KR20040076119A - Semiconductor Manufacturing Equipment With Instrument For Measuring Contamination Level - Google Patents

Semiconductor Manufacturing Equipment With Instrument For Measuring Contamination Level Download PDF

Info

Publication number
KR20040076119A
KR20040076119A KR1020030011461A KR20030011461A KR20040076119A KR 20040076119 A KR20040076119 A KR 20040076119A KR 1020030011461 A KR1020030011461 A KR 1020030011461A KR 20030011461 A KR20030011461 A KR 20030011461A KR 20040076119 A KR20040076119 A KR 20040076119A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
contamination
photoresist
sensors
semiconductor
meter
Prior art date
Application number
KR1020030011461A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김철홍
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030011461A priority Critical patent/KR20040076119A/en
Publication of KR20040076119A publication Critical patent/KR20040076119A/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Abstract

PURPOSE: A semiconductor fabricating apparatus with a contamination measuring unit is provided to prevent a defect of a semiconductor product and improve yield of a semiconductor fabricating process by including a contamination measuring unit capable of automatically monitoring the degree of contamination. CONSTITUTION: Chemical materials used for fabricating a semiconductor device are collected in a collecting receptacle(50). The contamination measuring unit(60) measures a contamination degree, attached to the inner wall of the collecting receptacle. A control computer(70) monitors the contamination degree, connected to the contamination measuring unit.

Description

오염 측정기를 구비하는 반도체 제조 장치{Semiconductor Manufacturing Equipment With Instrument For Measuring Contamination Level}Semiconductor Manufacturing Equipment With Instrument For Measuring Contamination Level

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 특히 오염 측정기를 구비하는 포토레지스트 코팅 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a photoresist coating apparatus having a contamination meter.

고집적화된 반도체 장치를 제조하기 위해서는, 통상적으로 사진 공정, 식각 공정, 확산 공정 및 박막 형성 공정 등으로 구분되는 4가지 제조 공정들을 조합하여 사용하는 것이 필요하다.In order to manufacture a highly integrated semiconductor device, it is usually necessary to use a combination of four manufacturing processes divided into a photo process, an etching process, a diffusion process, and a thin film forming process.

상기 사진 공정은 빛을 이용하여 레티클에 그려진 소정의 회로 패턴을 포토레지스트막으로 전사하는 과정이다. 상기 사진 공정의 세부적인 단계를 상세하게 살펴보면, 반도체기판에 포토레지스트막을 형성한 후, 노광하는 단계를 포함한다.상기 노광 단계는 회로 패턴이 그려진 레티클을 사진 마스크로 사용한다. 상기 노광 단계에서 빛이 조사된 영역과 그렇지 않은 영역의 포토레지스트막은 화학적으로 서로 달라진다. 이처럼 서로 다른 화학적 성질을 갖는 포토레지스트막들은 현상액에 대해 서로 다른 식각 특성을 갖는다. 이러한 서로 다른 식각 특성을 이용하여, 상기 포토레지스트막의 소정영역을 선택적으로 제거함으로써 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 화학적 특성을 이용하여 상기 포토레지스트막을 선택적으로 제거하는 공정은 소위 현상 공정으로 불리며, 이를 통해 상기 레티클에 그려진 회로 패턴은 상기 포토레지스트막으로 전사된다. 상기 현상 공정 이후, 통상적으로 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하는 식각 공정을 실시한다. 상기 식각 공정은 상기 포토레지스트 패턴의 모양을 그 하부막으로 전사하는 과정이며, 이 공정을 실시한 후 상기 포토레지스트 패턴은 제거된다.The photo process is a process of transferring a predetermined circuit pattern drawn on a reticle to a photoresist film using light. The detailed steps of the photolithography process include forming a photoresist film on a semiconductor substrate and then exposing the photoresist film. The exposing step uses a reticle having a circuit pattern as a photo mask. In the exposure step, the photoresist film of the region to which the light is irradiated and the region that is not to light is chemically different from each other. As described above, photoresist layers having different chemical properties have different etching characteristics with respect to the developer. By using such different etching characteristics, a photoresist pattern is formed by selectively removing a predetermined region of the photoresist film. The process of selectively removing the photoresist film by using the chemical property is called a developing process, through which the circuit pattern drawn on the reticle is transferred to the photoresist film. After the developing process, an etching process using the photoresist pattern as an etching mask is usually performed. The etching process is a process of transferring the shape of the photoresist pattern to the lower layer, and after performing this process, the photoresist pattern is removed.

한편, 상기 포토레지스트막을 형성하는 단계는 고속으로 회전하는 상기 반도체기판 상에 액상의 포토레지스트 물질을 도포하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 상기 포토레지스트막은 상기 반도체기판의 상부면에 균일하게 형성된다. 하지만, 액상의 포토레지스트가 고속으로 회전하는 반도체기판 상에 떨구어질 경우, 원심력에 의해 상기 포토레지스트 물질은 상기 반도체기판의 표면에서 바깥 방향으로 이탈된다. 이탈되는 포토레지스트 물질은 코팅중인 반도체기판으로부터 이격된 다른 장비 또는 반도체기판에까지 도달하기에 충분한 속도를 갖는다. 상기 속도는 회전하는 반도체기판의 각속도에 비례한다. 이처럼 이탈된 포토레지스트 물질이 다른 장비 또는 반도체기판에 묻을 경우, 제품 불량을 유발하는 오염 원인이 된다.On the other hand, forming the photoresist film includes applying a liquid photoresist material on the semiconductor substrate rotates at a high speed. Accordingly, the photoresist film is uniformly formed on the upper surface of the semiconductor substrate. However, when the liquid photoresist falls on the semiconductor substrate rotating at high speed, the photoresist material is separated outward from the surface of the semiconductor substrate by centrifugal force. The released photoresist material has a sufficient speed to reach the semiconductor substrate or other equipment spaced from the semiconductor substrate being coated. The speed is proportional to the angular speed of the rotating semiconductor substrate. If such detached photoresist material is deposited on other equipment or semiconductor substrates, it may cause contamination.

따라서, 상기 포토레지스트가 다른 장비를 오염시키는 것을 방지하도록, 상기 회전하는 반도체기판 주변에는 상기 포토레지스트를 수거하는 사발(bowl) 모양의 구조물이 배치된다. 상기 포토레지스트를 수거하는 구조물은 코팅을 위해 로딩된 반도체기판을 둘러싸되, 그 하부에 배치되는 포토레지스트 수거 용기에 연결된다. 이에 따라, 상기 회전하는 반도체기판으로부터 이탈된 포토레지스트는 상기 포토레지스트 수거 용기에 모이게 된다.Thus, a bowl-shaped structure for collecting the photoresist is disposed around the rotating semiconductor substrate to prevent the photoresist from contaminating other equipment. The structure for collecting the photoresist is connected to a photoresist collection vessel disposed below and surrounding the semiconductor substrate loaded for coating. Accordingly, photoresist separated from the rotating semiconductor substrate is collected in the photoresist collection container.

상기 수거 용기는 오염 정도에 따라 소정의 시간이 지난 후 세척되어야 한다. 종래 기술에 따르면 수거 용기의 오염 정도는 육안으로 관찰하는 방법을 통해 측정된다. 육안 관찰은 정량화된 방법이 아니며, 실시간으로 측정 가능하지 않기 때문에, 수거 용기의 오염도를 정확하게 측정하지 못하는 문제를 갖는다. 이러한 수거 용기의 오염은 반도체 제품의 구형 불량을 유발한다.The collection container should be cleaned after a predetermined time depending on the degree of contamination. According to the prior art, the degree of contamination of the collection vessel is measured by visual observation. Visual observation is not a quantified method, and because it is not measurable in real time, there is a problem that it is not possible to accurately measure the degree of contamination of the collection container. Contamination of such collection containers causes spherical failure of the semiconductor product.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 오염에 따른 불량을 최소화할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of minimizing defects due to contamination.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 포토레지스트 코팅 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a photoresist coating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 오염 측정기를 구비하는 반도체 제조 장치를 나타내는 도면이다.2 is a view showing a semiconductor manufacturing apparatus having a contamination detector according to the present invention.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 오염측정기를 구비하는 반도체 제조 장치를 제공한다. 이 장치는 반도체 장치를 제조하기 위해 사용된 화학 물질이 모이는 집합 용기 및 상기 집합 용기의 내벽에 부착되어 오염도를 측정하는 오염 측정기를 포함한다. 상기 오염 측정기에는 측정된 오염도를 모니터링하는 제어 컴퓨터가 연결된다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a semiconductor manufacturing apparatus having a pollution meter. The device includes a collection vessel where the chemicals used to manufacture the semiconductor device gather and a contamination meter attached to the inner wall of the collection vessel to measure the degree of contamination. The pollution meter is connected to a control computer for monitoring the measured pollution level.

상기 오염 측정기는 광학 센서, 접촉연소식 센서, 뉴세라믹 센서 및 전기화학식 센서 중에서 선택된 한가지인 것이 바람직하다.The contamination detector is preferably one selected from among optical sensors, contact combustion sensors, pneumatic sensors and electrochemical sensors.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상은 오염 측정기를 구비하는 포토레지스트 코팅 장치에 적용되는 실시예가 가능하다. 이 실시예에 따른 포토레지스트 코팅 장치는 웨이퍼가 로딩되는 회전 척, 상기 회전 척을 둘러싸는 코팅액 수거 사발, 상기 코팅액 수거 사발의 하부에 연결되는 코팅액 집합 용기 및 상기 코팅액 집합 용기의 내벽에 배치되는 오염 측정기를 구비한다.The technical idea of the present invention for achieving the above technical problem is possible embodiments applied to a photoresist coating apparatus having a contamination meter. The photoresist coating apparatus according to this embodiment includes a rotary chuck on which a wafer is loaded, a coating liquid collection bowl surrounding the rotating chuck, a coating liquid collection container connected to a lower portion of the coating liquid collection bowl, and contamination disposed on an inner wall of the coating liquid collection container. A measuring device is provided.

이 실시예에서, 상기 오염 측정기는 광학 센서, 접촉연소식 센서, 뉴세라믹 센서 및 전기화학식 센서 중에서 선택된 한가지일 수 있으며, 특히, 상기 광학 센서는 발광 소자 및 수광 센서로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제어 컴퓨터는 상기 오염 측정기에서 측정된 오염도를 표시하는 디스플레이 장치에 연결될 수 있다.In this embodiment, the contamination meter may be one selected from an optical sensor, a contact combustion sensor, a nutraceutical sensor, and an electrochemical sensor, and in particular, the optical sensor may be configured of a light emitting element and a light receiving sensor. In addition, the control computer may be connected to a display device for displaying the pollution degree measured by the pollution meter.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 포토레지스트 코팅 장치를 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a photoresist coating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토레지스트 코팅 장치는 회전 척(chuck, 20), 상기 회전 척(20)을 둘러싸는 포토레지스트 수거 사발(bowl, 30) 및 상기 포토레지스트 수거 사발(30)의 하부에 연결된 포토레지스트 집합 용기(box, 50)를 포함한다.1, a photoresist coating apparatus according to a preferred embodiment of the present invention is a rotary chuck (20), a photoresist collection bowl (30) surrounding the rotary chuck 20 and the photoresist collection And a photoresist assembly box 50 connected to the bottom of the bowl 30.

상기 회전 척(20)의 상부면에는 포토레지스트가 도포될 반도체 웨이퍼(40)가 로딩된다. 상기 반도체 웨이퍼(40)가 상기 회전 척(20)의 상부에 로딩된 후, 상기 회전 척(20)은 고속으로 회전한다.The upper surface of the rotary chuck 20 is loaded with a semiconductor wafer 40 to be applied a photoresist. After the semiconductor wafer 40 is loaded on the rotary chuck 20, the rotary chuck 20 rotates at a high speed.

상기 회전 척(20)의 상부에는 액상의 포토레지스트를 토출하는 노즐(10)이 배치된다. 이에 따라, 상기 노즐(10)로부터 토출된 포토레지스트는 상기 회전하는 반도체 웨이퍼(40)의 상부에 접촉하면서, 마찰력에 의해 상기 반도체 웨이퍼(40)의 회전 속도에 상응하는 속도를 갖게 된다. 이때 포토레지스트의 운동은 시간에 따라 방향이 바뀌는 비등속 운동이기 때문에, 상기 포토레지스트는 원심력을 갖고 상기 반도체 웨이퍼(40)의 바깥 방향으로 퍼진다. 그 결과, 상기 포토레지스트는 상기 반도체 웨이퍼(40)의 상부면을 균일하게 도포할 수 있다.The nozzle 10 for discharging the liquid photoresist is disposed above the rotary chuck 20. Accordingly, the photoresist discharged from the nozzle 10 is in contact with the upper portion of the rotating semiconductor wafer 40, and has a speed corresponding to the rotational speed of the semiconductor wafer 40 by the frictional force. At this time, since the motion of the photoresist is a non-constant motion changing in direction with time, the photoresist has a centrifugal force and spreads outward of the semiconductor wafer 40. As a result, the photoresist may uniformly apply the upper surface of the semiconductor wafer 40.

하지만, 상기 포토레지스트가 상기 반도체 웨이퍼(40)의 가장 자리에 도달하면, 상술한 원심력에 의해 상기 각속도에 상응하는 선속력을 가지면서 상기 반도체 웨이퍼(40)의 바깥 방향으로 이탈된다. 이때, 상기 포토레지스트 수거 사발(30)은 이탈되는 포토레지스트가 다른 장비 또는 반도체 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지한다. 이를 위해, 상기 포토레지스트 수거 사발(30)은 상기 반도체 웨이퍼(40)가 로딩된 상기 회전 척(20)을 둘러싸면서 배치된다. 또한, 상기 포토레지스트 수거 사발(30)은 상기 이탈된 포토레지스트가 코팅중이 반도체 웨이퍼(40)로 반사되어 재부착되지 않도록 다소 경사진 상부면을 갖도록 형성한다. 상기 노즐(10)은 상기 포토레지스트 수거 사발(30)의 상부면을 관통하도록 배치된다.However, when the photoresist reaches the edge of the semiconductor wafer 40, the photoresist is separated out of the semiconductor wafer 40 with the linear force corresponding to the angular velocity by the centrifugal force described above. At this time, the photoresist collection bowl 30 prevents the photoresist from being separated from contaminating other equipment or the semiconductor wafer. To this end, the photoresist collection bowl 30 is disposed surrounding the rotary chuck 20 loaded with the semiconductor wafer 40. In addition, the photoresist collection bowl 30 is formed to have a slightly inclined top surface such that the detached photoresist is not reflected and reattached to the semiconductor wafer 40 during coating. The nozzle 10 is disposed to penetrate the upper surface of the photoresist collection bowl 30.

상기 포토레지스트 수거 사발(30)의 아래에는 유입관(52)을 통해 연결되는 상기 포토레지스트 집합 용기(50)가 배치된다. 또한, 상기 포토레지스트 집합 용기(50)의 아래면에는 배출관(54)이 배치된다. 이에 따라, 상기 액상으로 도포된 포토레지스트는 상기 반도체 웨이퍼(40), 상기 포토레지스트 수거 사발(30) 및 상기 유입관(52)을 지나는 경로를 통해 상기 포토레지스트 집합 용기(50)에 모인 후, 상기 배출관(54)을 통해 외부로 배출된다.Below the photoresist collection bowl 30, the photoresist collection vessel 50 is connected via an inlet pipe 52. In addition, the discharge pipe 54 is disposed on the lower surface of the photoresist collecting container 50. Accordingly, the photoresist coated in the liquid phase is collected in the photoresist collecting container 50 through a path passing through the semiconductor wafer 40, the photoresist collecting bowl 30, and the inlet pipe 52. It is discharged to the outside through the discharge pipe (54).

상기 포토레지스트 집합 용기(50)의 내벽에는 적어도 한개의 오염 측정기(60)가 배치된다. 상기 오염 측정기(60)는 광학 센서, 접촉연소식 센서, 뉴세라믹 센서 및 전기화학식 센서들 중의 한가지일 수 있다. 바람직하게는 상기 오염 측정기(60)는 발광 소자 및 수광 센서로 이루어지는 광학 센서이다. 상기 오염 측정기(60)가 상기 광학 센서를 사용할 경우, 수광 센서에서 측정되는 빛의 세기는 상기 포토레지스트 집합 용기(50) 내부의 오염 정도를 반영한다. 따라서, 상기 수광 센서에서 측정되는 빛의 세기가 감소할 경우 이를 작업자에게 알리는 수단으로서, 상기 수광 센서는 제어 컴퓨터(70)에 연결되는 것이 바람직하다.At least one contamination detector 60 is disposed on an inner wall of the photoresist collection container 50. The contamination detector 60 may be one of an optical sensor, a contact combustion sensor, a nutraceutical sensor, and an electrochemical sensor. Preferably, the pollution meter 60 is an optical sensor consisting of a light emitting element and a light receiving sensor. When the contamination measuring device 60 uses the optical sensor, the intensity of light measured by the light receiving sensor reflects the degree of contamination inside the photoresist collecting container 50. Therefore, it is preferable that the light receiving sensor is connected to the control computer 70 as a means for notifying the worker when the intensity of light measured by the light receiving sensor decreases.

상기 제어 컴퓨터(70)는 도 2에 도시된 것처럼 경고 장치(90)(예를 들면, 경고등, 디스플레이 소자 등과 같은 시각 장치 및 경고음을 발생하는 스피커 등과 같은 청각 장치)를 사용하여 작업자에게 오염 사실을 알린다. 또한, 상기 제어 컴퓨터(70)는 오염 정도에 따라, 상기 회전척(20)의 동작을 중단시키는 기능을 함께 가질 수도 있다. 이러한 제어 컴퓨터의 모니터링 및 제어를 위해, 상기 제어 컴퓨터(70)와 상기 오염 측정기(60) 사이에는 신호/제어 라인(72)이 배치될 수 있다. 이러한 신호/제어 라인(72)은 상기 경고 장치(90)와 상기 제어 컴퓨터(70) 사이에 배치될 수도 있다.The control computer 70 uses a warning device 90 (e.g., a visual device such as a warning light, a display element, etc. and an auditory device such as a speaker that generates a warning sound) as shown in FIG. Inform. In addition, the control computer 70 may have a function of stopping the operation of the rotary chuck 20 according to the degree of contamination. For monitoring and control of such a control computer, a signal / control line 72 can be arranged between the control computer 70 and the contamination detector 60. This signal / control line 72 may be arranged between the warning device 90 and the control computer 70.

본 발명에 따르면, 오염 측정기를 구비함으로써 오염 정도를 자동으로 모니터링할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공한다. 특히, 상기 오염 측정기를 포토레지스트 코팅 장치에 사용하는 본 발명의 일 실시예에 따르면, 구형 불량과 같은 반도체 제품의 불량을 예방할 수 있다. 그 결과, 반도체 제조 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.According to the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus capable of automatically monitoring the degree of contamination by having a contamination meter. In particular, according to an embodiment of the present invention using the contamination meter in the photoresist coating apparatus, it is possible to prevent a defect of the semiconductor product, such as a spherical defect. As a result, the yield of a semiconductor manufacturing process can be improved.

Claims (6)

반도체 장치를 제조하기 위해 사용된 화학 물질이 모이는 집합 용기;An aggregate container for gathering chemicals used to manufacture the semiconductor device; 상기 집합 용기의 내벽에 부착되어, 오염도를 측정하는 오염 측정기; 및A pollution meter attached to an inner wall of the collection container to measure a pollution level; And 상기 오염 측정기에 연결되는 측정된 오염도를 모니터링하는 제어 컴퓨터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a control computer for monitoring the measured pollution level coupled to the pollution meter. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오염 측정기는 광학 센서, 접촉연소식 센서, 뉴세라믹 센서 및 전기화학식 센서 중에서 선택된 한가지인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.The contamination measuring device is a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that one selected from optical sensors, contact combustion sensors, pneumatic ceramic sensors and electrochemical sensors. 웨이퍼가 로딩되는 회전 척;A rotary chuck on which the wafer is loaded; 상기 회전 척을 둘러싸는 코팅액 수거 사발;A coating liquid collection bowl surrounding the rotary chuck; 상기 코팅액 수거 사발의 하부에 연결되는 코팅액 집합 용기; 및A coating liquid collection container connected to a lower portion of the coating liquid collection bowl; And 상기 코팅액 집합 용기의 내벽에 배치되는 오염 측정기를 구비하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 코팅 장치.And a contamination meter disposed on an inner wall of the coating liquid collection container. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 오염 측정기는 광학 센서, 접촉연소식 센서, 뉴세라믹 센서 및 전기화학식 센서 중에서 선택된 한가지인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 코팅 장치.The contamination measuring device is a photoresist coating apparatus, characterized in that one selected from optical sensors, contact combustion sensors, nutraceutical sensors and electrochemical sensors. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광학 센서는 발광 소자 및 수광 센서로 구성되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 코팅 장치.The optical sensor is a photoresist coating apparatus, characterized in that consisting of a light emitting element and a light receiving sensor. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어 컴퓨터는 상기 오염 측정기에서 측정된 오염도를 표시하는 디스플레이 장치에 연결되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 코팅 장치.And the control computer is connected to a display device that displays the contamination level measured by the contamination meter.
KR1020030011461A 2003-02-24 2003-02-24 Semiconductor Manufacturing Equipment With Instrument For Measuring Contamination Level KR20040076119A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030011461A KR20040076119A (en) 2003-02-24 2003-02-24 Semiconductor Manufacturing Equipment With Instrument For Measuring Contamination Level

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030011461A KR20040076119A (en) 2003-02-24 2003-02-24 Semiconductor Manufacturing Equipment With Instrument For Measuring Contamination Level

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040076119A true KR20040076119A (en) 2004-08-31

Family

ID=37362111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030011461A KR20040076119A (en) 2003-02-24 2003-02-24 Semiconductor Manufacturing Equipment With Instrument For Measuring Contamination Level

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040076119A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060031420A (en) * 2004-10-08 2006-04-12 엘지전자 주식회사 Control device for cleaning air and control method therefor
KR100587908B1 (en) * 2004-12-28 2006-06-09 동부일렉트로닉스 주식회사 Coating device including wafer counter
KR101483539B1 (en) * 2014-05-14 2015-01-26 주식회사 위드텍 Apparatus for analyzing contaminants in air
WO2015174562A1 (en) * 2014-05-14 2015-11-19 주식회사 위드텍 Pollutant monitoring device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060031420A (en) * 2004-10-08 2006-04-12 엘지전자 주식회사 Control device for cleaning air and control method therefor
KR100587908B1 (en) * 2004-12-28 2006-06-09 동부일렉트로닉스 주식회사 Coating device including wafer counter
KR101483539B1 (en) * 2014-05-14 2015-01-26 주식회사 위드텍 Apparatus for analyzing contaminants in air
WO2015174562A1 (en) * 2014-05-14 2015-11-19 주식회사 위드텍 Pollutant monitoring device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4005879B2 (en) Development method, substrate processing method, and substrate processing apparatus
JP5064340B2 (en) Method and apparatus for immersion lithography
US6500588B2 (en) Reticle cleaning without damaging pellicle
TWI804563B (en) System and method for fluid dispense and coverage control
US5938847A (en) Method and apparatus for coating a film on an object being processed
JP2009111383A (en) Immersion lithography apparatus
KR20040076119A (en) Semiconductor Manufacturing Equipment With Instrument For Measuring Contamination Level
KR20200133892A (en) spin coater and manufacturing method of semiconductor device using the same
US6493078B1 (en) Method and apparatus to improve coating quality
TW202013092A (en) Semiconductor apparatus
US7145653B1 (en) In situ particle monitoring for defect reduction
JPH11147068A (en) Treatment apparatus and method
US5313818A (en) Contaminant monitor for a flowing liquid
JP2013065685A (en) Chemical application device
KR20040072346A (en) Apparatus coating photoresist of semiconductor
JP3163147B2 (en) Resist evaluation apparatus, resist coating apparatus and resist coating method using the same
CN208848034U (en) Edge exposure device
JP2006319350A (en) Substrate treating method
CN111587479B (en) System and method for fluid distribution and coverage control
KR100628251B1 (en) Device for detecting contamination of lens in the exposure device
KR100868624B1 (en) Particle detector
WO2021164624A1 (en) Hydrophobic membrane structure, detection method and detection system therefor, and wafer carrier
KR20010002492A (en) Exhaust apparatus of reagent used for manufacturing semiconductor device
TW202208069A (en) System and method for liquid dispense and coverage control
JPH04198717A (en) Flow quantity detecting device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination