KR20050007501A - Mass flow controll device of semiconductor manufacture equipment - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조설비의 유량흐름 제어장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가스공급원의 가스를 반도체 제조설비로 공급하는 가스공급관에 설치된 유량제어기가 오작동을 일으킬 때에도 반도체 제조설비로 가스가 원활하게 공급되도록 작동하는 반도체 제조설비의 유량흐름 제어장치에 관한 것이다.The present invention relates to a flow rate control apparatus of a semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, even when the flow controller installed in the gas supply pipe for supplying the gas from the gas supply source to the semiconductor manufacturing equipment malfunctions, the gas is smoothly supplied to the semiconductor manufacturing equipment. The present invention relates to a flow rate control device of a semiconductor manufacturing facility operating as possible.
일반적으로, 산업분야의 각종 장비에 설치되어져 운영중인 유량제어기는 해당설비에서 요구되는 유체의 유량을 감지하여 이를 제어하도록 구성된다.In general, the flow controller installed and operated in various equipment of the industrial field is configured to detect and control the flow rate of the fluid required by the corresponding equipment.
특히, 반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진공정, 식각공정, 확산, 박막공정 등의 단위 공정이 반복적으로 실시되는데, 이러한 대부분의 공정은 공정이 진행되는 공정챔버에 가스를 공급하여 웨이퍼에 분사하도록 진행된다.In particular, in order to manufacture a semiconductor device, a unit process such as a photo process, an etching process, a diffusion process, or a thin film process is repeatedly performed, and most of these processes are performed to supply gas to a process chamber where the process is performed and to spray the wafer onto a wafer. .
따라서, 공정챔버에 공급되는 가스의 유량을 조절하기 위해 가스공급관에 유량제어기를 설치하여 공정챔버에 공급되는 가스의 양을 센싱하게 된다.Accordingly, in order to adjust the flow rate of the gas supplied to the process chamber, a flow controller is installed in the gas supply pipe to sense the amount of gas supplied to the process chamber.
이에, 상기 유량제어기의 유량검출방식은 유량측정센서 라인과 바이패스 라인을 별도로 두고 유량측정센서라인에 흐르는 유량을 감지하여 바이패스 라인의 유량을 측정하는 간접 체크 방식이 널리 사용되고 있다.Accordingly, in the flow rate detection method of the flow controller, an indirect check method for measuring the flow rate of the bypass line by detecting the flow rate flowing in the flow rate measurement sensor line separately from the flow rate sensor line and the bypass line is widely used.
즉, 내부에 바이패스 라인과 유량측정센싱 라인으로 구성되어 유량측정센싱 라인에 구성되는 유량측정센서의 온도 감지에 따라 내부 바이패스 라인 출구 쪽의밸브가 조절되고, 그에 따라서 가스의 흐름이 제어된다.That is, the valve at the outlet side of the internal bypass line is regulated according to the temperature sensing of the flow measurement sensor constituted by the bypass line and the flow measurement sensing line in the flow measurement sensing line, thereby controlling the flow of gas. .
그런데, 이러한 종래의 유량제어기는 온도를 감지하는 상기 유량측정센서 내부에 불순물이 침투하여 오염으로 인해 유량측정센서가 불량되거나, 밸브의 마모에 따른 불량 등으로 오작동하는 문제점이 발생한다.By the way, such a conventional flow controller has a problem that the flow rate sensor is defective due to contamination by the impurity penetrates into the flow rate sensor for sensing the temperature, or malfunction due to a failure due to the wear of the valve.
또한, 유량제어기의 오작동으로 반도체 제조설비의 진행중인 공정이 멈추는 경우, 반도체 공정 진행을 제어하는 중앙제어기가 오류를 일으켜, 해당 단위 공정을 거치지 않고 다음 공정을 진행하는 문제점이 발생한다.In addition, when the ongoing process of the semiconductor manufacturing equipment is stopped due to a malfunction of the flow controller, the central controller for controlling the progress of the semiconductor process causes an error, causing the next process to proceed without the unit process.
이를 테면, 확산공정을 진행하던 중 확산설비의 유량제어기가 고장나면 대기하고 있던 웨이퍼가 확산공정을 진행하지 않고 식각설비로 이송되어 식각공정이 진행되는 것이다.For example, if the flow controller of the diffusion equipment is broken during the diffusion process, the wafer that is waiting is transferred to the etching facility without the diffusion process and the etching process is performed.
이에 따라, 웨이퍼 공정불량이 유발되고, 반도체 제조설비가 전체적으로 오류를 일으켜 반도체 제조공정이 지연되는 문제점이 발생한다.As a result, a wafer process defect is caused, and a semiconductor manufacturing equipment causes an error as a whole, resulting in a delay in a semiconductor manufacturing process.
따라서, 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 본 발명의 목적은, 반도체 제조설비에 설치된 유량제어기가 오작동을 일으킬 경우에도 반도체 제조공정이 원활하게 진행할 수 있는 반도체 제조설비의 유량흐름 제어장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention devised to solve the problems described above is to provide a flow control device for a semiconductor manufacturing equipment that can proceed smoothly even if the semiconductor manufacturing process proceeds even if the flow controller installed in the semiconductor manufacturing equipment malfunctions. To provide.
도 1은 본 발명에 따른 유량흐름 제어장치를 도시한 구성도,1 is a block diagram showing a flow rate control apparatus according to the present invention,
도 2는 본 발명에 따른 유량흐름 제어장치가 설치된 저압화학기상증착설비를 도시한 단면도이다.Figure 2 is a cross-sectional view showing a low pressure chemical vapor deposition equipment is installed flow control device according to the present invention.
* 도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명 *Brief description of the main symbols in the drawings
10 : 가스공급원 20 : 가스유입관10: gas supply source 20: gas inlet pipe
30,40 : 제1,2유량제어기 31,41 : 제1,2가스유입관30,40: 1st, 2nd flow controller 31,41: 1st, 2nd gas inlet pipe
32,42 : 제1,2유입밸브 33,43 : 제1,2가스유출관32,42: 1st, 2nd inlet valve 33,43: 1st, 2nd gas outlet pipe
34,44 : 제1,2유출밸브 50 : 가스공급관34,44: 1st, 2nd outflow valve 50: gas supply pipe
51,53 : 제1,2분기라인 60 : 가스공급제어기51,53: 1st, 2nd branch line 60: gas supply controller
100 : 가스유량 제어장치 200 : 저압화학기상증착설비100: gas flow control device 200: low pressure chemical vapor deposition equipment
210 : 가열로 220 : 아우터 튜브210: heating furnace 220: outer tube
221 : 보트 222 : 엘리베이트 장치221 boat 222 elevator device
223 : 이너 튜브 224 : 덮개체223: inner tube 224: cover body
240 : 진공펌프 241 : 진공배기관240: vacuum pump 241: vacuum exhaust pipe
242 : 진공밸브 260 : 중앙제어기242: vacuum valve 260: central controller
W : 웨이퍼W: Wafer
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 반도체 제조설비의 유량흐름 제어장치는 소정의 공정을 진행하는 피가스공급체; 상기 피가스공급체에 가스를 공급하는 가스공급원; 상기 피가스공급체와 상기 가스공급원을 연결하는 가스공급관;을 구비하며, 상기 가스공급관은 상기 가스공급원에서 유입된 가스가 분기되었다가 상기 피가스공급체로 공급될 때, 합쳐지도록 형성된 제1,2분기라인; 상기 제1,2분기라인에 각각 설치되는 제1유량제어기 및 제2유량제어기; 상기 제1유량제어기 및 제2유량제어기의 유입구와 유출구측에 각각 설치되는 제1유출ㆍ입밸브 및 제2유출ㆍ입밸브;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the flow rate control apparatus of the semiconductor manufacturing equipment of the present invention includes a gas supply body for performing a predetermined process; A gas supply source supplying gas to the gas supply body; And a gas supply pipe connecting the gas supply body and the gas supply source, wherein the gas supply pipe is configured to be merged when the gas introduced from the gas supply source is branched and supplied to the gas supply body. Branch line; A first flow controller and a second flow controller installed in the first and second branch lines, respectively; And a first outflow / intake valve and a second outflow / intake valve respectively provided at the inlet and outlet sides of the first flow controller and the second flow controller.
나아가, 상기 제1유출ㆍ입밸브 또는 제2유출ㆍ입밸브의 개폐동작 및 제1유량제어기와 제2유량제어기의 동작조건을 제어하는 가스공급제어기를 더 포함하는 것이 바람직하다.Furthermore, it is preferable to further include a gas supply controller for controlling the opening / closing operation of the first outflow / intake valve or the second outflow / intake valve and the operating conditions of the first flow rate controller and the second flow rate controller.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 유량흐름 제어장치를 도시한 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 유량흐름 제어장치가 설치된 저압화학기상증착설비를 도시한 단면도이다. 이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유량흐름 제어장치(100)는 가스공급원(10)과 상기 가스공급원(10)으로부터 가스를 공급받는 피가스공급체(70 : 도 2의 공정챔버에 해당함. 이하, 공정챔버로 통칭함)와, 상기 가스공급원(10)의 가스를 상기 공정챔버(70)로 공급하기 위한 가스공급관(50)으로 구성된다.1 is a block diagram showing a flow control device according to the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view showing a low pressure chemical vapor deposition equipment is installed flow control device according to the present invention. As shown in these drawings, the flow rate control apparatus 100 according to the present invention is a gas supply source 10 and the gas supply body 70 which receives gas from the gas supply source 10 in the process chamber of FIG. (Hereinafter referred to collectively as a process chamber) and a gas supply pipe 50 for supplying the gas of the gas supply source 10 to the process chamber 70.
여기서, 상기 가스공급관(50)은 가스공급원(10)과 상기 가스공급원(10)의 가스가 공급되는 공정챔버(70) 사이에 설치되는 것으로서, 가스공급원(10)에서 유입된 가스가 분기되었다가 상기 공정챔버(70)로 공급될 때, 합쳐지는 제1,2분기라인(51,53)을 포함한다.Here, the gas supply pipe 50 is installed between the gas supply source 10 and the process chamber 70 to which the gas of the gas supply source 10 is supplied, and the gas introduced from the gas supply source 10 is branched. When supplied to the process chamber 70, it includes a first and second branch line (51, 53) to be combined.
상기 제1,2분기라인(51,53)에는 각각 제1유량제어기(30)와 제2유량제어기(40)가 설치되고, 상기 제1유량제어기(30) 및 제2유량제어기(40)의 유입구와 유출구 측에는 제1유입밸브(32)와 제1유출밸브(34), 제2유입밸브(42)와 제2유출밸브(44)가 각각 설치된다.The first flow rate controller 30 and the second flow rate controller 40 are respectively installed in the first and second branch lines 51 and 53, and the first flow rate controller 30 and the second flow rate controller 40 are respectively installed. On the inlet and outlet sides, a first inlet valve 32, a first outlet valve 34, a second inlet valve 42, and a second outlet valve 44 are respectively provided.
이때, 상기 제1유량제어기(30) 및 제2유량제어기(40)의 구성은 본체(35,45)와 상기 본체(35,45)를 관통하도록 설치되어 유체가 흐르는 유체라인(36,46), 상기 유체라인(36,46)을 통해 흐르는 유체의 유량에 대해 일정한 비를 가지며 바이패스되는 센싱라인(37,47) 그리고, 상기 본체(35,45) 내부에 설치되어 센싱라인(37,47)으로 유입되는 유체의 유량을 센싱하는 센싱유닛(38,48)을 포함한다.At this time, the configuration of the first flow controller 30 and the second flow controller 40 is installed so as to pass through the main body (35, 45) and the main body (35, 45) fluid flow line (36, 46) Sensing lines 37 and 47 bypassed with a constant ratio with respect to the flow rate of the fluid flowing through the fluid lines 36 and 46 and sensing lines 37 and 47 installed inside the main bodies 35 and 45. And sensing units 38 and 48 for sensing a flow rate of the fluid flowing into).
그리고, 상기 제1유량제어기(30)와 제2유량제어기(40)는 공정이 진행될 때, 어느 하나의 유량제어기만 선택적으로 작동되도록 상기 제1유출ㆍ입밸브(32,34) 또는 제2유출ㆍ입밸브(42,44)의 개폐동작 및 제1유량제어기(30)와 제2유량제어기(40)의 동작조건을 제어하는 가스공급제어기(60)가 설치되는 것이 바람직하다.The first flow rate controller 30 and the second flow rate controller 40 are configured to selectively operate either the first flow rate inlet valve 32 or 34 or the second outflow so that only one of the flow rate controllers is selectively operated when the process proceeds. The gas supply controller 60 for controlling the opening and closing operations of the inlet valves 42 and 44 and the operating conditions of the first flow rate controller 30 and the second flow rate controller 40 is preferably provided.
이때, 상기 제1,2유입밸브(32,42)와 제1,2유출밸브(34,44)는 동작 초기상태에서는 항상 닫혀있도록 설정되며 가스공급제어기(60)의 신호에 의해 개폐된다.At this time, the first and second inlet valves 32 and 42 and the first and second outlet valves 34 and 44 are set to be always closed in the initial operation state and are opened and closed by a signal of the gas supply controller 60.
이에 대하여 좀 더 상세히 설명하면, 상기 제1,2유입밸브(32,42)와 제1,2유출밸브(34,44)는 제1,2유량제어기(30,40)의 동작상태에 따라 개방된다.In more detail, the first and second inlet valves 32 and 42 and the first and second outlet valves 34 and 44 are opened according to the operating states of the first and second flow controllers 30 and 40. do.
즉, 제1유량제어기(30)가 동작상태를 이루는 상태이면, 가스공급제어기(60)는 제1유입밸브(32) 및 제1유출밸브(34)를 개방하여 가스가 제1분기라인(51)을 통해 흐르도록 한다.That is, when the first flow controller 30 is in the operating state, the gas supply controller 60 opens the first inlet valve 32 and the first outlet valve 34 so that the gas flows through the first branch line 51. ) Through the.
한편, 제1유량제어기(30)가 오동작상태를 이루게 되면 가스공급제어기(60)는 상기 제1유입밸브(32) 및 제1유출밸브(34)를 폐쇄시키고, 상기 제2유입밸브(42) 및 제2유출밸브(44)에 오픈신호를 전달하여 가스가 제2분기라인(53)을 통해 공급되도록 한다.On the other hand, when the first flow controller 30 is in a malfunction state, the gas supply controller 60 closes the first inlet valve 32 and the first outlet valve 34, and the second inlet valve 42. And an open signal to the second outlet valve 44 so that the gas is supplied through the second branch line 53.
본 발명에 따른 유량흐름 제어장치(100)는 도 2에 도시된 바와 같이, 저압화학기상증착설비(200)에 적용되어 확산공정에 이용된다.As shown in FIG. 2, the flow rate control apparatus 100 according to the present invention is applied to a low pressure chemical vapor deposition apparatus 200 and used in a diffusion process.
상기 저압화학기상증착설비(200)의 구성을 살펴보면, 가열로(210)와, 그 내부에 상기 가열로(210)에 의해 가열되는 아우터 튜브(220) 그리고, 상기 아우터 튜브(220) 내부에 설치되는 이너 튜브(223)로 구성된 공정챔버(70)가 마련된다.Looking at the configuration of the low-pressure chemical vapor deposition apparatus 200, the heating furnace 210, the outer tube 220 is heated by the heating furnace 210 therein, and installed in the outer tube 220 A process chamber 70 composed of an inner tube 223 is provided.
상기 아우터 튜브(220)는 다수의 웨이퍼(W)가 적층되는 보트(221)가 반입될 수 있도록 내부에 소정 공간이 마련되어 하부가 개구된 돔 형상으로서, 상기 보트(221)내에 로딩된 웨이퍼(W)에 확산막이 형성되도록 일측에 이너 튜브(223)가 설치되고, 하단의 개구부는 덮개체(224)에 의해 닫혀지도록 구성되어 소정 공정 환경이 구현되는 공간을 제공한다.The outer tube 220 is a dome shape in which a predetermined space is provided therein so that a boat 221 in which a plurality of wafers W are stacked may be loaded, and a lower portion thereof is opened, and the wafer W loaded in the boat 221 is loaded. Inner tube 223 is installed at one side such that a diffusion film is formed at the bottom surface thereof, and an opening at a lower end thereof is configured to be closed by the cover body 224 to provide a space for implementing a predetermined process environment.
상기 덮개체(224)에는 웨이퍼(W)가 적재된 보트(221)를 아우터 튜브(220)로 반입시키는 승강기구인 엘레베이트 장치(222)가 설치된다.The cover 224 is provided with an elevator device 222 which is a lifting mechanism for carrying the boat 221 on which the wafers W are loaded into the outer tube 220.
또한, 상기 아우터 튜브(220)의 하단 일측에는 진공밸브(242)의 개폐에 따라 작동되는 진공펌프(240)와 연결되어 아우터 튜브(220) 내에서 공정이 끝난 가스를 외부로 강제 배기시키며, 아우터 튜브(220) 내부를 진공으로 유지하는 진공배기관(241)이 설치되고, 타측에는 가스공급원(10)으로 부터 유입되는 가스를공급하는 가스공급관(50)이 설치된다.In addition, the lower end side of the outer tube 220 is connected to the vacuum pump 240 operated in accordance with the opening and closing of the vacuum valve 242 to forcibly exhaust the process gas in the outer tube 220 to the outside, the outer A vacuum exhaust pipe 241 is installed to maintain the inside of the tube 220 in a vacuum, and a gas supply pipe 50 for supplying a gas flowing from the gas supply source 10 is installed at the other side.
여기서, 저압화학기상증착설비(200)는 중앙제어기(260)에 의해 제어되고, 상기 중앙제어기(260)는 반도체 소자를 제조하기 위해 사용되는 여러 공정을 제어함과 아울러, 제1유량제어기(30) 또는 제2유량제어기(40)가 오동작상태를 이룰 겨우 도시되지 않은 신호전달수단에 의해 신호를 전달 받아, 가스공급제어기(60)로 이상 상태에 대한 신호를 전송하도록 구성된다.Here, the low-pressure chemical vapor deposition apparatus 200 is controlled by the central controller 260, the central controller 260 controls a number of processes used to manufacture a semiconductor device, as well as the first flow controller 30 ) Or the second flow controller 40 is configured to receive a signal by a signal transmitting means (not shown) only to achieve a malfunction state, and transmit a signal for an abnormal state to the gas supply controller 60.
이에 따라, 상기 가스공급제어기(60)는 제1,2유입밸브(32,42) 및 제1,2유출밸브(34,44)와 제1가스유량기(30) 및 제2가스유량기(40)를 선택적으로 작동시킨다.Accordingly, the gas supply controller 60 includes the first and second inlet valves 32 and 42, the first and second outlet valves 34 and 44, the first gas flowr 30, and the second gas flowr ( Optionally activate 40).
이하에서는 이러한 구성에 의하여, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 유량흐름 제어장치의 일실시예를 통해 작용을 설명한다.Hereinafter, the operation through the embodiment of the flow rate control apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention by this configuration.
먼저, 중앙제어기(260)의 구동신호를 전송받아 저압화학기상증착설비(200)의 석영관(220) 하측에 설치된 엘레베이트 장치(222)가 구동되면, 석영관(220)의 덮개체(224)가 오픈되어 웨이퍼(W)가 적재된 보트(221)가 상승하여 석영관(220) 내부로 들어가게 된다.First, when the elevator device 222 installed under the quartz tube 220 of the low pressure chemical vapor deposition facility 200 is driven by receiving the driving signal of the central controller 260, the cover body 224 of the quartz tube 220 is driven. ) Is opened and the boat 221 loaded with the wafer W is lifted to enter the quartz tube 220.
이때, 상기 중앙제어기(260)는 가스제어기(60)로 작동신호를 전송하여 가스제어기(60)가 작동되면, 상기 가스제어기(60)는 제1유입밸브(32) 및 제1유출밸브(34)를 오픈시키고 제1유량제어기(30)를 작동시킨다.At this time, the central controller 260 transmits an operation signal to the gas controller 60 so that the gas controller 60 is operated, the gas controller 60 is the first inlet valve 32 and the first outlet valve 34. ) Is opened and the first flow controller 30 is operated.
이에 따라, 가스공급원(10)의 가스는 가스공급관(50)의 제1분기라인(51)을 통과한 후, 아우터 튜브(220)의 일측에 설치된 이너튜브(223)에 의해 보트(221)에 적재된 웨이퍼(W)에 확산되어 확산공정을 진행한다.Accordingly, after the gas of the gas supply source 10 passes through the first branch line 51 of the gas supply pipe 50, the gas is supplied to the boat 221 by an inner tube 223 installed on one side of the outer tube 220. Diffusion is carried out on the loaded wafer W to proceed with the diffusion process.
여기서, 상기 제1유량제어기(30)가 오작동을 일으키면, 아우터 튜브(220)에 공급되는 가스의 양이 변화하므로 중앙제어기(260)는 가스공급제어기(60)로 이상신호를 전송하고, 상기 가스공급제어기(60)는 제1유량제어기(30)로 전송하던 구동신호를 단락함에 따라, 제1유입밸브(32) 및 제1유출밸브(34)는 닫히게 되고, 가스공급제어기(60)는 제2유량제어기(40)로 구동신호를 전송하고, 제2유입밸브(42) 및 제2유출밸브(44)가 열리게 된다.Here, when the first flow controller 30 malfunctions, the amount of gas supplied to the outer tube 220 is changed, so the central controller 260 transmits an abnormal signal to the gas supply controller 60, and the gas As the supply controller 60 shorts the drive signal transmitted to the first flow controller 30, the first inlet valve 32 and the first outlet valve 34 are closed, and the gas supply controller 60 is closed. The driving signal is transmitted to the second flow controller 40, and the second inflow valve 42 and the second outflow valve 44 are opened.
이에 따라, 가스공급원(10)의 가스는 가스유입관(20)을 통해 제2가스유입관(41) 및 제2유입밸브(42)를 통해 제2유량제어기(40)로 유입되어 유량제어된 후, 제2가스유출관(43) 및 제2유출밸브(44)를 통해 가스공급관(50)으로 공급되므로, 확산공정이 진행된다.Accordingly, the gas of the gas supply source 10 flows into the second flow controller 40 through the second gas inlet pipe 41 and the second inlet valve 42 through the gas inlet pipe 20 to control the flow rate. Thereafter, since the gas is supplied to the gas supply pipe 50 through the second gas outlet pipe 43 and the second outlet valve 44, the diffusion process is performed.
상기의 내용에 있어 확산공정을 예를 들어 설명하였으나, 유량흐름을 제어하는 전 분야에 적용가능함은 물론이다.In the above description, the diffusion process has been described as an example, but of course, it can be applied to all the fields for controlling the flow rate.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 유량흐름제어장치는 가스유량제어기가 오작동을 일으킬 때, 이를 대체할 수 있는 보조 가스유량제어기를 마련함으로써, 불량 반도체 소자의 생산을 방지하는 효과가 있다.As described above, the flow rate control apparatus of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention has an effect of preventing the production of a defective semiconductor device by providing an auxiliary gas flow controller that can replace when the gas flow controller malfunctions. have.
또한, 반도체 제조설비를 중단하지 않고 공정을 진행할 수 있으므로, 반도체 공정 수율을 향상시키는 효과가 있다.In addition, since the process can be performed without interrupting the semiconductor manufacturing equipment, there is an effect of improving the semiconductor process yield.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described, but various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined not only by the claims below, but also by those equivalent to the claims.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030046180A KR20050007501A (en) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | Mass flow controll device of semiconductor manufacture equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020030046180A KR20050007501A (en) | 2003-07-08 | 2003-07-08 | Mass flow controll device of semiconductor manufacture equipment |
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| KR20050007501A true KR20050007501A (en) | 2005-01-19 |
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ID=37220941
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576799B1 (en) * | 2004-08-04 | 2006-05-10 | 홍창기 | Gas supply discontinuance prevention device of double line regulator |
-
2003
- 2003-07-08 KR KR1020030046180A patent/KR20050007501A/en not_active Application Discontinuation
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