KR20040079420A

KR20040079420A - 교류신호의 레벨검출회로

Info

Publication number: KR20040079420A
Application number: KR10-2004-7011292A
Authority: KR
Inventors: 시마다마사아키; 야마다도모야스; 세키구치게이이치
Original assignee: 산켄덴키 가부시키가이샤
Priority date: 2002-03-06
Filing date: 2003-03-06
Publication date: 2004-09-14
Also published as: US20050151567A1; KR100606144B1; US7271579B2; CN1623095A; CN1323297C; JPWO2003075019A1; JP4069866B2; WO2003075019A1

Abstract

전파정류회로(2)가 교류전원(1)에서 발생하는 교류전압을 정류한 정류전압을 발생하고, 내부레귤레이터(33)가 정류전압의 파형정형을 실시한다. 비교기(42)는 내부레귤레이터(33)가 출력하는 정류전압과 기준전압(V1)의 비교로 정류전압이 기준전압(V1)을 넘은 기간을 검출한다. 판별신호생성회로(50)는 비교기(42)의 출력신호에 의거하여 교류전원(1)이 공급하는 전원전압을 판별해서 판별신호를 생성한다. 따라서 정류전압의 피크값을 검출하기 위한 콘덴서 등이 불필요하며, 교류전압검출회로의 소형화와 저비용화가 가능해진다.

Description

교류신호의 레벨검출회로{AC SIGNAL LEVEL DETECTION CIRCUIT}

상용교류를 입력으로 하는 전원장치는 AC어댑터, OA기기, 민생기기 등의 각 전자기기에 편입되어 있다. 이들 전자기기는 세계 각국의 상용의 교류전압에 대응할 수 있는 것이 요망되고 있다.

전자기기를 세계 각국의 상용교류전압에 대응시키기 위해 근래의 전원장치에는 교류신호의 레벨검출회로로서 교류전압검출회로를 구비한 것이 있다. 교류전압검출회로는 교류전원으로부터 주어지는 전원전압을 검출하고, 전원전압을 판별시키기 위한 판별신호를 발생한다. 전원장치는 그 판별신호에 의거하여 제어방법이나 회로보호방법을 전환하고 있다.

종래의 교류전압검출회로의 한 예를 도 10에 나타낸다.

도 10은 종래의 교류전압검출회로를 나타내는 회로도이다.

이 교류전압검출회로(10)는 교류전원(1)이 공급하는 전원전압이 예를 들면 200볼트계인지 100볼트계인지를 나타내는 판별신호를 발생하는 회로이며, 교류전원(1)에 접속된 전파(全波)정류회로(2)의 플러스극과 글랜드의 사이에 설치되어 있다.

전파정류회로(2)는 교류전원(1)이 발생하는 교류전압을 정류하여 정류전압을 출력한다. 전파정류회로(2)의 플러스극에 애노드가 접속된 다이오드(11)는 순방향전압이 인가되었을 때에 이 다이오드(11)의 캐소드와 글랜드의 사이에 접속된 콘덴서(12)를 충전한다. 콘덴서(12)에는 전파정류회로(2)가 발생하는 정류전압의 피크값이 충전된다.

콘덴서(12)와 다이오드(11)의 캐소드와의 접속점에는 저항(13)의 일단이 접속되고, 저항(13)의 타단과 글랜드의 사이에는 저항(14)이 접속되어 있다. 이들 저항(13, 14)은 콘덴서(12)의 충전전압을 분압하고, 저항(13)과 저항(14)의 사이의 접속점으로부터 출력한다.

그 저항(13)과 저항(14)의 접속점에는 제너다이오드(15)의 캐소드가 접속되고, 제너다이오드(15)의 애노드는 NPN형 트랜지스터(16)의 베이스에 접속되어 있다. 트랜지스터(16)의 콜렉터는 저항(17)을 통하여 직류전원(18)의 플러스극에 접속되고, 트랜지스터(16)의 에미터가 글랜드에 접속되어 있다. 또한 직류전원(18)의 플러스극에는 저항(19)을 통하여 NPN형 트랜지스터(20)의 콜렉터가 접속되어 있다. 트랜지스터(16)의 콜렉터가 트랜지스터(20)의 베이스에 접속되고, 트랜지스터(20)의 에미터가 글랜드에 접속되어 있다.

콘덴서(12)의 충전전압이 상승하여 저항(13)과 저항(14)의 접속점의 전압이 상승하면 제너다이오드(15)가 항복(降伏)하여 트랜지스터(16)에 베이스전류를 흘린다. 이에 따라 트랜지스터(16)가 ON하고, 트랜지스터(16)의 콜렉터전압을 내린다.트랜지스터(16)의 콜렉터전압이 강하하면 트랜지스터(20)가 OFF한다. 트랜지스터(20)가 OFF함으로써 트랜지스터(20)의 콜렉터에 접속된 출력단자의 전압이 상승한다. 이에 따라 교류전원(1)이 200볼트계의 전원전압을 공급하고 있는 것이 전원장치 등에 나타내어진다.

그러나 종래의 교류전압검출회로에는 다음과 같은 과제가 있었다.

반도체기판상에서 콘덴서를 형성할 때에는 트랜지스터소자나 MOSFET를 형성하는 경우보다도 훨씬 큰 면적이 필요해진다. IC(집적회로)에 현실적, 실용적으로 형성할 수 있는 1개의 콘덴서는 10[pF] 정도이다.

그런데 도 10의 콘덴서(12)는 상용의 교류전압의 피크값을 충전한다. 교류전압을 정류한 정류전압의 주기는 10[msec] 정도로 길기 때문에 콘덴서(12)에는 100[nF] 정도 이상의 용량이 필요해진다. 그 때문에 교류전압검출회로를 IC화하여 전원장치의 전체의 소형화나 외부부착부품수를 삭감하려고 해도 IC상에서 100[nF] 이상의 용량을 얻는 면적을 확보하는 것이 곤란하다. 게다가 비용면에서도 비현실적으로 된다. 또한 IC칩상의 콘덴서에서는 상용주파수와 같은 수십[msec]의 긴 주기에 걸쳐서 전하를 유지하는 것이 곤란하며, 피크전압을 검출하는 것이 곤란해져 있었다. 즉 IC화에 의한 전원장치의 소형화와 저비용이 곤란해지는 동시에, 외부부착부품수의 증가에 의해 신뢰성을 손상시키는 일이 있었다.

본 발명은 교류전원이 공급하는 전원전압을 검출하고, 전원전압을 나타내는 판별신호를 출력하는 교류신호의 레벨검출회로에 관한 것이다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련되는 교류전압검출회로의 구성예를 나타내는 도면.

도 2는 도 1 중의 타이밍신호발생회로의 구성예를 나타내는 도면.

도 3은 도 1의 교류전압검출회로의 동작을 나타내는 타임챠트.

도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 관련되는 교류전압검출회로의 구성예를 나타내는 도면.

도 5는 도 4 중의 타이밍신호발생회로의 구성예를 나타내는 도면.

도 6은 도 4의 교류전압검출회로의 동작을 나타내는 타임챠트.

도 7은 본 발명의 제 3 실시형태에 관련되는 교류전압검출회로의 구성예를 나타내는 도면.

도 8은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련되는 교류전압검출회로의 응용예를 나타내는 회로도.

도 9는 도 8에 나타내는 교류전압검출회로의 응용예를 추가로 나타내는 회로도.

도 10은 종래의 교류전압검출회로의 회로도이다.

본 발명은 이와 같은 현상을 감안하여 이루어진 발명으로, 소형화와 저비용화가 가능한 동시에, 신뢰성을 향상시킨 교류신호의 레벨검출회로를 제공하는 것을목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 제 1 관점에 관련되는 교류신호의 레벨검출회로는,

교류신호의 신호레벨이 0보다도 큰 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었는지 아닌지를 판별하는 제 1 판별부(52, 82)와,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)보다도 큰 제 2 기준전압(V1)을 넘었는지 아닌지를 판별하는 제 2 판별부(40, 70, 90)와,

상기 제 1 판별부(52, 82)의 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별부(40, 70, 90)의 제 2 판별결과를 기억하는 기억부(53, 54, 83, 84)와,

상기 기억부(53, 54, 83, 84)가 기억하고 있는 판별결과를 참조하고, 참조한 판별결과에 의거하여 상기 교류신호의 신호레벨의 고저를 판별하며, 해당 판별결과로서의 고저판별신호를 출력하는 판별신호출력부(53b, 55, 85, 86)를 구비한 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성을 채용한 것에 의해 교류신호의 신호레벨과 제 1 기준전압, 제 2 기준전압을 비교하고, 이 비교결과에 의거하여 고저판별신호가 출력되기 때문에 교류신호를 교류전압에 대응시키면 교류전압의 피크값을 구할 필요가 없어서 큰 용량의 콘덴서가 불필요해진다.

또한 상기 판별신호출력부(53b, 55, 85, 86)는,

상기 기억부(53, 54, 83, 84)가 기억하고 있는 상기 제 1 판별부(52, 82)의 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별부(40, 70, 90)의 판별결과를 참조하고,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘은 것을 나타내는 제 1 판별결과와, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘은 것을 나타내는 제 2 판별결과를 상기 기억부(53, 54, 83, 84)가 기억하고 있을 때 상기 교류신호의 신호레벨이 높은 것을 나타내는 고저판별신호를 출력하며,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘은 것을 나타내는 제 1 판별결과와, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1) 이하인 것을 나타내는 제 2 판별결과를 상기 기억부(53, 54, 83, 84)가 기억하고 있을 때 상기 교류신호의 신호레벨이 낮은 것을 나타내는 고저판별신호를 출력하도록 해도 좋다.

또 상기 판별신호출력부(53b, 55)는,

기억부(53, 54)가 기억하고 있는 상기 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별결과를, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 큰 쪽으로부터 작은 쪽으로 넘었을 때에 참조하여 상기 고저판별신호를 출력하도록 할 수도 있다.

또 상기 판별신호출력부(83b, 85, 86)는,

기억부(83, 84)가 기억하고 있는 상기 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별결과를, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘었을 때와 상기 제 1 기준전압(V2)을 큰 쪽으로부터 작은 쪽으로 넘었을 때에 참조하여 상기 고저판별신호로서 출력하는 것이어도 좋다.

또 상기 제 1 판별부는 상기 교류신호의 신호레벨과 상기 제 1 기준전압(V2)을 비교하고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때는 그 취지의 제 1 판별결과를 출력하는 제 1 비교기(52)를 구비하고,

상기 제 2 판별부는 상기 교류신호의 신호레벨과 상기 제 2 기준전압(V1)을 비교하고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘었을 때는 그 취지의 제 2 판별결과를 출력하는 제 2 비교기(42)를 구비하며,

상기 기억부는,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘은 것을 나타내는 상기 제 1 비교기(52)의 제 1 판별결과에 의거하여 리셋신호(P1)를 생성해서 출력하는 리셋신호출력부(53a)와,

상기 리셋신호생성부(53a)가 생성한 리셋신호(P1)에 의거하여 리셋되고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘은 것을 나타내는 상기 제 2 비교기(42)의 제 2 판별결과에 의거하여 세트되는 Q신호를 출력하며, 상기 Q신호의 리셋, 세트상태를 상기 제 1 판별결과, 상기 제 2 판별결과로서 기억하는 리셋세트플립플롭회로(54)를 구비하고,

상기 판별신호출력부는,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘은 것을 나타내는 상기 제 1 비교기(52)의 제 1 판별결과에 의거하여 타이밍신호(P2)를 생성하고, 출력하는 타이밍신호출력부(53b)와,

상기 타이밍신호출력부(53b)로부터 상기 타이밍신호(P2)가 출력되었을 때에상기 리셋세트플립플롭회로(54)로부터 출력된 Q신호의 리셋, 세트상태를 참조하고, 참조한 상태와 같은 상태의 신호를 상기 고저판별신호로서 출력하는 지연형 플립플롭회로(55)를 구비한 것이어도 좋다.

또 상기 제 1 판별부는 상기 교류신호의 신호레벨과 상기 제 1 기준전압(V2)을 비교하고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때는 그 취지의 제 1 판별결과를 출력하는 제 1 비교기(82)를 구비하며,

상기 제 2 판별부는 상기 교류신호의 신호레벨과 상기 제 2 기준전압(V1)을 비교하고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘었을 때는 그 취지의 제 2 판별결과를 출력하는 제 2 비교기(72)를 구비하며,

상기 기억부는,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 넘은 것을 나타내는 상기 제 1 비교기(82)의 제 1 판별결과에 의거하여 리셋신호(P1)를 생성해서 출력하는 리셋신호출력부(83a)와,

상기 리셋신호출력부(83a)가 생성한 리셋신호(P1)에 의거하여 리셋되고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘은 것을 나타내는 상기 제 2 비교기(72)의 제 2 판별결과에 의거하여 세트되는 Q신호를 출력하며, 상기 Q신호의 리셋, 세트상태를 상기 제 1 판별결과, 상기 제 2 판별결과로서 기억하는 리셋세트플립플롭회로(84)를 구비하고,

상기 판별신호출력부는,

상기 제 1 비교기(82)가 판별한 상기 제 1 판별결과에 의거하여 타이밍신호(P2)를 생성하고, 출력하는 타이밍신호출력부(83b)와,

상기 타이밍신호출력부(83b)로부터 상기 타이밍신호(P2)가 출력되었을 때에 상기 리셋세트플립플롭회로(84)로부터 출력된 Q신호의 리셋, 세트상태를 참조하고, 참조한 상태와 같은 상태의 신호를 출력하는 지연형 플립플롭회로(85)와,

상기 리셋세트플립플롭회로(84)의 출력신호와 지연형 플립플롭회로(85)의 논리합연산을 실시하고, 논리합연산의 결과를 고저판별신호로서 출력하는 논리합연산부(86)를 구비한 것이어도 좋다.

또 상기 제 1 기준전압(V2)을 갖는 제 1 전원과, 상기 제 2 기준전압(V1)을 갖는 제 2 전원을 구비하고,

상기 제 1 전원은 상기 교류신호의 신호레벨이 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때에 제 1 기준전압(V2)을 저하시키며,

상기 제 2 전원은 상기 제 2 기준전압을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때에 상기 제 2 기준전압을 저하시키는 것이어도 좋다.

또 본 발명의 제 2 관점에 관련되는 교류신호의 레벨검출회로는,

상기 교류신호의 신호레벨이 0보다도 큰 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었는지 아닌지를 판별하는 제 1 판별부(52)와,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)보다도 큰 복수의 제 2 기준전압(V1, V3)을 넘었는지 아닌지를 판별하고, 어느 쪽인가 하나를 제 2 판별결과로서 출력하는 제 2 판별부(43)와,

상기 제 1 판별부(52)의 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별부(43)가 출력한 제 2 판별결과를 기억하는 기억부(53a, 54)와,

상기 기억부(53a, 54)가 기억하고 있는 판별결과를 참조하고, 참조한 판별결과에 의거하여 상기 교류신호의 신호레벨의 고저를 판별하며, 해당 판별결과로서의 고저판별신호를 출력하는 판별신호출력부(53b, 55)를 구비한 것을 특징으로 한다.

상기 제 1 기준전압(V2)을 갖는 제 1 전원과, 상기 제 2 기준전압(V1)을 갖는 제 2 전원을 구비하고,

상기 제 2 전원은 상기 제 2 기준전압을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때에 상기 제 2 기준전압(V1, V3)을 저하시키는 것이어도 좋다.

제 1∼제 3 실시형태에서는 교류신호를 교류전압에 대응시키고, 교류신호의 레벨검출회로를 교류전압검출회로로서 설명한다. 다만 교류신호를 교류전압에 대응시킬 뿐만 아니라, 교류전류에 대응시킬 수도 있으며, 이 경우 교류신호의 레벨검출회로를 교류전류검출회로로서 적용할 수도 있다.

[제 1 실시형태]

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련되는 교류전압검출회로를 나타내는 구성도이다.

이 교류전압검출회로(30)는 교류전원(1)이 도시하지 않는 전원장치에 공급하고 있는 전원전압을 검출하고, 그 전원전압이 100볼트계인지 200볼트계인지를 판별 가능하게 나타내는 판별신호를 발생하는 회로이다.

교류전압검출회로(30)는 전파정류회로(2)에 접속된 분압저항(31, 32)과, 내부레귤레이터(33)와, 비교검출부(40)와, 판별신호생성부(50)를 구비하고 있다.

전파정류회로(2)는 교류전원(1)에 접속되고, 전원장치에 정류전압을 준다. 저항(31) 및 저항(32)은 전파정류회로(2)의 플러스극과 글랜드의 사이에 직렬로 접속되어 있다. 저항(31)과 저항(32)의 접속점이 내부레귤레이터(33) 속의 PNP형 트랜지스터(33a)의 베이스에 접속되어 있다.

트랜지스터(33a)의 콜렉터는 글랜드에 접속되고, 트랜지스터(33a)의 에미터는 정전류원(33b)을 통하여 전원배선에 접속되어 있다. 트랜지스터(33a)의 에미터는 또한 NPN형 트랜지스터(33c)의 베이스에 접속되어 있다. 트랜지스터(33c)의 콜렉터가 전원배선에 접속되고, 트랜지스터(33c)의 에미터가 정전류원(33d)을 통하여 글랜드에 접속되어 있다. 트랜지스터(33c)의 에미터는 내부레귤레이터(33)의 출력단자이다. 이 트랜지스터(33c)의 에미터에 비교검출기(40)와 판별신호생성부(50)가 접속되어 있다.

비교검출부(40)는 기준전압(V1)을 발생하는 전원(41)과 비교기(42)를 구비하고 있다. 전원(41)은 비교기(42)의 한쪽의 입력단자(－)와 접속되어 있다. 기준전압(V1)은 교류전원(1)이 공급하는 전원전압이 100볼트계인지 200볼트계인지를 검출하기 위한 전압이며, 예를 들면 검출점을 AC160[V] 정도로 되도록 설정해도 좋다. 트랜지스터(33c)의 에미터가 비교기(42)의 다른쪽의 입력단자(＋)에 접속되어 있다.

판별신호생성부(50)는 기준전압을 발생하는 전원(51)과, 비교기(52)와, 타이밍신호발생회로(53)와, 사이클판정회로로서의 리셋세트플립플롭(이하 RS-FF라 한다)(54)과, 신호생성회로로서의 지연형 플립플롭(이하 D-FF라 한다)(55)을 구비하고 있다.

비교기(52)의 한쪽의 입력단자(＋)는 트랜지스터(33c)의 에미터와 접속되고, 비교기(52)의 다른쪽의 입력단자(－)는 전원(51)과 접속되어 있다. 비교기(52)의 출력단자가 타이밍신호발생회로(53)에 접속되어 있다.

타이밍신호발생회로(53)는 예를 들면 도 2와 같이 구성된다.

도 2는 타이밍신호발생회로(53)의 구성예를 나타내는 도면이다.

타이밍신호발생회로(53)는 비교기(52)의 출력신호의 상승을 검출하여 원쇼트의 펄스를 발생하는 원쇼트펄스발생회로(53a)와, 비교기(52)의 출력신호의 하강을 검출하여 원쇼트의 펄스를 발생하는 원쇼트펄스발생회로(53b)로 구성되어 있다.

원쇼트펄스발생회로(53a)는 비교기(52)의 출력단자가 한쪽의 입력단자에 접속된 AND회로(53c)와, AND회로(53c)의 다른쪽의 입력단자와 비교기(52)의 출력단자의 사이에 직렬로 접속된 홀수개의 인버터(53d)로 구성되어 있다.

원쇼트펄스발생회로(53b)는 비교기(52)의 출력단자가 인버터(53e)를 통하여 한쪽의 입력단자에 접속된 AND회로(53f)와, 인버터(53e)의 출력단자와 AND회로(53f)의 다른쪽의 입력단자의 사이에 직렬로 접속된 홀수개의 인버터(53g)로 구성되어 있다.

원쇼트펄스발생회로(53a)의 AND회로(53c)의 출력단자가 사이클판정회로인 RS-FF(54)의 리셋단자(R)에 접속되어 있다.

RS-FF(54)의 세트단자(S)에는 비교기(42)의 출력단자가 접속되어 있다. RS-FF(54)의 출력단자(Q)는 신호생성회로인 D-FF(55)의 데이터입력단자(D)에 접속되어있다.

원쇼트펄스발생회로(53b)의 AND회로(53f)의 출력단자가 D-FF(55)의 클록단자(C)에 접속되어 있다. D-FF(55)의 출력단자(Q)가 교류전압검출회로(30)의 출력단자로 되어 있다.

다음으로 교류전압검출회로(30)의 동작을 도 3(a)∼(g)를 참조하여 설명한다.

도 3(a)∼(g)는 교류전압검출회로(30)의 동작을 설명하기 위한 타임챠트이다.

전파정류회로(2)는 교류전원(1)이 발생하는 교류전압을 전파정류하여 정류전압을 발생한다. 이 정류전압이 도시하지 않는 전원장치 등에 공급된다. 저항(31, 32)은 정류전압을 분압하고, 내부레귤레이터(33)는 도 3(a)와 같이, 저항(31, 32)에 의하여 분압된 정류전압의 파형정형을 실시한다.

비교검출부(40) 속의 비교기(42)는 전원(41)이 발생하는 기준전압(V1)과 내부레귤레이터(33)가 출력하는 정류전압을 비교하고, 그 정류전압의 순간값이 기준전압(V1)을 넘었을 때에 고레벨(이하 “H”라 한다)을 출력한다. 이에 따라 도 3(b)와 같이, 전파정류회로(2)가 발생하는 정류전압의 순간값이 기준전압(V1)에 상당하는 전압을 넘은 기간이 검출된다. 교류전원(1)이 200볼트계인 전원전압을 전원장치에 공급하고 있을 때에는 비교기(42)의 출력신호가 “H”로 된다. 교류전원(1)이 100볼트계인 전원전압을 전원장치에 공급하고 있을 때에는 비교기(42)의 출력신호가 “L”인 채이다. 비교기(42)의 출력신호가 “H”가 되면 RS-FF(54)가 세트되고, 도 3(f)와 같이 RS-FF(54)가 “H”를 출력한다.

한편 비교기(52)는 내부레귤레이터(33)가 출력하는 정류전압과 전원(51)이 발생하는 기준전압(V2)을 비교하고, 내부레귤레이터(33)의 출력전압이 기준전압(V2)을 넘었을 때에 “H”를 출력한다. 이에 따라 도 3(c)와 같이, 전파정류회로(2)가 출력하는 정류전압이 기준전압(V2)에 상당하는 전압을 넘은 기간이 검출된다.

타이밍신호발생회로(53) 속의 원쇼트펄스발생회로(53a)는 도 3(d)와 같이, 비교기(52)의 출력신호가 “H”로 상승하는 타이밍에 원쇼트의 펄스(P1)를 발생한다. 또 원쇼트펄스발생회로(53b)는 도 3(e)와 같이, 비교기(52)의 출력신호가 “L”로 하강하는 타이밍에서 원쇼트의 펄스(P2)를 발생한다.

원쇼트펄스발생회로(53a)가 펄스(P1)를 발생하면 RS-FF(54)가 리셋되고, RS-FF(54)가 “L”을 출력한다. 따라서 전파정류회로(2)가 출력하는 정류전압의 사이클 중에서 정류전압의 순간값이 기준전압(V1)을 넘은 사이클이 검출되고, 그 사이클이 검출되었을 때에 RS-FF(54)의 출력신호가 “H”로 된다.

원쇼트펄스발생회로(53b)가 출력하는 펄스(P2)는 D-FF(55)의 클록단자(C)에 주어진다. D-FF(55)는 원쇼트펄스발생회로(53b)가 출력하는 펄스(P2)의 하강에 동기하여 RS-FF(54)의 출력신호를 래치하고, 출력단자(Q)로부터 출력한다. 이와 같이 원쇼트펄스발생회로(53b)가 발생하는 펄스에 동기하여 D-FF(55)가 RS-FF(54)의 출력신호를 래치함으로써 정류전압의 순간값이 기준전압(V1)을 넘은 정류전압의 사이클이 연속되면 그 동안은 도 3(g)와 같이 D-FF(55)가 “H”를 연속하여 출력한다. 즉 D-FF(55)의 출력신호는 교류전원(1)이 200볼트계인 전원전압을 공급하고 있는 것을 나타내는 판별신호가 되고, 도시하지 않는 전원장치에 주어진다. 전원장치는 D-FF(55)로부터 주어진 판별신호에 의거한 제어를 실시한다.

이상과 같이 본 실시형태의 전압검출회로(30)에서는 다음과 같은 잇점을 갖는다.

(1) 교류전압을 정류한 정류전압과 기준전압(V1)을 비교기(42)에서 비교하고, 정류전압의 순간값이 기준전압(V1)을 넘은 기간을 검출하며, 그 검출결과에 의거하여 교류전원(1)이 공급하는 전원전압을 판별하기 때문에 종래와 같이 교류전압이 정류전압의 피크값을 검출하기 위한 콘덴서가 불필요해진다. 그 때문에 교류전압검출회로의 소형화와 저비용화를 실현할 수 있다. 따라서 교류전압검출회로를 편입한 각종 전자회로의 저비용화와 소형화가 가능해진다. 특히 집적회로화가 가능해지는 잇점이 있다.

(2) 타이밍신호발생회로(53)에서 정류전압의 주파수에 동기한 펄스(P1, P2)를 발생시키고, 이들 펄스(P1, P2)를 이용하여 RS-FF(54)에 정류전압의 순간값이 기준전압(V1)을 넘은 사이클을 검출시키며, D-FF(55)에 판별신호를 발생시킨다. 그 때문에 정류전압과 같이 맥동하는 전압으로부터도 200볼트계의 전원전압이 주어져 있는 것을 안정되게 나타내는 판별신호를 생성할 수 있다. 또한 교류전압(1)의 주파수가 변화해도 전원전압을 검출할 수 있다.

[제 2 실시형태]

도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 관련되는 교류전압검출회로의 구성예를나타내는 도면이다.

이 교류전압검출회로(30A)는 전파정류회로(2)에 접속된 분압저항(61, 62)과, 내부레귤레이터(63)와, 비교검출기(70)와, 판별신호생성부(80)를 구비하고 있다.

저항(61) 및 저항(62)은 제 1 실시형태의 저항(31, 32)에 상당하는 것이며, 전파정류회로(2)의 플러스극과 글랜드의 사이에 직렬로 접속되어 있다. 내부레귤레이터(63)는 제 1 실시형태의 내부레귤레이터(33)에 상당하고, 저항(61)과 저항(62)의 접속점이 내부레귤레이터(63) 속의 PNP형 트랜지스터(63a)의 베이스에 접속되어 있다.

트랜지스터(63a)의 콜렉터는 글랜드에 접속되고, 트랜지스터(63a)의 에미터는 정전류원(63b)을 통하여 전원배선에 접속되어 있다. 트랜지스터(63a)의 에미터는 또한 NPN형 트랜지스터(63c)의 베이스와 접속되어 있다. 트랜지스터(63c)의 콜렉터가 전원배선에 접속되고, 트랜지스터(63c)의 에미터가 정전류원(63d)을 통하여 글랜드에 접속되어 있다. 트랜지스터(63c)의 에미터가 내부레귤레이터(63)의 출력단자이다. 이 트랜지스터(63c)의 에미터에 비교검출부(70) 및 판별신호생성부(80)가 접속되어 있다.

비교검출부(70)는 제 1 실시형태의 비교검출기(40)와 마찬가지이며, 기준전압(V1)을 발생하는 전원(71)과 비교기(72)를 구비하고 있다. 전원(71)은 비교기(72)의 한쪽의 입력단자(－)와 접속되어 있다. 트랜지스터(63c)의 에미터가 비교기(72)의 다른쪽의 입력단자(＋)에 접속되어 있다.

판별신호생성부(80)는 기준전압(V2)을 발생하는 전원(81)과, 비교기(82)와,타이밍신호발생부(83)와, RS-FF(84)와, D-FF(85)를 구비하는 동시에, 2입력OR회로(86)를 추가로 구비하고 있다.

전원(81), 비교기(82), 타이밍신호발생부(83), RS-FF(84) 및 D-FF(85)는 제 1 실시형태의 전원(51), 비교기(52), 타이밍신호발생회로(53), RS-FF(54) 및 D-FF(55)와 똑같은 것으로, 똑같이 접속되어 있다.

OR회로(86)의 한쪽의 입력단자는 RS-FF(84)의 출력단자(Q)에 접속되어 있다. OR회로(86)의 다른쪽의 입력단자는 D-FF(85)의 출력단자(Q)에 접속되고, OR회로(86)의 출력단자가 판별신호생성부(80)의 출력단자로 되어 있다.

타이밍신호발생회로(83)는 도 1에 나타내는 타이밍신호발생회로(53)와 똑같은 것으로, 도 5와 같이 구성된다.

타이밍신호발생회로(83)는 비교기(82)의 출력신호의 상승을 검출하여 원쇼트의 펄스를 발생하는 원쇼트펄스발생회로(83a)와, 비교기(82)의 출력신호의 하강을 검출하여 원쇼트의 펄스를 발생하는 원쇼트펄스발생회로(83b)로 구성되어 있다.

원쇼트펄스발생회로(83a)는 비교기(82)의 출력단자가 한쪽의 입력단자에 접속된 AND회로(83c)와, AND회로(83c)의 다른쪽의 입력단자와 비교기(82)의 출력단자의 사이에 직렬로 접속된 홀수개의 인버터(83d)로 구성되어 있다.

원쇼트펄스발생회로(83b)는 비교기(82)의 출력단자가 인버터(83e)를 통하여 한쪽의 입력단자에 접속된 AND회로(83f)와, 인버터(83e)의 출력단자와 AND회로(83f)의 다른쪽의 입력단자의 사이에 직렬로 접속된 홀수개의 인버터(83g)로 구성되어 있다.

원쇼트펄스발생회로(83a)의 AND회로(83c)의 출력단자가 RS-FF(84)의 리셋단자(R)에 접속되어 있다.

원쇼트펄스발생회로(83b)의 AND회로(83f)의 출력단자가 D-FF(85)의 클록단자(C)에 접속되어 있다.

다음으로 교류전압검출회로(30A)의 동작을 도 6(a)∼(h)를 참조하면서 설명한다.

도 6(a)∼(h)는 교류전압검출회로(30A)의 동작을 설명하기 위한 타임챠트이다.

전파정류회로(2)는 교류전원(1)이 발생하는 교류전압을 전파정류하여 정류전압을 발생한다. 저항(61, 62)은 정류전압을 분압한다. 내부레귤레이터(63)는 도 6(a)와 같이, 저항(61, 62)에 의하여 분압된 정류전압의 파형정형을 실시한다.

비교검출부(70) 속의 비교기(72)는 전원(71)이 발생하는 기준전압(V1)과 내부레귤레이터(63)가 출력하는 정류전압을 비교하고, 그 정류전압의 순간값이 기준전압(V1)을 넘었을 때에 “H”를 출력한다. 이에 따라 도 6(b)와 같이, 전파정류회로(2)가 발생하는 정류전압의 순간값이 기준전압(V1)에 상당하는 전압을 넘은 기간이 검출된다. 교류전원(1)이 200볼트계인 전원전압을 전원장치에 공급하고 있을 때에는 비교기(72)의 출력신호가 “H”로 된다. 교류전원(1)이 100볼트계인 전원전압을 전원장치에 공급하고 있을 때에는 비교기(72)의 출력신호가 “L”인 채이다. 비교기(72)의 출력신호가 “H”로 되면 RS-FF(84)가 세트되고, 도 6(f)와 같이 RS-FF(84)가 “H”를 출력한다.

한편 비교기(82)는 내부레귤레이터(63)가 출력하는 정류전압과 전원(81)이 발생하는 기준전압(V2)을 비교하고, 내부레귤레이터(63)의 출력전압이 기준전압(V2)을 넘고 있을 때에 도 6(c)와 같이 “H”를 출력한다.

타이밍신호발생회로(83)는 도 6(d)와 같이, 비교기(82)의 출력신호가 “H”로 상승하는 타이밍에 원쇼트의 펄스(P1)를 발생하는 동시에, 도 6(e)와 같이, 비교기(82)의 출력신호가 “L”로 하강하는 타이밍에서 원쇼트의 펄스(P2)를 발생한다.

여기에서 노이즈제거용 콘덴서를 전파정류회로(2)의 플러스극과 글랜드간에 넣음으로써 교류전원(1)이 공급하는 전원전압이 200볼트계인 때에 내부레귤레이터(63)가 출력하는 정류전압이 도 6(a)와 같이 기준전압(V2)보다도 낮아지지 않는 경우가 생각된다. 이와 같은 때에는 비교기(82)의 출력신호가 “H”로 고정되기 때문에 펄스(P2)가 발생되지 않고, RS-FF(84)의 출력신호가 “H”로 고정된다. RS-FF(84)의 출력신호가 “H”로 고정되어 있는 기간에는 OR회로(86)의 출력신호는 “H”로 되고, 교류전원(1)이 공급하는 전원전압이 200볼트계인 것을 나타낸다.

교류전원(1)이 공급하는 전원전압이 100볼트계로 변화하고, 정류전압의 순간값이 기준전압(V2)에 대응하는 전압보다도 낮아지면 비교기(82)의 출력신호가 “L”로 천이한다. 타이밍신호발생회로(83)는 도 6(e)와 같이, 비교기(82)의 출력신호가 “L”로 천이할 때마다 펄스(P2)를 발생한다. 한편 전원전압이 100볼트계가 되면 비교기(72)의 출력신호는 “L”로 고정된다. 따라서 RS-FF(84)가 세트되지 않고, RS-FF(84)의 출력신호가 “L”로 된다. 펄스(P2)가 하강하는 타이밍에서RS-FF(84)의 출력신호의 “L”을 래치하는 D-FF(85)의 출력신호가 “L”로 된다. 이 때 OR회로(86)의 출력신호가 “L”로 천이한다. 즉 교류전원(1)이 공급하는 전원전압이 200볼트계로부터 100볼트계로 변화한 것이 나타내어진다.

이상과 같이, 본 실시형태의 교류전압검출회로(30A)에서는 제 1 실시형태와 마찬가지로 정류전압의 피크값을 검출하기 위한 콘덴서가 불필요하여 교류전압검출회로(30A)의 소형화와 저비용화를 실현할 수 있을 뿐만 아니라, OR회로(86)를 설치했기 때문에 교류전원(1)이 공급하는 전원전압이 200볼트계이고, 정류전압이 기준전압(V2)에 대응하는 전압보다도 낮아지지 않는 경우에도 200볼트계의 전원전압이 공급되어 있는 것을 판별신호로 나타낼 수 있다.

[제 3 실시형태]

도 7은 본 발명의 제 3 실시형태에 관련되는 교류전압검출회로의 구성예를 나타내는 도면이고, 제 2 실시형태의 도 4 중의 요소와 공통하는 요소에는 공통의 부호가 붙여져 있다.

이 교류전압검출회로(30B)는 제 2 실시형태의 교류전압검출회로의 비교검출부(70) 및 판별신호생성부(80)를 도 7의 비교검출부(90) 및 판별신호생성부(100)로 치환한 것이다. 다른 구성은 제 2 실시형태와 마찬가지이다.

비교검출부(90)는 전원(91)과 비교기(72)를 구비하고 있다. 전원(91)은 내부레귤레이터(63)가 발생하는 정류전압이 상승하고, 비교기(72)의 출력이 “L”로부터 “H”로 변화했을 때 기준전압(V1)보다 낮은 기준전압을 발생한다. 또 전원(91)은 내부레귤레이터(63)가 발생하는 정류전압이 하강하고, 비교기(72)의 출력이“H”로부터 “L”로 변화했을 때 전압(V1)보다 낮았던 기준전압을 원래의 기준전압(V1)으로 변화시킨다. 이 전원(91)이 발생하는 기준전압은 200볼트계의 전원전압이 주어져 있는 것을 검출하기 위한 전압으로서 이용된다. 비교기(72)는 제 2 실시형태의 비교검출부(70) 속의 비교기(72)와 같은 것으로, 비교기(72)의 한쪽의 입력단자(＋)는 내부레귤레이터(63)의 출력단자에 접속되어 있다. 비교기(72)의 다른쪽의 입력단자(－)와 전원(91)이 접속되어 있다.

판별신호생성부(100)는 제 2 실시형태의 판별신호생성부(80) 속의 전원(81)을 전원(101)으로 변경한 것으로, 다른 구성은 판별신호생성부(80)와 마찬가지이다. 전원(101)은 내부레귤레이터(63)가 발생하는 정류전압이 상승하고, 비교기(82)의 출력이 “L”로부터 “H”로 변화했을 때 기준전압(V2)보다 낮은 기준전압을 발생한다. 또 전원(101)은 내부레귤레이터(63)가 발생하는 정류전압이 하강하고, 비교기(82)의 출력이 “H”로부터 “L”로 변화했을 때 전압(V2)보다 낮았던 기준전압을 원래의 기준전압(V2)으로 변화시킨다. 전원(101)이 비교기(82)의 입력단자(－)에 접속되어 있다.

이 교류전압검출회로에서는 전원(91) 및 전원(101)이 정류전압이 상승할 때와 하강할 때에서 다른 기준전압을 발생하고, 비교기(72) 및 비교기(82)가 그 기준전압과 정류전압을 비교한다. 따라서 비교기(72, 82)의 출력신호가 “L”로부터 “H”로 천이할 때의 기준전압과 “H”로부터 “L”로 천이하는 기준전압의 사이에 히스테리시스가 가져지게 된다. 그 때문에 내부레귤레이터(63)가 발생하는 정류전압이 노이즈에 의하여 변동했을 때에라도 한 번 “H”로 천이한 비교기(72, 82)의출력신호가 다시 “L”로 되는 것이 방지되어 전원전압의 검출정밀도가 향상한다.

다른 동작은 제 2 실시형태와 마찬가지이고, 200볼트계의 전원전압이 교류전원(1)으로부터 공급되어 있을 때에는 “H”의 판별신호를 전원장치에 주고, 100볼트계의 전원전압이 공급되어 있을 때에는 “L”의 판별신호를 전원장치에 준다.

이상과 같은 본 실시형태의 교류전압검출회로(30B)에서는 전원(91, 101)을 설치하고, 비교기(72, 82)에 주는 기준전압을 내부레귤레이터(63)에서 발생하는 정류전압이 상승할 때와 하강할 때로 변화시키고 있다. 그 때문에 노이즈에 강한 교류전압검출회로를 구성할 수 있다.

또한 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지의 변형이 가능하다. 그 변형예로서는 다음과 같은 것이 있다.

(1) 제 1∼3의 실시형태에서는 내부레귤레이터(33, 63)를 구비하고 있는데, 내부레귤레이터(33, 63)는 생략 가능하며, 전파정류회로(2)에서 발생하는 정류전압을 분압저항(31, 32, 61, 62)을 통하여 비교기(42, 52, 72, 82)에 입력해도 좋다.

(2) 제 1∼3의 실시형태에서는 100볼트계의 전원전압과 200볼트계의 2계통의 전원전압을 판별하는 구성예를 나타냈다. 그러나 이에 한정되지 않고, 도 8에 나타내는 바와 같이 비교검출부(43) 속에 2개의 비교기(45, 47)와 전환기(48)를 구비할 수도 있다.

전원(44)은 비교기(45)의 한쪽의 입력단자(－)와 접속되어 있다. 기준전압(V1)은 제 1 실시형태와 마찬가지로 교류전원(1)이 공급하는 전원전압이 100볼트계인지 200볼트계인지를 검출하기 위한 전압이며, 예를 들면 검출점을 AC160[V] 정도로 되도록 설정한다.

전원(46)은 비교기(47)의 한쪽의 입력단자(－)와 접속되어 있다. 기준전압(V3)은 교류전원(1)이 공급하는 전원전압이 예를 들면 300볼트계인지 아닌지를 검출하기 위한 전압이며, 예를 들면 검출점을 AC260[V] 정도로 되도록 설정해도 좋다. 트랜지스터(33c)의 에미터는 비교기(45, 47)의 다른쪽의 입력단자(＋)에 접속되어 있다.

또 전환기(48)는 비교기(45, 47)의 어느 쪽인가 한쪽의 출력신호를 선택출력한다.

이와 같이 구성됨으로써 1개의 기준전압(V1)뿐만 아니라 복수의 기준전압(V1, V3)과 정류전압을 비교시키고, 그 결과로부터 판별신호를 생성하는 구성으로 하면 3계통의 전원전압을 판별할 수 있다. 또한 비교기를 늘리면 4계통 이상의 전원전압을 판별할 수 있다.

(3) 또 도 8에 나타내는 전압검출회로에 대해서도 도 9에 나타내는 바와 같이, 비교검출부(43)가 도 7에 나타내는 전원(91)과 같도록 동작하는 전원(92, 93)을 구비하고, 판별신호생성부(50)도 도 7에 나타내는 전원(101)과 같도록 동작하는 전원(102)을 구비하도록 할 수도 있다.

그리고 전원(92, 93, 102)이 비교기(45, 47, 52)에 주는 기준전압(V1, V2, V3)을 정류전압이 상승할 때와 하강할 때에서 다르게 함으로써 히스테리시스를 갖게 할 수도 있다.

(4) 제 3 실시형태에서는 비교기(72, 82)에 주는 기준전압을 정류전압이 상승할 때와 하강할 때에서 다르게 함으로써 히스테리시스를 갖게 하고 있는데, 기준전압을 고정화해 두고, 정류전압이 기준전압을 가로질렀을 때에 비교기(72, 82)에 입력되는 정류전압을 변화시켜도 좋다. 이와 같이 해도 제 3 실시형태와 마찬가지로 히스테리시스를 갖게 할 수 있다.

(5) 제 1∼제 3 실시형태에서는 정류전압을 플러스방향의 전압으로 하고, 교류신호와 대응시켜서 설명했다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고, 정류전압을 마이너스방향의 전압이어도 본 실시형태를 적용할 수 있다. 이 경우 이 정류전압을 반전시킨 교류신호를 생성하고, 이 교류신호의 신호레벨의 고저를 판별하면 좋다.

본 발명은 2002년 3월 6일에 출원된 특원2002-60059에 의거하여 본 명세서 속에 그 명세서, 특허청구범위, 도면 전체를 참고로서 받아들이는 것으로 한다.

본 발명은 전압검출회로를 사용하는 산업분야에 이용 가능하다.

Claims

교류신호의 신호레벨이 0보다도 큰 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었는지 아닌지를 판별하는 제 1 판별부(52, 82)와,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)보다도 큰 제 2 기준전압(V1)을 넘었는지 아닌지를 판별하는 제 2 판별부(40, 70, 90)와,

상기 제 1 판별부(52, 82)의 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별부(40, 70, 90)의 제 2 판별결과를 기억하는 기억부(53, 54, 83, 84)와,

상기 기억부(53, 54, 83, 84)가 기억하고 있는 판별결과를 참조하고, 참조한 판별결과에 의거하여 상기 교류신호의 신호레벨의 고저를 판별하며, 해당 판별결과로서의 고저판별신호를 출력하는 판별신호출력부(53b, 55, 85, 86)를 구비한 것을 특징으로 하는 교류신호의 레벨검출회로.
제 1 항에 있어서,

상기 판별신호출력부(53b, 55, 85, 86)는,

상기 기억부(53, 54, 83, 84)가 기억하고 있는 상기 제 1 판별부(52, 82)의 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별부(40, 70, 90)의 판별결과를 참조하고,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘은 것을 나타내는 제 1 판별결과와, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘은 것을 나타내는 제 2 판별결과를 상기 기억부(53, 54, 83,84)가 기억하고 있을 때 상기 교류신호의 신호레벨이 높은 것을 나타내는 고저판별신호를 출력하며,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘은 것을 나타내는 제 1 판별결과와, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1) 이하인 것을 나타내는 제 2 판별결과를 상기 기억부(53, 54, 83, 84)가 기억하고 있을 때 상기 교류신호의 신호레벨이 낮은 것을 나타내는 고저판별신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 교류신호의 레벨검출회로.
제 2 항에 있어서,

상기 판별신호출력부(53b, 55)는,

기억부(53, 54)가 기억하고 있는 상기 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별결과를, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 큰 쪽으로부터 작은 쪽으로 넘었을 때에 참조하여 상기 고저판별신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 교류신호의 레벨검출회로.
제 2 항에 있어서,

상기 판별신호출력부(83b, 85, 86)는,

기억부(83, 84)가 기억하고 있는 상기 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별결과를, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘었을 때와 상기 제 1 기준전압(V2)을 큰 쪽으로부터 작은 쪽으로 넘었을 때에 참조하여 상기 고저판별신호로서 출력하는 것을 특징으로 하는 교류신호의 레벨검출회로.
제 3 항에 있어서,

상기 제 1 판별부는 상기 교류신호의 신호레벨과 상기 제 1 기준전압(V2)을 비교하고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때는 그 취지의 제 1 판별결과를 출력하는 제 1 비교기(52)를 구비하며,

상기 제 2 판별부는 상기 교류신호의 신호레벨과 상기 제 2 기준전압(V1)을 비교하고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘었을 때는 그 취지의 제 2 판별결과를 출력하는 제 2 비교기(42)를 구비하며,

상기 기억부는,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘은 것을 나타내는 상기 제 1 비교기(52)의 제 1 판별결과에 의거하여 리셋신호(P1)를 생성해서 출력하는 리셋신호출력부(53a)와,

상기 리셋신호생성부(53a)가 생성한 리셋신호(P1)에 의거하여 리셋되며, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘은 것을 나타내는 상기 제 2 비교기(42)의 제 2 판별결과에 의거하여 세트되는 Q신호를 출력하고, 상기 Q신호의 리셋, 세트상태를 상기 제 1 판별결과, 상기 제 2 판별결과로서 기억하는 리셋세트플립플롭회로(54)를 구비하며,

상기 판별신호출력부는,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘은 것을 나타내는 상기 제 1 비교기(52)의 제 1 판별결과에 의거하여 타이밍신호(P2)를 생성하고, 출력하는 타이밍신호출력부(53b)와,

상기 타이밍신호출력부(53b)로부터 상기 타이밍신호(P2)가 출력되었을 때에 상기 리셋세트플립플롭회로(54)로부터 출력된 Q신호의 리셋, 세트상태를 참조하고, 참조한 상태와 같은 상태의 신호를 상기 고저판별신호로서 출력하는 지연형 플립플롭회로(55)를 구비한 것을 특징으로 하는 교류신호의 레벨검출회로.
제 4 항에 있어서,

상기 제 1 판별부는 상기 교류신호의 신호레벨과 상기 제 1 기준전압(V2)을 비교하고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때는 그 취지의 제 1 판별결과를 출력하는 제 1 비교기(82)를 구비하며,

상기 제 2 판별부는 상기 교류신호의 신호레벨과 상기 제 2 기준전압(V1)을 비교하고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘었을 때는 그 취지의 제 2 판별결과를 출력하는 제 2 비교기(72)를 구비하며,

상기 기억부는,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)을 넘은 것을 나타내는 상기 제 1 비교기(82)의 제 1 판별결과에 의거하여 리셋신호(P1)를 생성해서 출력하는 리셋신호출력부(83a)와,

상기 리셋신호출력부(83a)가 생성한 리셋신호(P1)에 의거하여 리셋되고, 상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 2 기준전압(V1)을 넘은 것을 나타내는 상기 제 2 비교기(72)의 제 2 판별결과에 의거하여 세트되는 Q신호를 출력하며, 상기 Q신호의 리셋, 세트상태를 상기 제 1 판별결과, 상기 제 2 판별결과로서 기억하는 리셋세트플립플롭회로(84)를 구비하고,

상기 판별신호출력부는,

상기 제 1 비교기(82)가 판별한 상기 제 1 판별결과에 의거하여 타이밍신호(P2)를 생성하고, 출력하는 타이밍신호출력부(83b)와,

상기 타이밍신호출력부(83b)로부터 상기 타이밍신호(P2)가 출력되었을 때에 상기 리셋세트플립플롭회로(84)로부터 출력된 Q신호의 리셋, 세트상태를 참조하고, 참조한 상태와 같은 상태의 신호를 출력하는 지연형 플립플롭회로(85)와,

상기 리셋세트플립플롭회로(84)의 출력신호와 지연형 플립플롭회로(85)의 논리합연산을 실시하고, 논리합연산의 결과를 고저판별신호로서 출력하는 논리합연산부(86)를 구비한 것을 특징으로 하는 교류신호의 레벨검출회로.
제 6 항에 있어서,

상기 제 1 기준전압(V2)을 갖는 제 1 전원과, 상기 제 2 기준전압(V1)을 갖는 제 2 전원을 구비하고,

상기 제 1 전원은 상기 교류신호의 신호레벨이 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때에 제 1 기준전압(V2)을 저하시키며,

상기 제 2 전원은 상기 제 2 기준전압을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때에 상기 제 2 기준전압을 저하시키는 것을 특징으로 하는 교류신호의 레벨검출회로.
상기 교류신호의 신호레벨이 0보다도 큰 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었는지 아닌지를 판별하는 제 1 판별부(52)와,

상기 교류신호의 신호레벨이 상기 제 1 기준전압(V2)보다도 큰 복수의 제 2 기준전압(V1, V3)을 넘었는지 아닌지를 판별하고, 어느 쪽인가 하나를 제 2 판별결과로서 출력하는 제 2 판별부(43)와,

상기 제 1 판별부(52)의 제 1 판별결과와 상기 제 2 판별부(43)가 출력한 제 2 판별결과를 기억하는 기억부(53a, 54)와,

상기 기억부(53a, 54)가 기억하고 있는 판별결과를 참조하고, 참조한 판별결과에 의거하여 상기 교류신호의 신호레벨의 고저를 판별하며, 해당 판별결과로서의 고저판별신호를 출력하는 판별신호출력부(53b, 55)를 구비한 것을 특징으로 하는 교류신호의 레벨검출회로.
제 8 항에 있어서,

상기 제 1 기준전압(V2)을 갖는 제 1 전원과, 상기 제 2 기준전압(V1)을 갖는 제 2 전원을 구비하고,

상기 제 1 전원은 상기 교류신호의 신호레벨이 제 1 기준전압(V2)을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때에 제 1 기준전압(V2)을 저하시키며,

상기 제 2 전원은 상기 제 2 기준전압을 작은 쪽으로부터 큰 쪽으로 넘었을 때에 상기 제 2 기준전압(V1, V3)을 저하시키는 것을 특징으로 하는 교류신호의 레벨검출회로.