KR20040089809A - 단일 패키지형 수정발진기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 단일패키지형 수정발진기에 관한 것으로, IC칩이 상부면에 탑재되는 제 1세라믹층; 상기 제 1세라믹층의 상부면에 탑재된 IC칩이 간섭없이 배치되는 탑재공간을 형성하도록 상기 제 1세라믹층의 상부면 테두리에 하부면 테두리가 접합연결되는 제 2세라믹층; 상기 제 2세라믹층의 접착부에 일단부가 본딩연결된 수정편이 간섭없이 배치되는 실장공간을 형성하도록 상기 제 2세라믹층의 상부면테두리에 하부면 테두리가 접합연결되는 제 3세라믹층; 상기 IC칩,수정편이 수용되는 내부공간을 밀봉하도록 상기 제 3세라믹층의 상부면테두리에 접착되는 이종접착수단을 매개로 상기 제 3세라믹층의 상부를 덮는 리드부를 포함하여 구성한다.
본 발명에 의하면, 플립본딩방식으로서 IC칩과 수정편을 하나의 세라믹패키지의 내부공간내 배치하여 제조공정을 단순화하고, 부품의 소형화를 도모하며, 소형화에 관계없이 안정된 부품특성을 얻을 수 있으며, 재료비를 절감할 수 있다.
Description
본 발명은 단일패키지형 수정발진기에 관한 것으로, 보다 상세히는 플립본딩방식으로서 IC칩과 수정편을 세라믹패키지의 내부공간내 동시에 배치하여 제조공정을 단순화하고, 부품의 소형화를 도모하며, 소형화에 관계없이 안정된 부품특성을 얻을 수 있으며, 재료비를 절감할 수 있는 단일 패키지형 수정발진기에 관한 것이다.
일반적으로 수정발진기는 온도에 따라 써미스터의 저항값이 변화하게 되어 배리캡 다이오드에 가해지는 전압이 변화하고, 이러한 전압의 변화로 인하여 커패시터의 커패시턴스가 변화하게 되어 온도의 변화에 따라서 주파수를 보상하는 장치이다.
이러한 수정발진기는 소형이면서도 외부 환경 변화에 대해서도 안정된 주파수를 얻을 수 있어 컴퓨터, 통신기기등에서의 문자구성, 색상구성 회로 등에 사용되어지며, 한단계 더 응용된 전압조정형 수정발진기(VCXO), 온도보상형 수정발진기(TCXO), 항온조정형 수정발진기(OCXO)등의 제품은 우주공간의 인공위성, 계측기 등에서 모든 신호의 기준이 되는 핵심 부품으로 사용되기도 한다
최근에 정보통신과 디지털기술의 발전으로 높은 주파수 영역에서 사용되고, 빠른 데이터 처리속도 및 새로운 재료, 부품 및 모듈, 기판에 대한 수요가의 요구가 커지고 있는 실정이며, 특히 이동통신 부품의 경우, 소형화, 다중밴드화, 고주파화 추세에 따라 수정발진기의 소형화, 고집적화 및 고주파화한 구조가 요구되고 있다.
이러한 수정발진기는 0.024CC(5.0mm(L)*3.2mm(W)*두께1.5mm(T))가 주류를 이루고 있으나, 부품의 소형화가 가속됨에 따라 길이, 폭 및 두께가 짧고, 좁아지며, 얇아진 0.008CC(3.2mm(L)*2.5mm(W)*1.0mm(T)) 및 0.004CC(2.5mm(L)*2.0mm(W)*0.8mm(T))제품이 주류를 이룰 것이다. 이를 위해서 수정발진기부품의 소형화 및 제조공법의 혁신, 원패키지(one-package)화가 실현되어야 하는 것이다.
종래 수정발진기(100)를 제조하는 공정은 먼저, 도 1(a)(b)에 도시한 바와같이, 패턴회로가 형성된 제 1세라믹패키지(ceramic package)(111)의 상부면에 올려지는 연결패드(pad)(112)와 도전성 접착제(113)를 매개로 하여 수정편(101)의 선단부를 수평하게 장착하여 수정편조립체(110)를 형성한다.
또한, 도 2(a)(b)에 도시한 바와같이, 제 2세라믹패키지(121)의 상부면에 도전성 접착제(미도시)를 매개로 하여 IC칩(102)을 다이본딩(die bonding)한 다음, 상기 IC칩(102)의 좌우양단에 형성된 복수개의 단자전극(102a)마다 일단이 연결되는 와이어(123)를 복수개 갖추고, 상기 와이어(123)의 각 타단을 상기 제 2세라믹패키지(121)의 연결패드(122)에 각각 와이어본딩하여 칩조립체(120)를 구성하였다.
상기와 같이 별도의 조립라인에서 조립완성된 수정편조립체(110)와 칩조립체(120)는 또다른 조립라인에서 칩조립체(120)의 제 2세라믹패키지(121)를 하부부품으로 하고, 수정편조립체(110)의 제1세라믹패키지(111)를 상부부품으로 하여 이들을 상하적층한 다음, 수정편, 칩조립체(110)(120)사이의 접합면을 솔더크림으로서 솔더링함으로서 IC칩(102)이 외부노출되는 제 2세라믹패키지(121)의 상부를 밀봉하였다.
그리고, 상부가 개방된 제 1세라믹패키지(111)의 상부면에는 사각판상의 덮개부재(114)를 올려놓고, 이들의 접합면을 고온의 열원으로서 용착하여 수정편(101)을 갖는 수정편패키지(110)의 상부를 밀봉함으로서, IC칩(102)을 갖는칩조립체(120)와 더불어 이중구조의 패키지부품으로 구성하였다.
그러나, 종래 이중형 수정발진기(100)는 수정편조립체(110)와 칩조립체(120)를 서로 다른 라인에서 각각 제조하여 최종조립라인에서 상하이중구조로 최종조립해야만 하기 때문에, 하나의 부품을 완성제조하는데 조립공정이 매우 복잡하였다.
또한, 세라믹소재로 이루어진 제 1,2세라믹패키지(111)(121)가 상하 중복되어 사용되기 때문에, 재료비가 증가되어 가격경쟁력을 저하시키고, 형성높이가 높아져 제품을 소형화하는데 한계가 있었다.
이와 더불어, 제 1세라믹패키지(111)의 연결패드(112)에 도포되는 도전성접착제(113)를 매개로 하여 수정편(101)의 선단을 조립하는 과정에서, 상기 도전성 접착제(113)를 건화시킬 때 인체에 유해한 아웃가스(out gas)가 발생되고, 발생된 아웃가스가 상기 수정편(101)의 하부표면에 흡착되어 유기피막(D)을 형성하게 된다. 이로 인하여 수정발진기의 여러 가지 특성중 DLD(Drive Level Dependence)특성이 불량해져 제품의 신뢰성을 저하시키고, 수정발진기의 소형화 제작시 DLD의 특성저하를 가중시키는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 수정편과 IC칩을 하나의 세라믹패키지내에 동시에 내장하여 부품의 경박단소화가 가능해지고, 완제품의 소형화를 도모하며, 세라믹소재의 중복사용을 억제하여 제조비용을 절감하고, 소형화에 관계없이 안정된 부품특성을 얻을 수 있는 단일 패키지형 수정발진기를 제공하고자 한다.
도 1(a)(b)는 종래 수정발진기에서 수정편조립체를 도시한 단면도와 평면도,
도 2(a)(b)는 종래 수정발진기에서 IC칩조립체를 도시한 단면도와 평면도,
도 3은 종래기술에 따른 수정발진기를 도시한 종단면도,
도 4(a)(b)는 본 발명에 따른 단일 패키지형 수정발진기에서 범프가 IC칩에 형성된 단면도 및 평면도,
도 5(a)(b)는 본 발명에 따른 단일 패키지형 수정발진기에서 IC칩이 제 1,2 및 3세라믹층에 탑재된 단면도 및 평면도,
도 6(a)(b)는 본 발명에 따른 단일 패키지형 수정발진기에서 수정편이 실장된 단면도 및 평면도,
도 7은 본 발명에 따른 단일패키지형 수정발진기의 단면도,
도 8은 본 발명에 따른 단일 패키지형 수정발진기의 분해사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
2 ....... IC칩 3 ....... 수정편
10 ...... 제 1세라믹 12 ...... 범프연결용 패턴
20 ...... 제 2세라믹 22 ...... 접착부
30 ...... 제 3세라믹 40 ...... 리드부
50 ...... 이종접착수단 51 ...... 코바링
53 ...... 접착금속층 B1,B2 ... 범프
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 기술적인 구성으로써, 본 발명은,
수정편과 IC칩을 갖는 수정발진기에 있어서,
상기 IC칩이 상부면에 탑재되는 제 1세라믹층;
상기 제 1세라믹층의 상부면에 탑재된 IC칩이 간섭없이 배치되는 탑재공간을 형성하도록 상기 제 1세라믹층의 상부면 테두리에 하부면 테두리가 접합연결되는 제 2세라믹층;
상기 제 2세라믹층의 접착부에 일단부가 본딩연결된 수정편이 간섭없이 배치되는 실장공간을 형성하도록 상기 제 2세라믹층의 상부면테두리에 하부면 테두리가 접합연결되는 제 3세라믹층;
상기 IC칩,수정편이 수용되는 내부공간을 밀봉하도록 상기 제 3세라믹층의 상부면테두리에 접착되는 이종접착수단을 매개로 상기 제 3세라믹층의 상부를 덮는 리드부를 포함함을 특징으로 하는 단일패키지형 수정발진기를 마련함에 의한다.
또한, 바람직하게는 상기 제 1세라믹층은 상부면에 범프연결용 패턴을 인쇄하고, 상기 패턴은 상기 IC칩하부면에 범프본딩된 범프와 플립본딩된다.
보다 바람직하게는 상기 제 2세라믹층은 내부일측단에 접착부를 형성하고, 상기 접착부는 상기 수평편의 일단 하부면에 범프본딩된 범프와 플립본딩된다.
또한, 바람직하게는 상기 리드(Lid)부는 Fe-Ni-Co 성분이 포함된 코바(Kovar)소재로 이루어진다.
보다 바람직하게는 상기 이종접착수단은 상기 리드부와 동일하게 Fe-Ni-Co 로 이루어진 몸체의 외부면을 백금(Au)으로 코팅한 실링용 코바링과, 세라믹소재와 코바소재간의 접착시 강한 접착력을 발생시킬 수 있도록 텅스텐 금속층과 니켈금속층 및 백금금속층을 상하적층한 금속접착층으로 구성된다.
이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명한다.
도 4(a)(b)는 본 발명에 따른 단일 패키지형 수정발진기에서 범프가 IC칩에 형성된 단면도 및 평면도이고, 도 5(a)(b)는 본 발명에 따른 단일 패키지형 수정발진기에서 IC칩이 제 1,2 및 3세라믹층에 탑재된 단면도 및 평면도이며, 도 6(a)(b)는 본 발명에 따른 단일 패키지형 수정발진기에서 수정편이 실장된 단면도 및 평면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 단일 패키지형 수정발진기의 분해사시도이다.
본 발명의 수정발진기(1)는 도 4 내지 7에 도시한 바와같이, 내부공간에 IC칩(2)과 수정편(3)을 플립본딩(Flip Bonding)방식으로서 동시에 수행할 수 있도록 세라믹패키지의 내부구조를 개선하여 부품의 경박단소를 가능하게 하고, 부품특성의 저하를 방지하는 한편, 재료비를 절감할 수 있는 것으로서, 이러한 수정발진기(1)는 제 1,2 및 3세라믹층(10)(20)(30) 및 리드부(40)등으로 구성된다.
그리고, 본 발명의 수정발진기(1)의 구조는 전압조정형 수정발진기(VCXO), 온도보상형 수정발진기(TCXO), 항온조정형 수정발진기(OCXO)등에 선택적으로 적용가능한 것으로 이해되어야한다.
즉, 상기 제 1세라믹층(10)은 상부면에 패턴회로가 인쇄되고, 세라믹소재로 이루어진 얇은 두께의 사각판상으로 구성되며, 그 상부면에는 상기 IC칩(2)의 하부면에 형성된 본딩패드와 동일한 간격으로 서로 일대일 대응하는 범프연결용 패턴(12)이 인쇄되어 있다.
이에 따라, 상기 IC칩(2)의 하부면에 일정간격을 두고 다수개 형성된 본딩패드위치마다 백금(Au)소재로 이루어진 범프(Bump)(B1)를 각각 도포하여 범프본딩연결하고, 상기 범프(B1)는 상기 제 1세라믹층(10)의 상부면에 형성된 범프연결용 패턴(11)과 일대일 대응하여 플립본딩방식으로 본딩연결된다.
그리고, 상기 제 2세라믹층(20)은 상기 제 1세라믹층(10)의 상부면에 플립본딩방식으로 탑재된 IC칩(2)과의 간섭없이 배치되는 탑재공간(P1)을 형성할 수 있도록 상기 제 1세라믹층(10)의 상부면 테두리와 하부면 테두리가 일체로 접합연결되는 사각틀형상의 세라믹소재이다.
여기서, 상기 제 2세라믹층(20)은 상기 제 1세라믹층(10)의 상부면에 탑재되는 IC칩(2)의 상부면과 상기 수정편(3)의 하부면사이에 일정크기의 간격을 형성할 수 있도록 상기 범프(B1)를 포함하는 IC칩(2)의 높이보다 높은 크기로 갖추어지는 것이 좋다.
또한, 상기 제 1,2세라믹층(10)(20)이 상하적층된 세라믹패키지의 외부면에는 전극부가 도포된 테스트접촉부(TC)가 복수개 함물형성되어 있다.
그리고, 상기 제 2세라믹층(20)의 내부일측단에는 상기 수정편(3)의 일단부가 본딩연결되는 접착부(22)가 적어도 하나이상 돌출형성되며, 상기 수정편(3)의 티단부는 자유단이다.
또한, 상기 제 3세라믹층(30)은 상기 제 2세라믹층(20)의 접착부(22)에 일단부가 본딩연결된 수정편(3)의 타단부인 자유단이 타부재와 간섭없이 배치될수 있는 실장공간(P2)을 형성할 수 있도록 상기 제 2세라믹층(20)의 상부면테두리와 하부면 테두리가 일체로 접합연결되는 사각틀형상의 세라믹소재이다.
여기서, 상기 수정편(3)의 하부면에 형성된 전극(3a)의 일단부에는 범프(B2)를 형성하고, 상기 범프(B2)는 상기 제 2세라믹층(20)의 접착부(22)에 형성된 범프연결용 패턴과 서로 대응하여 플립본딩방식으로 본딩연결된다.
또한, 상기 제 1세라믹층(10)과 제 2세라믹층(20), 상기 제 2세라믹층(20)과 제 3세라믹층(30)은 세라믹소재로 구성됨에 따라 그린시트(Green Sheet)상태로 상하접합되어 약 1350℃에서 소성되는 과정을 거치면서 서로 일체로 접합되어진다.
그리고, 상기 리드부(40)는 상기 제 1세라믹층(10)의 상부면에 타부재와의 간섭없이 플립본딩된 IC칩(2)과 상기 제 2세라믹층(20)의 접착부(22)에 타부재와의 간섭없이 플립본딩된 수정편(3)이 내부수용되는 내부공간(P)을 외부와 완전히 밀봉할 수 있도록 상기 제 3세라믹층(30)의 상부면테두리에 접착되는 이종접착수단(50)을 매개로 하여 상기 제 3세라믹층(30)의 상부를 덮는 실링부재이며, 이러한 리드부(40)는 Fe-Ni-Co 성분이 포함된 코바소재로 이루어져 있다.
여기서, 상기 이종접착수단(50)은 상기 리드부(40)와 동일하게 Fe-Ni-Co 로 이루어진 몸체(51a)의 외부면을 백금(Au)으로 코팅한 실링용 코바링(51)과, 세라믹소재와 코바소재간의 접착시 강한 접착력을 발생시킬 수 있도록 텅스텐 금속층(53a)과 니켈(Ni)금속층(53b) 및 백금(Au)금속층(53c)을 상하로 적층한 금속접착층(53)으로 구성된다.
상기한 구성을 갖는 본 발명의 수정발진기(1)를 구성하기 위해서는, 먼저 탑재하고자 하는 IC칩(2)의 하부면에 세라믹소재로 이루어진 제 1세라믹층(10)의 상부면에 인쇄된 범프연결용 패턴(12)에 맞추어 복수개의 범프(B1)를 각각 범프본드기(일본 큐마쯔사의 HW27U-H)로서 범프본딩한다.
그리고, 상기 IC칩(2)에 범프본딩된 범프(B1)와 상기 제 1세라믹층(10)상부면에 형성된 범프연결용 패턴(12)을 서로 일대일 대응시킨 상태에서 상기 범프(B1)를 플립본딩기(일본 규마쓰사의 FB50W-M)를 이용하여 플립본딩하여 탑재한다.
상기 제 1세라믹층(10)의 상부면 외측테두리에는 사각틀형상의 제 2세라믹층(20)의 하부면이 일체로 접합되어 있기 때문에, 상기 제 1세라믹층(10)의 상부면에 플립본딩방식으로 탑재된 IC칩(2)이 타부재와의 간섭없이 배치되는 탑재공간(P1)을 형성하는 것이다.
연속하여, 상기 수정편(3)의 하부면에 인쇄된 전극(3a)의 일단부에는 상기와 마찬가지로 범프본딩기로서 범프(B2)를 범프본딩한다.
그리고, 상기 수정편(3)의 하부면에 범프본딩된 범프(B2)는 상기 제 2세라믹층(20)의 내부일측단에 적어도 하나이상 돌출형성된 접착부(22)와 서로 일대일 대응시킨 상태에서, 그 상부면에 범프연결용 패드에 상기와 마찬가지로 플립본딩기로서 플립본딩방식으로 본딩연결한다.
또한, 상기 제 2세라믹층(20)의 상부면 테두리에는 상기 제 2세라믹층(20)의 접착부(22)에 일단부가 플립본딩된 수정편(3)의 타단부인 자유단이 타부재와의 간섭없이 배치될수 있는 실장공간(P2)을 형성할 수 있도록 사각틀형상의 제 3세라믹층(30)이 일체로 접합연결된다.
한편, 상기 제 3세라믹층(30)의 상부면는 세라믹소재와 코바소재간의 접착시 강한 접착력을 발생시킬 수 있도록 텅스텐 금속층(53a), 니켈(Ni)금속층(53b) 및 백금(Au)금속층(53c)이 상하로 연속하여 적층된 금속접착층(53)을 접합하고, 상기 금속접착층(53)의 상부면에는 Fe-Ni-Co 의 합금으로 이루어진 리드부(40)와 동일한 소재로 이루어진 몸체(51a)의 외부면에 백금(Au)으로 코팅한 실링용 코바링(51)를 접합하여 이종접합수단(50)을 상기 제 3세라믹층(30)의 상부면 테두리에 일체로 형성한다.
이러한 상태에서, 상기 코바링(51)의 상부면에 리드부(40)를 올려놓고, 서로 접하는 접합부위에 열원을 가하여 동일소재로 이루어진 코바링과 리드부를 초음파 열압착에 의해서 용융시켜 이들을 서로 일체로 접착한다. 이에 따라, 상기 제 1세라믹층(10)의 상부면에 플립본딩된 IC칩(2)과 상기 제 2세라믹(20)의 접착부(22)에 플립본딩된 수정편(3)이 내부수용되는 내부공간(P)을 외부와 완전히 밀봉할 수 있는 것이다.
상술한 바와같은 본 발명에 의하면, 제 1,2 및 3세라믹층으로 이루어진 세라믹패키지의 내부공간에 IC칩과 수정편을 플립본딩방식으로 동시에 내부수용함으로서 세라믹패키지의 구조를 소형화하여 부품의 효율적인 최소형 설계가 가능해진다.
그리고, 종래와 같이 세라믹소재의 중복사용을 최소하여 부품의 제조비용을 절감하여 완제품의 가격경쟁력을 향상시키고, 도전성 접착제의 경화건조과정에서 발생되는 아웃가스의 발생을 근본적으로 억제하여 부품의 특성을 안정적으로 보장하고, 소형화에 관계없이 안정적인 부품특성을 얻어 제품신뢰성을 확보할 수 있는 것이다.
본 발명은 특정한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 벗어나지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진자는 용이하게 알수 있음을 밝혀두고자 한다.
Claims (5)
- 수정편과 IC칩을 갖는 수정발진기에 있어서,상기 IC칩이 상부면에 탑재되는 제 1세라믹층;상기 제 1세라믹층의 상부면에 탑재된 IC칩이 간섭없이 배치되는 탑재공간을 형성하도록 상기 제 1세라믹층의 상부면 테두리에 하부면 테두리가 접합연결되는 제 2세라믹층;상기 제 2세라믹층의 접착부에 일단부가 본딩연결된 수정편이 간섭없이 배치되는 실장공간을 형성하도록 상기 제 2세라믹층의 상부면테두리에 하부면 테두리가 접합연결되는 제 3세라믹층;상기 IC칩,수정편이 수용되는 내부공간을 밀봉하도록 상기 제 3세라믹층의 상부면테두리에 접착되는 이종접착수단을 매개로 상기 제 3세라믹층의 상부를 덮는 리드부를 포함함을 특징으로 하는 단일패키지형 수정발진기.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1세라믹층은 상부면에 범프연결용 패턴을 인쇄하고, 상기 패턴은 상기 IC칩하부면에 범프본딩된 범프와 플립본딩됨을 특징으로 하는 단일패키지형 수정발진기.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2세라믹층은 내부일측단에 접착부를 형성하고, 상기 접착부는 상기 수평편의 일단 하부면에 범프본딩된 범프와 플립본딩됨을 특징으로 하는 단일패키지형 수정발진기.
- 제 1항에 있어서,상기 리드부는 Fe-Ni-Co 성분이 포함된 코바소재로 이루어짐을 특징으로 하는 단일패키지형 수정발진기.
- 제 1항에 있어서,상기 이종접착수단은 상기 리드부와 동일하게 Fe-Ni-Co 로 이루어진 몸체의 외부면을 백금으로 코팅한 실링용 코바링과, 세라믹소재와 코바소재간의 접착시 강한 접착력을 발생시킬 수 있도록 텅스텐 금속층과 니켈금속층 및 백금금속층을 상하적층한 금속접착층으로 구성됨을 특징으로 하는 단일패키지형 수정발진기.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100609120B1 (ko) * | 2005-05-18 | 2006-08-08 | 삼성전기주식회사 | 수정발진기용 세라믹 패키지 |
KR100751460B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2007-08-23 | (주) 세라트론 | 세라믹 패키지의 코바링 정밀 조립 방법 및 장치 |
CN116647206A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-08-25 | 北京炬玄智能科技有限公司 | 一种晶振与芯片叠封的小型化基板封装结构和加工工艺 |
-
2003
- 2003-04-15 KR KR1020030023619A patent/KR20040089809A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100609120B1 (ko) * | 2005-05-18 | 2006-08-08 | 삼성전기주식회사 | 수정발진기용 세라믹 패키지 |
KR100751460B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2007-08-23 | (주) 세라트론 | 세라믹 패키지의 코바링 정밀 조립 방법 및 장치 |
CN116647206A (zh) * | 2023-07-27 | 2023-08-25 | 北京炬玄智能科技有限公司 | 一种晶振与芯片叠封的小型化基板封装结构和加工工艺 |
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