KR20050042257A - A matrix-addressable optoelectronic apparatus and electrode means in the same - Google Patents

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Abstract

In a matrix-addressable optoelectronic apparatus comprising a functional medium in the form of an optoelectronically active material (3) provided in a global layer in sandwich between a first and second electrode means (EMl,EM2) with parallel strip-like electrodes (1; 2) wherein the electrodes (2) of the second electrode means (EM2) are oriented at an angle to the electrodes (1) of the first electrode means (EM2), functional elements (5) are formed in the active material where respective electrodes (1, 2) overlap and correspond to optically active pixels (5) in a display device or pixels (5) in an optical detector, depending upon the active material (3) used. In each of the electrode means (EM1; EM2) the electrodes (1; 2) are provided in a dense parallel configuration and mutually insulated by a thin film (6) with a thickness that is only a fraction of the width of the electrodes. This allows for a fill factor of pixels (5) in the active material (3) approaching unity and a corresponding high degree of pixellation, thus providing either a display with a high surface brightness and high resolution or an optical detector with high sensitivity and high resolution.

Description

매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치 및 동일한 전극수단{A MATRIX-ADDRESSABLE OPTOELECTRONIC APPARATUS AND ELECTRODE MEANS IN THE SAME}A MATRIX-ADDRESSABLE OPTOELECTRONIC APPARATUS AND ELECTRODE MEANS IN THE SAME

본 발명은 평행 스트라이프와 같은 전극들을 각각 가진 제1 및 제2 전극수단 사이에 삽입된 글로벌층에 제공된 광전자 엑티브(active) 재료의 형태의 기능 매체를 포함하는 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치에 관한 것이고, 제2 전극수단의 전극들은 제1 전극수단의 전극들에 임의의 각도로 지향되고, 기능 엘리먼트들은 제1 전극수단의 전극들 및 제2 전극수단의 전극들 사이의 각각의 오버랩에서 형성된 엑티브 재료의 볼륨에서 형성되어 엑티브 재료와 접촉한 전극들을 가진 매트릭스-어드레스 가능한 어레이를 제공하고, 엑티브 재료의 기능 엘리먼트들은 디스플레이 디바이스에서 광-방출, 광-흡수, 반사 또는 편광하는 화소를 형성하기 위해서 상기 엘리먼트들을 형성하는 교차부 전극들에 전압을 인가함으로써, 또는 선택적으로 광 검출기에서 화소를 형성하기 위해서 입사한 광에 의해서, 화소에 교차부 전극들을 통해서 전압 또는 전류를 출력함으로써 활성화될 수 있고, 하나의 경우에 상기 엑티브 재료는 무기 또는 유기 재료로 선택되고 광을 방출, 흡수, 반사 또는 편광하는 의도된 기능에 따라 가능하고, 인가된 전압 또는 전압 또는 전류를 출력에 의해서 활성화되고, 입사한 광에 의해서 자극될 때, 따라서 어느 경우에 화소의 어드레싱은 매트릭스-어드레싱 방법(scheme)에서 발생하고, 전극 세트 중 적어도 하나의 전극들은 투명 또는 반투명의 재료로 만들어진다. The present invention relates to a matrix-addressable optoelectronic device comprising a functional medium in the form of an optoelectronic active material provided in a global layer inserted between first and second electrode means each having electrodes such as parallel stripes, The electrodes of the second electrode means are directed at an angle to the electrodes of the first electrode means, and the functional elements are formed of the active material formed at each overlap between the electrodes of the first electrode means and the electrodes of the second electrode means. A matrix-addressable array having electrodes formed in volume and in contact with the active material, the functional elements of the active material forming the elements to form pixels that emit light, absorb light, reflect, or polarize in the display device. By applying a voltage to the crossing electrodes to form, or optionally in a photo detector The light incident to form the element can be activated by outputting a voltage or current to the pixel through the intersection electrodes, in which case the active material is selected as an inorganic or organic material and emits, absorbs, Depending on the intended function of reflecting or polarizing, and when the applied voltage or voltage or current is activated by the output and stimulated by the incident light, the addressing of the pixel in some cases thus results in a matrix-addressing scheme. And at least one of the electrode sets is made of a transparent or translucent material.

본 발명은 또한 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치를 사용하는 전극수단에 또한 관한 것이고, 이는 평행 스트라이프와 같은 전기 전도체들의 형태의 전극들을 가진 박막 전극층을 포함하고, 상기 전극층은 후면의 절연 표면 위에 제공된다. The invention also relates to electrode means using a matrix-addressable optoelectronic device, which comprises a thin film electrode layer with electrodes in the form of electrical conductors such as parallel stripes, the electrode layer being provided on an insulating surface on the back side.

본 발명은, 특히 평면 어레이에 기능 엘리먼트를 포함하는 장치들 및 디바이스들에 관한 것이고, 상기 기능 엘리먼트들은 전극들의 한 쪽 측면 상에서 기능 엘리먼트들과 접촉하여 배치된 평행 스트라이프와 같은 전극들을 가진 제1 전극 및 유사한 전극들을 가진 또 다른 전극수단 각각을 통해서 어드레스되지만, 그러나 제1 전극수단의 전극들에 수직하게 지향되고 기능 엘리먼트의 대향면과 접촉하여 제공된다. 이는 소위 매트릭스 어드레스 가능한 디바이스를 구성한다. 상기 매트릭스-어드레스 가능한 디바이스들은, 예를 들면 논리 셀들, 메모리 셀들 또는 본 발명의 경우에는 디스플레이 또는 광 검출기의 화소들의 형태의 기능 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 상기 기능 엘리먼트들은 하나 이상의 엑티브 스위칭 수단들을 포함할 수 있고, 그 경우에 매트릭스-어드레스 가능한 디바이스는 엑티브 매트릭스-어드레스 가능한 디바이스로 불리고, 또는 기능 엘리먼트들은 수동 수단, 예를 들면 저항성 또는 용량성 수단만을 포함할 수 있고, 그 경우에 매트릭스-어드레스 가능한 디바이스는 수동 매트릭스-어드레스 가능한 디바이스로 불린다.The present invention relates, in particular, to devices and devices comprising a functional element in a planar array, said functional elements having a first electrode having electrodes such as parallel stripes arranged in contact with the functional elements on one side of the electrodes. And through another electrode means having similar electrodes, but provided perpendicularly to the electrodes of the first electrode means and in contact with the opposing surface of the functional element. This constitutes a so-called matrix addressable device. The matrix-addressable devices may comprise functional elements in the form of, for example, logic cells, memory cells or pixels of a display or photo detector in the case of the present invention. The functional elements may comprise one or more active switching means, in which case the matrix-addressable device is called an active matrix-addressable device, or the functional elements comprise passive means, for example resistive or capacitive means only. And in that case the matrix-addressable device is referred to as a passive matrix-addressable device.

상기 수동 매트릭스-어드레스 가능한 디바이스는 어드레싱의 가장 효율적인 방식을 제공하는 것으로 생각되고, 예를 들면 메모리 디바이스들의 경우에, 스위칭 엘리먼트, 즉 트랜지스터들이 메모리 셀에 요구되지 않는다. 이어. 가능한 한 높은 저장 밀도를 달성하는 것이 바람직하지만, 셀에 더 낮은 제한을 설정하는 현재의 설계 규칙은 필 팩터, 즉 실제로 기능 엘리먼트들로 사용될 수 있는 매트릭스-어드레스 가능한 장치의 엑티브 재료의 영역을 또한 제한한다.The passive matrix-addressable device is considered to provide the most efficient way of addressing, for example in the case of memory devices, no switching elements, ie transistors, are required in the memory cell. Following. While it is desirable to achieve as high a storage density as possible, current design rules that set lower limits on the cell also limit the area of the active material of the fill factor, i.e. the matrix-addressable device that can actually be used as functional elements. do.

종래 기술의 수동 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치가 도1a에 도시되고, 폭(w) 및 거리(d)만큼 떨어진 평행 스트라이프와 같은 전극들(1)을 포함하는 제1 전극수단(EM1) 및 동일한 폭(w)을 갖지만 제1 전극수단(EM1)의 전극들(1)에 수직하게 배치된 전극들(2)을 가지는 평행 스트라이프와 같은 전극들(2)을 포함하는 유사한 제2 전극수단(EM2) 사이에 끼워진 광전자 엑티브 재료의 필수적인 평면 글로벌층을 포함한다. 엑티브 재료(3)의 글로벌층에서, 각각의 전극수단의 전극들(1,2) 사이의 오버랩에서 엑티브 재료(3)의 화소(5)을 형성한다. 상기 위치에서 교차부 전극들(1,2)에 전압을 인가함으로써, 예를 들면 화소(5)은 상기 장치가 디스플레이로 구성될 때, 광을 방출할 것이고 화소(5)에 입사광을 인가함으로써, 검출 전류는 상기 장치가 광 검출기로 구성될 때, 전극들(1,2) 상에 출력될 것이다.A passive matrix-addressable optoelectronic device of the prior art is shown in FIG. 1A and has the same width as the first electrode means EM1 and the same width as the electrodes 1 such as parallel stripes separated by a width w and a distance d. Similar second electrode means EM2 having electrodes (w) but having electrodes 2 such as parallel stripes having electrodes 2 arranged perpendicular to the electrodes 1 of the first electrode means EM1. It includes an essential planar global layer of optoelectronic active material sandwiched between. In the global layer of the active material 3, the pixel 5 of the active material 3 is formed at the overlap between the electrodes 1, 2 of the respective electrode means. By applying a voltage to the intersection electrodes 1, 2 at this position, for example, the pixel 5 will emit light when the device is configured as a display and by applying incident light to the pixel 5, The detection current will be output on the electrodes 1, 2 when the device consists of a photo detector.

도1b는 분명한 화소(5)의 위치 뿐만아니라 전극들(1,2)의 설계 및 삽입된 엑티브 재료(3)의 글로벌층을 만드는, X-X라인을 따라서 절단한 도1a의 종래 기술의 디바이스 단면을 도시한다. 일반적으로 글로벌층의 엑티브 재료(3)는 교차부 전극들(1,2)에 전압 인가가 단지 전극들의 교차부에 있는 화소(5)에 영향을 미치고, 전자의 근방의 교차부 전극들에 있는 이웃하는 화소들 또는 셀들에는 영향을 주지 않는 성질들을 가진다. 이는 이방성(anisotropic) 전도 성질을 가지는 엑티브 재료를 제공함으로써 달성될 수 있고, 그 결과 전기 전도는 단지 엑티브 재료의 표면 및 오버래핑 전극들에 수직한 방향에서, 글로벌층을 통해서 다른 화소들에는 전류가 흐르지 않고서 발생할 수 있다. 화소들(5)의 크기 및 밀도는 제조 프로세스에서 얻을 수 있는 프로세스-제약 최소 피처(process-constrained minimum feature)에 의존한다. 상기 피처들은, 예를 들면 전극들이 나중에 포토리소그래피 마스크들 및 예를 들면 에칭에 의존하는 포토마이크로리소그래피 프로세스에서 패터닝되는 금속배선으로 설계될 때, 마스크에 의해서 제한될 수 있는 프로세스-제약 최소 피처(f)에 의존하고, 상기 값은 차례로 사용된 광의 파장에 의존할 것이다. 다른 말로, 상기 피처(f)는 일반적으로 현재의 기술 범위내에서 0.15 - 0.2㎛로 제한되고, 따라서 전극들의 폭(w)과 그 사이의 공간들은 대략 상기 크기일 것이다.FIG. 1B shows a cross-sectional view of the prior art device of FIG. 1A taken along the line XX, making a clear position of the pixel 5 as well as the design of the electrodes 1, 2 and a global layer of embedded active material 3. Illustrated. In general, the active material 3 of the global layer has a voltage applied to the intersection electrodes 1, 2 only affecting the pixel 5 at the intersection of the electrodes, and at the intersection electrodes in the vicinity of the electrons. It has properties that do not affect neighboring pixels or cells. This can be achieved by providing an active material with anisotropic conducting properties, so that electrical conduction is only flowing in the other pixels through the global layer in a direction perpendicular to the surface of the active material and the overlapping electrodes. Can occur without The size and density of the pixels 5 depends on the process-constrained minimum feature that can be obtained in the manufacturing process. The features can be limited by a process-constrained minimum feature f, for example, when the electrodes are designed with metallization patterned later in the photomicrolithography process, which depends on photolithography masks and for example etching. And the value will in turn depend on the wavelength of the light used. In other words, the feature f is generally limited to 0.15-0.2 mu m within the current technical range, so that the width w of the electrodes and the spaces between them will be approximately the size.

계속해서, 일반적으로 상기 값(2f)은 피치를 말하고, 종래 제조기술로 얻을 수 있는 유닛 길이당 최대 선들(lines)수는 팩터 1/2 f까지 주어지고 따라서 유닛 영역당 최대 피처 수는 팩터 1/4 f2이다. 따라서, 도1에서 도시된 영역(4)이 고려된다면, 셀의 크기는 더 자세하게 영역(4)을 도시한 도1c로부터 분명한 것처럼 f2 으로 주어진다. 각각의 셀은 영역(4)에 대응하는 영역을 요구하며, 그 크기는 4f2 이고, 다른 말로, 셀의 영역(f2)보다 4배 더 크다. 상기 구성은 도1의 매트릭스가 0.25, 즉 f2/4f2 의 필 팩터를 가지는 것을 보여준다. 따라서, 상기 층(3)에 의해서 제공되는 영역의 이용도는 낮다. 더 높은 필 팩터 또는 글로벌층(3)의 기능 엘리먼트들 또는 셀들(5)의 더 높은 밀도에 도달하기 위해서, 필 팩터를 증가시키거나 또는 매트릭스의 프로세스-제약 피처의 예를 들면 0.1㎛이하 범위로 더 높은 해상도를 얻는 것이 바람직하다. 그러나, 상기가 유사한 영역에서 전체 셀들의 수를 증가시키지만, 여전히 더 높은 필 팩터를 보장할 수는 없다.Subsequently, in general, the value 2f refers to the pitch, and the maximum number of lines per unit length obtainable by conventional manufacturing techniques is given by factor 1 / 2f and thus the maximum number of features per unit area is factor 1 / 4 f 2 . Thus, if the area 4 shown in FIG. 1 is taken into account, the size of the cell is given by f 2 , as is apparent from FIG. 1C showing the area 4 in more detail. Each cell requires an area corresponding to area 4, the size of which is 4f 2 , in other words, four times larger than the area f 2 of the cell. The configuration shows that the matrix of FIG. 1 has a fill factor of 0.25, ie f 2 / 4f 2 . Thus, the utilization of the area provided by the layer 3 is low. In order to reach a higher fill factor or higher density of functional elements or cells 5 of the global layer 3, increase the fill factor or, for example, within the range of 0.1 μm or less of the process-limiting feature of the matrix. It is desirable to obtain higher resolution. However, while this increases the total number of cells in a similar area, it still cannot guarantee a higher fill factor.

도1a-c는 종래기술의 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치를 도시하고, 상기 장치들에서 일반적으로 얻을 수 있는 필 팩터를 예시한다.1A-C illustrate prior art matrix-addressable optoelectronic devices, illustrating the fill factor generally obtainable in such devices.

도2a는 본 발명에 따른 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치의 평면도이다.2A is a plan view of a matrix-addressable optoelectronic device according to the present invention.

도2b는 도2a의 X-X선을 따라서 절단한 단면이다.FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the X-X line of FIG. 2A.

도2c는 도2a의 상세도이고, 본 발명을 가지고 얻을 수 있는 필팩터를 예시한다.FIG. 2C is a detailed view of FIG. 2A and illustrates a fill factor obtainable with the present invention.

도3은 본 발명에 따른 전극수단의 제1 실시예에 대한 단면도이다.3 is a cross-sectional view of the first embodiment of the electrode means according to the present invention.

도4는 본 발명에 따른 전극수단의 제2 실시예에 대한 단면도이다.4 is a sectional view of a second embodiment of an electrode means according to the present invention.

도5는 본 발명에 따른 장치에서 사용된 발광 화소의 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view of a light emitting pixel used in the apparatus according to the present invention.

도6은 본 발명에 따른 장치에서 사용된 광검출 화소의 개략적인 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view of a photodetecting pixel used in the apparatus according to the present invention.

도7은 도5 및 도6 중 하나의 화소에서 사용된 바람직한 광전자엑티브 재료의 개략적인 구조이다.FIG. 7 is a schematic structure of a preferred optoelectronic active material used in one of the pixels of FIGS.

상기 고려 사항들의 관점에서, 본 발명의 중요한 목적은 1에 가까운 값까지 앞서 언급된 종류의 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치들의 필 팩터의 증가를 가능하게 하는 것이고, 프로세스-제약 최소 피처(f)의 실제적인 크기에 의해서 제한되지 않고, 상기 장치들에서 엑티브재료(3)의 글로벌층에 의해서 제공된 영역을 최대한 이용하는 것이고, 필 팩터가 피처(f)의 감소에 영향을 받지 않고, 엑티브 재료(3)의 글로벌층에서 얻을 수 있는 최대 화소들의 최대수를 또한 증가시키는 것이다.In view of the above considerations, an important object of the present invention is to enable an increase in the fill factor of the matrix-addressable optoelectronic devices of the kind mentioned above up to a value close to 1, and the actual of the process-constrained minimum feature f. It is not limited by the size, but in the above devices, it makes full use of the area provided by the global layer of active material 3, the fill factor is not affected by the reduction of the feature f, It also increases the maximum number of pixels that can be obtained in the global layer.

부가의 장점들 및 특징들 뿐만아니라 상기 목적들은, 각각의 전극수단의 전극들이 각각의 전극층에 제공되고, 전극수단의 전극들 모두는 대략 동일한 폭(w)을 가지고, 각각의 수단의 전극들은 두께( δ)의 절연 박막에 의해서 서로 전기적으로 절연되고, δ의 크기는 폭(w)의 작은 부분이고, w의 최소 크기는 프로세스-제약 최소 피처 크기(f)와 동일한 것으로 특징되는 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치를 가진 본 발명에 따라 달성되고, 따라서 상기 장치에 관한 광전자엑티브 재료의 화소들의 필 팩터는 1에 가깝고, 화소들의 수는 전극수단 사이에 삽입된 기능 매체의 전체 영역(A)에 의해서 정의된 최대값에 근접하고, 상기 피처 크기(f), 상기 최대값은 A/f2 로 정의된다.As well as additional advantages and features, the above objects are that the electrodes of each electrode means are provided in each electrode layer, all the electrodes of the electrode means have approximately the same width w, and the electrodes of each means are thick. is electrically insulated from each other by an insulating thin film of (δ), the magnitude of δ is a small part of the width w, and the minimum size of w is characterized by the same as the process-constrained minimum feature size (f). A fill factor of the pixels of the optoelectronic active material with respect to the device is achieved according to the invention with an optoelectronic device, thus the number of pixels is defined by the total area A of the functional medium inserted between the electrode means. Approaching the maximum value, the feature size f, the maximum value is defined as A / f 2 .

본 발명에 따른 장치의 바람직한 실시예에서, 광전자엑티브 재료는 전극수단의 전극들과 접촉하는 다이오드 영역을 가진 이방성 전도 유기 재료이고, 유기 전도 재료는 바람직하게 콘쥬게이트된(conjugated) 발광(conjugated light-emitting) 및/또는 광전기 중합체(photoelectric polymer)일 수 있고, 따라서 매트릭스-어드레스 가능한 장치는 디스플레이 또는 광검출기 또는 둘 다로 동작될 수 있다.In a preferred embodiment of the device according to the invention, the optoelectronic active material is an anisotropic conductive organic material having a diode region in contact with the electrodes of the electrode means, the organic conductive material being preferably conjugated light. emitting and / or photoelectric polymers, and thus the matrix-addressable device can be operated with a display or photodetector or both.

본 발명에 따른 장치의 상기 바람직한 실시예에서, 상기 다이오드 영역은 인가된 전압이 유도될 때, 광을 방출할 수 있기 때문에 매트릭스-어드레스 가능한 장치는 디스플레이로 동작될 수 있거나, 또는 다이오드 영역은 입사된 광이 유도될 때, 전류 또는 전압을 출력할 수 있기 때문에 매트릭스-어드레스 가능한 장치는 광검출기로 동작될 수 있다.In this preferred embodiment of the device according to the invention, the matrix-addressable device can be operated as a display because the diode region can emit light when an applied voltage is induced, or the diode region is incident When light is induced, the matrix-addressable device can be operated as a photodetector because it can output a current or voltage.

부가의 장점들 및 특징들 뿐만아니라 상기 목적들은, 박막 전극층은 후면 위에 제공되는 폭(wa) 및 두께(ha)를 가진 상기 스트라이프와 같은 전극들의 제1 세트를 포함하는데, 상기 제1 세트 전극들은 wa 와 같거나 또는 더 긴 거리(d)만큼 서로 떨어져 있고, 폭 (wb) 및 두께(hb)를 가진 상기 스트라이프와 같은 제2 세트 전극들을 포함하는데, 상기 제2 세트 전극들은 제1 세트 전극들 사이의 공간에 제공되고, 두께( δ)를 가지는 전기 절연 재료 박막에 의해서 상기 제1 세트 전극들로부터 절연되고, 적어도 평행 전극들의 측면 에지들을 따라서 연장하고, 상기 제1 세트 전극들 사이에서 두께( δ)의 절연벽을 형성하고, δ의 크기는 wa 또는 wb의 크기와 비교하여 작고, 제1 세트 전극들 사이의 공간거리(d)는 wb+2δ이고, 및 전극들을 가진 전극층들과 절연 박막은 후면 위에서 전극수단에 글로벌 평면층들을 형성하는 것을 특징으로 하는 전극수단을 가진 본 발명에 따라 달성된다.In addition to the additional advantages and features, the above objects include a first set of electrodes, such as the stripe, having a width w a and a thickness h a provided on the back side, the first set The electrodes comprise second set electrodes, such as the stripe, having a width (w b ) and a thickness (h b ) that are separated from each other by a distance d or equal to w a , the second set electrodes Provided in the space between the first set electrodes, insulated from the first set electrodes by an electrically insulating material thin film having a thickness δ, extending along at least the side edges of the parallel electrodes, and the first set electrode Forming an insulating wall having a thickness δ between them, the size of δ being small compared to the size of w a or w b , and the spacing distance d between the first set electrodes is w b + 2δ, and Insulation foil and electrode layers with electrodes Is solved according to the invention with an electrode means, characterized in that for forming a global planar layer in the electrode means on the rear.

본 발명에 따른 전극수단의 바람직한 실시예에서, 제1 세트 전극들 및 제2 세트 전극들 사이의 절연벽들은 제1 세트 전극들의 측면 에지들에서 상부면까지를 커버링하는 층 및 전극들 사이의 기판에 제공된 절연 재료의 박막부들을 형성하고, 제2 세트 전극들은 절연 박막 벽부 사이의 오목부 및 기판을 커버링하는 절연 박막부의 위에 제공되고, 제2 세트 전극들은 제1 세트 전극들의 상부면 뿐만아니라 절연 벽들의 상부 에지와 동일한 높이를 가지고, 따라서 제2 세트 전극들은 높이(hb = ha - δ)를 가지고, 전극들 및 절연 재료를 가진 전극층들은 후면 위에서 전극수단에 두께(ha)의 글로벌 평면층을 형성한다.In a preferred embodiment of the electrode means according to the invention, the insulating walls between the first set electrodes and the second set electrodes comprise a substrate between the electrodes and the layer covering from the side edges to the top surface of the first set electrodes. Forming thin films of insulating material provided on the second set electrodes are provided over the recess between the insulating thin film wall portions and the insulating thin film portion covering the substrate, and the second set electrodes are insulated as well as the top surface of the first set electrodes. It has the same height as the upper edge of the walls, so that the second set electrodes have a height (h b = h a -δ), and the electrode layers with the electrodes and the insulating material have a global thickness (h a ) to the electrode means on the back side. Form a planar layer.

본 발명에 따른 전극수단 중 적어도 하나에서, 상기 후면 뿐만아니라 전극들은, 상기 전극수단이 본 발명의 장치에 사용될 때, 투명 또는 반투명 재료로 만들어져야만 한다. 이제, 본 발명은 첨부한 도면과 함께 예시적인 실시예를 참조하여 더 자세히 설명될 것이다.In at least one of the electrode means according to the invention, the electrodes as well as the back side must be made of a transparent or translucent material when the electrode means is used in the apparatus of the invention. The invention will now be described in more detail with reference to exemplary embodiments in conjunction with the accompanying drawings.

도2a, 2b 및 2c와 연결해서, 본 발명의 전극수단을 포함해서 본 발명에 따른 장치에 대한 설명이 주어진다. 상기 설명으로부터 또한 어떻게 본 발명에 따른 전극수단이 필 팩터가 상기 종류의 장치에서 1에 접근하는지가 분명하게 될 것이다. In connection with Figures 2a, 2b and 2c, a description is given of the device according to the invention, including the electrode means of the invention. It will also be clear from the above description how the electrode means according to the invention approach the fill factor 1 in this kind of device.

매트릭스-어드레스 가능한 강유전성 메모리 디바이스로 구성되었지만, 구조적으로 유사한 장치가 본 출원의 출원인과 동일한 출원인에게 속해서 함께 출원계속 중인 노르웨이 특허 출원 20015509호에 있다. Although composed of a matrix-addressable ferroelectric memory device, a structurally similar device is in Norwegian patent application 20015509, filed with the same applicant and the same applicant.

본 발명에 따른 장치가 수동 매트릭스-어드레스 가능한 구성으로 제한된 실시예인 도2a의 평면도로 도시되고, 광전자 엑티브 재료(3)가 본 발명에 따른 두 개의 전극수단(EM1,EM2) 사이에 샌드위치되어 글로벌층에 증착된다. 도3 또는 도4에 도시된 실시예들 중 하나인 제1 전극수단(EM1)은 제2 전극수단(EM2)과 동일하지만, 그러나 제2 전극수단(EM2)은 도시된 것처럼, 전극수단(EM1)의 대응하는 전극들(1)에 임의의 각도 및 바람직하게 수직하게 지향되는 평행 스트라이프와 같은 전극들(2)로 제공된다. 전극들(1,2)이 오버랩하는 곳에서, 화소(5)이 그 사이의 광전자엑티브 재료(3)에 형성된다. 상기 화소(5)은 광을 방출하거나 또는 적당한 자극에 따라서 광전류를 생성할 수 있는, 예를 들면 전자의 경우에 인가된 전압에 의해서 또는 후자의 경우에 입사된 광에 의해서 가능한 반도체 무기 또는 유기 재료일 수 있다. 가장 바람직하게, 광전자엑티브 재료(3)는 이방성 전기 전도성을 가진 결합 중합체(conjugated polymer)일 수 있고, 전도는 단지 교차부 전극들(1,2) 사이에서 및 엑티브 재료(3)층 평면에 수직하게 발생한다. 간략함을 위해서 도2a에는 도시되지 않았지만, 실리콘에 기초한 CMOS 기술에서 구현되는 실제 실시예들에는 존재하는 구동, 감지, 및 제어 회로가 동일한 재료로 만들어진다면, 후면(7)에 제공된다. 이어, 모든 전극들(1,2)이 당업자에게 잘 알려진 방식으로 상기 회로들에 적당하게 라우팅되고, 연결된다. The device according to the invention is shown in the plan view of Fig. 2a, which is an embodiment limited to a passive matrix-addressable configuration, in which the optoelectronic active material 3 is sandwiched between two electrode means EM1, EM2 according to the invention and thus the Is deposited on. The first electrode means EM1, which is one of the embodiments shown in FIG. 3 or 4, is the same as the second electrode means EM2, but the second electrode means EM2 is as shown, the electrode means EM1. Are provided with electrodes 2 such as parallel stripes oriented at an angle and preferably perpendicular to the corresponding electrodes 1 of. Where the electrodes 1, 2 overlap, a pixel 5 is formed in the optoelectronic active material 3 therebetween. The pixel 5 is capable of emitting light or generating a photocurrent according to a suitable stimulus, for example by means of a voltage applied in the former case or by a light incident in the latter case. Can be. Most preferably, the optoelectronic active material 3 may be a conjugated polymer with anisotropic electrical conductivity, and the conduction is only perpendicular between the intersection electrodes 1, 2 and in the plane of the active material 3 layer plane. Occurs. Although not shown in FIG. 2A for the sake of simplicity, if the drive, sense, and control circuits present in the actual embodiments implemented in silicon-based CMOS technology are made of the same material, they are provided on the back surface 7. All electrodes 1, 2 are then properly routed and connected to the circuits in a manner well known to those skilled in the art.

상기 언급한 대로, 엑티브 재료(3)는 선 X-X를 따라서 절단된 도12a의 장치를 통해서 단면을 도시한 도12b에 바람직하게 도시된 것처럼, 전극수단들(EM1,EM2) 사이에 삽입된다. 전극들(1,2)의 오버랩 또는 교차부들에서, 화소(5)은 엑티브 재료(3)에서, 즉 발광 또는 광전도성 재료에서 형성된다. 각각의 전극수단(EM1,EM2)의 전극들(1,2)이 단지 절연 재료의 초박막(6)에 의해서 분리되기 때문에, 상기의 두께( δ)는 단지 전극들(1,2)의 폭(w)의 작은 부분이고, 바람직하게 프로세스-제약 또는 프로세스-제한 최소 피처(f)에 일치하고, 본 발명에 따른 전극수단(EM)은 1을 향하여 필 팩터를 증가시킨다. 어떠한 경우에, 교번 전극들( εa ,εb)은 서로 다른 폭(wa,wb)을 가지지만, 그러나 wa~wb인 것처럼, 실제에 있어서 전극들의 폭은 대략 동일한 값(w)을 가지는 것으로 생각될 수 있다는 것이 주목된다.As mentioned above, the active material 3 is inserted between the electrode means EM1, EM2, preferably as shown in FIG. 12B showing a cross section through the apparatus of FIG. 12A cut along the line XX. At the overlaps or intersections of the electrodes 1, 2, the pixel 5 is formed in the active material 3, ie in a luminescent or photoconductive material. Since the electrodes 1, 2 of each electrode means EM1, EM2 are separated only by the ultrathin film 6 of insulating material, the thickness δ above is merely the width () of the electrodes 1, 2. It is a small part of w) and preferably coincides with the process-limiting or process-limiting minimum feature f, the electrode means EM according to the invention increasing the fill factor towards one. In some cases, the alternating electrodes ε a , ε b have different widths w a , w b , but in practice, as is w a ˜w b , the widths of the electrodes in practice are approximately the same value (w) It is noted that it can be thought of as having.

이는 도2c에 도시된 것처럼, 4개의 메모리 셀들(51-54)을 포함하는 평면부(4)를 고려할 때, 장점으로 알 수 있다. 전극들 사이에 절연 벽들(6a)이 차지하고 있는 영역은 셀들(51...54)의 영역을 형성하고, 전극수단(EM1,EM2) 중 하나의 전극들은 4f2 + 8fδ+ 4δ2 이다. 이는 전극들(1,2)의 f 또는 폭(w) 중 하나의 단지 얇은 부분인 δ를 가지고, 필 팩터는 본 발명에 따른 장치에서 1에 근접하고, 전극수단(EM1,EM2) 사이에 끼워진 엑티브 재료(3)의 영역의 100%에 근접하는 것은 화소들에 의해서 이루어지고, 그것의 평균 크기는 f2이다. 예를 들면, f~w가 1 및 δ= 0.01f로 설정된다면, 평면 구역은 4 + 8ㆍ0.01 + 0.0004~4.08이고, 필 팩터는 4/4.08 = 0.98, 즉 98%의 필 팩터이다. 엑세스가능한 엑티브 재료(3)의 영역이 A라고 주어진 매트릭스에서 화소들(5)의 최대수는 본 발명에 따른 장치에서 A/f2에 가깝다. 예를 들면, 적용된 설계 규칙이 0.2㎛로 f가 설정되고, 엑티브 재료(3)의 영역(A)은 106㎛, 즉 0.98ㆍ106/0.22 = 24.5ㆍ106이고, 어드레스 가능한 화소들(5)은 대략 25ㆍ106/mm2 의 화소 밀도를 의미하며 제공된다. 종래기술에서 공지된 것처럼, 전극들은 최소 프로세스-제약 피처(f)에 의해서 형성된 거리(d)만큼 분리되고, 도2c에 도시된 평면 구역(4)은 단지 하나의 화소(5)을 포함하고, 따라서 필 팩터는 0.25 또는 25%이고, 반면에 얻을 수 있는 화소들의 최대수는 본 발명에 따른 장치를 가지고 달성될 수 있는 수의 1/4이다.This is as shown in Figure 2c, when considering the plane surface (4) including four memory cells (51-54), it can be seen as an advantage. The area occupied by the insulating walls 6a between the electrodes forms the area of the cells 5 1 ... 5 4 , and the electrodes of one of the electrode means EM1, EM2 are 4f 2 + 8fδ + 4δ 2 . . It has δ, which is only a thin part of either f or width w of the electrodes 1, 2, the fill factor being close to 1 in the device according to the invention and sandwiched between the electrode means EM1, EM2. Proximity to 100% of the area of the active material 3 is made by the pixels, the average size of which is f 2 . For example, if f to w are set to 1 and delta = 0.01f, the planar region is 4 + 8 .0.01 + 0.0004 to 4.08, and the fill factor is 4 / 4.08 = 0.98, that is, the fill factor of 98%. The maximum number of pixels 5 in the matrix where the area of the accessible active material 3 is A is close to A / f 2 in the device according to the invention. For example, the applied design rule is set to 0.2 mu m, and the area A of the active material 3 is 10 6 mu m, that is, 0.98 · 10 6 /0.2 2 = 24.5 · 10 6 , and the addressable pixels (5) means a pixel density of approximately 25 · 10 6 / mm 2 and is provided. As is known in the art, the electrodes are separated by a distance d formed by the minimum process-limiting feature f, the planar region 4 shown in Fig. 2c comprises only one pixel 5, The fill factor is thus 0.25 or 25%, while the maximum number of pixels that can be obtained is 1/4 of the number that can be achieved with the device according to the invention.

도2a-c에 도시된 것처럼, 본 발명에 따른 장치가 디스플레이 디바이스로 구성될 때, 엑티브 재료(3)는 전극수단(EM1,EM2)의 각각의 교차부 전극들(1,2)에 인가된 전압에 의해서 유도될 때 광을 방출할 수 있고, 각각의 전극들(1,2) 사이의 오버랩에서 형성된 화소들(5)은 당연히 디스플레이 화소가 될 것이다. 필 팩터가 1에 근접함에 따라, 높은 해상도의 디스플레이를 얻는 것이 가능하고, 디스플레이의 거의 전체 면적(A)은 화소들에 바치게된다. 또한, 1을 향해서 0.25부터의 필 팩터의 증가는 증가된 표면 밝기를 가진 디스플레이를 가능하게 한다. 적어도 디스플레이의 한 측면 상에서의 화소들이 외부에 노출되어야만 하기 때문에, 이는 전극수단(EM1;EM2) 중 적어도 하나의 전극들(1;2)이 투명 또는 반투명해야 하고, 동일하게 후면들(7) 중 하나의 재료에 적용되어야만 하는 것을 의미한다. 도2b에서, 후면(7)은 언급된 것처럼 구동, 감지 및 제어를 위한 회로로 실현될 수 있고, 전극들(2) 뿐만아니라 스티치 윤곽(stitched outline)에 의해서 지시된 대향 후면(7`)은 광학 방사에 투명 또는 반투명해야 한다. 또한 절연 박막(6)에 사용된 절연 재료는 상기 경우에, 투명 또는 반투명이고, 전극들(2)은 예를 들면 당업자에게 공지된 발광 디바이스들에서 일반적으로 사용되는 것처럼 인듐주석산화물(ITO)로 만들어진다.As shown in Figs. 2A-C, when the apparatus according to the invention is constituted by a display device, an active material 3 is applied to respective intersection electrodes 1, 2 of the electrode means EM1, EM2. Light can be emitted when induced by a voltage, and the pixels 5 formed at the overlap between the respective electrodes 1, 2 will naturally be display pixels. As the fill factor approaches 1, it is possible to obtain a high resolution display, with almost the entire area A of the display devoted to the pixels. In addition, an increase in fill factor from 0.25 towards 1 enables a display with increased surface brightness. Since at least the pixels on one side of the display must be exposed to the outside, this means that at least one of the electrodes 1; 2 of the electrode means EM1; EM2 must be transparent or translucent and equally out of the rear surfaces 7. It must be applied to one material. In Fig. 2b, the rear surface 7 can be realized as a circuit for driving, sensing and control as mentioned, and the opposite rear surface 7 'indicated by the stitched outline as well as the electrodes 2 It must be transparent or translucent to optical radiation. The insulating material used for the insulating thin film 6 is also transparent or translucent in this case, and the electrodes 2 are made of indium tin oxide (ITO), for example, as commonly used in light emitting devices known to those skilled in the art. Is made.

전극수단(EM)의 바람직한 제1 실시예가 도3에 도시된다. 여기서, 전극수단(EM)은 후면(7) 상에 제공된 다수의 스트라이프와 같은 전극들(εa,εb)을 포함한다. 전극들(εa)은 전극 제1 세트에 속하고, 적당한 마스크를 사용해서 포토리소그래피 단계에서 연속적으로 패터닝되는 전극 재료의 적용된 글로벌층으로부터 형성되고, 반면에 전자의 전극들 사이의 전극들(εb)은 전극들의 제2 세트에 속하고, 이는 절연 벽부(6a)의 적용 후에 패터닝 프로세스에서 생성된 전극들(εa) 사이의 오목부들에 증착된다. 2개의 전극들(εa) 사이의 거리는 d 이고, 전극들(εa) 사이의 폭(w)은 wa이고, 전극들(εb) 사이의 폭은 wb이다. 이제, 상기 값들(wa,wb) 및 상기 거리(d)는 대략 유사한 크기를 가지고, 상기 크기들의 최소값은 전극들(εa)을 생성하기 위한 패터닝 프로세스에서 얻을 수 있는 프로세스-제약 최소 피처(f)에 의해서 주어진다. 동시에, 전극들(εa,εb) 사이의 절연 벽부들(6a)의 두께( δ)는 f에 의해서 제한되지 않고, 전기적 결함들 및 전극들(εa,εb) 사이의 브레이크다운(breakdown)을 방지하기 위한 절연 박막을 제공하기 위한 제약들만을 가지고 나노미터 단위 이하의 두께를 가질 수 있다.A first preferred embodiment of the electrode means EM is shown in FIG. Here, the electrode means EM comprises electrodes ε a , ε b , such as a plurality of stripes provided on the rear surface 7. The electrodes ε a belong to the first set of electrodes and are formed from an applied global layer of electrode material that is continuously patterned in the photolithography step using a suitable mask, while the electrodes ε between the electrodes of electrons. b ) belongs to the second set of electrodes, which are deposited in the recesses between the electrodes ε a created in the patterning process after application of the insulating wall 6a. The distance between two electrodes ε a is d, the width w between electrodes ε a is w a , and the width between electrodes ε b is w b . Now, the values w a , w b and the distance d have approximately similar magnitudes, and the minimum of the magnitudes is a process-constrained minimum feature obtainable in the patterning process for producing the electrodes ε a . given by (f). At the same time, the thickness δ of the insulating wall portions 6a between the electrodes ε a , ε b is not limited by f, but the electrical defects and the breakdown between the electrodes ε a , ε b It can have a thickness of less than nanometers with only constraints to provide an insulating thin film to prevent breakdown).

다른 말로, 요구되는 것처럼 전극들과 계면하는 후면(7)의 표면이 또한 전기적으로 절연성이 있다면, 모든 평행 스트라이프와 같은 전극들(εa,εb)은 서로 전기적으로 절연될 것이다. 절연 벽부(6a) 뿐만아니라 전극들(εa,εb) 둘 다의 높이는 h 이고, 등식 ( d = wb + 2δ)을 가진다. 전극들 사이의 거리(d)가 wa + 2d 로 선택된다면, 전극들(εa;εb)의 폭(wa;wb)은 동일하고, 상기 값(w)과 같고, 모든 전극들(εa,εb)은 동일한 단면적을 가지고, 동일한 전도성 재료( ε)로 만들어진다면, 또한 동일한 전도성 성질들을 가진다.In other words, if the surface of the back side 7 interfacing with the electrodes is also electrically insulating as required, then all parallel stripes of electrodes ε a , ε b will be electrically insulated from each other. The height of both the electrodes ε a , ε b as well as the insulating wall 6a is h, and has an equation (d = w b + 2δ). If the distance d between the electrodes is selected as w a + 2d, the widths w a ; w b of the electrodes ε a ; ε b are equal, equal to the value w, and all electrodes (ε a , ε b ) have the same cross-sectional area and, if made of the same conductive material ε, also have the same conductive properties.

도4에 도시된 본 발명에 따른 전극수단(EM)의 실시예에서, 이전 처럼 상기 전극들(εa)은 패터닝 단계에서 넓게 적용된 전극 재료층으로부터 형성되고, 절연 박막(6)은 기판(7) 및 전극들(εa)을 커버링하여 넓게 증착된다. 이제 전도성 재료가 전극들(εa) 사이의 오목부들에 절연층(6a)을 충전하고 커버링하여 증착되고, 이어지는 평탄화 단계에서, 전극들(εb)의 증착으로부터 발생하는 과도한 전극 재료 뿐만아니라 전극들(εa)을 커버링하는 절연 박막(6) 부분이 제거되어 전극층의 표면에 노출된 전극들(εa,εb)을 남겨두고, 절연 박막(6) 벽부(6a)의 상부 에지와 동일한 높이를 가진다. 모든 전극들(εa,εb)은 이어 상부면들을 노출하고, 그 위에 적용된 광전자엑티브 재료(3)와 저항 접촉을 형성할 수 있지만, 그러나 엑티브 재료(3)가 유전성, 예를 들면 액정(liquid crystal) 재료라면 유도성 결합이 될 수 있고, 특정의 환경에서는 전극들(1,2)의 상부면 조차도 절연 박막(6)으로 커버될 수 있다. 이는 물론 상기 실시예에 적용된다. 전극들(εa,εb)의 최소 폭(wa ,wb)에 관한 고려는 여기에서 또한 유효하다. 또한 전극(εa)의 높이(ha)는 기판(7)을 커버링하는 박막(6) 부분(6a)의 두께(δ)에 상응하는 양(δ)만큼 전극(εb)의 높이(hb)와 다르다. 이전 처럼, 이는 전극들(εa) 사이의 거리(d)가 동일한 단면적을 가진 전극들(εa,εb)을 얻기 위해서 패터닝 프로세스에서 증가되어야 한다는 것을 의미하고, 전극들(εa,εb)이 동일한 전도성을 가진 전도성 재료로 만들어 진다면 동일한 전도 용량을 얻는 것을 의미한다.In the embodiment of the electrode means EM according to the invention shown in Fig. 4, as before, the electrodes ε a are formed from a widely applied electrode material layer in the patterning step, and the insulating thin film 6 is formed of a substrate 7. ) And the electrodes ε a are widely deposited. The conductive material is now deposited by filling and covering the insulating layer 6a in the recesses between the electrodes ε a , and in the subsequent planarization step, the electrode as well as the excess electrode material resulting from the deposition of the electrodes ε b . The portion of the insulating thin film 6 covering the fields ε a is removed, leaving the electrodes ε a , ε b exposed on the surface of the electrode layer, which is the same as the upper edge of the wall portion 6a of the insulating thin film 6. Has height All electrodes ε a , ε b can then expose the top surfaces and form a resistive contact with the optoelectronic active material 3 applied thereon, but the active material 3 is dielectric, for example liquid crystal ( liquid crystal material may be an inductive coupling, and in certain circumstances even the top surface of the electrodes 1, 2 may be covered with an insulating thin film 6. This of course applies to the above embodiment. Considerations regarding the minimum widths w a , w b of the electrodes ε a , ε b are also valid here. In addition, the height h a of the electrode ε a is the height h of the electrode ε b by an amount δ corresponding to the thickness δ of the portion 6a of the thin film 6 covering the substrate 7. different from b ). S as before, which in order to obtain the electrode having the same cross-sectional area that the distance (d) between the electrodes (ε a) (ε a, ε b) means to be increased in the patterning process, and the electrodes (ε a, ε If b ) is made of a conductive material with the same conductivity, it means obtaining the same conducting capacity.

도3,4에 도시된 것처럼, 본 발명에 따른 전극수단(EM) 전극층의 평탄화는 적당한 수단들, 예를 들면 화학기계적 연마, 제어 에칭 또는 제어 마이크로-연마 프로세스로 수행할 수 있다. 도3,4에 도시된 것처럼, 본 발명에 따른 전극수단의 실시예들의 제조에 관한 상세한 설명들 및 제조를 위한 방법들에 대해서, 참조가 상기 언급된 동시 계속 노르웨이 출원 20015509호에 개시되어 있다.As shown in Figures 3 and 4, the planarization of the electrode means (EM) electrode layer according to the invention can be carried out by suitable means, for example by chemical mechanical polishing, controlled etching or controlled micro-polishing process. As shown in Figs. 3 and 4, for details and methods for the manufacture of embodiments of the electrode means according to the invention, reference is disclosed in the above-mentioned simultaneous Norwegian application 20015509.

본 발명에 따른 장치에서 사용된 것처럼, 전극수단(EM)을 위한 전극재료들에 관하여, 전극재료들은 언급된 것처럼 적당한 전도성 재료, 예를 들면 티탄늄 또는 알루미늄과 같은 금속들일 수 있고, 이는 일반적으로 전자 디바이스들에 사용된다. 전극 재료들은 또한 유기 재료들, 예를 들면 전도성 중합체일 수 있지만, 그러나 절연 박막층을 형성하기 위해 사용된 프로세스 또는 절연 박막의 부분들을 제거하기 위해 사용된 프로세스들과 부합하여야만 한다. 또한, 전극수단(EM) 중 적어도 하나의 전극들은 언급된 것처럼, 디스플레이 또는 광검출기의 장치 기능이 가능하기 위해서, 광 방사에 투명 또는 반투명해야만 한다.As used in the device according to the invention, with respect to the electrode materials for the electrode means EM, the electrode materials can be suitable conductive materials, for example metals such as titanium or aluminum, as mentioned, which is generally Used in electronic devices. The electrode materials may also be organic materials, for example conductive polymers, but must conform to the process used to form the insulating thin film layer or the processes used to remove portions of the insulating thin film. Furthermore, at least one of the electrodes means EM must be transparent or translucent to light radiation in order to be able to function as a display or photodetector, as mentioned.

본 발명에 따른 전극수단(EM)의 전극들의 폭(w)은 프로세스-제약 최소 피처(f)에 의해서 제한되는 최소값을 가져야 하고, 첫 번째 예에서, 제한되는 전극들 사이의 거리 뿐만아니라 패터닝에 의해서 형성되어야만 하는 제1 세트의 전극들(εa)의 폭이다. 전극들(εb)은 패터닝 프로세스에 적용되는 설계 규칙에 의해서 제한되지 않는 프로세스들에 의해서 증착될 수 있다. 동일하게 절연 박막의 적용에 적용할 수 있고, 나노원자 크기 이하로 산화, 기상 증착 또는 스프레잉 또는 스퍼터링으로 가능하다. 요구조건은 단지 전극수단(EM) 전극들의 각각의 세트에 인접한 전극들(εa,εb) 사이에 필수적인 전기 절연을 제공해야 하는 것이다. 또한, 일반적으로 종래의 포토마이크로리소그래피 프로세스에서의 f는 0.2㎛ 또는 다소 적은 범위 이내에 있고, 현재 설정된 또는 개발중인 다른 기술들은 나노 단위 범위, 즉 약 수십 나노미터 이하의 전극폭들의 피처를 사용하고, 예를 들면 필요한 평탄화를 달성하기 위해서 화학 기계적 프로세싱의 사용, 이는 높은 평탄도의 상부면을 가진 전극수단(EM)을 만들고, 절연 박막(6) 뿐만아니라 모든 컴포넌트 부분들, 즉 전극들(εa,εb)은 전극들의 상부면에 동일한 높이가 된다.The width w of the electrodes of the electrode means EM according to the invention should have a minimum value limited by the process-limiting minimum feature f, and in the first example, not only the distance between the restricted electrodes but also the patterning Is the width of the first set of electrodes ε a which must be formed by. The electrodes ε b may be deposited by processes that are not limited by the design rules applied to the patterning process. The same applies to the application of insulating thin films, and is possible by oxidation, vapor deposition or spraying or sputtering down to nanoatomic size. The requirement is only to provide the necessary electrical insulation between the electrodes ε a , ε b adjacent to each set of electrode means EM electrodes. Also, in general, f in a conventional photomicrolithography process is within 0.2 μm or somewhat less, and other techniques currently established or developed use features of electrode widths in the nano-range, i.e., about tens of nanometers or less, The use of chemical mechanical processing, for example, to achieve the necessary planarization, which makes the electrode means EM with a high flatness upper surface, and not only the insulating thin film 6 but also all component parts, ie electrodes ε a , ε b ) is the same height on the top surface of the electrodes.

일반적으로 매트릭스-어드레스 가능한 디스플레이 또는 광검출기를 형성하기 위해서, 평행 스트라이프와 같은 전극들을 가지고, 및 임의의 각도 및 바람직하게 수직으로 각각 서로 지향되는 한 쌍의 전극층들 사이에 끼워진 엑티브 매체를 가진 본 발명에 따른 장치에서 전극수단의 사용은 1 에 근접하는 필 팩터 및 전극들의 패터닝 프로세스를 위한 적용 가능한 설계 규칙에 의해서 단지 제한되는 형성할 수 있는 화소들의 최대수를 가능하게 한다.In order to form a matrix-addressable display or photodetector in general, the invention has electrodes, such as parallel stripes, and an active medium sandwiched between a pair of electrode layers each oriented at a certain angle and preferably vertically respectively. The use of electrode means in the apparatus according to the invention enables a maximum number of pixels that can be formed, which is only limited by the fill factor approaching one and the applicable design rules for the patterning process of the electrodes.

도5는 본 발명에 따른 장치가 디스플레이인 실시예에서 단일 화소의 구조를 개략적으로 도시한다. 제1 전극수단(EM1)의 전극(1) 및 제2 전극수단(EM2)의 전극(2) 사이에, 발광 영역들(10), 바람직하게 발광 중합체 다이오드들의 형태를 포함하는 광전자엑티브 재료(3)가 제공된다. 발광 중합체 다이오드(10)는 파장-튜닝가능하고, 그 경우에 엑티브 재료(3)는 발광 다이오드들을 포함하고, 파장은, 예를 들면 국제공개 특허출원 WO95/031515호에 개시된 것처럼, 전압(VE)을 변화시킴으로써 튜닝된다.Fig. 5 schematically shows the structure of a single pixel in an embodiment in which the apparatus according to the present invention is a display. Between the electrode 1 of the first electrode means EM1 and the electrode 2 of the second electrode means EM2, an optoelectronic active material 3 comprising light emitting regions 10, preferably in the form of light emitting polymer diodes 3. ) Is provided. Light-emitting polymer diodes 10 is wavelength-tunable and, as active material (3) in this case comprises a light-emitting diode, and the wavelength is, for example, disclosed in published international patent application WO95 / 031515 No. Voltage (V E Tune by changing

본 발명에 따른 장치는 또한 비-발광 디스플레이, 즉 인가된 전압에 응답하는 화소들이 광을 반사하고, 흡수하고 또는 편광할 수 있는 디스플레이일 수 있다. 이는 광전자엑티브 재료가 액정 재료인 경우이고, 상기 디스플레이들이 물론 당업자들에게 공지되었지만, 본 발명에 따른 전극수단을 사용함으로써 발광 화소들을 가진 실시예들과 동일한 장점들을 얻는다. 액정 재료는 유전성이기 때문에, 전극수단 전극들의 접촉 상부면은 이미 언급된 것처럼, 실제로 절연 박막(6)에 의해서 커버된다. 상기 관점에서, 참조는 이미 인용된 동시 계속 노르웨이 출원에 개시되어 있고, 관련된 전극수단의 선택적인 실시예들이 개시된다.The device according to the invention can also be a non-luminescent display, ie a display in which pixels responsive to an applied voltage can reflect, absorb or polarize light. This is the case when the optoelectronic active material is a liquid crystal material and the above displays are well known to those skilled in the art, but the same advantages as the embodiments having light emitting pixels are obtained by using the electrode means according to the present invention. Since the liquid crystal material is dielectric, the contact upper surface of the electrode means electrodes is actually covered by the insulating thin film 6, as already mentioned. In view of the above, reference is made to a concurrent Norwegian application, which has already been cited, and alternative embodiments of the associated electrode means are disclosed.

도6은 본 발명에 따른 장치가 광 검출기인 실시예의 화소(5)을 개략적으로 도시한다. 광전자 엑티브 재료(3)는 도5의 실시예의 발광 재료와 유사하고, 전극들(1,2) 사이에 샌드위치되어 제공되고, 유사한 방식으로 지향된다. 전극들(1,2)은 엑티브 재료(3)가 전류 또는 전압을 생성하도록 입사된 광에 의해서 자극될 때, 감지 증폭기(9)로 신호 전압(VD)을 운반한다.6 schematically shows a pixel 5 of an embodiment in which the device according to the invention is a light detector. The optoelectronic active material 3 is similar to the light emitting material of the embodiment of Fig. 5, is sandwiched between the electrodes 1, 2, and directed in a similar manner. The electrodes 1, 2 carry a signal voltage V D to the sense amplifier 9 when the active material 3 is stimulated by incident light to generate a current or voltage.

도5 또는 도6의 전극들(1,2) 중 적어도 하나는 투명해야 하고, 후면(7)(도시되지 않음)에 적용하고, 그 위에 전극이 제공된다. 광전자 엑티브 재료(3)에 관하여, 이는 언급된 것처럼, 발광 다이오드들 또는 광전자 다이오드들일 수 있고, 바람직하게 이미 언급된 것처럼 국제공개 특허출원 WO95/031515호에 개시된 것처럼 결합 중합체들에 근거한 상기 종류의 유기 다이오드들일 수 있다. 상기 발광 중합체 다이오드는 파장-튜닝가능하고, 다이오드의 동작 전압을 변화시킴으로써 여러 파장으로 광을 방출한다. 상기 다이오드들은 광전자 성질들을 가지고 도6에 도시된 것처럼, 검출기 화소의 어플리케이션에 적당하고, 다이오드들의 피크 감도 파장은 피크 방출 파장과 다르고, 광 방출의 파장들보다 더 짧은 파장들을 향해서 이동된다. 이는 당업자에게 잘 알려진 대로, 스토크스 이동(Stokes shift)이라는 현상이다. 광전자 엑티브 재료의 다이오드들은 결합 중합체들의 영역들 및 수십 나노미터의 두께를 가진 중합체 박막으로 제조될 수 있다. 개개의 다이오드들의 크기는 그다지 크지 않다. At least one of the electrodes 1, 2 of FIG. 5 or 6 should be transparent and applied to the back side 7 (not shown), on which an electrode is provided. With regard to the optoelectronic active material 3, it may be light emitting diodes or optoelectronic diodes, as mentioned, preferably organic of the kind based on binding polymers as disclosed in International Patent Application WO95 / 031515 as already mentioned. May be diodes. The light emitting polymer diodes are wavelength-tunable and emit light at various wavelengths by varying the diode's operating voltage. The diodes have optoelectronic properties and are suitable for the application of the detector pixel, as shown in FIG. 6, wherein the peak sensitivity wavelengths of the diodes are different from the peak emission wavelengths and are shifted toward wavelengths shorter than the wavelengths of the light emission. This is a phenomenon known as Stokes shift, as is well known to those skilled in the art. Diodes of optoelectronic active material can be made of a polymer thin film having regions of binding polymers and a thickness of tens of nanometers. The size of individual diodes is not very large.

화소는 도7에 도시된 것처럼, 다수의 물리적으로 분리된 발광 또는 광흡수 영역들(10,10`)을 포함하고, 이는 본 발명에 따른 장치의 단일 화소(5)을 통한 개략 단면적이다. 엑티브 재료층(3)은 상기 영역들(10,10`)을 가지고 글로벌층 부분을 형성하고, 각각은 다양한 방출 또는 흡수 파장 대역을 가진 발광 중합체 또는 광 흡수 중합체 중 단지 하나의 형태이다. 또한, 결합 중합체 박막은 이방성 전기 전도성을 가지고, 따라서 전극들(1,2) 사이에 삽입된 엑티브 재료층에 인가된 전류는 가로 방향이 아닌 각각의 분리된 화소들을 형성하는 전극들 사이에서만 흐른다. 광 방출 또는 광 흡수이든지, 완전한 광 방출 효과 또는 광기전력 효과를 얻기 위해서, 모든 영역들(10,10`)은 전극들(1,2)과 접촉해야 하고, 본 발명에 따른 전극수단(EM) 및 1에 근접하는 필 팩터를 가진 발명 장치는 상기 경우에 실제적이고, 그 결과 본 발명에 따른 장치는 최대 표면 밝기를 가진 디스플레이를 제공하거나 또는 최대 감도를 가진 광검출기를 제공할 수 있다. 또한, 전극 폭의 적은 소수인 절연 재료(6)의 두께( δ) 때문에 높은 필 팩터를 수반하는 것은 매우 높은 화소 밀도 및 엑티브 재료(3)의 글로벌층의 전체 면적(A)에 근접하는 효과적인 화소 영역을 가능하게 한다. 또한, 해상도 또는 화소레이션의 정도, 즉 상기 장치에서 얻을 수 있는 화소들의 수는 프로세스-제약 최소 피처(f)의 크기기 허용하는 최대값을 달성한다. 고려 사항들을 합하여, 상기는 실시에 있어서 기본적인 개선을 가져오고, 디스플레이 또는 광 검출기로 구성되든지 간에 본 발명에 따른 장치를 가지고 달성될 수 있다. The pixel comprises a plurality of physically separated light emitting or light absorbing regions 10, 10 ′, as shown in FIG. 7, which is a schematic cross section through a single pixel 5 of the device according to the invention. The active material layer 3 has the regions 10, 10 ′ to form a global layer portion, each of which is in the form of only one of a light emitting polymer or a light absorbing polymer having various emission or absorption wavelength bands. In addition, the bonded polymer thin film has anisotropic electrical conductivity, so that the current applied to the active material layer inserted between the electrodes 1, 2 flows only between the electrodes forming respective discrete pixels, not in the transverse direction. In order to achieve full light emission or photovoltaic effect, whether light emission or light absorption, all regions 10, 10 ′ must be in contact with the electrodes 1, 2 and the electrode means EM according to the invention. And an inventive device with a fill factor close to 1 is practical in this case, so that the device according to the invention can provide a display with maximum surface brightness or a photodetector with maximum sensitivity. In addition, because of the thickness δ of the insulating material 6 which is a small minority of the electrode width, carrying a high fill factor is an effective pixel close to the very high pixel density and the total area A of the global layer of the active material 3. Enable the area. In addition, the resolution or degree of pixelation, ie the number of pixels obtainable in the device, achieves a maximum value that allows the size of the process-constrained minimum feature f. Combined with considerations, this brings about a basic improvement in the implementation and can be achieved with the device according to the invention, whether it consists of a display or a photo detector.

상기 장치가 디스플레이로 구성될 때, 단색 또는 컬러 디스플레이 둘 다 일수 있다. 컬러 디스플레이의 경우에, 엑티브 재료는 인가된 동작 전압(VE)에 따라서 다양한 파장들을 방출하는 다이오드 영역들(10,10`)을 포함한다. 예를 들면, VE의 증가는, 다이오드 영역들(10,10`)이 예를 들면 광 방사 스펙트럼에서 각각 적색 및 청색 범위에서 피크 방출을 가진다면, 더 짧은 파장들을 향하여 주요 방출을 이동시킨다. 다른 말로, 단일 화소의 파장 튜닝은, 상기 경우에 화소과 접촉하는 전극들(1,2)을 통해서 인가된 상기 전압(VE)을 변화시킴으로써 얻을 수 있다.When the device is configured as a display, it can be either a monochrome or color display. In the case of a color display, the active material comprises diode regions 10, 10 ′ which emit various wavelengths depending on the applied operating voltage V E. For example, an increase in V E shifts the main emission towards shorter wavelengths if the diode regions 10, 10 'have peak emission in the red and blue ranges, respectively, in the light emission spectrum, for example. In other words, wavelength tuning of a single pixel can be obtained by varying the voltage V E applied through the electrodes 1, 2 in contact with the pixel in this case.

또한, 언급한 대로 엑티브 재료는 액정 재료이고, 그 경우에 화소들은 당업자에게 공지된 것처럼, 자극에 따라서 반사하거나, 광을 흡수하거나, 또는 편광할 수 있다. Also, as mentioned, the active material is a liquid crystal material, in which case the pixels can reflect, absorb light, or polarize according to the stimulus, as is known to those skilled in the art.

상기 장치가 광검출기로 구성될 때, 상기 장치는 다양한 파장 감도를 가지고 입사한 광의 파장에 종속하는 컴포넌트들을 가지고 전류 응답 또는 전압(VD)을 생성하는 다이오드 영역들(10,10`)을 가진 광전자 카메라 검출기로 유리하게 사용되고, 필요한 변경이 컬러 카메라로 가능하다. 높은 해상도, 즉 발명 장치의 화소레이션의 높은 정도는 종래의 사진 필름과 비교할 만하고, 이는 24 ×36 ㎜ 포맷에서, 에멀션의 성질들에 따라서 3ㆍ107 화소들 이상이 가능하고, 5㎛ 순서의 선형 해상도를 달성한다. f=0.20㎛로 설계된 1.2 ×1.2㎜ 검출기 칩의 화소레이션 정도에 관하여 본 발명에 따른 광 검출기를 스케일링하는 것은 24 ×36㎜ 필름 포맷으로 동일한 수행을 가능하게 한다. 그러나, 본 발명에 따른 장치가 전자 카메라에서 광검출기로 사용될 때, 효과적인 화소 크기는 입사된 길이의 파장( λ), 즉 적어도 1/2λ과 부합하여야 하고, 다른 말로 자외선부터 근적외선까지, 대략 0.1㎛내지 1.0㎛과 부합하여야 한다는 것을 주의해야 한다. 이는 엑티브 재료의 효과적인 영역 및 검출기의 크기는, 이용가능한 사진 에멀션과 부합하는 해상도를 얻기 위해서 상응하게 조정되어야 한다.When the device is configured with a photodetector, the device has diode regions 10, 10 'that produce a current response or voltage V D with components dependent on the wavelength of the incident light with varying wavelength sensitivity. Advantageously used as an optoelectronic camera detector, the necessary changes are possible with color cameras. The high resolution, i.e. the high degree of pixelation of the inventive device is comparable to the conventional photographic film, which in the 24 × 36 mm format is capable of more than 3 · 10 7 pixels, depending on the properties of the emulsion, Achieve linear resolution. Scaling the photodetector according to the present invention with respect to the degree of pixelation of a 1.2 × 1.2 mm detector chip designed with f = 0.20 μm enables the same performance in a 24 × 36 mm film format. However, when the device according to the invention is used as a photodetector in an electronic camera, the effective pixel size must conform to the wavelength λ of the incident length, ie at least 1 / 2λ, in other words approximately 0.1 μm, from ultraviolet to near infrared. It should be noted that it should match to 1.0 μm. This means that the effective area of the active material and the size of the detector must be adjusted accordingly to obtain a resolution that matches the available photo emulsion.

Claims (9)

평행 스트라이프와 같은 전극들(1;2)을 각각 가진 제1 및 제2 전극수단(EM1,EM2) 사이에 샌드위치된 글로벌층에 제공된 광전자 엑티브 재료 형태의 기능 매체(3)를 포함하는 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치로서, 상기 제2 전극수단(EM2)의 전극들(2)은 상기 제1 전극수단(EM1)의 전극들(1)에 임의의 각도로 지향되고, 기능 엘리먼트들(5)은 상기 제1 전극수단(EM1)의 전극들(1) 및 상기 제2 전극수단(EM2)의 전극들(2) 사이의 각각의 오버랩에서 형성된 상기 엑티브 재료(3)의 볼륨에서 형성되어 상기 엑티브 재료(3)와 접촉하는 전극들(1,2)을 가진 매트릭스-어드레스 가능한 어레이를 제공하고, 상기 엑티브 재료(3)의 기능 엘리먼트들(5)은 디스플레이 디바이스에서 광-방출, 광-흡수, 반사 또는 편광하는 화소를 형성하기 위해서 상기 엘리먼트들을 형성하는 교차부 전극들(1,2)에 전압을 인가함으로써, 또는 선택적으로 광 검출기에서 화소를 형성하기 위해서 입사하는 광에 의해서 화소의 교차부 전극들을 통해서 전압을 출력함으로써 활성화 될 수 있고, 어느 하나의 경우에 상기 엑티브 재료(3)는 무기 또는 유기 재료로 선택되고, 의도된 기능에 따라 인가된 전압에 의해 활성화 된 후 광을 방출, 흡수, 반사 또는 편광하거나, 또는 입사한 광에 의해서 자극될 때, 전압 또는 전류를 출력하거나, 또는 둘 다를 수행하고, 따라서 임의의 경우에 화소(5)의 어드레싱은 매트릭스-어드레싱 방법에서 발생하고, 전극 세트들(EM1;EM2) 중 적어도 하나의 전극들(1;2)은 투명 또는 반투명의 재료로 만들어지는, 상기 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치로서,Matrix-address comprising a functional medium 3 in the form of an optoelectronic active material provided in a global layer sandwiched between first and second electrode means EM1, EM2 having electrodes 1; 2, such as parallel stripes, respectively. As a possible optoelectronic device, the electrodes 2 of the second electrode means EM2 are directed at an angle to the electrodes 1 of the first electrode means EM1, and the functional elements 5 are The active material 3 is formed in the volume of the active material 3 formed at each overlap between the electrodes 1 of the first electrode means EM1 and the electrodes 2 of the second electrode means EM2. 3) a matrix-addressable array having electrodes (1,2) in contact with the substrate, wherein the functional elements (5) of the active material (3) are light-emitting, light-absorbing, reflecting or Intersection that forms the elements to form a pixel to polarize Can be activated by applying a voltage to the electrodes 1, 2, or optionally by outputting a voltage through the intersection electrodes of the pixel by the light incident to form the pixel in the photodetector, in either case The active material 3 is selected as an inorganic or organic material and, when activated by an applied voltage according to the intended function, emits, absorbs, reflects or polarizes light or is stimulated by incident light. Or outputs a current, or both, so that in any case addressing of the pixel 5 takes place in a matrix-addressing method, and at least one of the electrodes sets EM1; ) Is the matrix-addressable optoelectronic device, which is made of a transparent or translucent material, 상기 각각의 전극수단(EM1;EM2)의 상기 전극들(1;2)이 각각의 전극층에 제공되고, 상기 전극수단(EM1;EM2)의 전극들(1;2) 모두는 대략 동일한 폭(w)을 가지고, 상기 각각의 전극수단(EM1,EM2)의 전극들(1,2)은 두께( δ)의 절연 박막(6)에 의해서 서로 전기적으로 절연되고, δ의 크기는 폭(w)의 작은 부분이고, w의 최소 크기는 프로세스-제약 최소 피처 크기(f)에 상당하고, 따라서 상기 광전자 엑티브 재료(3)의 화소들(5)의 필 팩터는 1에 가깝고, 화소들(5)의 수는 상기 전극수단(EM1;EM2) 사이에 샌드위치된 상기 엑티브 재료(3)의 전체 영역(A)에 의해서 정의된 최대값에 근접하고, 상기 피처 크기(f), 상기 최대값은 A/f2 로 정의되는 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치.The electrodes (1; 2) of the respective electrode means (EM1; EM2) are provided in the respective electrode layers, and all of the electrodes (1; 2) of the electrode means (EM1; EM2) have approximately the same width w ), The electrodes 1, 2 of each of the electrode means EM1, EM2 are electrically insulated from each other by an insulating thin film 6 having a thickness δ, and the size of δ is the width w. Small portion, the minimum size of w corresponds to the process-constrained minimum feature size f, so that the fill factor of the pixels 5 of the optoelectronic active material 3 is close to 1, and The number is close to the maximum value defined by the entire area A of the active material 3 sandwiched between the electrode means EM1 and EM2, and the feature size f and the maximum value are A / f. Matrix-addressable optoelectronic devices defined as two . 제1항에 있어서,The method of claim 1, 광전자 엑티브 재료(3)는 상기 전극수단(EM1,EM2)의 전극들(1,2)과 접촉하는 다이오드 영역들(10)을 가진 이방성 전도 유기 재료인 것을 특징으로 하는 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치.The optoelectronic active material (3) is an anisotropic conductive organic material having diode regions (10) in contact with the electrodes (1,2) of the electrode means (EM1, EM2). 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유기 전도 재료(3)는 콘쥬게이트된(conjugated) 발광 및/또는 광전자 중합체이고, 따라서 상기 매트릭스-어드레스 가능한 장치는 디스플레이 또는 광검출기 또는 둘 다로 동작될 수 있는 것을 특징으로 하는 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치. The organic conductive material 3 is a conjugated light emitting and / or optoelectronic polymer, so that the matrix-addressable device can be operated as a display or a photodetector or both. Device. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 다이오드 영역들(10)은 인가된 전압에 의해서 자극받을 때, 광을 방출할 수 있고, 따라서 상기 매트릭스-어드레스 가능한 장치가 디스플레이로 동작될 수 있는 것을 특징으로 하는 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치. The diode-addressable optoelectronic device, characterized in that the diode regions (10) can emit light when stimulated by an applied voltage, so that the matrix-addressable device can be operated as a display. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 다이오드 영역들(10)은 입사한 광에 의해서 자극받을 때, 전류 또는 전압을 출력할 수 있고, 따라서 상기 매트릭스-어드레스 가능한 장치가 광검출기로 동작될 수 있는 것을 특징으로 하는 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치.The diode regions 10 can output a current or voltage when stimulated by incident light, so that the matrix-addressable device can be operated as a photodetector. Device. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 광전자 엑티브 재료(3)는 액정 재료이고, 따라서 상기 매트릭스-어드레스 가능한 장치는 반사, 흡수 또는 편광 화소들(5)을 가지는 디스플레이로 동작될 수 있는 것을 특징으로 하는 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치. The optoelectronic active material (3) is a liquid crystal material, so that the matrix-addressable device can be operated as a display having reflective, absorbing or polarizing pixels (5). 제1항에 따른 매트릭스-어드레스 가능한 광전자 장치를 사용하기 위해서, 평행 스트라이프와 같은 전기 도체들의 형태의 전극들(εa,εb)을 가진 박막 전극층을 포함하고, 상기 전극층은 후면(7)의 절연 표면 위에 제공되는 전극수단(EM)으로서,In order to use the matrix-addressable optoelectronic device according to claim 1, it comprises a thin film electrode layer with electrodes ε a , ε b in the form of electrical conductors such as parallel stripes, the electrode layer of the back side 7. As electrode means (EM) provided on an insulating surface, 상기 박막 전극층은 상기 후면(7) 위에 제공되는 폭(wa) 및 두께(ha)를 가진 상기 스트라이프와 같은 전극들(εa)의 제1 세트를 포함하고, 상기 제1 세트 전극들은 wa 와 같거나 또는 더 긴 거리(d)만큼 서로 떨어져 있고, 폭(wb) 및 두께(hb )를 가진 상기 스트라이프와 같은 제2 세트 전극들(εb)을 포함하고, 상기 제2 세트 전극들(εb)은 제1 세트 전극들 사이의 공간에 제공되고, 두께( δ)를 가지는 전기 절연재료 박막에 의해서 상기 제1 세트 전극들로부터 절연되고, 적어도 평행 전극들의 측면 에지들을 따라서 연장하고, 상기 제1 세트 전극들 사이에서 두께( δ)의 절연벽을 형성하고, δ의 크기는 wa 또는 wb의 크기와 비교하여 작고, 제1 세트 전극들 사이의 공간거리(d)는 wb+2δ이고, 상기 전극들(εa,εb)을 가진 전극층들 및 상기 절연 박막은 후면 위에서 상기 전극수단(EM)에 글로벌 평면층들을 형성하는 전극수단.The thin film electrode layer comprises a first set of electrodes ε a such as the stripe having a width w a and a thickness h a provided on the back surface 7, the first set electrodes being w a second set of electrodes ε b , such as the stripe, having a width w b and a thickness h b , equal to or longer than a distance d, and comprising the second set The electrodes ε b are provided in the space between the first set electrodes and are insulated from the first set electrodes by a thin film of electrically insulating material having a thickness δ and extend along at least the side edges of the parallel electrodes. In addition, an insulating wall having a thickness δ is formed between the first set electrodes, the size of δ is small compared to the size of w a or w b , and the space distance d between the first set electrodes is w b + 2δ, and wherein the electrodes (ε a, ε b) electrode layers and the insulating films above the back with Standing electrode means to form a global planar layer in the electrode means (EM). 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1 세트 전극들(εa) 및 상기 제2 세트 전극들(εa) 사이의 상기 절연 벽들(6a)은 상기 제1 세트 전극들(εa)의 측면 에지들에서 상부면까지를 커버링하는 층 및 상기 전극들 사이의 기판에 제공된 상기 절연 재료의 박막부들(6)을 형성하고, 상기 제2 세트 전극들(εa)은 절연 박막(6) 벽부 사이의 오목부 및 기판을 커버링하는 상기 절연 박막부의 위에 제공되고, 상기 제2 세트 전극들은 상기 제1 세트 전극들의 상부면 뿐만아니라 절연 벽들의 상부 에지와 동일한 높이를 가지고, 따라서 상기 제2 세트 전극들(εb)은 높이(hb = ha - δ)를 가지고, 상기 전극들(εa,εb) 및 상기 절연 재료(6)를 가진 전극층들은 상기 후면(7) 위에서 상기 전극수단(EM)에 두께(ha)의 글로벌 평면층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전극수단.Wherein the first set of electrodes (ε a) and the first of the two sets of electrodes (ε a) of the insulating walls (6a) between the covering of the upper to the surface in the side edges of the first of a set of electrodes (ε a) And the thin film portions 6 of the insulating material provided on the substrate between the electrodes, and the second set electrodes ε a cover the recesses and the substrate between the wall portions of the insulating thin film 6. Provided on the insulating thin film portion, the second set electrodes have the same height as the top edge of the insulating walls as well as the top surface of the first set electrodes, so that the second set electrodes ε b are the height h b = h a -δ), and the electrode layers with the electrodes ε a , ε b and the insulating material 6 have a thickness h a on the electrode means EM above the rear surface 7. An electrode means, characterized in that to form a global planar layer. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 후면(7) 뿐만아니라 상기 전극들(εa,εb)은 투명 또는 반투명 재료들로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전극수단.The electrode means as well as the back side (7) as well as the electrodes (ε a , ε b ) are made of transparent or translucent materials.
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