KR20040050080A - Apparatus for driving focus ring of plasma etch chamber - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for driving a focus ring of a plasma etch chamber is provided to be capable of controlling the width and height of a focus ring for improving the uniformity of a wafer. CONSTITUTION: An apparatus for driving a focus ring of a plasma etch chamber includes at least two focus rings(34,36) for holding a wafer loaded on an electrostatic chuck(30). The diameters of the focus rings are different from each other. The apparatus for driving the focus ring further includes a focus ring driving part(32) installed at the edge portion of the electrostatic chuck for moving one out of the focus rings up and down. Each focus ring is capable of being moved by using a corresponding servo motor.

Description

플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치{Apparatus for driving focus ring of plasma etch chamber}Apparatus for driving focus ring of plasma etch chamber

본 발명은 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정정척에 설치되는 포커스 링의 높이와 포커싱 영역을 공정 특성에 따라서 조절할 수 있도록 개선한 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a focus ring driving apparatus for a plasma etching chamber, and more particularly, to a focus ring driving apparatus for a plasma etching chamber improved to adjust the height and focusing area of a focus ring installed in a corrected chuck according to process characteristics. It is about.

반도체 제조 공정은 다양한 단위 공정들을 포함하고 있다.The semiconductor manufacturing process includes various unit processes.

그 중 식각 또는 증착에 플라즈마 공정이 많이 이용되고 있으며, 플라즈마 공정 챔버(10)는 도 1과 같이 내부에 정전척(ESC : Electro Static Chuck)(12)이 구성되고, 그 상부에 웨이퍼(16)가 안착되며, 웨이퍼(16)가 안착되는 주변에 포커스 링(18)이 구성된다. 그리고, 플라즈마 공정 챔버(10)에는 플라즈마 형성을 위한 RF를 제공하는 전워(14)이 구성된다.Among them, a plasma process is widely used for etching or deposition, and the plasma process chamber 10 has an electrostatic chuck (ESC) 12 formed therein as shown in FIG. 1, and a wafer 16 thereon. Is seated, and a focus ring 18 is formed around the wafer 16. In the plasma process chamber 10, an electric power 14 for providing RF for plasma formation is configured.

상기한 플라즈마 공정 챔버 내부에는 RF 인가에 따른 플라즈마(20)가 형성되어 웨이퍼 공정이 진행된다.In the plasma process chamber, a plasma 20 is formed by applying RF, and a wafer process is performed.

반도체 기술이 고집적화될수록 패턴이 조밀해지고, 컨택홀의 깊이 대 크기의 비가 증가된다.As semiconductor technology becomes more integrated, the pattern becomes denser and the ratio of the depth to the size of the contact hole increases.

그러나, 도 1과 같은 구성을 같는 플라즈마 공정 챔버(10)에 플라즈마 포커싱을 위하여 설치되는 도 2와 같은 형상을 갖는 포커스 링(18)은 그 높이가 제한적이어서 새로운 조건의 플라즈마를 이용하여 식각을 할 경우 웨이퍼 균일도를 조절하기 어려운 문제점이 있다.However, the focus ring 18 having the shape as shown in FIG. 2 installed in the plasma processing chamber 10 having the same configuration as that of FIG. 1 for plasma focusing has a limited height so that etching can be performed using a plasma having a new condition. In this case, it is difficult to control wafer uniformity.

본 발명의 목적은 플라즈마 공정을 진행하기 위한 조건에 맞게 포커스 링의 폭을를 조절함으로써 식각 후 웨이퍼 균일도를 개선시킴에 있다.An object of the present invention is to improve wafer uniformity after etching by adjusting the width of the focus ring in accordance with the conditions for the plasma process.

본 발명의 다른 목적은 포커스링의 높이를 조절하여 플라즈마 공정을 진행하는 과정에 형성되는 플라즈마의 웨이퍼 포커싱을 조절 가능토록 함에 있다.Another object of the present invention is to adjust the wafer focusing of the plasma formed during the plasma process by adjusting the height of the focus ring.

본 발명의 또다른 목적은 플라즈마 공정 특성에 따라 포커싱 영역을 가변 적용하여 식각 후 웨이퍼 균일도를 개선시킴에 있다.Still another object of the present invention is to improve wafer uniformity after etching by applying a focusing region in accordance with plasma processing characteristics.

도 1은 종래의 플라즈마 식각 챔버의 개략적 구성을 나타내는 도면1 is a view showing a schematic configuration of a conventional plasma etching chamber

도 2는 도 1의 플라즈마 식각 챔버에 사용되는 포커스 링의 사시도2 is a perspective view of a focus ring used in the plasma etching chamber of FIG.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치의 바람직한 실시예를 나타내는 도면3 is a view showing a preferred embodiment of a focus ring driving device for a plasma etching chamber according to the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 포커스 링의 평면도를 나타내는 도면4 shows a plan view of a focus ring according to the invention;

도 5는 도 3의 포커스 링을 구동하기 위한 포커스 링 구동부의 제 1 실시예를 나타내는 회로도FIG. 5 is a circuit diagram illustrating a first embodiment of a focus ring driver for driving the focus ring of FIG. 3.

도 6은 도 3의 포커스 링을 구동하기 위한 포커스 링 구동부의 제 2 실시예를 나타내는 회로도FIG. 6 is a circuit diagram illustrating a second embodiment of a focus ring driver for driving the focus ring of FIG. 3.

본 발명에 따른 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치는 웨이퍼를 식각하는 플라즈마 공정이 진행되는 플라즈마 공정 챔버 내의 정전척에 안착되는 웨이퍼를 내부에 수용하는 직경이 다른 최소한 둘 이상으로 중첩된 포커스 링들 중 어느 하느를 상하로 구동하며, 각 포커스 링은 정전척의 변부에 설치되는 포커스 링 구동부에 의하여 공정 특성에 따라 가변 설정되는 높이로 상하로 구동되도록 구성된다.The focus ring driving apparatus for a plasma etching chamber according to the present invention includes any one of at least two overlapping focus rings having different diameters for receiving a wafer seated on an electrostatic chuck in a plasma processing chamber in which a plasma process of etching a wafer is performed. It drives one up and down, and each focus ring is comprised so that it may be driven up and down to the height set variable according to a process characteristic by the focus ring drive part provided in the edge part of an electrostatic chuck.

그리고, 포커스 링 구동부는 서보 모터 또는 스테핑 모터를 이용하여 선택된 포커스 링을 구동하도록 구성될 수 있다.The focus ring driver may be configured to drive the selected focus ring using a servo motor or a stepping motor.

이하, 본 발명에 따른 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a focus ring driving device for a plasma etching chamber according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 실시예로써 플라즈마 공정 챔버 내에 설치된다.3 is installed in a plasma processing chamber in accordance with an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 정전척(30)의 상부에는 공정을 진행하기 위한 웨이퍼(16)가 안착되며, 정전척(30)의 외변에는 포커스 링 구동부(32)가 구성된다.Referring to FIG. 3, a wafer 16 for performing a process is mounted on an upper portion of the electrostatic chuck 30, and a focus ring driver 32 is formed on an outer side of the electrostatic chuck 30.

포커스 링 구동부(32)는 상부에 듀얼로 구성되는 포커스 링(34, 36)을 개별적으로 상승 및 하강시키고, 포커스 링 구동부(32)는 포커스 링(34, 36)의 상승 및 하강 시키는 높이를 공정 특성에 따라 다양하게 조절할 수 있다.The focus ring driver 32 raises and lowers the focus rings 34 and 36 that are dually configured on the upper side, and the focus ring driver 32 raises and lowers the heights of raising and lowering the focus rings 34 and 36. Various adjustments are possible depending on the characteristics.

그리고, 실시예는 도 4와 같이 직경이 넓은 포커스 링(34)과 그 보다 직경이좁은 포커스 링(36)을 구비하며, 포커스 링(34)과 포커스 링(36)은 일면이 접하도록 중첩되어 구성됨이 바랍직하다.In addition, the embodiment includes a wider diameter focus ring 34 and a narrower focus ring 36 as shown in FIG. 4, and the focus ring 34 and the focus ring 36 overlap each other so as to be in contact with one surface thereof. It is desirable to be constructed.

포커스 링(34, 36)은 공정 특성에 따라서 구동할 대상이 선택될 수 있으며, 넓은 포커싱 영역을 필요로 하는 경우 해당 모터(40)에 의하여 포커스 링(34)이 구동되고, 좁은 포커싱 영역을 필요로 하는 경우 해당 모터(42)에 의하여 포커스 링이 구동된다.The focus rings 34 and 36 may be selected to be driven according to process characteristics. When a large focusing area is required, the focus ring 34 is driven by the corresponding motor 40 and a narrow focusing area is required. In this case, the focus ring is driven by the motor 42.

포커스 링(34)과 모터(40)의 구성과 포커스 링(36)과 모터(42)의 구성 관계는 도 5 및 도 6의 포커스 링 구동부의 실시예와 같이 구성되어 개별적으로 상승 및 하강이 제어될 수 있다.The configuration of the focus ring 34 and the motor 40 and the configuration of the focus ring 36 and the motor 42 are configured as in the embodiment of the focus ring driver of FIGS. 5 and 6 to individually control the raising and lowering. Can be.

포커스 링 구동부(32)는 해당 포커스 링을 모터로 구동하도록 구성될 수 있으며, 더욱 상세하게 도 5와 같이 서보 모터로 구성되거나 도 6와 같이 스테핑 모터로 구성될 수 있다. 도 4의 모터(40, 42)는 도 5 및 도 6의 서보 모터 또는 스테핑 모터에 해당된다.The focus ring driver 32 may be configured to drive the corresponding focus ring by a motor, and more specifically, may be configured as a servo motor as shown in FIG. 5 or a stepping motor as shown in FIG. 6. The motors 40 and 42 of FIG. 4 correspond to the servo motor or stepping motor of FIGS. 5 and 6.

도 5를 참조하면, 서보 모터(120)를 구동하기 위하여 포커스 링 구동부(32)는 스위치(100)와 모터 제어부(102)와 서보 모터 구동부(104)를 구비한다.Referring to FIG. 5, the focus ring driver 32 includes a switch 100, a motor controller 102, and a servo motor driver 104 to drive the servo motor 120.

스위치(100)는 포커스 링의 상승과 하강을 결정하기 위한 키(또는 버턴 등)와 상승 또는 하강 정도를 조작하기 위한 키(또는 버턴 등) 등의 조절 장치가 구비되며 그에 대응되는 스위칭 신호를 출력한다.The switch 100 is provided with an adjusting device such as a key (or a button) for determining the rising and falling of the focus ring and a key (or a button, etc.) for manipulating the degree of raising or lowering and outputs a switching signal corresponding thereto. do.

스위치(100)의 스위칭 신호를 입력받아서 동작되는 모터 제어부(102)는 제어 모듈(106)과 위치 결정 모듈(108)이 연동되어 동작된다.The motor controller 102, which is operated by receiving the switching signal of the switch 100, is operated in cooperation with the control module 106 and the positioning module 108.

스위칭 신호가 제어 모듈(106)에 입력되면 제어 모듈(106)은 프로그램밍된 바에 따라서 스위칭 신호에 따른 제어신호를 위치 결정 모듈(108)로 출력하고, 위치 결정 모듈(108)은 제어 신호에 대응되는 펄스 파형 신호를 출력한다. 이때, 위치 결정 모듈(108)로부터 출력되는 펄스 파형 신호는 상승 또는 하강 정보와 위치에 대한 정보를 갖는다.When the switching signal is input to the control module 106, the control module 106 outputs a control signal according to the switching signal to the positioning module 108 according to the programming, and the positioning module 108 corresponds to the control signal. Outputs a pulse waveform signal. At this time, the pulse waveform signal output from the positioning module 108 has rising or falling information and information about the position.

그리고, 펄스 파형 신호가 입력되는 서보 모터 구동부(104)는 피드백 신호를 참조하여 현재 모터의 위치와 조정을 위하는 위치의 편차를 계산하여 그 차 만큼의 제어를 위한 결과 값을 출력하는 편차 카운터(110), 편차 카운터(110)의 디지털 출력을 아날로그로 변환시키는 디지털/아날로그 컨버터(112), 아날로그 출력 신호와 피드백 신호를 합성하는 합성부(114), 및 합성된 신호를 증폭하는 증폭부(116)를 구비한다.In addition, the servo motor driver 104 into which the pulse waveform signal is input, calculates a deviation between the current motor position and the position for adjustment by referring to the feedback signal and outputs a result value for the control by the difference. ), A digital / analog converter 112 for converting the digital output of the deviation counter 110 to analog, a synthesizer 114 for synthesizing the analog output signal and a feedback signal, and an amplifier 116 for amplifying the synthesized signal. It is provided.

서보 모터 구동부(104)의 출력 신호가 모터(120)로 인가됨에 따라서 서보 모터(120)가 구동되며, 서보 모터(120)의 구동 상태는 엔코더(122)에 의하여 검출되어서 편차 카운터(110)와 합성부(114)로 피드백된다.As the output signal of the servo motor driver 104 is applied to the motor 120, the servo motor 120 is driven, and the driving state of the servo motor 120 is detected by the encoder 122 to detect the deviation counter 110. It is fed back to the combining unit 114.

즉, 상기한 바와 같이 서보 모터(120)가 구동됨으로써 그에 따라서 포커스 링(34)이 원하는 위치로 상승 또는 하강된다.That is, as described above, the servo motor 120 is driven so that the focus ring 34 is raised or lowered to a desired position.

그 후 플라즈마 공정이 진행되고, 정해진 위치로 높이가 조절된 포커스 링(34)에 의하여 플라즈마 포커싱이 웨이퍼에 이루어져서, 웨이퍼 균일도가 확보된 상태에서 플라즈마 공정이 진행될 수 있다.Thereafter, the plasma process is performed, and the plasma focusing is performed on the wafer by the focus ring 34 whose height is adjusted to a predetermined position, so that the plasma process may be performed while the wafer uniformity is secured.

한편, 스테핑 모터(206)를 이용한 실시예인 도 6를 참조하면, 스테핑모터(206)를 구동하기 위하여 포커스 링 구동부(32)는 스위치(200)와 모터 제어부(202)와 스테핑 모터 구동부(204)를 구비한다.Meanwhile, referring to FIG. 6, an embodiment using the stepping motor 206, the focus ring driver 32 may include a switch 200, a motor controller 202, and a stepping motor driver 204 to drive the stepping motor 206. It is provided.

스위치(200)는 포커스 링의 상승과 하강을 결정하기 위한 키(또는 버턴 등)와 상승 또는 하강 정도를 조작하기 위한 키(또는 버턴 등) 등의 조절 장치가 구비되며 그에 대응되는 스위칭 신호를 출력한다.The switch 200 is provided with a control device such as a key (or button) for determining the rising and falling of the focus ring and a key (or button, etc.) for manipulating the degree of raising or lowering and outputs a switching signal corresponding thereto. do.

스위치(200)의 스위칭 신호를 입력받아서 동작되는 모터 제어부(202)는 제어 모듈(210)과 위치 결정 모듈(212)이 연동되어 동작된다.The motor control unit 202 operated by receiving the switching signal of the switch 200 is operated in conjunction with the control module 210 and the positioning module 212.

스위칭 신호가 제어 모듈(210)에 입력되면 제어 모듈(210)은 프로그램밍된 바에 따라서 스위칭 신호에 따른 제어신호를 위치 결정 모듈(212)로 출력하고, 위치 결정 모듈(212)은 제어 신호에 대응되는 펄스 파형 신호를 출력한다. 이때, 위치 결정 모듈(212)로부터 출력되는 펄스 파형 신호는 상승 또는 하강 정보와 위치에 대한 정보를 갖는다.When the switching signal is input to the control module 210, the control module 210 outputs a control signal according to the switching signal to the positioning module 212 according to the programmed, the positioning module 212 corresponding to the control signal Outputs a pulse waveform signal. In this case, the pulse waveform signal output from the positioning module 212 includes rising or falling information and information about a position.

그리고, 펄스 파형 신호가 입력되는 스테핑 모터 구동부(204)는 펄스 파형 신호로써 다상 펄스를 발생하는 다상 펄스 발생기(214)와 출력된 다상 펄스를 증폭하는 펄스 증폭기(216)를 구비한다. 여기에서 다상 펄스 발생기(214)는 일예로 스테핑 모터(206)가 삼상으로 구동되는 경우 삼상 펄스를 출력한다.The stepping motor driver 204 to which the pulse waveform signal is input includes a polyphase pulse generator 214 for generating a polyphase pulse as a pulse waveform signal and a pulse amplifier 216 for amplifying the output polyphase pulse. Here, the multiphase pulse generator 214 outputs a three phase pulse when the stepping motor 206 is driven in three phases, for example.

스테핑 모터 구동부(204)의 출력 신호가 스테핑 모터(206)로 인가됨에 따라서 스테핑 모터(206)가 구동되며, 그에 따라서 포커스 링이 원하는 위치로 상승 또는 하강된다.As the output signal of the stepping motor driver 204 is applied to the stepping motor 206, the stepping motor 206 is driven so that the focus ring is raised or lowered to a desired position.

따라서, 도 6의 실시예와 같이 정해진 위치로 높이가 조절된 포커스 링에 의하여 플라즈마 포커싱이 웨이퍼에 이루어져서, 웨이퍼 균일도가 확보된 상태에서 플라즈마 공정이 진행될 수 있다.Therefore, plasma focusing is performed on the wafer by a focus ring whose height is adjusted to a predetermined position as in the embodiment of FIG. 6, so that the plasma process may be performed in a state where wafer uniformity is secured.

상술한 바와 같은 구성에 의하여 넓은 영역의 포커싱 영역을 필요로 하는 경우 포커스 링(34)을 공정 특성에 맞는 높이로 설정하여 플라즈마 공정이 진행될 수 있고, 좁은 영역의 포커싱 영역을 필요로 하는 경우 포커스 링(36)을 공정 특성에 맞는 높이로 설정하여 플라즈마 공정이 진행될 수 있다.When the focusing area of the wide area is required by the above-described configuration, the plasma process may be performed by setting the focus ring 34 to a height suitable for the process characteristics, and the focus ring when the focusing area of the narrow area is required. Plasma processing may proceed by setting 36 to a height suitable for process characteristics.

따라서, 본 발명에 의하면 다양한 공정 조건에 부합하도록 포커스 링의 높이가 조절될 수 있고, 공정 특성에 따라서 넓은 폭의 포커싱 영역 또는 좁은 폭의 포커싱 영역이 식각 공정이 시작되기 전에 해당 포커스 링의 구동으로 설정될 수 있어서 공정 특성에서 요구되는 플라즈마 포커싱이 가능하여 플라즈마 식각에 따른 웨이퍼 균일도가 개선될 수 있다.Therefore, according to the present invention, the height of the focus ring can be adjusted to meet various process conditions, and the wide focusing area or the narrow focusing area is driven by driving the focus ring before the etching process is started according to the process characteristics. It can be set to enable the plasma focusing required in the process characteristics to improve the wafer uniformity according to the plasma etching.

Claims (5)

플라즈마 식각 챔버의 정전척에 안착되는 웨이퍼를 내부에 수용하며 직경이 다른 최소한 둘 이상이 중첩되는 포커스 링들; 및Focus rings accommodating a wafer seated on the electrostatic chuck of the plasma etching chamber and overlapping at least two different diameters; And 상기 정전척의 변부에 설치되어서 공정 특성에 따라 상기 포커스 링들 중 어느 하나를 가변 설정되는 높이로 상승 및 하강시키는 포커스 링 구동부를 구비함을 특징으로 하는 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치.And a focus ring driver installed at an edge of the electrostatic chuck to raise and lower any one of the focus rings to a height that is variably set according to process characteristics. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포커스 링 구동부는 각 포커스 링들에 개별적으로 대응되는 서보 모터로 해당 포커스 링을 구동함을 특징으로 하는 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치.And the focus ring driver drives the corresponding focus ring by a servo motor corresponding to each of the focus rings. 제 2 항에 있어서, 상기 서보 모터 별로 상기 포커스 링 구동부는,The method of claim 2, wherein the focus ring driver for each servo motor, 해당되는 상기 포커스 링을 구동하는 서보 모터;A servo motor driving the corresponding focus ring; 상기 포커스 링 위치의 가변 설정을 위한 스위칭 신호를 출력하는 스위치;A switch for outputting a switching signal for variable setting of the focus ring position; 상기 스위칭 신호로써 상기 포커스 링 위치 제어를 위한 펄스 파형 신호를 출력하는 서보 모터 제어부;A servo motor controller for outputting a pulse waveform signal for controlling the focus ring position as the switching signal; 상기 서보 모터로부터 피드백되는 신호를 참조하여 상기 펄스 파형 신호로써 상기 서보 모터의 구동 신호를 생성하여 출력하는 서보 모터 구동부; 및A servo motor driving unit generating and outputting a driving signal of the servo motor as the pulse waveform signal by referring to a signal fed back from the servo motor; And 상기 서보 모터의 구동 상태를 검출하여 피드백 신호를 상기 서보 모터 구동부로 제공하는 엔코더를 구비함을 특징으로 하는 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치.And an encoder for detecting a driving state of the servo motor and providing a feedback signal to the servo motor driving unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 포커스 링 구동부는 각 포커스 링들에 개별적으로 대응되는 스테핑 모터로 해당 포커스 링을 구동함을 특징으로 하는 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치.And the focus ring driver drives the focus ring with a stepping motor corresponding to each of the focus rings. 제 4 항에 있어서, 상기 스테핑 모터 별로 상기 포커스 링 구동부는,The method of claim 4, wherein the focus ring driver for each stepping motor, 해당되는 상기 포커스 링을 구동하는 스테핑 모터;A stepping motor for driving the corresponding focus ring; 상기 포커스 링 위치의 가변 설정을 위한 스위칭 신호를 출력하는 스위치;A switch for outputting a switching signal for variable setting of the focus ring position; 상기 스위칭 신호로써 상기 포커스 링 위치 제어를 위한 펄스 파형 신호를 출력하는 서보 모터 제어부; 및A servo motor controller for outputting a pulse waveform signal for controlling the focus ring position as the switching signal; And 상기 펄스 파형 신호로써 상기 스테핑 모터의 다상 제어를 위한 구동 신호를 생성하여 출력하는 스테핑 모터 구동부를 구비함을 특징으로 하는 플라즈마 식각 챔버용 포커스 링 구동 장치.And a stepping motor driver for generating and outputting a driving signal for the multiphase control of the stepping motor as the pulse waveform signal.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7156047B2 (en) 2004-07-13 2007-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for fabricating semiconductor device using plasma
KR20130137962A (en) * 2012-06-08 2013-12-18 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20140001540A (en) * 2012-06-27 2014-01-07 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
US20160379796A1 (en) * 2007-03-28 2016-12-29 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10957561B2 (en) 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US11424103B2 (en) 2016-08-19 2022-08-23 Lam Research Corporation Control of on-wafer cd uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7156047B2 (en) 2004-07-13 2007-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for fabricating semiconductor device using plasma
US20160379796A1 (en) * 2007-03-28 2016-12-29 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10804072B2 (en) 2007-03-28 2020-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US10847341B2 (en) * 2007-03-28 2020-11-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
KR20130137962A (en) * 2012-06-08 2013-12-18 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20140001540A (en) * 2012-06-27 2014-01-07 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
US10957561B2 (en) 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US11342163B2 (en) 2016-02-12 2022-05-24 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US11424103B2 (en) 2016-08-19 2022-08-23 Lam Research Corporation Control of on-wafer cd uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment

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