KR20040029247A - 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 - Google Patents
표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040029247A KR20040029247A KR1020020058216A KR20020058216A KR20040029247A KR 20040029247 A KR20040029247 A KR 20040029247A KR 1020020058216 A KR1020020058216 A KR 1020020058216A KR 20020058216 A KR20020058216 A KR 20020058216A KR 20040029247 A KR20040029247 A KR 20040029247A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- lithium tantalate
- substrate
- single crystal
- acoustic wave
- surface acoustic
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02921—Measures for preventing electric discharge due to pyroelectricity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
본 발명은 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법에 관한 것으로서,
환원성 분위기 하에서 탄탈산 리튬 단결정 잉곳(ingot) 또는 기판을 탄탈산 리튬의 큐리온도 (Tc) 이상의 온도로 가열하여 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 환원하는 단계와; 상기 환원된 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 환원성 분위기 또는 비활성 분위기 하에서 단일분극처리하는 단계와; 상기 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 가공하여 표면 탄성파 소자용 기판으로 제조하는 단계;를 포함하여 구성되어,
종래의 제조방법에 비하여 환원처리시간이 현저히 감소하여 작업시간이 줄어들 뿐 아니라, 더욱 우수한 탄탈산 리튬 단결정의 전기전도도 내지는 부피 비저항을 얻을 수 있으며,
탄탈산 리튬의 초전특성에 의해 생성되는 정전기를 신속히 제거할 수 있으므로, 표면 탄성파 소자 제조공정에서 발생하는 정전기로 인한 작업 불안정성을 현저히 개선할 수 있다는 장점이 있다.
Description
본 발명은 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법에 관한 것으로, 특히 상기 단결정 기판을 탄탈산 리튬의 큐리온도 이상에서 환원처리함으로써, 단결정 기판의 전기전도도를 증가시켜 기판 표면의 정전기를 제거한 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법에 관한 것이다.
탄탈산 리튬 단결정은 압전성 및 전기광학적 특성이 우수하여 표면탄성파 신호처리소자, 적외선 센서, 광 스위치, 광 메모리 등의 분야에 널리 사용되고 있다.
그런데, 상기 탄탈산 리튬 단결정을 표면 탄성파 소자의 기판으로 사용하기 위해 단일분극화 처리를 할 경우에는, 탄탈산 리튬 단결정 기판 양쪽 표면에 부착된 정전 전하의 방전으로 인한 스파크가 발생하게 되어 표면 탄성파 소자 제조공정에 있어서 많은 문제점을 야기하게 된다. 이러한 현상은 탄탈산 리튬의 초전특성으로 인한 것으로, 기본적으로 전기절연체인 탄탈산 리튬의 경우 탄탈산 리튬 표면에 부착된 정전 전하가 이동하여 전기적 중성을 이루기 위해서는 많은 시간이 필요한데 비해서, 표면 탄성파 소자 제조공정과 같이 급격히 온도가 변화하는 조건에서는, 상기 정전 전하가 방전을 일으켜 스파크가 발생하기 쉽게 되는 것이다. 이와 같이, 탄탈산 리튬 기판에 부착된 정전 전하로 인한 정전기는 기판 이송이나 작업 과정에서 표면 탄성파 소자의 제조장치에 작동오류를 일으킬 수 있고, 기판이 상기 제조장치에 강하게 부착되어 기계적인 응력에 의하여 기판이 파손되는 등, 작업안정성이 현저하게 떨어지는 문제가 있다.
뿐만 아니라, 탄탈산 리튬 기판에 소자를 부착하는 공정 중 기판의 온도가 급격히 변화될 경우, 기판에 부착된 정전 전하의 방전으로 발생하는 스파크에 의해 기판 또는 기판 위에 제조된 소자회로가 손상되거나, 나아가 소자 제조장치에 전기적 충격을 주어 고장을 야기시킬 수 있다.
또한, 근래 소자의 사용 주파수 영역이 날로 고주파화됨에 따라, 소자의 신호선의 폭이 수십 마이크로미터에서 수 마이크로미터까지 감소하고 있는 요즈음에는, 기판 표면의 국소적인 정전 전하량 차이로 인하여 발생하는 미소 방전에 의하여 미세한 선폭의 신호선들이 파괴되어 소자의 수명이 단축되는 문제점이 발생하고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판의 소자 제조면의 이면에 도전성 금속막을 생성시키고 이를 접지하여 정전기를 제거하거나, 기판 양면을 전기적으로 연결하여 장시간 방전한 후 기판 위에 소자를 제조하는 방법이 사용되어 왔다. 그러나, 상기의 방법에 의하면, 도전성 금속막의 생성 및 최종적인 소자 제조 후의 도전성 금속막 제거 등의 추가적인 공정이 요구되거나, 공정 시간의 증가로 인한 비용증가 등의 단점이 있었다. 또한, 상기와 같은 방법들을 사용하더라도 기판 표면의 국소적인 정전 전하량 차이로 인하여 발생하는 미소 방전에 의한 소자 수명 단축현상은 효과적으로 억제할 수 없다는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 최근에는 단일분극화된 탄탈산 리튬 단결정 기판의 전기전도도를 증가시켜 기판 표면에 부착된 정전 전하가 신속히 이동시킴으로써, 기판의 정전기 특성을 개선하도록 하는 기술이 제시되고 있다. 미국 특허 6319430호가 그 대표적인 것으로서, 상기 특허에서는 니오븀산 리튬이나 탄탈산 리튬 기판을 단일분극이 유지되도록 그 큐리온도 미만의 온도까지 가열하여 환원처리함으로써, 상기 단결정 기판의 전기전도도를 증가시키고 있다. 니오븀산 리튬이나 탄탈산 리튬을 환원성 분위기에서 열처리하면 그 전기전도도가 증가하는 이유는, 산화상태의 변화로 인하여 전자 밀도가 증가하기 때문인 것으로 알려지고 있다.
그러나, 탄탈산 리튬 환원반응은 처리온도가 높을 수록 반응속도가 급격히 증가하므로, 큐리온도가 낮은 탄탈산 리튬 기판의 경우(큐리온도;약 605℃)에는, 상업적으로 적용하기에는 반응속도가 너무 느린 단점이 있다. 즉, 상기 미국 특허에 의하면, 상업적으로 적용하기 어려울 정도의 장시간 처리와 고가의 장비를 사용하는 경우에만, 만족할 만한 탄탈산 리튬 단결정 기판의 정전기 특성을 얻을 수 있다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기의 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 탄탈산 리튬 단결정 기판을 탄탈산 리튬의 큐리온도 이상에서 환원처리한 후, 환원성 분위기 또는비활성 분위기 하에서 단일분극화 처리함으로써, 표면 탄성파 소자 제조용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 정전기 특성을 개선하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법은,
환원성 분위기 하에서 탄탈산 리튬 단결정 잉곳(ingot) 또는 기판을 탄탈산 리튬의 큐리온도 (Tc) 이상의 온도로 가열하여 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 환원하는 단계와;
상기 환원된 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 환원성 분위기 또는 비활성 분위기 하에서 단일분극처리하는 단계와;
상기 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 가공하여 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판으로 제조하는 단계;
를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 환원처리된 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 탄탈산 리튬 단결정 기판의 부피 비저항은 108~1011Ωㆍcm 인 것이 바람직하다.
탄탈산 리튬의 환원반응은 반응처리온도가 증가함에 따라 반응속도가 급격히 증가한다. 그런데, 상술한 바와 같이, 종래에는, 탄탈산 리튬 단결정의 단일분극 상태를 유지하기 위하여 환원반응 시의 온도를 큐리온도 미만으로 하고 있었다.
단일분극화(poling) 처리란, 단결정에 형성된 모든 분극을 한 방향으로 배열시키는 것을 말한다. 단일분극화 처리공정은, 분극 방향에 따라 단결정의 양면에 전극을 도포한 후, 큐리온도 이상으로 가열하고 일정시간 유지하여 분극을 제거하고, 전극에 직류전압을 가하여 전계(電界)를 형성한 후, 큐리온도 이하로 냉각하는 단계로 이루어진다. 상기와 같은 공정에 의해 큐리온도 이하로 냉각되면서 생성되는 이른바 자발분극이 단결정에 가해진 직류 전계에 의해 한 방향으로 배열하게 되는 것이다.
그러나, 이러한 단일분극 상태는 단결정의 결정구조가 달라지는 큐리온도 이상에서는 유지되지 못하게 되므로, 상술한 바와 같이 종래에는, 환원반응 시의 온도를 큐리온도 미만으로 제한하고 있었던 것이다. 즉, 종래에는, 언제까지나 단일분극화 처리된 것을 전제로 한 상태에서 환원처리를 하였던 것이다. 이로 인하여 큐리온도가 비교적 높아서 단일분극이 유지된 상태에서 환원반응속도가 충분히 빨랐던 니오븀산 리튬 단결정(Tc= 약 1140℃)은 여러 분야에서 상업적으로 활발히 이용되고 있었으나, 큐리온도가 낮아 환원반응속도가 느린 탄탈산 리튬 단결정에 대해서는, 종래와 같은 환원처리방법이 거의 이용되지 못하고 있는 실정이었다. 더욱이, 종래의 방법은 환원반응속도가 느릴 뿐만 아니라, 탄탈산 리튬 기판의 표면 정전기를 제거할 수 있는 수준인 1011Ωㆍcm 이하의 부피 비저항을 달성하기도 매우 어려웠다.
하지만, 본 발명자는 탄탈산 리튬 단결정에 대하여 예의연구한 결과, 단일분극화 상태를 전제로 하는 기존의 상식을 과감히 뒤엎고, 충분한 환원반응속도를 확보할 수 있는 고온의 환원성 분위기에서 환원반응을 하고, 이러한 환원상태를 유지하기 위하여 환원성 분위기나 비활성 분위기에서 단일분극화 처리를 한다면, 탄탈산 리튬 단결정의 환원반응속도를 현저하게 증가시키면서도, 단일분극상태를 유지할 수 있다는 것을 알게 되었다.
또한, 일반적인 단일분극화 공정은, 공기 분위기에서 큐리온도 이상의 온도까지 승온시키고 결정의 양단에 전계를 가하여 행해지나, 본 발명에서는 환원성 분위기에서 열처리되어 환원된 탄탈산 리튬 단결정을 종래와 같이 공기 분위기에서 단일분극화처리하면 재산화반응에 의하여 환원상태가 제거되므로, 단일분극화 공정도 환원성 분위기 아니면 적어도 비활성 분위기로 하여 환원반응속도의 상승과 환원상태 및 단일분극상태의 유지를 도모하고 있다.
환원반응 열처리 시의 온도는 탄탈산 리튬의 큐리온도인 605℃ 이상으로서, 이론적으로는 그 상한선은 탄탈산 리튬의 녹는점인 1650℃ 까지 가능하다.
환원반응 열처리 또는 단일분극 처리 시의 환원성 분위기는, 수소, 일산화탄소, 수증기 등의 일반적인 환원성 기체나, 흑연 등과 같은 환원성 고체 중에서 선택되는 하나 이상의 기체 및/또는 고체를 사용하여 조성할 수 있다.
또한, 단일분극화 처리 시의 비활성 분위기는, 질소, 아르곤을 포함하는 비활성 기체나 진공에 의하여 조성할 수 있다.
환원 열처리된 탄탈산 리튬 단결정의 전기전도도 변화는 고저항 측정기로 그 부피 비저항을 측정함으로써 알 수 있다. 환원처리되지 않은 탄탈산 리튬 단결정의부피 비저항은 1014~1015Ωㆍcm 정도이며, 환원처리정도가 증가할수록 부피 비저항은 감소한다. 탄탈산 리튬 기판 표면에서의 정전기 발생을 억제하기 위해서는 적어도 1011Ωㆍcm 이하의 부피 비저항이 달성되어야 하며, 바람직하게는 1010Ωㆍcm 이하인 것이 좋다. 다만, 부피 비저항이 108Ωㆍcm 미만이 될 경우, 단결정의 기계적 강도가 약해지므로, 부피 비저항의 하한선은 108Ωㆍcm 이상인 것이 좋다.
한편, 탄탈산 리튬 단결정의 환원정도가 증가할수록 단결정의 색상이 짙은 회색이나 검은 색으로 변화하며, 환원정도가 클수록 검은 색이 더욱 짙어지게 된다.
비교예 Ⅰ:
표 1은 종래 기술과 같이 단일분극화 처리한 후, 큐리온도 이하의 온도에서 환원성 기체인 수소를 사용하여 환원처리한 탄탈산 리튬 기판의 부피 비저항을 고저항 측정기로 측정하여 나타낸 것이다.
시료번호 | 환원처리온도 | 환원처리시간 | 부피 비저항 | 단일분극유지 여부 |
1 | 550℃ | 10시간 | 3×1013Ωㆍcm | 유지 |
2 | 550℃ | 20시간 | 9×1012Ωㆍcm | 유지 |
3 | 550℃ | 72시간 | 7×1012Ωㆍcm | 유지 |
4 | 570℃ | 12시간 | 2×1013Ωㆍcm | 유지 |
5 | 570℃ | 27시간 | 6×1012Ωㆍcm | 유지 |
6 | 570℃ | 72시간 | 4×1012Ωㆍcm | 유지 |
7 | 600℃ | 50시간 | 3×1012Ωㆍcm | 일부 유지 |
8 | 600℃ | 72시간 | 9×1011Ωㆍcm | 일부 유지 |
표 1에서 알 수 있듯이, 비교예의 경우에는, 72 시간 이상의 장시간 동안 환원열처리를 하여도 탄탈산 리튬 기판의 정전기를 제거할 수 있는 수준인 1011Ωㆍcm 이하의 부피 비저항을 얻기 어렵다. 또한, 550℃ 이하의 온도에서 환원처리한 경우에는 처리시간이 증가하더라도 부피 비저항의 감소정도가 미미하며, 1011Ωㆍcm의 부피 비저항에 근접한 수준의 비교예 8의 경우 단일분극 상태가 일부 제거되는 등의 문제가 있다.
실시예 Ⅰ:
단일분극화되지 않은 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 큐리온도 이상의 온도에서 환원성 기체인 수소를 사용하여 환원처리하고, 고저항 측정기를 사용하여 그 부피 비저항을 측정하여 표 2에 나타내었다.
실시예 Ⅰ | 형태 | 환원처리온도 | 환원처리시간 | 부피 비저항 |
1 | 기판 | 700℃ | 5시간 | 9×1010Ωㆍcm |
2 | 기판 | 700℃ | 10시간 | 5×1010Ωㆍcm |
3 | 기판 | 700℃ | 20시간 | 3×1010Ωㆍcm |
4 | 잉곳 | 700℃ | 5시간 | 2×1011Ωㆍcm |
5 | 잉곳 | 700℃ | 10시간 | 7×1010Ωㆍcm |
6 | 잉곳 | 700℃ | 20시간 | 3×1010Ωㆍcm |
7 | 기판 | 800℃ | 5시간 | 4×1010Ωㆍcm |
8 | 기판 | 800℃ | 10시간 | 2×1010Ωㆍcm |
9 | 기판 | 800℃ | 15시간 | 2×1010Ωㆍcm |
10 | 잉곳 | 800℃ | 5시간 | 2×1010Ωㆍcm |
11 | 잉곳 | 800℃ | 10시간 | 2×1010Ωㆍcm |
12 | 잉곳 | 800℃ | 15시간 | 2×1010Ωㆍcm |
13 | 기판 | 900℃ | 5시간 | 1×1010Ωㆍcm |
14 | 기판 | 900℃ | 10시간 | 1×1010Ωㆍcm |
15 | 잉곳 | 900℃ | 5시간 | 1×1010Ωㆍcm |
16 | 잉곳 | 900℃ | 10시간 | 1×1010Ωㆍcm |
17 | 기판 | 1000℃ | 3시간 | 6×109Ωㆍcm |
18 | 기판 | 1000℃ | 5시간 | 6×109Ωㆍcm |
19 | 잉곳 | 1000℃ | 3시간 | 6×109Ωㆍcm |
20 | 잉곳 | 1000℃ | 5시간 | 6×109Ωㆍcm |
표 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시예 Ⅰ의 경우, 비교예보다 훨씬 짧은 시간 내에, 탄탈산 리튬 기판의 표면 정전기를 제거할 수 있는 1011Ωㆍcm 이하의 부피 비저항을 달성할 수 있다. 또한, 환원처리온도가 높아질수록 환원처리시간은 점점 짧아지고, 부피 비저항은 점점 작아지는 것을 알 수 있다.
비교예 Ⅱ 및 실시예 Ⅱ:
상기 환원처리된 잉곳이나 기판을 일반적인 단일분극처리공정에서와 같이 공기 분위기에서 단일분극화하면, 짧은 시간에 재산화반응이 발생하여 부피 비저항이 다시 급격히 증가하게 된다. 표 3에서 알 수 있듯이 비교예 Ⅱ와 같이, 본 발명 조건과 같이 큐리온도 이상에서 환원처리하였다 하더라도, 공기 분위기 하에서 단일분극화한 경우, 부피 비저항이 다시 급격히 증가함을 알 수 있다. 이에 대하여, 본 발명의 실시예 Ⅱ와 같이, 수소와 같은 환원성 분위기 또는 질소와 같은 비활성 기체 분위기에서 단일분극화처리하였을 경우에는, 단일분극화 이전의 부피 비저항이 그대로 유지되고 있음을 알 수 있다.
환원 열처리 조건 | 단일분극화 조건 | ||||||
온도 | 시간 | 부피 비저항 | 분위기 | 온도 | 시간 | 부피 비저항 | |
비교예 Ⅱ | 800℃ | 5시간 | 5×1010Ωㆍcm | 공기 | 650℃ | 3시간 | 4×1014Ωㆍcm |
900℃ | 5시간 | 1×1010Ωㆍcm | 공기 | 650℃ | 3시간 | 4×1014Ωㆍcm | |
실시예 Ⅱ | 800℃ | 5시간 | 5×1010Ωㆍcm | 수소 | 650℃ | 3시간 | 5×1010Ωㆍcm |
900℃ | 5시간 | 1×1010Ωㆍcm | 수소 | 650℃ | 3시간 | 1×1010Ωㆍcm | |
800℃ | 5시간 | 5×1010Ωㆍcm | 질소 | 650℃ | 3시간 | 5×1010Ωㆍcm | |
900℃ | 5시간 | 1×1010Ωㆍcm | 질소 | 650℃ | 3시간 | 1×1010Ωㆍcm |
본 발명의 방법에 의하여 제조된 탄탈산 리튬 잉곳 또는 기판을 통상의 방법으로 가공하여 표면 탄성파 소자용 기판을 만들고 여기에 표면 탄성파 소자를 제조하여 상기 소자의 전기적 특성을 검사한 결과 비저항특성이 우수하여, 단일분극화에 의한 정전기로 인한 영향을 받지 않음을 알 수 있었고, 또한 소자의 수명단축현상이 현저히 줄어드는 것을 확인할 수 있었다.
본 발명방법은 이미 제조된 탄탈산 리튬 단결정이나 기판에 대하여 독립적으로 수행될 수도 있지만, 탄탈산 리튬 단결정의 제조과정 중, 특히 탄탈산 리튬 단결정을 성장시킨 후 상온까지 냉각하는 과정 중에 수행될 수도 있다. 즉, 탄탈산리튬의 녹는 점 온도 부근에서 탄탈산 리튬 단결정을 성장시킨 후, 상온까지 냉각하는 과정 중에 결정성장로 내부에 환원성 분위기를 조성하고 상기 실시예와 같은 온도와 시간을 유지하면 본 발명의 환원된 탄탈산 리튬 단결정 잉곳을 얻을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법에 의하면, 종래의 제조방법에 비하여 환원처리시간이 현저히 감소하여 작업시간이 줄어들 뿐 아니라, 더욱 우수한 탄탈산 리튬 단결정의 전기전도도 내지는 부피 비저항을 얻을 수 있다는 효과가 있다.
이로 인하여, 탄탈산 리튬의 초전특성에 의해 생성되는 정전기를 신속히 제거할 수 있으므로, 표면 탄성파 소자 제조공정에서 발생하는 정전기로 인한 작업 불안정성을 현저히 개선할 수 있다는 장점이 있다.
Claims (4)
- 환원성 분위기 하에서 탄탈산 리튬 단결정 잉곳(ingot) 또는 기판을 탄탈산 리튬의 큐리온도 (Tc) 이상의 온도로 가열하여 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 환원하는 단계와;상기 환원된 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 환원성 분위기 또는 비활성 분위기 하에서 단일분극처리하는 단계와;상기 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 기판을 가공하여 표면 탄성파 소자용 기판으로 제조하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 환원처리된 탄탈산 리튬 단결정 잉곳 또는 탄탈산 리튬 단결정 기판의 부피 비저항이 108~1011Ωㆍcm 인 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 환원성 분위기는, 수소, 일산화탄소, 수증기 등의 환원성 기체나, 흑연을 포함하는 환원성 고체 중에서 선택되는 하나 이상의 기체 및/또는 고체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 비활성 분위기는 질소, 아르곤을 포함하는 비활성 기체나 진공에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0058216A KR100496526B1 (ko) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 |
PCT/KR2003/001958 WO2004030046A1 (en) | 2002-09-25 | 2003-09-25 | Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element |
JP2004539629A JP2005535555A (ja) | 2002-09-25 | 2003-09-25 | 表面弾性波素子用タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 |
AU2003267833A AU2003267833A1 (en) | 2002-09-25 | 2003-09-25 | Method of producing lithium tantalate substrate for surface acoustic wave element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0058216A KR100496526B1 (ko) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040029247A true KR20040029247A (ko) | 2004-04-06 |
KR100496526B1 KR100496526B1 (ko) | 2005-06-22 |
Family
ID=32040925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0058216A KR100496526B1 (ko) | 2002-09-25 | 2002-09-25 | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005535555A (ko) |
KR (1) | KR100496526B1 (ko) |
AU (1) | AU2003267833A1 (ko) |
WO (1) | WO2004030046A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100651760B1 (ko) * | 2004-05-14 | 2006-12-01 | 일진디스플레이(주) | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 기판의 제조방법과 그 기판 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6932957B2 (en) | 2002-06-28 | 2005-08-23 | Silicon Light Machines Corporation | Method and apparatus for increasing bulk conductivity of a ferroelectric material |
TWI346719B (en) | 2003-11-25 | 2011-08-11 | Sumitomo Metal Mining Co | Lithium niobate substrate and method of producing the same |
US7153487B2 (en) | 2004-05-25 | 2006-12-26 | Crystal Technology, Inc. | Using condensed chemicals to precondition lithium niobate and lithium tantalate crystals |
US7728697B2 (en) | 2006-09-26 | 2010-06-01 | Mg Materials Corporation | Systems and methods for electrically reducing ferroelectric materials to increase bulk conductivity |
CN108624961B (zh) * | 2018-05-29 | 2020-06-30 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种钽酸锂黑片的回收再利用方法 |
JP7099203B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-07-12 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム基板の製造方法 |
JPWO2022176689A1 (ko) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60246299A (ja) * | 1985-04-22 | 1985-12-05 | Toshiba Corp | タンタル酸リチウム単結晶ウエハーの製造方法 |
JPS63218596A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-12 | Hitachi Metals Ltd | 光透過性に優れたリチウムタンタレ−ト単結晶およびその製造方法 |
JP3261594B2 (ja) * | 1992-04-24 | 2002-03-04 | 日立金属株式会社 | タンタル酸リチウム単結晶、単結晶基板および光素子 |
JPH06250399A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 焦電性を有する物質の熱処理方法及び装置 |
JP3724509B2 (ja) * | 1993-04-05 | 2005-12-07 | 信越化学工業株式会社 | 光用LiTaO3単結晶およびその製造方法 |
JPH10270977A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | 表面弾性波素子 |
US6319430B1 (en) * | 1997-07-25 | 2001-11-20 | Crystal Technology, Inc. | Preconditioned crystals of lithium niobate and lithium tantalate and method of preparing the same |
JP3712035B2 (ja) * | 1999-04-28 | 2005-11-02 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置の製造方法 |
JP2002226299A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-08-14 | Toshiba Corp | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
-
2002
- 2002-09-25 KR KR10-2002-0058216A patent/KR100496526B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-09-25 WO PCT/KR2003/001958 patent/WO2004030046A1/en active Application Filing
- 2003-09-25 JP JP2004539629A patent/JP2005535555A/ja active Pending
- 2003-09-25 AU AU2003267833A patent/AU2003267833A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100651760B1 (ko) * | 2004-05-14 | 2006-12-01 | 일진디스플레이(주) | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 기판의 제조방법과 그 기판 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100496526B1 (ko) | 2005-06-22 |
WO2004030046A1 (en) | 2004-04-08 |
AU2003267833A1 (en) | 2004-04-19 |
JP2005535555A (ja) | 2005-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3938147B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
JP4063191B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
KR101213411B1 (ko) | 탄탈산 리튬 기판 및 그 제조방법 | |
US6319430B1 (en) | Preconditioned crystals of lithium niobate and lithium tantalate and method of preparing the same | |
KR100496526B1 (ko) | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 | |
JP2005119907A (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
KR100496527B1 (ko) | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 | |
KR100651760B1 (ko) | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 기판의 제조방법과 그 기판 | |
JP2019112267A (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
JP7099203B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
EP3366816B1 (en) | Method for producing lithium niobate single crystal substrate | |
JP2004328712A (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
KR100489548B1 (ko) | 표면 탄성파 소자용 기판의 제조방법 및 그 기판 | |
US6338804B1 (en) | Method for removing conductive portions | |
JP2006321683A (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JP2007176715A (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
KR950000646B1 (ko) | LiTaO₃단결정의 단일 분역화 방법 | |
JP2004152870A (ja) | 圧電基板の製造方法、圧電基板及び表面波装置 | |
JP2004315316A (ja) | 単一分極化されたタンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
EP3312313A1 (en) | Lithium niobate single crystal substrate and method for producing same | |
EP3312312A1 (en) | Lithium niobate single crystal substrate and method for producing same | |
SU1068554A1 (ru) | Способ термообработки полупроводников и устройство дл его осуществлени | |
WO2006051610A1 (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JPH01260709A (ja) | 耐熱性配線板 | |
JPS60149134A (ja) | プラズマエツチング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080613 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |