KR20040062134A - Liquid crystal display panel and fabricating method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same are provided to improve the brightness of a liquid crystal display panel by thinning an organic passivation film. CONSTITUTION: An insulating film is formed on a first substrate. A plurality of data lines are patterned on the insulating film at regular gaps. An organic passivation film is formed on the insulating film including the data lines. Black matrices are formed on the organic passivation film corresponding to the data lines. Color filters are formed on the organic passivation film including the black matrices. Pixel electrodes are formed on the color filters. A first alignment film is formed on the pixel electrodes. A common electrode and a second alignment film are accumulated on a second substrate. The first substrate and the second substrate are joined with each other to make the first alignment film face the second alignment film at a separation gap. A liquid crystal layer is formed in the separation gap.

Description

액정 표시패널 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND FABRICATING METHOD THEREOF}Liquid crystal display panel and its manufacturing method {LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND FABRICATING METHOD THEREOF}

본 발명은 액정 표시패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고개구율 액정 표시패널의 휘도를 향상시키기에 적당하도록 한 액정 표시패널 및그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same, which are suitable for improving the brightness of a high-aperture rate liquid crystal display panel.

일반적으로, 액정 표시장치는 매트릭스(matrix) 형태로 배열된 단위 화소들에 화상정보에 따른 데이터신호를 개별적으로 공급하여, 그 단위 화소들의 광투과율을 조절함으로써, 원하는 화상을 표시할 수 있도록 한 표시장치이다.In general, a liquid crystal display is a display in which a desired image can be displayed by individually supplying data signals according to image information to unit pixels arranged in a matrix, and adjusting light transmittance of the unit pixels. Device.

따라서, 액정 표시장치에는 단위 화소들이 매트릭스 형태로 배열되는 액정 표시패널과; 상기 단위 화소들을 구동하기 위한 드라이버 집적회로(integrated circuit : IC)가 구비된다.Accordingly, the liquid crystal display includes a liquid crystal display panel in which unit pixels are arranged in a matrix; A driver integrated circuit (IC) for driving the unit pixels is provided.

상기 액정 표시패널은 서로 대향하는 컬러필터(color filter) 기판 및 박막 트랜지스터 어레이 기판과, 그 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 이격 간격에 충진된 액정층으로 구성된다.The liquid crystal display panel includes a color filter substrate and a thin film transistor array substrate facing each other, and a liquid crystal layer filled in a spaced interval between the color filter substrate and the thin film transistor array substrate.

그리고, 상기 액정 표시패널의 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에는 데이터 드라이버 집적회로로부터 공급되는 데이터 신호를 단위 화소들에 전송하기 위한 다수의 데이터 라인들과, 게이트 드라이버 집적회로로부터 공급되는 주사신호를 단위 화소들에 전송하기 위한 다수의 게이트 라인들이 서로 직교하며, 이들 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차부마다 단위 화소들이 정의된다.On the thin film transistor array substrate of the liquid crystal display panel, a plurality of data lines for transmitting a data signal supplied from a data driver integrated circuit to the unit pixels and a scan signal supplied from the gate driver integrated circuit to the unit pixels. A plurality of gate lines for transmission are orthogonal to each other, and unit pixels are defined at each intersection of these data lines and the gate lines.

상기 게이트 드라이버 집적회로는 다수의 게이트 라인들에 순차적으로 주사신호를 공급함으로써, 매트릭스 형태로 배열된 단위 화소들이 1개 라인씩 순차적으로 선택되도록 하고, 그 선택된 1개 라인의 단위 화소들에 상기 데이터 드라이버 집적회로로부터 화상정보에 따른 데이터 신호가 개별적으로 공급된다.The gate driver integrated circuit sequentially supplies scan signals to a plurality of gate lines so that unit pixels arranged in a matrix form are sequentially selected one by one, and the data is stored in the unit pixels of the selected one line. Data signals in accordance with the image information are separately supplied from the driver integrated circuits.

한편, 상기 컬러필터 기판 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 대향하는 내측면에는 각각 공통전극과 화소전극이 형성되어 상기 액정층에 전계를 인가한다. 이때, 화소전극은 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에 단위 화소 별로 형성되는 반면에 공통전극은 컬러필터 기판의 전면에 일체화되어 형성된다. 따라서, 공통전극에 전압을 인가한 상태에서 화소전극에 인가되는 전압을 제어함으로써, 단위 화소들의 광투과율을 개별적으로 조절할 수 있게 된다.Meanwhile, a common electrode and a pixel electrode are formed on opposite inner surfaces of the color filter substrate and the thin film transistor array substrate to apply an electric field to the liquid crystal layer. In this case, the pixel electrode is formed per unit pixel on the thin film transistor array substrate, while the common electrode is integrally formed on the entire surface of the color filter substrate. Therefore, by controlling the voltage applied to the pixel electrode in the state where the voltage is applied to the common electrode, the light transmittance of the unit pixels can be adjusted individually.

이와같이 화소전극에 인가되는 전압을 단위 화소 별로 제어하기 위하여 각각의 단위 화소에는 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터가 형성된다.As described above, in order to control the voltage applied to the pixel electrode for each unit pixel, a thin film transistor used as a switching element is formed in each unit pixel.

상기한 바와같은 액정 표시장치의 구성요소들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The components of the liquid crystal display as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도1은 일반적인 액정 표시장치의 단위 화소에 대한 평면도이다.First, FIG. 1 is a plan view of a unit pixel of a general liquid crystal display.

도1을 참조하면, 게이트 라인(4-1,4)들이 기판 상에 일정하게 이격되어 행으로 배열되고, 데이터 라인(2,2+1)들이 일정하게 이격되어 열로 배열된다. 따라서, 게이트 라인(4-1,4)들과 데이터 라인(2,2+1)들은 매트릭스 형태로 배열된다. 이때, 데이터 라인(2)과 게이트 라인(4)의 교차부에 단위 화소가 정의되며, 각각 박막 트랜지스터(TFT)와 화소전극(14)을 구비한다.Referring to FIG. 1, gate lines 4-1 and 4 are arranged in rows spaced apart on a substrate, and data lines 2, 2 + 1 are arranged in columns spaced apart from each other. Thus, the gate lines 4-1 and 4 and the data lines 2 and 2 + 1 are arranged in a matrix. In this case, a unit pixel is defined at an intersection of the data line 2 and the gate line 4, and includes a thin film transistor TFT and a pixel electrode 14, respectively.

상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 라인(4)의 소정의 위치에서 연장되는 게이트 전극(10)과; 상기 데이터 라인(2)의 소정의 위치에서 연장되어 상기 게이트 전극(10)과 소정의 영역이 오버-랩(overlap)되는 소스 전극(8)과; 상기 게이트 전극(10)을 기준으로 소스 전극(8)과 대응되도록 형성된 드레인 전극(12)을 구비한다.The TFT may include a gate electrode 10 extending at a predetermined position of the gate line 4; A source electrode 8 extending from a predetermined position of the data line 2 so that the gate electrode 10 and a predetermined region overlap with each other; The drain electrode 12 is formed to correspond to the source electrode 8 based on the gate electrode 10.

상기 소스 전극(8)과 드레인 전극(12)은 상기 게이트 전극(10) 상에서 일정하게 이격되도록 형성되고, 상기 드레인 전극(12)은 드레인 콘택홀(16)을 통해 화소전극(14)과 전기적으로 접촉된다. 이때, 화소전극(14)은 광투과율이 높은 투명 ITO(indium tin oxide) 물질로 형성된다.The source electrode 8 and the drain electrode 12 are formed to be uniformly spaced apart on the gate electrode 10, and the drain electrode 12 is electrically connected to the pixel electrode 14 through the drain contact hole 16. Contact. In this case, the pixel electrode 14 is formed of a transparent indium tin oxide (ITO) material having high light transmittance.

또한, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 전극(10)에 공급되는 주사신호에 의해 소스 전극(8)과 드레인 전극(12) 사이에 도전 채널이 형성될 수 있도록 반도체층(도면상에 도시되지 않음)을 구비한다.In addition, the thin film transistor TFT may include a semiconductor layer (not shown in the drawing) such that a conductive channel may be formed between the source electrode 8 and the drain electrode 12 by the scan signal supplied to the gate electrode 10. Not).

따라서, 상기 주사신호가 게이트 라인(4)들을 통해 상기 게이트 전극(10)에 공급되면, 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(8)과 드레인 전극(12) 사이에는 도전 채널이 형성되고, 이때 상기 데이터 라인(2)들을 통해 소스 전극(8)에 공급되는 데이터 신호가 도전 채널에 의해 드레인 전극(12)으로 전송된다.Therefore, when the scan signal is supplied to the gate electrode 10 through the gate lines 4, a conductive channel is formed between the source electrode 8 and the drain electrode 12 of the thin film transistor TFT. The data signal supplied to the source electrode 8 via the data lines 2 is transmitted to the drain electrode 12 by the conductive channel.

그리고, 상기 드레인 전극(12)은 드레인 콘택홀(16)을 통해 화소전극(14)과 접속되어 있기 때문에 드레인 전극(12)에 공급된 데이터 신호가 화소전극(14)에 인가된다.Since the drain electrode 12 is connected to the pixel electrode 14 through the drain contact hole 16, the data signal supplied to the drain electrode 12 is applied to the pixel electrode 14.

따라서, 데이터 신호가 인가된 화소전극(14)은 컬러필터 기판에 형성되는 공통 투명전극(도면상에 도시되지 않음)과 함께 액정층에 전계를 발생시킨다.Therefore, the pixel electrode 14 to which the data signal is applied generates an electric field in the liquid crystal layer together with the common transparent electrode (not shown) formed on the color filter substrate.

상기한 바와같이 액정층에 전계가 인가되면, 액정은 유전 이방성에 의해 회전하여 빛을 투과시키며, 그 투과되는 빛의 양은 데이터 신호의 전압값에 의해 조절된다.As described above, when an electric field is applied to the liquid crystal layer, the liquid crystal rotates by dielectric anisotropy to transmit light, and the amount of transmitted light is controlled by the voltage value of the data signal.

한편, 상기 화소전극(14)은 스토리지 콘택홀(22)을 통해 스토리지 전극(20)과 접속되고, 그 스토리지 전극(20)은 전단(前段, preceding) 게이트 라인(4-1)과 게이트 절연막(도면상에 도시되지 않음)을 사이에 두고 오버-랩되어 스토리지 커패시터(18)로 기능한다.The pixel electrode 14 is connected to the storage electrode 20 through the storage contact hole 22, and the storage electrode 20 is connected to the preceding gate line 4-1 and the gate insulating film ( (Not shown in the figure) and overlapped to function as a storage capacitor 18.

따라서, 상기 스토리지 커패시터(18)는 게이트 라인(4)에 주사신호가 인가되는 박막 트랜지스터(TFT)의 턴-온(turn-on) 기간 동안 주사신호의 전압값을 충전시킨 후, 박막 트랜지스터(TFT)의 턴-오프(turn-off) 기간 동안 그 충전된 전압을 상기 화소전극(14)에 공급함으로써, 액정의 구동이 유지되도록 한다.Therefore, the storage capacitor 18 charges the voltage value of the scan signal during the turn-on period of the thin film transistor TFT to which the scan signal is applied to the gate line 4, and then the thin film transistor TFT. The driving of the liquid crystal is maintained by supplying the charged voltage to the pixel electrode 14 during the turn-off period.

도2는 도1의 I-I'선을 따라 절단한 단위 화소의 단면을 보인 예시도로서, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 대향하여 합착되는 컬러필터 기판(60)과; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 및 컬러필터 기판(60)을 일정하게 이격시키는 스페이서(70)와; 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60) 사이의 이격된 공간에 액정이 충진된 액정층(80)으로 구성된다.FIG. 2 is an exemplary view showing a cross section of a unit pixel cut along the line II ′ of FIG. 1, wherein the color filter substrate 60 is bonded to face the thin film transistor array substrate 50; A spacer (70) spaced apart from the thin film transistor array substrate (50) and the color filter substrate (60); The liquid crystal layer 80 is filled with liquid crystal in a space spaced between the thin film transistor array substrate 50 and the color filter substrate 60.

상기 도2의 예시도를 참조하여 박막 트랜지스터(TFT)의 제조과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.The manufacturing process of the thin film transistor TFT is described in detail with reference to the exemplary diagram of FIG. 2 as follows.

먼저, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)의 상에 금속물질을 형성한 다음 패터닝하여 게이트 전극(10)을 형성한다.First, a metal material is formed on the thin film transistor array substrate 50 and then patterned to form the gate electrode 10.

상기 게이트 전극(10)이 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 상에 절연물질을 전면 증착하여 게이트 절연막(30)을 형성한다.The gate insulating layer 30 is formed by depositing an insulating material on the thin film transistor array substrate 50 on which the gate electrode 10 is formed.

상기 게이트 절연막(30) 상에는 비정질 실리콘(amorphous silicon)으로 이루어진 반도체층(32)과, 인(P)이 고농도로 도핑된 n+ 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹접촉층(ohmic contact layer, 34)을 연속 증착한 다음 패터닝하여 박막 트랜지스터(TFT)의 액티브층(36)을 형성한다.On the gate insulating layer 30, a semiconductor layer 32 made of amorphous silicon and an ohmic contact layer 34 made of n + amorphous silicon doped with phosphorus (P) at a high concentration are continuously deposited. Next, the active layer 36 of the thin film transistor TFT is formed by patterning.

상기 게이트 절연막(30)과 오믹접촉층(34) 상에 금속물질을 증착한 다음 패터닝하여 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(8)과 드레인 전극(12)을 형성한다. 이때, 소스 전극(8)과 드레인 전극(12)은 액티브층(36)의 상부에서 서로 대응하여 이격되도록 패터닝된다.A metal material is deposited on the gate insulating layer 30 and the ohmic contact layer 34 and then patterned to form a source electrode 8 and a drain electrode 12 of the TFT. In this case, the source electrode 8 and the drain electrode 12 are patterned to be spaced apart corresponding to each other on the upper portion of the active layer 36.

따라서, 상기 액티브층(36) 상부의 오믹접촉층(34)이 노출되는데, 상기 소스 전극(8)과 드레인 전극(12)의 패터닝 과정에서 노출된 오믹접촉층(34)이 제거된다.Accordingly, the ohmic contact layer 34 over the active layer 36 is exposed, and the ohmic contact layer 34 exposed during the patterning of the source electrode 8 and the drain electrode 12 is removed.

상기 오믹접촉층(34)이 제거됨에 따라 반도체층(32)이 노출되는데, 그 노출된 반도체층(32)은 박막 트랜지스터(TFT)의 채널영역으로 정의된다.As the ohmic contact layer 34 is removed, the semiconductor layer 32 is exposed, and the exposed semiconductor layer 32 is defined as a channel region of the thin film transistor TFT.

상기 노출된 반도체층(32)을 포함하여 소스 전극(8)과 드레인 전극(12) 등이 형성된 게이트 절연막(30) 상에 절연물질을 전면 증착하여 보호막(passivation film, 38)을 형성한다.The passivation film 38 is formed by entirely depositing an insulating material on the gate insulating layer 30 including the exposed semiconductor layer 32 and the source electrode 8, the drain electrode 12, and the like.

상기 드레인 전극(12) 상의 보호막(38) 일부를 선택적으로 식각하여 드레인 전극(12)의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(16)을 형성한다.A portion of the passivation layer 38 on the drain electrode 12 is selectively etched to form a drain contact hole 16 exposing a portion of the drain electrode 12.

상기 보호막(38) 상에 투명 전극물질을 형성한 다음 패터닝함으로써, 상기 드레인 콘택홀(16)을 통해 드레인 전극(12)에 접속되도록 화소전극(14)을 형성한다.By forming and patterning a transparent electrode material on the passivation layer 38, the pixel electrode 14 is formed to be connected to the drain electrode 12 through the drain contact hole 16.

상기 결과물의 전면에 배향막(51)을 형성한 다음 러빙(rubbing)을 실시한다. 이때, 러빙은 균일한 압력과 속도로 천을 배향막(51) 표면과 마찰시킴으로써, 배향막(51) 표면의 고분자 사슬이 일정한 방향으로 정렬되도록 하여 액정의 초기 배향방향을 결정하는 공정을 말한다.The alignment layer 51 is formed on the entire surface of the resultant, and then rubbing is performed. At this time, rubbing refers to a process of determining the initial alignment direction of the liquid crystal by rubbing the cloth with the surface of the alignment film 51 at a uniform pressure and speed so that the polymer chains on the surface of the alignment film 51 are aligned in a predetermined direction.

한편, 상기 도2의 예시도를 참조하여 스토리지 커패시터 영역의 제조과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, the manufacturing process of the storage capacitor region will be described in detail with reference to the exemplary diagram of FIG. 2.

먼저, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 상에 게이트 라인(4-1)을 패터닝하고, 그 상부에 게이트 절연막(30)을 형성한다. 이때, 게이트 라인(4-1)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(10)을 형성하는 과정에서 형성되고, 게이트 절연막(30)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 절연막(30)과 동일한 막이다.First, a gate line 4-1 is patterned on the thin film transistor array substrate 50, and a gate insulating layer 30 is formed on the gate line 4-1. In this case, the gate line 4-1 is formed in the process of forming the gate electrode 10 of the thin film transistor TFT, and the gate insulating film 30 is the same as the gate insulating film 30 of the thin film transistor TFT. That's it.

상기 게이트 절연막(30)의 상부에 스토리지 전극(20)을 패터닝한다. 이때, 스토리지 전극(20)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(8)과 드레인 전극(12)을 형성하는 과정에서 형성되며, 게이트 절연막(30)을 사이에 두고 게이트 라인(4-1)의 일부영역과 오버-랩되어 스토리지 커패시터(18)로 기능한다.The storage electrode 20 is patterned on the gate insulating layer 30. In this case, the storage electrode 20 is formed in the process of forming the source electrode 8 and the drain electrode 12 of the TFT, and the gate line 4-1 with the gate insulating layer 30 therebetween. Overlap with a portion of the to function as a storage capacitor (18).

상기 스토리지 전극(20)이 형성된 게이트 절연막(30) 상부에 보호막(38)을 형성한 다음 그 보호막(38)의 일부를 식각하여 스토리지 전극(20)의 일부를 노출시키는 스토리지 콘택홀(22)을 형성한다. 이때, 보호막(38)은 상기 박막 트랜지스터(TFT) 영역의 보호막(38)과 동일한 막이고, 스토리지 콘택홀(22)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 콘택홀(16)을 형성하는 과정에서 형성된다.A storage layer 38 is formed on the gate insulating layer 30 on which the storage electrode 20 is formed, and then a portion of the protective layer 38 is etched to expose a portion of the storage electrode 20. Form. In this case, the passivation layer 38 is the same as the passivation layer 38 of the TFT region, and the storage contact hole 22 is formed in the process of forming the drain contact hole 16 of the TFT. do.

상기 보호막(38) 상에 화소전극(14)을 패터닝하며, 그 화소전극(14)이 상기 스토리지 콘택홀(22)을 통해 스토리지 전극(20)에 접속된다. 이때, 화소전극(14)은 상기 박막 트랜지스터(TFT) 영역에 형성되는 화소전극(14)과 동일한 전극이다.The pixel electrode 14 is patterned on the passivation layer 38, and the pixel electrode 14 is connected to the storage electrode 20 through the storage contact hole 22. In this case, the pixel electrode 14 is the same electrode as the pixel electrode 14 formed in the thin film transistor TFT area.

한편, 상기 도2의 예시도를 참조하여 컬러필터 기판(60)의 제조과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, the manufacturing process of the color filter substrate 60 will be described in detail with reference to the exemplary view of FIG. 2 as follows.

먼저, 컬러필터 기판(60) 상에 블랙 매트릭스(black matrix, 62)를 일정한 간격으로 이격 도포한다. 이때, 블랙 매트릭스(62)는 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 상에 형성되는 게이트 라인(4-1,4), 데이터 라인(2,2+1) 및 박막 트랜지스터(TFT)들과 대응되는 영역에 형성되며, 후술할 적(R), 녹(G), 청(B) 색상의 컬러필터(63)를 통해 단위 화소별로 투과되는 빛이 인접하는 화소들과 혼색되어 액정 표시패널의 화질이 저하되는 것을 방지한다.First, a black matrix 62 is spaced apart at regular intervals on the color filter substrate 60. In this case, the black matrix 62 is an area corresponding to the gate lines 4-1 and 4, the data lines 2 and 2 + 1, and the TFTs formed on the TFT array substrate 50. The light transmitted through the color filters 63 of red (R), green (G), and blue (B) colors, which will be described later, may be mixed with adjacent pixels to reduce image quality of the liquid crystal display panel. Prevent it.

그리고, 상기 블랙 매트릭스(62)가 형성된 컬러필터 기판(60)의 상부에 적(R), 녹(G), 청(B) 색상의 컬러필터(63)를 형성한다.A color filter 63 of red (R), green (G), and blue (B) color is formed on the color filter substrate 60 on which the black matrix 62 is formed.

상기 블랙 매트릭스(62)를 포함한 컬러필터(63)의 상부전면에 금속물질을 형성한 다음 패터닝하여 공통전극(64)을 형성한다.The common electrode 64 is formed by forming and then patterning a metal material on the upper surface of the color filter 63 including the black matrix 62.

상기 결과물의 상부전면에 배향막(65)을 형성한 다음 러빙을 실시한다.After the alignment film 65 is formed on the upper surface of the resultant, rubbing is performed.

상기한 바와같이 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)의 제작이 완료되면, 그 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 상에 실링재(도면상에 도시되지 않음)를 인쇄함과 아울러 상기 컬러필터 기판(60) 상에는 스페이서(70)를 형성한다. 이때, 제작자의 의도에 따라 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 상에 스페이서(70)를 형성하고, 컬러필터 기판(60) 상에 실링재를 인쇄할 수 있다.As described above, when fabrication of the thin film transistor array substrate 50 and the color filter substrate 60 is completed, a sealing material (not shown) is printed on the thin film transistor array substrate 50, and the color is printed. The spacer 70 is formed on the filter substrate 60. In this case, the spacer 70 may be formed on the thin film transistor array substrate 50 according to the intention of the manufacturer, and the sealing material may be printed on the color filter substrate 60.

상기 스페이서(70)는 소정의 직경을 갖는 글래스 비드, 플라스틱 비드 등을 균일한 밀도로 산포하는 산포방식을 적용하여 형성한다.The spacer 70 is formed by applying a scattering method of dispersing glass beads, plastic beads, etc. having a predetermined diameter with a uniform density.

상기 실링재 인쇄 및 스페이서(70) 형성이 완료된 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)을 합착한다.The thin film transistor array substrate 50 and the color filter substrate 60 on which the sealing material printing and the spacer 70 are formed are bonded to each other.

상기 합착된 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)을 단위 액정 표시패널로 절단한다. 일반적으로, 액정 표시패널을 제작하기 위해서 대면적의 유리기판에 다수개의 액정 표시패널들을 동시에 형성하여 수율을 향상시키고 있기 때문에 개별적인 액정 표시패널들로 절단하는 공정이 요구된다.The bonded thin film transistor array substrate 50 and the color filter substrate 60 are cut into a unit liquid crystal display panel. In general, in order to manufacture a liquid crystal display panel, since a plurality of liquid crystal display panels are formed on a large glass substrate at the same time to improve the yield, a process of cutting into individual liquid crystal display panels is required.

상기 절단된 단위 액정 표시패널에 액정을 주입하고, 그 주입구를 밀봉함으로써, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)의 배향막(51,65)의 이격된 공간에 액정층(80)을 형성한다. 이때, 초기 액정 표시장치의 제조과정에서는 다수개의 액정 패널에 액정을 주입한 다음 단위 액정 패널로 절단하였으나, 단위 액정 패널의 크기가 증가함에 따라 일률적인 액정 주입을 위한 공정 조절이 까다롭고, 액정 주입 불량으로 인한 제품의 생산성이 저하되어 단위 액정 패널로 절단한 다음 액정을 주입하는 방식이 사용되고 있다.By injecting liquid crystal into the cut unit liquid crystal display panel and sealing the injection hole, the liquid crystal layer 80 is spaced apart from the alignment layers 51 and 65 of the thin film transistor array substrate 50 and the color filter substrate 60. To form. In the manufacturing process of the initial liquid crystal display, liquid crystal was injected into a plurality of liquid crystal panels and then cut into a unit liquid crystal panel. However, as the size of the unit liquid crystal panel increases, it is difficult to control the process for uniform liquid crystal injection. Due to the poor productivity of the product is reduced to cut the unit liquid crystal panel and then the liquid crystal is injected.

상기 단위 액정 표시패널은 수백 ㎠ 면적에 수 ㎛의 미세한 셀-갭(cell-gap)을 갖기 때문에 효과적으로 액정을 주입하기 위해서, 단위 액정 패널 내측과 외측의 압력차를 이용한 진공 주입법이 가장 일반적으로 사용된다.Since the unit liquid crystal display panel has a fine cell-gap of several μm in an area of several hundred cm 2, a vacuum injection method using a pressure difference between the inside and the outside of the unit liquid crystal panel is most commonly used to effectively inject liquid crystal. do.

도3은 상기 도1의 II-II'선을 따라 절단한 단위 화소의 단면구성을 보인 예시도이다.FIG. 3 is an exemplary view illustrating a cross-sectional structure of a unit pixel cut along the line II-II ′ of FIG. 1.

도3을 참조하면, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 상에 형성된 게이트 절연막(30)과; 상기 게이트 절연막(30)의 상면에 일정하게 이격되도록 패터닝된 데이터라인(2,2+1)들과; 상기 데이터 라인(2,2+1)들을 포함한 게이트 절연막(30)의 상면에 형성된 보호막(38)과; 상기 데이터 라인(2,2+1)들이 이격되는 영역의 보호막(38)의 상면에 패터닝된 화소전극(14)과; 상기 화소전극(14)을 포함한 보호막(38)의 상면에 형성된 배향막(51)이 도시되어 있다.3, a gate insulating film 30 formed on the thin film transistor array substrate 50; Data lines (2,2 + 1) patterned to be uniformly spaced apart from an upper surface of the gate insulating film (30); A protective film 38 formed on an upper surface of the gate insulating film 30 including the data lines 2 and 2 + 1; A pixel electrode 14 patterned on an upper surface of the passivation layer 38 in a region where the data lines 2 and 2 + 1 are spaced apart from each other; The alignment film 51 formed on the upper surface of the protective film 38 including the pixel electrode 14 is shown.

또한, 컬러필터 기판(60) 상에 일정하게 이격되어 도포된 블랙 매트릭스(62)와; 상기 블랙 매트릭스(62)가 형성된 컬러필터 기판(60) 상에 형성된 적, 녹, 청 색상의 컬러필터(63)와; 상기 블랙 매트릭스(62)를 포함한 컬러필터(63)의 상부전면에 형성된 공통전극(64)과; 상기 공통전극(64)의 상면에 형성된 배향막(65)이 도시되어 있다.In addition, the black matrix 62 is uniformly spaced apart on the color filter substrate 60; Red, green, and blue color filters (63) formed on the color filter substrate (60) on which the black matrix (62) is formed; A common electrode 64 formed on an upper surface of the color filter 63 including the black matrix 62; The alignment film 65 formed on the upper surface of the common electrode 64 is shown.

상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)은 전술한 바와같이 각각의 최상면에 형성된 배향막(51,65)이 대향하도록 일정하게 이격되어 합착되며, 그 이격된 공간에 액정층(80)이 형성된다.As described above, the thin film transistor array substrate 50 and the color filter substrate 60 are uniformly spaced apart from each other so that the alignment layers 51 and 65 formed on the uppermost surfaces thereof face each other, and the liquid crystal layer 80 is spaced apart from each other. ) Is formed.

한편, 도면에 도시되지는 않았지만, 도2의 박막 트랜지스터 제작과정에서 이미 설명한 반도체층(32) 및 오믹접촉층(34)이 적층된 액티브층(36)이 상기 데이터 라인(2,2+1)들의 하부에 잔류할 수 있다.Although not shown in the drawing, the active layer 36 in which the semiconductor layer 32 and the ohmic contact layer 34 described above are stacked in the thin film transistor fabrication process of FIG. 2 is the data line 2, 2 + 1. May remain at the bottom of the field.

일반적인 액정 표시장치에서는 상기 보호막(38)의 재질로 비교적 박막(薄膜)인 SiNx 등의 무기물질이 적용된다.In a general liquid crystal display, an inorganic material such as SiNx, which is a relatively thin film, is used as the material of the protective film 38.

한편, 상기 데이터 라인(2,2+1)들과 화소전극(14)의 일부를 보호막(38)에 의해 오버-랩(overlap)되도록 형성하고, 블랙 매트릭스(62)의 선폭을 감소시키는 경우에 액정 표시장치의 개구율을 보다 향상시킬 수 있다.Meanwhile, when the data lines 2 and 2 + 1 and a part of the pixel electrode 14 are formed to overlap with the protective film 38, and the line width of the black matrix 62 is reduced. The aperture ratio of the liquid crystal display device can be further improved.

그러나, 전술한 바와같이 상기 보호막(38)의 재질로 비교적 박막인 SiNx 재질의 무기물질이 적용됨에 따라 데이터 라인(2,2+1)들과 화소전극(14)의 일부가 보호막(38)에 의해 오버-랩되면, 데이터 라인(2,2+1)들과 화소전극(14)이 상호 영향(예를 들어, 기생 용량)을 끼치게 되어 신호특성이 나빠지는 문제점이 있었다.However, as described above, as a relatively thin SiNx inorganic material is applied as the material of the protective film 38, the data lines 2 and 2 + 1 and a part of the pixel electrode 14 may be formed on the protective film 38. When overlapped with each other, the data lines 2 and 2 + 1 and the pixel electrode 14 exert mutual influence (for example, parasitic capacitance), thereby deteriorating signal characteristics.

따라서, 상기 데이터 라인(2,2+1)들과 화소전극(14)의 일부가 보호막(38)에 오버-랩되는 경우에도 신호특성이 나빠지지 않도록 상기 보호막(38)의 재질로 유전율이 낮은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene : BCB)막, 에스오지(spin on glass : SOG)막, 포토-아크릴(photo-acryl)막등의 유기물질을 적용하는 고개구율 액정 표시장치가 제안되었다. 이와같은 고개구율 액정 표시장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Therefore, even when the data lines 2 and 2 + 1 and a part of the pixel electrode 14 are overlapped with the passivation layer 38, the dielectric constant of the passivation layer 38 is low so that the signal characteristic does not deteriorate. A high-aperture liquid crystal display device using organic materials such as benzocyclobutene (BCB) film, spin on glass (SOG) film, and photo-acryl film has been proposed. The high-aperture liquid crystal display device will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도4는 고개구율 액정 표시장치의 평면구성을 보인 예시도이고, 도5는 도4의 III-III'선을 따라 절단한 단면구성을 보인 예시도이다.FIG. 4 is an exemplary view showing a planar configuration of a high aperture liquid crystal display, and FIG. 5 is an exemplary view showing a cross-sectional configuration taken along line III-III 'of FIG. 4.

먼저, 도4의 평면구성을 참조하면, 데이터 라인(2,2+1)들과 화소전극(14)의 일부가 오버-랩되어 형성된 것을 제외하면, 전술한 도1의 평면구성과 동일하다.First, referring to the planar configuration of FIG. 4, the planar configuration of FIG. 1 is the same as described above, except that the data lines 2 and 2 + 1 and a part of the pixel electrode 14 are overlapped with each other.

그리고, 도5의 단면구성을 참조하면, 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 상면에 형성된 게이트 절연막(30)과; 상기 게이트 절연막(30)의 상면에 일정하게 이격되도록 패터닝된 데이터 라인(2,2+1)들과; 상기 데이터 라인(2,2+1)들을 포함한 게이트 절연막(30)의 상면에 형성된 포토-아크릴 재질의 보호막(48)과; 상기 데이터 라인(2,2+1)들이 이격되는 영역의 보호막(48)의 상면에 상기 데이터 라인(2,2+1)들과 일부가 오버-랩되도록 패터닝된 화소전극(14)과; 상기 화소전극(14)을 포함한보호막(48)의 상면에 형성된 배향막(51)이 도시되어 있다.5, a gate insulating film 30 formed on the upper surface of the thin film transistor array substrate 50; Data lines (2, 2 + 1) patterned to be uniformly spaced apart from an upper surface of the gate insulating film (30); A protective film 48 made of a photo-acrylic material formed on an upper surface of the gate insulating film 30 including the data lines 2 and 2 + 1; A pixel electrode 14 patterned to partially overlap the data lines 2 and 2 + 1 on the upper surface of the passivation layer 48 in a region where the data lines 2 and 2 + 1 are spaced apart; The alignment film 51 formed on the upper surface of the protective film 48 including the pixel electrode 14 is shown.

또한, 컬러필터 기판(60) 상에 일정하게 이격되어 도포되며, 상기 데이터 라인(2,2+1)들에 대응하여 형성된 블랙 매트릭스(62)와; 상기 블랙 매트릭스(62)가 형성된 컬러필터 기판(60) 상에 형성된 적, 녹, 청 색상의 컬러필터(63)와; 상기 블랙 매트릭스(62)를 포함한 컬러필터(63)의 상부전면에 형성된 공통전극(64)과; 상기 공통전극(64)의 상면에 형성된 배향막(65)이 도시되어 있다.In addition, the black matrix 62 is uniformly spaced apart on the color filter substrate 60, and formed to correspond to the data lines (2, 2 + 1); Red, green, and blue color filters (63) formed on the color filter substrate (60) on which the black matrix (62) is formed; A common electrode 64 formed on an upper surface of the color filter 63 including the black matrix 62; The alignment film 65 formed on the upper surface of the common electrode 64 is shown.

상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(50)과 컬러필터 기판(60)은 전술한 바와같이 각각의 최상면에 형성된 배향막(51,65)이 대향하도록 일정하게 이격되어 합착되며, 그 이격된 공간에 액정층(80)이 형성된다.As described above, the thin film transistor array substrate 50 and the color filter substrate 60 are uniformly spaced apart from each other so that the alignment layers 51 and 65 formed on the uppermost surfaces thereof face each other, and the liquid crystal layer 80 is spaced apart from each other. ) Is formed.

도면에 도시되지는 않았지만, 도2의 박막 트랜지스터 제작과정에서 이미 설명한 반도체층(32) 및 오믹접촉층(34)이 적층된 액티브층(36)이 상기 데이터 라인(2,2+1)들의 하부에 잔류할 수 있다.Although not shown in the drawing, the active layer 36 in which the semiconductor layer 32 and the ohmic contact layer 34 described above are stacked in the thin film transistor fabrication process of FIG. 2 is formed under the data lines 2 and 2 + 1. May remain.

상기 데이터 라인(2,2+1)들과 화소전극(14)의 일부가 오버-랩되도록 형성할 수 있는 이유는 전술한 바와같이 포토-아크릴 재질의 유기물질을 후막(厚膜)으로 형성하여 보호막(48)으로 적용함으로써, 데이터 라인(2,2+1)들과 화소전극(14)이 오버-랩된 영역에서 상호 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있기 때문이다.The reason why the data lines 2 and 2 + 1 and a part of the pixel electrode 14 may be overlapped is that the organic material of photo-acrylic material is formed as a thick film as described above. This is because by applying the protective film 48, the data lines 2, 2 + 1 and the pixel electrode 14 can be prevented from mutually affecting the overlapped region.

그러나, 상기한 바와같은 종래의 고개구율 액정 표시장치는 보호막(48)으로 포토-아크릴 재질의 유기물질이 후막으로 적용됨에 따라 빛의 투과율이 감소되는 문제점이 있었다.However, the conventional high-aperture-level liquid crystal display device as described above has a problem in that light transmittance decreases as the organic material of photo-acrylic material is applied to the protective film 48 as a thick film.

즉, 상기 포토-아크릴 재질의 유기물질이 보호막(48)으로 적용될 경우에 약3.5㎛ 정도의 두께로 형성되며, 이때 빛의 투과율은 90%∼91% 정도이다.That is, when the organic material of the photo-acrylic material is applied to the protective film 48, it is formed to a thickness of about 3.5㎛, wherein the light transmittance is about 90% to 91%.

따라서, 고개구율 액정 표시패널의 휘도가 저하되어 화질이 나빠지는 문제점이 있었다.Therefore, there is a problem that the brightness of the high-aperture rate liquid crystal display panel is lowered and the image quality deteriorates.

따라서, 본 발명은 상기한 바와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 본 발명의 목적은 고개구율 액정 표시패널의 컬러필터 및 블랙 매트릭스를 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에 형성하여 휘도를 향상시킬 수 있는 액정 표시패널 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to form a color filter and a black matrix of a high-permeability liquid crystal display panel on a thin film transistor array substrate to improve luminance. The present invention provides a liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same.

도1은 일반적인 액정 표시장치의 단위 화소에 대한 평면도.1 is a plan view of a unit pixel of a general liquid crystal display.

도2는 도1의 I-I'선을 따라 절단한 단위 화소의 단면을 보인 예시도.FIG. 2 is an exemplary view showing a cross section of a unit pixel cut along the line II ′ of FIG. 1; FIG.

도3은 도1의 II-II'선을 따라 절단한 단위 화소의 단면구성을 보인 예시도.3 is an exemplary view showing a cross-sectional structure of a unit pixel cut along the line II-II 'of FIG. 1;

도4는 고개구율 액정 표시장치의 평면구성을 보인 예시도.4 is an exemplary view showing a planar configuration of a high aperture liquid crystal display device;

도5는 도4의 III-III'선을 따라 절단한 단면구성을 보인 예시도.5 is an exemplary view showing a cross-sectional configuration taken along the line III-III 'of FIG.

도6은 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시패널의 단면구성을 보인 예시도.6 is an exemplary view showing a cross-sectional configuration of a liquid crystal display panel according to a first embodiment of the present invention.

도7 및 도8은 종래 액정 표시패널의 단면구성과 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시패널의 단면구성을 구체적 수치로 비교한 예시도.7 and 8 are exemplary views in which the cross-sectional structure of a conventional liquid crystal display panel and a cross-sectional structure of a liquid crystal display panel according to a first embodiment of the present invention are compared with specific values.

도9는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시패널을 적용하여 포토-아크릴 재질의 보호막 두께를 변화시키면서, 데이터 라인과 화소전극 사이의 기생용량을 시뮬레이션한 그래프도.FIG. 9 is a graph illustrating a parasitic capacitance between a data line and a pixel electrode while varying a thickness of a photo-acrylic protective film by applying a liquid crystal display panel according to a first embodiment of the present invention. FIG.

도10은 도9에 있어서, 포토-아크릴 재질의 보호막 두께에 따른 투과율을 보인 예시도.10 is an exemplary view showing a transmittance according to the thickness of the protective film of a photo-acrylic material in FIG.

도11은 본 발명의 제2실시예에 따른 액정 표시패널의 단면구성을 보인 예시도.11 is an exemplary view showing a cross-sectional structure of a liquid crystal display panel according to a second embodiment of the present invention.

도12는 본 발명의 제2실시예에 따른 액정 표시패널의 단면구성을 구체적 수치로 보인 예시도.12 is an exemplary view showing a cross-sectional configuration of a liquid crystal display panel according to a second embodiment of the present invention with specific numerical values.

도13은 본 발명의 제2실시예에 따른 액정 표시패널을 적용하여 포토-아크릴 재질의 보호막 두께를 변화시키면서, 데이터 라인과 화소전극 사이의 기생용량을 시뮬레이션한 그래프도.FIG. 13 is a graph illustrating a parasitic capacitance between a data line and a pixel electrode while varying a thickness of a photo-acrylic protective film by applying a liquid crystal display panel according to a second exemplary embodiment of the present invention. FIG.

도14는 도13에 있어서, 포토-아크릴 재질의 보호막 두께에 따른 투과율을 보인 예시도.14 is an exemplary view showing a transmittance according to the protective film thickness of the photo-acrylic material in Figure 13;

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

102,102+1:데이터 라인 114:화소전극102, 102 + 1: Data line 114: Pixel electrode

130:게이트 절연막 148:보호막130: gate insulating film 148: protective film

150:제1기판 151:배향막150: first substrate 151: alignment film

160:제2기판 162:블랙 매트릭스160: second substrate 162: black matrix

163:컬러필터 164:공통전극163: color filter 164: common electrode

165:배향막 180:액정층165: alignment layer 180: liquid crystal layer

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 액정 표시패널은 제1기판의 상면에 형성된 절연막과; 상기 절연막의 상부에 일정하게 이격되도록 패터닝된 복수의 데이터 라인들과; 상기 데이터 라인들을 포함한 절연막의 상면에 형성된 보호막과; 상기 보호막의 상면에 상기 데이터 라인들에 대응되도록 형성된 블랙 매트릭스와; 상기 블랙 매트릭스를 포함한 보호막의 상면에 형성된 컬러필터와; 상기 컬러필터의 상면에 형성된 화소전극과; 상기 화소전극의 상면에 형성된 제1배향막과; 제2기판의 상면에 적층된 공통전극 및 제2배향막과; 상기 제1배향막과 제2배향막이 일정한 이격간격을 갖고 대향하도록 제1기판과 제2기판이 합착되며, 그 이격간격에 형성된 액정층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 한다.The liquid crystal display panel for achieving the object of the present invention comprises an insulating film formed on the upper surface of the first substrate; A plurality of data lines patterned to be uniformly spaced apart on the insulating layer; A protective film formed on an upper surface of the insulating film including the data lines; A black matrix formed on the top surface of the passivation layer so as to correspond to the data lines; A color filter formed on an upper surface of the protective film including the black matrix; A pixel electrode formed on the upper surface of the color filter; A first alignment layer formed on the upper surface of the pixel electrode; A common electrode and a second alignment layer stacked on an upper surface of the second substrate; The first substrate and the second substrate are bonded to each other such that the first alignment layer and the second alignment layer face each other with a predetermined spacing interval, and are configured to include a liquid crystal layer formed at the spacing interval.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 액정 표시패널의 제조방법은 제1기판의 상면에 절연막을 형성하고, 그 상부에 도전물질을 패터닝하여 일정하게 이격되는 복수의 데이터 라인들을 형성하는 공정과; 상기 데이터 라인들을 포함한 절연막의 상부에 보호막을 형성하고, 그 상부에 상기 데이터 라인들에 대응되도록 블랙 매트릭스를 형성하는 공정과; 상기 블랙 매트릭스를 포함한 보호막의 상면에 컬러필터를 형성하고, 그 상부에 도전물질을 패터닝하여 화소전극을 형성하는 공정과; 상기 화소전극의 상면에 제1배향막을 형성하여 러빙을 실시하는 공정과; 제2기판의 상면에 순차적으로 공통전극과 제2배향막을 형성하여 러빙을 실시하는 공정과; 상기 제1기판과 제2기판을 일정한 이격간격을 갖도록 합착하고, 그 이격간격에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display panel, including forming an insulating film on an upper surface of a first substrate and patterning a conductive material thereon to form a plurality of data lines spaced at regular intervals; Forming a protective film on the insulating film including the data lines, and forming a black matrix thereon to correspond to the data lines; Forming a color filter on an upper surface of the passivation layer including the black matrix and patterning a conductive material thereon to form a pixel electrode; Performing a rubbing by forming a first alignment layer on an upper surface of the pixel electrode; Performing a rubbing by sequentially forming a common electrode and a second alignment layer on an upper surface of the second substrate; And bonding the first substrate and the second substrate to have a predetermined gap, and forming a liquid crystal layer at the gap.

상기한 바와같은 본 발명에 의한 액정 표시패널 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.A liquid crystal display panel and a method of manufacturing the same according to the present invention as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도6은 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시패널의 단면구성을 보인 예시도이다.6 is an exemplary view showing a cross-sectional structure of a liquid crystal display panel according to a first embodiment of the present invention.

도6을 참조하면, 제1기판(150)의 상면에 형성된 게이트 절연막(130)과; 상기 게이트 절연막(130)의 상면에 일정하게 이격되도록 패터닝된 데이터 라인(102,102+1)들과; 상기 데이터 라인(102,102+1)들을 포함한 게이트 절연막(130)의 상면에 형성된 보호막(148)과; 상기 데이터 라인(102,102+1)들이 이격되는 영역의 보호막(148) 상면에 상기 데이터 라인(102,102+1)들과 대응되도록 형성된 블랙 매트릭스(162)와; 상기 블랙 매트릭스(162)을 포함한 보호막(148)의 상면에 형성된 컬러필터(163)와; 상기 컬러필터(163)의 상면에 상기 데이터 라인(102,102+1)들과 일부가 오버-랩되도록 패터닝된 화소전극(114)과; 상기 화소전극(114)을 포함한 컬러필터(163)의 상면에 형성된 배향막(151)이 도시되어 있다.Referring to FIG. 6, a gate insulating layer 130 formed on an upper surface of the first substrate 150; Data lines 102 and 102 + 1 patterned to be uniformly spaced apart from an upper surface of the gate insulating layer 130; A passivation layer 148 formed on an upper surface of the gate insulating layer 130 including the data lines 102 and 102 + 1; A black matrix 162 formed on an upper surface of the passivation layer 148 in a region where the data lines 102 and 102 + 1 are spaced apart from the data lines 102 and 102 + 1; A color filter 163 formed on an upper surface of the passivation layer 148 including the black matrix 162; A pixel electrode 114 patterned on the upper surface of the color filter 163 to partially overlap the data lines 102 and 102 + 1; The alignment layer 151 formed on the top surface of the color filter 163 including the pixel electrode 114 is illustrated.

또한, 제2기판(160)의 상면에 순차적으로 적층된 공통전극(164) 및 배향막(165)이 도시되어 있다.In addition, the common electrode 164 and the alignment layer 165 are sequentially stacked on the upper surface of the second substrate 160.

상기 제1기판(150)과 제2기판(160)은 각각의 최상면에 형성된 배향막(151,165)이 대향하도록 일정하게 이격되어 합착되며, 그 이격된 공간에 액정층(180)이 형성된다. 이때, 배향막(151,165)은 각각 러빙이 실시되어 액정층(180)이 형성될 때, 액정의 초기 배향방향을 결정한다.The first substrate 150 and the second substrate 160 are uniformly spaced apart from each other so that the alignment layers 151 and 165 formed on the uppermost surfaces thereof face each other, and the liquid crystal layer 180 is formed in the space. In this case, when the alignment layers 151 and 165 are rubbed to form the liquid crystal layer 180, the alignment directions of the liquid crystals are determined.

상기 블랙 매트릭스(162)로는 흑색 수지를 적용하는 것이 바람직하다.As the black matrix 162, a black resin is preferably applied.

도면에 도시되지는 않았지만, 도2의 박막 트랜지스터 제작과정에서 이미 설명한 바와같이 게이트 라인(4-1,4) 및 게이트 전극(10)을 패터닝한 후에 상기 게이트 절연막(130)이 제1기판(150)의 상부 전면에 형성되며, 반도체층(32) 및 오믹접촉층(34)이 적층된 박막 트랜지스터의 액티브층(36)은 상기 데이터 라인(102,102+1)들의 하부 게이트 절연막(130) 상에 잔류할 수 있다. 그리고, 드레인 콘택홀(16)에 의해 박막 트랜지스터의 드레인 전극(12)과 상기 화소전극(114)이 전기적으로 접촉된다.Although not shown in the drawing, the gate insulating layer 130 is formed on the first substrate 150 after patterning the gate lines 4-1 and 4 and the gate electrode 10, as described in the manufacturing process of the thin film transistor of FIG. 2. The active layer 36 of the thin film transistor in which the semiconductor layer 32 and the ohmic contact layer 34 are stacked is formed on the lower gate insulating layer 130 of the data lines 102 and 102 + 1. can do. The drain contact hole 16 electrically contacts the drain electrode 12 of the thin film transistor and the pixel electrode 114.

상기 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시패널은 보호막(148)의 재질로 벤조싸이클로부텐, 에스오지 또는 포토-아크릴과 같은 유기막을 박막으로 형성하여 고개구율을 실현할 수 있다.In the liquid crystal display panel according to the first exemplary embodiment of the present invention, a high opening ratio may be realized by forming a thin film of an organic film such as benzocyclobutene, eoji or photo-acryl as a material of the protective film 148.

즉, 종래에는 고개구율 액정 표시장치를 제작하기 위해서 도5의 단면구성을 참조하여 상세히 설명한 바와같이 데이터 라인(2,2+1)들과 화소전극(14)의 일부가보호막(48)을 사이에 두고 오버-랩된 영역에서 상호 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있도록 유기막을 후막(厚膜)으로 형성하여 보호막(48)으로 적용하였다. 이와같이 후막인 보호막(48)을 적용함에 따라 종래에는 빛의 투과율이 감소되는 문제점이 있었다.That is, in order to fabricate a high aperture liquid crystal display, a portion of the data lines 2 and 2 + 1 and the pixel electrode 14 are interposed between the passivation layer 48 as described in detail with reference to the cross-sectional structure of FIG. 5. In order to prevent mutual influence in the overlapped area, the organic film was formed as a thick film and applied as the protective film 48. As described above, when the protective film 48, which is a thick film, is applied, the transmittance of light is conventionally reduced.

그러나, 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시패널은 블랙 매트릭스(162)와 컬러필터(163)를 제1기판(150)의 보호막(148) 상에 형성하고, 상기 데이터 라인(102,102+1)들과 화소전극(114)의 일부가 보호막(148), 블랙 매트릭스(162) 및 컬러필터(163)를 사이에 두고 오버-랩되도록 한다.However, in the liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention, the black matrix 162 and the color filter 163 are formed on the passivation layer 148 of the first substrate 150, and the data lines 102 and 102 + 1 are formed. ) And a portion of the pixel electrode 114 are overlapped with the passivation layer 148, the black matrix 162, and the color filter 163 interposed therebetween.

따라서, 종래에 비해 보호막(148)의 두께를 대폭 감소시키면서도 데이터 라인(102,102+1)들과 화소전극(114)이 오버-랩된 영역에서 상호 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, the thickness of the passivation layer 148 can be significantly reduced compared to the related art, and the data lines 102 and 102 + 1 and the pixel electrode 114 can be prevented from affecting each other in the overlapped region.

즉, 도7의 예시도를 참조하면, 종래에는 박막 트랜지스터 어레이 기판(50) 상에 데이터 라인(2)이 약 0.12㎛ 정도의 두께로 형성되고, 포토-아크릴 재질의 보호막(48)은 약 3.5㎛ 정도의 두께로 형성되며, 화소전극(14)은 상기 보호막(48)을 사이에 두고 상기 데이터 라인(2)과 약 1.5㎛ 정도가 오버-랩된다.That is, referring to the exemplary diagram of FIG. 7, the data line 2 is formed on the thin film transistor array substrate 50 to have a thickness of about 0.12 μm, and the protective film 48 of photo-acrylic material is about 3.5. The pixel electrode 14 is overlapped with the data line 2 by about 1.5 μm with the passivation layer 48 interposed therebetween.

따라서, 상기 보호막(48)을 사이에 두고 오버-랩되는 화소전극(14)과 데이터 라인(2)은 약 3.38㎛ 정도가 이격되며, 이때 화소전극(14)과 데이터 라인(2) 사이의 기생용량은 약 7.7×10-17F(farad) 정도의 값을 갖는다.Accordingly, the pixel electrode 14 and the data line 2 overlapping each other with the passivation layer 48 interposed therebetween are spaced about 3.38 μm, and the parasitic between the pixel electrode 14 and the data line 2 is separated. The dose has a value of about 7.7 × 10 −17 F (farad).

그러나, 도8의 예시도에 도시한 바와같이 본 발명의 제1실시예에 따른 액정표시패널은 보호막(148), 블랙 매트릭스(162) 및 컬러필터(163)를 사이에 두고 오버-랩되는 데이터 라인(102,102+1)들과 화소전극(114)의 기생용량을 종래와 동일하게 약 7.7×10-17F 정도로 유지하도록 할 경우에 경우에 포토-아크릴 재질의 보호막(148)이 형성되는 두께를 2㎛ ∼ 2.5㎛ 범위까지 감소시킬 수 있게 된다.However, as shown in the exemplary diagram of FIG. 8, in the liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention, the data overlapped with the passivation layer 148, the black matrix 162, and the color filter 163 interposed therebetween. In the case where the parasitic capacitances of the lines 102 and 102 + 1 and the pixel electrode 114 are maintained at about 7.7 × 10 -17 F as in the prior art, the thickness of the protective film 148 made of photo-acrylic material is formed. It becomes possible to reduce to the range of 2 micrometers-2.5 micrometers.

즉, 본 발명의 제1실시예에 따라 제1기판(150) 상에 형성되는 블랙 매트릭스(162)는 1.0㎛ ∼ 1.5㎛ 범위, 바람직하게는 1.3㎛ 정도의 두께로 형성되고, 컬러필터(163)는 1.3㎛ ∼ 1.7㎛ 범위, 바람직하게는 1.5㎛ 정도의 두께로 형성된다. 이때, 블랙 매트릭스(162)는 1.3㎛ 정도의 두께에서 4.02 정도의 유전율과 0.002% 정도의 투과율을 갖고, 컬러필터(163)는 1.5㎛ 정도의 두께에서 3.75 정도의 유전율과 36% 정도의 투과율을 갖지만, 블랙 매트릭스(162)의 상면에 형성되는 컬러필터(163)의 두께는 매우 작기 때문에 무시할 수 있을 정도이다.That is, according to the first embodiment of the present invention, the black matrix 162 formed on the first substrate 150 has a thickness ranging from 1.0 μm to 1.5 μm, preferably about 1.3 μm, and the color filter 163. ) Is formed to a thickness in the range of 1.3 μm to 1.7 μm, preferably about 1.5 μm. In this case, the black matrix 162 has a dielectric constant of about 4.02 and a transmittance of about 0.002% at a thickness of about 1.3 μm, and the color filter 163 has a dielectric constant of about 3.75 and a transmittance of about 36% at a thickness of about 1.5 μm. Although the thickness of the color filter 163 formed on the upper surface of the black matrix 162 is very small, it is negligible.

상기 컬러필터(163) 상에 형성되는 화소전극(114)은 상기 보호막(148), 블랙 매트릭스(163) 및 컬러필터(163)를 사이에 두고 상기 데이터 라인(102)과 약 1.5㎛ 정도가 오버-랩된다.The pixel electrode 114 formed on the color filter 163 overlaps the data line 102 by about 1.5 μm with the passivation layer 148, the black matrix 163, and the color filter 163 interposed therebetween. -Wrapped.

따라서, 상기 포토-아크릴 재질의 보호막(148)의 두께를 변화시키면서, 상기 데이터 라인(102)과 화소전극(114) 사이의 기생용량을 시뮬레이션한 도9의 그래프도를 참조하면, 포토-아크릴 재질의 보호막(148)의 두께가 약 2.09㎛ 정도일 때, 상기 데이터 라인(102)과 화소전극(114) 사이의 기생용량이 종래와 동일하게 약 7.7×10-17F 정도가 된다.Accordingly, referring to the graph of FIG. 9 simulating the parasitic capacitance between the data line 102 and the pixel electrode 114 while changing the thickness of the protective film 148 of the photo-acrylic material, a photo-acrylic material When the thickness of the protective film 148 is about 2.09 μm, the parasitic capacitance between the data line 102 and the pixel electrode 114 is about 7.7 × 10 −17 F as in the prior art.

상기 포토-아크릴 재질의 보호막(148)은 상기 데이터 라인(102) 상에 형성된 두께가 2.09㎛ 정도이므로, 실제 화소영역에 형성되는 보호막(148)의 두께는 데이터 라인(102)의 두께가 더해진 2.21㎛ 정도이다.Since the passivation layer 148 of the photo-acrylic material has a thickness of about 2.09 μm formed on the data line 102, the thickness of the passivation layer 148 formed in the actual pixel area is 2.21 plus the thickness of the data line 102. It is about a micrometer.

도10은 상기 포토-아크릴 재질의 보호막(148)의 두께에 따른 투과율을 보인 예시도이다.10 is an exemplary view showing transmittance according to the thickness of the protective film 148 of the photo-acrylic material.

도10을 참조하면, 종래와 같이 포토-아크릴 재질의 보호막(48)을 약 3.5㎛ 정도의 두께로 형성할 경우에 90.9% 정도의 투과율을 갖지만, 본 발명의 제1실시예에 따라 포토-아크릴 재질의 보호막(148)을 약 2.21㎛ 정도의 두께로 형성할 경우에는 94.2% 정도의 투과율을 갖는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 10, when the protective film 48 made of photo-acrylic material is formed to a thickness of about 3.5 μm, it has a transmittance of about 90.9%, but according to the first embodiment of the present invention. When the protective film 148 is formed to a thickness of about 2.21 μm, it has a transmittance of about 94.2%.

따라서, 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시패널은 종래에 비해 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, the liquid crystal display panel according to the first embodiment of the present invention can improve the luminance compared to the conventional.

도11은 본 발명의 제2실시예에 따른 액정 표시패널의 단면구성을 보인 예시도이다.11 is an exemplary view showing a cross-sectional structure of a liquid crystal display panel according to a second embodiment of the present invention.

도11을 참조하면, 컬러필터(163)와 화소전극(114)의 사이에 표면 평탄화를 위한 오버-코트층(over-coat layer, 190)이 추가로 구성된 것을 제외하면, 상기 본 발명의 제1실시예와 동일한 단면구성을 갖는다.Referring to FIG. 11, except that an over-coat layer 190 for surface planarization is further formed between the color filter 163 and the pixel electrode 114, the first embodiment of the present invention. It has the same cross-sectional configuration as in the embodiment.

따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 액정 표시패널은 화소전극(114)과 데이터 라인(102,102+1)들이 보호막(148), 블랙 매트릭스(162), 컬러필터(163) 및 오버-코트층(190)을 사이에 두고 오버-랩되므로, 상기 본 발명의 제1실시예에 비해 보호막(148)의 두께를 더욱 감소시키면서도 상기 데이터 라인(102,102+1)들과 화소전극(114)이 오버-랩된 영역에서 상호 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있게 된다.Accordingly, in the liquid crystal display panel according to the second embodiment of the present invention, the pixel electrode 114 and the data lines 102 and 102 + 1 may include the passivation layer 148, the black matrix 162, the color filter 163 and the over-coat layer. Overlaps 190 between the data lines 102 and 102 + 1 and the pixel electrode 114 while further reducing the thickness of the passivation layer 148 compared to the first embodiment of the present invention. It is possible to prevent mutual influence in the wrapped area.

즉, 도12의 예시도에 도시한 바와같이 본 발명의 제2실시예에 따른 액정 표시패널은 보호막(148), 블랙 매트릭스(162), 컬러필터(163) 및 오버-코트층(190)을 사이에 두고 오버-랩되는 데이터 라인(102,102+1)들과 화소전극(114)의 기생용량을 본 발명의 제1실시예와 동일하게 약 7.7×10-17F 정도로 유지하도록 할 경우에 경우에 포토-아크릴 재질의 보호막(148)이 형성되는 두께를 1.0㎛ ∼ 1.5㎛ 범위까지 감소시킬 수 있게 된다.That is, as shown in the exemplary diagram of FIG. 12, the liquid crystal display panel according to the second exemplary embodiment of the present invention may include the passivation layer 148, the black matrix 162, the color filter 163, and the over-coat layer 190. In the case where the parasitic capacitances of the data lines 102 and 102 + 1 and the pixel electrode 114 overlapping each other are maintained at about 7.7 × 10 −17 F, as in the first embodiment of the present invention, The thickness at which the protective film 148 of the photo-acrylic material is formed can be reduced to a range of 1.0 μm to 1.5 μm.

상기 본 발명의 제2실시예에 따라 제1기판(150) 상에 형성되는 오버-코트층(190)은 0.8㎛ ∼ 1.2㎛ 범위, 바람직하게는 1㎛ 정도의 두께로 형성되며, 3.5 정도의 유전율과 98% 정도의 투과율을 갖는다.According to the second embodiment of the present invention, the over-coat layer 190 formed on the first substrate 150 has a thickness of about 0.8 μm to 1.2 μm, preferably about 1 μm, and about 3.5 μm. It has dielectric constant and transmittance of about 98%.

상기 오버-코트층(190) 상에 형성되는 화소전극(114)은 상기 보호막(148), 블랙 매트릭스(163), 컬러필터(163) 및 오버-코트층(190)을 사이에 두고 상기 데이터 라인(102)과 약 1.5㎛ 정도가 오버-랩된다.The pixel electrode 114 formed on the over-coat layer 190 has the data line with the passivation layer 148, the black matrix 163, the color filter 163, and the over-coat layer 190 interposed therebetween. About 1.5 μm overlaps with 102.

따라서, 상기 포토-아크릴 재질의 보호막(148)의 두께를 변화시키면서, 상기 데이터 라인(102)과 화소전극(114) 사이의 기생용량을 시뮬레이션한 도13의 그래프도를 참조하면, 포토-아크릴 재질의 보호막(148)의 두께가 약 1.12㎛ 정도일 때, 상기 데이터 라인(102)과 화소전극(114) 사이의 기생용량이 본 발명의 제1실시예와 동일하게 약 7.7×10-17F 정도가 된다.Accordingly, referring to the graph of FIG. 13 simulating the parasitic capacitance between the data line 102 and the pixel electrode 114 while changing the thickness of the protective film 148 of the photo-acrylic material, a photo-acrylic material When the protective film 148 has a thickness of about 1.12 μm, the parasitic capacitance between the data line 102 and the pixel electrode 114 is about 7.7 × 10 −17 F, similarly to the first embodiment of the present invention. do.

상기 포토-아크릴 재질의 보호막(148)은 상기 데이터 라인(102) 상에 형성된두께가 1.12㎛ 정도이므로, 실제 화소영역에 형성되는 보호막(148)의 두께는 데이터 라인(102)의 두께 0.12㎛ 정도가 더해진 약 1.24㎛ 정도이다.Since the protective film 148 of the photo-acrylic material has a thickness of about 1.12 μm on the data line 102, the thickness of the protective film 148 formed in the actual pixel area is about 0.12 μm in thickness of the data line 102. Added is about 1.24 μm.

도14는 상기 포토-아크릴 재질의 보호막(148)의 두께에 따른 투과율을 보인 예시도이다.14 is an exemplary view showing transmittance according to the thickness of the protective film 148 of the photo-acrylic material.

도14를 참조하면, 본 발명의 제1실시예와 같이 포토-아크릴 재질의 보호막(148)을 약 2.21㎛ 정도의 두께로 형성할 경우에 94.2% 정도의 투과율을 갖지만, 본 발명의 제2실시예와 같이 포토-아크릴 재질의 보호막(148)이 약 1.24㎛ 정도의 두께로 형성될 경우에는 96.7% 정도의 투과율을 갖는 것을 알 수 있다.Referring to FIG. 14, when the photo-acrylic protective film 148 is formed to a thickness of about 2.21 μm as in the first embodiment of the present invention, it has a transmittance of about 94.2%, but the second embodiment of the present invention. As an example, when the photo-acrylic protective film 148 is formed to a thickness of about 1.24 μm, it can be seen that it has a transmittance of about 96.7%.

그러나, 본 발명의 제2실시예의 경우에는 본 발명의 제1실시예에 비해 오버-코트층(190)이 추가로 구성되므로, 오버-코트층(190)이 약 1㎛ 정도의 두께에서 98% 정도의 투과율을 갖는다는 것을 고려하면, 실제로 94.8% 정도의 투과율을 갖게 되어 본 발명의 제1실시예와 마찬가지로 고개구율 액정 표시패널의 휘도를 향상시킬 수 있게 된다.However, in the case of the second embodiment of the present invention, since the over-coat layer 190 is further configured as compared with the first embodiment of the present invention, the over-coat layer 190 is 98% at a thickness of about 1 μm. Considering that it has a transmittance of about 94.8%, the transmittance is actually about 94.8%, so that the luminance of the high-aperture rate liquid crystal display panel can be improved as in the first embodiment of the present invention.

전술한 본 발명의 제1실시예와 제2실시예에서는 액정 표시패널의 고개구율을 실현하기 위하여 포토-아크릴 재질의 유기물질을 보호막(148)으로 적용하는 경우에 대하여 한정하여 설명하였으나, 고개구율 액정 표시장치를 제작하기 위해서 일반적으로 적용되는 벤조싸이클로부텐층이나 에스오지층이 적용되는 경우에도 본 발명의 제1실시예와 제2실시예를 용이하게 적용하여 고개구율 액정 표시장치의 휘도를 향상시킬 수 있다.In the above-described first and second embodiments of the present invention, the case where the organic material of the photo-acrylic material is applied as the protective film 148 in order to realize a high opening ratio of the liquid crystal display panel has been described. Even when the benzocyclobutene layer or the sedge layer, which is generally applied to fabricate the liquid crystal display, is applied, the first and second embodiments of the present invention can be easily applied to improve the brightness of the high-aperture liquid crystal display. Can be.

상술한 바와같이 본 발명에 의한 액정 표시패널 및 그 제조방법은 액정 표시패널의 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에 블랙 매트릭스와 컬러필터를 형성하고, 데이터 라인과 화소전극의 기생용량값이 증가하는 것을 방지하면서 고개구율 액정 표시패널에 적용되는 유기물질의 보호막을 박막화할 수 있게 되므로, 액정 표시패널의 화소들을 투과하는 빛의 투과율이 향상되어 액정 표시패널의 휘도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the liquid crystal display panel and the method of manufacturing the same according to the present invention form a black matrix and a color filter on the thin film transistor array substrate of the liquid crystal display panel, while preventing parasitic capacitance values of the data line and the pixel electrode from increasing. Since the protective film of the organic material applied to the high-aperture liquid crystal display panel can be thinned, the transmittance of light passing through the pixels of the liquid crystal display panel is improved, thereby improving the luminance of the liquid crystal display panel.

Claims (11)

제1기판의 상면에 형성된 절연막과; 상기 절연막의 상부에 일정하게 이격되도록 패터닝된 복수의 데이터 라인들과; 상기 데이터 라인들을 포함한 절연막의 상면에 형성된 유기보호막과; 상기 유기보호막의 상면에 상기 데이터 라인들에 대응되도록 형성된 블랙 매트릭스와; 상기 블랙 매트릭스를 포함한 보호막의 상면에 형성된 컬러필터와; 상기 컬러필터의 상면에 형성된 화소전극과; 상기 화소전극의 상면에 형성된 제1배향막과; 제2기판의 상면에 적층된 공통전극 및 제2배향막과; 상기 제1배향막과 제2배향막이 일정한 이격간격을 갖고 대향하도록 제1기판과 제2기판이 합착되며, 그 이격간격에 형성된 액정층을 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시패널.An insulating film formed on the upper surface of the first substrate; A plurality of data lines patterned to be uniformly spaced apart on the insulating layer; An organic protective film formed on an upper surface of the insulating film including the data lines; A black matrix formed on the upper surface of the organic passivation layer so as to correspond to the data lines; A color filter formed on an upper surface of the protective film including the black matrix; A pixel electrode formed on the upper surface of the color filter; A first alignment layer formed on the upper surface of the pixel electrode; A common electrode and a second alignment layer stacked on an upper surface of the second substrate; And a first substrate and a second substrate bonded to each other such that the first alignment layer and the second alignment layer face each other with a predetermined spacing interval, and have a liquid crystal layer formed at the separation interval. 제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 게이트 절연막인 것을 특징으로 하는 액정 표시패널.The liquid crystal display panel of claim 1, wherein the insulating film is a gate insulating film. 제 1 항에 있어서, 상기 유기보호막은 벤조싸이클로부텐, 에스오지 및 포토-아크릴 중에 선택된 하나의 유기막인 것을 특징으로 하는 액정 표시패널.The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the organic protective film is one organic film selected from benzocyclobutene, esoi and photo-acrylic. 제 1 항에 있어서, 상기 유기보호막의 두께는 2㎛ ∼ 2.5㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 액정 표시패널.The liquid crystal display panel of claim 1, wherein the organic protective layer has a thickness in a range of 2 μm to 2.5 μm. 제 1 항에 있어서, 상기 컬러필터의 두께는 1.3㎛ ∼ 1.7㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 액정 표시패널.The liquid crystal display panel of claim 1, wherein the color filter has a thickness in a range of 1.3 μm to 1.7 μm. 제 1 항에 있어서, 상기 컬러필터와 화소전극의 사이에 오버-코트층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시패널.The liquid crystal display panel of claim 1, further comprising an over-coat layer between the color filter and the pixel electrode. 제 6 항에 있어서, 상기 오버-코트층은 0.8㎛ ∼ 1.2㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 액정 표시패널.The liquid crystal display panel of claim 6, wherein the over-coat layer is in a range of 0.8 μm to 1.2 μm. 제 6 에 있어서, 상기 오버-코트층을 추가로 구비하는 경우에 유기보호막의 두께는 1.0㎛ ∼ 1.5㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 액정 표시패널.The liquid crystal display panel according to claim 6, wherein the thickness of the organic protective film is in the range of 1.0 µm to 1.5 µm when the over-coat layer is further provided. 제 1 항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스는 수지 재질인 것을 특징으로 하는 액정 표시패널.The liquid crystal display panel of claim 1, wherein the black matrix is made of a resin material. 제1기판의 상면에 절연막을 형성하고, 그 상부에 도전물질을 패터닝하여 일정하게 이격되는 복수의 데이터 라인들을 형성하는 공정과; 상기 데이터 라인들을 포함한 절연막의 상부에 보호막을 형성하고, 그 상부에 상기 데이터 라인들에 대응되도록 블랙 매트릭스를 형성하는 공정과; 상기 블랙 매트릭스를 포함한 보호막의상면에 컬러필터를 형성하고, 그 상부에 도전물질을 패터닝하여 화소전극을 형성하는 공정과; 상기 화소전극의 상면에 제1배향막을 형성하여 러빙을 실시하는 공정과; 제2기판의 상면에 순차적으로 공통전극과 제2배향막을 형성하여 러빙을 실시하는 공정과; 상기 제1기판과 제2기판을 일정한 이격간격을 갖도록 합착하고, 그 이격간격에 액정층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시패널의 제조방법.Forming an insulating film on an upper surface of the first substrate, and patterning a conductive material thereon to form a plurality of data lines spaced apart from each other; Forming a protective film on the insulating film including the data lines, and forming a black matrix thereon to correspond to the data lines; Forming a color filter on an upper surface of the passivation layer including the black matrix, and patterning a conductive material thereon to form a pixel electrode; Performing a rubbing by forming a first alignment layer on an upper surface of the pixel electrode; Performing a rubbing by sequentially forming a common electrode and a second alignment layer on an upper surface of the second substrate; And bonding the first substrate and the second substrate to have a predetermined gap, and forming a liquid crystal layer at the gap. 제 10 항에 있어서, 상기 컬러필터의 상부에 오버-코트층을 추가로 형성하고, 그 오버-코트층의 상부에 도전물질을 패터닝하여 화소전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시패널의 제조방법.The method of claim 10, wherein an over-coat layer is further formed on the color filter, and a conductive material is patterned on the over-coat layer to form a pixel electrode. .
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