KR20030092516A - System and method for manufacturing liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 액정 적하 방식으로 액정표시장치를 제조하기 위한 시스템 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a system for manufacturing a liquid crystal display device by a liquid crystal dropping method and a method of manufacturing the liquid crystal display device using the same.
정보화 사회가 발전함에 따라 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Lipuid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고 일부는 이미여러 장비에서 표시장치로 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices is increasing in various forms, and in recent years, the LCD (Lipuid Crystal Display Device), PDP (Plasma Display Panel), ELD (Electro Luminescent Display), and VFD (Vacuum Fluorescent) Various flat panel display devices such as displays have been studied, and some of them are already used as display devices in various devices.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인하여 이동형 화상 표시장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)을 대체하면서 LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비전, 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, LCD is the most widely used as the substitute for CRT (Cathode Ray Tube) for mobile image display because of its excellent image quality, light weight, thinness, and low power consumption. In addition to the use of the present invention, a variety of applications such as a television, a computer monitor, and the like for receiving and displaying broadcast signals have been developed.
이와 같이 액정표시장치가 여러 분야에서 화면 표시장치로서의 역할을 하기 위해 여러 가지 기술적인 발전이 이루어 졌음에도 불구하고 화면 표시장치로서 화상의 품질을 높이는 작업은 상기 특징 및 장점과 배치되는 면이 많이 있다. 따라서, 액정표시장치가 일반적인 화면 표시장치로서 다양한 부분에 사용되기 위해서는 경량, 박형, 저 소비전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적 등 고 품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 발전의 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.As described above, although various technical advances have been made in order for a liquid crystal display device to serve as a screen display device in various fields, the task of improving the image quality as a screen display device is often arranged with the above characteristics and advantages. . Therefore, in order to use a liquid crystal display device in various parts as a general screen display device, the key to development is how much high definition images such as high definition, high brightness, and large area can be realized while maintaining the characteristics of light weight, thinness, and low power consumption. It can be said.
이와 같은 액정표시장치는, 화상을 표시하는 액정 패널과 상기 액정 패널에 구동신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있으며, 상기 액정패널은 일정 공간을 갖고 합착된 제 1, 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다.Such a liquid crystal display may be largely divided into a liquid crystal panel displaying an image and a driving unit for applying a driving signal to the liquid crystal panel, wherein the liquid crystal panel has a predetermined space and is bonded to the first and second glass substrates. And a liquid crystal layer injected between the first and second glass substrates.
이와 같은 상기 제 1, 제 2 기판은 스페이서(spacer)에 의해 일정 공간을 갖고 액정 주입구를 갖는 씨일재(sealant)에 의해 합착되어 상기 두 기판사이에 액정이 주입된다.The first and second substrates are bonded by a sealant having a predetermined space by a spacer and having a liquid crystal injection hole to inject liquid crystal between the two substrates.
이 때, 액정 주입 방법은 상기 씨일재에 의해 합착된 두 기판 사이를 진공상태를 유지하여 액정 액에 상기 액정 주입구가 잠기도록 하면 삼투압 현상에 의해 액정이 두 기판 사이에 주입된다. 이와 같이 액정이 주입되면 상기 액정 주입구를 밀봉재로 밀봉하게 된다.At this time, in the liquid crystal injection method, the liquid crystal is injected between the two substrates by osmotic pressure when the liquid crystal injection hole is immersed in the liquid crystal liquid by maintaining the vacuum state between the two substrates bonded by the seal material. When the liquid crystal is injected as described above, the liquid crystal injection hole is sealed with a sealing material.
그러나 이와 같은 일반적인 액정 주입식 액정표시장치의 제조 방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the manufacturing method of such a liquid crystal injection type liquid crystal display device has the following problems.
첫째, 단위 패널로 컷팅한 후, 두 기판 사이를 진공 상태로 유지하여 액정 주입구를 액정액에 담가 액정을 주입하므로 액정 주입에 많은 시간이 소요되므로 생산성이 저하된다.First, after cutting into a unit panel, the liquid crystal injection hole is immersed in the liquid crystal liquid by maintaining the vacuum state between the two substrates, so that the liquid crystal injection takes a lot of time, the productivity is reduced.
둘째, 대면적의 액정표시장치를 제조할 경우, 액정 주입식으로 액정을 주입하면 패널내에 액정이 완전히 주입되지 않아 불량의 원인이 된다.Second, in the case of manufacturing a large-area liquid crystal display device, when the liquid crystal is injected by the liquid crystal injection method, the liquid crystal is not completely injected into the panel, which causes a defect.
셋째, 상기와 같이 공정이 복잡하고 시간이 많이 소요되므로 여러개의 액정 주입 장비가 요구되어 많은 공간을 요구하게 된다.Third, since the process is complicated and time-consuming as described above, several liquid crystal injection equipment is required, which requires a lot of space.
따라서, 최근에는 액정을 적하하는 방법을 이용한 액정표시장치의 제조 방법이 연구되고 있다. 그 중 일본 공개특허공보 2000-147528호에 다음과 같은 액정 적하 방식을 이용한 기술이 개시되어 있다.Therefore, in recent years, the manufacturing method of the liquid crystal display device using the method of dropping a liquid crystal is researched. Among them, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2000-147528 discloses a technique using the following liquid crystal dropping method.
이와 같은 액정 적하 방식을 이용한 종래의 액정표시장치의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.The manufacturing method of the conventional liquid crystal display device using the liquid crystal dropping method is as follows.
도 1a 내지 1f는 종래의 액정 적하 방식에 따른 액정표시장치의 공정 단면도이다.1A to 1F are cross-sectional views of a liquid crystal display device according to a conventional liquid crystal dropping method.
도 1a와 같이, 박막트랜지스터 어레이가 형성된 제 1 유리 기판(3)에 자외선경화형 씨일재(1)를 도포하고, 상기 씨일재(1) 안쪽(박막트랜지스터 어레이 부분)에 액정(2)을 적하한다. 이 때, 상기 씨일재(3)는 액정 주입구가 없이 형성된다.As shown in Fig. 1A, the ultraviolet-curable seal material 1 is applied to the first glass substrate 3 on which the thin film transistor array is formed, and the liquid crystal 2 is dripped inside the seal material 1 (thin film transistor array portion). . At this time, the seal material 3 is formed without a liquid crystal injection hole.
상기와 같은 제 1 유리 기판(3)을 수평방향으로 이동 가능한 진공 용기(C)내의 테이블(4)상에 탑재하고, 상기 제 1 유리 기판(3)의 하부 표면 전면을 제 1 흡착기구(5)로 진공 흡착하여 고정시킨다.The first glass substrate 3 as described above is mounted on the table 4 in the vacuum container C that is movable in the horizontal direction, and the entire lower surface of the first glass substrate 3 is mounted on the first adsorption mechanism 5. ) By vacuum adsorption.
도 1b와 같이, 칼라필터 어레이가 형성된 제 2 유리 기판(6)의 하부 표면 전면을 제 2 흡착기구(7)로 진공 흡착하여 고정하고, 진공 용기(C)를 닫아 진공시킨다. 그리고, 상기 제 2 흡착기구(7)를 수직방향으로 하강시켜 상기 제 1 유리 기판(3)과 제 2 유리 기판(6)의 간격을 조절하고, 상기 제 1 유리 기판(3)을 탑재한 상기 테이블(4)을 수평 방향으로 이동시켜 상기 제 1 유리 기판(3)과 제 2 유리 기판(6)을 예비적으로 위치를 맞춘다.As shown in Fig. 1B, the entire lower surface of the second glass substrate 6 on which the color filter array is formed is vacuum-adsorbed and fixed by the second adsorption mechanism 7, and the vacuum vessel C is closed and vacuumed. And the said 2nd adsorption mechanism 7 is lowered in a vertical direction, the space | interval of the said 1st glass substrate 3 and the 2nd glass substrate 6 was adjusted, and the said 1st glass substrate 3 was mounted. The table 4 is moved in the horizontal direction to preliminarily position the first glass substrate 3 and the second glass substrate 6.
도 1c와 같이, 상기 제 2 흡착기구(7)를 수직방향으로 하강시켜 상기 제 2 유리 기판(6)과 액정(2) 또는 씨일재(1)를 접촉시킨다.As shown in FIG. 1C, the second adsorption mechanism 7 is lowered in the vertical direction to bring the second glass substrate 6 into contact with the liquid crystal 2 or the seal member 1.
도 1d와 같이, 상기 제 1 유리 기판(3)을 탑재한 상기 테이블(4)을 수평 방향으로 이동시켜 상기 제 1 유리 기판(3)과 제 2 유리 기판(6)의 위치를 맞춘다.As shown in FIG. 1D, the table 4 on which the first glass substrate 3 is mounted is moved in the horizontal direction to adjust the position of the first glass substrate 3 and the second glass substrate 6.
도 1e와 같이, 상기 제 2 흡착기구(7)를 수직방향으로 하강시켜 제 2 유리 기판(6)을 상기 씨일재(1)를 통해 제 1 유리 기판(3)에 접합하고, 가압한다.As shown in FIG. 1E, the second adsorption mechanism 7 is lowered in the vertical direction to bond the second glass substrate 6 to the first glass substrate 3 through the seal material 1 and pressurize it.
도 1f와 같이, 상기 진공 용기(C)로부터 상기 접합된 제 1, 제 2 유리 기판(3, 6)을 꺼내어 상기 씨일재(1)에 자외선(8)을 조사하여 상기 씨일재(1)를 경화시켜 액정표시장치를 완성한다.As shown in FIG. 1F, the bonded first and second glass substrates 3 and 6 are taken out of the vacuum container C, and the seal material 1 is irradiated with ultraviolet rays 8 to provide the seal material 1. Cured to complete the liquid crystal display device.
그러나, 이와 같은 종래의 액정 적하 방식의 액정표시장치의 제조 방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the conventional method of manufacturing the liquid crystal display device of the liquid crystal dropping method has the following problems.
첫째, 동일 기판에 씨일재를 형성하고 액정을 적하하므로 두 기판을 합착하기 전까지의 공정 시간이 많이 소요된다.First, since the seal material is formed on the same substrate and the liquid crystal is dropped, the process time until bonding the two substrates takes a lot.
둘째, 상기 제 1 기판에는 씨일재가 도포되고 액정이 적하된 반면 상기 제 2 기판에는 어떤 공정도 수행되지 않으므로 제 1 기판과 제 2 기판의 공정 간에 불균형(Unbalance)이 발생되어 생산 라인을 효율적으로 가동하기 곤란하다.Second, since a sealing material is applied to the first substrate and liquid crystal is dropped, but no process is performed on the second substrate, an unbalance occurs between the processes of the first substrate and the second substrate, thereby efficiently operating the production line. Difficult to do
셋째, 상기 제 1 기판에 씨일재가 도포되고 액정이 적하되므로 합착하기 전에 세정 장비(USC)에서 씨일재가 도포된 기판을 세정을 할 수 없게 된다. 따라서, 상하 기판을 합착하는 씨일재를 세척할 수 없어 파티클을 제거하지 못하고, 합착 시 씨일재의 이물에 의한 불량을 발생시킨다.Third, since the sealing material is applied to the first substrate and the liquid crystal is dropped, the substrate to which the sealing material is applied cannot be cleaned by the cleaning equipment USC before bonding. Therefore, the seal material that bonds the upper and lower substrates cannot be cleaned, so that the particles cannot be removed, and defects due to foreign matters of the seal material are caused during the bonding.
넷째, 상기 씨일재가 형성된 제 1 기판과 제2기판을 합착하는 공정 중에 외부 힘에 의한 가압을 받을 경우, 씨일재 패턴이 변형되는 문제점이 생긴다.Fourth, when the pressure is applied by an external force during the process of bonding the first substrate and the second substrate on which the seal material is formed, there is a problem that the seal material pattern is deformed.
다섯째, 상기 액정을 적하할 시 정확한 양을 적하하는 것이 어렵고, 과충진이 될 경우 액정이 흘러내리게 되거나 또는 미충진 시 셀갭의 변동이 생겨 화질에 영향을 주게 된다.Fifth, when the liquid crystal is dropped, it is difficult to drop the correct amount, and when the liquid crystal is overfilled, the liquid crystal may flow down or when the liquid crystal is unfilled, the cell gap may be changed to affect the image quality.
본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 공정 시간을 단축시키고 생산성을 향상시킬 수 있는 액정 적하 방식의 액정표시장치를 제조하기 위한 시스템 및 이를 이용한 액정표시장치의 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and provides a system for manufacturing a liquid crystal display device of the liquid crystal dropping method that can shorten the process time and improve the productivity and an object of the liquid crystal display device using the same There is this.
도 1a 내지 1f는 종래의 액정 적하 방식의 액정표시장치 공정을 도시한 모식적 단면도1A to 1F are schematic cross-sectional views showing a conventional liquid crystal display method of a liquid crystal display device.
도 2는 본 발명에 따른 액정 적하 방식의 액정표시장치 제조 공정 순서도2 is a flow chart of a liquid crystal display device manufacturing process of the liquid crystal dropping method according to the present invention
도 3a는 본 발명에 따른 TN 모드 액정표시장치의 평명도3A is a plan view of a TN mode liquid crystal display according to the present invention.
도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ' 선상의 제 1 기판 단면도3B is a cross-sectional view of the first substrate along the line II ′ of FIG. 3A.
도 3c는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ' 선상의 제 2 기판 단면도3C is a cross-sectional view of the second substrate along the line II ′ of FIG. 3A;
도 4a는 본 발명에 따른 IPS 모드 액정표시장치의 평명도4A is a plan view of an IPS mode liquid crystal display according to the present invention.
도 4b는 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ' 선상의 제 1 기판 단면도FIG. 4B is a cross-sectional view of the first substrate along the II-II 'line in FIG. 4A
도 4c는 도 4a의 Ⅱ-Ⅱ' 선상의 제 2 기판 단면도FIG. 4C is a cross-sectional view of the second substrate along the II-II 'line in FIG. 4A
도 5는 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 1 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도5 is a plan view of a liquid crystal display device according to a first embodiment for explaining a column spacer of the present invention;
도 6a 내지 도 6c는 도 5의 Ⅲ-Ⅲ' 선상의 다양한 실시예의 단면도6A through 6C are cross-sectional views of various embodiments taken along line III-III 'of FIG.
도 7은 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 2 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도7 is a plan view of a liquid crystal display device according to a second embodiment for explaining a column spacer of the present invention.
도 8은 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 3 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도8 is a plan view of a liquid crystal display device according to a third embodiment for explaining a column spacer of the present invention.
도 9a 내지 도 9c는 도 8의 Ⅳ-Ⅳ' 선상의 다양한 실시예의 단면도9A to 9C are cross-sectional views of various embodiments taken along line IV-IV 'of FIG.
도 10은 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 4 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도10 is a plan view of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment for explaining a column spacer of the present invention.
도 11은 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 5 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도11 is a plan view of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment for explaining a column spacer of the present invention.
도 12a 내지 도 12c는 도 11의 Ⅴ-Ⅴ' 선상의 다양한 실시예의 단면도12A to 12C are cross-sectional views of various embodiments on the line VV ′ of FIG. 11.
도 13은 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 6 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도13 is a plan view of a liquid crystal display device according to a sixth embodiment for explaining the column spacer of the present invention.
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 7 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도14A and 14B are plan views of a liquid crystal display device according to a seventh embodiment for explaining the column spacer of the present invention.
도 15는 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 8 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도15 is a plan view of a liquid crystal display device according to an eighth embodiment for explaining the column spacer of the present invention.
도 16a 내지 도 16d는 도 15의 Ⅵ-Ⅵ' 선상의 다양한 실시예의 단면도16A-16D are cross-sectional views of various embodiments along the VI-VI 'line of FIG. 15.
도 17a 및 도 17b는 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 9 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도17A and 17B are plan views of a liquid crystal display device according to a ninth embodiment for explaining the column spacer of the present invention.
도 18은 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 10 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도18 is a plan view of a liquid crystal display according to a tenth embodiment for explaining the column spacer of the present invention.
도 19a 내지 도 19h는 도 18의 Ⅶ-Ⅶ' 선상의 다양한 실시예의 단면도19A-19H are cross-sectional views of various embodiments along the VIII-VIII line of FIG. 18.
도 20a 및 도 20b는 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 11 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도20A and 20B are plan views of a liquid crystal display device according to an eleventh embodiment for explaining the column spacer of the present invention.
도 21은 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 12 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도21 is a plan view of a liquid crystal display device according to a twelfth embodiment for explaining the column spacer of the present invention.
도 22a 및 도 22d는 도 21의 Ⅷ-Ⅷ' 선상의 다양한 실시예의 단면도22A and 22D are cross-sectional views of various embodiments along the VIII-VIII line of FIG. 21.
도 23a 및 도 23b는 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 13 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도23A and 23B are plan views of a liquid crystal display device according to a thirteenth embodiment, for explaining the column spacer of the present invention.
도 24a 내지 도 24d는 본 발명의 칼럼 스페이서를 설명하기 위한 제 14 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도24A to 24D are plan views of a liquid crystal display device according to a fourteenth embodiment for explaining the column spacer of the present invention.
도 25는 본 발명 실시예에 따른 씨일재 형성 공정을 나타낸 평면도25 is a plan view showing a seal material forming process according to an embodiment of the present invention.
도 26a 및 도 26b는 본 발명 제 1 실시예에 따른 주 UV 경화형 씨일재를 형성하는 공정을 도시한 사시도26A and 26B are perspective views showing a process of forming the main UV curable seal material according to the first embodiment of the present invention.
도 27은 본 발명 제 2 실시예에 따른 주 UV 경화형 씨일재를 형성하는 공정을 도시한 사시도27 is a perspective view showing a process of forming the main UV curable seal material according to the second embodiment of the present invention;
도 28은 본 발명에 따른 디스펜싱 장치를 나타내는 도면으로서, 도 28a는 액정 미 적하시의 단면도이고, 도 28b는 액정 적하시의 단면도이며, 도 28c는 분해 사시도28 is a view showing a dispensing apparatus according to the present invention, FIG. 28A is a cross-sectional view of the liquid crystal dropping, FIG. 28B is a cross-sectional view of the liquid crystal dropping, and FIG. 28C is an exploded perspective view.
도 29는 도 28a의 A부분 확대도로, 도 29a는 사시도이고 도 29b는 단면도FIG. 29 is an enlarged view of portion A of FIG. 28A, FIG. 29A is a perspective view, and FIG. 29B is a sectional view
도 30은 도 28a 및 도 28b의 주제어부의 상세 구성도30 is a detailed configuration diagram of a main controller of FIGS. 28A and 28B;
도 31은 도 30의 입력부의 상세 구성도FIG. 31 is a detailed configuration diagram of the input unit of FIG. 30.
도 32는 도 30의 적하패턴 산출부의 상세 구성도32 is a detailed configuration diagram of the drop pattern calculation unit in FIG. 30.
도 33은 본 발명에 따른 액정 적하 방법을 나타내는 흐름도33 is a flowchart showing a liquid crystal dropping method according to the present invention.
도 34는 도 28a 및 도 28b의 주제어부에 포함되는 보정 제어부의 상세 구성도34 is a detailed configuration diagram of a correction control unit included in the main control unit of FIGS. 28A and 28B.
도 35는 도 34의 보정량 산출부의 상세 구성도35 is a detailed configuration diagram of the correction amount calculating unit of FIG. 34;
도 36은 도 34의 적하패턴 보정부의 상세 구성도36 is a detailed configuration diagram of the drop pattern correcting unit of FIG. 34;
도 37은 본 발명에 따른 액정 적하량의 보정방법을 나타내는 순서도37 is a flowchart showing a method of correcting a liquid crystal dropping amount according to the present invention.
도 38a 및 도 38b는 본 발명에 따른 액정 적하 위치 평면도38A and 38B are plan views of liquid crystal dropping positions according to the present invention.
도 39는 본 발명에 따른 액정표시소자용 진공 합착 장치의 개략도39 is a schematic view of a vacuum bonding device for a liquid crystal display device according to the present invention.
도 40은 본 발명에 따른 공정 보조 수단의 사시도40 is a perspective view of a process aid according to the invention
도 41은 본 발명에 따른 공정 보조 수단의 장착 상태를 나타낸 평면도Fig. 41 is a plan view showing a mounting state of the process assisting means according to the present invention.
도 42는 본 발명에 따른 제 1 기판 받침 수단이 수용된 하부 스테이지의 상태를 개략적으로 나타낸 평면도42 is a plan view schematically showing a state of a lower stage in which a first substrate support means is accommodated according to the present invention;
도 43a는 도 39의 "B" 부분 확대 단면도FIG. 43A is an enlarged cross-sectional view of portion “B” of FIG. 39. FIG.
도 43b는 제 1 기판의 반입/반출 방향에 대하여 수직한 방향으로 설치되는 제 1 받침대의 구성을 상기 제 1 기판의 반입/반출 방향에서 본 상태도43B is a state diagram of the configuration of the first pedestal provided in a direction perpendicular to the loading / exporting direction of the first substrate as seen from the loading / exporting direction of the first substrate;
도 44는 도 42에 따른 제 1 기판 받침 수단의 동작 상태를 개략적으로 나타낸 사시도44 is a perspective view schematically showing an operating state of the first substrate receiving means according to FIG. 42;
도 45는 본 발명에 따른 클램핑 수단이 적용된 하부 스테이지의 개략도45 is a schematic view of the lower stage to which the clamping means according to the invention is applied;
도 46은 본 발명에 따른 제 2 기판 받침 수단이 적용된 진공 합착 장치의 개략도46 is a schematic view of a vacuum bonding apparatus to which a second substrate support means according to the present invention is applied;
도 47은 본 발명에 따른 액정표시장치의 합착 공정 순서도47 is a flowchart illustrating a bonding process of the liquid crystal display according to the present invention.
도 48a 내지 도 48e는 본 발명에 따른 액정 적하 방식의 액정표시장치 공정을 개략적으로 도시한 단면도48A to 48E are cross-sectional views schematically illustrating a liquid crystal display device process of a liquid crystal dropping method according to the present invention.
도 49a 내지 도 49b는 본 발명의 액정표시소자의 제조공정 중 UV 경화 공정만을 도시한 사시도49A to 49B are perspective views illustrating only a UV curing process of a manufacturing process of a liquid crystal display of the present invention.
도 50은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 절단 장치에 대한 블록구성을 보인 예시도50 is an exemplary view showing a block configuration of a cutting device for a liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.
도 51a 내지 도 51g는 도 50의 각 블록에서 실시되는 순차적인 공정을 상세히 보인 예시도51A to 51G are exemplary views illustrating in detail a sequential process performed in each block of FIG. 50.
도 52는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 절단 장치에 대한 블록구성을 보인 예시도52 is an exemplary view showing a block configuration of a cutting device for a liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.
도 53a 내지 도 53g는 도 52의 각 블록에서 실시되는 순차적인 공정을 상세히 보인 예시도53A through 53G are exemplary views showing details of sequential processes performed in each block of FIG. 52.
도 54는 도 53a 내지 도 53g에 도시된 제 1 내지 제 4 테이블의 표면에 형성된 흡착홀의 다른 예를 보인 예시도54 is an exemplary view illustrating another example of the adsorption holes formed on the surfaces of the first to fourth tables illustrated in FIGS. 53A to 53G.
도 55a 및 도 55b는 본 발명의 일 실시예나 다른 실시예를 통해 적용되는 제 1, 제 2 스크라이빙 공정을 보다 상세히 도시한 예시도55A and 55B are exemplary views illustrating in detail the first and second scribing processes applied through one or another embodiment of the present invention.
도 56a 내지 도 56f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 순차적인 스크라이빙 공정을 상세히 보인 예시도56A to 56F are exemplary views showing details of a sequential scribing process according to another embodiment of the present invention.
도 57a 및 도 57b는 본 발명에 따른 액정 패널의 절단에 사용되는 절단 휠의실시예를 보인 예시도57A and 57B are exemplary views showing an embodiment of a cutting wheel used for cutting a liquid crystal panel according to the present invention.
도 58은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 연마량 검출 패턴을 보인 예시도58 is an exemplary view illustrating a polishing amount detection pattern of a liquid crystal panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 59는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 연마량 검출 패턴을 보인 예시도59 is an exemplary view illustrating a polishing amount detection pattern of a liquid crystal panel according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 60은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 검사 장치를 보인 예시도60 is an exemplary view showing an inspection apparatus of a liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention.
도 61a 내지 도 61c는 도 60의 검사 장치를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 액정 패널의 검사 방법을 순차적으로 보인 예시도61A to 61C are exemplary views sequentially illustrating a method of inspecting a unit liquid crystal panel according to an exemplary embodiment of the present invention using the inspection apparatus of FIG. 60.
도 62는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 검사장치를 보인 예시도62 is an exemplary view showing an inspection apparatus of a liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention.
도 63a 및 도 63b는 도 62의 검사 장치를 이용하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 단위 액정 패널의 검사 방법을 순차적으로 보인 예시도63A and 63B are exemplary views sequentially illustrating a method of inspecting a unit liquid crystal panel according to another exemplary embodiment of the present invention using the test apparatus of FIG. 62.
도 64는 본 발명에 따른 액정 적하 방식으로 액정표시장치를 제조하는 액정표시장치의 제조 시스템의 개략도64 is a schematic diagram of a manufacturing system of a liquid crystal display device for manufacturing a liquid crystal display device by the liquid crystal dropping method according to the present invention;
도 65는 도 64의 각 부분의 상세 블록 구성도65 is a detailed block diagram of each part of FIG. 64;
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10 : 제 1 기판 20 : 제 2 기판10: first substrate 20: second substrate
21 : 블랙매트릭스층 22 : 칼라 필터층21 black matrix layer 22 color filter layer
23 : 공통전극 25 : 오버코트층23 common electrode 25 overcoat layer
26 : 액정 27 : 칼럼스페이서26 liquid crystal 27 column spacer
28, 28a, 28b : 더미 칼럼스페이서 29 : 개구부28, 28a, 28b: dummy column spacer 29: opening
30 : 씨일재 31 : 디스펜싱 장치30: seal material 31: dispensing device
120 : 디스펜싱 장치 121 : 지지부120: dispensing device 121: support
122 : 케이스 123 : 개구122: case 123: opening
124 : 액정용기 125, 153 : 볼트124: liquid crystal container 125, 153: volts
128, 133 : 스프링 130 : 솔레노이드코일128, 133: spring 130: solenoid coil
132 : 자성막대 134 : 간극조정부132: magnetic rod 134: gap adjustment unit
135, 136, 137 :니들 138 : 돌기135, 136, 137: needle 138: projection
139 : 고정수단 141, 142 : 결합부139: fixing means 141, 142: coupling portion
143 : 니들시트 144 : 배출공143: needle seat 144: discharge hole
145 : 노즐 146 : 배출구145: nozzle 146: outlet
147 : 지지부 148 : 보호벽147: support 148: protective wall
149 : 불소 수지막 150 : 수납통149: fluororesin film 150: storage container
152 : 장력조정부 154 : 고정판152: tension adjusting unit 154: fixed plate
160 : 전원공급부 162 : 가스공급관160: power supply unit 162: gas supply pipe
170 : 주제어부 171 : 입력부170: main control unit 171: input unit
173 : 액정 적하량 산출부 175 : 적하패턴 산출부173: liquid crystal dropping amount calculating unit 175: dropping pattern calculating unit
176 : 기판구동부 177 : 전원제어부176: substrate driving unit 177: power supply control unit
178 : 유량제어부 179 : 출력부178: flow control unit 179: output unit
180 : 스페이서 높이 입력부 182 : 액정 특성 정보 입력부180: spacer height input unit 182: liquid crystal characteristic information input unit
184 : 기판정보 입력부 186 : 1회 적하량 산출부184: substrate information input unit 186: one-time load calculation unit
187 : 적하횟수 산출부 188 : 적하위치 산출부187: dripping number calculation unit 188: dripping position calculation unit
189 : 적하패턴 결정부 190 : 보정제어부189: dripping pattern determination unit 190: correction control unit
191 : 적하량 측정부 192 : 보정량 산출부191: loading amount measuring unit 192: correction amount calculating unit
193 : 적하패턴 보정부 195 : 적하량 설정부193: dripping pattern correction unit 195: dripping amount setting unit
196 : 비교부 197 : 오차 적하량 산출부196: comparison unit 197: error load calculation unit
200 : 진공장치 210 : 진공 챔버200: vacuum apparatus 210: vacuum chamber
221 : 상부 스테이지 222 : 하부 스테이지221: upper stage 222: lower stage
233 : 진공 펌프 300 : 반송장치233: vacuum pump 300: conveying device
400 : 제 2 기판 받침 수단 420 : 제 1 기판 받침 수단400: second substrate support means 420: first substrate support means
600 : 공정 보조 수단 700 : 클램핑 수단600: process aid means 700: clamping means
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 시스템은, 제 1 기판에 액정을 적하하는 액정 형성 라인과, 제 2 기판에 씨일재를 적하하는 씨일재 형성 라인과, 상기 제 1, 제 2 기판을 합착하고 상기 씨일재를 경화하는 합착 및 경화 라인과, 상기 합착 및 경화된 제 1, 제 2 기판을 각 패널 단위로 절단하여 연마 및 검사하는 검사 공정 라인을 구비하여 구성됨에 그 특징이 있다.A liquid crystal display manufacturing system according to the present invention for achieving the above object includes a liquid crystal forming line for dropping a liquid crystal on a first substrate, a seal material forming line for dropping a seal material on a second substrate, and the first And a bonding and curing line for bonding the second substrate and curing the seal material, and an inspection process line for cutting, polishing and inspecting the bonded and cured first and second substrates in each panel unit. There is a characteristic.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 방법은, 제 1 기판 상에 디스펜서를 이용하여 액정을 적하하는 공정과, 제 2 기판 상에 주 UV 경화형 씨일재를 형성하는 공정과, 상기 제 1 및 제 2 기판을 진공 합착하는 공정과, 상기 주 UV경화형 씨일재를 UV경화하는 공정과, 상기 합착된 기판을 셀 단위로 절단하는 공정과, 상기 절단된 기판을 연마하는 공정과, 상기 연마된 기판을 최종검사하는 공정을 포함하여 이루어짐에 그 특징이 있다.In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object, the step of dropping the liquid crystal using a dispenser on the first substrate, and forming a main UV curable seal material on the second substrate And vacuum-bonding the first and second substrates, UV-curing the main UV-curable seal material, cutting the bonded substrates in cell units, and polishing the cut substrates. And a process of final inspection of the polished substrate.
이와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 액정표시장치를 제조하기 위한 시스템 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.With reference to the accompanying drawings, a system for manufacturing a liquid crystal display according to the present invention having such a feature and a method of manufacturing the liquid crystal display using the same will be described in detail as follows.
도 2는 본 발명에 따른 액정 적하 방식을 이용한 액정표시장치의 공정 순서도이다.2 is a process flowchart of the liquid crystal display device using the liquid crystal dropping method according to the present invention.
본 발명에 따른 액정 적하 방식의 액정표시장치의 제조방법을 간략하게 설명하고 각 단위 공정을 추후에 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The manufacturing method of the liquid crystal display device of the liquid crystal dropping method according to the present invention will be briefly described and each unit process will be described in detail later.
도 2에 도시한 바와 같이, 제 1 기판에 게이트 라인, 데이터 라인, 박막트랜지스터 및 화소 전극 또는 공통 전극을 구비한 TFT 어레이를 형성하고(S1), 제 2 기판에 블랙매트릭스층 및 칼라필터층 또는 공통 전극을 구비한 컬러필터 어레이를 형성한다(S6). 이 때, 상기 각 기판은 1000×1200mm2이상의 면적을 갖고, 각 기판에는 하나의 패널이 구성되는 것이 아니라 액정패널의 사이즈에 따라 복수개의 패널이 배열될 수 있다.As shown in FIG. 2, a TFT array including a gate line, a data line, a thin film transistor, and a pixel electrode or a common electrode is formed on a first substrate (S1), and a black matrix layer and a color filter layer or a common layer are formed on a second substrate. A color filter array having electrodes is formed (S6). In this case, each substrate has an area of 1000 × 1200 mm 2 or more, and a plurality of panels may be arranged according to the size of the liquid crystal panel rather than one panel formed on each substrate.
이어서, 각 기판에 배향막을 도포하기 위해, 상기와 같이 형성된 제 1 기판 및 제 2 기판을 세정장치에서 각각 세정한다(S2, S7).Subsequently, in order to apply | coat an oriented film to each board | substrate, the 1st board | substrate and the 2nd board | substrate which were formed as mentioned above are wash | cleaned with a washing | cleaning apparatus, respectively (S2, S7).
상기 세정된 제 1 기판과 제 2 기판 각각에 배향막을 도포하고 러빙 공정을 진행하여 배향 방향을 결정한다(S3,S8). 이 때 상기 러빙 공정 대신에 상기 배향막으로 광배향막을 형성하고 무편광된 광, 편광된 광, 또는 부분편광된 광 등을 이용하여 광배향할 수 있다.An alignment layer is coated on each of the cleaned first and second substrates, and a rubbing process is performed to determine the alignment direction (S3 and S8). At this time, instead of the rubbing process, an alignment layer may be formed using the alignment layer and may be photoaligned using unpolarized light, polarized light, or partially polarized light.
그리고, 상기 배향 공정 시 발생된 파티클 등을 제거하기 위하여 상기 제 1 기판 및 제 2 기판을 세정한다(S4, S9).In addition, the first substrate and the second substrate are cleaned in order to remove particles generated during the alignment process (S4 and S9).
그리고, 상기 제 1 기판에는 각 패널의 액티브 영역에 액정을 적하하고(S5), 상기 제 2 기판의 각 패널 가장자리 부분에 씨일재를 인쇄한다(S10). 여기서, 상기 씨일재는 UV 경화성 수지를 이용하는데, 이는 후공정인 씨일재 경화공정 시 씨일재로서 열경화성 수지를 사용하면 씨일재가 가열하는 동안 흘러나와 액정이 오염되기 때문이다. 그리고, 상기 제 2 기판에 공통 전극이 형성되는 경우에는 제 1 기판과 제 2 기판 사이를 전기적으로 연결하기 위한 Ag 도트를 형성한다.The liquid crystal is dripped onto the active area of each panel on the first substrate (S5), and a seal material is printed on the edge portion of each panel of the second substrate (S10). Here, the seal material uses a UV curable resin, because when the thermosetting resin is used as the seal material during the seal material curing process, which is a post process, the seal material flows out while the seal material is heated to contaminate the liquid crystal. When the common electrode is formed on the second substrate, Ag dots for electrically connecting the first substrate and the second substrate are formed.
상기 씨일재 또는 Ag 도트 공정시 발생하는 파티클을 제거하기 위하여, 상기와 같이 씨일재 또는 Ag 도트가 형성된 제 2 기판을 USC(Ultra sonic cleaning) 세정 장비를 이용하여 세정한다(S11). 즉, 상기 제 2 기판에는 액정이 적하되지 않았기 때문에 세정이 가능하므로 상기 파티클에 의한 불량 발생 등을 미연에 방지할 수 있다.In order to remove particles generated during the sealing material or Ag dot process, the second substrate on which the sealing material or Ag dot is formed is cleaned using USC (Ultra sonic cleaning) cleaning equipment (S11). That is, since liquid crystal is not dripped on the said 2nd board | substrate, washing | cleaning is possible, and the occurrence of the defect by the said particle can be prevented beforehand.
상기와 같은 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하기 위하여 상기 두 기판 중 하나를 반전시킨다(S12). 본 발명에서는 상기 제 2 기판에는 액정이 적하되지 않고 씨일재가 도포되어 있으므로 상기 제 2 기판을 반전시킨다.In order to bond the first substrate and the second substrate as described above, one of the two substrates is inverted (S12). In the present invention, since the liquid crystal is not added to the second substrate but the seal material is applied, the second substrate is inverted.
그리고, 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 진공 합착 장치에 로딩하여 두 기판을 합착한다(S13).Then, the first substrate and the second substrate is loaded in the vacuum bonding apparatus to bond the two substrates (S13).
상기 씨일재로 UV 및 열경화성 수지를 이용할 경우에는, 합착된 기판을 일차적으로 UV를 이용하여 상기 씨일재를 경화시킨 후(S14), 다시 상기 열을 이용하여 상기 씨일재를 완전 경화시킨다(S15). 또한, 상기 씨일재는 UV만 이용하여 경화할 수도 있다. 상기 UV 경화시에는 적하된 액정이 씨일재에 접촉되지 않으며, 열 경화가 이루어진 후(즉, 씨일재가 완전히 경화된 후) 상기 액정이 씨일재가 도포된 부분까지 합착된 기판 사이에 퍼지게 된다. 즉, 상기 액정은 UV 경화 시 70~80% 정도 퍼지게 되고, 열 경화시 20~30% 정도로 퍼지게 되어 액정이 합착된 기판 사이에서 골고루 분포하게 된다.In the case of using the UV and thermosetting resin as the seal material, the bonded substrate is first cured to the seal material using UV (S14), and then the seal material is completely cured using the heat (S15). . In addition, the seal material may be cured using only UV. During the UV curing, the dropped liquid crystal does not come into contact with the sealing material, and after the heat curing is performed (that is, after the sealing material is completely cured), the liquid crystal spreads between the bonded substrates to the portion where the sealing material is applied. That is, the liquid crystal spreads about 70 to 80% during UV curing, and spreads about 20 to 30% during thermal curing, and is evenly distributed between the substrates to which the liquid crystal is bonded.
상기 합착되어 완전 경화된 두 기판을 각 단위 패널별로 절단한다(S16). 이 때, 스크라이빙 및 브레이킹 공정이 동시에 이루어진다.The two bonded and completely cured substrates are cut for each unit panel (S16). At this time, the scribing and breaking process are performed at the same time.
그리고, 상기 절단되어 각 단위 패널로 나누어진 기판을 연마한 후(S17), 최종 검사하여 출하한다(S17). 여기서, 상기 연마 공정 시 쇼팅 바가 제거된다.Then, after cutting the substrate divided into each unit panel (S17), it is finally inspected and shipped (S17). Here, the shorting bar is removed during the polishing process.
이와 같이 제조되는 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 방법을 각 단위 공정별로 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 즉, TFT 어레이 및 칼라 필터 어레이와 배향막 및 러빙 공정(S1-S3, S6-S8)의 단위 공정을 설명하면 다음과 같다.The manufacturing method of the liquid crystal display according to the present invention manufactured as described above will be described in detail for each unit process as follows. That is, the unit process of the TFT array, the color filter array, the alignment film, and the rubbing processes (S1-S3, S6-S8) will be described as follows.
도 3a는 본 발명에 따른 TN 모드 액정표시장치의 평면도이고, 도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ' 선상의 제 1 기판 단면도이며, 도 3b는 도 3a의 Ⅰ-Ⅰ' 선상의 제 2 기판 단면도이다.3A is a plan view of a TN mode liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 3B is a cross-sectional view of the first substrate on the line I-I 'of FIG. 3A, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the second substrate on the line I-I' in FIG. 3A. to be.
먼저, TFT 어레이 공정을 설명하면 다음과 같다.First, the TFT array process will be described.
도 3b와 같이, 제 1 기판(10)상에 Al, Cr, Mo, Al합금, Cu 등을 이용하여 게이트 전극(11a)과 일정한 간격을 갖고 일 방향으로 배열되도록 게이트 라인(11)을 형성한다. 그리고, 상기 게이트 전극(11a) 및 게이트 라인(11)을 포함한 기판 전면에 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOx), 유기 절연막인 BCB(BenzoCycloButene), 아크릴 수지 등을 이용하여 게이트 절연막(15)을 형성하고, 상기 게이트 전극(11a) 상측의 게이트 절연막(15)위에 a-Si과 n+a-Si를 이용하여 섬 모양으로 반도체층(13)을 형성한다. 여기서, 상기 게이트 절연막(15), 반도체층(13)인 a-Si 및 n+ a-Si 등을 연속적으로 증착하여 형성할 수도 있다. 상기 반도체층(13) 양측에 Al, Cr, Mo, Al합금, Cu 등을 이용하여 소오스 전극(12a) 및 드레인 전극(12b)을 형성하고, 상기 게이트 라인(11)에 수직한 방향으로 상기 게이트 절연막(15)위에 데이터 라인(12)을 형성한다. 상기 드레인 전극(12b)에 콘택 홀을 갖도록 상기 기판 전면에 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOX), 유기 절연막인 BCB(BenzoCycloButene), 아크릴 수지 등을 이용하여 보호막(16)을 형성하고, 상기 게이트 라인(11)과 데이터 라인(12)이 교차되는 부분의 화소 영역에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 이용하여 화소 전극(14)을 형성한다. 이와 같은 공정이 완료되면, 상기 기판을 세정한 후, 기판 전면에 폴리아미드(polyamide) 또는 폴리이미드(polyimide)계 화합물, 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid) 등을 이용하여 제 1 배향막(17)을 도포하고 러빙 공정을 실시한다.As shown in FIG. 3B, the gate lines 11 are formed on the first substrate 10 to be arranged in one direction at a predetermined interval from the gate electrode 11a by using Al, Cr, Mo, Al alloy, Cu, or the like. . The gate insulating film 15 may be formed on the entire surface of the substrate including the gate electrode 11a and the gate line 11 by using a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOx), an organic insulating film (BenzoCycloButene), an acrylic resin, or the like. The semiconductor layer 13 is formed in an island shape by using a-Si and n + a-Si on the gate insulating layer 15 on the gate electrode 11a. The gate insulating layer 15 and the semiconductor layer 13 may be formed by continuously depositing a-Si and n + a-Si. Source electrodes 12a and drain electrodes 12b are formed on both sides of the semiconductor layer 13 by using Al, Cr, Mo, Al alloy, Cu, and the like, and the gate is perpendicular to the gate line 11. The data line 12 is formed on the insulating film 15. In order to have a contact hole in the drain electrode 12b, a protective film 16 is formed on the entire surface of the substrate using a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOX), an organic insulating film, BenzoCycloButene (BCB), an acrylic resin, or the like. The pixel electrode 14 is formed in the pixel area where the gate line 11 and the data line 12 cross each other using indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. After the process is completed, after cleaning the substrate, using a polyamide or polyimide compound, polyvinyl alcohol, polyamic acid, etc. 1 The alignment film 17 is apply | coated and a rubbing process is performed.
그리고 칼라필터 어레이 공정은 다음과 같다.The color filter array process is as follows.
제 2 기판(20)위에 상기 화소 영역을 제외한 부분에서는 빛이 차광되도록 블랙매트릭스층(21)을 형성하고 각 화소 영역에 대응되는 부분에 색상을 구현하기 위한 R,G,B로 이루어진 칼라필터층(22)을 형성한 다음, 상기 제 2 기판 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 이용하여 공통 전극(23)을 형성한다. 그리고 상기 기판을 세정한 다음, 기판 전면에 폴리아미드(polyamide) 또는 폴리이미드(polyimide)계 화합물, 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid) 등을 이용하여 제 2 배향막(24)을 도포하고 러빙 공정을 실시한다.On the second substrate 20, the color filter layer including R, G, and B is formed to form a black matrix layer 21 so that light is blocked on portions except the pixel region, and to implement color on portions corresponding to the pixel regions. After forming 22, a common electrode 23 is formed on the entire surface of the second substrate by using indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). After cleaning the substrate, the second alignment layer 24 is formed on the entire surface of the substrate using a polyamide or polyimide compound, polyvinyl alcohol, polyamic acid, or the like. Apply and perform a rubbing process.
또한, IPS(In plane switching) 모드의 액정표시장치의 TFT 어레이 및 칼라필터 어레이 공정을 설명하면 다음과 같다.In addition, the TFT array and color filter array processes of the liquid crystal display of the IPS (In plane switching) mode will be described as follows.
도 4a는 본 발명에 따른 TN 모드 액정표시장치의 평면도이고, 도 4b는 도4a의 Ⅱ-Ⅱ' 선상의 제 1 기판 단면도이며, 도 4b는 도 3a의 Ⅱ-Ⅱ' 선상의 제 2 기판 단면도이다.4A is a plan view of a TN mode liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view of a first substrate on a line II-II 'of FIG. 4A, and FIG. 4B is a cross-sectional view of a second substrate on a line II-II' of FIG. 3A. to be.
먼저, TFT 어레이 공정을 설명하면 다음과 같다.First, the TFT array process will be described.
도 4b와 같이, 제 1 기판(10)상에 형성하고 Al, Cr, Mo, Al합금, Cu 등을 이용하여 게이트 전극(11a)과 일정한 간격을 갖고 일 방향으로 배열되도록 게이트 라인(11)을 형성함과 동시에, 화소 영역에 복수개의 공통 전극(23a)을 구비하여 상기 게이트 라인(11)과 평행한 방향으로 공통 라인(23)을 형성한다. 그리고, 상기 게이트 라인(11) 및 공통 라인(23)을 포함한 기판 전면에 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOX), 유기 절연막인 BCB(BenzoCycloButene), 아크릴 수지 등을 이용하여 게이트 절연막(15)을 형성하고, 상기 게이트 전극(11a) 상측의 게이트 절연막(15)위에 a-Si과 n+ a-Si를 이용하여 섬 모양으로 반도체층(13)을 형성한다. 여기서, 상기 게이트 절연막(15), 반도체층(13)인 a-Si 및 n+ a-Si 등을 연속적으로 증착하여 형성할 수도 있다. 상기 반도체층(13) 양측에 Al, Cr, Mo, Al합금, Cu 등을 이용하여 소오스 전극(12a) 및 드레인 전극(12b)과 상기 게이트 라인(11)에 수직한 방향으로 상기 게이트 절연막(15)위에 데이터 라인(12)을 형성한다. 상기 드레인 전극(12b)에 콘택 홀을 갖도록 상기 기판 전면에 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiOX), 유기 절연막인 BCB(BenzoCycloButene), 아크릴 수지 등을 이용하여 보호막(16)을 형성하고, 상기 공통 전극(23a) 사이에 데이터 전극(14a)이 위치되도록 화소 영역에 화소 전극(14)을 형성한다. 그리고, 상기 기판을 세정한 후, 상기 기판 전면에 폴리아미드(polyamide) 또는 폴리이미드(polyimide)계 화합물, 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid) 등을 이용하여 제 1 배향막(17)을 도포하고 러빙 공정을 실시한다.As shown in FIG. 4B, the gate line 11 is formed on the first substrate 10 and arranged in one direction with Al, Cr, Mo, Al alloy, Cu, and the like at regular intervals from the gate electrode 11a. At the same time, a plurality of common electrodes 23a are provided in the pixel area to form the common lines 23 in a direction parallel to the gate line 11. The gate insulating film 15 may be formed on the entire surface of the substrate including the gate line 11 and the common line 23 by using a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOX), an organic insulating film (BenzoCycloButene), an acrylic resin, or the like. The semiconductor layer 13 is formed in an island shape by using a-Si and n + a-Si on the gate insulating layer 15 on the gate electrode 11a. The gate insulating layer 15 and the semiconductor layer 13 may be formed by continuously depositing a-Si and n + a-Si. The gate insulating layer 15 in a direction perpendicular to the source electrode 12a and the drain electrode 12b and the gate line 11 using Al, Cr, Mo, Al alloy, Cu, and the like on both sides of the semiconductor layer 13. To form a data line 12. In order to have a contact hole in the drain electrode 12b, a protective film 16 is formed on the entire surface of the substrate using a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiOX), an organic insulating film, BenzoCycloButene (BCB), an acrylic resin, or the like. The pixel electrode 14 is formed in the pixel area such that the data electrode 14a is positioned between the common electrode 23a. After the substrate is cleaned, the first alignment layer 17 may be formed on the entire surface of the substrate using a polyamide or polyimide compound, polyvinyl alcohol, polyamic acid, or the like. ) Is applied and a rubbing process is performed.
상기 공통 전극(23a)과 데이터 전극(14a)은 게이트 전극(11a) 또는 소오스,드레인 전극(12a,12b)와 동일층에 금속으로 형성하여도 되고, 보호막(16) 위에 투명전극인 ITO 또는 IZO 등을 이용하여 동일층에 형성할 수도 있다. 또한 공통 전극(23a)은 소오스,드레인 전극(12a,12b)과 동일층에 금속으로 형성하고 데이터 전극(14a)은 보호막(16) 위에 투명전극으로 형성하여도 된다. 따라서, IPS 모드의 구조에 따라 다양하게 적용 가능하다.The common electrode 23a and the data electrode 14a may be formed of a metal on the same layer as the gate electrode 11a or the source and drain electrodes 12a and 12b, and may be a transparent electrode ITO or IZO on the protective layer 16. It may be formed on the same layer using the like. The common electrode 23a may be formed of metal on the same layer as the source and drain electrodes 12a and 12b, and the data electrode 14a may be formed of a transparent electrode on the protective film 16. Therefore, the present invention can be variously applied according to the structure of the IPS mode.
그리고 칼라필터 어레이 공정은 다음과 같다.The color filter array process is as follows.
도 4c와 같이, 제 2 기판(20)위에 상기 화소 영역을 제외한 부분에서는 빛이 차광되도록 블랙매트릭스층(21)을 형성하고, 각 화소 영역에 대응되는 부분에 색상을 구현하기 위한 R,G,B로 이루어진 칼라필터층(22)을 형성한 다음, 상기 제 2 기판 전면에 오버 코트층(25)을 형성한다. 그리고 상기 기판을 세정하고 기판 전면에 폴리아미드(polyamide) 또는 폴리이미드(polyimide)계 화합물, 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid) 등을 이용하여 제 2 배향막(24)을 도포한 후 러빙 공정을 실시한다.As shown in FIG. 4C, the black matrix layer 21 is formed on the second substrate 20 so that light is shielded from portions except the pixel region, and R, G, After forming the color filter layer 22 made of B, an overcoat layer 25 is formed on the entire surface of the second substrate. The substrate is cleaned and a second alignment layer 24 is coated on the entire surface of the substrate using a polyamide or polyimide compound, polyvinyl alcohol, polyamic acid, or the like. After the rubbing process is carried out.
이 때, 상기 제 2 기판(20)에 제 2 배향막(24)을 형성하기 전에 합착되는 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)의 셀 갭을 유지하기 위한 컬럼 스페이서를 형성한다. 기존의 액정 주입방식의 경우 스페이서는 주로 볼스페이서(Ball Spacer)를 사용하지만 액정 적하방식에서는 주로 컬럼 스페이서(Patterned Spacer, 혹은 ColumnSpacer)를 사용하는데, 그 이유는 다음과 같다. 일반적으로 액정 적하방식은 주로 대면적 액정패널의 제작에 사용하는데, 대면적의 액정패널에 볼스페이서를 사용하는 경우 기판 상에 볼스페이서를 균일하게 산포하기가 힘들 뿐만 아니라 산포된 볼스페이서도 기판 상에서 뭉치게 되어 액정패널의 셀갭 불량의 원인이 된다. 따라서, 액정 적하방식에서는 설정된 위치에 컬럼 스페이서를 형성함으로써 상기한 문제점을 해결한다.At this time, before forming the second alignment layer 24 on the second substrate 20, column spacers for maintaining the cell gap between the first substrate 10 and the second substrate 20 are formed. In the conventional liquid crystal injection method, a spacer mainly uses a ball spacer, but a liquid crystal drop method mainly uses a column spacer (Patterned Spacer, or ColumnSpacer). The reason is as follows. In general, the liquid crystal dropping method is mainly used for manufacturing a large area liquid crystal panel. When a ball spacer is used for a large area liquid crystal panel, it is difficult to uniformly distribute the ball spacer on the substrate, and the scattered ball spacer is also formed on the substrate. The agglomeration causes a cell gap defect of the liquid crystal panel. Therefore, in the liquid crystal dropping method, the above-described problem is solved by forming the column spacer at the set position.
본 발명에 따른 실시예는 다음과 같다.Embodiments according to the present invention are as follows.
제 1 실시예First embodiment
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도이다.5 is a plan view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
도 5와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시소자는 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)을 포함하여 구성되며, 상기 양 기판(10, 20) 사이의 외곽영역에는 UV 경화형 씨일재(30)가 형성된다.As shown in FIG. 5, the liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 10 and a second substrate 20, and includes an outer region between the substrates 10 and 20. UV curable sealing material 30 is formed.
그리고, 화소영역('A'라인은 화소영역을 구분하기 위한 가상선이다)에는 컬럼 스페이서(도 5에는 도시되지 않음)가 형성되어 있고, 상기 화소영역 외곽부의 더미영역 중 상기 UV 경화형 씨일재(30)의 안쪽에는 액정흐름 조절용 더미 컬럼 스페이서(28)가 형성되어 있다.A column spacer (not shown in FIG. 5) is formed in the pixel region (the 'A' line is an imaginary line for dividing the pixel region), and the UV curable seal material (eg, the dummy region of the outer portion of the pixel region) is formed. A dummy column spacer 28 for adjusting liquid crystal flow is formed inside the 30.
그리고, 상기 양 기판(10, 20) 사이에는 액정층(미도시)이 형성되어 있다.A liquid crystal layer (not shown) is formed between the substrates 10 and 20.
이때, 상기 컬럼 스페이서는 상기 제 1 기판(10) 및 상부기판(20) 사이의 셀갭의 높이로 형성되어 셀 갭을 유지시키는 역할을 하는 것이다.In this case, the column spacer is formed at the height of the cell gap between the first substrate 10 and the upper substrate 20 to maintain the cell gap.
또한, 상기 더미 컬럼 스페이서(28)는 상기 컬럼 스페이서와 동일한 높이로형성되며, 적어도 하나의 모서리 영역에 개구부(29)가 형성되어 있다. 도면에는 네 모서리 영역 모두에 개구부(29)가 형성되어 있으나, 개구부(29)는 적절히 조절될 수 있다.In addition, the dummy column spacer 28 is formed at the same height as the column spacer, and an opening 29 is formed in at least one corner region. Although the openings 29 are formed in all four corner regions in the drawing, the openings 29 may be appropriately adjusted.
이와 같은 더미 컬럼 스페이서(28)는 액정의 이동경로로서 작용하여 액정의 미충진 영역을 방지함과 동시에, 액정이 UV 경화형 씨일재(30)에 의해 오염되는 것을 방지하는 역할을 하게 된다.The dummy column spacer 28 acts as a movement path of the liquid crystal to prevent the unfilled region of the liquid crystal and to prevent the liquid crystal from being contaminated by the UV curable seal material 30.
즉, 도면에 화살표로 도시한 바와 같이, 액정은 상기 더미 컬럼 스페이서(28)를 따라 이동하며 개구부(29)를 통해 기판의 모서리 영역으로 이동함으로써 기판의 모서리 영역에 액정이 미충진되는 것이 방지된다.That is, as shown by an arrow in the figure, the liquid crystal moves along the dummy column spacer 28 and moves to the corner region of the substrate through the opening 29 to prevent the liquid crystal from being filled in the corner region of the substrate. .
또한, 상기 개구부(29)가 형성되지 않은 영역의 더미 컬럼 스페이서(28)는 액정이 UV 경화형 씨일재(30)와 직접 만나 오염되지 않도록 댐의 역할을 하게 된다.In addition, the dummy column spacer 28 in the region where the opening 29 is not formed serves as a dam so that the liquid crystal does not directly meet and contaminate the UV curable seal material 30.
이하, 도 5의 Ⅲ-Ⅲ'라인(더미 컬럼 스페이서(28)의 개구부(29)가 형성되지 않은 영역에 해당함)의 다양한 실시예에 따른 단면도인 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 본 발명에 따른 다양한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, referring to FIGS. 6A to 6C, which are cross-sectional views according to various embodiments of the III-III ′ line (corresponding to a region where the opening 29 of the dummy column spacer 28 is not formed) of FIG. 5, according to the present invention. Various embodiments will be described in detail.
도 6a에서 알 수 있듯이, 제 2 기판(20)상에는 블랙매트릭스층(21), 칼라필터층(22), 공통전극(23)이 순서대로 형성되어 있다.As shown in FIG. 6A, the black matrix layer 21, the color filter layer 22, and the common electrode 23 are sequentially formed on the second substrate 20.
그리고, 제 1 기판(10)상에는 도시하지는 않았으나, 게이트배선, 데이터배선, 박막트랜지스터, 및 화소전극이 형성되어 있다.Although not shown, a gate wiring, a data wiring, a thin film transistor, and a pixel electrode are formed on the first substrate 10.
그리고, 상기 제 2 기판(20)상의 화소영역에는 셀 갭의 높이로 컬럼 스페이서(27)가 형성되어 있다.A column spacer 27 is formed in the pixel area on the second substrate 20 at a cell gap height.
상기 컬럼 스페이서(27)는 게이트배선 또는 데이터배선 형성영역에 형성되므로, 상기 게이트배선 또는 데이터배선으로 빛이 누설되는 것을 방지하기 위해 제 2 기판(20)상에 형성되는 블랙매트릭스층(21)상부의 공통전극(23)상에 형성되게 된다.Since the column spacer 27 is formed in the gate wiring or data wiring forming region, the upper portion of the black matrix layer 21 formed on the second substrate 20 to prevent leakage of light into the gate wiring or data wiring is formed. Is formed on the common electrode 23.
그리고, 상기 제 2 기판(20)상의 더미영역에는 상기 컬럼 스페이서(27)와 동일한 높이의 더미 컬럼 스페이서(28)가 형성되어 있다.A dummy column spacer 28 having the same height as the column spacer 27 is formed in the dummy region on the second substrate 20.
상기 더미 컬럼 스페이서(28)는 화소 영역을 제외한 더미 영역 중 UV 경화형 씨일재(30) 안쪽이면 어느 영역에 형성되어도 상관없다. 즉, 도면에는 하부에 칼라필터층(22)이 형성되지 않는 공통 전극(23) 상에 더미 컬럼스페이서(28)가 형성되어 있으나, 하부에 칼라필터층(22)이 형성된 공통 전극(23)상에 더미 컬럼 스페이서(28)가 형성되는 것도 가능하다.The dummy column spacer 28 may be formed in any region of the dummy region except for the pixel region if it is inside the UV-curable seal material 30. That is, although the dummy column spacer 28 is formed on the common electrode 23 on which the color filter layer 22 is not formed, the dummy column spacer 28 is formed on the common electrode 23 on which the color filter layer 22 is formed. It is also possible for column spacers 28 to be formed.
이와 같은 컬럼 스페이서(27), 더미 컬럼 스페이서(28)로는 감광성 유기수지를 사용하는 것이 바람직하다.As such a column spacer 27 and a dummy column spacer 28, it is preferable to use a photosensitive organic resin.
또한, 상기 제 2 기판(20)상의 칼라필터층(22)과 공통전극(23) 사이에는 오버코트층이 추가로 형성될 수 있고, 또한, 상기 더미 컬럼 스페이서(28)를 포함한 제 2 기판(20) 및 제 1 기판(10) 상에는 배향막(미도시)이 형성되게 된다.In addition, an overcoat layer may be further formed between the color filter layer 22 and the common electrode 23 on the second substrate 20, and the second substrate 20 including the dummy column spacer 28. And an alignment layer (not shown) is formed on the first substrate 10.
도 6b는 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 전술한 도 6a의 액정표시소자에서 제 2 기판(20)상에 공통전극(23)이 형성된 것이 아니라, 오버코트층(25)이 형성된 것이다.FIG. 6B is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another exemplary embodiment. In the aforementioned liquid crystal display device of FIG. 6A, the common electrode 23 is not formed on the second substrate 20, but the overcoat layer 25 is formed. .
이와 같은 도 6b에 따른 액정표시소자는 일명 IPS(In Plane Switching)모드 액정표시소자에 관한 것으로서, 공통 전극은 제 1 기판(10)상에 형성되게 된다.The liquid crystal display according to FIG. 6B relates to a so-called IPS (In Plane Switching) mode liquid crystal display, and the common electrode is formed on the first substrate 10.
따라서, 컬럼 스페이서(27) 및 더미 컬럼 스페이서(28)가 오버코트층(25) 상에 형성되게 되는 것을 제외하고, 그 외는 도 6a에 따른 액정표시소자와 동일하다.Therefore, except that the column spacer 27 and the dummy column spacer 28 are formed on the overcoat layer 25, the other is the same as the liquid crystal display device according to FIG. 6A.
도 6c는 또 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 전술한 도 6b의 액정표시소자에서 오버코트층(25)이 블랙매트릭스층(21)위에는 형성되며, 씨일재(30)위에는 형성되지 않도록 패터닝된 것이다. 그 외는 도 6b에 따른 액정표시소자와 동일하다.FIG. 6C is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to still another embodiment. In the liquid crystal display device of FIG. 6B, the overcoat layer 25 is formed on the black matrix layer 21 and is not formed on the seal member 30. It is patterned. Other than that is the same as the liquid crystal display element shown in FIG.
제 2 실시예Second embodiment
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도이다.7 is a plan view of a liquid crystal display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 7에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제 2 실시예는 기판 모서리 영역에 복수개의 개구부(29)가 형성된 더미 컬럼 스페이서(28)를 구비한 액정표시소자에 관한 것이다.As can be seen in FIG. 7, the second embodiment of the present invention relates to a liquid crystal display device having a dummy column spacer 28 having a plurality of openings 29 formed in a corner portion of a substrate.
상기 개구부(29)가 복수개 형성됨으로써 액정이 보다 원활히 기판 모서리 영역으로 이동하여 미충진이 방지되게 된다.By forming a plurality of the openings 29, the liquid crystal moves smoothly to the substrate edge area, thereby preventing the unfilled liquid.
상기 개구부(29)는 적어도 하나의 모서리 영역에 형성되며, 복수개가 연속적으로 형성될 수도 있고, 불연속적으로 형성될 수도 있다.The opening 29 may be formed in at least one corner region, and a plurality of openings 29 may be continuously formed or discontinuously.
그 외는 전술한 제 1 실시예와 동일하다.Other than that is the same as that of 1st Embodiment mentioned above.
제 3 실시예Third embodiment
도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도이다.8 is a plan view of a liquid crystal display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.
도 8에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제 3 실시예는 화소영역('A'라인은 화소영역을 구분하기 위한 가상선이다)에는 컬럼 스페이서(도 8에는 도시되지 않음)가 형성되어 있고, 상기 화소영역 외곽부의 상기 화소영역 외곽부의 더미영역 중 상기 UV 경화형 씨일재(30)의 안쪽에는 액정흐름 조절용 제 1, 제 2 더미 컬럼 스페이서(28a, 28b)가 형성되어 있다. 상기 제 1, 제 2 더미 컬럼 스페이서(28a, 28b)는 상기 컬럼 스페이서와 동일한 높이로 형성되며, 적어도 하나의 모서리 영역에 개구부(29)가 형성되어 있다.As can be seen from FIG. 8, in the third embodiment of the present invention, a column spacer (not shown in FIG. 8) is formed in a pixel region (the 'A' line is an imaginary line for distinguishing the pixel region). Liquid crystal flow control first and second dummy column spacers 28a and 28b are formed inside the UV curable seal member 30 among the dummy regions of the pixel region outer portion of the pixel region. The first and second dummy column spacers 28a and 28b have the same height as the column spacer, and the opening 29 is formed in at least one corner region.
즉, 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 안쪽 더미영역에는 액정흐름 조절을 보조하는 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 형성되어 있다.That is, a dotted second dummy column spacer 28b is formed in the inner dummy region of the first dummy column spacer 28a to assist in controlling liquid crystal flow.
이와 같이 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 안쪽에 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)를 추가로 형성함으로써 액정이 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 뿐만 아니라 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)의 공간을 따라 이동하게 되어 액정의 흐름을 보다 원활히 조절할 수 있게 되는 것이다.As such, by forming the dotted second dummy column spacer 28b inside the first dummy column spacer 28a, the liquid crystal is not only the first dummy column spacer 28a but also the dotted second dummy column spacer 28b. Moving along the space of the will be able to more smoothly control the flow of the liquid crystal.
이하, 도 8의 Ⅳ-Ⅳ'라인(제 1, 제 2 더미 컬럼 스페이서(28a, 28b)의 개구부(29)가 형성되지 않은 영역에 해당함)의 다양한 실시예에 따른 단면도인 도 9a 내지 도 9c를 참조하여 본 발명에 따른 다양한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.9A to 9C are cross-sectional views according to various embodiments of the IV-IV ′ line of FIG. 8 (corresponding to an area where the openings 29 of the first and second dummy column spacers 28a and 28b are not formed). With reference to various embodiments according to the present invention will be described in detail.
도 9a에서 알 수 있듯이, 제 2 기판(20)상에는 블랙매트릭스층(21), 칼라필터층(22), 공통전극(23)이 순서대로 형성되어 있다.As shown in FIG. 9A, a black matrix layer 21, a color filter layer 22, and a common electrode 23 are sequentially formed on the second substrate 20.
그리고, 제 1 기판(10)상에는 도시하지는 않았으나, 게이트배선, 데이터배선, 박막트랜지스터, 및 화소전극이 형성되어 있다.Although not shown, a gate wiring, a data wiring, a thin film transistor, and a pixel electrode are formed on the first substrate 10.
그리고, 상기 제 2 기판(20)상의 화소영역에는 셀 갭의 높이로 컬럼 스페이서(27)가 형성되어 있다.A column spacer 27 is formed in the pixel area on the second substrate 20 at a cell gap height.
그리고, 상기 제 2 기판(20)상의 더미영역에는 상기 컬럼 스페이서(27)와 동일한 높이의 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)가 형성되어 있다.A first dummy column spacer 28a having the same height as the column spacer 27 is formed in the dummy region on the second substrate 20.
그리고, 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 안쪽 더미영역에는 상기 컬럼스페이서(27)와 동일한 높이의 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 형성되어 있다.In addition, a dotted second dummy column spacer 28b having the same height as that of the column spacer 27 is formed in the inner dummy region of the first dummy column spacer 28a.
도 9a에는 하나의 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)만을 도시하였으나, 복수개 형성될 수 있다. 또한, 상기 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)는 더미영역이면 어느 영역에 형성되어도 상관없다.Although only one dotted second dummy column spacer 28b is illustrated in FIG. 9A, a plurality of second dummy column spacers 28b may be formed. The dotted second dummy column spacer 28b may be formed in any area as long as it is a dummy area.
이와 같은 칼럼 스페이서(27), 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a), 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)로는 감광성 유기수지를 사용하는 것이 바람직하다.As the column spacer 27, the first dummy column spacer 28a, and the dotted second dummy column spacer 28b, a photosensitive organic resin is preferably used.
또한, 상기 제 2 기판(20)상의 칼라필터층(22)과 공통전극(23) 사이에는 오버코트층이 추가로 형성될 수 있고, 또한, 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 및 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)를 포함한 제 2 기판(20) 및 제 1 기판(10) 상에는 배향막(미도시)이 형성되게 된다.In addition, an overcoat layer may be further formed between the color filter layer 22 and the common electrode 23 on the second substrate 20, and further, the first dummy column spacer 28a and the dotted second dummy. An alignment layer (not shown) is formed on the second substrate 20 including the column spacer 28b and the first substrate 10.
도 9b는 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 전술한 도 9a의 액정표시소자에서 제 2 기판(20)상에 공통전극(23)이 형성된 것이 아니라, 오버 코트층(25)이 형성된 것이다.FIG. 9B is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another exemplary embodiment. In the aforementioned liquid crystal display device of FIG. 9A, the common electrode 23 is not formed on the second substrate 20, but the overcoat layer 25 is formed. will be.
이와 같은 도 9b에 따른 액정표시소자는 일명 IPS(In Plane Switching)모드액정표시소자에 관한 것으로서, 공통전극은 제 1 기판(10)상에 형성되게 된다.The liquid crystal display according to FIG. 9B relates to a so-called IPS (In Plane Switching) mode liquid crystal display, and the common electrode is formed on the first substrate 10.
따라서, 컬럼 스페이서(27), 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a), 및 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 오버코트층(25) 상에 형성되게 되는 것을 제외하고, 그 외는 도 9a에 따른 액정표시소자와 동일하다.Thus, except that the column spacer 27, the first dummy column spacer 28a, and the dotted second dummy column spacer 28b are formed on the overcoat layer 25, otherwise, the liquid crystal according to FIG. Same as the display element.
도 9c는 또 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 전술한 도 9b의 액정표시소자에서 오버코트층(25)이 블랙매트릭스층(21) 위에는 형성되며 씨일재(30) 위에는 형성되지 않도록 패터닝된 것이다. 그 외는 도 9b에 따른 액정표시소자와 동일하다.FIG. 9C is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to still another embodiment. In the aforementioned liquid crystal display device of FIG. 9B, the overcoat layer 25 is formed on the black matrix layer 21 and is patterned so as not to be formed on the seal material 30. It is. Other than that is the same as the liquid crystal display element shown in FIG.
제 4 실시예Fourth embodiment
도 10은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도이다.10 is a plan view of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.
도 10에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제 4 실시예는 기판 모서리 영역에 복수개의 개구부(29)가 형성된 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)를 구비한 액정표시소자에 관한 것이다.As can be seen in FIG. 10, a fourth embodiment of the present invention relates to a liquid crystal display device having a first dummy column spacer 28a having a plurality of openings 29 formed in a corner portion of a substrate.
상기 개구부(29)는 적어도 하나의 모서리 영역에 형성되며, 복수개가 연속적으로 형성될 수도 있고, 불연속적으로 형성될 수도 있다.The opening 29 may be formed in at least one corner region, and a plurality of openings 29 may be continuously formed or discontinuously.
그 외는 전술한 제 3 실시예와 동일하다.Other than that is the same as that of 3rd Embodiment mentioned above.
제 5 실시예Fifth Embodiment
도 11은 본 발명 제 5 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도로서, 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)를 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 안쪽 더미영역이 아니라, 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 바깥쪽 더미영역에 형성한 것이다.FIG. 11 is a plan view of a liquid crystal display according to a fifth exemplary embodiment of the present invention, wherein the dotted second dummy column spacer 28b is not the inner dummy region of the first dummy column spacer 28a, but the first dummy column spacer ( It is formed in the outer dummy area of 28a).
그 외는 전술한 제 3 실시예와 동일하며, 도 11의 Ⅴ-Ⅴ'라인의 다양한 실시예에 따른 단면도인 도 12a 내지 도 12c를 참조하면 용이하게 이해할 수 있을 것이다.Others are the same as the above-described third embodiment, and will be easily understood with reference to FIGS. 12A to 12C, which are cross-sectional views according to various embodiments of the VV ′ line of FIG. 11.
제 6 실시예Sixth embodiment
도 13은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도이다.13 is a plan view of a liquid crystal display device according to a sixth embodiment of the present invention.
도 13에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제 6 실시예는 기판 모서리 영역에 복수개의 개구부(29)가 형성된 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)를 구비한 액정표시소자에 관한 것이다.As can be seen from FIG. 13, the sixth embodiment of the present invention relates to a liquid crystal display device having a first dummy column spacer 28a having a plurality of openings 29 formed in a corner portion of a substrate.
상기 개구부(29)는 적어도 하나의 모서리 영역에 형성되며, 복수개가 연속적으로 형성될 수도 있고, 불연속적으로 형성될 수도 있다.The opening 29 may be formed in at least one corner region, and a plurality of openings 29 may be continuously formed or discontinuously.
그 외는 전술한 제 5 실시예와 동일하다.Other than that is the same as that of 5th Embodiment mentioned above.
제 7 실시예Seventh embodiment
도 14a 및 도 14b는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도로서, 본 발명의 제 7 실시예는 제 1 더미컬럼스페이서(28a)의 안쪽 더미영역 또는 바깥쪽 더미영역에 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 형성된 것이다.14A and 14B are plan views of a liquid crystal display device according to a seventh embodiment of the present invention. A seventh embodiment of the present invention provides a second dummy region in the inner dummy region or the outer dummy region of the first dummy column spacer 28a. The dummy column spacer 28b is formed.
즉, 더미 컬럼 스페이서를 이중으로 형성함으로써 액정의 흐름을 보다 원활히 조절하도록 한 것이다.That is, by forming the dummy column spacers in duplicate, the flow of the liquid crystal is more smoothly controlled.
이때, 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 및/또는 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)는 적어도 하나의 모서리 영역에 연속적으로 또는 불연속적으로 복수개의 개구부가 형성될 수 있다.In this case, the first dummy column spacer 28a and / or the second dummy column spacer 28b may have a plurality of openings continuously or discontinuously formed in at least one corner region.
이와 같은 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 및 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)는 전술한 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 및 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)의 형성 모습과 동일하게 다양하게 변경 형성될 수 있다.The first dummy column spacer 28a and the second dummy column spacer 28b may be variously changed in the same manner as the first dummy column spacer 28a and the dotted second dummy column spacer 28b. Can be formed.
제 8 실시예Eighth embodiment
도 15는 본 발명의 제 8 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도이다.15 is a plan view of a liquid crystal display device according to an eighth embodiment of the present invention.
도 15와 같이, 본 발명의 제 8 실시예는 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)을 포함하여 구성되며, 상기 양 기판(10, 20) 사이의 외곽영역에는 UV경화형 씨일재(30)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 15, the eighth embodiment of the present invention includes a first substrate 10 and a second substrate 20, and the UV-curable seal material is formed in the outer region between the substrates 10 and 20. 30) is formed.
그리고, 화소영역('A'라인은 화소영역을 구분하기 위한 가상선이다)에는 컬럼 스페이서(도 15에는 도시되지 않음)가 형성되어 있고, 상기 화소영역 외곽부의 더미영역 중 상기 UV 경화형 씨일재(30)의 안쪽에는 액정흐름 조절용 더미 컬럼 스페이서(28)가 형성되어 있다.In addition, a column spacer (not shown in FIG. 15) is formed in the pixel region (the 'A' line is an imaginary line for dividing the pixel region), and the UV curable sealing material ( A dummy column spacer 28 for adjusting liquid crystal flow is formed inside the 30.
그리고, 상기 양 기판(10, 20) 사이에는 액정층(미도시)이 형성되어 있다.A liquid crystal layer (not shown) is formed between the substrates 10 and 20.
이때, 상기 컬럼 스페이서는 상기 제 1 기판(10) 및 제 2 기판(20) 사이의 셀 갭의 높이로 형성되어 셀 갭을 유지시키는 역할을 하는 것이다.In this case, the column spacer is formed at the height of the cell gap between the first substrate 10 and the second substrate 20 to maintain the cell gap.
또한, 상기 더미 컬럼 스페이서(28)는 상기 컬럼 스페이서와 동일한 높이로 형성되지만 그 형성되는 위치를 조절하여 상기 제 1 기판(10)과 소정의 간격을 두고 이격되어 그 간격으로 액정의 흐름을 조절하는 역할을 하고, 또한 그 자체가 액정이 이동하는 길로서 작용하여 기판의 모서리 영역에 액정이 미충진 되는 것을 방지하는 역할을 하는 것이다.In addition, the dummy column spacer 28 is formed at the same height as the column spacer, but is formed to be spaced apart from the first substrate 10 by a predetermined interval to adjust the position of the liquid crystal to control the flow of the gap. It also serves as a way to move the liquid crystal itself to prevent the liquid crystal is not filled in the corner region of the substrate.
즉, 도면에 화살표로 도시한 바와 같이, 액정이 상기 더미 컬럼 스페이서(28)를 따라 이동하므로 기판의 모서리 영역에 액정이 미충진되는 것이 방지되며, 또한, 상기 더미 컬럼 스페이서(28)와 제 1 기판(10) 사이의 간격으로도 액정이 이동되므로 액정량에 따라 액정의 흐름이 조절된다.That is, as shown by an arrow in the figure, since the liquid crystal moves along the dummy column spacer 28, the liquid crystal is prevented from being filled in the corner region of the substrate, and the dummy column spacer 28 and the first column are prevented. Since the liquid crystal is moved even at intervals between the substrates 10, the flow of the liquid crystal is controlled according to the amount of liquid crystal.
이때, 더미 컬럼 스페이서(28)가 제 1 기판(10)과 소정의 간격을 두고 이격될 수 있도록 그 형성위치가 조절되는 모습은 도 15의 Ⅵ-Ⅵ'라인의 다양한 실시예에 따른 단면도인 도 16a 내지 도 16c를 통해 설명하기로 한다.At this time, the formation position is adjusted so that the dummy column spacer 28 can be spaced apart from the first substrate 10 at a predetermined interval is a cross-sectional view according to various embodiments of the VI-VI 'line of FIG. A description with reference to 16a to 16c.
도 16a에서 알 수 있듯이, 제 2 기판(20)상에는 블랙매트릭스층(21), 칼라필터층(22), 공통전극(23)이 순서대로 형성되어 있다.As shown in FIG. 16A, a black matrix layer 21, a color filter layer 22, and a common electrode 23 are sequentially formed on the second substrate 20.
그리고, 제 1 기판(10)상에는 도시하지는 않았으나, 게이트배선, 데이터배선, 박막트랜지스터, 및 화소전극이 형성되어 있다.Although not shown, a gate wiring, a data wiring, a thin film transistor, and a pixel electrode are formed on the first substrate 10.
그리고, 상기 제 2 기판(20)상의 화소영역에는 셀 갭의 높이로 컬럼 스페이서(27)가 형성되어 있다.A column spacer 27 is formed in the pixel area on the second substrate 20 at a cell gap height.
상기 컬럼 스페이서(27)는 게이트배선 또는 데이터배선 형성영역에 형성되므로, 상기 게이트배선 또는 데이터배선으로 빛이 누설되는 것을 방지하기 위해 제 2 기판(20)상에 형성되는 블랙매트릭스층(21)상부의 공통전극(23)상에 형성되게 된다.Since the column spacer 27 is formed in the gate wiring or data wiring forming region, the upper portion of the black matrix layer 21 formed on the second substrate 20 to prevent leakage of light into the gate wiring or data wiring is formed. Is formed on the common electrode 23.
그리고, 상기 제 2 기판(20)상의 더미영역에는 상기 컬럼 스페이서(27)와 동일한 높이의 더미 컬럼 스페이서(28)가 형성되어 있다.A dummy column spacer 28 having the same height as the column spacer 27 is formed in the dummy region on the second substrate 20.
보다 구체적으로, 상기 더미 컬럼 스페이서(28)는 더미 영역의 블랙매트릭스층(21) 상부의 공통전극(23)상에 형성되므로, 칼라필터층(22)의 높이 만큼의 단차가 발생되어 그 간격만큼 제 1 기판(10)과 이격되게 된다.More specifically, since the dummy column spacer 28 is formed on the common electrode 23 on the black matrix layer 21 of the dummy region, a step as high as the height of the color filter layer 22 is generated, and the gap is separated by the gap. 1 is spaced apart from the substrate 10.
이와 같은 컬럼 스페이서(27), 더미 컬럼 스페이서(28)로는 감광성 유기수지를 사용하는 것이 바람직하다.As such a column spacer 27 and a dummy column spacer 28, it is preferable to use a photosensitive organic resin.
한편, 상기 제 2 기판(20)상의 칼라필터층(22)과 공통전극(23) 사이에는 오버코트층이 추가로 형성될 수 있고, 또한, 상기 더미 컬럼 스페이서(28)를 포함한 제 2 기판(20) 및 제 1 기판(10) 상에는 배향막(미도시)이 형성된다.Meanwhile, an overcoat layer may be further formed between the color filter layer 22 and the common electrode 23 on the second substrate 20, and the second substrate 20 including the dummy column spacer 28 may be formed. An alignment film (not shown) is formed on the first substrate 10.
도 16b는 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 전술한 도 16a의 액정표시소자에서 제 2 기판(20)상에 공통전극(23)이 형성된 것이 아니라, 오버코트층(25)이 형성된 것이다.FIG. 16B is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another exemplary embodiment. In the aforementioned liquid crystal display device of FIG. 16A, the common electrode 23 is not formed on the second substrate 20, but the overcoat layer 25 is formed. .
이와 같은 도 16b에 따른 액정표시소자는 일명 IPS(In Plane Switching)모드 액정표시소자에 관한 것으로서, 공통전극은 제 1 기판(10)상에 형성되게 된다.Such a liquid crystal display device according to FIG. 16B relates to a so-called IPS (In Plane Switching) mode liquid crystal display device, and the common electrode is formed on the first substrate 10.
그 밖의 구성요소는 도 16a에 도시된 바와 동일하며, 오버코트층(25)상에 형성되는 더미 컬럼 스페이서(28)가 제 1 기판(10)과 이격되는 것도 동일하다.The other components are the same as those shown in FIG. 16A, and the dummy column spacer 28 formed on the overcoat layer 25 is also spaced apart from the first substrate 10.
도 16c는 또 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 전술한 도 14b의 액정표시소자에서 오버코트층(25)이 블랙매트릭스층(21) 위에는 형성되며 씨일재(30) 위에는 형성되지 않도록 패터닝된 것이다. 그 외는 도 16b에 따른 액정표시소자와 동일하다.FIG. 16C is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment. In the aforementioned liquid crystal display device of FIG. 14B, the overcoat layer 25 is formed on the black matrix layer 21 and is patterned so as not to be formed on the seal material 30. It is. Other than that is the same as the liquid crystal display element shown in FIG.
도 16d는 또 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 전술한 도 16b의 액정표시소자에서 오버코트층(25)이 블랙매트릭스층(21)의 일정영역 위에 형성되지 않도록 패턴형성된 것이다.FIG. 16D is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another embodiment, and is patterned so that the overcoat layer 25 is not formed on a predetermined region of the black matrix layer 21 in the aforementioned liquid crystal display device of FIG. 16B.
결국, 더미 컬럼 스페이서(28)가 오버코트층(25)상에 형성된 것이 아니라, 블랙매트릭스층(21)상에 형성되므로, 제 1 기판(10)과의 간격이 보다 커지게 된다.As a result, since the dummy column spacer 28 is not formed on the overcoat layer 25 but is formed on the black matrix layer 21, the gap with the first substrate 10 becomes larger.
한편, 오버코트층(25)은 도면에는 칼라필터층(22) 상에만 형성되도록 패턴되어 있으나, 더미 컬럼 스페이서(28)가 형성되지 않은 블랙매트릭스층(21)에도 형성될 수 있다.Meanwhile, although the overcoat layer 25 is patterned to be formed only on the color filter layer 22 in the drawing, the overcoat layer 25 may also be formed on the black matrix layer 21 in which the dummy column spacer 28 is not formed.
제 9 실시예9th embodiment
도 17a 및 도 17b는 본 발명의 제 9 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도이다.17A and 17B are plan views of a liquid crystal display device according to a ninth embodiment of the present invention.
도 17a에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제 9 실시예는 기판 모서리 영역의 더미 컬럼스페이서(28)에 개구부(29)가 형성되어 있다.As can be seen in FIG. 17A, in the ninth embodiment of the present invention, an opening 29 is formed in the dummy column spacer 28 in the substrate edge region.
따라서, 상기 개구부(29)를 통해 액정이 보다 원활히 기판 모서리 영역으로 이동하여 미충진이 방지되도록 한 것이다. 상기 개구부(29)는 적어도 하나의 기판 모서리 영역에 형성될 수 있다.Therefore, the liquid crystal is more smoothly moved to the edge of the substrate through the opening 29 to prevent unfilling. The opening 29 may be formed in at least one substrate edge region.
그 외 더미 컬럼 스페이서(28)가 다양한 위치에 형성되어 제 1 기판(10)과 소정의 간격을 두고 이격되어 있는 등은 전술한 제 8 실시예와 동일하다.Other dummy column spacers 28 are formed at various positions and spaced apart from the first substrate 10 at predetermined intervals, and the like, as in the above-described eighth embodiment.
도 17b는 기판 모서리 영역의 더미 컬럼 스페이서(28)에 복수개의 개구부(29)를 형성하여 액정의 흐름을 극대화시킨 것이다. 상기 개구부(29)는 연속적으로 또는 불연속적으로 형성될 수 있다.FIG. 17B illustrates a plurality of openings 29 formed in the dummy column spacer 28 in the substrate edge region to maximize the flow of the liquid crystal. The opening 29 may be formed continuously or discontinuously.
제 10 실시예10th embodiment
도 18은 본 발명의 제 10 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도이다.18 is a plan view of a liquid crystal display device according to a tenth embodiment of the present invention.
도 18과 같이, 본 발명의 제 10 실시예에 따른 액정표시소자는 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)을 포함하여 구성되며, 상기 양 기판(10, 20) 사이의 외곽영역에는 UV경화형 씨일재(30)가 형성되어 있다.As shown in FIG. 18, the liquid crystal display device according to the tenth exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 10 and a second substrate 20, and includes an outer region between the substrates 10 and 20. UV-curable seal material 30 is formed.
그리고, 화소영역('A'라인은 화소영역을 구분하기 위한 가상선이다)에는 컬럼스페이서(도 18에는 도시되지 않음)가 형성되어 있고, 상기 화소영역 외곽부의 더미영역 중 상기 UV 경화형 씨일재(30)의 안쪽에는 액정흐름 조절용 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)가 형성되어 있다.A column spacer (not shown in FIG. 18) is formed in the pixel region (the 'A' line is an imaginary line for dividing the pixel region), and the UV curable seal material ( Inside the 30, a first dummy column spacer 28a for liquid crystal flow control is formed.
또한, 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 안쪽 더미영역에는 액정흐름 조절을 보조하는 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 형성되어 있다.In addition, a dotted second dummy column spacer 28b is formed in an inner dummy region of the first dummy column spacer 28a to assist in controlling liquid crystal flow.
그리고, 상기 양 기판(10, 20) 사이에는 액정층(미도시)이 형성되어 있다.A liquid crystal layer (not shown) is formed between the substrates 10 and 20.
이때, 상기 제 1 더미 컬럼스 페이서(28a)는 전술한 바와 같이 제 1 기판(10)과 소정간격을 두고 이격되어 있어 그 간격으로 액정의 흐름을 조절한다. 한편, 액정적하시 액정적하량이 지나칠 경우, 액정이 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)를 지나 UV 경화형 씨일재와 만나게 될 수 있다.In this case, as described above, the first dummy column spacer 28a is spaced apart from the first substrate 10 at a predetermined interval to control the flow of the liquid crystal at the interval. On the other hand, when the amount of liquid crystal dropping over the liquid crystal drop, the liquid crystal may pass through the first dummy column spacer 28a and meet the UV curable seal material.
따라서, 본 발명의 제 10 실시예는 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 안쪽에 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)를 추가로 형성함으로써, 과량 적하된 액정의 흐름을 적절히 조절하도록 한 것이다.Therefore, in the tenth embodiment of the present invention, the dotted second dummy column spacer 28b is additionally formed inside the first dummy column spacer 28a to appropriately control the flow of the excessively dropped liquid crystal. .
한편, 상기 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)는 형성되는 위치에 따라 제 1 기판(10)과 이격될 수도 있고, 이격되지 않을 수도 있다.Meanwhile, the dotted second dummy column spacer 28b may be spaced apart from the first substrate 10 or may not be spaced apart according to the position where the dotted dummy second column spacer 28b is formed.
이하, 도 18의 Ⅶ-Ⅶ'라인의 다양한 실시예에 따른 단면도인 도 19a 내지 도 19f를 통해 설명하기로 한다.Hereinafter, a cross-sectional view according to various embodiments of the VIII-VIII 'line of FIG. 18 will be described with reference to FIGS. 19A to 19F.
도 19a에서 알 수 있듯이, 제 2 기판(20)상에는 블랙매트릭스층(21), 칼라필터층(22), 공통전극(23)이 순서대로 형성되어 있다.As can be seen in FIG. 19A, the black matrix layer 21, the color filter layer 22, and the common electrode 23 are sequentially formed on the second substrate 20.
그리고, 제 1 기판(10)상에는 도시하지는 않았으나, 게이트배선, 데이터배선, 박막트랜지스터, 및 화소전극이 형성되어 있다.Although not shown, a gate wiring, a data wiring, a thin film transistor, and a pixel electrode are formed on the first substrate 10.
그리고, 상기 제 2 기판(20)상의 화소영역에는 셀 갭의 높이로 컬럼 스페이서(27)가 형성되어 있다.A column spacer 27 is formed in the pixel area on the second substrate 20 at a cell gap height.
그리고, 상기 제 2 기판(20)상의 더미영역, 보다 구체적으로 더미 영역의 블랙매트릭스층(21) 상부의 공통전극(23)상에는 상기 컬럼 스페이서(27)와 동일한 높이의 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)가 형성되어 있다.In addition, the first dummy column spacer 28a having the same height as the column spacer 27 is disposed on the common region 23 on the dummy region on the second substrate 20, more specifically, on the black matrix layer 21 of the dummy region. ) Is formed.
그리고, 상기 더미 컬럼 스페이서(28a)의 안쪽 더미영역, 보다 구체적으로 블랙매트릭스층(21) 상부의 공통전극(23)상에 상기 컬럼 스페이서(27)와 동일한 높이의 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 형성되어 있다. 도 19a에는 하나의 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)만을 도시하였으나, 복수개 형성될 수 있다.In addition, a dotted second dummy column spacer having the same height as that of the column spacer 27 on the inner dummy region of the dummy column spacer 28a, more specifically, on the common electrode 23 on the black matrix layer 21. 28b) is formed. Although only one dotted second dummy column spacer 28b is illustrated in FIG. 19A, a plurality of second dotted column spacers 28b may be formed.
따라서, 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 및 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)는 컬러필터층(22)의 높이 만큼의 단차에 의해 제 1 기판(10)과 이격되게 된다.Therefore, the first dummy column spacer 28a and the dotted second dummy column spacer 28b are spaced apart from the first substrate 10 by a step corresponding to the height of the color filter layer 22.
도 19b는 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 블랙매트릭스층(21)상부의 공통전극(23)상에 형성된 것이 아니라, 칼라필터층(22) 상부의 공통전극(23)상에 형성된 것이다.FIG. 19B is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to another exemplary embodiment, in which the dotted second dummy column spacer 28b is not formed on the common electrode 23 on the black matrix layer 21, but the color filter layer 22. It is formed on the common electrode 23 on the upper side.
결국, 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)는 단차가 없어 제 1 기판(10)과 접하게 되므로, 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b) 하부로는 액정이 이동될 수 없고, 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 사이로만 액정이 이동되게 된다.As a result, since the dotted second dummy column spacer 28b does not have a step and is in contact with the first substrate 10, the liquid crystal cannot move under the dotted second dummy column spacer 28b, and the first dummy column may not be moved. The liquid crystal is moved only between the spacers 28a.
도 19c 및 도 19d는 또 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 각각 전술한 도 19a 및 도 19b의 액정표시소자에서 제 2 기판(20)상에 공통전극(23)이 형성된 것이 아니라, 오버코트층(25)이 형성된 것이다.19C and 19D are cross-sectional views of a liquid crystal display device according to still another embodiment, in which the common electrode 23 is not formed on the second substrate 20 in the aforementioned liquid crystal display device of FIGS. 19A and 19B, respectively. The overcoat layer 25 is formed.
즉, IPS(In Plane Switching)모드 액정표시소자에 관한 것으로서, 공통전극은 제 1 기판(10)상에 형성되게 된다.That is, the present invention relates to an IPS (In Plane Switching) mode liquid crystal display device, wherein the common electrode is formed on the first substrate 10.
도 19e 및 도 19f는 또 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 전술한 도 19c 및 도 19d의 액정표시소자에서 오버코트층(25)이 블랙매트릭스층(21) 위에는 형성되며 씨일재(30) 위에는 형성되지 않도록 패터닝된 것이다.19E and 19F are cross-sectional views of a liquid crystal display device according to still another embodiment. In the aforementioned liquid crystal display device of FIGS. 19C and 19D, an overcoat layer 25 is formed on the black matrix layer 21 and the seal material 30 is formed. ) Is patterned so as not to form.
도 19g 및 도 19h는 또 다른 실시예에 따른 액정표시소자의 단면도로서, 각각 전술한 도 19c 및 도 19d의 액정표시소자에서 오버코트층(25)이 블랙매트릭스층(21)의 일정영역 위에 형성되지 않도록 패턴형성된 것이다.19G and 19H are cross-sectional views of a liquid crystal display device according to still another embodiment, in which the overcoat layer 25 is not formed on a predetermined region of the black matrix layer 21 in the liquid crystal display device of FIGS. 19C and 19D, respectively. So that it is patterned.
결국, 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 및/또는 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 오버코트층(25)상에 형성된 것이 아니라, 블랙매트릭스층(21)상에 형성되므로, 제 1 기판(10)과의 간격이 보다 커지게 된다.As a result, the first dummy column spacer 28a and / or the dotted second dummy column spacer 28b are not formed on the overcoat layer 25, but are formed on the black matrix layer 21, so that the first substrate ( 10) becomes larger.
제 11 실시예Eleventh embodiment
도 20a 및 도 20b는 본 발명의 제 11 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도로서, 기판 모서리 영역의 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)에 개구부(29)가 형성된 것을 제외하고 전술한 제 10 실시예에 따른 액정표시소자와 동일하다.20A and 20B are plan views of a liquid crystal display device according to an eleventh embodiment of the present invention, except that an opening 29 is formed in the first dummy column spacer 28a of the substrate edge region. It is the same as the liquid crystal display device according to the above.
도 20b는 기판 모서리 영역의 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)에 복수개의 개구부(29)를 형성하여 액정의 흐름을 극대화시킨 것이다.FIG. 20B illustrates a plurality of openings 29 formed in the first dummy column spacer 28a in the substrate edge region to maximize the flow of the liquid crystal.
제 12 실시예12th embodiment
도 21은 본 발명의 제 12 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도로서, 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)를 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 안쪽이 아니라, 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 바깥쪽에 형성한 것이다.FIG. 21 is a plan view of a liquid crystal display device according to a twelfth embodiment of the present invention, wherein the dotted second dummy column spacer 28b is not disposed inside the first dummy column spacer 28a, but rather the first dummy column spacer ( It is formed outside of 28a).
그 효과는 전술한 제 10 실시예와 동일하다.The effect is the same as in the above-described tenth embodiment.
이때, 상기제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 및 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 형성되는 위치는 도 22a, 도 22b, 및 도 22c와 같다.In this case, the positions at which the first dummy column spacer 28a and the dotted second dummy column spacer 28b are formed are the same as those of FIGS. 22A, 22B, and 22C.
즉, 양제 1, 제 2 더미 컬럼 스페이서(28a, 28b) 모두, 도 22a와 같이 더미영역의 블랙매트릭스층(21) 상부의 공통전극(23)상에 형성되거나, 도 22b 및 도 22c와 같이 더미영역의 블랙매트릭스층(21) 상부의 오버코트층(25)상에 형성되거나, 도 22d와 같이 더미영역의 블랙매트릭스층(21)상에 형성될 수 있다.That is, both the first and second dummy column spacers 28a and 28b are formed on the common electrode 23 on the black matrix layer 21 in the dummy region as shown in FIG. 22A, or as shown in FIGS. 22B and 22C. It may be formed on the overcoat layer 25 on the black matrix layer 21 of the region or on the black matrix layer 21 of the dummy region as shown in FIG. 22D.
제 13 실시예Thirteenth embodiment
도 23a 및 도 23b는 본 발명의 제 13 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도로서, 기판 모서리 영역의 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)에 개구부(29)가 형성된 것을 제외하고 전술한 제 12 실시예에 따른 액정표시소자와 동일하다.23A and 23B are plan views of a liquid crystal display according to a thirteenth embodiment of the present invention, except that an opening 29 is formed in the first dummy column spacer 28a of the substrate edge region. It is the same as the liquid crystal display device according to the above.
도 23b는 기판 모서리 영역의 제 1 더미 컬럼스페이서(28a)에 복수개의 개구부(29)를 형성하여 액정의 흐름을 극대화시킨 것이다.In FIG. 23B, a plurality of openings 29 are formed in the first dummy column spacer 28a in the substrate edge region to maximize the flow of the liquid crystal.
제 14 실시예Fourteenth embodiment
도 24a 내지 도 24d는 본 발명의 제 14 실시예에 따른 액정표시소자의 평면도로서, 본 발명의 제 14 실시예는 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 안쪽 더미영역 또는 바깥쪽 더미영역에 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)를 형성한 것이다.24A to 24D are plan views of a liquid crystal display device according to a fourteenth embodiment of the present invention. A fourteenth embodiment of the present invention provides a second dummy region in an inner dummy region or an outer dummy region of the first dummy column spacer 28a. The dummy column spacer 28b is formed.
이때, 도 24a 및 도 24b는 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 바깥쪽 더미영역에 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 형성된 액정표시소자에 관한 것이고, 도 12c 및 도 12d는 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)의 안쪽 더미영역에 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)가 형성된 액정표시소자에 관한 것이다.24A and 24B illustrate a liquid crystal display device in which a second dummy column spacer 28b is formed in an outer dummy region of the first dummy column spacer 28a, and FIGS. 12C and 12D illustrate a first dummy column spacer. A liquid crystal display device in which a second dummy column spacer 28b is formed in an inner dummy region of 28a.
또한, 도 24b 및 도 24d는 적어도 하나의 기판 모서리 영역에서 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)에 개구부가 형성된 것이다. 이때, 상기 개구부는 연속적 또는 불연속적으로 복수개 형성될 수 있다.24B and 24D show openings formed in the second dummy column spacer 28b in at least one substrate edge region. In this case, a plurality of openings may be formed continuously or discontinuously.
또한, 도시하지는 않았으나, 상기 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a)에도 적어도 하나의 기판 모서리 영역에 개구부가 형성될 수 있다.Although not shown, an opening may be formed in at least one substrate edge region of the first dummy column spacer 28a.
이와 같은 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 및 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)는 전술한 제 1 더미 컬럼 스페이서(28a) 및 점선형 제 2 더미 컬럼 스페이서(28b)의 형성위치와 동일하게 다양한 위치에 변경되어 형성될 수 있으며 상술한 액정모드에 한정하지 않고 수직배향(Vertical Alignment)모드나 poly-Si, 강유전성(Ferroelectric Liquid Crystal), OCB(Optically Compensated Birefringence) 모드 등에 적용가능하다.The first dummy column spacer 28a and the second dummy column spacer 28b may be formed at various positions in the same position as that of the first dummy column spacer 28a and the dotted second dummy column spacer 28b. The present invention is not limited to the above-described liquid crystal mode, but may be applied to a vertical alignment mode, poly-Si, ferroelectric liquid crystal, OCB (Optically Compensated Birefringence) mode, and the like.
이와 같이 각 모드에 따른 TFT 어레이 및 칼라 필터 어레이 공정(S1, S6)을 완료한 후, 각 기판에 배향막을 형성하기 전 세정 공정(S2, S7)을 진행하고, 각각에 배향막 및 러빙 공정(S1-S3, S6-S8)을 진행한다.After completing the TFT array and color filter array processes (S1, S6) according to each mode as described above, the cleaning processes (S2, S7) are performed before forming the alignment film on each substrate, and the alignment film and the rubbing process (S1) are respectively applied. -S3, S6-S8).
그리고, 상기 배향 및 러빙 공정 시 발생되는 파티클을 제거하기 위한 세정 공정(S4, S9)을 실시한다.In addition, cleaning processes S4 and S9 for removing particles generated during the alignment and rubbing processes are performed.
상기 칼라필터 어레이 기판에 Ag 도트 및 씨일재를 인쇄하는 단위 공정(S10)을 설명하면 다음과 같다.Referring to the unit process (S10) for printing the Ag dot and the seal material on the color filter array substrate as follows.
먼저, 도면에는 도시되지 않았지만, TN 모드의 경우, 상기 제 2 기판(20)의 외곽부에 은(Ag)을 도트(dot)형상으로 형성하여 상기 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 합착 후, 상기 제 2 기판(20)위의 공통전극(23)에 전압을 인가할 수 있도록 한다.First, although not shown in the drawing, in the case of the TN mode, silver (Ag) is formed in a dot shape on the outer portion of the second substrate 20 to form the dots of the first and second substrates 10 and 20. After bonding, a voltage may be applied to the common electrode 23 on the second substrate 20.
한편, IPS(In Plane Switching) 모드 액정표시소자의 경우는 공통전극을 화소 전극과 동일한 제 1 기판 상에 형성하여 횡전계를 유도하게 되므로 상기 은(Ag) 도트는 형성하지 않는다.In the case of an In Plane Switching (IPS) mode liquid crystal display device, since the common electrode is formed on the same first substrate as the pixel electrode to induce the transverse electric field, the silver (Ag) dot is not formed.
도 25는 본 발명의 일 실시예에 따른 씨일재 형성 공정을 나타낸 평면도이다.25 is a plan view illustrating a seal material forming process according to an exemplary embodiment of the present invention.
상기 제 2 기판(20)위에 폐쇄된 패턴으로 각 패널의 가장자리에 복수개의 주 UV 경화형 씨일재(30)를 형성하고, 상기 각 주 UV 경화형 씨일재(30)의 외곽 더미영역에 폐쇄된 패턴으로 제 1 더미 UV 경화형 씨일재(40)를 형성한다. 그리고, 상기 제 1 더미 UV 경화형 씨일재(40)의 외곽영역의 모서리 부분에 제 2 더미 UV 경화형 씨일재(50)를 도포한다.A plurality of main UV curable seal materials 30 are formed at the edges of each panel in a closed pattern on the second substrate 20, and in a pattern closed on the outer dummy region of the main UV curable seal materials 30. The first dummy UV curable seal material 40 is formed. Then, the second dummy UV curable seal material 50 is applied to the corner portion of the outer region of the first dummy UV curable seal material 40.
도면에는 제 2 더미 UV 경화형 씨일재(50)를 상기 제 1 더미 UV 경화형 씨일재(40)의 모서리의 양변의 외곽영역에 ㄱ자형으로 형성하는 경우만 도시하였으나, 상기 제 1 더미 UV경화형 씨일재(40)의 모서리의 일변의 외곽영역에 일자형으로 형성할 수도 있고, 상기 제 1 더미 UV경화형 씨일재(40)의 외곽영역에 폐쇄형으로 형성할 수도 있다.In the drawings, only the case of forming the second dummy UV-curable seal material 50 in an outer area of both sides of the corner of the first dummy UV-curable seal material 40 in an L-shape, the first dummy UV-curable seal material It may be formed in a linear shape in the outer region of one side of the corner of the 40, or may be formed in a closed type in the outer region of the first dummy UV-curable seal member (40).
씨일재 도포 방법은 스크린 인쇄법(Screen Printing Method), 디스펜서법(Dispensing Method) 등이 있으나, 스크린 인쇄법은 스크린이 기판과 접촉하기 때문에 기판 위에 형성된 배향막 등이 손상될 우려가 있고 기판이 대면적화되면 씨일재의 손실량이 많아 비경제적이므로 디스펜서법이 바람직하다.Seal material coating methods include screen printing method and dispenser method, but screen printing method may damage the alignment film formed on the substrate because the screen is in contact with the substrate, and the substrate is large in area. In this case, the amount of loss of seal material is uneconomical, so the dispenser method is preferable.
이와 같은 주, 제 1 및 제 2 더미 UV경화형 씨일재(30, 40, 50)로는 양 말단에 아크릴기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 개시제와 혼합하여 사용하거나, 한쪽 말단에는 아크릴기가 다른 쪽 말단에는 에폭시기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 개시제와 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다. 상기 씨일재로 양 말단에 아크릴기가 결합된 모노머 또는 올리고모를 개시재와 혼합한 씨일재를 사용할 경우에는 상기 씨일재를 UV로 경화한다. 반면에 상기 씨일재로 한쪽 말단에는 아크릴기가 다른 쪽 말단에는 에폭시기가 결합된 모노머 또는 올리고머를 개시제와 혼합하여 사용할 경우에는, 상기 씨일재를 UV 및 열로 경화한다.As such main, first and second dummy UV-curable seal materials 30, 40 and 50, monomers or oligomers having an acryl group bonded to both ends are used by mixing with an initiator, or an acryl group at one end and an epoxy group at the other end. It is preferable to use a monomer or oligomer having a combined bond with an initiator. In the case of using the seal material in which the monomer or oligomo having an acrylic group bonded to both ends as the seal material and the starting material is mixed, the seal material is cured by UV. On the other hand, when the monomer or oligomer in which the acrylic group is bonded at one end to the epoxy group at the other end of the seal material is mixed with an initiator, the seal material is cured by UV and heat.
여기서, 상기 주 UV 경화형 씨일재(30)의 형성 방법을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the method of forming the main UV curable seal material 30 will be described in more detail as follows.
도 26a 및 도 26b는 본 발명 제 1 실시예의 주 UV 경화형 씨일재를 형성하는공정을 도시한 사시도이고, 도 27은 본 발명 제 2 실시예에 따른 주 UV 경화형 씨일재를 형성하는 공정을 도시한 사시도이다.26A and 26B are perspective views showing a process of forming the main UV curable seal material of the first embodiment of the present invention, and FIG. 27 shows a process of forming the main UV curable seal material according to the second embodiment of the present invention. Perspective view.
액정 적하 방식은 액정을 주입하기 위한 주입구가 필요 없으므로, 도 26a 및 도 26b와 같이 제 2 기판(20) 위에 디스펜싱 장치(31)를 사용하여 주입구 없는 패턴으로 주 UV 경화형 씨일재(30)를 형성하게 된다.Since the liquid crystal dropping method does not require an injection hole for injecting liquid crystal, the main UV curable seal material 30 is formed in a pattern without an injection hole by using the dispensing device 31 on the second substrate 20 as shown in FIGS. 26A and 26B. To form.
그러나, 상기 주 UV 경화형 씨일재(30)는 점도가 높기 때문에 상기 디스펜싱 장치(31)의 노즐 끝에 뭉쳐있게 되며, 이와 같이 뭉쳐있는 씨일재로 인해 처음 씨일재를 형성하는 시점(start point)에 씨일재가 과다 분포하게 된다(도 25b의 'A'영역).However, since the main UV curable seal material 30 has a high viscosity, the main UV curable seal material 30 is bound to the nozzle end of the dispensing apparatus 31, and at the start point of forming the seal material for the first time due to the seal material that is bound together. The seal material is overdistributed ('A' region in FIG. 25B).
이와 같이 과다 분포된 주 UV 경화형 씨일재는 도 26b와 같이 후속의 합착공정에서 액티브영역(기판의 중앙부) 및 더미 영역(기판의 외곽부) 양쪽으로 심하게 퍼지게 되어 액티브 영역으로 퍼진 씨일재는 액정을 오염시키게 되며, 더미 영역으로 퍼진 씨일재는 셀 절단 라인까지 침투하여 셀 절단 공정을 어렵게 한다.As such, the over-distributed main UV curable seal material spreads badly to both the active area (center part of the substrate) and the dummy area (outer part of the substrate) in the subsequent bonding process as shown in FIG. 26B, so that the seal material spreading into the active area contaminates the liquid crystal. The seal material spreading into the dummy region penetrates up to the cell cutting line, making the cell cutting process difficult.
따라서, 보다 균일한 밀도의 주 UV 경화형 씨일재를 형성하여 합착 공정 시 액정이 오염되지 않고 셀 절단 공정이 용이하도록 하기 위하여, 다음과 같이 주 UV 경화형 씨일재를 인쇄한다.Therefore, in order to form a more uniform density of the main UV curable seal material so that the liquid crystal is not contaminated during the bonding process and the cell cutting process is easy, the main UV curable seal material is printed as follows.
도 27과 같이, 디스펜서법을 이용하여 상기 제 2 기판(20)의 각 패널의 가장자리(더미영역)에 보조 UV 경화형 씨일재(30a)를 형성한 후 연속해서 주입구 없는 폐쇄형의 주 UV 경화형 씨일재(30)를 형성한다.As shown in Fig. 27, after forming the auxiliary UV curable seal material 30a at the edge (dummy region) of each panel of the second substrate 20 by using the dispenser method, the closed main UV curable seed having no inlet continuously To form the first (30).
상기 보조 UV 경화형 씨일재(30a)는 디스펜싱 장치의 노즐 끝에 뭉쳐있는 씨일재로 인한 악영향을 방지하기 위한 것이므로, 기판의 더미영역 어느 곳에 형성하여도 상관없고, 씨일재 형성시 상기 주 UV 경화형 씨일재(30)보다 먼저 형성하면 충분하다. 또한, 도면과 같이 직선으로 형성할 수도 있고, 곡선으로 형성할 수도 있다.Since the auxiliary UV curable seal material 30a is for preventing adverse effects due to the seal material stuck to the nozzle end of the dispensing apparatus, the auxiliary UV curable seal material 30a may be formed anywhere in the dummy region of the substrate. It is enough to form before the first material 30. In addition, as shown in the figure, it may be formed in a straight line or may be formed in a curve.
이와 같이 Ag 도트 및 씨일재 도포 공정(S10)을 완료한다.Thus, Ag dot and sealing material application process (S10) is completed.
그리고, 상기 씨일재가 도포된 제 2 기판(20)을 USC(Ultra Sonic Cleaner)에서 세정되어 공정 중에 발생된 파티클을 제거한다(S11). 즉, 제 2 유리 기판(13)은 액정이 적하되지 않고 씨일재가 도포되어 있으므로 세정이 가능하다.In addition, the second substrate 20 to which the seal material is applied is cleaned by USC (Ultra Sonic Cleaner) to remove particles generated during the process (S11). That is, since the liquid crystal is not dripped but the sealing material is apply | coated to the 2nd glass substrate 13, washing is possible.
액정(26)이 적하된 제 1 기판(10)과 씨일재(sealant)(30, 40, 50)가 도포된 제 2 기판(20)은 그 전단에서 각각 액정이 적하된 부분과 씨일재가 도포된 부분이 상 방향으로 향하도록 위치되어 있으므로, 상기 액정(26)이 적하된 제 1 기판(10)과 상기 씨일재(30, 40, 50)가 도포된 제 2 기판(20)을 합착하기 위해서는 상기 두 기판 중 어느 하나를 반전시켜야 한다. 그런데 액정이 적하된 기판을 반전할 수 없으므로, 상기 씨일재가 도포된 제 2 기판(20)을 상기 씨일재(30, 40, 50)가 도포된 부분이 하 방향을 향하도록 상기 제 2 기판(20)을 반전시킨다(S12).The first substrate 10 onto which the liquid crystal 26 is dropped and the second substrate 20 onto which the sealants 30, 40, and 50 are applied are respectively coated with a portion where the liquid crystal is dropped and a seal material on its front end. Since the portion is positioned to face upward, in order to bond the first substrate 10 to which the liquid crystal 26 is dropped and the second substrate 20 to which the seal members 30, 40, and 50 are applied. Either of the two substrates should be reversed. However, since the substrate on which the liquid crystal is dropped cannot be inverted, the second substrate 20 to which the seal material 30, 40, 50 is coated is directed downward to the second substrate 20 to which the seal material is applied. ) Is reversed (S12).
이 때, 반전시키는 방법은, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 제 2 기판(20)을 반전기의 테이블에 로딩하여 예비 정렬하고, 상기 제 2 기판(20)을 테이블에 흡착 및 클램핑한다. 그리고, 상기 테이블을 반전되도록 회전시킨 다음, 상기 반전된 제 2 기판(20)을 상기 진공 합착기 챔버로 이송한다.At this time, the method of inverting, although not shown in the figure, the second substrate 20 is loaded on the table of the inverter and preliminarily aligned, and the second substrate 20 is adsorbed and clamped on the table. Then, the table is rotated to be inverted, and then the inverted second substrate 20 is transferred to the vacuum combiner chamber.
다음은 액정 적하 공정을 설명한다.Next, the liquid crystal dropping step will be described.
도 28은 본 발명에 따른 디스펜싱 장치를 나타내는 도면으로서, 도 28a는 액정미적하시의 단면도이고 도 28b는 액정 적하시의 단면도이며, 도 28c는 분해 사시도이다. 상기 도면을 참조하여 본 발명의 디스펜싱 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.28 is a view showing a dispensing apparatus according to the present invention, FIG. 28A is a cross-sectional view of the liquid crystal dropping state, FIG. 28B is a cross-sectional view of the liquid crystal dropping state, and FIG. 28C is an exploded perspective view. The dispensing device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도면에 도시된 바와 같이, 디스펜싱 장치(120)에서는 원통형의 액정용기(124)가 케이스(122)에 수납되어 있다. 상기 액정용기(124)는 폴리에틸렌(Polyethylene)으로 이루어져 있으며 그 내부에 액정(26)이 충진되어 있으며, 케이스(122)는 스테인리스강(Stainless Steel)으로 형성되어 그 내부에 상기 액정용기(124)가 수납된다. 통상적으로 폴리에틸렌은 성 형성이 우수하기 때문에 원하는 형상의 용기를 용이하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 액정(26)이 충진되었을 때 액정과 반응하지 않기 때문에 액정용기(124)로서 주로 사용된다. 그러나, 상기 폴리에틸렌은 강도가 약하기 때문에 외부의 약한 충격에 의해서도 변형되기 쉽게 되는데, 특히 액정용기(124)로 폴리에틸렌을 사용하는 경우 용기(124)가 변형되어 정확한 위치에 액정(26)을 적하시킬 수 없기 때문에 강도가 큰 스테인리스강으로 이루어진 케이스(122)에 수납하여 사용하는 것이다. 상기 액정용기(124)의 상부에는 외부의 가스공급부(162)에 연결된 가스공급관(164)이 형성되어 있다. 이 가스공급관(164)을 통해 외부의 가스공급부(162)로부터 질소 같은 가스가 공급되어 액정용기(124)의 액정이 충진되지 않은 영역에는 가스가 채워져서 액정이 적하되도록 상기 액정에 압력을 가하게 된다.As shown in the figure, in the dispensing apparatus 120, a cylindrical liquid crystal container 124 is accommodated in the case 122. The liquid crystal container 124 is made of polyethylene and the liquid crystal 26 is filled therein, and the case 122 is made of stainless steel so that the liquid crystal container 124 is formed therein. It is stored. In general, polyethylene is mainly used as the liquid crystal container 124 because it is easy to form a container having a desired shape because of its excellent formability and does not react with the liquid crystal when the liquid crystal 26 is filled. However, since the polyethylene is weak in strength, it is easy to be deformed by a weak external shock. In particular, when polyethylene is used as the liquid crystal container 124, the container 124 may be deformed to drop the liquid crystal 26 at the correct position. Since it is not present, the case 122 is made of stainless steel having high strength. A gas supply pipe 164 connected to an external gas supply unit 162 is formed at an upper portion of the liquid crystal container 124. A gas such as nitrogen is supplied from the external gas supply unit 162 through the gas supply pipe 164 to apply pressure to the liquid crystal so that the liquid crystal is dropped by filling the gas in the region where the liquid crystal is not filled in the liquid crystal container 124. .
상기 케이스(122)의 하단부에는 개구(123)가 형성되어 있다. 액정용기(124)가 상기 케이스(122)에 수납될 때 액정용기(124)의 하단부에 형성된 돌기(138)는 상기 개구(123)에 삽입되어 상기 액정용기(124)가 케이스(122)에 결합되도록 한다. 또한, 상기 돌기(138)는 제1결합부(141)와 결합된다. 도면에 도시된 바와 같이, 돌기(138)의 너트가 형성되어 있고 제1결합부(141)의 일측에는 볼트가 형성되어 있어, 상기 너트와 볼트에 의해 돌기(138)와 제1결합부(141)가 체결된다.An opening 123 is formed at the lower end of the case 122. When the liquid crystal container 124 is accommodated in the case 122, the protrusion 138 formed at the lower end of the liquid crystal container 124 is inserted into the opening 123 so that the liquid crystal container 124 is coupled to the case 122. Be sure to In addition, the protrusion 138 is coupled to the first coupling portion 141. As shown in the figure, a nut of the protrusion 138 is formed and a bolt is formed on one side of the first coupling portion 141, the protrusion 138 and the first coupling portion 141 by the nut and bolt. ) Is fastened.
상기 제1결합부(141)의 타단에는 너트가 형성되어 있으며, 제2결합부(142)의 일단에는 볼트가 형성되어 상기 제1결합부(141)와 제2결합부(142)가 체결된다. 이때, 상기 제1결합부(141)와 제2결합부(142) 사이에는 니들시트(143)가 위치한다. 상기 니들시트(143)는 제1결합부(141)의 너트에 삽입되어 제2결합부(142)의 볼트가 삽입되어 체결될 때 상기 제1결합부(141) 및 제2결합부(142) 사이에 결합된다. 니들시트(143)에는 배출공(144)이 형성되어 액정용기(124)에 충진된 액정(26)이 결합부(142)를 거쳐 상기 배출공(144)을 통해 배출된다.A nut is formed at the other end of the first coupling part 141, and a bolt is formed at one end of the second coupling part 142 to fasten the first coupling part 141 and the second coupling part 142. . In this case, a needle sheet 143 is positioned between the first coupling part 141 and the second coupling part 142. The needle seat 143 is inserted into the nut of the first coupling part 141 and the first coupling part 141 and the second coupling part 142 when the bolt of the second coupling part 142 is inserted and fastened. Are coupled between. A discharge hole 144 is formed in the needle sheet 143 so that the liquid crystal 26 filled in the liquid crystal container 124 is discharged through the discharge hole 144 via the coupling part 142.
또한, 상기 제2결합부(142)에는 노즐(145)이 결합된다. 상기 노즐(145)은 액정용기(124)에 충진된 액정(26)을 소량으로 적하하기 위한 것으로, 제2결합부(142) 일단의 너트와 체결되어 상기 노즐(145)을 제2결합부(142)와 결합시키는 볼트를 포함하는 지지부(147)와, 상기 지지부(147)로부터 돌출되어 소량의 액정을 방울형상으로 기판상에 적하시키는 배출구(146)와, 상기 지지부(147)의 외부에 형성되어 상기 배출구(146)를 보호하는 보호벽(148)으로 구성된다.In addition, the nozzle 145 is coupled to the second coupling portion 142. The nozzle 145 is for dropping a small amount of the liquid crystal 26 filled in the liquid crystal container 124. The nozzle 145 is fastened to a nut of one end of the second coupling part 142 to connect the nozzle 145 to the second coupling part ( A support part 147 including a bolt to be coupled to the 142, a discharge port 146 protruding from the support part 147, and dropping a small amount of liquid crystal onto the substrate in a drop shape, and formed outside the support part 147. And a protective wall 148 to protect the outlet 146.
상기 지지부(147)의 내부에는 니들시트(143)의 배출공(144)으로부터 연장된 배출관이 형성되어 있으며, 상기 배출관이 배출구(146)와 연결되어 있다. 통상적으로 노즐(145)의 배출구(146)는 매우 작은 직경으로 이루어져 있으며(미세한 액정 적하량을 조절하기 위해), 상기 지지부(147)로부터 돌출되어 있다.A discharge pipe extending from the discharge hole 144 of the needle sheet 143 is formed in the support part 147, and the discharge pipe is connected to the discharge hole 146. Typically, the outlet 146 of the nozzle 145 has a very small diameter (to adjust the fine liquid crystal dropping amount) and protrudes from the support 147.
상기와 같이, 배출구(146)가 미세한 직경으로 이루어져 있기 때문에, 노즐(145)을 제2결합부(142)에 결합하거나 분리하는 등의 취급시 외력에 의해 쉽게 영향을 받게 된다. 예를 들어, 노즐(145)을 제2결합부(142)에 체결할 때 배출구(146)가 변형 또는 파손되는 경우 배출구(146)의 직경이 변화되어 기판 상에 적하되는 액정의 양을 조절할 수 없게 될 뿐만 아니라 파손된 영역으로 액정이 튀게 되어 원하지 않는 위치에 액정이 적하되는 문제가 있다. 심지어는 배출구(146)가 파손되어 액정을 적하시킬 수도 없게 되는 문제도 있다. 특히, 배출구(146)의 파손에 의해 적하되는 액정이 실링영역(씨일재가 도포되어 상부기판 및 제 1 기판을 합착하는 영역)에 튀는 경우 기판의 합착시 액정이 튄 영역의 씨일재가 터지게 되어 액정패널에 불량이 발생하게 된다.As described above, since the outlet 146 has a fine diameter, the nozzle 145 is easily affected by an external force during handling such as coupling or separating the nozzle 145 to the second coupling part 142. For example, when the outlet 146 is deformed or damaged when the nozzle 145 is fastened to the second coupling part 142, the diameter of the outlet 146 is changed to adjust the amount of liquid crystal dropped on the substrate. Not only that, there is a problem that the liquid crystal is splashed to the damaged area and the liquid crystal is dropped in an unwanted position. There is even a problem that the outlet 146 is broken so that the liquid crystal cannot be dropped. In particular, when the liquid crystal dropped by the breakage of the discharge port 146 splashes into the sealing region (the region where the sealing material is applied to bond the upper substrate and the first substrate), the sealing material of the region where the liquid crystal splatters when the substrate is bonded bursts. The defect will be generated.
상기 배출구(146) 보호용 벽(148)은 상기와 같이 외력에 의해 노즐(145)의 배출구(146)가 파손되는 것을 방지한다. 즉, 도면에 도시된 바와 같이, 배출구(146) 주변에 일정 높이의 벽을 형성함으로써 외력이 상기 배출구(146)에 가해지는 것을 방지하게 된다.The outlet 146 protective wall 148 prevents the outlet 146 of the nozzle 145 from being damaged by the external force as described above. That is, as shown in the figure, by forming a wall of a predetermined height around the outlet 146, an external force is prevented from being applied to the outlet 146.
도 29는 상기와 같이 보호벽(148)이 형성된 도 28a의 A부분 확대도로, 도 29a는 사시도이고 도 29b는 단면도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 노즐(145)의 배출구(146) 주위에는 상기 배출구(146)와 거의 동일한 높이, 바람직하게는 배출구(146) 보다 높게 형성된 보호벽(148)이 형성되어 있기 때문에, 상기노즐(145)의 결합이나 분리와 같은 취급시 노즐이 결합용 공구와 같은 기구에 의해 변형되거나 파손되는 것을 방지할 수 있게 된다.FIG. 29 is an enlarged view of portion A of FIG. 28A in which the protective wall 148 is formed as described above, FIG. 29A is a perspective view, and FIG. 29B is a sectional view. As shown in the figure, the nozzle 145 is formed around the outlet 146, so that the protective wall 148 formed at substantially the same height as the outlet 146, preferably higher than the outlet 146, is formed. It is possible to prevent the nozzle from being deformed or broken by a mechanism such as a joining tool during handling such as joining or detaching 145.
또한, 상기 보호벽(148)에 의해 노즐(145)의 전체적인 크기가 증가한다. 통상적으로 노즐(145)의 크기는 매우 작기 때문에, 공구 등을 이용하여 상기 노즐(145)을 제2결합부(142)에 결합하거나 분리하는 경우 그 취급이 매우 어렵게 된다. 그러나, 본 발명에서와 같이 보호벽(148)을 형성하여 노즐(145)의 크기를 크게 하는 경우에는 상기 노즐(145)의 결합 및 분리를 용이하게 할 수 있게 된다.In addition, the protective wall 148 increases the overall size of the nozzle 145. In general, since the size of the nozzle 145 is very small, when the nozzle 145 is coupled to or separated from the second coupling part 142 using a tool or the like, the handling thereof becomes very difficult. However, when forming the protective wall 148 to increase the size of the nozzle 145 as in the present invention, it is possible to facilitate the coupling and separation of the nozzle 145.
보호벽(148)은 외력으로부터 배출구(146)를 보호할 수 있는 물질이면 어떠한 물질로 가능하지만, 강도가 높은 스테인리스강이나 초경합금 등을 사용할 수 있다.The protective wall 148 can be made of any material as long as it is a material that can protect the outlet 146 from external force, but a high strength stainless steel, cemented carbide, or the like can be used.
또한, 도 29b에 도시된 바와 같이, 노즐(145)의 배출구(146) 주위에는 불소수지(149)와 같은 액정에 대한 접촉각(Contact Angle)이 높은 물질이 도포되어 있는데, 이러한 물질이 도포된 이유는 다음과 같다.In addition, as illustrated in FIG. 29B, a material having a high contact angle with respect to the liquid crystal, such as the fluororesin 149, is coated around the outlet 146 of the nozzle 145. Is as follows.
접촉각은 액체가 고체 표면에서 열역학적인 평형을 이룰 때 이루는 각을 말한다. 이러한 접촉각은 고체표면의 젖음성(Wettability)을 나타내는 척도이다. 노즐(145)은 금속으로 이루어져 있는데, 금속은 통상적으로 낮은 접촉각을 갖는다. 따라서, 금속은 높은 젖음성(즉, 친수성)과 높은 표면에너지를 갖기 때문에, 액체가 금속 표면으로 퍼져 나가려는 성질이 강하다. 결국, 금속으로 이루어진 노즐(145)을 통해 액정을 적하하는 경우 액정이 노즐(145)의 배출구(146) 단부에서 방울형상(이러한 방울형상을 이루는 것은 곧 접촉각이 높음을 의미한다)으로 이루어지지 않고 노즐(145)의 표면으로 퍼져 나가게 되며, 액정적하를 반복함에 따라노즐(145) 표면으로 퍼져 나간 액정이 뭉치게 된다.Contact angle refers to the angle formed when a liquid is in thermodynamic equilibrium at a solid surface. This contact angle is a measure of the wettability of a solid surface. The nozzle 145 is made of metal, which typically has a low contact angle. Therefore, since the metal has high wettability (i.e., hydrophilicity) and high surface energy, the liquid tends to spread to the metal surface. As a result, when the liquid crystal is dropped through the nozzle 145 made of a metal, the liquid crystal does not have a drop shape at the end of the outlet 146 of the nozzle 145 (to achieve such a drop shape means that the contact angle is high). The liquid crystal spreads to the surface of the nozzle 145 and the liquid crystal spreads to the surface of the nozzle 145 as the liquid crystal drop is repeated.
노즐(145) 표면으로의 액정의 퍼지는 현상은 정확한 액정적하를 불가능하게 한다. 배출공(144)이 오픈되는 시간과 액정에 가해지는 압력을 조절하여 노즐(145)의 배출구(146)를 통해 배출되는 액정의 양을 제어하는 경우에도 배출되는 액정중 일부가 노즐표면으로 퍼지기 때문에 실제 기판에 적하되는 양은 배출구(146)를 통해 배출되는 양보다 작게 된다. 물론, 상기 노즐(145) 표면으로 퍼지는 액정의 양을 감안하여 배출되는 양을 제어할 수는 있지만, 실질적으로 노즐(145) 표면으로 퍼지는 액정의 양을 산출하기란 불가능한 일이다.The spreading of the liquid crystal onto the surface of the nozzle 145 makes accurate liquid crystal dropping impossible. Even when the amount of liquid crystal discharged through the discharge hole 146 of the nozzle 145 is controlled by adjusting the time that the discharge hole 144 is opened and the pressure applied to the liquid crystal, some of the discharged liquid crystal is spread to the nozzle surface. The amount actually loaded onto the substrate is smaller than the amount discharged through the outlet 146. Of course, while the amount of the liquid crystal can be controlled in consideration of the amount of the liquid crystal spread to the surface of the nozzle 145, it is impossible to calculate the amount of liquid crystal substantially spreading to the surface of the nozzle 145.
또한, 액정적하의 반복에 의해 노즐(145)에 뭉치는 액정은 노즐(145)의 배출구(146)를 통해 배출되는 양과 합해져서 설정된 양보다 많은 액정이 기판에 적하될 수 있다. 다시 말해서, 금속으로 이루어진 노즐(145)에서는 금속의 특성인 낮은 접촉각에 의해 적하되는 액정의 양이 불규칙하게 된다.In addition, the liquid crystal that is accumulated in the nozzle 145 by repeating the liquid crystal drop may be added to the amount discharged through the discharge port 146 of the nozzle 145 so that more liquid crystals may be dropped onto the substrate. In other words, in the nozzle 145 made of metal, the amount of liquid crystal dropped by the low contact angle, which is a property of the metal, becomes irregular.
반면에, 본 발명과 같이 노즐(145), 특히 노즐(145)의 배출구(146) 주위에 접촉각이 높은 불소 수지막(149)을 도포하는 경우에는 불소 수지막(149)의 낮은 젖음성(소수성)과 낮은 표면에너지에 의해 노즐(145)의 배출구(146)를 통해 배출되는 액정(26)이 노즐(145)의 표면으로 퍼지지 않고 완전한 방울형태를 이루게 되며, 그 결과 원하는 양의 액정을 정확하게 기판에 적하시킬 수 있게 된다.On the other hand, when the fluororesin film 149 having a high contact angle is applied around the nozzle 145, particularly the outlet 146 of the nozzle 145, as in the present invention, the low wettability (hydrophobicity) of the fluororesin film 149 is applied. And the liquid crystal 26 discharged through the outlet 146 of the nozzle 145 by the low surface energy does not spread to the surface of the nozzle 145 to form a complete droplet, and as a result, the desired amount of liquid crystal is accurately It can be dropped.
불소 수지막(즉, 테플론)은 딥핑(Dipping)이나 스프레이(Spray)방법에 의해 노즐(145) 표면에 도포된다. 도 29b에서는 상기 불소 수지막(149)이 비록 배출구(146) 주위에만 도포되어 있지만 상기 불소 수지막(149)은 보호벽(148)을 포함하는 노즐(145) 전체에 도포될 수도 있다. 불소 수지는 높은 접촉각을 가질 뿐만 아니라 내마모성, 내열성, 내약품성과 같은 각종 특성을 보유하기 때문에, 상기 불소 수지막(149)의 도포에 의해 노즐(145)이 외력에 변형, 파손되는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있게 된다.The fluororesin film (that is, Teflon) is applied to the surface of the nozzle 145 by dipping or spraying. In FIG. 29B, although the fluororesin film 149 is applied only around the outlet 146, the fluororesin film 149 may be applied to the entire nozzle 145 including the protective wall 148. Since the fluorine resin not only has a high contact angle but also has various characteristics such as wear resistance, heat resistance, and chemical resistance, the nozzle 145 is more effectively prevented from being deformed or damaged by external force by the application of the fluororesin film 149. You can do it.
상기 액정용기(124)에는 니들(135)이 삽입되어 그 일단부가 니들시트(143)에 접촉한다. 특히, 상기 니들시트(143)와 접촉하는 니들(135)의 단부는 원뿔형상으로 이루어져 있기 때문에, 해당 단부가 니들시트(143)의 배출공(144)으로 삽입되어 상기 배출공(144)을 막게 된다. 니들(135)은 분리 가능한 제1니들(136)과 제2니들(137)로 이루어져 있다. 도 29에 도시된 바와 같이, 제1니들(136)은 니들시트(143)와 접촉하는 원뿔형상의 일단부가 형성되어 있으며, 타단부에는 돌기(136a)가 형성되어 있다. 또한, 제2니들(137)의 일단부에는 제1니들(136)에 형성된 돌기(136a)가 삽입되는 홈(137a)이 형성되어 있다.The needle 135 is inserted into the liquid crystal container 124 so that one end thereof contacts the needle sheet 143. In particular, since the end of the needle 135 in contact with the needle sheet 143 is formed in a conical shape, the end is inserted into the discharge hole 144 of the needle sheet 143 to block the discharge hole 144. do. The needle 135 consists of a detachable first needle 136 and a second needle 137. As illustrated in FIG. 29, the first needle 136 has a conical end portion in contact with the needle sheet 143, and a protrusion 136a is formed at the other end thereof. In addition, a groove 137a into which the protrusion 136a formed in the first needle 136 is inserted is formed at one end of the second needle 137.
상기 제1니들(136)의 돌기(136a)가 제2니들(137)의 홈(137a)에 삽입된 후 고정수단(139)에 의해 고정되어 상기 제1니들(136)과 제2니들(137)이 결합된다. 고정수단(139)은 일부가 오픈된 링 형상의 금속으로 구성되어 있다. 상기 링 형상의 내부 원주는 제1니들(136) 및 제2니들(137)의 직경보다 미세하게 작게 형성되어 있기 때문에, 상기 링 내부에 상기 제1니들 및 제2니들(136,137)의 결합부위가 삽입된 후 탄성에 의해 단단하게 고정된다. 이때, 상기 제1니들(136)에 홈이 형성되고 제2니들(137)에는 돌기가 형성되어 상기 제2니들(137)의 돌기가 제1니들(136)의 홈에 삽입된 후 고정수단(139)에 의해 고정될 수도 있다.The protrusion 136a of the first needle 136 is inserted into the groove 137a of the second needle 137 and then fixed by the fixing means 139 so that the first needle 136 and the second needle 137 are fixed. ) Is combined. Fixing means 139 is composed of a ring-shaped metal, a part of which is open. Since the inner circumference of the ring shape is formed to be smaller than the diameter of the first needle 136 and the second needle 137, the coupling portion of the first needle and the second needle (136, 137) in the ring After being inserted, it is firmly fixed by elasticity. At this time, a groove is formed in the first needle 136 and a protrusion is formed in the second needle 137 so that the protrusion of the second needle 137 is inserted into the groove of the first needle 136 and then fixing means ( 139).
상기와 같이 니들(135)을 분리 가능하게 형성하는 이유는 다음과 같다. 니들(135)은 그 단부가 니들시트(143)의 접촉하여 배출공(144)을 열고 닫음으로써 기판상에 액정이 적하되도록 하는 매우 중요한 부품으로서, 그 특성상 하나의 셋트이다. 다시 말해서, 니들(135)과 니들시트(143)는 만약 한쪽이 파손되어 교체해야만 하는 경우에는 둘 다 교체해야만 한다. 한편, 니들(135)은 기판에 액정을 적하하기 위해 주기적으로 상하 이동하게 된다. 이러한 주기적인 운동에 의해 니들(135)에는 지속적으로 충격이 가해지며, 더욱이 니들(135)은 그 길이에 비해 직경이 매우 작기 때문에, 변형 또는 파손될 확률이 매우 높아지게 된다. 니들(135)의 변형 또는 파손은 원뿔형상의 단부가 배출공(144)에 삽입될 때 배출공(144)이 완전히 막히지 않고 틈이 발생하는 원인이 되며, 이러한 틈을 통해 액정의 미적하시 기판상에 액정이 적하되게 된다. 따라서, 니들(135)이 변형 또는 파손된 경우 니들(135)을 교체해야만 하는데, 니들(135)과 니들시트(143)가 한 셋트로 이루어져 있기 때문에 고가의 니들(135)과 니들시트(143)를 한꺼번에 교체해야만 한다.The reason why the needle 135 is detachably formed as described above is as follows. Needle 135 is a very important component that the liquid crystal is deposited on the substrate by the end of the needle sheet 143 in contact with the needle sheet 143 to open and close the discharge hole 144, it is a set in nature. In other words, the needle 135 and the needle seat 143 must both be replaced if one side is damaged and needs to be replaced. On the other hand, the needle 135 is moved up and down periodically to drop the liquid crystal on the substrate. The periodic movement is applied to the needle 135 continuously, and since the needle 135 is very small in diameter compared to its length, the probability of deformation or breakage becomes very high. Deformation or breakage of the needle 135 causes the discharge hole 144 not to be completely blocked when a conical end is inserted into the discharge hole 144, and a gap is generated. The liquid crystal is dropped. Therefore, when the needle 135 is deformed or broken, the needle 135 must be replaced. Since the needle 135 and the needle sheet 143 are composed of one set, the expensive needle 135 and the needle sheet 143 are formed. Must be replaced at the same time.
반면에, 본 발명과 같이 니들(135)을 분리 가능한 제1니들(136) 및 제2니들(137)로 구성하는 경우, 변형 또는 파손된 니들만 교체하면 되기 때문에 비용을 절감할 수 있게 된다. 더욱이, 제2니들(137)이 변형 또는 파손된 경우에는 니들(135) 전체와 니들시트(143)를 모두 교체해야만 하는 것에 비해 제1니들(136)과 니들시트(143)를 그대로 사용하고 제2니들(137)만 교체하면 되기 때문에 비용을 더욱 절감할 수 있게 된다.On the other hand, when the needle 135 is composed of the first needle 136 and the second needle 137 as in the present invention, since only the deformed or broken needle needs to be replaced, the cost can be reduced. In addition, when the second needle 137 is deformed or broken, the first needle 136 and the needle sheet 143 are used as they are and the first needle 136 and the needle sheet 143 must be replaced. Since only two needles 137 need to be replaced, the cost can be further reduced.
도면에서는 제1니들(136) 및 제2니들(137)에 돌기(136a) 및 홈(137a)이 형성되고 서로 결합되고 원형 링의 고정수단(139)에 의해 고정되지만, 본 발명의 니들이 이러한 특정한 구조에 의해 결합될 필요는 없다. 상기 특정구조는 본 발명을 설명하기 위한 일례에 불과한 것으로서, 본 발명의 니들은 다양한 방법에 의해 결합될 수 있을 것이다. 예를 들어, 고정수단 없이 단지 돌기와 홈을 결합함으로써 제1니들(136)과 제2니들(137)을 결합할 수도 있으며, 제1니들(136)에 볼트를 형성하고 제2니들(137)에 너트를 형성하여 제1니들(136)과 제2니들(137)을 결합할 수도 있을 것이다.In the drawing, the projections 136a and the grooves 137a are formed on the first needle 136 and the second needle 137 and are coupled to each other and fixed by the fixing means 139 of the circular ring. It does not need to be joined by a structure. The specific structure is merely an example for describing the present invention, and the needle of the present invention may be combined by various methods. For example, the first needle 136 and the second needle 137 may be engaged by only engaging the protrusion and the groove without the fixing means, and forming a bolt on the first needle 136 and attaching the second needle 137 to the second needle 137. A nut may be formed to couple the first needle 136 and the second needle 137.
또한, 디스펜싱 장치(120)의 상부 케이스(126)에 위치하는 상기 니들(135)의 타단부에는 제1스프링(128)이 장착되어 있다. 상기 제1스프링(128)은 원통형상의 제1스프링 수납통(150)에 수납된다. 도 28c에 도시된 바와 같이, 액정용기(124)의 상부에 형성되어 액정용기(124)를 케이스(122)에 지지하는 지지부(121)에는 볼트(125)가 형성되어 있고 제1스프링 수납통(150)에는 너트가 형성되어 상기 제1스프링 수납통(150)이 지지부(121)에 고정된다. 도면에는 자세히 도시하지 않았지만 상기 제1스프링 수납통(150)의 상부에는 너트가 형성된 개구가 형성되어 있으며, 상기 개구를 통해 제1스프링(128)의 장력을 조정하는 장력조정부(152)가 삽입되어 있다. 상기 장력조정부(152)에는 볼트(153)가 형성되어 있기 때문에, 상기 제1스프링수납통(150)에 삽입되는 장력조정부(152)의 볼트(153) 길이를 조절할 수 있게 된다. 제1스프링 수납통(150)에 삽입되는 상기 장력조정부(152)의 단부, 즉 볼트(153)의 단부는 제1스프링(128)과 접촉한다. 따라서, 상기 제1스프링(128)은니들(136)에 형성된 고정수단(139)과 볼트(153) 사이에 고정된다.In addition, a first spring 128 is mounted at the other end of the needle 135 positioned in the upper case 126 of the dispensing apparatus 120. The first spring 128 is accommodated in the cylindrical first spring container 150. As shown in FIG. 28C, a bolt 125 is formed on the support part 121 formed on the liquid crystal container 124 to support the liquid crystal container 124 to the case 122, and the first spring receiving container ( A nut is formed at 150 to fix the first spring holder 150 to the support 121. Although not shown in detail in the drawing, an opening having a nut is formed in an upper portion of the first spring receiving container 150, and a tension adjusting unit 152 for adjusting the tension of the first spring 128 is inserted through the opening. have. Since the bolt 153 is formed in the tension adjusting unit 152, the length of the bolt 153 of the tension adjusting unit 152 inserted into the first spring container 150 can be adjusted. An end portion of the tension adjusting part 152, that is, an end portion of the bolt 153, inserted into the first spring receiving container 150 contacts the first spring 128. Accordingly, the first spring 128 is fixed between the fixing means 139 and the bolt 153 formed on the needle 136.
도면에서, 도면부호 154는 장력조정부(152)가 이동하지 않게 하는 고정판이다. 도 28a에 도시된 바와 같이 상기 고정판(154)이 제1스프링 수납통(150)에 밀착하지 않은 상태에서는 상기 장력조정부(152)가 회전할 수 있기 때문에 장력의 조정이 가능하게 되지만 도 28b에 도시된 바와 같이 고정판(154)을 제1스프링 수납통(150)에 밀착시키면 상기 장력조정부(152)가 고정되어 해당하는 장력으로 설정된다.In the drawing, reference numeral 154 denotes a fixed plate which prevents the tension adjusting unit 152 from moving. As shown in FIG. 28A, the tension adjusting unit 152 may rotate in a state in which the fixing plate 154 does not come into close contact with the first spring receiving container 150. As described above, when the fixing plate 154 is in close contact with the first spring receiving cylinder 150, the tension adjusting unit 152 is fixed to set the corresponding tension.
상기한 바와 같이, 제1스프링(128)이 고정수단(139)과 장력조정부(152) 사이에 고정, 설치되기 때문에, 제1스프링 수납통(150)에 삽입되는 상기 장력조정부(152)의 길이에 의해 제1스프링(128)의 장력을 설정할 수 있게 된다. 예를 들어, 장력조정부(152)를 조작하여 제1스프링 수납통(150)에 삽입되는 볼트(153)의 길이를 짧게 하면 (제1스프링 수납통(150)의 상부로 나오는 볼트의 길이를 길게 하면), 상기 제1스프링(128)의 길이가 길어져서 장력이 저하되며, 볼트(153)의 길이를 짧게 하면 장력이 증가하게 된다. 이와 같은 장력조정부(152)의 조작에 의해 원하는 제1스프링(128)의 장력을 조절할 수 있게 된다.As described above, since the first spring 128 is fixed and installed between the fixing means 139 and the tension adjusting unit 152, the length of the tension adjusting unit 152 inserted into the first spring receiving cylinder 150 is provided. By this, the tension of the first spring 128 can be set. For example, when the length of the bolt 153 inserted into the first spring container 150 is shortened by operating the tension adjusting unit 152 (the length of the bolt coming out of the upper portion of the first spring container 150 is lengthened). Lower), the length of the first spring 128 is increased, the tension is lowered, and if the length of the bolt 153 is shortened, the tension is increased. By the operation of the tension adjusting unit 152 as described above it is possible to adjust the tension of the desired first spring (128).
상기 니들(135)의 상부에는 자성막대(132)가 상기 니들(135)과 x의 간격을 두고 장착된다. 상기 자성막대(132)에는 제2스프링(131)이 설치되어 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 상기 제2스프링(131)은 상부 케이스(126)에 고정된 제2스프링 수납통(135)에 수납되어 있으며, 상기 자성막대(132)가 상기 제2스프링 수납통(135)에 움직일 수 있도록 삽입되어 있어 상기 제2스프링(131)의 탄성력이자성막대(132)에 인가된다.The magnetic rod 132 is mounted on the needle 135 at an interval of x with the needle 135. The magnetic rod 132 is provided with a second spring 131. As shown in the figure, the second spring 131 is accommodated in the second spring container 135 fixed to the upper case 126, the magnetic rod 132 is the second spring container ( The elastic force of the second spring 131 is applied to the magnetic rod 132 so that the second spring 131 may be moved to the magnetic rod 132.
상기 자성막대(132)는 강자성 물질 또는 연자성 물질로 이루어져 있으며, 제2스프링수납통(135)의 외부에는 원통형상의 솔레노이드코일(130)이 설치되어 있다. 상기 솔레노이드코일(130)은 전원공급부(160)와 접속되어 전원이 인가되며, 전원이 인가됨에 따라 상기 자성막대(132)에 자기력이 발생하게 된다. 이러한 자기력에 의해 상기 니들(135)이 상기 자성막대(132)에 닿게 되며, 전원 공급이 중단되면 니들(135)의 단부에 설치된 제1스프링(128)의 탄성에 의해 원래의 위치로 복원된다. 이와 같은 니들(135)의 상하 이동에 의해 니들시트(143)에 형성된 배출공(144)이 열리거나 닫히게 된다.The magnetic rod 132 is made of a ferromagnetic material or a soft magnetic material, a cylindrical solenoid coil 130 is provided on the outside of the second spring container (135). The solenoid coil 130 is connected to the power supply unit 160 and is supplied with power. As the power is applied, a magnetic force is generated in the magnetic rod 132. The needle 135 is brought into contact with the magnetic rod 132 by the magnetic force, and when the power supply is stopped, the needle 135 is restored to its original position by the elasticity of the first spring 128 installed at the end of the needle 135. The discharge hole 144 formed in the needle sheet 143 is opened or closed by the vertical movement of the needle 135.
상기와 같은 니들(135)의 상하운동의 제어, 즉 배출공(144)이 열리고 닫히는 시간의 제어는 자성막대(132)에 설치된 제2스프링(131)의 영향을 받는다. 솔레노이드코일(130)에 공급된 전원에 의해 자성막대(132)에 자기력이 발생하여 니들(135)이 상승하여 자성막대(132)에 닿아 상부로 힘을 가되면, 상기 자성막대(132) 역시 위로 상승하게 되며, 이와 동시에 상기 상승하는 자성막대(132)에 의해 상기 제2스프링(137)이 압축하게 된다. 솔레노이드코일(130)에 공급되던 전원이 끊어져서 상기 자성막대(132)가 자기력을 상실하게 되면, 압축된 제2스프링(137)의 탄성력이 상기 자성막대(132)에 가해져서 자성막대(132)가 상기 니들(135)을 하부로 밀어내게 된다.The control of the vertical movement of the needle 135 as described above, that is, the control of the opening and closing time of the discharge hole 144 is affected by the second spring 131 installed in the magnetic rod 132. When the magnetic force is generated on the magnetic rod 132 by the power supplied to the solenoid coil 130 and the needle 135 is raised to reach the magnetic rod 132 to apply a force upward, the magnetic rod 132 is also upward. At the same time, the second spring 137 is compressed by the rising magnetic rod 132. When the magnetic rod 132 loses the magnetic force due to the loss of the power supplied to the solenoid coil 130, the elastic force of the compressed second spring 137 is applied to the magnetic rod 132 so that the magnetic rod 132 is provided. The needle 135 is pushed downward.
이와 같이, 제1스프링(128)과 제2스프링(131)에 의해 니들(135)의 하강이 신속하게 되어 액정적하의 제어를 더욱 효율적으로 할 수 있게 된다. 특히, 상기 제1스프링(128)과 제2스프링(131)에 의한 니들(135)의 움직임은 제1니들(136)과 액정 사이의 마찰에 의해 발생하는 적하불량을 효과적으로 방지할 수 있게 되는데, 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.As described above, the needle 135 is lowered by the first spring 128 and the second spring 131 to more efficiently control the liquid crystal drop. In particular, the movement of the needle 135 by the first spring 128 and the second spring 131 can effectively prevent the dropping failure caused by the friction between the first needle 136 and the liquid crystal, This will be described in detail as follows.
통상적으로 액정은 액체에 비해 매우 점도가 높은 물질이다. 따라서, 니들(135)이 액정속에서 움직일 때 액정과 니들(135) 표면의 마찰에 의해 니들(135)의 움직임이 지연된다. 액정의 적하시 이러한 마찰에 의한 니들(135) 움직임의 지연을 니들시트(143)의 배출공(144) 오픈시간 산출을 위한 변수로 첨가하여 정확한 오픈시간을 산출할 수는 있지만, 액정이 적하됨에 따라 액정용기(124)에 충진된 액정의 양이 감소하기 때문에 니들(135)의 지연시간이 감소하며 따라서 배출공(144)의 오픈시간 역시 감소하게 되어 정확한 양의 액정적하가 어렵게 된다.Liquid crystals are typically highly viscous materials compared to liquids. Therefore, when the needle 135 moves in the liquid crystal, the movement of the needle 135 is delayed by the friction between the liquid crystal and the surface of the needle 135. Although the correct opening time can be calculated by adding the delay of the movement of the needle 135 due to such friction when the liquid crystal is dripped as a variable for calculating the opening time of the discharge hole 144 of the needle sheet 143, the liquid crystal is dropped. Accordingly, since the amount of liquid crystal filled in the liquid crystal container 124 is reduced, the delay time of the needle 135 is reduced, and thus the opening time of the discharge hole 144 is also reduced, making it difficult to drop the correct amount of liquid crystal.
그러나, 본 발명에서와 같이 니들(135)의 움직임을 2개의 스프링(128,131)으로 제어하는 경우, 니들(135)의 하강속도가 니들(135)의 표면과 액정 사이의 마찰을 무시할 수 있을 정도로 빨라지기 때문에 배출공(144)의 오픈시간을 항상 일정하게 할 수 있게 되어, 정확한 양의 액정적하가 가능하게 된다.However, when controlling the movement of the needle 135 with two springs 128 and 131 as in the present invention, the descending speed of the needle 135 is so fast that the friction between the surface of the needle 135 and the liquid crystal can be ignored. As a result, the opening time of the discharge hole 144 can be made constant at all times, so that an accurate amount of liquid crystal dropping is possible.
상기 자성막대(132)는 강자성 물질 또는 연자 물질로 이루어져 있으며, 제2스프링수납통(135)의 외부에는 원통형상의 솔레노이드코일(130)이 설치되어 있다. 상기 솔레노이드코일(130)은 전원공급부(160)와 접속되어 전원이 인가되며, 전원이 인가됨에 따라 상기 자성막대(132)에 자기력이 발생하게 된다. 전원공급부(160)로부터 솔레노이드코일(130)에 전원이 공급되어 자성막대(132)에 자기력이 발생하게 되면, 상기 자기력에 의해 상기 니들(135)이 상기 자성막대(132)에 닿게 되며, 전원 공급이 중단되면 니들(135) 및 자성막대(132)에 설치된 제1스프링(128) 및 제2스프링(131)의 탄성력에 의해 원래의 위치로 복원된다. 이와 같은 니들(135)의 상하 이동에 의해 니들시트(143)에 형성된 배출공(144)이 열리거나 닫히게 된다.The magnetic rod 132 is made of a ferromagnetic material or a soft material, a cylindrical solenoid coil 130 is provided on the outside of the second spring container (135). The solenoid coil 130 is connected to the power supply unit 160 and is supplied with power. As the power is applied, a magnetic force is generated in the magnetic rod 132. When power is supplied from the power supply unit 160 to the solenoid coil 130 to generate a magnetic force on the magnetic rod 132, the needle 135 contacts the magnetic rod 132 by the magnetic force, thereby supplying power. If this is stopped, the elastic force of the first spring 128 and the second spring 131 installed on the needle 135 and the magnetic rod 132 is restored to its original position. The discharge hole 144 formed in the needle sheet 143 is opened or closed by the vertical movement of the needle 135.
상기 제1니들(136)의 단부와 니들시트(143)는 솔레노이드코일(130)에 전원이 공급되고 중단됨에 따라 반복적으로 접촉하게 된다. 이와 같은 반복적인 접촉에 의해 제1니들(136)의 단부와 니들시트(143)가 지속적인 충격에 노출되기 때문에 파손될 가능성이 존재하게 된다. 따라서, 상기 제1니들(136)의 단부와 니들시트(143)를 충격에 강한 물질, 예를 들면 초경합금으로 형성하여 충격에 의한 파손을 방지하는 것이 바람직하다.The end of the first needle 136 and the needle seat 143 is repeatedly contacted as power is supplied to the solenoid coil 130 and stopped. Due to such repeated contact, the end of the first needle 136 and the needle seat 143 are exposed to a constant impact, so there is a possibility of breakage. Therefore, it is preferable that the end of the first needle 136 and the needle sheet 143 are formed of a material resistant to impact, for example, cemented carbide, to prevent breakage due to impact.
도 28b에 도시된 바와 같이, 니들시트(143)의 배출공(144)이 오픈됨에 따라 액정용기(124)에 공급되는 가스(즉, 질소가스)가 액정에 압력을 가하여 노즐(145)로부터 액정(26)이 적하되기 시작한다. 이때, 상기 적하되는 액정(26)의 양은 상기 배출공(144)이 오픈되는 시간과 액정에 가해지는 압력에 따라 달라지며, 상기 오픈시간은 니들(135)과 자성막대(132)의 간격(x), 솔레노이드코일(130)에 의해 발생하는 자성막대(132)의 자기력 및 니들(135)과 자성막대(132)에 설치된 제1스프링(128)과 제2스프링(131)의 장력에 의해 결정된다. 자성막대(132)의 자기력은 자성막대(132) 주위에 설치되는 솔레노이드코일(130)의 권선수나 솔레노이드코일(130)에 인가되는 전원의 크기에 따라 조정할 수 있으며, 니들(135)과 자성막대(132)의 간격(x)은 상기 자성막대(132)의 단부에 설치된 간극조정부(134)에 의해 조정할 수 있게 된다.As shown in FIG. 28B, as the discharge hole 144 of the needle sheet 143 is opened, the gas (ie, nitrogen gas) supplied to the liquid crystal container 124 pressurizes the liquid crystal and the liquid crystal from the nozzle 145. (26) begins to drop. In this case, the amount of the liquid crystal 26 dropping depends on the time when the discharge hole 144 is opened and the pressure applied to the liquid crystal, and the opening time is the interval x between the needle 135 and the magnetic rod 132. ), The magnetic force of the magnetic rod 132 generated by the solenoid coil 130 and the tension of the first spring 128 and the second spring 131 installed on the needle 135 and the magnetic rod 132. . The magnetic force of the magnetic rod 132 may be adjusted according to the number of windings of the solenoid coil 130 installed around the magnetic rod 132 or the size of the power applied to the solenoid coil 130, and the needle 135 and the magnetic rod ( The interval x of the 132 can be adjusted by the gap adjusting unit 134 provided at the end of the magnetic rod 132.
또한, 제1스프링(128)의 장력은 장력조정부(152)에 의해 조절된다. 특정 길이로 설정된 제1스프링(128)을 장력조정부(152)에 의해 조절하여 그 길이를 변경하면, 변경된 길이차에 해당하는 만큼 장력이 변화되며 그 결과 니들(135)의 복원속도를 변경할 수 있게 된다. 따라서, 니들시트(143)의 배출공(144) 오픈시간을 조절할 수 있게 된다. 이와 같이, 상기 장력조정부(152)를 조정하여 제1스프링(128)의 장력의 임의로 조정하므로써 원하는 양의 액정을 기판에 적하시킬 수 있게 되는데, 이러한 제1스프링(128)의 장력은 사용자가 장력조정부(152)를 직접 조작함으로써 임의로 조정할 수 있게 된다.In addition, the tension of the first spring 128 is adjusted by the tension adjusting unit 152. When the length of the first spring 128 set to a specific length is adjusted by the tension adjusting unit 152 to change its length, the tension is changed as much as the changed length difference, and as a result, the restoration speed of the needle 135 can be changed. do. Therefore, the opening time of the discharge hole 144 of the needle seat 143 can be adjusted. As such, by adjusting the tension adjusting unit 152 to arbitrarily adjust the tension of the first spring 128, a desired amount of liquid crystal can be dropped onto the substrate. The tension of the first spring 128 is a tension of the user. By directly operating the adjusting unit 152, adjustment can be made arbitrarily.
또한, 니들(135)과 자성막대(132) 사이의 간격(x) 역시 작업자에 의해 설정될 수 있다. 다시 말해서, 스프링(128,131)과 간격(x)에 의한 니들시트(143)의 배출공(144) 오픈시간은 작업자에 의해 임의로 조정할 수 있게 된다.In addition, the distance x between the needle 135 and the magnetic bar 132 may also be set by the operator. In other words, the opening time of the discharge hole 144 of the needle seat 143 by the springs 128 and 131 and the interval x can be arbitrarily adjusted by the operator.
반면에 솔레노이드코일(130)에 인가되는 전원의 크기나 액정용기(124)에 공급되는 질소가스의 양은 도면에 도시된 바와 같이 상기 가스공급부(162)에 연결되어 액정용기(124)내에 가스를 공급하는 가스공급관(164)에 설치된 유량제어밸브(164)와 전원공급부(160)를 제어하는 주제어부(170)에 의해 결정된다. 다시 말해서, 전원공급량과 가스유입량은 작업자의 직접적인 조작에 의해 결정되는 것이 아니라 주제어부에 제어에 의해 결정되는 것으로, 입력되는 데이터에 기초하여 전원공급량과 가스유입량을 산출하여 결정하는 것이다.On the other hand, the size of the power applied to the solenoid coil 130 or the amount of nitrogen gas supplied to the liquid crystal container 124 is connected to the gas supply unit 162 as shown in the drawing to supply gas into the liquid crystal container 124. It is determined by the flow control valve 164 installed in the gas supply pipe 164 and the main control unit 170 for controlling the power supply unit 160. In other words, the amount of power supply and the amount of gas inflow are not determined by the operator's direct manipulation, but by the control of the main control unit. The amount of supply and the amount of gas inflow are calculated based on the input data.
상기 주제어부(170)는 도 30에 도시된 바와 같이, 각종 정보가 입력되는 입력부(171)와, 상기 입력된 데이터에 기초하여 기판 전체에 적하될 액정의 양을 산출하는 액정 적하량 산출부(173)와, 상기 적하량 산출부(173)에 의해 산출된 액정의 적하량에 기초하여 액정의 적하패턴을 산출하는 적하패턴 산출부(175)와, 상기 적하패턴 산출부(175)에 의해 산출된 적하패턴에 기초하여 기판을 구동하는 기판구동부(176)와, 전원공급부(160)를 제어하여 상기 적하패턴 산출부(175)에 의해 산출된 적하패턴에 기초하여 적하될 액정적하량에 해당하는 전원을 솔레노이드코일(130)에 공급하는 전원제어부(177)와, 유량제어밸브(161)를 제어하여 적하패턴 산출부(175)에 의해 산출된 적하패턴에 기초하여 가스공급부(162)로부터 적하될 액정적하량에 해당하는 유량의 가스를 액정용기(124)내로 공급하는 유량제어부(178)와, 입력데이터, 산출된 적하량 및 산출된 적하패턴, 액정적하의 현재 상황 등을 출력하는 출력부(179)로 구성된다.As illustrated in FIG. 30, the main controller 170 may include an input unit 171 to which various kinds of information are input, and a liquid crystal drop amount calculating unit configured to calculate an amount of liquid crystal to be dropped onto the entire substrate based on the input data. 173 and the drop pattern calculation unit 175 for calculating the drop pattern of the liquid crystal based on the drop amount of the liquid crystal calculated by the drop amount calculation unit 173, and the drop pattern calculation unit 175. The liquid crystal dropping amount to be dropped based on the dropping pattern calculated by the dropping pattern calculation unit 175 by controlling the substrate driver 176 and the power supply unit 160 to drive the substrate based on the loaded drop pattern. The power control unit 177 for supplying power to the solenoid coil 130 and the flow rate control valve 161 are controlled to drop from the gas supply unit 162 based on the drop pattern calculated by the drop pattern calculation unit 175. Gas of the flow rate corresponding to liquid crystal dropping quantity is used for liquid crystal Consists of a flow rate control unit 178 and an output unit 179 for outputting the input data, the calculated dropping amount and the calculated dropping pattern, the current status of the liquid crystal drop, such as that fed into a 124.
입력부(171)는 도 31에 도시된 바와 같이, 기판에 형성된 스페이서의 높이가 입력되는 스페이서높이 입력부(180)와, 점도와 같은 액정의 특성에 대한 정보가 입력되는 액정특성정보 입력부(182)와, 제작하고자 하는 액정패널의 크기와 기판에 포함되는 기판에 각종 정보가 입력되는 기판정보 입력부(184)로 구성된다.As shown in FIG. 31, the input unit 171 includes a spacer height input unit 180 for inputting a height of a spacer formed on a substrate, a liquid crystal characteristic information input unit 182 for inputting information on characteristics of a liquid crystal, such as viscosity, and the like. The substrate information input unit 184 is configured to input various types of information into the size of the liquid crystal panel to be manufactured and the substrate included in the substrate.
따라서, 컬러필터기판에 실제 형성된 컬럼 스페이서 높이가 설정된 셀갭과 다를 경우 설정된 적하량의 액정이 기판에 적하되어도 실제 제작된 액정패널에 충진된 액정의 양은 최적의 액정량과는 차이가 있을 것이다(실제 형성된 컬럼 스페이서의 높이에 의해 셀갭에 차이가 발생하므로). 실제 적하되는 액정의 적하량이 최적의 적하량보다 작을 경우, 예를 들어 노멀리 블랙모드(Normally Black Mode)의 액정표시소자의 경우 블랙휘도에 문제가 발생하게 되고 노멀리화이트모드(Normally White Mode)의 액정표시소자의 경우 화이트휘도에 문제가 발생하게 된다.Therefore, if the height of the column spacer actually formed on the color filter substrate is different from the set cell gap, the amount of liquid crystal filled in the actually manufactured liquid crystal panel will be different from the optimal amount of liquid crystal even if the set drop amount of liquid crystal is dropped on the substrate. Difference in cell gap due to the height of the formed column spacers). If the actual amount of liquid crystal dropping is smaller than the optimum dropping amount, for example, a liquid crystal display device in a normally black mode may cause a black luminance problem and normally a white mode. In the case of the liquid crystal display of the problem of white brightness occurs.
또한, 실제 적하되는 액정의 적하량이 최적의 적하량보다 많을 경우 액정패널을 제작했을 때 중력불량이 발생하게 된다. 중력불량은 액정패널을 제작했을 때 액정패널의 내부에 형성된 액정층이 온도상승에 의해 부피가 증가하기 때문에 발생하는 것으로, 액정패널의 셀갭이 스페이서보다 커지게 되며 이에 따라 액정이 중력에 의해 하부로 이동하여 액정패널의 셀갭이 불균일하게 되므로 액정표시소자의 품질저하의 원인이 된다.In addition, when the amount of liquid crystal actually dropped is more than the optimum amount of dropping, gravity failure occurs when the liquid crystal panel is manufactured. Gravity defect occurs when the liquid crystal layer formed inside the liquid crystal panel increases in volume due to temperature increase when the liquid crystal panel is manufactured. The cell gap of the liquid crystal panel becomes larger than the spacers, and thus the liquid crystal is moved downward by gravity. Since the cell gap of the liquid crystal panel is uneven due to the movement, the quality of the liquid crystal display device is reduced.
주제어부(170)에서는 이러한 문제를 해결하기 위해, 단순히 액정의 적하량만을 산출하는 것이 아니라 기판에 형성되는 스페이서에 높이에 의해 기판에 적하되는 액정의 적하량을 보정한다. 다시 말해서, 현재 산출된 액정의 적하량을 스페이서 높이에 기초하여 산출되는 적하량과 비교하여 그 차이만큼의 액정을 기판상에 가감하여 적하하는 것이다.In order to solve such a problem, the main controller 170 not only calculates the amount of liquid crystal dropping but also corrects the amount of liquid crystal dropping on the substrate by the height of the spacer formed on the substrate. In other words, the drop amount of the currently calculated liquid crystal is compared with the drop amount calculated based on the height of the spacer, and the liquid crystal corresponding to the difference is added or dropped on the substrate.
스페이서의 높이는 TFT공정 또는 컬러필터공정의 스페이서 형성공정에서 입력된다. 즉, 스페이서의 형성공정은 스페이서를 형성할 뿐만 아니라 그 높이도 측정하여 스페이서높이 입력부(180)를 통해 적하량 산출부(173)에 제공된다. 상기 스페이서 형성라인은 액정 적하라인과는 별개의 라인으로 이루어져 있다. 따라서, 상기 측정된 스페이서의 높이는 유선 또는 무선으로 스페이서높이 입력부(180)에 입력된다.The height of the spacer is input in the spacer forming step of the TFT process or the color filter process. That is, the forming process of the spacer not only forms the spacer but also measures the height thereof and is provided to the dripping amount calculating unit 173 through the spacer height input unit 180. The spacer forming line is formed of a separate line from the liquid crystal dropping line. Therefore, the measured height of the spacer is input to the spacer height input unit 180 by wire or wirelessly.
액정특성정보 입력부(182)와 기판정보 입력부(184)는 키보드(Key Board)나마우스, 터치패널(Touch Panel)과 같은 통상적인 조작수단에 의해 데이터를 입력하는 것으로, 제작하고자 하는 액정패널의 크기, 기판의 크기, 기판에 형성된 패널의 매수와 같은 기판정보 및 액정특성정보가 작업자에 의해 입력된다. 출력부(179)는 작업자에게 각종 정보를 알려주기 위한 것으로, CRT(Cathod Ray Tube)나 LCD와 같은 디스플레이 및 프린터와 같은 각종 출력장치를 포함한다.The liquid crystal characteristic information input unit 182 and the substrate information input unit 184 input data by common operation means such as a keyboard, a mouse, and a touch panel, and the size of the liquid crystal panel to be manufactured. The substrate information such as the size of the substrate, the number of panels formed on the substrate, and the liquid crystal characteristic information are input by the operator. The output unit 179 is for informing the operator of various types of information, and includes various output devices such as a display and a printer such as a cathode ray tube (CRT) or an LCD.
상기 적하량 산출부(173)에서는 액정패널에 적하될 액정의 적하량뿐만 아니라 복수의 액정패널이 형성되는 기판 전체에 적하될 액정의 총적하량을 산출하여 적하패턴 산출부(175)에 제공한다.The drop amount calculating unit 173 calculates the drop amount of the liquid crystal to be dropped onto the liquid crystal panel as well as the total drop amount of the liquid crystal to be dropped onto the entire substrate on which the plurality of liquid crystal panels are formed and provides the drop pattern calculation unit 175.
적하패턴 산출부(175)는 도 32에 도시된 바와 같이, 적하량 산출부(173)에서 산출된 적하량에 기초하여 기판상의 특정 위치에 적하되는 1회의 액정적하량을 산출하는 1회 적하량산출부(186)와, 기판상에 적하될 적하횟수를 산출하는 적하횟수 산출부(187)와, 상기 1회 적하량산출부(186)에서 산출된 1회의 적하량과 적하횟수 산출부(187)에서 산출된 적하횟수에 기초하여 기판상에 액정이 적하되는 위치를 산출하는 적하위치 산출부(188)와, 상기 산출된 적하위치에 따라 액정의 적하패턴을 결정하는 적하패턴 결정부(189)로 구성된다.As shown in FIG. 32, the drop pattern calculation unit 175 calculates a single drop amount for calculating one drop of liquid crystal dropped at a specific position on the substrate based on the drop amount calculated by the drop amount calculation unit 173. A calculator 186, a drop count calculation unit 187 for calculating the drop count to be loaded onto the substrate, and a single drop amount and drop count calculation unit 187 calculated by the single drop amount calculation unit 186. Dripping position calculating unit 188 for calculating a position at which the liquid crystal is dropped on the substrate based on the number of drips calculated in the above), and dripping pattern determination unit 189 for determining the dripping pattern of the liquid crystal according to the calculated dripping position. It consists of.
1회 적하량 산출부(186)에서는 산출된 총적하량에 기초하여 1회의 액정적하량을 산출한다. 다시 말해서, 상기 1회 적하량은 총적하량과 밀적한 상호관계를 가지며, 적하횟수와도 밀접한 관계를 가진다.The one-time drop amount calculation unit 186 calculates one time of liquid crystal drop amount based on the calculated total drop amount. In other words, the one-time loading amount has a close correlation with the total loading amount, and also has a close relationship with the dropping frequency.
적하횟수 산출부(187)에서는 입력되는 총적하량과 패널의 면적, 액정 및 기판의 특성에 기초하여 한 패널내에 적하될 적하횟수를 계산한다. 일반적으로 적하방식에서는 기판에 적하된 액정이 상하기판의 합착시 인가되는 압력에 의해 기판에서 퍼지게 된다. 이러한 액정의 퍼짐은 액정의 점도와 같은 액정의 특성과 패턴의 배치 등과 같은 액정이 적하될 기판의 구조에 의해 좌우된다. 따라서, 상기와 같은 특성에 의해 1회 적하된 액정이 퍼져 나가는 영역이 결정되며 이러한 영역을 감안하여 패널에 적하될 액정의 적하횟수를 계산한다. 또한, 상기 패널에서의 적하횟수에 의해 기판 전체에 걸쳐 적하될 횟수를 산출하게 된다.The drop count calculation unit 187 calculates the drop count to be dropped in one panel based on the total drop amount input, the area of the panel, and the characteristics of the liquid crystal and the substrate. In general, in the dropping method, the liquid crystal dropped on the substrate is spread from the substrate by the pressure applied when the upper and lower substrates are bonded. The spread of the liquid crystal depends on the characteristics of the liquid crystal such as the viscosity of the liquid crystal and the structure of the substrate on which the liquid crystal is dropped, such as the arrangement of the pattern. Therefore, the area in which the liquid crystal dropped once is spread out is determined by the above characteristics, and the number of dropping times of the liquid crystal to be dropped onto the panel is calculated in consideration of this area. In addition, the number of droppings on the panel is calculated by the number of droppings in the panel.
적하위치 산출부(188)에서는 패널에 적하되는 액정의 적하횟수, 1회에 적하되는 액정의 적하량, 적하된 액정방울 사이의 간격(피치(Pitch)), 액정의 퍼짐특성을 기초로 액정의 적하위치를 산출한다. 특히, 액정의 퍼짐특성은 기판의 합착시 액정이 씨일재까지 도달하는지를 판단하는 중요한 특성이다. 따라서, 적하위치 산출부(188)에서는 씨일재의 경화 전에 액정이 씨일재에 닿는 것을 방지하기 위해 상기 액정의 퍼짐특성을 감안하여 적하위치를 산출한다. 통상적으로 액정의 퍼짐특성을 결정하는 인자는 패널의 형상, 패널에 형성된 소자의 패턴 및 패널의 배향막에 실행되는 러빙방향(배향방향)이다. 상기 적하위치 산출부(188)에서는 이러한 인자들을 감안하여 액정의 적하위치를 산출한다.The dropping position calculating unit 188 uses the number of droppings of the liquid crystal dropped on the panel, the dropping amount of the liquid crystal dropped in one time, the interval (pitch) between the dropped liquid crystal droplets, and the spread characteristics of the liquid crystal. Calculate the dropping position. In particular, the spreading characteristic of the liquid crystal is an important characteristic for determining whether the liquid crystal reaches the sealing material when the substrate is bonded. Therefore, the dropping position calculation unit 188 calculates the dropping position in consideration of the spreading property of the liquid crystal in order to prevent the liquid crystal from touching the sealant before curing of the sealant. Usually, the factors that determine the spreading characteristics of the liquid crystal are the shape of the panel, the pattern of the elements formed in the panel, and the rubbing direction (alignment direction) performed on the alignment film of the panel. The dropping position calculation unit 188 calculates the dropping position of the liquid crystal in view of these factors.
일반적으로 액정패널은 사각형상으로 이루어져 있기 때문에 모서리까지의 거리가 변까지의 거리보다 길게 되므로, 액정이 퍼지는 거리가 커지게 된다. 또한, 액정패널의 제1기판(TFT기판,10)상에는 게이트라인과 데이터라인을 교차로 형성되어 있으며, 제2기판(컬러필터기판,20)상에는 컬러필터층이 데이터라인 방향을 따라 배열되어 있다. 이러한 소자의 패턴은 필연적으로 단차를 형성하게 되며, 이 단차는 액정퍼짐의 방해요소가 되어 소자패턴방향으로의 액정퍼짐속도가 패턴의 수직방향보다 크게 된다. 실제적으로 제1기판 상에서는 데이터라인과 게이트라인이 서로 교차하고 있기 때문에 액정퍼짐속도에 큰 영향을 미치지 못하지만 컬러필터기판의 컬러필터층은 액정의 퍼짐속도에 영향을 미친다.In general, since the liquid crystal panel is formed in a rectangular shape, the distance to the edge is longer than the distance to the sides, thereby increasing the distance that the liquid crystal spreads. In addition, a gate line and a data line are intersected on the first substrate (TFT substrate) 10 of the liquid crystal panel, and a color filter layer is arranged along the data line direction on the second substrate (color filter substrate) 20. Such a pattern of the device inevitably forms a step, and the step becomes an obstacle of the liquid crystal spread, so that the liquid crystal spreading speed in the device pattern direction is larger than the vertical direction of the pattern. In practice, since the data line and the gate line cross each other on the first substrate, the liquid crystal spreading speed does not affect the liquid crystal spreading speed, but the color filter layer of the color filter substrate affects the spreading speed of the liquid crystal.
액정의 적하위치에 영향을 미치는 또 다른 요인인 배향은 배향막에 배향규제력 또는 표면고정력을 부여하여 인접하는 액정분자를 특정 방향으로 정렬하기 위한 것으로, 주로 부드러운 천을 이용하여 배향막을 특정 방향으로 러빙함으로써 이루어진다. 이러한 러빙에 의해 배향막에는 특정방향(러빙방향)으로 배열된 미세한 홈(groove)이 생기며, 이 홈에 의해 액정분자가 특정 방향으로 정렬되는 것이다. 따라서, 배향방향으로의 액정의 퍼짐속도가 그 다른 방향으로의 액정의 퍼짐속도 보다 크게 되기 때문에, 이러한 점을 감안하여 액정의 적하위치를 산출해야만 한다.Another factor influencing the dropping position of the liquid crystal is alignment to impart an alignment control force or surface fixation force to the alignment layer to align adjacent liquid crystal molecules in a specific direction, and is mainly performed by rubbing the alignment layer in a specific direction using a soft cloth. . Such rubbing causes fine grooves arranged in a specific direction (rubbing direction) in the alignment film, and the liquid crystal molecules are aligned in the specific direction by the grooves. Therefore, since the spreading speed of the liquid crystal in the alignment direction becomes larger than the spreading speed of the liquid crystal in the other direction, the dropping position of the liquid crystal must be calculated in consideration of this point.
상기와 같이, 액정의 적하위치는 액정패널의 형상, 액정패널에 형성된 소자의 패턴방향 및 배향방향에 의해 결정된다.As described above, the dropping position of the liquid crystal is determined by the shape of the liquid crystal panel, the pattern direction and the alignment direction of the elements formed in the liquid crystal panel.
도 38a 및 도 38b에 상기와 같은 요인에 의해 산출된 액정의 적하위치에 따라 결정된 액정의 적하패턴이 도시되어 있다. 도면에서 도 38a는 TN(Twisted Nematic)모드의 액정패널의 적하패턴이고 도 38b는 IPS(In Plane Switching)모드의 액정패널의 적하패턴이고, 도 38c는 VA(Vertical Alignment)모드의 액정패널의 적하패턴을 나타낸다.38A and 38B show a drop pattern of the liquid crystal determined according to the dropping position of the liquid crystal calculated by the above factors. 38A is a dropping pattern of the liquid crystal panel in twisted nematic (TN) mode, FIG. 38B is a dropping pattern of the liquid crystal panel in IPS (In Plane Switching) mode, and FIG. 38C is a dropping pattern of the liquid crystal panel in VA (Vertical Alignment) mode. Represents a pattern.
TN모드의 경우, 제 1 기판 및 제 2 기판에 형성된 배향막의 배향방향은 서로수직을 이루고 있다. 따라서, 실제 기판의 합착시 수직하는 배향방향에 의해 액정의 퍼짐속도가 상쇄되어 배향막의 배향방향은 액정의 퍼짐에 많은 영향을 끼치지는 않는다. 그러므로, 기판의 합착시 실질적으로 액정의 적하패턴에 영향을 미치는 요인은 패널의 형상과 패널에 형성된 소자패턴의 방향이다. 기판의 형상요인에 의해 대각선 방향으로의 액정퍼짐거리가 기판의 수직방향으로의 액정퍼짐거리보다 크기 때문에, 사각형상 패널(10a)의 변보다는 패널(10a)의 모서리쪽으로 더 길게 액정(26)을 적하해야만 한다. 또한, 기판)에 형성된 패턴(컬러필터기판에 형성된 패턴과 TFT기판에 형성된 패턴을 포함하는)에 의해 패널의 게이트라인방향으로의 액정퍼짐속도가 데이터라인방향으로의 액정퍼짐속도보다 느리기 때문에, 데이터라인방향 보다는 게이트라인방향으로 액정을 길게 적하해야만 한다.In the TN mode, the alignment directions of the alignment films formed on the first substrate and the second substrate are perpendicular to each other. Therefore, the spreading speed of the liquid crystal is canceled by the alignment direction perpendicular to the actual bonding of the substrate, so that the alignment direction of the alignment film does not have much influence on the spreading of the liquid crystal. Therefore, the factors that substantially affect the drop pattern of the liquid crystal upon bonding of the substrate are the shape of the panel and the direction of the element pattern formed on the panel. Since the liquid crystal spreading distance in the diagonal direction is larger than the liquid crystal spreading distance in the vertical direction of the substrate due to the shape factor of the substrate, the liquid crystal 26 is longer toward the edge of the panel 10a than on the sides of the rectangular panel 10a. It must be loaded. Further, since the liquid crystal spreading speed in the gate line direction of the panel is slower than the liquid crystal spreading speed in the data line direction by the pattern formed on the substrate) (including the pattern formed on the color filter substrate and the pattern formed on the TFT substrate). The liquid crystal must be dropped in the gate line direction rather than in the line direction.
상기와 같은 요인들을 감안한 최적의 액정적하패턴은 도 38a에 도시된 바와 같이, 패널(10a)의 중앙영역에는 일정 폭을 가지고 적하패턴이 게이트라인방향으로 배열되고 그 양측면 영역에는 직사각형상의 적하패턴이 배열된 아령(dumbell)형상의 적하패턴이다.Considering the above factors, as shown in FIG. 38A, the optimal liquid crystal drop pattern has a predetermined width in the center region of the panel 10a, and the drop pattern is arranged in the gate line direction, and rectangular drop patterns are formed in both side regions thereof. Dropping pattern of arranged dumbbell shape.
상기와 같은 적하패턴으로 액정이 적하되는 경우 적하되는 방울형상의 액정은 서로 일정한 간격(적하피치)을 유지해야만 한다. 그 이유는 액정 적하 후 기판 위에서 적하된 액정이 일정 거리만큼 퍼져 기판의 합착 전에 인접하는 액정과 서로 닿아야만 하기 때문이다. 기판의 합착 전에 인접하는 액정과 닿지 않는 경우 기판상에는 액정의 적하흔적이 남아 있게 되는데, 이러한 액정적하 흔적은 액정패널불량의 원인이 된다. 이러한 적하된 액정의 적하피치는 적하되는 액정의 양은 고정된것이 아니라 기판에 1회 적하되는 액정의 적하량이나 액정의 퍼짐속도에 따라 달라지는데, 상기 액정의 적하피치는 TN모드나 VA모드의 액정패널의 경우 약 9∼17mm이고 IPS모드의 액정패널의 경우 약 8∼13mm이다. 그리고, 상기 액정의 점도는 10~40cps 정도를 사용한다.When the liquid crystal is dropped in the drop pattern as described above, the drop-shaped liquid crystals to be dropped must maintain a constant interval (drop pitch) from each other. The reason for this is that the liquid crystal dropped on the substrate after the liquid crystal dropping has to be spread by a predetermined distance and must contact the adjacent liquid crystals before bonding of the substrate. If the liquid crystal does not come into contact with the adjacent liquid crystals before bonding of the substrate, the drop of the liquid crystal remains on the substrate, which causes traces of the liquid crystal panel. The drop pitch of the dropped liquid crystal is not fixed, but the amount of liquid crystal dropped is not fixed, but depends on the amount of liquid crystal dropped on the substrate or the spreading speed of the liquid crystal. The drop pitch of the liquid crystal is TN mode or VA mode liquid crystal panel. In the case of the liquid crystal panel of about 9 to 17mm and about 8 to 13mm in the case of IPS mode. In addition, the viscosity of the liquid crystal is used about 10 ~ 40cps.
IPS모드의 경우, 배향막의 배향방향이 게이트라인의 방향과는 θ의 각도 만큼 다른 방향을 향하고 있다. 그 각도는 10~20도 정도이다. 다시 말해서, IPS모드의 경우, 액정의 퍼짐은 액정패널의 형상과 소자패턴의 방향 이외에도 배향방향에 의해 크게 좌우된다. 따라서, 도 38b에 도시된 바와 같이, 번개형상의 적하패턴을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 액정패널의 중앙영역의 적하패턴과 배향막의 배향방향과 반대방향으로 꼬리영역을 가진 적하패턴으로 구성되는 것이다. 이때, 번개형상이라는 용어는 설명의 편의를 위해 붙여진 것으로, 본 발명의 적하패턴 형상을 한정하는 것은 아니다. 또한, 꼬리영역의 의미는 중앙영역에 형성된 적하패턴으로부터 배향막의 배향방향과는 반대방향(실질적으로 배향방향과 수직방향)으로 연장된 적하패턴을 의미하는 것으로 적하패턴의 특정 형상을 한정하는 것은 아니다.In the IPS mode, the alignment direction of the alignment film is directed in a direction different from that of the gate line by an angle of θ. The angle is about 10 to 20 degrees. In other words, in the IPS mode, the spread of the liquid crystal is greatly influenced by the alignment direction in addition to the shape of the liquid crystal panel and the direction of the element pattern. Therefore, as shown in Fig. 38B, it is preferable to form a lightning drop dripping pattern. That is, it consists of a dropping pattern of the center region of the liquid crystal panel and a dropping pattern having a tail region in a direction opposite to the alignment direction of the alignment layer. At this time, the term lightning shape is attached for convenience of description and does not limit the shape of the drop pattern of the present invention. In addition, the tail region means a dripping pattern extending from the dripping pattern formed in the center region in a direction opposite to the alignment direction of the alignment layer (substantially perpendicular to the alignment direction), and does not limit the specific shape of the dripping pattern. .
또한, 상기 모드에 한정하는 것은 아니고 수직배향 모드(Vertical Alignment Mode)에서 배향을 하지 않을 경우 기판(10)의 가운데에 사각형상이나, 도 38a와 같이 아령형상으로 적하하는 것이 좋으며, 그 배향방향은 제1기판(10) 또는 제2기판(20)에 형성되는 전계왜곡용 돌기나 공통전극이나 화소전극에 형성되는 슬릿과 제1기판(10)에 형성되는 부수전극의 패턴에 의해 결정될 수 있다. 그리고, 러빙 대신에 광배향을 적용할 경우에는 배향방향이 광조사방향에 의해 결정되게 된다.In addition, the present invention is not limited to the above mode, but when the alignment is not performed in the vertical alignment mode, dropping in the center of the substrate 10 in the shape of a quadrangle or a dumbbell as shown in FIG. 38A is preferred. It may be determined by the pattern of the electric field distortion protrusions formed on the first substrate 10 or the second substrate 20, the slits formed on the common electrode or the pixel electrode, and the secondary electrodes formed on the first substrate 10. In the case where the light alignment is applied instead of rubbing, the alignment direction is determined by the light irradiation direction.
상기와 같이, 본 발명에 따른 디스펜싱 장치에서는 작업자가 각종 데이터에 기초하여 액정의 적하패턴을 산출한 후 기판 상에 자동으로 액정을 적하시킬 수 있게 된다. 이러한 구성으로 이루어진 디스펜싱 장치를 이용한 액정적하방법을 설명하면 다음과 같다.As described above, in the dispensing apparatus according to the present invention, after the operator calculates the drop pattern of the liquid crystal based on various data, it is possible to automatically drop the liquid crystal onto the substrate. The liquid crystal dropping method using the dispensing device having such a configuration will be described below.
도 33은 액정적하방법을 나타내는 흐름도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 작업자가 키보드나 마우스, 터치패널을 조작하여 입력부(171)를 통해 액정패널의 정보 및 액정의 특성정보가 입력되고 이전 공정에서 측정된 스페이서의 높이(즉, 셀갭)이 입력되면(S21), 적하량산출부(173)에서는 기판(또는 패널)에 적하될 액정의 총적하량을 산출한다(S22). 이어서, 1회 적하량 산출부(186) 및 적하횟수 산출부(187)에서 1회의 적하량 및 적하횟수를 산출한 후 이를 기초로 적하위치 산출부(188)에서 액정의 적하위치를 산출하여 액정의 적하패턴을 산출한다(S23,S24).33 is a flowchart showing a liquid crystal dropping method. As shown in the figure, the operator manipulates a keyboard, a mouse, and a touch panel to input the information of the liquid crystal panel and the characteristic information of the liquid crystal through the input unit 171, and the height of the spacer (that is, the cell gap) measured in the previous process is If it is input (S21), the drop amount calculation unit 173 calculates the total drop amount of the liquid crystal to be dropped on the substrate (or panel) (S22). Subsequently, the dropping amount calculating unit 186 and the dropping count calculating unit 187 calculate the dropping amount and the dropping count once, and then the dropping position calculating unit 188 calculates the dropping position of the liquid crystal based on this. The dropping pattern of is calculated (S23, S24).
디스펜싱 장치(120)의 하부에 배치되는 기판은 모터에 의해 x,y방향으로 이동한다. 적하패턴 산출부(175)에서는 입력되는 적하량과 액정의 특성정보 및 기판정보에 기초하여 액정이 적하될 위치를 산출하고 이에 기초하여 상기 모터를 작동하여 설정된 적하위치에 디스펜싱 장치(120)가 위치하도록 상기 기판을 이동시킨다(S27,S28).The substrate disposed under the dispensing apparatus 120 is moved in the x and y directions by a motor. The dripping pattern calculator 175 calculates a position at which the liquid crystal is dropped based on the input dripping amount, the characteristic information of the liquid crystal, and the substrate information, and the dispensing apparatus 120 operates at the set dripping position by operating the motor. The substrate is moved to be positioned (S27, S28).
상기와 같이, 기판이 이동된 상태에서 상기 산출된 1회의 액정적하량을 기초로 전원제어부(177)와 유량제어부(178)에서는 상기 1회의 액정적하량에 해당하는 배출공(144)의 오픈시간에 해당하는 전원량과 가스압력을 산출한 후(S25), 상기 전원공급부(160)와 유량제어밸브(161)를 제어하여 솔레노이드코일(130)에 전원을 공급하고 액정용기(124)에 산출된 가스압력에 해당하는 질소를 공급함으로써 설정된 위치에 액정을 적하하기 시작한다(S26,S29).As described above, the opening time of the discharge hole 144 corresponding to the single liquid crystal drop amount in the power control unit 177 and the flow rate control unit 178 based on the calculated liquid crystal drop amount in the state where the substrate is moved. After calculating the amount of power and the gas pressure corresponding to the (S25), the power supply unit 160 and the flow control valve 161 is controlled to supply power to the solenoid coil 130 and calculated in the liquid crystal container 124 The liquid crystal is dropped into the set position by supplying nitrogen corresponding to the gas pressure (S26, S29).
상기와 같이, 1회의 적하량은 솔레노이드코일(130)에 공급되는 전원의 공급량과 액정용기(124)에 공급되어 액정에 압력을 가하는 질소의 공급량에 의해 결정된다. 그러나, 상기와 같이 2개의 인자를 변화시켜서 액정적하량을 조정할 수도 있지만, 하나의 인자는 고정시키고 다른 하나의 인자를 변화시켜 액정적하량을 조정할 수도 있다. 다시 말해서, 액정용기(124)에 공급되는 질소의 유량을 설정된 양으로 고정시키고 솔레노이드코일(130)에 공급되는 전원의 양만을 변화시켜 원하는 양의 액정을 기판에 적하시킬 수도 있으며, 솔레노이드코일(130)에 공급되는 전원의 양을 설정된 양으로 고정시키고 액정용기(124)에 공급되는 질소의 양만을 변화시켜 원하는 양의 액정을 기판에 적하시킬 수도 있다.As described above, the one dropping amount is determined by the supply amount of power supplied to the solenoid coil 130 and the supply amount of nitrogen supplied to the liquid crystal container 124 to apply pressure to the liquid crystal. However, the liquid crystal dropping amount may be adjusted by changing two factors as described above, but the liquid crystal dropping amount may be adjusted by fixing one factor and changing the other factor. In other words, the flow rate of nitrogen supplied to the liquid crystal container 124 may be fixed to a predetermined amount and only the amount of power supplied to the solenoid coil 130 may be changed to drop a desired amount of liquid crystal onto the substrate, and the solenoid coil 130 A desired amount of liquid crystal may be dropped onto the substrate by fixing the amount of power supplied to the N) to a predetermined amount and changing only the amount of nitrogen supplied to the liquid crystal container 124.
한편, 기판의 특정 위치에 적하되는 1회의 액정적하량은 제 1 스프링(128)의 장력을 조정하거나 니들(136)이 자성막대(132) 사이의 간격(x)을 조정하는 것에 의해 결정될 수도 있다. 그러나, 상기 제 1 스프링(128)의 장력조정이나 간격(x)의 조정은 작업자가 간단한 조작에 의해 임의로 실행할 수 있기 때문에 액정의 적하시 미리 설정하는 것이 바람직할 것이다.Meanwhile, the amount of liquid crystal dropping dropping at a specific position of the substrate may be determined by adjusting the tension of the first spring 128 or by adjusting the distance x between the magnetic bars 132 by the needle 136. . However, since the tension adjustment of the first spring 128 and the adjustment of the interval x can be arbitrarily performed by the operator by simple operation, it will be preferable to set in advance the dropping of the liquid crystal.
기판 상에 액정을 적하할 때, 적하되는 액정의 적하량은 수mg 정도의 매우 미세한 양이다. 따라서, 이러한 미세한 양을 정확하게 적하하는 것은 대단히 어려운 일이며, 각종 요인에 의해 설정된 양이 쉽게 변하게 된다. 따라서, 적하되는 액정의 적하량을 보정하여 항상 정확한 적하량의 액정을 기판에 적하할 필요가 있는데, 이러한 액정적하량의 보정은 도 28a에 도시된 주제어부(170)에 포함되는 보정제어부에 의해 실행된다.When dropping a liquid crystal onto a substrate, the dropping amount of the liquid crystal dropped is a very fine amount of about several mg. Therefore, it is very difficult to accurately drop such a minute amount, and the amount set by various factors is easily changed. Therefore, it is necessary to always correct the dropping amount of the dropped liquid crystal to drop the correct amount of liquid crystal onto the substrate. The correction of the liquid crystal dropping amount is performed by the correction control unit included in the main control unit 170 shown in FIG. Is executed.
보정제어부(190)는 도 34에 도시된 바와 같이, 적하되는 액정의 양을 측정하는 적하량측정부(191)와 상기 측정된 적하량을 설정된 적하량과 비교하여 액정의 보정량을 산출하는 보정량 산출부(192)와, 상기 보정량 산출부(192)에서 산출된 보정량을 최초로 산출된 적하패턴을 보정하여 새로운 적하패턴을 산출하는 적하패턴 보정부(193)로 구성된다.As shown in FIG. 34, the correction controller 190 calculates a correction amount for calculating the correction amount of the liquid crystal by comparing the drop amount measuring unit 191 for measuring the amount of liquid crystal dropped and the measured drop amount with a set drop amount. And a drop pattern correcting unit 193 for correcting the drop pattern first calculated from the correction amount calculated by the correction amount calculating unit 192 to calculate a new drop pattern.
도면에는 도시하지 않았지만, 디스펜싱 장치(또는 디스펜싱 장치의 외부)에는 액정의 중량을 정밀하게 측정하기 위한 중량계가 설치되어 있어서 액정의 중량을 주기적으로 또는 비주기적으로 측정할 수 있게 된다. 통상적으로 액정은 수 mg의 미세한 양이기 때문에, 이 미세한 양을 정확하게 측정하기에는 한계가 있다. 따라서, 본 발명에서는 일정한 적하횟수의 액정량, 예를 들면 10회나 50회 또는 100회의 액정량을 측정함으로써 1회의 액정적하량을 검출하게 된다.Although not shown in the drawing, the dispensing apparatus (or the outside of the dispensing apparatus) is provided with a weight scale for precisely measuring the weight of the liquid crystal so that the weight of the liquid crystal can be measured periodically or aperiodically. Since the liquid crystal is usually a fine amount of a few mg, there is a limit to accurately measure this fine amount. Therefore, in the present invention, the amount of liquid crystal dropping is detected once by measuring the amount of liquid crystal having a certain number of dropping times, for example, the amount of liquid crystal 10 times, 50 times or 100 times.
도 35에 도시된 바와 같이, 보정량 산출부(192)는 도 32의 1회 적하량 산출부(186)에 의해 산출된 적하량을 현재의 적하량으로 설정하는 적하량 설정부(195)와, 상기 설정된 적하량과 적하량 측정부(도34,191)에 의해 측정된 적하량을 비교하여 그 차이값을 계산하는 비교부(196)와, 상기 비교부(196)에 비교된 양에 해당하는 액정의 오차적하량 산출부(197)로 구성된다.As shown in FIG. 35, the correction amount calculation unit 192 includes a drop amount setting unit 195 for setting the drop amount calculated by the one time drop amount calculation unit 186 of FIG. 32 as the current drop amount; The comparison unit 196 compares the set dripping amount and the dripping amount measured by the dripping amount measuring units (FIGS. 34 and 191) and calculates a difference value, and the liquid crystal corresponding to the amount compared to the comparing unit 196. And an error loading calculator 197.
또한, 적하패턴 보정부(193)는 도 36에 도시한 바와 같이, 상기 보정량 산출부(도34, 192)에서 산출된 오차적하량을 기초로 하여 1회의 보정량을 산출하는 1회적하량 보정부(193a)와, 상기 오차적하량을 기초로 하여 보정된 적하횟수를 산출하는 적하횟수 보정부(193b)와, 상기 적하위치를 산출하는 적하위치 보정부(193c)와, 상기 1회적하량 보정부(193a), 적하횟수 보정부(193b),적하위치 보정부(193c)에서 산출된 1회 보정량과 보정된 적하횟수에 기초하여 보정된 액정의 적하패턴을 산출하여 보정패턴 산출부(193d)로 구성된다.Also, as shown in FIG. 36, the drop pattern correcting unit 193 calculates a one-time load amount correcting unit that calculates one time correction amount based on the error drop amount calculated by the correction amount calculating units (Figs. 34 and 192). 193a), a drop count correction unit 193b for calculating the drop count corrected based on the error drop amount, a drop position correction unit 193c for calculating the drop position, and the single drop amount correction unit ( 193a), the drop pattern correcting unit 193b and the drop position correcting unit 193c calculate the drop pattern of the corrected liquid crystal based on the one-time correction amount and the corrected drop count, and constitute the correction pattern calculation unit 193d. do.
상기 보정패턴 산출부(193d)에서 산출된 보정된 액정의 적하패턴은 1회 보정적하량과 보정적하횟수를 포함한다. 따라서, 전원제어부(177)에서는 보정된 적하량에 해당하는 전원을 산출하여 이에 해당하는 신호를 전원공급부(160)에 출력하며 상기 전원공급부(160)에서는 상기 신호에 따라 보정된 적하량에 해당하는 전원을 솔레노이드코일(130)에 공급하게 된다. 또한, 유량제어부(178)에서는 보정된 적하량에 해당하는 압력을 산출하여 이에 해당하는 신호를 유량제어밸브(161)에 출력하며, 상기 유량제어밸브(161)는 입력되는 신호에 따라 보정된 적하량에 해당하는 유량의 가스를 디스펜싱 장치(120)내에 공급한다.The drop pattern of the corrected liquid crystal calculated by the correction pattern calculator 193d includes a single correction drop amount and a correction drop number. Therefore, the power control unit 177 calculates the power corresponding to the corrected dropping amount and outputs a signal corresponding thereto to the power supply unit 160, and the power supply unit 160 corresponds to the dropping amount corrected according to the signal. Power is supplied to the solenoid coil 130. In addition, the flow control unit 178 calculates the pressure corresponding to the corrected dropping amount and outputs a signal corresponding thereto to the flow rate control valve 161, and the flow rate control valve 161 is corrected dropping according to the input signal A gas having a flow rate corresponding to the amount is supplied into the dispensing apparatus 120.
도 37은 액정 적하량의 보정방법을 나타내는 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이, 설정된 횟수의 액정적하가 종료되면, 중량계를 이용하여 적하되는 액정의 적하량을 측정한다(S31). 이어서, 측정된 적하량을 설정된 측정량과 비교하여 적하량의 오차값이 존재하는가를 판단한다(S32,S33).37 is a diagram illustrating a method of correcting a liquid crystal dropping amount. As shown in the figure, when the set number of liquid crystal drops is finished, the drop amount of the liquid crystal dropped by using a weight scale is measured (S31). Subsequently, the measured drop amount is compared with the set measurement amount to determine whether there is an error value of the drop amount (S32, S33).
오차값이 없는 경우 현재 적하중인 액정량이 설정된 양과 동일함을 판단하여 적하를 계속 진행하며, 오차값이 있는 경우 오차량을 산출하여(1회 오차적하량 및오차적하횟수를 산출) 적하패턴 보정부(193)에서 적하패턴을 보정하여 새로운 적하패턴을 산출한다(S34). 이어서, 상기 보정된 적하패턴에 의해 결정된 적하위치로 기판을 이동시킨 후(S35), 오차 적하량에 해당하는 오차 전원량을 산출하여 보정된 전원량을 계산하고 상기 전원제어부(177)를 제어하여 계산된 전원량을 전원공급부(160)에서 솔레노이드밸브(130)로 공급하여 보정된 양의 액정을 보정된 적하위치에 적하한다(S36,S37,S41).If there is no error value, it is determined that the amount of liquid crystal currently loaded is the same as the set amount, and the dripping is continued. If there is an error value, the error amount is calculated (calculates the error loading amount and the error loading count once). In operation 193, the dropping pattern is corrected to calculate a new dropping pattern (S34). Subsequently, after moving the substrate to the dropping position determined by the corrected dropping pattern (S35), the error power amount corresponding to the error dropping amount is calculated to calculate the corrected power amount and the power control unit 177 is controlled. The calculated amount of power is supplied from the power supply unit 160 to the solenoid valve 130 to drop the corrected amount of liquid crystal into the corrected dropping positions (S36, S37, and S41).
또한, 보정패턴 산출부(193d)에서는 오차 적하량에 해당하는 오차 가스압력을 산출한다(S38). 이후, 상기 오차 가스압력에 해당하는 유량공급량을 산출하여 보정된 유량공급량을 계산한 후 유량제어밸브((161)를 제어하여 해당하는 양의 가스를 가스공급부(162)로부터 액정용기(124)로 공급하여 보정된 양의 액정을 보정된 적하위치에 적하한다(S39,S40,S41).In addition, the correction pattern calculator 193d calculates an error gas pressure corresponding to the error dropping amount (S38). Thereafter, the flow rate supply amount corresponding to the error gas pressure is calculated to calculate the corrected flow rate supply amount, and then the flow rate control valve 161 is controlled to transfer the corresponding amount of gas from the gas supply part 162 to the liquid crystal container 124. The liquid crystal of the corrected amount is supplied dropwise to the corrected dropping position (S39, S40, S41).
상기한 바와 같은 액정 적하량의 보정 공정은 반복된다. 설정된 횟수의 액정적하가 종료될 때마다 상기와 같은 보정 공정이 반복되어 기판상에는 항상 정확한 양의 액정이 적하된다.The correction process of the liquid crystal dropping amount as mentioned above is repeated. Each time the drop of the set number of liquid crystals is completed, the above correction process is repeated so that the correct amount of liquid crystal is always dropped on the substrate.
통상적으로 액정적하량의 보정은 상술한 바와 같이, 전원공급부(160)와 유량제어밸브(161)를 제어하여 1회의 적하량을 보정함으로써 이루어진다. 그러나, 1회의 액정적하량은 매우 미세한 양이기 때문에, 상기 1회의 적하량을 미세하기 조정하기란 매우 어려운 일이다. 물론, 정확한 액정적하량을 보정하기 위해서는 상기와 같이, 1회의 적하량과 액정적하횟수를 모두 보정해야만 하지만, 이것을 매우 어려운 일이다. 따라서, 좀 더 간단한 적하량의 보정을 위해 액정적하횟수만을 보정함으로써 액정의 적하량을 보정할 수도 있다. 액정의 적하횟수를 보정한다는 것은, 설정된 적하패턴에 새로운 적하위치를 산출하여 적하패턴을 보정한다는 것을 의미한다.Typically, the liquid crystal drop amount is corrected by controlling the power supply unit 160 and the flow control valve 161 to correct one drop amount as described above. However, since the amount of liquid crystal dropping once is a very fine amount, it is very difficult to fine tune the amount of dropping once. Of course, in order to correct the accurate liquid crystal drop amount, it is necessary to correct both the single drop amount and the liquid crystal drop number as described above, but this is very difficult. Therefore, the dropping amount of the liquid crystal may be corrected by correcting only the number of liquid crystal droppings in order to more easily correct the dropping amount. Correcting the drop count of the liquid crystal means that a new dropping position is calculated for the set dropping pattern to correct the dropping pattern.
그러나, 상기와 같이 적하횟수를 보정하여 적하패턴을 보정하는 경우 기본적인 적하패턴을 변경하는 것은 아니다. 그 이유는 산출된(혹은 설정된) 적하패턴은 액정적하시 필요한 모든 요인을 포함하고 있기 때문에, 새로운 형태의 적하패턴을 산출하는 것은 그만큼 어려운 일이기 때문이다. 따라서, 본 발명에서는 액정의 적하량을 보정하는 경우 이미 산출된 액정 적하패턴을 이용하여 적하량을 보정한다. 최초에 액정이 적하될 때(보정되기 전에) 모든 액정 적하패턴에 액정이 적하되는 것은 아니다. 도 38a , 도 38b, 도 38c에서 실선으로 이루어진 적하패턴(26a)은 정된 적하패턴이고 점선으로 이루어진 적하패턴(26b)는 보정될 적하패턴을 나타낸다. 즉, 측정된 적하량이 설정된 적하량보다 적은 경우(즉, 액정량을 증가하는 경우) 상기 점선이 더해진 보정될 적하패턴(26b)을 나타내는 것으로 상기 위치에 추가의 액정이 적하되다. 또한, 측정된 적하량이 설정된 적하량보다 많은 경우 설정된 적하패턴 중 점선으로 도시된 적하패턴(26b)이 제거되어 상기 적하패턴(26b)으로의 적하가 중지되는 것이다.However, when the dropping pattern is corrected by correcting the dropping frequency as described above, the basic dropping pattern is not changed. The reason is that the calculated (or set) dropping pattern includes all the factors necessary for liquid crystal dropping, and thus it is difficult to calculate a new dropping pattern. Therefore, in the present invention, when correcting the drop amount of the liquid crystal, the drop amount is corrected by using the already calculated liquid crystal drop pattern. When the liquid crystal is first dropped (before correction), the liquid crystal is not dropped on all the liquid crystal dropping patterns. 38A, 38B, and 38C, the dripping pattern 26a made of solid lines is a defined dripping pattern, and the dripping pattern 26b made of dotted lines represents a dripping pattern to be corrected. That is, when the measured drop amount is smaller than the set drop amount (ie, when the amount of liquid crystal is increased), the additional liquid crystal is dropped at the position by indicating the drop pattern 26b to be corrected to which the dotted line is added. In addition, when the measured drop amount is larger than the set drop amount, the drop pattern 26b shown by the dotted line is removed from the set drop pattern and the dropping to the drop pattern 26b is stopped.
상기에서, TFT 어레이 기판인 제 1 기판(10)에 액정(26)을 적하하고 칼러필터 어레이 기판인 제 2 기판(20)에 Ag 도트 및 씨일재(30)을 도포한다고 하였으나, 액정표시장치의 모드에 따라, 상기 TFT 어레이 기판인 제 1 기판(10)에 Ag 도트 및 씨일재(30)을 도포하고 상기 칼러필터 어레이 기판인 제 2 기판(20)에 액정(26)을적하할 수 있다.In the above, the liquid crystal 26 is dropped on the first substrate 10 which is a TFT array substrate and the Ag dot and the seal member 30 are coated on the second substrate 20 which is a color filter array substrate. According to the mode, the Ag dot and the seal material 30 may be applied to the first substrate 10, which is the TFT array substrate, and the liquid crystal 26 may be dropped on the second substrate 20, which is the color filter array substrate.
다음은 합착 공정을 설명한다.The following describes the bonding process.
도 39는 본 발명에 따른 액정표시소자용 진공 합착 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 것이고, 도 40은 본 발명에 따른 공정 보조 수단의 사시도이며, 도 41은 본 발명에 따른 공정 보조 수단의 장착 상태를 나타낸 평면도이다.39 is a view schematically showing a configuration of a vacuum bonding apparatus for a liquid crystal display device according to the present invention, FIG. 40 is a perspective view of a process aid according to the present invention, and FIG. 41 is a view illustrating a mounting state of the process aid according to the present invention. It is the top view shown.
본 발명의 진공 합착 장치는 크게 진공 챔버(210)와, 상부 스테이지(221) 및 하부 스테이지(222)와, 스테이지 이동장치, 진공 장치(200) 그리고, 공정 보조 수단(600)을 포함하여 구성된다.The vacuum bonding apparatus of the present invention is largely comprised of a vacuum chamber 210, an upper stage 221 and a lower stage 222, a stage mover, a vacuum apparatus 200, and a process assisting means 600. .
상기에서 본 발명의 합착 장치를 구성하는 진공 챔버(210)는 그 내부가 선택적으로 진공 상태 혹은, 대기압 상태를 이루면서 각 기판간 합착 작업이 수행될 수 있도록 형성되어 이루어진다.In the above, the vacuum chamber 210 constituting the bonding apparatus of the present invention is formed so that the bonding operation between the substrates can be performed while the inside thereof is selectively vacuumed or at atmospheric pressure.
이 때, 상기 진공 챔버(210)는 그 둘레면 일측에 진공 장치(고 진공)(200)로부터 전달된 공기 흡입력을 전달받아 그 내부 공간에 존재하는 공기가 배출되는 제 1 배출관(212)이 연결됨과 더불어, 그 둘레면 하측에 저 진공 장치(고 진공)(242)로부터 전달된 공기 흡입력을 전달받아 그 내부 공간에 존재하는 공기가 배출되는 제 2 배출관(241)이 연결된다. 그리고, 상기 진공 챔버(210)의 상측에는 외부로부터 공기 혹은, 여타의 가스 유입이 이루어져 상기 진공 챔버(210) 내부를 대기 상태로 유지하기 위한 벤트(Vent)관(213)이 연결되어 내부 공간의 선택적인 진공 상태 형성 혹은, 해제가 가능하도록 구성된다.At this time, the vacuum chamber 210 is connected to the first discharge pipe 212 for receiving the air suction force transmitted from the vacuum device (high vacuum) 200 on one side of the circumferential surface to discharge the air present in the interior space In addition, a second discharge pipe 241 through which the air suction force transmitted from the low vacuum device (high vacuum) 242 is received under the circumferential surface and discharges the air present in the internal space is connected. The vent chamber 213 is connected to an upper side of the vacuum chamber 210 so that air or other gas is introduced from the outside to maintain the inside of the vacuum chamber 210 in an atmospheric state. It is configured to enable selective vacuum or release.
또한, 상기에서 제 1, 제 2 배출관(212, 241) 및 벤트관(213)에는 그 관로의선택적인 개폐를 위해 전자적으로 제어 받는 개폐 밸브(212a, 241a, 213a)가 각각 구비된다.In addition, the first and second discharge pipes (212, 241) and the vent pipe 213 is provided with an opening and closing valve (212a, 241a, 213a) that is electronically controlled for the selective opening and closing of the pipe.
그리고, 본 발명의 합착 장치를 구성하는 상부 스테이지(221) 및 하부 스테이지(222)는 상기 진공 챔버(210) 내의 상측 공간과 하측 공간에 각각 대향 설치되며, 반송 장치(300)에 의해 진공 챔버(210) 내부로 반입된 각 기판(10, 20)을 진공 혹은, 정전 흡착하여 상기 진공 챔버(210) 내의 해당 작업 위치에 고정된 상태로 유지시킴과 더불어 이 고정된 각 기판(10, 20)간 합착을 수행하도록 선택적 이동이 가능하게 구성된다.In addition, the upper stage 221 and the lower stage 222 constituting the bonding apparatus of the present invention are installed in the upper space and the lower space in the vacuum chamber 210, respectively, and the vacuum chamber ( The substrates 10 and 20 carried into the inside of the chamber 210 are vacuum or electrostatically adsorbed to be kept at a fixed working position in the vacuum chamber 210, and the substrates 10 and 20 are fixed to each other. Selective movement is configured to enable the coalescence.
이 때, 상기 반송 장치(300)는 다수의 핑거부(311)를 가지는 제 1 아암(310)을 제어하여 진공 챔버(210) 내부의 기판 반입/반출을 수행한다.At this time, the conveying apparatus 300 controls the first arm 310 having the plurality of finger portions 311 to carry out the loading and unloading of the substrate in the vacuum chamber 210.
또한, 상기에서 상부 스테이지(221)는 그 저면에 다수의 정전력을 제공하여 기판(제 2 기판)(20)의 고정이 가능하도록 최소 하나 이상의 정전척(ESC;Electro Static Chuck)(221a)이 장착되어 이루어짐과 더불어 진공 펌프(233)의 구동에 의해 발생된 진공 흡착력을 전달받아 제 2 기판(20)을 흡착 고정하는 다수의 진공홀(221b)이 형성되어 이루어진다.In addition, the upper stage 221 is provided with at least one electrostatic chuck (ESC) 221a to provide a plurality of electrostatic forces on the bottom thereof to allow fixing of the substrate (second substrate) 20. In addition, the plurality of vacuum holes 221b for receiving and fixing the second substrate 20 by receiving the vacuum suction force generated by the driving of the vacuum pump 233 is formed.
이와 함께, 진공 챔버 내부의 각 모서리 부위에는 진공 챔버(210) 내부를 진공 상태로 만드는 과정에서 상기 제 2 기판(20)을 일시적으로 받아주는 역할을 수행하는 제 2 기판 받침 수단(400)이 구비된다.In addition, each corner portion of the inside of the vacuum chamber is provided with a second substrate support means 400 which serves to temporarily receive the second substrate 20 in the process of making the interior of the vacuum chamber 210 into a vacuum state. .
하지만, 상기 제 2 기판 받침 수단(400)은 상기한 형태로만 구성할 수 있는 것은 아니며, 제 2 기판(20)을 임시적으로 받아줄 수 있는 다양한 형태로 구성할수 있고, 그 위치도 상부 스테이지(221)의 대각된 두 모서리 부위와 인접된 부위 혹은, 각 스테이지(221,222)의 대각된 네 모서리 부위에 각각 구비할 수도 있다.However, the second substrate support means 400 may not be configured only in the above-described form, but may be configured in various forms capable of temporarily receiving the second substrate 20, and the position of the second substrate support means 400 may also be in the upper stage 221. It may be provided at the adjacent portions of the two diagonal corners of) or at four diagonal corners of the stages 221 and 222, respectively.
또한, 상기 하부 스테이지(222)의 상면에도 상기한 상부 스테이지(221)의 저면 형상과 같이 최소 하나 이상의 정전척(222a)을 장착함과 더불어 진공홀(222b, 도42 참조)을 형성하여 구성하고, 이에 추가하여 하부 스테이지(222)에 로딩하기 위해 반입되는 기판(제 1 기판)(10)의 로딩을 수행하는 제 1 기판 받침 수단(420)이 승강 가능하게 설치되어 구축된다.In addition, at least one electrostatic chuck 222a is mounted on the upper surface of the lower stage 222 as in the shape of the bottom surface of the upper stage 221, and a vacuum hole 222b (see FIG. 42) is formed. In addition to this, a first substrate support means 420 that performs loading of the substrate (first substrate) 10 to be loaded for loading on the lower stage 222 is installed to be liftable.
이 때, 상기 제 1 기판 받침 수단(420)은 상기 제 1 기판(10)의 저면에 접촉되도록 구비되고, 하부 스테이지(222)를 관통하여 동작되도록 구비된다. 상기 제1기판 받침 수단(420)을 승강 가능하도록 하는 구성으로는 제 1 구동부(421)는 유압 실린더 또는, 모터 등이 될 수 있다.At this time, the first substrate support means 420 is provided to contact the bottom surface of the first substrate 10, it is provided to operate through the lower stage 222. The first driving unit 421 may be a hydraulic cylinder, a motor, or the like to allow the first substrate support means 420 to be lifted and lowered.
하지만, 상기 제 1 기판 받침 수단(420)은 기판의 로딩을 위한 다양한 구성으로 이루어질 수 있음을 고려할 때 어느 한 형상으로만 한정하지는 않는다.However, the first substrate support means 420 is not limited to any one shape in consideration of being able to have various configurations for loading the substrate.
그리고, 본 발명의 합착 장치를 구성하는 스테이지 이동장치는 상부 스테이지(221)에 결합되어 상기 상부 스테이지(221)를 상향 이동 혹은, 하향 이동시키는 이동축(231)을 가지고, 하부 스테이지(222)에 결합되어 상기 하부 스테이지(222)를 회전시키는 회전축(232)을 가지며, 상기 각 스테이지(221, 222)에 결합된 각각의 축을 이동 또는, 회전시키도록 구동하는 구동 모터(224)를 포함하여 구성된다.The stage shifting device constituting the bonding apparatus of the present invention has a movement shaft 231 coupled to the upper stage 221 to move the upper stage 221 upward or downward, and to the lower stage 222. It has a rotary shaft 232 coupled to rotate the lower stage 222, and comprises a drive motor 224 for driving to move or rotate the respective axes coupled to each of the stages (221, 222). .
이 때, 상기 스테이지 이동장치는 상기 상부 스테이지(221)를 상하로만 이동시키거나, 하부 스테이지(222)를 좌우로만 회전시키도록 구성한 것으로 한정되지는않는다.At this time, the stage shifting device is not limited to configured to move the upper stage 221 only up and down, or to rotate the lower stage 222 only to the left and right.
즉, 상기 상부 스테이지(221)를 좌우 회전 가능하도록 구성할 수도 있을 뿐 아니라 상기 하부 스테이지(222)를 상하 이동시킬 수 있도록 구성할 수도 있다.That is, not only the upper stage 221 may be configured to be rotatable horizontally, but also the lower stage 222 may be configured to be moved up and down.
이 경우, 상기 상부 스테이지(221)에는 별도의 회전축(도시는 생략함)을 추가로 설치하여 그 회전이 가능하도록 하고, 상기 하부 스테이지(222)에는 별도의 이동축(도시는 생략함)을 추가로 설치하여 그 상하 이동이 가능하도록 함이 바람직하다.In this case, an additional rotation shaft (not shown) is additionally installed in the upper stage 221 to enable rotation thereof, and an additional movement shaft (not shown) is added to the lower stage 222. It is preferable to install so that the vertical movement is possible.
그리고, 본 발명의 합착 장치를 구성하는 진공 장치(200)는 상기 진공 챔버(210)의 내부가 선택적으로 진공 상태를 이룰 수 있도록 흡입력을 전달하는 역할을 수행하며, 통상의 공기 흡입력을 발생시키기 위해 구동하는 흡입 펌프로 구성한다.And, the vacuum device 200 constituting the bonding apparatus of the present invention serves to transfer the suction force so that the interior of the vacuum chamber 210 can selectively achieve a vacuum state, to generate a conventional air suction force It consists of a suction pump to drive.
이 때, 상기 진공 장치(200)가 구비된 공간은 진공 챔버(210)의 공기 배출관(212)과 연통하도록 형성한다.At this time, the space provided with the vacuum device 200 is formed to communicate with the air discharge pipe 212 of the vacuum chamber 210.
그리고, 본 발명의 합착 장치를 구성하는 공정 보조 수단(600)은, 도시한 도 40과 같이, 진공 챔버(210) 내부의 진공 상태를 해제하는 과정에서 합착 기판을 고정하는 역할 혹은, 진공 챔버(210) 내부가 진공 상태를 이루었을 경우 상부 스테이지(221)에 고정되는 제 2 기판(20)을 상기 상부 스테이지(221)로 밀어주는 역할을 수행하게 된다.In addition, as shown in FIG. 40, the process assisting means 600 constituting the bonding apparatus according to the present invention serves to fix the bonding substrate in a process of releasing a vacuum state inside the vacuum chamber 210 or a vacuum chamber ( When the interior is in a vacuum state, the second substrate 20 fixed to the upper stage 221 is pushed to the upper stage 221.
상기에서 공정 보조 수단(600)은 회전축(610)과, 받침부(620) 그리고, 구동부(630)로 구성된다.The process assisting means 600 includes a rotation shaft 610, a support 620, and a driver 630.
이 때, 상기 회전축(610)은 상기 진공 챔버(210) 내에서 승강 및 회전 가능한 위치에 위치되며, 구동부(630)의 구동에 의해 선택적인 회전을 수행하면서 받침부(620)를 하부 스테이지(222)의 상측 둘레부위에 위치시키는 역할을 수행한다.At this time, the rotating shaft 610 is located at the position of lifting and rotating in the vacuum chamber 210, and performs a selective rotation by the drive of the drive unit 630 while supporting the lower portion 620 the lower stage 222 It is located in the upper circumference of the).
그리고, 상기 받침부(620)는 상기 회전축(610)의 일단에 일체화되고, 제 2 기판(20) 및 반송 장치(300)의 소정 부위와 접촉하면서 상기 제 2 기판(20)을 받쳐주거나, 합착 기판을 고정하는 역할 또는, 반송 장치(300)의 끝단을 받쳐주는 역할을 수행한다.In addition, the support part 620 is integrated with one end of the rotation shaft 610 and supports or adheres to the second substrate 20 while being in contact with a predetermined portion of the second substrate 20 and the transfer device 300. It serves to fix the substrate, or to support the end of the transfer device 300.
이 때, 상기 받침부(620)의 각 기판(10, 20)과 접촉되는 면은 상호간의 접촉 시 긁힘을 방지할 수 있는 재질로 형성된 제 1 접촉부(621) 및 제 2 접촉부(622)가 포함되어 형성되며, 상기 제 1 접촉부(621) 및 제 2 접촉부(622)의 재질은 테프론이나 피크와 같은 재질로써 형성한다.In this case, the surfaces contacting each of the substrates 10 and 20 of the support part 620 include a first contact part 621 and a second contact part 622 formed of a material that can prevent scratches when contacting each other. The first contact portion 621 and the second contact portion 622 are formed of a material such as Teflon or peak.
하지만, 상기 각 접촉부(621, 622)를 추가로 구성할 수만 있는 것은 아니며, 받침부(620)의 각 면을 상기 테프론이나 피크와 같은 재질의 코팅재료로 코팅할 수도 있다.However, the contact parts 621 and 622 may not only be additionally configured, and each side of the support part 620 may be coated with a coating material such as Teflon or peak.
이와 함께, 상기 받침부(620)의 형상은 길이와 폭이 동일한 정육면체로 구성할 수 있을 뿐 아니라, 원기둥 또는, 다면체의 형상으로도 구성할 수 있으나, 바람직하기로는 길이가 폭에 비해 길게 형성되는 직육면체의 형상을 이루도록 함이 각 기판(10, 20)의 고정 시 넓은 면적을 잡아줄 수 있어서 보다 유리하다.Along with this, the shape of the support 620 may be configured not only with a cube having the same length and width, but also with a cylinder or a polyhedron, but preferably, the length is longer than the width. It is more advantageous to form a rectangular parallelepiped to secure a large area when fixing the substrates 10 and 20.
그리고, 상기 구동부(630)는 진공 챔버(210) 외부(혹은, 내부)에 구비되고, 상기 회전축(610)에 축결합되어 상기 회전축(610)을 회전시키는 회전 모터(631)와,유공압을 이용하여 상기 회전축(610)을 승강시키도록 구동하는 승강 실린더(632)를 포함하여 구성된다.In addition, the driving unit 630 is provided outside (or inside) of the vacuum chamber 210, and is coupled to the rotating shaft 610 to rotate the rotating motor 631 to rotate the rotating shaft 610, and using hydraulic pressure. It comprises a lifting cylinder 632 for driving to raise and lower the rotary shaft 610.
물론, 상기 회전축(610)을 회전시키기 위한 구성 및 회전축(610)을 승강시키기 위한 구성이 상기한 회전 모터(631) 및 승강 실린더(632)로만 구성할 수 있는 것 만은 아니며, 다양한 장치나 장비로 구성할 수도 있다.Of course, the configuration for rotating the rotary shaft 610 and the configuration for elevating the rotary shaft 610 are not limited to the rotary motor 631 and the lifting cylinder 632 described above, but with various devices or equipment. It can also be configured.
이 때, 상기 승강 실린더(632)에 의해 승강하는 회전축(610)의 승강 범위는 본 발명에 따른 공정 보조 수단이 수행하는 각 역할의 동작 범위가 될 수 있다.At this time, the lifting range of the rotating shaft 610 to be lifted by the lifting cylinder 632 may be an operating range of each role performed by the process aid means according to the present invention.
즉, 진공 챔버(210) 내부의 진공 상태를 해제하는 과정에서 합착 기판을 고정하는 역할을 수행하도록 동작하는 범위와, 진공 챔버(210) 내부가 진공 상태를 이루었을 경우 상부 스테이지(221)에 고정되는 제 2 기판(20)을 상기 상부 스테이지(221)로 밀어주는 역할을 수행하도록 동작하는 범위 그리고, 반송 장치(300)에 의한 각 기판(10, 20)의 반입이 이루어질 경우 해당 기판을 반입하는 상기 반송 장치(300)의 각 핑거부(311) 끝단을 받쳐주는 역할을 수행하도록 동작하는 범위 등이 회전축(610)의 승강 범위로 설정되는 것이다.That is, the range that operates to fix the bonded substrate in the process of releasing the vacuum state inside the vacuum chamber 210 and when the inside of the vacuum chamber 210 achieves the vacuum state, is fixed to the upper stage 221. The second substrate 20 to be pushed to the upper stage 221 to operate the range, and to carry in the respective substrates (10, 20) by the carrying device 300 to carry in the substrate The range and the like that operate to support the end of each finger 311 of the conveying device 300 is set to the lifting range of the rotary shaft 610.
만일, 상기의 구성에서 구동부(630)가 본 발명의 실시예에 따른 도면상에서 제시된 바와 같이 진공 챔버(210)의 외측 하부에 위치되도록 설치될 경우 회전축(610)은 상기 진공 챔버(210)를 관통하여 결합됨과 더불어 이 진공 챔버(210)와 회전축(610) 간의 결합 부위는 씰링이 이루어져야 한다.In the above configuration, when the driving unit 630 is installed to be positioned at the outer lower portion of the vacuum chamber 210 as shown in the drawing according to the embodiment of the present invention, the rotating shaft 610 passes through the vacuum chamber 210. In addition, the coupling portion between the vacuum chamber 210 and the rotating shaft 610 should be sealed.
또한, 본 발명에서는 상술한 바와 같은 공정 보조 수단(600)의 위치가, 도시한 도 41과 같이, 하부 스테이지(222)의 장변측(혹은, 단변측) 각 모서리 부분과인접한 부위에 위치되도록 함을 제시한다. 그러나, 상기의 구성으로만 한정되지는 않으며, 하부 스테이지(222)의 각 측면 중앙 부위와 인접한 위치에서 그 동작이 이루어지도록 본 발명의 공정 보조 수단(600)을 설치할 수도 있고, 하부 스테이지(222)의 각 모서리 및 각 측면 중앙 부위와 인접한 위치에서 그 동작이 이루어지도록 본 발명의 공정 보조 수단(600)을 설치할 수도 있다.In addition, in the present invention, as described above, the position of the process assisting means 600 is located at a portion adjacent to each corner portion of the long side (or short side) of the lower stage 222, as shown in FIG. To present. However, the present invention is not limited to the above configuration, and the process assisting means 600 of the present invention may be installed so that the operation is performed at a position adjacent to the central portion of each side of the lower stage 222, and the lower stage 222 Process assisting means 600 of the present invention may be installed so that the operation is performed at positions adjacent to each corner and each side central portion of the.
여기서, 상기 제 1 기판 받침 수단(420)을 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Here, the first substrate support means 420 will be described in more detail as follows.
도 42는 본 발명에 따른 제 1 기판 받침 수단(420)이 수용된 하부 스테이지의 상태를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 43a는 도 39의 "B" 부분 확대 단면도이며, 도 43b는 제 1 기판의 반입/반출 방향에 대하여 수직한 방향으로 설치되는 제 1 받침대의 구성을 상기 제 1 기판의 반입/반출 방향에서 본 상태도이고, 도 44는 도 42에 따른 제 1 기판 받침 수단(420)의 동작 상태를 개략적으로 나타낸 사시도이다.FIG. 42 is a plan view schematically illustrating a state of a lower stage in which a first substrate receiving means 420 is accommodated, FIG. 43A is an enlarged cross-sectional view of a portion “B” of FIG. 39, and FIG. 43B is a loading of a first substrate. Is a state diagram of the configuration of the first pedestal provided in a direction perpendicular to the carrying out direction, from the loading / exporting direction of the first substrate, and FIG. 44 shows an operating state of the first substrate receiving means 420 of FIG. A schematic perspective view.
상기 하부 스테이지(222)의 상면 중 그 면에 얹혀지는 기판(제 1 기판)의 더미 영역(셀 형성 영역이 아닌 영역)이 위치되는 부위에는 최소 하나 이상의 제 1 수용부(222d)가 형성된다. 하지만, 상기한 제 1 수용부(222d)의 위치는 상술한 바와 같은 위치에만 형성할 수 있는 것으로 한정되지는 않으며, 상기 제 1 기판(10)의 휨을 방지할 수 있는 위치면 어느 곳이든 가능하지만, 바람직하기로는 상술한 바와 같이 제 1 기판(10)의 상면에 형성된 셀 영역 사이의 더미 영역 하면이 위치되는 부위이면 더욱 좋다.At least one first receiving portion 222d is formed at a portion of the upper surface of the lower stage 222 where a dummy region (a region other than a cell forming region) of a substrate (first substrate) is placed on the surface. However, the position of the first accommodating portion 222d is not limited to that which can be formed only at the position as described above, and may be any position that can prevent the bending of the first substrate 10. Preferably, as described above, the lower surface of the dummy region between the cell regions formed on the upper surface of the first substrate 10 may be located.
상기 제 1 수용부(222d)는 통상의 요홈으로 형성될 수 있을 뿐 아니라 상기 하부 스테이지(222)를 관통하는 관통공으로 형성할 수도 있으며, 전반적으로는 요홈의 형상이되 상기 요홈의 특정 부위만 관통공이 형성된 구성으로 형성할 수도 있다.The first accommodating part 222d may not only be formed as a general groove, but may also be formed as a through hole penetrating the lower stage 222, and generally has a shape of a groove but penetrates only a specific portion of the groove. You may form in the structure in which the ball was formed.
그리고, 상기 제 1 기판 받침 수단(420)은 상기 제 1 수용부(222d)의 내부에 선택적으로 수용되며, 상기 제 1 기판(10)을 선택적으로 받쳐주는 제 1 받침부(420a)와, 하부 스테이지(222)의 하측으로부터 상기 제 1 수용부(222d)를 관통하여 제 1 받침부(420a)의 일단에 일체화된 상태로써 상기 제 1 받침부(420a)를 선택적으로 상하 이동시키는 제 1 승강축(420c)과, 상기 제 1 승강축(420c)에 연결되어 상기 제 1 승강축(420c)이 선택적으로 승강되도록 구동하는 제 1 구동부(421)가 포함되어 구성된다.In addition, the first substrate receiving means 420 is selectively accommodated inside the first receiving portion 222d, and selectively supports the first substrate 10 and the lower portion of the first supporting portion 420a, A first lifting shaft for selectively moving the first receiving portion 420a up and down in a state of being integrated into one end of the first receiving portion 420a through the first receiving portion 222d from below the stage 222. 420c and a first driver 421 connected to the first lifting shaft 420c to drive the first lifting shaft 420c to selectively lift.
이 때, 상기 제 1 수용부(222d)는 상기 하부 스테이지(222)의 상면 중 제 1 기판의 반입/반출 방향과 동일한 방향으로 그 면에 얹혀지는 제 1 기판(10)의 더미 영역이 위치되는 부위를 따라 길게 형성하고, 제 1 받침부(420a)는 상기 제 1 수용부(222d)의 형상에 대응하여 길게 형성하는데 이는, 대화면의 액정표시소자 제조를 위한 장비에 적용할 시 상기 제 1 받침부(420a)가 상기 액정표시소자의 각 주변부위까지 안정적으로 받쳐줄 수 있도록 함으로써 상기 주변부의 처짐을 방지할 수 있도록 하기 위한 것이다.At this time, the first receiving portion 222d has a dummy region of the first substrate 10 which is placed on the surface of the lower stage 222 in the same direction as the loading / exporting direction of the first substrate. It is formed long along the portion, and the first support portion 420a is formed long to correspond to the shape of the first receiving portion 222d, which is the first support when applied to the equipment for manufacturing the LCD of the large screen It is to prevent the sagging of the peripheral part by allowing the part 420a to stably support each peripheral part of the liquid crystal display device.
하지만, 상기한 바와 같이 제 1 수용부(222d) 및 제 1 받침부(420a)를 길게 형성하여 기판과의 접촉이 면접촉을 이룰 수 있도록 하는 것으로만 한정되지는 않으며, 제 1 받침부(420a)의 상면에 다수의 돌기를 형성하여 기판과의 접촉 면적을 최대한 줄이도록 구성할 수 있다.However, as described above, the first receiving part 222d and the first supporting part 420a are formed to be long so that the contact with the substrate may be in surface contact, and the first supporting part 420a is not limited thereto. By forming a plurality of protrusions on the upper surface of the can be configured to minimize the contact area with the substrate.
그러나, 상기한 구성은 기판이 대형화될 경우 국부적인 부위의 응력 집중으로 인한 기판 손상을 유발할 수 있음에 따라 기 전술한 실시예와 같이 면접촉을 이루는 구성을 적용함으로써 기판의 처짐 방지가 이루어질 수 있도록 함이 보다 바람직하다.However, the above configuration may cause damage to the substrate due to stress concentration at the localized portion when the substrate is enlarged, so that the substrate may be prevented from sagging by applying the surface contact configuration as in the above-described embodiment. More preferably.
뿐만 아니라, 상기한 제 1 수용부(222d) 및 제 1 받침부(420a)는 하부 스테이지(222)의 장변 방향을 따라 적어도 2개 이상 형성할 수도 있고, 상기 하부 스테이지(222)의 단변 방향을 따라 적어도 2개 이상 형성할 수도 있으며, 상기 하부 스테이지(222)의 장변 방향 및 단변 방향을 따라 각각 1개 이상씩 동시에 구성할 수도 있다.In addition, the first accommodating part 222d and the first supporting part 420a may be formed at least two or more along the long side direction of the lower stage 222, and the short side direction of the lower stage 222 may be formed. Accordingly, at least two or more may be formed, and at least one of the lower stages 222 may be simultaneously formed along the long side direction and the short side direction of the lower stage 222.
구체적으로 설명하면, 상기한 바와 같이 제 1 수용부(222d)와 제 1 받침부(420a)는 제 1 기판(10)의 반입/반출 방향과 동일한 방향을 향하도록 형성되는 것만은 아니며, 상기 제 1 기판(10)의 반입/반출 방향에 수직된 방향을 따라 추가로 형성하여 평면에서 봤을 때, 도면에는 도시하지 않았지만, 전체적으로 “〓”자, “≡”, “∥”와 같은 형상 뿐만 아니라 “十”, “口” 혹은, “井” 등과 같은 다양한 형상 중 어느 하나의 형상을 이루도록 함으로써 제 1 기판(10)의 양측 부위 처짐이 최대한 방지될 수 있도록 한다.Specifically, as described above, the first accommodating part 222d and the first receiving part 420a are not necessarily formed to face the same direction as the loading / exporting direction of the first substrate 10. 1 Further formed along the direction perpendicular to the loading / exporting direction of the substrate 10, and when viewed in plan view, although not shown in the drawing, not only shapes such as “〓”, “≡”, “∥”, but “ By forming any one of various shapes such as “十”, “口”, or “井”, sagging of both sides of the first substrate 10 can be prevented as much as possible.
특히, 상기와 같은 제 1 받침부(420a)에 의한 제 1 기판(10)의 받침 위치(또는, 접촉 위치)는 제 1 기판(10)의 휨을 방지할 수 있는 위치면 어느 곳이든 가능하며, 바람직하게는 제 1 기판(10)의 상면에 형성된 각 셀과 셀 사이의 더미 영역이 위치된 부위의 하면이면 더욱 좋다.In particular, the support position (or contact position) of the first substrate 10 by the first support portion 420a as described above may be any position where it is possible to prevent the bending of the first substrate 10. Preferably, the lower surface of each of the cells formed on the upper surface of the first substrate 10 and the dummy region between the cells is located.
이 때, 상기 제 1 기판(10)의 반입/반출 방향과 동일한 방향을 향하도록 설치된 각 제 1 받침부(420a)간 설치 간격은 최소한 제 1 아암(310)이 가지는 각 핑거(311)의 이동 경로에 간섭을 주지 않도록 형성한다.At this time, the installation interval between each of the first support portions 420a installed to face the same direction as the loading / exporting direction of the first substrate 10 is at least the movement of each finger 311 of the first arm 310. Do not interfere with the path.
예컨대, 도 42에 도시한 바와 같이 상기 제 1 아암(310)이 소정의 간격을 가지면서 3개의 핑거(finger)(311)를 가지도록 형성될 경우 이 각각의 핑거(311)가 이루는 간격(S) 내에 각각의 제 1 받침부(420a)가 위치되도록 함으로써 상기 제 1 아암(310)의 이동에 간섭을 주지 않도록 하는 것이다.For example, as shown in FIG. 42, when the first arm 310 is formed to have three fingers 311 while having a predetermined interval, the interval S formed by each of the fingers 311. By placing each of the first support portion 420a in the () so as not to interfere with the movement of the first arm (310).
이와 함께, 도 43b에 도시한 바와 같이 상기 제 1 기판(10)의 반입/반출 방향과 수직된 방향을 향하도록 설치되는 여타의 각 제 1 받침부(420b)는 상기 제 1 아암(310)의 각 핑거(311)가 반입되는 부위를 하향 절곡하여 상기 각 핑거와의 간섭을 방지할 수 있도록 하거나, 실시예로써 도시된 바와 같이 중앙부분은 하향 절곡 형성하여 상기 제 1 아암(310)의 중앙측 핑거와의 간섭을 방지할 수 있도록 하고, 양측 부분은 상기 제 1 아암(310)의 양측에 위치된 각 핑거와는 접촉되지 않을 정도의 길이로 형성(혹은, 상기 제 1 아암(310)의 양측에 위치되는 각 핑거를 상기 제 1 받침부(420b)와 간섭되지 않을 정도의 간격을 가지도록 형성)하게 된다.In addition, as illustrated in FIG. 43B, each of the other first supporting parts 420b installed to face the direction perpendicular to the loading / exporting direction of the first substrate 10 may be formed of the first arm 310. It is possible to prevent the interference with each finger by bending the portion where each finger 311 is carried in, or as shown in the embodiment the center portion is bent downward to form the center side of the first arm 310 It is possible to prevent the interference with the fingers, and the two side portions are formed to a length such that each of the fingers located on both sides of the first arm 310 (or both sides of the first arm 310) Each finger positioned in the to be formed to have a gap so as not to interfere with the first support portion (420b).
한편, 상기한 바와 같이 제 1 받침부(420a,420b)의 구성을 대형의 액정표시소자를 제조하기 위한 장비에 적용할 수 있도록 길게 형성된다면 이 제 1 받침부(420a,420b)의 양 끝단 처짐이 발생될 수 있다.On the other hand, if the configuration of the first support portion (420a, 420b) is formed long enough to be applied to the equipment for manufacturing a large liquid crystal display device as described above, both ends of the first support portion (420a, 420b) This may occur.
이에 본 발명에서는 상기 제 1 받침부(420a,420b)와 축결합되는 제 1 승강축(420c) 및 이 제 1 승강축(420c)을 승강 구동시키는 제 1 구동부(421)를 각 제 1 받침부(420a,420b)마다 최소 둘 이상 서로 대응되는 위치에 각각 장착함을 추가로 제시한다(도 44 참조).Accordingly, in the present invention, each of the first supporting parts includes a first lifting shaft 420c that is axially coupled to the first supporting parts 420a and 420b and a first driving part 421 for lifting and lowering the first lifting shaft 420c. At least two or more mounting units 420a and 420b are respectively provided at positions corresponding to each other (see FIG. 44).
예컨대, 평면에서 봤을 때 수평방향을 향하는 제 1 받침부(420a)와 수직방향을 향하는 제 1 받침부(420b) 간의 교차 지점 혹은, 각 제 1 받침부(420a,420b)의 중앙측으로부터 양측 끝단 사이의 부위 중 서로 대응되는 부위에 제 1 구동부(421)와 연결된 제 1 승강축(420c)을 각각 장착하는 것이다.For example, an intersection point between the first supporting portion 420a facing in the horizontal direction and the first supporting portion 420b facing in the vertical direction when viewed in a plan view, or both ends from the center side of each of the first supporting portions 420a and 420b. Each of the first lifting shaft 420c connected to the first driving unit 421 is mounted on a portion corresponding to each other.
또한, 상기의 구성에서 제 1 받침부(420a, 420b)는 최소 제 1 기판(10)과의 접촉이 이루어지는 면을 포함하는 각 면을 코팅재료(도시는 생략함)로 코팅하여 상기 제 1 받침부(420a, 420b)가 제 1 기판(10)과 접촉될 경우 상기 제 1 받침부(420a, 420b)와 기판간의 접촉으로 인한 긁힘 등의 각종 손상을 미연에 방지할 수 있도록 함을 추가로 제시한다.In addition, in the above configuration, the first support parts 420a and 420b may be coated with a coating material (not shown) to cover each surface including a surface on which the first substrate 10 is in contact with at least the first substrate 10. When the parts 420a and 420b are in contact with the first substrate 10, it is further suggested that various damages such as scratches due to contact between the first supporting parts 420a and 420b and the substrate can be prevented in advance. do.
특히, 본 발명에서는 상기와 같은 코팅재료로 테프론이나 피크 또는, 전류가 흐를 수 있는 재질로 형성하여 기판과의 접촉시 기판의 긁힘이나 충격의 방지 및 정전기의 발생을 미연에 방지할 수 있도록 한다.In particular, the present invention is formed of a material such as Teflon, peak, or current can flow in the coating material as described above to prevent the scratch or impact of the substrate and the generation of static electricity in contact with the substrate.
그리고, 상기한 제 1 받침부(420a,420b)는 전체적으로 바(bar)나, 원형 핀(pin) 혹은, 중공(中空)의 다각형 관과 같은 형상을 이루도록 형성함을 그 실시예로써 제시하나 이로만 한정하지는 않으며, 상기한 각 형상을 참조한 다양한 구성으로 형성할 수도 있다.In addition, the first support parts 420a and 420b are formed to form a bar, a circular pin, or a hollow polygonal tube as an embodiment. The present invention is not limited thereto and may be formed in various configurations with reference to the above-described shapes.
그리고, 상기 제 1 기판 받침 수단(420)을 구성하는 제 1 구동부(421)는 통상적인 공기압이나 유압 등을 이용하여 승강축을 상하 이동시키기 위한 실린더나 스텝 모터 중 최소 어느 하나로 구성함을 제시하며, 진공 챔버(210) 내의 하측 공간상에 고정하거나, 상기 진공 챔버(210)의 저면을 관통하여 진공 챔버(210)의 외측 공간상에 고정시켜 각 구동 장비와의 간섭 방지 및 설치상의 용이함을 가질 수 있도록 함을 추가로 제시한다.In addition, the first driving unit 421 constituting the first substrate support means 420 suggests that the first driving unit 421 is configured by at least one of a cylinder and a step motor for moving the lifting shaft up and down using conventional air pressure or hydraulic pressure. It may be fixed on the lower space in the vacuum chamber 210 or penetrated through the bottom of the vacuum chamber 210 on the outer space of the vacuum chamber 210 to have interference with each driving device and ease of installation. Provide additional suggestions.
이를 위해 본 발명에서는, 도시한 도 45와 같이, 기판의 반입/반출 방향에 대하여 직교되는 측인 하부 스테이지(222)의 양측 상면 둘레에 최소 하나 이상의 제 2 수용부(222e)를 요입 혹은, 관통 형성하고, 상기 제 2 수용부(222e)에 선택적으로 수용되면서 승강하는 클램핑 수단(700)을 장착한 일련의 구성을 추가로 제시한다.To this end, in the present invention, as shown in FIG. 45, at least one second receiving portion 222e is recessed or penetrated around both upper surfaces of the lower stage 222, which is a side orthogonal to the loading / exporting direction of the substrate. In addition, a series of constitutions in which the clamping means 700 is lifted while being selectively accommodated in the second accommodating portion 222e is further provided.
즉, 상기 클램핑 수단(700)이 하부 스테이지(222)의 양측 상면 둘레에 형성된 제 2 수용부(222e) 내에 선택적으로 수용되면서 승강되도록 하여 제 1 기판(10)의 로딩시나 합착 기판의 언로딩시 상기 제 1 기판(10) 및 합착 기판의 둘레 부위를 받쳐주도록 하여 그 부위의 처짐을 방지할 수 있도록 한 것이다.That is, the clamping means 700 is lifted while being selectively accommodated in the second receiving portion 222e formed around both upper surfaces of the lower stage 222 so as to load the first substrate 10 or unload the bonded substrate. The peripheral portion of the first substrate 10 and the bonded substrate is supported to prevent sagging of the portion.
그리고, 상기와 같은 클램핑 수단(700)은 최초 하부 스테이지(222)의 양측에 위치된 상태로써 제 2 수용부(222e)의 내부에 선택적으로 수용되며, 제 1 기판(10)의 양측 저면을 선택적으로 받쳐주는 최소 하나 이상의 제 2 받침부(710)와, 상기 제 2 받침부(710)와 일체화되어 상기 제 2 받침부(710)를 선택적으로 상하 이동시키는 제 2 승강축(720)과, 상기 제 2 승강축(720)에 연결되어 상기 제 2승강축(720)이 선택적으로 승강되도록 구동하는 제 2 구동부(730)가 포함되어 구성됨을 제시한다.In addition, the clamping means 700 as described above is positioned on both sides of the first lower stage 222, and is selectively accommodated in the second accommodating part 222e, and selectively selects both bottom surfaces of the first substrate 10. At least one second supporting portion 710 supported by the second lifting shaft 720 which is integrated with the second supporting portion 710 and selectively moves the second supporting portion 710 up and down; A second driving unit 730 is connected to the second lifting shaft 720 to drive the second lifting shaft 720 to be selectively lifted.
이 때, 상기 제 2 수용부(222e)는 상기 하부 스테이지(222)의 양측 상면 둘레부위 중 그 면에 얹혀지는 제 1 기판(10)의 더미 영역이 형성된 부분을 따라 소정 길이를 가지도록 형성하고, 제 2 받침부(710)는 상기 제 2 수용부(222e)의 형상에 대응한 길이를 가지면서 제 1 기판(10)의 둘레 부위를 받쳐줄 수 있도록 형성한다.In this case, the second accommodating part 222e is formed to have a predetermined length along a portion in which the dummy region of the first substrate 10 placed on the surface of the upper peripheral portions of both sides of the lower stage 222 is formed. The second support part 710 has a length corresponding to the shape of the second receiving part 222e and is formed to support the circumference of the first substrate 10.
특히, 상기한 제 2 받침부(710)는 제 1 기판(10)의 저면을 받치는 면과 상기 제 1 기판(10)의 측면을 지지하는 면을 가지도록 절곡 형성하며, 상기 기판과의 접촉이 이루어지는 면에는 코팅재료(도시는 생략함)를 코팅하여 상기 제 2 받침부(710)와 제 1 기판(10)간 접촉시 상기 제 1 기판(10)의 손상을 방지할 수 있도록 한다.In particular, the second support part 710 is bent to have a surface supporting the bottom surface of the first substrate 10 and a surface supporting the side surface of the first substrate 10, the contact with the substrate A coating material (not shown) may be coated on the surface to prevent damage of the first substrate 10 during contact between the second support part 710 and the first substrate 10.
이 때의 코팅재료는 전술한 제 1 받침부(420a,420b)에 코팅한 코팅재료와 같이 테프론이나 피크 또는, 전류가 흐를 수 있는 재질로 형성함으로써 기판과의 접촉시 정전기 발생이 방지될 수 있도록 한다.In this case, the coating material may be formed of a material such as Teflon, peak, or current that may flow through the first support parts 420a and 420b, so that static electricity may be prevented during contact with the substrate. do.
그리고, 제 2 승강축(720) 및 제 2 구동부(730)는 기 전술한 제 1 승강축(420c) 및 제 1 구동부(421)와 동일한 구성으로 형성함을 제시하지만 동일하게 형성함으로 한정되지는 않으며, 그 상세한 형상 설명은 생략한다.The second lifting shaft 720 and the second driving unit 730 are formed in the same configuration as the above-described first lifting shaft 420c and the first driving unit 421, but are not limited thereto. The detailed shape description is omitted.
또한, 상기의 구성에서 제 2 받침부(710)는 하부 스테이지(222)의 둘레부위 전체에 걸쳐 일체로 형성할 수 있으나 본 발명의 실시예에서는 소정 간격(최소한기판이 허용 가능한 처짐 한도를 초과하여 처짐이 방지될 수 있을 정도의 간격)을 가지면서 다수개로 분할 형성함을 제시한다.In addition, in the above configuration, the second support portion 710 may be integrally formed over the entire circumference of the lower stage 222, but in the embodiment of the present invention, a predetermined interval (minimum substrate exceeds the allowable deflection limit). It is proposed to divide into a plurality of pieces with a gap that can prevent sag).
이 때, 상기 각 제 2 받침부(710)들의 일단은 서로 일체로 형성하고, 이 일체로 형성된 제 2 받침부(710)의 일단에 제 2 승강축(720) 및 제 2 구동부(730)를 최소 하나 이상 각각 설치함으로써 상기 각 제 2 받침부(710)의 원활한 동작이 가능하도록 한다.In this case, one end of each of the second support parts 710 is integrally formed with each other, and the second lifting shaft 720 and the second driving part 730 are provided at one end of the integrally formed second support part 710. By installing at least one or more, each of the second support portion 710 to enable a smooth operation.
상기와 같은 클램핑 수단(700)의 동작 순서는 전술한 제 1 기판 받침 수단(420)과 연동하면서 동작한다.The operation sequence of the clamping means 700 as described above operates in conjunction with the first substrate support means 420 described above.
즉, 상기 클램핑 수단(700)을 구성하는 제 2 구동부(730)는 전술한 제 1 기판 받침 수단(420)을 구성하는 제 1 구동부(421)의 구동과 연동하여 동작하면서 제 2 승강축(720) 및 제 2 받침부(710)를 선택적으로 상향 혹은, 하향 이동시켜 제 1 기판(10)의 로딩 및 합착된 합착 기판의 언로딩시 상기 제 1 기판(10) 및 합착 기판의 둘레 부위를 받쳐주는 역할을 수행하게 되는 것이다.That is, the second driving unit 730 constituting the clamping means 700 operates in conjunction with the driving of the first driving unit 421 constituting the first substrate receiving means 420, while the second lifting shaft 720 is operated. ) And the second support 710 is selectively moved upwardly or downwardly to support the circumference of the first substrate 10 and the bonded substrate during loading of the first substrate 10 and unloading of the bonded substrate. The state will play a role.
또한, 상기에서 설명한 제 2 기판 받침 수단(400)의 구성 및 동작 상태를 설명하면 다음과 같다.In addition, the configuration and operation state of the second substrate support means 400 described above are as follows.
도 46은 본 발명에 따른 제 2 기판 받침 수단(400)이 적용된 진공 합착 장치를 개략적으로 나타낸 것이다.46 schematically shows a vacuum bonding apparatus to which the second substrate support means 400 according to the present invention is applied.
본 발명의 합착 장치를 구성하는 제 2 기판 받침 수단(400)은 상부 스테이지(221)에서 분리되는 제 2 기판(20)의 저면에 형성된 셀 영역과 셀 영역 사이의 더미 영역이 위치되는 부위와 접촉하도록 구성되며, 크게 회전 가능하게 장착된 회전축(415)과, 받침대(412) 그리고, 구동부(411)로 크게 구성되며, 진공 챔버(210)의 내측 저면 중 하부 스테이지(222)의 측면이 위치되는 부위와 인접되는 부위에 장착함을 제시한다(도 39 참조).The second substrate support means 400 constituting the bonding apparatus of the present invention is in contact with the site where the dummy region between the cell region and the cell region formed on the bottom surface of the second substrate 20 separated from the upper stage 221 is located. It is configured to include a large rotational shaft 415, the base 412, and the driving unit 411 is configured to be largely rotatable, the side of the lower stage 222 of the inner bottom of the vacuum chamber 210 is located The mounting is shown in a site adjacent to the site (see FIG. 39).
이 때, 상기 제 2 기판 받침 수단(400)은 대략 2개 이상, 10개 이하로 구성함을 제시한다.At this time, the second substrate support means 400 is proposed to be composed of about 2 or more, 10 or less.
특히, 상기한 제 2 기판 받침 수단(400)은 상기 진공 챔버(210) 내부를 그 평면에서 봤을 때 각 스테이지(221, 222)의 장변(長邊)(혹은, 단변(短邊))측 모서리 부분 혹은, 각 스테이지(221,222)의 장변(長邊)(혹은, 단변(短邊))측 중앙 부분으로부터 인접된 부위(혹은, 일정 간격을 가지는 위치)인 진공 챔버(210)의 내측 저면에 회전축(415)이 결합된 받침대(412)의 일단이 위치되도록 장착하고, 상기 받침대(412)의 타단은 각 스테이지의 측면 내측 부위를 향하여 위치되도록 하는 것이다.In particular, the second substrate support means 400 is a long side (or short side) side edge of each stage 221, 222 when the inside of the vacuum chamber 210 is viewed in plan view. Rotation axis on the inner bottom surface of the vacuum chamber 210 which is a portion or a portion (or a position having a constant spacing) adjacent from the central portion of the long side (or short side) side of each stage 221, 222. One end of the pedestal 412 to which the 415 is coupled is mounted, and the other end of the pedestal 412 is positioned toward the side inner portion of each stage.
즉, 상기한 제 2 기판 받침 수단(400)은 하부 스테이지(222)의 일측면 어느 한 모서리 부위(혹은, 양 모서리 부위)나, 타측면 어느 한 모서리 부위(혹은, 양 모서리 부위)에 인접되어 위치하도록 각각 설치할 수 있을 뿐 아니라, 하부 스테이지(222)의 일측면 중앙 부위나, 타측면 중앙 부위에 인접되어 위치하도록 각각 설치할 수도 있고, 각 모서리 및 중앙 부위에 동시에 설치할 수도 있다. 또한, 상기 하부 스테이지의 일측면(혹은, 타측면) 중앙 부위에 인접하여 설치할 경우 기판 받침 수단을 복수개로 설치하여도 무방하다.That is, the second substrate support means 400 is adjacent to one corner portion (or both corner portions) of one side of the lower stage 222 or to one corner portion (or both corner portions) of the other side. Not only can be installed so as to be positioned, respectively, may be installed so as to be positioned adjacent to the central portion of one side of the lower stage 222, the central portion of the other side, or may be installed at each corner and the central portion at the same time. In addition, when installing adjacent to one side (or other side) center part of the said lower stage, you may install multiple board | substrate support means.
이 때, 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 구성하는 받침대(412)는회전축(415)의 일단에 일체화되며, 상기 회전축(415)에 의한 선택적 회동을 수행하면서 상부 스테이지(221)의 저부에서 상기 상부 스테이지(221)에 고정된 제 2 기판(20)의 일측면으로부터 그 대각 방향 또는, 타측면 방향을 향하도록 길게 위치되거나 혹은, 각 스테이지의 이동에 간섭을 주지 않는 위치에 안착되도록 형성된다.At this time, the pedestal 412 constituting the second substrate support means 400 is integrated at one end of the rotation shaft 415, and at the bottom of the upper stage 221 while performing a selective rotation by the rotation shaft 415. From one side of the second substrate 20 fixed to the upper stage 221 is positioned so as to face in the diagonal direction or the other side direction, or is formed to be seated at a position that does not interfere with the movement of each stage. .
이와 함께, 상기 받침대(412)의 상면에는 제 2 기판(20)과의 접촉 면적을 최대한 줄이기 위하여 받침 돌기(413)가 최소 하나 이상 돌출 형성됨을 제시하며, 특히 상기 받침 돌기(413)는 상기 받침대(412)가 작업 위치인 상부 스테이지(221)의 하부에 위치되었을 경우 상기 상부 스테이지(221)에 고정된 제 2 기판(20)의 각 부위 중 더미 영역이 위치된 부위에 대응하여 각각 위치되도록 조정한다.In addition, the upper surface of the pedestal 412 suggests that at least one support protrusion 413 is formed to protrude to minimize the contact area with the second substrate 20, in particular, the support protrusion 413 is the pedestal When 412 is positioned below the upper stage 221 which is a working position, the dummy region of each of the portions of the second substrate 20 fixed to the upper stage 221 is positioned to correspond to the position where the dummy region is located. do.
이 때, 상기 각 받침 돌기(413)는 서로 동일한 돌출 높이를 가지도록 형성되지만 필요에 따라서는 서로 돌출 높이를 틀리게 형성할 수도 있는 등 그 조절이 가능하도록 함이 바람직하다.At this time, each of the support projections 413 is formed to have the same height of the protrusions, but if necessary, it is preferable to be able to adjust such that they may be formed differently from each other.
만일, 받침대(412)의 상면에 형성되는 받침 돌기(413)가 둘 이상일 경우 상기 각각의 받침 돌기간 간격은 기판의 처짐을 최대한 방지할 수 있는 위치를 이룰 수 있는 간격을 가지도록 한다.If there are two or more support protrusions 413 formed on the upper surface of the pedestal 412, each of the support protrusion intervals may have a gap that can form a position that can prevent sagging of the substrate as much as possible.
즉, 각 받침 돌기(413)간 간격이 좁을수록 많은 받침 돌기(413)의 형성을 필요로 함에 따른 손실이 발생될 수 있음과 더불어 각 받침 돌기(413)간 간격이 넓을수록 상호간의 사이에 위치되는 제 2 기판(20)의 소정 부위가 처질 수 있음을 고려할 때 상기 각각의 문제 발생을 최대한 저감시킬 수 있도록 한 간격을 가지도록 배치함을 제시하는 것이다.That is, the narrower the space between the supporting protrusions 413, the more loss may be caused by the need for the formation of more supporting protrusions 413, and the larger the space between the supporting protrusions 413 is located between each other. Considering that the predetermined portion of the second substrate 20 may sag, it is proposed to arrange the gaps so as to minimize the occurrence of each problem as much as possible.
하지만, 상기와 같은 배치는 각 기판의 크기 또는, 모델에 따라 각 받침 돌기간 최적 간격이 각기 틀릴 수 있음을 고려할 때 상기 각 받침 돌기의 간격을 선택적으로 조절할 수 있도록 구성함이 기판의 크기에 상관없이 적용 가능하다는 측면에서 보다 바람직하다.However, the arrangement as described above may be configured to selectively adjust the spacing of each support protrusion in consideration of the size of each substrate or the optimum spacing of each support protrusion depending on the model. It is more preferable in that it is applicable without.
또한, 상기와 같은 제 2 기판 받침 수단(400)의 형성 위치는 하부 스테이지(222)의 일측면(즉, 장변 또는 단변)의 어느 한 변으로부터 일정 간격을 두고 구성할 수 있고, 또한 일측면 중에서도 그 일측면의 중간 부위 또는, 모서리 부위로부터 일정 간격을 두고 구성할 수도 있다.In addition, the formation position of the second substrate support means 400 as described above may be configured at a predetermined interval from one side of one side (that is, long side or short side) of the lower stage 222, and also in one side It may be configured at regular intervals from the middle portion or the corner portion of the one side.
이 때의 구성 위치는 기판의 크기, 기판의 반입/반출 방향에 따라 미리 그 구성 위치를 결정할 수가 있다. 특히, 일측면의 중간 부위와 모서리 부위의 결정은 받침대(412)의 회전 방향과, 기판과, 상기 받침대의 접촉 위치에 따라 결정함이 바람직하다.At this time, the configuration position can be determined in advance according to the size of the substrate and the loading / exporting direction of the substrate. In particular, the determination of the middle portion and the corner portion of one side is preferably determined according to the rotation direction of the pedestal 412, the substrate, and the contact position of the pedestal.
뿐만 아니라, 하부 스테이지(222)의 단변측 보다는 장변측에 본 발명의 제 2 기판 받침 수단(400)을 장착함이 바람직한데, 그 이유는 진공 합착 장치의 전체적인 형상이 평면에서 볼 때 직사각형 형상을 이루고 있기 때문에 그 단변측으로는 여유 공간이 적고, 그 장변측으로는 여유 공간이 많아 상기 여유 공간을 가지는 장변측에 설치함이 보다 바람직한 것이다.In addition, it is preferable to mount the second substrate support means 400 of the present invention on the long side rather than the short side of the lower stage 222, because the overall shape of the vacuum bonding apparatus has a rectangular shape in plan view. Therefore, it is more preferable that the short side is provided with a small amount of free space, and the long side is provided with a large amount of free space.
그리고, 상기한 구성의 경우 어느 한 장변이 위치된 측에 설치되는 제 2 기판 받침 수단(400)의 각 받침대(412)는 상호 간섭이 발생될 수 있음을 고려할 때서로 교차된 상태를 이룰 수 있도록 각각 형성함이 바람직하다.In addition, in the case of the above-described configuration, each pedestal 412 of the second substrate support means 400 installed on the side where one long side is positioned may achieve an intersecting state considering that mutual interference may occur. It is preferable to form each.
하지만, 반드시 상기한 구성으로 한정하지는 않으며, 상기한 바와 같이 제 2 기판 받침 수단(400)을 하부 스테이지(222)의 각 변(장변 및 단변)이 가지는 각각의 중앙 부위 또는, 모서리부위로부터 일정 간격을 두고 각각 설치함으로써 그 간섭을 피할 수 있도록 구성함도 가능하다.However, the present invention is not necessarily limited to the above-described configuration, and as described above, the second substrate support means 400 has a predetermined distance from each center portion or corner portion of each side (long side and short side) of the lower stage 222. It can also be configured to avoid the interference by installing each one.
그리고, 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 구성하는 구동부(411)는 공기압이나 유압을 이용하여 회전축을 회전 혹은, 상하 이동시키는 실린더 및 회전력을 이용하여 회전축을 회전 혹은, 상하 이동시키는 회전 모터 중 최소 어느 하나로 구성함을 제시한다.The driving unit 411 constituting the second substrate support means 400 includes a cylinder for rotating or rotating the rotary shaft using pneumatic pressure or hydraulic pressure, and a rotating motor for rotating or rotating the rotary shaft using a rotary force. At least one suggests configuration.
이 때, 상기 구동부(411)가 실린더 및 회전 모터를 모두 포함하여 구성될 경우 실린더는 회전축(415)을 상하 이동시킬 수 있도록 구성하고, 회전 모터는 상기 회전축(415)을 좌우 회전시킬 수 있도록 한다. 물론, 상기 실린더가 회전축(415)을 좌우 회전시키도록 구성하고, 회전 모터는 상기 회전축(415)을 상하 이동시킬 수 있도록 구성할 수도 있다.In this case, when the driving unit 411 includes both a cylinder and a rotating motor, the cylinder is configured to move the rotating shaft 415 up and down, and the rotating motor allows the rotating shaft 415 to rotate left and right. . Of course, the cylinder may be configured to rotate the rotating shaft 415 left and right, and the rotating motor may be configured to move the rotating shaft 415 up and down.
만일, 회전축(415)에 일체화되는 받침대(412)의 위치가 하부 스테이지(222)의 상면에 비해 높게 위치되어 있을 경우 구동부는 상기 회전축(415)을 좌우 회전시키는 구성만 이루어지면 되나, 이의 경우 로더부(300)에 의한 기판 반입/반출시 간섭될 수 있는 문제점이 발생될 수 있음을 고려할 때 최초 상기 받침대(412)의 위치는 상기 하부 스테이지(222)의 상면에 비해 낮게 위치되도록 하고, 상기 구동부는 상기 회전축(415)을 상하 이동시키는 구성 및 좌우 회전시키는 구성을 모두 포함하도록 함이 보다 바람직하다.If the position of the pedestal 412 integrated with the rotary shaft 415 is located higher than the upper surface of the lower stage 222, the driving unit only needs to be configured to rotate the rotary shaft 415 left and right, in this case the loader Considering that a problem that may interfere with the loading and unloading of the substrate by the unit 300 may occur, the position of the pedestal 412 is initially lower than that of the upper surface of the lower stage 222, and the driving unit It is more preferable to include both the configuration to move the rotary shaft 415 up and down and the configuration to rotate left and right.
그리고, 본 발명에서는 상기와 같은 구동부(411)를 진공 챔버(210)의 외측에 위치되도록 구성함을 제시한다.In addition, the present invention proposes to configure the driving unit 411 as described above to be located outside the vacuum chamber 210.
이는, 상기 구동부(411)가 진공 챔버(210) 내부에 설치될 경우 발생될 수 있는 각 구성부분의 동작시 간섭(특히, 로더부(300)의 각 아암(310,320)에 의한 각 기판의 반입/반출시 간섭)과, 진공 챔버(210) 내부의 크기를 크게 형성하여야 하는 문제 등을 방지하기 위함이다.This is an interference during operation of each component that may be generated when the driving unit 411 is installed inside the vacuum chamber 210 (in particular, the loading / loading of each substrate by each arm 310, 320 of the loader 300). This is to prevent a problem such as interference during unloading) and a large size of the inside of the vacuum chamber 210.
이 때, 상기 구동부(411)의 구동력을 전달받는 회전축(415)은 진공 챔버(210)의 저면을 관통하여 설치되고, 상기 관통 부위 상에는 공기의 유출입이 방지될 수 있도록 씰링(도시는 생략함)을 수행한다.At this time, the rotating shaft 415 receiving the driving force of the driving unit 411 is installed through the bottom of the vacuum chamber 210, sealing to prevent the flow of air on the through portion (not shown) Do this.
도 46에서 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 한 쌍으로 하여 하부 스테이지(222)의 각 장변측 모서리 부분으로부터 일정 간격을 두고 각각 장착함을 제시함으로써 제 2 기판(20)을 받쳤을 경우 상기 제 2 기판(20)의 특정 부위가 처지게 되는 문제점을 최대한 방지할 수 있도록 한 것이다. 물론, 상기 구성에서 제 2 기판 받침 수단(400)은 세 개 혹은, 그 이상 개수를 한 쌍으로 할 수도 있음은 이해 가능하다.In FIG. 46, when the second substrate 20 is supported by pairing the second substrate support means 400 with each other at a predetermined distance from each corner of the long side side of the lower stage 222, the second substrate 20 is supported. It is to prevent the problem that the specific portion of the second substrate 20 sag as much as possible. Of course, it is understood that the second substrate receiving means 400 may be three or more pairs in the above configuration.
즉, 하부 스테이지의 일측면 중간 부위 또는 모서리 부위로부터 일정 간격을 두고 두 개씩 각각 설치할 경우에는 동일한 중간 부위 또는, 모서리 부위에 설치된 두 개의 제 2 기판 받침 수단(400) 중 어느 하나의 제 2 기판 받침 수단(401)을 구성하는 제 1 받침대(417)는 다른 하나의 제 2 기판 받침 수단(402)을 구성하는 제2 받침대(416)에 비해 짧게 형성하고, 상기 제 2 기판 받침 수단(401)은 상기 제 2기판 받침 수단(402)에 비해 하부 스테이지(222)에 더욱 인접된 위치에 장착하며, 상기 제 2 기판 받침 수단(401)을 구성하는 제 1 회전축(417a,417b)과 상기 제 2 기판 받침 수단(402)을 구성하는 제 2 회전축(416a,416b)은 상호 엇갈리도록 위치할 수도 있음을 제시한다.That is, in the case of installing two pieces at a predetermined distance from one side middle portion or corner portion of the lower stage, each of the second substrate supporting means of the same middle portion or two second substrate supporting means 400 installed at the corner portion. The first pedestal 417 constituting the means 401 is formed shorter than the second pedestal 416 constituting the other second substrate support means 402, the second substrate support means 401 First rotation shafts 417a and 417b and the second substrate, which are mounted at a position closer to the lower stage 222 than the second substrate support means 402, and constitute the second substrate support means 401. It is suggested that the second rotational axes 416a and 416b constituting the support means 402 may be staggered with each other.
이 때, 도시된 바와 같이 상기 제 2 회전축(416a,416b)은 제 1 회전축(417a,417b)에 비해 하부 스테이지(222)의 단변측에 더욱 근접된 부위에 위치되도록 하여 상호간이 엇갈린 상태로 동작할 수 있도록 한다.In this case, as shown in FIG. 2, the second rotation shafts 416a and 416b are positioned in a portion closer to the short side of the lower stage 222 than the first rotation shafts 417a and 417b, and are operated in a staggered state. Do it.
이와 같은 구성은 각 받침대(416,417)의 회전에 의한 작업 위치로의 로딩시 상호간의 동작에 간섭을 주지 않도록 하기 위함이다.This configuration is to prevent interference with each other when loading to the working position by the rotation of each pedestal (416, 417).
특히, 상기 제 2 기판 받침 수단(401)과 상기 제 2 기판 받침 수단(402)의 구동 시기도 서로 다르게 수행될 수 있도록 설정함으로써 상호간의 동작에 간섭을 주지 않도록 한다.In particular, the driving timing of the second substrate support means 401 and the second substrate support means 402 may also be set differently so as not to interfere with each other.
이와 같이 구성된 합착 장치를 이용한 액정표시장치의 합착 공정(S13)을 설명하면 다음과 같다.Referring to the bonding step (S13) of the liquid crystal display device using the bonding device configured as described above is as follows.
도 47은 본 발명에 따른 액정표시장치의 합착 공정 순서도이고, 도 48a 내지 도 48e는 본 발명에 따른 액정 적하 방식의 액정표시장치 공정을 도시한 단면도이다.47 is a flowchart illustrating a bonding process of the liquid crystal display device according to the present invention, and FIGS. 48A to 48E are cross-sectional views illustrating a liquid crystal display device process of the liquid crystal dropping method according to the present invention.
본 발명에 따른 합착 공정은, 진공 챔버에 두 기판을 로딩하는 공정, 상기 진공 챔버를 진공시키는 공정, 상기 두 기판을 정렬하는 공정, 상기 두 기판을 합착하는 공정, 상기 진공 챔버를 벤팅(venting)하여 합착된 두 기판을 가압하는 공정, 그리고 상기 합착된 두 기판을 진공 챔버로부터 언로딩하는 공정으로 구분할 수 있다.In the bonding process according to the present invention, a process of loading two substrates into a vacuum chamber, vacuuming the vacuum chamber, aligning the two substrates, bonding the two substrates, and venting the vacuum chamber By pressing the two bonded substrates, and unloading the two bonded substrates from the vacuum chamber.
먼저, 로딩하는 공정은, 도 48a와 같이, 씨일재(sealant)(30)가 도포된 부분이 하 방향을 향하도록 반전된 상태로 제 2 기판(20)을 진공 챔버(210)의 상부 스테이지(221)에 진공 흡착법으로 고정시키고(S51), 액정(26)이 적하된 제 1 유리 기판(10)을 진공 챔버(210)의 하부 스테이지(222)에 진공 흡착법으로 고정시킨다(S52). 이 때, 상기 진공 챔버(210)는 대기 상태를 유지한다.First, in the loading process, as shown in FIG. 48A, the second substrate 20 is placed on the upper stage of the vacuum chamber 210 in an inverted state so that the portion to which the sealant 30 is applied is directed downward. 221 is fixed by vacuum adsorption (S51), and the first glass substrate 10 on which the liquid crystal 26 is dropped is fixed to the lower stage 222 of the vacuum chamber 210 by vacuum adsorption (S52). At this time, the vacuum chamber 210 maintains a standby state.
이를 구체적으로 설명하면, 반송 장치(300)의 제 1 아암(310) 및 핑거(311)가 씨일재(30)가 도포된 부분이 하 방향을 향하도록 반전된 상태로 제 2 기판(20)을 상기 진공 챔버(210) 내로 유입시킨다. 이 상태에서 상기 진공 챔버(210)의 상부 스테이지(221)가 하강하여 상기 제 2 기판(20)을 진공 흡착법으로 고정한 후 상승한다. 이 때, 진공 흡착법 대신에 정전 흡착법으로 고정할 수 있다.In detail, the first arm 310 and the finger 311 of the conveying apparatus 300 may move the second substrate 20 in an inverted state so that the portion to which the seal member 30 is applied is directed downward. It is introduced into the vacuum chamber 210. In this state, the upper stage 221 of the vacuum chamber 210 descends to fix the second substrate 20 by vacuum adsorption, and then rise. At this time, it can be fixed by the electrostatic adsorption method instead of the vacuum adsorption method.
그리고 상기 제 1 아암(310)의 핑거(311)는 진공 챔버(210)를 나가고, 다시 반송 장치(300)에 의해 액정(30)이 적하된 제 1 기판(10)을 상기 진공 챔버(210)내로 위치시키고 상기 클램핑 수단(700) 및 제 1 기판 받침 수단(420)이 상승하여 상기 반송장치(300)로부터 상기 제 1 기판(10)을 분리시킨 후, 상기 반송 장치(300)가 진공 챔버(210)로부터 나가고 상기 클램핑 수단(700) 및 제 1 기판 받침 수단(420)이 하강하여 상기 하부 스테이지(222)위에 위치시킨다. 그리고, 상기 하부 스테이지(222)는 진공 흡착법으로 상기 제 1 기판(10)을 고정시킨다. 물론 정전흡착법으로 고정할 수 있다.The finger 311 of the first arm 310 exits the vacuum chamber 210, and the vacuum chamber 210 receives the first substrate 10 on which the liquid crystal 30 is dropped by the transfer device 300. After positioning inward and the clamping means 700 and the first substrate support means 420 are raised to separate the first substrate 10 from the conveying device 300, the conveying device 300 is a vacuum chamber ( Exit 210 and the clamping means 700 and the first substrate support means 420 are lowered and positioned on the lower stage 222. The lower stage 222 fixes the first substrate 10 by a vacuum adsorption method. Of course, it can be fixed by the electrostatic adsorption method.
여기서, 박막트랜지스터 어레이가 형성된 기판을 제 1 기판(10)이라 하고, 칼라필터 어레이가 형성된 기판을 제 2 기판(20)이라고 한다면, 상기 제 1 기판(10)에 씨일재를 도포하고, 상기 제 2 기판(20)에 액정을 적하할 수 있으며, 상기 두 기판 중 어느 한 유리 기판에 액정도 적하하고 씨일재도 도포할 수도 있다. 단, 액정이 적하된 기판은 하부 스테이지(222)에 위치시키고, 나머지 기판을 상부 스테이지(221)에 위치시키면 된다.Here, if the substrate on which the thin film transistor array is formed is called a first substrate 10 and the substrate on which the color filter array is formed is a second substrate 20, a seal material is applied to the first substrate 10, and the first substrate 10 is formed. A liquid crystal can be dripped at the 2 board | substrates 20, A liquid crystal can also be dripped at the glass substrate of any of the said two board | substrates, and a seal material may also be apply | coated. However, the substrate on which the liquid crystal is dropped may be placed on the lower stage 222 and the remaining substrate may be positioned on the upper stage 221.
그리고, 제 2 기판 받침 수단(glass receiver)(400)을 상기 상부 스테이지(221)에 고정된 제 2 기판(20)의 바로 하측에 위치시켜 상기 제 2 기판(20)을 상기 제 2 기판 받침 수단(400)이 받쳐준다(S53). 이와 같이 제 2 기판(20)을 상기 제 2 기판 받침 수단(400)이 받쳐주는 방법은 다음과 같다.In addition, a second glass receiver 400 is positioned directly below the second substrate 20 fixed to the upper stage 221 so that the second substrate 20 is supported by the second substrate support means. 400 supports (S53). As described above, the second substrate support means 400 supports the second substrate 20 as follows.
첫째, 상기 상부 스테이지(221)를 하강시키거나 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 상승시켜 상기 제 2 기판(20) 하측에 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 근접시킨 다음, 상기 상부 스테이지(221)가 상기 제 2 기판(20)을 흡착하고 있던 진공력 또는 정전력을 해제시킨다.First, the upper stage 221 is lowered or the second substrate support means 400 is raised to bring the second substrate support means 400 to the lower side of the second substrate 20. 221 releases the vacuum force or the electrostatic force that has been adsorbing the second substrate 20.
둘째, 상기 상부 스테이지(221)를 1차적으로 일정 거리를 하강하고 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 2차적으로 상승하여 상기 제 2 기판(20) 하측에 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 근접시킨 다음, 상기 상부 스테이지(221)가 상기 제 2 기판(20)을 흡착하고 있던 진공력 또는 정전력을 해제한다.Secondly, the upper stage 221 is first lowered by a predetermined distance and the second substrate support means 400 is secondly raised to the second substrate support means 400 below the second substrate 20. Next, the upper stage 221 releases the vacuum force or the electrostatic force that is adsorbing the second substrate 20.
이 때, 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 상기 제 2 기판(20)의 하측에 위치시키는 이유는, 상기 각 스테이지(221, 222)가 진공 흡착법으로 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 흡착하고 있는 상태에서 상기 진공 챔버(210)를 진공 상태로 만드는 동안 상기 각 스테이지의 진공보다 진공 챔버내의 진공도가 더 높아지기 때문에 상기 스테이지가 잡고 있는 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 흡착력을 잃게 된다. 이와 같이, 상기 상부 스테이지(221)가 흡착력을 잃게 되면, 상기 상부 스테이지(221)에 흡착된 제 2 기판(20)이 상기 제 1 기판(10)쪽으로 떨어지게 된다.At this time, the reason for placing the second substrate support means 400 on the lower side of the second substrate 20 is that the stages 221 and 222 are first and second substrates 10 and 20 by vacuum adsorption. Of the first and second substrates 10 and 20 held by the stage because the degree of vacuum in the vacuum chamber is higher than that of the stages while the vacuum chamber 210 is in a vacuum state while The adsorption power is lost. As such, when the upper stage 221 loses the attraction force, the second substrate 20 adsorbed on the upper stage 221 falls toward the first substrate 10.
따라서, 진공 시 상기 제 2 기판(20)의 떨어짐을 방지하기 위해, 상기 진공 챔버(210)를 진공 상태로 만들기 전에 상부 스테이지(221)에 흡착된 제 2 기판(20) 하측에 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 위치시켜 상기 제 2 기판(20)을 상기 제 2 기판 받침 수단(400)이 받쳐주도록 한다.Therefore, in order to prevent the second substrate 20 from falling during the vacuum, the second substrate below the second substrate 20 adsorbed to the upper stage 221 before the vacuum chamber 210 is brought into a vacuum state. The support means 400 is positioned so that the second substrate support means 400 supports the second substrate 20.
상기 진공 챔버(210)를 진공시킨다(S54). 여기서, 진공 챔버(210)의 진공도는 액정 모드에 따라 차이가 있으나, IPS 모드는 1.0 x 10-3Pa 내지 1Pa 정도로 하고, TN 모드는 약 1.1 x 10-3Pa 내지 102Pa로 한다.The vacuum chamber 210 is vacuumed (S54). Here, the vacuum degree of the vacuum chamber 210 varies depending on the liquid crystal mode, but the IPS mode is about 1.0 × 10 −3 Pa to 1Pa, and the TN mode is about 1.1 × 10 −3 Pa to 10 2 Pa.
상기에서, 진공 챔버(210)를 2 단계로 진공할 수 있다. 즉, 상기 상/하부 스테이지(221,222)에 각각 기판을 흡착시키고 챔버의 도어를 닫은 다음, 드라이 진공 펌프에 의해 1차 진공을 시작한다. 어느 정도 1차 진공이 완료되면 고진공 펌프를 이용하여 2차 진공한다.In the above, the vacuum chamber 210 may be vacuumed in two stages. That is, the substrate is adsorbed to the upper and lower stages 221 and 222, the door of the chamber is closed, and the first vacuum is started by a dry vacuum pump. After a certain degree of primary vacuum, secondary vacuum is performed using a high vacuum pump.
이와 같이 진공 챔버(210)의 진공을 2차에 걸쳐 진행하는 이유는, 상기 진공 챔버가 갑자기 진공되면 챔버내의 기판이 틀어지거나 유동될 가능성이 있기 때문에이를 방지하기 위한 것이다.The reason why the vacuum of the vacuum chamber 210 proceeds for two times is to prevent this because the substrate in the chamber may be distorted or flowed when the vacuum chamber is suddenly vacuumed.
상기 진공 챔버(210)가 일정 상태의 진공에 도달하게 되면, 상기 상하부 각 스테이지(221, 222)는 정전기 흡착법(ESC; Electric Static Charge)으로 상기 제 1, 제 2 유리 기판(10, 20)을 고정시키고(S55), 상기 제 2 기판 받침 수단(400)을 원래의 자리로 위치시킨다(S56).When the vacuum chamber 210 reaches a predetermined vacuum, the upper and lower stages 221 and 222 may use the first and second glass substrates 10 and 20 by electrostatic charge (ESC). It is fixed (S55), the second substrate support means 400 is placed in its original position (S56).
여기서, 정전 흡착법은 스테이지에 형성된 적어도 2개 이상의 평판전극을 구비하여 상기 평판전극에 음/양의 직류 전원을 공급하여 흡착한다. 즉, 각 평판 전극에 양 또는 음의 전압이 인가되면, 상기 스테이지에 음 또는 양의 전하가 유기되고 그들 전하에 의해 기판에 도전층(공통 전극 또는 화소 전극 등 투명 전극이 형성됨)이 형성되어 있으므로 상기 도전층과 스테이지 사이에 발생하는 쿨롱력으로 기판이 흡착된다. 이 때 기판의 도전층이 형성된 면이 상기 스테이지 쪽에 위치될 경우는 약 0.1 내지 1KV의 전압을 인가하고, 기판의 도전층이 형성된 면이 상기 스테이지에 대향되는 쪽에 위치될 경우는 3 내지 4KV를 인가한다. 여기서, 상기 상부 스테이지(221)상에 탄성 시트를 형성할 수도 있다.Here, the electrostatic adsorption method includes at least two or more plate electrodes formed on the stage to supply negative / positive DC power to the plate electrodes and to adsorb them. In other words, when a positive or negative voltage is applied to each of the flat plate electrodes, a negative or positive charge is induced in the stage and a conductive layer (a transparent electrode such as a common electrode or a pixel electrode is formed) is formed on the substrate by those charges. The substrate is adsorbed by the Coulomb force generated between the conductive layer and the stage. At this time, a voltage of about 0.1 to 1 KV is applied when the surface on which the conductive layer of the substrate is formed is located on the stage side, and 3 to 4 KV when a surface on which the conductive layer of the substrate is formed is located on the side opposite to the stage. do. Here, an elastic sheet may be formed on the upper stage 221.
이와 같이 두 기판이 각각 상하부 스테이지(221,222)에 정전 흡착법에 고정되면 두 기판을 정렬한다(S57).As described above, when the two substrates are fixed to the upper and lower stages 221 and 222, respectively, the two substrates are aligned (S57).
정렬하는 방법은 상기 제 1, 제 2 기판(10, 20)에 새겨진 두 종류의 정렬 마크(Rough mark, Fine mark)을 차례로 정렬하여 두 기판을 정렬시킨다.In the aligning method, two substrates are aligned by sequentially aligning two kinds of rough marks and fine marks engraved on the first and second substrates 10 and 20.
도 48b 및 도 48c와 같이, 이와 같이 두 유리 기판(10, 20)이 정전기 흡착법으로 각 스테이지(221, 222)에 로딩된 상태에서 상기 상부 스테이지(221)를 하강하여 상기 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)을 합착한다(1차 가압)(S58). 이 때, 합착하는 방법은 상부 스테이지(221) 또는 하부 스테이지(222)를 수직 방향으로 이동시켜 두 기판을 가압하며, 이 때 스테이지의 이동 속도 및 압력을 가변하여 가압한다. 즉, 제 1 기판(10)의 액정(26)과 제 2 기판(20)이 접촉되는 시점 또는 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)의 씨일재(30)가 접촉되는 시점까지는 일정 속도 또는 일정 압력으로 스테이지를 이동시키고, 접촉되는 시점부터 원하는 최종 압력까지는 점점 단계별로 압력을 상승시킨다. 즉, 상기 이동 스테이지의 축에 로드 셀이 설치되어 접촉시점을 인식하고, 접촉되는 시점에는 0.1ton, 중간 단계에서는 0.3ton, 마지막 단계에서는 0.4ton, 그리고 최종 단계에서는 0.5ton의 압력으로 상기 두 기판(10, 20)을 합착한다.48B and 48C, the upper substrate 221 is lowered by lowering the upper stage 221 while the two glass substrates 10 and 20 are loaded on the stages 221 and 222 by electrostatic adsorption. And the second substrate 20 are bonded (primary pressurized) (S58). At this time, in the bonding method, the upper stage 221 or the lower stage 222 is moved in the vertical direction to press the two substrates, and at this time, the moving speed and the pressure of the stage are varied and pressed. That is, until a time point at which the liquid crystal 26 and the second substrate 20 of the first substrate 10 contact each other or a time point at which the sealing material 30 of the first substrate 10 and the second substrate 20 contact each other is constant. The stage is moved at a velocity or constant pressure and the pressure is gradually increased step by step from the point of contact to the desired final pressure. That is, the load cell is installed on the axis of the moving stage to recognize the point of contact, and the two substrates are at a pressure of 0.1 ton at the time of contact, 0.3 ton at the middle stage, 0.4 ton at the last stage, and 0.5 ton at the final stage (10, 20) is bonded.
이 때, 상부 스테이지(221)는 하나의 축에 의해 기판을 합착하나, 여러 개의 축을 설치하여 각 축마다 별로의 로드 셀(load cell; 압력을 측정하는 장치)이 장착되어 각 축마다 독립적으로 가압하도록 설치할 수 있다. 따라서, 상기 하부 스테이지(222)와 상부 스테이지(221)가 수평이 맞지 않아 씨일재(30)에 의해 균일하게 합착되지 않을 경우에는 해당 부분의 축을 상대적으로 더 높은 압력으로 가압하거나 더 낮은 압력으로 가압하여 씨일재(30)에 의해 균일하게 합착될 수 있도록 한다.At this time, the upper stage 221 is bonded to the substrate by one axis, but by installing a plurality of axes each load cell (device for measuring the pressure) for each axis is mounted independently pressurized for each axis Can be installed. Accordingly, when the lower stage 222 and the upper stage 221 are not horizontally aligned and are not uniformly bonded by the seal member 30, the axis of the portion is pressed at a relatively higher pressure or at a lower pressure. To be uniformly bonded by the seal material 30.
그리고, 다음 공정에서 합착된 두 기판(10,20)이 틀어짐을 방지하기 위하여 더미 씨일재 등의 일 부분을 경화하여 고정시킨다(S59).Then, in order to prevent the two substrates 10 and 20 bonded to each other in the next process, a part of the dummy seal material or the like is hardened and fixed (S59).
상기와 같이 고정이 완료되면, 상기 정전기 흡착법으로 흡착함을 정지한 다음(ESC off), 도 48d와 같이, 상기 상부 스테이지(221)를 상승시켜 상부 스테이지(221)를 상기 합착된 두 기판(10, 20)으로부터 분리시킨다.When the fixing is completed as described above, after stopping the adsorption by the electrostatic adsorption method (ESC off), as shown in Figure 48d, the upper stage 221 is raised to raise the upper stage 221 by the two substrates (10) , 20).
그리고, 상기 진공 챔버(210)를 대기 상태로 만들고 상기 합착된 기판을 균일하게 가압하기 위하여, 도 48e와 같이, 상기 진공 챔버(210)에 질소(N2)등의 가스 또는 건조 공기(Clean Dry Air)를 공급하여 진공 챔버(210)를 벤트(Vent)시킨다(S60).In addition, in order to put the vacuum chamber 210 into an atmospheric state and uniformly pressurize the bonded substrate, as shown in FIG. 48E, a gas such as nitrogen (N 2) or dry air (Clean Dry) is applied to the vacuum chamber 210. Air is supplied to vent the vacuum chamber 210 (S60).
이와 같이, 상기 진공 챔버(210)가 벤트되면, 상기 씨일재(30)에 의해 합착된 제 1, 제 2 기판(10,20) 사이는 진공상태이고 상기 진공 챔버(210)가 대기 상태가 되므로 대기압에 의해 진공 상태의 제 1, 제 2 기판(10, 20)은 균일한 갭(gap)을 유지하도록 균일한 압력으로 가압된다. 여기서, 상기 합착된 제 1, 제 2 기판(10, 20)은 대기압에 의해서 가압될 뿐만 아니라, 벤트 시 입력되는 질소(N2)또는 건조 공기(dry air)의 주입 힘에 의해서도 가압된다.As such, when the vacuum chamber 210 is vented, since the first and second substrates 10 and 20 bonded by the seal material 30 are in a vacuum state, the vacuum chamber 210 is in a standby state. By atmospheric pressure, the first and second substrates 10 and 20 in a vacuum state are pressurized to a uniform pressure so as to maintain a uniform gap. Here, the bonded first and second substrates 10 and 20 are not only pressurized by atmospheric pressure but also pressurized by an injection force of nitrogen (N 2) or dry air input at the time of venting.
상기 진공 챔버(210)의 벤트 시 두 기판(10,20)이 균일하게 가압되도록 하는 것이 무엇보다 중요하다. 두 기판(10,20)의 각 부분에 가해지는 압력이 균일해야 두 기판 사이의 씨일재(30)의 높이가 일정하게 형성될 수 있고, 액정(26)이 각 부분에 골고루 퍼져 나가게 할 수 있어, 씨일재(30)의 터짐 불량이나 액정 미 충진의 불량을 방지 할 수 있기 때문이다. 진공 챔버(210)를 벤트시키면서 기판의 각 부분에 균일하게 압력을 가하기 위해서는 진공 챔버(210) 내로 벤트되는 가스가 어느 방향에서 벤트되느냐 하는 벤트 방향이 무엇보다 중요하다.It is important to ensure that the two substrates 10 and 20 are uniformly pressurized when the vacuum chamber 210 is vented. The pressure applied to each part of the two substrates 10 and 20 must be uniform so that the height of the sealing material 30 between the two substrates can be uniformly formed, and the liquid crystal 26 can be spread evenly on each part. This is because it is possible to prevent the failure of the seal member 30 and the failure of filling the liquid crystal. In order to uniformly apply pressure to each part of the substrate while venting the vacuum chamber 210, the vent direction of which direction the gas vented into the vacuum chamber 210 is vented is important.
따라서 본 발명에서는 다음과 같이 실시예를 제공한다.Therefore, the present invention provides examples as follows.
첫째, 진공 챔버의 상부에 다수개의 관을 형성하여 진공 챔버의 내부로 가스를 주입하거나, 둘째, 진공 챔버의 하부에 다수개의 관을 형성하여 진공 챔버의 내부로 가스를 주입하거나, 셋째, 진공 챔버의 측면에 다수개의 관을 형성하여 진공 챔버의 내부로 가스를 주입하거나, 넷째, 상기의 방법을 병행할 수 있다. 진공 챔버의 상부로부터 가스를 주입하는 것이 바람직하나 기판의 크기, 스테이지의 상태 등을 고려하여 상기 벤트 방향을 결정 할 수 있다.First, a plurality of tubes are formed in the upper part of the vacuum chamber to inject gas into the vacuum chamber, or second, a plurality of tubes are formed in the lower part of the vacuum chamber to inject gas into the vacuum chamber. By forming a plurality of tubes on the side of the gas injection into the interior of the vacuum chamber, or fourth, the above method can be performed in parallel. Although it is preferable to inject gas from the upper portion of the vacuum chamber, the vent direction may be determined in consideration of the size of the substrate and the state of the stage.
또한 두 기판(10,20)은 대기압에 의해서 뿐만 아니라 벤트시 주입되는 가스의 주입 힘에 의해서도 가압되게 된다. 벤트시 두 기판에 가해지는 압력은 대기압 (105Pa)이나, 단위면적당(㎠) 0.4 ~ 3.0Kg/㎠ 의 압력이면 적당하나 바람직하게는 1.0Kg/㎠이로 하는 것이 좋다. 하지만 기판의 크기나 기판 사이의 간격, 씨일재 등의 두께 등을 고려하여 변경할 수 있다.In addition, the two substrates 10 and 20 are pressurized not only by the atmospheric pressure but also by the injection force of the gas injected during the venting. The pressure applied to the two substrates at the time of venting is appropriate at an atmospheric pressure (10 5 Pa) but a pressure of 0.4 to 3.0 Kg / cm 2 per unit area (cm 2), but preferably 1.0 Kg / cm 2. However, it can be changed in consideration of the size of the substrate, the distance between the substrate, the thickness of the seal material and the like.
상기 다수개의 가스 주입관은 적어도 2개 이상으로 형성 될 수 있으며 바람직하게는 기판의 크기에 따라 결정되며 여기서는 8개를 형성 할 수 있다.The plurality of gas injection pipes may be formed in at least two or more, preferably determined according to the size of the substrate, and here eight may be formed.
상기 진공 챔버 벤트시 기판이 흔들리는 것을 방지하기 위하여 기판의 흔들림(이동)을 방지 할 수 있는 고정수단이나 방법을 이용할 수도 있다.In order to prevent the substrate from shaking during the vacuum chamber venting, a fixing means or a method capable of preventing the substrate from shaking (moving) may be used.
상기 진공 챔버를 급속하게 벤트시키면 기판이 흔들리고 합착된 기판의 오정렬이 발생할 수 있으므로 가스를 단계적으로 벤트시킬 수 있으며, 가스를 서서히 공급하기 위한 슬로우 밸브를 추가로 구비할 수도 있다. 즉 진공 챔버 내에 벤트를시작하여 한번에 벤트를 완료하는 방법이 있고, 1차로 벤트를 서서히 시작하여 기판의 흔들림이 없도록 하고 일정시점에 도달하면 2차로 벤트의 속도를 다르게 하여 대기압에 보다 빠르게 도달하도록 할 수도 있다.If the vacuum chamber is rapidly vented, the substrate may be shaken and misalignment of the bonded substrate may occur, thereby allowing the gas to be vented step by step, and a slow valve for gradually supplying the gas may be further provided. In other words, there is a method of completing the vent at a time by starting the vent in the vacuum chamber, and slowly starting the vent first to avoid shaking of the substrate, and when reaching a certain point, the vent speed is differently changed to reach the atmospheric pressure faster. It may be.
상기 진공 챔버를 벤트하면서 상기 스테이지 상에 있는 합착된 기판이 가스에 의하여 흔들리거나 오정렬이 발생할 수 있는 문제가 있기 때문에 가스를 주입하는 시기 역시 매우 중요하다.The timing of gas injection is also very important because there is a problem that the bonded substrate on the stage may be shaken by gas or misalignment may occur while venting the vacuum chamber.
벤트 시기는 얼라인이 완료되고 1차로 가압이 진행되어 상기 두 기판 사이가 진공상태를 형성하면 챔버의 벤트를 시작한다. 그 구체적인 벤트 시작 방법을 설명하면 다음과 같다.The vent timing starts the venting of the chamber when the alignment is completed and pressurization proceeds first to form a vacuum between the two substrates. The specific vent start method is as follows.
첫째는 상기 상부 스테이지를 상승시킨 후 벤트를 시작할 수 있으나, 둘째, 공정시간을 단축하기 위하여 상기 상부 스테이지가 상승을 시작하여 완료되기 전에 벤트를 시작할 수 있다.First, the vent may be started after raising the upper stage, but second, the vent may start before the upper stage starts to be completed to complete the process in order to shorten the process time.
셋째, 상기 상부 스테이지를 상승시킴과 동시에 벤트를 시작할 수 있고 이때 상기 상부 스테이지를 통해 가스 또는 건조 공기를 불어 주면서 상부 스테이지를 상승시킬 수도 있다. 그 이유는 상기 상부 스테이지로부터 합착된 기판이 잘 떨어지지 않거나 기판이 흔들려 하부 스테이지 아래로 떨어지는 문제가 발생할 수 있기 때문에 상기 상부 스테이지와 기판이 잘 분리되도록 하기 위하여 가스 또는 건조 공기를 불어 주면서 상부 스테이지를 상승시킬 수 있다.Third, the upper stage may be raised and the vent may be started at the same time, and the upper stage may be raised while blowing gas or dry air through the upper stage. The reason is that the bonded substrate from the upper stage may not fall well or the substrate may shake and fall below the lower stage, so that the upper stage is raised while blowing gas or dry air to separate the upper stage and the substrate well. You can.
넷째, 합착이 이루어진 상태에서 상기 상부 또는 하부 스테이지를 이동시키지 않은 채로 진공 챔버의 벤트를 시작할 수 있다. 이때 상부 스테이지는 진공 챔버의 벤트를 완료한 상태에서 상기 상부 스테이지를 이동시키거나, 진공 챔버의 벤트가 완료되기 전에 상기 상부 스테이지의 이동을 시작할 수 있다. 또한, 이 때 상기 상부 스테이지를 통해 가스 또는 건조 공기를 불어 주면서 상부 스테이지를 상승시킬 수도 있다. 그 이유는 상기 상부 스테이지로부터 합착된 기판이 잘 떨어지지 않거나 기판이 흔들려 하부 스테이지 아래로 떨어지는 문제가 발생할 있기 때문에 상기 상부 스테이지와 기판이 잘 분리되도록 하기 위하여 가스 또는 건조 공기를 불어 주면서 상부 스테이지를 상승시킬 수 있다.Fourth, the venting of the vacuum chamber can be started without moving the upper or lower stage in the state of bonding. In this case, the upper stage may move the upper stage in a state of completing the venting of the vacuum chamber, or may start the movement of the upper stage before the venting of the vacuum chamber is completed. In addition, the upper stage may be raised while blowing gas or dry air through the upper stage. The reason for this is that the bonded substrate from the upper stage does not fall well or the substrate is shaken to fall below the lower stage, so that the upper stage may be raised while blowing gas or dry air to separate the upper stage and the substrate well. Can be.
다음은, 벤트에 의해 가압된 기판을 언로딩한다(S61). 즉, 벤트가 완료되면, 상기 상부 스테이지(221)가 상승하고 로봇의 로더를 이용하여 가압된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 언로딩하거나, 가압된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 상부 스테이지(221)가 흡착하여 상승한 후 로봇의 로더가 상기 상부 스테이지(221)로부터 언로딩한다.Next, the substrate pressed by the vent is unloaded (S61). That is, when the vent is completed, the upper stage 221 is raised and unloads the pressed first and second substrates 10 and 20 using the loader of the robot, or the pressed first and second substrates 10 , 20 is absorbed and raised by the upper stage 221, and the loader of the robot is unloaded from the upper stage 221.
이 때, 공정 시간을 단축하기 위하여, 다음 합착 공정이 진행될 제 1 기판(10) 또는 제 2 기판(20) 중 하나를 스테이지에 로딩시키고 가압된 제 1, 제 2 기판을 언로딩할 수 있다. 즉, 다음에 합착 공정이 진행될 제 2 기판을 로봇의 로더를 이용하여 상기 상부 스테이지(221)에 위치시켜 진공 흡착법으로 상부 스테이지가 제 2 기판을 고정시키도록 한 다음, 상기 하부 스테이지(222) 상의 가압된 제 1, 제 2 기판(10,20)을 언로딩하거나, 상기 상부 스테이지(221)가 가압된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 흡착하여 상승하고 로봇의 로더가 다음 합착 공정이 진행될 제 1 기판(10)을 상기 하부 스테이지(222)에 로딩시킨 후 상기 가압된 제 1, 제 2 기판을 언로딩할 수 있다.At this time, in order to shorten the process time, one of the first substrate 10 or the second substrate 20 to be subjected to the next bonding process may be loaded onto the stage and the unloaded first and second substrates may be unloaded. That is, a second substrate to be bonded next is placed on the upper stage 221 by using a loader of a robot so that the upper stage fixes the second substrate by vacuum adsorption, and then on the lower stage 222. The unloaded first and second substrates 10 and 20 are unloaded, or the upper stage 221 sucks and presses the first and second substrates 10 and 20, and the loader of the robot moves to the next bonding process. The first and second substrates 10 to be loaded may be loaded onto the lower stage 222 and then the unloaded first and second substrates may be unloaded.
상기에서, 기판을 합착한 후 언로딩하기 전에 합착된 기판의 액정이 씨일재쪽으로 퍼지도록 하는 액정 퍼짐 공정을 추가로 진행할 수 있다. 또는 언로딩 공정을 완료한 후, 액정이 퍼지지 않을 경우에는 액정이 씨일재 쪽으로 골고루 퍼지게 하기 위하여 액정 퍼짐 공정을 추가로 진행할 수도 있다. 이 때, 액정 퍼짐 공정은 10분 이상 실시하며, 액정 퍼짐 공정은 대기 중 또는 진공 중에서도 가능하다.In the above, the liquid crystal spreading process of spreading the liquid crystals of the bonded substrates to the seal material after the bonding of the substrates and before unloading may be further performed. Alternatively, after the unloading process is completed, if the liquid crystal does not spread, the liquid crystal spreading process may be further performed in order to spread the liquid crystal evenly toward the sealing material. At this time, the liquid crystal spreading step is performed for 10 minutes or more, and the liquid crystal spreading step can be performed in air or in vacuum.
다음은, 합착 장치에서 합착된 두 기판을 UV 경화시키는 단위 공정(S14)을 설명한다.Next, the unit process (S14) which UV-cures two board | substrates bonded by the bonding apparatus is demonstrated.
도 49a 내지 도 49b는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 제조공정 중 UV 경화 공정만을 도시한 사시도이다.49A to 49B are perspective views illustrating only a UV curing process of a manufacturing process of a liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
UV 경화를 위한 UV조사 공정 시 합착된 기판의 전면에 UV가 조사되게 되면, 기판 상에 형성된 박막트랜지스터 등의 소자 특성에 악영향이 미치게 되고, 액정의 초기 배향을 위해 형성된 배향막의 프리틸트각(pretilt angle)이 변하게 되는 문제점이 발생된다. 따라서, 본 발명의 일 실시예는 합착된 기판의 씨일재 형성 영역 이외의 영역을 마스크로 가리고 UV를 조사하는 것에 관한 것이다.When UV is irradiated on the entire surface of the bonded substrate during the UV irradiation process for UV curing, it adversely affects device characteristics such as thin film transistors formed on the substrate, and the pretilt angle of the alignment layer formed for the initial alignment of the liquid crystal. A problem occurs that the angle is changed. Therefore, one embodiment of the present invention relates to irradiating UV and covering a region other than the seal material forming region of the bonded substrate.
도 49a는 합착된 기판의 상측에 보조 UV경화형 씨일재(30a) 및 주 UV경화형 씨일재(30)가 형성된 영역 이외의 영역을 가리는 마스크(80)를 위치시키고 UV를 조사하는 공정에 관한 것이다.FIG. 49A relates to a process of placing a mask 80 that covers an area other than a region where the auxiliary UV-curable seal material 30a and the main UV-curable seal material 30 are formed on the bonded substrate and irradiating UV.
도면에는 합착된 기판의 상측에 마스크(80)를 위치시킨 경우만 도시하였으나, 합착된 기판의 하측에 마스크를 위치시키는 것도 가능하다. 또한, 도면에는 합착된 기판의 제 2 기판(20)면으로 UV 조사하는 경우만 도시되어 있으나, 합착된 기판을 회전하여 제 1 기판(10)면으로 UV 조사하도록 하는 것도 가능하다.In the drawing, only the case where the mask 80 is positioned above the bonded substrate is illustrated, but the mask may be positioned below the bonded substrate. In addition, although only the case of UV irradiation to the surface of the second substrate 20 of the bonded substrate is shown in the figure, it is also possible to rotate the UV bonded to the surface of the first substrate 10.
한편, UV조사장치(90)에서 조사된 UV가 반사되어 반대편으로 조사될 경우 전술한 바와 같이 박막트랜지스터 및 배향막 등의 특성에 영향을 미칠 가능성이 있다. 따라서, 마스크를 합착된 기판의 상측 및 하측에 이중으로 형성시킬 수 있다.On the other hand, when the UV irradiated from the UV irradiation device 90 is reflected and irradiated to the other side there is a possibility to affect the characteristics of the thin film transistor and the alignment film as described above. Therefore, the mask can be formed on the upper side and the lower side of the bonded substrate.
한편, 상기 보조 UV경화형 씨일재(30a)는 씨일재 본래의 기능을 하지 않는 것이므로 경화되지 않아도 상관없다. 또한, 상기 보조 UV경화형 씨일재(30a)가 형성된 영역은 후 공정인 셀 절단 공정 시 셀 절단 라인과 중첩되는 영역이므로 경화되지 않는 것이 셀 절단에 보다 유리하다.On the other hand, since the auxiliary UV-curable seal material 30a does not function as the seal material, it does not need to be cured. In addition, since the region in which the auxiliary UV-curable seal material 30a is formed is a region overlapping the cell cutting line during the cell cutting process, which is a post process, it is more advantageous for the cell cutting.
따라서, 도 49b와 같이 마스크로 주 UV경화형 씨일재(30)가 형성된 영역 이외의 영역을 가리고 UV를 조사함으로써, 보조 UV경화형 씨일재(30a)는 경화되지 않도록 한다.Therefore, as shown in FIG. 49B, by irradiating UV while covering an area other than a region where the main UV-curable seal material 30 is formed with a mask, the auxiliary UV-curable seal material 30a is not cured.
이때, 상기 마스크(80)를 합착된 기판의 상측 또는 하측에 위치시키고 UV를 조사할 수 있고, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 마스크(80)를 합착된 기판의 상측 및 하측에 위치시키고 UV를 조사할 수도 있다.In this case, the mask 80 may be positioned above or below the bonded substrate and irradiated with UV. Although not shown, the mask 80 may be positioned above and below the bonded substrate and irradiated with UV. You may.
또한, 상기에서 씨일재(30) 내측의 활성 영역에만 UV가 차광되도록 마스크를 형성하고 씨일재(30)와 더미 영역에는 UV가 조사되도록 하여 UV 경화시킬 수 있으며, 이 때, 상기 보조 UV 경화형 씨일재(30a)가 형성된 영역 중 셀 절단 라인에 중첩되는 부분에는 UV가 조사되지 않도록 마스크로나 테이프로 가리고 UV를 조사하면 더욱 효과적이다.In addition, the mask may be formed so that UV is shielded only in the active area inside the seal material 30, and the UV is irradiated to the seal material 30 and the dummy area to be UV cured. The portion overlapped with the cell cutting line in the region where the material 30a is formed is more effective if it is covered with a mask or tape and irradiated with UV so as not to irradiate UV.
상기에서, 액정표시장치의 모드에 따라, 제 2 기판쪽에서 UV를 조사하거나, 제 1 기판쪽에서 UV를 조사한다. 즉, IPS 모드일 경우에는 제 2 기판쪽에서 UV를 조사하여 씨일재(30)를 경화시키고, TN 모드일 경우는 제 1 기판쪽에서 UV를 조사하여 씨일재를 경화시킨다. 그 이유는 IPS 모드의 액정 패널에서는 블랙매트릭스층 바깥쪽에 씨일재를 형성하고, TN 모드의 액정 패널에서는 블랙매트릭스층 위에 씨일재를 형성하기 때문에, UV가 상기 씨일재에 보다 정확하게 조사되도록 하기 위해서이다.In the above, according to the mode of the liquid crystal display device, UV is irradiated from the second substrate side or UV is irradiated from the first substrate side. That is, in the IPS mode, the seal material 30 is cured by irradiating UV from the second substrate, and in the TN mode, the seal material is cured by irradiating UV from the first substrate. This is because the seal material is formed outside the black matrix layer in the liquid crystal panel of the IPS mode, and the seal material is formed on the black matrix layer in the liquid crystal panel of the TN mode, so that the UV material is more accurately irradiated. .
이와 같이 합착된 기판의 UV 경화가 완료되면, 바로 셀 절단 공정을 진행할 수 있으나, 씨일재가 UV 및 열 경화성 수지일 경우 열 경화 공정(S15)을 진행한다.When the UV curing of the bonded substrate is completed in this way, the cell cutting process may proceed immediately, but if the sealing material is UV and thermosetting resin, the heat curing process (S15) is performed.
열 경화 공정은 상기 UV 경화 공정이 완료된 합착된 기판을 열 경화로 내에 위치시켜 약 120℃에서 1시간 정도 경화시킨다.In the heat curing process, the bonded substrates on which the UV curing process is completed are placed in a heat curing furnace and cured at about 120 ° C. for about 1 hour.
이와 같이 UV 및 열 경화가 완료된 기판을 단위 패널별로 셀 절단 공정(S16)을 실시한다.Thus, the cell cutting process (S16) is performed for each unit panel of the substrate UV and thermal curing is completed.
도 50은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 절단 장치에 대한 블록구성을 보인 예시도이고, 도 51a 내지 도 51g는 도 50의 각 블록에서 실시되는 순차적인 공정을 상세히 보인 예시도이다.50 is an exemplary view showing a block configuration of a cutting device of a liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention, Figures 51a to 51g is an exemplary view showing a sequential process performed in each block of Figure 50 in detail.
도 52는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 절단 장치에 대한 블록구성을 보인 예시도이고, 도 53a 내지 도 53g는 도 52의 각 블록에서 실시되는 순차적인 공정을 상세히 보인 예시도이다.FIG. 52 is an exemplary view showing a block configuration of a cutting device of a liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 53A to 53G are exemplary views showing in detail a sequential process performed in each block of FIG. 52.
도 54는 도 53a 내지 도 53g에 도시된 제 1 내지 제 4 테이블의 표면에 형성된 흡착홀의 다른 예를 보인 예시도이고, 도 55a 및 도 55b는 본 발명의 일 실시예나 다른 실시예를 통해 적용되는 제 1, 제 2 스크라이빙 공정을 보다 상세히 도시한 예시도이다.FIG. 54 is an exemplary view showing another example of the adsorption holes formed on the surfaces of the first to fourth tables shown in FIGS. 53A to 53G, and FIGS. 55A and 55B are applied through one or another embodiment of the present invention. It is an exemplary figure which shows the 1st, 2nd scribing process in more detail.
도 56a 내지 도 56f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 순차적인 공정을 상세히 보인 예시도이다.56A to 56F are exemplary views showing in detail a sequential process according to another embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 절단 장치는, 도 50에 도시한 바와 같이, 단위 액정 패널들이 복수개 배열되어 합착 및 경화된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 로딩한 다음 정렬시키는 로딩부(800)와, 상기 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 제 1 상부 휠과 제 1 하부 휠을 통해 1차 절단 예정선을 형성하고, 그 1차 절단 예정선의 적어도 한 부분에 제 1 롤을 통해 압력을 인가하여 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 순차적으로 절삭하는 제 1 스크라이빙부(810)와, 상기 절삭된 제 1, 제2 기판(10, 20)을 90°회전시키는 제 1 회전부(820)와, 상기 회전된 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 제 2 상부 휠과 제 2 하부 휠을 통해 2차 절단 예정선을 형성하고, 그 2차 절단 예정선의 적어도 한 부분에 제 2 롤을 통해 압력을 인가하여 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 순차적으로 절삭하는 제 2 스크라이빙부(830)와, 상기 제1,제 2 스크라이빙부(810, 830)에 의해 절삭된 단위 액정 패널을 언로딩하여 후속공정이 진행될 장비로 이송하는 언로딩부(840)로 구성된다.As shown in FIG. 50, a cutting device for a liquid crystal panel according to an exemplary embodiment of the present invention loads the first and second substrates 10 and 20 in which a plurality of unit liquid crystal panels are arranged, bonded and cured, and then aligned. Forming a first cut line on the surface of the loading unit 800 and the first and second substrates 10 and 20 through a first upper wheel and a first lower wheel, and at least the first cut line A first scribing unit 810 for sequentially cutting the first and second substrates 10 and 20 by applying pressure to a portion through the first roll, and the cut first and second substrates 10, A second cutting line 820 is formed through the second upper wheel and the second lower wheel on the first and second rotating parts 820 and the surfaces of the rotated first and second substrates 10 and 20. And a second scribing which sequentially cuts the first and second substrates 10 and 20 by applying pressure to at least one portion of the second cutting schedule line through the second roll. It consists of 830, and the first, second scribing bingbu (810, 830), unloading unit (840) for transferring to the unloading of the liquid crystal panel unit of the cutting equipment to the subsequent processing take place by.
한편, 도 51a 내지 도 51g는 상기 도 50의 각 블록에서 실시되는 순차적인 공정을 상세히 보인 예시도로서, 이를 참조하여 본 발명에 의한 액정 패널의 절단 장치 및 그 방법의 일 실시예를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, FIGS. 51A to 51G are exemplary views showing the sequential processes performed in each block of FIG. 50 in detail, with reference to this, a device for cutting the liquid crystal panel according to the present invention and an embodiment of the method thereof will be described in detail. Is as follows.
먼저, 도 51a에 도시한 바와 같이, 상기 로딩부(800)에서는 박막 트랜지스터 어레이 기판들과 컬러필터 기판들이 형성되어 서로 대향하도록 합착된 제 1, 제 2기판(10, 20)을 제 1 테이블(801)에 로딩한 다음 정렬 마크(align mark, 802)를 통해 정렬시킨다.First, as illustrated in FIG. 51A, in the loading unit 800, the first and second substrates 10 and 20 bonded to the thin film transistor array substrates and the color filter substrates are formed to face each other. 801 and then align through an alignment mark 802.
이 때, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판인 제 1 기판(10)이 상측에 위치되고 칼라필터 어레이 기판인 제 2 기판(20)이 하측에 위치되도록 로딩한다.At this time, the first substrate 10, which is the thin film transistor array substrate, is positioned on the upper side, and the second substrate 20, which is the color filter array substrate, is loaded on the lower side.
그 이유는, 박막 트랜지스터 어레이 기판의 좌우방향 일측에는 게이트 패드부가 형성되고 상하방향 일측에는 데이터 패드부가 형성되므로 상기 제 1 기판(10)은 제 2 기판(20)보다 돌출되어 상기 박막트랜지스터 어레이가 형성된 기판이 칼라필터 어레이가 형성된 기판보다 사이즈가 더 크다. 따라서, 셀 절단 공정 시 더미 기판들이 만류인력에 의해 밑으로 떨어질 때 기판에 손상을 주기 않도록 하기 위한 것이다.The reason is that the gate pad part is formed at one side in the left and right direction of the thin film transistor array substrate and the data pad part is formed at one side in the vertical direction so that the first substrate 10 protrudes from the second substrate 20 so that the thin film transistor array is formed. The substrate is larger in size than the substrate on which the color filter array is formed. Therefore, in order to prevent damage to the substrate when the dummy substrates fall under the force of the current during the cell cutting process.
그리고, 도 51b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 스크라이빙부(810)에서는 제 1, 제 2 기판(10,20)을 제 1 테이블(801)과 일정하게 이격된 제 2 테이블(803) 사이에 놓여지도록 미리 설정된 거리만큼 이동시키면서, 제 1, 제 2 테이블(801, 803) 사이의 이격된 공간에서 제 1 상부 휠(804)과 제 1 하부 휠(805)을 통해 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 1차 절단 예정선(806, 807)을 순차적으로 형성한다.In addition, as illustrated in FIG. 51B, the first scribing unit 810 includes a space between the first and second substrates 10 and 20 between the first table 801 and the second table 803. The first and second substrates through the first upper wheel 804 and the first lower wheel 805 in spaced spaces between the first and second tables 801, 803, while moving a predetermined distance to be placed in the Primary cutting schedule lines 806 and 807 are sequentially formed on the surface of (10, 20).
이 때, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판(제 1 기판,10)들의 일측이 컬러필터 어레이 기판(제 2 기판,20)들의 대응하는 일측에 비해 돌출된 영역에서는 제 1상부 휠(804)을 기준선(R1)의 일측으로 소정거리 이격시켜 제 1 기판(10)의 표면에 1차 절단 예정선(806)을 형성하며, 제 1 하부 휠(805)을 기준선(R1)으로부터 제 1 상부 휠(804)과 대응되는 반대방향으로 소정거리 이격시켜 제 2 기판(20)의 표면에 1차 절단 예정선(807)을 형성한다.At this time, in a region where one side of the thin film transistor array substrates (first substrate) 10 protrudes from the corresponding one side of the color filter array substrates (second substrate, 20), the first upper wheel 804 is referred to as the reference line R1. The first cutting wheel 806 is formed on the surface of the first substrate 10 by a predetermined distance away from the side of the first substrate 10, and the first lower wheel 805 is aligned with the first upper wheel 804 from the reference line R1. The first cutting schedule line 807 is formed on the surface of the second substrate 20 by being spaced a predetermined distance in the corresponding opposite direction.
한편, 상기 제 1 기판(10)의 게이트 패드부 또는 데이터 패드부가 형성되지 않는 영역(즉, 박막 트랜지스터 어레이 기판들이 컬러필터 기판들에 비해 돌출되지 않은 영역)에서는 제 1 상부 휠(804)과 제 1 하부 휠(805)을 서로 일치하도록 정렬시켜 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 각기 1차 절단 예정선(806, 807)을 형성한다.Meanwhile, the first upper wheel 804 and the first upper wheel 804 may be formed in an area where the gate pad portion or the data pad portion of the first substrate 10 is not formed (that is, the region where the thin film transistor array substrates do not protrude relative to the color filter substrates). The first lower wheels 805 are aligned to coincide with each other to form first cutting lines 806 and 807 on the surfaces of the first and second substrates 10 and 20, respectively.
그리고, 도 51c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 스크라이빙부(810)에서는 상기 1차 절단 예정선(806, 807)의 한 부분에 제 1 롤(808)을 통해 압력을 인가하여 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 순차적으로 절삭한다.As illustrated in FIG. 51C, the first scribing unit 810 applies pressure to a portion of the first cutting lines 806 and 807 through the first roll 808 to form the first and second lines. The second substrates 10 and 20 are sequentially cut.
상기 제 1 롤(808)은 제 1 상부 휠(804)에 의해 형성된 1차 절단 예정선(806)의 한 부분 또는 다수의 부분에 동시에 압력을 인가하여 제 1, 제 2 기판(10, 20)상에 1차 절단 예정선(806, 807)을 따라 크랙이 전파되도록 할 수 있다.The first roll 808 simultaneously applies pressure to one or more portions of the primary cutting schedule line 806 formed by the first upper wheel 804 so that the first and second substrates 10 and 20 can be applied. Cracks may be propagated along the primary cut lines 806 and 807 on the phase.
한편, 상기 제 1 롤(808)은 제 1 상부 휠(804)이 제 1 기판(10)의 표면에 1차 절단 예정선(806)을 형성한 다음 원래의 위치로 이동할 때, 제 1 상부 휠(804)과 연동하여 1차 절단 예정선(806)을 따라 압력을 인가하면서 이동할 수 있도록 함으로써, 보다 효과적으로 1차 절단 예정선(806)에 압력을 인가할 수 있다.On the other hand, the first roll 808 is the first upper wheel when the first upper wheel 804 forms the first cut line 806 on the surface of the first substrate 10 and then moves to the original position By interlocking with 804 and moving along the primary cutting schedule line 806 while applying pressure, pressure can be applied to the primary cutting schedule line 806 more effectively.
또한, 상기 제 1 롤(808)은 제 2 기판(20)의 표면에 형성된 1차 절단예정선(807)에 단독으로 적용될 수도 있으며, 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 형성된 1차 절단 예정선(806, 807) 모두에 적용될 수 있다.In addition, the first roll 808 may be applied to the first cut line 807 formed on the surface of the second substrate 20 alone, and formed on the surfaces of the first and second substrates 10 and 20. Applicable to both primary cut lines 806 and 807.
상기한 바와 같이, 제 1 롤(808)은 박막 트랜지스터 어레이 기판이 형성된 제 1 기판(10)과 접촉하는 방식으로 압력을 인가함에 따라 유리 기판과의 미끌림이 작고, 정전기 특성이 우수하며, 파티클(particle)의 발생량이 적은 우레탄 재질을 적용하는 것이 바람직하다.As described above, the first roll 808 has a small slippage with the glass substrate, excellent electrostatic properties, and particles by applying pressure in a manner of contacting the first substrate 10 on which the thin film transistor array substrate is formed. It is preferable to apply a urethane material having a small amount of particles.
그리고, 도 51d에 도시한 바와 같이 상기 제 1 회전부(820)에서는 절삭된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 90°회전시킨다.As shown in FIG. 51D, the first and second substrates 10 and 20 cut by the first rotation part 820 are rotated by 90 degrees.
그리고, 도 51e에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 스크라이빙부(830)에서는 회전된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 일정하게 이격된 제 3, 제 4 테이블(811,812) 사이에 놓여지도록 미리 설정된 거리만큼 이동시키면서, 제 3, 제 4 테이블(811,812) 사이의 이격된 공간에서 제 2 상부 휠(813)과 제 2 하부 휠(814)을 통해 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 2차 절단 예정선(815, 816)을 순차적으로 형성한다.51E, the second scribing unit 830 places the rotated first and second substrates 10 and 20 between the third and fourth tables 811 and 812 which are regularly spaced apart from each other. The first and second substrates 10 and 20 through the second upper wheel 813 and the second lower wheel 814 in spaced spaces between the third and fourth tables 811 and 812 while moving by a predetermined distance to be built. Second cut lines 815 and 816 are sequentially formed on the surface of the N-axis.
상기 도 51b를 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 제 2 상부 휠(813) 및 제 2 하부 휠(814)은 제 1 상부 휠(804) 및 제 1 하부 휠(805)과 동일하게 박막 트랜지스터 어레이 기판(제 1 기판, 10)들의 일측이 컬러필터 기판들(제 2 기판, 20)의 대응하는 일측에 비해 돌출된 영역에서는 기준선(R1)으로부터 서로 대응되는 반대방향으로 소정거리 이격되도록 하여 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 2차 절단 예정선(815, 816)을 형성하고, 한편 박막 트랜지스터 어레이 기판들이 컬러필터 기판들에 비해 돌출되지 않은 영역에서는 제 2 상부 휠(813) 및 제 2 하부 휠(814)을서로 일치하도록 정렬시켜 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 2차 절단 예정선(815, 816)을 형성한다.As described with reference to FIG. 51B, the second upper wheel 813 and the second lower wheel 814 are the same as the first upper wheel 804 and the first lower wheel 805. In an area where one side of the first substrate 10 is protruded relative to the corresponding side of the color filter substrates (second substrate 20), the first substrate 10 may be spaced apart from the reference line R1 by a predetermined distance in a corresponding opposite direction. Second cutting lines 815 and 816 are formed on the surfaces of the second substrates 10 and 20, while the second upper wheels 813 and the second upper wheels 813 are formed in regions where the thin film transistor array substrates are not protruded compared to the color filter substrates. The second lower wheels 814 are aligned to coincide with each other to form secondary cut lines 815 and 816 on the surfaces of the first and second substrates 10 and 20.
그리고, 도 51f에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 스크라이빙부(830)에서는 상기 2차 절단 예정선(815, 816)의 한 부분에 제 2 롤(817)을 통해 압력을 인가하여 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 순차적으로 절삭한다.As shown in FIG. 51F, the second scribing unit 830 applies pressure to a portion of the secondary cutting schedule lines 815 and 816 through the second roll 817 to form the first and second lines. The second substrates 10 and 20 are sequentially cut.
상기 도 51c를 참조하여 상세히 설명한 바와 같이, 상기 제 2 롤(817)은 제 1 롤(808)과 동일하게 제 2 상부 휠(813)에 의해 형성된 2차 절단 예정선(815)의 한 부분 또는 다수의 부분에 동시에 압력을 인가하여 제 1, 제 2 기판(10, 20) 상에 2차 절단 예정선(815, 816)을 따라 크랙이 전파되도록 하고, 제 2 상부 휠(813)이 제 1 기판(10)의 표면에 2차 절단 예정선(815)을 형성한 다음 원래의 위치로 이동할 때, 제 2 상부 휠(813)과 연동하여 2차 절단 예정선(815)을 따라 압력을 인가하면서 이동할 수 있도록 함으로써, 보다 효과적으로 2차 절단 예정선(815)에 압력을 인가할 수 있으며, 유리기판과의 마찰력이 작아 정전기 특성이 우수하고, 파티클의 발생량이 적은 우레탄 재질을 적용하는 것이 바람직하다.As described in detail with reference to FIG. 51C, the second roll 817 may be a portion of the secondary cutting schedule line 815 formed by the second upper wheel 813 in the same manner as the first roll 808. Pressure is simultaneously applied to the plurality of portions so that the cracks propagate along the second cutting lines 815 and 816 on the first and second substrates 10 and 20, and the second upper wheel 813 is the first. When the secondary cutting line 815 is formed on the surface of the substrate 10 and then moved to the original position, pressure is applied along the secondary cutting line 815 in cooperation with the second upper wheel 813. By making it possible to move, pressure can be applied to the secondary cutting schedule line 815 more effectively, and the frictional force with the glass substrate is small, and thus, it is preferable to apply a urethane material having excellent electrostatic properties and low generation of particles.
그리고, 도 51g에 도시한 바와 같이, 상기 언로딩부(840)에서는 상기 1차,2차 절단 예정선(806, 807, 815, 816)을 따라 순차적으로 절삭되는 단위 액정 패널들을 후속 공정이 진행될 장비로 이송한다.As illustrated in FIG. 51G, in the unloading unit 840, a subsequent process may be performed on the unit liquid crystal panels sequentially cut along the first and second cutting schedule lines 806, 807, 815, and 816. Transfer to equipment.
상기 순차적으로 절삭된 단위 액정 패널들은 상기 로딩부(800)로 이송될 때에 비해 90°회전된 상태이므로, 도 51g에 도시한 바와 같이, 언로딩부(840)에 제 2 회전부(850)를 내재시켜 단위 액정 패널들을 90°회전시킨 다음 후속 공정이 진행될 장비로 언로딩함으로써, 후속 공정을 편리하게 진행할 수 있다.Since the sequentially cut unit liquid crystal panels are rotated by 90 ° compared to when they are transferred to the loading unit 800, as illustrated in FIG. 51G, the second rotating unit 850 is embedded in the unloading unit 840. By rotating the unit liquid crystal panels by 90 ° and then unloading the equipment to which the subsequent process is to proceed.
또한, 상기 후속 공정에서 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에 컬러필터 기판이 적층된 상태의 단위 액정 패널을 요구할 경우에 도 51g에 도시한 바와 같이, 언로딩부(840)에 제 1 반전부(860)를 내재시켜 언로딩되는 단위 액정 패널들을 반전시킨 다음 후속 공정이 진행될 장비로 이송할 수 있다.In addition, when the unit liquid crystal panel in which the color filter substrate is stacked on the thin film transistor array substrate is required in the subsequent process, as shown in FIG. 51G, the first inverting portion 860 is disposed in the unloading portion 840. The unloaded unit liquid crystal panels may be inverted and then transferred to equipment to be subjected to subsequent processes.
상기한 바와 같은, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 절단 장치 및 그 방법은 1차례의 회전과 2차례의 제 1, 제 2 기판 동시 스크라이빙을 통해 1 차, 2 차 절단 예정선을 형성하면서, 1 차, 2 차 절단 예정선의 적어도 한 부분에 제 1,제 2 롤을 통해 압력을 인가하는 방식으로 제 1, 제 2 기판을 단위 액정 패널로 절단할 수 있게 된다.As described above, the apparatus and method for cutting a liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention are intended to cut the first and second cutting lines through one rotation and two simultaneous scribing of the first and second substrates. The first and second substrates can be cut into the unit liquid crystal panel by applying pressure to at least one portion of the primary and secondary cutting lines, through the first and second rolls, while forming the.
한편, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판이 대향 합착된 단위 액정 패널들은 제 1, 제 2 기판 상에 일정하게 이격되도록 제작되며, 그 단위 액정 패널들이 형성되지 않은 제 1, 제 2 기판의 외곽에는 액정 표시장치의 모델에 따라 합착된 제 1, 제 2 기판의 비틀림을 방지하기 위해 더미 씨일재가 형성된다.Meanwhile, the unit liquid crystal panels in which the thin film transistor array substrate and the color filter substrate are opposed to each other are manufactured to be uniformly spaced apart on the first and second substrates, and the outer edges of the first and second substrates on which the unit liquid crystal panels are not formed. The dummy seal material is formed in the first and second substrates in order to prevent twisting of the first and second substrates bonded together according to the model of the liquid crystal display.
상기 더미 UV경화형 씨일재(40,50)가 형성된 제 1, 제 2 기판을 절삭하기 위하여 본 발명의 일 실시예를 적용할 경우에는 절삭된 제 1, 제 2 기판이 쉽게 분리되지 않을 수 있다.When the embodiment of the present invention is applied to cut the first and second substrates on which the dummy UV-curable seal materials 40 and 50 are formed, the cut first and second substrates may not be easily separated.
도 52는 상기 더미 UV경화형 씨일재가 형성된 제 1, 제 2 기판을 효과적으로 절삭 및 분리시킬 수 있는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 절단 장치 및 그 방법에 대한 블록구성을 보인 예시도이다. 이에 도시한 바와 같이, 단위 액정 패널들이 제작된 제 1, 제 2 기판을 제 1 테이블에 로딩한 다음 정렬시키는 로딩부(900)와, 상기 제 1, 제 2 기판을 제 1 테이블과 소정거리 이격된 제 2 테이블의 사이에 걸쳐지도록 로딩하여 흡착한 다음 제 1 상부 휠과 제 1 하부 휠을 통해 제 1, 제 2 기판의 표면에 1차 절단 예정선을 형성하고, 상기 제 1, 제 2 테이블을 서로 멀어지는 방향으로 이동시켜 제 1, 제 2 기판을 순차적으로 절삭하는 제 1 스크라이빙부(910)와, 상기 절삭된 제 1, 제 2 기판을 90°회전시키는 제 1 회전부(920)와, 상기 회전된 제 1, 제 2 기판을 소정거리 이격된 제 3, 제 4 테이블의 사이에 걸쳐지도록 로딩하여 흡착한 다음 제 2 상부 휠과 제 2 하부 휠을 통해 제 1, 제 2 기판의 표면에 2차 절단 예정선을 형성하고, 상기 제 3, 제 4 테이블을 서로 멀어지는 방향으로 이동시켜 제 1, 제 2 기판을 순차적으로 절삭하는 제 2 스크라이빙부(930)와, 상기 제 1, 제 2 스크라이빙부(910, 930)에 의해 절삭 및 분리된 단위 액정 패널을 언로딩하여 후속공정이 진행될 장비로 이송하는 언로딩부(940)로 구성된다.FIG. 52 is an exemplary view illustrating a block configuration of a cutting device and a method of a liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention capable of effectively cutting and separating the first and second substrates on which the dummy UV-curable seal material is formed. As shown in the drawing, a loading unit 900 for loading and then aligning the first and second substrates on which the unit liquid crystal panels are manufactured is placed on the first table, and separating the first and second substrates from the first table by a predetermined distance. After loading and adsorbed so as to span the second table, the first cutting wheel and the first lower wheel form a first cutting schedule line on the surfaces of the first and second substrates, and the first and second tables. A first scribing unit 910 for sequentially cutting the first and second substrates by moving them in a direction away from each other, a first rotating unit 920 for rotating the cut first and second substrates by 90 °, The rotated first and second substrates are loaded and adsorbed so as to span between the third and fourth tables spaced apart from each other by a predetermined distance, and then are attached to the surfaces of the first and second substrates through the second upper wheel and the second lower wheel. Room to form a second cutting schedule line, the third and fourth table away from each other Unloading the second scribing unit 930 for sequentially cutting the first and second substrates and the unit liquid crystal panel cut and separated by the first and second scribing units 910 and 930. It consists of an unloading unit 940 to transfer to the equipment to be carried out by the subsequent process.
한편, 도 53a 내지 도 53g는 상기 도 52의 각 블록에서 실시되는 순차적인 공정을 상세히 보인 예시도로서, 이를 참조하여 본 발명에 의한 액정 패널의 절단 장치 및 그 방법의 다른 실시예를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.53A to 53G are exemplary views illustrating the sequential processes performed in each block of FIG. 52 in detail, and in more detail, an apparatus and method for cutting a liquid crystal panel according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Is as follows.
먼저, 도 53a에 도시한 바와 같이, 상기 로딩부(900)에서는 박막 트랜지스터 어레이 기판들과 컬러필터 기판들이 형성되어 서로 대향하도록 합착된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 제 1 테이블(905)에 로딩한 다음 정렬마크(906)를 통해 정렬시킨다.First, as illustrated in FIG. 53A, in the loading unit 900, thin film transistor array substrates and color filter substrates are formed and bonded to the first and second substrates 10 and 20 to face each other. 905 and then align through alignment mark 906.
상기 제 1, 제 2 기판(10, 20)은 컬러필터 기판들이 형성된 제 2 기판(20) 상에 박막 트랜지스터 어레이 기판들이 형성된 제 1 기판(10)이 적층된 상태로 로딩함으로써, 반대로 적층한 경우에 비해 제1 , 제 2 기판(10, 20)의 절삭과정에서 박막 트랜지스터 어레이 기판이나 컬러필터 기판에 가해지는 충격을 완화시킬 수 있다.When the first and second substrates 10 and 20 are stacked on the second substrate 20 on which the color filter substrates are formed, the first and second substrates 10 on which the thin film transistor array substrates are formed are stacked in the stacked state. In comparison, the impact applied to the thin film transistor array substrate and the color filter substrate during the cutting of the first and second substrates 10 and 20 can be alleviated.
그리고, 도 53b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 스크라이빙부(910)에서는 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 제 1 테이블(905)과 일정하게 이격된 제 2 테이블(911) 사이에 걸쳐지도록 로딩하여 흡착홀(912)을 통해 흡착한 다음 제 1, 제 2 테이블(905, 911) 사이의 이격된 공간에서 제 1 상부 휠(913)과 제 1 하부휠(914)을 통해 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 1차 절단 예정선(915, 916)을 순차적으로 형성한다.As shown in FIG. 53B, in the first scribing unit 910, the first and second substrates 10 and 20 are disposed between the first table 905 and the second table 911 which are regularly spaced apart from each other. The first upper wheel 913 and the first lower wheel 914 in the spaced apart space between the first and second tables 905 and 911. First, primary cutting schedule lines 915 and 916 are sequentially formed on the surfaces of the second and second substrates 10 and 20.
상기 제 1 기판(10) 상에 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판들의 일측은 제 2 기판(20) 상에 형성된 컬러필터 기판들의 대응하는 일측에 비해 돌출되게끔 형성된다. 이는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 좌우방향 일측에 형성되는 게이트 패드부 및 상하방향 일측에 형성되는 데이터 패드부에 기인하는 것이다.One side of the thin film transistor array substrates formed on the first substrate 10 is formed to protrude relative to a corresponding side of the color filter substrates formed on the second substrate 20. This is due to the gate pad part formed on one side of the thin film transistor array substrate and the data pad part formed on one side of the vertical direction.
따라서, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판들(제 1 기판, 10)의 일측이 컬러필터 기판들(제 2 기판, 20)의 대응하는 일측에 비해 돌출된 영역에서는 제 1 상부 휠(913)을 기준선(R1)의 일측으로 소정거리 이격시켜 제 1 기판(10)의 표면에 1차 절단 예정선(915)을 형성하며, 제 1 하부 휠(914)을 기준선(R1)으로부터 제 1 상부 휠(913)과 대응되는 반대방향으로 소정거리 이격시켜 제 2 기판(20)의 표면에 1차절단 예정선(916)을 형성한다.Therefore, in an area where one side of the thin film transistor array substrates (first substrate) 10 protrudes from the corresponding one side of the color filter substrates (second substrate) 20, the first upper wheel 913 is referred to as the reference line R1. The first cutting wheel 914 is formed on the surface of the first substrate 10 by being spaced a predetermined distance away from one side, and the first lower wheel 914 is aligned with the first upper wheel 913 from the reference line R1. The first cutting schedule line 916 is formed on the surface of the second substrate 20 by being spaced a predetermined distance in a corresponding opposite direction.
한편, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판들의 게이트 패드부 또는 데이터 패드부가 형성되지 않는 영역(즉, 박막 트랜지스터 어레이 기판들이 컬러필터 기판들에 비해 돌출되지 않은 영역)에서는 제 1 상부 휠(913)과 제 1 하부 휠(914)을 서로 일치하도록 정렬시켜 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 각기 1차 절단 예정선(915, 916)을 형성한다.Meanwhile, in the region where the gate pad portion or the data pad portion of the thin film transistor array substrates is not formed (that is, the region in which the thin film transistor array substrates do not protrude relative to the color filter substrates), the first upper wheel 913 and the first lower portion are formed. The wheels 914 are aligned with each other to form first cut lines 915 and 916 on the surfaces of the first and second substrates 10 and 20, respectively.
그리고, 도 53c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 스크라이빙부(910)에서는 제 1, 제 2 기판(10, 20)이 흡착홀(912)에 의해 흡착된 제 1, 제 2 테이블(905, 911)을 서로 멀어지는 방향으로 이동시켜 1차 절단 예정선(915, 916)을 따라 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 절삭 및 분리시킨다.As shown in FIG. 53C, in the first scribing unit 910, the first and second tables 905 and the first and second substrates 10 and 20 are adsorbed by the adsorption holes 912. The first and second substrates 10 and 20 are cut and separated along the first cutting schedule lines 915 and 916 by moving 911 in a direction away from each other.
상기 흡착홀(912)은 제 1, 제 2 기판(10, 20)이 놓여지는 제 1, 제 2 테이블(905, 911)의 표면에 일정하게 이격되어 형성되며, 제 1, 제 2 기판(10, 20)이 제 1, 제 2 테이블(905, 911)에 흡착되어 유동되지 않도록 공기를 빨아들이고, 분리된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 이송할 때는 공기를 불어넣어 제 1, 제 2 테이블(905, 911)로부터 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 탈착시킨다.The suction holes 912 are formed to be uniformly spaced apart from the surfaces of the first and second tables 905 and 911 on which the first and second substrates 10 and 20 are placed. , 20 sucks air so as not to flow by being adsorbed to the first and second tables 905 and 911, and blows air when conveying the separated first and second substrates 10 and 20, The first and second substrates 10 and 20 are detached from the second tables 905 and 911.
한편, 상기 흡착홀(912)은, 도 54에 도시한 바와 같이, 제 1, 제 2 테이블(1005, 1011)의 표면에 일정한 면적을 갖는 흡착부(1012)와 같은 형태로 형성함으로써, 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 보다 효과적으로 흡착시킬 수 있으며, 흡착압력을 높게 설정할 경우에 흡착홀(912)에 의해 제 1, 제 2 기판(10, 20)에 발생할 수 있는 돗트(dot) 검정 얼룩을 방지할 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 54, the suction hole 912 is formed in the same shape as the suction part 1012 having a constant area on the surfaces of the first and second tables 1005 and 1011. , The second substrate 10, 20 can be more effectively adsorbed, and a dot that can be generated in the first and second substrates 10, 20 by the adsorption hole 912 when the adsorption pressure is set high. Black stains can be prevented.
그리고, 도 53d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 회전부(920)에서는 절삭된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 90°회전시킨다.As shown in FIG. 53D, the first and second substrates 10 and 20 that are cut by the first rotating part 920 are rotated by 90 degrees.
그리고, 도 53e에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 스크라이빙부(930)에서는 회전된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 일정하게 이격된 제 3, 제 4 테이블(931, 932) 사이에 걸쳐지도록 로딩하여 흡착홀(933)을 통해 흡착한 다음 제 3, 제 4 테이블(931, 932) 사이의 이격된 공간에서 제 2 상부 휠(934)과 제 2 하부 휠(935)을 통해 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 2차 절단 예정선(936, 937)을 순차적으로 형성한다.As shown in FIG. 53E, in the second scribing unit 930, the rotated first and second substrates 10 and 20 are uniformly spaced between the third and fourth tables 931 and 932. The second upper wheel 934 and the second lower wheel 935 in the spaced apart space between the third and fourth tables 931 and 932. First, secondary cutting schedule lines 936 and 937 are sequentially formed on the surfaces of the second substrates 10 and 20.
상기 도 53b를 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 제 2 상부 휠(934) 및 제 2 하부 휠(935)은 제 1 상부 휠(913) 및 제 1 하부 휠(914)과 동일하게 박막 트랜지스터 어레이 기판들의 일측이 컬러필터 기판들의 대응하는 일측에 비해 돌출된 영역에서는 기준선(R1)으로부터 서로 대응되는 반대방향으로 소정거리 이격되도록 하여 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 2차 절단 예정선(936, 937)을 형성하고, 한편 박막 트랜지스터 어레이 기판들이 컬러필터 기판들에 비해 돌출되지 않은 영역에서는 제 2 상부 휠(934) 및 제 2 하부 휠(935)을 서로 일치하도록 정렬시켜 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 2차 절단 예정선(936, 937)을 형성한다.As described with reference to FIG. 53B, the second upper wheel 934 and the second lower wheel 935 are the same as the first upper wheel 913 and the first lower wheel 914 of the thin film transistor array substrates. In a region where one side protrudes from the corresponding side of the color filter substrates, the second cutting schedule line is formed on the surfaces of the first and second substrates 10 and 20 by being spaced apart from the reference line R1 by a predetermined distance in the opposite direction. 936 and 937, and in the region where the thin film transistor array substrates are not protruded compared to the color filter substrates, the second upper wheel 934 and the second lower wheel 935 are aligned to coincide with each other. Second cut lines 936 and 937 are formed on the surfaces of the second substrates 10 and 20.
그리고, 도 53f에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 스크라이빙부(930)에서는 제 1, 제 2 기판(10, 20)이 흡착홀(933)에 의해 흡착된 제 3, 제 4 테이블(931, 932)을 서로 멀어지는 방향으로 이동시켜 2차 절단 예정선(936, 937)을 따라 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 절삭 및 분리시킨다.As shown in FIG. 53F, in the second scribing unit 930, the third and fourth tables 931, in which the first and second substrates 10 and 20 are adsorbed by the adsorption holes 933. The first and second substrates 10 and 20 are cut and separated along the secondary cutting lines 936 and 937 by moving the 932 in a direction away from each other.
상기 제 3, 제 4 테이블(931, 932)의 표면에 형성된 흡착홀(933)은 전술한 제 1, 제 2 테이블(905, 911)의 표면에 형성되는 흡착홀(912)과 동일하며, 도 54의 예시도에 도시한 바와 같이, 일정한 면적을 갖는 흡착부(1012)와 같은 형태로 형성할 수 있다.The suction holes 933 formed on the surfaces of the third and fourth tables 931 and 932 are the same as the suction holes 912 formed on the surfaces of the first and second tables 905 and 911. As shown in the exemplary diagram of 54, it can be formed in the same form as the adsorption portion 1012 having a constant area.
그리고, 도 53g에 도시한 바와 같이, 상기 언로딩부(940)에서는 상기 1차, 2차 절단 예정선(915, 916, 936, 937)을 따라 순차적으로 절삭되는 단위 액정 패널들을 후속공정이 진행될 장비로 이송한다.As illustrated in FIG. 53G, in the unloading unit 940, a subsequent process may be performed on the unit liquid crystal panels sequentially cut along the primary and secondary cutting schedule lines 915, 916, 936, and 937. Transfer to equipment.
상기 순차적으로 절삭된 단위 액정 패널들은 상기 로딩부(900)로 이송될 때에 비해 90°회전된 상태이므로, 도 53g에 도시한 바와 같이, 언로딩부(940)에 제 2 회전부(950)를 내재시켜 단위 액정 패널들을 90°회전시킨 다음 후속 공정이 진행될 장비로 언로딩함으로써, 후속 공정을 편리하게 진행할 수 있다.Since the sequentially cut unit liquid crystal panels are rotated by 90 ° compared to when they are transferred to the loading unit 900, as shown in FIG. 53G, the second rotating unit 950 is embedded in the unloading unit 940. By rotating the unit liquid crystal panels by 90 ° and then unloading the equipment to which the subsequent process is to proceed.
또한, 상기 후속 공정에서 박막 트랜지스터 어레이 기판 상에 컬러필터 기판이 적층된 상태의 단위 액정 패널을 요구할 경우에, 도 53g에 도시한 바와 같이, 언로딩부(940)에 제 1 반전부(960)를 내재시켜 언로딩되는 단위 액정 패널들을 반전시킨 다음 후속 공정이 진행될 장비로 이송할 수 있다.In addition, when the unit liquid crystal panel in which the color filter substrate is stacked on the thin film transistor array substrate is required in the subsequent process, as illustrated in FIG. 53G, the first inverting portion 960 is disposed in the unloading portion 940. Inverting the unit liquid crystal panel to be unloaded by inverting it may be transferred to the equipment to be subjected to the subsequent process.
상기한 바와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 절단 장치 및 그 방법은 1차례의 회전과 2차례의 제 1, 제 2 기판 동시 스크라이빙을 통해 1차,2차 절단 예정선을 형성하면서, 제 1, 제 2 기판이 로딩 흡착되는 제 1, 제 2 테이블 또는 제 3,제 4 테이블을 서로 멀어지는 방향으로 이동시키는 방식을 통해 제 1, 제 2 기판을 단위 액정 패널로 절단할 수 있게 된다.The apparatus and method for cutting a liquid crystal panel according to another exemplary embodiment of the present invention as described above provide a first and second cutting schedule lines through one rotation and two simultaneous scribing of the first and second substrates. While forming, the first and second substrates may be cut into the unit liquid crystal panel by moving the first and second tables or the third and fourth tables on which the first and second substrates are loaded and adsorbed in a direction away from each other. Will be.
한편, 상기 본 발명의 일 실시예나 다른 실시예에서 상기 제 1, 제 2 기판으로부터 단위 액정 패널들을 절삭하는 제 1, 제 2 스크라이빙 공정은 먼저, 제 1, 제 2 기판으로부터 단위 액정 패널들이 형성되지 않은 더미영역을 절삭하여 제거하는 제 1 절삭 공정과, 상기 제 1, 제 2 기판으로부터 단위 액정 패널들이 형성된 영역을 절삭하는 제 2 절삭 공정을 교번하여 수행하여야 한다.Meanwhile, in one embodiment or another embodiment of the present invention, the first and second scribing processes for cutting the unit liquid crystal panels from the first and second substrates may be performed by first unit liquid crystal panels from the first and second substrates. The first cutting process of cutting and removing the dummy region not formed and the second cutting process of cutting the region where the unit liquid crystal panels are formed from the first and second substrates are alternately performed.
즉, 상기 제 1 절삭 공정에서는 도 55a에 도시한 바와 같이, 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 소정거리 이격된 제 1, 제 2 테이블(703, 704) 사이에 걸쳐지도록 이동시킨 다음 제 1 상부 휠(705)과 제 1 하부 휠(706)을 통해 제 1 절단 예정선(707)을 형성하고, 본 발명의 일 실시예처럼 롤을 통해 제 1 절단 예정선(707)의 적어도 한 부분에 압력을 인가하거나, 본 발명의 다른 실시예처럼 제 1, 제 2 기판(10, 20)이 흡착된 제 1, 제 2 테이블(703, 704)을 서로 멀어지는 방향으로 이동시켜 제 1, 제 2 기판(10, 20)으로부터 단위 액정 패널들이 형성되지 않은 일측의 더미영역(709)을 절삭한다.That is, in the first cutting process, as shown in FIG. 55A, the first and second substrates 10 and 20 are moved to span the first and second tables 703 and 704 spaced apart by a predetermined distance. The first cutting line 707 is formed through the first upper wheel 705 and the first lower wheel 706, and at least one of the first cutting line 707 is formed through the roll as in an embodiment of the present invention. The pressure is applied to the portion, or the first and second tables 703 and 704 to which the first and second substrates 10 and 20 are adsorbed are moved in a direction away from each other, as in another embodiment of the present invention. 2, the dummy region 709 on one side of which the unit liquid crystal panels are not formed is cut from the substrates 10 and 20.
그리고, 상기 제 2 절삭 공정에서는 도 55b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 절삭 공정에 의해 단위 액정 패널들이 형성되지 않은 일측의 더미영역(709)이 제거된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 제 1, 제 2 테이블(703, 704) 사이에 걸쳐지도록 일측방향으로 이동시킨 다음 제 1 상부 휠(705)과 제 1 하부 휠(706)을 통해 제 2 절단 예정선(708)을 형성하고, 본 발명의 일 실시예처럼 롤을 통해 제 1 절단 예정선(707)의 적어도 한 부분에 압력을 인가하거나, 본 발명의 다른 실시예처럼 제 1, 제 2 기판(10, 20)이 흡착된 제 1, 제 2 테이블(703, 704)을 서로 멀어지는방향으로 이동시켜 제 1, 제 2 기판(10, 20)으로부터 단위 액정 패널들을 절삭한다.In the second cutting process, as illustrated in FIG. 55B, the first and second substrates 10 and 20 in which the dummy region 709 on one side where the unit liquid crystal panels are not formed are removed by the first cutting process. ) Is moved in one direction to span between the first and second tables 703 and 704, and then a second cutting line 708 is formed through the first upper wheel 705 and the first lower wheel 706. And apply pressure to at least one portion of the first cutting line 707 through the roll as in one embodiment of the present invention, or adsorb the first and second substrates 10 and 20 as in other embodiments of the present invention. The first liquid crystal panels are cut from the first and second substrates 10 and 20 by moving the first and second tables 703 and 704 away from each other.
이후에는, 다시 제 1, 제 2 기판(10, 20)으로부터 단위 액정 패널들이 형성되지 않은 더미영역(709)을 절삭하는 제 1 절삭 공정이 수행된 다음 제 1, 제 2 기판(10, 20)으로부터 단위 액정 패널들을 절삭하는 제 2 절삭 공정이 반복 수행된다.Subsequently, a first cutting process of cutting the dummy region 709 in which the unit liquid crystal panels are not formed from the first and second substrates 10 and 20 is performed again, followed by the first and second substrates 10 and 20. The second cutting process of cutting the unit liquid crystal panels from is repeatedly performed.
그런데, 상기 본 발명의 일 실시예가 적용될 경우는 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 비틀림을 방지하기 위해 단위 액정 패널들이 형성되지 않은 외곽에 더미 씨일재가 형성된 모델을 적용할 때, 제 1 절삭 공정이나 제 2 절삭 공정에서 더미영역(709)과 단위 액정 패널이 완전하게 분리되지 않는 현상이 발생할 수 있다.However, when the exemplary embodiment of the present invention is applied, when applying the model in which the dummy seal material is formed on the outside where the unit liquid crystal panels are not formed in order to prevent twisting of the first and second substrates 10 and 20, In the cutting process or the second cutting process, the dummy region 709 and the unit liquid crystal panel may not be completely separated.
또한, 상기 본 발명의 다른 실시예가 적용될 경우는 제 2 절삭 공정에서는 상기 단위 액정 패널의 면적이 충분히 넓기 때문에 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 제 1, 제 2 테이블(703, 704)에 흡착하여 단위 액정 패널들을 절삭할 수 있지만, 제 1절삭 공정에서는 상기 더미영역(709)의 면적이 협소하기 때문에 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 제 1, 제 2 테이블(703, 704)에 흡착할 수 없는 문제가 있다.In addition, when another embodiment of the present invention is applied, since the area of the unit liquid crystal panel is sufficiently large in the second cutting process, the first and second substrates 10 and 20 may be replaced by the first and second tables 703 and 704. Although the unit liquid crystal panels may be cut by adsorbing on the first liquid crystal panels, the first and second substrates 10 and 20 may be replaced by the first and second tables 703, because the area of the dummy region 709 is narrow in the first cutting process. 704) cannot be adsorbed.
도 56a 내지 도 56f는 상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예와 다른 실시예에 의한 문제들을 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예를 보인 예시도로서, 이를 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정 패널의 절단 방법을 상세히 설명하면 다음과 같다.56A to 56F are exemplary views showing another embodiment of the present invention for solving problems according to an embodiment of the present invention and another embodiment as described above, and with reference to this another embodiment of the present invention. Hereinafter, the cutting method of the liquid crystal panel according to the present invention will be described in detail.
먼저, 도 56a에 도시한 바와 같이, 단위 액정 패널들이 일정하게 이격되어형성된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 제 1 테이블(604)에 로딩한 다음 단위 액정 패널들이 형성되지 않은 더미영역(605)이 제 1 테이블(604)의 일측으로 돌출되도록 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 일측으로 이동시켜 흡착한다.First, as shown in FIG. 56A, the first and second substrates 10 and 20 formed by uniformly spaced unit liquid crystal panels are loaded onto the first table 604, and then a dummy region where unit liquid crystal panels are not formed. The first and second substrates 10 and 20 are moved to one side and adsorbed so that the 605 protrudes to one side of the first table 604.
그리고, 도 56b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 테이블(604)로부터 돌출된 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 제 1 상부 휠(606)과 제 1 하부 휠(607)을 통해 제 1 절단 예정선(608)을 형성한다.56B, the first upper wheel 606 and the first lower wheel 607 are placed on the surfaces of the first and second substrates 10 and 20 protruding from the first table 604. Through the first cutting line 608 is formed.
그리고, 도 56c에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 절단 예정선(608)이 형성된 제 1, 제 2 기판(10, 20)으로부터 로봇 그립(robot grip, 609)을 통해 단위 액정 패널들이 형성되지 않은 더미영역(605)을 떼어내 제거한다.56C, unit liquid crystal panels are not formed through the robot grips 609 from the first and second substrates 10 and 20 on which the first cutting line 608 is formed. The dummy area 605 is removed and removed.
상기 로봇 그립(609)을 통해 제 1, 제 2 기판(10, 20)으로부터 더미영역(605)을 보다 용이하게 떼어내기 위해서 상기 제 1 상부 휠(606)과 제 1 하부 휠(607)을 통해 제 1 절단 예정선(608)을 형성한 다음 본 발명의 일 실시예에서와 같이 롤을 통해 제 1 절단 예정선(608)의 적어도 한 부분 또는 제 1 절단 예정선(608)을 따라 압력을 인가하여 크랙이 전파되도록 할 수 있다.Through the first upper wheel 606 and the first lower wheel 607 to more easily separate the dummy region 605 from the first and second substrates 10 and 20 through the robot grip 609. After forming the first cut line 608, pressure is applied along the first cut line 608 or at least a portion of the first cut line 608 through a roll, as in one embodiment of the invention. Cracks can be propagated.
한편, 상기 로봇 그립(609)은 액정 표시장치의 모델에 따라 액정 패널의 크기가 달라지므로, 서브모터(sub motor) 등을 이용하여 폭을 제어할 수 있도록 제작하는 것이 바람직하며, 또한 컬러필터 기판들이 형성된 제 2 기판(20) 상에 박막 트랜지스터 어레이 기판들이 형성된 제 1 기판(10)이 적층된 경우에는 단위 액정 패널의 박막 트랜지스터 기판이 컬러필터 기판에 비해 돌출되어 있으므로, 로봇 그립(609)이 제 1, 제 2 기판(10, 20)에 비해 낮은 위치에서 더미영역(605)을 잡을수 있도록 하며, 반대의 경우에는 제 1, 제 2 기판(10, 20)에 비해 높은 위치에서 더미영역(605)을 잡을 수 있도록 하여 단위 액정 패널에 가해질 수 있는 충격을 미연에 방지하여야 한다. 이를 위해 로봇 그립(609)은 서브모터 등을 이용하여 높이를 제어할 수 있도록 제작하는 것이 바람직하다.On the other hand, since the size of the liquid crystal panel varies depending on the model of the liquid crystal display device, the robot grip 609 may be manufactured to control the width by using a sub motor or the like, and the color filter substrate When the first substrate 10 on which the thin film transistor array substrates are formed is stacked on the second substrate 20 on which the thin film transistor array is formed, since the thin film transistor substrate of the unit liquid crystal panel is protruded compared to the color filter substrate, the robot grip 609 The dummy region 605 can be held at a position lower than the first and second substrates 10 and 20, and in the opposite case, the dummy region 605 at a position higher than the first and second substrates 10 and 20. ), So as not to damage the unit liquid crystal panel. For this purpose, the robot grip 609 is preferably manufactured to control the height using a submotor or the like.
그리고, 도 56d에 도시한 바와 같이, 상기 더미영역(605)이 제거된 제 1, 제 2 기판(10, 20)을 제 1 테이블(604)과 소정거리 이격된 제 2 테이블(650) 사이에 걸쳐지도록 일측으로 이동시켜 흡착한다.56D, the first and second substrates 10 and 20 from which the dummy region 605 is removed are disposed between the first table 604 and the second table 650 spaced a predetermined distance apart. Adsorb by moving to one side so as to hang.
그리고, 도 56e에 도시한 바와 같이, 상기 제 1, 제 2 테이블(604, 650) 사이의 이격된 공간에서 제 1 상부 휠(606)과 제 1 하부 휠(607)을 통해 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 표면에 제 2 절단 예정선(611)을 형성한다.As shown in FIG. 56E, the first and second wheels 606 and 650 are spaced apart between the first and second tables 604 and 650 through the first upper wheel 606 and the first lower wheel 607. A second cutting schedule line 611 is formed on the surfaces of the substrates 10 and 20.
그리고, 도 56f에 도시한 바와 같이, 상기 제 1, 제 2 테이블(604, 650)을 서로 멀어지는 방향으로 이동시켜 제 2 절단 예정선(611)을 따라 제 1, 제 2 기판(10, 20)으로부터 단위 액정 패널을 절삭 및 분리시킨다.As shown in FIG. 56F, the first and second tables 604 and 650 are moved in a direction away from each other, and the first and second substrates 10 and 20 are along the second cutting schedule line 611. The unit liquid crystal panel is cut from and separated.
상기 제 1, 제 2 테이블(604, 650)을 서로 멀어지는 방향으로 이동시켜 제 1, 제 2 기판(10, 20)으로부터 단위 액정 패널을 보다 용이하게 절삭 및 분리시키기 위해서 상기 제 1 상부 휠(606)과 제 1 하부 휠(607)을 통해 제 2 절단 예정선(611)을 형성한 다음 본 발명의 일 실시예에서와 같이 롤을 통해 제 2 절단 예정선(611)의 적어도 한 부분 또는 제 2 절단 예정선(611)을 따라 압력을 인가하여 크랙이 전파되도록 할 수 있다.The first upper wheel 606 to move the first and second tables 604 and 650 in a direction away from each other to more easily cut and separate the unit liquid crystal panel from the first and second substrates 10 and 20. And the second cut line 611 through the first lower wheel 607 and then at least one portion or second of the second cut line 611 through the roll as in one embodiment of the present invention. Pressure may be applied along the cutting line 611 to propagate the crack.
여기서, 상기에서 설명한 각 휠의 구성을 설명하면 다음과 같다.Here, the configuration of each wheel described above is as follows.
도 57a 및 도 57b는 본 발명에 따른 액정 패널의 절단에 사용되는 절단 휠의 실시예를 보인 예시도이다.57A and 57B are exemplary views showing an embodiment of a cutting wheel used for cutting a liquid crystal panel according to the present invention.
도 57a 및 도 57b에 도시한 바와 같이, 동전 형태의 절단 휠(60)은 탄화 텅스텐(tungsten carbide : WC) 또는 다이아몬드로 제작되고, 지지축(도면상에 도시되지 않음)을 수용하기 위하여 중심부에 관통홀(61)이 형성되며, 그 절단 휠(60)의 가장자리를 따라 앞면과 뒷면이 연마된 날카로운 날(62)들이 일정한 간격으로 이격되도록 요철구조로 형성되어 있다. 이와 같은 휠(60)은 일정한 압력으로 유리재질의 액정 패널과 밀착되어 회전하면서 일정한 깊이의 홈을 형성한다. 또한, 절단 휠(60)은 요철구조의 날(52)이 적용됨에 따라 액정 패널과의 미끌림을 억제할 수 있게 되어 비정상적인 홈이 형성되는 것을 방지할 수 있고, 또한 액정 패널과 밀착되어 회전하면서 액정 패널에 충격을 줌으로써, 이에 따라 크랙의 전파 경향이 일정한 방향으로 편중됨과 아울러 절단 휠(60)과 액정 패널 사이의 밀착되는 압력에 의해 액정 패널의 절삭이 이루어질 수 있게 된다.As shown in Figs. 57A and 57B, the coin-shaped cutting wheel 60 is made of tungsten carbide (WC) or diamond and has a central portion to accommodate a support shaft (not shown). The through hole 61 is formed, and the edges of the cutting wheel 60 are formed in a concave-convex structure such that the sharp edges 62 polished at the front and back are spaced at regular intervals. The wheel 60 is in close contact with the liquid crystal panel of the glass material at a constant pressure to form a groove of a constant depth while rotating. In addition, the cutting wheel 60 is able to suppress the sliding with the liquid crystal panel as the blade 52 of the concave-convex structure is applied, thereby preventing the formation of abnormal grooves, and also in close contact with the liquid crystal panel to rotate the liquid crystal By impacting the panel, the propagation tendency of the crack is biased in a certain direction and the cutting of the liquid crystal panel can be performed by the pressure in close contact between the cutting wheel 60 and the liquid crystal panel.
이와 같은 방법으로 복수개의 단위 패널이 형성된 기판을 각각 절단하여 단위 패널별로 분리된 다음, 각 패널별로 연마 공정(S17)을 진행한다.In this manner, each of the substrates on which the plurality of unit panels are formed is cut and separated for each unit panel, and then the polishing process S17 is performed for each panel.
도 58은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 연마량 검출 패턴을 보인 예시도이고, 도 59는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 연마량 검출 패턴을 보인 예시도이다.58 is an exemplary view illustrating a polishing amount detection pattern of a liquid crystal panel according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 59 is an exemplary view illustrating a polishing amount detection pattern of a liquid crystal panel according to another exemplary embodiment of the present invention.
먼저, 도 58을 참조하면, 단위 액정 패널(350)은 액정 셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 화상표시부(313)와, 상기 화상표시부(313)의 게이트 배선(GL1∼GLm)들을 게이트 신호가 인가되는 게이트 드라이버 집적회로(도면상에 도시되지 않음)와 접속시키기 위한 게이트 패드부(314)와, 상기 화상표시부(313)의 데이터 배선(DL1∼DLn)들을 화상정보가 인가되는 데이터 드라이버 집적회로(도면상에 도시되지 않음)와 접속시키기 위한 데이터 패드부(315)로 구성된다. 이때, 게이트 패드부(314)와 데이터 패드부(315)는 제 2 기판(20)에 비해 일측 단변 및 일측 장변이 돌출된 제 1 기판(10)의 가장자리 영역에 형성된다.First, referring to FIG. 58, the unit liquid crystal panel 350 may include an image display unit 313 in which liquid crystal cells are arranged in a matrix, and gate signals applied to gate lines GL1 to GLm of the image display unit 313. A gate pad portion 314 for connecting to a gate driver integrated circuit (not shown in the figure) and a data driver integrated circuit to which image information is applied to the data lines DL1 to DLn of the image display portion 313; And a data pad portion 315 for connection with the device (not shown). In this case, the gate pad part 314 and the data pad part 315 are formed in the edge region of the first substrate 10 on which one short side and one long side protrude from the second substrate 20.
여기서, 도면상에 상세히 도시하지는 않았지만, 상기 데이터 배선(DL1∼DLn)들과 게이트 배선(GL1∼GLm)들이 수직 교차하는 영역에는 액정 셀들을 스위칭하기 위한 박막 트랜지스터가 구비되고, 그 박막 트랜지스터에 접속되어 액정 셀을 구동하는 화소전극과, 이와같은 데이터 배선(DL1∼DLn)들, 게이트 배선(GL1∼GLm)들, 박막 트랜지스터들 및 전극들을 보호하기 위해 전면에 형성된 보호막이 구비된다.Although not shown in detail in the drawing, a thin film transistor for switching liquid crystal cells is provided in a region where the data lines DL1 to DLn and the gate lines GL1 to GLm vertically intersect, and are connected to the thin film transistor. And a protective film formed on the front surface of the pixel electrode for driving the liquid crystal cell, the data lines DL1 to DLn, the gate lines GL1 to GLm, the thin film transistors, and the electrodes.
또한, 상기한 바와 같이, 제 1 기판(10)상에 데이터 배선(DL1∼DLn)들, 게이트 배선(GL1∼GLm)들 및 전극들과 같은 도전성 막들을 형성하는 경우에 발생할 수 있는 정전기를 차단하기 위해서, 상기 도전성 막들을 전기적으로 단락시키는 단락 배선(도면상에 도시되지 않음)이 제 1 기판(10)의 가장자리에 형성된다.In addition, as described above, the static electricity that may occur when conductive films such as data lines DL1 to DLn, gate lines GL1 to GLm, and electrodes are formed on the first substrate 10 may be blocked. In order to do this, a short circuit (not shown) for electrically shorting the conductive films is formed at the edge of the first substrate 10.
그리고, 상기 화상표시부(313)의 제 2 기판(20)에는 블랙 매트릭스에 의해 셀 영역별로 분리되어 도포된 컬러필터들과, 상기 제 1 기판(10)에 형성된 화소전극의 상대전극인 공통전극이 구비된다.In addition, the second substrate 20 of the image display unit 313 includes color filters separated and applied to each cell region by a black matrix, and a common electrode which is a counter electrode of a pixel electrode formed on the first substrate 10. It is provided.
상기한 바와 같이, 구성된 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)은 대향하여 일정하게 이격되도록 셀-갭이 마련되고, 화상표시부(313)의 외곽에 형성된 실링부(도면상에 도시되지 않음)에 의해 합착되며, 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20)의 이격된 공간에 액정층(도면상에 도시되지 않음)이 형성된다.As described above, the configured first substrate 10 and the second substrate 20 are provided with a cell gap so as to be spaced apart uniformly from each other, and a sealing portion (not shown in the drawing) formed on the outer side of the image display portion 313. And a liquid crystal layer (not shown) are formed in the spaced space between the first substrate 10 and the second substrate 20.
한편, 상기 게이트 패드부(314)와 데이터 패드부(315)에는 상기 데이터 배선(DL1∼DLn)들 및 게이트 배선(GL1∼GLm)들과 상기 게이트 드라이버 집적회로 및 데이터 드라이버 집적회로로부터 인출되는 접촉 핀들을 정밀하게 정렬시키기 위하여 일정한 갯수의 탭 마크(355A∼355J)들이 이격 형성되며, 예를 들어 도 58에 도시한 바와 같이, 게이트 패드부(314)에는 3개의 탭 마크(355A∼355C)들이 일정하게 이격 형성되고, 데이터 패드부(315)에는 7개의 탭 마크(355D∼355J)들이 일정하게 이격 형성된다.On the other hand, the gate pad part 314 and the data pad part 315 are brought into contact with the data lines DL1 to DLn and the gate lines GL1 to GLm and the gate driver integrated circuit and the data driver integrated circuit. A predetermined number of tab marks 355A to 355J are spaced apart to precisely align the pins. For example, as shown in FIG. 58, three tab marks 355A to 355C are formed on the gate pad portion 314. The tab pads are uniformly spaced apart, and seven tab marks 355D to 355J are regularly spaced apart from the data pad unit 315.
상기한 바와 같은, 단위 액정 패널(350)은 단위 액정 패널(350)의 끝단(END1)으로부터 연마 예정선(R1)까지 모서리가 경사지게 연마되어야 한다. 그러나, 도 38의 확대영역(EX1)에 도시한 바와 같이, 단위 액정 패널(350)의 실제로 연마된 선은 상기 연마 예정선(R1)으로부터 일정한 범위의 오차를 갖게 되고, 이와 같은 오차가 허용 한계치(D1)를 벗어날 경우에 연마 불량으로 판정된다. 여기서 D1은 200㎛ 정도가 된다.As described above, the unit liquid crystal panel 350 should be polished at an edge from the end END1 of the unit liquid crystal panel 350 to the polishing schedule line R1. However, as shown in the enlarged area EX1 of FIG. 38, the actually polished line of the unit liquid crystal panel 350 has a certain range of error from the polishing schedule line R1, and such an error is an allowable limit value. If it is out of (D1), it is determined as polishing failure. D1 is about 200 micrometers here.
현재에는 작업자가 연마된 단위 액정 패널(350)을 소정의 주기로 생산 라인에서 추출하여 별도로 마련된 측정장비로 이송하고, 그 측정장비에 마련된 고배율 카메라나 투영기 등을 통해 단위 액정 패널(350)의 실제로 연마된 선이 허용 한계치(D1)를 벗어났는지 판단할 수도 있다.Currently, the operator extracts the polished unit liquid crystal panel 350 from the production line at a predetermined cycle and transfers the same to a separate measuring device, and actually polishes the unit liquid crystal panel 350 through a high magnification camera or a projector provided in the measuring device. It is also possible to determine whether the drawn line is outside the tolerance limit D1.
본 발명의 일 실시예에서는 상기 도 58의 예시도에 도시한 바와 같이, 연마예정선(R1)을 기준으로 허용 한계치(D1)에 해당하는 영역에 연마량 식별 패턴(360)이 형성되어 있다. 이때, 허용 한계치(D1)로는 통상 연마 예정선(R1)으로부터 ±100㎛로 설정하고 있다. 또한, 상기 연마량 식별 패턴(360)이 게이트 패드부(314)에 형성될 경우에는 게이트 배선(GL1∼GLm)들을 형성할 때, 동시에 형성하고, 데이터 패드부(315)에 형성될 경우에는 데이터 배선(DL1∼DLn)들을 형성할 때, 동시에 형성하는 것이 바람직하다.In an exemplary embodiment of the present invention, as illustrated in the exemplary view of FIG. 58, the polishing amount identification pattern 360 is formed in an area corresponding to the allowable limit value D1 based on the polishing schedule line R1. At this time, as the allowable limit value D1, it is usually set to ± 100 µm from the polishing scheduled line R1. In addition, when the polishing amount identification pattern 360 is formed in the gate pad part 314, simultaneously when the gate lines GL1 to GLm are formed, the polishing amount identification pattern 360 is formed in the data pad part 315. When the wirings DL1 to DLn are formed, it is preferable to form them at the same time.
따라서, 상기 단위 액정 패널(350)의 실제로 연마된 선이 허용 한계치(D1)를 벗어났는지의 판단은 상기 연마량 식별 패턴(360)의 목시 검사(육안 검사)에 의해 이루어질 수 있게 된다.Therefore, determination of whether the actually polished line of the unit liquid crystal panel 350 deviates from the allowable limit value D1 can be made by visual inspection (visual inspection) of the polishing amount identification pattern 360.
즉, 연마가 완료된 단위 액정 패널(350)의 연마량 식별 패턴(360)을 관찰하여 연마량 식별 패턴(360)이 전혀 연마되지 않았거나 또는 연마량 식별 패턴(360)이 완전히 연마되어 관찰되지 않을 경우에는 연마 부족 또는 연마 과다의 불량 판정을 내릴 수 있게 된다.That is, the polishing amount identification pattern 360 of the polished unit liquid crystal panel 350 is observed so that the polishing amount identification pattern 360 is not polished at all or the polishing amount identification pattern 360 is completely polished and cannot be observed. In this case, it is possible to make a defect determination of lack of polishing or excessive polishing.
상기한 바와 같은, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 연마량 검출 패턴 및 이를 이용한 연마불량 판단 방법은 연마량 식별 패턴(360)의 목시 검사를 통해 단위 액정 패널(350)의 연마불량을 판단할 수 있게 됨에 따라 종래에서와 같이 별도의 측정장비가 요구되지 않고, 모든 단위 액정 패널(350)에 대하여 연마불량을 판단할 수 있게 된다.As described above, the polishing amount detection pattern of the liquid crystal panel and the polishing failure determination method using the same according to an embodiment of the present invention is to check the polishing failure of the unit liquid crystal panel 350 through visual inspection of the polishing amount identification pattern 360 As it can be determined, no separate measurement equipment is required as in the related art, and the polishing defects can be determined for all the unit liquid crystal panels 350.
한편, 도 59는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 연마량 검출 패턴을 보인 예시도이다.59 is an exemplary view illustrating a polishing amount detection pattern of a liquid crystal panel according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 59를 참조하면, 단위 액정 패널(350)은 액정 셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 화상표시부(313)와, 상기 화상표시부(313)의 게이트 배선(GL1∼GLm)들을 게이트 신호가 인가되는 게이트 드라이버 집적회로(도면상에 도시되지 않음)와 접속시키기 위한 게이트 패드부(314)와, 상기 화상표시부(313)의 데이터 배선(DL1∼DLn)들을 화상정보가 인가되는 데이터 드라이버 집적회로(도면상에 도시되지 않음)와 접속시키기 위한 데이터 패드부(315)로 구성된다. 이때, 게이트 패드부(314)와 데이터 패드부(315)는 제 2 기판(20)에 비해 일측 단변 및 일측 장변이 돌출된 제 1 기판(10)의 가장자리 영역에 형성된다.Referring to FIG. 59, the unit liquid crystal panel 350 may include an image display unit 313 in which liquid crystal cells are arranged in a matrix, and a gate driver to which gate signals are applied to gate lines GL1 to GLm of the image display unit 313. A gate pad portion 314 for connecting to an integrated circuit (not shown in the figure), and a data driver integrated circuit (on the figure) to which data information DL1 to DLn of the image display portion 313 is applied. And a data pad portion 315 for connection. In this case, the gate pad part 314 and the data pad part 315 are formed in the edge region of the first substrate 10 on which one short side and one long side protrude from the second substrate 20.
여기서, 도면상에 상세히 도시하지는 않았지만, 상기 데이터 배선(DL1∼DLn)들과 게이트 배선(GL1∼GLm)들이 수직교차하는 영역에는 액정 셀들을 스위칭하기 위한 박막 트랜지스터가 구비되고, 그 박막 트랜지스터에 접속되어 액정 셀을 구동하는 화소전극과, 이와 같은 데이터 배선(DL1∼DLn)들, 게이트 배선(GL1∼GLm)들, 박막 트랜지스터들 및 전극들을 보호하기 위해 전면에 형성된 보호막이 구비된다.Although not shown in detail in the drawing, a thin film transistor for switching liquid crystal cells is provided in a region where the data lines DL1 to DLn and the gate lines GL1 to GLm vertically cross each other, and are connected to the thin film transistor. To protect the pixel electrodes, the data lines DL1 to DLn, the gate lines GL1 to GLm, the thin film transistors, and the electrodes.
또한, 상기한 바와 같이, 제 1 기판(10)상에 데이터 배선(DL1∼DLn)들, 게이트 배선(GL1∼GLm)들 및 전극들과 같은 도전성 막들을 형성하는 경우에 발생할 수 있는 정전기를 차단하기 위해서, 상기 도전성 막들을 전기적으로 단락시키는 단락 배선(도면상에 도시되지 않음)이 제 1 기판(10)의 가장자리에 형성된다.In addition, as described above, the static electricity that may occur when conductive films such as data lines DL1 to DLn, gate lines GL1 to GLm, and electrodes are formed on the first substrate 10 may be blocked. In order to do this, a short circuit (not shown) for electrically shorting the conductive films is formed at the edge of the first substrate 10.
그리고, 상기 화상표시부(313)의 컬러필터 기판 기판인 제 2 기판(20)에는 블랙 매트릭스에 의해 셀 영역별로 분리되어 도포된 컬러필터들과, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판인 제 1 기판(10)에 형성된 화소전극의 상대전극인 공통전극이구비된다.In addition, the second substrate 20, which is the color filter substrate substrate of the image display unit 313, is applied to the color filters separated and applied for each cell region by a black matrix, and the first substrate 10, which is the thin film transistor array substrate. A common electrode that is a counter electrode of the formed pixel electrode is provided.
한편, 상기 게이트 패드부(314)와 데이터 패드부(315)에는 상기 데이터 배선(DL1∼DLn)들 및 게이트 배선(GL1∼GLm)들과 상기 게이트 드라이버 집적회로 및 데이터 드라이버 집적회로로부터 인출되는 접촉 핀들을 정밀하게 정렬시키기 위하여 일정한 갯수의 탭 마크(355A∼355J)들이 이격 형성되며, 예를 들어 도 59에 도시한 바와 같이, 게이트 패드부(314)에는 3개의 탭 마크(355A∼1355C)들이 일정하게 이격 형성되고, 데이터 패드부(315)에는 7개의 탭 마크(355D∼355J)들이 일정하게 이격 형성된다.On the other hand, the gate pad part 314 and the data pad part 315 are brought into contact with the data lines DL1 to DLn and the gate lines GL1 to GLm and the gate driver integrated circuit and the data driver integrated circuit. A certain number of tab marks 355A to 355J are spaced apart to precisely align the pins. For example, as shown in FIG. 59, three tab marks 355A to 1355C are formed on the gate pad portion 314. The tab pads are uniformly spaced apart, and seven tab marks 355D to 355J are regularly spaced apart from the data pad unit 315.
상기한 바와 같은 단위 액정 패널(350)은 단위 액정 패널(350)의 끝단(END1)으로부터 연마 예정선(R1)까지 모서리가 경사지게 연마되어야 한다. 그러나, 도 39 확대 영역(EX1)에 도시한 바와 같이, 단위 액정 패널(350)의 실제로 연마된 선은 상기 연마 예정선(R1)으로부터 일정한 범위의 오차를 갖게 되고, 이와 같은 오차가 허용 한계치(D1)를 벗어날 경우에 연마 불량으로 판정된다.The unit liquid crystal panel 350 as described above should be polished at an edge from the end END1 of the unit liquid crystal panel 350 to the polishing schedule line R1. However, as shown in the enlarged area EX1 of FIG. 39, the actually polished line of the unit liquid crystal panel 350 has a certain range of errors from the polishing schedule line R1, and such an error is caused by the tolerance limit ( If it is out of D1), it is determined that polishing is poor.
본 발명의 다른 실시예에서는 연마 예정선(R1)을 기준으로 허용 한계치(D1)에 해당하는 영역에 연마량 식별 패턴(360a∼360o)이 일정하게 이격 형성되어 있다.In another embodiment of the present invention, the polishing amount identification patterns 360a to 360o are regularly spaced apart from the polishing schedule line R1 in the region corresponding to the allowable limit value D1.
상기 연마량 식별 패턴(360a∼360o)은 연마 예정선(R1)으로부터 통상 ±100㎛ 정도로 설정된 허용 한계치(D1)까지의 거리를 일정한 단위로 분배하여 육안으로 식별할 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다.The polishing amount identification patterns 360a to 360o are preferably formed so that the distance from the polishing scheduled line R1 to the allowable limit value D1, which is usually set at about ± 100 µm, is distributed in a predetermined unit so as to be visually identified.
예를 들어, 도 59에 도시한 바와 같이, 중앙에 일정하게 이격 형성된 3개의연마량 식별 패턴(360g∼360i)의 경우에는 연마 예정선(R1)과 일치하는 선을 경계로 하여 단위 액정 패널(350)의 끝단(END1) 방향과 탭 마크(355J)가 형성된 방향의 영역이 구분되도록 형성되어 있다.For example, as shown in FIG. 59, in the case of three polishing amount identification patterns 360g to 360i, which are formed at regular intervals in the center, the unit liquid crystal panel (with a line coinciding with the polishing scheduled line R1) as a boundary. It is formed so that the area | region of the end END1 direction of 350 and the direction in which the tab mark 355J was formed are distinguished.
그리고, 상기 중앙에 형성된 3개의 연마량 식별 패턴(360g∼360i)으로부터 일측 가장자리로 갈수록 연마량 식별 패턴(360b∼360f)의 구분되는 영역이 일정한 거리 단위로 탭 마크(355J)에 가까워지도록 형성되어 있으며, 최외곽에는 상기 연마량 식별 패턴(360b)과 동일한 연마량 식별 패턴(360a)이 형성되어 있다.In addition, the divided areas of the polishing amount identification patterns 360b to 360f are closer to the tab mark 355J in a predetermined distance from the three polishing amount identification patterns 360g to 360i formed in the center toward one edge. In the outermost part, the same amount of polishing identification pattern 360a as the amount of polishing identification pattern 360b is formed.
또한, 상기 중앙에 형성된 3개의 연마량 식별 패턴(360g∼360i)으로부터 타측 가장자리로 갈수록 연마량 식별 패턴(360j∼360n)의 구분되는 영역이 일정한 거리 단위로 단위 액정 패널(350)의 끝단(END1)에 가까워지도록 형성되어 있으며, 최외곽에는 상기 연마량 식별 패턴(360n)과 동일한 연마량 식별 패턴(360o)이 형성되어 있다.In addition, an end region END1 of the unit liquid crystal panel 350 in which the divided areas of the polishing amount identification patterns 360j to 360n are separated from the three polishing amount identification patterns 360g to 360i formed in the center toward the other edge. ), And at the outermost part, a polishing amount identification pattern 360o identical to the polishing amount identification pattern 360n is formed.
상기 최외곽에 형성된 연마량 식별 패턴(360a, 360o)은 연마 불량의 판정에 대해 보다 높은 신뢰성을 보장하며, 상기 중앙에 형성된 3개의 연마량 식별 패턴(360g∼360i)은 단위 액정 패널(350)의 실제로 연마된 선과 연마 예정선(R1)의 일치여부를 보다 쉽게 판단할 수 있도록 한다.The outermost polishing amount identification patterns 360a and 360o ensure higher reliability for the determination of polishing failure, and the three polishing amount identification patterns 360g to 360i formed at the center are the unit liquid crystal panel 350. It is easier to determine whether the actual polished line and the polishing scheduled line (R1) of.
그리고, 상기 연마량 식별 패턴(360a∼360o)에 대응하여 상기 탭 마크(355J)가 형성된 영역의 가장자리에 일정한 단위로 숫자(-10, -8, -6, -4, -2, -0, 2, 4, 6, 8, 10)를 표기함으로써, 단위 액정 패널(350)의 실제로 연마된 량을 검출할 수 있도록 하였다. 이때, 상기 허용 한계치(D1)를 절단 예정선(R1)으로부터 ±100㎛로 가정할 경우에 상기 숫자(-10, -8, -6, -4, -2, -0, 2, 4, 6, 8, 10)의 단위는 10㎛이다.In addition, the numbers (-10, -8, -6, -4, -2, -0, etc.) in constant units on the edges of the areas where the tab marks 355J are formed corresponding to the polishing amount identification patterns 360a to 360o. 2, 4, 6, 8, and 10 are marked to make it possible to detect the actual polished amount of the unit liquid crystal panel 350. At this time, the number (-10, -8, -6, -4, -2, -0, 2, 4, 6 when the allowable limit value D1 is assumed to be ± 100 μm from the cutting schedule line R1. , 8, 10) is 10 µm.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 본 발명의 일 실시예와 동일하게 목시 검사를 통해 단위 액정 패널(350)의 실제로 연마된 선이 허용 한계치(D1)를 벗어났는지 판단할 수 있다.Therefore, according to another exemplary embodiment of the present invention, it is possible to determine whether the actually polished line of the unit liquid crystal panel 350 is outside the allowable limit value D1 through visual inspection as in the exemplary embodiment of the present invention.
즉, 연마가 완료된 단위 액정 패널(350)의 연마량 식별 패턴(360a∼360o)을 관찰하여 일측 가장자리의 연마량 식별 패턴(360a,360b)이 관찰되지 않을 경우에는 연마 과다의 불량 판정을 내릴 수 있으며, 또한 타측 가장자리의 연마량 식별 패턴(360n, 360o)이 전혀 연마되지 않았을 경우에는 연마 부족의 불량 판정을 내릴 수 있다.That is, when the polishing amount identification patterns 360a to 360o of the unit liquid crystal panel 350 that have been polished are observed, and the polishing amount identification patterns 360a and 360b at one edge thereof are not observed, failure of excessive polishing may be determined. In addition, when the polishing amount identification patterns 360n and 360o of the other edge are not polished at all, it is possible to make a poor determination of lack of polishing.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 목시 검사를 통해 상기 단위 액정 패널(350)의 실제로 연마된 선과 절단 예정선(R1)을 확인할 수 있고, 또한 고배율 카메라를 통해 연마량 식별 패턴(360a∼360o)에 대응하는 숫자(-10, -8, -6, -4, -2, 0, 2, 4, 6, 8, 10)를 확인함으로써, 20㎛의 오차 범위 내에서 단위 액정 패널(100)의 실제로 연마된 량을 검출할 수 있게 된다.In addition, according to another embodiment of the present invention, the visually inspected line and the cut line R1 of the unit of the liquid crystal panel 350 may be checked through visual inspection, and the polishing amount identification patterns 360a through high magnification camera may be used. By checking the number (-10, -8, -6, -4, -2, 0, 2, 4, 6, 8, 10) corresponding to 360o), the unit liquid crystal panel 100 It is possible to detect the actual polished amount of).
한편, 상기 연마량 식별 패턴(360a∼360o)을 보다 많이 형성하여 연마량 식별 패턴(360b∼360f)의 구분되는 영역을 보다 작은 단위로 설정할 경우에 상기 20㎛의 오차 범위를 보다 줄일 수 있게 된다.On the other hand, when the polishing amount identification patterns 360a to 360o are formed more, the error range of 20 μm can be further reduced when setting the divided areas of the polishing amount identification patterns 360b to 360f in smaller units. .
따라서, 허용 한계치(D1)를 절단 예정선(R1)으로부터 ±100㎛로 설정하여 제품을 생산하다가 여러가지 공정상의 이유로 허용 한계치(D1)를 ±80㎛로 설정할 경우에 본 발명의 일 실시예에서는 대응하지 못하지만, 본 발명의 다른 실시예에서는 고배율 카메라를 통해 연마량 식별 패턴(360a∼360o)에 대응하는 숫자(-10, -8, -6, -4, -2, 0, 2, 4, 6, 8, 10)를 확인함으로써, 이에 대응할 수 있게 된다.Therefore, in the case of producing the product by setting the allowable limit value D1 to ± 100 占 퐉 from the cut schedule line R1, and setting the allowable limit value D1 to ± 80 占 퐉 for various process reasons, the embodiment of the present invention responds. However, in another embodiment of the present invention, the number (-10, -8, -6, -4, -2, 0, 2, 4, 6 corresponding to the polishing amount identification patterns 360a to 360o through the high magnification camera is provided. , 8, 10), it is possible to respond to this.
이와 같이 연마 공정(S17)이 완료되면, 각 액정 패널을 검사하게 된다(S18).When the polishing step S17 is completed as described above, each liquid crystal panel is inspected (S18).
도 60은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 검사 장치를 보인 예시도이고, 도 61a 내지 도 61c는 도 60의 검사 장치를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 단위 액정 패널의 검사 방법을 순차적으로 보인 예시도이다.FIG. 60 is an exemplary view illustrating an inspection apparatus for a liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 61A to 61C are inspection methods for a unit liquid crystal panel using an inspection apparatus of FIG. 60. Is an exemplary view showing sequentially.
먼저, 도 60에 도시한 바와 같이, 단위 액정 패널(350)의 장변(즉, 데이터 패드부가 형성된 변 및 그와 마주보는 변)에 대응하여 절단된 상태를 검사하고, 그 단위 액정 패널(350)의 장변간 거리(D1)를 측정하는 제 1, 제 2 검사바(301, 302)와, 상기 단위 액정 패널(350)의 단변(즉, 데이터 패드부가 형성된 변 및 그와 마주보는 변)에 대응하여 절단된 상태를 검사하고, 그 단위 액정 패널의 단변간 거리(D2)를 측정하는 제 3, 제 4 검사바(303, 304)가 구비된다.First, as shown in FIG. 60, the cut state is inspected in correspondence to the long side of the unit liquid crystal panel 350 (that is, the side on which the data pad portion is formed and the side facing the unit), and the unit liquid crystal panel 350 is inspected. Corresponding to the first and second test bars 301 and 302 for measuring the long side distance D1 of the first and second test bars 301 and 302, and the short sides of the unit liquid crystal panel 350 (that is, the side where the data pad part is formed and the side opposite thereto). And the third and fourth inspection bars 303 and 304 for inspecting the cut state and measuring the distance D2 between short sides of the unit liquid crystal panel.
상기 제 1, 제 2 검사바(301, 302)는 터치 방식을 통해 단위 액정 패널의 장변에 찌꺼기가 잔류하는지를 검사하고, 그 단위 액정 패널의 장변간 거리(D1)를 측정하며, 상기 제 3, 제 4 검사바(303, 304)는 제 1, 제 2 검사바(301, 302)와 동일하게 절단된 단위 액정 패널(350)의 단변에 찌꺼기가 잔류하는지를 검사하고, 그 단위 액정 패널의 단변간 거리(D2)를 측정한다.The first and second test bars 301 and 302 check whether residue remains on the long sides of the unit liquid crystal panel through a touch method, and measure the distance D1 between the long sides of the unit liquid crystal panel. The fourth inspection bars 303 and 304 check whether residues remain on the short sides of the unit liquid crystal panel 350 cut in the same manner as the first and second inspection bars 301 and 302, and between the short sides of the unit liquid crystal panels. Measure the distance D2.
한편, 상기 단위 액정 패널(350)은 모델에 따라 크기가 달라지므로, 상기 제 1, 제 2 검사바(301, 302)와 제 3, 제 4 검사바(303, 304)를 단위 액정 패널의 크기가 가장 큰 모델의 장변 및 단변에 대응하는 길이로 제작하여 단위 액정 패널의 모든 모델에 대하여 적용할 수 있도록 하는 것이 바람직하며, 상기 제 1∼제 4 검사바(301∼304)는 내재된 게이지(gauge)를 통해 단위 액정 패널의 장변간 거리(D1) 및 단변간 거리(D2)를 측정할 수 있도록 하는 것이 바람직하다.On the other hand, since the size of the unit liquid crystal panel 350 varies depending on the model, the size of the unit liquid crystal panel using the first and second test bars 301 and 302 and the third and fourth test bars 303 and 304. It is preferable to make the length corresponding to the long side and short side of the largest model so that it can be applied to all models of the unit liquid crystal panel, and the first to fourth test bars 301 to 304 are built-in gauges ( It is preferable to measure the distance between the long sides D1 and the short sides D2 of the unit liquid crystal panel through a gauge.
또한, 상기 단위 액정 패널(350)은 박막 트랜지스터 어레이 기판인 제 1 기판(10) 상에 컬러필터 어레이 기판인 제 2 기판(20)이 합착되고, 제 1 기판(10)의 일측이 제 2 기판(20)에 비해 돌출되도록 형성됨이 이미 설명되었다.In the unit liquid crystal panel 350, a second substrate 20, which is a color filter array substrate, is bonded to a first substrate 10, which is a thin film transistor array substrate, and one side of the first substrate 10 is a second substrate. It has already been described that it is formed to protrude relative to (20).
따라서, 상기 단위 액정 패널(350)의 장변과 단변의 일측은 계단 형상의 단차를 갖게 되고, 이와 같은 단위 액정 패널(350)의 장변을 검사하기 위해서는 데이터 패드부가 형성된 단위 액정 패널(350)의 장변에 대응하는 제 1 검사바(301)를 계단 형상의 단차를 갖는 단위 액정 패널(350)의 장변과 맞물리도록 형성하며, 게이트 패드부가 형성된 단위 액정 패널(350)의 단변에 대응하는 제 3 검사바(303)를 계단 형상의 단차를 갖는 단위 액정 패널(350)의 단변과 맞물리도록 형성한다.Accordingly, one side of the long side and the short side of the unit liquid crystal panel 350 may have a stepped step, and in order to inspect the long side of the unit liquid crystal panel 350, the long side of the unit liquid crystal panel 350 having the data pad part may be formed. The third test bar 301 corresponding to the first test bar 301 is formed to be engaged with the long side of the unit liquid crystal panel 350 having a stepped step and the gate pad part is formed in the third test bar corresponding to the short side of the unit liquid crystal panel 350. 303 is formed to engage with a short side of the unit liquid crystal panel 350 having a stepped step.
이하, 상기한 바와 같은 검사장치를 이용한 단위 액정 패널의 검사방법을 도61a 내지 도 61c의 순차적인 예시도를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an inspection method of a unit liquid crystal panel using the inspection apparatus as described above will be described in detail with reference to the sequential exemplary views of FIGS. 61A to 61C.
먼저, 도 61a에 도시한 바와 같이, 제 1∼제 4 검사바(301∼304)가 구비된 제 1 테이블(도면상에 도시되지 않음)에 단위 액정 패널(350)을 로딩시킨다. 이때, 단위 액정 패널(350)은 제 1 기판(10) 상에 제 2 기판(20)이 합착되어 로딩되고, 전술한 바와 같이 게이트 패드부 및 데이터 패드부에 의해 제 1 기판(10)의 일측이 제 2 기판(20)에 비해 돌출되도록 형성되어 있으며, 제 1 검사바(301)와 제 3 검사바(303)는 데이터 패드부와 게이트 패드부로 인해 계단 형상의 단차를 갖는 단위 액정 패널(350)의 장변 및 단변에 맞물리도록 형성되어 있다.First, as shown in FIG. 61A, the unit liquid crystal panel 350 is loaded on a first table (not shown) provided with the first to fourth inspection bars 301 to 304. In this case, the unit liquid crystal panel 350 may be loaded by bonding the second substrate 20 onto the first substrate 10, and as described above, one side of the first substrate 10 by the gate pad part and the data pad part. The first test bar 301 and the third test bar 303 are formed to protrude relative to the second substrate 20, and the unit liquid crystal panel 350 has a stepped step due to the data pad part and the gate pad part. It is formed to mesh with the long side and short side.
그리고, 도 61b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1, 제 2 검사바(301, 302)가 터치 방식을 통해 단위 액정 패널(350)의 장변에 찌꺼기가 잔류하는지를 검사하고, 단위 액정 패널(350)의 장변간 거리(D1)를 측정한다.As illustrated in FIG. 61B, the first and second test bars 301 and 302 check whether the residue remains on the long side of the unit liquid crystal panel 350 through a touch method, and the unit liquid crystal panel 350 Measure the long distance (D1) of.
그리고, 도 61c에 도시한 바와 같이, 상기 제 3, 제 4 검사바(303, 304)가 터치 방식을 통해 단위 액정 패널(350)의 단변에 찌꺼기가 잔류하는지를 검사하고, 단위 액정 패널(350)의 단변간 거리(D2)를 측정한다.As illustrated in FIG. 61C, the third and fourth test bars 303 and 304 check whether the residue remains on the short sides of the unit liquid crystal panel 350 through a touch method, and the unit liquid crystal panel 350 Measure the short distance (D2) between.
상기한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 패널의 검사장치는, 제 1∼제 4 검사바(301∼304)를 이용하여 터치 방식으로 단위 액정 패널(350)의 장변과 단변에 찌꺼기가 잔류하는지를 검사하고, 단위 액정 패널(350)의 장변간 거리(D1) 및 단변간 거리(D2)를 측정함에 따라 별도의 측정장비가 요구되지 않고, 모든 단위 액정 패널(350)의 크기를 측정하여 양/불 판정을 할 수 있게 된다.As described above, the inspection apparatus of the liquid crystal panel according to an embodiment of the present invention, the first and the fourth inspection bar (301 to 304) by using the touch method on the long side and short side of the unit liquid crystal panel 350 Of the unit liquid crystal panel 350 and by measuring the distance between the long sides D1 and the short sides D2 of the unit liquid crystal panel 350, no separate measuring equipment is required, and the sizes of all unit liquid crystal panels 350 are measured. It is possible to make a good or bad decision.
한편, 도 62는 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 검사장치를 보인 예시도이고, 도 63a 및 도 63b는 도 62의 검사 장치를 이용하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 단위 액정 패널의 검사 방법을 순차적으로 보인 예시도이다.62 is an exemplary view illustrating an inspection apparatus for a liquid crystal panel according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 63A and 63B illustrate a unit liquid crystal panel according to another exemplary embodiment of the present invention using the inspection apparatus of FIG. 62. It is an exemplary figure which showed the test method sequentially.
도 62에 도시한 바와 같이, 단위 액정 패널(350)의 장변(즉, 데이터 패드부가 형성된 변 및 그와 마주보는 변)에 대응하여 절단된 상태를 검사하고, 그 단위 액정 패널(350)의 장변간 거리(D1)를 측정하는 제 1, 제 2 검사바(301, 302)와, 상기 단위 액정 패널(350)의 단변(즉, 데이터 패드부가 형성된 변 및 그와 마주보는변)에 대응하여 절단된 상태를 검사하고, 그 단위 액정 패널(350)의 단변간 거리(D2)를 측정하는 제 3, 제 4 검사바(303, 304)가 구비된다. 이때, 제 4 검사바(304)는 본 발명의 일 실시예와 달리 단위 액정 패널(350)의 크기가 가장 작은 모델의 단변에 대응하는 길이로 제작되어 있다.As illustrated in FIG. 62, the cut state is inspected corresponding to the long side of the unit liquid crystal panel 350 (that is, the side on which the data pad portion is formed and the side facing the same), and the long side of the unit liquid crystal panel 350 is inspected. The first and second inspection bars 301 and 302 measuring the distance D1 and the short sides of the unit liquid crystal panel 350 (that is, the side on which the data pad portion is formed and the side opposite thereto) are cut. The 3rd, 4th test bar 303, 304 which inspects the said state and measures the short-side distance D2 of the unit liquid crystal panel 350 is provided. In this case, unlike the exemplary embodiment of the present invention, the fourth test bar 304 is manufactured to have a length corresponding to the short side of the model having the smallest size of the unit liquid crystal panel 350.
한편, 상기 제 1∼제 4 검사바(301∼304)는 내재된 게이지를 통해 단위 액정 패널(300)의 장변간 거리(D1) 및 단변간 거리(D2)를 측정한다Meanwhile, the first to fourth test bars 301 to 304 measure the distance between the long sides D1 and the short sides D2 of the unit liquid crystal panel 300 through an inherent gauge.
이하, 상기한 바와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 검사장치를 이용한 단위 액정 패널의 검사방법을 도 63a 및 도 63b의 예시도를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of inspecting a unit liquid crystal panel using a test apparatus according to another embodiment of the present invention as described above will be described in detail with reference to the exemplary views of FIGS. 63A and 63B.
먼저, 도 63a에 도시한 바와 같이, 제 1∼ 제 4 검사바(301∼304)가 구비된 제 1 테이블(도면상에 도시되지 않음)에 단위 액정 패널(350)을 로딩시킨다. 이때, 단위 액정 패널(350)은 박막 트랜지스터 어레이 기판인 제 1 기판(10)상에 컬러필터 어레이 기판인 제 2 기판(20)이 합착되어 로딩되고, 전술한 바와 같이 게이트 패드부 및 데이터 패드부에 의해 제 1 기판(10)의 일측이 제 2 기판(20)에 비해 돌출되도록 형성되어 있으며, 제 1 검사바(301)와 제 3 검사바(303)는 데이터 패드부와 게이트 패드부로 인해 계단 형상의 단차를 갖는 단위 액정 패널(350)의 장변 및 단변에 맞물리도록 형성되어 있다.First, as shown in FIG. 63A, the unit liquid crystal panel 350 is loaded on a first table (not shown) provided with the first to fourth inspection bars 301 to 304. In this case, the unit liquid crystal panel 350 is loaded with a second substrate 20, which is a color filter array substrate, bonded onto the first substrate 10, which is a thin film transistor array substrate, and the gate pad unit and the data pad unit as described above. One side of the first substrate 10 is formed to protrude from the second substrate 20 by the step, and the first test bar 301 and the third test bar 303 are stepped due to the data pad part and the gate pad part. The long side and short sides of the unit liquid crystal panel 350 having a step difference in shape are formed to be engaged with each other.
그리고, 도 63b에 도시한 바와 같이, 상기 제 1∼제 4 검사바(301∼304)가 터치 방식을 통해 단위 액정 패널(350)의 장변 및 단변에 찌꺼기가 잔류하는지를 검사하고, 단위 액정 패널(350)의 장변간 거리(D1) 및 단변간 거리(D2)를 측정한다.As shown in FIG. 63B, the first to fourth test bars 301 to 304 check whether the residue remains on the long side and the short side of the unit liquid crystal panel 350 through a touch method. The long side distance D1 and the short side distance D2 of 350 are measured.
상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 검사장치는 상기 본 발명의 일 실시예와 다르게 제 1∼제 4 검사바(301∼304)가 동시에 구동되어 단위 액정 패널(350)의 장변 및 단변에 찌꺼기가 잔류하는지를 검사하고, 단위 액정 패널(350)의 장변간 거리(D1) 및 단변간 거리(D2)를 측정함에 따라 본 발명의 일 실시예와 동일하게 제 1∼제 4 검사바(301∼304)를 단위 액정 패널(350)의 크기가 가장 큰 모델의 장변 및 단변에 대응하는 길이로 제작할 경우에는 제 1, 제 2 검사바(301, 302)와 제 3, 제 4 검사바(303, 304)의 충돌을 피할 수 없게 된다.As described above, in the liquid crystal panel inspection apparatus according to another embodiment of the present invention, the first to fourth inspection bars 301 to 304 are driven at the same time, unlike the embodiment of the present invention, so that the unit liquid crystal panel 350 is operated. Inspecting whether the residue remains on the long side and short side of the first, and the distance between the long side (D1) and the short side between the short side (D2) of the unit liquid crystal panel 350, as in the first embodiment to the fourth embodiment When the test bars 301 to 304 are manufactured to have lengths corresponding to the long and short sides of the model having the largest size of the unit liquid crystal panel 350, the first and second test bars 301 and 302, and the third and fourth points. Collision of the test bars 303 and 304 is inevitable.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에서는 제 4 검사바(304)를 단위 액정 패널(350)의 크기가 가장 작은 모델의 단변에 대응하는 길이로 제작함으로써, 제 1∼제 4 검사바(301∼304)가 동시에 구동되어 제 1, 제 2 검사바(301, 302)와 제 3, 제 4 검사바(303, 304)가 충돌하는 것을 방지한다.Accordingly, in another exemplary embodiment of the present invention, the fourth test bar 304 is manufactured to have a length corresponding to the short side of the model having the smallest size of the unit liquid crystal panel 350, thereby providing the first to fourth test bars 304 to 304. ) Is simultaneously driven to prevent the first and second inspection bars 301 and 302 from colliding with the third and fourth inspection bars 303 and 304.
상기한 바와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정 패널의 검사장치는 본 발명의 일 실시예에 비해 제 4 검사바(304)에 대응하는 단위 액정 패널(350)의 단변 일부에 대해서만 찌꺼기 잔류여부를 검사할 수 있다는 단점이 있지만, 단위 액정 패널(350)의 찌꺼기 잔류여부 검사, 장변간 거리(D1) 측정 및 단변간 거리(D2) 측정을 본 발명의 일 실시예에 비해 빠른 속도로 실시할 수 있게 된다.As for the inspection apparatus of the liquid crystal panel according to another embodiment of the present invention as described above, residue is left only on a portion of the short side of the unit liquid crystal panel 350 corresponding to the fourth inspection bar 304 compared to the embodiment of the present invention. Although there is a disadvantage in that it can be inspected, the residual liquid inspection of the unit liquid crystal panel 350, the long side distance (D1) measurement and the short side distance (D2) measurement can be performed at a faster speed than the embodiment of the present invention. It becomes possible.
이와 같은 공정에 의해 액정 적하 방식으로 액정 패널이 완성된다.By such a process, a liquid crystal panel is completed by a liquid crystal dropping method.
상기와 같은 공정에 의해 액정 적하 방식으로 액정 패널을 제조하는 액정표시장치의 제조 시스템을 설명하면 다음과 같다.Referring to the manufacturing system of the liquid crystal display device for producing a liquid crystal panel by the liquid crystal dropping method by the above process as follows.
도 64는 본 발명에 따른 액정 적하 방식으로 액정표시장치를 제조하는 액정표시장치의 제조 시스템의 블록 구성도이다.64 is a block diagram of a manufacturing system of a liquid crystal display device for manufacturing a liquid crystal display device by the liquid crystal dropping method according to the present invention.
본 발명에 따른 액정표시장치의 제조 시스템은, 도 64에 도시한 바와 같이, 제 1, 제 2 기판(10, 20)에 각각 액정을 적하하고 씨일재를 인쇄한 후 상기 두 기판을 합착하여 씨일재를 경화시키는 GAP 공정 라인(1500)과 합착된 두 기판을 각 패널 단위로 절단하여 연마 및 검사하는 검사 공정 라인(1400)으로 구분할 수 있다.In the manufacturing system of the liquid crystal display device according to the present invention, as shown in FIG. 64, the liquid crystal is dropped on the first and second substrates 10 and 20, and the seal material is printed. The two substrates bonded to the GAP process line 1500 for curing one material may be divided into an inspection process line 1400 for cutting, polishing, and inspecting each panel unit.
또한, 상기 GAP 공정 라인(1500)은, 크게 제 1 기판에 액정을 적하하는 액정 형성 라인(1700)과, 제 2 기판에 씨일재를 형성하는 씨일재 형성 라인(1800) 및 상기 두 기판을 합착하고 씨일재를 경화하는 합착 및 경화 라인(160)으로 구분된다.In addition, the GAP process line 1500 is a liquid crystal formation line 1700 for largely dropping a liquid crystal onto a first substrate, a seal material formation line 1800 for forming a seal material on a second substrate, and the two substrates are bonded to each other. And it is divided into a bonding and curing line 160 for curing the seal material.
따라서, 액정 형성 라인(1700)은 복수개의 액정 패널이 설계되어 각 패널에 TFT 어레이 공정이 진행된 제 1 기판(10)을 로딩하는 제 1 로더(1100a)와, 상기 제 1 로더(1100a)로부터 로딩된 제 1 기판(10)을 세정하는 제 1 세정기(1105a)와, 상기 제 1 세정기(1105a)에서 세정된 제 1 기판(10)에 배향막을 도포하고 러빙하는 제 1 배향 및 러빙기(1110a)와, 상기 제 1 배향 및 러빙기(1110a)에서 배향된 제 1 기판을 세정하는 제 2 세정기(1105b)와, 제 2 세정기(1105b)에서 세정된 각 기판의 다음 공정 대기 시간을 원만하게 하기 위해 각 기판을 버퍼링하는 제 1 버퍼(1120a)와, 상기 제 1 버퍼(1120a) 또는 상기 제 2 세정기(1105b)에서 반송된 제 1 기판(10)의 각 패널에 액정을 적하하는 액정(LC) 적하기(1130)를 구비하여 구성된다. 상기 배향막을 형성한 후 배향 상태를 확인하기 위한 목시 검사기를 추가로 구성할 수도 있다. 이 목시 검사기로 기판을 이동할 때 기판의 사이즈가 커서 움직이기 어려운 점을 감안하여 지그에 손잡이를 부착하여 기판 이동 시 유리하게 할 수 있다.Accordingly, the liquid crystal forming line 1700 is configured to include a first loader 1100a for loading a first substrate 10 on which a plurality of liquid crystal panels are designed and a TFT array process is performed on each panel, and loading from the first loader 1100a. A first cleaner 1105a for cleaning the first substrate 10, and a first alignment and rubbing machine 1110a for applying and rubbing an alignment film to the first substrate 10 cleaned by the first cleaner 1105a. And a second cleaner 1105b for cleaning the first substrate oriented in the first orientation and the rubbing machine 1110a, and a next process waiting time for each substrate cleaned in the second cleaner 1105b. Liquid crystal LC dropping liquid crystal onto each panel of the first buffer 1120a for buffering each substrate and the first substrate 10 conveyed by the first buffer 1120a or the second cleaner 1105b. It is configured with the following (1130). After forming the alignment film, a visual inspection device for checking the alignment state may be further configured. In view of the fact that the size of the substrate is large and difficult to move when the substrate is moved by this visual inspection, a handle may be attached to the jig to facilitate the substrate movement.
또한, 상기 씨일재 형성 라인(1800)은, 복수개의 액정 패널이 설계되어 각 패널에 칼라필터 어레이 공정이 진행된 제 2 기판(20)을 로딩하는 제 2 로더(1100b)와, 상기 제 2 로더(1100b)에 의해 로딩된 제 2 기판(20)을 각각 세정하는 제 3 세정기(1105c)와, 상기 제 3 세정기(1105c)에서 세정된 제 2 기판(20)에 배향막을 도포하고 러빙하는 제 2 배향 및 러빙기(1110b)와, 상기 제 2 배향 및 러빙기(1110b)에서 배향된 제 2 기판을 세정하는 제 4 세정기(1105d)와, 제 4 세정기(1105d)에서 세정된 각 기판의 다음 공정 대기 시간을 원만하게 하기 위해 각 기판을 버퍼링하는 제 2 버퍼(1120b)와, 상기 제 2 버퍼(1120a) 또는 상기 제 4 세정기(1105d)에서 세정된 제 2 기판(20)의 각 패널에 Ag(은)를 적하하는 Ag 적하기(1135)과, 상기 Ag 적하기(1135)에서 Ag가 적하된 제 2 기판(20)의 각 패널 주변부에 UV 및 열 경화성 씨일재(seal)를 적하하는 씨일재 적하기(1140)와, 상기 씨일재 적하기(1140)에서 씨일재가 적하된 제 2 기판(20)을 세정하는 USC 세정기(1150)와, 상기 USC 세정기에서 세정된 제 2 기판(20)을 씨일재가 형성된 부분이 하 방향으로 향하도록 반전시키는 제 1 반전기(1160)를 구비하여 구성된다.In addition, the seal material forming line 1800 may include a second loader 1100b for loading a second substrate 20 on which a plurality of liquid crystal panels are designed and a color filter array process is performed on each panel, and the second loader ( The second cleaner 1105c for cleaning the second substrate 20 loaded by 1100b, and the second orientation for applying and rubbing the alignment film to the second substrate 20 cleaned by the third cleaner 1105c. And a fourth cleaner 1105d for cleaning the rubbing machine 1110b, the second orientation and the second substrate oriented in the rubbing machine 1110b, and a next process atmosphere for each substrate cleaned in the fourth cleaner 1105d. Ag (silver) is added to each panel of the second buffer 1120b buffering each substrate to smooth the time, and the second substrate 20 cleaned by the second buffer 1120a or the fourth cleaner 1105d. Ag dropping (1135) for dropping) and UV and Sealing material loading 1140 for loading a thermosetting seal material, USC cleaner 1150 for cleaning the second substrate 20 loaded with sealing material in the sealing material loading 1140, and the USC And a first inverter 1160 for inverting the second substrate 20 cleaned by the cleaner so that the portion where the seal material is formed is directed downward.
또한, 상기 합착 및 경화 라인(1600)은, 상기 액정이 적하된 제 1 기판(10)과 상기 씨일재가 형성되어 반전된 제 2 기판을 진공 상태에서 합착하는 합착기(1170)와, 상기 합착기(1170)에서 합착된 제 1, 제 2 기판(10, 20)의 씨일재에 UV를 조사하여 상기 씨일재를 경화시키는 UV 경화기(1180)와, 상기 UV 경화기(1180)에서 UV 경화된 제 1, 제 2 기판을 선택적으로 반전시키기 위한 제 2 반전기(1190)와, 상기 UV 경화기(1180)에서 경화된 두 기판 또는 상기 제 2 반전기(1190)에서 반전된 두 기판의 씨일재를 열 경화시키는 열 경화기(1200)와, 상기 열 경화기(1200)에서 열 경화된 기판을 언로딩하는 제 1 언로더(1210)를 구비하여 구성된다.In addition, the bonding and curing lines 1600 may include a combiner 1170 for bonding the first substrate 10 having the liquid crystals dropped thereon and the second substrate in which the seal material is formed and inverted in a vacuum state, and the combiner UV curing machine 1180 for curing the seal material by irradiating UV to the sealing material of the first and second substrates 10 and 20 bonded at 1170, and the first UV cured by the UV curing machine 1180. Heat-sealing the sealing material of the second inverter 1190 for selectively inverting the second substrate and the two substrates cured in the UV curing machine 1180 or the two substrates inverted in the second inverter 1190. And a first unloader 1210 for unloading the substrate thermally cured in the heat curing machine 1200.
여기서, 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 UV 경화기(1180)과 제 2 반전기(1190) 사이에는 합착 정도를 검사하는 합착 정도 검사기와 육안으로 합착된 기판을 검사하는 목시 검사기가 설치되어 있으며, 상기 열 경화기(1200)와 제 1 언로더(1210) 사이에는 경화된 기판의 외관을 검사하기 위한 외관 검사기가 구비되어 있다.Here, although not shown in the drawing, the UV curing machine 1180 and the second inverter 1190 is provided with a degree of adhesion test for inspecting the degree of adhesion and visual inspection to inspect the substrate bonded to the naked eye, the heat An appearance inspector for inspecting the appearance of the cured substrate is provided between the curing machine 1200 and the first unloader 1210.
또한, 상기 검사 공정 라인(1400)은, 상기 제 1 언로더(1210)에서 언로딩된 합착된 두 기판을 로딩하는 제 3 로더(1300)와, 상기 제 3 로더(1300)에 의해 로딩되는 합착된 두 기판을 각 패널 단위로 절단하는 절단기(1310)와, 상기 절단기(1310)에서 절단된 각 패널의 사이즈를 검사하는 검사기(1320)와, 상기 검사기(1320)에서 검사된 각 패널의 절단된 모서리 부분 및 쇼팅바 등을 연마 가공하는 연마기(1330)와, 상기 연마기(1330)에서 연마된 각 패널을 정품/불량 등 최종적으로 검사하는 최종검사기(1340)와 상기 최종 검사기(1340)에서 정품으로 판정된 패널을 출하하기 위한 제 2 언로더(1350)를 구비하여 구성된다.In addition, the inspection process line 1400 may include a third loader 1300 for loading the two bonded substrates unloaded from the first unloader 1210, and the bonding loaded by the third loader 1300. Cutting machine 1310 for cutting the two substrates in each panel unit, an inspector 1320 for inspecting the size of each panel cut by the cutter 1310 and the cut of each panel inspected by the inspector 1320 Grinding machine 1330 for grinding the corner portion and shorting bar, etc., and final inspection machine 1340 and final inspection machine 1340 for finally inspecting each panel polished by the polishing machine 1330 such as genuine or defective And a second unloader 1350 for shipping the determined panel.
상기 도 64에서 각 기기들 사이(화살표)에는 반송 로봇 또는 콘베이어 벨트등의 반송 장치가 설치되어 있다.In Fig. 64, a transfer device such as a transfer robot or a conveyor belt is provided between the devices (arrows).
상기에서, 상기 제 1 로더(1100a)에는 TFT 어레이 공정이 진행된 제 1 기판(10)이 로딩되고 및 상기 제 2 로더(1100b)에는 칼라필터 어레이 공정이 진행된 제 2 기판(20)이 로딩된다고 언급하였으나, 제조할 액정표시장치의 모드(IPS, TN, VA)에 따라, 상기 제 1 로더(1100a)에는 칼라필터 어레이 공정이 진행된 제 2 기판(20)이 로딩되고 상기 제 2 로더(1100b)에는 TFT 어레이 공정이 진행된 제 1 기판(10)이 로딩될 수 있다.In the above, the first loader 1100a is loaded with the first substrate 10 subjected to the TFT array process and the second loader 1100b is loaded with the second substrate 20 subjected to the color filter array process. However, according to the modes (IPS, TN and VA) of the liquid crystal display to be manufactured, the second substrate 20 subjected to the color filter array process is loaded in the first loader 1100a and the second loader 1100b. The first substrate 10 subjected to the TFT array process may be loaded.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 액정표시장치의 제조 시스템 및 제조 방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the manufacturing system and manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention have the following effects.
첫째, 제 1 기판에는 액정을 적하하고, 제 2 기판에는 씨일재를 도포하여 두 기판을 합착하므로 액정 적하 공정 시간과 씨일재 도포 공정 시간이 균형을 이루기 때문에 합착전까지의 공정 시간을 단축할 수 있다.First, since the liquid crystal is dropped on the first substrate and the sealing material is applied to the second substrate to bond the two substrates together, the liquid crystal dropping process time and the sealing material applying process time are balanced, thereby reducing the process time before bonding. .
둘째, 액정 적하 시 상술한 바와 같이 액정 적하량을 보정하여 적하하므로 정확한 양의 액정을 적하한다. 따라서, 공정을 단축시키고 생산성을 향상시킨다.Second, when the liquid crystal dropping, as described above, the liquid crystal dropping amount is corrected and dropped, so that the correct amount of liquid crystal is dropped. Thus, the process is shortened and the productivity is improved.
셋째, 더미 영역에 더미 컬럼 스페이서가 형성되어 있으므로 씨일재가 완전 경화되기 전에 액정이 상기 씨일재에 접촉되는 것을 방지하므로 수율 및 품질을 향상시킬 수 있다.Third, since the dummy column spacer is formed in the dummy area, the liquid crystal is prevented from contacting the seal material before the seal material is completely cured, thereby improving yield and quality.
넷째, 상기 더미 더미 컬럼 스페이서에 개구부를 형성하므로 액정이 상기 개구부를 통해 기판의 모서리 영역으로 이동함으로써 기판의 모서리 영역에 액정이미충진되는 것이 방지할 수 있다.Fourth, since the opening is formed in the dummy dummy column spacer, the liquid crystal may be prevented from filling up in the corner region of the substrate by moving the liquid crystal to the corner region of the substrate through the opening.
다섯째, 씨일재 도포 시 주 씨일재보다 보조 씨일재를 인쇄하므로 씨일재 도포 시작시 시작 지점에서 씨일재가 뭉치는 현상을 방지할 수 있다.Fifth, since the secondary seal material is printed than the main seal material when the seal material is applied, the sealing material can be prevented from agglomeration at the starting point when the seal material is applied.
여섯째, 액정과 씨일재가 서로 다른 기판에 형성되므로 씨일재가 형성된 기판을 합착하기 전에 USC 세정할 수 있으므로 파티클 오염을 방지할 수 있다.Sixth, since the liquid crystal and the seal material are formed on different substrates, the USC can be cleaned before bonding the substrate on which the seal material is formed, thereby preventing particle contamination.
일곱째, 합착되어 완전 경화된 두 기판을 각 단위 패널별로 절단할 때 스크라이빙 및 브레이킹 공정이 동시에 이루어지므로 공정 시간을 단축시킬 수 있다.Seventh, the scribing and breaking process is simultaneously performed when the two bonded and fully cured substrates are cut by each unit panel, thereby shortening the process time.
여덟번째, 합착기의 기판 받침 수단 등의 구성이 기판의 중앙 부분을 받쳐줄 수 있도록 구성되므로 1000×1200mm2이상의 기판을 이용하여 액정표시장치를 제조할 수 있다.Eighth, since the configuration of the substrate support means of the splicer is configured to support the central portion of the substrate, the liquid crystal display device may be manufactured using a substrate of 1000 × 1200 mm 2 or more.
Claims (178)
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