KR20040085675A - Organic light-emitting device - Google Patents

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KR20040085675A
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Abstract

PURPOSE: An organic light emitting device is provided to reduce thermal and mechanical stresses between an inorganic layer and an organic layer, and ensure a low moisture permeability. CONSTITUTION: An organic light emitting device comprises a light emitting layer(10) having a multi-layer structure where a transparent oxide electrode layer(12), an organic light emitting layer(13), and a metal electrode layer(14) are sequentially stacked on a substrate(11); a polymer organic material flattening layer(15) deposited on the light emitting layer; a first metal thin film(16) deposited on the organic material flattening layer; a first multi-layer inorganic thin film(17) deposited into a multi-layer structure on the first metal thin film; and a dielectric thin film(18) deposited on the first multi-layer inorganic thin film.

Description

유기발광소자 {Organic light-emitting device}Organic light-emitting device

본 발명은 유기발광소자(OLED; Organic Light-Emitting Device)에 관한 것이며, 보다 상세히는 화학기상증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition)에 의해 낮은 투산소율과 투습율을 나타내도록 제조된 보호막구조를 가지는 유기발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light-emitting device (OLED), and more particularly to an organic having a protective film structure manufactured to exhibit low oxygen permeability and moisture permeability by chemical vapor deposition (CVD). It relates to a light emitting device.

공지의 유기발광소자는 직접발광, 높은 효율, 넓은 시야각 등의 여러가지 장점에도 불구하고 대기중의 수분, 산소와 반응하여 소자의 열화와 전극의 산화가 진행되면서 수명이 짧아진다는 단점이 있으며, 이에 따라서 최근에는 수분과 산소에 대한 유기발광소자의 낮은 안정성을 개선하기 위하여 여러가지 연구가 진행되고 있다.Known organic light emitting devices have shortcomings, such as direct light emission, high efficiency, and wide viewing angles, which shorten their lifespan due to deterioration of the device and oxidation of the electrode by reacting with moisture and oxygen in the air. Therefore, in recent years, various studies have been conducted to improve the low stability of the organic light emitting device against moisture and oxygen.

이와 같은 유기발광소자의 낮은 안정성을 개선하기 위하여 연구 개발된 방법으로는, 진공 증착법에 따라 유기물 혹은 무기물을 유기발광소자 위에 증착해 캡슐화하는 방법, 고분자를 유기발광소자 위에 스핀 코팅법 혹은 몰딩법에 의해 캡슐화하는 방법, 산소나 수분의 투과율이 낮은 고분자 박막을 복합화시켜 유기발광소자 주위를 캡슐화하는 방법, 유기발광소자를 쉴드 글라스로 덮어씌운 후 유기발광소자와 쉴드 글라스 사이에 실리콘 오일을 채워 수분과 산소 등을 차단하는 방법 등이 있다.In order to improve the low stability of the organic light emitting device, research and development methods include vacuum encapsulation of organic materials or inorganic materials on organic light emitting devices by encapsulation, polymer coating on organic light emitting devices by spin coating or molding. To encapsulate the organic light emitting device by encapsulating a polymer thin film having low oxygen or moisture permeability, and covering the organic light emitting device with a shield glass, and then filling a silicon oil between the organic light emitting device and the shield glass. And a method of blocking oxygen or the like.

특히, 상기와 같은 유기발광소자의 낮은 안정성 개선 방법 중에서 가장 널리 알려진 방법은 진공 증착 장비를 이용하여 건식 공정으로 유기발광소자를 캡슐화하는 것으로서, 액상 혹은 고상의 모노머를 증착 후 중합해 고분자 박막을 유기발광소자 위에 증착하는 방법과, 무기물을 증착하여 형성한 무기 박막을 유기발광소자위에 증착하는 방법, 유기물 및 무기물을 함께 유기발광소자 위에 다층으로 쌓는 방법 등이 발표되었다. 예를 들면, 미국특허 제6268695호(특허등록일; 2001년 07월 31일)에서는 진공 증착에 의해 형성된 유기/무기 복합층을 발광소자의 인캡슐레이션 박막으로 제안되었다.In particular, the most widely known method of improving the stability of the organic light emitting device as described above is to encapsulate the organic light emitting device in a dry process using a vacuum deposition equipment, and polymerized the polymer thin film by depositing a liquid or solid monomer after deposition. A method of depositing on a light emitting device, a method of depositing an inorganic thin film formed by depositing an inorganic material on an organic light emitting device, and a method of stacking organic materials and inorganic materials together on an organic light emitting device in multiple layers have been disclosed. For example, US Patent No. 6268695 (Patent Date; July 31, 2001) proposed an organic / inorganic composite layer formed by vacuum deposition as an encapsulation thin film of a light emitting device.

그러나, 일반적으로 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물과 같은 무기물들은 유기물보다 열팽창계수(coefficient of thermal expansion)가 약 10배에서 100 가량 작기 때문에, 플라스틱 기판과 같은 유기물 위에 무기물 박막을 증착하거나 무기물 위에 유기물을 증착하여 인캡슐레이션 박막을 만들 경우, 증착 과정 혹은 증착 후에 유기물과 무기물 계면에서 열적, 기계적 응력을 발생하게 된다. 이러한 응력들은 플라스틱 소자의 휨(curl) 현상을 발생시키고, 무기박막 내에 크랙(crack)이나 결함(defect)을 유발시켜 보호막의 성능을 저하시키므로, 유기물의 약 1배에서 10배 사이의 열팽창계수를 나타내는 알루미늄(Al), 티타늄(Ti)과 같은 금속 버퍼층을 유기물층과 무기물층 사이에 적절히 사용할 필요가 있다.However, in general, inorganic materials such as metal oxides, metal nitrides, and metal carbides have a coefficient of thermal expansion that is about 10 to 100 times smaller than organic materials, so that inorganic thin films are deposited on organic materials such as plastic substrates or organic materials on inorganic materials. When the encapsulation thin film is formed by depositing, thermal and mechanical stresses are generated at the organic and inorganic interface after the deposition process or the deposition. These stresses cause plastic elements to curl and cause cracks and defects in the inorganic thin film to degrade the protective film, resulting in a coefficient of thermal expansion of about 1 to 10 times the organic matter. Metal buffer layers, such as aluminum (Al) and titanium (Ti), need to be appropriately used between the organic material layer and the inorganic material layer.

따라서, 본 출원인은 무기물층과 유기물층 사이에 발생하는 열적, 기계적 응력을 줄이면서 낮은 투산소율과 투습율을 나타내는 보호막구조를 가지는 유기발광소자를 개발하게 되었으며, 본 발명의 목적은 화학기상증착법(CVD)에 의해 금속박막과, 상기 금속박막 위에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 다층 무기박막, 및 상기 다층 무기박막 위에 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 등의 유전체박막을 발광층 위에 순차적으로 증착하여 무기물층과 유기물층 사이에 발생하는 열적, 기계적 응력을 줄이면서 낮은 투산소율과 투습율을 나타내도록 제조된 유기발광소자를 제공하는데 있다.Accordingly, the present applicant has developed an organic light emitting device having a protective film structure exhibiting low oxygen permeability and moisture permeability while reducing thermal and mechanical stress generated between the inorganic material layer and the organic material layer, and an object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition method (CVD). ), A multilayer inorganic thin film having a gradual component ratio change on the metal thin film, and a dielectric thin film of metal oxide, metal nitride, metal carbide, etc. deposited on the multilayer inorganic thin film are sequentially deposited on the light emitting layer to form an inorganic material layer. The present invention provides an organic light emitting device manufactured to exhibit low oxygen permeability and moisture permeability while reducing thermal and mechanical stress generated between the organic material layer and the organic layer.

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 유기발광소자는, 기판의 발광영역을 포함하는 중앙부 위에 양극용 투명산화물 전극층과, 유기물 발광층, 및 음극용 금속전극층이 순차적으로 적층된 다층구조를 가지는 발광층과; 상기 발광층 위에 증착되는 고분자 유기물 평탄층; 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 제1 금속박막과; 상기 제1 금속박막 위에 다층으로 증착되는 제1 다층 무기박막; 및 상기 제1 다층 무기박막 위에 증착되는 유전체 박막으로 구성되는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting device for achieving the object of the present invention as described above, the light emitting layer having a multilayer structure in which a transparent oxide electrode layer for the anode, an organic material emitting layer, and a metal electrode layer for the cathode is sequentially stacked on the central portion including the light emitting region of the substrate. and; A polymer organic flat layer deposited on the light emitting layer; A first metal thin film deposited on the organic flat layer; A first multilayer inorganic thin film deposited in multiple layers on the first metal thin film; And a dielectric thin film deposited on the first multilayer inorganic thin film.

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 유기발광소자는, 상기 유전체 박막 위에 다층으로 증착되는 제2 다층 무기박막과; 상기 제2 다층 무기박막 위에 증착되는 제2 금속박막; 및 상기 제2 금속박막 위에 증착되는 유기물 박막을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device for achieving the object of the present invention as described above, the second multi-layer inorganic thin film deposited in a multi-layer on the dielectric thin film; A second metal thin film deposited on the second multilayer inorganic thin film; And an organic thin film deposited on the second metal thin film.

도 1은 본 발명에 따른 유기발광소자를 도시한 제1단면도.1 is a first cross-sectional view showing an organic light emitting device according to the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 유기발광소자의 제조과정을 도시한 순서도.FIG. 2 is a flowchart illustrating a manufacturing process of the organic light emitting diode shown in FIG. 1.

도 3은 본 발명에 따른 유기발광소자를 도시한 제2단면도.Figure 3 is a second cross-sectional view showing an organic light emitting device according to the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 유기발광소자의 제조과정을 도시한 순서도.4 is a flow chart illustrating a manufacturing process of the organic light emitting device shown in FIG.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10,20 : 발광층 11,21 : 기판10,20: light emitting layer 11,21: substrate

12,22 : 투명산화물 전극층 13,23 : 유기물 발광층12,22: transparent oxide electrode layer 13,23: organic light emitting layer

14,24 : 금속 전극층 15,25 : 유기물 평탄층14,24 metal electrode layer 15,25 organic material flat layer

16,26a,26b : 금속박막 17,27a,27b : 다층 무기박막16, 26a, 26b: metal thin film 17, 27a, 27b: multilayer inorganic thin film

18,28 : 유전체 박막 29 : 유기물 박막18,28: dielectric thin film 29: organic thin film

이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광소자는 다층구조를 가지는 발광층(10) 위에 순차적으로 적층되는 유기물 평탄층(15)과, 제1 금속박막(16),제1 다층 무기박막(17), 및 유전체 박막(18)으로 구성되며, 그 제조과정은 다음과 같이 수행된다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting diode according to the present invention includes an organic flat layer 15, a first metal thin film 16, and a first multilayer inorganic thin film 17 sequentially stacked on a light emitting layer 10 having a multilayer structure. ), And a dielectric thin film 18, the manufacturing process of which is performed as follows.

도 2를 참조하면, 먼저 상기 발광층(10)은 투명 유리 혹은 투명 플라스틱으로 된 기판(11)의 발광영역을 포함하는 중앙부 위에 ITO 소재의 양극용 투명산화물 전극층(12)을 코팅한 후, 이 투명산화물 전극층(12) 위에 NPD 소재의 정공주입/수송층(13a)과 알루미늄 트리(Alq3) 소재의 발광/전자수송층(13b)을 차례로 적층하여 유기물 발광층(13)을 형성한 다음, 상기 발광/전자수송층(13b) 위에 알루미늄(Al) 소재의 음극용 금속전극층(14)을 증착함에 따라서 제조된다.Referring to FIG. 2, first, the light emitting layer 10 coats a transparent oxide electrode layer 12 for anodes of ITO material on a central portion including a light emitting region of a substrate 11 made of transparent glass or transparent plastic. The organic light emitting layer 13 is formed by sequentially stacking the hole injection / transport layer 13a of NPD material and the light emission / electron transport layer 13b of aluminum tree (Alq 3 ) material on the oxide electrode layer 12, and then the emission / electron layer It is produced by depositing the metal electrode layer 14 for the cathode of aluminum (Al) on the transport layer (13b).

이와 같이 발광층(10)이 제조되고 나면, 상기 발광층(10) 위에 건식 혹은 습식공정으로 상기 고분자 유기물 평탄층(15)을 진공 증착하여 발광층(10)을 평탄화시키며(S10), 이때 상기 고분자 유기물 평탄층(15)은 폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막으로 수 마이크로미터(㎛) 이상의 두께로 증착된다.After the light emitting layer 10 is manufactured as described above, the light emitting layer 10 is flattened by vacuum deposition of the polymer organic flat layer 15 on a dry or wet process on the light emitting layer 10 (S10), wherein the polymer organic material is flattened. The layer 15 is a polyimide or parylene polymer thin film deposited to a thickness of several micrometers or more.

이어서, 상기 제1 금속박막(16)과 제1 다층 무기박막(17), 및 유전체 박막(18)이 C-CVD(Cold-wall CVD), IBI-CVD(Ion-beam induced CVD), PECVD(Plasma Enchanced CVD), ECR-CVD(Electron Cyclotron Resonance CVD), ICP-CVD(Inductively Coupled Plasma CVD), Cat-CVD(Catalytic CVD), HW-CVD(Hot Wire CVD) 중 어느 하나의 화학기상증착법(CVD)으로 상기 고분자 유기물 평탄층(15) 위에 순차적으로 적층된다.Subsequently, the first metal thin film 16, the first multilayer inorganic thin film 17, and the dielectric thin film 18 are formed by C-CVD (Cold-wall CVD), IBI-CVD (Ion-beam induced CVD), and PECVD ( Chemical Vapor Deposition (CVD) of any one of Plasma Enchanced CVD, ECR-Electron Cyclotron Resonance CVD, ICP-CVD, Inductively Coupled Plasma CVD, Cat-CVD, and Hot Wire CVD. ) Are sequentially stacked on the polymer organic flat layer 15.

이때, 상기 제1 금속박막(16)은 유기물 평탄층(15) 위에서 발광층(10)으로 침투하는 수분과 산소를 막고 유기물과 무기물 계면에서 열적, 기계적 응력을 줄이기 위한 버퍼층으로 증착된다(S11).In this case, the first metal thin film 16 is deposited as a buffer layer to prevent moisture and oxygen from penetrating into the light emitting layer 10 on the organic flat layer 15 and to reduce thermal and mechanical stress at the organic and inorganic interface (S11).

일예로, 상기 유기물 평탄층(15) 위에 제1 금속박막(16)을 증착할 때는 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 이동용 가스(carrier gas)로 첨가하고, 상기 제1 금속박막(16)이 알루미늄(Al) 박막인 경우는 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄(DMAH)과 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 하나 이상을 선구물질(precursor)로 사용하고, 티타늄(Ti) 박막인 경우는 사염화티탄(TiCl4)을 선구물질로 사용하며, 반도체인 실리콘(Si) 박막인 경우는 모노실란(SiH4)을 선구물질로 사용하여 증착한다.For example, when depositing the first metal thin film 16 on the organic flat layer 15, at least one of hydrogen (H 2 ) and helium (H e ) gas is added as a carrier gas (carrier gas), the When the first metal thin film 16 is an aluminum (Al) thin film, one or more of a mixture of tri-isobutyl aluminum (TIBA), dimethyl aluminum hydride (DMAH), dimethyl aluminum (DMAH) and trimethyl aluminum (TMA) may be used. In case of titanium thin film, titanium tetrachloride (TiCl 4 ) is used as a precursor, and in the case of silicon (Si) thin film, monosilane (SiH 4 ) is used as a precursor. To deposit.

다음으로, 상기 제1 금속박막(16) 위에 제1 금속박막(16)과 유전체 박막(18) 사이에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 제1 다층 무기박막(17)과 유전체 박막(18)을 순차적으로 증착할 때는, 상기 제1 다층 무기박막(17)이 금속 산화물 AlxOy, TixOy, SixOy인 경우는 반응용 가스로 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스를, 금속 질화물 AlxNy, TixNy, SixNy인 경우는 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스를, 금속 탄화물 AlxCy, TixCy, SixCy인 경우는 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스를 각각 첨가하여 제1 다층 무기박막(17)을 만든다(S12).Next, the first multilayer inorganic thin film 17 and the dielectric thin film 18 having a gradual component ratio change between the first metal thin film 16 and the dielectric thin film 18 are sequentially formed on the first metal thin film 16. In the case of deposition, when the first multilayer inorganic thin film 17 is metal oxides Al x O y , Ti x O y , and Si x O y , oxygen (O 2 ) and nitrous oxide (N 2 O) are used as reaction gases. In the case of metal nitrides Al x N y , Ti x N y , and Si x N y , nitrogen (N 2 ) and ammonia (NH 3 ) gases are used as metal carbides Al x C y , Ti x C y , and Si x. In the case of C y , methane (CH 4 ) and acetylene (C 2 H 2 ) gases are added to form a first multilayer inorganic thin film 17 (S12).

특히, 상기 제1 다층 무기박막(17)을 만들 때에는 가장 먼저, 제1 금속박막(16)을 증착하기 위하여 사용한 선구물질 위에 미량의 상기 반응용 가스를 사용하면 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 각각에 대한 성분비를 나타내는x값은 1에 가깝고 y 값은 1보다 매우 작은 무기박막, 즉 상기 제1 금속박막(16)과 성분이 거의 같은 무기박막을 만들 수 있으며, 이렇게 처음 만들어진 최하위 무기박막 위에 상기 반응용 가스의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 한층 이상의 무기박막들을 적층하여 제1 다층 무기박막(17)을 만든다.In particular, when making the first multi-layer inorganic thin film 17, first, when a small amount of the reaction gas is used on the precursor used to deposit the first metal thin film 16, the metal oxide, the metal nitride, and the metal carbide, respectively. The x value representing the component ratio to is close to 1 and the y value is very small than 1, that is, an inorganic thin film having the same composition as that of the first metal thin film 16 can be formed. The first multilayer inorganic thin film 17 is formed by stacking one or more inorganic thin films while increasing the proportion of the reaction gas continuously or stepwise.

일예로, 상기 제1 다층 무기박막(17)이 금속 산화물 AlxOy, TixOy, SixOy인 경우와 금속 질화물 AlxNy, TixNy, SixNy인 경우, 및 금속 탄화물 AlxCy, TixCy, SixCy인 경우, 상기와 같이 반응용 가스의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 한층 이상의 무기박막들을 적층하게 되면, 상기 제1 다층 무기박막(17)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지 점차적으로 증가하는 성분비 변화를 갖는 알루미늄(Al) 다층 무기박막 AlxOy, AlxNy, AlxCy중 어느 하나로 만들어지거나, 티타늄(Ti) 다층 무기박막 TixOy, TixNy, TixCy중 어느 하나로 만들어지거나, 실리콘(Si) 다층 무기박막 SixOy, SixNy, SixCy중 어느 하나로 만들어진다.For example, when the first multilayer inorganic thin film 17 is a metal oxide Al x O y , Ti x O y , Si x O y and a metal nitride Al x N y , Ti x N y , Si x N y , And metal carbides Al x C y , Ti x C y , Si x C y , wherein the first multilayer inorganic layer is formed by stacking one or more inorganic thin films while continuously or stepwise increasing the ratio of the reaction gas as described above. The thin film 17 includes aluminum (Al) having a composition ratio change in which the composition ratio of oxygen, nitrogen, and carbon to aluminum (Al), titanium (Ti), and silicon (Si) is gradually increased from the lowest inorganic thin film to the last inorganic thin film. Made of any one of a multilayer inorganic thin film Al x O y , Al x N y , Al x C y , or made of any one of titanium (Ti) multilayer inorganic thin film Ti x O y , Ti x N y , Ti x C y , The silicon (Si) multilayer inorganic thin film is made of any one of Si x O y , Si x N y , and Si x C y .

또한, 상기와 같이 적층된 제1 다층 무기박막(17)의 최상위 마지막 무기박막 위에는 상기 마지막 무기박막에 비해 수분과 산소를 막는 성분비가 완전한 금속 산화물 AlO1.5, TiO2, SiO2, 금속 질화물 AlN, TiN, SiN, 금속 탄화물 AlC, TiC, SiC 층과 같은 유전체 박막(18)이 증착된다(S13).In addition, on the uppermost last inorganic thin film of the first multilayer inorganic thin film 17 laminated as described above, the metal oxides AlO 1.5 , TiO 2 , SiO 2 , metal nitride AlN, A dielectric thin film 18 such as a TiN, SiN, metal carbide AlC, TiC, SiC layer is deposited (S13).

이와 같이 상기 유기물 평탄층(15) 위에 상기 제1 금속박막(16)과 제1 다층무기박막(17), 및 유전체 박막(18)을 순차적으로 증착하면, 증착 도중에 발생할 수 있는 유기물층과 무기물층 사이의 열적, 기계적 응력을 감소시킬 수 있으며, 이와 동시에 유전체 박막(18)이 갖는 보호 특성이 투산소율과 투습율을 낮추도록 유지된다.As described above, when the first metal thin film 16, the first multilayer inorganic thin film 17, and the dielectric thin film 18 are sequentially deposited on the organic flat layer 15, the organic material layer and the inorganic material layer, which may occur during deposition, may be formed. Thermal and mechanical stress can be reduced, and at the same time the protective properties of the dielectric thin film 18 are maintained to lower the oxygen permeability and moisture permeability.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 유기발광소자는 도 1에 도시된 유기발광소자 위에 순차적으로 적층되는 제2 다층 무기박막(27b)과, 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)을 더 포함하여 유기물층과 무기물층의 다층구조를 갖도록 구성되된다.Referring to FIG. 3, an organic light emitting diode according to the present invention includes a second multilayer inorganic thin film 27b, a second metal thin film 26b, and an organic thin film 29 that are sequentially stacked on the organic light emitting diode illustrated in FIG. 1. It is configured to have a multi-layer structure of an organic material layer and an inorganic material further comprising.

실제로, 도 3에 도시된 유기발광소자는 다층구조를 가지는 발광층(20) 위에 순차적으로 적층되는 유기물 평탄층(25)과, 제1 금속박막(26a), 제1 다층 무기박막(27a), 유전체 박막(28), 제2 다층 무기박막(27b)과, 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)으로 구성되며,그 제조과정은 다음과 같이 수행된다.In fact, the organic light emitting device illustrated in FIG. 3 includes an organic flat layer 25 sequentially stacked on the light emitting layer 20 having a multilayer structure, a first metal thin film 26a, a first multilayer inorganic thin film 27a, and a dielectric material. The thin film 28, the second multilayer inorganic thin film 27b, the second metal thin film 26b, and the organic thin film 29 are formed, and the manufacturing process is performed as follows.

도 4를 참조하면, 도 3의 발광층(20)과, 유기물 평탄층(25), 제1 금속박막(26a), 제1 다층 무기박막(27a), 및 유전체 박막(28)을 각각 제조하는 과정(S20∼S23)은, 도 2에 있어서 도 1의 발광층(10)과, 유기물 평탄층(15), 제1 금속박막(16), 제1 다층 무기박막(17), 및 유전체 박막(18)을 각각 제조하는 과정(S10∼S23)과 동일하게 수행되며, 이하에서는 상기 제2 다층 무기박막(27b)과, 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)을 제조과정을 상세히 설명하기로 한다.Referring to FIG. 4, a process of manufacturing the light emitting layer 20, the organic flat layer 25, the first metal thin film 26a, the first multilayer inorganic thin film 27a, and the dielectric thin film 28 of FIG. 3, respectively. S20 to S23 include the light emitting layer 10 of FIG. 1, the organic flat layer 15, the first metal thin film 16, the first multilayer inorganic thin film 17, and the dielectric thin film 18. It is carried out in the same manner as the manufacturing process (S10 ~ S23), respectively, and will be described below in detail the manufacturing process of the second multilayer inorganic thin film 27b, the second metal thin film 26b, and the organic thin film 29 Shall be.

상기와 같이 도 2에 도시된 제조과정과 동일한 방법으로 상기 발광층(20) 위에 유기물 평탄층(25)과 제1 금속박막(26a), 제1 다층 무기박막(27a), 및 유전체 박막(28)이 순차적으로 증착되고 나면, 상기 유전체 박막(28) 위에는 유전체 박막(28)과 상기 제2 금속박막(26b) 사이에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 제2 다층 무기박막(27b)이 증착된다(S24).As described above, the organic flat layer 25, the first metal thin film 26a, the first multilayer inorganic thin film 27a, and the dielectric thin film 28 are formed on the emission layer 20 in the same manner as in the manufacturing process illustrated in FIG. 2. After the sequential deposition, the second multilayer inorganic thin film 27b having a gradual change in component ratio is deposited on the dielectric thin film 28 between the dielectric thin film 28 and the second metal thin film 26b (S24). .

이때, 상기 제2 다층 무기박막(27b)이 금속 산화물 AlxOy, TixOy, SixOy인 경우는 반응용 가스로 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스를, 금속 질화물 AlxNy, TixNy, SixNy인 경우는 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스를, 금속 탄화물 AlxCy, TixCy, SixCy인 경우는 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스를 각각 첨가하여 제2 다층 무기박막(27b)을 만든다.At this time, when the second multilayer inorganic thin film 27b is a metal oxide Al x O y , Ti x O y , Si x O y , oxygen (O 2 ) and nitrous oxide (N 2 O) gases are used as reaction gases. In the case of the metal nitrides Al x N y , Ti x N y , and Si x N y , nitrogen (N 2 ) and ammonia (NH 3 ) gases are added to the metal carbides Al x C y , Ti x C y , and Si x C y. In the case of methane (CH 4 ) and acetylene (C 2 H 2 ) gas is added to form a second multilayer inorganic thin film 27b, respectively.

특히, 상기 제2 다층 무기박막(27b)을 만들 때에는 가장 먼저, 상기 제1 금속박막(26a)을 증착하기 위하여 사용한 선구물질 위에 미량의 상기 반응용 가스를 사용하면 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 각각에 대한 성분비를 나타내는 x값은 1보다 매우 작고 y값은 1에 가까운 무기박막, 즉 상기 유전체 박막(28)과 성분이 거의 같은 무기박막을 만들 수 있으며, 이렇게 처음 만들어진 최하위 무기박막 위에 상기 반응용 가스의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 상기 유전체 박막(28)을 기준으로 제1 다층 무기박막(27a)과 대칭 구조를 갖는 한층 이상의 무기박막들을 적층하여 제2 다층 무기박막(27b)을 만든다.In particular, when making the second multilayer inorganic thin film 27b, first of all, if a small amount of the reaction gas is used on the precursor used to deposit the first metal thin film 26a, the metal oxide, the metal nitride, and the metal carbide are used. The x value representing the component ratio for each is very small than 1 and the y value is close to 1, i.e., an inorganic thin film having almost the same components as the dielectric thin film 28 can be formed. The second multilayer inorganic thin film 27b is formed by stacking one or more inorganic thin films having a symmetrical structure with the first multilayer inorganic thin film 27a based on the dielectric thin film 28 while continuously or stepwise decreasing the ratio of the gas. .

일예로, 상기 제2 다층 무기박막(27b)이 금속 산화물 AlxOy, TixOy, SixOy인경우와 금속 질화물 AlxNy, TixNy, SixNy인 경우, 및 금속 탄화물 AlxCy, TixCy, SixCy인 경우, 상기와 같이 반응용 가스의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 한층 이상의 무기박막들을 적층하게 되면, 상기 제2 다층 무기박막(27b)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지 점차적으로 감소하는 성분비 변화를 갖는 알루미늄(Al) 다층 무기박막 AlxOy, AlxNy, AlxCy중 어느 하나로 만들어지거나, 티타늄(Ti) 다층 무기박막 TixOy, TixNy, TixCy중 어느 하나로 만들어지거나, 실리콘(Si) 다층 무기박막 SixOy, SixNy, SixCy중 어느 하나로 만들어진다.For example, when the second multilayer inorganic thin film 27b is a metal oxide Al x O y , Ti x O y , Si x O y, and a metal nitride Al x N y , Ti x N y , Si x N y , And metal carbides Al x C y , Ti x C y , and Si x C y , wherein the second multilayer inorganic thin film is formed by stacking one or more inorganic thin films while continuously or stepwise decreasing the ratio of the reaction gas as described above. (27b) is an aluminum (Al) multilayer having a component ratio change in which the composition ratio of oxygen, nitrogen, and carbon to aluminum (Al), titanium (Ti), and silicon (Si) gradually decreases from the lowest inorganic thin film to the highest last inorganic thin film. Inorganic thin film made of any one of Al x O y , Al x N y , Al x C y , made of any one of titanium (Ti) multilayer inorganic thin film Ti x O y , Ti x N y , Ti x C y , or silicon (Si) A multilayer inorganic thin film is made of any one of Si x O y , Si x N y , and Si x C y .

이어서, 상기 제2 다층 무기박막(27b) 위에 제2 금속박막(26b)을 증착할 때는 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 이동용 가스(carrier gas)로 첨가하고, 상기 제1 금속박막(26a)이 알루미늄(Al) 박막인 경우는 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄(DMAH)과 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 하나 이상을 선구물질로 사용하고, 티타늄(Ti) 박막인 경우는 사염화티탄(TiCl4)을 선구물질로 사용하며, 반도체인 실리콘(Si) 박막인 경우는 모노실란(SiH4)을 선구물질로 사용하여 증착한다(S25).Subsequently, when depositing the second metal thin film 26b on the second multilayer inorganic thin film 27b, at least one of hydrogen (H 2 ) and helium (H e ) gas is added as a carrier gas, When the first metal thin film 26a is an aluminum (Al) thin film, one or more of a mixture of tri-isobutyl aluminum (TIBA), dimethyl aluminum hydride (DMAH), dimethyl aluminum (DMAH) and trimethyl aluminum (TMA) Is used as a precursor, titanium tetrachloride (TiCl 4 ) is used as a precursor, and in the case of silicon (Si) thin film, monosilane (SiH 4 ) is used as a precursor. To deposit (S25).

상기 제2 금속박막(26b)이 제2 다층 무기박막(27b) 위에 증착되고 나면, 마지막으로 상기 제2 금속박막(26b) 위에 건식 혹은 습식공정으로 상기 고분자 유기물 박막(29)을 진공 증착하여(S26) 유기물층과 무기물층의 다층구조를 갖는 보호막구조를 완성한다. 이때, 상기 고분자 유기물 박막(29)은 폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막으로 수 마이크로미터(㎛) 이상의 두께로 증착된다.After the second metal thin film 26b is deposited on the second multilayer inorganic thin film 27b, finally, the polymer organic thin film 29 is vacuum deposited on the second metal thin film 26b by a dry or wet process ( S26) A protective film structure having a multilayer structure of an organic material layer and an inorganic material layer is completed. In this case, the polymer organic thin film 29 is a polyimide or parylene polymer thin film is deposited to a thickness of several micrometers (μm) or more.

상기한 바와 같이 유기물 평탄층(25) 위에 상기 제1 금속박막(26a)과 제1 다층 무기박막(27a), 유전체 박막(28), 제2 다층 무기박막(27b), 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)을 순차적으로 증착하면, 증착 도중에 발생할 수 있는 유기물층과 무기물층 사이의 열적, 기계적 응력을 감소시킬 수 있으며, 이와 동시에 유전체 박막(28)과 유기물 박막(29)이 갖는 보호 특성이 투산소율과 투습율을 낮추도록 유지된다.As described above, the first metal thin film 26a, the first multilayer inorganic thin film 27a, the dielectric thin film 28, the second multilayer inorganic thin film 27b, and the second metal thin film 26b are formed on the organic flat layer 25. , And sequentially depositing the organic thin film 29 can reduce the thermal and mechanical stress between the organic layer and the inorganic layer that may occur during the deposition, and at the same time the dielectric thin film 28 and the organic thin film 29 Protective properties are maintained to lower the oxygen and oxygen rates.

한편, 본 발명에 따른 실시예에 있어서 상기 제1 금속박막(26a)과 제1 다층 무기박막(27a), 유전체 박막(28), 제2 다층 무기박막(27b), 제2 금속박막(26b), 및 유기물 박막(29)으로 된 유기물층과 무기물층의 순차적 적층구조를 한 번 이상 반복하여 적층하면 다중 보호막구조를 제조할 수 있다.Meanwhile, in the embodiment of the present invention, the first metal thin film 26a, the first multilayer inorganic thin film 27a, the dielectric thin film 28, the second multilayer inorganic thin film 27b, and the second metal thin film 26b. When the sequential lamination structure of the organic material layer and the inorganic material layer made of the organic thin film 29 and the inorganic material layer are repeatedly stacked one or more times, a multiple protective film structure can be manufactured.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 유기발광소자는 화학기상증착법(CVD)에 의해 금속박막과, 상기 금속박막 위에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 다층 무기박막, 및 상기 다층 무기박막 위에 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 등의 유전체 박막을 유기발광소자 위에 순차적으로 적층하여 제조되므로, 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the organic light emitting device according to the present invention is a metal thin film by chemical vapor deposition (CVD), a multilayer inorganic thin film having a gradual component ratio change on the metal thin film, and a metal oxide, metal deposited on the multilayer inorganic thin film Since a dielectric thin film of nitride, metal carbide or the like is sequentially laminated on the organic light emitting device, the following effects are obtained.

첫째, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물과 같은 유전체 박막을 사용하므로 낮은 투산소율과 투습율 확보가 용이하다.First, since a dielectric thin film such as metal oxide, metal nitride, and metal carbide is used, it is easy to secure low oxygen permeability and moisture permeability.

둘째, 유기발광소자의 유기물 평탄층과 다층 무기박막 사이에 유기물의 약 1배에서 10배 사이의 열팽창계수를 나타내는 금속박막을 버퍼층으로 사용하고 이 금속박막과 유전체 박막 사이에서 점차적인 성분비 변화를 갖는 다층 무기박막이 중간층으로 사용되므로 무기물층과 유기물층 사이에 발생하는 열적, 기계적 응력을 줄일 수 있다.Second, a metal thin film having a thermal expansion coefficient of about 1 to 10 times the organic material is used as a buffer layer between the organic flat layer of the organic light emitting device and the multilayer inorganic thin film, and has a gradual change in component ratio between the metal thin film and the dielectric thin film. Since the multilayer inorganic thin film is used as an intermediate layer, thermal and mechanical stresses generated between the inorganic material layer and the organic material layer can be reduced.

셋째, 다층 보호막 형성 시, 하나의 화학기상증착 장비에서 여러 이동용 가스 또는 반응용 가스들의 혼합비만 바꾸어 사용하여 단계적으로 금속박막부터 유전체박막까지 증착하므로 생산성 및 공정성 확보가 용이하다.Third, when forming a multi-layered protective film, it is easy to ensure productivity and processability by depositing from the metal thin film to the dielectric thin film in stages using only a mixed ratio of several moving gases or reaction gases in one chemical vapor deposition equipment.

넷째, 이와 같이 제조된 다층 보호막 소자 위에 습식 또는 건식공정을 통한 유기물 소재의 박막을 캡슐화시켜 형성할 경우, 유기물을 증착하기 전에 단계적으로 유전체 박막에서 금속박막까지 다층 무기박막을 형성하여 유기물층/무기물층 계면 사이에 발생하는 열적, 기계적 응력을 줄일 수 있다.Fourth, in the case of forming the encapsulated thin film of an organic material through a wet or dry process on the multilayer protective film device manufactured as above, the organic material layer / inorganic layer by forming a multilayer inorganic thin film from the dielectric thin film to the metal thin film step by step before depositing the organic material. The thermal and mechanical stresses generated between the interfaces can be reduced.

다섯째, 이와 같이 형성된 유기물/무기물의 다층 보호막구조를 유기물 전계효과 트랜지스터와 같은 유기물 반도체 소자에 캡슐화시켜 유기물 반도체 소자의 수명 증대를 기대할 수 있다.Fifth, the multilayer protective film structure of the organic material / inorganic material thus formed may be encapsulated in an organic semiconductor device such as an organic field effect transistor, thereby increasing the life of the organic semiconductor device.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 유기발광소자를 제조하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is only one embodiment for manufacturing the organic light emitting device according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, it departs from the gist of the invention claimed in the following claims Without this, anyone skilled in the art to which the present invention pertains will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

Claims (29)

기판의 발광영역을 포함하는 중앙부 위에 양극용 투명산화물 전극층과, 유기물 발광층, 및 음극용 금속전극층이 순차적으로 적층된 다층구조를 가지는 발광층과;A light emitting layer having a multilayer structure in which a transparent oxide electrode layer for an anode, an organic light emitting layer, and a metal electrode layer for a cathode are sequentially stacked on a central portion including a light emitting region of a substrate; 상기 발광층 위에 증착되는 고분자 유기물 평탄층;A polymer organic flat layer deposited on the light emitting layer; 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 제1 금속박막과;A first metal thin film deposited on the organic flat layer; 상기 제1 금속박막 위에 다층으로 증착되는 제1 다층 무기박막; 및A first multilayer inorganic thin film deposited in multiple layers on the first metal thin film; And 상기 제1 다층 무기박막 위에 증착되는 유전체 박막A dielectric thin film deposited on the first multilayer inorganic thin film 으로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Organic light emitting device, characterized in that consisting of. 제 1 항에 있어서, 상기 유기발광소자는The method of claim 1, wherein the organic light emitting device 상기 유전체 박막 위에 다층으로 증착되는 제2 다층 무기박막과;A second multilayer inorganic thin film deposited in multiple layers on the dielectric thin film; 상기 제2 다층 무기박막 위에 증착되는 제2 금속박막; 및A second metal thin film deposited on the second multilayer inorganic thin film; And 상기 제2 금속박막 위에 증착되는 유기물 박막Organic thin film deposited on the second metal thin film 을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device, characterized in that further comprises. 제 1 항에 있어서, 상기 고분자 유기물 평탄층은The method of claim 1, wherein the polymer organic flat layer 발광층 위에 건식 혹은 습식공정으로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device, characterized in that deposited on the light emitting layer by a dry or wet process. 제 3 항에 있어서, 상기 고분자 유기물 평탄층은The method of claim 3, wherein the polymer organic flat layer is 폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device, characterized in that the polyimide (polyimide) or parylene (parylene) polymer thin film. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은The method of claim 1, wherein the first metal thin film 특정 선구물질에 특정 이동용 가스를 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device, characterized in that the deposition on the organic flat layer by chemical vapor deposition (CVD) to add a specific mobile gas to a specific precursor material. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은The method of claim 5, wherein the first metal thin film 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 알루미늄(Al) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.In at least one of a mixture of tri-isobutyl aluminum (TIBA), dimethylaluminum hydride (DMAH), dimethylaluminum hydride (DMAH) and trimethylaluminum (TMA) in hydrogen (H 2 ) and helium (H e ) gases An organic light emitting device, characterized in that the thin film of aluminum (Al) deposited on the organic flat layer by chemical vapor deposition (CVD) to add one or more. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은The method of claim 5, wherein the first metal thin film 사염화티탄(TiCl4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 티타늄(Ti) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Titanium tetrachloride (TiCl 4 ) is a thin film of titanium (Ti) deposited on the organic flat layer by chemical vapor deposition (CVD) to add any one or more of hydrogen (H 2 ) and helium (H e ) gas. An organic light emitting device. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속박막은The method of claim 5, wherein the first metal thin film 모노실란(SiH4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 실리콘(Si) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.It is a silicon (Si) thin film deposited on the organic flat layer by chemical vapor deposition (CVD) to add any one or more of hydrogen (H 2 ) and helium (H e ) gas to monosilane (SiH 4 ). An organic light emitting device. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은The method of claim 1, wherein the first multilayer inorganic thin film 상기 제1 금속박막의 선구물질에 특정 반응용 가스의 비율을 점진적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제1 금속박막 위에 다층으로 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Any of metal oxides, metal nitrides, and metal carbides deposited in multiple layers on the first metal thin film by chemical vapor deposition (CVD), which is gradually added to the precursor of the first metal thin film while gradually increasing the ratio of a specific reaction gas. Organic light emitting device, characterized in that one. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은The method of claim 9, wherein the first multilayer inorganic thin film 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 알루미늄(Al)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 증가하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 알루미늄 산화물 AlxOy, 알루미늄 질화물 AlxNy, 알루미늄 탄화물 AlxCy중 어느 하나로 된 알루미늄(Al) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Oxygen (O 2 ) and nitrous oxide (N 2 O) in at least one of a mixture of tri-isobutyl aluminum (TIBA), dimethylaluminum hydride (DMAH), dimethylaluminum hydride (DMAH) and trimethylaluminum (TMA) By chemical vapor deposition (CVD), which adds continuously or stepwisely increasing the ratio of one or more of the gases, the composition ratio of oxygen, nitrogen, and carbon to aluminum (Al) is continuously or stepwise from the lowest inorganic thin film to the highest last inorganic thin film. An organic light emitting device, characterized in that the aluminum (Al) multilayer inorganic thin film made of any one of aluminum oxide Al x O y , aluminum nitride Al x N y , aluminum carbide Al x C y manufactured to have an increasing component ratio change. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은The method of claim 9, wherein the first multilayer inorganic thin film 사염화티탄(TiCl4)에 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 티타늄(Ti)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 증가하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 티타늄 산화물 TixOy, 티타늄 질화물 TixNy, 티타늄 탄화물 TixCy중 어느 하나로 된 티타늄(Ti) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Oxygen and nitrogen to titanium (Ti) by chemical vapor deposition (CVD), which is added to the titanium tetrachloride (TiCl 4 ) while increasing the ratio of at least one of nitrogen (N 2 ) and ammonia (NH 3 ) gas continuously or stepwise. , Titanium oxide Ti x O y , titanium nitride Ti x N y , or titanium carbide Ti x C y prepared so that the composition ratio of carbon is continuously or gradually increased from the lowest inorganic thin film to the last inorganic thin film An organic light emitting diode, characterized in that the titanium (Ti) multilayer inorganic thin film. 제 9 항에 있어서, 상기 제1 다층 무기박막은The method of claim 9, wherein the first multilayer inorganic thin film 모노실란(SiH4)에 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 증가시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 증가하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 실리콘 산화물 SixOy, 실리콘 질화물 SixNy, 실리콘 탄화물 SixCy중 어느 하나로 된 실리콘(Si) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Oxygen to Silicon (Si) by Chemical Vapor Deposition (CVD), in which the ratio of at least one of methane (CH 4 ) and acetylene (C 2 H 2 ) gas to monosilane (SiH 4 ) is increased continuously or stepwise. Of silicon oxides Si x O y , silicon nitride Si x N y , and silicon carbide Si x C y , wherein the composition ratios of nitrogen, carbon and carbon have a component ratio change that increases continuously or stepwise from the lowest inorganic thin film to the last inorganic thin film An organic light emitting device, characterized in that any one of a silicon (Si) multilayer inorganic thin film. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체 박막은The method of claim 1, wherein the dielectric thin film 상기 제1 금속박막의 선구물질에 특정 반응용 가스를 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제1 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Any one of metal oxides, metal nitrides, and metal carbides deposited on the topmost inorganic thin film of the first multilayer inorganic thin film by chemical vapor deposition (CVD) which adds a specific reaction gas to the precursor of the first metal thin film. An organic light emitting device characterized in that. 제 13 항에 있어서, 상기 유전체 박막은The method of claim 13, wherein the dielectric thin film 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 제조된 알루미늄 산화물 AlO1.5, 알루미늄 질화물 AlN, 알루미늄 탄화물 AlC 중 어느 하나로 된 알루미늄(Al) 유전체 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Oxygen (O 2 ) and nitrous oxide (N 2 O) in at least one of a mixture of tri-isobutyl aluminum (TIBA), dimethylaluminum hydride (DMAH), dimethylaluminum hydride (DMAH) and trimethylaluminum (TMA) An organic light emitting diode, characterized in that the aluminum (Al) dielectric thin film made of any one of aluminum oxide AlO 1.5 , aluminum nitride AlN, aluminum carbide AlC produced by chemical vapor deposition (CVD) to add any one or more of the gas. 제 13 항에 있어서, 상기 유전체 박막은The method of claim 13, wherein the dielectric thin film 사염화티탄(TiCl4)에 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 제조된 티타늄 산화물 TiO2, 티타늄 질화물 TiN, 티타늄 탄화물 TiC 중 어느 하나로 된 티타늄(Ti) 유전체 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Titanium oxide TiO 2 , titanium nitride TiN, titanium carbide TiC prepared by chemical vapor deposition (CVD) which adds at least one of nitrogen (N 2 ) and ammonia (NH 3 ) gas to titanium tetrachloride (TiCl 4 ) An organic light-emitting device, characterized in that the one titanium (Ti) dielectric thin film. 제 13 항에 있어서, 상기 유전체 박막은The method of claim 13, wherein the dielectric thin film 모노실란(SiH4)에 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 제조된 실리콘 산화물 SiO2, 실리콘 질화물 SiN, 실리콘 탄화물 SiC 중 어느 하나로 된 실리콘(Si) 유전체 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Silicon oxide SiO 2 , silicon nitride SiN, silicon carbide SiC prepared by chemical vapor deposition (CVD) adding at least one of methane (CH 4 ) and acetylene (C 2 H 2 ) gas to monosilane (SiH 4 ) An organic light emitting device, characterized in that the silicon (Si) dielectric thin film of any one. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은The method of claim 2, wherein the second multilayer inorganic thin film 상기 제1 금속박막의 선구물질에 특정 반응용 가스의 비율을 점진적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유전체 박막 위에 다층으로 증착되는 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Any one of metal oxides, metal nitrides, and metal carbides deposited in multiple layers on the dielectric thin film by chemical vapor deposition (CVD), which is gradually added to the precursor of the first metal thin film while gradually decreasing the ratio of a specific reaction gas. An organic light emitting device characterized in that. 제 17 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은The method of claim 17, wherein the second multilayer inorganic thin film 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 산소(O2)와 아산화질소(N2O) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 알루미늄(Al)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 감소하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 알루미늄 산화물 AlxOy, 알루미늄 질화물 AlxNy, 알루미늄 탄화물 AlxCy중 어느 하나로 된 알루미늄(Al) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Oxygen (O 2 ) and nitrous oxide (N 2 O) in at least one of a mixture of tri-isobutyl aluminum (TIBA), dimethylaluminum hydride (DMAH), dimethylaluminum hydride (DMAH) and trimethylaluminum (TMA) By chemical vapor deposition (CVD), which adds continuously or stepwisely decreases the ratio of one or more of the gases, the composition ratio of oxygen, nitrogen, and carbon to aluminum (Al) is continuously or stepwise from the lowest inorganic thin film to the last highest inorganic thin film. An organic light emitting device, characterized in that the aluminum (Al) multilayer inorganic thin film made of any one of aluminum oxide Al x O y , aluminum nitride Al x N y , aluminum carbide Al x C y manufactured to have a decreasing component ratio change. 제 17 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은The method of claim 17, wherein the second multilayer inorganic thin film 사염화티탄(TiCl4)에 질소(N2)와 암모니아(NH3) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 티타늄(Ti)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 감소하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 티타늄 산화물 TixOy, 티타늄 질화물 TixNy, 티타늄 탄화물 TixCy중 어느 하나로 된 티타늄(Ti) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Oxygen and nitrogen to titanium (Ti) by chemical vapor deposition (CVD) added to the titanium tetrachloride (TiCl 4 ) while continuously or stepwise reducing the ratio of at least one of nitrogen (N 2 ) and ammonia (NH 3 ) gas. , Titanium oxide Ti x O y , titanium nitride Ti x N y , titanium carbide Ti x C y An organic light emitting diode, characterized in that the titanium (Ti) multilayer inorganic thin film. 제 17 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막은The method of claim 17, wherein the second multilayer inorganic thin film 모노실란(SiH4)에 메탄(CH4)과 아세틸렌(C2H2) 가스 중 어느 하나 이상의 비율을 연속적이거나 단계적으로 감소시키면서 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 실리콘(Si)에 대한 산소, 질소, 탄소의 조성비가 최하위 무기박막에서부터 최상위의 마지막 무기박막까지 연속적이거나 단계적으로 감소하는 성분비 변화를 갖도록 제조된 실리콘 산화물 SixOy, 실리콘 질화물 SixNy, 실리콘 탄화물 SixCy중 어느 하나로 된 실리콘(Si) 다층 무기박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Oxygen to Silicon (Si) by Chemical Vapor Deposition (CVD), which is added to the monosilane (SiH 4 ) while continuously or stepwise reducing the ratio of one or more of methane (CH 4 ) and acetylene (C 2 H 2 ) gas. Of silicon oxides Si x O y , silicon nitride Si x N y , and silicon carbide Si x C y which have a compositional ratio in which the composition ratio of nitrogen, carbon, is continuously or gradually decreased from the lowest inorganic thin film to the last inorganic thin film An organic light emitting device, characterized in that any one of a silicon (Si) multilayer inorganic thin film. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은The method of claim 2, wherein the second metal thin film 특정 선구물질에 특정 이동용 가스를 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 유기물 평탄층 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device, characterized in that the deposition on the organic flat layer by chemical vapor deposition (CVD) to add a specific mobile gas to a specific precursor material. 제 21 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은The method of claim 21, wherein the second metal thin film 트리-이소부틸 알루미늄(TIBA), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH), 디메틸알루미늄 하이드라이드(DMAH)와 트리메틸알루미늄(TMA)의 혼합체 중의 어느 하나 이상에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제2 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 알루미늄(Al) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.In at least one of a mixture of tri-isobutyl aluminum (TIBA), dimethylaluminum hydride (DMAH), dimethylaluminum hydride (DMAH) and trimethylaluminum (TMA) in hydrogen (H 2 ) and helium (H e ) gases An organic light emitting device, characterized in that the aluminum (Al) thin film deposited on the topmost inorganic thin film of the second multilayer inorganic thin film by chemical vapor deposition (CVD) to add any one or more. 제 21 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은The method of claim 21, wherein the second metal thin film 사염화티탄(TiCl4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제2 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 티타늄(Ti) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Titanium deposited on the topmost inorganic thin film of the second multilayer inorganic thin film by chemical vapor deposition (CVD) adding at least one of hydrogen (H 2 ) and helium (H e ) gas to titanium tetrachloride (TiCl 4 ). Ti) thin film of the organic light emitting device. 제 21 항에 있어서, 상기 제2 금속박막은The method of claim 21, wherein the second metal thin film 모노실란(SiH4)에 수소(H2)와 헬륨(He) 가스 중 어느 하나 이상을 첨가하는 화학기상증착법(CVD)에 의해 상기 제2 다층 무기박막의 최상위 마지막 무기박막 위에 증착되는 실리콘(Si) 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.Silicon deposited on the topmost inorganic thin film of the second multilayer inorganic thin film by chemical vapor deposition (CVD) which adds at least one of hydrogen (H 2 ) and helium (H e ) gas to monosilane (SiH 4 ). Si) an organic light emitting device, characterized in that the thin film. 제 2 항에 있어서, 상기 제2 다층 무기박막의 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지의 순차적 적층구조는 상기 유전체 박막을 기준으로 상기 제1 다층 무기박막의 최하위 무기박막에서부터 최상위 마지막 무기박막까지의 순차적 적층구조와 서로 대칭인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.3. The method of claim 2, wherein the sequential lamination structure from the lowest inorganic thin film of the second multilayer inorganic thin film to the highest last inorganic thin film is from the lowest inorganic thin film of the first multi-layer inorganic thin film to the highest last inorganic thin film based on the dielectric thin film. An organic light emitting device, characterized in that the sequential stacked structure and symmetric with each other. 제 2 항에 있어서, 상기 유기물 박막은The method of claim 2, wherein the organic thin film 상기 제2 금속박막 위에 건식 혹은 습식공정으로 증착되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The organic light emitting device, characterized in that the deposition on the second metal thin film by a dry or wet process. 제 26 항에 있어서, 상기 유기물 박막은The method of claim 26, wherein the organic thin film 폴리이미드(polyimide)나 파릴렌(parylene) 고분자 박막인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device, characterized in that the polyimide (polyimide) or parylene (parylene) polymer thin film. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 금속박막과 제1 다층 무기박막, 유전체 박막, 제2 다층 무기 박막, 및 제2 금속박막은,The method of claim 1 or 2, wherein the first metal thin film, the first multilayer inorganic thin film, the dielectric thin film, the second multilayer inorganic thin film, and the second metal thin film, C-CVD, IBI-CVD, PECVD, ECR-CVD, ICP-CVD, Cat-CVD, HW-CVD 중 어느 하나의 화학기상증착법(CVD)으로 제조되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device, which is manufactured by chemical vapor deposition (CVD) of any one of C-CVD, IBI-CVD, PECVD, ECR-CVD, ICP-CVD, Cat-CVD, and HW-CVD. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기발광소자는According to claim 1 or claim 2, wherein the organic light emitting device 상기 제1 금속박막과 제1 다층 무기박막, 유전체 박막, 제2 다층 무기 박막, 제2 금속박막, 및 유기물 박막으로 된 순차적 적층구조가 반복 적층된 다중 보호막구조인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device according to claim 1, wherein the sequential lamination structure of the first metal thin film, the first multilayer inorganic thin film, the dielectric thin film, the second multilayer inorganic thin film, the second metal thin film, and the organic thin film is repeatedly laminated.
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