KR20030079248A - Transreflective type Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A semi-transmissive LCD and a method for fabricating the same are provided to eliminate additional reflection plate while improving the reflection/transmission characteristics, by using a partial metal layer composing source/drain electrodes, and capacitor electrodes as the reflection plate. CONSTITUTION: A method for fabricating a semi-transmissive LCD includes the steps of forming first capacitor electrodes(162) on areas including reflecting areas(IV) of a substrate with a first metal material, and covering a semiconductor layer(166) formed on a gate insulating film(164) with a second metal material in a three-layered structure. Source/drain electrodes(168,170) are formed apart from each other by a predetermined distance and second capacitor electrodes(172) are formed at positions corresponding to the first capacitor electrodes. A protecting layer(178) is formed on the entire surface of the substrate by a second insulating material and covers the source/drain electrodes and the second capacitor electrodes. The protecting layer is formed with contact holes to partially expose the drain electrodes and the second capacitor electrodes, so that the exposed drain electrodes and the second capacitor electrodes serve as a reflection plate.

Description

반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법{Transreflective type Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the same}Reflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same {Transreflective type Liquid Crystal Display Device and Method of Fabricating the same}

본 발명은 액정표시장치에 관한 것이며, 특히 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a reflective transmissive liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

최근에, 상기 액정표시장치는 소비전력이 낮고, 휴대성이 양호한 기술집약적이며 부가가치가 높은 차세대 첨단 표시장치 소자로 각광받고 있다.Recently, the liquid crystal display has been spotlighted as a next generation advanced display device with low power consumption, good portability, technology intensive, and high added value.

상기 액정표시장치는 투명 전극이 형성된 두 기판 사이에 액정을 주입하여, 상기 액정의 이방성에 따른 빛의 굴절률 차이를 이용해 영상효과를 얻는 방식으로 구동한다.The liquid crystal display device injects a liquid crystal between two substrates on which a transparent electrode is formed, and drives the liquid crystal display to obtain an image effect by using a difference in refractive index of light due to the anisotropy of the liquid crystal.

현재에는, 각 화소를 개폐하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor ; TFT)가 화소 마다 배치되는 능동행렬방식 액정표시장치(AM-LCD ;Active Matrix Liquid Crystal Display)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.Currently, an active matrix liquid crystal display (AM-LCD) in which thin film transistors (TFTs), which are switching elements that open and close each pixel, is disposed for each pixel, has excellent resolution and video performance. The most attention is.

이하, 도 1은 일반적인 액정표시장치에 대한 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a general liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 상부 및 하부 기판(10, 30)이 서로 일정간격 이격되어 있고, 이 상부 및 하부 기판(10, 30) 사이에는 액정층(50)이 개재되어 있다.As shown, the upper and lower substrates 10 and 30 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and the liquid crystal layer 50 is interposed between the upper and lower substrates 10 and 30.

상기 하부 기판(30)의 투명 기판(1) 상부에는 게이트 전극(32)이 형성되어 있고, 게이트 전극(32) 상부에는 게이트 절연막(34)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(34) 상부의 게이트 전극(32)을 덮는 위치에는 액티브층(36a), 오믹콘택층(36b)이 차례대로 적층된 반도체층(36)이 형성되어 있고, 반도체층(36)의 상부에는 서로 일정간격 이격된 소스 및 드레인 전극(38, 40)이 형성되어 있고, 소스 및 드레인 전극(38, 40) 간의 이격 구간에는 액티브층(36a)의 일부를 노출시킨 채널(ch ; channel)이 형성되어 있고, 게이트 전극(32), 반도체층(36), 소스 및 드레인 전극(38, 40), 채널(ch)은 박막트랜지스터(T)를 이룬다.A gate electrode 32 is formed on the transparent substrate 1 of the lower substrate 30, a gate insulating layer 34 is formed on the gate electrode 32, and a gate electrode on the gate insulating layer 34. The semiconductor layer 36 in which the active layer 36a and the ohmic contact layer 36b are sequentially stacked is formed at a position covering the 32, and a source and a drain spaced apart from each other by a predetermined interval on the semiconductor layer 36. The electrodes 38 and 40 are formed, and a channel (ch; channel) exposing a part of the active layer 36a is formed in the separation section between the source and drain electrodes 38 and 40, and the gate electrode 32 is formed. The semiconductor layer 36, the source and drain electrodes 38 and 40, and the channel ch form a thin film transistor T.

도면으로 제시하지 않았지만, 상기 게이트 전극(32)과 연결되어 제 1 방향으로 게이트 배선이 형성되고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 상기 소스 전극(38)과 연결되는 데이터 배선이 형성되고, 이 게이트 및 데이터 배선이 교차되는 영역은 화소 영역(P)으로 정의된다.Although not shown in the drawings, a gate line is formed in a first direction by being connected to the gate electrode 32, and a data line is formed in a second direction crossing the first direction and is connected to the source electrode 38. The area where the gate and the data line cross each other is defined as the pixel area P. FIG.

또한, 상기 박막트랜지스터(T) 상부에는 드레인 콘택홀(44)을 가지는 보호층(42)이 형성되어 있고, 화소 영역(P)에는 드레인 콘택홀(44)을 통해 상기 드레인 전극(40)과 연결되는 화소 전극(48)이 형성되어 있다.In addition, a passivation layer 42 having a drain contact hole 44 is formed on the thin film transistor T, and is connected to the drain electrode 40 through the drain contact hole 44 in the pixel region P. The pixel electrode 48 is formed.

그리고, 상기 상부 기판(10)의 투명 기판(1) 하부에는 화소 전극(48)과 대응되는 위치에 특정 파장대의 빛만을 걸러주는 컬러필터층(14)이 형성되어 있고, 컬러필터층(14)의 컬러별 경계부에는 빛샘 현상 및 박막트랜지스터(T)로의 광유입을 차단하는 블랙매트릭스(12)가 형성되어 있다.In addition, a color filter layer 14 is formed below the transparent substrate 1 of the upper substrate 10 to filter only light of a specific wavelength band at a position corresponding to the pixel electrode 48, and the color of the color filter layer 14 is formed. The black matrix 12 is formed at the star boundary to block the light leakage phenomenon and the light inflow into the thin film transistor T.

그리고, 이 컬러필터층(14) 및 블랙매트릭스(12)의 하부에는 액정층(50)에 전압을 인가하는 또 다른 전극인 공통 전극(16)이 형성되어 있다.Under the color filter layer 14 and the black matrix 12, a common electrode 16, which is another electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer 50, is formed.

한편, 상기 상부 및 하부 기판(10, 30) 사이에 개재된 액정층(50)의 누설을 방지하기 위해, 상부 및 하부 기판(10, 30)의 가장자리는 씰 패턴(52)에 의해 봉지되어 있다.Meanwhile, in order to prevent leakage of the liquid crystal layer 50 interposed between the upper and lower substrates 10 and 30, edges of the upper and lower substrates 10 and 30 are sealed by a seal pattern 52. .

그리고, 상기 상부 및 하부 기판(10, 30) 사이에 볼 스페이서(54)가 위치하여, 전술한 씰 패턴(52)과 함께 일정한 셀 갭을 유지하는 역할을 한다.The ball spacer 54 is positioned between the upper and lower substrates 10 and 30 to maintain a constant cell gap together with the seal pattern 52 described above.

도면으로 제시하지 않았지만, 상기 상부 및 하부 기판(10, 30)의 액정층(50)과 각각 접하는 부분에는 액정의 배열을 용이하게 유도하기 위해 상부 및 하부 배향막을 더욱 포함한다.Although not shown in the drawings, portions of the upper and lower substrates 10 and 30 respectively contacting the liquid crystal layer 50 further include upper and lower alignment layers to easily induce alignment of liquid crystals.

도면으로 제시하지 않았지만, 이러한 액정표시장치에서는 별도의 광원인 백라이트를 포함한다. 그러나, 상기 백라이트에서 생성된 빛은 액정표시장치의 각 셀을 통과하면서 실제로 화면 상으로는 7% 정도만 투과되므로, 고휘도의 액정표시장치를 제공하기 위해서는 백라이트를 더욱 밝게 해야 하므로, 전력 소모량이 커지게 되고, 충분한 백라이트의 전원 공급용으로 무게가 많이 나가는 배터리(battery)를 사용해왔으나, 이 또한 사용시간에 제한이 있다.Although not shown in the drawings, such a liquid crystal display includes a backlight which is a separate light source. However, since the light generated by the backlight passes through each cell of the liquid crystal display, only about 7% of the light is actually transmitted on the screen. Therefore, in order to provide a high brightness liquid crystal display, the backlight needs to be brighter, resulting in a large power consumption. A heavy battery has been used to supply sufficient backlight power, but this also has a limited use time.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 최근에는 반사 모드, 투과 모드 전환이 가능한 반사투과형 액정표시장치가 연구/개발되었다.In order to solve this problem, recently, a reflection-transmissive liquid crystal display device that can switch between reflection mode and transmission mode has been researched and developed.

상기 반사투과형 액정표시장치에서는, 기존 투과형 액정표시장치에서 투명 전극으로 형성된 화소부에 반사특성을 가지는 금속물질로 이루어지며, 투과부를 가지는 반사판이 구비되는 것을 특징으로 한다.In the reflective transmissive liquid crystal display device, a reflective plate having a transmissive part is formed of a metal material having reflective characteristics in a pixel portion formed of a transparent electrode in the conventional transmissive liquid crystal display device.

상기 화소부에서 반사판의 형성위치는 투명 전극의 상, 하부 어느 쪽에 배치되어도 무방하지만, 액정배열의 원활한 유도를 위하여 투명 전극을 반사판 상부에 배치하는 구조가 최근 주목받고 있으며, 이러한 구조에서도 상기 반사판과 투명 전극간의 단락 및 반사판의 보호를 목적으로 하는 이중층 구조 절연막을 가지는 반사투과형 액정표시장치가 제안되고 있다.Although the position at which the reflector is formed in the pixel portion may be disposed above or below the transparent electrode, a structure in which the transparent electrode is disposed above the reflector for the purpose of smoothly inducing liquid crystal arrays has recently been attracting attention. BACKGROUND ART A reflective transmissive liquid crystal display device having a double layer insulating film for the purpose of short-circuit between transparent electrodes and protecting a reflecting plate has been proposed.

도 2a 내지 2c는 기존의 반사투과형 액정표시장치의 제조 공정을 단계별로 나타낸 단면도이다.2A to 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional reflective transmissive liquid crystal display device in stages.

도 2a에서는, 투과 영역(I) 및 반사 영역(II)을 가지는 화소 영역(P)이 정의된 투명 기판(1)을 구비하는 단계와, 제 1 금속물질을 이용하여 투명 기판(1) 상에 게이트 전극(60) 및 제 1 캐패시터 전극(62)을 형성하는 단계와, 게이트 전극(60) 및 제 1 캐패시터 전극(62)을 덮는 기판 전면에 제 1 절연물질을 이용하여 게이트 절연막(64)을 형성하는 단계와, 게이트 절연막(64) 상부의 게이트 전극(60)을 덮는 위치에 반도체층(66)을 형성하는 단계와, 제 2 금속물질을 이용하여 반도체층(66)을 덮는 위치에 서로 일정간격 이격되는 소스 및 드레인 전극(68, 70)과, 상기 제 1 캐패시터 전극(62)과 대향되는 위치에 제 2 캐패시터 전극(72)을 형성하는 단계와, 제 2 절연물질을 이용하여 상기 소스 및 드레인 전극(68, 70) 그리고, 제 2 절연물질을 이용하여 제 2 캐패시터 전극(72)을 덮는 기판 전면에 제 1 보호층(74)을 형성하는 단계와, 제 3 금속물질을 이용하여 상기 제 1 보호층(74) 상부의 반사 영역(II)에 반사판(76)을 형성하는 단계를 포함한다.In FIG. 2A, a transparent substrate 1 is defined, in which a pixel region P having a transmissive region I and a reflective region II is defined, and on a transparent substrate 1 using a first metal material. Forming the gate electrode 60 and the first capacitor electrode 62, and using the first insulating material on the entire surface of the substrate covering the gate electrode 60 and the first capacitor electrode 62. Forming the semiconductor layer 66 at a position covering the gate electrode 60 on the gate insulating layer 64 and at a position covering the semiconductor layer 66 using the second metal material. Forming source and drain electrodes 68 and 70 spaced apart from each other, and a second capacitor electrode 72 at a position opposite to the first capacitor electrode 62; The drain electrodes 68 and 70 and the second capacitor electrode 72 are covered using a second insulating material. Forming a first passivation layer 74 on the front surface of the substrate, and forming a reflector plate 76 in the reflective region II on the first passivation layer 74 by using a third metal material. .

상기 게이트 전극(60), 반도체층(66), 소스 및 드레인 전극(68, 70)은 박막트랜지스터(T)를 이루고, 게이트 절연막(64)을 절연체로 하여 서로 대응되게 배치된 제 1, 2 캐패시터 전극(62, 72) 영역은 스토리지 캐패시터(CST; storage capacitor)를 이룬다.The gate electrode 60, the semiconductor layer 66, the source and drain electrodes 68 and 70 form a thin film transistor T, and first and second capacitors disposed to correspond to each other using the gate insulating layer 64 as an insulator. The regions of the electrodes 62 and 72 form a storage capacitor (C ST ).

그리고, 상기 반도체층(66)은 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(66a)과, 액티브층(66a) 상부에 위치하며, 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹콘택층(66b)으로 구성되며, 상기 소스 및 드레인 전극(68, 70) 사이 구간에는 노출된 액티브층(66a)으로 이루어진 채널(ch)이 구성된다.The semiconductor layer 66 is formed of an active layer 66a made of amorphous silicon and an ohmic contact layer 66b made of impurity amorphous silicon and positioned on the active layer 66a. In the section between 68 and 70, a channel ch formed of the exposed active layer 66a is formed.

상기 제 1 보호층(74)을 이루는 제 2 절연물질은 박막트랜지스터(T)와 접촉 특성이 우수한 실리콘 절연물질에서 선택되며, 상기 반사판(76)을 이루는 제 3 금속물질은 반사율이 높은 금속물질에서 선택된다.The second insulating material constituting the first protective layer 74 is selected from a silicon insulating material having excellent contact characteristics with the thin film transistor T, and the third metal material constituting the reflecting plate 76 is made of a metal material having high reflectance. Is selected.

도면으로 제시하지는 않았지만, 상기 게이트 전극(60)에는 게이트 신호를 인가하는 게이트 배선이 연결되어 있고, 드레인 전극(70)에는 데이터 신호를 인가하는 데이터 배선이 연결되어 있다.Although not shown in the drawings, a gate line for applying a gate signal is connected to the gate electrode 60, and a data line for applying a data signal is connected to the drain electrode 70.

도 2b에서는, 상기 반사판(76) 상부에 제 3 절연물질을 이용하여 제 2 보호층(82)을 형성한 다음, 제 1, 2 보호층(74, 82) 상에 드레인 전극(70) 및 제 2 캐패시터 전극(72)의 일부를 노출시키는 드레인 콘택홀(78) 및 캐패시터 콘택홀(80)을 형성하는 단계를 포함한다.In FIG. 2B, the second protective layer 82 is formed on the reflective plate 76 by using a third insulating material, and then the drain electrodes 70 and the second protective layers 74 and 82 are formed on the reflective plate 76. Forming a drain contact hole 78 and a capacitor contact hole 80 exposing a portion of the two capacitor electrode 72.

상기 제 3 절연물질은 저유전율값을 가지는 유기 절연물질에서 선택되며, 바람직하게는 BCB(benzocyclobutene)로 하는 것이다.The third insulating material is selected from an organic insulating material having a low dielectric constant value, preferably BCB (benzocyclobutene).

도 2c에서는, 상기 드레인 콘택홀(78) 및 캐패시터 콘택홀(80)을 통하여 드레인 전극(70) 및 제 2 캐패시터 전극(72)과 연결되는 화소 전극(84)을 형성하는 단계이다.In FIG. 2C, the pixel electrode 84 connected to the drain electrode 70 and the second capacitor electrode 72 is formed through the drain contact hole 78 and the capacitor contact hole 80.

상기 화소 전극(84)을 이루는 물질은 투명 도전성 물질에서 선택되며, 바람직하게는 ITO(indium tin oxide)로 하는 것이다.The material constituting the pixel electrode 84 is selected from a transparent conductive material, preferably indium tin oxide (ITO).

이와 같이 기존의 반사투과형 액정표시장치에서는, 상기 반사판(84)을 형성하기 위해 반사특성이 우수한 금속을 별도로 증착(deposition), 사진식각(photolithography), 식각(etching)하는 공정이 요구되며, 콘택홀 공정에서 반사판(76)의 측면 노출을 방지하기 위해 공정 단순화가 어려운 문제점이 있었다.As described above, in the conventional transflective liquid crystal display device, a process of separately depositing, photolithography, and etching a metal having excellent reflection characteristics is required to form the reflective plate 84, and a contact hole. In order to prevent side exposure of the reflector 76 in the process, the process simplification was difficult.

또한, 기존의 반사투과형 액정표시장치에서는 박막트랜지스터용 제 1 보호층(74) 및 반사판 보호용 제 2 보호층(82)을 구비함에 있어서, 상기 제 1 보호층(74)을 이루는 물질로는 박막트랜지스터(T)와의 접촉 특성이 우수한 절연물질에서 선택되어야 하고, 상기 제 2 보호층(82)을 이루는 물질은 반사판(76)과 화소 전극(84)간의 전기적 간섭을 줄일 수 있는 저유전율값을 가지는 절연물질에서 선택되어야 하는 등 공정 수 증가 및 재료 선택의 폭이 좁아지는 문제점이 있었다.In addition, in the conventional reflective liquid crystal display device, when the first protective layer 74 for the thin film transistor and the second protective layer 82 for protecting the reflector are provided, the material forming the first protective layer 74 is a thin film transistor. (T) should be selected from an insulating material having excellent contact characteristics, and the material forming the second protective layer 82 is an insulating material having a low dielectric constant value that can reduce electrical interference between the reflector 76 and the pixel electrode 84. There was a problem in that the number of processes and the material selection were narrowed, such as the choice of materials.

이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 공정수가 저감되고 반사효율이 높은 반사투과형 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve this problem, an object of the present invention is to provide a reflective transmissive liquid crystal display device having a reduced number of processes and high reflection efficiency.

이를 위하여, 본 발명에서는 삼중층 구조 금속물질로 이루어진 소스 및 드레인 전극(데이터 배선 포함) 그리고 제 2 캐패시터 전극을 이용함에 있어서, 상기 삼중층 구조 금속물질의 중간층 금속물질은 반사율이 높으며, 비저항값이 낮은 금속물질인 순수 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금(Al based alloy), 알루미늄/은 합금 중 어느 하나에서 선택되며, 이러한 중간층 금속물질의 상부 및 하부에 위치하는 금속물질로는 화학적 내식성이 강한 금속물질인 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 중 어느 하나에서 선택하도록 하여, 콘택홀 공정에서 상부층 금속물질을 식각하고, 그 하부층을 이루는 반사율이 높은 금속물질이 노출되도록 하여, 별도의 반사판을 생략하는 구조를 제안한다.To this end, in the present invention, when using the source and drain electrodes (including data wiring) and the second capacitor electrode made of the triple layer structure metal material, the intermediate layer metal material of the triple layer structure metal material has high reflectivity and a specific resistance value. It is selected from low metal materials such as pure aluminum (Al), aluminum based alloys, and aluminum / silver alloys. The metal materials located on the upper and lower portions of the interlayer metal material have a strong chemical corrosion resistance. The upper layer metal material is etched in the contact hole process by selecting one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), nickel (Ni), chromium (Cr), and tungsten (W). A metal material having a high reflectance constituting the lower layer is exposed so that a separate reflecting plate is omitted.

도 1은 일반적인 액정표시장치에 대한 단면도.1 is a cross-sectional view of a general liquid crystal display device.

도 2a 내지 2c는 기존의 반사투과형 액정표시장치의 제조 공정을 단계별로 나타낸 단면도.2A through 2C are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional reflective transmissive liquid crystal display device.

도 3a 내지 3b는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 제조 공정을 단계별로 나타낸 단면도.3A to 3B are cross-sectional views showing step-by-step manufacturing processes of a reflective liquid crystal display device according to the present invention;

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

100 : 투명 기판 160 : 게이트 전극100 transparent substrate 160 gate electrode

162 : 제 1 캐패시터 전극 164 : 게이트 절연막162: first capacitor electrode 164: gate insulating film

166a : 액티브층 166b : 오믹콘택층166a: active layer 166b: ohmic contact layer

166 : 반도체층 168a : 제 1 소스 금속층166: semiconductor layer 168a: first source metal layer

168b : 제 2 소스 금속층 168c : 제 3 소스 금속층168b: second source metal layer 168c: third source metal layer

168 : 소스 전극 170a : 제 1 드레인 금속층168: source electrode 170a: first drain metal layer

170b : 제 2 드레인 금속층 170c : 제 3 드레인 금속층170b: second drain metal layer 170c: third drain metal layer

170 : 드레인 전극 172a : 제 2a 캐패시터 금속층170: drain electrode 172a: second a capacitor metal layer

172b : 제 2b 캐패시터 금속층 172c : 제 2c 캐패시터 금속층172b: second metal capacitor metal layer 172c: second metal capacitor metal layer

172 : 제 2 캐패시터 전극 174 : 드레인 콘택홀172: second capacitor electrode 174: drain contact hole

176 : 캐패시터 콘택홀 178 : 보호층176: capacitor contact hole 178: protective layer

III : 투과 영역 IV : 반사 영역III: transmission area IV: reflection area

P : 화소 영역 CST: 스토리지 캐패시터P: pixel area C ST : storage capacitor

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 하나의 특징에서는 기판 상에 위치하며, 제 1 금속물질로 이루어진 게이트 전극 및 제 1 캐패시터 전극과; 상기 게이트 전극 및 제 1 캐패시터 전극 상부에 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극을 덮는 위치에 형성된 반도체층과; 반사특성을 가지는 중간층금속물질을 포함하는 다중층 구조의 제 2 금속물질로 이루어지며, 상기 반도체층 상에 위치하는 소스 및 드레인 전극 그리고, 상기 제 1 캐패시터 전극과 대향되게 위치하는 제 2 캐패시터 전극과; 상기 소스 및 드레인 전극과 제 2 캐패시터 전극을 덮으며, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극을 일부 노출시키는 제 1 영역에 형성된 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 가지는 보호층과; 상기 보호층 상에 위치하고, 상기 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 통해, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극과 연결되며, 투명 도전성 물질로 이루어진 화소 전극을 포함하며, 상기 제 1 영역과 대응되는 위치에서, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극의 중간층 금속물질 영역으로 이루어지는 반사 영역과, 상기 반사 영역과 함께 화소 영역을 구성하며, 빛을 투과시키는 영역인 투과 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정표시장치를 제공한다.In order to achieve the above object, in one aspect of the present invention, a gate electrode and a first capacitor electrode disposed on a substrate, the first metal material; A gate insulating film formed on the gate electrode and the first capacitor electrode; A semiconductor layer formed at a position covering the gate electrode on the gate insulating film; A second metal material having a multi-layer structure including an intermediate metal material having reflective properties, the source and drain electrodes disposed on the semiconductor layer, and the second capacitor electrode positioned to face the first capacitor electrode; ; A protective layer covering the source and drain electrodes and the second capacitor electrode and having a drain contact hole and a capacitor contact hole formed in a first region partially exposing the drain electrode and the second capacitor electrode; A pixel electrode disposed on the passivation layer and connected to the drain electrode and the second capacitor electrode through the drain contact hole and the capacitor contact hole, and including a pixel electrode made of a transparent conductive material, and corresponding to the first region; And a reflection area including an intermediate layer metal material area between the drain electrode and the second capacitor electrode, and a pixel area together with the reflection area, and a transmission area that transmits light. To provide.

상기 반사특성을 가지는 중간층 금속물질은 순수 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금(Al based alloy), 알루미늄/은(Al/Ag) 합금 중 어느 한 금속물질에서 선택되며, 상기 다중층 구조의 제 2 금속물질은 삼중층 금속물질이며, 상기 중간층 금속물질의 상부 및 하부층 금속물질은 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 중 어느 한 금속물질에서 각각 선택되는 것을 특징으로 한다.The reflective interlayer metal material is selected from any one of pure aluminum (Al), aluminum based alloy (Al based alloy), aluminum / silver (Al / Ag) alloy material, the second metal of the multi-layer structure The material is a triple layer metal material, and the upper and lower layer metal materials of the interlayer metal material may be any one of molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), nickel (Ni), chromium (Cr), and tungsten (W). It is characterized in that each selected from one metal material.

상기 투명 도전성 물질은 ITO(indium tin oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), IZO(indium zinc oxide) 중 어느 하나에서 선택되는 것을 특징으로 한다.The transparent conductive material is selected from any one of indium tin oxide (ITO), indium tin zinc oxide (ITZO), and indium zinc oxide (IZO).

그리고, 상기 게이트 절연막이 개재된 상태에서 서로 대향되게 위치하는 제 1, 2 캐패시터 전극은 스토리지 캐패시터(storage capacitor)를 이루는 것을 특징으로 한다.The first and second capacitor electrodes positioned to face each other with the gate insulating layer interposed therebetween form a storage capacitor.

본 발명의 또 하나의 특징에서는, 기판 상에, 제 1 금속물질을 이용하여 게이트 전극 및 제 1 캐패시터 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 및 제 1 캐패시터 전극을 덮는 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극을 덮는 위치에 반도체층을 형성하는 단계와; 반사특성을 가지는 중간층 금속물질을 포함하는 다중층 구조의 제 2 금속물질을 이용하여, 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극 그리고, 상기 제 1 캐패시터 전극과 대향되게 위치에 제 2 캐패시터 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 제 2 캐패시터 전극을 덮으며, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극의 일부를 노출시키는 제 1 영역에 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 가지는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 상에 위치하고, 상기 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 통해, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극과 연결되며, 투명 도전성 물질로 이루어진 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 1 영역과 대응되는 위치에서, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극의 중간층 금속물질 영역으로 이루어지는 반사 영역과, 상기 반사 영역과 함께 화소 영역을 구성하며, 빛을 투과시키는 영역인 투과 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.In still another aspect of the present invention, there is provided a method including forming a gate electrode and a first capacitor electrode on a substrate using a first metal material; Forming a gate insulating film overlying the gate electrode and the first capacitor electrode; Forming a semiconductor layer at a position covering the gate electrode on the gate insulating film; Forming a second capacitor electrode on the semiconductor layer at a position opposite to the source and drain electrodes and the first capacitor electrode by using a second metal material having a multilayer structure including an interlayer metal material having reflective properties; Steps; Forming a protective layer having a drain contact hole and a capacitor contact hole in a first region covering the source and drain electrodes and the second capacitor electrode and exposing a part of the drain electrode and the second capacitor electrode; And forming a pixel electrode on the passivation layer and connected to the drain electrode and the second capacitor electrode through the drain contact hole and the capacitor contact hole and made of a transparent conductive material. At a corresponding position, a reflection region comprising an intermediate layer metal material region of the drain electrode and the second capacitor electrode, and a reflection region comprising a pixel region together with the reflection region and transmitting a light; A method of manufacturing a transmissive liquid crystal display device is provided.

상기 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀 그리고, 상기 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀과 대응되는 위치의 드레인 전극의 상부층 금속물질과 제 2 캐패시터 콘택홀의 상부층 금속물질은 건식식각(dry etching)법에 의해 식각되며, 상기 반사특성을 가지는 중간층 금속물질은 순수 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금(Al based alloy), 알루미늄/은(Al/Ag) 합금 중 어느 한 금속물질에서 선택되는 것을 특징으로 한다.The drain contact hole and the capacitor contact hole, the upper layer metal material of the drain electrode at the position corresponding to the drain contact hole and the capacitor contact hole, and the upper layer metal material of the second capacitor contact hole are etched by dry etching. The interlayer metal material having the reflective properties may be selected from any one of pure aluminum (Al), aluminum based alloy, and aluminum / silver (Al / Ag) alloy.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3a 내지 3b는 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치의 제조 공정을 단계별로 나타낸 단면도로서, 반사판 형성단계를 중심으로 도시하였다.3A to 3B are cross-sectional views showing step-by-step manufacturing processes of the reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention.

도 3a에서는, 투과 영역(III) 및 반사 영역(IV)을 가지는 화소부(P)가 정의된 투명 기판(100) 상에, 제 1 금속물질을 이용하여 게이트 전극(160)과, 반사 영역(IV)을 포함하는 영역에 제 1 캐패시터 전극(162)을 형성하는 단계와, 제 1 절연물질을 이용하여 게이트 전극(160) 및 제 1 캐패시터 전극(162)을 덮는 기판 전면에 게이트 절연막(164)을 형성하는 단계와, 게이트 전극(160)을 덮는 게이트 절연막(164) 상부에 반도체층(166)을 형성하는 단계와, 삼중층 적층 구조를 가지는 제 2 금속물질을 이용하여 반도체층(166)을 덮으며, 서로 일정간격 이격되는 소스 및 드레인 전극(168, 170) 그리고, 상기 제 1 캐패시터 전극(162)과 대응되는 위치에 제 2 캐패시터 전극(172)을 형성하는 단계와, 제 2 절연물질을 이용하여 소스 및 드레인 전극(168, 170) 그리고, 제 2 캐패시터 전극(172)을 덮는 기판 전면에 보호층(178)을 형성하는 단계와, 보호층(178) 상에 드레인 전극(170) 및 제 2 캐패시터 전극(172) 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계를 포함한다.In FIG. 3A, a gate electrode 160 and a reflective region (eg, a first metal material) are formed on a transparent substrate 100 having a pixel portion P having a transparent region III and a reflective region IV defined therein. Forming a first capacitor electrode 162 in a region including IV) and a gate insulating film 164 on the entire surface of the substrate covering the gate electrode 160 and the first capacitor electrode 162 using a first insulating material. Forming the semiconductor layer, forming the semiconductor layer 166 on the gate insulating layer 164 covering the gate electrode 160, and using the second metal material having the triple layer stack structure to form the semiconductor layer 166. Covering the source and drain electrodes 168 and 170 spaced apart from each other, and forming a second capacitor electrode 172 at a position corresponding to the first capacitor electrode 162, and forming a second insulating material. To cover the source and drain electrodes 168 and 170 and the second capacitor electrode 172. It comprises the steps of: forming a protective layer 178 over the entire surface of the substrate, forming a contact hole exposing a portion the drain electrode 170 and the second capacitor electrode 172 on the protective layer 178.

상기 반도체층(166)은 순수 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(166a)과, 액티브층(166a) 상부에 위치하며 불순물 비정질 실리콘으로 이루어진오믹콘택층(166b)으로 이루어진다.The semiconductor layer 166 includes an active layer 166a made of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer 166b formed of impurity amorphous silicon on the active layer 166a.

상기 게이트 전극(160), 반도체층(166), 소스 및 드레인 전극(168, 170)은 박막트랜지스터(T)를 이루며, 소스 및 드레인 전극(168, 170) 형성 후에는 소스 및 드레인 전극(168, 170) 사이 구간의 오믹콘택층(166b)을 제거하고, 그 하부층에 위치하는 액티브층(166a)을 노출시켜 채널(CH)을 완성하는 단계를 포함한다.The gate electrode 160, the semiconductor layer 166, the source and drain electrodes 168 and 170 form a thin film transistor T. After the source and drain electrodes 168 and 170 are formed, the source and drain electrodes 168 and 170 may be formed. And removing the ohmic contact layer 166b between the sections 170 and exposing the active layer 166a positioned at the lower layer to complete the channel CH.

상기 제 1 금속물질은 비저항값이 낮은 금속물질에서 선택되며, 바람직하기로는 알루미늄계 합금을 하부층으로 하고, 상부층에 화학적 내식성이 강한 금속물질이 위치하는 이중층 금속물질로 하는 것이다. 이러한 금속물질에 대한 한 예로 알루미늄네오디뮴/몰리브덴을 들 수 있다. 그리고, 상기 제 1 절연물질은 실리콘 절연물질에서 선택되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하기로는 실리콘 질화막으로 하는 것이며, 제 2 절연물질은 무기절연물질, 유기절연물질 중 어느 한 물질에서 선택될 수 있다.The first metal material is selected from a metal material having a low specific resistance value. Preferably, the first metal material is an aluminum-based alloy as a lower layer, and a double layer metal material in which a metal material having strong chemical corrosion resistance is positioned on the upper layer. An example of such a metal material is aluminum neodymium / molybdenum. The first insulating material may be selected from a silicon insulating material, more preferably, a silicon nitride film, and the second insulating material may be selected from one of an inorganic insulating material and an organic insulating material.

상기 소스 및 드레인 전극(168, 170)은 차례대로 상, 중, 하부층을 이루는 제 1, 2, 3 소스 금속층(168a, 168b, 168c) 및 제 1, 2, 3 드레인 금속층(170a, 170b, 170c)으로 이루어지고, 제 2 캐패시터 전극(172)은 차례대로 상, 중, 하부층을 이루는 제 2a, 2b, 2c 캐패시터 금속층(172a, 172b, 172c)으로 이루어진다.The source and drain electrodes 168 and 170 may sequentially form the first, second, and third source metal layers 168a, 168b, and 168c, and the first, second and third drain metal layers 170a, 170b, and 170c, respectively. ), And the second capacitor electrode 172 is formed of the second and second capacitor metal layers 172a, 172b, and 172c that form the upper, middle, and lower layers in order.

이때, 제 2 소스 및 드레인 금속층(168b, 170b) 그리고, 제 2b 캐패시터 금속층(172b)을 이루는 물질은 반사율이 높고 비저항값이 낮은 금속물질에서 선택되며, 바람직하기로는 순수 알루미늄, 알루미늄계 합금, 알루미늄/은 합금 중 어느 하나에서 선택되는 것이며, 제 1, 3 소스 금속층(168a, 168c) 및 제 1, 3 드레인금속층(170a, 170b)을 이루는 물질은, 상기 제 2 소스 및 드레인 금속층(168b, 170b) 그리고, 제 2b 캐패시터 금속층(172b)을 이루는 물질 이외의 화학적 내식성이 강한 금속물질에서 선택되며, 바람직하기로는 몰리브덴, 티탄, 탄탈, 니켈, 크롬, 텅스텐 중 어느 한 금속물질에서 선택되는 것이다.In this case, the material forming the second source and drain metal layers 168b and 170b and the second capacitor metal layer 172b is selected from a metal material having high reflectivity and low specific resistance, and preferably pure aluminum, aluminum-based alloy, or aluminum. / Is selected from any one of the alloy, the material forming the first and third source metal layer (168a, 168c) and the first, third drain metal layer (170a, 170b), the second source and drain metal layer (168b, 170b). And, it is selected from a metal material having a strong chemical corrosion resistance other than the material constituting the 2b capacitor metal layer 172b, preferably selected from any one of molybdenum, titanium, tantalum, nickel, chromium, tungsten.

본 발명에 따른 콘택홀 형성단계에서는, 박막트랜지스터(T) 및 스토리지 캐패시터(CST)를 덮는 기판 전면에 제 2 절연물질을 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극(170) 및 제 2 캐패시터 전극(172)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(174) 및 캐패시터 콘택홀(176)을 각각 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 상기 드레인 콘택홀(174) 및 캐패시터 콘택홀(176)과 대응되는 위치의 제 3 드레인 전극(170c) 및 제 2c 캐패시터 전극(172c)이 제거되어, 그 하부층을 이루는 반사특성을 가지는 제 2 드레인 전극(170b) 및 제 2b 캐패시터 전극(172b)을 노출시키는 단계를 포함한다.In the forming of the contact hole according to the present invention, forming a second insulating material on the entire surface of the substrate covering the thin film transistor T and the storage capacitor C ST , and the drain electrode 170 and the second capacitor electrode 172. Forming a drain contact hole 174 and a capacitor contact hole 176 respectively exposing). In this case, the second drain electrode 170c and the second c capacitor electrode 172c at positions corresponding to the drain contact hole 174 and the capacitor contact hole 176 are removed to form a second layer having reflective characteristics forming the lower layer. Exposing the drain electrode 170b and the second b capacitor electrode 172b.

상기 드레인 콘택홀(174) 및 캐패시터 콘택홀(176)을 통해 노출된 제 2 드레인 전극(170b) 및 제 2b 캐패시터 전극(172b)부는 기존의 반사판 역할을 겸하고, 해당 영역은 반사 영역(IV)을 이루는 것을 특징으로 한다.A portion of the second drain electrode 170b and the second b capacitor electrode 172b exposed through the drain contact hole 174 and the capacitor contact hole 176 serves as a conventional reflector, and the corresponding region serves as a reflection region IV. Characterized in forming.

상기 제 2 드레인 전극(170b) 및 제 2b 캐패시터 전극(172b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(174) 및 캐패시터 콘택홀(176) 제조 공정에서는, 박막트랜지스터(T) 및 스토리지 캐패시터(CST)를 덮는 기판 전면에 제 2 절연물질을 형성한 다음, 제 2 드레인 전극(170b) 및 제 2b 캐패시터 전극(172b)을 일부 노출시키기 위해, 이와대응된 위치의 제 2 절연물질 및 제 3 드레인 전극(170c) 및 제 2c 캐패시터 전극(172c)을 식각하는 단계를 포함한다. 한 예로, 상기 반사 영역(IV)에 위치하는 제 2 절연물질 및 제 3 드레인 전극(170c) 및 제 2c 캐패시터 전극(172c) 부분은 제 2 절연물질에 대한 건식식각(dry etching) 공정조건 하에서 일괄식각 처리할 수 있다.In the manufacturing process of the drain contact hole 174 and the capacitor contact hole 176 exposing the second drain electrode 170b and the second b capacitor electrode 172b, the thin film transistor T and the storage capacitor C ST are covered. After the second insulating material is formed on the entire surface of the substrate, the second insulating material and the third drain electrode 170c at positions corresponding thereto are partially exposed to partially expose the second drain electrode 170b and the second b capacitor electrode 172b. And etching the second c capacitor electrode 172c. For example, a portion of the second insulating material, the third drain electrode 170c and the second c capacitor electrode 172c positioned in the reflective region IV may be collectively subjected to a dry etching process condition for the second insulating material. It can be etched.

도 3b에서는, 상기 드레인 콘택홀(174) 및 캐패시터 콘택홀(176)을 통해 드레인 전극(170) 및 제 2 캐패시터 전극(172)과 연결되는 화소 전극(180)을 형성하는 단계로서, 상기 화소 전극(180)과 실질적으로 연결되는 드레인 전극(170) 및 제 2 캐패시터 전극(172)부는 제 2 드레인 금속층(170b) 및 제 2b 캐패시터 금속층(172b)에 해당된다.In FIG. 3B, the pixel electrode 180 is connected to the drain electrode 170 and the second capacitor electrode 172 through the drain contact hole 174 and the capacitor contact hole 176. The drain electrode 170 and the second capacitor electrode 172 which are substantially connected to the 180 correspond to the second drain metal layer 170b and the second b capacitor metal layer 172b.

상기 화소 전극(180)을 이루는 물질은 투명 도전성 물질에서 선택되며, 바람직하게는 ITO(indium tin oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), IZO(indium zinc oxide)로 하는 것이다.The material constituting the pixel electrode 180 is selected from a transparent conductive material, preferably indium tin oxide (ITO), indium tin zinc oxide (ITZO), or indium zinc oxide (IZO).

그러나, 본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 어긋나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

이와 같이, 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치 및 그의 제조방법에 따르면 다음과 같은 효과를 가진다.As described above, according to the reflection-transmissive liquid crystal display device and the manufacturing method thereof, the present invention has the following effects.

첫째, 별도의 반사판의 생략으로 공정 수를 절감하면서, 반사투과 특성의 향상을 꾀할 수 있어, 제품경쟁력을 높일 수 있다.First, while eliminating a separate reflector can reduce the number of processes, it is possible to improve the reflection transmission characteristics, it is possible to increase the product competitiveness.

둘째, 별도의 반사판의 생략에 따라 이에 따른 보호층 공정을 절감시킬 수 있다.Second, according to the omission of a separate reflector it can reduce the protective layer process accordingly.

셋째, 소스 및 드레인 전극 그리고, 캐패시터 전극을 구성하는 일부 금속층을 반사판으로 이용함에 따라, 스토리지 캐패시터 용량 확보가 용이하므로, 안정적인 화질을 꾀할 수 있다.Third, since the source and drain electrodes and some metal layers constituting the capacitor electrode are used as the reflecting plate, the storage capacitor capacity can be easily secured, thereby achieving stable image quality.

Claims (8)

기판 상에 위치하며, 제 1 금속물질로 이루어진 게이트 전극 및 제 1 캐패시터 전극과;A gate electrode and a first capacitor electrode on the substrate, the gate electrode comprising a first metal material; 상기 게이트 전극 및 제 1 캐패시터 전극 상부에 형성된 게이트 절연막과;A gate insulating film formed on the gate electrode and the first capacitor electrode; 상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극을 덮는 위치에 형성된 반도체층과;A semiconductor layer formed at a position covering the gate electrode on the gate insulating film; 반사특성을 가지는 중간층 금속물질을 포함하는 다중층 구조의 제 2 금속물질로 이루어지며, 상기 반도체층 상에 위치하는 소스 및 드레인 전극 그리고, 상기 제 1 캐패시터 전극과 대향되게 위치하는 제 2 캐패시터 전극과;A second metal material having a multi-layered structure including an intermediate metal material having reflective properties, the source and drain electrodes disposed on the semiconductor layer, and the second capacitor electrode positioned to face the first capacitor electrode; ; 상기 소스 및 드레인 전극과 제 2 캐패시터 전극을 덮으며, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극을 일부 노출시키는 제 1 영역에 형성된 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 가지는 보호층과;A protective layer covering the source and drain electrodes and the second capacitor electrode and having a drain contact hole and a capacitor contact hole formed in a first region partially exposing the drain electrode and the second capacitor electrode; 상기 보호층 상에 위치하고, 상기 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 통해, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극과 연결되며, 투명 도전성 물질로 이루어진 화소 전극A pixel electrode on the passivation layer and connected to the drain electrode and the second capacitor electrode through the drain contact hole and the capacitor contact hole, and formed of a transparent conductive material 을 포함하며, 상기 제 1 영역과 대응되는 위치에서, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극의 중간층 금속물질 영역으로 이루어지는 반사 영역과, 상기 반사 영역과 함께 화소 영역을 구성하며, 빛을 투과시키는 영역인 투과 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정표시장치.And a reflection region including an intermediate layer metal material region of the drain electrode and the second capacitor electrode at a position corresponding to the first region, and a pixel region together with the reflection region to transmit light. A transflective liquid crystal display device having a transmissive area. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사특성을 가지는 중간층 금속물질은 순수 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금(Al based alloy), 알루미늄/은(Al/Ag) 합금 중 어느 한 금속물질에서 선택되는 반사투과형 액정표시장치.The interlayer metal material having reflective properties is selected from any one of pure aluminum (Al), aluminum based alloy, and aluminum / silver (Al / Ag) alloy. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 다중층 구조의 제 2 금속물질은 삼중층 금속물질이며, 상기 중간층 금속물질의 상부 및 하부층 금속물질은 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 탄탈(Ta), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 중 어느 한 금속물질에서 각각 선택되는 반사투과형 액정표시장치.The second metal material of the multilayer structure is a triple metal material, and the upper and lower metal materials of the intermediate metal material are molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), nickel (Ni), and chromium (Cr). ), And a reflective liquid crystal display device selected from any one of tungsten (W) metal materials. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투명 도전성 물질은 ITO(indium tin oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), IZO(indium zinc oxide) 중 어느 하나에서 선택되는 반사투과형 액정표시장치.The transparent conductive material may be selected from any one of indium tin oxide (ITO), indium tin zinc oxide (ITZO), and indium zinc oxide (IZO). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 절연막이 개재된 상태에서 서로 대향되게 위치하는 제 1, 2 캐패시터 전극은 스토리지 캐패시터(storage capacitor)를 이루는 반사투과형 액정표시장치.And a first and second capacitor electrodes positioned to face each other with the gate insulating layer interposed therebetween to form a storage capacitor. 기판 상에, 제 1 금속물질을 이용하여 게이트 전극 및 제 1 캐패시터 전극을 형성하는 단계와;Forming a gate electrode and a first capacitor electrode on the substrate using a first metal material; 상기 게이트 전극 및 제 1 캐패시터 전극을 덮는 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;Forming a gate insulating film overlying the gate electrode and the first capacitor electrode; 상기 게이트 절연막 상의 게이트 전극을 덮는 위치에 반도체층을 형성하는 단계와;Forming a semiconductor layer at a position covering the gate electrode on the gate insulating film; 반사특성을 가지는 중간층 금속물질을 포함하는 다중층 구조의 제 2 금속물질을 이용하여, 상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극 그리고, 상기 제 1 캐패시터 전극과 대향되게 위치에 제 2 캐패시터 전극을 형성하는 단계와;Forming a second capacitor electrode on the semiconductor layer at a position opposite to the source and drain electrodes and the first capacitor electrode by using a second metal material having a multilayer structure including an interlayer metal material having reflective properties; Steps; 상기 소스 및 드레인 전극과 제 2 캐패시터 전극을 덮으며, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극의 일부를 노출시키는 제 1 영역에 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 가지는 보호층을 형성하는 단계와;Forming a protective layer having a drain contact hole and a capacitor contact hole in a first region covering the source and drain electrodes and the second capacitor electrode and exposing a part of the drain electrode and the second capacitor electrode; 상기 보호층 상에 위치하고, 상기 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀을 통해, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극과 연결되며, 투명 도전성 물질로 이루어진 화소 전극을 형성하는 단계Forming a pixel electrode on the passivation layer and connected to the drain electrode and the second capacitor electrode through the drain contact hole and the capacitor contact hole and formed of a transparent conductive material 을 포함하며, 상기 제 1 영역과 대응되는 위치에서, 상기 드레인 전극 및 제 2 캐패시터 전극의 중간층 금속물질 영역으로 이루어지는 반사 영역과, 상기 반사 영역과 함께 화소 영역을 구성하며, 빛을 투과시키는 영역인 투과 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 반사투과형 액정표시장치의 제조방법.And a reflection region including an intermediate layer metal material region of the drain electrode and the second capacitor electrode at a position corresponding to the first region, and a pixel region together with the reflection region to transmit light. A method of manufacturing a reflection-transmissive liquid crystal display device having a transmission region. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀 그리고, 상기 드레인 콘택홀 및 캐패시터 콘택홀과 대응되는 위치의 드레인 전극의 상부층 금속물질과 제 2 캐패시터 콘택홀의 상부층 금속물질은 건식식각(dry etching)법에 의해 식각되는 반사투과형 액정표시장치의 제조방법.The drain contact hole and the capacitor contact hole, the upper layer metal material of the drain electrode at the position corresponding to the drain contact hole and the capacitor contact hole, and the upper layer metal material of the second capacitor contact hole are etched by dry etching. Method of manufacturing a reflective transmissive liquid crystal display device. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 반사특성을 가지는 중간층 금속물질은 순수 알루미늄(Al), 알루미늄계 합금(Al based alloy), 알루미늄/은(Al/Ag) 합금 중 어느 한 금속물질에서 선택되는 반사투과형 액정표시장치의 제조방법.The interlayer metal material having reflective properties is selected from any one of pure aluminum (Al), aluminum based alloys, and aluminum / silver (Al / Ag) alloys.
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