KR20040036798A - 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 반도체 기판 상부에 소자 분리 영역이 정의된 패드 산화막 및 패드 질화막을 적층 구조로 형성하는 단계;상기 패드 산화막 및 상기 패드 질화막의 측면에 절연막 스페이서를 형성하는 단계;상기 소자 분리 영역의 중앙 부분에 트렌치를 형성하는 단계;전체 상부에 절연 물질층을 형성하여 상기 트렌치를 매립하는 단계; 및상기 패드 질화막이 목표 두께로 잔류할 때까지 평탄화 공정을 실시한 후 상기 패드 질화막 및 상기 패드 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 적층 구조를 형성한 후 상기 절연막 스페이서를 형성하기 전에,상기 소자 분리 영역의 가장자리에 폴리머가 형성되도록 과도 식각을 실시하여 상기 소자 분리 영역의 중앙 부분의 상기 반도체 기판을 식각하면서 상기 소자 분리 영역의 가장 자리에 식각 경사면을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 절연막 스페이서는 상기 식각 경사면 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 과도 식각 공정은 CHF3가스, CF4가스 또는 이들의 혼합 가스를 식각 가스로 사용하여, 상기 소자 분리 영역의 중앙부분을 50 내지 400Å의 깊이로 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 식각 경사면은 폭이 0.02um 내지 0.07um이고, 측면의 경사각은 20 내지 50도가 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 절연막 스페이서를 형성하는 단계는,상기 패드 질화막 및 상기 패드 산화막의 측면을 포함한 전체 상부에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;건식 식각 공정으로 상기 비정질 실리콘층을 상기 패드 질화막 및 상기 패드 산화막의 측면에만 잔류시켜 비정질 실리콘 스페이서를 형성하는 단계; 및상기 비정질 실리콘 스페이서를 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 비정질 실리콘층은 400 내지 600℃의 온도에서 저압 화학기상 증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 건식 식각 공정은 200 내지 400W의 전력과 1000mTorr 내지 2000mTorr의 압력 조건에서 CF4가스를 이용하여 상기 비정질 실리콘층을 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 비정질 실리콘 스페이서의 산화 공정은 O2플라즈마 처리로 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 O2플라즈마 처리는 50 내지 200℃의 온도에서 O2애슁 공정으로 진행되거나 O2이온 주입 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트렌치를 형성한 후 상기 절연 물질층을 형성하기 전에,상기 트렌치의 측면 및 저면을 산화 공정으로 산화시켜 상기 트렌치의 측면 및 저면에 표면 산화막을 형성하여 상기 트렌치의 저면 및 상부 모서리를 둥글게 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법.
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KR980012259A (ko) * | 1996-07-24 | 1998-04-30 | 김광호 | 트랜치를 이용한 반도체 장치의 소자분리방법 |
KR100200731B1 (ko) * | 1996-10-05 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 소자 분리막 형성방법 |
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KR100935760B1 (ko) * | 2007-12-26 | 2010-01-06 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
CN110690112A (zh) * | 2018-07-05 | 2020-01-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 利用反向间距加倍工艺形成表面平坦化结构及方法 |
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