KR20030073773A - Media for storing data and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 정보 저장용 매체(Media) 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 MgO 단결정 기판의 상부 백금(Pt)인 전극 및 PZT박막을 형성함으로서, 정보 저장용 매체의 PZT박막에 방향성을 갖도록 하여, 적은 입계를 갖고 기록밀도를 증가시킬 수 있는 정보 저장용 매체(Media) 및 그의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information storage medium (Media) and a method of manufacturing the same. More specifically, by forming an electrode and a PZT thin film of upper platinum (Pt) of an MgO single crystal substrate, the orientation of the PZT thin film of the information storage medium is achieved. The present invention relates to an information storage medium (Media) capable of increasing the recording density with a small grain boundary, and a manufacturing method thereof.
일반적으로, 스캐닝 탐침 현미경(Scanning Probe Microscope, SPM)을 이용한 데이터 저장 시스템은 크게 매체, 헤드 그리고 신호 처리부로 구성된다.In general, a data storage system using a scanning probe microscope (SPM) is largely composed of a medium, a head, and a signal processor.
그중 매체는 시스템의 기록 및 재생 방식에 따라, 수많은 재료들이 사용되고 있으며, 특히, PZT와 같은 강유전체는 정전기력 현미경(Electrostatic Force Microscope, EFM)방식의 저장시스템에 사용되는 대표적인 재료이다.Among them, a large number of materials are used according to the recording and reproducing method of the system. In particular, ferroelectrics such as PZT are representative materials used in a storage system of an Electrostatic Force Microscope (EMF).
정전기력 현미경 방식의 데이터 저장 시스템에 사용되는 PZT는 막 표면의 균일성과 원자 단위의 평탄도가 요구된다. 또한 기억된 정보가 오래도록 유지 될 수있는 보유(Retention) 특성도 중요하다.PZTs used in electrostatic force microscopy data storage systems require uniformity of the surface of the membrane and atomic flatness. Also important is the retention characteristics, in which the memorized information can be kept for a long time.
PZT박막을 형성하는 방법은 이미 잘 알려진 물리기상증착(Phisical Vapor Deposition, PVD)방법이나 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)방법 등이 있는데, 이들 중, 졸겔(Sol-Gel)법은 막의 제조가 간단하고, 저렴한 비용으로 인해서 많은 각광을 받고 있다.PZT thin film formation methods include well-known physical vapor deposition (PVD) methods and chemical vapor deposition (CVD) methods. Among them, the sol-gel method is used to prepare a film. Has gained much attention due to its simple and low cost.
정전기력 현미경 방식의 데이터 저장 시스템의 구성 및 동작 원리는 다음과 같다. 먼저, 정전기력 현미경 방식의 데이터 저장 시스템은 헤드 부분에는 캔틸레버가 형성되어 있고, 그 끝에는 예리한 탐침이 달려있다. 그리고, 전기적 전도를 시키기 위해, 탐침의 표면을 금속으로 코팅하고, 이 금속을 신호처리부에 연결시켜 구성한다.The configuration and operation principle of the electrostatic force microscopy data storage system are as follows. First, the electrostatic force microscopy data storage system has a cantilever formed at the head part and a sharp probe at the end. In order to conduct electrical conduction, the surface of the probe is coated with a metal, and the metal is connected to the signal processor.
그리고, 시스템의 정보 기록 원리는 하부 전극이 형성되어 있는 PZT 매체(Media) 위에 도전성 있는 탐침을 접촉시킨다. 그러면, 탐침-PZT-하부 전극은 전기적으로 캐패시터 구조를 이루게 되고, 탐침에 전압을 인가하게 되면 그 전기장의 방향에 따라 PZT의 분극은 방향이 변하게 된다.And the information recording principle of the system makes the conductive probe contact the PZT media on which the lower electrode is formed. Then, the probe-PZT-lower electrode has an electrical capacitor structure, and when a voltage is applied to the probe, the polarization of the PZT is changed according to the direction of the electric field.
그러므로, 매체 표면의 원하는 곳에 탐침을 위치시키고, 그곳에 전압을 인가하여 분극을 일정 방향으로 정렬시키면, 이것이 1비트의 데이터를 기록하게 되는 것이다.Therefore, if you place the probe where you want it on the surface of the medium and apply a voltage to it to align the polarization in a certain direction, this will record one bit of data.
만일, 탐침에 전압을 인가하여 분극 방향이 위로 정렬되는 것을 '1'로 정의한다면, 탐침에 반대 전압을 인가하여 분극을 아래 방향으로 정렬시키면, 이는 '0'이 되는 것이다.If it is defined as '1' that the polarization direction is aligned upward by applying a voltage to the probe, the polarization is aligned downward by applying a reverse voltage to the probe, which is '0'.
기록된 정보의 재생 원리는 팁을 박막 표면에 접근시키면, 팁 끝의 전하와 PZT표면의 전하 사이에 서로 정전기력(Electrostatic force)이 작용하게 되는데, 이 정전기력의 세기는 PZT표면의 분극 방향에 따라 달라지게 된다.The principle of reproducing the recorded information is that when the tip approaches the surface of the thin film, electrostatic forces act between the tip of the tip and the charge on the PZT surface, which depends on the polarization direction of the PZT surface. You lose.
즉, 분극방향이 위 또는 아래일때, 탐침에 작용하는 정전기력이 다르므로, 이를 앰프(Amp)등을 이용하여 읽어 내는 것이다.That is, when the polarization direction is up or down, since the electrostatic force acting on the probe is different, it is read using an amplifier or the like.
도 1은 종래의 정보 저장용 매체(Media)의 단면도로서, 실리콘 기판(10)위에 비정질의 실리콘 산화막(11)이 형성되어 있고, 그 실리콘 산화막(11)의 상부에 백금(Pt)으로 전극(12)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 전극(12)의 상부에 PZT박막(13)이 형성되어 있다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional media for storing information, in which an amorphous silicon oxide film 11 is formed on a silicon substrate 10, and an electrode (Pt) is formed on the silicon oxide film 11. 12) is formed. The PZT thin film 13 is formed on the electrode 12.
이렇게 제작된 PZT 박막은 원형의 입자를 가지게 되며, 입자의 크기는 PZT의 조성에 따라 다르게 되는데, 대략 50㎚ ~ 2㎛사이이다.The PZT thin film thus prepared has circular particles, and the size of the particles varies depending on the composition of the PZT, which is approximately 50 nm to 2 μm.
도 2는 종래의 정보 저장용 매체(Media)의 PZT 박막 표면을 원자력 현미경(Atomic Force Microscope)으로 촬영한 사진으로서, 그레인(Grain)사이즈가 작은 PZT박막의 입자들이 무수히 많이 형성되어 있어, PZT박막은 상호 다른 방향의 분극들을 갖는 입자들로 구성되어 있음을 알 수 있다.FIG. 2 is a photograph of a PZT thin film surface of a conventional information storage medium (Atomic Force Microscope), in which a large number of particles of a small grain size PZT thin film are formed, and thus a PZT thin film. It can be seen that is composed of particles having polarizations in different directions from each other.
결국, 종래의 정전기력 현미경 데이터 저장 시스템용 매체(Media)에 적용된 PZT 박막은 무방향성을 갖는 박막이 형성되었으며, 이는, 전극의 재료인 백금이 비정질인 실리콘 산화막에 형성되므로, 무질서한 성장방향을 갖게 되어, 백금 위에 형성된 PZT박막도 무 방향성의 결정구조를 갖게되었다.As a result, a PZT thin film applied to a medium for a conventional electrostatic force microscopy data storage system has a non-directional thin film, which has a disordered growth direction since platinum, an electrode material, is formed on an amorphous silicon oxide film. The PZT thin film formed on platinum also has an oriented crystal structure.
이런, 종래의 정전기력 현미경 데이터 저장 시스템의 매체(Media)에서 사용되는 PZT는 원형의 입자형태로 인하여 막의 표면은 굴곡을 이루게 되고, 입자와 입자의 경계면에 탐침이 위치해 있을 경우에 전기장이 충분히 가해지지 않거나, 또는 경계면에서는 분극이 존재하지 않아, 계면의 양측에 있는 입자들의 분극이 모두 전기장의 영향을 받아서, 기록되므로, 정보를 기록할 수 있는 비트의 사이즈가 커지는 결과가 발생한다.The PZT used in the media of the conventional electrostatic force microscopy data storage system is curved due to the circular particle shape, and the electric field is not sufficiently applied when the probe is located at the particle and particle interface. Otherwise, no polarization exists at the interface, and since the polarization of the particles on both sides of the interface is all affected by the electric field and is recorded, the result is that the size of the bit capable of recording information increases.
결과적으로 단위 면적당 정보를 기록할 수 있는 밀도가 작아지게 되는 단점이 있었다.As a result, there is a disadvantage in that the density for recording information per unit area becomes small.
도 3a는 현미경의 탐침에 전압을 인가하여 정전기력을 측정한 종래의 정보저장용 매체(Media)의 PZT 박막 사진으로서, 도 2에 도시된 구조를 갖는 종래의 정보 저장용 매체의 PZT 박막에 정전기력 현미경의 탐침으로 음전압을 인가하였다.3A is a PZT thin film photograph of a conventional information storage medium (Media) for measuring electrostatic force by applying a voltage to a probe of a microscope. The electrostatic force microscope is applied to the PZT thin film of the conventional information storage medium having the structure shown in FIG. A negative voltage was applied with a probe of.
도 3a에 도시된 PZT 박막의 크기는 4x4 ㎛이고, 흰 점은 정전기력 현미경의 탐침으로 음전압이 인가된 부분이다. 그리고, 도 3a에 도시된 a-a'선에서 방출된 전압을 측정한 프로파일(Profile)을 도 3b에 도시하였다.The size of the PZT thin film shown in FIG. 3A is 4 × 4 μm, and the white spot is a portion to which a negative voltage is applied by a probe of an electrostatic force microscope. 3B shows a profile in which the voltage emitted from the line a-a 'shown in FIG. 3A is measured.
도 3a에서 'A'점에서 방출된 전압은 도 3b에 도시된 바와 같이, 피크(Peak)형으로 측정되었고, 그 측정된 프로파일의 폭이 0.157㎛로 정보를 기록할 수 있는 비트(Bit) 사이즈가 대체적으로 커서, 종래의 정보 저장용 매체는 단위 면적당 기록 밀도가 낮은 것을 알 수 있다.In FIG. 3A, the voltage emitted at the point 'A' was measured in the shape of a peak, as shown in FIG. 3B, and the width of the measured profile was 0.157 µm in the size of a bit capable of recording information. Is generally large, it can be seen that the conventional information storage medium has a low recording density per unit area.
이에 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로,MgO 단결정 기판의 상부 백금(Pt)인 전극 및 PZT박막을 형성함으로서, 정보 저장용 매체의 PZT박막에 방향성을 갖도록 하여, 적은 입계를 갖고 기록밀도를 증가시킬 수 있는 정보 저장용 매체(Media) 및 그의 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, by forming an electrode and a PZT thin film of the upper platinum (Pt) of the MgO single crystal substrate, so that the PZT thin film of the information storage medium has a small grain boundary An object of the present invention is to provide an information storage medium (Media) capable of increasing the recording density and a method of manufacturing the same.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, MgO 기판과;A preferred aspect for achieving the above object of the present invention is an MgO substrate;
상기 MgO기판 상부에 백금(Pt)로 형성된 전극과;An electrode formed of platinum (Pt) on the MgO substrate;
상기 전극 상부에 형성된 PZT박막으로 구성된 정보 저장용 매체가 제공된다.An information storage medium comprising a PZT thin film formed on the electrode is provided.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 다른 양태(樣態)는, MgO 기판의 상부에 백금인 전극을 증착시키는 제 1 단계와;Another preferred aspect for achieving the above object of the present invention is the first step of depositing a platinum electrode on top of the MgO substrate;
상기 전극의 상부에 PZT 성분을 갖는 졸겔(Sol-gel) 공정용 용액을 도포하는 제 2 단계와;A second step of applying a solution for a sol-gel process having a PZT component on the electrode;
상기 MgO기판을 고속으로 회전시켜 원심력에 의해, 전극 위에 도포된 용액이 얇게 퍼지도록 하는 제 3 단계와;A third step of rotating the MgO substrate at a high speed so that the solution applied on the electrode is thinly spread by centrifugal force;
상기 얇게 형성된 용액에 열을 가하여, 용매 성분을 증발시키고, 하부 전극 위에는 고체 성분의 PZT박막을 형성시키는 제 4 단계로 이루어진 정보 저장용 매체 제조방법이 제공된다.Provided is a method of manufacturing a medium for storing information comprising a fourth step of applying heat to the thinly formed solution to evaporate the solvent component and forming a PZT thin film of a solid component on the lower electrode.
도 1은 종래의 정보 저장용 매체(Media)의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional information storage medium Media.
도 2는 종래의 정보 저장용 매체(Media)의 PZT 박막 표면을 원자력 현미경(Atomic Force Microscope)으로 촬영한 사진이다.FIG. 2 is a photograph of a PZT thin film surface of a conventional information storage medium (Atomic Force Microscope).
도 3a는 현미경의 탐침에 전압을 인가하여 정전기력을 측정한 종래의 정보저장용 매체(Media)의 PZT 박막 사진이다.Figure 3a is a PZT thin film photograph of a conventional information storage medium (Media) for measuring the electrostatic force by applying a voltage to the probe of the microscope.
도 3b는 도 3a의 a-a'선에서 방출된 전압을 측정한 프로파일(Profile)이다.FIG. 3B is a profile measuring voltage emitted from a-a 'line of FIG. 3A.
도 4는 본 발명에 따른 정보 저장용 매체의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an information storage medium according to the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 정보 저장용 매체에 XRD(X-Ray Diffraction) 패턴을 측정한 도면이다.5 is a diagram illustrating an X-ray diffraction (XRD) pattern on an information storage medium according to the present invention.
도 6은 본 발명에 따른 정보 저장용 매체의 PZT 박막 표면을 원자력 현미경으로 촬영한 사진이다.6 is a photograph taken with an atomic force microscope of the surface of the PZT thin film of the information storage medium according to the present invention.
도 7a는 현미경의 탐침에 전압을 인가하여 정전기력을 측정한 본 발명의 정보 저장용 매체(Media)의 PZT 박막 사진이다.7A is a PZT thin film photograph of an information storage medium (Media) of the present invention measuring electrostatic force by applying a voltage to a probe of a microscope.
도 7b와 도 7c는 도 7a의 b-b'선과 c-c'선에서 방출된 전압을 측정한 프로파일(Profile)이다.7B and 7C are profiles in which voltages emitted from lines b-b 'and c-c' of FIG. 7a are measured.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
20 : MgO기판 21 : 전극20: MgO substrate 21: electrode
22 : PZT박막22: PZT thin film
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 정보 저장용 매체의 단면도로서, 먼저, 본 발명에서는 (100) 방향의 MgO 단결정을 이용하는 것을 특징으로 한다.4 is a cross-sectional view of an information storage medium according to the present invention. First, in the present invention, MgO single crystal in the (100) direction is used.
이 MgO 단결정은 백금인 전극 및 PZT박막의 결정 격자 상수가 비슷하여 백금 및 PZT박막이 방향성을 갖으며 성장된다.The MgO single crystal has a similar crystal lattice constant between an electrode made of platinum and a PZT thin film, so that the platinum and PZT thin films are grown with directivity.
그러므로, MgO 기판(20)의 상부에 백금인 전극(21)을 스퍼터링 방법으로 증착시킨다. 이 때, MgO 기판(20)을 650℃ ~ 800℃로 가열하고, 10A/min ~ 30A/min의 증착속도로 백금을 증착한다.Therefore, the electrode 21 which is platinum on the MgO substrate 20 is deposited by the sputtering method. At this time, the MgO substrate 20 is heated to 650 ° C to 800 ° C, and platinum is deposited at a deposition rate of 10A / min to 30A / min.
여기서, (100) 방향의 MgO기판의 결정 격자 상수는 (200) 방향의 백금의 결정 격자 상수와 잘 일치하기 때문에, 잘 성장이 된다.Here, the crystal lattice constant of the MgO substrate in the (100) direction matches well with the crystal lattice constant of the platinum in the (200) direction, and thus grows well.
이후, 상기 백금인 전극(21)의 상부에 PZT 성분을 갖는 졸겔(Sol-gel) 공정용 용액을 도포하고, 고속으로 회전시켜 원심력에 의해, 전극 위에 도포된 용액이 얇게 퍼지도록 한다.Subsequently, a solution for a sol-gel process having a PZT component is applied to the upper portion of the electrode 21, which is platinum, and rotated at a high speed so that the solution applied on the electrode is thinly spread by centrifugal force.
그리고, 얇게 형성된 용액에 적당한 열을 가하여, 여분의 용매 성분을 증발시키고, 하부 전극 위에는 고체 성분의 PZT박막(22)만 남도록 한다.Appropriate heat is then applied to the thinly formed solution to evaporate the excess solvent component, leaving only the PZT thin film 22 of the solid component on the lower electrode.
상기 용액도포에서 용매의 증발까지의 PZT박막 제조 공정을 수회 반복하여, 원하는 두께의 막을 얻는다. 이렇게 형성된 박막은 비정질 상태이므로, 이의 결정화를 위해 최종적으로 급속 열처리(RTA, Rapid Thermal Annealing) 방법으로 열처리를 한다.The PZT thin film production process from the solution coating to the evaporation of the solvent is repeated several times to obtain a film having a desired thickness. Since the thin film thus formed is in an amorphous state, it is finally heat treated by Rapid Thermal Annealing (RTA) for its crystallization.
이렇게 하여, 얻어진 PZT박막은 (001)방향의 결정 방향을 갖는다. 이것은MgO 기판의 영향을 받아서, (200)방향으로 성장된 백금과 격자 상수가 가장 잘 일치하는 PZT의 (001)방향으로 쉽게 성장되기 때문이다.In this way, the obtained PZT thin film has a crystal direction of the (001) direction. This is because under the influence of the MgO substrate, platinum grown in the (200) direction easily grows in the (001) direction of the PZT where the lattice constant best matches.
도 5는 본 발명에 따른 정보 저장용 매체에 XRD(X-Ray Diffraction) 패턴을 측정한 도면으로서, 10~40 각도로 도 4와 같은 정보 저장용 매체에 X-Ray를 조사하여, 20~80 각도로 회절된 강도는 PZT의 (001)방향에 대한 'D'피크, MgO기판의 (100)방향에 대한 'E'피크와, 백금(Pt)의 (200)방향에 대한 'F'피크가 존재하고, 다른 면 방향에 대한 피크는 보이지 않으므로, MgO기판 상부에 백금 및 PZT 박막이 모두 방향성 있게 형성된 것을 알 수 있다.5 is a diagram measuring an X-Ray Diffraction (XRD) pattern on an information storage medium according to the present invention. FIG. 5 shows an X-ray on an information storage medium as shown in FIG. The intensity diffracted at an angle includes the 'D' peak in the (001) direction of the PZT, the 'E' peak in the (100) direction of the MgO substrate, and the 'F' peak in the (200) direction of the platinum (Pt). Since there is no peak in the other plane direction, it can be seen that both the platinum and PZT thin films are directionally formed on the MgO substrate.
도 6은 본 발명에 따른 정보 저장용 매체의 PZT 박막 표면을 원자력 현미경으로 촬영한 사진으로서, 본 발명의 정보 저장용 매체의 PZT박막에서는 도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 정보 저장용 매체의 PZT박막보다 큰 입자의 그레인(Grain)들이 넓게 분포되어 있고, 상대적으로 적은 입계를 나타내고 있다.6 is a photograph taken by a nuclear microscope of the surface of the PZT thin film of the information storage medium according to the present invention, in the PZT thin film of the information storage medium of the present invention, as shown in FIG. Grains of particles larger than the PZT thin film are widely distributed and show relatively small grain boundaries.
따라서, 본 발명의 정보 저장용 매체의 PZT박막에는 동일한 방향의 분극들을 갖는 입자들이 넓게 구성되어 있음을 알 수 있어, 기록밀도를 크게 할 수 있게 된다.Therefore, it can be seen that the PZT thin film of the information storage medium of the present invention is composed of a wide range of particles having polarizations in the same direction, so that the recording density can be increased.
도 7a는 현미경의 탐침에 전압을 인가하여 정전기력을 측정한 본 발명의 정보 저장용 매체(Media)의 PZT 박막 사진으로서, 본 발명에서는 정전기력 현미경의 탐침으로 정보 저장용 매체의 PZT 박막에 양 전압을 인가하였다.FIG. 7A is a PZT thin film photograph of the information storage medium (Media) of the present invention measuring electrostatic force by applying a voltage to a probe of a microscope. In the present invention, a positive voltage is applied to a PZT thin film of the information storage medium using a probe of an electrostatic force microscope. Authorized.
도 7a에 도시된, 검정색 점은 정전기력 현미경의 탐침으로 양전압이 인가된 부분이다. 그리고, 도 7a에 도시된 b-b'선에서 방출된 전압을 측정한프로파일(Profile)을 도 7b에 도시하였고, 도 7a에 도시된 c-c'선에서 방출된 전압을 측정한 프로파일을 도 7c에 도시하였다.7A, a black dot is a portion where a positive voltage is applied to a probe of an electrostatic force microscope. 7B shows a profile measuring the voltage emitted from the line b-b 'shown in FIG. 7A, and a profile measuring the voltage emitted from the line c-c' shown in FIG. 7A. Shown in 7c.
도 7a에 도시된 b-b'선의 'B'점과 'C'점에서 방출된 전압은 도 7b에 도시된 바와 같이, 골(Valley)형으로 측정되었고, 그 측정된 프로파일의 폭은 0.107㎛와 0.0917㎛로 정보를 기록할 수 있는 비트(Bit) 사이즈가 도 3b에 도시된 바와 같이, 종래의 정보 저장용 매체의 PZT박막보다 작아져서, 본 발명의 정보 저장용 매체는 단위 면적당 기록 밀도가 높은 것을 알 수 있다.The voltages emitted at points' B 'and' C 'of the line b-b' shown in FIG. 7A were measured in a valley shape, as shown in FIG. 7B, and the width of the measured profile was 0.107 μm. And the bit size for recording information at 0.0917 mu m is smaller than the PZT thin film of the conventional information storage medium, as shown in FIG. 3B, so that the information storage medium of the present invention has a recording density per unit area. It is high.
그리고, 도 7a에 도시된 c-c'선의 'M'점과 'N'점에서 방출된 전압은 도 7c에 도시된 바와 같이, 골(Valley)형으로 측정되었고, 그 측정된 프로파일의 폭은 0.0917㎛와 0.0926㎛로 정보를 기록할 수 있는 비트(Bit) 사이즈가 작아, 도 7b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 정보 저장용 매체는 단위 면적당 기록 밀도를 높일 수 있다.And, the voltage emitted at the 'M' point and 'N' point of the c-c 'line shown in Figure 7a was measured in a valley (Valley), as shown in Figure 7c, the width of the measured profile is As the bit size for recording information at 0.0917 mu m and 0.0926 mu m is small, as shown in Fig. 7B, the information storage medium of the present invention can increase the recording density per unit area.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 정보 저장용 매체의 PZT박막에 방향성을 갖도록 하여, 적은 입계를 갖고 기록밀도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention has an effect of increasing the recording density with a small grain boundary by having a directivity in the PZT thin film of the information storage medium.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to specific examples, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.
Claims (6)
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|---|---|---|---|---|
| JPH06200366A (en) * | 1993-01-05 | 1994-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | Thin-film device and method for forming the device |
| JPH07142600A (en) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | Formation of thin film |
| KR19980082338A (en) * | 1997-05-06 | 1998-12-05 | 이재복 | Platinum thin film whose orientation is controlled and a method for manufacturing an electronic device having such a platinum thin film and an electronic device provided with a platinum thin film and a platinum thin film formed by the method |
| KR20040105381A (en) * | 2003-06-07 | 2004-12-16 | 충남대학교산학협력단 | PRO conductive interfacial layer for improvement of ferroelectric properties of PZT thin films for use memory capacity and preparing method thereof |
-
2002
- 2002-03-13 KR KR1020020013498A patent/KR20030073773A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
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