KR20050007435A - 자기 나노재료 및 이의 합성 방법 - Google Patents

자기 나노재료 및 이의 합성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20050007435A
KR20050007435A KR10-2004-7013265A KR20047013265A KR20050007435A KR 20050007435 A KR20050007435 A KR 20050007435A KR 20047013265 A KR20047013265 A KR 20047013265A KR 20050007435 A KR20050007435 A KR 20050007435A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnetic
nanoparticles
thermodynamically stable
solution
ferromagnetic
Prior art date
Application number
KR10-2004-7013265A
Other languages
English (en)
Inventor
르노필리쁘
뒤메스트르프레드릭
쇼드레브뤼노
프로멩마리클레르
카사노브마리-죠즈
저셔피터
스텀프롤랜드
아미앙까뜨린느
Original Assignee
프리스케일 세미컨덕터, 인크.
르 상트르 나쇼날 드 라 르세르쒸 시앙티피끄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프리스케일 세미컨덕터, 인크., 르 상트르 나쇼날 드 라 르세르쒸 시앙티피끄 filed Critical 프리스케일 세미컨덕터, 인크.
Publication of KR20050007435A publication Critical patent/KR20050007435A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
    • H01F1/0045—Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
    • H01F1/0045—Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use
    • H01F1/0063—Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use in a non-magnetic matrix, e.g. granular solids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
    • H01F1/0072—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity one dimensional, i.e. linear or dendritic nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
    • H01F1/0072—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity one dimensional, i.e. linear or dendritic nanostructures
    • H01F1/0081—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity one dimensional, i.e. linear or dendritic nanostructures in a non-magnetic matrix, e.g. Fe-nanowires in a nanoporous membrane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
    • H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/047—Alloys characterised by their composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/032—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials
    • H01F1/04—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/06—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of hard-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/81—Of specified metal or metal alloy composition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/827—Nanostructure formed from hybrid organic/inorganic semiconductor compositions
    • Y10S977/83—Inorganic core or cluster coated with organic or biological shell
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/832—Nanostructure having specified property, e.g. lattice-constant, thermal expansion coefficient
    • Y10S977/838—Magnetic property of nanomaterial
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
    • Y10T428/2991—Coated
    • Y10T428/2998—Coated including synthetic resin or polymer

Abstract

본원에는, 반응 기체 및 유기 리간드 혼합물의 존재하에 용액 속에서 유기금속 전구체를 분해시켜 제조한, 조절가능한 종횡비를 갖는 열역학적으로 안정한 및 공기 안정한 강자성 나노입자에 관한, 자기 나노입자(22), 자기 나노재료(30), 어셈블리(30) 및 자기 나노입자의 합성방법이 기재되어 있다. 자기 나노재료는 실온 및/또는 작동 온도에서 강자성인 자기 코어(24, 34)와 자기 코어를 캡슐화하는 비자기 매트릭스(26, 36)을 포함하는, 균일한 크기, 형태 및 자기 배향의 자기 나노입자를 포함한다. 이러한 자기 나노재료는, 예를 들면, 자기장 가둠을 증가시키고 변압기, 온-칩 시그날 분리, 유도기 등의 각종 수동 및 능동 소자에서 MHz 및 GHz 주파수에서의 수동 부품 성능을 개선하기 위해, 고주파 집적 회로 용품, 예를 들면, 무선 휴대용 전자 소자에 사용될 수 있다.

Description

자기 나노재료 및 이의 합성 방법{Magnetic nanomaterials and synthesis method}
무선 휴대용 전자 소자에서 사용된 것과 같은 고주파 집적 회료 용품에서는 소형화, 다기능화, 고성능화 및 저비용화가 요구되고 있으며, 이는 집적 회로에서 유도기 및 변압기 등의 수동 부품의 집적화를 통해 달성할 수 있다. 집적 회로에 대한 수동 부품 집적화의 결여는 통상의 전자 시스템에서 100:1과 같이 높은 수동 대 능동 성분 비에 관여한다. 그러나, 현재의 수동 부품은, 집적 회로 위의 능동 부재와 통합되는 경우, 대부분의 규소를 소비하여 종종 이들의 집적화를 비경제적으로 되게 한다. 따라서, 집적 회로의 수동 부품에 의해 사용되는 공간을 감소시키는 방법이 개발되고 있다.
집적 회로에서 유도기 면적을 감소시키는 한 가지 방법은 자기 재료, 예를 들면, 투과성이 1을 초과하는 재료의 집적화에 의한 것이다. 이러한 방법의 목적은 고투과성 재료의 증가된 전자기 에너지 저장 성능의 잇점을 취함으로써 단위 면적당 유도계수를 증가시키기 위한 것이다. 유도기의 관련된 크기 감소는 일련의 저항 감소와 기생 성능 감소를 통해 성능(보다 높은 Q-인자)을 증강시킬 수 있게 한다. 변압기에서는 동일한 재료 특성이 결합 계수를 증가시키고, 이에 의해 변압기에서 에너지 이동이 증가되고 또한 자기 재료 내의 전자기장 라인을 규정함으로써 당해 부분이 보다 작게 될 수 있으며, 소자 충전 밀도가 증가된다. 이러한 수동 소자 개선을 달성하는 종래의 방법은, 예를 들면, 유럽 공개특허공보 제EP0716433호에 기재된 바와 같이, 무정형 또는 결정형 고체 박막 자기 재료를 사용하는 것이다. 그러나, 고주파 응용, 예를 들면, 높은 MHz 또는 낮은 GHz 주파수에서 이러한 방법은 와전류 손실 및 손실-생성 강자성 공명(FMR)에 기인하는 성능의 제한이 있다.
이와 관련된 결점을 해결하기 위한 시도는, 당해 재료가 소자 작동 온도에서 강자성이고 바람직하게는 단일 자기 도메인으로 구성되도록, 자기 나노입자, 즉 나노미터 크기의 입자를 공간적으로 분리하고 전기적으로 절연시키는 것이었다. 와전류 손실은 억제되고 FMR 붕괴는 고주파까지 확장될 수 있기 때문에, 자기 나노입자는 MHz-GHz 범위에서 단위 면적당 유도계수 밀도를 증가시킨다. 그러나, 복합 자기 나노입자 재료는 자기 투과성(μ) (즉, 1 초과), 및 (투과성)/(손실) 지수가,예를 들면, 목적하는 MHz-GHz 주파수 범위에서 5를 초과하도록 하는 상응하는 손실(μ") 등의 특성을 갖는 것이 중요하다.
이들 성질 중의 일부를 갖는 나노입자를 제조하고 일반적으로 3개 범주: 물리적 방법, 형판법 및 화학적 방법에 포함되는 몇가지 방법이 시도되어 왔다.
스퍼터링 및 에피택시[참조: 각각 Y.M. Kim et al, IEEE Trans. on Magn. vol. 37, no. 4, 2001, and M. Dumm et al, Journal of Applied Physics vol. 87, no. 9, 2000] 등의 물리적 방법은 박층을 생산한다. 그러나, 2가지 방법은 대략 500MHz 이하에서만 고투과성 필름을 생성하고, 일반적으로 와전류 손실을 최소화하기 위해서는 두께가 2 내지 3㎛를 초과하지 않아야 한다. 그러나, 이러한 성능은 수동 소자의 향상에 요구되는 유효 자기장 가둠에 충분하지 않다.
문헌[참조: Cao, H., Xu, Z., Sang, H., Sheng, D., Tie, C. Adv. Mater. 2001, vol. 13, p. 121]에 기재된 것과 같은 형판법은 무기 또는 트랙 에칭 유기 매트릭스의 채널 속에서 나노막대(nanorod) 또는 나노선(nonowire)을 통상 전기화학적으로 성장시킨다. 이러한 방법의 주요 단점은 부산물을 생성하는 입자 형성 후에 유기 또는 무기 매트릭스가 파괴되고, 이는 일반적으로 나노입자를 간섭한다. 이는 벌크 금속의 포화 자화와 비교하여 포화 자화를 감소시키고, 또한 고밀도 재료의 형성을 방해할 수 있다.
문헌[참조: Sun, S. Murray, C. B. J. Appl. Phys. 1999, vol. 85, p. 4325 또는 Alivisatos, P. Puntes, V. F. Krishnan, K. M. Appl. Phys. Lett. 2001, vol. 78, p. 2187]에 기재된 바와 같은 카보닐 전구체의 화학적 환원 또는 분해 등의 화학적 방법은 용액에서 나노입자의 합성을 수반한다. 화학적 방법, 및 보다 구체적으로는 선(Sun) 등의 방법은 고밀도 기록에 사용하기 위한 카보닐 코발트 전구체로부터 자가 조립된 일분산성 구형 코발트 입자를 생성한다. 그러나, 이들의 작은 크기로 인해, 당해 입자는 실온에서 상자성 상태로 존재하고, 따라서 고투과성 재료에 의해 달성되는 것과 같은 요구되는 자기장 가둠을 일으키지 않을 것이다. 추가의 연구는 당해 재료의 자기 이방성을 증가시키기 위해 철-백금(Fe/Pt) 입자를 생성하는 동일한 저자의 문헌[참조: Sun, S. Murray, C. B. Weller, D. Folks, L. Moser, A. Science 2000, vol. 287, p. 1989]에 기재되어 있다. 그러나, 상기와 유사하게, 당해 재료 중의 작은 입자 크기는 이들을 상자성 상태로 되도록 하여 자기장 가둠에 유용하지 않다. 문헌[참조: Puntes, V. F. Krishnan, K. M. Alivisatos, A. P. Science 2001, vol. 291, p. 2115]에서는, 올레산과 트리옥틸포스핀 옥사이드(TOPO)의 혼합물을 사용하여 카보닐 코발트 전구체로부터 코발트 나노막대를 제조한다. 그러나, 이 방법은, 예를 들면, 약 300℃의 고온 처리를 필요로 한다. 더욱이, 이러한 방식으로 수득한 나노막대는 열역학적으로 불안정하고, 통상 최초 반응 수초 이내에 구형 나노입자로 자발적으로 재배열되지 않는다. 또한, 철 및 니켈 나노막대는 TOPO 및 헥사데실아민(HDA) 등의 리간드의 존재하에 각각 Fe(CO)5[참조: Park, S. -J.; Kim, S.; Lee, S.; Khim, Z.G.; Char, K.; Hyeon, T. J. Am. Chem. Soc. 2000, vol. 122, p. 8581] 및 Ni(COD)2[참조: N. Cordente, C. Amiens, F. Senocq, M. Respaud, and B. Chaudret, Nano Letters2001, 1(10), p. 565]의 분해를 통해 최근에 보고되었다. 위의 2가지 재료는 균일하지 않다(입자는 동일한 형상을 나타내지 않는다). 추가로, 이들 입자는 실온에서 상자성 상태이고, 따라서 자기장 가둠에 부적합하다.
따라서, 실온 및/또는, 예를 들면, 약 105℃ 이하의 작동 온도에서 강자성이고 균일한 크기, 형태 및 자기 배향을 갖는 자기 나노입자로 이루어진 자기 재료가 요구되고 있다. 또한, 이러한 최종 자기 나노입자 재료가 고주파 집적 회료 용품, 예를 들면, 무선 휴대용 전자 소자에서 사용되어 각종 수동 및 능동 소자에서 자기장 가둠을 증가시킬 수 있도록, 비자기 매트릭스 속에 캡슐화된, 조절가능한 종횡비의 열역학적으로 안정한 자기 나노입자를 제조하는 방법이 요구되고 있다.
발명의 요약
본 발명에 따르면, 제1항에 청구된 자기 나노입자, 제12항에 청구된 자기 나노재료 및 제14항에 청구된 자기 나노입자의 합성방법이 제공된다.
본 발명은 일반적으로 자기 나노입자 및 자기 나노입자의 합성방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은, 고주파 집적 회료 용품에서 수동 부품 성능을 개선시키기 위해, 예를 들면, 고밀도 정보 저장 매체, 발광 다이오드, 수동 부품(예: 변압기, 온-칩 시그날 분리, 유도기 등)에 사용된 유기금속 전구체를 분해시켜 제조한 강자성 나노입자에 관한 것이다.
본 발명의 양태는, 예를 들면, 이제 다음 도면을 참조로 하여 보다 상세히 기재될 것이다.
도 1은 본 발명의 양태에 따르는 자기 나노입자의 제조방법을 나타낸다.
도 2는 성장 정렬이 바람직한 축(예: c-축)을 따르는 본 발명의 양태에 따르는 자기 나노입자의 고분해능 투과 전자 현미경(HRTEM) 사진을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 양태에 따르는 자기 나노입자의 고밀도 자가 조립체의 투과 전자 현미경(TEM) 사진을 나타낸다.
도 4는, 본 발명의 양태에 따르는, 약 10G의 약자기장하에 자장 부재하의 냉각/2 내지 300K의 자장 존재하의 냉각 방법에 따르는 자화 측정치 그래프를 나타낸다. 여기서, 자화 값은 화학적 미량분석으로 측정한 샘플에서 코발트 함량에 대해 표준화된다.
도 5는 본 발명의 양태에 따르는 자기 나노입자의 +5 내지 -5T의 300K에서 이력 곡선을 나타낸다. 여기서, 자화 값은 화학적 미량분석으로 측정한 샘플에서 코발트 함량에 대해 표준화된다.
도 6은 조정가능한 종횡비를 갖는 본 발명의 양태에 따르는 열역학적으로 안정한 자기 나노입자의 모식도를 나타낸다.
무선 휴대용 전자 소자에서 사용된 것과 같은 고주파 집적 회료 용품에 있어서, 시그날 분리용 구조체 뿐만 아니라 유도기 및 변압기 등의 수동 부품은 자기 나노입자 재료의 집적화를 통해 개선될 수 있다. 본 발명의 양태에 따르는 한 가지 특정한 방법은 포화 자화(Ms) 및 이방성(Hk)을 갖는 자기 나노입자의 소정 용적 분획을 함유하는 매트릭스 재료로 이루어진 복합재를 사용하는 것으로, 여기서 3가지 모든 요소(용적 분획, Ms 및 Hk)는, 복합재가 충분히 높은 주파수에서 충분히 높은 투과성과 강자성 공명을 가져 높은 MHz 및 GHz 주파수에서 RF-수동 소자(예:유도기, 변압기, 분리)를 개선시키도록 최적화된다. 포화 자화(Ms)는 나노입자의 화학적 조성을 달리함으로써 최적화될 수 있다. 이방성(Hk)은 결정 구조, 나노입자의 형태 및 복합재 자체에 의해 최적화될 수 있다. 또한, 자기 나노입자 복합재의 전기장 규정 특성의 최대 잇점을 취하기 위해서는 입자의 이방성 축은 모두 상호 정렬되어야 한다. 이러한 요건에 부합되는 통상의 방법은 먼저 재료의 전체 이방성을 증가시키는 것으로, 이는 입자의 형태를 개질시켜 달성할 수 있다. 나노구를 형성하는 대신에, 신장된 입자(타원형, 막대, 와이어 또는 기타 정규 비구형 입자) 등의 보다 바람직한 형태를 형성한다. 이들 입자는 최대 소자 작동 온도(예: 105℃)에서 강자성이도록 충분히 커야 하지만, 바람직하게는 단일 자기 도메인(또는 소수의 자기 도메인 단독)으로 이루어지도록 충분히 작아야 한다. 즉, 이들의 크기는 직경 및 길이가 모두 2 내지 30nm 정도이어야 한다. 이어서, 나노입자는 자가 조립되고, 리간드 쉘 또는 기타 층 절연 수단, 예를 들면, 자연 산화 쉘, 산화규소 피막 또는 기타 절연 피막을 통해 서로 전기적으로 분리된다. 그러나, 이상적으로는 나노입자를 함유하는 재료는 저항성이 높아야 하고, 나노입자에 대한 산화 억제제로서 작용하여야 하며, 예를 들면, 적어도 약 150℃ 이하의 온도에 대해 화학적으로 안정해야 한다.
도 1은 본 발명의 양태에 따르는 자기 나노입자의 제조방법(10)을 나타낸다. 당해 방법은 용매, 바람직하게는 에테르 또는 방향족 용매(예: 톨루엔, 아니솔, 디옥틸에테르 등)를 포함하고 카복실산, 바람직하게는 올레산 등에 첨가되는 용액 A(14)와 함께 (12)에서 출발한다. 이어서, 아민, 바람직하게는 올레일아민 등을용매 및 올레산 용액에 첨가하여 용액 A를 완성한다. 물론, 여기에 기재되지 않은 기타 용매 또는 아민을 사용하여 동일한 분해를 실시할 수 있다는 것은 자명할 것이다. 후속 단계(16)는 용액 A를 금속-유기 전구체, 예를 들면, 코발트 전구체 Co(η3-C8H13)(η4-C8H12)에 첨가하여 용액 B를 형성하는 것이다. 기타 금속 전구체, 예를 들면, Ni(η4-C8H12)2, 및 Fe(C9H7)2등과 같은 탄화수소 금속 착물을 사용할 수 있다는 것은 자명할 것이다. 또한, 용액의 성분을 첨가하고, 어떠한 순서로도 함께 혼합하여 용액 B를 형성할 수 있다는 것도 자명할 것이다. 단계(18)에서, 용액 B를, 예를 들면, 방사선 조사에 의해 아니솔 속에서 약 150℃로 약 48시간 동안, 예를 들면, 3Bar의 H2 압력하에 가열시킨다. 이러한 양태에서, 구형 일분산성 코발트 나노입자는 단계(18)에서 처리 시간 전체에 걸쳐 균일한 형태의 나노막대로 합체되지만, 당해 양태에서 나노막대는 약 10시간 반응 후에 용액 속에 나타나기 시작한다. 나노막대는 결정질 조밀 육방정(hcp) 구조이고, 구조체의 c 축을 따라 성장한다. 나노막대는 다수의 시간이 소요될 수 있는 반응 완결 후에 열역학적으로 안정한 형태의 코발트에 존재한다. 이러한 열역학적으로 안정한 코발트 나노막대는 구형 나노입자 또는 임의의 다른 형태 등의 다른 형태로 재배열되지 않을 것이다.
고도의 합성 수율, 예를 들면, 용액 속에 초기 도입된 코발트의 대략 70%가 나노막대에서 발견되고, 이러한 방법은, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 단계(20)에서 동일한 축, 예를 들면, c 축을 따라 정렬되고 균일한 직경 크기를 갖는 공기 안정한 나노막대를 생성한다.
도 2는 성장 정렬이 c-축을 따르는 본 발명의 양태에 따르는 자기 나노재료를 형성하는 자기 나노입자 어셈블리(30)의 고분해능 투과 전자 현미경(HRTEM) 사진을 나타낸다. 또한, 도 2는 나노막대 사이의 매우 규칙적인 공간과 함께 나노막대가 2개의 치수 격자로 자가 구성됨을 나타낸다. 도 3은 도 2보다 낮은 확대율에서 고밀도 또는 고용적 분획(예: 30%를 초과하는 자기 나노막대의 용적 분획), 성장 방향이 c 축을 따르는 자가 조립된 Co 나노막대를 나타낸다.
이러한 양태로부터 생성되는 나노입자는 자기 특성, 예를 들면, (i) 벌크 코발트의 자기 특징 및 특성과 유사한 포화 자화, (ii) 형태 이방성에 기인하여 증가된 자기 이방성과 강력하게 증가된 항전계(벌크 코발트 및 구형 나노입자와 비교하여)[여기서, 항전계는 주로 형태 이방성에 의해 결정된다. 예를 들면, 직경 4.9nm의 구형 나노입자에서, 자기 이방성은 Hc=800Gauss인 반면, 안정화제로서 올레일아민 및 올레산을 사용하여 수득한 나노막대의 경우 Hc=8900Gauss이다] 및 (iii) 단일 도메인을 유지하면서 실온(또는 보다 고온)에서 강자성을 나타낸다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 양태에 따르는 코발트 나노입자의 자기 특성을 나타낸다. 도 4는, 온도가 2K에서 300K로 상승된 다음 300K에서 2K로 감소되는 경우, 10Gauss의 일정한 약 자기장하에 자기 나노입자의 자화 발생을 나타낸다.
도 5는, 포화 자화(Ms)가 160 전자기 단위(EMU)/gCo이고 잔류 자화(MR)가80EMU/gCo이며 항전계(HC)의 이방성이 8900Gauss이고 자기 모멘트(μ)가 1,69μB인 경우, 또 다른 세트의 조건하에 본 발명의 양태로부터의 또 다른 세트의 결과를 나타낸다. 도 5는 실온에서 자기 코발트 나노입자의 이력 곡선(적용된 자기장의 함수로서의 자화)을 나타낸다. 온도는 300K에서 일정하게 유지되고, 자화는 적용된 자기장(0T로부터 5T로, -5T로 및 다시 +5T, 따라서 적용된 자기장 주기를 종료함)의 함수로서 기록한다.
단계(18)에서 유기 금속 전구체의 분해는, 예를 들면, 아니솔 속에서 150℃로 48시간 이내에 달성될 수 있고, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 이러한 양태에서 직경 약 9nm 및 길이 50 내지 100nm의 치수를 갖는 개개 나노막대로 구성되는 구성 나노재료 속에서 고수율, 예를 들면, 약 70%의 수율을 제공한다. 아민/산 비율을 변화시킴으로써 나노재료의 이방성을 변화시킬 수 있음은 자명할 것이다. 도 6은 본 발명의 양태에 따르는 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22)의 모식도를 나타낸다. 자기 코어(24, 34)는 실온/작동 온도에서 강자성이고, 비자기 캡슐화 재료(26, 36)은 전기적으로 분리되고 대기 오염으로부터 보호된 자기 나노입자를 제조하기 위해 자기 코어를 캡슐화한다. 자기 나노입자는, 직경(28, 38)과 길이(29, 39)가 아민/산 비율에 따라 변화될 수 있도록 소정의 조정가능한 종횡비를 가질 수 있다. 예를 들면, 아민/산 비를 변화시켜 다양한 치수 및 다양한 종횡비[l/d(29/28)]를 갖는 나노막대를 수득할 수 있고, 예를 들면, 직경 범위는 약 5 내지 30nm이고 길이는 약 10 내지 100nm 범위일 수 있다. 따라서, 예를 들면, 올레산 1당량 내지 2당량으로 출발하면, 나노와이어(약 7nm ×600nm)가 형성된다. 유사하게는, 나노막대 종횡비(길이/폭)은 아민 쇄 길이를 변화시켜 조절할 수 있고, 예를 들면, 옥틸아민(탄소수 8) 1당량을 올레산 1당량과 함께 사용하면, 10nm ×17nm의 나노막대가 생성된다. 또 다른 예에 있어서, 헥사데실아민(탄소수 16) 1당량을 올레산 1당량과 함께 사용하면, 6nm ×125nm의 나노막대가 생성된다. 또 다른 예에 있어서, 옥타데실아민(탄소수 18) 1당량을 올레산 1당량과 함께 사용하면, 약 6nm ×45nm의 나노막대가 생성된다. 물론, 다른 변수를 사용하여 나노재료의 이방성을 조절할 수 있음은 자명할 것이다. 이러한 양태에 있어서, 나노입자는 단일 결정질이고, 벌크 코발트의 hcp 구조를 나타내어 각각의 입자가 hcp 구조의 c-축을 따라 정렬된다. 나노입자는, 2개의 인접하는 나노입자 사이의 리간드 쉘의 전체 폭에 상응하는 거리, 예를 들면, 3nm의 거리만큼 공간 유지되어 있다.
따라서, 이러한 양태에 있어서, 합성된 강자성 나노입자, 예를 들면, 나노막대는 리간드 쉘, 예를 들면, 올레일아민 및 올레산, 카복실산/아민의 임의의 배합물, 또는 임의의 아민 또는 산 등을 함유하고, 이들은 다수의 유리한 결과를 나타낸다. 예를 들면, 유기 리간드는 다음 목적을 위해 사용된다: (i) 주축이 hcp 결정 구조의 c-축에 일치하는 나노입자의 이방성 성장 유도, (ii) 표면 수산화물의 형성 등의 공기 산화 및 기타 화학적 반응물로부터 나노입자의 보호, (iii) 나노입자 자기 특성에 대한 유해한 영향 없이 유기 용매에서 나노입자의 분산화, (iv) 각 나노입자 결정 이방성 축을 따르는 나노입자의 자가 정렬화, (v) 와전류 손실을 한정하고 개선된 고주파 행태를 나타내는 복수 입자에 대한 도메인 형성을 방지하는전기적으로 분리된 입자의 생성 및 (vi) 고주파 소자 응용을 최적화하기 위한 자기장에서의 입자 배향.
물론, 본원에 기재된 방법은 다른 강자성 원소(예: 철, 니켈 등) 및 관련 합금(예: FeCo, NiFeCo 등)을 사용할 수도 있고, 금속성 또는 비금속성 불순물, 예를 들면, 탄탈, 붕소, 산소, 질소 등이 입자에 의도적으로 첨가되어, 자기 재료 특성을 소정의 배열로 개질시켜, 집적된 수동 부품 소자 등의 구체적인 실행을 가장 적합하게 할 수 있음을 인지할 것이다.
본 발명의 특정한 양태가 상술되었지만, 각종 다른 변화 및 개량이 본 발명의 범위를 벗어나지 않고도 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 이루어질 수 있음은 자명할 것이다.

Claims (23)

  1. 실온/작동 온도에서 강자성인 자기 코어(24, 34)와 자기 나노입자를 전기적으로 분리시키고 대기 오염으로부터 보호하기 위해 자기 코어를 캡슐화하는 비자기 성분(26,36)을 포함하고, 소정의 조정가능한 종횡비를 가지며 MHz 내지 GHz 범위의 주파수에서 사용하기에 적합한 투과성과 강자성 공명을 갖는, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  2. 제1항에 있어서, 자기 코어(24, 34)가 Fe, Co 및 Ni로 이루어진 그룹으로부터 선택된 강자성 원소로 구성되어 있는, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  3. 제1항에 있어서, 자기 코어(24, 34)가 Fe, Co 및 Ni로 이루어진 그룹으로부터 선택된 강자성 원소의 이원 합금 또는 삼원 합금으로 구성되어 있는, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 자기 코어(24, 34)가 단일 자기 도메인을 포함하는, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 자기 나노입자의 직경(28, 38) 및 길이(29, 39)가 약 2 내지 600nm 범위인, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  6. 제5항에 있어서, 강자성 코어(24, 34)의 결정 구조가 조밀 육방정 구조인, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  7. 제5항에 있어서, 강자성 코어(24, 34)의 결정 구조가 체심 입방 구조인, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  8. 제5항에 있어서, 강자성 코어(24, 34)의 결정 구조가 면심 입방 구조인, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  9. 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 자기 코어(24, 34)를 캡슐화하는 비자기 성분(26, 36)이 유기 리간드인, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  10. 제9항에 있어서, 유기 리간드가 아민과 카복실산의 배합물인, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 유기 리간드가 올레일아민과 올레산과의 배합물인, 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22).
  12. 제1항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 따르는 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22)의 어셈블리를 포함하는 자기 나노재료(30).
  13. 제12항에 있어서, 각각의 자기 나노입자(22)가, 각각의 자기 나노입자를 따라 정렬된 이방성 축을 갖는, 자기 나노재료(30).
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 자기 나노재료의 자기 나노입자(22) 각각이 균일한 크기, 형태 및 자기 배향으로 이루어져 있는, 자기 나노재료(30).
  15. 제1항 내지 제11항 중의 어느 한 항에 있어서, 고주파 집적 회로 용품에서 수동식 부품에 사용하기 위한 자기 나노입자(22).
  16. 용매를 카복실산 및 아민과 함께 포함하는 제1 용액(14)을 제공하는 단계,
    제1 용액(16)을 금속-유기 전구체에 첨가하여 제2 용액을 형성하는 단계,
    제2 용액(18)을 소정의 기간 동안 가압하에 가열하여, 실온/작동 온도에서 강자성인 자기 코어(24, 34)와 자기 나노입자를 대기 오염으로부터 보호하고 전기적으로 분리시키기 위해 자기 코어를 캡슐화하는 비자기 성분(26,36)을 포함하고, 소정의 조정가능한 종횡비를 가지며 MHz 내지 GHz 범위의 주파수에서 사용하기에 적합한 투과성과 강자성 공명을 갖는 열역학적으로 안정한 자기 나노입자(22)를 제조하는 단계를 포함하는, 자기 나노입자(22)의 합성방법.
  17. 제16항에 있어서, 제1 용액(14)을 제공하는 단계가, 용매로서 에테르를 첨가함을 추가로 포함하는, 자기 나노입자(22)의 합성방법.
  18. 제16항에 있어서, 제1 용액(14)을 제공하는 단계가, 톨루엔 및 아니솔로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방향족 용매를 첨가함을 추가로 포함하는, 자기 나노입자(22)의 합성방법.
  19. 제16항 내지 제18항 중의 어느 한 항에 있어서, 제1 용액(14)을 제공하는 단계가, 카복실산으로서 올레산을 첨가함을 추가로 포함하는, 자기 나노입자(22)의 합성방법.
  20. 제16항 내지 제19항 중의 어느 한 항에 있어서, 제1 용액(14)을 제공하는 단계가, 아민으로서 올레일아민을 첨가함을 추가로 포함하는, 자기 나노입자(22)의 합성방법.
  21. 제16항 내지 제20항 중의 어느 한 항에 있어서, 제1 용액(14)을 제공하는 단계가, 금속-유기 전구체로서 탄화수소 금속 착물을 첨가함을 추가로 포함하는, 자기 나노입자(22)의 합성방법.
  22. 제16항 내지 제21항 중의 어느 한 항에 있어서, 제1 용액(14)을 제공하는 단계가, 금속-유기 전구체로서 코발트 전구체를 첨가함을 추가로 포함하는, 자기 나노입자(22)의 합성방법.
  23. 제16항 내지 제22항 중의 어느 한 항에 있어서, 가열 단계(18)가, 100 내지 250℃의 온도에서 H2또는 H2함유 가스 혼합물 1 내지 10Bar의 압력하에 약 3 내지 약 60시간 동안 가열함을 포함하는, 자기 나노입자(22)의 합성방법.
KR10-2004-7013265A 2002-02-25 2003-02-06 자기 나노재료 및 이의 합성 방법 KR20050007435A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02290455.1 2002-02-25
EP02290455A EP1339075A1 (en) 2002-02-25 2002-02-25 Magnetic nanomaterials and synthesis method
PCT/EP2003/001165 WO2003071561A1 (en) 2002-02-25 2003-02-06 Magnetic nanomaterials and synthesis method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20050007435A true KR20050007435A (ko) 2005-01-18

Family

ID=27635904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7013265A KR20050007435A (ko) 2002-02-25 2003-02-06 자기 나노재료 및 이의 합성 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7429339B2 (ko)
EP (1) EP1339075A1 (ko)
JP (1) JP2005518661A (ko)
KR (1) KR20050007435A (ko)
CN (1) CN1319081C (ko)
AU (1) AU2003206848A1 (ko)
TW (1) TWI284330B (ko)
WO (1) WO2003071561A1 (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7485366B2 (en) * 2000-10-26 2009-02-03 Inframat Corporation Thick film magnetic nanoparticulate composites and method of manufacture thereof
US20050128842A1 (en) * 2003-11-07 2005-06-16 Alexander Wei Annular magnetic nanostructures
ES2242528B1 (es) 2004-03-25 2006-12-01 Consejo Sup. Investig. Cientificas Nanoparticulas magneticas de metales nobles.
WO2007117604A2 (en) * 2006-04-07 2007-10-18 The Government Of The United States Of America, Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services Inductive decoupling of an rf coil array
US7680553B2 (en) * 2007-03-08 2010-03-16 Smp Logic Systems Llc Methods of interfacing nanomaterials for the monitoring and execution of pharmaceutical manufacturing processes
DE102008026658A1 (de) 2007-11-13 2009-05-14 Council Of Scientific & Industrial Research Verfahren zur Herstellung von Nanodrähten aus Metalloxiden mit Dotiermitteln in niedrigem Valenzzustand
EP2387787B1 (en) 2008-12-19 2018-09-12 Ferronova Pty Ltd Magnetic nanoparticles
WO2010079781A1 (ja) * 2009-01-06 2010-07-15 国立大学法人九州大学 ファイバー状ニッケルおよびその製造方法
WO2010115145A2 (en) 2009-04-03 2010-10-07 The United States Of America, As Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services Magnetic microstructures for magnetic resonance imaging
US9089512B2 (en) 2009-12-18 2015-07-28 President And Fellows Of Harvard College Active scaffolds for on-demand drug and cell delivery
FR2955853B1 (fr) 2010-02-02 2012-03-09 Inst Nat Sciences Appliq Procede de fabrication de nano-batonnets epitaxies sur un support, nano-batonnets epitaxies obtenus par un tel procede et support d'enregistrement de donnees numeriques
JP5175884B2 (ja) * 2010-03-05 2013-04-03 株式会社東芝 ナノ粒子複合材料、それを用いたアンテナ装置及び電磁波吸収体
WO2013012924A2 (en) 2011-07-18 2013-01-24 President And Fellows Of Harvard College Engineered microbe-targeting molecules and uses thereof
US8840800B2 (en) * 2011-08-31 2014-09-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic material, method for producing magnetic material, and inductor element
FR2999976B1 (fr) 2012-12-24 2014-12-26 Centre Nat Rech Scient Nano-objets magnetiques recouverts par une enveloppe metallique
US10551379B2 (en) 2013-03-15 2020-02-04 President And Fellows Of Harvard College Methods and compositions for improving detection and/or capture of a target entity
AU2014268603B2 (en) 2013-05-21 2018-03-22 President And Fellows Of Harvard College Engineered heme-binding compositions and uses thereof
WO2015013585A1 (en) * 2013-07-26 2015-01-29 University Of Florida Research Foundation, Incorporated Nanocomposite magnetic materials for magnetic devices and systems
US9409148B2 (en) 2013-08-08 2016-08-09 Uchicago Argonne, Llc Compositions and methods for direct capture of organic materials from process streams
EP3912986B1 (en) 2013-12-18 2023-12-13 President and Fellows of Harvard College Crp capture/detection of bacteria
MX2016016507A (es) 2014-06-12 2017-04-27 Cedars Sinai Medical Center Composiciones y metodos para tratar canceres.
FR3036979B1 (fr) 2015-06-03 2017-05-26 Ifp Energies Now Catalyseur comprenant un support poreux dans lequel se trouvent des particules metalliques presentant une morphologie de type " oursin ".
CN108289928A (zh) 2015-08-06 2018-07-17 哈佛大学校长及研究员协会 改进的微生物-结合分子和其用途
KR20180033883A (ko) * 2016-09-26 2018-04-04 삼성전기주식회사 인덕터
US20190112731A1 (en) 2017-10-12 2019-04-18 Julianne Holloway Manufacturing gradient materials using magnetically-assisted electrospinning
WO2020148206A1 (en) 2019-01-14 2020-07-23 INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) Methods and kits for generating and selecting a variant of a binding protein with increased binding affinity and/or specificity

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5456986A (en) * 1993-06-30 1995-10-10 Carnegie Mellon University Magnetic metal or metal carbide nanoparticles and a process for forming same
GB2319253A (en) * 1996-11-16 1998-05-20 Eric Leigh Mayes Composition, for use in a device, comprising a magnetic layer of domain-separated magnetic particles
US7724558B1 (en) * 1999-03-19 2010-05-25 Nec Corporation Magnetic signal transmission line

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003206848A1 (en) 2003-09-09
WO2003071561A1 (en) 2003-08-28
CN1639810A (zh) 2005-07-13
EP1339075A1 (en) 2003-08-27
CN1319081C (zh) 2007-05-30
US7429339B2 (en) 2008-09-30
TW200402743A (en) 2004-02-16
US20050200438A1 (en) 2005-09-15
TWI284330B (en) 2007-07-21
JP2005518661A (ja) 2005-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20050007435A (ko) 자기 나노재료 및 이의 합성 방법
Liu et al. Exchange-coupled nanocomposites: chemical synthesis, characterization and applications
Sun Recent advances in chemical synthesis, self‐assembly, and applications of FePt nanoparticles
Sun et al. Compositionally controlled FePt nanoparticle materials
Hadjipanayis Nanophase hard magnets
JP5247754B2 (ja) 磁性材料及びその磁性材料を用いたモータ
Shen et al. Chemical synthesis of magnetically hard and strong rare earth metal based nanomagnets
Li et al. Prospect and status of iron-based rare-earth-free permanent magnetic materials
US20140345424A1 (en) Magnetic nanoparticles, bulk nanocomposite magnets, and production thereof
JP2005518661A5 (ko)
TWI636143B (zh) Soft magnetic alloy and magnetic parts
Fleaca et al. Magnetic properties of core-shell catalyst nanoparticles for carbon nanotube growth
US9093205B2 (en) Superparamagnetic iron oxide and silica nanoparticles of high magnetic saturation and a magnetic core containing the nanoparticles
KR20130032938A (ko) 탄소 나노파이버를 포함하는 자성 나노섬유 및 이의 제조방법
Mohapatra et al. Hard and semi-hard Fe-based magnetic materials
US20170069412A1 (en) Ligand passivated core-shell fept@co nanomagnets exhibiting enhanced energy product
Pal et al. Nanocrystalline magnetic alloys and ceramics
Ram et al. Granular GMR sensors of Co–Cu and Co–Ag nanoparticles synthesized through a chemical route using NaBH4
Tomou et al. L1 ordering and magnetic interactions in FePt nanoparticles embedded in MgO and SiO2 shell matrices
Seehra et al. Effect of Si doping on the electron spin resonance properties of ferrihydrite nanoparticles
Zhang et al. Synthesis and characterization of FePt nanoparticles and FePt nanoparticle/SiO 2-matrix composite films
Choi et al. Magnetic behavior of Fe3O4 nanostructure fabricated by template method
Spasova et al. Structure and magnetism of Co and CoAg nanocrystals
McGrath et al. Nanoparticles and nanocomposites for new permanent magnets
Moon et al. Fabrication and Characterization of Iron-Cobalt Alloy Magnetic NanoclusterWires by Thermal DecompositionMethod inMagnetic Fields

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application