KR20040005354A - A Dark Field Defect Inspection System And Manufacture Method Of Photo Mask Using The Device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 포토마스크용 제조공정에 관한 것으로서, 특히, 포토마스크를 제조하기 위한 블랭크마스크를 다크필드영역에서 레이저광을 경사지게 조사한후 산란시켜서 이빔라이팅단계, 디벨로핑단계 혹은 식각단계를 진행하기 전에 포토마스크의 결함부위를 검사하므로 결함 검사 시간을 줄여주고, 결함을 다크필드영역에 찾아내어 공정손실을 줄여주므로 생산성을 향상하고 생산단가를 줄여주도록 하는 다크필드 검사장치 및 그를 이용한 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing process for a photomask, and in particular, before the e-beam writing step, the develpping step or the etching step by scattering the blank mask for manufacturing the photomask in a dark field after irradiating the laser beam obliquely Dark field inspection device and photomask manufacturing method that improves productivity and reduces production cost by reducing defect inspection time by inspecting defects of photomask and reducing process loss by finding defects in dark field area. It is about.
일반적으로, 웨이퍼 상에 임의의 패턴을 형성하기 위한 방법으로는 포토리소그라피(Photo Lithography)공정이 이용되고 있다. 이 공정은 식각베리어로서 감광막 패턴(Photoresist Pattern)을 형성하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 식각대상층을 식각하는 공정으로 구분되며, 상기 감광막패턴을 형성하는 공정은, 식각대상물 상에 감광막을 도포하는 공정과; 특정 마스크를 이용하여 도포된 감광막을 노광하는 공정 및 노광된 부분 혹은 노광되지 않은 부분을 임의의 용액으로 제거하는 현상공정등으로 이루어진다.In general, a photolithography process is used as a method for forming an arbitrary pattern on a wafer. This process includes forming a photoresist pattern as an etching barrier; The photoresist pattern may be divided into a process of etching an etching target layer, and the process of forming the photoresist pattern may include: applying a photoresist film on the etching target object; And a developing process of removing the exposed or unexposed portions with an arbitrary solution.
상기 리소그라피공정에는 축소 노광용 마스크를 사용하여 패턴을 형성하게 되는 것이다.In the lithography process, a pattern is formed by using a mask for reduction exposure.
도 1은 종래의 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면이고, 도 2는 종래의 디펙트검사장치의 구성을 보인 도면이다.1 is a view showing a conventional photomask manufacturing method sequentially, Figure 2 is a view showing the configuration of a conventional defect inspection apparatus.
먼저, 종래의 포토마스크 제조방법을 살펴 보면, 외부공급업체로 부터 블랭크마스크(Blank Mask)를 공급하는 단계(S1)와; 상기 단계 후에 이빔(E-Beam)을 조사하여 마스크에 광으로 라이팅(Writing)하는 단계(S2)와; 상기 단계 후에 현상(Develop)하는 단계(S3)와; 상기 단계 후에 포토마스크를 식각하는 단계(S4)와; 상기 단계 후에 클리어필드영역에서 포토마스크의 결함을 검사하는 디펙트검사단계(S5)와; 상기 단계 후에 이상이 있는 포토마스크를 폐기처분하고, 이상이 없는 포토마스트를 펠리클을 설치하여 출고하는 단계(S6)등으로 이루어진다.First, referring to a conventional photomask manufacturing method, supplying a blank mask from an external supplier (S1); Irradiating E-Beam after the step and writing to the mask with light (S2); Developing (S3) after the step; Etching the photomask after the step (S4); A defect inspection step (S5) of inspecting a defect of the photomask in the clear field area after the step; After the above steps, the abnormal photomask is discarded, and the photomask having no abnormality is installed by pellicle and then released (S6).
그리고, 상기 디펙트 검사장치의 구성은, 렌즈(1)에서 레이저광(2)을 조사하여 포토마스크(6)의 크롬(5)에 적층된 이빔레지스트(4)에 광을 조사하여 결함부위(3)가 있는 경우 레이저광이 산란하여 렌즈(1)에서 반사된 광을 받아들여 분석하므로 포토마스크의 이상 유,무를 판단하게 된다.The defect inspection apparatus is constructed by irradiating a laser beam 2 from the lens 1 to irradiate light onto the e-beam resist 4 laminated on the chromium 5 of the photomask 6 to form a defect portion ( 3) If the laser light is scattered and the light reflected from the lens 1 is received and analyzed, it is determined whether the photomask is abnormal or not.
그런데, 상기한 바와 같이, 종래에는 블랭크마스크(S1)가 들어온 단계(S1)와 다크필드(Da가 Field Inspection)영역에서 이빔 라이팅 단계(S2), 전개단계(S3) 및 크롬식각단계(S4)를 거친 다음에 클리어영역인 검사단계(S5)에서 비로서 결함유무를 검출할 수 있는 실정이다.However, as described above, in the prior art, the blank mask S1 is entered (S1) and the dark field (Da is Field Inspection) in the e-beam writing step (S2), development step (S3) and chrome etching step (S4) In the inspection step S5 which is a clear area after passing through, the presence of a defect can be detected as a ratio.
이와 같이, 여러 공정을 거친 다음에 결함을 검사하게 되면, 외부공급업체에서 공급된 블랭크 마스크에서 결함이 발생된 경우, 여러 단계를 거쳐서 포토마스크가 제조된 후에 에러를 검사하게 되므로 검사작업이 매우 비능률적이므로 생산성이 저하되는 문제점을 지닌다.As such, when defects are inspected after various processes, when defects are generated in a blank mask supplied by an external supplier, the inspection process is very inefficient because the error is inspected after the photomask is manufactured through several steps. Therefore, there is a problem that productivity is lowered.
또한, I-라인 혹은 검사알고리즘이 블랭크마스크에 수직입사되는 레이저광을 사용하기 때문에 블랭크마스크에 코팅된 이빔 레지스트에 레이저광이 영향을 미치게 되고, 이는 차후에 라이팅단계와, 전개 단계 후에 패턴 씨디(CD; Critical Dimension)에 영향을 미치는 단점을 지닌다.In addition, since the I-line or inspection algorithm uses laser light that is incident vertically onto the blank mask, the laser light affects the e-beam resist coated on the blank mask, which is subsequently applied to the pattern CD (CD) after the writing and development steps. ; Critical dimension).
본 발명은 이러한 점을 감안하여 안출한 것으로서, 포토마스크를 제조하기 위한 블랭크마스크를 다크필드영역에서 레이저광을 경사지게 조사한후 산란시켜서 이빔라이팅단계, 디벨로핑단계 혹은 식각단계를 진행하기 전에 포토마스크의 결함부위를 검사하므로 결함 검사 시간을 줄여주고, 결함을 다크필드영역에서 찾아내어 공정손실을 줄여주므로 생산성을 향상하고 생산단가를 줄여주는 것이 목적이다.The present invention has been made in view of the above, and the blank mask for fabricating the photomask is irradiated with a laser beam in the dark field area obliquely and then scattered so that the photomask before the e-beam writing step, the developing step or the etching step is performed. It aims to improve the productivity and reduce the production cost by reducing the defect inspection time by inspecting the defects of the defects and reducing the process loss by finding the defects in the dark field area.
도 1은 종래의 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면이고,1 is a view sequentially showing a conventional photomask manufacturing method,
도 2는 종래의 디펙트검사장치의 구성을 보인 도면이고,2 is a view showing the configuration of a conventional defect inspection apparatus,
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면이고,3 is a view sequentially showing a photomask manufacturing method according to a first embodiment of the present invention,
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면이고,4 is a view sequentially showing a photomask manufacturing method according to a second embodiment of the present invention;
도 5는 본 발명의 제 3실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면이고,5 is a view sequentially showing a photomask manufacturing method according to a third embodiment of the present invention,
도 6은 본 발명의 다크필드 검사장치의 구성을 보인 도면이다.6 is a view showing the configuration of the dark field inspection apparatus of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1 : 렌즈 2 : 레이저광1 Lens 2 Laser Light
3 : 결함부위 4 : 이빔레지스트3: defective part 4: e-beam resist
5 : 크롬 6 : 포토마스크5: chrome 6: photomask
7 : 광원 8 : 포토마스크홀더7: light source 8: photomask holder
10 : 스테이지 11 : 흡입관로10: stage 11: suction line
12 : 지지대 13 : 설치홈부12: support 13: mounting groove
본 발명의 목적은, 렌즈에서 레이저광을 조사하여 포토마스크의 크롬에 적층된 이빔레지스트에 광을 조사하여 결함부위가 있는 경우 레이저광이 산란하여 렌즈에서 반사된 광을 받아들여 분석하므로 포토마스크의 이상 유,무를 판단하는 검사장치에 있어서, 상기 포토마스크를 저면에서 지지하도록 하는 설치홈부를 형성하는 포토마스크홀더와; 상기 포토마스크홀더를 저면에서 지지하는 지지대와; 상기 지지대의 중심부분에서 고압의 진공압력을 발생하여 상기 포토마스크홀더를 흡착하는 흡입관로와; 상기 지지대를 저면에서 수평으로 이동 가능하게 지지하는 스테이지와; 상기 포토마스크의 크롬에 적층된 이빔레지스트에 대하여 경사지게 레이저광을 조사하여 이빔레지스트에 있는 결함부위에 부딪친 광을 렌즈로 받아 들여 분석하도록 하는 광원을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다크필드 검사장치를 제공함으로써 달성된다.An object of the present invention is to irradiate a laser beam from a lens and irradiate the e-beam resist laminated on the chromium of the photomask, so that when there is a defect, the laser beam is scattered to receive and analyze the light reflected from the lens. An inspection apparatus for determining the presence or absence of an abnormality, comprising: a photomask holder for forming an installation groove for supporting the photomask at a bottom surface thereof; A support for supporting the photomask holder at a bottom surface thereof; A suction pipe passage for generating a high pressure vacuum pressure at the central portion of the support to suck the photomask holder; A stage supporting the support so as to be horizontally movable from the bottom; It provides a dark field inspection apparatus comprising a light source for irradiating the laser beam to the e-beam resist laminated on the chromium of the photomask inclined to receive the light hitting the defect portion in the e-beam resist with a lens to analyze it. Is achieved.
그리고, 상기 광원에서 조사되는 레이저광의 파장은, 248 ∼ 580nm인 것이 바람직 하다.And it is preferable that the wavelength of the laser beam irradiated from the said light source is 248-580 nm.
그리고, 상기 광원에서 조사되는 레이저광의 입사각은, 1 ∼ 30°인 것이 바람직 하다.And it is preferable that the incident angle of the laser beam irradiated from the said light source is 1-30 degrees.
그리고, 본 고안의 목적은, 포토마스크를 검사하는 방법에 있어서, 외부공급업체로 부터 원판 상태의 포토마스크(Blank Photp Mask)를 공급하는 단계와; 상기 단계 후에 포토마스크를 포토마스크홀더의 설치홈부에 설치하고, 광원을 경사지게 조사하여 렌즈에서 받아들이고 분석하는 다크필드검사장치를 사용하여 포토마스크의 결함을 찾아내는 검사단계와; 상기 단계 후에 이빔을 조사하여 마스크에 광으로 라이팅하는 단계와; 상기 단계 후에 현상하는 단계와; 상기 단계 후에 포토마스크를 식각하는 단계와; 상기 단계 후에 이상이 있는 포토마스크를 폐기처분하고, 이상이 없는 포토마스트에 펠리클(Pellicle)을 설치하여 출고하는 단계로 이루어진다크필드 검사장치를 이용한 포토마스크 제조방법을 제공함으로써 달성된다.In addition, an object of the present invention is a method for inspecting a photomask, comprising the steps of: supplying a blank photo mask (Blank Photp Mask) from an external supplier; An inspection step of detecting a defect of the photomask by installing a photomask in the installation groove of the photomask holder after the above step, and using a dark field inspection apparatus that receives the light from the lens at an oblique angle and analyzes the lens; Irradiating the e-beam after the step to light the mask; Developing after said step; Etching the photomask after the step; After the above steps, the abnormal photomask is discarded, and a pellicle is installed on the photomask in which there is no abnormality. This is achieved by providing a photomask manufacturing method using a field inspection device.
그리고, 본 발명의 목적은, 포토마스크를 검사하는 방법에 있어서, 외부공급업체로 부터 원판 상태의 포토마스크를 공급하는 단계와; 상기 단계 후에 이빔을 조사하여 마스크에 광으로 라이팅하는 단계와; 상기 단계 후에 포토마스크를 포토마스크홀더의 설치홈부에 설치하고, 광원을 경사지게 조사하여 렌즈에서 받아들이고 분석하는 다크필드검사장치를 사용하여 포토마스크의 결함을 찾아내는 검사단계와; 상기 단계 후에 현상하는 단계와; 상기 단계 후에 포토마스크를 식각하는 단계와; 상기 단계 후에 이상이 있는 포토마스크를 폐기처분하고, 이상이 없는 포토마스트에 펠리클을 설치하여 출고하는 단계로 이루어진 다크필드 검사장치를 이용한 포토마스크 제조방법을 제공함으로써 달성된다.In addition, an object of the present invention is a method for inspecting a photomask, comprising the steps of: supplying a photomask in a disc state from an external supplier; Irradiating the e-beam after the step to light the mask; An inspection step of detecting a defect of the photomask by installing a photomask in the installation groove of the photomask holder after the above step, and using a dark field inspection apparatus that receives the light from the lens at an oblique angle and analyzes the lens; Developing after said step; Etching the photomask after the step; After the above step is achieved by providing a photomask manufacturing method using a dark field inspection device comprising the step of disposing of the abnormal photomask, and installing the pellicle on the photomask without abnormality.
그리고, 본 발명의 목적은, 포토마스크를 검사하는 방법에 있어서, 외부공급업체로 부터 원판 상태의 포토마스크를 공급하는 단계와; 상기 단계 후에 이 빔을 조사하여 마스크에 광으로 라이팅하는 단계와; 상기 단계 후에 현상하는 단계와; 상기 단계 후에 포토마스크를 포토마스크홀더의 설치홈부에 설치하고, 광원을 경사지게 조사하여 렌즈에서 받아들이고, 분석하는 다크필드검사장치를 사용하여 포토마스크의 결함을 찾아내는 검사단계와; 상기 단계 후에 포토마스크를 식각하는 단계와; 상기 단계 후에 이상이 있는 포토마스크를 폐기처분하고, 이상이 없는 포토마스트에 펠리클을 설치하여 출고하는 단계로 이루어진 다크필드 검사장치를 이용한 포토마스크 제조방법을 제공함으로써 달성된다.In addition, an object of the present invention is a method for inspecting a photomask, comprising the steps of: supplying a photomask in a disc state from an external supplier; Illuminating the mask with light after the step; Developing after said step; An inspection step of installing a photomask on the installation groove of the photomask holder and finding a defect of the photomask by using a dark field inspection apparatus for inclining the light source to receive the lens from the lens and analyzing the photomask; Etching the photomask after the step; After the above step is achieved by providing a photomask manufacturing method using a dark field inspection device comprising the step of disposing of the abnormal photomask, and installing the pellicle on the photomask without abnormality.
이하, 첨부도면에 의거하여 본 발명의 일 실시예를 살펴 보도록 한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면이고, 도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면이고, 도 5는 본 발명의 제 3실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면이고, 도 6은 본 발명의 다크필드 검사장치의 구성을 보인 도면이다.3 is a view sequentially showing a photomask manufacturing method according to a first embodiment of the present invention, Figure 4 is a view showing a photomask manufacturing method according to a second embodiment of the present invention sequentially, Figure 5 FIG. 6 is a view illustrating a method of manufacturing a photomask according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a view illustrating a configuration of a dark field inspection apparatus of the present invention.
본 발명의 구성은, 도 6에 도시된 바와 같이, 렌즈(1)에서 레이저광(2)을 조사하여 포토마스크(6)의 크롬(5)에 적층된 이빔레지스트(4)에 광을 조사하여 결함부위(3)가 있는 경우 레이저광이 산란하여 렌즈(1)에서 반사된 광을 받아들여 분석하므로 포토마스크의 이상 유,무를 판단하는 검사장치에 있어서, 상기 포토마스크(6)를 저면에서 지지하도록 하는 설치홈부(13)를 형성하는 포토마스크홀더(8)와; 상기 포토마스크홀더(8)를 저면에 지지하는 지지대(12)와; 상기 지지대(12)의 중심부분에서 고압의 진공압력을 발생하여 상기 포토마스크홀더(8)를 흡착하는 흡입관로(11)와; 상기 지지대(12)를 저면에서 수평으로 이동 가능하게 지지하는 스테이지(10)와; 상기 포토마스크(6)의 크롬(5)에 적층된 이빔레지스트(4)에 대하여 경사지게 레이저광을 조사하여 이빔레지스트(4)에 있는 결함부위(3)에 부딪친 광이 렌즈(1)로 받아 들여 분석하도록 하는 광원(7)을 포함하여 이루어진다.In the configuration of the present invention, as shown in FIG. 6, the laser beam 2 is irradiated from the lens 1 to irradiate light onto the e-beam resist 4 laminated on the chromium 5 of the photomask 6. In the inspection apparatus for determining whether or not there is an abnormality of the photomask, since the laser light is scattered and the light reflected from the lens 1 is analyzed when there is a defective portion 3, the photomask 6 is supported from the bottom. A photomask holder 8 forming an installation groove 13 to be provided; A support 12 for supporting the photomask holder 8 on a bottom surface thereof; A suction pipe passage (11) for generating a high pressure vacuum pressure at the central portion of the support (12) to adsorb the photomask holder (8); A stage (10) for supporting the support (12) to be movable horizontally from a bottom surface thereof; The laser beam is irradiated to the e-beam resist 4 laminated on the chromium 5 of the photomask 6 so that the light hits the defect portion 3 in the e-beam resist 4 is received by the lens 1. And a light source 7 for analysis.
그리고, 상기 광원(7)에서 조사되는 레이저광의 파장은, 248 ∼ 580nm인 것이 바람직 하다.And it is preferable that the wavelength of the laser beam irradiated from the said light source 7 is 248-580 nm.
그리고, 상기 광원(7)에서 조사되는 레이저광의 입사각은, 1 ∼ 30°인 것이바람직 하다.The incidence angle of the laser light irradiated from the light source 7 is preferably 1 to 30 degrees.
상기 포토마스크(6)가 안치되는 설치홈부(13)는, 턱이 있어서 포토마스크(6)의 저면과 일정한 간격을 갖도록 걸려지는 상태로 설치되어진다.The installation groove 13 in which the photomask 6 is placed is provided in such a state that the jaw is hung so as to have a predetermined distance from the bottom of the photomask 6.
이러한 상태에서 지지대(12)에 지지된 포토마스크홀더(8)를 흡입관로(11)를 통하여 가하여지는 진공압력을 받아들여서 고정하는 상태에 있다.In this state, the photomask holder 8 supported by the support 12 is in a state of receiving and fixing the vacuum pressure applied through the suction pipe passage 11.
그리고, 상기 스테이지(10)에 대하여 수평으로 조정하여서 수평의 위치를 맞추도록 한다.Then, the horizontal position is adjusted by adjusting horizontally with respect to the stage 10.
도 3은 본 발명의 제 1실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면으로서, 이에 대한 공정을 살펴 보면, 외부공급업체로 부터 원판 상태의 포토마스크(6)를 공급하도록 한다.(S10)3 is a view sequentially showing a method of manufacturing a photomask according to the first embodiment of the present invention. Looking at the process thereof, the photomask 6 is supplied from an external supplier. )
상기 단계 후에 포토마스크(6)를 포토마스크홀더(8)의 설치홈부(13)에 설치하고, 광원(7)을 경사지게 조사하여 렌즈(1)에서 받아들이고 분석하는 다크필드검사장치를 사용하여 포토마스크(6)의 결함을 찾아내는 검사를 진행하도록 한다.(S20)와;After the above steps, the photomask 6 is installed in the installation groove 13 of the photomask holder 8, and the photomask is used by using a dark field inspection apparatus that obliquely irradiates the light source 7 to receive and analyze the light from the lens 1. The inspection to find the defect of (6) is to proceed. (S20);
상기 단계 후에 이빔(E-Beam)을 조사하여 마스크에 광으로 라이팅하도록 한다.(S30)After the above step, the E-Beam is irradiated to light the mask (S30).
상기 단계 후에 포토마스크를 현상(Develpment)하도록 한다.(S40)After the above step, the photomask is developed (S40).
상기 단계 후에 포토마스크(Photo Mask)를 식각하도록 한다.(S50)After the above step, the photo mask is etched (S50).
상기 단계 후에 이상이 있는 포토마스크를 폐기처분하고, 이상이 없는 포토마스트에 펠리클을 설치하여 출고하도록 한다.(S60)After the above step, the abnormal photomask is discarded, and a pellicle is installed on the photomask that is not abnormal.
도 4는 본 발명의 제 2실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면으로서, 이에 대한 공정을 살펴 보면, 외부공급업체로 부터 원판 상태의 포토마스크(6)를 공급하도록 한다.(S11)4 is a view sequentially showing a method of manufacturing a photomask according to a second embodiment of the present invention. Looking at the process thereof, the photomask 6 is supplied from an external supplier. )
상기 단계 후에 이빔을 조사하여 마스크에 광으로 라이팅하도록 한다.(S21)After the step, the beam is irradiated so as to light the mask (S21).
상기 단계 후에 포토마스크(6)를 포토마스크홀더(8)의 설치홈부(13)에 설치하고, 광원(7)을 경사지게 조사하여 렌즈(1)에서 받아들이고 분석하는 다크필드검사장치를 사용하여 포토마스크(6)의 결함을 찾아내는 검사하도록 한다.(S31)After the above steps, the photomask 6 is installed in the installation groove 13 of the photomask holder 8, and the photomask is used by using a dark field inspection apparatus that obliquely irradiates the light source 7 to receive and analyze the light from the lens 1. Inspect it to find a defect in (6). (S31)
상기 단계 후에 포토마스크를 현상하도록 한다.(S41)After the above step, the photomask is developed (S41).
상기 단계 후에 포토마스크를 식각하도록 한다.(S51)After the step to etch the photomask (S51).
상기 단계 후에 이상이 있는 포토마스크를 폐기처분하고, 이상이 없는 포토마스트에 펠리클을 설치하여 출고하도록 한다.(S61)After the above step, the defective photomask is discarded, and a pellicle is installed on the photomask that is not abnormal.
도 5는 본 발명의 제 3실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 순차적으로 보인 도면으로서, 이에 대한 공정을 살펴 보면, 외부공급업체로 부터 원판 상태의 포토마스크(6)를 공급하도록 한다.(S12)FIG. 5 is a view sequentially illustrating a method of manufacturing a photomask according to a third embodiment of the present invention. Looking at the process thereof, the photomask 6 is supplied from an external supplier. )
상기 단계 후에 이 빔을 조사하여 마스크에 광으로 라이팅하도록 한다.(S22)After the above step, the beam is irradiated to light the mask (S22).
상기 단계 후에 포토마스크를 현상하도록 한다.(S32)After the above step, the photomask is developed. (S32)
상기 단계 후에 포토마스크(6)를 포토마스크홀더(8)의 설치홈부(13)에 설치하고, 광원(7)을 경사지게 조사하여 렌즈(1)에서 받아들이고 분석하는 다크필드검사장치를 사용하여 포토마스크(6)의 결함을 찾아내는 검사하도록 한다.(S42)After the above steps, the photomask 6 is installed in the installation groove 13 of the photomask holder 8, and the photomask is used by using a dark field inspection apparatus that obliquely irradiates the light source 7 to receive and analyze the light from the lens 1. It is made to examine to find defect of (6). (S42)
상기 단계 후에 포토마스크를 식각하도록 한다(S52)After the step to etch the photomask (S52)
상기 단계 후에 이상이 있는 포토마스크를 폐기처분하고, 이상이 없는 포토마스트에 펠리클을 설치하여 출고하도록 한다.(S62)After the above step, the defective photomask is discarded, and a pellicle is installed on the photomask that is not abnormal.
따라서, 상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 포토마스크제조방법을 사용하면, 포토마스크를 제조하기 위한 블랭크마스크를 다크필드영역에서 레이저광을 경사지게 조사한후 산란시켜서 이빔라이팅단계, 디벨로핑단계 혹은 식각단계를 진행하기 전에 포토마스크의 결함부위를 검사하므로 결함 검사 시간을 줄여주고, 결함을 다크필드영역에 찾아내어 공정손실을 줄여주므로 생산성을 향상하고 생산단가를 줄여주도록 하는 매우 유용하고 효과적인 발명이다.Therefore, as described above, using the photomask manufacturing method according to the present invention, the blank mask for manufacturing the photomask is irradiated with obliquely irradiated laser light in the dark field area and then scattered so that the e-beam writing step, the develpping step or the etching is performed. It is a very useful and effective invention to improve the productivity and reduce the production cost by reducing the defect inspection time by inspecting the defects of the photomask before proceeding the steps, and finding the defects in the dark field area and reducing the process loss.
또한, 다크필드 검사장치의 경우, 검사시간이 30분 정도 걸리는 것을 5분 정도 마칠 수 있으므로 검사시간을 획기적으로 단축할 수 있을 뿐만아니라 1㎛이하의 작은 크기의 파티클을 관리할 수 있는 장점을 지닌다.In addition, in the case of the dark field inspection apparatus, it takes about 5 minutes to take 30 minutes of inspection time, which not only significantly reduces the inspection time but also has the advantage of managing particles having a small size of 1 μm or less. .
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020039873A KR20040005354A (en) | 2002-07-10 | 2002-07-10 | A Dark Field Defect Inspection System And Manufacture Method Of Photo Mask Using The Device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020039873A KR20040005354A (en) | 2002-07-10 | 2002-07-10 | A Dark Field Defect Inspection System And Manufacture Method Of Photo Mask Using The Device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040005354A true KR20040005354A (en) | 2004-01-16 |
Family
ID=37315681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020039873A KR20040005354A (en) | 2002-07-10 | 2002-07-10 | A Dark Field Defect Inspection System And Manufacture Method Of Photo Mask Using The Device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20040005354A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100762244B1 (en) * | 2006-09-29 | 2007-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for manufacturing photo mask to improve wafer pattern cd uniformity and photo mask thereby |
-
2002
- 2002-07-10 KR KR1020020039873A patent/KR20040005354A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100762244B1 (en) * | 2006-09-29 | 2007-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | Method for manufacturing photo mask to improve wafer pattern cd uniformity and photo mask thereby |
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |