KR20040083911A - Field emission display device and method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 평판 디스플레이 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전계방출 디스플레이장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a flat panel display device, and more particularly, to a field emission display device and a manufacturing method thereof.
일반적으로 평판 디스플레이 장치(FPD;Flat Panel Display)는 두 기판 사이에 사이드 벽을 세워 밀폐된 용기를 제조하고, 이 용기의 내부에 적절한 소재를 배치하여 원하는 화면을 표시하는 장치로서, 최근들어 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다.In general, a flat panel display (FPD) is a device for manufacturing a sealed container by standing side walls between two substrates, and placing a suitable material inside the container to display a desired screen. Its importance is increasing with development.
이에 부응하여 액정디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 개발되어 실용화되고 있으며, 특히 시야각, 고속응답, 고휘도, 고정세, 소비전력, 박형 등의 관점에서 만족스러운 디스플레이 장치인 전계방출 디스플레이(Field Emission Display; 이하 FED라 한다)는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.In response to this, various flat panel displays such as liquid crystal displays (LCDs) and plasma display panels (PDPs) have been developed and put into practical use, and are particularly satisfactory in view of viewing angle, high speed response, high brightness, high definition, power consumption, and thinness. Field emission displays (hereinafter referred to as FEDs) as display devices are attracting attention as next generation displays.
이러한 전계방출 디스플레이는 음극선관(CRT)과 동일하게 전자선에 의한 형광체 발광을 이용함에 따라, 음극선관(CRT)의 뛰어난 특성을 유지하면서도 화상의 뒤틀림이 없이 저소비전력의 평면형 디스플레이로 구현할 수 있는 가능성이 높다.The field emission display uses phosphor emission by electron beams in the same way as the cathode ray tube (CRT), and thus it is possible to implement a flat panel display having low power consumption without distortion of the image while maintaining excellent characteristics of the cathode ray tube (CRT). high.
일반적으로, FED는 종래의 진공관과 같이 3극관이지만 열음극(Hot Cathod)을 이용하지 않고 첨예한 음극 즉, 에미터(Emitter)에 고전계를 집중하여 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의해 전자를 방출하는 냉음극을 이용하고 있다. 그리고, 에미터로부터 방출된 전자는 캐소드 전극 및 애노드 전극 사이에 인가된 전압에 의해 가속되어 양극에 형성된 형광층에 충돌됨으로써 형광체를 발광시키게 된다.In general, the FED is a triode like a conventional vacuum tube, but concentrates a high field on a sharp cathode, that is, an emitter, without using a hot cathode, thereby quantizing electrons by a quantum mechanical tunnel effect. The cold cathode which emits is used. The electrons emitted from the emitter are accelerated by the voltage applied between the cathode electrode and the anode electrode and collide with the fluorescent layer formed on the anode to emit the phosphor.
이러한 FED의 제조에 있어 마이크로팁(microtip)을 대체할 새로운 전자방출원으로, 최근 탄소나노튜브(carbon nanotube; 이하 CNT라 칭함)가 각광을 받고 있으며, FED 제작을 위해 CNT를 이용하기 위한 방법으로는 프린트법(printing method), 전기이동법(electrophoresis method), 그리고 직접성장법(direct growth method) 등이 제시되고 있다.As a new electron emission source to replace the microtip in the manufacture of such a FED, carbon nanotubes (CNTs) are in the spotlight recently, and as a method for using the CNT for manufacturing the FED The printing method, the electrophoresis method, and the direct growth method have been proposed.
종래 기출원된 발명으로 특허출원번호 제2000-0071340호에서는 도 3에 도시한 바와 같이, 캐소드 전극(31) 위에 형성된 CNT 에미터(33)를 이용하여 전계를 효율적으로 집중시킬 수 있고 누설전류를 줄일 수 있는 삼전극구조의 전계 방출 소자를 제안하고 있다.In the patent application No. 2000-0071340 of the prior art, as shown in FIG. 3, the electric field can be efficiently concentrated using the CNT emitter 33 formed on the cathode electrode 31 and the leakage current can be improved. A field emission device having a three-electrode structure has been proposed.
그리고 종래 기출원된 다른 발명으로 특허출원번호 제2000-0071341호에서는 도 4에 도시한 바와 같이, 양극산화공정을 이용하여 미세한 게이트홀(35)을 제조하고, 초미세 게이트홀(35)을 이용하여 낮은 전압으로 구동할 수 있으며, CNT 에미터(37)를 이용하여 전계를 효율적으로 집중시킬 수 있고, 전 시편에 걸쳐 항상 일정높이의 CNT 에미터를 제조할 수 있는 제조공정을 제안하고 있다.In addition, in another application previously disclosed in Patent Application No. 2000-0071341, as shown in FIG. 4, a fine gate hole 35 is manufactured by using an anodizing process, and an ultrafine gate hole 35 is used. It is possible to drive at a low voltage, to efficiently concentrate the electric field using the CNT emitter 37, and to produce a CNT emitter having a certain height at all times throughout the specimen.
또한 종래 기출원된 발명 중에서 또다른 발명으로 특허출원번호 제1999-0047376호에서는 도 5에 도시한 바와 같이, 알루미나 주형(39)에 CNT 에이터(41)를 형성할 때 알루미나 주형(39)의 세공에만 CNT가 형성하는 방법을 제공하는 있다.In addition, as another invention among the conventionally disclosed invention, the patent application No. 1999-0047376, as shown in Figure 5, when forming the CNT actor 41 in the alumina mold 39, the pores of the alumina mold 39 Only CNT provides a way to form.
이와 같은 종래 발명들은 양극과 음극 사이에 고전압을 인가하고 게이트 전극에 인가되는 전압을 이용하여 CNT 에미터에서 전자가 방출된 후 가속되도록 한다.Such conventional inventions apply a high voltage between the anode and the cathode and use the voltage applied to the gate electrode to accelerate the electrons after they are emitted from the CNT emitter.
그러나 상술한 종래 발명들에 개시된 전계방출장치는 CNT 에미터와 게이트 전극 사이의 거리가 너무 짧아 쇼트(short)의 원인이 될 수 있고 전자빔의 집속에도 문제가 있을 수 있다.However, the field emission device disclosed in the above-described conventional inventions may have a short distance between the CNT emitter and the gate electrode, which may cause a short, and may cause a problem in the electron beam focusing.
게다가 또다른 발명에서 사용되는 다공성 알루미나 자체를 절연체로 사용하는 경우 양극 산화된 원자구조 자체의 결함으로 인하여 게이트 전극과 절연되어야할 에미터의 절연에 문제가 발생될 수 있다.In addition, when the porous alumina itself used in another invention is used as an insulator, a problem of the emitter to be insulated from the gate electrode may occur due to a defect of the anodized atomic structure itself.
나아가 절연문제를 해소하고자 다공성 알루미나 자체에 후막을 형성하기가 용이하지 않아 캐소드와 애노드 전극 사이에 고전압을 걸어 줄 수 없어 휘도에도 문제가 발생된다.Furthermore, in order to solve the insulation problem, it is not easy to form a thick film on the porous alumina itself, so a high voltage cannot be applied between the cathode and the anode electrode, thereby causing problems in luminance.
본 발명의 목적은 다공성 알루미나의 장점을 그대로 살리면서 CNT와 게이트 전극의 쇼트 현상을 방지할 수 있도록 한 전계방출 디스플레이장치 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a field emission display device and a method of manufacturing the same to prevent short circuiting between CNTs and gate electrodes while maintaining the advantages of porous alumina.
또한 본 발명의 다른 목적은 절연체로 된 후막을 형성하여 캐소드와 애노드 전극 사이에 고전압을 걸어줄 수 있는 전계방출 디스플레이장치 및 이의 제조방법을 제공하는 데 있다.In addition, another object of the present invention is to provide a field emission display device capable of applying a high voltage between a cathode and an anode electrode by forming a thick film of an insulator and a method of manufacturing the same.
도 1은 본 발명에 따른 전계방출 디스플레이장치를 도시한 측단면도.1 is a side cross-sectional view showing a field emission display device according to the present invention.
도 2a 내지 도 2i는 본 발명에 따른 전계방출 디스플레이장치의 제조과정을 설명하기 위한 도면.2a to 2i are views for explaining the manufacturing process of the field emission display device according to the present invention.
도 3은 종래 기술의 실시예인 전계방출 디스플레이장치를 도시한 측단면도.Figure 3 is a side cross-sectional view showing a field emission display device which is an embodiment of the prior art.
도 4는 종래 기술의 다른 실시예인 전계방출 디스플레이장치를 도시한 측단면도.Figure 4 is a side cross-sectional view showing another field emission display device of the prior art.
도 5는 종래 기술의 또다른 실시예인 전계방출 디스플레이장치를 도시한 측단면도.Figure 5 is a side cross-sectional view showing another field emission display device of the prior art.
상기와 같은 본 발명의 목적들을 달성하기 위해서 다음과 같은 장치 및 방법들을 제공한다.In order to achieve the above objects of the present invention, the following apparatus and methods are provided.
본 발명의 목적들을 실현하기 위한 장치는, 애노드 전극과 형광층이 형성되는 전면기판과; 상기 전면기판에 연결되어 밀폐용기를 형성하는 후면기판과; 상기 후면기판의 상에 형성되는 캐소드 전극과; 상기 캐소드 전극 상에 패턴되는 다공성 알루미나 박막과; 상기 다공성 알루미나 박막을 관통하여 상기 캐소드 전극과 접촉되는 전자 방출원과; 상기 다공성 알루미나 박막의 위에 스크린 인쇄법을 통해 프린팅되고, 상기 다공성 알루미나 박막에 대응되는 게이트 홀을 갖는 절연층과; 상기 절연층에 연접되고 상기 게이트 홀에 대응되는 게이트 전극홀을 갖는 게이트 전극층을 포함한다.An apparatus for realizing the objects of the present invention comprises: a front substrate on which an anode electrode and a fluorescent layer are formed; A rear substrate connected to the front substrate to form a sealed container; A cathode electrode formed on the rear substrate; A porous alumina thin film patterned on the cathode electrode; An electron emission source penetrating the porous alumina thin film and contacting the cathode electrode; An insulating layer printed on the porous alumina thin film by screen printing and having a gate hole corresponding to the porous alumina thin film; And a gate electrode layer connected to the insulating layer and having a gate electrode hole corresponding to the gate hole.
본 발명의 다른 목적들을 실현하기 위한 제조방법은, 후면기판에 박막으로 된 캐소드 전극을 형성하는 단계와; 상기 캐소드 전극의 일부를 양극 산화하는 단계와; 상기 양극 산화된 캐소드 전극을 포함한 기판 전체에 스크린 인쇄법을 이용하여 절연층을 인쇄하는 단계와; 상기 절연층의 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 절연층과 게이트 전극의 일부를 식각하여 상기 양극 산화된 캐소드 전극의 표면이 드러나도록 하는 단계와; 상기 양극 산화된 캐소드 전극을 관통하여 전이금속 촉매를 캐소드 전극에 전착시키고, 전착된 전이금속 촉매를 성장시켜 에미터를 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극의 상부에 애노드 전극과 형광체가 하면에 순차적으로 형성된 전면기판을 봉착시킨 후 배기시키는 단계를 포함한다.A manufacturing method for realizing other objects of the present invention comprises the steps of forming a cathode electrode of a thin film on the back substrate; Anodizing a portion of the cathode electrode; Printing an insulating layer on the entire substrate including the anodized cathode electrode by screen printing; Forming a gate electrode on the insulating layer; Etching a portion of the insulating layer and the gate electrode to expose a surface of the anodized cathode electrode; Penetrating the anodized cathode electrode to electrodeposit a transition metal catalyst to the cathode, and growing the electrodeposited transition metal catalyst to form an emitter; And sealing the front substrate sequentially formed on the lower surface of the anode and the phosphor on the gate electrode, and then exhausting the front substrate.
이하, 첨부도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 전계방출 디스플레이장치를 도시한 측단면도이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a side cross-sectional view showing a field emission display device according to the present invention.
도면에서 알 수 있듯이, 본 발명의 전계방출 디스플레이장치는, 전면기판(1)와, 이 전면기판(1)와 소정의 간격을 두고 평행하게 배치되는 후면기판(3)이 결합되어 이루어진 밀폐용기로 형성되는 바, 이의 밀폐용기 형성시, 상기 전면기판(1)와 후면기판(3) 사이의 가장자리에는 통상 사이드 글라스(5)가 개재된다.As can be seen from the figure, the field emission display device of the present invention is a sealed container formed by coupling the front substrate 1 and the rear substrate 3 arranged in parallel with the front substrate 1 at a predetermined interval. When the sealed container is formed, a side glass 5 is usually interposed at the edge between the front substrate 1 and the rear substrate 3.
이러한 밀폐용기에 있어, 상기 전면기판(1)에는, 애노드 전극(7)의 하부로 R,G,B 형광층(9)이 배치되고, 각각의 R,G,B 형광층(9)의 사이에는 블랙 매트릭스가 배치되어 있다. 이에 반해 상기 후면기판(3)에는, 캐소드 전극(11)이 형성되고,그 캐소드 전극(11) 상에 패턴된 다공성 알루미나 박막(13)을 형성하며, 그 다공성 알루미나 박막(13)에 상기 형광층(9)을 타격하여 소정의 빛을 발하게 하는 전자 방출원으로서 에미터(emitter)(15)를 형성한다.In such a sealed container, on the front substrate 1, R, G, B fluorescent layers 9 are disposed below the anode electrode 7, and between R, G, B fluorescent layers 9, respectively. The black matrix is arrange | positioned at. In contrast, a cathode electrode 11 is formed on the rear substrate 3, and a patterned porous alumina thin film 13 is formed on the cathode electrode 11, and the fluorescent layer is formed on the porous alumina thin film 13. An emitter 15 is formed as an electron emission source that strikes (9) to emit predetermined light.
그리고 캐소드 전극(11)의 상부에는 절연층(17)이 배치되는 바, 좀 더 바람직하게는 패턴된 다공성 알루미나 박막(13)을 제외한 나머지 부분에 빛에 의해 노광 및 에칭이 가능한 감광성 절연재질로 된 절연층(17)이 배치되며, 이러한 절연층(17)에는 에미터 별로 게이트 홀(17a)이 형성된다.In addition, an insulating layer 17 is disposed on the cathode electrode 11, and more preferably, the photosensitive insulating material may be exposed and etched by light to the remaining portions except the patterned porous alumina thin film 13. The insulating layer 17 is disposed, and the gate hole 17a is formed for each emitter in the insulating layer 17.
상기한 절연층(17)은 스크린 인쇄법을 통해 인쇄하여 형성하며, 인쇄시 그 두께를 조절할 수 있게 된다.The insulating layer 17 is formed by printing through a screen printing method, it is possible to adjust the thickness during printing.
이러한 절연층(17)의 상부에는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 은(Ag)을 재질로 하는 게이트 전극(19)이 형성된다. 이 게이트 전극(19)에는 게이트 홀(17a)에 대응되는 게이트 전극 홀(19a)이 형성된다.A gate electrode 19 made of aluminum (Al), chromium (Cr), or silver (Ag) is formed on the insulating layer 17. A gate electrode hole 19a corresponding to the gate hole 17a is formed in the gate electrode 19.
이와 같은 구조의 전계방출 디스플레이장치에는 셀갭을 유지하기 위한 스페이서가 설치되는 것이 바람직하며, 특히 전면기판(1)과 후면기판(3) 사이에 설치될 수 있으나, 좀 더 바람직하기로는 사이드 글라스(5)의 안쪽에 세워지며, 스페이서의 일측단이 게이트 전극(19)의 상면에 밀착되고 스페이서의 타측단이 전면기판(1)의 블랙 매트릭스에 접촉되도록 한다.The field emission display device having such a structure is preferably provided with a spacer for maintaining a cell gap, and in particular, may be installed between the front substrate 1 and the rear substrate 3, but more preferably, side glass 5. The inner side of the spacer is in contact with the upper surface of the gate electrode 19, and the other end of the spacer is in contact with the black matrix of the front substrate (1).
이하 본 발명의 전계방출 디스플레이 장치의 제조방법을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the manufacturing method of the field emission display device of the present invention.
먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이 캐소드 전극을 형성하는 단계에서, 후면기판(3)에 마스크(mask)를 세팅하고, 그 마스크 위로 알루미늄(Al)을 스퍼터법(sputter)으로 증착하여 알루미늄 박막을 패턴함으로써 캐소드 전극(11)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, in forming the cathode electrode, a mask is set on the rear substrate 3, and aluminum (Al) is deposited on the mask by sputtering to form an aluminum thin film. The cathode 11 is formed by patterning.
그리고 도 2b에 도시한 바와 같이 양극산화하는 단계에서, 패턴된 캐소드 전극(11)을 양극산화하여 알루미늄 박막에 다수개의 세공(21)이 형성되도록 하여 다공성 알루미나 박막(11a)을 형성한다. 이때 양극산화를 위한 전해질은 인산, 옥살산, 황산을 사용하며, 일정한 크기의 세공(21)을 얻기 위해 일정한 전압 하에서 양극산화한다.In the anodizing step as shown in FIG. 2B, the porous cathode alumina film 11a is formed by anodizing the patterned cathode electrode 11 to form a plurality of pores 21 in the aluminum thin film. At this time, the electrolyte for anodization uses phosphoric acid, oxalic acid, sulfuric acid, and anodizes under a constant voltage to obtain a pore 21 of a constant size.
이어서 도 2c에 도시한 바와 같이, 절연층을 인쇄하는 단계에서는 감광성 유리 페이스트를 스크린 인쇄법을 이용하여 다공성 알루미나 박막(11a)을 포함한 캐소드 전극(11) 위에 절연층(17)을 형성한다. 이렇게 형성된 절연층(17)은 여러번 반복 형성하여 두께를 적절하게 조절함으로써 절연층 위에 형성되는 후술하는 게이트 전극과 에미터 사이의 간격을 적절히 조절할 수 있게 된다.Subsequently, as shown in FIG. 2C, in the step of printing the insulating layer, the insulating layer 17 is formed on the cathode electrode 11 including the porous alumina thin film 11a using the photosensitive glass paste by screen printing. The insulating layer 17 thus formed may be repeatedly formed several times to appropriately adjust the thickness so as to appropriately adjust the distance between the gate electrode and the emitter to be described later formed on the insulating layer.
여기서 사용되는 스크린은 200 또는 250 메쉬(mesh)로 된 스크린을 이용하고, 건조조건은 130℃로 10분동안 실시한다.The screen used here is a screen of 200 or 250 mesh (mesh), the drying conditions are carried out for 10 minutes at 130 ℃.
다음, 도 2d에 도시한 바와 같이, 절연층(17)의 위에 게이트 전극을 형성하는 단계에서는, 325 메쉬로 된 스크린으로 은 페이스트를 스크린 인쇄하고, 85℃에서 15분간 건조시켜 게이트 전극(19)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2D, in the step of forming the gate electrode on the insulating layer 17, the silver paste is screen-printed with a screen of 325 mesh, dried at 85 ° C. for 15 minutes, and then the gate electrode 19. To form.
그리고 도 2e에 도시한 바와 같이, 식각하는 단계에서는 게이트 전극(19)과 절연층(17)을 동시에 식각하여 후면기판(3) 위에 형성된 다공성 알루미나박막(11a)의 표면이 들어날 때까지 식각하게 된다. 이를 위하여 게이트 전극(19) 위에 포토레지스트를 패턴하고, 패턴된 포토레지스트를 마스크로 하여 노광을 실시하며, 노광후 식각하게 된다.As shown in FIG. 2E, in the etching step, the gate electrode 19 and the insulating layer 17 are simultaneously etched and etched until the surface of the porous alumina thin film 11a formed on the back substrate 3 enters. do. To this end, a photoresist is patterned on the gate electrode 19, and the exposure is performed using the patterned photoresist as a mask, followed by etching after exposure.
노광은 500mJ/㎠의 에너지를 발산하는 빛을 이용하여 실시하고, 식각은 Na2CO3가 0.4% 함유된 용액에서 습식 식각하며, 경화는 560℃로 30분간 실시한다.Exposure is performed using light emitting energy of 500 mJ / cm 2, etching is wet etching in a solution containing 0.4% Na 2 CO 3 , and curing is performed at 560 ° C. for 30 minutes.
다음으로, 도 2f에 도시한 바와 같이, 에미터 형성단계는, 상술한 식각하는 단계에서 드러난 다공성 알루미나 박막(11a)에 촉매(23)를 전착(電着)하여 세공(21)의 바닥면인 캐소드 전극(11) 표면상에 접촉되도록 한다. 이때 이용된 전착법은 전해질로서 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)와 같은 촉매(23)가 황산화물로 결합되어 있는 용액을 이용하고, 이 전해질에 다공성 알루미나 박막(11a)의 표면이 드러난 기판을 담근 상태에서 펄스(pluse) 또는 AC 전원을 인가하여 성장시키게 된다.Next, as shown in Figure 2f, the emitter forming step, the electrode 23 is deposited on the porous alumina thin film 11a exposed in the etching step described above, which is the bottom surface of the pores 21. It is brought into contact with the surface of the cathode electrode 11. In this case, the electrodeposition method used is a solution in which a catalyst (23) such as iron (Fe), nickel (Ni), and cobalt (Co) is bonded with sulfur oxide as an electrolyte, and the porous alumina thin film 11a The substrate is exposed by growing a pulse or an AC power while the substrate is exposed.
촉매(23)의 전착후에는 후술하는 화학 기상 증착을 위한 전처리 작업으로, 기판을 묽은 인산에 담가 다공성 알루미나 박막(11a)에 형성된 세공(21)의 직경을 확장시킨다. 이렇게 해주면 후술하는 전구체와 촉매와의 접촉면적이 확대되어 다공성 알루미나 박막(11a)이 CNT의 합성 촉매로 작용하는 것을 방지하게 된다.After electrodeposition of the catalyst 23, the diameter of the pores 21 formed in the porous alumina thin film 11a is immersed in dilute phosphoric acid in a pretreatment operation for chemical vapor deposition described later. This enlarges the contact area between the precursor and the catalyst, which will be described later, to prevent the porous alumina thin film 11a from acting as a synthesis catalyst for CNTs.
즉, 세공(21)의 직경이 확대됨으로써 그 안에서 길이방향으로 성장함과 동시에 지름도 함께 확대될 촉매(23)의 측면이 세공(21)의 내주면에 접촉되지 않도록 방지하는 것이며, 이를 통하여 합성 촉매의 작용을 방지함은 물론 후술하는 화학기상 증착이 촉매(23)와 전구체의 접촉면적을 확대시키는 작용이 동시에 진행되는 것이다.That is, the diameter of the pores 21 is enlarged to prevent the side surface of the catalyst 23 to be grown in the longitudinal direction and to be enlarged together with the diameter of the pores 21 so as not to contact the inner circumferential surface of the pores 21. In addition to preventing the action, chemical vapor deposition, which will be described later, expands the contact area between the catalyst 23 and the precursor.
상기와 같은 전처리 작업 후에, CNT 에미터(25)로 성장시키기 위해서 화학기상증착법을 이용하여 성장을 시도하게 되는 데, 좀 더 바람직하게는 플라즈마 화학기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)을 이용하게 된다.After the pretreatment as described above, growth is attempted using chemical vapor deposition in order to grow into the CNT emitter 25, more preferably using plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Done.
플라즈마 화학기상증착법은 열팽창에 의한 구조의 변형을 최소화할 수 있고, 표면에 비정질 탄소층이 생성되는 것을 방지할 수 있게 된다. 플라즈마의 형성은 챔버의 내부로 투입된 전구체(precursor) 작용을 하게 되는 CxHy 계열의 가스에 마이크로파 제너레이터(microwave generator)를 이용하여 고전압을 인가함으로써 가능하게 된다.Plasma chemical vapor deposition can minimize the deformation of the structure due to thermal expansion, it is possible to prevent the formation of an amorphous carbon layer on the surface. The plasma is formed by applying a high voltage using a microwave generator to a CxHy-based gas that acts as a precursor introduced into the chamber.
이렇게 증착된 전구체는 세공(23)의 내부에 전착된 촉매(21)에 작용하여 CNT의 성장을 진행시키게 된다.The precursor thus deposited acts on the catalyst 21 electrodeposited in the pores 23 to promote the growth of the CNTs.
마지막으로 봉착 및 배기하는 단계는, 게이트 전극(19)의 상면에 사이드 글라스(5) 및 스페이서를 세우고 그 위에 전면기판(1)을 통상적인 방식으로 봉착시킨 후, 내부를 배기하여 완성한다. 게이트 전극(19)을 향하는 전면기판(1)의 하면에는 애노드 전극(7)과 형광층(9)이 순차적으로 형성된다.Finally, the sealing and exhausting step is completed by placing the side glass 5 and the spacer on the upper surface of the gate electrode 19, sealing the front substrate 1 thereon in a conventional manner, and then evacuating the interior. An anode electrode 7 and a fluorescent layer 9 are sequentially formed on the lower surface of the front substrate 1 facing the gate electrode 19.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면, 다공성 알루미나의 위에 스크린 인쇄법을 이용하여 절연층의 두께를 적절하게 조절하고, 그 절연층 위에 게이트 전극을 형성함으로써 CNT와 게이트 전극 사이의 거리가 넓게 되도록 조절할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, the thickness of the insulating layer is appropriately adjusted by screen printing on the porous alumina, and the gate electrode is formed on the insulating layer so that the distance between the CNT and the gate electrode is widened. It becomes possible.
따라서 CNT 에미터와 게이트 전극 사이에 쇼트가 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.Therefore, it is possible to prevent the short from occurring between the CNT emitter and the gate electrode.
또한 다공성 알루미나 박막 위에 절연체로 된 후막을 적절한 두께로 형성함으로써 종래 다공성 알루미나로 된 절연체에 비해서 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 고전압을 걸어줄 수 있게 된다.In addition, by forming an insulator thick film on the porous alumina thin film to an appropriate thickness, it is possible to apply a high voltage between the cathode electrode and the anode electrode compared to the conventional insulator made of porous alumina.
따라서 종래에 비해 휘도가 월등히 향상된 디스플레이를 얻을 수 있게 된다.As a result, a display with much improved brightness can be obtained.
Claims (21)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030018613A KR20040083911A (en) | 2003-03-25 | 2003-03-25 | Field emission display device and method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030018613A KR20040083911A (en) | 2003-03-25 | 2003-03-25 | Field emission display device and method of the same |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR20040083911A true KR20040083911A (en) | 2004-10-06 |
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ID=37367553
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Country Status (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100790872B1 (en) * | 2006-04-04 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | Field emission type backlight unit and method of manufacturing the same |
-
2003
- 2003-03-25 KR KR1020030018613A patent/KR20040083911A/en not_active Application Discontinuation
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