KR200374739Y1 - Poly Silicon Feeder of ingot growth arrangement - Google Patents
Poly Silicon Feeder of ingot growth arrangement Download PDFInfo
- Publication number
- KR200374739Y1 KR200374739Y1 KR20-2004-0032251U KR20040032251U KR200374739Y1 KR 200374739 Y1 KR200374739 Y1 KR 200374739Y1 KR 20040032251 U KR20040032251 U KR 20040032251U KR 200374739 Y1 KR200374739 Y1 KR 200374739Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polysilicon
- feeder
- outer tube
- hopper
- quartz crucible
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/203—Controlling or regulating the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Abstract
본 고안은 내부에 마련된 공급관을 통해 호퍼에 저장된 폴리 실리콘을 석영 도가니로 안내 공급하는 잉곳 성장 장치의 공급기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공급관(120)이 호퍼(50)의 배출로(52)와 연통되게 고정적으로 설치된 내측튜브(122)와, 내측튜브(122)를 감싸도록 설치된 외측튜브(124)로 이루어지고, 외측튜브(124)는 별도의 이송수단을 통해 길이 방향을 따라 이동하면서 내측튜브(122)를 기준으로 선택적으로 신장 또는 수축되며, 외측튜브(124)의 내측 일부분에는 안내되는 폴리 실리콘의 속도를 감속시키기 위해 감속편(200)이 형성되게 구성된다.The present invention relates to a feeder of an ingot growth apparatus that guides and supplies polysilicon stored in a hopper to a quartz crucible through a supply pipe provided therein, and more specifically, the supply pipe 120 is connected to the discharge path 52 of the hopper 50. It consists of an inner tube 122 is fixedly communicated with the outer tube 124 is installed to surround the inner tube 122, the outer tube 124 is moved along the longitudinal direction through a separate transport means the inner tube Optionally extended or contracted based on the reference numeral 122, the deceleration piece 200 is formed in the inner portion of the outer tube 124 to reduce the speed of the guided polysilicon.
이와 같이 본 고안은 감속편을 통해 폴리 실리콘을 석영 도가니에 공급할 때 그 속도를 감속시켜 적당한 속도로 공급할 수 있게 되며, 따라서 폴리 실리콘을 보다 안정적이면서 천천히 부드럽게 공급하는 것이 가능한 효과가 있다.In this way, when the polysilicon is supplied to the quartz crucible through the deceleration piece, the present invention can reduce the speed thereof and supply the polysilicon at an appropriate speed. Therefore, the polysilicon can be supplied more stably and slowly and smoothly.
Description
본 고안은 잉곳 성장 장치의 공급기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 석영 도가니에 폴리 실리콘을 공급하는 공급관의 내부에 감속편을 마련하여 폴리 실리콘의 공급 속도를 적당하게 유지할 수 있도록 한 잉곳 성장 장치의 공급기에 관한 것이다.The present invention relates to a feeder for an ingot growth apparatus, and more particularly, a feeder for an ingot growth apparatus provided with a deceleration piece inside a supply pipe for supplying polysilicon to a quartz crucible so as to maintain a supply speed of polysilicon appropriately. It is about.
첨부된 도 1에 도시된 바와 같이, 일반적으로 실리콘 잉곳 성장 장치는 폴리 실리콘을 용융하는 석영 도가니(Quarts Crucible)(10)와, 석영 도가니에 열을 가하기 위한 히터부(20)와, 히터부의 외부로 설치되고 열차폐수단을 포함하여 이루어진 챔버부(Chamber)(30)와, 석영 도가니에 용융된 폴리 실리콘에 종자 결정체(Seed Crystal)(미도시)를 접촉시켜 서서히 인상시키면서 원하는 지름의 실리콘 잉곳(Ingot)을 성장시키는 실리콘 잉곳 인상장치를 포함하여 이루어진 성장탑부(40)와, 폴리 실리콘이 충전되어 있는 호퍼(Hopper)(50)와, 호퍼에 충전된 폴리 실리콘을 석영 도가니로 안내하여 공급하는 공급기(Feeder)(100)와, 장치를 전체적으로 제어하는 제어부(60)를 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1, a silicon ingot growth apparatus generally includes a quartz crucible 10 for melting polysilicon, a heater 20 for applying heat to the quartz crucible, and an outer portion of the heater. A silicon ingot of a desired diameter while gradually contacting a seed crystal (not shown) with a chamber 30 formed by a chamber and including a heat shielding means, and a polysilicon melted in a quartz crucible. A growth top 40 including a silicon ingot pulling apparatus for growing an ingot, a hopper 50 filled with polysilicon, and a feeder for guiding and supplying polysilicon filled in the hopper with a quartz crucible (Feeder) 100, and the control unit 60 for controlling the device as a whole.
이와 같은 구성을 갖는 실리콘 잉곳 성장 장치의 작동을 간단하게 설명하면, 폴리 실리콘을 석영 도가니에 적재한 후 히터부를 통해 석영 도가니를 가열하여 폴리 실리콘을 용융시킨다. 그런 다음, 실리콘 잉곳 인상 장치를 통해 종자 결정체를 용융 실리콘의 표면에 접촉시킨 후 실리콘 단결정을 성장시킨다. 그리고 나서, 실리콘 단결정이 일정 지름으로 성장되면 실리콘 단결정 인상 장치를 이용하여 종자 결정체를 인상시킴으로써 성장탑부 내에서 원하는 지름의 실리콘 잉곳을 성장시킨다. 그리고 성장 완료된 잉곳은 별도의 분리 작업을 통해 성장 장치에서 분리시켜 사용하게 된다. 이 때, 완성된 잉곳을 분리하는 시간동안 새로운 잉곳을 또 성장시키기 위한 준비를 위해 밸브를 개방시켜 호퍼에 저장된 폴리 실리콘이 공급기를 통해 석영 도가니로 공급되도록 한다. 물론, 호퍼에 저장된 폴리 실리콘이 전부 석영 도가니로 공급되면, 밸브를 닫고 호퍼에 폴리 실리콘을 재충전해 놓게 된다.Briefly describing the operation of the silicon ingot growth apparatus having such a configuration, the polysilicon is loaded into the quartz crucible and the quartz crucible is heated through the heater to melt the polysilicon. Then, the seed crystals are brought into contact with the surface of the molten silicon through a silicon ingot pulling apparatus, and then silicon single crystals are grown. Then, when the silicon single crystal is grown to a certain diameter, the seed crystal is pulled up using a silicon single crystal pulling apparatus to grow a silicon ingot of a desired diameter in the growth column. The grown ingot is then separated from the growth device through a separate separation operation. At this time, the valve is opened in preparation for growing another ingot during the time of separating the completed ingot so that the polysilicon stored in the hopper is supplied to the quartz crucible through the feeder. Of course, when all the polysilicon stored in the hopper is supplied to the quartz crucible, the valve is closed and the polysilicon is refilled in the hopper.
첨부된 도 2에는 호퍼에 저장된 폴리 실리콘을 석영 도가니로 안내하는 종래의 공급기 구조가 단면도로 도시되어 있다.2 is a cross-sectional view of a conventional feeder structure for guiding polysilicon stored in a hopper into a quartz crucible.
이를 참조하면, 종래의 공급기는 몸체(110)의 내부에 공급관(120)이 구비된구성을 갖는다. 그리고 공급관(120)은 그 일부분이 몸체(110)의 외부로 선택적으로 연장 가능하게 구성된다.Referring to this, the conventional feeder has a configuration in which the supply pipe 120 is provided inside the body 110. And the supply pipe 120 is configured so that a portion thereof can be selectively extended to the outside of the body (110).
좀더 자세히 설명하면, 공급관(120)은 내측튜브(122)를 외측튜브(124)가 감싸고 있는 구조로 이루어지며, 내측튜브(122)는 고정되어 있고 외측튜브(124)가 길이 방향을 따라 슬라이딩 방식으로 이동하면서 몸체(110)의 외부로 신축 가능하게 설치된다. 물론, 몸체(110)의 하면 일부분에는 공급관(120)의 외측튜브(124)가 출입할 수 있는 출입구(112)가 내부와 연통되게 관통 형성된다.In more detail, the supply pipe 120 has a structure in which the inner tube 122 surrounds the outer tube 124, and the inner tube 122 is fixed and the outer tube 124 slides along the length direction. It is installed to be stretched to the outside of the body 110 while moving to. Of course, the lower portion of the body 110 is formed through the inlet 112 through which the outer tube 124 of the supply pipe 120 can enter and exit and communicate with the inside.
그리고 내측튜브(122)는 중공으로 형성되며, 그 일단부가 플랜지부(114)를 통해 호퍼(50)의 배출로(52)와 연통되게 설치된다. 따라서 호퍼(50) 내에 저장되어 있는 폴리 실리콘은 내측튜브(122)를 통해 외측튜브(124)로 안내되어 석영 도가니(10)로 공급된다. 물론, 외측튜브(124)가 신장 또는 수축되면서 석영 도가니(10)의 센터까지 이동하기 때문에 폴리 실리콘은 보다 안정적이고 정확하게 석영 도가니로 안내된다.And the inner tube 122 is formed in a hollow, one end thereof is installed in communication with the discharge path 52 of the hopper 50 through the flange portion 114. Therefore, the polysilicon stored in the hopper 50 is guided to the outer tube 124 through the inner tube 122 and supplied to the quartz crucible 10. Of course, since the outer tube 124 extends or contracts and moves to the center of the quartz crucible 10, the polysilicon is guided to the quartz crucible more stably and accurately.
여기서, 외측튜브(124)는 별도의 이송수단을 통해 슬라이딩 방식으로 이동하게 되는데, 그 이송수단으로는 밸트를 이용하면 된다.Here, the outer tube 124 is to be moved in a sliding manner through a separate transport means, the belt may be used as the transport means.
즉, 이송수단은 공급기(100)의 외부 일부분에 선택적으로 정회전 또는 역회전하게 설치되는 모터(130)와, 공급기(100)의 내부 일측에 설치되어 모터의 동력을 전달받아 정회전 또는 역회전하는 구동롤러(132)와, 공급기(100)의 내부 타측에 설치되는 가이드롤러(134)와, 이 롤러들을 연결시키는 밸트(136)로 구성된다. 그리고 밸트(136)의 일부분에는 외측튜브(124)의 일부분이 연결되어, 밸트(136)의 이송방향에 따라 외측튜브(124)가 이동 가능하게 구성된다.That is, the conveying means is installed on the motor 130 to be selectively rotated or reversely rotated on the outer portion of the feeder 100, and is installed on one side of the feeder 100 to receive the power of the motor to rotate forward or reversely. It consists of a driving roller 132, a guide roller 134 installed on the other side of the feeder 100, and a belt 136 for connecting the rollers. And a portion of the outer tube 124 is connected to a portion of the belt 136, the outer tube 124 is configured to be movable in accordance with the conveying direction of the belt 136.
그러나 이와 같이 구성된 종래의 공급기는 호퍼 내에 저장된 폴리 실리콘이 내측튜브와 외측튜브를 거쳐 석영 도가니로 공급될 때, 폴리 실리콘의 공급 속도를 감속시킬 수 있는 별도의 감속수단이 없기 때문에 폴리 실리콘이 낙하하는 속도 그대로 석영 도가니로 공급되며, 따라서 그 속도에 의해 폴리 실리콘이 안정적으로 공급되지 못하는 문제점이 있었다.However, in the conventional feeder configured as described above, when the polysilicon stored in the hopper is supplied to the quartz crucible through the inner tube and the outer tube, the polysilicon falls because there is no separate deceleration means for reducing the feed rate of the polysilicon. The speed is supplied to the quartz crucible as it is, therefore, there was a problem that the polysilicon is not supplied stably by the speed.
즉, 공급 속도가 빠르다 보니 폴리 실리콘이 석영 도가니에 존재하는 용융 실리콘과 부딪히면서 튀는 문제가 발생되거나, 폴리 실리콘이 석영 도가니에 채워질 때 불균일하게 축척되어 융융 속도에 차이를 가져오는 문제점이 발생된다.That is, since the feed rate is high, polysilicon collides with molten silicon present in the quartz crucible, or splashing occurs, or when polysilicon is filled in the quartz crucible, it is non-uniformly scaled, causing a difference in melting rate.
본 고안은 상술한 바와 같이 제반되는 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로, 그 목적은 폴리 실리콘을 석영 도가니에 공급할 때 적당한 속도로 감속시켜 공급할 수 있도록 한 잉곳 성장 장치의 공급기를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the problems described above, the object is to provide a feeder of the ingot growth apparatus that can be supplied by slowing down at a suitable speed when supplying polysilicon to the quartz crucible.
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 잉곳 성장 장치의 공급기는 호퍼와 도가니의 사이에 설치되고, 내부에 마련된 공급관을 통해 호퍼에 저장된 폴리 실리콘을 도가니로 안내 공급하는 잉곳 성장 장치의 공급기에 있어서, 공급관은 호퍼의 배출로와 연통되게 고정적으로 설치된 내측튜브와, 내측튜브를 감싸도록 설치된 외측튜브로 이루어지고, 외측튜브는 별도의 이송수단을 통해 길이 방향을 따라 이동하면서 내측튜브를 기준으로 선택적으로 신장 또는 수축되게 구성되며, 외측튜브의 내측 일부분에는 안내되는 폴리 실리콘의 속도를 감속시키기 위해 감속편이 형성된 것을 특징으로 한다.In the feeder of the ingot growth apparatus according to the present invention for achieving the above object is installed between the hopper and the crucible, the feeder of the ingot growth apparatus for guiding supply of polysilicon stored in the hopper to the crucible through a supply pipe provided therein, The supply pipe is composed of an inner tube fixedly connected to communicate with the discharge path of the hopper and an outer tube installed to surround the inner tube, and the outer tube is selectively moved relative to the inner tube while moving along the longitudinal direction through a separate transfer means. It is configured to be elongated or contracted, characterized in that the reduction piece is formed in the inner portion of the outer tube to reduce the speed of the guided polysilicon.
여기서, 상기 감속편은 외측튜브의 배출구와 근접한 부분에서 폴리 실리콘이 공급되는 방향과 동일한 방향으로 경사지게 형성된다.Here, the deceleration piece is formed to be inclined in the same direction as the direction in which the polysilicon is supplied in a portion close to the outlet of the outer tube.
또한, 상기 감속편은 하부에서 배출구 방향으로 경사지게 연장 형성된 제 1감속편과, 상부에서 배출구 방향으로 경사지게 연장 형성된 제 2감속편으로 이루어진다.In addition, the deceleration piece consists of a first reduction piece extending inclined in the direction of the outlet from the bottom, and a second reduction piece extending inclined in the direction of the outlet from the top.
도 1은 일반적인 잉곳 성장 장치를 나타낸 정면도,1 is a front view showing a typical ingot growth apparatus,
도 2는 석영 도가니에 폴리 실리콘을 공급하는 종래의 공급기 구조를 나타낸 단면도,2 is a cross-sectional view showing a conventional feeder structure for supplying polysilicon to a quartz crucible;
도 3은 석영 도가니에 폴리 실리콘을 공급하는 본 고안에 따른 공급기 구조를 나타낸 단면도,3 is a cross-sectional view showing a feeder structure according to the present invention for supplying polysilicon to a quartz crucible,
도 4는 본 고안에서 외측튜브의 일부분을 확대해서 나타낸 단면도.Figure 4 is an enlarged cross-sectional view showing a portion of the outer tube in the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10: 석영 도가니 20: 히터부10: quartz crucible 20: heater part
30: 챔버부 40: 성장탑부30: chamber 40: growth tower
50: 호퍼 60: 제어부50: hopper 60: control unit
100: 공급기 110: 몸체100: feeder 110: body
112: 출입구 114: 플랜지부112: entrance 114: flange
120: 공급관 122: 내측튜브120: supply pipe 122: inner tube
124: 외측튜브 124a: 배출구124: outer tube 124a: outlet
130: 모터 132: 구동롤러130: motor 132: drive roller
134: 가이드롤러 136: 밸트134: guide roller 136: belt
200: 감속편 210: 제 1감속편200: deceleration piece 210: first reduction piece
220: 제 2감속편 V1, V2: 밸브220: second reduction piece V1, V2: valve
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 고안에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다. 그리고 종래와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 명칭과 부호를 사용하여 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The same components as in the prior art will be described using the same names and symbols.
첨부된 도 3은 석영 도가니에 폴리 실리콘을 공급하는 본 고안에 따른 공급기 구조를 나타낸 단면도이고, 도 4는 본 고안에서 외측튜브의 일부분을 확대해서 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a feeder structure according to the present invention for supplying polysilicon to a quartz crucible, and FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a portion of an outer tube in the present invention.
먼저, 본 고안의 이해를 돕기 위해 잉곳 성장 장치의 기본적인 구성을 간단하게 설명하면, 도 1에 도시된 바와 같이 폴리 실리콘을 용융하는 석영 도가니(Quarts Crucible)(10)와, 석영 도가니에 열을 가하기 위한 히터부(20)와, 히터부의 외부로 설치되고 열차폐수단을 포함하여 이루어진 챔버부(Chamber)(30)와, 석영 도가니에 용융된 폴리 실리콘에 종자 결정체(Seed Crystal)를 접촉시켜 서서히 인상시키면서 원하는 지름의 실리콘 잉곳(Ingot)을 성장시키는 잉곳 인상장치를 포함하여 이루어진 성장탑부(40)와, 폴리 실리콘이 충전되어 있는 호퍼(Hopper)(50)와, 호퍼에 충전된 폴리 실리콘을 석영 도가니로 안내하여 공급하는 공급기(Feeder)(100)와, 장치를 전체적으로 제어하는 제어부(60)를 포함하여 구성된다.First, the basic configuration of the ingot growth apparatus will be briefly explained to help understanding of the present invention. As shown in FIG. 1, a quartz crucible 10 for melting polysilicon and heat is applied to the quartz crucible. The heater unit 20, the chamber 30 which is installed outside the heater unit and includes a heat shielding means, and the seed crystal is gradually brought into contact with the polysilicon melted in the quartz crucible. A quartz crucible is made of a growth top 40, a hopper 50 filled with polysilicon, and a polysilicon filled in a hopper, including an ingot pulling apparatus for growing a silicon ingot of a desired diameter while growing. It comprises a feeder (100) for guiding and supplying to the control unit, and a control unit 60 for controlling the device as a whole.
이와 같은 구성에서 알 수 있듯이, 공급기는 호퍼와 석영 도가니의 사이에 설치되어 호퍼에 저장된 폴리 실리콘을 석영 도가니로 안내하여 공급하는 역할을 한다.As can be seen in such a configuration, the feeder is installed between the hopper and the quartz crucible to serve to guide and supply polysilicon stored in the hopper to the quartz crucible.
도 3과 도 4를 참조하면, 본 고안에 따른 공급기(100)는 몸체(110)의 내부에 공급관(120)이 구비된 구성을 갖는다.3 and 4, the feeder 100 according to the present invention has a configuration in which a supply pipe 120 is provided inside the body 110.
몸체(110)의 일부분에는 외측튜브(124)가 출입할 수 있는 출입구(112)가 내부와 연통되게 관통 형성되고, 이 출입구(112)는 개폐용 밸브(V2)에 의해 선택적으로 개방되게 구성된다. 그리고 공급관(120)은 그 일부분이 몸체(110)의 출입구(112)를 통해 외부로 선택적으로 연장 가능하게 구성된다.A portion of the body 110 is formed through the inlet 112 through which the outer tube 124 can enter and communicate with the inside, the outlet 112 is configured to be selectively opened by the opening and closing valve (V2). . And the supply pipe 120 is a portion thereof is configured to be selectively extended to the outside through the inlet 112 of the body (110).
좀더 자세히 설명하면, 공급관(120)은 내측튜브(122)를 외측튜브(124)가 감싸고 있는 구조로 이루어지되, 내측튜브(122)는 중공으로 형성되어 그 일단부가 플랜지부(114)를 통해 호퍼(50)의 배출로(52)와 연통되게 고정적으로 설치되고, 외측튜브(124)는 길이 방향을 따라 슬라이딩 방식으로 이동되면서 내측튜브(122)를 기준으로 신장 또는 수축되게 설치된다. 물론 외측튜브(124)가 신장되면, 몸체(110)의 출입구(112)를 통해 외부로 연장되어 그 단부 즉, 배출구(124a)가 석영 도가니(10)의 센터로 이동하게 된다. 따라서 호퍼(50) 내에 저장되어 있는 폴리 실리콘은 내측튜브(122)를 통해 외측튜브(124)로 안내되어 석영 도가니(10)로 공급된다. 여기에서, 호퍼(50)의 배출로(52) 상에는 통상적으로 바스켓 밸브라고 하는 밸브(V1)가 마련된다.In more detail, the supply pipe 120 has a structure in which the inner tube 122 surrounds the outer tube 124, but the inner tube 122 is formed in a hollow so that one end thereof is hopper through the flange portion 114. It is fixedly communicated with the discharge passage 52 of the 50, the outer tube 124 is installed to extend or contract based on the inner tube 122 while being moved in a sliding manner along the longitudinal direction. Of course, when the outer tube 124 is extended, it extends to the outside through the inlet 112 of the body 110, the end, that is, the outlet 124a is moved to the center of the quartz crucible 10. Therefore, the polysilicon stored in the hopper 50 is guided to the outer tube 124 through the inner tube 122 and supplied to the quartz crucible 10. Here, the valve V1 commonly called a basket valve is provided on the discharge path 52 of the hopper 50.
다음으로, 외측튜브(124)는 별도의 이송수단을 통해 슬라이딩 방식으로 이동 가능하도록 구성되는데, 그 이송수단으로는 밸트를 이용하면 된다.Next, the outer tube 124 is configured to be movable in a sliding manner through a separate conveying means, the conveying means may use a belt.
즉, 이송수단은 공급기 몸체(110)의 외부 일부분에 선택적으로 정회전 또는 역회전하게 설치되는 모터(130)와, 공급기 몸체(110)의 내부 일측에 설치되어 모터(130)의 동력을 전달받아 정회전 또는 역회전하는 구동롤러(132)와, 공급기 몸체(110)의 내부 타측에 설치되는 가이드롤러(134)와, 이 롤러들을 연결시키는 밸트(136)로 구성된다. 그리고 밸트(136)의 일부분에는 외측튜브(124)의 일부분이 연결되어, 밸트의 이송방향에 따라 외측튜브가 이동 가능하게 구성된다. 물론, 본 실시예에서는 이송수단으로 밸트를 적용하였지만 다른 방법을 적용하는 것도 가능할 것이다. 예를 들면, 피스톤의 원리나 솔레노이드의 원리를 적용할 수도 있을 것이다.That is, the conveying means is installed on the motor 130 to be selectively rotated forward or reversely on the outer portion of the feeder body 110, and is installed on one side of the feeder body 110 to receive power from the motor 130. It consists of a drive roller 132 for forward or reverse rotation, a guide roller 134 installed on the other side of the feeder body 110, and a belt 136 connecting the rollers. And a part of the outer tube 124 is connected to a part of the belt 136, the outer tube is configured to be movable in the conveying direction of the belt. Of course, in the present embodiment is applied to the belt as a conveying means, it will be possible to apply other methods. For example, the principle of piston or solenoid may be applied.
특히, 본 고안에 따른 공급기를 보면 공급되는 폴리 실리콘의 속도를 감속시키기 위해 외측튜브(124)의 내측 일부분에 감속편(200)이 형성된다.In particular, in the feeder according to the present invention, in order to reduce the speed of the polysilicon to be supplied, the deceleration piece 200 is formed at an inner portion of the outer tube 124.
여기에서, 감속편(200)은 외측튜브(124)의 배출구(124a)와 근접한 부분에 형성되고, 폴리 실리콘이 공급되는 방향과 동일한 방향으로 경사지게 형성되는 것이 바람직하다. 그 이유를 설명하면, 배출구(124a)와 근접한 부분에 형성되지 않으면배출구(124a)까지 이동하는 시간동안 다시 가속도가 붙기 때문이다. 또한, 감속편(200)이 폴리 실리콘이 공급되는 방향으로 경사지지 않으면 폴리 실리콘이 감속편(200)과 외측튜브(124)의 내면 사이에 끼여서 원활한 공급이 이루어지지 않을 수 있기 때문이다.Here, the deceleration piece 200 is preferably formed in a portion close to the outlet 124a of the outer tube 124, it is preferably formed to be inclined in the same direction as the polysilicon supply. The reason for this is that if it is not formed in a portion close to the outlet 124a, the acceleration is again applied during the time moving to the outlet 124a. In addition, if the deceleration piece 200 does not incline in the direction in which the polysilicon is supplied, the polysilicon may be sandwiched between the deceleration piece 200 and the inner surface of the outer tube 124 and thus may not be smoothly supplied.
또한, 감속편(200)은 하부에서 배출구 방향으로 경사지게 연장 형성된 제 1감속편(210)과, 상부에서 배출구 방향으로 경사지게 연장 형성된 제 2감속편(220)으로 구성되어 충분한 감속이 이루어지도록 하는 것이 바람직하다.In addition, the deceleration piece 200 is composed of a first reduction piece 210 is formed to be inclined in the discharge port direction from the lower portion, and the second reduction piece 220 is formed to be inclined in the discharge port direction from the top to ensure sufficient deceleration is made. desirable.
이제, 이와 같이 구성된 본 고안의 작동 및 작용 효과를 설명한다.Now, the operation and effect of the present invention configured as described will be described.
통상적으로 잉곳 성장 장치는 석영 도가니 내에 용융되어 있는 용융 실리콘을 종자 결정체를 통해 인상시키면서 성장탑부 내에서 원하는 지름의 실리콘 잉곳으로 성장시키는 작업이 완료되면, 별도의 분리 작업을 통해 성장 완료된 잉곳을 분리시키게 된다. 이때, 완성된 잉곳을 분리하는 동안 호퍼 내에 저장된 폴리 실리콘이 석영 도가니로 공급되어 새로운 잉곳을 또 성장시키기 위한 준비를 하게 된다. 이때, 호퍼 내에 저장된 폴리 실리콘을 석영 도가니로 안내하는 역할을 공급기가 하게 된다.Typically, the ingot growth apparatus is to raise the molten silicon melted in the quartz crucible through the seed crystal while growing the silicon ingot of the desired diameter in the growth column, and separate the grown ingot through a separate separation operation. do. At this time, the polysilicon stored in the hopper is supplied to the quartz crucible during separation of the finished ingot to prepare for growing a new ingot again. At this time, the feeder serves to guide the polysilicon stored in the hopper to the quartz crucible.
특히, 본 고안에 따른 공급기를 적용하면 폴리 실리콘을 석영 도가니에 공급할 때 적당한 속도를 유지하도록 함으로써, 안정적으로 폴리 실리콘을 공급할 수 있게 된다.In particular, when the feeder according to the present invention is applied, it is possible to stably supply polysilicon by maintaining a proper speed when supplying polysilicon to a quartz crucible.
즉, 공급기의 출입구에 마련된 밸브를 개방시키고, 이송수단을 작동시켜 도3에 가상선으로 도시된 바와 같이 공급기 내에 마련된 외측튜브를 신장시켜 외측튜브의 배출구가 석영 도가니의 센터로 이동하게 한다. 이 상태에서, 호퍼와 공급기를 연결하는 배출로에 마련된 밸브를 개방시키면 중력에 의해 호퍼에 저장되어 있던 폴리 실리콘이 떨어지면서 공급기를 통해 석영 도가니로 공급된다. 이 때, 본 고안에 따른 외측튜브에는 감속편이 마련되어 있기 때문에 가속도가 붙어서 내려오던 폴리 실리콘은 제 1감속편 및 제 2감속편과 순차적으로 간섭되면서 그 속도가 감속된 상태로 석영 도가니에 공급된다. 따라서 폴리 실리콘을 보다 안정적이고 정확하게 공급할 수 있게 된다.That is, the valve provided at the inlet and outlet of the feeder is opened, and the transfer means is operated to extend the outer tube provided in the feeder as shown in phantom in FIG. 3 so that the outlet of the outer tube moves to the center of the quartz crucible. In this state, when the valve provided in the discharge path connecting the hopper and the feeder is opened, the polysilicon stored in the hopper is dropped by gravity and supplied to the quartz crucible through the feeder. At this time, since the deceleration piece is provided in the outer tube according to the present invention, the polysilicon, which has come down with acceleration, is sequentially supplied to the quartz crucible while its speed is reduced while interfering with the first deceleration piece and the second deceleration piece. Therefore, it is possible to supply polysilicon more stably and accurately.
이상에서와 같이, 본 고안은 공급기의 내부에 마련된 외측튜브에 감속편이 형성되어 있기 때문에 폴리 실리콘을 석영 도가니에 공급할 때 그 속도를 감속시켜 적당한 속도로 공급할 수 있으며, 이와 같이 폴리 실리콘을 보다 안정적이면서 천천히 부드럽게 공급하기 때문에 공급되는 폴리 실리콘이 석영 도가니에 존재하는 용융 실리콘과 부딪히면서 튀는 문제가 발생되지 않으며 폴리 실리콘이 석영 도가니에 균일하게 축척되어 일정한 융융 속도를 유지하게 되는 효과가 있다.As described above, the present invention is that the deceleration piece is formed in the outer tube provided inside the feeder, when the polysilicon is supplied to the quartz crucible, the speed can be reduced and supplied at an appropriate speed, and thus the polysilicon is more stable Slowly and smoothly feeding, the supplied polysilicon does not collide with the molten silicon present in the quartz crucible and splashing occurs, and the polysilicon is uniformly accumulated in the quartz crucible to maintain a constant melting rate.
이상에서와 같이 본 고안은 상술한 실시 예로만 한정되는 것이 아니라 본 고안의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있으며, 이러한 수정 및 변경 등은 이하의 실용신안등록청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited only to the above-described embodiments, but may be modified and modified within the scope not departing from the gist of the present invention, and such modifications and changes belong to the following utility model registration claims. Should be seen.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2004-0032251U KR200374739Y1 (en) | 2004-11-15 | 2004-11-15 | Poly Silicon Feeder of ingot growth arrangement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20-2004-0032251U KR200374739Y1 (en) | 2004-11-15 | 2004-11-15 | Poly Silicon Feeder of ingot growth arrangement |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR200374739Y1 true KR200374739Y1 (en) | 2005-02-03 |
Family
ID=49445566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR20-2004-0032251U KR200374739Y1 (en) | 2004-11-15 | 2004-11-15 | Poly Silicon Feeder of ingot growth arrangement |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200374739Y1 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101216521B1 (en) * | 2012-03-20 | 2012-12-31 | 유호정 | Silicon ingot growing apparatus including feed unit |
| KR101554223B1 (en) | 2014-04-25 | 2015-09-18 | (주)에스테크 | Continuous supply apparatus of ingot raw material |
| CN107881551A (en) * | 2017-12-20 | 2018-04-06 | 江苏拜尔特光电设备有限公司 | The material buffer device of single crystal growing furnace |
| KR102516630B1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-03-30 | 한화솔루션 주식회사 | Ingot growing apparatus |
| CN116145234A (en) * | 2015-08-20 | 2023-05-23 | 环球晶圆股份有限公司 | System for selectively feeding chunk or granular polycrystalline silicon in a crystal growth chamber |
-
2004
- 2004-11-15 KR KR20-2004-0032251U patent/KR200374739Y1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101216521B1 (en) * | 2012-03-20 | 2012-12-31 | 유호정 | Silicon ingot growing apparatus including feed unit |
| WO2013141471A1 (en) * | 2012-03-20 | 2013-09-26 | (주)세미머티리얼즈 | Silicon ingot growing apparatus provided with feed unit |
| KR101554223B1 (en) | 2014-04-25 | 2015-09-18 | (주)에스테크 | Continuous supply apparatus of ingot raw material |
| WO2015163505A1 (en) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | (주)에스테크 | Apparatus for continuously supplying ingot raw material |
| CN116145234A (en) * | 2015-08-20 | 2023-05-23 | 环球晶圆股份有限公司 | System for selectively feeding chunk or granular polycrystalline silicon in a crystal growth chamber |
| CN107881551A (en) * | 2017-12-20 | 2018-04-06 | 江苏拜尔特光电设备有限公司 | The material buffer device of single crystal growing furnace |
| KR102516630B1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-03-30 | 한화솔루션 주식회사 | Ingot growing apparatus |
| WO2023068534A1 (en) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 한화솔루션 주식회사 | Ingot growing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4036595A (en) | Continuous crystal growing furnace | |
| KR200374739Y1 (en) | Poly Silicon Feeder of ingot growth arrangement | |
| US20120228081A1 (en) | Raw material loading apparatus and pipe unit for raw material loading apparatus | |
| JP3115335B2 (en) | Melt supply device | |
| JP7089572B2 (en) | A system for selectively supplying chunked or granular polysilicon into a crystal growth chamber | |
| CN102058158B (en) | Emptying cartridge, method for emptying chamfers filled with rod-shaped objects and device for bringing together mass flows, in particular for an emptying cartridge | |
| JP6726997B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| KR101093925B1 (en) | Apparatus for melting dopant in melt | |
| KR101425129B1 (en) | Output of molten zinc tangryang plated device that can be adjusted to facilitate | |
| KR20180013584A (en) | Single crystal grower and raw material feeder for the crystal growth applied thereto | |
| WO2023185038A1 (en) | Raw material re-feeding apparatus for manufacturing single crystals, and single crystal manufacturing apparatus comprising same | |
| JPH10182279A (en) | Crystl structure method for pulling crystal of czochralski type crystal growth system and apparatus therefor | |
| US8480345B2 (en) | Composite continuous feeder | |
| JP2007204306A (en) | Single crystal pulling apparatus and raw material silicon filling method | |
| KR20120003222A (en) | Upper-docking type raw material supply apparatus for continuous growing single crystals | |
| CN216738630U (en) | Crystal growth equipment and crystal | |
| JP2020007816A (en) | Washing device for private parts | |
| CN109168488B (en) | Seedling planting method | |
| CN114686978A (en) | Feeding assembly, single crystal growing device with same and feeding method | |
| KR100826909B1 (en) | Agglutinative material input unit for furnace | |
| JP6086275B2 (en) | Workpiece input device | |
| KR20220010241A (en) | Apparatus for supplying pump cap | |
| CN107175322B (en) | Apparatus and method for manufacturing copper alloy material | |
| KR100797585B1 (en) | Silicon Ingot Growing Apparatus | |
| JP2000351693A (en) | Method for feeding rod type polycrystalline silicone |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| REGI | Registration of establishment | ||
| T201 | Request for technology evaluation of utility model | ||
| EXTG | Extinguishment | ||
| T601 | Decision on revocation of utility model registration |