KR200493123Y1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR200493123Y1
KR200493123Y1 KR2020180005507U KR20180005507U KR200493123Y1 KR 200493123 Y1 KR200493123 Y1 KR 200493123Y1 KR 2020180005507 U KR2020180005507 U KR 2020180005507U KR 20180005507 U KR20180005507 U KR 20180005507U KR 200493123 Y1 KR200493123 Y1 KR 200493123Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead frame
shaping layer
light emitting
frame unit
emitting device
Prior art date
Application number
KR2020180005507U
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200001240U (ko
Inventor
치아-능 후앙
Original Assignee
창 와 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 창 와 테크놀러지 컴퍼니 리미티드 filed Critical 창 와 테크놀러지 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20200001240U publication Critical patent/KR20200001240U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200493123Y1 publication Critical patent/KR200493123Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0033—Devices characterised by their operation having Schottky barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

발광 소자 패키지(light emitting device package)는, 리드 프레임 유닛(leadframe unit)(2), 성형층(molding layer)(3), 및 발광 소자(light emitting device)(4)를 포함한다. 상기 리드 프레임 유닛(2)은 서로 반대쪽의 리드 프레임 상면(201)과 리드 프레임 바닥면(202)을 가진다. 상기 성형층(3)은 상기 리드 프레임 유닛(2)을 둘러싸며, 성형층 바닥면(33), 상기 리드 프레임 유닛(2)을 둘러싸기 위해 상기 성형층 바닥면(33)으로부터 위쪽으로 연장된 성형층 둘레면(surrounding surface)(31), 및 상기 성형층 바닥면(33)으로부터 오목한 다수의 납땜 홈들(solder grooves)(34)을 가진다. 상기 납땜 홈(34)들 각각은 상기 리드 프레임 유닛(2)과 만나는 제1 단부(341)와, 상기 성형층 둘레면(31)에서 개방된 제2 단부(342)를 가진다. 상기 발광 소자(4)는 상기 리드 프레임 유닛(2)의 리드 프레임 상면(201) 상에 배치된다.

Description

발광 소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
본 고안은 발광 소자 패키지(light emitting device package)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다수의 납땜 홈들(solder grooves)을 가지는 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드는 비교적 작은 체적 크기, 높은 전력 효율, 긴 사용 수명, 낮은 전력 소모, 및 짧은 준비 시간(warm-up time), 등의 이점들을 가지며, 이에 따라 종래의 광원(예컨대, 백열등)을 대체하여 사용되고 있으며, 전자 조명 분야에서 널리 적용되고 있다.
발광 소자의 패키징 밀도를 증가시키고 패키징 크기를 감소시킬 목적으로, QFN(quad flat no-lead) 리드 프레임을 가진 종래의 반도체 장치 패키지는 QFN 리드 프레임의 바닥면에 납땜 조인트들을 구비한다. 그러나, 종래의 반도체 장치 패키지들의 납땜 조인트들은 외부 부품들에 표면적으로 전기적 연결을 위한 것이며, 납땜 조인트들의 품질 및 납땜 조인트들과 외부 부품들 사이의 전기적 연결의 완전성은 시각적 검사에 의해 간단하게 검사될 수 없다.
따라서, 본 고안의 목적은 종래 기술의 단점들 중 적어도 하나를 완화시킬 수 있는 발광 소자 패키지를 제공하는 것이다.
본 고안에 따르면, 상기 발광 소자 패키지는 리드 프레임 유닛(leadframe unit), 성형층(molding layer), 및 발광 소자를 포함한다.
상기 리드 프레임 유닛은 리드 프레임 상면과, 상기 리드 프레임 상면 반대쪽의 리드 프레임 바닥면을 가진다.
상기 성형층은 상기 리드 프레임 상면과 리드 프레임 바닥면이 상기 성형층으로부터 노출되도록 상기 리드 프레임 유닛을 둘러싼다. 상기 성형층은, 상기 리드 프레임 바닥면과 동일 평면을 이루며 상기 리드 프레임 바닥면을 덮지 않는 성형층 바닥면, 상기 리드 프레임 유닛을 둘러싸기 위해 상기 성형층 바닥면으로부터 위쪽으로 연장된 성형층 둘레면(surrounding surface), 및 다수의 납땜 홈들(solder grooves)을 가진다. 상기 납땜 홈들 각각은 상기 성형층 바닥면으로부터 오목하며, 상기 리드 프레임 유닛과 상기 성형층 둘레면 사이에 배치되고, 상기 납땜 홈들 각각은 상기 리드 프레임 유닛과 만나는 일단부와 상기 성형층 둘레면에서 개방된 타단부를 가진다. 상기 리드 프레임 유닛은 상기 성형층 둘레면으로부터 노출되지 않는다.
상기 발광 소자는 상기 리드 프레임 유닛의 리드 프레임 상면 상에 배치된다.
본 고안의 다른 특징들과 이점들은 아래의 첨부된 도면들에 관한 실시예의 상세한 설명에서 명확하게 될 것이다.
도 1은 본 고안에 따른 발광 소자 패키지의 제1 실시예를 도시한 상부 사시도이며;
도 2는 제1 실시예를 도시한 하부 사시도이며;
도 3은 도 1의 Ⅲ-Ⅲ 선을 따른 개략적인 단면도이며;
도 4a 내지 도 4e는 발광 소자 패키지의 제1 실시예를 만드는 방법의 연속적인 단계들을 도시한 사시도들이며;
도 5는 도 4e의 Ⅴ-Ⅴ 선을 따른 개략적인 단면도이며;
도 6은 본 고안에 따른 발광 소자 패키지의 제2 실시예를 도시한 상부 사시도이며;
도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ 선을 따른 개략적인 단면도이며;
도 8은 바닥 전기-도금층을 더 포함하는 제1 실시예를 도시한 개략적인 단면도이며;
도 9는 상부 전기-도금층을 더 포함하는 도 8의 제1 실시예를 도시한 개략적인 단면도이며;
도 10은 홈 전기-도금층을 더 포함하는 도 8의 제1 실시예를 도시한 개략적인 단면도이며;
도 11은 홈 전기-도금층을 더 포함하는 도 9의 제1 실시예를 도시한 개략적인 단면도이다.
본 고안을 더 상세하게 설명하기 전에, 참조 번호들 또는 참조 번호들의 말단부는 적합하다고 생각되는 경우에 선택적으로 유사한 특징들을 가질 수 있는 상응하거나 또는 유사한 요소들을 나타내기 위해 도면들에서 반복되었음을 주의하여야 한다.
도 1 내지 3을 참조하면, 본 고안에 따른 발광 소자 패키지의 제1 실시예는 리드 프레임 유닛(leadframe unit)(2), 성형층(molding layer)(3), 및 발광 소자(4)를 포함한다.
상기 리드 프레임 유닛(2)은 구리, 구리계 합금, 철-니켈 합금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속 재료로 만들어진다. 상기 리드 프레임 유닛(2)은, 상기 발광 소자(4)를 지지하도록 구성된 리드 프레임 상면(201)과, 상기 리드 프레임 상면(201) 반대쪽의 리드 프레임 바닥면(202)을 가진다.
보다 상세하게는, 상기 리드 프레임 유닛(2)은 서로로부터 이격된 적어도 두 개의 접촉 전극들(contact electrodes)(21)을 포함한다. 상기 접촉 전극들(21)은 각개로 상기 리드 프레임 상면(201)을 구성하는 상단부들(211)과 상기 리드 프레임 바닥면(202)을 구성하는 하단부들(212)을 가진다. 상기 접촉 전극들(21) 각각은 상기 리드 프레임 상면(201)과 리드 프레임 바닥면(102) 사이에 횡단 방향으로 연결되는 전극 둘레면(electrode surrounding surface)(213)을 가진다. 이 실시예에서, 상기 리드 프레임 상면(201) 상에 지지되는 발광 소자(4)는 상기 접촉 전극들(21) 중 적어도 하나의 상단부(211) 상에 배치된다. 상기 접촉 전극들(21)의 수는 두 개보다 많을 수 있으며, 발광 소자(4)의 요구되는 수에 근거하여 결정될 수 있다. 이 실시예에서, 상기 리드 프레임 유닛(2)은 두 개의 접촉 전극들(21)을 포함한다.
상기 성형층(3)은, 상기 성형층(3)으로부터 노출된 탑재 영역(mounting area)(35)을 형성하기 위해, 상기 리드 프레임 상면(201) 상에 배치되며 상기 접촉 전극들(21) 각각의 상단부(211)를 덮지 않는 부분(36)을 가진다.
상기 성형층(3)은, 상기 리드 프레임 상면(201)과 리드 프레임 바닥면(202)이 상기 성형층(3)으로부터 노출되도록 상기 리드 프레임 유닛(2)을 둘러싼다. 예를 들어, 상기 성형층(3)은 상기 리드 프레임 유닛(2) 위에 직접 성형된다. 상기 성형층(3)은, 상기 리드 프레임 바닥면(202)과 동일 평면이며 상기 리드 프레임 바닥면(202)을 덮지 않는 성형층 바닥면(33)과, 상기 리드 프레임 유닛(2)을 둘러싸기 위해 상기 성형층 바닥면(33)으로부터 위쪽으로 연장된 성형층 둘레면(molding-layer surrounding surface)(31)과, 상기 성형층 바닥면(33) 반대쪽의 성형층 상면(32)과, SSTs(solder seen terminals)로 알려져 있는 다수의 납땜 홈들(solder grooves)(34)을 가진다. 상기 납땜 홈들(34) 각각은 상기 성형층 바닥면(33)으로부터 오목하며, 상기 리드 프레임 유닛(2)과 성형층 둘레면(31) 사이에 배치된다. 상기 납땜 홈들(34) 각각은 상기 리드 프레임 유닛(2)과 만나는 제1 단부(341)와, 상기 성형층 둘레면(31)에서 개방된 제2 단부(342)를 가진다. 상기 리드 프레임 유닛(2)은 상기 성형층 둘레면(31)으로부터 노출되지 않는다. 이 실시예에서, 상기 성형층(3)은 상기 접촉 전극들(21) 사이 내에 채워지며 상기 접촉 전극들(21)의 전극 둘레면들(213) 둘레로 연장된다. 상기 접촉 전극들(21) 각각은 제1 단부(341)에서 상기 납땜 홈들(34) 중 적어도 하나와 만난다. 상기 접촉 전극들(21) 각각의 전극 둘레면(213)은 노출된 표면 부분(exposed surface portion)(214)을 가질 수 있다. 상기 노출된 표면 부분(214)은 상기 납땜 홈들(34)의 각개의 하나의 내부에서 상기 성형층(3)으로부터 노출된다. 이 실시예에서, 상기 접촉 전극들(21) 각각의 노출된 표면 부분(214)은 상기 성형층 둘레면(31)에 대해 안쪽 방향 오목하다. 선택적으로, 상기 접촉 전극들(21) 각각의 노출된 표면 부분(214)은 경사질 수 있다. 상기 접촉 전극들(21) 각각의 노출된 표면 부분(214)의 오목한 또는 경사진 형태는, 상기 접촉 전극들(21)의 하단부들(212)에 도포되는 전도성 접착제 또는 땜납과 같은 액체 또는 콜로이드 재료의 흐름을 안내하는데 기여한다.
상기 발광 소자(4)는 적어도 하나의 발광 부재(41)를 포함하며, 상기 발광 부재(41)는 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드, 등일 수 있다. 이 실시예에서, 상기 발광 부재(41)는 상기 탑재 영역(35) 내에서 상기 리드 프레임 유닛(2)의 접촉 전극들(21) 중 하나의 상단부(201) 상에 배치되며, 와이어(42)를 통해 상기 접촉 전극들(21) 중 다른 하나에 전기적으로 연결된다.
도 1에 도시되고 위에서 언급된 바와 같이, 상기 리드 프레임 유닛(2)이 상기 성형층 둘레면(31)으로부터 노출되지 않는다 할지라도, 상기 납땜 홈들(34) 내에 배치되어 상기 리드 프레임 유닛(2)에 연결되는 땜납(미도시)은 상기 납땜 홈들(34)을 통해 시각적으로 검사될 수 있다.
하나의 형태에서, 상기 성형층(3)은 적어도 상기 접촉 전극들(21)의 상단부들(211)에서 광 반사성(light reflective)일 수 있다. 그러므로, 상기 리드 프레임 상면(201) 상에 배치되고 상기 접촉 전극들(21) 각각의 상단부(211)를 부분적으로 덮지 않는 성형층(3)의 부분에 의해, 상기 발광 부재(41)로부터 방출된 광의 다중 반사가 발생될 수 있으며, 이에 따라 상기 발광 부재(41)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
상기 발광 소자 패키지의 제1 실시예의 제조 방법이 아래와 같이 설명된다.
첫째로, 도 4a를 참조하면, 구리, 구리계 합금, 철-니켈 합금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 만들어 질 수 있는 전기 전도성 기판이 리드 프레임 반제품(semi-product)(100A)을 형성하기 위해 에칭된다.
상기 리드 프레임 반제품(100A)은 프레임 형성부(framing portion)(101), 다수의 이격된 연결부들(102), 및 상기 프레임 형성부(101)에 의해 둘러싸이며 각각 두 개의 이격된 접촉 전극들(21)을 포함하는 다수의 리드 프레임 유닛들(2)을 포함한다. 상기 접촉 전극들(21)은 어레이로 배열되며, 상기 접촉 전극들(21) 각각은 상단부(211)와 하단부(212)를 가진다. 다수의 연결부들(102)은 상이한 리드 프레임 유닛들(2)의 접촉 전극들(21) 중 두 개의 인접한 것들 사이에 배치되어 연결되며, 나머지 연결부들(102)은 상기 접촉 전극들(21)과 프레임 형성부(101) 사이에 배치되어 연결된다. 다시 말해서, 상기 리드 프레임 유닛들(2) 각각의 접촉 전극들(21) 각각을 위해, 상기 접촉 전극(21)과 상기 리드 프레임 유닛들(2) 중 인접한 하나의 접촉 전극들(21) 중 하나 사이에 연결된 적어도 하나의 연결부(102)가 있으며, 상기 접촉 전극(21)과 상기 프레임 형성부(101) 사이에 연결된 적어도 하나의 연결부(102)가 있다. 그러므로, 상기 리드 프레임 반제품(100A)의 프레임 형성부(101), 접촉 전극들(21) 및 연결부들(102)은 일체로 형성된다.
그 이후에, 상기 리드 프레임 반제품(100A)은 금형(미도시) 내에 배치되며, 그 다음에 에폭시 또는 실리콘 수지로 만들어질 수 있는 봉지용(encapsulating) 폴리머 재료가 상기 접촉 전극들(21)과 프레임 형성부(101) 사이의 간격(gap)(210) 내에 채워져 상기 연결부들(102)과 상기 접촉 전극들(21)의 상단부들(211) 중 일부를 덮는다. 뒤이어, 상기 성형층(3)을 형성하기 위해 상기 봉지용 폴리머 재료가 경화된다. 도 4b와 4c는 각각, 상기 성형층(3)을 갖도록 형성된 상기 리드 프레임 반제품(100A)의 상면도와 저면도이다.
그 다음에, 상기 연결부들(102)은 (도 4d에 도시된 바와 같이) 상기 성형층 바닥면(33)으로부터 오목한 납땜 홈들(34)을 형성하기 위해 에칭된다. 상기 접촉 전극들(21)은 서로로부터 이격된다.
그 이후에, 상기 리드 프레임 유닛들(22) 각각을 위해, 상기 발광 소자(4)의 발광 부재(41)가 상기 접촉 전극들(21) 중 하나에 배치되며, 그 다음에 와이어(42)가 상기 발광 부재(41)와 상기 접촉 전극들(21) 중 다른 하나 사이에 연결된다.
도 5를 참조하면, 다수의 발광 소자 패키지들(두 개가 도시됨)은, 상기 성형층(3) 내에 형성된 다이싱 영역(X) 내에 형성된 스크라이브 라인(scribe line)(미도시)을 따른 다이싱(dicing)에 의해 개별화(singularized)된다.
선택적으로, 상기 성형층(3)은 하측 부분(lower portion)과 상측 부분(upper portion)을 포함할 수 있으며, 상기 하측 부분과 상측 부분을 다른 금형을 사용하여 연속적으로 형성함으로써 형성될 수 있다. 상기 하측 부분은 상기 접촉 전극들(21)의 전극 둘레면들(213)의 둘레로 연장되며, 상기 접촉 전극들(21)의 하단부들(212)과 동일 평면인 성형층 바닥면(33)과, 상기 접촉 전극들(21)의 상단부들(211)과 동일 평면인 성형층 상면(32)을 가진다. 상기 하측 부분 상에 형성된 상기 상측 부분은 상기 접촉 전극들(21)의 상단부들(211)을 부분적으로 덮는다. 상기 하측 및 상측 부분들이 동시에 형성되지 않을 때, 상기 하측 및 상측 부분들은 선택적으로 동일하거나 또는 상이한 봉지용 폴리머 재료들로 만들어질 수 있다. 광 반사성 입자들이 선택적으로 상기 성형층(3)의 상측 부분을 형성하기 위한 폴리머 봉지용 재료들 내에 포함될 수 있으며, 이에 의해 상기 성형층(3)은 광 반사적이다. 따라서, 상기 발광 부재(41)의 광 추출 효율이 향상될 수 있다. 금형(들)과 광 반사 입자들 자체는 본 고안의 본질적인 특징들이 아니고, 본 기술 분야의 기술자에게 잘 알려져 있기 때문에, 간결성을 위해 이에 대한 추가적인 상세 설명은 제공되지 않는다.
도 6과 7을 참조하면, 본 고안에 따른 발광 소자 패키지의 제2 실시예가 도시된다. 상기 발광 소자 패키지는 제1 실시예와 유사한 구조를 가지며, 상기 성형층 상면(32)은 상기 리드 프레임 상면(32)과 동일 평면을 이룬다. 상기 발광 소자 패키지는 상기 성형층 상면(32), 상기 리드 프레임 유닛(2)의 리드 프레임 상면(201) 및 상기 발광 소자(4)를 봉지하는 봉지재 층(encapsulant layer)(5)을 더 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 성형층 상면(32)은 상기 접촉 전극들(21)의 상단부들(211)과 동일 평면이기 때문에, 그리고 상기 성형층 바닥면(33)은 상기 접촉 전극들(21)의 하단부들(212)과 동일 평면이기 때문에, 상기 성형층(3)과 협력하는 상기 리드 프레임 유닛(2)은 플레이트-형상이다. 상기 발광 부재(4)는 상기 접촉 전극들(21) 중 하나의 상단부(211) 상에 배치되고 와이어(42)를 통해 상기 접촉 전극들(21) 중 다른 하나에 전기적으로 연결된다. 상기 봉지재 층(5)은 실리콘 또는 에폭시 수지, 등으로부터 선택된 봉지용 재료로 만들어질 수 있다. 상기 봉지재 층(5)은 형광물질을 포함할 수 있다. 상기 봉지용 재료는 본 기술 분야의 기술자에게 잘 알려져 있으며 간결성을 위해 여기서는 제공되지 않는다.
상기 발광 소자 패키지의 제2 실시예를 제조하는 방법은 상기 발광 소자 패키지의 제1 실시예와 유사하며, 상기 성형층(3)의 성형층 상면(32)은 상기 리드 프레임 유닛(2)의 리드 프레임 상면(201)과 동일 평면이 되도록 형성된다. 또한, 다수의 발광 소자들(4)의 배치와 다수의 와이어들(42)의 형성 후에, 그리고 다수의 발광 소자 패키지들의 개별화 전에, 상기 성형층 상면(32), 상기 리드 프레임 유닛들(2)의 리드 프레임 상면들(201) 및 상기 발광 소자들(4)을 봉지하기 위해 상기 봉지재 층(5)이 형성된다.
유사하게, 상기 납땜 홈들(34)에 의해, 납땜과 납땜에 의해 형성된 납땜 조인트들과 외부 부품들 사이의 전기적 연결의 완전성이 시각적으로 검사될 수 있다.
상기 제1 및 제2 실시예들은, 상기 성형층(3)의 형성 후에 수행되는 막-도금(film-plating) 공정을 더 포함할 수 있다는 것이 주목된다. 개별화된 발광 소자 패키지들 각각의 리드 프레임 유닛(2)을 위해, 상기 리드 프레임 바닥면(202), 리드 프레임 상면(201), 또는 노출된 표면 부분(214) 중 적어도 하나에 상기 리드 프레임 유닛(2)의 재료와 상이한 재료로 만들어진 적어도 하나의 전기-도금층이 형성될 수 있다. 상기 전기-도금층은 금속 또는 합금으로 만들어질 수 있다. 구체적으로, 상기 전기-도금층은 니켈, 팔라듐, 은, 금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 만들어질 수 있으며, 단일 층 또는 다중-층 구조일 수 있다. 상기 전기-도금층에 의해, 납땜 공정 후에 상기 리드 프레임 유닛(2)에 와이어(42)의 부착 및 발광 소자 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.
도 8을 참조하면, 하나의 형태에서, 상기 발광 소자 패키지의 제1 실시예는, 상기 리드 프레임 유닛(2)의 리드 프레임 바닥면(202)에 배치되고 상기 리드 프레임 유닛(2)의 재료와 상이한 재료로 만들어질 수 있는 바닥 전기-도금층(61)을 더 포함한다.
도 9를 참조하면, 상기 발광 소자 패키지의 제1 실시예는, 상기 성형층(3)에 의해 덮이지 않은 도 8에 도시된 리드 프레임 유닛(2)의 리드 프레임 상면(201)의 부분에 배치된 상부 전기-도금층(62)을 더 포함할 수 있다.
도 10을 참조하면, 도 8에 도시된 상기 발광 소자 패키지의 제1 실시예는, 상기 접촉 전극들(21)의 전극 둘레면들(213)의 노출된 표면 부분들(214)에 배치되며 상기 리드 프레임 유닛(2)의 재료와 상이한 재료로 만들어질 수 있는 홈 전기-도금층(groove electro-plating layer)(63)을 더 포함한다.
선택적으로, 도 11을 참조하면, 상기 홈 전기-도금층(63)은 도 9에 도시된 바와 같은 접촉 전극들(21)의 전극 둘레면들(213)의 노출된 표면 부분들(214)에 배치될 수 있다.
요약하면, 본 고안의 발광 소자 패키지 내에 상기 납땜 홈들(34)을 포함함으로써, 납땜의 품질 및 납땜에 의해 형성된 납땜 조인트들과 외부 부품들 사이의 전기적 연결의 완전성이 시각적으로 검사될 수 있다.
위의 서술에서, 설명의 목적으로, 실시예들의 완전한 이해를 제공하기 위해 많은 구체적인 상세 사항들이 제시되었다. 그러나, 본 기술 분야의 기술자에게, 하나 이상의 다른 실시예들은 이러한 구체적인 상세 사항들 중 일부가 없어도 실행될 수 있다는 것이 분명할 것이다. 또한, "하나의 실시예", "실시예", 서수 표시를 가진 실시예 등등에 대한 명세서 전반에 관하여, 특정한 특징, 구조, 또는 특성이 본 고안의 실행에 포함될 수 있다는 것을 의미한다는 것을 인식하여야 한다. 또한, 이러한 설명에서, 설명의 간소화 및 다양한 독창적인 측면들의 이해에 도움을 줄 목적으로, 다양한 특징들은 때때로 단일의 실시예, 도면 또는 설명 내에 함께 그룹화된다는 것을 인식하여야 하며, 본 고안의 실행에서 적합한 경우에, 하나의 실시예에서의 하나 이상의 특징들 또는 구체적인 상세 사항들은 다른 실시예에서의 하나 이상의 특징들 또는 구체적인 상세 사항들과 함께 실행될 수 있다는 것을 인식하여야 한다.
본 고안은 예시적인 실시예들에 관하여 설명되었지만, 본 고안은 개시된 실시예들에 한정되지 않으며, 모든 수정들 및 동등한 장치들을 포괄하기 위해 가장 넓은 해석의 사상과 범위 내에 포함되는 다양한 장치들을 포함하도록 의도되었다는 것을 이해하여야 한다.

Claims (12)

  1. 발광 소자 패키지(light emitting device package)로서:
    리드 프레임 상면과, 상기 리드 프레임 상면 반대쪽의 리드 프레임 바닥면을 가지는 리드 프레임 유닛(leadframe unit);
    상기 리드 프레임 상면과 상기 리드 프레임 바닥면이 성형층으로부터 노출되도록 상기 리드 프레임 유닛을 둘러싸는 성형층(molding layer); 및
    상기 리드 프레임 유닛의 상기 리드 프레임 상면 상에 배치되는 발광 소자(light emitting device);를 포함하며,
    상기 성형층은, 상기 리드 프레임 바닥면과 동일 평면이며 상기 리드 프레임 바닥면을 덮지 않는 성형층 바닥면, 상기 리드 프레임 유닛을 둘러싸기 위해 상기 성형층 바닥면으로부터 위쪽으로 연장된 성형층 둘레면(surrounding surface), 및 다수의 납땜 홈들(solder grooves)을 가지며, 상기 납땜 홈들 각각은, 상기 성형층 바닥면으로부터 오목하고 상기 리드 프레임 유닛과 상기 성형층 둘레면 사이에 배치되며, 상기 납땜 홈들 각각은 상기 리드 프레임 유닛과 만나는 제1 단부와, 상기 성형층 둘레면에서 개방된 제2 단부를 가지며, 상기 리드 프레임 유닛은 상기 성형층 둘레면으로부터 노출되지 않는, 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 리드 프레임 유닛은 서로로부터 이격된 적어도 두 개의 접촉 전극들(contact electrodes)을 포함하며, 상기 접촉 전극들은 각각 상기 리드 프레임 상면을 구성하는 상단부와 상기 리드 프레임 바닥면을 구성하는 하단부를 가지고, 상기 접촉 전극들 각각은 상기 리드 프레임 상면과 상기 리드 프레임 바닥면 사이에 횡단 방향으로 연결되는 전극 둘레면(electrode surrounding surface)을 가지며, 상기 성형층은 상기 접촉 전극들 사이 내에 채워지고 상기 접촉 전극들의 상기 전극 둘레면들의 둘레로 연장되며, 상기 접촉 전극들 각각은 상기 납땜 홈들 중 적어도 하나와 만나는, 발광 소자 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 성형층은, 상기 성형층으로부터 노출된 탑재 영역(mounting area)을 형성하기 위해, 상기 리드 프레임 상면 상에 배치되며 상기 접촉 전극들 각각의 상기 상단부를 덮지 않는 부분을 가지며, 상기 발광 소자는 상기 탑재 영역 내에 배치되는, 발광 소자 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 성형층은 적어도 상기 접촉 전극들의 상기 상단부들에서 광 반사적(light reflective)인, 발광 소자 패키지.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 성형층은, 상기 성형층 바닥면의 반대쪽에 있으며 상기 리드 프레임 유닛의 상기 리드 프레임 상면과 동일 평면인 성형층 상면을 가지며, 상기 발광 소자 패키지는 상기 성형층 상면, 상기 리드 프레임 유닛의 상기 리드 프레임 상면 및 상기 발광 소자를 봉지(encapsulating)하는 봉지재 층(encapsulant layer)을 더 포함하는, 발광 소자 패키지.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 유닛의 상기 리드 프레임 바닥면 상에 배치되며 상기 리드 프레임 유닛의 재료와 상이한 재료로 만들어진 바닥 전기-도금층(bottom electro-plating layer)을 더 포함하는, 발광 소자 패키지.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 상면이 상기 성형층에 의해 덮이지 않은 상기 리드 프레임 유닛의 상기 리드 프레임 상면의 영역 상에 배치되는 상부 전기-도금층(top electro-plating layer)을 더 포함하며, 상기 상부 전기-도금층은 상기 리드 프레임 유닛의 재료와 상이한 재료로 만들어지는, 발광 소자 패키지.
  8. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 접촉 전극들 각각의 상기 전극 둘레면은 노출된 표면 부분을 가지며, 상기 노출된 표면 부분은 상기 납땜 홈들의 각개의 하나의 내부에서 상기 성형층으로부터 노출되는, 발광 소자 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 노출된 표면 부분은 상기 성형층 둘레면에 대해 안쪽 방향으로 오목한, 발광 소자 패키지.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 전극 둘레면의 상기 노출된 표면 부분 상에 배치되며 상기 리드 프레임 유닛의 재료와 상이한 재료로 만들어진 홈 전기-도금층(groove electro-plating layer)을 더 포함하는, 발광 소자 패키지.
  11. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리드 프레임 유닛은 구리, 구리계 합금, 철-니켈 합금, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속 재료로 만들어지는, 발광 소자 패키지.
  12. 삭제
KR2020180005507U 2017-12-11 2018-11-29 발광 소자 패키지 KR200493123Y1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW106218341U TWM558999U (zh) 2017-12-11 2017-12-11 發光封裝元件
TW106218341 2017-12-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200001240U KR20200001240U (ko) 2020-06-15
KR200493123Y1 true KR200493123Y1 (ko) 2021-02-04

Family

ID=62644242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020180005507U KR200493123Y1 (ko) 2017-12-11 2018-11-29 발광 소자 패키지

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10424694B2 (ko)
JP (1) JP3219881U (ko)
KR (1) KR200493123Y1 (ko)
DE (1) DE202018104349U1 (ko)
TW (1) TWM558999U (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7150547B2 (ja) * 2018-09-27 2022-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7450466B2 (ja) * 2020-06-22 2024-03-15 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR20220078982A (ko) 2020-12-04 2022-06-13 이수빈 빨대가 꽂히는 마스크
TWM624922U (zh) * 2021-12-13 2022-03-21 長華科技股份有限公司 具有切割對位記號的導線架元件
JP2024001800A (ja) * 2022-06-22 2024-01-10 スタンレー電気株式会社 発光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077278A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2015065470A (ja) 2014-12-08 2015-04-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10177292B2 (en) * 2014-05-23 2019-01-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
KR101624854B1 (ko) * 2014-10-10 2016-05-27 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 프리몰딩 리드프레임을 이용한 반도체 패키지

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077278A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2015065470A (ja) 2014-12-08 2015-04-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20190181305A1 (en) 2019-06-13
JP3219881U (ja) 2019-01-31
US10424694B2 (en) 2019-09-24
DE202018104349U1 (de) 2018-08-10
TWM558999U (zh) 2018-04-21
KR20200001240U (ko) 2020-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR200493123Y1 (ko) 발광 소자 패키지
KR200491550Y1 (ko) 사전-성형된 리드 프레임 장치
US6770498B2 (en) LED package and the process making the same
US9666776B2 (en) Semiconductor light emitting device and multiple lead frame for semiconductor light emitting device
US10177283B2 (en) LED packages and related methods
US8610134B2 (en) LED package with flexible polyimide circuit and method of manufacturing LED package
US7485480B2 (en) Method of manufacturing high power light-emitting device package and structure thereof
US9698312B2 (en) Resin package and light emitting device
US8513695B2 (en) LED package and method for making the same
JP2012028699A (ja) 半導体装置、リードフレーム集合体及びその製造方法
US20200227343A1 (en) Semiconductor device package
TW201539695A (zh) 半導體裝置及其製造方法
US8258538B2 (en) Light emitting device package
TW201448286A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN104112811B (zh) 一种led的封装方法
JP2008282927A (ja) 光半導体用パッケージ、光半導体装置、及びその製造方法
CN106298749B (zh) 发光二极管、电子器件及其制作方法
TW201409778A (zh) 側面發光型發光二極體封裝結構及其製造方法
TWI521745B (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
GB2413698A (en) LED package
JP5511881B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ用基板、ｌｅｄパッケージ用基板の製造方法、ｌｅｄパッケージ用基板のモールド金型、ｌｅｄパッケージ、及び、ｌｅｄパッケージの製造方法
TW201427110A (zh) 發光二極體封裝結構的製造方法及發光二極體封裝結構
CN113707789A (zh) 发光二极管模块及其制作方法
TW201306312A (zh) 發光裝置
KR20120084418A (ko) 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment