KR20040014424A - 열적 향상 미세회로 패키지와 그 제조 방법 - Google Patents

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럼프레이몬드
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Abstract

열적 향상 미세회로 패키지는 미세회로 장치를 수용하는 미세회로 장치공을 갖는 미세회로를 포함한다. 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈은 미세회로 패키지에 작동상 연결되고 증발기와 응축기 사이에 증기와 액체를 통과시키고 냉매를 증발시키고 응축시키기 위한 증발기와 응축기 및 상호연결 냉매 경로를 갖는 모세 펌프 순환 냉각회로를 형성한다.

Description

열적 향상 미세회로 패키지와 그 제조 방법{THERMALLY ENHANCED MICROCIRCUIT PACKAGE AND METHOD OF FORMING SAME}
군용 및 진보한 상업 시스템 수요에 사용된 보다 진보한 전자 반도체와 미세회로 장치가 기술 분야 및 다중 적용을 위한 간결한 전자 장치를 진보시켰다. 스위치로 사용된 전력 트렌지스터는 고 열유속 적용을 필요로 하고 전송/수신 모듈은 등온 유지를 필요로 한다. 과거에 적용되었던 열 관리 접근방식 중 다수가 더 이상 이러한 유형의 요구 적용에 작동할 수 없다. 이는 특히 상업적 그리고 군사적 장치에 사용되는 진보한 항공기 시스템과 관련된다.
새로운 미세회로 설계는 보다 조종할 수 있는 항공기와, 고 동력과 밀도의 항공 전자 공학, 보다 스텔스 같은 항공기에 사용을 위하여 채택된다. 이러한 진보한 전자 시스템은 고열을 발생시키고 효율적 동작을 위하여 차게 유지되어야 한다.
알려진 시스템은 열을 낮추기 위한 다양한 유형을 사용한다. 이러한 시스템은 유체 시스템, 비효율적인 기계 펌프, 그리고 비효율적인 공조 냉각 시스템 내에서 높은 부동의 손실을 가지므로, 폭넓은 열 감소 장치의 사용을 요구한다. 또한,가변 위치/ 가변 압력의 유체역학적 시스템의 늘어나는 사용에 따라, 보다 창의적인 열 감소 장치와 열 응축기가 고안되고 사용되어왔다. 예를 들어, 몇몇 플라스틱 또는 세라믹 캡슐 장치는 노출된 뒷면을 갖는 구리판 열 감소 장치를 갖는다. 열은 구리선 내의 전도에 의하여 부착된 PCB에 도선을 통하여 전달된다. 큰 집적 미세회로 시스템은 이러한 열 감소 장치에서 작동하나, 항상 적당한 것은 아니다.
항공기 내의 복잡하고 더 작은 "신호 범위" 전자장치와 전자적 제어 시스템 수의 증가로 인하여, MEA 장치(예를 들어, 엔진 IS/G 및 안정기 작동기)를 위하여 새로이 집중되는 열 부하와 보다 거친 환경이 있다. 또한 MEA 및 유사 장치의 중량과 부피를 줄이기 위한 열적 시도가 늘어나고 있다. 이는 (a) 진보한 냉각 배치 기술; (b) 향상된 열 전달 기술; (c) 미세-냉각 기술; (d) 고 열유속 적용을 위한 패키지 개념; (e) 저 손실/고온 전력 반도체; 및 (f) 고온 모터/발전기로부터 시도된다. 고 열유속과 고 밀도 패키지를 위한 이러한 향상된 열전달 필요조건은 더 진보된 냉각 시스템이 집적회로의 집적냉각을 위한 각 집적회로에 직접 적용될 것을 요한다. 폐루프 시스템은 더 진보한 시스템 내에 필요하고, 각 요소에 대하여, 자체에 포함되어야 하고, 더 큰 시스템 적용에 의존하지 않아야 한다.
본 발명은 반도체와 미세회로 장치의 냉각 장치와 연관되며, 특히 본 발명은 향상된 냉각을 하는 미세회로 패키지와 연관된다.
본 발명은 첨부 도면을 바탕으로 실시예를 통하여 기술될 것이다.
도 1은, 볼 격자 배열 패키지로서 형성되고, 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈이 부착된, 본 발명의 열적 향상 미세회로 패키지의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 열적 향상 미세회로 패키지를 검사하기 위한 검사 구조의 개략적인 사시도이다.
도 3은 도 1의 열적 향상 미세회로 패키지의 작동 요소를 도시하는 블럭도이다.
도 4는 도 1에 도시된 것과 같은 열적 향상 미세회로에 대한 상세값들의 비제한적인 예이다.
도 5는, 도 1에 도시된 것과 같이, 최대 열전달에 대 열적 향상 미세회로 패키지 예의 최대 액체/증기선 길이를 도시한 그래프이다.
도 6은 도 1에 도시된 열적 향상 미세회로의 확대된 개략적인 단면도이다.
도 7 내지 도 12는 실리콘 내에 상호연결 냉매 경로, 증발기 및 응축기를 가공하기 위한 단계의 흐름을 도시한 도해이다.
도 13 내지 도 16은 유리 덮개판 내의 심지 구조의 가공을 나타낸 도해이다.
도 17a는 열적 향상 미세회로 패키지의 제 1실시예에 따라서, 증발기, 응축기 및 증발기와 응축기 사이에 증기와 액체가 통과하기 위한 상호연결 냉매 경로가 나타난 실리콘 베이스, 즉, 실리콘 웨이퍼의 개략적인 사시도이다.
도 17b는 유리 웨이퍼와 실리콘 웨이퍼 사이의 관계와 증발기에서의 저장기의 사용을 도시한 도 17a의 미세회로 패키지의 개략적인 단면도이다.
도 18a 및 도 18b는 도 17a 및 도 17b와 유사하지만, 응축기의 작동하는 채움선을 도시하고, 회로의 온도 검사를 위하여 사용되는 열전쌍을 포함하는 열전쌍 웰이 추가된 도면이다.
도 19는 증발기가 응축기와 상호연결 냉매 경로와 비교하여 다른 구조층 내에 형성된 열적 향상 미세회로 패키지의 다른 실시예이다.
본 발명은 첨부 도면을 참고로 기술될 것이다. 같은 참조 번호는 같은 요소를 나타낸다.
본 발명의 목적은, 반도체 전력 트랜지스터와 같은, 미세회로 장치에 집적 냉각을 제공하는 보다 효율적이고 열적으로 향상된 미세회로 패키지를 제공하고, 미세회로 장치에 집적 냉각을 제공하는 열적으로 향상된 미세회로 패키지를 제공하는 것이다.
본 발명은 미세회로 장치공을 구비한 미세회로 패키지와 상기 미세회로 장치공 내에 수용되는 미세회로 장치 및 상기 미세회로 패키지에 작동상 연결된 미세 전자기계 시스템(MEMS) 냉각 모듈로 구성된 열적 향상 미세회로 패키지에 있어서, 상기 냉각 모듈은 증발기, 응축기 및 상기 증발기와 응축기 사이에 증기와 액체를 통하도록 하고 증발시키며 냉매를 응축하기 위한 상호연결 냉매 경로를 구비한 모세 펌프 순환 냉각회로를 포함하고, 상기 증발기는 사용시 상기 미세회로 장치를 냉각하기 위하여 상기 미세회로 장치와 작동상 연관되어 있는 열적 향상 미세회로 패키지를 포함한다.
바람직하게, 열적 향상 미세회로 패키지는 미세회로 장치공을 구비한 미세회로 패키지를 포함하는데, 상기 미세회로 장치공은 미세회로 장치를 수용한다. 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈은 작동상 미세회로 패키지에 연결된다. 이러한 냉각 모듈은 증기와 액체를 증발기와 응축기 사이에 통과시키고 냉매를 증발 및 응축시키기 위한 증발기, 응축기 및 상호연결 냉매 경로를 갖는 모세 펌프 순환 냉각회로를 포함한다. 증발기는 사용중에 그 장치를 냉각시키기 위한 미세회로 장치와 작동상 연관된다.
본 발명의 일면에서, 모세 펌프 순환 냉각회로는 실리콘 베이스, 즉 실리콘 웨이퍼, 위에 형성되고, 실리콘 베이스 내에 형성된 증발기, 응축기 및 상호연결 냉매 경로를 포함한다. 본 발명의 다른 면에서, 증발기는 최소한 미세회로 패키지 내의 부분에 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 면에서, 열적 향상 미세회로 패키지는 저온 동시소성 세라믹(LTCC)으로부터 형성된 볼 격자 배열 패키지이고, 기술 분야의 통상의 지식을 갖는 자에게 알려진, 볼 격자 배열을 갖고, 미세회로 장치를 수용하는 미세회로 장치공을 갖는데, 기술 분야의 통상의 지식을 갖는 자에게 알려진 기술에 의하여, 절연 게이트 쌍극 트렌지스터(IGBT) 및 볼 격자 배열에 부착된 리본일 수 있다. 냉매 저장기는 작동상 증발기와 연결된다. 심지 구조는 본 발명의 일면에서 증발기 내에 형성된다. 증발기와 응축기는 복수의 홈을 가질 수 있고, 각각이 대략 25 내지 대략 150 마이크로미터의 높이와 폭을 갖는다. 냉매 경로는 또한 복수의 증기선과 복수의 액체선으로서 형성될 수 있고, 각각이 상기 높이와 폭보다 실질적으로 더 큰 길이를 갖는다.
본 발명은 또한 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈을 형성하는 방법으로 다음의 단계를 포함한다.
상기 방법은 실리콘 웨이퍼와 응축기, 증발기 및 미세회로 패키지에 부착을 위하여 형성된 상호연결 냉매 경로를 형성하기 위하여 실리콘 웨이퍼 위에 증착된 산화물층의 깊은 반응성 이온 식각 단계(DRIE)를 포함하고, 상기 깊은 반응성 이온 식각 단계는 통과공을 형성하는 제 1 깊은 반응성 이온 식각 단계와, 증발기와 응축기를 포함하고, 실리콘 웨이퍼를 형상화하는 증착 산화물층을 플라즈마 식각하는 단계를 포함하는, 냉매 경로를 형성하기 위한 제 2 깊은 반응성 이온 식각 단계로 구성된다.
편리하게, 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈을 형성하는 방법은 또한 알려져 있고, 실리콘 웨이퍼, 그 위에 부착된 산화물층의 깊은 반응성 이온 식각의 단계로구성되어, 응축기, 증발기 및 집적회로 패키지에 부착을 위하여 형성된 상호연결 냉매 경로를 형성한다. 이 단계는 통과공을 형성하는 제 1 깊은 반응성 이온 식각 단계와 증발기 및 응축기를 포함하여 냉매 경로를 형성하는 제 2 깊은 반응성 이온 식각 단계를 포함할 수 있다.
본 발명은 열적 향상 미세회로 패키지(20a)와 연관되고, 바람직하게는 미세회로 장치를 패키지하는데 사용되는 예시된 볼 격자 배열 패키지와 같은 미세회로 패키지(22)에 작동상 연결되는 미세 전자기계 시스템(MEMS) 냉각 모듈(20)을 제공한다. 그러한 장치의 예는 절연 게이트 쌍극 트렌지스터(IGBT)(24)이다. 냉각 모듈(20)은 상기 패키지의 미세회로 장치공(28) 내에 수용되는 미세회로 장치에 집적 냉각을 제공하는 모세 펌프 순환회로(26)를 갖고, 실시예에서, 볼 격자 배열 패키지로서 형성된다. 미세회로 패키지는 여기에서 볼 격자 배열 패키지로 기술되나,전자 장치 패키지의 다른 형태가 본 발명에 사용될 수 있다.
볼 격자 배열 패키지(22)는 일면에서 저온 동시소성 세라믹(LTCC) 물질로부터 생성되고, 미세회로 장치공(28)을 포함하고 절연 게이트 쌍극 트렌지스터(24)의 형성 내에 미세회로 장치를 수용한다.
절연 게이트 쌍극 트렌지스터는 1000암페어까지 전류가 상승할 수 있는 강한 트렌지스터이다. MOSFET과 쌍극 트렌지스터는 결합하여 IGBT를 형성한다. 전류 흐름은 전위차가 게이트로부터 떨어진 양극으로 충전된 정공을 밀어내는 전장을 형성하는 금속 게이트에 전위차의 적용에 의하여 가능하다. 동시에, 그것은 전자를 끌어당겨서 전류의 흐름을 통한 N-채널을 형성한다. IGBT의 부분으로 형성된 P-N-P 쌍극 트렌지스터 내에서, 소량의 제어 전류가 베이스에 전자를 추가하고, 이미터로부터 정공을 끌어당긴다. 이러한 정공은 이미터로부터 집전극으로 흐르고 큰 작동 전류를 형성한다. 제어 전위차가 MOSFET에 적용되고 작동 전류를 수립하고, 교대로 IGBT의 일부를 형성하는 P-N-P 쌍극 트랜지스터의 베이스에 제어 전류로서 적용된다. 이 제어 전류는 쌍극 트렌지스터에 흐르는 더 큰 작동 전류를 허용한다. 그리하여, IGBT의 작동 전류는 MOSFET과 쌍극 트렌지스터 양쪽의 결합 작동 전류이고, 작동 전류 및 전위차 대 제어 전류 및 전위차의 비율에 따라서, 이러한 유형의 장치가 대략 1,000만의 전력 게인을 갖도록 한다. 이 게인은 이 장치가 IGBT 전력 장치와 같은 전력 장치를 형성하는 다른 회로에 단일 칩으로 형성된 미세 전자회로에 연결하도록 한다.
볼 격자 배열 패키지(22)는 납과 주석 합금 또는 다른 알려진 물질로부터 형성된 볼 격자 배열(30)을 포함하고, 세라믹 물질의 사용을 포함하여, 저온 동시소성 세라믹과 같은, 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자에게 알려진 볼 격자 배열 가공 기술을 사용한다. 절연 게이트 쌍극 트렌지스터(24)는 리본 본드(24a) 또는 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자에게 알려진 다른 결합 기술에 의하여 볼 격자 배열(30)에 리본 결합될 수 있다. 예를 들어, 절연 게이트 쌍극 트렌지스터는 기술 분야의 통상 지식을 갖는 자에게 알려진 것처럼, 결합되고 회로 연결된 후면을 갖는 장치 구조의 일부가 될 수 있다.
본 발명은 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈(20)이 도 1 및 도 6에 도시된 바와 같이 볼 격자 배열 패키지(22)에 작동상 연결된다. 이 냉각 모듈은 증발기와 응축기 사이에 증기 및 액체를 전달하고 증발시키고 냉매를 응축시키기 위한 증발기(40), 응축기(42), 및 상호연결 냉매 경로(44)를 구비하는 모세 펌프 순환회로(26)를 포함한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈(20)의 기본 구성요소는 응축기(42)와 증발기(40)를 포함하고, 증발 모세 펌프로서 작동한다. 증발기(40)는 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자에게 알려진 심지 효과에 의하여 작동 동안 심지 액체 내에 조성하는 심지 구조(46)를 포함한다. 상호연결 냉매 경로(44)는 복수의 증기선(47)과 복수의 액체선(48)으로서 형성되고, 도 17a 및 도 17b의 개략적인 사시도에 나타난 바와 같이, 각각이 그 폭과 높이보다 실질적으로 더 큰 길이를 갖는다. 액체 저장기(50)는 증발기(40)와 함께 작동할 수 있고, 도 3에 도시된 바와 같이, 저장기 공급선(52)에 의하여 증발기에 연결된다. 열은 미세회로장치로부터, 즉 절연 게이트 쌍극 트렌지스터로부터, 끌어내지고, 증기선(47)을 경유하여 응축기(42)로 귀환하고, 모세 펌프 작용에 의하여, 심지 구조(46)에 의하여 조성되어, 증기를 응축하여 다시 증발기에 액체로 되돌아간다.
본 발명의 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈(20)은 실리콘 베이스, 즉 실리콘 웨이퍼, 내에 표준 미세회로 가공에 의하여 형성될 수 있다. 모듈(20)은 실리콘 베이스(53) 위로 유리 덮개(54)를 갖고, 본 발명의 일면인 도 17b 및 도 18b에 도시된 바와 같이, 증발기(40), 응축기(42), 상호연결 냉매 경로(44)를 에워싼다.
도 7 내지 도 12는 실리콘 내의 이러한 요소들을 가공하는 단계를 도시한 기본 구조도를 나타낸다. 도 7에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(53)는 2 마이크로 미터의 두께와 같은 두께로 증착된 열 산화물막(60)을 갖는다. 이 증착에 이어, 도 8에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피에 따르고, 포토레지스트(62)가 산화물에 적용되며, 도 9에 도시된 바와 같이, 그 후 경로를 형상화하기 위하여 플라즈마 식각된다. 제 2 포토레지스트(64)는 산화물위에 위치하고, 도 10에 도시된 바와 같이, 제 2 포토리소그래피 단계가 수행된다. 제 1 깊은 반응성 이온 식각(DRIE)은 통과공(66)을 발생시하고, 도 12에 도시된 바와 같이 제 2 깊은 반응성 이온 식각이 뒤이어 일어나서 냉매 경로(68)를 형성한다.
도 13 내지 도 16은 유리 덮개판(54) 내의 심지 구조를 가공하기 위한 단계를 나타내고 있다. 이 유리 덮개판은 형성되고, 정렬되며, 실리콘 웨이퍼에 음극으로 결합될 수 있고, 상기 설명한 바와 같이, 폐루프회로를 형성하는 미세 모세 펌프 순환 냉각회로의 가공을 완결한다. 제 1과정에서, 불순물이 제거된폴리실리콘(70)은 유리 웨이퍼(72) 위에 대략 1.4 마이크로미터로 증착된다. 포토레지스트(74)는, 도 14에 도시된 바와 같이, 포토리소그래피 단계에 따라서 적용된다. 도 15에서, 폴리실리콘(70)은 폴리실리콘층을 형상화하기 위하여 플라즈마 식각되고, 뒤이어 유리 웨이퍼 위의 심지 구조를 형성하기 위하여 응축 염산을 사용하는 습식 식각되고, 실리콘 웨이퍼에 음극으로 부착되어 가공을 완성한다.
도 4는 열적 향상된 미세회로의 기본값들을 나타내고, 도 6에 도시된 바와 같이, 별개의 응축기 면적, 증발기 길이, 홈 높이, 홈 폭/수, 증기선 유수 직경, 액체선 유수 직경, 액체선과 증기선을 위한 최대 레이놀즈수로 나타난다. 이러한 숫자들은 단지 본 발명에 따라서 어떤 형태의 패키지가 가공될 수 있는지 예를 든 것뿐이다.
도 5는 최대 열전달 대 최대 액체/증기선 길이를 나타내고, 최대 액체/증기선 길이를 밀리미터 단위로 수직축에 나타내고 있으며, 수평축에는 와트(W)로 총량(Q)을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 열적 향상 미세회로 패키지(20a)를 검사하기 위하여 사용될 수 있는 시험 설비(80)를 나타내고 시험 기계 장치에 연결을 위하여 부착된 케이블을 갖는 연결기(84)를 구비한 인쇄 배선 기판(PWB)(82)을 나타낸다. 볼 격자 배열(BGA) 소켓(86)은 열적 향상 미세회로 패키지, 즉 절연 게이트 쌍극 트렌지스터를 위한 열적 향상 볼 격자 배열(TBGA) 패키지를 보유하는 캐리어(88)를 수용한다.
도 17a는 패키지(20a)의 제 1실시예를 나타내고, 증발기(40) 내에 수용된 심지 구조(46), 및 증발기와 연관된 액체 저장기(50)를 나타낸다. 증기선과 액체선은 상기한 바와 같이 응축기(42)에 연결된다. 도 17b는 도 17a에 도시된 구조의 단면도이다.
도 17a의 구조는 기술된 바와 같이 절연 게이트 쌍극 트렌지스터 볼 격자 배열 패키지를 위한 상세값들의 다음의 예(A 및 B)를 가질 수 있다.
AB
증발기 길이1000 microns1000 microns
증발기 폭50 microns500 microns
응축기 면적5.0e+05sq. microns5.0e+05sq. microns
홈 높이50 microns50 microns
홈 폭/수50 microns / 450 microns / 4
증기선 폭150 ×350 microns150 ×450 microns
액체선 폭150 ×150 microns150 ×150 microns
증기/액체선 길이25 mm 35 mm
액체선 Re수2843
증기선 Re수434494
예측 열 제거4 watts4 watts
도 18a에 도시된 바와 같이, 도 18a 및 도 18b는 액체 저장기(50)가 위치된다른 실시예를 도시한다. 열전쌍 수용 웰(90)은 온도를 측정하는 열전쌍을 수용하기 위하여 증기선과 액체선 내에 형성된다. 채움공(92)은 작동상 응축기로의 채움선에 의하여 연결되고, 분리 액체 저장기는 도 18a 및 도 18b에 도시된 바와 같이 증발기로의 저장기 공급선에 의하여 연결된다.
도 18a 및 도 18b의 구조는 예시한 것과 같은 다양한 치수를 가질 수 있다.
AB
증발기 길이 2000 microns2000 microns
증발기 폭1000 microns1000 microns
응축기 면적2.0e+06 sq. microns2.0e+06 sq. microns
홈 높이50 microns50 microns
홈 폭/수50 microns / 850 microns / 8
증기선 폭150 ×350 microns150 ×450 microns
액체선 폭150 ×150 microns150 ×150 microns
증기/액체선 길이 25 mm35 mm
액체선 Re수4242
증기선 Re수578488
예측 열 제거4 watts4 watts
도 19는 응축기가 실리콘 베이스, 즉 실리콘 웨이퍼, 내에 형성된 실시예를나타내고, 서로 다른 세라믹 기판, 예를 들어, 저온 동시소성 세라믹 같은 다양한 기판이 도 19에 도시된 바와 같이 증발기와 선들을 포함한다. 두개의 층(100, 102)에 연이어 증발기층(104)이 따른다.
도 19의 구조를 위한 치수의 예는 아래와 같다.
증발기 길이10000 microns
증발기 폭50000 microns
응축기 면적7.5e+09 sq. microns
홈 높이150 microns
홈 폭/수50 microns / 50
증기선 폭2500 ×1300 microns
액체선 폭1000 ×1300 microns
증기/액체선 길이30 mm
액체선 Re수312
증기선 Re수4379
예측 열 제거227 watts
본 발명은 효율적이고 쉽게 가공되는, 자체-포함되고 동봉된 순환 시스템을 제공한다. 본 발명은 증발기, 응축기, 및 상호연결 냉매 경로를 구비하는 모세 펌프 순환회로를 갖는 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈로서 형성된다. 사용된 유체는, 한계 사용 적용 및 필요한 열 교환 필요조건에 의존하여, 알콜 또는 물일 수있다. 심지 구조는 도 13 내지 도 16의 단계에 도시된 바와 같이, 유리 웨이퍼 내에 가공될 수 있거나, 또는 한계 사용 필요조건에 의존하여, 실리콘 내에 가공될 수 있다. 채움 포트를 포함한, 저장기 포트는 재위치될 수 있고 채움을 조성하기 위하여 추가된 다른 포트일 수 있고, 증발기에 직접적인 액체 접근을 제공한다.
온도 측정 웰은 도 18a에 도시된 바와 같이 또한 제공된다. 열전쌍은 증발기, 응축기 및 냉각 유체선에 온도를 제공할 수 있다.
수직과 수평의 구성 양쪽 모두 가공될 수 있다. 그 구조는 높은 표면 대 부피 비로 열 전달을 향상시키면서, 전자 미세 패키지로 조합될 수 있다. 그 구조는 미세 크기 열전달 개념을 사용할 수 있고 고 열유속/고온 적용을 위하여, 반면에 질량, 부피 및 열적 처리비용은 감소시키면서, 직접적으로 실리콘과 SiC 전자 패키지로 조합될 수 있다. 조합된 냉각 회로는 전위차가 전자적 의존성을 증가시키기 위해 제공하는 인터페이스를 감소시킨다. 미세핀이 또한 전자 패키지로 조합될 수 있다.
설명한 바와 같이 IGBT를 위한 열적 향상 볼 격자 배열 패키지와 같은 열적 향상 패키지는 전형적인 열적 관리 기술에 적용될 수 있고, 고전류 적용을 위한 다중 접점 경로를 제공할 수 있다. 열적 향상 패키지는 검출 및 제어 접점을 포함하는 것으로 확장될 수 있고 회로 고립을 위하여 사용될 수 있으며, 전류 보호에 적용될 수 있다. 열적 향상 패키지는 촉발 차단 소프트웨어를 가지거나, 또는 수동적으로 촉발 차단할 수 있다.
열적 향상 미세회로 패키지는 미세회로 장치를 수용하는 미세회로 장치공을 갖는 미세회로 패키지를 포함한다. 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈은 작동상 미세회로 패키지에 연결되고 증기와 유체를 증발기와 응축기 사이에 통과시키고 증발시키며 냉매를 응축시키기 위한 증발기, 응축기 및 상호연결 냉매 경로를 갖는 모세 펌프 순환회로를 형성한다.

Claims (13)

  1. 미세회로 장치공을 구비한 미세회로 패키지; 와
    상기 미세회로 장치공 내에 수용되는 미세회로 장치; 및
    상기 미세회로 패키지에 작동상 연결된 미세 전자기계 시스템(MEMS) 냉각 모듈로 구성된 열적 향상 미세회로 패키지에 있어서,
    상기 냉각 모듈은 증발기, 응축기 및 상기 증발기와 응축기 사이에 증기와 액체를 통하도록 하고 증발시키며 냉매를 응축하기 위한 상호연결 냉매 경로를 구비한 모세 펌프 순환 냉각회로를 포함하고,
    상기 증발기는 사용시 상기 미세회로 장치를 냉각하기 위하여 상기 미세회로 장치와 작동상 연관되어 있는 열적 향상 미세회로 패키지.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 증발기와 응축기는 둘 다 실리콘 베이스 내에 형성되고, 상기 응축기는 실리콘 베이스 내에 형성되고 상기 증발기는 최소한 상기 미세회로 패키지 내에 부분적으로 형성된 열적 향상 미세회로 패키지.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 미세회로 패키지는 저온 동시소성 세라믹(LTCC)으로 형성된 열적 향상 미세회로 패키지.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 냉매 저장기는 작동상 상기 증발기에 연결되고, 상기 증발기 내에 심지 구조를 구비한 열적 향상 미세회로 패키지.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 증발기와 상기 응축기는 복수의 홈으로 형성되고, 각각이 약 25 내지 약 150 마이크로미터의 높이와 폭을 갖고, 상기 냉매 경로는 상기 높이와 폭보다 실질적으로 큰 길이를 갖는 복수의 증기선과 복수의 액체선으로 형성된 열적 향상 미세회로 패키지.
  6. 미세회로 장치공을 구비한 미세회로 패키지; 와
    상기 미세회로 장치공 내에 수용된 미세회로 장치; 및
    상기 미세회로 패키지에 작동상 연결된 미세 전자기계 시스템(MEMS) 냉각 모듈로 구성된 열적 향상 미세회로 패키지에 있어서,
    상기 냉각 모듈은 실리콘 베이스와 증발기, 응축기 및 상기 증발기와 응축기 사이에 증기와 액체를 통하도록 하고 증발시키며 냉매를 응축하기 위하여 상기 실리콘 베이스와 연관된 상호연결 냉매 경로를 구비한 모세 펌프 순환 냉각회로를 포함하고,
    상기 증발기는 사용시 상기 장치를 냉각하기 위한 상기 미세회로 장치와 작동상 연관되고,
    유리 덮개가 상기 실리콘 베이스 위에 위치되고 상기 증발기, 응축기 및 상호연결 냉매 경로를 닫는 열적 향상 미세회로 패키지.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 증발기와 응축기는 둘 다 상기 실리콘 베이스 내에 형성되고, 상기 응축기는 상기 실리콘 베이스 내에 형성되고 상기 증발기는 상기 미세회로 패키지 내에 형성되며, 상기 미세회로 패키지는 저온 동시소성 세라믹(LTCC) 물질로 형성된 열적 향상 미세회로 패키지.
  8. 제 7항에 있어서,
    냉매 저장기는 상기 증발기에 작동상 연결되고, 심지 구조가 상기 증발기 내에 형성되며, 상기 증발기와 상기 응축기는 복수의 홈으로 형성되고, 각각이 약 25 내지 약 150 마이크로미터의 높이와 폭을 가지며, 상기 냉매 경로는 복수의 증기선과 복수의 액체선으로서 형성되고, 각각이 상기 폭과 높이보다 실질적으로 더 큰 길이를 갖는 열적 향상 미세회로 패키지.
  9. 볼 격자 배열과 미세회로 장치공을 구비한 볼 격자 배열 패키지; 와
    상기 미세회로 장치공 내에 수용되는 미세회로 장치; 및
    상기 볼 격자 배열 패키지에 작동상 연결된 미세 전자기계 시스템(MEMS) 냉각 모듈로 구성된 열적 향상 볼 격자 배열 패키지에 있어서,
    상기 냉각 모듈은 증발기, 응축기 및 상기 증발기와 응축기 사이에 증기와 액체를 통하도록 하고 증발시키며 냉매를 응축하기 위한 상호연결 냉매 경로를 구비한 모세 펌프 순환 냉각회로를 포함하고,
    상기 증발기는 사용시 상기 장치를 냉각하기 위하여 상기 미세회로 장치와 작동상 연관되어 있는 열적 향상 볼 격자 배열 패키지.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 미세회로 장치는 절연 게이트 쌍극 트렌지스터로서 형성되고, 상기 절연 게이트 쌍극 트렌지스터는 상기 볼 격자 배열과 리본 결합된 열적 향상 볼 격자 배열 패키지.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 증발기와 응축기는 둘 다 실리콘 베이스 내에 형성되고, 상기 응축기는 실리콘 베이스 내에 형성되고 상기 증발기는 최소한 부분적으로 상기 볼 격자 배열 패키지 내에 형성되며, 상기 볼 격자 배열 패키지는 저온 동시소성 세라믹(LTCC)으로 형성되고, 상기 증발기에 작동상 연결된 냉매 저장기를 포함하는 열적 향상 볼 격자 배열 패키지.
  12. 제 9항에 있어서,
    심지 구조가 상기 증발기 내에 형성되고, 상기 증발기와 상기 응축기는 복수의 홈으로 형성되고, 각각이 약 25 내지 약 150 마이크로미터의 높이와 폭을 가지며, 상기 냉매 경로는 복수의 증기선과 복수의 액체선으로서 형성되고, 각각이 상기 폭과 높이보다 실질적으로 더 큰 길이를 갖는 열적 향상 볼 격자 배열 패키지.
  13. 응축기, 증발기 및 미세회로 패키지에 부착되기 위해 구성된 상호연결 냉매 경로를 형성하기 위하여 실리콘 웨이퍼와 그 위에 증착된 산화물층을 깊은 반응성 이온 식각하는 단계를 포함하는 미세 전자기계 시스템(MEMS) 냉각 모듈 형성 방법에 있어서,
    상기 깊은 반응성 이온 식각 단계는 통과공을 형성하는 제 1 깊은 반응성 이온 식각 단계와 상기 증발기 및 응축기를 포함하여 냉매 경로를 형성하는 제 2 깊은 반응성 이온 식각 단계를 포함하고,
    실리콘 웨이퍼를 형상화하기 위하여 증착된 산화물층을 플라즈마 식각하는 단계를 포함하는 미세 전자기계 시스템 냉각 모듈 형성 방법.
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