KR20050035101A - Pressure-sensitive adhesive tape for processing semiconductor and method of processing semiconductor - Google Patents

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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

박형화된 반도체 칩에 있어서도 우수한 픽업 성능을 갖는 반도체 가공용 점착 시이트를 제공한다. The adhesive sheet for semiconductor processing which has the outstanding pick-up performance also in the thinned semiconductor chip is provided.

본 발명에 따른 반도체 가공용 점착 시이트는 기재 필름(1)의 한 면 이상에 점착제층(2)을 갖는 반도체 가공용 점착 시이트에 있어서, 상기 기재 필름(1)이 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌을 함유하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor processing according to the present invention is a pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor processing having an adhesive layer 2 on at least one side of the base film 1, wherein the base film 1 is a low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less. It is characterized by consisting of.

Description

반도체 가공용 점착 시이트 및 반도체 가공 방법{PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR} PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PROCESSING SEMICONDUCTOR}

본 발명은 반도체 가공용 점착 시이트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 반도체 가공용 점착 시이트를 이용하여 반도체를 가공하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 반도체 가공 방법에 의해 수득된 반도체 칩에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive sheet for semiconductor processing. Moreover, this invention relates to the method of processing a semiconductor using the said adhesive sheet for semiconductor processing. Moreover, this invention relates to the semiconductor chip obtained by the said semiconductor processing method.

본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트는 반도체 웨이퍼 등의 소자 소편을 절단분리(다이싱)할 때에, 상기 반도체 웨이퍼 등의 피절단물을 고정하기 위해 사용하는 다이싱용 점착 시이트, 또한 다이싱된 상기 피절단물을 개별적으로 박리(픽업)하기 위해 사용하는 반도체 픽업용 점착 시이트로서 유용하다. 통상적으로는 다이싱 공정에서 픽업 공정까지를 동일한 점착 시이트로 실시하는 경우가 많기 때문에, 반도체 가공용 점착 시이트는 이들 용도를 포함한 반도체 가공용 점착 시이트로서 특히 유용하다.The adhesive sheet for semiconductor processing of this invention is an adhesive sheet for dicing used in order to fix to-be-cut | disconnected objects, such as the said semiconductor wafer, when cut | disconnecting (dicing) element fragments, such as a semiconductor wafer, and the said diced cut part It is useful as an adhesive sheet for semiconductor pickup used for peeling off (picking up) water separately. Usually, from the dicing step to the pick-up step are often performed with the same adhesive sheet, the adhesive sheet for semiconductor processing is particularly useful as the adhesive sheet for semiconductor processing including these applications.

또한, 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트는 실리콘 반도체 가공용 점착 시이트, 화합물 반도체 가공용 점착 시이트, 반도체 패키지 가공용 점착 시이트 등으로서 사용할 수 있을 뿐 아니라 유리 가공용 점착 시이트로서도 사용할 수 있다. Moreover, the adhesive sheet for semiconductor processing of this invention can be used not only as an adhesive sheet for silicon semiconductor processing, an adhesive sheet for compound semiconductor processing, an adhesive sheet for semiconductor package processing, etc., but can also be used as an adhesive sheet for glass processing.

종래부터 실리콘, 갈륨, 비소 등을 재료로 하는 반도체 웨이퍼는 큰 직경의 상태로 제조된 후, 소자 소편으로 다이싱되고, 다시 탑재 공정으로 옮겨진다. 이 때, 반도체 웨이퍼는 점착 시이트에 부착되어 보유된 상태에서 다이싱 공정, 세정 공정, 팽창 공정, 픽업 공정, 탑재 공정의 각 공정이 실시된다. 상기 점착 시이트로서는, 플라스틱 필름으로 이루어진 기재 위에 점착제층이 형성되어 있는 것이 일반적으로 사용된다. Conventionally, a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, or the like is manufactured in a state of large diameter, then diced into element fragments, and then transferred to a mounting process. At this time, each process of a dicing process, a washing process, an expansion process, a pick-up process, and a mounting process is performed in the state in which the semiconductor wafer was affixed and hold | maintained on the adhesive sheet. As said adhesive sheet, what has an adhesive layer formed on the base material which consists of plastic films is generally used.

상기 다이싱 공정에 있어서는, 보통은 회전하면서 이동하는 둥근 날에 의해 절단이 이루어지지만, 이 때에 반도체 웨이퍼를 보유할 목적으로 반도체 가공용 점착 시이트가 부착된다. 그리고, 계속되는 픽업 공정에 있어서는, 부착된 점착 시이트 배면측으로부터, 니들이라고 불리는 바늘을 사용하여, 절단된 반도체 칩을 10 내지 1000 μm 들어 올리면서, 반도체 칩측 표면을 흡착할 수 있는 흡착 콜레트 등의 지그로 반도체 칩을 더욱 상방으로 끌어올림으로써 점착 시이트로부터 칩을 박리하는 방법이 이용되고 있다.In the dicing step, the cutting is usually performed by a round blade moving while rotating, but at this time, the adhesive sheet for semiconductor processing is attached for the purpose of retaining the semiconductor wafer. In the subsequent pick-up step, a jig such as an adsorption collet capable of adsorbing the semiconductor chip side surface while lifting the cut semiconductor chip by 10 to 1000 μm using a needle called a needle from the adhered adhesive sheet back side. The method of peeling a chip from an adhesive sheet by pulling a semiconductor chip further upward is used.

상기 픽업 공정에 있어서의 박리 메커니즘은 대강 다음과 같다. 처음에 니들에 의해 반도체 칩을 10 내지 1000 μm 들어 올림으로써 반도체 칩 외주부의 박리가 발생한다. 그리고, 계속되는 흡착 콜레트에 의한 들어 올림에 의해, 외주부의 박리가 기재의 반발 등을 이용하면서 진행되고, 최종적으로 반도체 칩과 점착 시이트가 완전히 박리되어 분리된다. 이 픽업 공정에 있어서, 반도체 칩과 점착 시이트간의 접착력을 저하시킬 목적으로, 점착제층에 자외선 등의 방사선을 조사함으로써, 접착력을 저하시킬 수 있는 방사선 경화형 점착제를 이용한 반도체 가공용 점착 시이트가 사용되는 것이 일반화되어 있다(일본 특허 공개 공보 제1989-272130호 참조). The peeling mechanism in the said pick-up process is as follows roughly. First, peeling of the outer peripheral portion of the semiconductor chip occurs by lifting the semiconductor chip by 10 to 1000 µm by the needle. Subsequently, by the subsequent lifting by the adsorption collet, peeling of the outer circumferential portion proceeds while using repulsion of the substrate or the like, and finally, the semiconductor chip and the adhesive sheet are completely peeled off and separated. In this pick-up step, in order to reduce the adhesive force between the semiconductor chip and the adhesive sheet, it is common to use an adhesive sheet for semiconductor processing using a radiation-curable pressure-sensitive adhesive that can reduce the adhesive force by irradiating a pressure-sensitive adhesive layer with radiation such as ultraviolet rays. (See Japanese Patent Laid-Open No. 1989-272130).

그러나, 최근 들어 반도체 소자가 얇아지는 경향이 있으며, 박형화한 반도체 소자에서는 상기 방사선 경화형 점착제를 이용한 반도체 가공용 점착 시이트에 있어서도 니들로 반도체 칩을 들어 올렸을 때에, 반도체 칩과 점착제층간의 미약한 접착력으로도 기재에 추종하는 형태로 반도체 칩이 변형(휨)을 발생시킨다. 그 결과, 반도체 칩 주변부의 박리가 발생하지 않고 픽업을 실시할 수 없다는 문제가 발생하고 있다. However, in recent years, semiconductor devices tend to become thin, and in thin semiconductor devices, even when the semiconductor chip is lifted with a needle in the semiconductor processing adhesive sheet using the radiation curable pressure sensitive adhesive, even when the semiconductor chip and the adhesive layer have a weak adhesive force. The semiconductor chip generates deformation (warping) in a form that follows the substrate. As a result, there arises a problem that pickup cannot be performed without peeling of the peripheral portion of the semiconductor chip.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술에 따른 문제를 해결하고자 한 것으로, 박형화한 반도체 칩에 있어서도 우수한 픽업 성능을 갖는 반도체 가공용 점착 시이트를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above problems according to the prior art, and an object of the present invention is to provide an adhesive sheet for semiconductor processing having excellent pick-up performance even in a thin semiconductor chip.

또한, 본 발명은 상기 반도체 가공용 점착 시이트를 이용한 반도체 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 반도체 가공 방법에 의해 수득된 반도체 칩을 제공하는 것을 목적으로 한다. Moreover, an object of this invention is to provide the semiconductor processing method using the said adhesive sheet for semiconductor processing. Moreover, it aims at providing the semiconductor chip obtained by the said semiconductor processing method.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토한 결과, 이하에 나타내는 반도체 가공용 점착 시이트를 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉, 본 발명은 이하에 나타낸 바와 같다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to achieve the said objective, the present inventors discovered the adhesive sheet for semiconductor processing shown below, and came to complete this invention. That is, this invention is as showing below.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 가공용 점착 시이트는 기재 필름의 한 면 이상에 점착제층을 갖는 반도체 가공용 점착 시이트에 있어서, 상기 기재 필름이 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌을 함유하여 이루어진 것을 특징으로 한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, the adhesive sheet for semiconductor processing which concerns on this invention is an adhesive sheet for semiconductor processing which has an adhesive layer on one or more surfaces of a base film, Comprising: The said base film contains the low density polyethylene of density 0.915 g / cm <3> or less Characterized in that made.

상기 구성에 있어서, 상기 기재 필름중의 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌의 함유량이 20 중량% 이상인 것이 바람직하다.In the said structure, it is preferable that content of the low density polyethylene of density 0.915g / cm <3> or less in the said base film is 20 weight% or more.

또한, 상기 구성에 있어서, 상기 기재 필름의 23℃에서의 인장 탄성율이 100 MPa 이하인 것이 바람직하다. Moreover, in the said structure, it is preferable that the tensile elasticity modulus in 23 degreeC of the said base film is 100 Mpa or less.

또한, 상기 구성에 있어서, 상기 저밀도 폴리에틸렌이 측쇄 분지를 제어하여 이루어진 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌인 것이 바람직하다. Moreover, in the said structure, it is preferable that the said low density polyethylene is linear low density polyethylene formed by controlling side chain branching.

또한, 상기 구성에 있어서, 상기 저밀도 폴리에틸렌이 메탈로센 촉매를 사용하여 중합된 것이 바람직하다. Moreover, in the said structure, it is preferable that the said low density polyethylene was superposed | polymerized using the metallocene catalyst.

또한, 상기 구성에 있어서, 점착제층이 방사선 경화형 점착제에 의해 형성된 것이 바람직하다. Moreover, in the said structure, it is preferable that an adhesive layer was formed with the radiation hardening type adhesive.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 가공 방법은 상기에 기재된 반도체 가공용 점착 시이트를 이용하여, 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정 및/또는 픽업하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다. In order to solve the said subject, the semiconductor processing method which concerns on this invention has the process of dicing a semiconductor wafer, and / or the process of picking up using the adhesive sheet for semiconductor processing described above.

또한, 상기 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼의 두께가 200μm 이하인 것이 바람직하다.Moreover, in the said method, it is preferable that the thickness of a semiconductor wafer is 200 micrometers or less.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 칩은 상기에 기재된 반도체 가공 방법에 의해 수득된 것을 특징으로 한다. In order to solve the said subject, the semiconductor chip which concerns on this invention was obtained by the semiconductor processing method as described above.

이하, 종래의 반도체 가공용 점착 시이트와 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트를 이용하는 경우, 반도체 칩의 박리 기구를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1 내지 도 3은 픽업 공정에서 니들의 밀어 올림시 점착 시이트와 반도체 칩의 거동을 나타내는 것이다.Hereinafter, when using the conventional adhesive sheet for semiconductor processing and the adhesive sheet for semiconductor processing of this invention, the peeling mechanism of a semiconductor chip is demonstrated based on drawing. 1 to 3 show the behavior of the adhesive sheet and the semiconductor chip when the needle is pushed up in the pickup process.

도 2는 반도체 칩(W)이 두꺼워 강성이 높은 것에 대하여, 종래의 점착 시이트(A')를 적용하여 니들(N)에 의해 반도체 칩(W)을 밀어 올린 상태를 나타내고 있다. 반도체 칩(W)의 강성이 높기 때문에, 방사선 경화 등으로 충분히 점착력이 저하되면, 니들(N)핀에 의해 반도체 칩(W)의 밀어 올림을 실시함으로써 점착 시이트(A')만이 변형되기 때문에, 반도체 칩(W)의 박리가 일어난다.FIG. 2 shows a state in which the semiconductor chip W is pushed up by the needle N by applying the conventional adhesive sheet A ', because the semiconductor chip W is thick and has high rigidity. Since the rigidity of the semiconductor chip W is high, when the adhesive force sufficiently decreases due to radiation curing or the like, only the adhesive sheet A 'is deformed by pushing up the semiconductor chip W by the needle N pin. Peeling of the semiconductor chip W occurs.

도 3은 반도체 칩(W)이 얇아 강성이 낮은 것에 대하여, 종래의 점착 시이트(A')를 적용하여 니들(N)에 의해 반도체 칩(W)을 들어 올린 상태를 나타내고 있다. 반도체 칩(W)의 강성이 낮기 때문에, 방사선 경화 등으로 접착력이 저하되었더라도, 반도체 칩(W)과 점착 시이트(A')간의 접착력이 완전히 없어지지 않은 상태에서는, 반도체 칩(W)이 점착 시이트(A')에 추종하도록 변형되기 때문에, 반도체 칩(W)의 박리가 일어나야만 픽업을 할 수 있다.FIG. 3 shows a state in which the semiconductor chip W is lifted by the needle N by applying the conventional adhesive sheet A 'while the semiconductor chip W is thin and low in rigidity. Since the rigidity of the semiconductor chip W is low, even when the adhesive force is lowered due to radiation curing or the like, the semiconductor chip W is formed of the adhesive sheet (when the adhesive force between the semiconductor chip W and the adhesive sheet A 'is not completely lost. Since it is deformed so as to follow A '), pickup can be performed only when the semiconductor chip W is peeled off.

도 1은 반도체 칩(W)이 얇아 강성이 낮은 경우라도 본 발명의 점착 시이트(A)를 적용하면 픽업할 수 있는 것을 나타내고 있다. 본 발명의 점착 시이트(A)는 기재 필름으로서 매우 밀도가 낮고 유연성이 우수한 저밀도 폴리에틸렌을 사용하고 있기 때문에, 니들(N)에 의해 반도체 칩(W)을 밀어 올렸을 때의 점착 시이트(A)의 변형이 커서, 반도체 칩(W)이 니들 형상에 추종한다. 즉, 방사선 경화 등으로 접착력이 충분히 저하되면, 점착 시이트(A)에 추종할 수 없게 된 반도체 칩(W)의 반발력으로 박리가 시작되고, 이에 따라 픽업이 가능해진다.FIG. 1 shows that even when the semiconductor chip W is thin and low in rigidity, the adhesive sheet A of the present invention can be picked up. Since the adhesive sheet A of this invention uses the low density polyethylene which is very low in density and excellent in flexibility as a base film, deformation | transformation of the adhesive sheet A at the time of pushing up the semiconductor chip W by the needle N is carried out. As a result, the semiconductor chip W follows the needle shape. That is, when adhesive force fully falls by radiation hardening etc., peeling will begin by the repulsion force of the semiconductor chip W which cannot follow the adhesive sheet A, and pick-up becomes possible by this.

또한, 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트의 기재 필름은 23℃에서의 초기 탄성율이 100 Mpa 이하인 것이 바람직하다. 이는 다음과 같은 이유에 따른 것이라 생각된다. 상기한 바와 같이, 기재 필름은 충분히 유연성을 가지며, 니들에 의한 밀어 올림시에 니들에 어느 정도 추종하도록 국소 변형할 필요가 있다. 그 유연성의 표준이 100 MPa이다. Moreover, it is preferable that the initial elastic modulus in 23 degreeC of the base film of the adhesive sheet for semiconductor processing of this invention is 100 Mpa or less. This is considered to be for the following reason. As mentioned above, the base film is sufficiently flexible and needs to be locally deformed to follow the needle to some extent upon pushing up by the needle. The standard of flexibility is 100 MPa.

또한, 니들에 의한 들어 올림 후에는 콜레트 흡착에 의한 최종 박리가 이루어지는데, 이 때에는 상술한 유연성과는 반대로 적절한 기재 필름의 반발성이 필요하게 된다. 게다가, 이들의 일련의 동작은 300 msec(밀리초) 정도의 매우 짧은 시간에 이루어지기 때문에, 반발성에는 고속 변형하의 기재 필름의 점탄성 거동이 영향을 준다고 생각된다.In addition, after lifting by the needle, final peeling by collet adsorption takes place. In this case, the resilience of the appropriate base film is required as opposed to the flexibility described above. In addition, since these series of operations are performed in a very short time of about 300 msec (milliseconds), it is thought that the viscoelastic behavior of the base film under high speed deformation affects the resilience.

이하, 도 4 및 도 5에 기초하여 점착 시이트의 기재 필름으로서, 상기 초기 탄성율이 100 MPa 이하인 것을 사용한 경우에 대하여 설명한다. 도 4 및 도 5는 점착 시이트(A, A')를 이용하여, 픽업 공정에 있어서의 흡착 콜레트(C)에 의한 반도체 칩(W)의 최종 박리 상태를 나타내는 설명도이다. Hereinafter, the case where the said initial elastic modulus is 100 Mpa or less is used as a base film of an adhesive sheet based on FIG. 4 and FIG. FIG.4 and FIG.5 is explanatory drawing which shows the final peeling state of the semiconductor chip W by the adsorption collet C in a pick-up process using adhesive sheets A and A '.

도 4는 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트를 이용한 경우를 나타내는 설명도이다. 기재 필름은 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌을 사용하고 있으면서, 또한 상기 초기 탄성율이 100 Mpa 이하이다. 도 4에서는 흡착 콜레트(C)가 상방으로 반도체 칩(W)을 흡착하면서 상승함에 따라, 점착 시이트(A)의 점착제층과 반도체 칩(W)간의 접착력에 의해 점착 시이트(A)도 상방으로 인장되어 있다. 이 때 기재 필름의 반발이 충분하고, 그 반발력이 점착 시이트(A)의 점착제층과 반도체 칩(W)간의 접착력보다 크면, 그 반발에 의해 흡착 콜레트(C)를 상방으로 끌어 올림에 따라, 자연스럽게 반도체 칩(W)으로부터 점착 시이트(A)가 박리된다.It is explanatory drawing which shows the case where the adhesive sheet for semiconductor processing of this invention is used. While the base film uses the low density polyethylene of 0.915 g / cm <3> in density, the said initial elastic modulus is 100 Mpa or less. In FIG. 4, as the adsorption collet C rises while adsorbing the semiconductor chip W upward, the adhesive sheet A is also stretched upward due to the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer of the adhesive sheet A and the semiconductor chip W. It is. At this time, if the repulsion of the base film is sufficient and the repulsive force is greater than the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer of the adhesive sheet (A) and the semiconductor chip (W), as the repulsion pulls up the adsorption collet (C) upward, naturally The adhesive sheet A is peeled off from the semiconductor chip W. As shown in FIG.

한편, 도 5는 점착 시이트(A')의 기재 필름으로서, 상기 초기 탄성율이 100 Mpa 이하의 매우 유연한 것이지만, 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌을 사용하지 않은 경우를 나타내는 설명도이다. 이러한 기재 필름으로서는, 예컨대 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체를 재료로 사용한 것을 들 수 있다. 도 5에서는, 픽업 초기의 니들에 의한 밀어 올림에 의해 박리는 발생한다. 그러나, 다음의 흡착 콜레트(C)에 의한 박리 단계에서는 기재 필름의 반발력이 충분하지 않고, 상기 반발력보다 점착 시이트(A')의 점착제층과 반도체 칩(W)간의 접착력 쪽이 크기 때문에, 점착 시이트(A')가 신장해 버려 순조롭게 박리할 수 없다. 그 결과, 기재 필름이 크게 신장한 후에 반도체 칩(W)이 박리되기 때문에, 예컨대, 박리후의 점착 시이트(A')가 되돌아오는 진동 등에 의해 미박리된 주변 칩이 다른 칩과 간섭하는 등의 문제를 발생시킨다.On the other hand, FIG. 5 is explanatory drawing which shows the case where the said initial elastic modulus is 100 Mpa or less, as a base film of an adhesive sheet (A '), but the low density polyethylene of 0.915 g / cm <3> or less of density is not used. As such a base film, what used the ethylene-vinyl acetate copolymer as a material is mentioned, for example. In FIG. 5, peeling arises by pushing up by the needle of a pick-up initial stage. However, in the following peeling step by the adsorption collet (C), the repulsive force of the base film is not sufficient, and the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer of the adhesive sheet A 'and the semiconductor chip W is larger than the repulsive force. (A ') has elongated and cannot peel easily. As a result, since the semiconductor chip W is peeled off after the base film has been greatly stretched, for example, a problem such that the unpeeled peripheral chip interferes with other chips due to vibration of the adhesive sheet A 'after peeling back. Generates.

이하에 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트를 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 6은 반도체 가공용 점착 시이트의 단면도이다. 반도체 가공용 점착 시이트는 기재 필름(1)의 한 면에 점착제층(2)을 갖는다. 점착제층(2)은 기재 필름(1)의 한 면 이상에 있을 수 있다. 도 6에서는 기재 필름(1)의 한 면에만 점착제층(2)을 갖는 경우를 예시하고 있다. 반도체 가공용 점착 시이트는 테이프형, 권회 형상으로 한 것을 사용할 수 있다. 점착제층(2)에는 세퍼레이터(3)가 마련되어 있다. 또한, 도 3 및 도 4에 있어서, 반도체 가공용 점착 시이트(A)는 반도체 칩(W)측이 점착제층(2)으로 되도록 배치된다.Hereinafter, the adhesive sheet for semiconductor processing of this invention is demonstrated, referring FIG. It is sectional drawing of the adhesive sheet for semiconductor processing. The adhesive sheet for semiconductor processing has the adhesive layer 2 on one side of the base film 1. The pressure-sensitive adhesive layer 2 may be on one or more sides of the base film 1. In FIG. 6, the case where the adhesive layer 2 is provided only on one side of the base film 1 is illustrated. Tapered and wound shapes can be used for the adhesive sheet for semiconductor processing. The separator 3 is provided in the adhesive layer 2. In addition, in FIG.3 and FIG.4, the adhesive sheet A for semiconductor processing is arrange | positioned so that the semiconductor chip W side may become the adhesive layer 2.

상술한 바와 같이, 박형화 반도체 칩의 픽업 공정에서는 반도체 가공용 점착 시이트에 대하여, 초기의 니들에 의한 변형 박리를 용이하게 일어나도록 하기 위한 유연성과, 계속되는 흡착 콜레트에 의한 박리를 순조롭게 일어나도록 하기 위한 반발력이 필요하게 된다. 이들 유연성과 반발력은 상반되는 특성이다. 이러한 요구 특성을 만족시키는 유연성 기재 필름(1)으로서, 본 발명에서는 니들 밀어 올림이라는 비교적(흡착 콜레트에 의한 박리 단계에 비해) 저속 변형 영역에서는 유연성이 풍부하면서, 또한 흡착 콜레트에 의한 박리라는 고속 변형 영역하에서는 탄성이 우수한 재료가 사용된다. As described above, in the pick-up process of the thinned semiconductor chip, the flexibility to easily cause the deformation peeling by the initial needle to occur easily with respect to the adhesive sheet for semiconductor processing, and the repulsive force to cause the peeling by the subsequent adsorption collet to occur smoothly It is necessary. These flexibility and repulsive forces are opposite properties. As the flexible base film 1 which satisfies such a required characteristic, in the present invention, in the relatively low-speed deformation region of needle pushing up (compared with the peeling step by the adsorption collet), flexibility is abundant, and also the high speed deformation called peeling by the adsorption collet is achieved. Under the region, a material having excellent elasticity is used.

기재 필름(1)에는, 이러한 점탄성 특성을 나타내는 재료로서, 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌을 갖는 것이 사용된다. 저밀도 폴리에틸렌의 밀도는 바람직하게는 0.910 g/cm3 이하, 더욱 바람직하게는 0.905g/cm3 이하이다. 저밀도 폴리에틸렌의 밀도가 0.915 g/cm3을 초과하는 경우에는 유연성이 부족하여 바람직하지 않다. 한편, 저밀도 폴리에틸렌은, 보통, 필름에 이용하는 경우에는 밀도가 0.915 g/cm3을 초과하는 것이 사용된다.As the material showing such viscoelastic properties, the base film 1 is one having a low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less. The density of low-density polyethylene is preferably from 0.910 g / cm 3 or less, more preferably 0.905g / cm 3 or less. When the density of the low density polyethylene exceeds 0.915 g / cm 3 , the lack of flexibility is not preferable. On the other hand, when the low density polyethylene is normally used for a film, the thing whose density exceeds 0.915 g / cm < 3 > is used.

밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌은, 일반적으로, 에틸렌과 α-올레핀을 공중합시켜 수득된다. α-올레핀을 공중합시킴으로써, 폴리에틸렌의 결정성을 저하시키고, 그 밀도를 저하시켜 유연성을 부여하고 있다. α-올레핀으로서는, 뷰테인-1,3-메틸펜텐-1,4-메틸펜텐-1, 헥센-1, 옥텐-1 등을 들 수 있다. α-올레핀의 공중합비는 상기 밀도 조건을 만족시키면 특별히 제한되지 않지만, 저밀도 폴리에틸렌의 보통 60 중량% 이하, 바람직하게는 10 내지 40 중량%이다.Low density polyethylene with a density of 0.915 g / cm 3 or less is generally obtained by copolymerizing ethylene and an α-olefin. By copolymerizing an alpha olefin, the crystallinity of polyethylene is reduced, the density is reduced, and flexibility is given. Examples of the α-olefins include butane-1,3-methylpentene-1,4-methylpentene-1, hexene-1 and octene-1. The copolymerization ratio of the α-olefin is not particularly limited as long as it satisfies the above density condition, but is usually 60% by weight or less, preferably 10 to 40% by weight of the low density polyethylene.

상기 저밀도 폴리에틸렌은 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌에 가까운 것이 바람직하다. 따라서, 상기 저밀도 폴리에틸렌은 측쇄 분지를 제어하여 이루어진 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌인 것이 바람직하다. 또한, 메탈로센 중합 촉매를 이용하여 만들어진 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌이 바람직하다. 통상의 저밀도 폴리에틸렌의 경우, 밀도를 0.915 g/cm3 이하의 저밀도로 하고자 한 경우에는, 분자량 분포가 과도하게 넓어지는 경우가 많다. 그 결과, 유동성의 차이 등에 의해 고분자측의 분자끼리 응집이 일어나기 쉽고, 겔화물과 같은 응집물이 생겨 외관적으로 바람직하지 않다. 메탈로센 중합 촉매를 이용함으로써, 분자량을 비교적 균일하게 유지할 수 있고, 또한 직쇄형으로 함으로써 불필요한 분자간의 엉김에 의한 응집도 방지할 수 있다. 상술한 메탈로센 중합 촉매에 의해 수득된 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌은 외관적으로 바람직한 것이며, 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌이 메탈로센 중합 촉매에 의해 수득된 것에 한정되는 것은 아니다.It is preferable that the said low density polyethylene is close to linear low density polyethylene. Accordingly, the low density polyethylene is preferably a straight chain low density polyethylene formed by controlling side chain branches. Also preferred are straight chain low density polyethylenes made using metallocene polymerization catalysts. In the case of ordinary low-density polyethylene, when the density is set to a low density of 0.915 g / cm 3 or less, the molecular weight distribution is often widened. As a result, agglomeration tends to occur between molecules on the polymer side due to differences in fluidity and the like, and aggregates such as gelates are formed, which is not preferable in appearance. By using a metallocene polymerization catalyst, the molecular weight can be kept relatively uniform, and by making it linear, it is also possible to prevent aggregation by unnecessary entanglement between molecules. The linear low density polyethylene obtained by the above-described metallocene polymerization catalyst is apparently preferable, and is not limited to the linear low density polyethylene obtained by the metallocene polymerization catalyst.

또한, 에틸렌계 공중합물이더라도, 공중합 모노머의 주성분이 α-올레핀을 포함하는 올레핀 모노머가 아닌 것은 바람직하지 못하다. 예컨대, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터 공중합체 등의 경우에는 유연성을 얻을 수 있지만, 고속 변형시의 반발력이 충분하지 않다. 이는 상기한 바와 같이 점탄성 특성이 통상적인 에틸렌의 점탄성 특성에 비해 크게 변화되었기 때문이라 생각된다.Moreover, even if it is an ethylene copolymer, it is unpreferable that the main component of a copolymerization monomer is not the olefin monomer containing alpha-olefin. For example, in the case of ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, flexibility can be obtained, but the repulsive force at the time of high-speed deformation | transformation is not enough. This is considered to be because the viscoelastic properties are greatly changed as compared to the conventional viscoelastic properties of ethylene as described above.

기재 필름(1)은 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌을 다른 블렌드가능한 수지와 혼합하여 이용할 수도 있다. 수지 블렌드는 상기 저밀도 폴리에틸렌의 폴리머 사슬에 결정을 저하시키는 효과가 있기 때문에, 혼합된 다른 폴리머의 결정성을 저하시켜, 상기와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 상기 수지 블렌드에 있어서, 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌은 주성분이 아닐 수도 있고, 그 혼합 비율로서는, 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌이 수지 블렌드 전체의 20 중량% 이상 있으면, 상기 효과를 얻을 수 있다. 상기 혼합 비율은 25 중량% 이상인 것이 바람직하다. 상기 저밀도 폴리에틸렌과 블렌드 가능한 수지로서는, 저밀도 폴리에틸렌과 완전히 상용적이고 그 밀도를 변화시킬 수 있는 것, 예컨대, 고밀도 폴리에틸렌 등의 각종 폴리에틸렌은 바람직하지 않다. 블렌드 가능한 수지는 상기한 것 이외이면 특별히 제한되지 않지만, 예컨대, 폴리프로필렌, 스타이렌계열가소성 엘라스토머 등을 들 수 있다.The base film 1 may be used by mixing low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less with other blendable resins. Since the resin blend has an effect of lowering the crystals in the polymer chain of the low density polyethylene, it is possible to reduce the crystallinity of the other mixed polymers and obtain the same effects as described above. In the resin blend, the low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less may not be the main component, and as the mixing ratio, if the low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less is 20% by weight or more of the entire resin blend, The effect can be obtained. It is preferable that the said mixing ratio is 25 weight% or more. As the resin which can be blended with the low density polyethylene, various polyethylenes such as those which are completely compatible with the low density polyethylene and whose density can be changed, such as high density polyethylene, are not preferable. The blendable resin is not particularly limited as long as it is other than the above-mentioned ones, and examples thereof include polypropylene and styrene-based plastic elastomers.

기재 필름(1)은 압출법 등의 통상적인 방법에 따라 제작할 수 있다. 그 두께는 보통 10 내지 300μm, 바람직하게는 30 내지 200μm 정도이다. 기재 필름(1)은 단층 필름 또는 다층 필름 중 어느 하나일 수 있다. 단, 최종적인 기재 필름(1)의 23℃에서의 인장 탄성율은 100 MPa 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다. 다층 필름은, 예컨대, 다른 연질 필름 재료를 이용하여 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 관용적인 필름 적층법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 수득된 기재 필름(1)은 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시할 수도 있다. 연신 처리를 실시하는 경우에도, 기재 필름(1)의 탄성율이 100 MPa 이하가 되는 범위에서 그치는 것이 바람직하다. 기재 필름(1)의 상기 인장 탄성율은 바람직하게는 80 MPa 이하, 더욱 바람직하게는 60 MPa 이하이다. 또한, 상기 인장 탄성율은 보통 10 MPa 이상이다.The base film 1 can be produced in accordance with conventional methods, such as an extrusion method. The thickness is usually 10 to 300 µm, preferably about 30 to 200 µm. The base film 1 may be either a single layer film or a multilayer film. However, it is preferable to make the tensile elasticity modulus in 23 degreeC of the final base film 1 into 100 Mpa or less. A multilayer film can be manufactured by conventional film lamination methods, such as a coextrusion method and a dry lamination method, using another soft film material, for example. In addition, the obtained base film 1 can also perform a uniaxial or biaxial stretching process as needed. Even when performing an extending | stretching process, it is preferable to stop in the range in which the elasticity modulus of the base film 1 becomes 100 MPa or less. The tensile modulus of the base film 1 is preferably 80 MPa or less, more preferably 60 MPa or less. In addition, the tensile modulus is usually 10 MPa or more.

이렇게 해서 제막된 기재 필름(1)은 필요에 따라 매트 처리, 코로나 방전 처리, 프라이머 처리 등의 관용적인 물리적 또는 화학적 처리를 실시할 수 있다.The base film 1 thus formed can be subjected to conventional physical or chemical treatments such as matt treatment, corona discharge treatment, primer treatment and the like, as necessary.

점착제층(2)으로서는 공지되거나 관용되는 점착제를 사용할 수 있다. 이러한 점착제는 아무런 제한도 없지만, 예컨대, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐 에터계 등의 각종 점착제가 사용된다.As the adhesive layer 2, a well-known or usual adhesive can be used. There is no restriction | limiting in such an adhesive, For example, various adhesives, such as rubber type, an acryl type, silicone type, and polyvinyl ether type, are used.

상기 점착제로서는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 아크릴계 점착제의 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머는 보통 (메트)아크릴산 알킬의 중합체 또는 공중합성모노머와의 공중합체가 사용된다. 아크릴계 폴리머의 주 모노머로서는 그 호모 폴리머의 유리전이온도가 20℃ 이하인 (메트)아크릴산 알킬이 바람직하다.As said adhesive, an acrylic adhesive is preferable. The acrylic polymer that is the base polymer of the acrylic pressure sensitive adhesive is usually a polymer of alkyl (meth) acrylate or a copolymer with a copolymerizable monomer. As the main monomer of the acrylic polymer, an alkyl (meth) acrylate having a glass transition temperature of 20% or less of the homopolymer is preferable.

(메트)아크릴산 알킬의 알킬기로서는, 예컨대, 메틸기, 에틸기, 뷰틸기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소노닐기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 공중합성 모노머로서는 (메트)아크릴산의 하이드록시알킬 에스터(예컨대, 하이드록시에틸 에스터, 하이드록시뷰틸 에스터, 하이드록시헥실 에스터 등), (메트)아크릴산 글라이시딜 에스터, (메트)아크릴산, 이타콘산, 무수 말레산, (메트)아크릴산 아마이드, (메트)아크릴산 N-하이드록시메틸아마이드, (메트)아크릴산알킬아미노알킬, (예컨대, 다이메틸아미노에틸메타크릴레이트, t-뷰틸아미노에틸메타크릴레이트 등), 아세트산 비닐, 스타이렌, 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다.As an alkyl group of (meth) acrylic-acid, a methyl group, an ethyl group, a butyl group, 2-ethylhexyl group, an octyl group, an isononyl group, etc. are mentioned, for example. Moreover, as said copolymerizable monomer, hydroxyalkyl ester of (meth) acrylic acid (for example, hydroxyethyl ester, hydroxybutyl ester, hydroxyhexyl ester, etc.), (meth) acrylic acid glycidyl ester, (meth) acrylic acid, Itaconic acid, maleic anhydride, (meth) acrylic acid amide, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, (meth) acrylic acid alkylaminoalkyl, (e.g., dimethylaminoethyl methacrylate, t-butylaminoethyl methacrylate) Vinyl acetate, styrene, acrylonitrile, etc. are mentioned.

또한, 점착제로서는 자외선, 전자선 등에 의해 경화하는 방사선 경화형 점착제나 가열 발포형 점착제를 사용할 수도 있다. 또한, 다이싱·다이본드 겸용 가능한 점착제일 수도 있다. 본 발명에 있어서는 방사선 경화형 점착제, 특히 자외선 경화형 점착제를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제로서 방사선 경화형 점착제를 사용하는 경우에는 다이싱 공정의 전 또는 후에 점착제에 방사선이 조사되기 때문에 상기 기재 필름(1)은 충분한 방사선 투과성을 가지고 있는 것이 바람직하다.As the pressure-sensitive adhesive, a radiation-curable pressure-sensitive adhesive or a heat-expandable pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet rays, electron beams, or the like can also be used. Moreover, the adhesive which can be used for a dicing die bond may be sufficient. In the present invention, it is preferable to use a radiation curable pressure sensitive adhesive, particularly an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive. Moreover, when using a radiation-curable adhesive as an adhesive, since the adhesive is irradiated before or after a dicing process, it is preferable that the said base film 1 has sufficient radiation transmittance.

방사선 경화형 점착제는, 예컨대, 상기 베이스 폴리머(아크릴계 폴리머)와, 방사선 경화 성분을 함유하여 이루어진다. 방사선 경화 성분은 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 가지며, 라디칼 중합에 의해 경화 가능한 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화 성분으로서는, 예컨대, 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산다이올 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알콜과의 에스터화물; 에스터 아크릴레이트 올리고머; 2-프로펜일-다이-3-뷰텐일시아누레이트, 2-하이드록시에틸비스(2-아크릴옥시에틸)아이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등의 아이소시아누레이트 또는 아이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다.The radiation curable pressure sensitive adhesive contains, for example, the base polymer (acrylic polymer) and a radiation curable component. The radiation curable component has a carbon-carbon double bond in the molecule, and any monomer, oligomer or polymer that can be cured by radical polymerization can be used without particular limitation. Examples of the radiation curing component include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, and 1,6-hexanediol di (meth). Esters of (meth) acrylic acid and polyhydric alcohols such as) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate; Ester acrylate oligomers; Isocyanurs, such as 2-propenyl-di-3-butenylcyanurate, 2-hydroxyethylbis (2-acryloxyethyl) isocyanurate, tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate Elate or an isocyanurate compound, etc. are mentioned.

또한, 방사선 경화형 점착제는 베이스 폴리머(아크릴계 폴리머)로서, 폴리머 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 방사선 경화형 폴리머를 사용할 수도 있다. 이 경우, 특히 상기 방사선 경화 성분을 가할 필요는 없다.Moreover, a radiation curable adhesive can also use a radiation curable polymer which has a carbon-carbon double bond in a polymer side chain as a base polymer (acrylic polymer). In this case, it is not particularly necessary to add the radiation curable component.

방사선 경화형 점착제를 자외선에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제가 필요하다. 중합 개시제로서는, 예컨대, 벤조일메틸 에터, 벤조인프로필 에터, 벤조인아이소뷰틸 에터 등의 벤조인알킬에터류; 벤질, 벤조인, 벤조페논, α-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤류; 벤질다이메틸케탈 등의 방향족 케탈류; 폴리비닐벤조페논; 클로로티오잔톤, 도데실티오잔톤, 다이메틸티오잔톤, 다이에틸티오잔톤 등의 티오잔톤 등을 들 수 있다.When hardening a radiation curable adhesive with an ultraviolet-ray, a photoinitiator is needed. As a polymerization initiator, For example, Benzoin alkyl ether, such as benzoyl methyl ether, benzoin propyl ether, benzoin isobutyl ether; Aromatic ketones such as benzyl, benzoin, benzophenone and α-hydroxycyclohexylphenyl ketone; Aromatic ketals such as benzyl dimethyl ketal; Polyvinyl benzophenone; And thioxanthones such as chlorothioxanthone, dodecyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone and diethyl thioxanthone.

상기 점착제에는, 필요에 따라, 추가로 가교제, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제 등의 관용되는 첨가제를 함유시킬 수 있다. 가교제로서는, 예컨대, 폴리아이소사이아네이트 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 아지리딘 화합물, 에폭시 수지, 무수화물, 폴리아민, 카복실기 함유 폴리머 등을 들 수 있다.As needed, the said adhesive can further contain common additives, such as a crosslinking agent, a tackifier, a filler, antioxidant, and a coloring agent. Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, melamine resins, urea resins, aziridine compounds, epoxy resins, anhydrides, polyamines, and carboxyl group-containing polymers.

본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트는, 예컨대, 기재 필름(1)의 표면에, 점착제를 도포하고 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜) 점착제층(2)을 형성하고, 필요에 따라 이 점착제층(2)의 표면에 세퍼레이터(3)를 접착시킴으로써 제조할 수 있다. 또한, 별도로 세퍼레이터(3)에 점착제층(2)을 형성한 후, 이들을 기재 필름(1)에 접착시키는 방법 등을 채용할 수 있다.In the adhesive sheet for semiconductor processing of this invention, an adhesive is apply | coated to the surface of the base film 1, for example, it heat-crosslinks as needed, and forms the adhesive layer 2, and if necessary, this adhesive layer ( It can manufacture by adhering the separator 3 to the surface of 2). Moreover, after forming the adhesive layer 2 in the separator 3 separately, the method etc. which adhere these to the base film 1 can be employ | adopted.

점착제층(2)의 두께는 점착제의 종류, 또는 다이싱 절결 깊이에 따라 적절히 결정할 수 있다. 구체적으로는, 보통 1 내지 200 μm, 바람직하게는 3 내지 50 μm정도이다.The thickness of the adhesive layer 2 can be suitably determined according to the kind of adhesive or the dicing notch depth. Specifically, it is usually 1 to 200 µm, preferably about 3 to 50 µm.

세퍼레이터(3)는 라벨 가공을 위해, 또는 점착제층을 평활하게 할 목적을 위해 필요에 따라 마련된다. 세퍼레이터(3)의 구성 재료로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(3)의 표면에는 점착제층(2)으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 이루어져 있을 수 있다. 또한, 강성을 높이는 등의 목적에 따라, 1축 또는 2축의 연신 처리나 다른 플라스틱 필름 등으로 적층을 할 수도 있다. 세퍼레이터(3)의 두께는, 보통 10 내지 200 μm, 바람직하게는 25 내지 100 μm 정도이다.The separator 3 is provided as needed for label processing, or for the purpose of making an adhesive layer smooth. As a constituent material of the separator 3, synthetic resin films, such as paper, polyethylene, a polypropylene, and a polyethylene terephthalate, etc. are mentioned. In order to improve the peelability from the adhesive layer 2, the separator 3 may be subjected to peeling treatment such as silicon treatment, long chain alkyl treatment, fluorine treatment or the like as necessary. Moreover, lamination | stacking can also be performed by the uniaxial or biaxial stretching process, another plastic film, etc. according to the purpose of raising rigidity. The thickness of the separator 3 is usually 10 to 200 m, preferably about 25 to 100 m.

본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트는 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정, 픽업하는 공정에 사용된다. 다이싱 공정, 픽업 공정은 통상적인 방법을 채용할 수 있다. 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트는 반도체 웨이퍼의 두께가 200μm 이하로 박형화한 것에 바람직하게 사용된다. 반도체 웨이퍼의 두께는 100 μm 이하, 더욱 바람직하게는 50 μm 이하의 경우에도 바람직하게 사용된다.The adhesive sheet for semiconductor processing of this invention is used for the process of dicing a semiconductor wafer, and the process of picking up. The dicing process and the pick-up process can adopt a conventional method. The adhesive sheet for semiconductor processing of this invention is used suitably for the thickness of the semiconductor wafer being 200 micrometers or less. The thickness of the semiconductor wafer is preferably used even in the case of 100 µm or less, more preferably 50 µm or less.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 보다 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited by these Examples.

실시예 1Example 1

(기재 필름의 작성)(Making of base film)

미쓰이가가쿠(주) 제품인 상품명 "에볼류 SP-0540"을 T 다이 압출 성형기(설정 온도 230℃)에 공급하여 제막하여 두께 100μm의 기재 필름을 제작했다. 에볼류 SP-0540는 메탈로센 촉매에 의해 중합된 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌으로, 그 밀도는 0.903g/cm3이다.The product name "Evols SP-0540" which is a Mitsui Chemicals Co., Ltd. product was supplied to the T-die extrusion molding machine (setting temperature 230 degreeC), and it formed into a film and produced the base film of thickness 100micrometer. Evols SP-0540 is a straight chain low density polyethylene polymerized with a metallocene catalyst and has a density of 0.903 g / cm 3 .

(점착제의 조정)(Adjustment of adhesive)

아크릴산 메틸 80 중량부 및 아크릴산 2-하이드록시에틸 20 중량부를, 톨루엔 80 중량부 및 아세토나이트릴 20 중량부의 혼합 용제내에서 통상적인 방법에 따라 공중합시켜서 중량평균분자량 50만의 아크릴계 공중합체를 함유하는 용액을 수득하였다. 이어서, 아크릴산 2-하이드록시에틸 1몰부에 대하여, 2-메타크릴로일옥시에틸렌 아이소사이아네이트가 0.9몰부가 되도록 첨가하고, 공기 분위기하에 있어서 50℃에서 12 시간 교반 반응시켜 방사선 경화형 폴리머 용액을 수득하였다. 이 폴리머 용액 100 중량부에 다이펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트(상품명 "카야래드(KAYARAD) DPHA", 니혼카야쿠(주) 제품) 100 중량부, 광중합 개시제(상품명 "이르가큐어 184", 치바 스페셜티 케미컬즈사 제품) 5 중량부, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 "코로네이트 L", 일본폴리우레탄(주) 제품) 5 중량부를 가하여 아크릴계 자외선 경화형 점착제 용액을 조제하였다.A solution containing an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 by copolymerizing 80 parts by weight of methyl acrylate and 20 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate according to a conventional method in a mixed solvent of 80 parts by weight of toluene and 20 parts by weight of acetonitrile. Obtained. Subsequently, 2-methacryloyloxyethylene isocyanate is added to 0.9 mol part with respect to 1 mol part of 2-hydroxyethyl acrylates, and it stirred for 12 hours at 50 degreeC in air atmosphere, and makes a radiation curable polymer solution Obtained. 100 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate (trade name "KAYARAD DPHA", product of Nihon Kayaku Co., Ltd.), photopolymerization initiator (trade name "Irgacure 184", 100 parts by weight of the polymer solution, Chiba Specialty 5 parts by weight of Chemicals, Inc. and 5 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name "Coronate L", manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) were added to prepare an acrylic ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive solution.

(점착 시이트의 제작)(Production of the adhesive sheet)

상기에서 조제한 점착제 용액을, 상기에서 수득된 기재 필름의 코로나 처리면 위에 도포하고, 80℃에서 10 분간 가열 가교하여 두께 20μm의 자외선 경화형 점착제층을 형성하였다. 이어서, 상기 점착제층면에 세퍼레이터를 접착시켜 자외선 경화형 점착 시이트를 제작하였다.The adhesive solution prepared above was apply | coated on the corona treatment surface of the base film obtained above, and it heat-crosslinked at 80 degreeC for 10 minutes, and formed the ultraviolet curable adhesive layer of thickness 20micrometer. Subsequently, a separator was adhered to the pressure-sensitive adhesive layer surface to prepare an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive sheet.

실시예 2Example 2

실시예 1에 있어서, 기재 필름의 재료로서, 미쓰비시가가쿠(주) 제품인 "커넬 KF273"을 이용한 것 이외에는 실시예 1에 준하여 자외선 경화형 점착 시이트를 제작하였다. 커넬 KF273은 메탈로센 촉매에 의해 중합된 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌으로, 그 밀도는 0.913 g/cm3이다.In Example 1, the ultraviolet curable adhesive sheet was produced according to Example 1 except having used "Kernel KF273" by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. as a material of a base film. Kernel KF273 is a straight chain low density polyethylene polymerized with a metallocene catalyst, whose density is 0.913 g / cm 3 .

실시예 3Example 3

실시예 1에 있어서, 기재 필름의 재료로서, 미쓰비시가가쿠(주) 제품인 "젤라스(Zelas)" 70 중량부와 미쓰비시가가쿠(주) 제품인 "커넬 KF261" 30 중량부를 2축 혼련 압출기로 혼합한 것을 이용한 것 이외에는 실시예 1에 준하여 자외선 경화형 점착 시이트를 제작하였다. 젤라스는 프로필렌 58 중량%와 에틸렌-프로필렌 고무 42 중량%의 혼합품으로, 그 밀도는 0.88 g/cm3이다. 커넬 KF261은 메탈로센 촉매에 의해 중합된 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌으로, 그 밀도는 0.898 g/cm3이다.In Example 1, 70 parts by weight of "Zelas" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. and 30 parts by weight of "Kernel KF261" manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. as a material of the base film were mixed in a twin screw kneading extruder. The ultraviolet curable adhesive sheet was produced in accordance with Example 1 except for using one. Gelas is a mixture of 58% by weight of propylene and 42% by weight of ethylene-propylene rubber, having a density of 0.88 g / cm 3 . Kernel KF261 is a straight chain low density polyethylene polymerized with a metallocene catalyst, whose density is 0.898 g / cm 3 .

비교예 1Comparative Example 1

실시예 1에 있어서, 기재 필름의 재료로서, 미쓰이 듀퐁 폴리케미컬(주) 제품인 "에바플렉스 P-1205"를 사용한 것 이외에는 실시예 1에 준하여 자외선 경화형 점착 시이트를 제작하였다. 에바플렉스 P-1205는 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체로, 그 밀도는 0.93 g/cm3이다.In Example 1, the ultraviolet curable adhesive sheet was produced according to Example 1 except having used "Evaplex P-1205" which is a Mitsui Dupont Polychemical Co., Ltd. product as a material of a base film. Evaflex P-1205 is an ethylene-vinyl acetate copolymer with a density of 0.93 g / cm 3 .

비교예 2Comparative Example 2

실시예 1에 있어서, 기재 필름의 재료로서 미쓰이가가쿠(주) 제품인 "울트젝스 2022L"을 이용한 것 이외에는 실시예 1에 준하여 자외선 경화형 점착 시이트를 제작하였다. 울트젝스 2022L은 지글러 촉매에 의해 중합된 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌으로, 그 밀도는 0.92 g/cm3이다.In Example 1, the ultraviolet curable adhesive sheet was produced according to Example 1 except having used "Ultex 2022L" by Mitsui Chemical Co., Ltd. as a material of a base film. Ultex 2022L is a straight chain low density polyethylene polymerized by Ziegler catalysts, the density of which is 0.92 g / cm 3 .

비교예 3Comparative Example 3

실시예 1에 있어서, 기재 필름의 재료로서 미쓰비시가가쿠(주) 제품인 "젤라스"를 이용한 것 이외에는 실시예 1에 준하여 자외선 경화형 점착 시이트를 제작하였다.In Example 1, the ultraviolet curable adhesive sheet was produced like Example 1 except having used "Gelas" which is a Mitsubishi Chemical Co., Ltd. product as a material of a base film.

(평가 시험) (Evaluation test)

실시예 및 비교예에서 수득된 점착 시이트를 하기 방법에 의해 평가했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.The adhesive sheet obtained in the Example and the comparative example was evaluated by the following method. The results are shown in Table 1.

(1) 기재 필름의 인장 탄성율(1) Tensile modulus of the base film

제작한 기재 필름의 인장 탄성율을 JIS K6921-2에 준하여 측정했다. 인장 속도: 200 mm/min, 척간: 50 mm, 샘플 폭: 10 mm. The tensile elasticity modulus of the produced base film was measured according to JIS K6921-2. Tensile speed: 200 mm / min, Intervertebral column: 50 mm, Sample width: 10 mm.

(2) 픽업 시험(2) pickup test

제작한 점착 시이트를 두께 50μm의 6인치 웨이퍼에 탑재하고, 7mm×7mm의 크기로 다이싱을 실시한 후, 자외선을 조사하여 점착제층의 점착력을 저하시키고 나서 다이 본더로 픽업을 실시하였다.The produced adhesive sheet was mounted on a 6-inch wafer having a thickness of 50 µm, dicing to a size of 7 mm x 7 mm, and then picked up using a die bonder after irradiating ultraviolet rays to lower the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer.

다이 본더: NEC 머시너리 제품 CPS-100Die Bonder: NEC Machinery Products CPS-100

리프트 핀: 350 μm R15°×0.75 mmΦLift pin: 350 μm R15 ° × 0.75 mmΦ

리프트량: 300 μmLift amount: 300 μm

상기 조건으로 약 30칩의 픽업을 시도하여, 얼마만큼 픽업할 수 있었는지를 평가하였다. At the above conditions, a pickup of about 30 chips was attempted to evaluate how much pickup was possible.

표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 실시예의 점착 시이트에서는 박형 칩이라도 문제없이 픽업할 수 있음이 보였다. As can be seen from Table 1, it was shown that even in the adhesive sheet of the example, even a thin chip can be picked up without any problem.

상기 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트의 기재 필름은 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌을 사용하고 있기 때문에, 유연성을 갖고 있고, 반도체 웨이퍼로서 두께가 200μm 이하의 얇은 것을 이용한 경우에도 반도체 칩의 픽업시 밀어 올림시의 필름 변형성이 우수하다. 또한, 기재 필름의 신장에 따라, 그 응력이 증대해 가는 특징을 갖고 있고, 반도체 칩의 박리를 용이하게 실시할 수 있고, 우수한 픽업 성능을 갖는다.Since the base film of the adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention uses a low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less, it has flexibility and picks up a semiconductor chip even when a thin one having a thickness of 200 μm or less is used as the semiconductor wafer. Excellent film deformability at the time of pushing up. Moreover, as the base film is elongated, the stress increases, the semiconductor chip can be easily peeled off, and the pick-up performance is excellent.

도 1은 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트 상의 반도체 웨이퍼 칩을 니들로 밀어 올린 상태를 나타내는 단면도의 일례이다. 1 is an example of sectional drawing which shows the state which pushed up the semiconductor wafer chip on the adhesive sheet for semiconductor processing of this invention with the needle.

도 2는 종래의 반도체 가공용 점착 시이트 상의 반도체 웨이퍼칩을 니들로 밀어 올린 상태를 나타내는 단면도의 일례이다. 2 is an example of sectional drawing which shows the state which pushed up the semiconductor wafer chip on the conventional adhesive sheet for semiconductor processing with a needle.

도 3은 종래의 반도체 가공용 점착 시이트 상의 반도체 웨이퍼 칩을 니들로 밀어 올린 상태를 나타내는 단면도의 일례이다. 3 is an example of sectional drawing which shows the state which pushed up the semiconductor wafer chip on the conventional adhesive sheet for semiconductor processing with a needle.

도 4는 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트 상의 반도체 웨이퍼 칩을 흡착 콜레트로 박리하고 있는 상태를 나타내는 단면도의 일례이다. It is an example of sectional drawing which shows the state which peels the semiconductor wafer chip on the adhesive sheet for semiconductor processing of this invention with the adsorption collet.

도 5는 종래의 반도체 가공용 점착 시이트 상의 반도체 웨이퍼 칩을 흡착 콜레트로 박리하고 있는 상태를 나타내는 단면도의 일례이다. It is an example of sectional drawing which shows the state which peels the semiconductor wafer chip on the conventional adhesive sheet for semiconductor processing with an adsorption collet.

도 6은 본 발명의 반도체 가공용 점착 시이트의 단면도의 일례이다. It is an example of sectional drawing of the adhesive sheet for semiconductor processing of this invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

A, A': 반도체 가공용 점착 시이트 W: 반도체 칩A, A ': adhesive sheet for semiconductor processing W: semiconductor chip

N: 니들 C: 흡착 콜레트N: needle C: adsorption collet

1: 기재 필름 2: 점착제층1: Base Film 2: Adhesive Layer

3: 세퍼레이터 3: separator

Claims (9)

기재 필름의 한 면 이상에 점착제층을 갖는 반도체 가공용 점착 시이트에 있어서, In the adhesive sheet for semiconductor processing which has an adhesive layer on one or more surfaces of a base film, 상기 기재 필름이 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌을 함유하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 시이트.The adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the base film contains low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기재 필름중에 밀도 0.915 g/cm3 이하의 저밀도 폴리에틸렌 20 중량% 이상이 함유된 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 시이트.An adhesive sheet for semiconductor processing comprising 20 wt% or more of low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less in the base film. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기재 필름의 23℃에서의 인장 탄성율이 100 MPa 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 시이트.Tensile elastic modulus in 23 degreeC of the said base film is 100 Mpa or less, The adhesive sheet for semiconductor processing. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 저밀도 폴리에틸렌이 측쇄 분지를 제어하여 이루어진 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌인 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 시이트. The low-density polyethylene is a linear low-density polyethylene formed by controlling side chain branches. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 저밀도 폴리에틸렌이 메탈로센 촉매를 사용하여 중합된 것임을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 시이트.The low-density polyethylene is polymerized using a metallocene catalyst, the adhesive sheet for semiconductor processing. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 점착제층이 방사선 경화형 점착제에 의해 형성된 것임을 특징으로 하는 반도체 가공용 점착 시이트. An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive. 제 1 항에 따른 반도체 가공용 점착 시이트를 이용하여, 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정 및 /또는 픽업하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체의 가공 방법. The semiconductor processing method of Claim 1 which has the process of dicing a semiconductor wafer, and / or the process of picking up using the adhesive sheet for semiconductor processing. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 반도체 웨이퍼의 두께가 200μm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체의 가공 방법. The thickness of a semiconductor wafer is 200 micrometers or less, The processing method of the semiconductor characterized by the above-mentioned. 제 7 항에 따른 반도체의 가공 방법에 의해 수득된 것임을 특징으로 하는 반도체 칩.A semiconductor chip obtained by the method for processing a semiconductor according to claim 7.
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