of the claims. Also, in the interpretation of both the specification and the claims, all terms should be interpreted in the broadest possible manner consistent with the context. In particular, the terms “comprises” and “comprising” refer to reference elements, in a non-exclusive manner, indicating that the reference element, component or steps may be used, used or combined with other elements, components or steps that are not explicitly recited. It should be interpreted to refer to a component, or step.

[표 1]TABLE 1

[표 2]TABLE 2

[표 3]TABLE 3

[표 4-1]Table 4-1

[표 4-2]Table 4-2

[표 5]TABLE 5

[표 6]TABLE 6

[표 7]TABLE 7

본 발명의 내용 중에 포함되어 있음Included in the context of the present invention

Claims (101)

적어도 하나의 무기계 화합물, 적어도 하나의 혼합가능한 흡수 화합물 및 적어도 하나의 물질 변형제를 포함하는 흡수 조성물.An absorbent composition comprising at least one inorganic compound, at least one mixable absorbent compound and at least one substance modifier. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 물질 변형제가 적어도 하나의 포로젠(porogen), 적어도 하나의 고 비등 용매, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 캡핑제(capping agent), 적어도 하나의 레벨링제(leveling agent), 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 접착 향상제 또는 이의 조합을 포함하는 흡수 조성물.The method of claim 1, wherein the at least one substance modifier comprises at least one porogen, at least one high boiling solvent, at least one catalyst, at least one capping agent, at least one leveling agent. agent), at least one substitution solvent, at least one pH adjusting agent, at least one adhesion promoter or combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 혼합가능한 흡수 화합물이 유기 화합물인 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 1 wherein the blendable absorbent compound is an organic compound. 제 1 항에 있어서, 흡수 조성물이 375nm 이하의 파장에서 적어도 대략 0.5nm 넓이 파장에 대해 빛을 강하게 흡수하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 1, wherein the absorbent composition strongly absorbs light for at least approximately 0.5 nm wide wavelength at wavelengths of 375 nm or less. 제 1 항에 있어서, 흡수 조성물이 375nm 이하의 파장에서 적어도 대략 10nm 광파장 범위에 걸쳐 빛을 강하게 흡수하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 1, wherein the absorbent composition strongly absorbs light over at least approximately 10 nm light wavelength range at wavelengths of 375 nm or less. 제 4 항에 있어서, 상기 범위가 약 260nm 이하의 파장을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 4, wherein the range comprises a wavelength of about 260 nm or less. 제 1 항에 있어서, 흡수 조성물이 적어도 하나의 벤젠 고리 및 하이드록실 그룹, 아민 그룹, 카복실산 그룹 및 치환된 실릴 그룹을 포함하는 그룹으로부터 선택된 반응성 그룹을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 1, wherein the absorbent composition comprises at least one benzene ring and a reactive group selected from the group comprising hydroxyl groups, amine groups, carboxylic acid groups and substituted silyl groups. 제 7 항에 있어서, 흡수 조성물이 두 개 이상의 벤젠 고리를 갖는 흡수 조성물.8. The absorbent composition of claim 7, wherein the absorbent composition has at least two benzene rings. 제 8 항에 있어서, 두 개 이상의 벤젠 고리가 융합된 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 8 wherein two or more benzene rings are fused. 제 7 항에 있어서, 유기 흡수 조성물이 안트라플라빅산(anthraflavic acid), 9-안트라센 카복실산, 9-안트라센 메탄올, 알리자린, 키니자린, 프리뮬린, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실릴프록시)-디페닐케톤, 로졸산, 트리에톡시실릴프로필-1,8-나프탈이미드, 9-안트라센 카복시-알킬 트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 10-페난트렌 카복시-메틸 트리에톡시실란, 4-페닐아조페놀, 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카복시-메틸 트리에톡시실란, 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카복시-메틸 트리에톡시실란 또는 이의 혼합물을 포함하는 흡수 화합물을 포함하는 흡수 조성물.8. The composition of claim 7, wherein the organic absorbent composition is anthracflavic acid, 9-anthracene carboxylic acid, 9-anthracene methanol, alizarin, kinizarin, primline, 2-hydroxy-4 (3-triethoxysilylproxy ) -Diphenyl ketone, rosolic acid, triethoxysilylpropyl-1,8-naphthalimide, 9-anthracene carboxy-alkyl triethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 10-phenanthrene carboxy-methyl trie Absorption compound comprising methoxysilane, 4-phenylazophenol, 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane, 4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane or mixtures thereof Absorption composition comprising a. 제 1 항에 있어서, 무기 화합물이 실리콘계 화합물을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 1, wherein the inorganic compound comprises a silicone compound. 제 11 항에 있어서, 실리콘계 화합물이 폴리머를 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 11, wherein the silicone-based compound comprises a polymer. 제 12 항에 있어서, 폴리머가 메틸실록산, 메틸실세스큐옥산, 페닐실록산, 페닐실세스큐옥산, 아크릴 실록산 폴리머, 메틸페닐실록산, 메틸페닐실세스큐옥산, 규산염 폴리머, 실라잔 폴리머 또는 이의 혼합물과 같은 유기 실록산을 포함하는 흡수 조성물.13. The polymer of claim 12 wherein the polymer is an organic siloxane such as methylsiloxane, methylsilsescuoxane, phenylsiloxane, phenylsilsescuoxane, acrylic siloxane polymer, methylphenylsiloxane, methylphenylsilsescuoxane, silicate polymer, silazane polymer or mixtures thereof. Absorption composition comprising. 제 12 항에 있어서, 폴리머는 하이드로겐실록산, 하이드록겐실세스큐옥산, 오가노하이드리도실록산, 실세스큐옥산계 화합물, 실세스산 및 오가노하이드리도실세스큐옥산 폴리머의 유도체; 하이드록겐실세스큐옥산 및 알콕시하이드로도실록산의 코폴리머, 하이드록시하이드리도실록산, 실레실산의 유도체 또는 이의 혼합물을 포함하는 흡수 조성물.13. The polymer of claim 12 wherein the polymer is selected from the group consisting of hydrogensiloxane, hydroxylsilsescuoxane, organohydridosiloxane, silsescuoxane-based compounds, silsesic acid and organohydridosilsescuoxane polymer derivatives; An absorbent composition comprising a copolymer of hydroxylsilsescuoxane and alkoxyhydrodosiloxane, hydroxyhydridosiloxane, derivatives of silicylic acid, or mixtures thereof. 제 12 항에 있어서, 폴리머가 (H_0-1.0SiO_1.5-2.0)_x를 포함하며 x가 약 4보다 크고, (H_0-1.0SiO_1.5-2.0)n(R_0-1.0SiO_1.5-2.0)m를 포함하며 m이 0보다 크고, n과 m이 약 4부터 약 5000이고 R이 C1-C20 알킬 그룹 또는 C6-C12 아릴 그룹인 흡수 조성물.The method of claim 12, wherein the polymer comprises (H _0-1.0 SiO _1.5-2.0 ) _x and x is greater than about 4 and (H _0-1.0 SiO _1.5-2.0 ) n (R _0-1.0 SiO _1.5-2.0 ) An absorbent composition comprising m and wherein m is greater than 0, n and m are from about 4 to about 5000 and R is a C1-C20 alkyl group or a C6-C12 aryl group. 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 pH 조절제가 물을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2 wherein the at least one pH adjusting agent comprises water. 제 2 항에 있어서,적어도 하나의 pH 조절제가 염기를 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2, wherein at least one pH adjusting agent comprises a base. 제 17 항에 있어서,적어도 하나의 염기가 아민을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 17, wherein at least one base comprises an amine. 제 18 항에 있어서,아민이 아민계 올리고머를 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 18, wherein the amine comprises an amine oligomer. 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 pH 조절제가 산을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2, wherein the at least one pH adjusting agent comprises an acid. 제 2 항에 있어서,적어도 하나의 고비등 용매가 글리세롤을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2, wherein the at least one high boiling solvent comprises glycerol. 제 2 항에 있어서,적어도 하나의 고비등 용매가 카비톨을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2, wherein the at least one high boiling solvent comprises carbitol. 제 2 항에 있어서,적어도 하나의 고비등 용매가 디프로필렌 글리콜(DPG)을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2, wherein the at least one high boiling solvent comprises dipropylene glycol (DPG). 제 2 항에 있어서,적어도 하나의 치환 용매가 아이소프로필알콜, 에탄올, PGMEA 또는 2-헵타논을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2, wherein at least one substitution solvent comprises isopropyl alcohol, ethanol, PGMEA or 2-heptanone. 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 촉매가 약산을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2 wherein the at least one catalyst comprises a weak acid. 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 접착 향상제가 수지계 물질을 포함하는 유기 조성물.The organic composition of claim 2, wherein the at least one adhesion promoter comprises a resinous material. 제 26 항에 있어서, 수지계 물질이 적어도 하나의 페놀 함유 수지, 노볼락 수지, 유기 아크릴레이트 수지 또는 스티렌 수지를 포함하는 흡수 조성물.27. The absorbent composition of claim 26, wherein the resinous material comprises at least one phenol containing resin, novolak resin, organic acrylate resin or styrene resin. 제 2 항에 있어서, 접착 향상제가 폴리디메틸실록산계 물질, 에톡시 또는 하이드록시-함유 실란 모노머, 비닐-함유 실란 모노머, 아크릴화된 실란 모노머 또는 실릴 하이드라이드 화합물을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2 wherein the adhesion promoter comprises a polydimethylsiloxane based material, an ethoxy or hydroxy-containing silane monomer, a vinyl-containing silane monomer, an acrylated silane monomer or a silyl hydride compound. 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 캡핑제(capping agent)가 종결 모노머를 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2, wherein the at least one capping agent comprises a terminating monomer. 제 29 항에 있어서, 종결 모노머가 실란 화합물을 포함하는 흡수 조성물.30. The absorbent composition of claim 29, wherein the terminating monomer comprises a silane compound. 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 포로젠이 유기 화합물을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2 wherein at least one porogen comprises an organic compound. 제 31 항에 있어서, 유기 화합물이 폴리머를 포함하는 흡수 조성물.32. The absorbent composition of claim 31, wherein the organic compound comprises a polymer. 제 32 항에 있어서, 폴리머가 폴리(에틸렌 옥사이드)를 포함하는 흡수 조성물.33. The absorbent composition of claim 32, wherein the polymer comprises poly (ethylene oxide). 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 포로젠이 촉매를 더 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 2 wherein the at least one porogen further comprises a catalyst. 제 34 항에 있어서, 촉매가 TMAA를 더 포함하는 흡수 조성물.35. The absorbent composition of claim 34, wherein the catalyst further comprises TMAA. 제 1 항의 조성물 및 추가 용매 또는 용매 혼합물을 포함하는 코팅 용액.A coating solution comprising the composition of claim 1 and an additional solvent or solvent mixture. 제 36 항에 있어서, 용액이 약 0.5중량% 내지 20중량%의 흡수 물질인 코팅 용액.37. The coating solution of claim 36, wherein the solution is about 0.5% to 20% by weight absorbent material. 반응 혼합물을 형성하기 위하여 적어도 하나의 무기성 화합물, 적어도 하나의 혼합가능한 흡수 화합물, 적어도 하나의 물질 변형제, 산/물 혼합물 및 하나 이상의 용매를 혼합하는 단계; 및Mixing at least one inorganic compound, at least one mixable absorbent compound, at least one substance modifier, an acid / water mixture and one or more solvents to form a reaction mixture; And 실온에서 흡수 조성물이 흡수 조성물을 형성하게 하는 단계를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.Allowing the absorbent composition to form the absorbent composition at room temperature. 제 38 항에 있어서, 물질 변형제가 적어도 하나의 포로젠, 적어도 하나의 고비등 용매, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 pH 조절제 또는 이의 조합을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.The method of claim 38, wherein the material modifier comprises at least one porogen, at least one high boiling solvent, at least one catalyst, at least one substitution solvent, at least one capping agent, at least one leveling agent, at least one adhesion enhancer. , At least one pH adjusting agent or combination thereof. 반응 혼합물을 형성하기 위하여 적어도 하나의 유기성 화합물, 적어도 하나의 혼합가능한 흡수 화합물, 적어도 하나의 물질 변형제, 산/물 혼합물 및 하나 이상의 용매를 혼합하는 단계; 및Mixing at least one organic compound, at least one mixable absorbent compound, at least one substance modifier, an acid / water mixture and one or more solvents to form a reaction mixture; And 흡수 조성물을 형성하기 위해 반응 혼합물을 형성하는 단계를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.Forming a reaction mixture to form the absorbent composition. 제 40 항에 있어서, 물질 변형제가 적어도 하나의 포로젠, 적어도 하나의 고비등 용매, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 pH 조절제 또는 이의 조합을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.41. The method of claim 40 wherein the material modifier comprises at least one porogen, at least one high boiling solvent, at least one catalyst, at least one substitution solvent, at least one capping agent, at least one leveling agent, at least one adhesion enhancer. , At least one pH adjusting agent or combination thereof. 반응 혼합물을 형성하기 위하여 적어도 하나의 무기성 화합물, 적어도 하나의 혼합가능한 흡수 화합물, 적어도 하나의 산 및 물을 포함하는 적어도 하나의 물질 변형제, 산/물 혼합물 및 하나 이상의 용매를 혼합하는 단계; 및Mixing at least one inorganic compound, at least one mixable absorbent compound, at least one substance modifier comprising at least one acid and water, an acid / water mixture and one or more solvents to form a reaction mixture; And 흡수 물질, 코팅제 또는 필름을 형성하기 위하여 반응 혼합물을 가열하는 단계를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.A method of making an absorbent composition comprising heating the reaction mixture to form an absorbent material, coating or film. 제 42 항에 있어서, 물질 변형제가 적어도 하나의 포로젠, 적어도 하나의 고비등 용매, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 pH 조절제 또는 이의 조합을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.43. The method of claim 42 wherein the material modifier comprises at least one porogen, at least one high boiling solvent, at least one catalyst, at least one substitution solvent, at least one capping agent, at least one leveling agent, at least one adhesion enhancer. , At least one pH adjusting agent or combination thereof. 반응 혼합물을 형성하기 위하여 적어도 하나의 무기성 화합물, 적어도 하나의 혼합가능한 흡수 화합물, 적어도 하나의 산 및 물을 포함하는 적어도 하나의 물질 변형제, 산/물 혼합물 및 하나 이상의 용매를 혼합하는 단계; 및Mixing at least one inorganic compound, at least one mixable absorbent compound, at least one substance modifier comprising at least one acid and water, an acid / water mixture and one or more solvents to form a reaction mixture; And 흡수 물질, 코팅제 또는 필름을 형성하기 위하여 반응 혼합물을 형성하게 하는 단계를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.And forming a reaction mixture to form an absorbent material, coating or film. 제 44 항에 있어서, 물질 변형제가 적어도 하나의 포로젠, 적어도 하나의 고비등 용매, 적어도 하나의 촉매, 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 pH 조절제 또는 이의 조합을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.45. The method of claim 44, wherein the material modifier comprises at least one porogen, at least one high boiling solvent, at least one catalyst, at least one substitution solvent, at least one capping agent, at least one leveling agent, at least one adhesion enhancer. , At least one pH adjusting agent or combination thereof. 제 38 항, 제 40 항, 제 42 항 또는 제 44 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 38, 40, 42 or 44, 적어도 하나의 흡수 화합물이 적어도 하나의 벤젠 고리 및 하이드록시 그룹, 아민 그룹, 카르복실산 그룹 또는 치환된 실릴 그룹을 포함하고 실리콘 원자가 알콕시 그룹, 아세톡시 그룹 또는 할로겐 원자를 포함하는 흡수 화합물 상에 적어도 하나의 치환체에 결합되는 흡수 조성물 제조 방법.At least one absorbent compound comprises at least one benzene ring and at least one absorbent compound comprising a hydroxy group, an amine group, a carboxylic acid group or a substituted silyl group and the silicon atom comprising an alkoxy group, an acetoxy group or a halogen atom A process for preparing an absorbent composition that is bonded to one substituent. 제 38 항, 제 40 항, 제 42 항 또는 제 44 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 38, 40, 42 or 44, 적어도 하나의 흡수 화합물이 안트라플라브산, 9-안트라센 카복실신, 9-안트라센 메탄올, 알리자린, 키니자린, 프리물린, 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실릴프로폭시)-디페닐케톤, 로졸산, 트리에톡시실릴프로필-1,8-나프탈이미드, 9-안트라센 카복시-알킬 트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 10-페난트렌 카복시-메틸 트리에톡시실란, 4-페닐아조페놀, 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카복시-메틸 트리에톡시실란, 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카복시-메틸 트리에톡시실란 또는 이의 혼합물을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.At least one absorbent compound is selected from anthraclavic acid, 9-anthracene carboxycin, 9-anthracene methanol, alizarin, kinizarine, primoline, 2-hydroxy-4 (3-triethoxysilylpropoxy) -diphenylketone, Rosolic acid, triethoxysilylpropyl-1,8-naphthalimide, 9-anthracene carboxy-alkyl triethoxysilane, phenyltriethoxysilane, 10-phenanthrene carboxy-methyl triethoxysilane, 4-phenyl A process for preparing an absorbent composition comprising azophenol, 4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane, 4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane, or mixtures thereof. 제 38 항, 제 40 항, 제 42 항 또는 제 44 항에 있어서,The method of claim 38, 40, 42 or 44, 적어도 하나의 무기계 화합물이 트리에톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 테트라메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 테트라메틸옥시실란, 메틸트리메톡시실란, 트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 트리클로로실란, 메틸트리클로로실란, 에틸트리클로로실란, 페닐트리클로로실란, 테트라클로로실란, 클로로트리에톡시실란, 클로로트리메톡시실란, 클로로메틸트리메톡시실란, 클로로에틸트리메틸실란, 클로로페닐트리메톡시실란, 테트라아세톡시실란, 메틸트리아세톡시실란, 페닐트리아세톡시실란, 디페닐디아세톡시실란 또는 디메틸디아세톡시실란을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.At least one inorganic compound is triethoxysilane, tetraethoxysilane, methyltriethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, tetramethoxysilane, methyltrimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, tetramethyloxysilane, methyltri Methoxysilane, trimethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, trichlorosilane, methyltrichlorosilane, ethyltrichloro Silane, phenyltrichlorosilane, tetrachlorosilane, chlorotriethoxysilane, chlorotrimethoxysilane, chloromethyltrimethoxysilane, chloroethyltrimethylsilane, chlorophenyltrimethoxysilane, tetraacetoxysilane, methyltriace A process for producing an absorbent composition comprising oxysilane, phenyltriacetoxysilane, diphenyldiacetoxysilane or dimethyldiacetoxysilane. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 41, 43 or 45, 적어도 하나의 pH 조절제가 물을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.A method of making an absorbent composition, wherein at least one pH adjuster comprises water. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 41, 43 or 45, 적어도 하나의 pH 조절제가 염기를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.A method of making an absorbent composition, wherein at least one pH adjuster comprises a base. 제 50 항에 있어서, 적어도 하나의 염기가 아민을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.51. The method of claim 50, wherein the at least one base comprises an amine. 제 51 항에 있어서, 아민이 아민계 올리고머를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.The method of claim 51, wherein the amine comprises an amine oligomer. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 41, 43 or 45, 적어도 하나의 pH 조절제가 산을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.A process for preparing an absorbent composition wherein at least one pH adjuster comprises an acid. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 고비등 용매가 글리세롤을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The method of claim 41, 43 or 45, wherein the at least one high boiling solvent comprises glycerol. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 고비등 용매가 카비톨을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The method of any of claims 41, 43 or 45, wherein the at least one high boiling solvent comprises carbitol. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 고비등 용매가 디프로필렌 글리콜(DPG)을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The process of claim 41, 43 or 45 wherein at least one high boiling solvent comprises dipropylene glycol (DPG). 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 치환 용매가 아이소프로필알콜, 에탄올, PGMEA 또는 2-헵타논을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The process of claim 41, 43 or 45 wherein at least one substitution solvent comprises isopropyl alcohol, ethanol, PGMEA or 2-heptanone. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 촉매가 약산을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The process of any of claims 41, 43 or 45 wherein at least one catalyst comprises a weak acid. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 접착 향상제가 노볼락 수지를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The method of claim 41, 43 or 45 wherein at least one adhesion enhancer comprises a novolak resin. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 접착 향상제가 수지계 물질을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The method of claim 41, 43 or 45 wherein at least one adhesion enhancer comprises a resinous material. 제 60 항에 있어서, 수지계 물질이 적어도 하나의 페놀 함유 수지, 노볼락 수지, 유기 아크릴레이트 수지 또는 스티렌 수지를 포함하는 흡수조성물 제조방법.61. The method of claim 60 wherein the resinous material comprises at least one phenol containing resin, novolak resin, organic acrylate resin or styrene resin. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 접착 향상제가 폴리디메틸실록산계 물질, 에톡시, 메톡시, 아세톡시 또는 하이드록시-함유 실란 모노머, 비닐-함유 실란 모노머, 아크릴화된 실란 모노머 또는 실릴 하이드라이드 화합물을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The method of claim 41, 43 or 45, wherein the adhesion promoter is a polydimethylsiloxane based material, ethoxy, methoxy, acetoxy or hydroxy-containing silane monomer, vinyl-containing silane monomer, acrylated. A process for producing an absorbent composition comprising a silane monomer or a silyl hydride compound. 제 58 항에 있어서, 종결 모노머가 실란 화합물을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.59. The method of claim 58, wherein the terminating monomer comprises a silane compound. 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 포로젠이 유기 화합물을 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The method of any of claims 41, 43 or 45, wherein at least one porogen comprises an organic compound. 제 64 항에 있어서, 유기 화합물이 폴리머를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.65. The method of claim 64, wherein the organic compound comprises a polymer. 제 65 항에 있어서, 폴리머가 폴리(에틸렌 옥사이드)를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.66. The method of claim 65 wherein the polymer comprises poly (ethylene oxide). 제 41 항, 제 43 항 또는 제 45 항 중 어느 한 항에 있어서, 적어도 하나의 포로젠이 촉매를 더 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.46. The method of any of claims 41, 43 or 45, wherein at least one porogen further comprises a catalyst. 제 67 항에 있어서, 촉매가 TMAA를 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.68. The method of claim 67, wherein the catalyst comprises TMAA. 반응 혼합물을 형성하기 위하여 적어도 하나의 알콕시실란 또는 홀로실란 또는 아세톡시실란, 적어도 하나의 혼합 가능한 흡수 화합물, 적어도 하나의 포로젠, 적어도 하나의 고비등 용매, 적어도 하나의 촉매; 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 pH 조절제 또는 이의 조합; 산 및 물 혼합물; 및 하나 이상의 용매를 혼합하는 단계; 및At least one alkoxysilane or holosilane or acetoxysilane, at least one adsorbable compound, at least one porogen, at least one high boiling solvent, at least one catalyst to form a reaction mixture; At least one substitution solvent, at least one capping agent, at least one adhesion promoter, at least one pH regulator, at least one pH regulator or a combination thereof; Acid and water mixtures; And mixing at least one solvent; And 코팅 용액을 형성하기 위하여 혼합물을 발열 반응으로 실온에서 반응하게 하는 단계를 포함하여 흡수 물질을 함유하는 코팅 용액 제조 방법.A process for preparing a coating solution containing an absorbent material, comprising reacting the mixture at room temperature in an exothermic reaction to form a coating solution. 반응 혼합물을 형성하기 위하여 적어도 하나의 알콕시실란 또는 홀로실란 또는 아세톡시실란, 적어도 하나의 혼합 가능한 흡수 화합물, 적어도 하나의 포로젠, 적어도 하나의 고비등 용매, 적어도 하나의 촉매; 적어도 하나의 치환 용매, 적어도 하나의 캡핑제, 적어도 하나의 레벨링제, 적어도 하나의 접착 향상제, 적어도 하나의 pH 조절제, 적어도 하나의 pH 조절제 또는 이의 조합; 산 및 물 혼합물; 및 하나 이상의 용매를 혼합하는 단계; 및At least one alkoxysilane or holosilane or acetoxysilane, at least one adsorbable compound, at least one porogen, at least one high boiling solvent, at least one catalyst to form a reaction mixture; At least one substitution solvent, at least one capping agent, at least one leveling agent, at least one adhesion enhancer, at least one pH regulator, at least one pH regulator or a combination thereof; Acid and water mixtures; And mixing at least one solvent; And 코팅 용액을 형성하기 위하여 반응 혼합물을 가열하는 단계를 포함하여 흡수 물질을 함유하는 코팅 용액 제조 방법.A method of making a coating solution containing an absorbent material comprising heating the reaction mixture to form a coating solution. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 pH 조절제가 물을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one pH adjuster comprises water. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 pH 조절제가 염기를 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one pH adjuster comprises a base. 제 72 항에 있어서, 적어도 하나의 염기가 아민을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.73. The method of claim 72, wherein the at least one base comprises an amine. 제 73 항에 있어서, 아민이 아민계 올리고머를 포함하는 코팅 용액 제조 방법.74. The method of claim 73, wherein the amine comprises an amine oligomer. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 pH 조절제가 산을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one pH adjuster comprises an acid. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 고비등 용매가 글리세롤을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one high boiling solvent comprises glycerol. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 고비등 용매가 카비톨을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one high boiling solvent comprises carbitol. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 고비등 용매가 디프로필렌 글리콜(DPG)을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one high boiling solvent comprises dipropylene glycol (DPG). 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 치환 용매가 아이소프로필알콜, 에탄올, PGMEA 또는 2-헵타논을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one substitution solvent comprises isopropyl alcohol, ethanol, PGMEA or 2-heptanone. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 촉매가 약산을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one catalyst comprises a weak acid. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 접착 향상제가 수지계 물질을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one adhesion enhancer comprises a resinous material. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 수지계 물질이 적어도 하나의 페놀 함유 수지, 노볼락 수지, 유기 아크릴레이트 수지 또는 스티렌 수지를 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the resinous material comprises at least one phenol containing resin, novolak resin, organic acrylate resin or styrene resin. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 접착 향상제가 폴리디메틸실록산계 물질, 에톡시 또는 하이드록시-함유 실란 모노머, 비닐-함유 실란 모노머, 아크릴화된 실란 모노머 또는 실릴 하이드라이드 화합물을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The coating solution preparation of claim 69 or 70 wherein the adhesion promoter comprises a polydimethylsiloxane based material, an ethoxy or hydroxy-containing silane monomer, a vinyl-containing silane monomer, an acrylated silane monomer or a silyl hydride compound. Way. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 캡핑제(capping agent)가 종결 모노머를 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein the at least one capping agent comprises a terminating monomer. 제 84 항에 있어서, 종결 모노머가 실란 화합물을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.85. The method of claim 84, wherein the terminating monomer comprises a silane compound. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 포로젠이 유기 화합물을 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, wherein at least one porogen comprises an organic compound. 제 86 항에 있어서, 유기 화합물이 폴리머를 포함하는 코팅 용액 제조 방법.87. The method of claim 86, wherein the organic compound comprises a polymer. 제 87 항에 있어서, 폴리머가 폴리(에틸렌 옥사이드)를 포함하는 코팅 용액 제조 방법.88. The method of claim 87, wherein the polymer comprises poly (ethylene oxide). 제 68 항 또는 제 70 항에 있어서, 적어도 하나의 포로젠이 촉매를 더 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 68 or 70, wherein the at least one porogen further comprises a catalyst. 제 89 항에 있어서, 촉매가 TMAA를 더 포함하는 코팅 용액 제조 방법.90. The method of claim 89, wherein the catalyst further comprises TMAA. 제 69 항 또는 제 70 항에 있어서, 코팅 용액을 제조하기 위해 하나 이상의 희석 용매를 흡수 조성물에 첨가하는 것을 더 포함하는 코팅 용액 제조 방법.71. The method of claim 69 or 70, further comprising adding one or more diluent solvents to the absorbent composition to prepare the coating solution. 저항 물질에 결합된 제 1 항의 흡수 조성물을 포함하는 다층 물질.A multilayer material comprising the absorbent composition of claim 1 bonded to a resistive material. 제 1 항의 흡수 물질을 포함하는 반도체 부품.A semiconductor component comprising the absorbent material of claim 1. 제 1 항의 흡수 조성물을 포함하는 필름.A film comprising the absorbent composition of claim 1. 제 1 항의 흡수 조성물을 포함하는 전자 부품.An electronic component comprising the absorbent composition of claim 1. 제 1 항에 있어서, 흡수 조성물이 적어도 부분적으로 제거되도록 설계되는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 1, wherein the absorbent composition is designed to be at least partially removed. 제 92 항에 있어서, 레지스트 물질이 157nm, 193nm, 248nm 및 365nm를 포함하는 파장의 범위에 걸쳐 빛을 흡수하는 흡수 조성물.93. The absorbent composition of claim 92, wherein the resist material absorbs light over a range of wavelengths including 157 nm, 193 nm, 248 nm, and 365 nm. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 포로젠이 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리(프로필렌 글리콜)디프로필렌 글리콜을 포함하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 1, wherein at least one porogen comprises polyethylene oxide, poly (propylene glycol) dipropylene glycol. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 포로젠이 분자량을 포함하고 무기계 화합물이 매트릭스를 형성하는 흡수 조성물.The absorbent composition of claim 1, wherein at least one porogen comprises a molecular weight and the inorganic compound forms a matrix. 제 99 항에 있어서, 분자량이 매트릭스의 용해도와 혼용가능한 흡수 조성물.107. The absorbent composition of Claim 99, wherein the molecular weight is compatible with the solubility of the matrix. 제 38 항에 있어서, 적어도 하나의 무기계 모노머를 반응 혼합물에 첨가하는 것을 더 포함하는 흡수 조성물 제조 방법.39. The method of claim 38, further comprising adding at least one inorganic monomer to the reaction mixture.