KR20040016209A - 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents

픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040016209A
KR20040016209A KR1020020048470A KR20020048470A KR20040016209A KR 20040016209 A KR20040016209 A KR 20040016209A KR 1020020048470 A KR1020020048470 A KR 1020020048470A KR 20020048470 A KR20020048470 A KR 20020048470A KR 20040016209 A KR20040016209 A KR 20040016209A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
emission characteristics
measuring
contact hole
forming
anode electrodes
Prior art date
Application number
KR1020020048470A
Other languages
English (en)
Inventor
임성실
손민수
Original Assignee
주식회사 엘리아테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘리아테크 filed Critical 주식회사 엘리아테크
Priority to KR1020020048470A priority Critical patent/KR20040016209A/ko
Publication of KR20040016209A publication Critical patent/KR20040016209A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

소자 제작시, 기판 가장 자리에 R/G/B 라인 별로 발광 특성 측정용 패드를 형성하여 각 라인마다 해당 구동 전류를 인가할 수 있도록 함으로써, 각 라인별로 R/G/B픽셀의 정확한 발광 특성 측정이 가능하다.
이를 위해 본 발명은 기판 가장자리에 적어도 하나 이상의 발광 특성 측정용 양극 전극을 형성하고, 양극 전극 상부에 절연체를 도포한 후, 도포한 절연체에 콘택트 홀(contact hole)을 R, G, B 발광 픽셀 라인 단위로 패터닝한 다음, 도포한 절연체 상부에 양극 전극 방향으로 다수의 격벽을 형성하되, 콘택트 홀을 격벽과 격벽 사이에 적어도 하나 이상 위치되도록 형성하고, 마지막으로 상기 다수의 콘택트 홀이 형성된 절연체 및 상기 다수의 격벽 상부에 금속 층을 증착하도록 한다.

Description

픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법{Method for manufacturing Organic Electro Luminescent Display Device for measuring light emitting property of pixel}
본 발명은 소자 제작시 기판 가장 자리에 R/G/B 라인 별로 발광 특성 측정용패드를 형성하여 각 라인마다 해당 구동 전류를 인가할 수 있도록 함으로써, 상기 각 라인별로 R/G/B픽셀의 정확한 발광 특성 측정이 가능하도록 한 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 전계 발광 표시 소자의 특성 측정에 있어서, 풀 칼라의 경우에는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상부에 R/G/B 서브 픽셀로 이루어진 세로 방향의 라인(11, 12, 13)(이하 "R/G/B 라인"으로 약칭함)이 순서대로 반복해서 다수개 형성되어 있는 경우, 이러한 R/G/B 라인은 각각의 발광 효율차이로 인해 구동 시 다른 구동 전류에 의해 구동을 하여 그 특성을 측정받게 되는데, 주로 사용되는 평가 방법으로는 다핀 프로브 방식(multiple pin probe method)이 있다.
이 방법에 따르면, 서브 픽셀의 신호 입력 단자에 각기 독립적으로 프로브를 접촉하여 드라이버 IC로부터의 입력 신호와 등가인 전기 신호를 입력함으로써 행하여진다.
하지만 이 방법은 다음에 기술하는 몇 가지 문제점이 있다.
우선, 다핀 프로브는 고가이고, 그 제조에 많은 시간이 필요하며, 화소수 1024열 ×768행을 갖는 서브 픽셀에 있어서는, 예컨대 적어도 3840개의 신호가 입력되는 배선을 필요로 하기 때문에, 서브 픽셀의 발광 특성 측정을 위해서는 대략 4000개의신호 입력 단자에 접촉할 수 있는 프로브를 필요로 한다.
또한, 검사의 안정성에도 문제가 있다. 즉, 최근 서브 픽셀의 대형·고선명화에 수반하여, 프로브 개소가 증대하고 그들의 밀도가 고밀도화되고 있기 때문에, 프로브의 전기적 접촉이 불안정하게 되어, 입력될 신호가 몇몇 신호 입력선을 통하여 전송되지 않아 이러한 배선과 결합된 측정 화면이 표시되지 않아 측정 효율을 현저히 저하시킨다.
아울러, 서로 인접한 프로브 사이의 간격이 작기 때문에, 측정 안정성이 저하될 뿐만 아니라, 다품종에 대응할 수 없기 때문에, 비용의 증대와 측정 효율의 저하를 초래하고, 각 품종의 사양의 차이로 인해 프로브 배치에 관한 품종간의 공통화가 곤란하여 품종마다 프로브 세트를 준비하여야 하는 문제점을 가지고 있다.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해소시키기 위한 것으로, 소자 제작시 기판 가장 자리에 R/G/B 각각의 라인에 대응되는 발광 특성 측정용 패드를 형성하여 상기 R/G/B 각각의 라인에 별도의 구동 전류 소스를 인가할 수 있도록 한 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 발명은 기판 가장자리에 적어도 하나 이상의 발광 특성 측정용 양극 전극을 형성하고, 형성한 양극 전극 상부에 절연체를 도포한 후, 도포한 절연체 상부에 콘택트 홀(contact hole)을 패터닝한 다음, 상기 양극 전극과 수직하는 방향으로 다수의 격벽을 형성하되, 콘택트 홀을 격벽과 격벽 사이에 적어도 하나 이상 위치되도록 형성하고, 마지막으로 상기 다수의 콘택트 홀이 형성된 절연체 및 격벽 상부에 금속 층을 증착하도록 한다.
도 1은 일반적인 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법에 따라 제작된 패널을 도시한 도면이고,
도 2a 내지 도 2c는 본 발명인 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법을 도시한 공정 순서도이고,
도 3은 본 발명에 따라 제작된 패널을 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
20 : 기판 21 : 양극 전극
22 : 발광 특성 측정용 양극 전극 23 : 절연층
24 : 콘택트 홀 25 : 음극 전극 분리 격벽
26 : 양극 전극 분리 격벽
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.
먼저 본 발명의 유기 전계 발광 표시 소자 제조 방법은 기판 가장자리 즉,기존 유기 전계 발광 표시 소자의 패드 형성 부위(pad structure)에 스트라이프( stripe) 형태로 복수의 발광 특성 측정용 양극 전극을 형성한다.
이 때, 풀 칼라 소자의 R/G/B 발광 특성 측정을 위해 3개의 양극 전극 즉, R 발광 특성 측정용 양극 전극(이하 "R 전극"으로 약칭함), G 발광 특성 측정용 양극 전극(이하 "G 전극"으로 약칭함), B 발광 특성 측정용 양극 전극(이하 "B 전극"으로 약칭함)단위로 복수개 형성하는 것이 바람직하다.
그리고, 형성할 복수의 R, G, B양극 전극들은 데이터 구동 신호가 인가되는 기존의 양극 전극 형성 공정시에 동일한 전극 재료를 이용하여 같이 형성하는 것이 바람직한데, 전극 재료로는 주로 크롬이나 몰리브덴, 알루미늄 금속 등을 이용한다.
다음, 상기 발광 특성 측정용 양극 전극들이 형성되면, 형성된 발광 특성 측정용 양극 전극 상부에 절연체를 도포한 후, 도포한 절연체에 포토 공정을 통해 콘택트 홀(contact hole)을 형성하는데, 이 때, 상기 콘택트 홀은 복수의 R, G, B전극들마다 상호 인접되지 않게 하나씩 패터닝하여 형성하는 것이 바람직한데, 즉, 상기 절연체가 도포된 영역 중 R, G, B전극과 전기적으로 연결하고자 하는 부위마다 콘택홀을 형성하되 간섭 현상의 방지를 위해 스캔 라인 방향으로 상호간에 인접되지 않도록 패터닝하는 것이 바람직하다.
그러면, 복수의 R 양극 전극과 전기적으로 연결하고자 하는 부위마다 데이터 라인 방향으로 다수개의 콘택트 홀이 형성되고, 마찬가지로 복수의 G, B 양극 전극과 전기적으로 연결하고자 하는 부위마다 데이터 라인 방향으로 다수개의 콘택트홀이 각기 형성된다.
다음, 콘택트 홀이 형성되면 절연체 상부에 상기 발광 특성 측정용 양극 전극 방향과 수직한 방향으로 다수의 격벽을 형성한다.
예컨대, 제 1 격벽과 제 2 격벽 사이에 R 양극 전극과 전기적으로 연결되는 콘택트 홀이 위치되도록 상기 제 1 격벽과 제 2 격벽을 형성하고, 이와 동일한 방법으로 제 2 격벽과 제 3 격벽 사이에 G 양극 전극과 전기적으로 연결되는 콘택트 홀이, 제 3 격벽과 제 4 격벽 사이에는 B 양극 전극과 전기적으로 연결되는 콘택트 홀이, 위치되도록 형성한다.
한편, 상기 격벽 형성은 기존 유기 전계 발광 표시 소자에서 음극 전극들간을 분리하기 위해 필요한 음극 전극 분리 격벽 형성 공정시에 동일한 격벽 재료를 이용해 같이 형성되도록 하는 것이 바람직하다.
다음, 절연체 상부에 다수의 격벽이 형성되면 상기 다수의 콘택트 홀이 형성된 절연체 및 상기 다수의 격벽 상부에 금속 층을 증착하는데, 상기 금속층 증착은 기존 유기 전계 발광 표시 소자의 음극 전극 형성시에 사용되는 금속과 동일한 물질을 이용해 같이 이루어지도록 하는 것이 바람직하며, 주로 알루미늄을 사용한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도 2a 내지 도 2c와, 도 3을 참조하여 설명한다.
먼저 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(20) 상부에 데이터 구동 신호가 인가되는 복수개의 양극 전극(21)을 형성하는데, 특히, 기판의 가장 자리 중 기존 유기 EL 소자의 패드 형성 부위(pad structure)에 3개의 발광 특성 측정용 양극 전극들이 각기 기존 유기 EL 소자의 양극 전극들과 일체로 형성되어 있다.
이를 위해, 상기 3개의 R, G, B 양극 전극은 도 2a에 도시한 바와 같이, 데이터 구동 신호가 인가되는 양극 전극 형성 공정시에 동일한 전극 재료를 사용하여 형성하는데, 전극 재료로는 크롬이나 몰리브덴 또는 알루미늄을 주로 사용한다.
다음, 상기 R, G, B양극 전극들이 형성되면, 그 양극 전극(21)과 기판(20)상부에 절연체(22)를 도포한 후, 도포한 절연체에 포토 공정을 통해 다수의 콘택트 홀(contact hole)(23)을 형성한다(도 2b).
이 때, 도 2b에 도시한 바와 같이, 상기 다수의 콘택트 홀을 R, G, B 양극 전극 방향으로 하나씩 패터닝하여 형성하되, 절연체와 R 양극 전극을 전기적으로 연결하는 부위와, 절연체와 B 양극 전극을 전기적으로 연결하는 부위는 인접되지 않게 형성하고, 이와 동일한 방법으로 G/B 양극 전극에 형성하는 콘택트 홀 역시 상호 인접되지 않게 형성한다(도 2b).
다음, 콘택트 홀(23)이 형성되면, 절연체(22) 상부에 상기 발광 특성 측정용 양극 전극 방향과 수직한 방향으로 다수의 양극 전극 분리 격벽(25)을 형성한다(도 2c).
예컨대, 제 1 격벽과 제 2 격벽 사이에는 R 양극 전극과 전기적으로 연결되는 콘택트 홀이 위치되도록 상기 제 1 격벽과 제 2 격벽을 형성하고, 이와 동일한 방법으로 제 2 격벽과 제 3 격벽 사이에는 G 양극 전극과 전기적으로 연결되는 콘택트 홀이, 제 3 격벽과 제 4 격벽 사이에는 B양극 전극과 전기적으로 연결되는 콘택트 홀이, 위치되도록 형성한다.
한편, 상기 격벽 형성은 도 2c에 도시된 바와 같이 음극 전극 분리 격벽(24) 형성 공정시에 같이 이루어지며 사용되는 격벽 재료 역시 동일한 격벽 재료를 사용하는데, 주로 네거티브 포토 레지스트(negative PR)를 사용한다.
다음, 음극 전극 분리 격벽(24)과 발광 특성 측정용 양극 전극(25)을 분리하기 위한 격벽이 형성되면 상기 음극 전극 분리 격벽(24)이 포함된 패널 영역에만 유기막을 증착한 후, 알루미늄과 같은 금속을 기판 상면에 전체적으로 도포하여 음극 전극인 금속층을 형성하여 본 발명의 제조 방법을 종료한다.
한편, 도 3은 본 발명의 제조 방법에 따라 제작된 유기 전계 발광 표시 소자를 도시한 도면인데, 이에 도시한 바와 같이 기판(20) 상부는 크게 패널 영역(31)과, 패드 회로부(32)로 크게 나누어진다.
그리고, 특히 상기 패드 회로부(32)는 다수의 콘택홀들이 R/G/B 양극 전극(21)단위로 하나씩 형성되되, 각 라인마다 하나씩 형성된 콘택홀들은 간섭 현상(crosstalk)방지를 위해 상호 인접되지 않아서, 각 양극 전극별로 R/G/B 발광을 위한 해당 구동 전류 소스를 달리 인가할 수 있고, 이에 따라 상기 각 라인에 연결된 해당 픽셀의 발광 특성을 좀 더 정확하게 측정할 수 있게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 표시 소자 제조 방법은 소자 제작시 기판 가장 자리에 R/G/B 각각의 라인에 대응되는 테스트용 패드를 형성하여 상기 R/G/B 각각의 라인에 별도의 전류 소스를 인가할 수 있도록 함으로써 사용자가 원하는 바에 따라 각 라인에 연결된 서브 픽셀의 정확한 발광 특성을 측정할 수 있도록 하는 효과가 있다.
본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (6)

  1. 기판 가장자리에 복수의 발광 특성 측정용 양극 전극을 형성하는 제 1 단계와;
    상기 복수의 발광 특성 측정용 양극 전극과 기판 가장 자리 상부에 절연체를 도포하는 제 2 단계와;
    상기 복수의 발광 특성 측정용 양극 전극 각각에 적어도 하나 이상의 콘택홀을 형성하는 제 3 단계와;
    상기 도포한 절연체 상부에 상기 양극 전극과 수직하는 방향으로 다수의 격벽을 형성하되, 상기 격벽과 격벽 사이마다 콘택홀이 적어도 하나 이상 위치되도록 형성하는 제 4 단계와;
    상기 콘택트 홀이 형성된 절연체와 상기 격벽 상부에 금속 층을 증착하는 제 5 단계로 이루어진 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계는;
    상기 발광 특성 측정용 양극 전극을 데이터 구동 신호가 인가되는 양극 전극 형성시에, 동일한 전극 재료를 이용해 같이 형성하는 것을 특징으로 하는 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 4 단계는;
    상기 격벽을 스캔 구동 신호가 인가되는 음극 전극들간을 분리하기 위한 음극 전극 분리 격벽 형성시에, 동일한 격벽 재료를 사용하여 같이 형성하는 것을 특징으로 하는 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계는;
    상기 금속층을 스캔 구동 신호가 인가되는 음극 전극 형성시에, 동일한 전극 재료를 이용해 같이 형성하는 것을 특징으로 하는 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  5. 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 전극 재료는;
    알루미늄인 것을 특징으로 하는 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 발광 특성 측정용 양극 전극은;
    R/G/B 발광 특성 측정용 양극 전극 3개로 이루어지고,
    상기 제 3 단계는;
    상기 콘택홀을 R/G/B 라인마다 하나씩 형성하되, 해당 발광 특성 측정용 양극 전극과 연결되게 형성하는 것을 특징으로 하는 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
KR1020020048470A 2002-08-16 2002-08-16 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 KR20040016209A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020048470A KR20040016209A (ko) 2002-08-16 2002-08-16 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020048470A KR20040016209A (ko) 2002-08-16 2002-08-16 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040016209A true KR20040016209A (ko) 2004-02-21

Family

ID=37322259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020048470A KR20040016209A (ko) 2002-08-16 2002-08-16 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040016209A (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960029860A (ko) * 1995-01-20 1996-08-17 김광호 폴리 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부 및 그 제조방법
KR20000012919A (ko) * 1998-08-03 2000-03-06 윤종용 액정 패널
JP2000155302A (ja) * 1998-11-24 2000-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の検査方法およびその検査装置
JP2000276073A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Toshiba Corp 平面表示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960029860A (ko) * 1995-01-20 1996-08-17 김광호 폴리 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부 및 그 제조방법
KR20000012919A (ko) * 1998-08-03 2000-03-06 윤종용 액정 패널
JP2000155302A (ja) * 1998-11-24 2000-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の検査方法およびその検査装置
JP2000276073A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Toshiba Corp 平面表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7503821B2 (en) Mother glass and method of fabricating organic electro luminescence display device using the same
CN213212167U (zh) 显示基板、显示装置
CN108335639B (zh) 一种led显示装置
JP4490820B2 (ja) 電気装置および電気装置を製作する方法
WO2021227713A1 (zh) 阵列基板、其检测方法及拼接显示面板
CN100421281C (zh) 有机电致发光显示装置
KR100870615B1 (ko) 유기 el 패널 및 그의 결함 검사방법
CN110867151B (zh) 显示母板、显示面板及电子泄漏的测试方法
KR20040016209A (ko) 픽셀 발광 특성 측정용 유기 전계 발광 소자의 제조 방법
KR100437656B1 (ko) 테스트 배선을 갖는 유기 el 소자
US7497755B2 (en) Apparatus for testing electroluminescent display
US20230096055A1 (en) Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof
CN111384142B (zh) 显示基板及其制备方法和显示装置
US7816850B2 (en) Display device including gas discharge tubes, and method of manufacturing display device
KR100591165B1 (ko) Oled패널의 품질분석용 전류측정장치
CN111105740B (zh) 显示器电路结构、显示器以及拼接式显示器
KR20030095427A (ko) 플라즈마 디스플레이 패널
KR101066516B1 (ko) 유기발광 다이오드 표시 소자의 테스트 장치
KR100606413B1 (ko) 모기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시소자의 제조방법
CN112151690B (zh) 有机发光二极管及其制备方法、显示面板及显示装置
KR101054346B1 (ko) 유기 전계 발광 표시소자의 보조전극 형성방법
KR100288082B1 (ko) 전계방출소자
CN117809537A (zh) 一种显示测试装置及其测试方法
CN114973988B (zh) 像素结构、显示面板及显示终端
CN117897008A (zh) 显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee