KR20040049796A - 접점 개폐기 및 접점 개폐기를 구비한 장치 - Google Patents

접점 개폐기 및 접점 개폐기를 구비한 장치 Download PDF

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KR20040049796A
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Abstract

요약
접점 부분에 있어서의 막두께 편차를, 간단한 구조 변경으로 저감할 수 있고, 접점간 갭 량의 편차를 저감하고, 접점 폐쇄시의 동작을 안정화함과 함께, 고주파 특성을 향상시켜서 신호의 전반 손실을 저감한다.
해결 수단
고정 기판(1)에, 복수의 고정 접점(4a, 5a)과 신호선(4, 5)을 배설한다. 고정 기판(1)에 대향하는 가동 기판(10)에, 고정 접점(4a, 5a)과 폐쇄, 개리를 행하는 가동 접점(18)을 마련한다. 고정 접점(4a, 5a)의 막두께를 신호선(4, 5)의 막두께보다 작게 하고, 고정 접점(4a, 5a)과 가동 접점(18)의 폐쇄시에, 고정 접점(4a, 5a)에 의해 구성된 오목부에 가동 접점(18)을 들어가게 하여, 신호선(4, 5)을 직선적으로 도통시킨다.

Description

접점 개폐기 및 접점 개폐기를 구비한 장치{CONTACT SWITCH AND APPARATUS PROVIDED WITH CONTACT SWITCH}
기술 분야
본 발명은, 접점 개폐기 및 접점 개폐기를 구비한 장치에 관한 것으로, 특히, 고주파 신호의 스위칭 소자로서 이용되는 마이크로 릴레이에 적용하는데 알맞은 것이다.
배경 기술
종래, 접점 개폐기의 한 형태인 정전(靜電) 마이크로 릴레이로서, 일본 특개2000-113792호 공보에 기재된 것이 알려져 있다. 이 종래 기술에 의한 정전 마이크로 릴레이를 도 8에 도시한다. 또한, 도 8에서, 정전 마이크로 릴레이의 사시도를 도 8의 A에 도시하고, b-b선에 따른 단면도를 도 8의 B에 도시한다.
도 8의 A에 도시한 바와 같이, 정전 마이크로 릴레이는, 주로, 유리 기판이나 절연체 기판으로 이루어지는 고정 기판(201)과, 실리콘(Si) 등의 반도체로 이루어지는 가동 기판(202)으로 구성되어 있다.
한쪽의 고정 기판(201)에는, 절연막(203)이 피복된 고정 전극(204)과, 고주파 신호의 통로가 되는 2개의 신호선(205)이 주로 마련되어 있다. 이들의신호선(205)은, 소정 간격을 띄우고 마련되어 있고, 이들의 신호선(205)의 단부에 의해, 1세트의 고정 접점(206)이 구성되어 있다.
다른쪽의 가동 기판(202)은, 고정 기판(201)에 대향하도록, 이 고정 기판(201)에 접합시키는 앵커(207)를 통하여 고정되어 있다. 또한, 가동 기판(202)상에서, 고정 전극(204)에 대향하는 위치에 가동 전극(208)이 마련되어 있음과 함께, 고정 접점(206)에 대향하는 위치에 가동 전극(208)과 전기적으로 절연된 가동 접점(209)이 마련되어 있다.
그리고, 앵커(207)와 가동 전극(208) 사이에 노치에 의해 구성된 제 1의 탄성 지지부(211)가 형성되고, 가동 전극(208)을 탄성적으로 지지하고 있음과 함께, 가동 전극(208)과 가동 접점(209) 사이에, 노치에 의해 구성된 제 2의 탄성 지지부(212)가 형성되고, 가동 접점(207)을 탄성적으로 지지하고 있다.
다음에, 이상과 같이 구성된, 이 종래 기술에 의한 정전 마이크로 릴레이의 동작에 관해 설명한다.
즉, 도 8의 B에 도시한 바와 같이, 고정 전극(204)과 가동 전극(208) 사이에 전압을 인가하지 않고, 정전 인력이 발생하지 않는 상태에서는, 제 1의 탄성 지지부(211) 및 제 2의 탄성 지지부(212)는 탄성 변형하지 않고, 앵커(207)로부터 수평으로 늘어난 상태가 유지된다.
그 후, 고정 전극(204)과 가동 전극(208) 사이에 전압을 인가함에 의해, 이들의 사이에 정전 인력을 발생시킨다. 이로써, 가동 전극(208)이 고정 전극(204)에 끌어당겨진다.
이와 같이, 가동 전극(208)에 정전 인력이 작용하면, 우선, 제 2의 탄성 지지부(212)에 비하여 탄성력이 작은 제 1의 탄성 지지부(211)가 탄성 변형하고, 가동 전극(208) 및 가동 접점(209)이, 평행 상태를 유지하면서, 각각 고정 전극(204) 및 고정 접점(206)에 접근한다. 그리고, 가동 접점(209)이 고정 접점(206)에 접촉하고, 2개의 신호선(205)이 전기적으로 접속된다.
또한, 정전 인력에 의해 가동 전극(208)이 끌어당기지고, 고정 전극(204)에 흡착된다. 이로써, 제 2의 탄성 지지부(212)에 탄성 변형이 생긴다. 그리고, 제 2의 탄성 지지부(212)의 변형에 의한 스프링 탄성에 의해, 가동 접점(209)이 고정 접점(206)에 꽉 눌린다.
이와 같이, 정전 마이크로 릴레이에서는, 폐쇄시에, 제 1의 탄성 지지부(211)가 우선 탄성 변형한 후, 제 2의 탄성 지지부(212)가 탄성 변형하는, 소위 2단계의 탄성 변형에 의해 가동 접점(209)과 고정 접점(206)의 폐쇄가 행하여진다.
이 전압 인가를 차단하면, 정전 인력이 소실한다. 이로써, 제 1의 탄성 지지부(211) 및 제 2의 탄성 지지부(212)의 복원력에 의해, 가동 기판(202)이 고정 기판(201)으로부터 이간되고 원래의 상태로 복귀한다. 또한, 이 복원력에 의해, 가동 접점(209)이 수직으로 들어 올려지고, 고정 접점(206)으로부터 개리되어 2개의 신호선(205)의 전기적 접속이 차단된다.
또한, 가동 기판(202)을 외부의 분진 등의 이물로부터 보호하기 위해, 유리로 형성된 캡(210)이, 접착층(도시 생략)을 사이에 두고 고정 기판(201)의 윗면에접착되어 있다.
그러나, 상술한 종래 기술에 의한 정전 마이크로 릴레이와 같은 접점 개폐기에서는, 다음과 같은 문제가 있다.
즉, 접점 개폐기에 있어서의 스프링 설계는, F = kx(k : 탄성 계수, x : 스트로크량)에 의해 표시된다. 그 때문에, 상술한 바와 같은 마이크로 릴레이의 경우, 필요한 스트로크량은, 가동 접점(209)과 고정 접점(206) 사이의 접점간 갭 량에 의해 규정된다.
이 접점간 갭 량은, 접점 개폐기 디바이스 제조 프로세스에 있어서, 고정 접점(206)에서의 성막의 막두께 편차, 가동 전극(208)으로부터 가동 접점(209)을 절연하기 위한 절연체나, 가동 접점(209)을 구성하기 위한 도전체에 있어서의 두께의 편차, 및 접점을 가공하는 때의 가공 정밀도에 영향을 받는다.
이 점에 관해, 본 발명자가 행한 여러가지의 실험에 의거한 식견에 의하면, 상술한 편차 중에서 정밀도 편차가 가장 커지는 것은, 가장 두꺼운 막에 의해 형성되는 고정 접점(206)의 부분(도 8 중, 파선원 내)이다.
한편, 신호선(205)은, 고주파 신호를 가능한한 저손실로 전달시키기 위해, 그 배선의 두께에 관해, 표피 효과를 고려하여, 표피 깊이 이상의 막두께를 확보할 필요가 있다.
접점간 갭 량의 편차가 생기면, 정전 마이크로 릴레이에서의 가동 접점(209)과 고정 접점(206)과의 접촉 신뢰성이 영향을 받는다.
구체적으로는, 접점간의 갭 량이 설계치보다도 큰 경우, 가동 접점(209)과 고정 접점(206)이 폐쇄하여 접촉한 시점에서의 가동 전극(208) 및 고정 전극(204) 사이의 간격(전극 갭간 거리)이 설계치보다 작아진다.
이로써, 접점 사이가 폐쇄한 상태로부터 고정 전극(204)과 가동 전극(208)이 정전 인력에 의해 접촉하는 때까지의 가동 전극(208)의 변위량이 작아지고, 접점이 폐쇄한 상태로부터 스프링 변형을 시작하는 제 2의 탄성 지지부(212)의 변형량도 작아진다. 여기서, 제 2의 탄성 지지부(212)의 변형은, 접점이 폐쇄한 상태로부터 전극이 접촉하기 까지의 사이에 생기기 때문에, 제 2의 탄성 지지부(212)에 의해 가동 접점(209)에 작용되는 힘도, 접점의 폐쇄시의 상태를 기준으로 한 변위량에 의거하여, 상술한 바와 같이 스프링 설계에 의해 표시된다.
그리고, 이 스프링 설계에 의거하면, 가동 전극(208)의 변위량이 작아지는데 기인하여, 제 2의 가동 접점(209)에 작용하는 탄성력이 작아져 버린다. 이로써, 가동 접점(209)을 고정 접점(206)에 충분히 꽉 누를 수 없어서, 접촉 신뢰성을 확보할 수 없게 된다는 문제가 생긴다.
다른 한편, 접점간 갭 량이 설계치보다도 작은 경우, 가동 접점(209)과 고정 접점(206)이 폐쇄하고 접촉한 시점에서의 가동 전극(208) 및 고정 전극(204) 사이의 전극 갭간 거리가 설계치보다도 커진다.
이로써, 가동 전극(208)에 작용하는 고정 전극(204)측을 향한 정전 인력이 작아져 버린다. 그리고, 이 정전 인력이 제 1의 탄성 지지부(211) 및 제 2의 탄성 지지부(212)에 의한 탄성력의 합보다 작아지면, 고정 전극(204)과 가동 전극(208)이 접촉하지 않는다는 현상이 생겨 버린다.
고정 전극(204)과 가동 전극(208)이 접촉하지 않는 경우, 제 2의 탄성 지지부(212)의 탄성 변형량이 작아지기 때문에, 상술한 스프링 설계에 의거하면, 제 2의 탄성 지지부(212)에 의해 가동 접점(209)을 고정 접점(206)에 충분히 꽉 누를 수 없게 되고, 이 경우도, 접점간의 접촉 신뢰성을 확보할 수 없게 된다는 문제가 생긴다.
본 발명은, 종래 기술이 갖는 상술한 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 접점 부분에서의 막두께 편차를, 간단한 구조 변경으로 저감함에 의해, 접점간 갭 량의 편차를 저감하고, 접점 폐쇄시의 접점간의 접촉 신뢰성을 확보하고, 동작의 안정화를 도모할 수 있는 접점 개폐기 및 접점 개폐기를 구비한 장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 고주파 특성을 향상시킬 수 있고, 고주파 신호의 전반에 있어서의 손실을 저감 가능한 접점 개폐기를 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 접점 개폐기로서의 마이크로 릴레이를 도시한 분해 사시도.
도 2는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 접점 개폐기로서의 마이크로 릴레이의 폐쇄시를 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 접점 개폐기로서의 마이크로 릴레이의 동작을 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 접점 개폐기로서의 마이크로 릴레이의 제조 프로세스를 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 제 2의 실시 형태에 의한 접점 개폐기로서의 마이크로 릴레이의 폐쇄시에 있어서의 접점부 및 고주파 신호의 전반 상태를 도시한 단면도 및 평면도.
도 6은 본 발명의 제 3의 실시 형태에 의한, 본 발명의 접점 개폐기를 구비한 장치의 한 예로서의 무선 통신 장치를 도시한 블록도.
도 7은 본 발명의 제 3의 실시 형태에 의한, 본 발명의 접점 개폐기를 구비한 장치의 한 예로서의 계측 장치를 도시한 블록도.
도 8은 종래 기술에 의한 접점 개폐기로서의 마이크로 릴레이의 구조를 도시한 사시도 및 그 동작을 도시한 단면도.
도 9는 종래 기술에 의한 접점 개폐기에 있어서의 고주파 신호의 전반에 관한 문제점을 설명하기 위한 단면도.
♠도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명♠
1 : 고정 기판2 : 유리 기판
3 : 고정 전극3b1, 3b2, 3b3, 3b4, 6b : 접속 패드
4, 5 : 신호선4a, 5a : 고정 접점
6a : 배선부7, 17 : 절연막
10 : 가동 기판11a, 11b : 앵커
12 : 제 1의 탄성 지지부12a : 슬릿
13 : 가동 전극14 : 제 2의 탄성 지지부
15 : 가동 접점부16 : 노치부
18 : 가동 접점18a : 오목부
20 : 캡21 : SOI 기판
21a, 21c : Si층21b : 산화 실리콘(SiO2)층
21d : 볼록부22 : 에칭 마스크
40 : 무선 통신기41 : 내부 처리 회로
42 : 송수신 안테나50 : 계측기
51 : 내부 처리 회로52 : 측정 대상물
100 : 마이크로 릴레이
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 접점 개폐기는,
기판상에 배설된 제 1의 접점과,
제 1의 접점과 폐쇄 및 개방을 행하는 제 2의 접점과,
제 1의 접점과 제 2의 접점과의 폐쇄에 의해 도통하는, 기판상에 배설되고 서로 절연된 신호선을 가지며,
제 1의 접점의 막두께가, 신호선의 막두께보다 작은 것을 특징으로 한다.
이 구성에 의하면, 접촉력에 영향을 미치는 일 없이 배선 막두께를 소망하는 막두께로 설정할 수 있기 때문에, 신호선보다 막두께가 작은 접점 부분의 막두께 편차를 최소한으로 할 수 있고, 접점간 갭의 편차를 저감하고, 접점 폐쇄시의 접점간의 접촉 신뢰성을 확보하고, 동작의 안정화를 도모할 수 있다. 또한, 신호선의 막두께에 있어도, 전류를 흘리기 위해 필요한 표피 깊이를 확보할 수 있기 때문에, 고주파 특성을 향상시키고, 고주파 신호의 전반에 있어서의 손실의 저감을 도모할 수 있다.
본 발명의 한 실시 상태에서는, 제 1의 접점이 제 1의 도전층에서 구성되고, 신호선은, 제 1의 도전층과, 제 1의 도전층에 도통 가능한 제 2의 도전층이 순차적으로 적층되어 구성되어 있다. 또한, 제 1의 도전층과 제 2의 도전층을 다른 재료로 구성하여도 좋다.
이와 같은 구성에 의하면, 제 1의 접점을, 기판상에 형성되는 다른 전극과 동일한 박막 형성 공정에서 형성하는 것이 가능해지기 때문에, 제조 공정을 증가하는 일 없이, 제 1의 접점을 신호선보다 두께를 얇게 형성하는 것이 가능해짐과 함께, 그 막두께의 편차를 최소한으로 할 수 있다. 그리고, 이 기판상에 형성되는 다른 전극을, 접점의 개폐에서의 인력을 발생시키기 위한 전극으로서 이용하는 것이 가능하다.
또한, 제 1의 접점을 구성하는 도전 재료에, 절연체와의 밀착성을 확보 가능한 재료를 이용하고, 그 상층에 신호선을 주로 구성하는 도전 재료로서, 보통의 배선 재료를 이용할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 형태에서는, 제 1의 접점의 막두께와, 제 2의 접점의 막두께의 합이, 신호선을 통과하는 전기 신호의 주파수에 의존하는 표피 깊이 이상으로 되도록 막두께를 정하고 있다. 또한, 제 1의 접점의 막두께가, 신호선을 통과하는 전기 신호의 주파수에 의존하는 표피 깊이 미만으로 되도록 정하여도 좋다.
이와 같은 구성에 의하면, 막두께의 편차를 최소한으로 설정 가능하게 함과 함께, 고주파 신호를 저손실로 전반시킬 수 있게 된다.
본 발명의 또다른 실시형태에서는, 기판상에 제 1의 접점이 복수 형성되고, 복수의 제 1의 접점 사이에, 제 2의 접점과 절연된 전극이 배설되어 있고, 제 1의 접점과 제 2의 접점의 폐쇄시에, 제 2의 접점과 전극과의 절연 상태를 유지하도록 제 2의 접점의 형상을 정하고 있다.
이와 같은 구성에 의하면, 기판상의 복수의 제 1의 접점 사이에, 제 2의 접점과 절연된 전극이 배설되어 있어도, 제 1의 접점과 제 2의 접점과 폐쇄 동작시에, 소망하는 설계치의 접촉력을 발휘하고, 또한 고주파 신호를 저손실로 전반시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 형태에서는, 제 1의 접점과 제 2의 접점의 폐쇄시에, 제 2의 접점을 구성하는 도전막의 윗면과, 신호선의 윗면이 거의 동일한 높이가 되도록 구성되어 있다.
이와 같은 구성에 의하면, 고주파 신호가 전반(傳搬)하는 때의 임피던스의 미스매칭을 방지할 수 있고, 고주파 신호의 손실을 최소한으로 억제할 수 있다.
본 발명의 접점 개폐기를 이용한 장치는,
기판상에 배설된 제 1의 접점과, 제 1의 접점과 폐쇄 및 개방을 행하는 제 2의 접점과, 제 1의 접점과 제 2의 접점이 폐쇄함에 의해 도통하는, 기판상에 배설되고 서로 절연된 신호선을 가지며, 제 1의 접점의 막두께가, 신호선의 막두께보다 작게 구성된 접점 개폐기에 의해, 신호의 개폐를 행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이 접점 개폐기를 이용한 장치는, 무선 통신기나 계측기 등의 고주파 신호의 개폐를 행하는 장치를 포함하는 것이다.
이 구성에 의하면, 고주파 신호의 전반 손실을 저감할 수 있기 때문에, 응답성이 우수하고, 또한 고주파 신호를 장기간에 걸쳐서 신뢰성을 유지하면서 안정되게 개폐하는 장치를 제공할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 실시 형태에 관해 도면을 참조하면서 설명하다. 또한, 이하의 실시 형태의 전체 도면에서는, 동일 또는 대응하는 부분에는 동일한 부호를 붙인다.
우선, 본 발명의 제 1의 실시 형태에 의한 접점 개폐기에 관해 설명한다. 도 1에, 이 제 1의 실시 형태에 의한 접점 개폐기로서의 마이크로 릴레이를 도시한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 이 제 1의 실시 형태에 의한 정전 마이크로 릴레이는, 고정 기판(1)의 한 면에, 소정의 간격을 유지하고, 가동 기판(10)을 일체화한 구성을 가지며, 또한, 이 가동 기판(10)을 덮도록 하여, 캡(20)이 마련되어 있다.
고정 기판(1)은, 유리 기판(2)의 윗면에, 적어도 고정 전극(3)과 2개의 신호선(4, 5)이 마련되어 구성되어 있다.
신호선(4, 5)은, 동일 직선상(도 1 중, 2점 쇄선)에 배치되어 있다. 그리고, 고정 전극(3)은, 신호선(4, 5)의 주변 영역에, 이것을 둘러싸도록 하여 소정의 거리를 띄우고 마련되어 있고, 그 표면이 절연막(7)에 의해 피복되어 있다. 고정 전극(3)은, 신호선(4, 5)을 전송하는 고주파 신호의 GND 전극(접지 전극)과 겸용됨에 의해, 코플레이너 구조를 구성하고 있다.
즉, 이들의 신호선(4, 5)에 고주파 신호를 흘린 때에 발생하는 전기력선은, 후술하는 고정 접점(4a, 5a) 사이의 GND 전극에서 종단된다. 그 때문에, 절연 특성(isolation characteristic)을 향상시킬 수 있다. 또한, 절연 특성이란, 접점 개방시, 신호선간에 있어서의 고주파 신호의 누설이 어느 정도 존재하는지를 나타내는 것이다. 또한, 절연 특성의 향상이란, 고주파 신호의 누출의 저감을 의미한다.
또한, 각각의 신호선(4, 5)의 외측을 향한 일단부가, 접속 패드(3b1, 3b2, 3b3, 3b4)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 이들의 신호선(4, 5)에 있어서의 고정 기판(1)의 중심 부근(도 1 중, 점선원 내부)의 일단부가, 소정 간격을 띄우고 고정 접점(4a, 5a)을 구성하고 있다. 이들의 고정 접점(4a, 5a)은, 신호선(4, 5)의 막두께보다 작은 막두께로 구성되어 있다. 구체적으로는, 이들의 신호선(4, 5) 및 고정 접점(4a, 5a)은, 고정 기판(1)의 중심부에서, 오목부로 되는 단차 형상을 갖고 구성되어 있다.
이와 같이, 고정 접점(4a, 5a)의 막두께를 작게 함에 의해, 고정 접점(4a, 5a)의 막두께 편차를 저감할 수 있다. 일반적으로 오차량은, 가공량(기준 치수)에 대한 비율로 결정되기 때문에, 막두께가 작고 기준 치수가 작아지면, 그 오차량의 절대치를 작게 할 수 있고, 막두께 편차를 저감할 수 있다.
그리고, 신호선(4, 5)에 있어서의 고정 접점(4a, 5a)의 부분을 단차 형상으로 하기 때문에, 이 제 1의 실시 형태에 의한 고정 접점(4a, 5a)은, 고정 전극(3)과 동일한 제조 프로세스에서 성막된 제 1의 도전층이, 신호선(4, 5)으로부터 고정 접점(4a, 5a)의 부분만큼 삐져나온 형상으로 패터닝되어 있다.
신호선(4, 5)은, 제 1의 도전층의 상층에 제 2의 도전층을 적층 배치하여 구성된다. 제 2의 도전층은, 예를 들면 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au) 또는 알루미늄(Al) 등으로 이루어지고, 이 제 2의 도전층이 제 1의 도전층과 도통 가능하게 마련되고, 신호선(4, 5)의 일단부의 고정 접점(4a, 5a)의 부분에서만 제 1의 도전층이 노출되어 있다. 이들의 노출 부분은, 후술하는 가동 기판(10)의 가동 접점(18)과 폐쇄 가능한 형상으로 되어 있다.
보다 구체적으로, 이 제 1의 실시 형태에서는, 이들의 고정 접점(4a, 5a)은, 고정 전극(3)과 같은 도전성 박막으로 구성되어 있고, 그 상층에 제 2의 도전층이 형성된 신호선(4, 5)은, 신호선(4, 5)을 주로 구성하는 도전 재료(제 2의 도전층의 재료)의 도전률(σ)(s/m)과, 신호선(4, 5)을 통과하는 전기 신호의 주파수(ν)(GHz)로부터 아래의 수학식 1에 의해 결정되는 표피 깊이(δ)(㎛) 이상이 되도록, 성막되어 있다.
또한, 이 제 1의 실시 형태에서의 신호선(4, 5)에 사용되는 대표적인 배선 재료에 관해, 소정의 주파수 신호를 전반시키기 위해 필요한 표피 깊이를 표 1에 나타낸다. 표 1은, 표피 깊이가, 신호선의 재질이나 신호선을 통과하는 전기 신호의 주파수에 의존하는 것을 나타내고 있다.
주파수(㎓) 0.1 0.3 0.5 1 3 5 10
표피 깊이(㎛) 은 6.44 3.72 2.88 2.04 1.18 0.91 0.64
동 6.61 3.82 2.96 2.09 1.21 0.93 0.66
금 7.86 4.54 3.52 2.49 1.44 1.11 0.79
알루미늄 7.96 4.59 3.56 2.52 1.45 1.13 0.80
이 제 1의 실시 형태에서는, 신호선(4, 5)을 주로 구성하는 배선 재료와, 이 접점 개폐기가 구비되는 장치에 이용되는 신호의 주파수에 응하여 정해지는 표피 깊이 이상의 막두께로 되도록, 신호선(4, 5)의 막두께를 정함에 의해, 고주파 신호를 저손실로 전반시킬 수 있다. 또한, 고정 접점(4a, 5a)의 막두께는, 표피 깊이 미만이라도, 후술하는 가동 접점(18)과 폐쇄한 때에 고정 접점(4a, 5a)과 가동 접점(18)의 막두께의 합이 표피 깊이 이상이라면, 저손실로 고주파 신호를 전반시키는 것이 가능해진다.
이와 같이, 신호선(4, 5)의 고정 접점(4a, 5a)의 부분을 단차 형상으로 함으로써, 고정 접점(4a, 5a)의 막두께를, 표피 깊이의 제한을 받는 일 없이 작게 설정할 수 있기 때문에, 종래에 비해 편차 량의 저감을 도모할 수 있다.
또한, 그 밖의 신호선(4, 5)이나 배선부(6a), 접속 패드(3b1내지 3b4, 6b)에 있어서의, 막두께 확보를 위한 다층막 구성에 있어서는, 접점간 갭 량에 대한 영향이 없어짐에 의해, 막두께 편차에 대해 자유도가 증가한다. 그 때문에, 이들의 도전층의 형성에 있어서는, 일반적인 성막 방법을 채용하는 것이 가능함과 함께, 표피 효과를 고려한 충분한 막두께를 확보하는 것이 가능해진다.
또한, 표 1에 예시한 바와 같은 도전 재료는, 유리 기판(2) 등의 절연 재료와 밀착성이 낮은 경우가 많다. 그 때문에, 이 제 1의 실시 형태와 같이 유리 기판(2) 등의 절연 재료로 이루어지는 기판을 이용하는 경우에는, 크롬(Cr), 티탄(Ti), 또는 도전성 화합물 등의 도전 재료로 구성되는 밀착층을 제 1의 도전층으로 하고, 이 밀착층상에, 제 2의 도전층을 구성하는 도전 재료를 배치하는 것이 바람직하다.
또한, 이 밀착층과 제 2의 도전층을 각각 구성하는 도전 재료 사이의 상호 확산을 방지하기 위해, 니켈(Ni)이나 루테늄(Ru), 텅스텐(W), 탄탈(Ta) 등으로 이루어지는 확산 방지층을, 제 2의 도전층과 밀착층 사이에 마련한 구조를 채용하는 것도 가능하다.
그리고, 이와 같은 밀착층이나, 밀착층 및 확산 방지층으로 이루어지는 적층막을 제 1의 도전층으로 하고, 이들을 고정 전극(3) 및 고정 접점(4a, 5a)에 이용함에 의해, 고정 전극(3) 및 고정 접점(4a, 5a)을 동일한 제조 공정에서 성막하는 것이 가능해진다. 그 때문에, 신호선(4, 5)을 형성 후, 또한 단차 형상을 형성하는 공정을 새롭게 추가하는 일 없이, 배선 등의 패터닝의 마스크 형상을 변경하는 정도로, 고정 접점(4a, 5a)을 형성하는 것이 가능해진다.
다른 한편, 가동 기판(10)은, 실리콘(Si) 기판이 가공되고, 앵커(11a, 11b), 제 1의 탄성 지지부(12), 가동 전극(13), 제 2의 탄성 지지부(14), 가동 접점부(15)가 형성되어 구성되어 있다.
즉, 이 가동 기판(10)에서는, 고정 기판(1)의 윗면 연부(緣部)에 접합되는 앵커(11a, 11b)로부터 측방으로 늘어나는 2개의 제 1의 들보(梁)부로서의 제 1의 탄성 지지부(12)에, 가동 전극(13)이 지지되어 있다.
앵커(11a, 11b)는, 서로 가동 접점부(15)에 대해 거의 점 대칭으로 이루어지는 위치에 마련되어 있고, 고정 기판(1)의 윗면에서의 2개소의 위치에, 각각 직립설치 가능하게 구성되어 있다. 또한, 한쪽의 앵커(11b)는, 고정 기판(1)의 윗면에 마련된 배선부(6a)를 통하여, 접속 패드(6b)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 제 1의 탄성 지지부(12)는, 앵커(11a, 11b)의 상단부가 연장된 형상으로 형성된 슬릿(12a)에 의해 구성되어 있다. 또한, 이 제 1의 탄성 지지부(12)는, 앵커(11a, 11b)에 비해 두께가 작고, 고정 기판(1)과의 사이에서, 소정의 간격으로 떨어져 있다.
또한, 가동 전극(13)은, 앵커(11a, 11b)에 대해 제 1의 탄성 지지부(12)의 반대측의 단부에 의해 지지되어 있고, 고정 전극(3)에 대해, 소정의 간격을 가지면서 대향하도록 배치되어 있다.
이로써, 고정 전극(3)과 가동 전극(13) 사이에 전압을 인가함에 의해 발생한 정전 인력에 의해, 가동 전극(13)이 고정 전극(3)측으로 끌어당겨지도록 구성되어 있다.
또한, 가동 전극(13)에는, 그 중앙부에, 한 쌍의 연결부로 이루어지는 제 2의 들보부로서의 제 2의 탄성 지지부(14)가 형성되어 있다. 그리고, 가동 기판(10)은, 탄성 지지된 가동 전극(13)의 중앙부에, 제 2의 탄성 지지부(14)를 통하여 가동 접점부(15)가 탄성 지지되어 구성되어 있다.
이들의 제 2의 탄성 지지부(14) 및 가동 접점부(15)는, 가동 기판(10)의 양단 연부 중앙으로부터 중앙부를 향하여 마련한 노치부(16)에 의해 노치된 분만큼의 잔부로 구성된다. 제 2의 탄성 지지부(14)는, 가동 전극(13)과 가동 접점부(15)를 연결하는 폭이 좁은 들보이고, 접점 폐쇄시에 있어서, 제 1의 탄성 지지부(12)보다도 큰 탄성력을 확보 가능하게 구성되어 있다. 또한, 가동 접점부(15)는, 고정 접점(4a, 5a)의 막두께 감소분만큼 제 2의 탄성 지지부(14)보다 두꺼워지도록 앵커(11a, 11b)측으로 돌출하고 있다.
또한, 가동 접점부(15)의 고정 기판(1)측의 면의 중앙에는, 절연막(17)을 통하여 가동 접점(18)이 마련되어 있다. 이 가동 접점(18)은, 고정 접점(4a, 5a)에 대향하고, 접리(接離) 가능하게 마련되어 있다. 그리고, 이 가동 접점(18)이, 분리한 각각의 고정 접점(4a, 5a)과 폐쇄되어, 신호선(4, 5)을, 서로 전기적으로 접속하도록 구성되어 있다.
또한, 도 2에 도시한 바와 같이, 가동 접점(18)의 고정 기판(1)측에 있어서의, 고정 전극(3)에 대향하는 부분(고정 전극(3)에 접촉할 가능성이 있는 부분)에는, 절연막(7)의 높이에 소정의 클리어런스(clearance) 만큼을 더한 구덩이로 이루어지는 오목부(18a)가 마련되어 있다. 즉, 더블 브레이크의 가동 접점(18)이 적어도 2단계의 높이로 구성되고, 가동 접점(18)과 고정 접점(4a, 5a)의 폐쇄시에, 오목부(18a)가 신호선(4, 5)의 사이의 공간 위치에 배치되도록 구성되어 있다.
이로써, 가동 접점(18)과 고정 접점(4a, 5a)의 개폐 동작에 있어서, 가동 접점(18)이 고정 전극(3)에 접촉하는 것을 방지할 수 있고, 고주파 신호에 있어서의 잡음의 증가 등의 영향을 회피할 수 있다.
또한, 가동 전극(13)에서는, 적어도 신호선(4, 5)에 대향하는 부분이 노치부(16)에 의해 제거되어 있다. 따라서 가동 전극(13)과 신호선(4, 5) 사이에 용량 결합을 저감할 수 있기 때문에, 절연 특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 이들의 고정 기판(1)상에 가동 기판(10)이 고정된 상태에서, 캡(20)에 의해 가동 기판(10)이 밀봉되어, 이 제 1의 실시 형태에 의한 마이크로 릴레이가 구성되어 있다.
다음에, 위에서 설명한 바와 같이 구성된 마이크로 릴레이의 동작에 관해 설명한다. 도 3에, 이 제 1의 실시 형태에 의한 마이크로 릴레이의 동작 상태를 도시한다.
우선, 도 3의 A에 도시한 바와 같이, 고정 전극(3)과 가동 전극(13) 사이에 전압을 인가하지 않고, 정전 인력이 발생하지 않는 상태에서는, 제 1의 탄성 지지부(12)는, 탄성 변형하는 일 없이, 앵커(11a, 11b)로부터 수평으로 늘어난 상태를 유지한다. 이로써, 가동 기판(10)은, 고정 기판(1)과 소정 간격을 유지하고 대향한다. 이 때, 가동 접점(18)은, 고정 접점(4a, 5a)으로부터 떨어져 있다.
각각의 고정 전극(3) 및 가동 전극(13) 사이에 전압을 인가함에 의해, 정전 인력을 발생시키면, 도 3의 B에 도시한 바와 같이, 우선, 제 2의 탄성 지지부(14)에 비하여 탄성력이 작은 제 1의 탄성 지지부(12)가 탄성 변형하고, 가동 전극(13)이 고정 전극(3)에 접근한다. 이 때, 가동 접점(18)은, 그 주위의 가동 전극(13)이 고정 전극(3)에 끌어당기짐에 의해, 고정 접점(4a, 5a)에 접촉된다.
계속해서, 도 3의 C에 도시한 바와 같이, 가동 전극(13)이, 고정 전극(3)을 피복한 절연막(7)에 흡착한다. 이로써, 제 2의 탄성 지지부(14)가 탄성 변형이 생기고, 이 제 2의 탄성 지지부(14)에 의한 스프링 탄성에 의해, 가동 접점(18)이 고정 접점(4a, 5a)에 가압된다.
고정 전극(3)과 가동 전극(13) 사이의 인가 전압을 차단하면, 접점을 분리시키는 힘으로서, 제 1의 탄성 지지부(12) 및 제 2의 탄성 지지부(14)의 탄성 복원력이 생긴다. 그리고, 고정 전극(3)과 가동 전극(13)이 분리되는 경우는, 도 3의 C에 도시한 상태로부터, 도 3의 B에 도시한 상태를 경유하여, 도 3의 A에 도시한 상태로 되고, 서로 소정 간격을 띄우는 위치까지 복귀한다.
이상과 같이 동작하는 마이크로 릴레이에서는, 도 3의 A에 도시한 상태인 때에 신호가 차단된 상태로 되고, 도 3의 B 및 도 3의 C에 도시한 상태인 때에 신호가 전반(傳搬)되는 상태로 되고, 이로써, 신호의 전반과 차단이 실행된다.
다음에, 이상과 같이 구성된 이 제 1의 실시 형태에 의한 마이크로 릴레이의 제조 방법에 관해, 도면을 참조하면서 설명한다. 도 4에, 이 제 1의 실시 형태에 의한 마이크로 릴레이의 제조 프로세스를 도시한다.
즉, 우선 한쪽의 고정 기판(1)에 있어서, 도 4의 A에 도시한 유리 기판(2)에, 도 4의 B에 도시한 바와 같이, 밀착층이나 확산 방지층으로 이루어지는 도전층을 형성한 후, 패턴 형성을 행함에 의해, 고정 전극(3) 및 고정 접점(4a, 5a)을 포함하는 신호선(4, 5)의 하층 도전층(제 1의 도전층)을 형성한다. 계속해서, 도 4중 도시 생략한, 프린트 배선, 접속 패드 및, 신호선 상층(제 2의 도전층)을 각각 형성한다.
그 후, 고정 전극(3)상에, 절연막(7)을 형성한다. 이상에 의해, 도 4의 C에 도시한 고정 기판(1)이 형성된다. 여기서, 이 절연막(7)으로서는, 예를 들면, 비유전율이 3 내지 4의 실리콘 산화(SiO2)막이나, 비유전율이 7 내지 8의 실리콘 질화(SiON, Si3N4)막 등이 이용된다. 이들의 절연 재료를 이용함에 의해, 접점 및 전극에서의 개폐에 있어서, 큰 정전 인력을 얻을 수 있고, 접촉력을 증가시키는 것이 가능해진다.
다른 한편, 가동 기판(10)에서는, 도 4의 D에 도시한 바와 같이, 윗면측으로부터, 실리콘(Si)층(21a), 산화실리콘(SiO2)층(21b), 및 Si층(21c)이 순차적으로 적층된 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼의 한 면에 대해, 소정의 패턴 형상의 SiO2층으로 이루어지는 에칭 마스크(22)를 형성한다. 또한, 에칭 마스크로서는, 보통의레지스트 패턴 등을 이용하여도 좋다.
그 후, 이 에칭 마스크(22)를 마스크로 하여 Si층(21c)의 에칭을 행한다. 이로써, 도 4의 E에 도시한 바와 같이, 아래쪽측으로 돌출하는 앵커(11a, 11b)가 형성된다. 또한, 이것과 함께, Si층(21c)의 가동 접점부(15)가 되는 부분의 에칭 량을 줄임에 의해, 볼록부(21d)를 형성한다.
그 후, 도 4의 F에 도시한 바와 같이, SOI 기판(21)의 한 면의 접점간의 소정 간격을 띄운 볼록부(21d)의 영역에, 선택적으로 절연막(17)이 형성된다. 계속해서, 이 절연막(17)상의 부분에 가동 접점(18)이 형성된다. 여기서, 이 가동 접점(18)에 있어서는, 볼록부(21d)가 형성되어 있음에 의해, 종래와 가동 접점의 막두께를 동등하게 유지하면서, 접점간의 갭 량을 같은 크기로 하고 있다.
다음에, 도 4의 G에 도시한 바와 같이, 양극 접합법에 의해, 한쪽의 베이스가 되는 가동 기판(10)과 다른쪽의 고정 기판(1)을, 가동 접점(18)과 고정 접점(4a, 5a)의 위치 맞춤을 행하면서, 접합시켜서 일체화한다.
그 후, 도 4의 H에 도시한 바와 같이, SOI 기판(21)의 윗면을, 예를 들면, 수산화칼륨 등의 알칼리 에칭액을 이용한 웨트 에칭법에 의해, SiO2층(21b)을 에칭 스톱층으로 하여, 에칭을 행함에 의해 박막화한다.
다음에, 불소계 에칭액을 이용하여, SiO2층(21b)을 제거함에 의해, 도 3의 I에 도시한 바와 같이, Si층(21c)으로 이루어지는, 가동 전극(13)이 형성된 가동 기판(10)을 노출시킨다.
그 후, 예를 들면 반응성 이온 에칭(RIE)법 등의 드라이 에칭법에 의해, 다이컷 에칭(die-cut etching)을 행한다. 이로써, 노치부 및 연결부가 형성되고, 제 1의 탄성 지지부(12) 및 제 2의 탄성 지지부(14)가 잘려나와지고, 가동 기판(10)이 완성된다.
최후로, 레이저나 커터를 이용한 다이싱이 행하여지고, 개개의 마이크로 릴레이로 재단되고, 이 제 1의 실시 형태에 의한 마이크로 릴레이가 제조된다.
이상 설명한 바와 같이, 제 1의 실시 형태에 의하면, 신호선(4, 5)의 고정 접점(4a, 5a)의 부분을 단차 형상으로 하여 막두께를 얇게 하고 있음으로써, 종래에 비하여 접점간 갭의 편차의 저감을 도모할 수 있다. 또한, 그 밖의 신호선(4, 5)이나 배선부(6a), 접속 패드(3b1내지 3b4) 등의 신호 전달부에서는, 그 막두께를 접점간 갭 량에 관계없이 정할 수 있기 때문에, 막두께 편차에 대해 자유도가 늘고, 표피 효과를 고려한 충분한 막두께를 확보하는 것이 가능해진다.
다음에, 본 발명의 제 2의 실시 형태에 관해 설명한다. 도 5에, 이 제 2의 실시 형태에 의한 마이크로 릴레이의 폐쇄시의 단면도 및 상면도를 도시한다.
도 5의 A에 도시한 바와 같이, 이 제 2의 실시 형태에 의한 마이크로 릴레이에서는, 가동 접점(18)과 고정 접점(4a, 5a)의 폐쇄시에 있어서, 가동 접점(18)의 윗면의 높이와 신호선(4, 5)의 윗면의 높이가, 거의 동일한 높이가 되도록 구성되어 있다.
또한, 이 제 2의 실시 형태에서는, 도 5의 A의 신호선(4, 5) 및 가동접점(18)의 상면도인 도 5의 B에 도시한 바와 같이, 가동 접점(18)의 신호선(4, 5)의 긴변 방향에 수직한 방향의 폭(이하, 폭)과 신호선(4, 5)의 폭이, 거의 동일한 폭이 되도록 구성되어 있다. 이로써, 종래 기술에 비하여 대폭적으로 미스매칭을 억제할 수 있다.
이 제 2의 실시 형태에 의한 마이크로 릴레이의 그 밖의 구성에 관해서는, 제 1의 실시 형태에서와 마찬가지이기 때문에, 설명을 생략한다.
이상 설명한 바와 같이, 이 제 2의 실시 형태에 의하면, 제 1의 실시 형태와 같은 효과를 얻을 수 있음과 함께, 종래 기술에 의한 접점 개폐기를 고주파 신호의 개폐에 이용하는 경우에는, 도 9에 도시한 바와 같이, 접점 부분에서, 고주파 신호의 전반이 굴곡되어, 임피던스의 미스 매칭이 발생하고, 고주파 신호의 손실이 생겨 버림에 대해, 이 제 2의 실시 형태에 의한 접점 개폐기에 의하면, 고정 접점(4a, 5a)과 가동 접점(18)의 폐쇄시에 있어서의 고주파 신호의 손실을, 보다 높은 주파수의 신호에서도 저감할 수 있기 때문에, 접점 부분에서의 임피던스의 미스 매칭을 보다 한층 개선시키는 것이 가능해지고, 고주파 신호의 손실을 보다 저감할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 3의 실시 형태에 있어서, 본 발명에 의한 마이크로 릴레이를 구비한 장치에 관해 설명한다. 이 제 3의 실시 형태에 의한 마이크로 릴레이 탑재 장치의 예로서, 도 6에 무선 통신기를 도시하고, 도 7에 계측기를 도시한다.
즉, 본 발명에 의한 마이크로 릴레이는, 그 구조 특성에 의해, 특히 고주파신호에 관해, 저손실이며 양호하게 전달하는 특성을 얻을 수 있다.
그래서, 이들의 특성을 활용하여, 예를 들면, 도 6에 도시한 바와 같이, 무선 통신기(40)에 있어서, 본 발명에 의한 마이크로 릴레이(100)가 내부 처리 회로(41)와 송수신 안테나(42) 사이에 접속하여 마련된다. 그리고, 본 발명에 의한 마이크로 릴레이(100)를, 송수신 안테나(42)로부터 고주파 신호를 수취하여 내부 처리 회로(41)에 공급하거나, 내부 처리 회로(41)로부터 송수신 안테나(42)로 신호를 공급하거나 하는 부분에 이용하여, 안테나 스위치로서 이용하는 것이 가능하다.
이와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 릴레이(100)를 안테나 스위치로서 채용함에 의해, 종래의 소자에 비하여, 특히 고주파 신호의 손실을 저감 가능해지기 때문에, 내부 회로에 이용되는 증폭기 등의 부담을 저감할 수 있음과 함께, 저손실이면서 소형, 저소비 전력에 의한 고효율화를 실현 가능해진다.
또한, 도 7에 도시한 바와 같이, 계측기(50)에서는, 마이크로 릴레이(100)를, 내부 처리 회로(51)로부터 측정 대상물(52)에 이르는, 각각의 신호선의 도중에 접속한다. 이와 같이, 본 발명에 의한 마이크로 릴레이(100)를, 계측기(50)의 측정 대상물(52)과 내부 처리 회로(51) 사이의 신호의 출력·공급용 릴레이로서 이용함에 의해, 저손실의 전달 특성에 의해 종래 기술에 의한 스위칭 소자에 비하여, 정밀도 좋게 신호의 전달을 실행하는 것이 가능해진다.
또한, 상술한 무선 통신기(40)나 계측기(50)에서는, 복수개의 전달 소자가 사용되는 일이 많다. 그 때문에, 저소비 전력인 것에 의해, 스페이스 효율이나 에너지 소비 효율의 관점에서도 큰 이점을 얻는 것이 가능해진다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 관해 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은, 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상에 의거한 각종의 변형이 가능하다.
예를 들면 상술한 제 1의 실시 형태에서는, 고정 전극(3) 및 고정 접점(4a, 5a)을 구성하는 제 1의 도전층을 단일 재료로 이루어지는 단층의 도전층에서 형성하여도 좋고, 고정 전극(3) 및 고정 접점(4a, 5a)을 구성하는 도전층을, 다른 도전층을 적층시킨 다층막 구성으로 하는 것도 가능하다.
또한, 상술한 제 1의 실시 형태에서는, 신호선(4, 5)을 주로 형성하는 제 2의 도전층으로서 Au, Ag, Cu 및 Al 등의 재료를 예시하였지만, 이 신호선(4, 5)을, 반드시 단일의 재료로 구성하는 경우로 한정하는 것이 아니고, 복수 종류의 재료를 적층시킨 다층막 구성으로 하는 것이 가능하고, 또한, 이용되는 배선 재료에 대해서도, 상술한 금속 재료로 한정되는 것도 아니다.
또한, 예를 들면 상술한 제 1의 실시 형태에서는, Si 기판을 가공함에 의해, 가동 기판(10)을 구성하고 있고, 이로써, 가동 기판(10) 그 자체가 도전체로 이루어지고 가동 전극을 겸한 구성으로 하고 있지만, 가동 전극(13)을, 베이스가 되는 기판에 도전체를 마련하여 구성하는 것도 가능하다.
또한, 예를 들면 상술한 제 1 내지 제 3의 실시 형태에서는, 본 발명을, 정전 마이크로 릴레이(정전 액추에이터)에 적용하는 예에 관해 설명하였지만, 반드시 정전 액추에이터로 한정하는 것이 아니고, 본 발명을, 압전 액추에이터나, 열 액추에이터에 적용하는 것도 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 접점 개폐기에 의하면, 접점의 부분에서의 막두께 편차를, 간단한 구조 변경으로 저감할 수 있고, 그 결과, 접점간의 갭 량의 편차를 저감하고, 접점 폐쇄시의 접점간의 접촉 신뢰성을 확보하고, 동작의 안정화를 도모할 수 있음과 함께, 고주파 특성을 향상시키고, 고주파 신호의 전반에 있어서의 손실의 저감을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명의 접점 개폐기를 구비한 장치에 의하면, 본 발명에 의한 접점 개폐기를, 무선 통신기나 계측기 등의, 외부 신호와 내부 회로와의 전달 소자로서 이용함에 의해, 장기간에 걸쳐서 안정된 스위칭 기능을 유지할 수 있고, 직류 신호뿐만 아니라, 특히 고주파 신호를 장기간에 걸쳐서 신뢰성을 유지하면서 안정되게 개폐할 수 있는 장치로서 제공할 수 있고, 이들의 장치에 있어서, 저손실이면서 소형이며, 저소비 전력에 의한 고효율화를 실현할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상은, 반드시 상술한 조합에 한정되는 것이 아니라, 상술한 복수의 발명을, 적절히, 임의로 조합시킴에 의해 실현되는 기술적 사상도 포함하는 것이다.

Claims (8)

  1. 기판상에 배설된 제 1의 접점과,
    상기 제 1의 접점과 폐쇄 및 개방을 행하는 제 2의 접점과,
    상기 제 1의 접점과 상기 제 2의 접점의 상기 폐쇄에 의해 도통하고, 상기 기판상에 배설되며 서로 절연되는 신호선을 포함하며,
    상기 제 1의 접점의 막두께가 상기 신호선의 막두께보다 작은 것을 특징으로 하는 접점 개폐기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1의 접점이 제 1의 도전층에서 구성되고,
    상기 신호선은, 상기 제 1의 도전층과, 상기 제 1의 도전층과 도통 가능한 제 2의 도전층이 순차적으로 적층되어 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 접점 개폐기.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1의 도전층과 상기 제 2의 도전층이 다른 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 접점 개폐기.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1의 접점의 막두께와 상기 제 2의 접점의 막두께의 합계가, 상기 신호선을 통과하는 전기 신호의 주파수에 의존하는 표피 깊이 이상인 것을 특징으로 하는 접점 개폐기.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제 1의 접점의 막두께가, 상기 신호선을 통과하는 전기 신호의 주파수에 의존하는 표피 깊이 미만인 것을 특징으로 하는 접점 개폐기.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기판상에 상기 제 1의 접점이 복수 형성되고, 상기 복수의 제 1의 접점 사이에, 상기 제 2의 접점과 절연된 전극이 배설되고,
    상기 제 2의 접점은, 상기 제 1의 접점과 상기 제 2의 접점의 폐쇄시에, 상기 전극과의 절연 상태가 유지되는 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 접점 개폐기.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1의 접점과 상기 제 2의 접점의 폐쇄시에, 상기 제 2의 접점을 구성하는 도전층의 윗면과, 상기 신호선의 윗면이 거의 동일한 높이가 되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 접점 개폐기.
  8. 기판상에 배설된 제 1의 접점과,
    상기 제 1의 접점과 폐쇄 및 개방을 행하는 제 2의 접점과,
    상기 제 1의 접점과 상기 제 2의 접점과의 폐쇄에 의해 도통하고, 상기 기판상에 배설되며 서로 절연되는 신호선을 포함하며,
    상기 제 1의 접점의 막두께가, 신호선의 막두께보다 작게 구성된 접점 개폐기를 구비하고, 상기 접점 개폐기의 개폐에 의해 신호의 개폐를 행하는 것을 특징으로 하는 접점 개폐기를 구비한 장치.
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