KR20050002252A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- 반도체 소자를 형성하기 위한 여러 요소가 형성된 반도체 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및스파이크 급속 열처리 공정으로 상기 비정질 실리콘층을 선 결정화시켜 그레인 사이즈가 작고 균일하게 결정화된 비정질 폴리실리콘층으로 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 반도체 기판 상에 터널 산화막을 형성하는 단계;상기 터널 산화막 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및스파이크 급속 열처리 공정으로 상기 비정질 실리콘층을 선 결정화시켜 그레인 사이즈가 작고 균일하게 결정화된 비정질 폴리실리콘층으로 형성하는 단계;상기 결정화된 비정질 폴리실리콘층 상에 패드 질화막을 형성하는 단계;소자 분리 영역 상부의 상기 패드 질화막, 상기 결정화된 비정질 폴리실리콘층 및 상기 터널 산화막을 제거하는 단계;상기 소자 분리 영역의 상기 반도체 기판에 트렌치를 형성하는 단계;측벽 산화 공정으로 상기 트렌치의 측벽 및 저면에 열산화막을 형성하는 단계;상기 트렌치를 절연물질로 매립하여 소자 분리막을 형성하는 단계; 및전체 상부에 폴리실리콘층을 형성한 후, 상기 소자 분리막 상부의 상기 폴리실리콘층을 일부 제거하여 상기 결정화된 비정질 폴리실리콘층 및 상기 폴리실리콘층으로 이루어진 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층이 언도프트 비정질 폴리실리콘층인 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층이 300℃ 내지 600℃의 온도에서 형성되는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 스파이크 급속 열처리 공정이 N2가스 분위기에서 초당 100℃ 내지 300℃의 승온 속도로 순간 가열 방식으로 진행되는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 스파이크 급속 열처리가 900℃ 내지 1050℃의 온도에서 실시되며, 원주 모양의 구조로 형성된 그레인 사이즈가 600Å보다 작아지도록 열처리 조건이 조절되는 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 측벽 산화 공정이 상기 결정화된 비정질 폴리실리콘층의 과다 입성장이 발생하는 2차 재결정화를 방지할 수 있는 온도에서 실시되는 반도체 소자의 제조 방법.
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