KR20040096044A - 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버 - Google Patents

다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버 Download PDF

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KR20040096044A
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Abstract

본 발명은 유도 플라즈마 챔버는 방전관 헤드와 프로세스 챔버 사이에 연결되는 복수개의 방전관 브리지를 구비한다. 방전관 헤드는 중공의 원반 형상을 갖고 상부 중심에 가스를 주입받는 원통형의 가스 입구가 마련된다. 프로세스 챔버의 내부에는 작업편이 놓여지는 서셉터가 마련되고 상측 일정 영역의 테두리가 상향 중심으로 기울어진 경사면을 갖는다. 방전관 브리지에는 하나 이상의 페라이트 코어가 설치되며, 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 갖는다. 유도 플라즈마 챔버는 가스 입구를 통해 공정 가스가 주입되고 권선에 전원 공급원으로부터 RF 전원이 공급되면 방전관 헤드와 방전관 브리지 및 프로세스 챔버의 내부로 기전력이 전달되어 플라즈마 방전이 이루어진다. 본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 플라즈마 볼륨을 크게 하면서도 균일도를 높이고 더불어 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있으며, 가스 공급 구조를 간략하게 할 수 있다.

Description

다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버{INDUCTIVE PLASMA CHAMBER HAVING MULTI DISCHARGE TUBE BRIDGE}
본 발명은 플라즈마 소스(plasma source)에 관한 것으로, 구체적으로는 유도 결합 플라즈마 소스(inductive coupled plasma source)에 관한 것으로 다수개의 방전관 브리지(discharge tube bridge)를 구비하는 유도 플라즈마 챔버에 관한 것이다.
플라즈마는 같은 수의 음이온(positive ions)과 전자(electrons)를 포함하는 고도로 이온화된 가스이다. 현제 플라즈마 소스는 다양한 분야에서 넓게 사용되고 있다. 반도체 칩을 생산하기 위한 반도체 장치의 제조 예를 들어, 세정(cleaning), 식각(etching), 도포(deposition) 등에 사용되고 있다.
ICP(inductive coupled plasma) 또는 TCP(transformer coupled plasma) 발생기술에 관해서는 이 응용 분야에서 널리 연구되어 오고 있다. RF ICP 방식은 플라즈마 발생을 위한 전자기 에너지를 제공함에 있어 플라즈마에 접촉되는 전극을 갖지 않는 이점을 제공한다. 전극을 이용하는 CCP(Capacitive Coupled Plasma) 방식은 플라즈마에 접촉되는 전극으로부터 불순물이 발생되어 최종 결과물에 악영향을 주게 된다.
초기 ICP 방식의 플라즈마 소스에 관한 기술로 1984년 2월 14일 알란 알 레인버그 등에게 허여된 미국특허공보 제4,431,898호에 플라즈마 에칭 및 레지스트 스트립핑을 위한 유도 결합 방전에 관한 기술이 개시되어 있다.
최근 플라즈마를 이용하는 기술 분야에서는 보다 넓은 볼륨과 균일도 및 고밀도를 갖는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 반도체 장치의 생산에 있어서 대형 사이즈의 웨이퍼를 효과적으로 가공할 수 있는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 액정 디스플레이 패널의 생산에 있어서도 대형 사이즈의 액정 디스플레이 패널의 가공을 가능하게 하는 플라즈마 소스가 요구되고 있다. 그러나 ICP 방식은 넓은 볼륨의 플라즈마를 얻기 위해 단순히 유도 코일이나 트랜스포머의 크기를 크게 하는 것으로는 균일도가 높은 고밀도의 플라즈마를 얻기 어렵다.
이와 관련된 기술로는 2002년 5월 21일 에제니 브이 션코에게 허여된 미국특허공보 제6392351호에 외부 방전 브리지를 갖는 유도 RF 플라즈마 소스에 관한 기술이 개시되어 있다. 그리고 2002년 8월 13일 레오나드 제이 마호니 등에게 허여된 미국특허공보 제6432260호에 프로세스 가스 및 재료를 위한 유도 결합 링-플라즈마 소스 장치 그리고 그 방법에 관한 기술이 개시되어 있다.
그러나 상술한 기술들에서 제한하는 트랜스포머가 결합된 C-형상 브리지(C-shape bridge) 만으로는 넓은 볼륨과 함께 균일도가 향상된 높은 밀도의 플라즈마를 얻기는 어렵다. 예를 들어, C-형상 브리지와 작업 챔버(working chamber or process chamber)의 연결 구조는 플라즈마 가스가 작업 챔버 내부에 고밀도를 유지하면서 균일하게 확산되기에는 어려운 구조이다. 게다가 이들 기술에서와 같이 다수개의 C-형상 브리지를 구비하는 경우 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급 구조가 복잡하게 설계될 수밖에 없다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 플라즈마 볼륨을 크게 하면서도 균일도를 높이고 더불어 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있고, 가스 공급 구조를 간략하게 할 수 있는 다중 방전관 브리지를 갖는 유도 플라즈마 챔버를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도 플라즈마 챔버의 사시도;
도 2는 도 1의 유도 플라즈마 챔버의 단면도;
도 3은 네 개의 방전관 브리지를 배치한 예를 보여주는 평면도;
도 4는 일곱 개의 방전관 브리지를 배치한 예를 보여주는 평면도;
도 5는 방전관 헤드와 다중 방전관의 절연 구조를 보여주는 도면;
도 6은 방전관 브리지 및 프로세스 챔버의 구조를 변형한 예를 보여주는 단면도;
도 7은 방전관 헤드에 가스 샤워판을 설치한 예를 보여주는 단면도;
도 8은 도 7의 가스 샤워판의 평면도;
도 9는 방전관 헤드에 냉각관을 장착한 예를 보여주는 도면;
도 10 및 도 11은 방전관 헤드에 가스 가이드를 설치한 예를 보여주는 사시도 및 평면도;
도 12 및 도 13은 프로세스 챔버의 상부면에 영구 자석을 설치한 예를 보여주는 도면;
도 14는 본 발명의 또 따른 실시예에 따른 유도 플라즈마 챔버의 사시도; 그리고
도 15는 도 14의 유도 플라즈마 챔버의 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10: 플라즈마 반응기 12: 방전관 헤드
14: 가스 입력부 16: 방전관 브리지
18: 페라이트 코어 20: 프로세스 챔버
22: 서셉터 24: 작업편
30: 전원 공급원
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버는: 가스를 주입받는 가스 입구와 복수개의 개구부를 갖는 중공형 방전관 헤드; 가스를 배출하기 위한 가스 출구와 방전관 헤드의 개구부들과 대응되는 복수개의 개구부가 상부면에 형성되고 내측에는 작업편이 놓여지는 서셉터가 마련된 프로세스 챔버; 방전관 헤드의 개구부들과 프로세스 챔버의 개구부들 사이에 연결되는 복수개의 중공형 방전관 브리지; 및 각각의 방전관 브리지에 하나 이상 설치되는 페라이트 코어를 포함하고, 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는권선을 구비하여 방전관 헤드와 방전관 브리지 및 프로세스 챔버에 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생한다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 헤드와 방전관 브리지 사이에 링형의 절연부재와 링형의 진공 실이 연결되며, 상기 프로세스 챔버의 상측 일정 영역의 테두리는 상향 중심으로 기울어진 경사면을 갖는다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지는 방전관 헤드의 개구부에 연결되는 상단 부분의 직경이 점차적으로 넓어지는 확장 구조를 갖고, 프로세스 챔버의 상부면은 중심부로 경사진 구조를 갖는다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 헤드는 내측에 가로 방향으로 설치되는 다수의 통공이 형성된 가스 샤워판을 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 헤드는 냉각 채널을 포함한다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지는 원통 형상을 갖고, 복수개의 방전관 브리지들은 전체적으로 균일한 대칭 구조로 배열된다.
이 실시예에 있어서, 상기 복수개의 방전관 브리지는 중심에 하나의 방전관 브리지가 위치하고 그 주변으로 나머지의 방전관 브리지들이 동일한 간격으로 배열된다.
이 실시예에 있어서, 중심의 방전관 브리지의 가로 단면적은 주변에 위치하는 나머지 방전관 브리지들의 가로 단면적의 합의 대략 1/2이다.
이 실시예에 있어서, 방전관 헤드의 내부에는 대칭 구조로 배열된 개구부의 주변에 서로 대칭되는 개구부들 간에 플라즈마 방전 루프가 형성되도록 가스 가이드가 구비된다.
이 실시예에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상부면에는 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들이 배치된다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버는 중심부가 융기되어 상향 중심으로 기울어진 경사면 갖고 가스를 배출하기 위한 가스 출구와 내측에는 작업편이 놓여지는 서셉터가 마련된 프로세스 챔버; 프로세스 챔버의 상부에 중심에 마련되어 가스를 주입받는 가스 입력관; 프로세스 챔버의 주변으로 형성되는 복수개의 개구부와 가스 입력관의 주변에 형성되는 복수개의 개구부들 간에 연결되는 복수개의 중공형 방전관 브리지; 및 각각의 방전관 브리지에 하나 이상 설치되는 페라이트 코어를 포함하고, 페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 브리지 및 프로세스 챔버에 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생한다.
이 실시예에 있어서, 상기 방전관 브리지는 'ㄱ'형상으로 절곡되고, 절곡된 양측으로 각기 페라이트 코어가 설치된다.
이 실시예에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상부 경사면에는 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들이 배치된다.
(실시예)
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유도 플라즈마 챔버의 사시도이고 도 2는 도 1의 유도 플라즈마 챔버의 단면도이다.
도면을 참조하여, 본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 크게 프로세스 챔버(20)와 그 상부에 플라즈마 반응기(10)가 구성된다. 플라즈마 반응기(10)는 중공형(hollow type) 방전관 헤드(12)와 복수개의 중공형 방전관 브리지(16)로 구성된다. 방전관 헤드(12)와 방전관 브리지(16)는 알루미나로 코팅 처리된 알루미늄을 사용할 수 있다.
방전관 헤드(12)는 중공의 원반 형상을 갖고 상부 중심에 가스를 주입받는 원통형의 가스 입구(14)가 마련된다. 가스 입구(14)를 통해 가스 공급원(미도시)으로부터 공정 가스가 제공된다. 가스 입구(14)는 별도의 세라믹 재질의 절연재로 절연 될 수 있다. 방전관 헤드(12)의 하부에는 복수개의 개구부(13)가 형성된다.
프로세스 챔버(20)는 내부 저면에 가스를 배출하기 위한 진공 펌프(미도시)와 연결되는 가스 출구(26)와 작업편(work piece)(24) 예컨대, 웨이퍼가 놓여지는 서셉터(susceptor)(22)가 마련된다. 서셉터(22)는 바이어스 전원 공급원(34)에 전기적으로 연결된다. 그리고 상부면(23)에는 방전관 헤드(12)의 개구부(13)들과 대응되는 복수개의 개구부(25)가 형성된다. 특히, 프로세스 챔버(20)는 상측 일정영역의 테두리가 상향 중심으로 기울어진 경사면(21)을 갖는다.
방전관 헤드(12)의 개구부(13)들과 프로세스 챔버(20)의 개구부(25)들 사이에는 각기 방전관 브리지(16)가 연결된다. 방전관 브리지(16)는 원통 형상을 갖고, 복수개의 방전관 브리지(16)들은 전체적으로 프로세스 챔버(20)의 상부면(23)에 균일 간격을 갖는 대칭 구조로 배열된다. 예컨대, 도 3에 도시된 바와 같이, 네 개의 방전관 브리지(16)들이 배열될 수 있다. 또는 도 4에 도시된 바와 같이, 여섯 개의 방전관 브리지(17a)가 상부면(23)에 원형으로 나열되고 그 중심에 하나의 방전관 브리지(17b)가 위치할 수 있다. 이 경우에는 중심의 방전관 브리지(17b)의 가로 단면적은 주변에 위치하는 나머지 방전관 브리지(17a)들의 가로 단면적의 합의 대략 1/2이 되도록 하는 것이 바람직하다.
각각의 방전관 브리지(16)에는 하나 이상의 페라이트 코어(18)가 설치되며, 페라이트 코어(18)는 전원공급원(30)에 연결되는 권선(32)을 갖는다. 방전관 헤드(12)와 방전관 브리지(16) 사이에는, 도 5에 도시된 바와 같이, 링형의 진공 실(vacuum seal)(40)이 설치되고 내측으로는 링형의 절연부재(42) 예컨대 세라믹 링이 설치된다.
이와 같은 본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 가스 입구(14)를 통해 공정 가스가 주입되고 권선(32)에 전원 공급원(30)으로부터 RF 전원이 공급되면 방전관 헤드(12)와 방전관 브리지(16) 및 프로세스 챔버(20)의 내부로 기전력(electromotive force)이 전달되어 플라즈마 방전이 이루어진다. 방전 패스(discharge path)는 네 개의 방전관 브리지(16)를 갖는 경우 상호 마주보는 방전관 브리지들 간에 이루어진다. 일곱 개의 방전관 브리지(17a, 17b)로 구성되는 경우에는 중심 방전관 브리지(17b)를 공통으로 방전 패스가 형성된다.
이와 같이 다중 방전관 브리지(16)들에 의해 다중 방전 패스가 형성되어 볼륨이 큰 고밀도의 플라즈마가 프로세스 챔버(20)의 내부에 형성된다. 이때, 발생된 플라즈마 가스는 프로세스 챔버(20)의 상측 일정 영역의 테두리가 상향 중심으로 기울어진 경사면(21)을 갖고 있어 서셉터(22)가 위치한 프로세스 챔버(20)의 하부로 균일하게 확산되어 진다.
좀더 효율을 높이기 위해 유도 플라즈마 챔버는 도 6에 도시된 바와 같이 변형 실시할 수 있다. 도 6은 방전관 브리지 및 프로세스 챔버의 구조를 변형한 예를 보여주는 단면도이다.
도면을 참조하여, 방전관 브리지(16a)는 방전관 헤드(12)의 개구부에 연결되는 상단 부분의 직경이 점차적으로 넓어지는 확장 구조를 갖도록 하여 가스 유입이 보다 용이하게 할 수 있다. 이와 더불어 또는 이와 별개로 프로세스 챔버(20)의 상부면(23a)은 중심부로 경사진 구조를 갖도록 할 수 있다. 이와 같이 하면, 가스배출을 더욱 용이하게 할 수 있으며 균일한 확산을 도울 수 있다.
도 7은 방전관 헤드에 가스 샤워판을 설치한 예를 보여주는 단면도이고 도 8은 도 7의 가스 샤워판의 평면도이다. 도면을 참조하여, 가스 유입시 균일한 분포를 갖도록 하기 위해 방전관 헤드(12)에 내측에 가로 방향으로 다수의 통공(52)이 형성된 가스 샤워판(50)을 설치할 수 있다. 또한 방전관 헤드(12)가 과열되는 것을 방지하기 위해, 도 9에 도시된 바와 같이, 방전관 헤드(12)의 주변에냉각관(60)을 설치하고 이를 위한 브래킷(62)을 장착할 수 있다.
한편, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 방전관 헤드(12)의 내부에 대칭 구조로 배열된 개구부(13)의 주변에 서로 대칭되는 개구부들 간에 플라즈마 방전 루프가 형성되도록 가스 가이드(65)를 설치할 수 있다. 이와 더불어 또는 별개로, 도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버(20)의 상부면(23)에 프로세스 챔버(20) 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들(68)을 배치할 수 있다.
본 발명의 유도 플라즈마 챔버는 상술한 바와 같이 방전관 헤드를 설치하지 않고 다음과 같이 복수개의 방전관 브리지들만으로 변형 실시할 수 있다. 도 14는 본 발명의 또 따른 실시예에 따른 유도 플라즈마 챔버의 사시도이고 도 15는 도 14의 유도 플라즈마 챔버의 단면도이다.
도면을 참조하여, 유도 플라즈마 챔버는 프로세스 챔버(70)는 중심부가 융기되어 상향 중심으로 기울어진 경사면(72) 갖고 가스를 배출하기 위한 가스 출구(79)와 내측에는 작업편(78)이 놓여지는 서셉터(76)가 마련된다. 서셉터(76)는 바이어스 전원 공급원(104)에 전기적으로 연결된다. 프로세스 챔버(70)의 상부에 중심에 가스 입력관(74)이 마련된다. 가스 입력관(74)은 세라믹 관으로 절연될 수 있다.
프로세스 챔버(70)의 주변으로 형성되는 복수개의 개구부(75)와 가스 입력관(74)의 주변에 형성되는 복수개의 개구부(77)들 간에는 복수개의 중공형 방전관 브리지(80)가 설치된다. 방전관 브리지(80)는 'ㄱ'형상으로 절곡되고, 절곡된 양측으로 각기 페라이트 코어(82, 84)가 설치된다. 페라이트 코어(82, 84)는 전원공급원(100)에 연결되는 권선(102)을 구비된다.
가스 입력관(74)과 프로세스 챔버(70)의 연결 부분(92)은 상술한 바와 같이 링형의 진공 실과 그 내측으로는 링형의 절연부재 예컨대 세라믹 링이 설치된다. 그리고 다수개의 방전관 브리지(80)에도 절연부재(90)가 설치된다. 절연 부재(90)의 설치 위치는 가스 입력관(74) 또는 프로세스 챔버(70)와의 연결 부분에 설치될 수도 있으며 진공 실을 더불어 설치할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 변형예에 따른 유도 플라즈마 챔버는 가스 입력관(74)을 통해 공정 가스가 주입되고 권선(102)에 전원 공급원(100)으로부터 전원이 공급되면 복수개의 방전관 브리지(80) 및 프로세스 챔버(70)의 내부로 기전력이 전달되어 플라즈마 방전이 이루어진다. 방전 패스는 네 개의 방전관 브리지(80)를 갖는 경우 상호 마주보는 방전관 브리지들 간에 이루어진다.
이와 같이 다중 방전관 브리지(80)들에 의해 다중 방전 패스가 형성되어 볼륨이 큰 고밀도의 플라즈마가 프로세스 챔버(70)의 내부에 형성된다. 이때, 발생된 플라즈마 가스는 프로세스 챔버(20)의 상측이 중심으로 기울어진 경사면(72)을 갖고 있어 서셉터(22)가 위치한 프로세스 챔버(20)의 하부로 균일하게 확산되어 진다.
도면에는 도시되지 않았으나 이 변형예에서도 전술한 바와 같이, 프로세스 챔버(70)의 상부 경사면(72)에 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들을 배치할 수있다.
이상에서 본 발명에 따른 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였으나, 이는 일예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.
이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 플라즈마 볼륨을 크게 하면서도 균일도를 높이고 더불어 고밀도의 플라즈마를 얻을 수 있으며, 가스 공급 구조를 간략하게 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (14)

  1. 가스를 주입받는 가스 입구와 복수개의 개구부를 갖는 중공형 방전관 헤드;
    가스를 배출하기 위한 가스 출구와 방전관 헤드의 개구부들과 대응되는 복수개의 개구부가 상부면에 형성되고 내측에는 작업편이 놓여지는 서셉터가 마련된 프로세스 챔버;
    방전관 헤드의 개구부들과 프로세스 챔버의 개구부들 사이에 연결되는 복수개의 중공형 방전관 브리지; 및
    각각의 방전관 브리지에 하나 이상 설치되는 페라이트 코어를 포함하고,
    페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 헤드와 방전관 브리지 및 프로세스 챔버에 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생하는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 방전관 헤드와 방전관 브리지 사이에 링형의 절연부재와 링형의 진공 실이 연결되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  3. 제1항에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상측 일정 영역의 테두리는 상향 중심으로 기울어진 경사면을 갖는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  4. 제1항에 있어서, 상기 방전관 브리지는 방전관 헤드의 개구부에 연결되는 상단 부분의 직경이 점차적으로 넓어지는 확장 구조를 갖고, 프로세스 챔버의 상부면은 중심부로 경사진 구조를 갖는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  5. 제1항에 있어서, 상기 방전관 헤드는 내측에 가로 방향으로 설치되는 다수의 통공이 형성된 가스 샤워판을 포함하는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  6. 제1항에 있어서, 상기 방전관 헤드는 냉각 채널을 포함하는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  7. 제1항에 있어서, 상기 방전관 브리지는 원통 형상을 갖고, 복수개의 방전관 브리지들은 전체적으로 균일한 대칭 구조로 배열되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  8. 제7항에 있어서, 상기 복수개의 방전관 브리지는 중심에 하나의 방전관 브리지가 위치하고 그 주변으로 나머지의 방전관 브리지들이 동일한 간격으로 배열되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  9. 제8항에 있어서, 중심의 방전관 브리지의 가로 단면적은 주변에 위치하는 나머지 방전관 브리지들의 가로 단면적의 합의 대략 1/2인 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  10. 제7항에 있어서, 방전관 헤드의 내부에는 대칭 구조로 배열된 개구부의 주변에 서로 대칭되는 개구부들 간에 플라즈마 방전 루프가 형성되도록 가스 가이드가 구비되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  11. 제1항에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상부면에는 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들이 배치된 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  12. 중심부가 융기되어 상향 중심으로 기울어진 경사면 갖고 가스를 배출하기 위한 가스 출구와 내측에는 작업편이 놓여지는 서셉터가 마련된 프로세스 챔버;
    프로세스 챔버의 상부에 중심에 마련되어 가스를 주입받는 가스 입력관(74);
    프로세스 챔버의 주변으로 형성되는 복수개의 개구부와 가스 입력관의 주변에 형성되는 복수개의 개구부들 간에 연결되는 복수개의 중공형 방전관 브리지; 및
    각각의 방전관 브리지에 하나 이상 설치되는 페라이트 코어를 포함하고,
    페라이트 코어는 전원공급원에 연결되는 권선을 구비하여 방전관 브리지 및 프로세스 챔버에 플라즈마 발생을 위한 기전력을 발생하는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  13. 제12항에 있어서, 상기 방전관 브리지는 'ㄱ'형상으로 절곡되고, 절곡된 양측으로 각기 페라이트 코어가 설치되는 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
  14. 제12항에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 상부 경사면에는 프로세스 챔버 내부에 고르게 플라즈마 방전이 이루어지도록 플라즈마 방전 경로를 유도하기 위한 다수개의 영구자석들이 배치된 다중 방전관 브리지를 구비한 유도 플라즈마 챔버.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100683174B1 (ko) * 2005-06-17 2007-02-15 삼성전자주식회사 플라즈마 가속장치 및 그것을 구비하는 플라즈마 처리시스템
KR100686212B1 (ko) * 2004-12-14 2007-03-02 주식회사 뉴파워 프라즈마 외부 방전 브릿지를 구비하는 유도 플라즈마 소오스
KR100726791B1 (ko) * 2005-12-07 2007-06-11 주식회사 뉴파워 프라즈마 복수의 기판을 병렬 배치 처리하기 위한 플라즈마 처리장치
KR100798515B1 (ko) * 2006-02-20 2008-01-28 위순임 외부 방전 브리지를 구비한 유도 플라즈마 소오스
KR100804780B1 (ko) * 2006-05-25 2008-02-19 주식회사 뉴파워 프라즈마 이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버
KR20140130542A (ko) * 2007-10-19 2014-11-10 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 높은 가스 유량 공정을 위한 환형 플라즈마 챔버

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100686212B1 (ko) * 2004-12-14 2007-03-02 주식회사 뉴파워 프라즈마 외부 방전 브릿지를 구비하는 유도 플라즈마 소오스
KR100683174B1 (ko) * 2005-06-17 2007-02-15 삼성전자주식회사 플라즈마 가속장치 및 그것을 구비하는 플라즈마 처리시스템
US7276140B2 (en) 2005-06-17 2007-10-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Plasma accelerating apparatus for semiconductor substrate processing and plasma processing system having the same
KR100726791B1 (ko) * 2005-12-07 2007-06-11 주식회사 뉴파워 프라즈마 복수의 기판을 병렬 배치 처리하기 위한 플라즈마 처리장치
KR100798515B1 (ko) * 2006-02-20 2008-01-28 위순임 외부 방전 브리지를 구비한 유도 플라즈마 소오스
KR100804780B1 (ko) * 2006-05-25 2008-02-19 주식회사 뉴파워 프라즈마 이중 가스 공급 구조를 갖는 플라즈마 처리 챔버
KR20140130542A (ko) * 2007-10-19 2014-11-10 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 높은 가스 유량 공정을 위한 환형 플라즈마 챔버

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