KR20040057144A - Apparatus for treating substrate in in-line - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 특히 액정표시장치의 기판에 각종 공정을 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus for performing various processes on a substrate of a liquid crystal display device.
액정표시장치는 게이트 배선과 데이터 배선이 매트릭스(matrix) 형태로 배열되어 그 교차점에 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 TFT)가 형성된 TFT 기판, 상기 TFT 기판과 합착되는 컬러필터(color filter) 기판 및 상기 두 기판 사이에 충진되는 액정층을 포함하여 구성된다.A liquid crystal display device includes: a TFT substrate having a gate line and a data line arranged in a matrix, and having a thin film transistor (TFT) formed at an intersection thereof; a color filter substrate bonded to the TFT substrate; It comprises a liquid crystal layer filled between the two substrates.
도 1은 액정표시장치의 TFT 기판을 개략적으로 도시한 평면도이다.1 is a plan view schematically illustrating a TFT substrate of a liquid crystal display device.
유리기판(100) 상에 종횡으로 데이터 배선(110) 및 게이트 배선(120)이 배열되고 각 배선(110, 120)의 일단에는 패드(130)가 형성되어 있다. 상기 패드(130)에 드라이버 집적회로(미도시)가 부착되어 데이터 신호 및 게이트 신호가 인가된다. 데이터 배선(110) 및 게이트 배선(120)의 교차점에는 스위치(switch) 소자의 역할을 하는 TFT(340)가 형성되어 액정층에 전압을 인가한다.The data wiring 110 and the gate wiring 120 are arranged on the glass substrate 100 in a vertical and horizontal direction, and a pad 130 is formed at one end of each of the wirings 110 and 120. A driver integrated circuit (not shown) is attached to the pad 130 to apply a data signal and a gate signal. At the intersection of the data line 110 and the gate line 120, a TFT 340 serving as a switch element is formed to apply a voltage to the liquid crystal layer.
상기와 같은 액정표시장치의 게이트 배선(110), 데이터 배선(120) 및 TFT(340)의 제조는 박막(thin film) 증착, 사진(photolithography), 식각(etching), 세정(cleaning) 등의 단위 공정기술로 이루어진다. 액정표시장치의제조공정은 상기의 단위공정 기술들을 사용하여 여러 종류의 박막을 증착하고 이를 가공하는 과정을 여러 차례 반복적으로 거친다.The manufacturing of the gate wiring 110, the data wiring 120, and the TFT 340 of the liquid crystal display device as described above is performed by thin film deposition, photolithography, etching, and cleaning. It consists of process technology. The manufacturing process of the liquid crystal display device repeatedly passes through the process of depositing and processing various kinds of thin films using the above-described unit process techniques.
상기 단위 공정은 액정표시장치의 기판을 공정챔버로 운반되어 공정챔버 내부에서 이루어진다.The unit process is carried in the substrate of the liquid crystal display device to the process chamber is performed inside the process chamber.
도 2는 종래의 기판을 처리하는 공정을 도시한 블록도이다.2 is a block diagram showing a process of processing a conventional substrate.
종래의 기판처리장치는 로더/언로더(loader/unloader; 200), 로드락챔버(load lock chamber; 230) 및 공정챔버로 구성된다.The conventional substrate processing apparatus includes a loader / unloader 200, a load lock chamber 230, and a process chamber.
로더/언로더(200)로부터 기판을 로드락챔버(230)로 전달하고, 다시 이 기판을 공정챔버(260)로 전달하면 공정챔버(260)에서 증착 또는 식각의 공정이 수행된다. 공정이 완료된 기판은 다시 로드락챔버(230)로 전달된 후 로더/언로더(200)로 이송된다.When the substrate is transferred from the loader / unloader 200 to the load lock chamber 230, and the substrate is transferred to the process chamber 260, the deposition or etching process is performed in the process chamber 260. After the process is completed, the substrate is transferred to the load lock chamber 230 and then transferred to the loader / unloader 200.
이와 같은 종래의 기판처리장치는 공정시간의 단축을 위해 동시에 여러 개의 기판을 처리한다. 즉, 첫번째 기판이 공정이 완료되어 로더/언로더(200)로 이송되고 난 후 두 번째 기판을 로더/언로더(200)로부터 취출하여 공정챔버(260)로 이송하는 것이 아니라, 복수개의 기판을 연속적으로 공정챔버(260)로 이송한다. 이를 위해 로드락챔버(230)는 상단 버퍼(buffer)와 하단 버퍼를 구비하고, 공정챔버(260)는 제1리프트핀(lift pin)과 제2리프트핀을 구비한다. 따라서, 복수개의 기판을 연속적으로 이송하면서 기판의 상호간의 간섭을 방지하기 위해서 상기 로드락챔버(230)의 상단 버퍼와 하단버퍼는 상하 운동을 계속하고, 공정챔버(260)의 제1리프트핀 및 제2리프트핀 중 어느 하나는 상하 운동 및 회전 운동을 계속하게 된다.Such a conventional substrate processing apparatus processes several substrates at the same time in order to shorten the process time. That is, after the first substrate is processed and transferred to the loader / unloader 200, the second substrate is not removed from the loader / unloader 200 and transferred to the process chamber 260. Continuously transferred to the process chamber 260. To this end, the load lock chamber 230 has an upper buffer and a lower buffer, and the process chamber 260 has a first lift pin and a second lift pin. Accordingly, the upper buffer and the lower buffer of the load lock chamber 230 continue to move up and down to prevent the mutual interference of the substrates while continuously transferring the plurality of substrates, and the first lift pin of the process chamber 260 and One of the second lift pins continues the vertical movement and the rotational movement.
챔버 내에서 이러한 부품들의 운동은 챔버 내부의 구조를 복잡하게 하고, 이물 발생의 원인이 된다. 액정표시장치 제조라인(line)의 청정도는 수율을 크게 좌우하기 때문에, 제조라인의 청정도를 높은 수준으로 유지하는 것은 매우 중요한 관리 사항이다.The movement of these components within the chamber complicates the structure inside the chamber and causes foreign matter generation. Since the cleanliness of the liquid crystal display manufacturing line greatly influences the yield, it is very important to maintain the cleanliness of the manufacturing line at a high level.
따라서, 종래와 같은 복잡한 구조를 한 챔버에서는 버퍼 및 리프트핀이 운동함에 따라 구동부의 마찰에 의해 이물이 발생하여 기판이 오염될 염려가 컸고, 상기 버퍼 및 리프트핀이 운동하는 동안 후속 기판이 대기하여야 했으므로 공정시간이 지연되는 문제가 있었다.Therefore, in a chamber having a complicated structure as in the prior art, foreign matters are generated by friction of the driving unit as the buffer and lift pins move, and thus the substrate is contaminated. Subsequent substrates must wait while the buffer and lift pins move. As a result, the process time was delayed.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 구조가 단순화된 챔버를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a chamber with a simplified structure in order to solve the above problems.
또한, 챔버를 재배치함으로써 공정진행시간을 단축할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of shortening the process progress time by rearranging the chambers.
기타 본 발명의 다른 특징 및 목적은 이하 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 설명될 것이다.Other features and objects of the present invention will be described in detail in the configuration and claims of the invention below.
도 1은 액정표시장치의 TFT 기판을 개략적으로 도시한 평면도.1 is a plan view schematically showing a TFT substrate of a liquid crystal display device;
도 2는 종래의 기판을 처리하는 공정을 도시한 블록도.2 is a block diagram showing a process of processing a conventional substrate.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치를 도시한 블록도.3 is a block diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치를 개략적으로 도시한 평면도.4 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치에 사용되는 공정챔버 내부를 도시한 개략도.Figure 5 is a schematic diagram showing the inside of the process chamber used in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***
100: 유리기판 110: 데이터배선100: glass substrate 110: data wiring
120: 게이트배선 130: 패드120: gate wiring 130: pad
140: 박막트랜지스터 200: 로도/언로더140: thin film transistor 200: Rhodo / Unloader
230: 로드락챔버 260, 360: 공정챔버230: load lock chamber 260, 360: process chamber
300: 로더 305: 언로더300: loader 305: unloader
310, 315: 제1전달챔버 320, 325: 제1로봇310, 315: first delivery chamber 320, 325: first robot
330, 335: 제1로드락챔버 340, 345: 제2전달챔버330, 335: first load lock chamber 340, 345: second delivery chamber
350, 355: 제2로봇 360: 공정챔버350, 355: second robot 360: process chamber
400: 게이트밸브 500: 하부전극400: gate valve 500: lower electrode
510: 기판 520: 로봇팔510: substrate 520: robot arm
530: 리프트핀530: lift pin
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 기판이 수납된 카세트가 안치되는 로더; 상기 로더에 안치된 카세트로부터 기판을 전달받는 제1로드락챔버; 상기 제1로드락챔버로부터 기판을 전달받아 진공상태에서 공정을 수행하는 공정챔버; 상기공정챔버로부터 기판을 전달받는 제2로드락챔버; 및 상기 제2로드락챔버로부터 기판을 전달받아 카세트에 수납하는 언로더를 포함하는 것을 특징으로 하는 인라인 방식의 기판처리장치를 제공한다.The present invention provides a loader in which a cassette is placed to accommodate the substrate to achieve the above object; A first load lock chamber receiving a substrate from a cassette placed in the loader; A process chamber receiving a substrate from the first load lock chamber and performing a process in a vacuum state; A second load lock chamber receiving a substrate from the process chamber; And an unloader receiving the substrate from the second load lock chamber and accommodating the substrate in a cassette.
로더와 제1로드락챔버 사이 및 제2로드락챔버와 언로더 사이에 기판을 전달하는 제1로봇이 설치된 제1전달챔버를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.Preferably, the apparatus further comprises a first transfer chamber provided with a first robot for transferring the substrate between the loader and the first load lock chamber and between the second load lock chamber and the unloader.
제1로드락챔버와 공정챔버 사이 및 공정챔버와 제2로드락챔버 사이에 기판을 전달하는 제2로봇이 설치된 제2전달챔버를 추가로 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include a second transfer chamber provided with a second robot for transferring the substrate between the first load lock chamber and the process chamber and between the process chamber and the second load lock chamber.
상기 제2전달챔버의 내부는 진공상태를 유지하는 것이 바람직하다.The inside of the second transfer chamber is preferably maintained in a vacuum state.
상기 공정챔버는 식각 공정 또는 박막 증착 공정을 수행하는 것이 바람직하다.The process chamber is preferably performed an etching process or a thin film deposition process.
상기와 같은 구성을 한 본 발명에 실시예에 의하면 기판처리장치를 인라인으로 구성함에 따라 챔버의 구성이 단순해지고, 전체적인 공정진행 시간을 줄여 생산성이 향상되는 효과가 있다.According to the embodiment of the present invention configured as described above, by configuring the substrate processing apparatus inline, the configuration of the chamber is simplified, and the overall process progress time is reduced, thereby improving productivity.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치를 도시한 블록도이다.3 is a block diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치는 로더(300)와, 상기 로더(300)에 연결된 제1로드락챔버(330)와, 상기 제1로드락챔버(330)에 연결되어 공정을 수행하는 공정챔버(360)와, 상기 공정챔버(360)에 연결된 제2로드락챔버(335)와, 상기 제2로드락챔버(335)에 연결된 언로더(305)를 포함하여 구성된다. 본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치에서는 로더(300)와 언로더(305)가 서로 다른 곳에 위치하여 인라인으로 기판처리가 가능해진다.Substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is connected to the loader 300, the first load lock chamber 330 connected to the loader 300, and the first load lock chamber 330 to perform a process And a process chamber 360, a second load lock chamber 335 connected to the process chamber 360, and an unloader 305 connected to the second load lock chamber 335. In the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, the loader 300 and the unloader 305 are located at different positions, and thus the substrate processing can be performed inline.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.4 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
로더(300), 제1로드락챔버(330), 공정챔버(360), 제2로드락챔버(335) 및 언로더(305)는 각각 전달챔버(310, 315, 340, 345)에 의해 서로 연결된다.The loader 300, the first load lock chamber 330, the process chamber 360, the second load lock chamber 335, and the unloader 305 are each connected by a transfer chamber 310, 315, 340, 345, respectively. Connected.
상기 기판처리장치는 클린룸(clean room) 내에 설치된다. 각 챔버(310, 315, 330, 335, 340, 345, 360)의 상부면에는 청정 유닛(clean unit; 미도시)이 설치되어 있어 클린룸 내의 공기를 더욱 청정화시켜 챔버(310, 315, 330, 335, 340, 345, 360) 내로 도입한다.The substrate processing apparatus is installed in a clean room. Clean units (not shown) are installed on the upper surfaces of the chambers 310, 315, 330, 335, 340, 345, and 360 to further clean the air in the clean room, thereby providing chambers 310, 315, 330, 335, 340, 345, 360).
상기 로더(300) 및 언로더(305)에는 복수개의 기판이 수납된 카세트(cassette)가 위치한다. 액정표시장치의 제조공정은 서로 상이한 단위공정들로 연결되어 있기 때문에 각 단위공정을 행하는 장비가 다르고 이러한 장비들로 액정표시장치의 기판을 운반하기 위해 기판을 수납하는 카세트를 사용한다.The loader 300 and the unloader 305 have a cassette in which a plurality of substrates are stored. Since the manufacturing process of the liquid crystal display device is connected to different unit processes, the equipment for performing each unit process is different, and a cassette for accommodating the substrate is used to transport the substrate of the liquid crystal display device to these devices.
본 발명의 실시예에서는 4개의 전달챔버, 즉 두 개의 제1전달챔버(310, 315) 및 두 개의 제2전달챔버(340, 345)를 사용한다. 제1전달챔버(310, 315) 내부에는 제1로봇(320, 335)이 설치되고, 제2전달챔버(340, 345) 내부에는 제2로봇(350, 355)이 설치된다.In the embodiment of the present invention, four transfer chambers, that is, two first transfer chambers 310 and 315 and two second transfer chambers 340 and 345 are used. First robots 320 and 335 are installed inside the first delivery chambers 310 and 315, and second robots 350 and 355 are installed inside the second delivery chambers 340 and 345.
첫번째 제1로봇(320)은 로더에 위치한 카세트로부터 기판을 취출하여 제1로드락챔버로 전달하고, 두번째 제1로봇(335)은 제2로드락챔버로부터 기판을 반출하여 언로더에 위치한 카세트로 기판을 수납한다.The first first robot 320 takes out the substrate from the cassette located in the loader and transfers the substrate to the first load lock chamber, and the second first robot 335 exports the substrate from the second load lock chamber to the cassette located in the unloader. The substrate is stored.
또한, 첫번째 제2로봇(350)은 제1로드락챔버(330)로부터 기판을 반출하여 공정챔버(360)로 전달하고, 두번째 제2로봇(355)은 공정챔버(360)로부터 기판을 반출하여 제2로드락챔버(335)로 기판을 전달한다.In addition, the first second robot 350 takes out the substrate from the first load lock chamber 330 and transfers the substrate to the process chamber 360, and the second second robot 355 removes the substrate from the process chamber 360. The substrate is transferred to the second load lock chamber 335.
각 챔버(310, 315, 330, 335, 340, 345) 사이에는 게이트밸브(gate valve; 400)가 형성되어 이를 통해 제1로봇(320) 및 제2로봇(325)이 기판을 이송한다. 게이트밸브(400)는 각각의 챔버(310, 315, 330, 335, 340, 345)를 서로 밀봉시켜서 챔버(310, 315, 330, 335, 340, 345)를 외부와 차단되도록 한다.A gate valve 400 is formed between each of the chambers 310, 315, 330, 335, 340, and 345 so that the first robot 320 and the second robot 325 transfer the substrate. The gate valve 400 seals the chambers 310, 315, 330, 335, 340, and 345 with each other to block the chambers 310, 315, 330, 335, 340, and 345 from the outside.
본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치에 설치되는 공정챔버(360)로는 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 챔버, 건식식각 챔버 및 스퍼터링(sputtering) 챔버 등이 있다. 상기 공정은 모두 진공 상태에서 이루어지기 때문에 공정챔버(360) 내부는 항상 진공 상태를 유지해야 한다. 진공 환경을 이용하는 상기한 장치에서, 진공 중에 상이한 공정을 연속적으로 수행할 수 있는 것이 바람직하다. 일단 기판이 외부에 노출되면 기판 표면이 오염되어 후속 공정에서 불량이 발생할 수 있기 때문이다.The process chamber 360 installed in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes a chemical vapor deposition (CVD) chamber, a dry etching chamber and a sputtering chamber. Since the process is all made in a vacuum state, the process chamber 360 should always maintain a vacuum state. In the above apparatus using a vacuum environment, it is preferable to be able to continuously perform different processes in vacuum. This is because once the substrate is exposed to the outside, the substrate surface may be contaminated and defects may occur in subsequent processes.
본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치에 사용되는 챔버(310, 315, 330, 335, 340, 345, 360)는 진공챔버, 비진공챔버 및 반진공챔버로 구분할 수 있다. 상기한 바와 같이 공정챔버(360)는 그 내부가 항상 진공상태를 유지하는 진공챔버이다. 제1전달챔버(310, 315)는 내부의 압력이 대기압과 같은 비진공챔버, 제2전달챔버(340, 345)는 공정챔버(360)와 같은 진공챔버, 로드락챔버(330, 335)는 대기압 상태와 진공 상태가 전환되는 반진공챔버이다.Chambers 310, 315, 330, 335, 340, 345 and 360 used in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention may be classified into a vacuum chamber, a non-vacuum chamber and a semi-vacuum chamber. As described above, the process chamber 360 is a vacuum chamber in which the inside thereof always maintains a vacuum state. The first transfer chamber (310, 315) is a non-vacuum chamber in which the internal pressure is equal to atmospheric pressure, the second transfer chamber (340, 345) is a vacuum chamber, such as the process chamber 360, the load lock chamber (330, 335) It is a semi-vacuum chamber that switches between atmospheric pressure and vacuum state.
제1로드락챔버(330) 및 제2로드락챔버(335)는 공정챔버(360) 내부를 항상 진공 상태로 유지하기 위하여 사용된다. 기판이 공정챔버(360)로 이동될 때마다 공정챔버(360)의 내부가 외부에 노출되면 이에 따라 공정챔버(360) 내부의 압력에 변화가 생기므로 기판의 처리 품질이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 로드락챔버(330, 335)는 공정챔버(360)와 제2전달챔버(340, 345)를 통하여 연결된다.The first load lock chamber 330 and the second load lock chamber 335 are used to always maintain the inside of the process chamber 360 in a vacuum state. When the inside of the process chamber 360 is exposed to the outside each time the substrate is moved to the process chamber 360, a change in the pressure inside the process chamber 360 may occur, thereby degrading the processing quality of the substrate. Therefore, the load lock chambers 330 and 335 are connected through the process chamber 360 and the second transfer chambers 340 and 345.
제1전달챔버(310, 315)와 로드록챔버(330, 335) 간에 기판의 전달을 위하여 게이트밸브(400)가 열릴 때, 공정챔버(360) 쪽의 게이트밸브(400)는 잠긴 상태를 유지하므로, 공정챔버(360)는 비진공 상태에 노출되지 않는다. 기판이 로드록챔버(330, 335)와 공정챔버(360) 사이를 이동할 때에는 제1전달챔버(310, 315) 쪽의 게이트밸브(400)가 잠긴 상태를 유지하므로 공정챔버(360)는 진공 상태를 유지할 수 있다.When the gate valve 400 is opened for the transfer of the substrate between the first transfer chambers 310 and 315 and the load lock chambers 330 and 335, the gate valve 400 toward the process chamber 360 remains locked. Therefore, the process chamber 360 is not exposed to the non-vacuum state. When the substrate moves between the load lock chambers 330 and 335 and the process chamber 360, the gate valve 400 of the first transfer chambers 310 and 315 remains locked so that the process chamber 360 is in a vacuum state. Can be maintained.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 기판처리장치에 사용되는 공정챔버 내부를 도시한 개략도이다.5 is a schematic view showing the inside of a process chamber used in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
공정챔버의 하부전극(500) 상부로 기판(510)이 로봇팔(520)에 의해 반입되고 있는 모습을 도시하고 있다. 하부전극(500)의 위에는 상부전극(미도시)이 위치하고 그 사이에서 플라즈마에 의해 박막증착 또는 식각 공정 등이 기판(510)에 진행된다.The substrate 510 is loaded into the upper portion of the lower electrode 500 of the process chamber by the robot arm 520. An upper electrode (not shown) is disposed on the lower electrode 500, and a thin film deposition or etching process is performed on the substrate 510 by plasma.
도면에 도시된 바와 같이 하부전극(500)에 리프트핀(530)이 설치되어 있다. 리프트핀(530)은 하부전극(500)의 상하로 운동할 수 있도록 설치되는데, 리프트핀(530)이 승강상태일 때 로봇팔(520)이 리프트핀(530) 상부에 기판(510)을안착시킨다. 이후 리프트핀(530)이 하강운동을 하면 기판(510)이 하부전극(500) 표면에 기판(510)이 안착되어 소정의 공정이 진행된다. 본 발명의 실시예에서는 한 종류의 리프트핀(530)만이 사용된다. 따라서, 종래의 두 종류의 리프트핀을 사용하던 공정챔버보다 구성이 간단해지고 구동부를 최소화하여 오염물질의 발생을 방지한다.As shown in the figure, a lift pin 530 is installed on the lower electrode 500. The lift pin 530 is installed to move up and down of the lower electrode 500. When the lift pin 530 is in a raised state, the robot arm 520 seats the substrate 510 on the lift pin 530. Let's do it. Thereafter, when the lift pin 530 moves downward, the substrate 510 is seated on the surface of the lower electrode 500, and a predetermined process is performed. In the embodiment of the present invention, only one type of lift pin 530 is used. Therefore, the configuration is simpler than the process chamber using two conventional lift pins, and the driving unit is minimized to prevent the generation of contaminants.
이와 마찬가지로, 제1로드락챔버(330, 335) 및 제2로드락챔버에도 하나의 버퍼만을 설치해 구성을 단순화하여 구동부를 최소화하도록 한다.Similarly, only one buffer is installed in the first load lock chambers 330 and 335 and the second load lock chamber to simplify the configuration to minimize the driving unit.
상기와 같은 구성을 한 기판처리장치는 다음과 같이 동작한다.The substrate processing apparatus configured as described above operates as follows.
우선, 다수의 기판이 수납된 카세트가 이동해 로더(300)에 위치한다.First, a cassette in which a plurality of substrates are stored is moved and placed in the loader 300.
제1전달챔버(310) 내의 제1로봇(320)은 카세트로부터 기판을 취출한다. 제1로드락챔버(330)의 제1전달챔버(310)쪽 게이트밸브(400)가 열리면 제1로봇(320)은 기판을 제1로드락챔버(330)의 버퍼로 전달한다. 열렸던 게이트밸브(400)가 잠기고 제1로드락챔버(330) 내부가 진공 상태로 전환된다. 이후, 제1로드락챔버(330)의 제2전달챔버(340)쪽 게이트밸브(400)가 열리면 제2로봇(350)이 제1로드락챔버(330)로부터 기판을 반출한다. 열렸던 게이트밸브(400)가 잠기고 공정챔버(360)쪽 게이트밸브(400)가 열리면 제2로봇(350)은 기판을 공정챔버(360)의 리프트핀(530)에 안착시킨다. 상기 공정챔버(360)에서 소정의 공정이 진행되고 나면, 동일한 원리로 다시 제2로봇(355)이 공정챔버(360)로부터 제2로드락챔버(335)로 전달하고, 제1로봇(335)이 기판을 제2로드락챔버(335)로부터 반출하여 언로더(305)에 위치한 카세트로 수납하게 되면 한 개의 기판에 대한 공정이 인라인 상에서 완료된다.The first robot 320 in the first transfer chamber 310 takes out the substrate from the cassette. When the gate valve 400 of the first load chamber chamber 330 of the first load lock chamber 330 is opened, the first robot 320 transfers the substrate to the buffer of the first load lock chamber 330. The open gate valve 400 is locked and the inside of the first load lock chamber 330 is switched to a vacuum state. Thereafter, when the gate valve 400 of the second transfer chamber 340 of the first load lock chamber 330 is opened, the second robot 350 takes out the substrate from the first load lock chamber 330. When the gate valve 400 that is opened is locked and the gate valve 400 of the process chamber 360 is opened, the second robot 350 seats the substrate on the lift pin 530 of the process chamber 360. After a predetermined process is performed in the process chamber 360, the second robot 355 transfers from the process chamber 360 to the second load lock chamber 335 again in the same principle, and the first robot 335. When the substrate is taken out from the second load lock chamber 335 and stored in the cassette located in the unloader 305, the process for one substrate is completed inline.
상기와 같은 공정이 소정의 시간 간격을 두고 카세트 내에 수납된 모든 기판에 대해 진행된다. 로드락챔버(330, 335) 및 공정챔버(360)에서 버퍼 및 리프트핀의 운동에 의한 소요시간 동안 기판이 대기하던 시간이 단축되므로 생산성이 향상되는 효과가 있다.The above process is carried out for all the substrates stored in the cassette at predetermined time intervals. In the load lock chambers 330 and 335 and the process chamber 360, since the substrate waits for a time required by the movement of the buffer and the lift pin, the productivity is improved.
상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기 보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While many details are set forth in the foregoing description, it should be construed as an illustration of preferred embodiments rather than to limit the scope of the invention. Therefore, the scope of the invention should not be defined by the described embodiments, but should be defined by the claims and the equivalents of the claims.
본 발명에 의하면 기판처리장치를 인라인으로 구성함에 따라 챔버의 구성이 단순해진다. 따라서, 챔버 내의 구동부 수가 감소함에 따라 구동부의 운동에 따른 이물 발생이 최소화되어 기판의 오염을 방지한다.According to the present invention, as the substrate processing apparatus is configured inline, the configuration of the chamber is simplified. Therefore, as the number of driving units in the chamber decreases, foreign matters generated by the movement of the driving unit are minimized to prevent contamination of the substrate.
또한, 챔버 내의 구동부의 운동에 소요되는 시간이 감소하므로 각 챔버로 진입하기 전에 기판이 대기하는 시간이 줄어 전체적인 공정진행 시간을 줄일 수 있게 된다. 따라서, 액정표시장치의 생산성이 향상된다.In addition, since the time required for the movement of the driving unit in the chamber is reduced, the time the substrate waits before entering each chamber can be reduced, thereby reducing the overall process progress time. Therefore, productivity of the liquid crystal display device is improved.
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Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020083598A KR20040057144A (en) | 2002-12-24 | 2002-12-24 | Apparatus for treating substrate in in-line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020083598A KR20040057144A (en) | 2002-12-24 | 2002-12-24 | Apparatus for treating substrate in in-line |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040057144A true KR20040057144A (en) | 2004-07-02 |
Family
ID=37349750
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020083598A KR20040057144A (en) | 2002-12-24 | 2002-12-24 | Apparatus for treating substrate in in-line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040057144A (en) |
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- 2002-12-24 KR KR1020020083598A patent/KR20040057144A/en not_active Application Discontinuation
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