KR20040092848A - System for supplying vacuum to the process chamber for manufacturing a semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템에 관한것으로서, 보다 상세하게는 게이트밸브의 리크를 방지함과 아울러 오링 등의 파손을 방지하는 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum supply system of a process chamber for manufacturing a semiconductor device. More particularly, the vacuum supply of a process chamber for manufacturing a semiconductor device preventing leakage of a gate valve and preventing breakage of an O-ring, etc. It's about the system.
일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위한 공정의 대부분은 진공상태에서 실시되고, 반도체 소자를 제조하기 위한 공정을 실시하는 공정챔버에 고진공을 공급하기 위하여 클라이오펌프(cryo pump)가 사용되며, 공정챔버와 클라이오펌프를 격리시키기 위하여 게이트밸브(gate valve)가 구비된다.In general, most of the process for manufacturing a semiconductor device is carried out in a vacuum state, a cryo pump is used to supply a high vacuum to the process chamber for performing a process for manufacturing a semiconductor device, process chamber And a gate valve is provided to isolate the climatic pump.
종래의 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버에 진공을 공급하는 시스템을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a system for supplying a vacuum to a process chamber for manufacturing a conventional semiconductor device is as follows.
도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템을 도시한 구성도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템은 공정챔버(1)의 일측에 설치되는 클라이오펌프(10)와, 클라이오펌프(10)와 공정챔버(1)사이에 설치되는 게이트밸브(20)와, 클라이오펌프(10)를 예비적으로 진공시키는 진공펌프(30)와, 클라이오펌프(10), 게이트밸브(20), 및 진공펌프(30)를 각각 제어하는 제어부(40)를 포함한다.1 is a block diagram showing a vacuum supply system of a process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the prior art. As shown, the vacuum supply system of the process chamber for manufacturing a conventional semiconductor device is a climatic pump 10 installed on one side of the process chamber 1, the cliop pump 10 and the process chamber (1) The vacuum valve 30 for preliminarily vacuuming the gate valve 20 and the cryopump 10 provided between the clinic pump 10, the gate valve 20, and the vacuum pump 30 Each control unit 40 includes a control.
클라이오펌프(10)는 진공펌프(30)에 의해 예비적으로 진공상태를 유지하여 공정챔버(1)에 고진공을 공급한다.The cryopump 10 maintains a preliminary vacuum state by the vacuum pump 30 to supply high vacuum to the process chamber 1.
게이트밸브(20)는 공정챔버(1)와 클라이오펌프(10)사이에 설치되는 밸브바디(valve body; 21)와, 개폐를 위한 구동력을 제공하는 실린더(cylinder; 22)와, 실린더(22)의 작동에 의해 이동하는 리프스프링(leaf spring23)과, 리프스프링(23)의 가압에 의해 밸브바디(21)를 밀폐시키는 한 쌍의 씰플레이트(seal plate; 24)를 포함한다.The gate valve 20 includes a valve body 21 installed between the process chamber 1 and the cryopump 10, a cylinder 22 providing a driving force for opening and closing, and a cylinder 22. Leaf spring (23) moving by the operation of the) and a pair of seal plates (24) for sealing the valve body 21 by the pressure of the leaf spring (23).
밸브바디(21)는 공정챔버(1)와 클라이오펌프(10)의 경로를 제공하는 관로(21a)가 형성되고, 관로(21a)의 내측면을 따라 밀폐홈(21b)이 형성된다.The valve body 21 is formed with a conduit 21a providing a path of the process chamber 1 and the cryopump 10, and a sealing groove 21b is formed along the inner side of the conduit 21a.
실린더(22)는 공압에 의해 피스톤로드(22a)가 왕복 운동하며, 공압의 공급은 제어부(40)에 의해 제어되는 솔레노이드밸브(41)의 동작에 의해 공압공급부(50)로부터 공급받는다.The cylinder 22 reciprocates the piston rod 22a by pneumatic pressure, and the supply of pneumatic pressure is supplied from the pneumatic supply part 50 by the operation of the solenoid valve 41 controlled by the controller 40.
리프스프링(23)은 실린더(22)의 피스톤로드(22a)에 연결되어 밸브바디(21)의 관로(21a)에 직각방향으로 이동하며, 실린더(22)의 작동에 의해 밸브바디(21)의 밀폐홈(21b) 일측에 가압됨으로써 관로(21a)의 형성방향으로 팽창됨과 아울러 씰플레이트(24)를 관로(21a)의 형성방향으로 가압하도록 양측에 상하로 각각 볼(23a)이 구비된다.The leaf spring 23 is connected to the piston rod 22a of the cylinder 22 to move at right angles to the conduit 21a of the valve body 21, and the valve body 21 is operated by the operation of the cylinder 22. Balls 23a are provided on both sides of the sealing grooves 21b so as to expand in the direction of formation of the conduit 21a and to press the seal plate 24 in the direction of formation of the conduit 21a.
씰플레이트(24)는 리프스프링(23)의 양측에 각각 상하로 슬라이딩 가능하게 결합되어 실린더(22)의 작동에 의해 리프스프링(23)과 함께 관로(21a)의 직각방향으로 밸브바디(21)의 밀폐홈(21b)을 따라 이동하며, 밀폐홈(21b)을 개방시 리프스프링(23)의 볼(23a)이 안착되는 안착홈(24a)이 형성된다. 따라서, 실린더(22)의 작동에 의해 리프스프링(23)이 밀폐홈(21b) 일측에 가압되어 관로(21a)의 형성방향을 따라 팽창시 리프스프링(23)의 볼(23a)이 안착홈(24a)의 중심으로부터 외측으로 벗어나게 되어 씰플레이트(24)를 가압하여 밀폐홈(21b)의 양측면에 밀폐시킨다.The seal plate 24 is slidably coupled to both sides of the leaf spring 23 so as to be slidable up and down, respectively, by the operation of the cylinder 22 and the valve body 21 along the leaf spring 23 in the direction perpendicular to the conduit 21a. Moving along the sealing groove (21b), when the opening of the sealing groove (21b) is formed a seating groove (24a) is seated ball 23a of the leaf spring (23). Therefore, the leaf spring 23 is pressed to one side of the sealing groove 21b by the operation of the cylinder 22, and when the ball 23a of the leaf spring 23 expands along the forming direction of the conduit 21a, the seating groove ( Outward from the center of the 24a) to press the seal plate 24 to be sealed on both sides of the sealing groove (21b).
씰플레이트(24)중 어느 하나에는 밀폐홈(21b)을 폐쇄시 밀폐홈(21b)의 일측면에 접촉하도록 오링(O-ring; 25)이 설치된다.One of the seal plates 24 is provided with an O-ring 25 so as to contact one side of the sealing groove 21b when the sealing groove 21b is closed.
진공펌프(30)는 클라이오펌프(10)가 공정챔버(1)에 고진공을 공급시키기전에 예비적으로 클라이오펌프(10)에 진공을 공급한다.The vacuum pump 30 supplies the vacuum to the cryopump 10 preliminarily before the cryopump 10 supplies the high vacuum to the process chamber 1.
제어부(40)는 클라이오펌프(10) 게이트밸브(20) 및 진공펌프(30)를 각각 제어하며, 게이트밸브(20)의 제어를 위해 공압공급부(50)로부터 게이트밸브(20)의 실린더(22)에 공급되는 공압을 솔레노이드밸브(41)에 의해 제어한다.The controller 40 controls the climatic pump 10 gate valve 20 and the vacuum pump 30, respectively, and the cylinder of the gate valve 20 from the pneumatic supply unit 50 for the control of the gate valve 20. The pneumatic pressure supplied to 22 is controlled by the solenoid valve 41.
이와 같은 종래의 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템은 공정챔버(1)의 고진공 격리를 위하여 밸브바디(21)의 밀폐홈(21b)에 씰플레이트(24)가 큰 힘에 의해 서로 결합 내지 분리됨으로써 오링(25)이 쉽게 손상될 뿐만 아니라 씰플레이트(24)와 밀폐홈(21b)간에 유격이 발생하여 리크(leak)가 발생하는 문제점을 가지고 있었다.The vacuum supply system of the process chamber for manufacturing such a conventional semiconductor device is a seal plate 24 in the sealing groove 21b of the valve body 21 by a large force to the high vacuum isolation of the process chamber (1). O-ring 25 is easily damaged by being combined or separated, and there is a problem in that a gap occurs between the seal plate 24 and the sealing groove 21b to generate a leak.
특히, 게이트밸브(20)의 리크(leak)는 밀폐홈(21b)과 씰플레이트(24)의 결합 및 분리가 반복적으로 발생하여 가장 큰 힘을 받는 밀폐홈(21b)의 상측부분이 심하다.In particular, the leak of the gate valve 20 is severely coupled to the sealing groove 21b and the seal plate 24 repeatedly, so that the upper portion of the sealing groove 21b receiving the greatest force is severe.
게이트밸브(20)의 리크는 그 분해 및 조립작업에 많은 시간을 요하게 되므로 장비의 가동율을 현저하게 저하시키는 원인이 되었다.The leak of the gate valve 20 requires a lot of time for its disassembly and assembly, which causes a significant decrease in the operation rate of the equipment.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 게이트밸브의 리크를 방지함으로써 공정챔버가 고진공상태를 유지하여 안정된 반도체 제조공정을 실시토록 하며, 게이트밸브가 개방시 무리한 힘이 가해지지 않도록 함으로써 오링 등이 쉽게 파손되는 것을 방지하여 장비의 가동율을 향상시키는 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템을 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, the object of the present invention is to prevent the leakage of the gate valve to maintain a high vacuum state of the process chamber to perform a stable semiconductor manufacturing process, unreasonable force when the gate valve is opened The present invention provides a vacuum supply system of a process chamber for manufacturing a semiconductor device that prevents the O-ring and the like from being easily damaged by improving the operation rate of equipment.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 반도체 소자를 제조하기 위한 공정을 실시하는 공정챔버에 진공을 공급하는 클라이오펌프와, 공정챔버와 클라이오펌프사이에 관로를 형성한 밸브바디가 설치되고, 밸브바디의 관로에 내측면을 따라 밀폐홈이 형성되며, 실린더의 작동으로 밸브바디의 일측으로부터 관로에 직각방향으로 왕복이동하는 리프스프링의 팽창 및 가압에 의해 한 쌍의 씰플레이트가 밀폐홈의 양측면을 각각 밀폐시키고, 씰플레이트의 일측면에 밀폐홈의 측면과의 기밀을 유지하도록 오링이 설치되어 공정챔버와 클라이오펌프를 격리시키는 게이트밸브와, 클라이오펌프에 예비적으로 진공을 공급시키는 진공펌프를 포함하는 공정챔버의 진공 공급시스템에 있어서, 밸브바디의 일측에 밀폐홈과 통하도록 설치되는 씰포트; 진공펌프로부터 씰포트로 진공을 공급하는 진공공급파이프; 진공공급파이프상에 설치되어 진공의 공급을 개폐하는 개폐밸브; 및 클라이오펌프, 게이트밸브의 실린더, 진공펌프 및 개폐밸브를 각각 제어하며, 게이트밸브가 폐쇄시에만 개폐밸브를 개방시켜 씰포트를 통해 게이트밸브의 밀폐홈으로 진공이 공급되도록 하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a vacuum pump for supplying a vacuum to a process chamber for performing a process for manufacturing a semiconductor device, and a valve body having a conduit formed between the process chamber and the cryopump. A sealed groove is formed along the inner surface of the pipeline of the valve body, and a pair of seal plates are formed by the expansion and pressurization of the leaf spring reciprocating in a direction perpendicular to the pipeline from one side of the valve body by the operation of the cylinder. O-rings are installed to seal both sides and seals on one side of the seal plate to maintain airtightness with the side of the sealing groove, and to separate the process chamber and the cryopump, and to supply vacuum to the cryopump preliminarily. A vacuum supply system of a process chamber including a vacuum pump, the vacuum supply system comprising: a seal port installed at one side of a valve body to communicate with a sealing groove; A vacuum supply pipe for supplying a vacuum from the vacuum pump to the seal port; An on / off valve installed on the vacuum supply pipe to open and close the supply of vacuum; And a control unit for controlling the clinic pump, the cylinder of the gate valve, the vacuum pump, and the opening / closing valve, respectively, and opening and closing the valve only when the gate valve is closed so that vacuum is supplied to the sealed groove of the gate valve through the seal port. It is characterized by.
도 1은 종래의 기술에 따른 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템을 도시한 구성도이고,1 is a block diagram showing a vacuum supply system of a process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the prior art,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템을 도시한 구성도이다.2 is a configuration diagram showing a vacuum supply system of a process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
100 : 클라이오펌프 200 : 게이트밸브100: Clio pump 200: Gate valve
212 : 밀폐홈 240 : 씰플레이트212: sealing groove 240: seal plate
300 : 진공펌프 400 : 씰포트300: vacuum pump 400: seal port
500 : 진공공급파이프 600 : 개폐밸브500: vacuum supply pipe 600: on-off valve
700 : 제어부700: control unit
이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템을 도시한 구성도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템은 반도체 제조를 위한 공정이 실시되는 공정챔버(1)의 일측에 설치되는 클라이오펌프(cryo pump; 100)와, 공정챔버(1)와 클라이오펌프(100)사이에 설치되어 이들을 서로 격리시키는 게이트밸브(gate valve; 200)와, 클라이오펌프(100)에 예비적으로 진공을 공급하는 진공펌프(300)와, 게이트밸브(200)의 밸브바디(valve body; 210)에 설치되는 씰포트(seal port; 400)와, 진공펌프로부터 씰포트(400)로 진공을 공급하는 진공공급파이프(500)와, 진공공급파이프(500)의 진공 공급을 개폐시키는 개폐밸브(600)와, 클라이오펌프(100), 게이트밸브(200), 개폐밸브(600)를 각각 제어하는 제어부(700)를 포함한다.2 is a configuration diagram showing a vacuum supply system of a process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. As shown, the vacuum supply system of the process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a cryo pump (cryo pump) 100 is installed on one side of the process chamber (1) where a process for manufacturing a semiconductor is performed; A gate valve (200) installed between the process chamber (1) and the cryopump (100) to insulate them from each other, and the vacuum pump (300) for preliminarily supplying a vacuum to the cryopump (100). And a seal port 400 installed in the valve body 210 of the gate valve 200, a vacuum supply pipe 500 for supplying a vacuum from the vacuum pump to the seal port 400, Opening and closing valve 600 for opening and closing the vacuum supply of the vacuum supply pipe 500, and the control unit 700 for controlling the cryopump 100, the gate valve 200, the opening and closing valve 600, respectively.
클라이오펌프(100)는 진공펌프(300)에 의해 예비적으로 진공상태를 유지하여 공정챔버(1)에 고진공을 공급하며, 게이트밸브(200)에 의해 공정챔버(1)와 격리된다.The cryopump 100 maintains a preliminary vacuum state by the vacuum pump 300 to supply high vacuum to the process chamber 1, and is isolated from the process chamber 1 by the gate valve 200.
게이트밸브(200)는 공정챔버(1)와 클라이오펌프(100)사이에 설치되는 밸브바디(valve body; 210)와, 개폐를 위한 구동력을 제공하는 실린더(cylinder; 220)와, 실린더(220)의 작동에 의해 왕복이동하는 리프스프링(leaf spring; 230)과, 리프스프링(230)의 팽창 및 가압에 의해 밸브바디(210)를 밀폐시키는 한 쌍의 씰플레이트(seal plate; 240)를 포함한다.The gate valve 200 includes a valve body 210 installed between the process chamber 1 and the cryopump 100, a cylinder 220 providing a driving force for opening and closing, and a cylinder 220. Leaf spring (230) reciprocating by operation of a) and a pair of seal plates (240) sealing the valve body (210) by expansion and pressurization of the leaf spring (230) do.
밸브바디(210)는 공정챔버(1)와 클라이오펌프(100)의 경로를 제공하는관로(211)가 형성되고, 관로(211)의 내측면을 따라 밀폐홈(212)이 형성되며, 일측에 씰포트(seal port; 400)가 설치된다.The valve body 210 has a conduit 211 which provides a path for the process chamber 1 and the cryopump 100, and a closed groove 212 is formed along the inner surface of the conduit 211, and one side thereof. A seal port 400 is installed at the end.
실린더(220)는 유압에 의해 작동될 수도 있으나, 바람직하게는 공압에 의해 피스톤로드(221)가 왕복 운동하며, 공압의 공급은 제어부(700)에 의해 제어되는 솔레노이드밸브(710)의 동작에 의해 공압공급부(800)로부터 공급받는다.The cylinder 220 may be operated by hydraulic pressure, but preferably, the piston rod 221 reciprocates by pneumatic pressure, and the supply of pneumatic pressure is controlled by the operation of the solenoid valve 710 controlled by the controller 700. It is supplied from the pneumatic supply unit (800).
리프스프링(230)은 실린더(220)의 피스톤로드(221)에 연결되어 밸브바디(210)의 관로(211)의 형성방향에 직각방향으로 이동하며, 실린더(220)의 작동에 의해 밸브바디(210)의 밀폐홈(212) 일측에 가압됨으로써 관로(211)의 형성방향으로 팽창됨과 아울러 씰플레이트(240)를 관로(211)의 형성방향으로 가압하도록 양측에 상하로 각각 볼(231)이 구비된다.The leaf spring 230 is connected to the piston rod 221 of the cylinder 220 to move in a direction perpendicular to the formation direction of the conduit 211 of the valve body 210, the valve body (by the operation of the cylinder 220 ( The ball 231 is provided up and down on both sides so as to expand in the direction of forming the conduit 211 by being pressed to one side of the sealing groove 212 of the 210 and pressurize the seal plate 240 in the forming direction of the conduit 211. do.
씰플레이트(240)는 리프스프링(230)의 양측에 각각 상하로 슬라이딩 가능하게 결합되어 실린더(220)의 작동에 의해 리프스프링(230)과 함께 관로(211)의 형성방향에 직각방향으로 밸브바디(210)의 밀폐홈(212)을 따라 이동하며, 밀폐홈(212)을 개방시 리프스프링(230)의 볼(231)이 안착되는 안착홈(241)이 형성된다. 따라서, 실린더(220)의 작동에 의해 리프스프링(230)이 밀폐홈(212) 일측에 가압되어 관로(211)의 형성방향을 따라 양쪽으로 팽창시 리프스프링(230)의 볼(231)이 안착홈(241)의 중심으로부터 외측으로 벗어나게 되어 씰플레이트(240)를 가압하여 밀폐홈(212)의 양측면에 밀폐시킨다.The seal plate 240 is slidably coupled up and down on both sides of the leaf spring 230, respectively, so that the valve body is perpendicular to the direction of formation of the conduit 211 together with the leaf spring 230 by the operation of the cylinder 220. Moving along the sealing groove 212 of 210, when the opening of the sealing groove 212 is formed a seating groove 241 is seated ball 231 of the leaf spring 230. Therefore, when the leaf spring 230 is pressed to one side of the sealing groove 212 by the operation of the cylinder 220, the ball 231 of the leaf spring 230 is seated when expanded in both directions along the formation direction of the conduit 211. Out of the center of the groove 241 to the outside to press the seal plate 240 is sealed on both sides of the sealing groove 212.
씰플레이트(240)는 일측면에 밀폐홈(212)의 측면과의 기밀을 유지하도록 오링(O-ring; 250)이 설치된다.The seal plate 240 is provided with an O-ring 250 to maintain the airtightness with the side of the sealing groove 212 on one side.
오링(250)은 씰플레이트(240)마다 각각 설치됨이 바람직하다. 따라서, 씰플레이트(240)가 밸브바디(210)의 밀폐홈(212)을 이중으로 밀폐시킴으로써 리크(leak)를 이중으로 차단시킨다.O-ring 250 is preferably installed for each seal plate 240. Therefore, the seal plate 240 double-closes the sealing groove 212 of the valve body 210 to block the leak (double).
진공펌프(300)는 클라이오펌프(100)가 공정챔버(1)에 고진공을 공급시키기전에 예비적으로 클라이오펌프(100)에 진공을 공급함과 아울러 진공공급파이프(500)를 통해 씰포트(400)로 진공을 공급한다.The vacuum pump 300 supplies the vacuum to the cryopump 100 preliminarily before the cryopump 100 supplies the high vacuum to the process chamber 1, as well as the seal port through the vacuum supply pipe 500. 400).
씰포트(400)는 게이트밸브(200)의 밸브바디(210) 일측에 밀폐홈(212)과 통하도록 설치되며, 진공공급파이프(500)를 통해 진공펌프(300)로부터 진공을 밀폐홈(212)으로 공급시킨다.The seal port 400 is installed to communicate with the sealing groove 212 at one side of the valve body 210 of the gate valve 200, and seals the vacuum from the vacuum pump 300 through the vacuum supply pipe 500. ).
씰포트(400)는 밀폐홈(212)과 씰플레이트(240)의 결합 및 분리가 반복적으로 발생하여 가장 큰 힘을 받는 밀폐홈(212)의 상측에 상응하는 위치에 설치됨이 바람직하다.Seal port 400 is preferably installed in a position corresponding to the upper side of the sealing groove 212 is subjected to the greatest force by the coupling and separation of the sealing groove 212 and the seal plate 240 repeatedly.
진공공급파이프(500)는 진공펌프(300)로부터 씰포트(400)로의 진공 공급을 개폐시키기 위하여 개폐밸브(600)가 설치된다.The vacuum supply pipe 500 is provided with an on-off valve 600 to open and close the vacuum supply from the vacuum pump 300 to the seal port 400.
개폐밸브(600)는 에어밸브(air valve)로서 제어부(700)에 의해 제어된다.The open / close valve 600 is controlled by the control unit 700 as an air valve.
제어부(700)는 클라이오펌프(100), 게이트밸브(200)의 실린더(220), 진공펌프(300) 및 개폐밸브(600)를 각각 제어하며, 게이트밸브(200)의 실린더(220)를 제어하기 위하여 공압공급부(800)로부터 게이트밸브(200)의 실린더(220)에 공급되는 공압을 솔레노이드밸브(710)에 의해 제어한다.The controller 700 controls the clinic pump 100, the cylinder 220 of the gate valve 200, the vacuum pump 300, and the on / off valve 600, respectively, and controls the cylinder 220 of the gate valve 200. In order to control, the pneumatic pressure supplied from the pneumatic supply unit 800 to the cylinder 220 of the gate valve 200 is controlled by the solenoid valve 710.
제어부(700)는 게이트밸브(200)가 폐쇄시에는 개폐밸브(600)를 개방시켜 씰포트(400)를 통해 게이트밸브(200)의 밀폐홈(212)으로 진공이 공급되도록 하며, 게이트밸브(200)가 개방시에는 개폐밸브(600)를 폐쇄시켜 씰포트(400)를 통해 게이트밸브(200)의 밀폐홈(212)으로 진공이 공급되는 것을 차단한다.The control unit 700 opens the on / off valve 600 when the gate valve 200 is closed so that the vacuum is supplied to the sealed groove 212 of the gate valve 200 through the seal port 400, and the gate valve ( When the 200 is opened, the on / off valve 600 is closed to block the vacuum from being supplied to the sealing groove 212 of the gate valve 200 through the seal port 400.
이와 같은 구조로 이루어진 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템의 동작은 다음과 같이 이루어진다.Operation of the vacuum supply system of the process chamber for manufacturing a semiconductor device having such a structure is performed as follows.
제어부(700)가 솔레노이드밸브(710)를 동작시켜 실린더(220)를 동작시킴으로써 게이트밸브(200)의 씰플레이트(240)가 밀폐홈(212)을 밀폐시키면 개폐밸브(600)를 개방시켜 진공펌프(300)로부터 씰포트(400)를 통해 밀폐홈(212)으로 진공이 공급되도록 한다.When the control unit 700 operates the solenoid valve 710 to operate the cylinder 220, and the seal plate 240 of the gate valve 200 seals the sealing groove 212, the opening / closing valve 600 is opened to open the vacuum pump. The vacuum is supplied from the 300 to the sealing groove 212 through the seal port 400.
따라서, 씰플레이트(240)와 밀폐홈(212)의 틈새를 통해 진공의 리크(leak)가 발생하더라도 밀폐홈(212)에 진공이 공급됨으로써 게이트밸브(200)의 리크를 차단시킴으로써 공정챔버(1)가 고진공을 유지토록 한다.Therefore, even if a vacuum leak occurs through the gap between the seal plate 240 and the sealing groove 212, the vacuum is supplied to the sealing groove 212, thereby blocking the leakage of the gate valve 200, thereby preventing the process chamber 1. Keep high vacuum.
제어부(700)가 실린더(220)를 동작시켜 게이트밸브(200)의 씰플레이트(240)가 밀폐홈(212)을 개방시 개폐밸브(600)를 폐쇄시켜 밀폐홈(212)으로 진공이 공급되는 것을 차단함과 아울러 진공공급파이프(500)내에 잔존하는 에어로 인해 밀폐홈(212)내의 진공이 해제됨으로써 씰플레이트(240)가 밀폐홈(212)으로부터 이격시 무리한 힘이 가해지지 않아 오링(250)이 파손되는 것을 방지한다.The control unit 700 operates the cylinder 220 so that the seal plate 240 of the gate valve 200 closes the opening / closing valve 600 when the sealing groove 212 is opened so that vacuum is supplied to the sealing groove 212. In addition, since the vacuum in the sealed groove 212 is released due to the air remaining in the vacuum supply pipe 500, the seal plate 240 does not apply excessive force when separated from the sealed groove 212. This prevents it from breaking.
씰포트(400)는 밀폐홈(212)과 씰플레이트(240)의 결합 및 분리가 반복적으로 발생하여 가장 큰 힘을 받는 밀폐홈(212)의 상측에 상응하는 위치함으로써 진공의 리크가 실질적으로 발생하기 쉬운 부분에 신속하게 진공을 공급시킨다.Seal port 400 is a position corresponding to the upper side of the sealing groove 212 receives the greatest force by the coupling and separation of the sealing groove 212 and the seal plate 240 is generated repeatedly to substantially generate a vacuum leak Vacuum is quickly supplied to the parts that are easy to do.
오링(250)은 씰플레이트(240)마다 각각 설치됨으로써 씰플레이트(240)가 밸브바디(210)의 밀폐홈(212)을 이중으로 밀폐시켜 공정챔버(1)로부터 진공의 리크(leak)를 이중으로 차단시킨다.The O-ring 250 is provided for each seal plate 240 so that the seal plate 240 double-closes the sealing groove 212 of the valve body 210 to double the leak of vacuum from the process chamber 1. Block it with
이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 게이트밸브의 리크를 방지함으로써 공정챔버가 고진공상태를 유지하여 안정된 반도체 제조공정을 실시토록 하며, 게이트밸브가 개방시 무리한 힘이 가해지지 않도록 함으로써 오링 등이 쉽게 파손되는 것을 방지한다.As described above, according to the preferred embodiment of the present invention, the process chamber is maintained in a high vacuum state by preventing the leakage of the gate valve so that a stable semiconductor manufacturing process can be performed, and the O-ring etc. are prevented from applying excessive force when the gate valve is opened. This prevents it from breaking easily.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템은 게이트밸브의 리크를 방지함으로써 공정챔버가 고진공상태를 유지하여 안정된 반도체 제조공정을 실시토록 하며, 게이트밸브가 개방시 무리한 힘이 가해지지 않도록 함으로써 오링 등이 쉽게 파손되는 것을 방지하여 장비의 가동율을 향상시키는 효과를 가지고 있다.As described above, the vacuum supply system of the process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the present invention prevents the leakage of the gate valve to maintain a high vacuum state of the process chamber to perform a stable semiconductor manufacturing process, the gate valve is open By preventing excessive force, the O-ring is prevented from being easily damaged, which improves the operation rate of equipment.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 반도체 소자를 제조하기 위한 공정챔버의 진공 공급시스템을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for implementing a vacuum supply system of a process chamber for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, in the claims As claimed, any person having ordinary skill in the art without departing from the gist of the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
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