KR20040095077A - Developer of semiconductor wafer - Google Patents

Developer of semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
KR20040095077A
KR20040095077A KR1020030028679A KR20030028679A KR20040095077A KR 20040095077 A KR20040095077 A KR 20040095077A KR 1020030028679 A KR1020030028679 A KR 1020030028679A KR 20030028679 A KR20030028679 A KR 20030028679A KR 20040095077 A KR20040095077 A KR 20040095077A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
developer
chuck
bowl
semiconductor wafer
Prior art date
Application number
KR1020030028679A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김기현
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030028679A priority Critical patent/KR20040095077A/en
Publication of KR20040095077A publication Critical patent/KR20040095077A/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

PURPOSE: A developing apparatus for a semiconductor wafer is provided to reduce the developing solution consumption and the manufacturing cost by recycling the unused developing solution. CONSTITUTION: A semiconductor wafer(200) is loaded on a chuck(100). A developing solution supply nozzle(400) is used for injecting a developing solution into the semiconductor wafer loaded on the chuck. A bowl(300) is used for surrounding the outside of the wafer loaded on the chuck. An induction unit(500) induces the flow of the developing solution from the developing solution supply nozzle to the outside of the bowl.

Description

반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치{DEVELOPER OF SEMICONDUCTOR WAFER}Development apparatus for semiconductor wafers {DEVELOPER OF SEMICONDUCTOR WAFER}

본 발명은 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 현상액 소모량을 절감하여 공정 비용을 줄일 수 있는 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a development apparatus for a semiconductor wafer, and more particularly, to a development apparatus for a semiconductor wafer capable of reducing process costs by reducing developer consumption.

반도체 소자의 제조 공정에 있어서 포토리소그래피(Photolithography) 공정은 웨이퍼 면에 특정한 패턴을 형성하기 위한 공정을 말한다. 포토리소그래피 공정은 웨이퍼 면에 포토레지스(Photoresist)를 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 포토레지스트 도포 공정과, 웨이퍼 면의 포토레지스트막을 빛에 노출시키는 노광 공정과, 빛에 노출된 포토레지스트막에 대해서 현상을 실행하는 현상 공정 등이 포함되는데, 이러한 포토리소그래피 공정에 의해 웨이퍼 면에는 원하는 특정한 회로 패턴이 형성된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, a photolithography process refers to a process for forming a specific pattern on a wafer surface. The photolithography process includes a photoresist coating step of forming a photoresist film by applying a photoresist to the wafer surface, an exposure step of exposing the photoresist film on the wafer surface to light, and a development of the photoresist film exposed to light. And a developing process for carrying out the process, and such a photolithography process forms a desired specific circuit pattern on the wafer surface.

도 1을 참조하여, 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 의해 척(10;Chuck)에 장착된 반도체 웨이퍼(20) 면에 현상액이 공급되어 현상 공정이 수행된다. 여기서, 현상액의 방사를 차단하는 보울(30;Bowl)이 웨이퍼(20)의 외곽을 둘러싸도록 구비되어 있다.Referring to FIG. 1, a developing solution is supplied to a surface of a semiconductor wafer 20 mounted on a chuck 10 by a developing apparatus for a semiconductor wafer according to the related art, and a developing process is performed. Here, the bowl 30 which blocks the radiation of the developer is provided to surround the outside of the wafer 20.

도 2를 참조하여, 현상액의 웨이퍼로의 공급은 일반적으로 웨이퍼(20)의 직경보다 길고 또한 그 길이 방향에 따라서 수개의 공급구를 갖는 현상액 공급 노즐(40)이 웨이퍼(20) 면에 현상액(50)을 토출하면서 웨이퍼(20)의 일단에서 타단까지 이동하면서 웨이퍼(20) 면 전체에 현상액(50)을 공급한다. 그리고, 웨이퍼(20) 면에 현상액막(50)이 형성되면 그 상태에서 일정시간 정지하여 웨이퍼(20)의 현상이 실행된다. 예를 들어, 웨이퍼 면에서는 노광에 의해 노광부의 포토레지스트막과 현상액이 화학반응하고, 화학반응에 의해 노광부가 용해됨으로써 웨이퍼의 현상이 진행된다.Referring to Fig. 2, the supply of the developer to the wafer is generally longer than the diameter of the wafer 20 and a developer supply nozzle 40 having several supply holes along its longitudinal direction is provided with a developer (on the surface of the wafer 20). The developer 50 is supplied to the entire surface of the wafer 20 while moving from one end of the wafer 20 to the other end while discharging 50. Then, when the developer film 50 is formed on the surface of the wafer 20, the developer 20 stops for a predetermined time in this state and the development of the wafer 20 is performed. For example, on the wafer surface, the photoresist film of the exposed portion and the developer are chemically reacted by exposure, and the development of the wafer proceeds by dissolving the exposed portion by the chemical reaction.

그런데, 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.By the way, there existed the following problems in the developing apparatus of the semiconductor wafer which concerns on the prior art.

다시 도 1을 참조하여, 종래 기술에 있어서 현상액은 현상액 공급 노즐로부터 웨이퍼(20) 면으로 방사되는데 웨이퍼(20)에 직접 닿도록 낙하하는 것(실선 화살표) 뿐만 아니라 웨이퍼(20) 면에 직접 닿지 아니하고 보울(30)의 바닥면을 향해 낙하하는 것(점선 화살표)도 있다. 따라서, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(20)에 현상액이 뿌려지는 부분(A) 이외에 웨이퍼(20)에 닿지 않고 버려지는 부분(B)이 발생하는 것이 필연적이었다. 따라서, 실제적으로 웨이퍼 면에 토출되지 아니하고 버려지는 현상액량이 많아 현상액의 소모량이 늘고 이로 인해 반도체 소자의 제조 비용이 늘어나는 문제점이 있었다.Referring back to FIG. 1, in the prior art, the developer is radiated from the developer supply nozzle to the wafer 20 surface, but not only falls directly on the wafer 20 (solid arrow) but also directly touches the wafer 20 surface. In addition, there is a fall (dashed arrow) toward the bottom surface of the bowl 30. Therefore, as shown in FIG. 3, it was inevitable that a portion B discarded without touching the wafer 20 would be generated in addition to the portion A on which the developer was sprayed. Therefore, the amount of developer that is discarded without actually being discharged to the wafer surface increases the consumption of the developer, thereby increasing the manufacturing cost of the semiconductor device.

이에, 본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 실질적으로 사용되지 아니하고 버려지는 현상액을 모아 재활용할 수 있는 수단을 구비함으로써 현상액 소모량을 절감하여 공정 비용을 줄일 수 있는 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems in the prior art, the object of the present invention is to reduce the consumption of the developer by reducing the consumption of the developer by having a means for collecting and recycling the developer is not used substantially The present invention provides a development apparatus for a semiconductor wafer that can be reduced.

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view for explaining a developing apparatus for a semiconductor wafer according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 있어서 현상액 토출을 설명하기 위한 사시도이다.Fig. 2 is a perspective view for explaining the discharge of the developer in the development apparatus for a semiconductor wafer according to the prior art.

도 3은 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 있어서 현상액 소모를 설명하기 위한 평면도이다.3 is a plan view for explaining the consumption of developer in the semiconductor wafer development apparatus.

도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.4 is a cross-sectional view for explaining a developing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 있어서 원추대형 유도수단을 설명하기 위한 사시도이다.5 is a perspective view for explaining a truncated cone-shaped guide means in the development apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 있어서 원추대형 유도수단을 설명하기 위한 평면 및 정면도이다.Fig. 6 is a plan view and a front view for explaining the cone-shaped guide means in the development apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100; 척 200; 웨이퍼100; Chuck 200; wafer

300; 보울 400; 현상액 공급 노즐300; Bowl 400; Developer Supply Nozzle

500; 원추대형 유도수단500; Conical guide

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치는 버려지는 현상액을 모을 수 있도록 보울내에 고리 모양의 원추대형 유도수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.The development apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention for achieving the above object is characterized in that it comprises a ring-shaped cone-shaped guide means in the bowl to collect the discarded developer.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 반도체 웨이퍼를 장착하는 척; 상기 척에 장착된 웨이퍼에 현상액을 토출하는 현상액 공급 노즐; 상기 척에 장착된 웨이퍼의 외곽을 둘러싸는 보울; 및 상기 척에 장착된 웨이퍼에 닿지 않은 채로 상기 현상액 공급 노즐로부터 토출되는 현상액의 흐름을 상기 보울의 외부로 유도하는 소정의 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to a preferred embodiment of the present invention, a chuck for mounting a semiconductor wafer; A developer supply nozzle for ejecting a developer onto a wafer mounted on the chuck; A bowl surrounding the periphery of the wafer mounted to the chuck; And predetermined means for guiding the flow of the developer discharged from the developer supply nozzle to the outside of the bowl without touching the wafer mounted on the chuck.

상기 유도수단은 상기 보울 내에 구비되어 있으며, 원추대형인 것을 특징으로 한다.The induction means is provided in the bowl, characterized in that the truncated cone.

상기 유도수단은 그 최상부가 상기 웨이퍼의 장착 높이보다 적어도 동일하거나 더 높은 곳에 설비되어 있는 것을 특징으로 한다.The guide means is characterized in that the uppermost portion is provided at least the same or higher than the mounting height of the wafer.

상기 유도수단은 그 내경이 상기 웨이퍼의 직경보다 더 큰 것을 특징으로 한다.The guide means is characterized in that its inner diameter is larger than the diameter of the wafer.

본 발명에 의하면, 실제적으로 웨이퍼 면에 토출되지 않고 버려지는 현상액을 모아 재활용할 수 있게 되어 현상액 소모량을 줄일 수 있고 이에 따라 반도체 소자의 제조 비용을 줄일 수 있게 된다.According to the present invention, it is possible to collect and recycle the developer discarded without actually being discharged to the wafer surface, thereby reducing the consumption of developer and thus reducing the manufacturing cost of the semiconductor device.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a semiconductor wafer development apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 각각의 장치는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 개략적으로 도시된 것이다. 또한, 각각의 장치에는 본 명세서에서 자세히 설명되지 아니한 각종의 다양한 부가 장치가 구비되어 있을 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.The invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. The embodiments introduced herein are provided to make the disclosed contents thorough and complete, and to fully convey the spirit and features of the present invention to those skilled in the art. In the drawings, each device is schematically shown for clarity of the invention. Each device may also be equipped with a variety of additional devices not described in detail herein. Like reference numerals denote like elements throughout the specification.

(실시예)(Example)

도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 있어서 원추대형 유도수단을 설명하기 위한 사시도이고, 도 6은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 있어서 원추대형 유도수단을 설명하기 위한 평면 및 정면도이다.4 is a cross-sectional view for explaining a developing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention, FIG. 5 is a perspective view for explaining a cone-shaped guide means in the developing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention, and FIG. It is a top view and a front view for demonstrating cone-shaped guide means in the image development apparatus of the semiconductor wafer which concerns on this invention.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(200)를 장착하는 척(100)과, 척(100)에 장착된 웨이퍼(200)에 현상액을 토출하는 현상액 공급 노즐(400)과, 척(100)에 장착된 웨이퍼(200)의 외곽을 둘러싸며 현상액의 흐름을 유도할 수 있는 소정의 유도수단(500)이 그 내면에 설비되어 있는 보울(300;Bowl)을 포함하여 구성되어 있다.In the semiconductor wafer developing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, the chuck 100 mounting the semiconductor wafer 200 and the wafer 200 mounted on the chuck 100 are provided. A developer supply nozzle 400 for discharging the developer and a predetermined guide means 500 capable of inducing the flow of the developer surrounding the periphery of the wafer 200 mounted on the chuck 100 are provided on the inner surface thereof. The bowl 300 is configured to include.

현상하고자 하는 웨이퍼(200)를 장착하는 척(100)은, 도면에는 도시하지 않았지만, 척(100)을 회전시키는 예를 들면 모터 등을 구비하는 회전 구동 기구가 설치되어 있을 수 있다. 회전 구동 기구는 소정의 회전 제어 장치에 의해 자유롭게 제어될 수 있으며, 척(100)에 장착되는 웨이퍼(200)를 원하는 회전 시간, 원하는 회전 속도, 원하는 가속도로 회전 또는 정지시키는 것이 가능하도록 구성되어 있을 수 있다.Although not shown in the drawing, the chuck 100 for mounting the wafer 200 to be developed may be provided with a rotation driving mechanism including, for example, a motor for rotating the chuck 100. The rotation drive mechanism may be freely controlled by a predetermined rotation control device and may be configured to rotate or stop the wafer 200 mounted on the chuck 100 at a desired rotation time, desired rotation speed, and desired acceleration. Can be.

또한, 회전 구동 기구는 척(100)을 상하로 자유롭게 이동시킬 수 있는 기능을 가지고 있을 수 있고, 웨이퍼(200)의 반출 및 반입시 척(200)을 상하로 이동시켜 반송 장치와 같은 소정의 장치와의 사이에서 웨이퍼(200)의 수수가 가능하도록 되어 있을 수 있다.In addition, the rotation drive mechanism may have a function of freely moving the chuck 100 up and down, and moves the chuck 200 up and down during the carrying out and loading of the wafer 200 to move a predetermined device such as a conveying device. The wafer 200 may be made available between and.

척(100)에 장착되어 현상하고자 하는 웨이퍼(200)에 현상액을 공급하는 현상액 공급 노즐(400)은 현상하고자 하는 웨이퍼(200)의 직경보다 작지 않은 길이, 바람직하게는 더 큰 길이를 가지며 길이 방향에 따라 수개의 공급구를 갖는 가늘고 긴 형태를 가질 수 있다.The developer supply nozzle 400 mounted on the chuck 100 and supplying the developer to the wafer 200 to be developed has a length that is not smaller than the diameter of the wafer 200 to be developed, and preferably has a length greater than the length thereof. It may have an elongate shape with several feed holes.

상술한 구조의 공급 노즐(404)은 웨이퍼(200) 면에 대해 상대적으로 어느 일방향, 예를 들어, 우향 실선 화살표 방향으로 이동하도록 되어 있어 웨이퍼(200)의 일단에서 타단까지 이동하면서 현상액을 토출하여 웨이퍼(200) 면 전체에 현상액을 공급한다. 여기서, 현상액 공급 노즐(400)은 우향 실선 화살표 방향으로의 자유로운 이동이 보장되도록, 도면에는 도시하지 않았지만, 우향 실선 화살표 방향과 평행하게 신장되어 있는 레일과 같은 장치와, 이동 속도 및 이동 타이밍 등을 제어할 수 있는 이동 제어 장치에 의해 그 이동이 제어될 수 있다. 또한, 현상액 공급 노즐(400)은 측면 방향 뿐만 아니라 상하 방향으로도 이동될 수 있어서 웨이퍼(200)와의 거리가 최적으로 조절 가능하도록 되어 있을 수 있다.The supply nozzle 404 having the above-described structure is configured to move in one direction relative to the wafer 200 surface, for example, in a solid arrow direction, to discharge the developer while moving from one end to the other end of the wafer 200. The developer is supplied to the entire surface of the wafer 200. Here, the developer supply nozzle 400 includes a device such as a rail extending parallel to the direction of the solid line arrow to the right, the movement speed, the movement timing, and the like, so as to ensure free movement in the direction of the solid arrow to the right. The movement can be controlled by the movement control device which can be controlled. In addition, the developer supply nozzle 400 may be moved not only in the lateral direction but also in the vertical direction, so that the distance to the wafer 200 may be optimally adjusted.

척(100)에 장착되어 현상되고자 하는 웨이퍼(200)의 외곽에는 상면이 개구된 보울(300;Bowl)이 설비되어 있다. 보울(300)은 회전하는 웨이퍼(200)로부터 비산하는 현상액 등을 수취하여 주변의 장치를 오염으로부터 격리시키는 것으로 여러 다양한 형태가 가능하다. 보울(300) 형태의 예로서 상부가 절곡되어 있는 원통형인 것이 원형의 웨이퍼(200)의 회전에 따른 현상액의 비산으로부터 주변장치의 오염을 억제하는데 바람직하다. 한편, 보울(300)에 있어서도 소정의 구동 기구에 연결되어 있어 보울(300) 전체가 상하로 이동되어 현상액 공급 노즐(400)의 이동을 방해하지 않도록 하는 것이 바람직하다 할 것이다.The outside of the wafer 200 to be mounted on the chuck 100 to be developed is provided with a bowl 300 having an upper surface opened. The bowl 300 may be formed in various forms by receiving developer, which is scattered from the rotating wafer 200, to isolate surrounding devices from contamination. As an example of the shape of the bowl 300, the cylindrical shape of which the upper portion is bent is preferable for suppressing contamination of the peripheral device from scattering of the developer due to the rotation of the circular wafer 200. On the other hand, it is preferable that the bowl 300 is also connected to a predetermined driving mechanism so that the entire bowl 300 is moved up and down so as not to disturb the movement of the developer supply nozzle 400.

여기서, 보울(300) 내에는 척(100)에 장착된 웨이퍼(200)에 닿지 않은 채로 현상액 공급 노즐(400)로부터 토출되는 현상액의 흐름을 보울(300)의 외부로 유도하는 소정의 수단(500)이 구비되어 있다. 상술한 유도수단(500)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 속이 비어있는 고리 모양(annualar shape)을 지니며 상단부에서 하단부로 갈수록 그 직경이 점진적으로 커지는 형태를 지닌 절단된 원추형, 즉 원추대(圓錐臺) 형태인 것이 원통형의 보울(300) 내에 설비되는데 바람직하다.Here, the predetermined means 500 for inducing the flow of the developer discharged from the developer supply nozzle 400 to the outside of the bowl 300 without touching the wafer 200 mounted on the chuck 100 in the bowl 300. ) Is provided. The above-described induction means 500, as shown in Figure 5, has a hollow annular shape (annualar shape) and a truncated conical shape, that is, the shape of the diameter gradually increases from the upper end to the lower end, that is, the cone ( Iii) is preferably installed in a cylindrical bowl 300.

또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 원추대형 유도수단(500)에 있어서 그 최상단부의 최소 내직경(D1)은 척에 장착되어 현상되고자 하는 웨이퍼의 직경과 비교하여 적지 않은, 바람직하게는 웨이퍼 직경보다 더 큰 직경을 갖는 것이 바람직하다. 원추대형 유도수단(500)의 최상단부의 최소 내직경(D1)이 웨이퍼의 직경과 동일하거나 또는 그보다 작다면 척에의 웨이퍼 장착 및 탈착시 유도수단(500)과 웨이퍼는 서로 간섭을 일으켜 웨이퍼의 균열을 초래하거나 오염을 유발할 것이기 때문이다. 이외에 웨이퍼 면에의 균일한 현상액 공급에 지장을 줄 것이다.In addition, as shown in Figure 6, in the cone-shaped guide means 500, the minimum inner diameter D1 of the uppermost end thereof is not small compared to the diameter of the wafer to be developed by being mounted on the chuck, preferably the wafer diameter. It is desirable to have a larger diameter. If the minimum inner diameter D1 of the top end of the conical guide means 500 is equal to or smaller than the diameter of the wafer, the guide means 500 and the wafer interfere with each other when the wafer is attached to or detached from the chuck, thereby causing cracks in the wafer. Will cause or cause contamination. In addition, it will interfere with the uniform developer supply to the wafer surface.

그러나, 이와 반대로 원추대형 유도수단(500)의 최상단부의 최소 내직경(D1)이 웨이퍼의 직경보다 크다면 웨이퍼에 닿지 아니한 채로 버려지는 현상액량이 증가하게 될 것이다. 그러므로, 원추대형 유도수단(500)의 최상단부의 최소 내직경(D1)은 웨이퍼의 장착 및 탈착시 상호 간섭이 배제될 뿐만 아니라 실질적으로 쓰이지 아니하고 버려지는 현상액량을 고려하여 웨이퍼의 직경보다 약간 큰 것이 바람직하다 할 것이다. 한편, 원추대형 유도수단(500)의 최하단부 최대 직경(D2)은 상부가 개방되어 있는 원통형과 같은 보울의 내경과 동일한 것이 유도수단(500)의 보울 내에 장착하는데 바람직하다.However, on the contrary, if the minimum inner diameter D1 of the top end of the cone-shaped guide means 500 is larger than the diameter of the wafer, the amount of developer discarded without touching the wafer will increase. Therefore, the minimum inner diameter D1 of the uppermost end of the conical guide means 500 is slightly larger than the diameter of the wafer in consideration of the amount of developer that is discarded and not substantially used when mounting and detaching the wafer. It would be preferable. On the other hand, the maximum diameter (D2) of the lowermost end of the cone-shaped guide means 500 is preferably the same as the inner diameter of the bowl, such as a cylindrical shape in which the top is open in the bowl of the guide means (500).

도 4를 다시 참조하여, 보울(300) 내에 장착된 원추대형 유도수단(500)의 최상단부가 점하는 높이는 척(100)에 장착된 웨이퍼(200)가 점하는 높이보다 적어도 낮지 아니하는, 바람직하게는 동일하거나 더 높은 것이 바람직하다. 원추대형 유도수단(500)의 최상단부가 웨이퍼(200) 보다 더 낮은 지점에 있으면 웨이퍼(200)에 직접 닿지 아니하였던 현상액 뿐만 아니라 웨이퍼(200)에 직접 닿았던 현상액도 더불어 혼합될 수 있다. 그렇게 되면, 보울(300) 내로 배출되어 재활용하고자 현상액의 오염을 유발할 수 있다. 따라서, 원추대형 유도수단(500)의 최상단부는 웨이퍼(200)보다 더 높은 곳을 점하고 있는 것이 바람직하다.Referring again to FIG. 4, the height of the top end of the cone-shaped guide means 500 mounted in the bowl 300 is preferably not at least lower than the height of the wafer 200 mounted on the chuck 100. Is preferably the same or higher. If the top end of the cone-shaped guide means 500 is located at a lower point than the wafer 200, not only the developer not directly contacting the wafer 200 but also the developer solution directly touching the wafer 200 may be mixed. If so, it may be discharged into the bowl 300 may cause contamination of the developer to be recycled. Therefore, it is preferable that the upper end of the truncated cone guide means 500 is located higher than the wafer 200.

한편, 원추대형 유도수단(500)의 경사는 보울(300) 장치의 크기나 현상액량의 흐름량 및 흐름속도 등을 감안하여 적절하고 최적의 각도로 조절될 수 있다.On the other hand, the inclination of the cone-shaped guide means 500 may be adjusted to an appropriate and optimal angle in consideration of the size of the bowl 300 device, the flow amount and flow rate of the developer amount.

상술한 구성요소를 포함하는 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치는 다음과 같이 동작한다.The developing apparatus for a semiconductor wafer including the above-described components operates as follows.

도 4를 다시 참조하여, 포토레지스트 도포와 노광 처리된 웨이퍼(200)가 반송 장치와 같은 소정의 장치를 통해 보울(300) 내의 척(100)에 장착되어 하강된다. 이때, 척(100)에 장착되는 웨이퍼(200)는 원추대형 유도수단(500)을 통과하게 되므로 원추대형 유도수단(500)의 내직경은 웨이퍼(200)의 직경보다 더 큰 것이 바람직하다함은 이미 언급한 바 있다.Referring again to FIG. 4, the wafer 200 subjected to photoresist application and exposure is mounted and lowered to the chuck 100 in the bowl 300 via a predetermined device such as a transfer device. At this time, since the wafer 200 mounted on the chuck 100 passes through the cone-shaped guide means 500, the inner diameter of the cone-shaped guide means 500 is preferably larger than the diameter of the wafer 200. As already mentioned.

웨이퍼(200)가 척(100)에 장착되어 준비되면 현상액 공급 노즐(400)은, 예를 들어, 웨이퍼(200) 면과는 일정 거리를 유지한 채 웨이퍼(200) 면에 대해 상대적으로 우향 실선 화살표 방향으로 이동한다. 이와 동시에, 현상액 공급 노즐(400)은 웨이퍼(200) 면에 현상액을 토출한다. 상술한 바와 같이, 현상액 공급 노즐(400)은 웨이퍼(200)의 직경보다 더 큰 길이를 가진다. 그러므로, 웨이퍼(200) 면에 토출되는 현상액 중에서 웨이퍼(200) 면에 직접 닿도록 낙하하는 것(하향 실선 화살표) 뿐만 아니라 웨이퍼(200) 면에 직접 닿지 아니하고 보울(300) 내에 설치된 원추대형 유도수단(500)의 경사면을 따라 낙하하는 것(점선 화살표)도 있게 된다.When the wafer 200 is mounted and prepared on the chuck 100, the developer supply nozzle 400 is, for example, a solid line with a rightward direction relative to the wafer 200 surface while maintaining a predetermined distance from the wafer 200 surface. Move in the direction of the arrow. At the same time, the developer supply nozzle 400 discharges the developer onto the wafer 200 surface. As described above, the developer supply nozzle 400 has a length larger than the diameter of the wafer 200. Therefore, not only does it fall directly in contact with the surface of the wafer 200 among the developer discharged to the surface of the wafer 200 (downward solid arrow), but also does not directly contact the surface of the wafer 200, and the cone-shaped guide means installed in the bowl 300. There will also be a fall along the inclined surface of 500 (dashed arrows).

웨이퍼(200) 면에 현상액이 토출되어 현상액막이 형성되면 그 상태에서 퍼들 타임(Puddle Time)이라고 하는 일정시간, 예를 들어, 10초 내지 90초 정도 정지하여 웨이퍼(200)의 현상이 실행된다. 이때, 웨이퍼(200) 면에서는 노광에 의해 노광부의 포토레지스트막과 현상액이 화학반응하고, 화학반응에 의해 노광부가 용해됨으로써 웨이퍼(200)의 현상이 진행된다.When the developer is discharged onto the surface of the wafer 200 to form the developer film, the development of the wafer 200 is performed by stopping for a predetermined time, for example, about 10 seconds to 90 seconds in the state of Puddle Time. At this time, the photoresist film and the developing solution of the exposed portion are chemically reacted on the surface of the wafer 200 by exposure, and the development of the wafer 200 proceeds by dissolving the exposed portion by the chemical reaction.

원추대형 유도수단(500)에 의해 웨이퍼(200) 면에 직접 닿지 않는 현상액 중에서 실제적으로 현상에 사용되지 아니하고 보울(300)의 바닥면으로 낙하하는 현상액은 소정의 관(미도시)을 통해 보울(300) 외부로 배출된다. 그러나, 웨이퍼(200)에 직접 닿지 아니하고 원추대형 유도수단(500)에 의해 배출되는 현상액은 현상액 공급부와 같은 소정의 장치(미도시)로 이동되어 당해 현상 공정 이후의 현상 공정에 다시 사용된다.Of the developer that does not directly contact the surface of the wafer 200 by the cone-shaped guide means 500, the developer that is not actually used for development and falls to the bottom of the bowl 300 is a bowl (not shown). 300) It is discharged to the outside. However, the developing solution discharged by the cone-shaped guide means 500 without directly contacting the wafer 200 is moved to a predetermined device (not shown) such as a developing solution supply unit and used again in the developing process after the developing process.

한편, 원추대형 유도수단(500)에 의해 모아지는 현상액의 경로중 임의의 지점에서 불순물이 혼합되는 등 현상액의 오염이 발생할 수 있는 가능성이 있을 수 있다. 현상액의 오염 방지를 위해서 현상액의 흐름 경로중 적절한 지점에 필터를 구비하면 현상액의 오염 현상은 발생되지 아니할 것이다.On the other hand, there may be a possibility that contamination of the developer may occur, such as mixing impurities at any point in the path of the developer collected by the cone-shaped guide means 500. In order to prevent contamination of the developer, if a filter is provided at an appropriate point in the flow path of the developer, contamination of the developer will not occur.

웨이퍼(200)의 현상 공정이 완료되면 세정 등의 필요한 공정이 진행되고, 계속적으로 후속하는 여러 공정 등이 행해져서 웨이퍼에는 원하는 회로 등이 형성되어 디램이나 에스램과 같은 반도체 소자가 제조된다.When the developing process of the wafer 200 is completed, necessary processes such as cleaning and the like are performed. Subsequently, various subsequent processes and the like are performed to form desired circuits on the wafer to manufacture semiconductor devices such as DRAM and SRAM.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치에 따르면, 실제적으로 웨이퍼 면에 토출되지 않고 버려지는 현상액을 모아 재활용할 수 있게 되어 현상액 소모량을 줄일 수 있고 이에 따라 반도체 소자의 제조 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the development apparatus of the semiconductor wafer according to the present invention, it is possible to collect and recycle the developer which is not actually discharged to the wafer surface, thereby reducing the consumption of the developer and thus the manufacturing cost of the semiconductor device. There is an effect to reduce.

Claims (5)

반도체 웨이퍼를 장착하는 척;A chuck for mounting a semiconductor wafer; 상기 척에 장착된 웨이퍼에 현상액을 토출하는 현상액 공급 노즐;A developer supply nozzle for ejecting a developer onto a wafer mounted on the chuck; 상기 척에 장착된 웨이퍼의 외곽을 둘러싸는 보울; 및A bowl surrounding the periphery of the wafer mounted to the chuck; And 상기 척에 장착된 웨이퍼에 닿지 않은 채로 상기 현상액 공급 노즐로부터 토출되는 현상액의 흐름을 상기 보울의 외부로 유도하는 소정의 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치.And predetermined means for guiding the flow of the developer discharged from the developer supply nozzle to the outside of the bowl without touching the wafer mounted on the chuck. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유도수단은 상기 보울 내에 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치.And said inducing means is provided in said bowl. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유도수단은 원추대형인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치.And said inducing means is a truncated cone. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유도수단은 그 최상부가 상기 웨이퍼의 장착 높이보다 적어도 동일하거나 더 높은 곳에 설비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치.And said induction means is provided at a top portion thereof at least equal to or higher than a mounting height of the wafer. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유도수단은 그 내경이 상기 웨이퍼의 직경보다 더 큰 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 현상 처리 장치.And said guide means has an inner diameter greater than that of said wafer.
KR1020030028679A 2003-05-06 2003-05-06 Developer of semiconductor wafer KR20040095077A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030028679A KR20040095077A (en) 2003-05-06 2003-05-06 Developer of semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030028679A KR20040095077A (en) 2003-05-06 2003-05-06 Developer of semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040095077A true KR20040095077A (en) 2004-11-12

Family

ID=37374307

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030028679A KR20040095077A (en) 2003-05-06 2003-05-06 Developer of semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040095077A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110764374B (en) Developing method and developing device
KR940003373B1 (en) Apparatus for treating a wafer surface
JP3265238B2 (en) Liquid film forming apparatus and method
US9625821B2 (en) Developing apparatus
KR20150016888A (en) Developing apparatus, developing method and storage medium
TWI770046B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20010018167A1 (en) Method of and apparatus for developing exposed photoresist to prevent impurity from being attached to wafer surface
JP2009231617A (en) Development apparatus and development method
JP2008016781A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US10108111B1 (en) Developing method, developing apparatus, and storage medium
KR20040095077A (en) Developer of semiconductor wafer
JP5683259B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6447697B2 (en) Development method, development device, and storage medium
JPH09260278A (en) Resist developing method and resist developing equipment
US10042262B2 (en) Negative developing method and negative developing apparatus
JPH0822952A (en) Board rotation developing method and its equipment
KR20210028788A (en) Apparatus and method for treating a substrate
JPH11181584A (en) Substrate treatment apparatus
JP3982882B2 (en) Substrate processing equipment
JP2000288450A (en) Formation of coating film and coating device
KR20220037468A (en) Developing apparatus and developing method
JPH10116775A (en) Chemical treatment apparatus
JPH09153445A (en) Rotary substrate treating device
GB2393522A (en) Method of and apparatus for developing exposed photoresist to prevent impurities from being attached to a wafer surface
KR20070069472A (en) Apparatus for supplying chemical of developer

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination