KR20040050793A - Electron beam curing equipment using dielectric barrier discharge plasma source - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An electron beam curing equipment using dielectric barrier discharge plasma source is provided to reduce the cost for vacuum by generating plasma at a high pressure and prevent the contamination due to metallic particles by using a Si or Ta grid instead of a metallic grid. CONSTITUTION: An electron beam curing equipment is provided with a vacuum chamber(21) having a support part, a grid(22) at the upper portion of the vacuum chamber, a box type insulation part(23) on the vacuum chamber, and a cathode and anode(24,25) at one and the other inner wall of the insulation part. The electron beam curing equipment further includes material parts(26) for a dielectric barrier installed at the front portions of the anode and cathode, the first voltage supply part(27) for supplying a high voltage to the cathode, the second and third voltage supply part(28,29) for supplying a low voltage to the anode and grid, and a pump(30) connected with the vacuum chamber. The grid is made of Si or Ta.

Description

유전장벽 방전 플라즈마 소오스를 이용한 전자빔 큐어링 장비{Electron beam curing equipment using dielectric barrier discharge plasma source}Electron beam curing equipment using dielectric barrier discharge plasma source

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 유전장벽 방전(Dielectric Barrier Discharge) 플라즈마 소오스를 이용한 전자빔 큐어링 장비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to electron beam curing equipment using a dielectric barrier discharge plasma source.

주지된 바와 같이, 반도체 소자는 도전막 및 절연막의 증착 공정과, 포토리소그라피 공정에 의한 마스크 형성 공정, 및 마스크를 이용한 식각 공정이 반복적으로 행해지는 것에 의해 제조된다.As is well known, a semiconductor device is manufactured by repeatedly performing the deposition process of a conductive film and an insulating film, the mask formation process by a photolithography process, and the etching process using a mask.

여기서, 상기 포토리소그라피 공정은 식각 대상층 상에 레지스트를 도포, 노광 및 현상해서 임의의 레지스트 패턴을 형성해주는 공정이며, 기판 상에 형성하고자 하는 실제 패턴의 임계치수(Critical Dimension : 이하, CD)는 상기 포토리소그라피 공정에서 구현될 수 있는 패턴의 임계치수에 크게 영향을 받는다.Here, the photolithography process is a process of forming an arbitrary resist pattern by applying, exposing and developing a resist on an etching target layer, and the critical dimension of the actual pattern to be formed on the substrate (hereinafter, referred to as CD) is It is greatly influenced by the critical dimension of the pattern that can be realized in the photolithography process.

현재까지의 반도체 기술은 고집적화에 따른 패턴 CD의 미세화를 위해, 노광시, 보다 짧은 파장의 광원을 사용하고 있다. 예컨데, 기존에는 G-line(λ=436㎚) 또는 I-line(λ=365㎚)의 광원을 이용한 공정이 이용되어져 왔으나, 그 해상도의 한계를 극복하고자 KrF(λ=248㎚)의 광원을 이용한 DUV(Deeep-UltraViolet) 공정이 이용되었고, 최근에 들어서는 ArF(λ=193㎚)의 광원을 이용한 공정이 제안되었다.Until now, semiconductor technology has used a light source with a shorter wavelength at the time of exposure for miniaturization of the pattern CD due to high integration. For example, in the past, a process using a G-line (λ = 436 nm) or I-line (λ = 365 nm) light source has been used, but to overcome the limitation of the resolution, KrF (λ = 248 nm) light source has been used. The Deep-UltraViolet (DUV) process used was used. Recently, a process using a light source of ArF (λ = 193 nm) has been proposed.

한편, 0.117㎛급 이하의 소자를 제조함에 있어서, ArF의 광원을 포함한 DUV 레지스트를 이용한 포토리소그라피 공정에서는 과도한 레지스트 플로우(flow)와 CD 축소(shrinkage)가 발생됨으로써 후속하는 건식 식각 공정에서 라인 스트라이에이션(striation)이 발생된다.On the other hand, in the fabrication of 0.117㎛ or less devices, in the photolithography process using a DUV resist including an ArF light source, excessive resist flow and CD shrinkage occur, resulting in line striation in the subsequent dry etching process. (striation) occurs.

따라서, 이러한 라인 스트라이에이션 현상을 방지하기 위해, 기존에는 레지스트의 노광 후에 전자빔(Electron Beam) 큐어링 장비를 이용하여 DUV 레지스트를 큐어링시키는 공정을 진행하고 있다.Therefore, in order to prevent such a line striation phenomenon, the process of curing the DUV resist using an electron beam curing apparatus after exposure of the resist is proceeding.

도 1은 종래의 전자빔 큐어링 장비를 도시한 도면으로서, 이를 참조해서 그구조 및 DUV 레지스트의 전자빔 큐어링 방법을 간략하게 설명하도록 한다.FIG. 1 is a diagram illustrating a conventional electron beam curing apparatus, and a structure thereof and an electron beam curing method of a DUV resist will be briefly described with reference to the drawing.

도시된 바와 같이, 종래의 전자빔 큐어링 장비는 진공챔버(Vacuum chamber : 1)와, 상기 진공챔버(1) 상측에 배치된 음극(cathode : 2) 및 양극 그리드(anode grid : 3)와, 상기 진공챔버(1)의 하측에 연결되어 진공을 만들어주는 TMP(5)를 포함하는 건식펌프(4), 및 상기 음극(2) 및 양극 그리드(3) 각각에 고전압 파워 및 저전압 파워를 인가하는 제1 및 제2전압 공급부(6, 7)로 구성된다. 여기서, 상기 음극(2)은 진공챔버(1) 상에서 덮개의 형태로 구비되며, 절연체(8)의 개재하에 상기 진공챔버(1) 상에 배치된다. 또한, 양극 그리드(3)는 진공챔버(1)의 상단에 배치된다.As shown in the drawing, a conventional electron beam curing apparatus includes a vacuum chamber (1), a cathode (2) and an anode grid (3) disposed above the vacuum chamber (1), and the A dry pump 4 including a TMP 5 connected to the lower side of the vacuum chamber 1 to create a vacuum, and a high voltage power and a low voltage power applied to each of the cathode 2 and the anode grid 3. It consists of first and second voltage supply parts 6, 7. Here, the cathode 2 is provided on the vacuum chamber 1 in the form of a cover, and is disposed on the vacuum chamber 1 under the insulator 8. In addition, the anode grid 3 is arranged at the top of the vacuum chamber 1.

이와 같은 종래의 전자빔 큐어링 장비는 챔버(1) 내에 웨이퍼(10)가 장입되면, 음극(2)과 양극 그리드(3)에 DC 전압을 걸어주는 것에 의해 플라즈마를 발생시키게 되고, 이렇게 발생된 전자들이 웨이퍼(10)에 입사됨으로써 상기 웨이퍼(10) 상에 형성된 DUV 레지스트에 대한 큐어링을 행하게 된다.In the conventional electron beam curing apparatus, when the wafer 10 is loaded into the chamber 1, plasma is generated by applying a DC voltage to the cathode 2 and the anode grid 3. The incident on the wafer 10 causes the curing of the DUV resist formed on the wafer 10.

그러나, 종래의 전자빔 큐어링 장비는 낮은 압력에서 발생하는 플라즈마를 이용하기 때문에 진공을 만들기 위한 비용이 많이 들고, 또한, 공정이 진공챔버에의 의존도가 높다는 문제점이 있다.However, the conventional electron beam curing equipment has a problem in that it is expensive to make a vacuum because the plasma generated at a low pressure is used, and the process is highly dependent on the vacuum chamber.

또한, 종래의 전자빔 큐어링 장비는 금속 성분의 음극과 양극 그리드가 직접적으로 플라즈마에 노출되어 있는 바, 상기 음극 및 양극 그리드가 파티클의 오염원으로 작용하는 문제점도 있다.In addition, the conventional electron beam curing equipment has a problem that the cathode and the anode grid of the metal component is directly exposed to the plasma, and the cathode and the anode grid act as a source of contamination of the particles.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 진공을 만드는데 소요되는 비용을 줄이면서 진공챔버에 대한 의존도도 낮추고, 그리고, 파티클 오염의 유발을 방지할 수 있는 전자빔 큐어링 장비를 제공함에 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, while reducing the cost of making a vacuum while reducing the dependence on the vacuum chamber, and to prevent the generation of particle contamination electron beam curing equipment The purpose is to provide.

도 1은 종래의 전자빔 큐어링 장비를 도시한 도면.1 is a view showing a conventional electron beam curing equipment.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자빔 큐어링 장비를 도시한 도면.2 illustrates an electron beam curing apparatus according to an embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

20 : 웨이퍼 21 : 진공챔버20 wafer 21 vacuum chamber

22 : 그리드 23 : 절연체22: grid 23: insulator

24 : 음극 25 : 양극24: cathode 25: anode

26 : 유전장벽물질 27,28,29 : 전압 공급부26: dielectric barrier material 27, 28, 29: voltage supply

30 : 건식펌프 31 : 제1 간격조절수단30: dry pump 31: the first gap adjusting means

32 : 제2 간격조절수단32: second spacing means

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 내측 하단에 웨이퍼 지지수단을 구비한 진공챔버; 상기 진공챔버의 상단에 배치된 그리드; 상기 그리드를 포함한 진공챔버 상에 배치된 덮개를 갖는 박스 타입의 절연체; 상기 절연체의 일측 및 타측 내벽면 각각에 배치된 음극 및 양극; 상기 음극 및 양극의 앞면에 각각 설치된 유전장벽물질; 상기 음극에 고전압 파워를 공급하는 제1전압 공급부; 상기 양극 및 그리드 각각에 저전압 파워를 공급하는 제2 및 제3전압 공급부; 및 상기 진공챔버의 하측에 연결되어 진공을 만들어주는 건식펌프를 포함하는 전자빔 큐어링 장비를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, the vacuum chamber having a wafer support means on the inner bottom; A grid disposed at an upper end of the vacuum chamber; A box type insulator having a lid disposed on the vacuum chamber including the grid; A cathode and an anode disposed on each of one side and the other inner wall surface of the insulator; A dielectric barrier material provided on each of the front surface of the cathode and the anode; A first voltage supply unit supplying high voltage power to the cathode; Second and third voltage supply units supplying low voltage power to each of the anode and the grid; And a dry pump connected to the lower side of the vacuum chamber to create a vacuum.

여기서, 상기 그리드는 Si 또는 Ta로 이루어진다.Here, the grid is made of Si or Ta.

상기 유전장벽물질은 진공에 비해 3배 이상의 유전율을 갖는 물질로 이루어지며, 0.5∼3.0㎝의 간격을 갖도록 설치된다.The dielectric barrier material is made of a material having a dielectric constant more than three times that of a vacuum, and is installed to have a spacing of 0.5 to 3.0 cm.

또한, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는 상기 유전장벽물질들간의 간격 유지를 위해 상기 음극 또는 양극이 설치된 벽면의 외측에 설치된 제1 간격조절수단과, 상기 웨이퍼와 그리드간의 간격 조절을 위해 상기 진공챔버의 하단 외측에 설치되어 상기 웨이퍼 지지수단과 연결된 제2 간격조절수단, 및 상기 그리드에의 (+) 전위를 외부에서 조절할 수 있도록 설치된 회로장치를 더 포함한다.In addition, the electron beam curing apparatus of the present invention is the first vacuum chamber for adjusting the gap between the wafer and the grid and the first chamber for adjusting the gap between the first or second wall and the cathode or anode is installed to maintain the gap between the dielectric barrier material And a second gap adjusting means installed at an outer side of the lower end of the wafer and connected to the wafer supporting means, and a circuit device installed to adjust a positive potential to the grid from the outside.

아울러, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는 진공챔버 내에서의 플라즈마 발생이 상압하에서 챔버내에 He, Ar, N2O, CO2 및 AIR 중에서 어느 하나 이상의 기체를 주입하면서 40kHz 이상 주파수의 전압을 인가하는 것에 의해 이루어진다.In addition, the electron beam curing apparatus of the present invention is generated by applying a voltage having a frequency of 40 kHz or higher while injecting any one or more gases of He, Ar, N 2 O, CO 2 and AIR into the chamber under normal pressure. .

본 발명에 따르면, 상압 하에서 플라즈마를 발생시키므로 진공을 만들기 위한 비용을 줄일 수 있으며, 또한, 금속성 그리드를 Si 또는 Ta의 그리드로 교체함으로써 파티클 오염의 유발도 방지할 수 있다.According to the present invention, since plasma is generated under atmospheric pressure, the cost for making a vacuum can be reduced, and the occurrence of particle contamination can also be prevented by replacing the metallic grid with a grid of Si or Ta.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자빔 큐어링 장비를 도시한 도면으로서, 이를 설명하면 다음과 같다.2 is a view showing the electron beam curing equipment according to an embodiment of the present invention, which will be described below.

도시된 바와 같이, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는, 내측 하단에 웨이퍼가 놓여질 지지수단을 구비한 진공챔버(21)와 상기 진공챔버(21)의 상단에 배치된 그리드(22)와 상기 진공챔버(21) 상에 배치된 덮개를 갖는 박스 타입의 절연체(23)와 상기 절연체(23)의 일측 및 타측 내벽면에 각각 배치된 음극(24) 및 양극(25)과 상기 음극(24)에 고전압 파워를 공급하는 제1전압 공급부(27)와 상기 양극(25) 및 그리드(22) 각각에 저전압 파워를 공급하는 제2 및 제3전압 공급부(28, 29)와 상기 진공챔버(21)의 하측에 연결되어 진공을 만들어주는 건식펌프(30)를 포함한다. 진공펌프(30)를 사용하는 이유는 단지 공기중에 노출되어 웨이퍼에 떨어지는 불순물을 제거하기 위해서이다.As shown in the drawing, the electron beam curing apparatus of the present invention includes a vacuum chamber 21 having a support means on which a wafer is placed on an inner lower end, a grid 22 disposed on an upper end of the vacuum chamber 21, and the vacuum chamber. A box-type insulator 23 having a cover disposed on 21 and a high voltage to the cathode 24 and the anode 25 and the cathode 24 disposed on one side and the other inner wall surface of the insulator 23, respectively. Lower sides of the vacuum chamber 21 and the second and third voltage supplies 28 and 29 that supply low voltage power to each of the first voltage supply 27 and the anode 25 and the grid 22 that supply power. It is connected to the dry pump 30 to create a vacuum. The reason for using the vacuum pump 30 is only to remove impurities that are exposed to the air and fall on the wafer.

여기서, 상기 그리드(22)는 종래의 그것이 금속 성분으로 이루어진 것에 비해 Si 또는 Ta로 이루어진다.Here, the grid 22 is made of Si or Ta compared with the conventional one made of a metal component.

또한, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는 상압하에서 플라즈마를 발생시키기 위해 상기 음극(24)과 양극(25)의 앞면 각각에 유전장벽물질(26)이 설치된다. 상기 유전장벽물질(26)로서는 세라믹(ceramic), 유리(glass) 또는 석영(quartz) 등이 이용될 수 있으며, 상기 물질들 이외에 여러 화학성분들을 합성하여 만들어진 높은 유전 상수를 갖는 물질이 이용될 수 있다.In addition, in the electron beam curing apparatus of the present invention, a dielectric barrier material 26 is installed on each of the front surfaces of the cathode 24 and the anode 25 to generate a plasma under normal pressure. As the dielectric barrier material 26, ceramic, glass, or quartz may be used. In addition to the above materials, a material having a high dielectric constant made by synthesizing various chemical components may be used. have.

아울러, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는 상압하에서의 플라즈마 발생이 최적화될 수 있도록 상기 음극(24)과 양극(25)간의 간격을 조절하기 위한 제1 간격조절수단(31)이 상기 음극(24) 또는 양극(25)이 배치된 절연체(23) 벽면의 외측에 설치된다.In addition, in the electron beam curing apparatus of the present invention, the first gap adjusting means 31 for adjusting the gap between the cathode 24 and the anode 25 may be configured to optimize the plasma generation at atmospheric pressure. It is provided on the outer side of the wall surface of the insulator 23 in which the anode 25 is disposed.

게다가, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는 균일한 세기의 전자빔, 즉, 균일한 도우즈의 전자들이 웨이퍼(20)에 입사될 수 있도록 상기 웨이퍼(20)와 그리드(22)간의 간격 조절을 위한 제2 간격조절수단(32)이 웨이퍼 지지수단과 연결되도록 진공챔버(21)의 하단 외측에 설치된다.In addition, the electron beam curing apparatus of the present invention provides a method for adjusting the gap between the wafer 20 and the grid 22 so that electron beams of uniform intensity, that is, electrons of uniform dose, may be incident on the wafer 20. 2 the gap adjusting means 32 is installed outside the lower end of the vacuum chamber 21 to be connected to the wafer support means.

부가해서, 도시하지는 않았으나, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비에는 전자들의 에너지를 조절하기 위해, UV 레지스트에 입사되는 도우즈(dose) 깊이를 결정하기 위해, 그리드에의 (+) 전위를 외부에서 조절할 수 있도록 한 회로장치가 더 설치된다.In addition, although not shown, the electron beam curing equipment of the present invention externally adjusts the positive potential to the grid to determine the dose depth incident on the UV resist to control the energy of the electrons. One more circuit device is installed to allow this.

이와 같은 구성을 갖는 본 발명의 전자빔 큐어링 장비에 따르면, 1기압의 상압하에서 He, Ar, N2O, CO2 및 AIR 중에서 어느 하나 이상의 기체가 주입되면서 40kHz 이상 주파수의 전압이 인가되는 것에 의해 플라즈마를 발생시키게 되며, 이렇게 발생된 전자들이 UV 레지스트가 형성되어진 웨이퍼(20)의 표면에 입사된다.According to the electron beam curing apparatus of the present invention having such a configuration, plasma is generated by applying a voltage of a frequency of 40 kHz or more while applying any one or more gases of He, Ar, N 2 O, CO 2, and AIR under an atmospheric pressure of 1 atmosphere. The generated electrons are incident on the surface of the wafer 20 on which the UV resist is formed.

여기서, 상압하에서의 플라즈마 발생을 위해 40kHz 이상 주파수의 전압을 인가해주는 이유는 상압에서 10kHZ 이상 주파수의 전압을 이용하여 DBD(Dielectric Barrier Discharge) 플라즈마를 발생시켜 실험한 보고가 이미 있기 때문이다. (F. Massine, et.al., "Experimental and theoretical study of a glow discharge at atmospheric pressure controlled by dielectric barrier", J. Appl. Phys. vol 31. 3411(1998))Here, the reason why the voltage of 40kHz or more is applied to generate the plasma under normal pressure is because there have been reports of experiments by generating DBD (Dielectric Barrier Discharge) plasma using the voltage of 10kHZ or more at normal pressure. (F. Massine, et.al., "Experimental and theoretical study of a glow discharge at atmospheric pressure controlled by dielectric barrier", J. Appl. Phys. Vol 31. 3411 (1998))

이 실험에 있어서, 상압하에서 플라즈마를 발생시키기 위해서는 음극과 양극 앞에 유전장벽물질이 필요하며, 이때, 상기 유전장벽물질(26)의 유전율은 진공에 비해 대략 3배 이상 되어야 한다.In this experiment, a dielectric barrier material is required in front of the cathode and the anode in order to generate a plasma under normal pressure, and the dielectric constant of the dielectric barrier material 26 should be about three times or more compared to vacuum.

따라서, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는 진공에 비해 3배 이상의 유전율을 갖는 유전장벽물질(26), 예컨데, 세라믹(ceramic), 유리(glass) 또는 석영(quartz)등을 음극(24)과 양극(25)의 앞면 각각에 설치한 것이다.Accordingly, the electron beam curing apparatus of the present invention includes a dielectric barrier material 26 having a dielectric constant more than three times that of a vacuum, for example, ceramic, glass, or quartz. It is installed in each of the front surfaces of (25).

또한, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는 유전장벽물질(26)간의 간격을 수㎝ 이하, 보다 정확하게는 0.5∼3.0㎝ 정도가 되도록 설계하며, 아울러, 웨이퍼(20)와 그리드(22)간의 간격도 작게 설계한다.In addition, the electron beam curing apparatus of the present invention is designed so that the distance between the dielectric barrier material 26 is several cm or less, more precisely about 0.5 to 3.0 cm, and the gap between the wafer 20 and the grid 22 is also defined. Design small.

이와 같이, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는 플라즈마를 상압하에서 발생시킬 수 있기 때문에 진공을 만들기 위한 비용을 종래의 그것에 비해 줄일 수 있으며, 아울러, 장비 유지 보수에 소요되는 비용 또한 줄일 수 있다.In this way, the electron beam curing equipment of the present invention can generate a plasma at normal pressure, thereby reducing the cost of making a vacuum compared to the conventional one, and also can reduce the cost of equipment maintenance.

또한, 본 발명의 전자빔 큐어링 장비는 유전장벽물질을 플라즈마 소오스로 이용하여 플라즈마를 발생시키게 되므로, 진공챔버에의 의존도도 낮출 수 있다.In addition, since the electron beam curing apparatus of the present invention generates plasma using the dielectric barrier material as the plasma source, the dependence on the vacuum chamber can be lowered.

게다가, 종래 장비에서의 그리드는 금속으로 이루어지는 것에 의해 파티클의 오염원으로 작용하게 되지만, 본 발명에 따른 장비에서의 그리드는 Si 또는 Ta로 그 재질을 변경함으로써 금속성분의 파티클 오염 발생을 근본적으로 해결할 수 있다.In addition, while the grid in the conventional equipment is made of metal to act as a source of particles, the grid in the equipment according to the present invention can fundamentally solve the occurrence of particle contamination of metal components by changing its material to Si or Ta. have.

이상에서와 같이, 본 발명은 플라즈마의 발생을 상압하에서 이룸으로써 진공을 얻는데 필요한 비용을 줄일 수 있으며, 아울러, 진공챔버에 대한 의존도도 낮출 수 있는 바, 결국, 진공 유지 및 보수에 필요한 막대한 비용을 절감할 수 있다.As described above, the present invention can reduce the cost required to obtain the vacuum by generating the plasma under normal pressure, and can also reduce the dependence on the vacuum chamber. Can be saved.

또한, 본 발명은 금속성 그리드 대신에 Si 또는 Ta의 그리드를 사용함으로써 금속성 파티클에 의한 오염을 근본적으로 방지할 수 있다.In addition, the present invention can fundamentally prevent contamination by metallic particles by using a grid of Si or Ta instead of the metallic grid.

기타, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.In addition, this invention can be implemented in various changes within the range which does not deviate from the summary.

Claims (8)

내측 하단에 웨이퍼 지지수단을 구비한 진공챔버;A vacuum chamber having a wafer support means at an inner bottom; 상기 진공챔버의 상단에 배치된 그리드;A grid disposed at an upper end of the vacuum chamber; 상기 그리드를 포함한 진공챔버 상에 배치된 덮개를 갖는 박스 타입의 절연체;A box type insulator having a lid disposed on the vacuum chamber including the grid; 상기 절연체의 일측 및 타측 내벽면 각각에 배치된 음극 및 양극;A cathode and an anode disposed on each of one side and the other inner wall surface of the insulator; 상기 음극 및 양극의 앞면에 각각 설치된 유전장벽물질;A dielectric barrier material provided on each of the front surface of the cathode and the anode; 상기 음극에 고전압 파워를 공급하는 제1전압 공급부;A first voltage supply unit supplying high voltage power to the cathode; 상기 양극 및 그리드 각각에 저전압 파워를 공급하는 제2 및 제3전압 공급부; 및Second and third voltage supply units supplying low voltage power to each of the anode and the grid; And 상기 진공챔버의 하측에 연결되어 진공을 만들어주는 건식펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 큐어링 장비.Electron beam curing equipment comprising a dry pump connected to the lower side of the vacuum chamber to create a vacuum. 제 1 항에 있어서, 상기 그리드는 Si 또는 Ta로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자빔 큐어링 장비.The electron beam curing apparatus according to claim 1, wherein the grid is made of Si or Ta. 제 1 항에 있어서, 상기 유전장벽물질은 진공에 비해 3배 이상의 유전율을 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자빔 큐어링 장비.The electron beam curing apparatus according to claim 1, wherein the dielectric barrier material is made of a material having a dielectric constant of at least three times that of a vacuum. 제 1 항에 있어서, 상기 유전장벽물질은 0.5∼3.0㎝의 간격을 갖도록 설치된 것을 특징으로 하는 전자빔 큐어링 장비.The electron beam curing apparatus according to claim 1, wherein the dielectric barrier material is installed to have a spacing of 0.5 to 3.0 cm. 제 1 항에 있어서, 상기 유전장벽물질들간의 간격의 유지를 위해 상기 음극 또는 양극이 설치된 벽면의 외측에 설치된 제1 간격조절수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 큐어링 장비.The electron beam curing apparatus according to claim 1, further comprising a first gap adjusting means disposed outside the wall on which the cathode or anode is installed to maintain the gap between the dielectric barrier materials. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼와 그리드간의 간격 조절을 위해 상기 진공챔버의 하단 외측에 설치되어 상기 웨이퍼 지지수단과 연결된 제2 간격조절수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 큐어링 장비.The electron beam curing apparatus according to claim 1, further comprising a second gap adjusting means installed at an outer side of the lower end of the vacuum chamber and connected to the wafer supporting means to adjust the gap between the wafer and the grid. 제 1 항에 있어서, 상기 그리드에의 (+) 전위를 외부에서 조절할 수 있도록 설치된 회로장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 큐어링 장비.The electron beam curing apparatus according to claim 1, further comprising a circuit device installed to externally adjust a positive potential to the grid. 제 1 항에 있어서, 상기 진공챔버 내에서의 플라즈마 발생은 상압하에서 챔버내에 He, Ar, N2O, CO2 및 AIR로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 기체를 주입하면서 40kHz 이상 주파수의 전압을 인가하는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자빔 큐어링 장비.The method of claim 1, wherein the plasma generation in the vacuum chamber is to apply a voltage of a frequency of 40kHz or more while injecting any one or more gases selected from the group consisting of He, Ar, N2O, CO2 and AIR in the chamber under normal pressure. Electron beam curing equipment, characterized in that made by.
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