KR20050015016A - Semiconductor manufacturing system for high temperature thermal process - Google Patents
Semiconductor manufacturing system for high temperature thermal processInfo
- Publication number
- KR20050015016A KR20050015016A KR1020030053469A KR20030053469A KR20050015016A KR 20050015016 A KR20050015016 A KR 20050015016A KR 1020030053469 A KR1020030053469 A KR 1020030053469A KR 20030053469 A KR20030053469 A KR 20030053469A KR 20050015016 A KR20050015016 A KR 20050015016A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cassette
- substrate
- chamber
- loading
- substrate loading
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 고온 공정용 반도체 제조장치에 관한 것으로서, 특히, 한 번에 다량의 반도체 기판을 공정 처리할 수 있는 수직관상의 반응튜브를 가진 고온 공정용 반도체 제조장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus for high temperature processing, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus for high temperature processing having a vertical tubular reaction tube capable of processing a large amount of semiconductor substrates at one time.
도 1a 내지 도 1b는 종래의 고온공정용 반도체 제조장치의 개략단면도와 평면도이다. 1A to 1B are schematic cross-sectional views and plan views of a conventional semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process.
이를 참조하면, 일반적으로 고온 공정용 반도체 제조장치는, 공정 특정상 시간이 많이 소요되므로 한 번에 다량의 반도체 기판(100)을 처리할 수 있도록 구성되어 있다. 그리고, 반응가스의 균일한 흐름에 의해서 공정의 균일도가 영향을 받기 때문에, 반도체 기판(100)을 수평으로 적층할 수 있는 기판 로딩용 보트(1045)와 이를 수용할 수 있는 수직 관상형의 반응 튜브(1041)를 사용하는 것이 일반적이다. 이때, 기판 로딩용 보트(1045)에는 반도체 기판을 수평으로 지지하기 위해서 상하 길이방향으로 일정한 간격을 두고 슬롯들(미도시)이 형성되어 있다. 그리하여, 이들 슬롯에 반도체 기판(100)의 가장자리 부분이 걸리도록 끼워 넣어 반도체 기판을 고정시킨다. Referring to this, generally, a semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process is configured to be able to process a large amount of semiconductor substrate 100 at a time because a large amount of time is required in the process specific phase. Since the uniformity of the process is affected by the uniform flow of the reaction gas, the substrate loading boat 1045 capable of stacking the semiconductor substrate 100 horizontally and the vertical tubular reaction tube capable of accommodating the same. It is common to use 1041. In this case, slots (not shown) are formed in the substrate loading boat 1045 at regular intervals in the vertical direction to support the semiconductor substrate horizontally. Thus, the edges of the semiconductor substrate 100 are inserted into these slots to fix the semiconductor substrates.
그런데, 이러한 종래의 열처리 공정용 반도체 제조장치는, 하나의 장치에 보통 하나의 반응튜브(1045)만이 장착되어 있어, 공정 처리량을 증가시키기 위해서는 추가로 장치를 구입해야한다. 그리하여, 반도체 기판의 처리량이 조금이라도 초과하면, 장치 구입에 드는 비용이 2배로 소요되는 단점이 있다. By the way, in the conventional semiconductor manufacturing apparatus for heat treatment process, only one reaction tube 1045 is usually mounted in one apparatus, so that an additional apparatus must be purchased to increase the process throughput. Thus, if the throughput of the semiconductor substrate even slightly exceeds, there is a disadvantage that the cost of purchasing the device is doubled.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 하나의 반도체 장치에서 반도체 기판의 처리량을 극대화시킬 수 있는 고온 공정용 반도체 제조장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process that can maximize the throughput of a semiconductor substrate in one semiconductor device.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 고온 공정용 반도체 제조장치는, 반도체 기판을 공정처리하기 위한 공정 공간을 제공하는 반응튜브와, 반응튜브 내에 수용되며 적어도 하나의 반도체 기판을 로딩할 수 있는 기판 로딩용 보트를 가진 적어도 두 개의 독립된 반응 리액터부와, 반응 리액터부와 인접하여 배치되고 반응 리액터부들과 각각 독립적으로 대응하여 반도체 기판을 기판 로딩용 보트에 독립적으로 로딩 및 언로딩하는 기판 로딩용 로봇을 가진 복수의 독립된 트랜스퍼 챔버들과, 트랜스퍼 챔버들과 연접하여 외부로부터 적어도 하나의 반도체 기판이 수용된 카세트를 로딩/언로딩할 수 있도록 마련된 기판 로딩용 챔버와, 기판 로딩용 챔버와 트랜스퍼 챔버들 사이에 배치되어 기판 로딩용 챔버에 로딩된 카세트를 트랜스퍼 챔버로 이동시킬 수 있는 카세트 이동용 로봇을 가진 카세트 이동부를 포함한다. In order to achieve the above technical problem, the semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process of the present invention, a reaction tube that provides a process space for processing the semiconductor substrate, and is accommodated in the reaction tube can be loaded at least one semiconductor substrate At least two independent reaction reactor portions having a boat for loading the substrate, and substrate loading for loading and unloading a semiconductor substrate independently from the boat for loading the substrate, respectively disposed adjacent to the reaction reactor and independently corresponding to the reaction reactor portions. A plurality of independent transfer chambers having a robot, a substrate loading chamber arranged to be able to load / unload a cassette containing at least one semiconductor substrate from the outside in contact with the transfer chambers, a substrate loading chamber and transfer chambers Transfer chamber disposed between the cassettes loaded in the substrate loading chamber And a cassette moving unit having a cassette moving robot capable of moving to a.
여기서, 상기 반응튜브는 하부가 개방된 수직 관상형이다. Here, the reaction tube is a vertical tubular open bottom.
반응 리액터부는, 기판 로딩용 보트를 하부에서 지지하는 판상의 지지플레이트와, 지지플레이트와 연결되어 지지플레이트를 상하로 이동시켜 기판 로딩용 보트를 반응튜브 내로 인입 및 인출시키는 보트 구동장치를 포함한다. The reaction reactor unit includes a plate-shaped support plate that supports the substrate loading boat from the bottom, and a boat driving device connected to the support plate to move the support plate up and down to draw the substrate loading boat into and out of the reaction tube.
트랜스퍼 챔버들 사이에는 공간을 분리하는 차단용 격벽이 형성되어 있다. 이에 더하여, 차단용 격벽에는 공기청정용 필터를 더 포함할 수 있다. A blocking partition for separating spaces is formed between the transfer chambers. In addition, the blocking partition wall may further include an air cleaning filter.
트랜스퍼 챔버는 반응 리액터부와의 사이를 선택적으로 차단할 수 있는 제1도어부를 포함하여 공정을 진행하는 동안 반응리액터부를 외부와 차단할 수 있다. 이때, 제1도어부는, 기판 로딩용 챔버와 사이에 로드락 제어시스템을 포함하여 외부 공기가 장치 내부로 들어오지 못하게 할 수 있다.The transfer chamber may include a first door part capable of selectively blocking the reaction reactor part, and may block the reaction reactor part from the outside during the process. In this case, the first door part may include a load lock control system between the substrate loading chamber and the outside air to prevent the outside air from entering the device.
또한, 트랜스퍼 챔버와 카세트 이동부 사이에도 선택적으로 차단할 수 있는 제2도어부를 포함할 수 있고, 이때, 제2도어부는, 기판 로딩용 챔버와 사이에 로드락 제어시스템을 포함하는 것이 외부로부터 들어오는 오염된 공기를 차단할 수 있어 바람직하다. In addition, the second door may include a second door that can be selectively blocked between the transfer chamber and the cassette moving unit, wherein the second door, the load containing the load lock control system between the substrate loading chamber and contamination from the outside It is desirable to be able to block the air.
기판 로딩용 챔버는, 카세트 트랜스퍼 챔버와 인접하여 배치되고 전면과 이와 대면하여 카세트 이동부의 벽면과 접하는 후면에 개구부를 가진 통형상의 로딩 챔버부와, 전면 개구부를 개폐하는 판상의 로딩 도어부와, 로딩 챔버부 내에 마련되어 반도체 기판이 수용된 카세트를 올려놓을 수 있도록 마련된 적어도 하나의 제1카세트 지지대, 및 카세트를 카세트 트랜스퍼 챔버로 이동시키기 위하여 후면 개구부에 마련된 인출입 도어부를 포함한다. The substrate loading chamber includes a cylindrical loading chamber portion disposed adjacent to the cassette transfer chamber and having an opening at a rear surface facing the front surface and a wall of the cassette moving portion, a plate loading door portion for opening and closing the front opening portion; At least one first cassette support provided in the loading chamber to be placed on the cassette containing the semiconductor substrate, and a draw-out door portion provided in the rear opening to move the cassette to the cassette transfer chamber.
로딩 도어부는 전면 개구부에 대해서 상하로 슬라이딩하여 전면 개구부를 개폐하도록 작동하는 것이 레이아웃 상 작동공간을 적게 차지하여 바람직하다. The loading door portion is preferably operated by sliding up and down with respect to the front opening portion to open and close the front opening portion, taking up a small operating space on the layout.
제1카세트 지지대는, 카세트에 담긴 상기 반도체 기판과 수평하게 올려놓을 수 있는 제1카세트 지지판을 포함한다. 그리고, 제1카세트 지지판은 소정각도로 자전할 수 있도록 구성될 수 있다. The first cassette supporter includes a first cassette support plate that can be placed horizontally with the semiconductor substrate contained in the cassette. The first cassette support plate may be configured to rotate at a predetermined angle.
카세트 이동부는, 기판 로딩용 챔버로부터 이송되는 카세트를 올려놓을 수 있는 적어도 하나의 제2카세트 지지대, 및 기판 로딩용 챔버와 카세트 이동부 사이에 개재되어 카세트를 이동시키는 카세트 이동용 로봇을 포함한다. 여기서, 제2카세트 지지대는, 카세트가 인입되는 방향에 대해서 가로로 평행하게 설치된 막대모양의 카세트 지지바, 카세트 지지바 상에 가로로 배치되어 카세트를 올려놓을 수 있는 적어도 하나의 제2카세트 지지판, 및 카세트 지지바를 따라 길이방향으로 이동할 수 있도록 지지되어 카세트 지지바를 따라 배치된 제2카세트 지지판들 사이에 카세트를 횡방향으로 이동시키는 횡축 카세트 이동기를 포함한다. 그리하여, 공정을 진행할 카세트들을 복 수개 저장하여 공정대기를 위한 버퍼공간의 역할을 한다. 제2카세트 지지판의 판면은 반도체 기판과 수평으로 배치될 수 있도록 형성된다. The cassette moving part includes at least one second cassette support on which the cassette transferred from the substrate loading chamber can be placed, and a cassette moving robot interposed between the substrate loading chamber and the cassette moving part to move the cassette. Here, the second cassette supporter, the bar-shaped cassette support bar installed in parallel to the direction in which the cassette is inserted, at least one second cassette support plate which is arranged horizontally on the cassette support bar to place the cassette, And a transverse cassette mover which is supported to be movable along the cassette support bar in the longitudinal direction and moves the cassette laterally between the second cassette support plates disposed along the cassette support bar. Thus, a plurality of cassettes to be processed are stored to serve as a buffer space for process waiting. The plate surface of the second cassette support plate is formed to be horizontally disposed with the semiconductor substrate.
기판 로딩용 챔버와 인접하여 카세트 이동부의 상부에 복수의 카세트를 저장하는 카세트 저장부를 더 포함하여, 다량의 반도체 기판을 순서에 입각하여 공정시간의 손실이 없이 계획적으로 공정을 진행할 수 있다. 이때, 카세트 저장부는, 기판 로딩용 챔버와 카세트 이동부 사이에 개재되어 카세트 이동부와 상향 및 측방으로 연접하고 하부가 개방된 캐비넷 형상으로 형성되며, 기판 이동용 챔버와 인접한 영역에 카세트가 통과할 수 있는 인출입개구부가 형성되어 있는 저장부 본체와, 저장부 본체 내부에 복층으로 소정의 매트릭스 형태로 배열된 제3카세트 지지대들을 포함한다. The apparatus may further include a cassette storage unit configured to store a plurality of cassettes in the upper portion of the cassette moving unit adjacent to the substrate loading chamber, so that the process may be deliberately performed without loss of processing time based on a large amount of semiconductor substrates in sequence. In this case, the cassette storage portion is interposed between the substrate loading chamber and the cassette moving portion and is formed in a cabinet shape which is connected upwardly and laterally with the cassette moving portion and has an open lower portion, and the cassette can pass through an area adjacent to the substrate moving chamber. And a third cassette supporter arranged in a predetermined matrix form in a plurality of layers inside the storage unit main body, and a storage unit body having a withdrawable opening and closing portion.
또한, 기판 이동용 챔버는, 상부 및 측방이 개방되어 있고 하부면에 상기 카세트를 올려놓을 수 있는 제1카세트 지지대, 및 카세트 지지대 하부에 설치되어 카세트를 인출입개구부를 통하여 카세트 저장부 내부의 카세트 로딩기로 이동시키는 로딩구동부를 포함하여 카세트를 제1카세트 지지대에 올려놓으면 자동으로 카세트 저장부 내로 인입된다. In addition, the substrate movement chamber includes a first cassette support for opening the cassette on the lower side and an upper and side sides thereof, and a cassette loading inside the cassette storage portion through the take-out opening to install the cassette under the cassette support. When the cassette is placed on the first cassette support, including the loading driving unit for moving to the machine, the cassette is automatically drawn into the cassette storage unit.
이렇게 본 발명의 고온 공정용 반도체 제조장치는, 복수의 개별적인 반응리액터부와 이들 반응리액터부에 각각 독립적으로 대응하여 작동하도록 별도의 트랜스퍼 챔버를 마련함으로써, 반도체 기판을 기판 로딩용 보트에 로딩하면서 발생하는 지체 시간을 단축할 수 있다. 그리고, 트랜스퍼 챔버가 분리되어 독립적으로 존재함으로써, 장치 내부의 파티클 관리를 더 용이하게 할 수 있다. Thus, in the high temperature process semiconductor manufacturing apparatus of this invention, a plurality of individual reaction reactor parts and the separate transfer chamber are provided so that each reaction reactor part may operate independently, and generate | occur | produces while loading a semiconductor substrate in the board | substrate loading boat. This can shorten the delay time. And since the transfer chamber is separated and independently, it is easier to manage the particles inside the apparatus.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention; However, embodiments of the present invention illustrated below may be modified in many different forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.
도 2a는 본 발명의 고온공정용 반도체 제조장치를 상세히 설명하기 위해서 나타낸 평면도 개략도이고, 도 2b는 40-1를 기준으로 절개하여 나타낸 개략 단면도이다. 40-1의 반응리액터부는 40-1과 유사하다. 도 4는 본 발명의 반응리액터부와 트랜스퍼 챔버 사이를 확대하여 나타낸 평면도이다. FIG. 2A is a plan view schematically illustrating the semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process of the present invention in detail, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view cut out on the basis of 40-1. The reaction reactor portion of 40-1 is similar to 40-1. Figure 4 is an enlarged plan view showing the reaction reactor portion and the transfer chamber of the present invention.
도 2a를 참조하면, 본 발명의 고온공정용 반도체 제조장치는, 공정을 진행할 수 있는 공정공간을 제공하는 두 개의 독립적인 반응리액터부(40-1,40-2)와, 상기 반응리액터부들(40-1,40-2)에 대해서 각각 독립적으로 배치되어 반도체 기판(100)을 반응리액터(40-1,40-2)에 로딩하는 기판 로딩용 로봇(31-1,31-2)을 가진 복수의 독립적인 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)와, 이 트랜스퍼 챔버들(30-1,30-2)에 복수의 반도체 기판(100)이 담긴 카세트를 이동시키는 카세트 이동 로봇(21)을 포함하는 카세트 이동부(20) 및 이 카세트 이동부(20)에 외부로부터 공급되는 반도체 기판(100)이 담긴 카세트(101)를 로딩 및 공정이 완료된 반도체 기판(100)을 담은 카세트(101)를 언로딩하는 기판 로딩용 챔버(10)를 포함한다. Referring to FIG. 2A, the semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process of the present invention includes two independent reaction reactor parts 40-1 and 40-2, which provide a process space in which a process can be performed, and the reaction reactor parts ( 40-1 and 40-2, which are disposed independently of each other, have substrate loading robots 31-1 and 31-2 for loading the semiconductor substrate 100 into the reaction reactors 40-1 and 40-2. Cassette transfer robot 21 for moving a plurality of independent transfer chambers 30-1 and 30-2 and a cassette containing a plurality of semiconductor substrates 100 in the transfer chambers 30-1 and 30-2. Cassette 101 containing a semiconductor substrate 100, the loading and processing of the cassette 101 containing the cassette moving unit 20 and the semiconductor substrate 100 supplied from the outside to the cassette moving unit 20 is completed It includes a substrate loading chamber 10 for unloading.
도 2b를 참조하면, 각각의 반응 리액터부(40-1)의 상부는, 공정이 진행되는 공정 공간을 제공하는 반응튜브(41-1)가 배치되어 있다. 그리고, 이 반응튜브(41-1)를 둘러싸고서 공정 공간 내부를 소정의 공정온도로 가열시키는 가열장치(43-1)와, 공정을 진행하기 위해서 복수의 반도체 기판(100)을 수용하여 반응튜브(41-1) 내로 인입하거나 인출하는 기판 로딩용 보트(45-1)와, 이 기판 로딩용 보트(45-1)의 하부를 지지하는 판상의 지지플레이트(47-1), 및 이 지지플레이트(47-1)와 연결되어 지지플레이트(47-1)를 상하로 이동시켜 기판 로딩용 보트(45-1)를 반응튜브(41-1) 내에 인입하거나 반응튜브(41-1) 외부로 인출시키는 보트 구동장치(49-1)를 포함한다.Referring to FIG. 2B, a reaction tube 41-1 is disposed in the upper portion of each reaction reactor portion 40-1 to provide a process space in which the process proceeds. In addition, a heating device 43-1 surrounding the reaction tube 41-1 and heating the inside of the process space to a predetermined process temperature, and a plurality of semiconductor substrates 100 for carrying out the process, contain the reaction tube. The board | substrate loading boat 45-1 which draws in or draws in into (41-1), the plate-shaped support plate 47-1 which supports the lower part of this board | substrate loading boat 45-1, and this support plate Connected to the 47-1 to move the support plate 47-1 up and down to introduce the substrate loading boat 45-1 into the reaction tube 41-1 or to the outside of the reaction tube 41-1. And a boat drive 49-1.
여기서, 반응튜브(41-1,41-2)는 하부가 개방된 수직관상 형이고, 상부는 폐쇄되어 돔형으로 형성되어 있다. 이러한 반응튜브(41-1,41-2)는 고온에서 공정을 진행하기 위하여 석영(quartz)이나 실리콘 카바이드(SiC)로 형성되는 것이 바람직하다. Here, the reaction tubes (41-1, 41-2) is a vertical tubular shape of the lower portion is open, the upper portion is closed is formed in a dome shape. The reaction tubes (41-1, 41-2) is preferably formed of quartz (quartz) or silicon carbide (SiC) to proceed the process at a high temperature.
가열장치(43-1.43-2)는, 램프 가열형이나 저항형 코일을 사용할 수 있고, 통상 1100 ℃ 내지 1300 ℃의 공정온도까지 상승시킬 수 있는 저항용 코일이나 램프를 사용하는 것이 바람직하다.As the heating device 43-1.43-2, a lamp heating type or a resistance coil can be used, and it is preferable to use a resistance coil or a lamp that can be raised to a process temperature of 1100 ° C to 1300 ° C.
기판 로딩용 보트(45-1)는 반응튜브(41-1)의 내부에 수용될 수 있도록 그 외형의 반응튜브(41-1)의 형상과 유사하게 전체적으로 원기둥형으로 형성되어 있다. 이러한 기판 로딩용 보트(45-1)는, 반도체 기판(100)을 수평으로 적층하여 로딩할 수 있도록 상하 길이방향을 따라서 일정한 간격으로 형성된 기판 지지부(미도시, 슬롯들)가 형성되어 있다. 그리하여, 반도체 기판(100)을 이 슬롯들에 끼워넣어 다량의 반도체 기판(100)을 로딩한다. The substrate loading boat 45-1 is formed in a cylindrical shape as a whole similar to the shape of the reaction tube 41-1 of its outer shape so as to be accommodated in the reaction tube 41-1. The substrate loading boat 45-1 has substrate support portions (not shown in the drawings) formed at regular intervals along the vertical direction so that the semiconductor substrate 100 can be stacked and loaded horizontally. Thus, the semiconductor substrate 100 is inserted into these slots to load a large amount of the semiconductor substrate 100.
지지 플레이트(47-1)는, 측방으로 연장 형성된 보트 구동장치(49-1)에 의해서 하부면 지지되어 있다. 즉, 지지 플레이트(47-1)의 측부에 보트 구동장치(49-1)가 배치되어 있고, 보트 구동장치(49-1)는 지지 플레이트(47-1)를 반응튜브(41-1)의 개구부(41b-1)에서부터 기판 로딩용 보트(45-1)의 상단부가 반응튜브(41-1)의 개구부(41b-1) 밖으로 완전히 인출될 때까지 작동을 시킬 수 있다. 이때, 지지 플레이트(47-1)는 원형 판상으로 형성되고, 반응튜브(41-1)의 개구부(41b-1)에 지지 플레이트(47-1)의 연부가 접촉되면, 반응튜브(41-1) 내부에서 공정을 진행할 수 있는 밀폐된 공정 공간(41a-1)을 제공할 수 있다. The support plate 47-1 is supported by the boat drive device 49-1 extending laterally at its lower surface. That is, the boat drive unit 49-1 is disposed on the side of the support plate 47-1, and the boat drive unit 49-1 moves the support plate 47-1 to the reaction tube 41-1. From the opening 41b-1, the upper end of the substrate loading boat 45-1 may be operated until it is completely pulled out of the opening 41b-1 of the reaction tube 41-1. At this time, the support plate 47-1 is formed in a circular plate shape, and when the edge of the support plate 47-1 contacts the opening portion 41b-1 of the reaction tube 41-1, the reaction tube 41-1 ) May provide a closed process space 41a-1 through which the process may proceed.
도 4를 참조하면, 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)는, 독립적으로 배치된 각각의 반응 리액터부(40-1,40-1)와 대응하여 각각 하나씩 마련되어 있고, 인접한 트랜스퍼 챔버(30-1에 대해서는 30-2) 사이에는 상호 독립된 공간을 형성하기 위하여 차단용 격벽(33)이 형성되어 있다. 그리하여, 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)는 각각의 반응 리액터부(40-1,40-2)에 대해서 서로 격리된 공간을 가지고서 상호 독립적으로 반도체 기판(100)을 로딩 및 언로딩할 수 있다. 그리고, 이 차단용 격벽(33)은 그 벽면(33) 양측으로 공기 청정용 필터(34)를 더 포함할 수도 있다. 그러면, 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2) 내부의 분위기 가스가 이 공기청정용 필터(34)에 의해서 청정하게 정화된다. 한편, 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)와 반응리액터(40-1,40-2) 사이에는 공간을 선택적으로 차단할 수 있는 제1도어부(35-1,35-2)가 마련되어 있다. 반도체 기판(100)을 로딩 및 언로딩하는 동안에는 제1도어부(35-1,35-2)가 열리고, 공정을 진행하는 동안에는 제1도어부(35-1,35-2)가 닫혀서 반응리액터부(40-1,40-2)의 공간이 외부와 격리되어 밀폐되도록 구동할 수 있다.Referring to FIG. 4, the transfer chambers 30-1 and 30-2 are provided one by one in correspondence with the respective reaction reactor portions 40-1 and 40-1 which are independently arranged, and the adjacent transfer chambers 30 are provided. In the case of -1, a barrier rib 33 for blocking is formed between 30-2 to form mutually independent spaces. Thus, the transfer chambers 30-1 and 30-2 have spaces separated from each other for the reaction reactor units 40-1 and 40-2 so that the semiconductor substrate 100 can be loaded and unloaded independently of each other. Can be. The barrier rib 33 may further include an air cleaning filter 34 on both sides of the wall 33. Then, the atmospheric gas inside the transfer chambers 30-1 and 30-2 is cleanly purified by this air cleaning filter 34. Meanwhile, first door parts 35-1 and 35-2 are provided between the transfer chambers 30-1 and 30-2 and the reaction reactors 40-1 and 40-2 to selectively block the space. . The first door parts 35-1 and 35-2 are opened while the semiconductor substrate 100 is loaded and unloaded, and the first door parts 35-1 and 35-2 are closed during the process and the reaction reactor is closed. Spaces of the parts 40-1 and 40-2 may be driven to be isolated from the outside and sealed.
카세트 이동부(20)는, 기판 로딩용 챔버(10)와 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2) 사이에 개재되어 있고, 기판 로딩용 챔버(10)와 카세트 이동부(20) 사이에는 카세트(101)를 이동시키는 카세트 이동용 로봇(21)을 포함하고 있다. 그리고, 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)와 인접한 영역에는 반응리액터부(40-1,40-2)와의 사이에 교환되는 카세트(101)를 올려놓는 적어도 하나의 카세트 지지판(231)과 이 카세트 지지판(231)을 하부에서 가로로 지지하는 카세트 지지바(233)를 가진 카세트 지지대(23)를 포함한다. 이때, 카세트 지지바(233)는 카세트 지지판(231)이 진입하는 방향에 대해서 가로로 길게 배치되도록 바아형(bar type)으로 형성되어 있다. 카세트 지지판(231)들은 카세트 지지대(233) 상에 가로로 길게 배치되고, 또한 카세트 지지바아(233)의 길이방향으로 배치된 카세트 지지판(231)들에 횡으로 이동하면서 카세트를 로딩할 수 있는 횡축 카세트 이동기(235)가 포함된 구성이다. 그리하여, 카세트(101)의 반도체 기판(100)을 순차적으로 용이하게 반응리액터부(40-1,40-2)의 기판 로딩용 보트(47-1,47-2)에 로딩할 수 있도록 횡방향으로 카세트(101)를 이동 배치할 수 있다. 그리고, 카세트 이동부(20)와 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2) 사이에는 제2도어부(25-1,25,2)가 설치되어 있어, 공정을 위한 조건에 따라서 카세트 이동부(20)와 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2) 사이를 공간적으로 이격되도록 선택적으로 개폐할 수 있다. 그리고, 카세트 지지판(231)은 제2도어부를 향해 전 후 방향으로 움직일 수 있도록 구성된다. 그리하여, 카세트(101)가 카세트 지지판(231)에 놓이면 카세트 지지판(231)이 전진하여 제2도어부(25-1,25-2)의 개구부를 밀폐하게 되며 기판 로딩용 로봇(31)이 반도체 기판(100)을 이동하기 쉽게 된다. The cassette moving unit 20 is interposed between the substrate loading chamber 10 and the transfer chambers 30-1 and 30-2, and the cassette moving unit 20 is interposed between the substrate loading chamber 10 and the cassette moving unit 20. The cassette movement robot 21 which moves 101 is included. At least one cassette support plate 231 for placing the cassette 101 exchanged between the reactor portions 40-1 and 40-2 in the region adjacent to the transfer chambers 30-1 and 30-2 and And a cassette supporter 23 having a cassette support bar 233 for supporting the cassette support plate 231 laterally. At this time, the cassette support bar 233 is formed in a bar type (bar type) so as to be arranged horizontally long with respect to the direction in which the cassette support plate 231 enters. The cassette support plates 231 are arranged horizontally long on the cassette support 233, and a horizontal axis capable of loading the cassette while moving laterally to the cassette support plates 231 arranged in the longitudinal direction of the cassette support bar 233. The cassette mover 235 is included. Thus, the semiconductor substrate 100 of the cassette 101 can be loaded in the transverse direction so that the semiconductor substrate 100 of the cassette 101 can be easily loaded on the substrate loading boats 47-1 and 47-2 of the reaction reactor portions 40-1 and 40-2 in sequence. The cassette 101 can be moved and arranged. Then, the second door parts 25-1, 25, and 2 are provided between the cassette moving part 20 and the transfer chambers 30-1, 30-2, and the cassette moving part ( 20 and the transfer chamber 30-1, 30-2 may be selectively opened and closed to be spaced apart. Then, the cassette support plate 231 is configured to be able to move back and forth toward the second door portion. Thus, when the cassette 101 is placed on the cassette support plate 231, the cassette support plate 231 moves forward to seal the openings of the second door portions 25-1 and 25-2, and the substrate loading robot 31 is semiconductor. It is easy to move the substrate 100.
기판 로딩용 챔버(10)는, 전면부와 후면부에 각각 개구부를 가지고 있는 사각 통형상의 로딩 챔버부(15)와, 이 로딩 챔버부(15)의 내부에 반도체 기판(100)을 담은 카세트(101)를 올려놓을 수 있는 제1카세트 지지대(13)와, 전면의 개구부에 설치되어 개구부를 개폐할 수 있는 판상의 로딩 도어부(11)와 카세트 이동부(20)와 통하는 로딩 챔버부(15)의 후면 개구부에 설치되어 후면 개구부를 개폐할 수 있는 인입도어부(17)를 포함한다. 이때, 로딩 도어부(11)는 판상으로서 로딩 챔버부(15)의 개구부에 상하로 슬라이딩할 수 있도록 부착되어 상하 개방형으로 형성되어 있다. 이와는 다르게, 로딩 도어부(11)를 로딩챔버부(15)의 개구부에 전면 개폐식으로 부착할 수도 있다. 한편, 후면 개구부에 형성된 인입도어부(17)는 기판 로딩용 챔버(10)와 카세트 이동부(20) 사이의 공간을 차단하기 위해서 유압식으로 상하 방향으로 개폐된다. 또한, 카세트(101)를 안정된 밀폐분위기에서 이동할 수 있도록 이들 도어부들(11,17) 사이에 로드락 제어 시스템(loadlock)을 적용할 수도 있다. The substrate loading chamber 10 includes a rectangular cylindrical loading chamber 15 having openings in the front and rear portions thereof, and a cassette containing the semiconductor substrate 100 in the loading chamber 15. The first cassette support 13 on which the 101 can be placed, and the loading chamber part 15 which communicates with the plate-shaped loading door part 11 which is provided in the opening part of the front surface, which can open and close an opening part, and the cassette moving part 20. It is installed in the rear opening of the) includes a retractable door unit 17 that can open and close the rear opening. At this time, the loading door part 11 is attached to the opening of the loading chamber part 15 in a plate shape so as to slide up and down, and is formed in a vertical opening shape. Alternatively, the loading door part 11 may be attached to the opening of the loading chamber part 15 in a front-opening manner. On the other hand, the inlet door 17 formed in the rear opening is hydraulically opened and closed in the vertical direction to block the space between the substrate loading chamber 10 and the cassette moving unit 20. In addition, a loadlock control system (loadlock) may be applied between these door parts 11 and 17 to move the cassette 101 in a stable airtight atmosphere.
카세트 지지대(13)는, 로딩 챔버부(15)의 바닥면에 판상으로 형성된 카세트 지지판(13a)이 지지되어 있다. 이에 더하여, 카세트 지지부(13)의 하부에 자전구동이 가능한 구동부(미도시)를 더 포함할 수 있어, 카세트 지지판(13a)을 소정각도로 자전시킬 수도 있다. The cassette support plate 13 is supported by a cassette support plate 13a formed in a plate shape on the bottom surface of the loading chamber 15. In addition, a lower portion of the cassette support part 13 may further include a driving part (not shown) capable of rotating, thereby rotating the cassette support plate 13a at a predetermined angle.
이러한 구성을 가진 본 발명의 고온 공정용 반도체 제조장치는, 기판 로딩 챔버(10)에 반도체 기판들(100)이 담긴 카세트(101)를 로딩하면, 카세트(101)는 카세트 이동부(20)의 카세트 이동 로봇(21)에 의해서 카세트 지지대(23)에 있는 카세트 지지판(231)들에 하나씩 옮겨진다. 그러면, 각각의 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)에 설치된 기판 로딩용 로봇들(47-1,47-2)이 카세트 지지대(23)에 옮겨진 카세트들(101)로부터 반도체 기판(100)을 하나씩 해당되는 반응리액터부들(40-1,40-2)의 기판 로딩용 보트들(47-1,47-2)에 로딩시킨다. 반도체 기판(100)이 기판 로딩용 보트들(47-1,47-2) 중 어느 하나가 완전히 채워지면, 그 기판 로딩용 보트는 보트 구동부(49-1,49-2)에 의해서 상향 이동하여 반응튜브(41-1,41-2) 내로 들어간다. 지지플레이트(47-1,47-2)가 반응튜브(41-1,41-2)의 개구부(41b-1,41b-2)를 밀폐하면, 바로 공정이 진행된다. 공정이 완료되면, 반응튜브(41-1,41-2)로부터 기판 로딩용 보트(47-1,47-2)가 하향 이동하여 밖으로 인출된다. 기판 로딩용 로봇들(31-1,31-2)이 각각에 해당하는 기판 로딩용 보트들(47-1,47-2)로부터 반도체 기판들(100)을 카세트 이동부(20)의 카세트(101)에 이동시킨다. 카세트(101)가 반도체 기판(100)으로 채워지면, 카세트 이동용 로봇(21)이 카세트(101)를 기판 로딩용 챔버(10)로 이동시킨다. 그러면, 로딩 도어부(11)가 열리면서 카세트(101)를 외부로 인출시킬 수 있다. In the semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process of the present invention having such a configuration, when the cassette 101 containing the semiconductor substrates 100 is loaded into the substrate loading chamber 10, the cassette 101 is connected to the cassette moving unit 20. The cassette moving robot 21 is moved one by one to the cassette support plates 231 in the cassette support 23. Then, the semiconductor substrate 100 from the cassettes 101 in which the substrate loading robots 47-1 and 47-2 installed in the transfer chambers 30-1 and 30-2 are transferred to the cassette support 23. Are loaded one by one into the substrate loading boats 47-1 and 47-2 of the corresponding reactor sections 40-1 and 40-2. When the semiconductor substrate 100 is completely filled with any one of the substrate loading boats 47-1 and 47-2, the substrate loading boat is moved upward by the boat driving units 49-1 and 49-2. Enter the reaction tubes 41-1 and 41-2. When the support plates 47-1 and 47-2 seal the openings 41b-1 and 41b-2 of the reaction tubes 41-1 and 41-2, the process proceeds immediately. When the process is completed, the substrate loading boats 47-1 and 47-2 move downward from the reaction tubes 41-1 and 41-2 to be taken out. The substrate loading robots 31-1 and 31-2 transfer the semiconductor substrates 100 from the cassettes 47-1 and 47-2, respectively. Move to 101). When the cassette 101 is filled with the semiconductor substrate 100, the cassette movement robot 21 moves the cassette 101 to the substrate loading chamber 10. Then, the loading door unit 11 is opened to draw out the cassette 101 to the outside.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 고온공정용 반도체 제조장치의 제2실시예를 나타낸 평면 개략도와 측단면도이다. 그리고, 도 5는 카세트 저장고를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 3A to 3B are a schematic plan view and a side sectional view showing a second embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process of the present invention. 5 is a perspective view schematically showing the cassette storage.
도3a를 참조하면, 본 발명의 고온 공정용 반도체 제조장치의 제2실시예는, 반도체 기판(100)을 공정처리하는 적어도 두개의 반응리액터부(40-1,40-2)와 이 반응리액터부(40-1,40-2)로 반도체 기판(100)을 로딩하거나, 언로딩시키기 위해서 이들 각각의 반응리액터부들(40-1,40-2)에 대응하여 독립적으로 마련된 기판 로딩용 로봇(31-1,31-2)을 가진 독립된 트랜스퍼 챔버들(30-1,30-2) 및 외부로부터 인입되는 카세트들(101)을 저장하는 카세트 저장부(50)를 포함하는 기판 이동부(20+30)를 포함한다. Referring to FIG. 3A, a second embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process of the present invention includes at least two reaction reactor portions 40-1 and 40-2 for processing a semiconductor substrate 100 and the reaction reactor. In order to load or unload the semiconductor substrate 100 into the portions 40-1 and 40-2, a substrate loading robot independently provided corresponding to each of the reaction reactor portions 40-1 and 40-2 ( Substrate moving part 20 including independent transfer chambers 30-1 and 30-2 having 31-1 and 31-2 and a cassette storage part 50 to store cassettes 101 introduced from the outside. +30).
도 3b를 참조하면, 반응 리액터부(40-1,40-2)는, 반응 리액터부(40-1,40-2)의 상부에 배치되어 공정을 진행할 수 있는 공간을 제공하는 관상의 반응튜브(41-1,41-2)와, 반응튜브(41-1,41-2)를 둘러싸고서 반응튜브(41-1,41-2) 내부를 소정의 공정온도로 가열시킬 수 있는 가열장치(43-1,43-2)를 포함한다. 반응튜브(41-1,41-2)의 하부에는 추후 설명되는 기판 로딩용 보트(45-1,45-2)가 하부로 내려와 반응튜브(41-1,41-2) 밖으로 인출될 수 있도록 반응튜브(41-1,41-2)의 높이만큼의 로딩공간을 가진다. 그리고, 반응리액터부(40-1,40-2)는 복수의 반도체 기판(100)을 로딩하며 반응튜브(41-1,41-2) 내로 인입 및 인출되는 기판 로딩용 보트(47-1,47-2)와, 기판 로딩용 보트(45-1,45-2)의 하부를 지지하는 판상의 지지플레이트(47-1,47-2)와, 이 지지플레이트(47-1,47-2)와 연결되며 이 지지플레이트(47-1,47-2)를 상하로 이동시켜 기판 로딩용 보트(45-1,45-2)를 반응튜브(41-1,41-2) 내로 인입 및 인출시키는 보트 구동부(49-1,49-2)를 포함한다.Referring to FIG. 3B, the reaction reactor portions 40-1 and 40-2 are disposed on top of the reaction reactor portions 40-1 and 40-2, and the tubular reaction tubes provide a space in which the process can be performed. (41-1, 41-2) and a heating apparatus capable of heating the inside of the reaction tubes (41-1, 41-2) to a predetermined process temperature by surrounding the reaction tubes (41-1, 41-2) ( 43-1,43-2). In the lower part of the reaction tubes 41-1 and 41-2, the substrate loading boats 45-1 and 45-2, which will be described later, may be lowered and drawn out of the reaction tubes 41-1 and 41-2. It has a loading space equal to the height of the reaction tubes (41-1, 41-2). In addition, the reactor reactors 40-1 and 40-2 load the plurality of semiconductor substrates 100, and the substrate loading boats 47-1 which are drawn in and drawn out into the reaction tubes 41-1 and 41-2. 47-2, plate-like support plates 47-1 and 47-2 for supporting the lower portions of the substrate loading boats 45-1 and 45-2, and the support plates 47-1 and 47-2. And the support plates 47-1 and 47-2 are moved up and down to draw and pull out the substrate loading boats 45-1 and 45-2 into the reaction tubes 41-1 and 41-2. And boat driver 49-1 and 49-2.
기판 이동부(20,30)는, 일측이 반응리액터부(40-1,40-2)와 인접하여 배치되고 기판 로딩용 보트(45-1,45-2)로부터 반도체 기판(100)을 이동시키는 기판 로딩용 로봇(31-1,31-2)을 포함하는 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)와, 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)와 연접하여 배치되어 복수의 반도체 기판(100)을 담은 카세트(101)나 빈 카세트(101)를 대기시키는 카세트 이동부(20)와, 외부로부터 반도체 기판(100)이 담긴 카세트(101)나 빈 카세트(101)를 로딩시키는 기판 로딩용 챔버(10)를 더 포함하고, 카세트 저장부(50)는 기판 로딩용 챔버(10)와 카세트 이동부(20) 사이에 개재되어 기판 로딩용 챔버(10)로부터 이동되는 카세트들(101)을 스톡커(stocker) 형식으로 저장한다.One side of the substrate moving parts 20 and 30 is disposed adjacent to the reaction reactor parts 40-1 and 40-2, and moves the semiconductor substrate 100 from the substrate loading boats 45-1 and 45-2. A plurality of semiconductor substrates disposed in contact with the transfer chambers 30-1 and 30-2 including the substrate-loading robots 31-1 and 31-2, and the transfer chambers 30-1 and 30-2. Cassette moving unit 20 to hold cassette 101 or empty cassette 101 containing 100, and substrate loading to load cassette 101 or empty cassette 101 containing semiconductor substrate 100 from the outside. It further comprises a chamber 10, the cassette storage unit 50 is interposed between the substrate loading chamber 10 and the cassette moving unit 20, the cassettes 101 are moved from the substrate loading chamber 10 Save in stocker format.
여기서, 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2) 및 카세트 이동부(20)는, 도 2a 내지 도2b의 본 발명의 제1실시예에서 서술한 바와 그 내용은 동일하여 하기에 설명하지 않은 내용은 전술한 도면번호의 내용에 준한다. 하기에서는 새로이 추가된 카세트 저장부(50)를 중심으로 설명을 한다. Here, the transfer chambers 30-1 and 30-2 and the cassette moving unit 20 are the same as those described in the first embodiment of the present invention of FIGS. 2A to 2B and the contents thereof are not described below. Is based on the contents of the above-mentioned reference numerals. In the following description, a newly added cassette storage unit 50 will be described.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 고온공정용 반도체 제조장치의 기판 이동부(20+30)는, 반도체 기판(100)이 로딩되는 순서에 따라서, 반도체 기판(100)이 담긴 카세트(101)가 처음 로딩되는 기판 로딩용 챔버(10)와, 기판 로딩용 챔버(10)로부터 공급되는 카세트들(101)을 순서대로 저장하기 위하여 복수의 제3카세트 지지대(53)를 가진 카세트 저장부(50)와, 카세트 저장부(50)로부터 인입된 순서나 공정을 위하여 프로그램된 순서에 따라서 카세트(101)를 이동 및 대기시키는 카세트 이동부(20)와, 카세트 이동부(20)에 대기하고 있는 반도체 기판(100)을 반응리액터부(40-1,40-2)에 독립적으로 대응하여 각각 격리된 공간을 가지고 반응리액터부(40-1,40-2)의 기판 로딩용 보트(45-1,45-2)에 하나씩 로딩하는 기판 로딩용 로봇(31-1,31-2)을 가진 트랜스퍼 챔버들(30-1,30-2)을 포함한다. Referring to FIGS. 3A and 3B, the substrate moving unit 20 + 30 of the semiconductor manufacturing apparatus for high temperature process according to the present invention may include a cassette containing the semiconductor substrate 100 in the order in which the semiconductor substrate 100 is loaded. Cassette storage unit having a plurality of third cassette support (53) for storing the substrate loading chamber 10 is first loaded 101 and the cassettes 101 supplied from the substrate loading chamber 10 in order 50, the cassette moving unit 20 for moving and waiting the cassette 101 in accordance with the order drawn in from the cassette storage unit 50 or the order programmed for the process, and the cassette moving unit 20 The semiconductor substrate 100 corresponding to the reaction reactor portions 40-1 and 40-2 independently, and having separate spaces therebetween, for the substrate loading boat 45- of the reaction reactor portions 40-1 and 40-2. Transfer chambers 30-1 and 30-2 having substrate loading robots 31-1 and 31-2 for loading one to one, 45-2, respectively. The.
이때, 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)는 각각 차단용 격벽(33)에 의해서 서로 독립된 공간을 가지며, 반응리액터부(40-1,40-2)들에 대해서 각각 독립적으로 작동을 한다. 차단용 격벽(33)에는 공기 청정용 필터(34,헤파필터 등)가 포함되어 있다. 그리하여, 장치 내부의 분위기를 파티클(particle)이 없는 청정한 분위기로 유지할 수 있다. In this case, the transfer chambers 30-1 and 30-2 have independent spaces from each other by the blocking partition 33, and operate independently of the reaction reactor units 40-1 and 40-2. . The blocking partition 33 includes an air cleaning filter 34 (hepa filter, etc.). Thus, the atmosphere inside the apparatus can be maintained in a clean atmosphere free of particles.
도 3a와 도 3b 및 도 5를 참조하면, 카세트 저장부(50)는, 사각 통형상의 캐비넷 형태로 저장부 본체(51)가 있고, 이 본체(51) 내에 카세트(101)를 여러 층으로 적층하여 보관할 수 있도록 카세트(101)를 지지하는 제3카세트 지지대(53)들이 복층으로 형성되어 있다. 이때, 저장부 본체(51)는 하부가 개방된 채로 기판 이동용 챔버(10)와 인접하며, 카세트 이동부(20)의 측부와 상부가 연장되어 연결되어 있다. 그리하여, 외형상으로는 카세트 저장부(50) 내에 카세트 이동부(20)가 머지(merge)되어 있는 형태이다. 이러한 저장부 본체(51)는 기판 로딩용 챔버(10)와 인접하는 영역에 측벽을 관통하여 카세트(101)가 통과할 수 있도록 인출입개구부(17a)가 형성되어 있다. 3A, 3B, and 5, the cassette storage unit 50 has a storage unit body 51 in the form of a rectangular cylindrical cabinet, in which the cassette 101 is formed in several layers. The third cassette supporters 53 supporting the cassettes 101 to be stacked and stored are formed in multiple layers. At this time, the storage unit body 51 is adjacent to the substrate moving chamber 10 with the lower portion open, and the side and the upper portion of the cassette moving unit 20 are extended and connected. Therefore, the cassette moving part 20 is merged in the cassette storage part 50 externally. The storage unit main body 51 has a draw-out opening 17a formed in the region adjacent to the substrate loading chamber 10 to allow the cassette 101 to pass therethrough.
기판 이동용 챔버(10)는, 상부벽와 측벽이 없이 카세트(101)가 외부로 개방된 상태이고, 하부에 카세트(101)를 지지할 수 있는 제1카세트 지지대(13)만이 형성되어 있다. 이때, 제1카세트 지지대(13)는, 인출입개구부를 통하여 카세트 저장부(50) 내부로 연장 형성되어 있다. 그리고, 카세트(101)를 지지하는 제1카세트 지지대(13)를 따라서 카세트(101)를 카세트 저장부(50) 내부 영역으로 수평 이동시키는 로딩 구동부(13a)를 포함한다. 그리하여, 로딩 구동부(13a)가 제1카세트 지지대(13)상의 카세트(101)을 인출입개구부(17a)를 통해서 내부로 수평 이동시켜 카세트(101)를 카세트 저장부(50) 내로 인입시키면 카세트 이동용 로봇(21)이 이를 받아 카세트 저장부(50) 내에 저장한다.In the substrate movement chamber 10, the cassette 101 is open to the outside without an upper wall and a sidewall, and only a first cassette support 13 capable of supporting the cassette 101 is formed at the bottom thereof. At this time, the first cassette support 13 is formed to extend into the cassette storage unit 50 through the withdrawal opening and closing portion. And a loading driver 13a for horizontally moving the cassette 101 along the first cassette support 13 supporting the cassette 101 to an area inside the cassette storage 50. Thus, when the loading drive unit 13a horizontally moves the cassette 101 on the first cassette support 13 through the take-out opening 17a to draw the cassette 101 into the cassette storage unit 50, The robot 21 receives it and stores it in the cassette storage unit 50.
그리고, 기판 로딩용 챔버(10)로부터 인입된 카세트(101)를 카세트 저장부(50) 내에서 다시 적정한 카세트 지지대(53)의 자리로 이동시키거나, 카세트 지지대(53)로부터 카세트(101)를 외부로 인출시킬 때는 카세트 로딩용 로봇(21)이 그 역할을 한다. Then, the cassette 101 drawn in from the substrate loading chamber 10 is moved to the proper cassette support 53 in the cassette storage unit 50 or the cassette 101 is moved from the cassette support 53. The cassette loading robot 21 plays its role when drawing out.
한편, 카세트 저장부(50)는, 제3카세트 지지대들(53)이 가로로 N 개 높이로 M 층으로 형성된 N X M 매트릭스 형태로 구성될 수 있다. 이들 각각에 대해서는 반도체 제조장치의 중앙 콘트롤러(미도시)에서 어드레스(address)로서 기억하고 이동할 수 있도록 제어할 수 있다. 복층으로 형성된 카세트 지지대들(53)에는 기판 이동용 챔버(10)로부터 인입되는 카세트(101)는, 카세트 저장부(50) 내부로 연장된 기판 로딩용 챔버(10)의 제1카세트 지지대(13)를 따라서 슬라이딩 이동하여 카세트 저장부(50) 내로 이동한다. 그러면, 카세트 로딩용 로봇(21)을 이용하여 카세트(101)를 제3카세트 지지대(53)에 로딩한다. 이와 반대로, 인출할 때는 역시 카세트 로딩용 보트(21)를 이용하여 제3카세트 지지대(53)에 있는 카세트(101)를 카세트 저장부(50) 내로 연장된 제1카세트 지지대(13) 상에 올려놓아 기판 이동용 챔버(10)로 이동시킨다.Meanwhile, the cassette storage unit 50 may be configured in the form of an N X M matrix in which the third cassette supports 53 are formed in an M layer at a height of N horizontally. Each of these can be controlled to be stored and moved as an address in a central controller (not shown) of the semiconductor manufacturing apparatus. Cassettes 101 drawn from the chamber 10 for moving the substrate are formed in the cassette holders 53 formed of a plurality of layers, and the first cassette support 13 of the substrate loading chamber 10 extending into the cassette storage unit 50. Sliding movement along the moves into the cassette storage 50. Then, the cassette 101 is loaded onto the third cassette support 53 using the cassette loading robot 21. On the contrary, the cassette 101 in the third cassette support 53 is placed on the first cassette support 13 extending into the cassette storage unit 50 by using the cassette loading boat 21 at the time of withdrawal. To the substrate moving chamber 10.
카세트 이동부(20)는, 전술한 카세트 이동용 로봇(21)은 평면상에서는 카세트 저장부(50)의 공간과 거의 동일 공간에 위치한다. 카세트 이동용 로봇(21)은 상하로 구동하면서 카세트 저장부(50)의 제3카세트 지지대(53)에 저장된 카세트들(101)을 내려오고, 횡으로 이동하면서 제2카세트 지지대(23)로 이동시킨다. 그 밖의 제2카세트 지지대(23)의 기능은 전술한 도 2a의 실시예와 같다. 제2카세트 지지대(23)의 제2카세트 지지판(231)은, 제2도어부(25-1,25-2) 앞에 정렬되면, 제2카세트 지지판(231)이 제2도어부(25-1,25-2)를 향해서 전면으로 이동될 수 있도록 구동을 할 수 있도록 구성된다. 그리고, 제2도어부(25-1,25-2)는, 반도체 기판(100)을 이동시키는 용기로서 풉(101, FOUP)을 적용할 경우에는, 제2도어부(25-1,25-2)에 풉(101)을 제2도어부(25-1,25-2)로 전진 이동시키면 제2도어부(25-1,25-2)의 개구부를 밀폐하면서 제2도어부(25-1,25-2)가 풉(101)의 도어를 개방할 수 있도록 구성되어 있다. The cassette moving unit 20 is located in the same space as the space of the cassette storage unit 50 on the plane of the cassette moving robot 21 described above. The cassette movement robot 21 moves downward to move the cassettes 101 stored in the third cassette support 53 of the cassette storage unit 50 to the second cassette support 23 while moving laterally. . The function of the other second cassette support 23 is the same as that of the embodiment of FIG. 2A described above. When the second cassette support plate 231 of the second cassette supporter 23 is aligned in front of the second door parts 25-1 and 25-2, the second cassette support plate 231 is the second door part 25-1. It is configured to be able to drive to be moved to the front toward (25-2). The second doors 25-1 and 25-2 are the second doors 25-1 and 25-when the pools 101 and FOUP are applied as containers for moving the semiconductor substrate 100. 2) When the claw 101 is moved forward to the second door portions 25-1 and 25-2, the opening of the second door portions 25-1 and 25-2 is sealed while the second door portion 25- 1,25-2 is comprised so that the door of the pull 101 can be opened.
이러한 구성을 가진 본 발명의 제2실시예는, 공정을 진행하면, 먼저 카세트(101)를 제1카세트 지지대(13)에 올려놓으면, 로딩 구동부(13a)가 제1카세트 지지대를 따라서 카세트(101)를 인출입개구부(17a)를 통하여 카세트 저장부(50) 내부로 밀어 넣는다. 카세트 저장부(50) 내부 공간에 배치된 카세트 이동용 로봇(21)이 이를 받아 상부에 배열된 제3카세트 지지대들(53)에 올려놓는다. 그런 다음, 카세트 이동부(20)의 카세트 이동용 로봇(21)이 다시 공정을 진행할 제3카세트 지지대(53)의 카세트(101)를 집어와 제2카세트 지지대(23)의 제2카세트 지지판(231)에 올려놓는다. 그러면, 횡측 카세트 이동기(235)가 카세트(101)를 제2도어부(25-1,25-2)에 인접한 위치의 제2카세트 지지판(231)에 이동시킨다. 그러면, 제2카세트 지지판(231)이 제2도어부(25-1,25-2)로 전진하여 접촉시킨다. 제2도어부(23)가 카세트(101,풉)의 도어(또는 뚜껑, 미도시)를 연다. 각각의 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)에 속한 기판 로딩용 로봇(31-1,31-2)이 독립적으로 작동하여 제2카세트 지지판(231) 상에 로딩된 카세트(풉,101)에서 반도체 기판(100)을 하나씩 기판 로딩용 보트(45-1,45-2)로 이동시킨다. 반도체 기판(100)을 모두 각각의 기판 로딩용 보트(45-1,45-2)에 로딩하면, 지지플레이트(47-1,47-2)가 상향 이동하여 반응튜브(41-1,41-2) 개구부(41b-1,41b-2)를 닫고서 공정을 진행한다. 공정이 완료된 후에 반도체 기판(100)과 카세트(101)의 이동은 전술한 순서와 정반대로 진행된다. According to the second embodiment of the present invention having such a configuration, when the process proceeds, the cassette 101 is first placed on the first cassette support 13, and the loading driving unit 13a follows the first cassette support along the cassette 101. ) Is pushed into the cassette storage unit 50 through the draw-out opening 17a. The cassette moving robot 21 disposed in the cassette storage unit 50 internal space receives it and places it on the third cassette supports 53 arranged above. Then, the cassette moving robot 21 of the cassette moving unit 20 picks up the cassette 101 of the third cassette support 53 to be processed again, and the second cassette support plate 231 of the second cassette support 23. ). Then, the lateral cassette mover 235 moves the cassette 101 to the second cassette support plate 231 at a position adjacent to the second door portions 25-1 and 25-2. Then, the second cassette support plate 231 is advanced to the second door parts 25-1 and 25-2 to be in contact with each other. The second door part 23 opens the door (or lid, not shown) of the cassette 101 (unwinding). Substrate loading robots 31-1 and 31-2 belonging to the respective transfer chambers 30-1 and 30-2 are operated independently and the cassettes loaded on the second cassette support plate 231 are unloaded. In FIG. 1, the semiconductor substrates 100 are moved to the substrate loading boats 45-1 and 45-2 one by one. When the semiconductor substrate 100 is loaded in each of the substrate loading boats 45-1 and 45-2, the support plates 47-1 and 47-2 move upwards and the reaction tubes 41-1 and 41-are moved. 2) The process is performed by closing the opening portions 41b-1 and 41b-2. After the process is completed, the movement of the semiconductor substrate 100 and the cassette 101 proceeds in the reverse order to the above-described order.
이상과 같은 구성을 가진 본 발명의 고온공정용 반도체 제조장치는, 반도체 기판(100)을 각 반응리액터부(40-1,40-2)의 기판 로딩용 보트(45-1,45-2)에 로딩하는 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)가 별도로 격리된 공간을 가지고 독립적으로 마련되어 있기 때문에, 인접한 반응리액터부(40-1,40-2)나 기판 로딩용 로봇(31-1,31-2)의 상태에 무관하게 공정을 진행할 수 있다. 즉, 양 쪽의 반응리액터부(40-1,40-2)로부터 기판 로딩용 보트(45-1,45-2)가 동시에 인출되어 모두 반도체 기판(100)을 동시에 로딩 또는 언로딩해야하는 상태에서도 기판 로딩용 로봇(31-1,31-2)를 포함하는 트랜스퍼 챔버(301-,30-2)가 각각 독립적으로 설치되어 있기 때문에, 하나의 로봇이 복수의 반응 리액터부에 기판 로딩을 진행할 때 발생하는 로봇의 기판 트랜스퍼를 지체하는 시간이 없이 동시에 반도체 기판(100)을 로딩 또는 언로딩할 수 있다. 그리하여, 반도체 제조장치의 공정처리 능력과 생산성을 크게 향상시킬 수 있다. In the high temperature process semiconductor manufacturing apparatus of the present invention having the above configuration, the substrate loading boats 45-1 and 45-2 of the reaction reactor portions 40-1 and 40-2 are used for the semiconductor substrate 100. Since the transfer chambers 30-1 and 30-2 to be loaded in are independently provided with separate spaces, the adjacent reactor reactors 40-1 and 40-2 or the substrate loading robot 31-1, The process can proceed regardless of the state of 31-2). That is, even in a state where the substrate loading boats 45-1 and 45-2 are simultaneously drawn out from both reaction reactor portions 40-1 and 40-2, and both of the semiconductor substrates 100 need to be loaded or unloaded at the same time. When the transfer chambers 301- and 30-2 including the substrate loading robots 31-1 and 31-2 are independently installed, one robot advances the substrate loading to the plurality of reaction reactors. The semiconductor substrate 100 may be loaded or unloaded at the same time without delay of the substrate transfer of the generated robot. Thus, the processing capability and productivity of the semiconductor manufacturing apparatus can be greatly improved.
한편, 본 발명의 고온 공정용 반도체 제조장치는, 반응리액터부(40-1,40-2)와 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2) 사이에 제1도어부(35-1,35-2)와 기판 로딩용 챔버(10)의 로딩 도어부(11) 사이에 로드락 제어시스템(loadlock system)이 설치되어 동시에 문이 열리지 않게 함으로써, 외부의 오염된 공기가 내부로 들어가 오염시키는 것을 방지할 수 있다. On the other hand, in the semiconductor manufacturing apparatus for high temperature process of the present invention, the first door portions 35-1 and 35- between the reaction reactor portions 40-1 and 40-2 and the transfer chambers 30-1 and 30-2. A loadlock system is installed between 2) and the loading door part 11 of the substrate loading chamber 10 to prevent the door from being opened at the same time, thereby preventing outside polluted air from entering and contaminating. can do.
또한, 트랜스퍼 챔버(30-1,30-2)와 카세트 이동부(20) 사이에도 별도의 제2도어부(25-1,25-2)를 설치할 수 있다. 그리고, 이 제2도어부(25-1,25-2)를 기판 로딩용 챔버(10)의 로딩 도어부(11)와 사이에 로드락 제어시스템(loadlock control system)을 마련할 수도 있다. 그러면, 파티클이 없는 청정한 분위기에서 반도체 기판을 핸들링(handling)할 수 있다.In addition, separate second doors 25-1 and 25-2 may be provided between the transfer chambers 30-1 and 30-2 and the cassette moving unit 20. In addition, a loadlock control system may be provided between the second doors 25-1 and 25-2 with the loading door part 11 of the substrate loading chamber 10. Then, the semiconductor substrate can be handled in a clean atmosphere free of particles.
그리고, 카세트 저장부(50)를 포함하는 도 3a의 실시예에서, 카세트 이동부(20)의 제2도어부(25-1,25-2)에는 또 다른 기판 로딩용 챔버(미도시)가 더 포함할 수 있다. 그리하여, 카세트 이동부(20) 내에 잔류하는 산소 등의 불순물이 카세트(또는 풉(FOUP),101)의 이동 간에 반응리액터부(401-,40,2) 내부로 들어가는 것을 방지한다. In addition, in the embodiment of FIG. 3A including the cassette storage part 50, another substrate loading chamber (not shown) is provided in the second door parts 25-1 and 25-2 of the cassette moving part 20. It may further include. Thus, impurities such as oxygen remaining in the cassette moving part 20 are prevented from entering the reaction reactor parts 401-, 40, 2 during the movement of the cassette (or the FOUP 101).
본 발명의 상세한 설명에서 전술한 카세트는 그 의미는 반도체 기판(100)을 담기위해서 만들어진 모든 용기들을 포함한다. 일반적으로 반도체 기판을 담기 위해서 제작된 카세트를 포함하여, 내부에 카세트를 담은 스미프(SMIF) 포드(Pod)나, 12인치 이상의 대구경 반도체 기판을 담기 위해서 제작된 풉(FOUP) 등을 모두 포함한다. The above-described cassette in the detailed description of the present invention includes all containers made to contain the semiconductor substrate 100. In general, the present invention includes a cassette manufactured to contain a semiconductor substrate, including a SMIF pod containing a cassette therein, and a FOUP manufactured to contain a 12-inch or larger large-diameter semiconductor substrate. .
상술한 바와 같이 본 발명의 고온공정용 반도체 제조장치는, 복수의 독립된 반응리액터부와 이들 독립된 반응리액터부와 대응하여 각각 독립적인 별도의 트랜스퍼 챔버를 마련함으로써, 인접한 반응리액터부 및 기판 로딩용 로봇의 상태에 구애받지 않고 반도체 기판을 로딩하고 공정을 진행할 수 있어, 반도체 제조장치의 공정 능력과 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.As described above, the semiconductor manufacturing apparatus for high temperature process of the present invention provides a plurality of independent reaction reactor portions and separate transfer chambers corresponding to these independent reaction reactor portions, thereby providing adjacent reaction reactor portions and a substrate loading robot. Regardless of the state of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate can be loaded and the process can be performed, thereby greatly improving the process capability and productivity of the semiconductor manufacturing apparatus.
그리고, 반도체 제조장치의 트랜스퍼 챔버 공간을 독립적으로 세분하여 그 인접한 벽면에 공기 청정용 필터를 설치함으로써, 장치 내부를 청정하게 유지하여 파티클(particle)에 의한 공정 불량률을 감소시킬 수 있다. In addition, by independently subdividing the transfer chamber space of the semiconductor manufacturing apparatus and providing an air cleaning filter on the adjacent wall, the process defect rate due to particles can be reduced by keeping the inside of the apparatus clean.
더불어, 트랜스퍼 챔보 내부를 N2 로드락(loadlock)을 유지하여 공정 진행시 반응할 수 있는 O2성분을 효과적으로 제거하는 효과가 크다.In addition, the N 2 loadlock is maintained inside the transfer chamber to effectively remove O 2 components that may react during the process.
또한, 하나의 트랜스퍼 챔버에서 복수의 반응 리액터를 공유하고서 하나의 기판 로딩용 로봇을 이용하여 반도체 기판을 트랜스퍼(transfer)하는, 복수 반응 리액터에 하나의 트랜스퍼 챔버를 가진 종래의 반도체 제조장치보다 N2 및 그 밖의 불활성 가스를 사용함에 있어 드는 유지비용이 훨씬 줄어들어 생산 원가를 절감할 수 있다.In addition, N 2 than a conventional semiconductor manufacturing apparatus having one transfer chamber in a plurality of reaction reactors sharing a plurality of reaction reactors in one transfer chamber and transferring a semiconductor substrate using a substrate loading robot. And other maintenance costs associated with the use of inert gases can be significantly reduced, thereby reducing production costs.
도 1a는 종래의 반도체 제조장치의 개략 단면도이다. 1A is a schematic cross-sectional view of a conventional semiconductor manufacturing apparatus.
도 1b는 도 1의 종래의 반도체 제조장치의 평면도이다. 1B is a plan view of the conventional semiconductor manufacturing apparatus of FIG. 1.
도 2a는 본 발명의 고온공정용 반도체 제조장치의 제1실시예를 나타낸 개략 단면도이다. 2A is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process of the present invention.
도 2b는 본 발명의 고온공정용 반도체 제조장치의 제1실시예를 나타낸 평면도이다. 2B is a plan view showing a first embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus for a high temperature process of the present invention.
도 3a는 본 발명의 반도체 제조장치의 제2실시예를 나타낸 개략 단면도이다.3A is a schematic cross-sectional view showing the second embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
도 3b는 본 발명의 반도체 제조장치의 제2실시예를 나타낸 평면도이다.3B is a plan view showing a second embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
도 4는 본 발명의 반도체 제조장치의 반응 리액터부와 트랜스퍼 챔버를 확대하여 나타낸 평면도이다. 4 is an enlarged plan view of a reaction reactor portion and a transfer chamber of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
도 5는 본 발명의 반도체 제조장치의 카세트 저장부를 나타낸 개략 사시도이다. 5 is a schematic perspective view showing a cassette storage unit of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
Claims (19)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0053469A KR100515775B1 (en) | 2003-08-01 | 2003-08-01 | Semiconductor manufacturing system for high temperature thermal process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0053469A KR100515775B1 (en) | 2003-08-01 | 2003-08-01 | Semiconductor manufacturing system for high temperature thermal process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050015016A true KR20050015016A (en) | 2005-02-21 |
| KR100515775B1 KR100515775B1 (en) | 2005-09-23 |
Family
ID=37225859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0053469A KR100515775B1 (en) | 2003-08-01 | 2003-08-01 | Semiconductor manufacturing system for high temperature thermal process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100515775B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100719519B1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-17 | 뉴영엠테크 주식회사 | Semiconductor manufacturing apparatus for use of hot process |
| KR100770679B1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-29 | 뉴영엠테크 주식회사 | Boat moving apparatus for semiconductor manufacturing apparatus |
| CN111316417A (en) * | 2017-11-27 | 2020-06-19 | 阿斯莫Ip控股公司 | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
-
2003
- 2003-08-01 KR KR10-2003-0053469A patent/KR100515775B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100719519B1 (en) * | 2005-11-24 | 2007-05-17 | 뉴영엠테크 주식회사 | Semiconductor manufacturing apparatus for use of hot process |
| KR100770679B1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-29 | 뉴영엠테크 주식회사 | Boat moving apparatus for semiconductor manufacturing apparatus |
| CN111316417A (en) * | 2017-11-27 | 2020-06-19 | 阿斯莫Ip控股公司 | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| CN111316417B (en) * | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | Storage device for storing wafer cassettes for use with batch ovens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100515775B1 (en) | 2005-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7305857B2 (en) | Indexable Side Storage Pod Apparatus, Heated Side Storage Pod Apparatus, System, and Method | |
| USRE43023E1 (en) | Dual loading port semiconductor processing equipment | |
| KR100618355B1 (en) | Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer | |
| KR101840552B1 (en) | Load lock apparatus and substrate processing system | |
| JP4642619B2 (en) | Substrate processing system and method | |
| US20090053665A1 (en) | Vertical heat treatment apparatus and method for operating the same | |
| US10273579B2 (en) | Apparatus for processing two or more substrates in a batch process | |
| TW201428878A (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP2003124284A (en) | Substrate treatment equipment and method for manufacturing semiconductor device | |
| KR20210093911A (en) | Wafer Stocker | |
| WO2008047778A1 (en) | Substrate cabinet | |
| JPH10256346A (en) | Cassette transferring mechanism and semiconductor manufacturing apparatus | |
| KR100515775B1 (en) | Semiconductor manufacturing system for high temperature thermal process | |
| JP2018093087A (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP5279576B2 (en) | Substrate processing equipment | |
| JP2018098387A (en) | Substrate processing device | |
| JP5164416B2 (en) | Substrate processing apparatus, storage container transport method, and semiconductor device manufacturing method | |
| JP4383636B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| US11527426B2 (en) | Substrate processing device | |
| JP2003092329A (en) | Substrate processing system | |
| JP3176153B2 (en) | Semiconductor manufacturing equipment | |
| JP2003092330A (en) | Heat treatment apparatus and method therefor | |
| JPH11330190A (en) | Carrying method and processing system of substrate | |
| US20230133714A1 (en) | Apparatus for treating substrate and method for treating substrate | |
| JP2002043389A (en) | Substrate treating apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100913 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |