KR20040034175A - 광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치 및이를 이용한 광 스위치 패키지와 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실리콘 광학 벤치는, 광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치에 관한 것이다. 이 실리콘 광학 벤치는, 광 스위치 소자가 장착될 제1 영역, 광 입력부가 형성되도록 제1 영역의 제1 측면에 배치된 제2 영역, 및 광 출력부가 형성되도록 제1 영역의 제2 측면에 배치된 제3 영역을 구비하는 실리콘 기판으로 이루어지되, 제1 영역에는 실리콘 기판을 관통하는 빈 공간이 마련되고, 제2 영역 및 제3 영역에는 광 경로를 한정하는 렌즈 및 광섬유가 장착되도록 실리콘 기판 상부에 홈들을 배치되는 구조로 이루어진다.
Description
본 발명은 광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치 및 이를 이용한 광 스위치 패키지와 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 MOEMS(Micro-Opto-Electro-Mechanical-System) 기술의 발전 추세에 따라 많은 광학 소자들과 광학 시스템들이 제안되고 있다. 그들 중 하나인 미소 거울을 이용한 광 스위치는, 광통신에 사용되던 다른 광학 소자들과 비교하여, 낮은 광 간섭, 파장과 편광에 대한 낮은 민감도 그리고 저렴한 제조 비용으로 인하여 각광받고 있는 광학 소자들 중의 하나이다.
미소 거울을 이용한 광 스위치는, 실리콘 기판 위에 미소 거울들이 배치된 구조로 이루어지며, 이 미소 거울들을 구동할 수 있는 구동부도 실리콘 기판 위에배치되는 구조로 이루어진다. 그리고 광이 입력되는 입력부와, 입력부로부터 입력되어 미소 거울에 의해 반사되는 광이 출력되는 출력부가 모듈화되어 광 스위치 패키지를 구성하게 된다. 이 광 스위치 패키지는 미소 거울들을 포함하는 광 스위치, 광 입력부 및 광 출력부를 정확하게 정렬시켜야 한다는 제약이 뒤따른다. 즉 광 이동 경로에 어긋나지 않도록 광 스위치와 광 입력부, 및 광 스위치와 광 출력부를 배치시켜야 한다. 광 스위치와 광 입력부, 또는 광 스위치와 광 출력부가 소망하는 광 경로에 일치하지 못하고 어긋나는 경우 원하지 않는 광 스위칭 동작 결과가 나타날 수 있다. 그러나 현재까지는 별도의 구조물로 된 광 스위치, 광 입력부 및 광 출력부를 광 이동 경로에 정확하게 정렬하기 용이하지 않다는 것은 잘 알려져 있는 사실이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 광 스위치 소자와 광 입력부 및 광 출력부 사이의 정확한 정렬이 이루어질 수 있도록 하는 광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 실리콘 광학 벤치를 이용한 광 스위치 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 상기 실리콘 광학 벤치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치를 나타내 보인 레이아웃도이다.
도 2는 도 1의 선 Ⅱ-Ⅱ'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 3은 도 1의 선 Ⅲ-Ⅲ'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 4는 도 1의 선 Ⅳ-Ⅳ'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 5는 도 1의 선 Ⅴ-Ⅴ'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치를 이용한 광 스위치 패키지를 나타내 보인 레이아웃도이다.
도 7은 도 6의 선 Ⅶ-Ⅶ'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 8은 도 6의 선 Ⅷ-Ⅷ'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 9는 도 6의 광 스위치 패키지에서 광 스위치 소자와 렌즈 지지대를 제거한 모습을 나타내 보인 레이아웃도이다.
도 10은 도 6의 광 스위치 패키지의 광 스위치 소자를 나타내 보인 레이아웃도이다.
도 11은 도 10의 선 XI-XI'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 12는 도 6의 광 스위치 패키지의 렌즈 및 광섬유를 나타내 보인 도면이다.
도 13 내지 도 19는 본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치의 제조 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.
도 20은 도 17 및 도 18의 식각 공정의 일 예를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치는,광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치에 있어서, 상기 광 스위치 소자가 장착될 제1 영역, 광 입력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제1 측면에 배치된 제2 영역, 및 광 출력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제2 측면에 배치된 제3 영역을 구비하는 실리콘 기판으로 이루어지되, 상기 제1 영역에는 상기 실리콘 기판을 관통하는 빈 공간이 마련되고, 상기 제2 영역 및 제3 영역에는 광 경로를 한정하는 렌즈 및 광섬유가 장착되도록 상기 실리콘 기판 상부에 홈들을 배치되는 구조로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 실리콘 기판은 사각 형태인 것이 바람직하다.
상기 실리콘 기판의 측면들 중에서 상기 제2 영역 및 제3 영역과 반대되는 측면들의 실리콘 기판 위에는 패키징될 광 스위치 소자의 전극과 컨택되도록 배치된 복수개의 단자들을 더 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우 상기 복수개의 단자들과 상기 제1 영역 사이의 상기 실리콘 기판 위에 배치되어 상기 광 스위치 소자와의 정렬을 위한 표시 수단으로 이용되는 정렬 마크를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 홈들은 사각 형태 또는 V자 형태로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 실리콘 기판의 상기 제1 영역과 상기 렌즈가 장착되는 홈 사이에는 평행광에 대한 광 경로를 제공하는 홈이 더 형성되는 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 광 스위치 패키지는, 표면에 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 미소 거울들을 구비하고, 가장자리 영역에 상기 미소 거울들을 구동하기 위한 전극들을 포함하는 광 스위치 소자; 및상기 광 스위치 소자가 장착되는 제1 영역, 광 입력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제1 측면에 배치된 제2 영역, 및 광 출력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제2 측면에 배치된 제3 영역을 구비하는 실리콘 기판으로 이루어지되, 상기 제1 영역에는 상기 실리콘 기판을 관통하는 빈 공간이 마련되고, 상기 제2 영역 및 제3 영역에는 광 경로에 일치되도록 홈들이 배치되며, 상기 홈들 내에 장착되어 광 경로를 한정하는 렌즈 및 광섬유를 포함하는 실리콘 광학 벤치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 실리콘 광학 벤치는, 상기 실리콘 기판의 측면들 중에서 상기 제2 영역 및 제3 영역과 반대되는 측면들의 실리콘 기판 위에 배치되어 상기 광 스위치 소자의 전극과 컨택되는 복수개의 단자들을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 실리콘 광학 벤치는, 상기 복수개의 단자들과 상기 제1 영역 사이의 상기 실리콘 기판 위에 배치되어 상기 광 스위치 소자와의 정렬을 위한 표시 수단으로 이용되는 정렬 마크를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 실리콘 광학 벤치는, 상기 실리콘 기판의 상기 제1 영역과 상기 렌즈가 장착되는 홈 사이에 평행광에 대한 광 경로를 제공하는 홈이 더 형성되는 구조를 갖는 것이 바람직하다.
상기 렌즈 및 광섬유는 일체형인 것이 바람직하다.
상기 광 스위치 소자는, 상기 미소 거울들을 둘러싸는 보호대를 더 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우 상기 보호대는 글라스 재질로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치의 제조 방법은, 제1 면 및 반대의 제2 면을 갖는 (100) 결정 방향의 실리콘 기판의 제1 면 및 제2 면 위에 열산화막을 형성하는 단계; 상기 제1 면 위의 열산화막 위에 금속막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 면 위의 열산화막 및 금속막 패턴 위에 제1 마스크막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크막 패턴을 식각 마스크로 상기 열산화막의 노출 부분을 제거하여 실리콘 기판의 제1 영역을 노출시키는 단계; 상기 실리콘 기판의 노출 표면 및 상기 제1 마스크막 패턴 위에 제2 마스크막을 형성하는 단계; 상기 제2 마스크막을 패터닝하여 제2 마스크막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 마스크막 패턴을 식각 마스크로 상기 제1 마스크막 패턴 및 열산화막의 일부를 제거하여 상기 실리콘 기판의 제2 영역을 노출시키는 단계; 상기 실리콘 기판의 제2 면의 열산화막 위에 보호막을 형성하는 단계; 상기 실리콘 기판의 제2 영역의 노출 부분을 일정 깊이로 제거하는 제1 식각 공정을 수행하는 단계; 상기 제2 마스크막 패턴의 일부를 제거하여 상기 실리콘 기판의 제1 영역을 노출시키는 단계; 상기 실리콘 기판의 제1 영역의 노출 부분을 일정 깊이로 제거하고 상기 제2 영역의 노출 부분을 완전히 제거하는 제2 식각 공정을 수행하는 단계; 및 상기 제2 마스크막 패턴, 제1 마스크막 패턴 및 보호막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 마스크막 패턴을 형성하는 단계 및 상기 보호막을 형성하는 단계는, 스퍼터링에 의한 질화막 또는 산화막을 형성함으로써 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 제2 마스크막은 알루미늄막을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제1 식각 공정 및 제2 식각 공정은, 식각 마스크로서의 상기 제2 마스크막 패턴과 TMAH 용액 및 KOH 용액을 이용한 습식 식각 방법을 사용하여 수행하는 것이 바람직하다. 이 경우 상기 습식 식각 공정은 실리콘 웨이퍼의 플렛존을 기준으로 45°의 각도로 이루어지도록 수행하는 것이 바람직하다.
상기 제1 식각 공정 및 제2 식각 공정은, 유도 결합성 플라즈마-반응성 이온 식각법 또는 깊은 반응성 이온 식각법을 사용하여 수행할 수도 있다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 1은 본 발명에 따른 광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치를 나타내 보인 레이아웃도이다. 그리고 도 2 내지 도 5는, 각각 도 1의 선 Ⅱ-Ⅱ', 선 Ⅲ-Ⅲ', 선 Ⅳ-Ⅳ' 및 선 Ⅴ-Ⅴ'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도들이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치(100)는, 사각 형태의 실리콘 기판(110)을 사용하여 형성된다. 실리콘 기판(110)의 중앙에서 일측 쪽으로 약간 치우친 부분은 빈 공간(cavity)(120)이 배치된다. 이 빈 공간(120)은 미소 거울을 채용한 광 스위치가 장착되는 부분이다. 상기 빈 공간(120)의 우측은 광 입력부(102)이며, 하부는 광 출력부(104)이다. 그리고 상기 빈 공간(120)의 좌측 및 상부는 광 스위치 소자의 전극과 컨택되기 위한 단자부들(106, 108)이다.
광 입력부(102) 및 광 출력부(104)에는 동일한 깊이(d)를 갖지만 서로 다른 폭들을 갖는 3개의 홈들이 형성된다. 빈 공간(120)으로부터 직접 연장되는 제1 홈(131)은, 평행광에 대한 광 경로를 제공하기 위한 것으로서, 가장 작은 제1 폭(w1) 및 제1 길이(l1)를 가진다. 제1 홈(131)으로부터 직접 연장되는 제2 홈(132)은, 렌즈가 장착될 장소를 제공하기 위한 것으로서, 가장 넓은 제2 폭(w2) 및 제2 길이(l2)를 가진다. 그리고 제2 홈(132)으로부터 직접 연장되는 제3 홈(133)은, 광섬유가 장착될 장소를 제공하기 위한 것으로서, 제1 폭(w1)보다는 넓고 제2 폭(w2)보다는 좁은 제3 폭(w3)과 제3 길이(l3)를 가진다. 제1 홈(131), 제2 홈(132) 및 제3 홈(133)은 사각 형태 또는 V 형태의 그루브 형상일 수도 있다. 상기 3개의 홈들(131, 132, 133)로 이루어진 하나의 광 경로부(130)는 일정 간격 이격되면서 복수개가 배치된다. 예컨대 결합시키고자 하는 광 스위치 소자가 8×8 매트릭스(matrix) 구조의 광 스위치 소자인 경우 상기 광 경로부(130)는 광 입력부(102) 및 광 출력부(104)에 각각 8개씩 배치되어야 한다.
단자부들(106, 108)에는 복수개의 단자(140)들이 상호 일정 간격 이격되면서 배치된다. 각각의 단자(140)는, 빈 공간(120)에 중첩되어 장착되는 광 스위치 소자의 각 전극에 전기적으로 연결된다. 빈 공간(120)과 단자(140) 들 사이에는 정렬 마크(150)가 형성되어 있는데, 이 정렬 마크(150)는 광 스위치 소자가 실리콘 광학 벤치의 정확한 위치 내에 장착되도록 하기 위한 것이다. 이 정렬 마크(150)는, 도시된 바와 같이 십자 형태이지만, 다른 어떤 형상을 가질 수도 있다는 것은당연하다.
본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치(100)에 따르면, 광 입력부와 광 스위치 소자가 장착될 위치 사이의 광 이동 경로를 미리 설정되어 있다는 점에서 별도의 광 경로 정렬 작업을 수행할 필요가 없다. 즉 실리콘 광학 벤치(100)의 광 입력부(102)로 입력되는 광은 제3 홈(133)에 배치되는 광섬유, 제2 홈(132)에 배치되는 렌즈 및 제1 홈(131)을 따라 입사되는데, 이와 같은 광 경로는 기본적으로 고정되어 있으며, 따라서 광섬유나 렌즈를 장착시키는데 있어서 별도의 광 경로 정렬 작업을 수행하지 않아도 자동으로 정렬이 이루어지게 된다. 이는 광 출력부(104)에서도 마찬가지로 적용된다.
도 6은 본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치를 이용한 광 스위치 패키지를 나타내 보인 레이아웃도이다. 그리고 도 7 및 도 8은 각각 도 6의 선 Ⅶ-Ⅶ' 및 선 Ⅷ-Ⅷ'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도들이다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 광 스위치 패키지는, 실리콘 광학 벤치(100) 위에 광 스위치 소자(200)가 장착되는 구조를 갖는다. 상기 광 스위치 소자(200)는 배면부만 도시되어 있으며, 전면부에 대한 설명은 후술하기로 한다. 상기 실리콘 광학 벤치(100)는 사각 형태의 실리콘 기판(110)을 이용하여 만들어진다. 실리콘 기판(110)의 우측 및 하부에는 각각 광 입력부(102) 및 광 출력부(104)가 배치된다. 실리콘 기판(110)의 상부 및 좌측에는 광 스위치 소자(200)의 전극들과 컨택되기 위한 단자부들(106, 108)이 배치된다.
광 입력부(102) 및 광 출력부(104)는 동일한 구조로 이루어진다. 광입력부(102) 및 광 출력부(104)에서, 제1 홈(131)이 광 스위치 소자(200)에 인접되게 형성되며, 제2 홈(132) 및 제3 홈(133)이 제1 홈(131)으로부터 실리콘 기판(110)의 가장자리까지 연속적으로 배치된다. 제1 홈(131)은 평행광의 이동 경로를 제공한다. 제2 홈(132)은 렌즈(162)가 장착되는 공간을 제공한다. 렌즈(162)는 그린 로드(GRIN rod) 렌즈를 사용한다. 제3 홈(133)은 광섬유(163)가 장착되는 공간을 제공한다. 렌즈(162)는 상부를 완전히 덮은 렌즈 지지대(170)에 의해 고정된다. 렌즈 지지대(170)는 실리콘 기판(110)에 접합되어 고정되는데, 이는 렌즈(162)와 렌즈 지지대(170) 사이에 접착제가 유입되는 것을 억제하기 위한 것이다.
도 7에 잘 나타난 바와 같이, 광 스위치 소자(200)는 상부면에서 m×m 매트릭스 형태로 장착된 미소 거울(220)들을 포함한다. 또한 측면에는 미소 거울(220)들을 구동하기 위한 전극(230)들이 배치된다. 이 전극(230)들은 실리콘 광학 벤치(100)의 단자(140)와 직접 컨택됨으로써 전기적으로 연결된다. 또한 외부로부터 미소 거울(220)들을 보호하기 위하여, 보호대(240)가 미소 거울(220)을 덮도록 배치된다. 이 보호대(240)는 광 스위치 소자(200)에 부착된다. 광 스위치 소자(200)와 실리콘 광학 벤치(100) 사이의 부착은 플립칩 본딩(flip chip bonding) 공정에 의해 이루어진다. 이때 표면에 노출되어 있는 미소 거울(220)들이 플립 칩 본딩 공정 진행 중에 물리적인 충격을 받을 수 있다. 상기 보호대(240)는 이와 같은 물리적인 충격으로부터 미소 거울(220)들을 보호하기 위한 것이다. 이 보호대(240)는 글라스(glass) 재질로 이루어진다.
도 9는 도 6의 광 스위치 패키지에서 광 스위치 소자와 렌즈 지지대를 제거한 모습을 나타내 보인 레이아웃도이다. 도 9에서 도 6 내지 도 8과 동일한 참조 부호는 동일한 요소를 의미하므로 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 광 스위치 소자(도 6의 200)가 제거된 곳에서는 빈 공간(120)이 존재한다. 이 빈 공간(120) 일부 둘레에는 광 스위치 소자와 실리콘 광학 벤치(100) 사이의 정렬을 위한 정렬 마크(150)들이 배치된다. 실리콘 기판(110)상에 형성된 제2 홈(132) 및 제3 홈(133)에는 각각 렌즈(162) 및 광섬유(163)가 배치된다. 이 렌즈(162) 및 광섬유(163)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(110)상의 제2 홈(132) 및 제3 홈(133)에 장착되기 전에 이미 일체형으로 만들어진다. 이어서 일체화된 렌즈(162) 및 광섬유(163)가 제2 홈(132) 및 제3 홈(133) 내에 장착되어진다. 상기 일체형의 렌즈(162) 및 광섬유(163)를 형성하기 위해서 본딩 공정을 수행한다. 이 본딩 공정에 의해, 실린더 모양의 렌즈(132)의 일 단부와 광섬유(133)의 일 단부가 부착된다. 렌즈(132)와 광섬유(133)의 일체화를 위해서 렌즈(132)는 대략 500㎛ 이상의 직경을 갖는 렌즈를 사용하고, 광섬유(133)는 대략 125㎛ 이상의 직경을 갖는 광섬유를 사용한다.
도 10은 도 6의 광 스위치 패키지의 광 스위치 소자를 나타내 보인 레이아웃도이다. 그리고 도 11은 도 10의 선 XI-XI'를 따라 절단하여 나타내 보인 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 광 스위치 소자(200)는, 사각 모양의 실리콘 기판(210)의 상부에 m×m 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 미소 거울(220)들을포함한다. 본 실시예에서는 8×8 매트릭스 형태로 배열된 것을 예를 들어 설명하기로 한다. 상기 미소 거울(220)들은 전극(230)들에 의해 구동된다. 전극(230)들은 실리콘 기판(210)의 제1 측면(210a)에 형성되고, 동시에 제1 측면(210a)과 인접한 제2 측면(210b)에도 형성된다. 제1 측면(210a)에 형성된 전극(230) 및 제2 측면(210b)에 형성된 전극에 일정 크기의 바이어스가 인가됨에 따라, 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 미소 거울(220)들 중 일부 미소 거울(220)들이 구동하여 입사되는 광을 반사시킨다.
도 13 내지 도 19는 본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치의 제조 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.
먼저 도 13을 참조하면, 제1 표면(110a) 및 반대되는 제2 표면(110b)을 갖는 실리콘 기판(110)을 마련한다. 이 실리콘 기판(110)은, 그 결정 방향이 (100) 방향인 실리콘을 사용하여 만들어진 기판이다. (100) 실리콘 기판(110)을 사용하는 이유는, (100) 실리콘 기판(110)의 특성상 후속의 식각 공정에서의 식각면이 비등방성 식각 장벽인 (111)면과 수직이 된다는 점을 이용하여 거울 소자 부분을 서브마운트 면과 수직으로 형성하기 위해서이다. (100) 실리콘 기판(110)이 마련되면, 열 산화 공정을 수행하여 (110) 실리콘 기판(110)의 제1 면(110a) 및 제2 면(110b) 위에 각각 열산화막(301)을 형성한다. 열산화막(301)의 두께는 대략 1㎛이다. 다음에 (110) 실리콘 기판(110)의 제1 면(110a) 위의 열산화막(301) 위에 단자 형성을 위한 제1 금속막(302)을 형성한다. 이 제1 금속막(302)은 크롬/금(Cr/Au) 박막을 사용하여 형성할 수 있다.
다음에 도 14를 참조하면, 제1 금속막(302)을 패터닝하여 단자(140)를 완성한다. 그리고 열산화막(301)의 노출 표면 및 단자(140) 위에 제1 마스크막(303)을 형성한다. 이 제1 마스크막(303)은 스퍼터링을 이용하여 질화막 또는 산화막을 형성함으로써 만들어질 수 있다.
다음에 도 15를 참조하면, 상기 제1 마스크막(303)을 패터닝하여 제1 마스크막 패턴(305)을 형성한다. 그리고 제1 마스크막 패턴(305)에 의해 노출되는 열산화막(301)의 노출 부분을 제거하여 열산화막 패턴(304)을 형성한다. 제1 마스크막 패턴(305) 및 열산화막 패턴(304)은 실리콘 기판(110)의 일부 표면을 노출시킨다. 이때 상기 단자(140)는, 여전히 제1 마스크막 패턴(305)에 의해 덮여있다. 다음에 실리콘 기판(110)의 노출 표면과 제1 마스크막 패턴(305) 위에 제2 마스크막(306)을 형성한다. 제2 마스크막(306)은, 예컨대 알루미늄(Al)막과 같은 금속막을 사용하여 형성할 수 있다.
다음에 도 16을 참조하면, 상기 제2 마스크막(306)을 패터닝하여 제2 마스크막 패턴(309)을 형성한다. 다음에 제2 마스크막 패턴(309)에 의해 노출되는 제1 마스크막 패턴(도 15의 305)의 노출 부분을 제거하여 제1 마스크막 패턴(308)을 형성한다. 계속해서 열산화막 패턴(도 15의 304)의 노출 부분을 제거하여 열산화막 패턴(307)을 형성한다. 상기 제2 마스크막 패턴(309), 제1 마스크막 패턴(308) 및 열산화막 패턴(307)에 의해 실리콘 기판(110)의 일부 표면이 노출된다. 실리콘 기판(110)의 노출 부분은 광 스위치 소자가 장착될 빈 공간이 형성될 장소이다. 이 경우에도, 상기 단자(140)는, 여전히 제1 마스크막 패턴(308)에 의해 덮인다. 다음에 실리콘 기판(110)의 제 2면(110b)에 형성된 열산화막(301) 위에 보호막(310)을 형성한다. 이 보호막(310)은, 제1 마스크막(도 14의 303)과 같이, 스퍼터링을 이용한 질화막 또는 산화막을 형성함으로써 만들어질 수 있다.
다음에 도 17을 참조하면, 상기 제2 마스크막 패턴(309)을 식각 마스크로 한 식각 공정을 수행하여 실리콘 기판(110)의 노출 부분을 일정 깊이만큼 제거한다. 그러면 실리콘 기판(110) 내에 일정 깊이의 홈(311)이 형성된다. 상기 식각 공정은 TMAH(Tetra-Methyl-Ammonium Hydroxide) 용액과 KOH 용액을 이용한 비등방성 습식 식각 방법을 사용하여 수행한다. 이때 식각은, 도 20에 나타낸 바와 같이, (100) 결정 방향의 실리콘 웨이퍼(900)의 플렛존(flatzone)(910)을 기준으로 대략 45° 방향으로 수행한다. 그러면 식각면이 실리콘 광학 벤치(100)의 비등방성 식각 장벽인 (111) 면과 수직이 되어 홈(311)을 서브마운트면(110')과 수직이 되도록 형성할 수 있다.
경우에 따라서 상기 식각 공정은 유도 결합성 플라즈마-반응성 이온 식각(ICP-RIE; Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching)법 또는 깊은 반응성 이온 식각(D-RIE; Deep RIE)법을 사용할 수도 있다. 깊은 반응성 이온 식각법을 사용하는 경우, 식각의 방향성에 대한 제한은 없다. 따라서 어떤 방향으로 식각하더라도 식각면이 실리콘 기판의 표면에 대해 수직이 되므로, 홈(311)을 서브마운트면(110')과 수직이 되도록 형성할 수 있다. 홈(311)이 형성된 실리콘 기판(110)의 두께(d1)는 렌즈 및 광섬유 장착을 위한 홈을 형성하기 위하여 수행하는 후속의 2차 식각 공정에 의해 제거될 정도의 두께면 된다.
다음에 도 18을 참조하면, 제2 마스크막 패턴(도 17의 309)을 다시 패터닝하여 실리콘 기판(110)의 일부 표면을 노출시키는 제2 마스크막 패턴(312)을 형성한다. 그리고 제2 마스크막 패턴(312)을 식각 마스크로 한 식각 공정을 다시 한 번 수행하여 실리콘 기판(110)의 노출 부분을 제거한다. 이 식각 방법으로는 TMAH 용액과 KOH 용액을 이용한 습식 식각 방법을 사용한다. 이때도 식각은, 도 20에 나타낸 바와 같이, (100) 결정 방향의 실리콘 웨이퍼(900)의 플렛존(flatzone)(910)을 기준으로 대략 45° 방향으로 수행한다. 그러면 식각면이 실리콘 광학 벤치(100)의 비등방성 식각 장벽인 (111) 면과 수직이 되어 빈 공간(120)을 서브마운트면(110')과 수직이 되도록 형성 할 수 있다.
경우에 따라서 상기 식각 공정은 유도 결합성 플라즈마-반응성 이온 식각법 또는 깊은 반응성 이온 식각법을 사용할 수도 있다. 깊은 반응성 이온 식각법을 사용하는 경우, 앞서 설명한 바와 같이, 식각의 방향성에 대한 제한은 없다. 따라서 어떤 방향으로 식각하더라도 식각면이 실리콘 기판의 표면에 대해 수직이 되므로, 빈 공간(120)이 서브마운트면(110')과 수직이 되도록 형성할 수 있다. 식각 공정이 종료되면, 제2 마스크막 패턴(312)에 의해 노출된 한 쪽 부분에는 광 스위치 소자가 장착될 빈 공간(120)이 만들어지고, 다른 쪽 부분에는 일정 깊이의 홈(130)들이 만들어진다.
다음에 도 19를 참조하면, 제2 마스크막 패턴(도 18의 312)과 보호막(310)을 제거하고, 이어서 열산화막(301)을 제거하면, 광 스위치 소자 장착을 위한 빈 공간(120)과, 단자(140)와, 그리고 렌즈 및 광섬유 정렬을 위한 홈(130)을 구비하는 실리콘 광학 벤치가 완성된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치 및 이를 이용한 광 스위치 패키지에 의하면, 입사광이 통과하는 입사 광 경로와 출력광이 통과하는 출력 광 경로를 한정하는 홈이 실리콘 광학 벤치 내에 형성되어 있고, 단지 이 홈 내에 렌즈 및 광섬유를 장착함으로써 광 입력부 또는 광 출력부와 광 스위치 소자와의 정렬이 이루어지므로, 용이하고 정확하게 단위 소자들을 정렬시킬 수 있다는 이점을 제공한다.
또한 본 발명에 따른 실리콘 광학 벤치의 제조 방법에 따르면, (110) 실리콘 기판을 결정면에 대해 45o틀어지게 패턴을 형성하여 결정 방향 의존성 식각하거나 혹은 (100) 실리콘 기판을 D-RIE로 수직 식각함으로써 실리콘 기판을 식각하는 과정에서 수평 방향으로의 공간 확대 현상이 발생하지 않게 되어, 광 스위치 소자의 렌즈 사이의 거리를 줄여 손실 감소 및 소자 크기 감소를 달성할 수 있다는 이점을 제공한다.
Claims (19)
- 광 스위치 소자의 패키징을 위한 실리콘 광학 벤치에 있어서,상기 광 스위치 소자가 장착될 제1 영역, 광 입력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제1 측면에 배치된 제2 영역, 및 광 출력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제2 측면에 배치된 제3 영역을 구비하는 실리콘 기판으로 이루어지되, 상기 제1 영역에는 상기 실리콘 기판을 관통하는 빈 공간이 마련되고, 상기 제2 영역 및 제3 영역에는 광 경로를 한정하는 렌즈 및 광섬유가 장착되도록 상기 실리콘 기판 상부에 홈들을 배치되는 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 기판은 사각 형태인 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 기판의 측면들 중에서 상기 제2 영역 및 제3 영역과 반대되는 측면들의 실리콘 기판 위에는 패키징될 광 스위치 소자의 전극과 컨택되도록 배치된 복수개의 단자들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치.
- 제3항에 있어서,상기 복수개의 단자들과 상기 제1 영역 사이의 상기 실리콘 기판 위에 배치되어 상기 광 스위치 소자와의 정렬을 위한 표시 수단으로 이용되는 정렬 마크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치.
- 제1항에 있어서,상기 홈들은 사각 형태 또는 V자 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 기판의 상기 제1 영역과 상기 렌즈가 장착되는 홈 사이에는 평행광에 대한 광 경로를 제공하는 홈이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치.
- 표면에 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 미소 거울들을 구비하고, 가장자리 영역에 상기 미소 거울들을 구동하기 위한 전극들을 포함하는 광 스위치 소자; 및상기 광 스위치 소자가 장착되는 제1 영역, 광 입력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제1 측면에 배치된 제2 영역, 및 광 출력부가 형성되도록 상기 제1 영역의 제2 측면에 배치된 제3 영역을 구비하는 실리콘 기판으로 이루어지되, 상기 제1 영역에는 상기 실리콘 기판을 관통하는 빈 공간이 마련되고, 상기 제2 영역 및 제3 영역에는 광 경로에 일치되도록 홈들이 배치되며, 상기 홈들 내에 장착되어 광 경로를 한정하는 렌즈 및 광섬유를 포함하는 실리콘 광학 벤치를 구비하는 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지.
- 제7항에 있어서,상기 실리콘 광학 벤치는, 상기 실리콘 기판의 측면들 중에서 상기 제2 영역 및 제3 영역과 반대되는 측면들의 실리콘 기판 위에 배치되어 상기 광 스위치 소자의 전극과 컨택되는 복수개의 단자들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지.
- 제7항에 있어서,상기 실리콘 광학 벤치는, 상기 복수개의 단자들과 상기 제1 영역 사이의 상기 실리콘 기판 위에 배치되어 상기 광 스위치 소자와의 정렬을 위한 표시 수단으로 이용되는 정렬 마크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지.
- 제7항에 있어서,상기 실리콘 광학 벤치는, 상기 실리콘 기판의 상기 제1 영역과 상기 렌즈가 장착되는 홈 사이에 평행광에 대한 광 경로를 제공하는 홈이 더 형성되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지.
- 제7항에 있어서,상기 렌즈 및 광섬유는 일체형인 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지.
- 제7항에 있어서,상기 광 스위치 소자는, 상기 미소 거울들을 둘러싸는 보호대를 더 구비하는것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지.
- 제12항에 있어서,상기 보호대는 글라스 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광 스위치 패키지.
- 제1 면 및 반대의 제2 면을 갖는 (100) 결정 방향의 실리콘 기판의 제1 면 및 제2 면 위에 열산화막을 형성하는 단계;상기 제1 면 위의 열산화막 위에 금속막 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 면 위의 열산화막 및 금속막 패턴 위에 제1 마스크막 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 마스크막 패턴을 식각 마스크로 상기 열산화막의 노출 부분을 제거하여 실리콘 기판의 제1 영역을 노출시키는 단계;상기 실리콘 기판의 노출 표면 및 상기 제1 마스크막 패턴 위에 제2 마스크막을 형성하는 단계;상기 제2 마스크막을 패터닝하여 제2 마스크막 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 마스크막 패턴을 식각 마스크로 상기 제1 마스크막 패턴 및 열산화막의 일부를 제거하여 상기 실리콘 기판의 제2 영역을 노출시키는 단계;상기 실리콘 기판의 제2 면의 열산화막 위에 보호막을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 제2 영역의 노출 부분을 일정 깊이로 제거하는 제1 식각공정을 수행하는 단계;상기 제2 마스크막 패턴의 일부를 제거하여 상기 실리콘 기판의 제1 영역을 노출시키는 단계;상기 실리콘 기판의 제1 영역의 노출 부분을 일정 깊이로 제거하고 상기 제2 영역의 노출 부분을 완전히 제거하는 제2 식각 공정을 수행하는 단계; 및상기 제2 마스크막 패턴, 제1 마스크막 패턴 및 보호막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 제1 마스크막 패턴을 형성하는 단계 및 상기 보호막을 형성하는 단계는, 스퍼터링에 의한 질화막 또는 산화막을 형성함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 제2 마스크막은 알루미늄막을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 제1 식각 공정 및 제2 식각 공정은, 식각 마스크로서의 상기 제2 마스크막 패턴과 TMAH 용액 및 KOH 용액을 이용한 습식 식각 방법을 사용하여 수행하는것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법.
- 제17항에 있어서,상기 습식 식각 공정은 실리콘 웨이퍼의 플렛존을 기준으로 45°의 각도로 이루어지도록 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법.
- 제14항에 있어서,상기 제1 식각 공정 및 제2 식각 공정은, 유도 결합성 플라즈마-반응성 이온 식각법 또는 깊은 반응성 이온 식각법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 광학 벤치의 제조 방법.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679714B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2007-02-07 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 3차원 구조의 마이크로 스파이크 및 그 제조 방법 |
| US7927289B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-04-19 | Seoul National University Industry Foundation | Catheter capable of being equipped with micro biopsy tool |
| US8118753B2 (en) | 2005-08-18 | 2012-02-21 | Seoul National University Industry Foundation | Barb-wired micro needle made of single crystalline silicon and biopsy method and medicine injecting method using the same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847755B2 (en) * | 2001-11-20 | 2005-01-25 | Texas Instruments Incorporated | Optical cross connection switch using voltage-controlled interferometric optical switching elements |
| JP2010072435A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導波路フィルム |
| WO2011150570A1 (zh) * | 2010-06-03 | 2011-12-08 | 深圳日海通讯技术股份有限公司 | 一种用于光纤连接器的光纤定位部件 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4897711A (en) * | 1988-03-03 | 1990-01-30 | American Telephone And Telegraph Company | Subassembly for optoelectronic devices |
| US6097859A (en) * | 1998-02-12 | 2000-08-01 | The Regents Of The University Of California | Multi-wavelength cross-connect optical switch |
| US6430333B1 (en) * | 1999-04-15 | 2002-08-06 | Solus Micro Technologies, Inc. | Monolithic 2D optical switch and method of fabrication |
| US6445841B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-09-03 | Omm, Inc. | Optomechanical matrix switches including collimator arrays |
| US6453083B1 (en) * | 1999-05-28 | 2002-09-17 | Anis Husain | Micromachined optomechanical switching cell with parallel plate actuator and on-chip power monitoring |
| US6424759B1 (en) * | 1999-10-12 | 2002-07-23 | Primawave Photonics, Inc. | Mechanically actuated MXN optical switch matrix |
| US6320997B1 (en) * | 1999-12-21 | 2001-11-20 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Self-aligning 1xN rotary optical switch |
| US6363183B1 (en) * | 2000-01-04 | 2002-03-26 | Seungug Koh | Reconfigurable and scalable intergrated optic waveguide add/drop multiplexing element using micro-opto-electro-mechanical systems and methods of fabricating thereof |
| US6449407B1 (en) * | 2000-03-03 | 2002-09-10 | Orix Microsystems, Inc. | Optical switch having equalized beam spreading in all connections |
| US6483419B1 (en) * | 2000-09-12 | 2002-11-19 | 3M Innovative Properties Company | Combination horizontal and vertical thermal actuator |
| US6647168B2 (en) * | 2000-09-19 | 2003-11-11 | Newport Opticom, Inc. | Low loss optical switching system |
| US6762119B2 (en) * | 2001-06-20 | 2004-07-13 | International Bussiness Machines Corporation | Method of preventing solder wetting in an optical device using diffusion of Cr |
-
2002
- 2002-10-21 KR KR10-2002-0064259A patent/KR100499273B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-06-04 US US10/454,039 patent/US20040076367A1/en not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100679714B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2007-02-07 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 3차원 구조의 마이크로 스파이크 및 그 제조 방법 |
| US7927289B2 (en) | 2005-02-07 | 2011-04-19 | Seoul National University Industry Foundation | Catheter capable of being equipped with micro biopsy tool |
| US8795196B2 (en) | 2005-02-07 | 2014-08-05 | Snu R&Db Foundation | Three-dimensional micro spike and method of manufacturing the same |
| US8118753B2 (en) | 2005-08-18 | 2012-02-21 | Seoul National University Industry Foundation | Barb-wired micro needle made of single crystalline silicon and biopsy method and medicine injecting method using the same |
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