KR20030057142A - method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An array substrate for a transflective LCD(Liquid Crystal Display) device and a manufacturing method thereof are provided to improve brightness by diffracting and dispersing light. CONSTITUTION: Gate lines(225) and data lines(239) are formed to define pixel areas(P). A thin film transistor including a gate electrode(223), an active layer(231), and source/drain electrodes(235,237) is formed at the intersecting point of the gate line and the data line. A reflecting electrode(241) and a transparent pixel electrode(247) are formed in the pixel area. Many micro patterns(234) are formed in the lower portion of the reflecting electrode. The micro patterns are formed of a material used for making the active layer and an ohmic layer. According to the micro patterns, the sectional area of the reflecting electrode is formed in the shape of prominence and depression.

Description

반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{method for fabricating a Transflective liquid crystal display device and the same}Array substrate for reflective transmissive liquid crystal display device and manufacturing method thereof

본 발명은 액정표시장치(liquid crystal display device)에 관한 것으로 특히, 반사모드와 투과모드를 선택적으로 사용할 수 있는 반사투과형액정표시장치(Transflective liquid crystal display device)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a reflective liquid crystal display device capable of selectively using a reflection mode and a transmission mode.

일반적으로 반사투과형 액정표시장치는 투과형 액정표시장치와 반사형 액정표시장치의 기능을 동시에 지닌 것으로, 백라이트(backlight)의 빛과 외부의 자연광원 또는 인조광원을 모두 이용할 수 있음으로 주변환경에 제약을 받지 않고, 전력소비(power consumption)를 줄일 수 있는 장점이 있다.Generally, the transflective liquid crystal display device has the functions of a transmissive liquid crystal display device and a reflective liquid crystal display device, and it is possible to use both a backlight light and an external natural light or artificial light source to limit the surrounding environment. It does not receive, there is an advantage that can reduce the power consumption (power consumption).

도 1 은 일반적인 반사투과형 컬러액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a general reflective transmissive color liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 일반적인 반사투과형 액정표시장치(11)는 블랙매트릭스(16)와 서브 컬러필터(17)상에 투명한 공통전극(13)이 형성된 상부기판(15)과, 화소영역(P)으로 구성되며, 스위칭소자(T)와 어레이배선(25,39)이 형성된 하부기판(21)으로 구성된다.As shown in the drawing, a general reflective transmissive liquid crystal display device 11 includes an upper substrate 15 having a transparent common electrode 13 formed on a black matrix 16 and a sub color filter 17 and a pixel region P. As shown in FIG. And a lower substrate 21 having a switching element T and array wirings 25 and 39 formed thereon.

상기 화소영역은 상기 투과홀(A)을 포함하는 반사판과 투명전극으로 구성되어 투과부(B)와 반사부(D)로 정의된다.The pixel area includes a reflective plate including the transmission hole A and a transparent electrode, and is defined as a transmission part B and a reflection part D.

또한, 상기 상부기판(15)과 하부기판(21) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.In addition, the liquid crystal 14 is filled between the upper substrate 15 and the lower substrate 21.

도 2는 일반적인 반사투과형 액정표시장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a general reflective transmissive liquid crystal display device.

도시한 바와 같이, 개략적인 반사투과형 액정표시장치(11)는 공통전극(13)이 형성된 상부기판(15)과, 투과홀(A)을 포함한 반사전극(49)과 투명전극(61)으로 구성된 화소전극이 형성된 하부기판(21)과, 상기 상부기판(15)과 하부기판(21)의 사이에 충진된 액정(14)과, 상기 하부기판(21)의 하부에 위치한 백라이트(41)로 구성된다.As shown in the drawing, the schematic reflective transmissive liquid crystal display device 11 is composed of an upper substrate 15 having the common electrode 13 formed thereon, a reflective electrode 49 including the transmission hole A, and a transparent electrode 61. A lower substrate 21 having a pixel electrode formed thereon, a liquid crystal 14 filled between the upper substrate 15 and the lower substrate 21, and a backlight 41 positioned below the lower substrate 21. do.

이러한 구성을 갖는 반사투과형 액정표시장치(11)를 반사모드(reflective mode)로 사용할 경우에는 빛의 대부분을 외부의 자연광원 또는 인조광원을 사용하게 된다.When the reflective liquid crystal display device 11 having such a configuration is used in a reflective mode, most of the light is used as an external natural light or an artificial light source.

전술한 구성을 참조로 반사모드일 때와 투과모드일 때의 액정표시장치의 동작을 설명한다.The operation of the liquid crystal display device in the reflection mode and the transmission mode will be described with reference to the above-described configuration.

반사모드일 경우, 액정표시장치는 외부의 자연광원 또는 인조광원을 사용하게 되며, 상기 액정표시장치의 상부기판(15)으로 입사된 빛(F2)은 상기 반사전극(49)에 반사되어 상기 반사전극과 상기 공통전극(13)의 전계에 의해 배열된 액정(14)을 통과하게 되고, 상기 액정(14)의 배열에 따라 액정을 통과하는 빛(F2)의 양이 조절되어 이미지(Image)를 구현하게 된다.In the reflective mode, the liquid crystal display uses an external natural or artificial light source, and the light F2 incident on the upper substrate 15 of the liquid crystal display is reflected on the reflective electrode 49 to reflect the reflection. Passes through the liquid crystal 14 arranged by the electric field of the electrode and the common electrode 13, the amount of light (F2) passing through the liquid crystal is adjusted according to the arrangement of the liquid crystal 14 to display the image (Image) Will be implemented.

반대로, 투과모드(Transmission mode)로 동작할 경우에는, 광원을 상기 하부기판(21)의 하부에 위치한 백라이트(41)의 빛(F1)을 사용하게 된다. 상기 백라이트(41)로부터 출사한 빛은 상기 투명전극(61)을 통해 상기 액정(14)에 입사하게 되며, 상기 투과홀 하부의 투명전극(61)과 상기 공통전극(13)의 전계에 의해 배열된 액정(14)에 의해 상기 하부 백라이트(41)로부터 입사한 빛의 양을 조절하여 이미지를 구현하게 된다.On the contrary, when operating in the transmission mode, the light source uses the light F1 of the backlight 41 positioned below the lower substrate 21. Light emitted from the backlight 41 is incident on the liquid crystal 14 through the transparent electrode 61, and is arranged by an electric field of the transparent electrode 61 and the common electrode 13 below the transmission hole. By adjusting the amount of light incident from the lower backlight 41 by the liquid crystal 14, an image is realized.

도 3은 반사 투과형 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 확대평면도이다.3 is an enlarged plan view schematically showing one pixel of a reflection transmissive array substrate.

기판 상에 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스 형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터(T)를 교차하여 지나가는게이트배선(25)과 데이터배선(39)이 형성된다.A thin film transistor T, which is a switching element, is disposed on a substrate in a matrix type, and a gate wiring 25 and a data wiring 39 passing through the plurality of thin film transistors T are formed.

상기 게이트배선(25)과 데이터배선(39)이 교차하여 정의되는 영역을 화소영역(P)이라 정의한다.An area defined by the intersection of the gate line 25 and the data line 39 is defined as a pixel area P. FIG.

상기 게이트배선(25)의 일부 상부에 스토리지 캐패시터(C)가 구성되고, 상기 화소영역(P)에 구성된 투명한 화소전극(61)과 전기적으로 병렬로 연결된다.A storage capacitor C is formed on a portion of the gate wiring 25, and is electrically connected in parallel with the transparent pixel electrode 61 formed in the pixel region P.

상기 박막트랜지스터(T)는 게이트전극(23)과 소스전극(35)및 드레인 전극(37)과 상기 게이트전극 상부에 구성된 액티브층(31)으로 이루어진다.The thin film transistor T includes a gate electrode 23, a source electrode 35, a drain electrode 37, and an active layer 31 formed on the gate electrode.

이때, 상기 화소영역(P)에 위치한 반투과 화소전극(49,61)은 투명전극(61)과 투과홀(A)을 포함하는 반사전극(49)으로 형성되며, 상기 반투과 화소전극(49,61)으로 화소영역은 투과부(B)와 반사부(D)로 구분된다.In this case, the transflective pixel electrodes 49 and 61 positioned in the pixel region P are formed of the reflective electrode 49 including the transparent electrode 61 and the transmission hole A. The transflective pixel electrode 49 61, the pixel area is divided into a transmission part B and a reflection part D. As shown in FIG.

이하, 도 4a와 도 4c를 참조하여, 도 3에서 도시한 종래의 반사투과형 어레이기판의 제조방법을 설명한다.4A and 4C, the method for manufacturing the conventional reflective transmissive array substrate shown in FIG. 3 will be described.

도 4a 내지 도 4c는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ`를 따라 절단하여, 종래의 제 1 예에 따른 공정순서에 따라 도시한 공정단면도이다.4A through 4C are cross-sectional views taken along the line IV-IV ′ of FIG. 3 and shown in a process sequence according to a first example of the related art.

먼저, 도 4a는 제 1 마스크 공정으로, 기판(21)상에 게이트전극(23)과 게이트배선(25)과 상기 게이트배선을 형성한 후, 상기 게이트배선(25)이 형성된 기판(21)의 상부에 제 1 절연막인 게이트 절연막(29)을 형성한다.First, FIG. 4A illustrates a first mask process, in which a gate electrode 23, a gate wiring 25, and the gate wiring are formed on a substrate 21, and then the substrate 21 on which the gate wiring 25 is formed. The gate insulating film 29 which is a first insulating film is formed on the upper side.

상기 게이트 절연막(29)은 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 형성한다.The gate insulating layer 29 is formed by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO 2 ).

제 2 마스크 공정으로, 상기 게이트전극(23)상부의 게이트 절연막(29)상에 아일랜드 형태로 액티브층(31)(active layer)과 오믹콘택층(33)(ohmic contact layer)을 형성한다.In the second mask process, an active layer 31 and an ohmic contact layer 33 are formed on the gate insulating layer 29 on the gate electrode 23 in an island form.

제 3 마스크 공정으로, 상기 오믹콘택층(33)상부에 소스전극(35)과 드레인전극(37)과, 상기 소스전극(35)과 연결된 데이터배선(39)을 형성한다.In a third mask process, a source electrode 35 and a drain electrode 37 and a data line 39 connected to the source electrode 35 are formed on the ohmic contact layer 33.

동시에, 게이트배선(25)의 일부 상부에 아일랜드 형태의 소스/드레인 금속층(43)을 형성한다.At the same time, an island-type source / drain metal layer 43 is formed on a portion of the gate wiring 25.

다음으로, 도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 데이터배선(39)등이 형성된 기판(21)상에 절연물질을 증착하여 제 2 절연막인 평탄화막(45)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4B, an insulating material is deposited on the substrate 21 on which the data wiring 39 and the like are formed to form a planarization film 45 as a second insulating film.

상기 평탄화막(45)은 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함한 투명한 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하여 형성한다.The planarization layer 45 is formed by coating one selected from a group of transparent organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and an acrylic resin.

연속하여, 상기 평탄화막(45)의 상부에 전술한 바와 같은 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 제 3 절연막(47)을 형성한다.Subsequently, one selected from the group of inorganic insulating materials as described above is deposited on the planarization film 45 to form a third insulating film 47.

상기 제 3 절연막(47)은 PECVD방법을 이용하여, 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)으로 구성된 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한다.The third insulating layer 47 is formed of one selected from the group of inorganic insulating materials consisting of silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ) using a PECVD method.

상기 유기막인 평탄화막(45) 상부에 무기막인 제 3 절연막(47)을 더욱 형성하여 주는 이유는 반사판(49)을 형성하는 공정 중, 상기 유기막의 표면으로부터 미소 유기물질이 이탈하는 것을 방지하기 위함이다.The reason why the third insulating film 47 which is an inorganic film is further formed on the planarization film 45 which is the organic film is to prevent the release of the micro organic material from the surface of the organic film during the process of forming the reflecting plate 49. To do this.

상세히 설명하면, 상기 평탄화막(45)의 상부에 스퍼터링(sputtering)방법을이용한 반사판의 증착 공정 중, 고속으로 부딪히는 금속 이온(ion)에 의해 상기 유기막의 표면에 결함이 발생하게 되는데, 이때 상기 유기막(45)의 표면으로부터 이탈된 미소 유기물질에 의해 챔버(chamber)가 오염되는 것을 막을 수 있다.In detail, during the deposition process of the reflector using the sputtering method on the planarization film 45, defects are generated on the surface of the organic film by metal ions hit at high speed. It is possible to prevent the chamber from being contaminated by the micro organic material separated from the surface of the film 45.

다음으로, 상기 무기 절연막인 제 3 절연막(47)이 형성된 기판(21)의 전면에 스퍼터링 방법을 이용하여 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd)을 증착하고 제 4 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 화소영역(P)의 일부에 대응하는 영역에 투과홀(A)을 포함하는 반사판(49)을 형성한다.Next, aluminum (Al) or aluminum alloy (AlNd) is deposited on the entire surface of the substrate 21 on which the third insulating film 47, which is the inorganic insulating film, is formed by a sputtering method, and patterned using a fourth mask process to form the pixel. The reflection plate 49 including the transmission hole A is formed in an area corresponding to a part of the area P.

다음으로 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 반사판(49)이 형성된 기판(21)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여 제 4 절연막인 보호막(51)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 4C, one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN x ) and silicon oxide (SiO 2 ) is deposited on the entire surface of the substrate 21 on which the reflector plate 49 is formed. By patterning, the protective film 51 which is a 4th insulating film is formed.

제 5 마스크 공정으로, 상기 제 4 절연막(51)과 제 3 절연막(47)과 제 2 절연막(45)을 식각하여, 상기 드레인전극(37)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(53)과 상기 스토리지 금속층(43)을 노출하는 스토리지 콘택홀(55)과, 상기 반사판(49) 상부의 제 4 절연막(51)을 식각하여 반사판(49)의 일부를 노출하는 반사판 콘택홀(54)을 형성한다.In a fifth mask process, the fourth insulating layer 51, the third insulating layer 47, and the second insulating layer 45 are etched to expose a portion of the drain electrode 37 and the drain contact hole 53. The storage contact hole 55 exposing the storage metal layer 43 and the fourth insulating layer 51 on the reflective plate 49 are etched to form a reflective plate contact hole 54 exposing a portion of the reflective plate 49. .

다음으로, 상기 다수의 콘택홀이 형성된 기판(21)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명 도전성 금속물질을 증착하고 제 6 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 노출된 드레인 전극(37)과 상기 반사판과(49)과 상기 스토리지 금속층(43)과 동시에 접촉하도록 하면서화소영역(P) 상에 화소전극(61)을 형성한다.Next, a transparent conductive metal material including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) is deposited on the entire surface of the substrate 21 on which the plurality of contact holes are formed. The pixel electrode 61 is formed on the pixel region P while simultaneously being in contact with the exposed drain electrode 37, the reflector plate 49, and the storage metal layer 43.

전술한 바와 같은 방법으로 종래의 제 1 예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.As described above, the array substrate for the reflective transmissive liquid crystal display device according to the first example can be manufactured.

전술한 제 1 예는 상기 반사판(49)과 상기 화소전극(61)을 서로 전기적으로 연결하여 상기 반사판(49)을 반사전극의 형태로 사용한 구성이다.In the above-described first example, the reflective plate 49 and the pixel electrode 61 are electrically connected to each other to use the reflective plate 49 in the form of a reflective electrode.

이하, 도 5는 종래의 제 2 예에 따른 어레이기판의 한 화소를 도시한 개략적인 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view showing one pixel of an array substrate according to a second conventional example.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 예에 따른 반사투과형 액정표시장치는 상기 제 1 예의 다른 예로서, 상기 투명한 화소전극과 반사판을 독립적으로 구성한 것이다.As shown, the reflective liquid crystal display according to the second example of the present invention is another example of the first example, in which the transparent pixel electrode and the reflector are independently configured.

구성을 살펴보면, 기판(21)상에 게이트 전극(23)과 액티브층(31)과 소스 및 드레인전극(35,37)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성되며, 상기 드레인 전극(37)과 접촉한 투명한 화소전극(61)과, 상기 화소전극(61)의 하부에는 상기 투명한 화소전극과는 전기적으로 독립된 반사판(49)이 구성되며, 반사판(49)에는 투과홀(A)이 구성된다.Referring to the configuration, a thin film transistor T including a gate electrode 23, an active layer 31, and source and drain electrodes 35 and 37 is formed on the substrate 21, and the drain electrode 37 The transparent pixel electrode 61 in contact with each other, and a reflecting plate 49 that is electrically independent of the transparent pixel electrode are formed under the pixel electrode 61, and the transmission plate A is formed in the reflecting plate 49.

상기 화소영역(P)의 일 측에는 상기 투명 화소전극(61)과 병렬로 연결된 스토리지 캐패시터(C)가 구성되며, 상기 스토리지 캐패시터의 제 1 전극으로 게이트 배선(25)의 일부를 사용하고, 상기 스토리지 캐패시터의 제 2 전극으로는 상기 소스 및 드레인전극(35,37)과 동일물질로 형성된 소스/드레인 금속층(43)을 사용한다.One side of the pixel region P includes a storage capacitor C connected in parallel with the transparent pixel electrode 61, and uses a portion of the gate wiring 25 as a first electrode of the storage capacitor. As the second electrode of the capacitor, a source / drain metal layer 43 formed of the same material as the source and drain electrodes 35 and 37 is used.

이땐, 상기 소스/드레인 금속층(43)은 상기 투명한 화소전극(61)과 전기적으로 연결된In this case, the source / drain metal layer 43 is electrically connected to the transparent pixel electrode 61.

전술한 바와 같은 구성으로 종래의 제 1 예와 제 2 예에 따른 반사투과형 액정표시장치를 제작할 수 있다.With the above-described configuration, the reflective transmissive liquid crystal display device according to the first and second examples can be manufactured.

그러나, 전술한 바와 같은 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 구성은 일반적인 투과형 액정표시장치용 어레이기판에 비해 상기 반사판을 형성하는 공정이 추가되기 때문에 공정상 복잡함이 있고 휘도(輝度)가 매우 낮다.However, the structure of the reflective transmissive liquid crystal display array substrate as described above is complicated by the process of forming the reflecting plate as compared to the general transmissive liquid crystal display array substrate, and thus has a low complexity.

따라서, 본 발명은 이러한 공정상 복잡함을 해결하기 위한 제 1 목적과, 휘도를 개선하기 위한 제 2 목적을 위해 안출된 것으로, 본 발명은 공정을 단순화 하는 동시에 액정표시장치의 휘도를 높일 수 있는 어레이기판의 구성과 그 제조방법을 제안한다.Accordingly, the present invention has been made for the first object to solve such a process complexity and the second object for improving the brightness, the present invention is an array that can simplify the process and at the same time increase the brightness of the liquid crystal display device We propose a structure of a substrate and a method of manufacturing the same.

도 1은 일반적인 반사투과형 액정표시장치의 일부를 도시한 분해 사시도이고,1 is an exploded perspective view showing a part of a general reflective transmissive liquid crystal display device;

도 2는 일반적인 반사투과형 액정표시장치의 단면도이고,2 is a cross-sectional view of a general reflective transmissive liquid crystal display device,

도 3은 종래의 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 도시한 확대 평면도이고,3 is an enlarged plan view showing a portion of a conventional array substrate for reflective transmissive liquid crystal display device;

도 4a 내지 도 4c는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ'를 따라 절단하여 종래의 제 1 예의 공정순서로 도시한 공정 단면도이고,4A to 4C are cross-sectional views illustrating a process sequence of a first example of the prior art cut along line IV-IV ′ of FIG. 3;

도 5는 종래의 제 2 예에 따른 어레이기판의 한 화소를 도시한 단면도이고,5 is a cross-sectional view showing one pixel of an array substrate according to a second example of the prior art;

도 6은 본 발명의 제 1 예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 도시한 개략적인 평면도이고,6 is a schematic plan view showing one pixel of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a first example of the present invention;

도 7a 내지 도 7c는 도 6의 Ⅶ-Ⅶ`를 따라 절단하여, 본 발명의 제 1 실시예의 공정순서로 도시한 공정 단면도이고,7A to 7C are cross sectional views taken along the line VII-VII of FIG. 6 and showing the process sequence of the first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 도시한 개략적인 평면도이고,8 is a schematic plan view showing one pixel of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention;

도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 도시한 개략적인 평면도이고,9 is a schematic plan view showing one pixel of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention;

도 10a 내지 도 10c는 도 9의 Ⅹ-Ⅹ를 따라 절단하여 종래의 제 3 실시예에 따른 공정 순서로 도시한 공정 단면도이고,10A to 10C are cross-sectional views illustrating a process sequence according to a third embodiment of the present invention cut along the line VIII-VIII of FIG. 9,

도 11은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 도시한 개략적인 평면도이다.FIG. 11 is a schematic plan view showing one pixel of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

223 : 게이트 전극 225 : 게이트 배선223: gate electrode 225: gate wiring

226 : 제 1 캐패시터전극 231 : 액티브층226: first capacitor electrode 231: active layer

235 : 소스 전극 237 : 드레인 전극235 source electrode 237 drain electrode

239 : 데이터 배선 241 : 반사전극239: data wiring 241: reflective electrode

242 : 미소패턴 243 : 제 2 캐패시터전극242: micro pattern 243: second capacitor electrode

247 : 투명 화소전극247: transparent pixel electrode

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 특징에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판은 다수의 화소영역이 정의된 기판 상에 일 방향으로 형성된 다수의 게이트배선과, 상기 게이트배선에서 상기 화소영역으로 소정면적으로 연장된 제 1 캐패시터 전극과; 상기 게이트 배선과 교차하여 구성된 데이터배선과; 상기 두 배선의 교차지점에 구성되고, 게이트 전극과 액티브층과 소스전극및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 드레인 전극에서 상기 화소영역 상부로 연장된 반사전극과, 상기 반사전극에서 상기 제 1 캐패시터 전극 상부로 연장된 제 2 캐패시터 전극과; 상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 반사전극 상부에 구성된 투명 화소전극을 포함한다.According to an aspect of the present invention, an array substrate for a transflective liquid crystal display device includes a plurality of gate wirings formed in one direction on a substrate on which a plurality of pixel regions are defined, and in the gate wiring. A first capacitor electrode extending to the pixel area by a predetermined area; Data wiring configured to intersect the gate wiring; A thin film transistor configured at an intersection point of the two wires, the thin film transistor including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode; A reflective electrode extending from the drain electrode to the upper portion of the pixel region, and a second capacitor electrode extending from the reflective electrode to the upper portion of the first capacitor electrode; And a transparent pixel electrode formed on the reflective electrode while in contact with the drain electrode.

상기 반사전극은 상기 투명화소전극 보다 작은 면적이며, 알루미늄과 알루미늄 합금을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성한다.The reflective electrode has a smaller area than the transparent pixel electrode and is formed of one selected from the group of conductive metals including aluminum and an aluminum alloy.

상기 반사전극의 형상은 상기 드레인전극에서 상기 화소영역으로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부의 양측에서 돌출 연장된 다수의 제 1 연장부와 제 2 연장부로 구성할 수 있다.The shape of the reflective electrode may include a first extension part extending from the drain electrode to the pixel region, and a plurality of first extension parts and second extension parts protruding from both sides of the first extension part.

본 발명의 제 1 특징에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 화소영역이 정의된 기판 상에 다수의 게이트 배선과 게이트 전극과, 게이트 배선에서 화소영역으로 연장된 제 1 캐패시터 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 액티브층과 오믹콘택층을 형성하는 단계와; 상기 오믹콘택층과 접촉하는 소스전극과 드레인전극과 상기 드레인전극에서 상기 화소영역과 상기 제 1 캐패시터 전극의 상부로 연장된 반사전극을 형성하는 단계와; 상기 반사전극이 형성된 기판의 상부에, 상기 드레인전극의 일부가 노출 되도록 패턴된 제 2 절연막인 보호막을 형성하는 단계와; 상기 드레인전극과 접촉하면서 상기 화소영역 상에 구성된 투명 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an array substrate for a transflective liquid crystal display device, wherein a plurality of gate lines and gate electrodes are formed on a substrate on which a pixel region is defined, and a first capacitor electrode extending from the gate wiring to the pixel region. Making a step; Forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate on which the gate wiring is formed; Forming an active layer and an ohmic contact layer on the gate insulating layer on the gate electrode; Forming a reflective electrode extending from the source electrode, the drain electrode, and the drain electrode in contact with the ohmic contact layer to an upper portion of the pixel region and the first capacitor electrode; Forming a protective film on the substrate on which the reflective electrode is formed, the protective film being a second insulating film patterned to expose a part of the drain electrode; Forming a transparent pixel electrode formed on the pixel region while being in contact with the drain electrode.

본 발명의 제 2 특징에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판은 다수의 화소영역이 정의된 기판 상에 일 방향으로 형성된 다수의 게이트배선과, 상기 게이트배선에서 상기 화소영역으로 소정면적으로 연장된 제 1 캐패시터 전극과; 상기 게이트 배선과 교차하여 구성된 데이터배선과; 상기 두 배선의 교차지점에 구성되고, 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와; 상기 화소영역에 구성된 다수의 미소패턴과; 상기 드레인 전극에서 상기 미소패턴이 형성된 화소영역으로 연장된 반사전극과, 상기 반사전극에서 상기 제 1 캐패시터 전극 상부로 연장된 제 2 캐패시터 전극과; 상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 반사전극 상부에 구성된 투명 화소전극을 포함한다.An array substrate for a transflective liquid crystal display device according to a second aspect of the present invention includes a plurality of gate wirings formed in one direction on a substrate on which a plurality of pixel regions are defined, and a predetermined area extending from the gate wiring to the pixel region. A first capacitor electrode; Data wiring configured to intersect the gate wiring; A thin film transistor configured at an intersection point of the two wires, the thin film transistor including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode; A plurality of micro patterns formed in the pixel region; A reflective electrode extending from the drain electrode to the pixel region where the minute pattern is formed, and a second capacitor electrode extending from the reflective electrode to the upper portion of the first capacitor electrode; And a transparent pixel electrode formed on the reflective electrode while in contact with the drain electrode.

상기 반사전극은 상기 드레인전극에서 상기 화소영역으로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부의 양측에서 돌출 연장된 다수의 제 1 연장부와 제 2 연장부로 형성할 수 있다.The reflective electrode may include a first extension part extending from the drain electrode to the pixel area, and a plurality of first extension parts and second extension parts protruding from both sides of the first extension part.

상기 미소패턴은 상기 액티브층 및 오믹콘택층과 동일층 동일물질로 형성한다.The micro pattern is formed of the same material as the active layer and the ohmic contact layer.

본 발명의 제 2 특징에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 화소영역이 정의된 기판 상에 다수의 게이트 배선과 게이트 전극과, 게이트 배선에서 화소영역으로 연장된 제 1 캐패시터 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와;According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an array substrate for a transflective liquid crystal display device, wherein a plurality of gate lines and gate electrodes are formed on a substrate on which a pixel region is defined, and a first capacitor electrode extending from the gate wiring to the pixel region. Making a step; Forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate on which the gate wiring is formed;

상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 액티브층과 오믹콘택층과, 다수의 미소패턴을 형성하는 단계와; 상기 오믹콘택층과 접촉하는 소스전극과 드레인전극과 상기 드레인전극에서 상기 화소영역의 미소패턴 상부로 연장된 반사전극과,상기 반사전극에서 상기 제 1 캐패시터전극의 상부로 연장된 제 2 캐패시터 전극을 형성하는 단계와; 상기 반사전극이 형성된 기판의 상부에, 상기 드레인전극의 일부가 노출 되도록 패턴된 제 2 절연막인 보호막을 형성하는 단계와; 상기 드레인전극과 접촉하면서 상기 화소영역 상에 구성된 투명 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.Forming an active layer, an ohmic contact layer, and a plurality of micro patterns on the gate insulating layer on the gate electrode; A source electrode, a drain electrode in contact with the ohmic contact layer, a reflective electrode extending from the drain electrode to an upper portion of the micro pattern in the pixel region, and a second capacitor electrode extending from the reflective electrode to the upper portion of the first capacitor electrode; Forming; Forming a protective film on the substrate on which the reflective electrode is formed, the protective film being a second insulating film patterned to expose a part of the drain electrode; Forming a transparent pixel electrode formed on the pixel region while being in contact with the drain electrode.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

-- 제 1 실시예 --First Embodiment

본 발명의 1 실시예는 박막트랜지스터의 소스 및 드레인전극과 동일층 동일 물질로 반사판을 형성하여, 반사투과형 어레이기판의 제작공정을 단순화 한 것을 특징으로 한다.One embodiment of the present invention is characterized in that the reflective plate is formed of the same material as the source and drain electrodes of the thin film transistor, thereby simplifying the manufacturing process of the reflective array substrate.

도 6은 본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 평면도이다.6 is a plan view schematically showing one pixel of an array substrate for a reflective transmissive liquid crystal display device according to the present invention.

도시한 바와 같이, 기판 상에 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(125)과 데이터 배선(139)을 형성한다.As shown in the drawing, the gate line 125 and the data line 139 are formed on the substrate to cross each other to define the pixel region P. Referring to FIG.

상기 게이트 배선(125)과 데이터 배선(139)의 교차지점에는 게이트 전극(123)과 액티브층(131)과 소스 및 드레인전극(135,137)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 형성한다.A thin film transistor T including a gate electrode 123, an active layer 131, and source and drain electrodes 135 and 137 is formed at an intersection point of the gate line 125 and the data line 139.

상기 화소영역(P)에는 반사전극(141)과 투명한 화소전극(147)을 구성하는데, 상기 반사전극(141)은 상기 드레인 전극(137)에서 연장하여 형성한다.A reflective electrode 141 and a transparent pixel electrode 147 are formed in the pixel region P. The reflective electrode 141 extends from the drain electrode 137.

상기 투명한 화소전극(147)과 병렬로 연결되는 캐패시터(C)는 상기 게이트 배선(125)의 일부인 제 1 캐패시터 전극(126)과 상기 반사전극(141)의 일부인 제 2 캐패시터 전극(143)으로 구성된다.The capacitor C connected in parallel with the transparent pixel electrode 147 includes a first capacitor electrode 126 that is part of the gate wiring 125 and a second capacitor electrode 143 that is part of the reflective electrode 141. do.

전술한 구성에서, 상기 반사전극(141)을 상기 투명한 화소전극(147)보다 작은 면적으로 구성하여 상기 화소영역(P)을 투과부(E)와 반사부(F)로 정의한다.In the above-described configuration, the reflective electrode 141 is formed to have a smaller area than the transparent pixel electrode 147 to define the pixel area P as the transmission part E and the reflection part F. FIG.

전술한 바와 같은 구성을 제작하기 위한 공정을 이하, 도 7a 내지 도 7c를 참조하여 설명한다.The process for producing the structure as described above will be described below with reference to FIGS. 7A to 7C.

도 7a 내지 도 7c는 도 6의 Ⅶ-Ⅶ`를 따라 절단하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 공정순서로 도시한 공정 단면도이다.7A to 7C are cross-sectional views illustrating a process sequence according to a first embodiment of the present invention cut along the line VII-VII ′ of FIG. 6.

도 7a에 도시한 바와 같이, 제 1 마스크 공정으로 화소영역(P)이 정의된 기판(111)상에 게이트전극(123)과 게이트배선(125)을 형성한다.As shown in FIG. 7A, the gate electrode 123 and the gate wiring 125 are formed on the substrate 111 on which the pixel region P is defined by the first mask process.

이때, 상기 게이트 배선(125)은 상기 화소영역(P)으로 소정면적으로 연장된 제 1 캐패시터 전극(126)을 포함한다.In this case, the gate line 125 includes a first capacitor electrode 126 extending to a predetermined area to the pixel area P.

상기 게이트물질은 액정표시장치의 동작에 중요하기 때문에 RC 딜레이(delay)를 작게 하기 위하여 저항이 작은 알루미늄(Al)이 주류를 이루고 있으나, 순수 알루미늄은 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온공정에서 힐락(hillock)형성에 의한 배선 결함문제를 야기하므로, 알루미늄 배선의 경우는 알루미늄 배선을 포함한 적층 구조(Al/Mo)가 적용된다.Since the gate material is important for the operation of the liquid crystal display, aluminum (Al) having a low resistance is mainly used to reduce the RC delay. However, pure aluminum has a weak chemical corrosion resistance, and is healed in a subsequent high temperature process. Since wiring defects are caused by hillock formation, a laminated structure including aluminum wiring (Al / Mo) is applied to aluminum wiring.

다음으로, 상기 게이트배선(125)등이 형성된 기판(111)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiOx)등이 포함된 무기절연물질그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(129)을 형성한다.Next, a gate insulating layer 129 is deposited by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ), and the like on the entire surface of the substrate 111 on which the gate wiring 125 and the like are formed. ).

연속하여, 제 2 마스크 공정으로 상기 게이트전극(123)상부의 게이트 절연막 (129)상에 액티브층(131)과 오믹콘택층(133)을 형성한다.Subsequently, an active layer 131 and an ohmic contact layer 133 are formed on the gate insulating layer 129 on the gate electrode 123 by a second mask process.

상기 액티브층(131)은 아몰퍼스 실리콘(a-Si:H)으로 형성하고, 상기 오믹 콘택층(131)은 불순물이 포함된 아몰퍼스 실리콘인(n+a-Si:H)으로 형성한다.The active layer 131 is formed of amorphous silicon (a-Si: H), and the ohmic contact layer 131 is formed of amorphous silicon (n + a-Si: H) containing impurities.

다음으로, 도 7b에 도시한 바와 같이, 상기 오믹콘택층(133)상부에 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같이 반사율이 뛰어난 도전성 금속을 증착한 후 제 3 마스크 공정으로 패턴하여, 소스전극(135)과 드레인 전극(137)과, 상기 소스전극(135)에 연결된 데이터배선(139)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7B, a conductive metal having excellent reflectance, such as aluminum or an aluminum alloy, is deposited on the ohmic contact layer 133 and patterned by a third mask process to form the source electrode 135 and the drain. An electrode 137 and a data line 139 connected to the source electrode 135 are formed.

이때, 상기 드레인 전극(137)에서 상기 화소영역(P)상부로 연장된 반사전극(141)을 형성하며, 상기 반사전극의 끝단(143)은 상기 제 1 캐패시터 전극(126)의 상부로 연장 형성한다.In this case, a reflective electrode 141 extending from the drain electrode 137 to the pixel region P is formed, and an end 143 of the reflective electrode extends above the first capacitor electrode 126. do.

이때, 상기 반사전극의 끝단(143)은 제 2 캐패시터의 역할을 하며, 상기 제 1 캐패시터 전극(126)과 게이트 절연막(129)과 함께 캐패시터(C)를 구성한다.In this case, the end 143 of the reflective electrode serves as a second capacitor, and forms a capacitor C together with the first capacitor electrode 126 and the gate insulating layer 129.

상기 소스 및 드레인전극(135, 137)과 반사전극(141)이 형성된 기판(111)의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)을 포함하는 투명한 유기절연 물질 그룹과 경우에 따라서는, 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 제 2 절연막(145)을 형성한다.In some cases, a transparent organic insulating material group including benzocyclobutene (BCB) and acryl on the entire surface of the substrate 111 on which the source and drain electrodes 135 and 137 and the reflective electrode 141 are formed. The second insulating layer 145 is formed by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO 2 ).

다음으로, 도 7c와 같이, 제 4 마스크 공정으로 상기 드레인 전극(137)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(147)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7C, a drain contact hole 147 exposing a part of the drain electrode 137 is formed by a fourth mask process.

다음으로, 상기 드레인 콘택홀(147)이 형성된 기판(111)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명 도전성금속 물질 중 선택된 하나를 증착한 후 제 5 마스크 공정으로 패턴하여, 상기 드레인 전극(137)과 접촉하는 투명한 화소전극(149)을 형성한다.Next, after depositing a selected one of a transparent conductive metal material including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) on the entire surface of the substrate 111 on which the drain contact hole 147 is formed Patterning is performed by the fifth mask process to form the transparent pixel electrode 149 in contact with the drain electrode 137.

상기 투명 화소전극(149)은 상기 반사전극(141)과 평면적으로 겹쳐 형성한다.The transparent pixel electrode 149 is formed to overlap the reflective electrode 141 in plan view.

전술한 바와 같은 방법으로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반사투과형 어레이기판을 제작할 수 있다.In the same manner as described above, the reflective array substrate according to the first embodiment of the present invention can be manufactured.

상기 제 1 실시예는 상기 반사판을 소스 및 드레인전극과 동일층 동일물질로 형성하였기 때문에 종래와는 달리 제조공정을 단순화 할 수 있다.In the first embodiment, since the reflective plate is formed of the same material as the source and drain electrodes, the manufacturing process can be simplified unlike in the related art.

이하, 제 2 실시예는 휘도를 개선할 수 있도록 상기 반사판의 모양을 변형한 예이다.Hereinafter, the second embodiment is an example in which the shape of the reflector is modified to improve luminance.

-- 제 2 실시예 --Second Embodiment

본 발명의 제 2 실시예는 전술한 제 1 실시예와 동일한 공정으로 어레이기판을 제작하되, 상기 반사전극의 평면적인 형상을 변형하여 반사광에 산란 효과를 주어 휘도를 개선하는 것을 특징으로 한다.The second embodiment of the present invention is characterized in that the array substrate is manufactured in the same process as the first embodiment described above, and the luminance is improved by giving a scattering effect to the reflected light by modifying the planar shape of the reflective electrode.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반사투과형 어레이기판의 한 화소를개략적으로 도시한 평면도이다.FIG. 8 is a plan view schematically showing one pixel of the reflective array substrate according to the second embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 기판 상에 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(125)과 데이터 배선(139)을 형성한다.As shown in the drawing, the gate line 125 and the data line 139 are formed on the substrate to cross each other to define the pixel region P. Referring to FIG.

상기 게이트 배선(125)과 데이터 배선(139)의 교차지점에는 게이트 전극(123)과 액티브층(133)과 소스 및 드레인전극(135,137)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 형성한다.The thin film transistor T including the gate electrode 123, the active layer 133, and the source and drain electrodes 135 and 137 is formed at an intersection point of the gate line 125 and the data line 139.

상기 화소영역(P)에는 반사전극(141)과 투명한 화소전극(147)을 구성하는데, 상기 반사전극(141)은 상기 드레인 전극(137)에서 연장하여 형성한다.A reflective electrode 141 and a transparent pixel electrode 147 are formed in the pixel region P. The reflective electrode 141 extends from the drain electrode 137.

상기 반사전극(141)의 형상을 상세히 설명하면, 상기 드레인전극에서 상기 화소영역으로 연장된 반사전극(141)은 상기 화소영역으로 연장된 제 1 연장부(141a)와, 상기 제 1 연장부(141a)의 양쪽으로 각각 돌출 연장된 다수의 제 2 연장부(141b)와 제 3 연장부(141c)로 구성한다.When the shape of the reflective electrode 141 is described in detail, the reflective electrode 141 extending from the drain electrode to the pixel region includes a first extension portion 141a extending to the pixel region and a first extension portion ( A plurality of second extension portions 141b and third extension portions 141c which protrude and extend to both sides of the 141a, respectively.

이와 같이 다수의 돌출 연장부를 구성하면, 외부로부터 입사된 빛에 산란효과를 주어 액정표시장치의 휘도를 개선 할 수 있다.In this way, when the plurality of protruding extensions are formed, the scattering effect may be applied to the light incident from the outside, thereby improving the luminance of the LCD.

상기 투명한 화소전극(147)과 병렬로 연결되는 캐패시터(C)는 상기 게이트 배선(125)의 일부인 제 1 캐패시터 전극(126)과 상기 반사전극(141)의 일부인 제 2 캐패시터 전극(143)으로 구성된다.The capacitor C connected in parallel with the transparent pixel electrode 147 includes a first capacitor electrode 126 that is part of the gate wiring 125 and a second capacitor electrode 143 that is part of the reflective electrode 141. do.

전술한 바와 같은 반사광의 산란 효과를 더욱 높이기 위한 반사투과형 어레이기판의 구성을 이하 제 3 실시예에서 설명한다.The configuration of the reflection type array substrate for further enhancing the scattering effect of the reflected light as described above will be described in the third embodiment.

-- 제 3 실시예 --Third Embodiment

본 발명에 따른 제 3 실시예는 상기 반사판의 하부에 요철을 구성하고, 상기 요철을 따라 반사판이 형성되도록 하여, 반사광의 산란효과를 개선한 것을 특징으로 한다.The third embodiment according to the present invention is characterized in that the concave-convex structure is formed under the reflecting plate, and the reflecting plate is formed along the concave-convex surface, thereby improving the scattering effect of the reflected light.

이하, 도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 어레이기판의 한 화소를 개략적으로 도시한 평면도이다.9 is a plan view schematically showing one pixel of the reflective array substrate according to the third embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 기판(222)상에 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(225)과 데이터 배선(239)을 형성한다.As shown in the drawing, a gate line 225 and a data line 239 are formed on the substrate 222 to cross each other to define the pixel region P. Referring to FIG.

상기 게이트 배선(225)과 데이터 배선(239)의 교차지점에는 게이트 전극(223)과 액티브층(231)과 소스 및 드레인전극(235,237)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 형성한다.A thin film transistor T including a gate electrode 223, an active layer 231, and source and drain electrodes 235 and 237 is formed at an intersection point of the gate line 225 and the data line 239.

상기 화소영역(P)에는 반사전극(241)과 투명한 화소전극(247)을 구성하는데, 상기 반사전극(241)은 상기 드레인 전극(237)에서 연장하여 형성한다.A reflective electrode 241 and a transparent pixel electrode 247 are formed in the pixel region P. The reflective electrode 241 extends from the drain electrode 237.

상기 반사전극(241)의 하부에는 소정의 높이를 가지는 다수의 미소패턴(234)을 형성하며, 상기 다수의 미소패턴(234)은 상기 액티브층(233)와 오믹콘택층과 동일층 동일물질로 형성한다.A plurality of micro patterns 234 having a predetermined height is formed under the reflective electrode 241, and the plurality of micro patterns 234 are made of the same material as the active layer 233 and the ohmic contact layer. Form.

상기 반사전극(241)은 상기 다수의 미소패턴(234)을 따라 증착되기 때문에, 상기 다수의 미소패턴(234)에 의해 상기 반사전극(241)은 단면적으로 요철형상으로 구성될 수 있다.Since the reflective electrode 241 is deposited along the plurality of micro patterns 234, the reflective electrode 241 may be formed in an irregular shape in cross-section by the plurality of micro patterns 234.

이와 같은 요철 형상은 반사광을 산란하는 효과를 높이는 구성이다.Such an uneven shape is a structure which raises the effect which scatters reflected light.

상기 투명한 화소전극(247)과 병렬로 연결되는 캐패시터(C)는 상기 게이트 배선(225)의 일부인 제 1 캐패시터 전극(226)과 상기 반사전극(241)의 일부인 제 2 캐패시터 전극(243)으로 구성한다.The capacitor C connected in parallel with the transparent pixel electrode 247 includes a first capacitor electrode 226 that is a part of the gate line 225 and a second capacitor electrode 243 that is a part of the reflective electrode 241. do.

전술한 구성에서, 상기 반사전극(241)은 상기 투명한 화소전극(247)보다 작은 면적으로 구성하여, 상기 화소영역(P)을 투과부(E)와 반사부(F)로 정의한다.In the above-described configuration, the reflective electrode 241 is configured to have a smaller area than the transparent pixel electrode 247, and defines the pixel region P as the transmission part E and the reflection part F.

전술한 바와 같은 구성을 형성하기 위한 제조공정을 이하, 도 10a 내지 도 10c를 참조하여 설명한다.The manufacturing process for forming the above-described configuration will be described below with reference to Figs. 10A to 10C.

도 10a 내지 도 10c는 도 9의 Ⅹ-Ⅹ`를 따라 절단하여, 본 발명의 제 3 실시예의 공정순서로 도시한 공정 단면도이다.10A to 10C are sectional views taken along the line VII-VII of FIG. 9 and showing the process sequence of the third embodiment of the present invention.

도 10a에 도시한 바와 같이, 제 1 마스크 공정으로 화소영역(P)이 정의된 기판(222)상에 게이트전극(223)과 게이트배선(225)을 형성한다.As shown in FIG. 10A, the gate electrode 223 and the gate wiring 225 are formed on the substrate 222 on which the pixel region P is defined by the first mask process.

이때, 상기 게이트 배선(225)은 상기 화소영역(P)으로 소정면적으로 연장된 제 1 캐패시터 전극(226)을 포함한다.In this case, the gate line 225 includes a first capacitor electrode 226 extending to a predetermined area to the pixel area P.

상기 게이트물질은 액정표시장치의 동작에 중요하기 때문에 RC 딜레이(delay)를 작게 하기 위하여 저항이 작은 알루미늄(Al)이 주류를 이루고 있으나, 순수 알루미늄은 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온공정에서 힐락(hillock)형성에 의한 배선 결함문제를 야기하므로, 알루미늄 배선의 경우는 알루미늄 배선을 포함한 적층 구조(Al/Mo)가 적용된다.Since the gate material is important for the operation of the liquid crystal display, aluminum (Al) having a low resistance is mainly used to reduce the RC delay. However, pure aluminum has a weak chemical corrosion resistance, and is healed in a subsequent high temperature process. Since wiring defects are caused by hillock formation, a laminated structure including aluminum wiring (Al / Mo) is applied to aluminum wiring.

다음으로, 상기 게이트배선(225)등이 형성된 기판(222)의 전면에 질화 실리콘(SiNx)과 산화 실리콘(SiOx)등이 포함된 무기절연물질그룹 중 선택된 하나를 증착하여 게이트 절연막(229)을 형성한다.Next, a gate insulating film 229 is deposited by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN x ), silicon oxide (SiO x ), and the like on the entire surface of the substrate 222 on which the gate wiring 225 and the like are formed. ).

연속하여, 제 2 마스크 공정으로 상기 게이트전극(223)상부의 게이트 절연막 (229)상에 액티브층(131)과 오믹콘택층(133)을 형성하고, 상기 화소영역의 상부에는 다수의 미소패턴(234)을 형성한다.Subsequently, an active layer 131 and an ohmic contact layer 133 are formed on the gate insulating layer 229 on the gate electrode 223 by a second mask process, and a plurality of minute patterns are formed on the pixel region. 234).

상기 액티브층(231)은 아몰퍼스 실리콘(a-Si:H)으로 형성하고, 상기 오믹 콘택층(231)은 불순물이 포함된 아몰퍼스 실리콘(n+a-Si:H)으로 형성하다.The active layer 231 is formed of amorphous silicon (a-Si: H), and the ohmic contact layer 231 is formed of amorphous silicon (n + a-Si: H) containing impurities.

상기 미소패턴(234)은 상기 아몰퍼스 실리콘(a-Si:H)과 상기 불순물이 포함된 아몰퍼스 실리콘(n+a-Si:H)이 적층된 형상이다.The micro pattern 234 is formed by stacking the amorphous silicon (a-Si: H) and the amorphous silicon (n + a-Si: H) including the impurities.

다음으로, 도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 오믹콘택층(233)상부에 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같이 반사율이 뛰어난 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착한 후 제 3 마스크 공정으로 패턴하여, 소스전극(235)과 드레인 전극(237)과, 상기 소스전극(235)에 연결된 데이터배선(239)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 10B, one selected from a group of conductive metals having excellent reflectance such as aluminum or an aluminum alloy is deposited on the ohmic contact layer 233, and then patterned using a third mask process to form a source electrode ( 235, a drain electrode 237, and a data line 239 connected to the source electrode 235 are formed.

이때, 상기 드레인 전극(237)에서 상기 화소영역(P)상부로 연장된 반사전극(241)을 형성하며, 상기 반사전극의 끝 단(243)은 상기 제 1 캐패시터 전극(226)의 상부로 연장 형성한다.In this case, a reflective electrode 241 is formed extending from the drain electrode 237 to the pixel region P, and an end 243 of the reflective electrode extends above the first capacitor electrode 226. Form.

상기 화소영역(P)에 형성한 반사전극(241)은 상기 다수의 미소패턴(234)을 따라 증착되기 때문에 단면적으로 요철모양으로 형성된다.Since the reflective electrode 241 formed in the pixel region P is deposited along the plurality of micro patterns 234, the reflective electrode 241 is formed into a concave-convex shape in cross section.

상기 반사전극의 끝단(243)은 제 2 캐패시터의 역할을 하며, 상기 제 1 캐패시터 전극(226)과 게이트 절연막(229)과 함께 캐패시터(C)를 구성한다.An end 243 of the reflective electrode serves as a second capacitor, and forms a capacitor C together with the first capacitor electrode 226 and the gate insulating film 229.

상기 소스 및 드레인전극(235, 237)과 반사전극(241)이 형성된 기판(222)의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)을 포함하는 투명한 유기절연 물질 그룹과, 경우에 따라서는 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 제 2 절연막(245)을 형성한다.A group of transparent organic insulating materials including benzocyclobutene (BCB) and acryl on the entire surface of the substrate 222 on which the source and drain electrodes 235 and 237 and the reflective electrode 241 are formed, and in some cases, A second insulating layer 245 is formed by depositing one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO 2 ).

다음으로, 도 10c와 같이, 제 4 마스크 공정으로 상기 드레인 전극(237)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(247)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 10C, a drain contact hole 247 exposing a part of the drain electrode 237 is formed through a fourth mask process.

다음으로, 상기 드레인 콘택홀(247)이 형성된 기판(222)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명 도전성금속 물질 중 선택된 하나를 증착한 후 제 5 마스크 공정으로, 상기 드레인 전극(237)과 접촉하는 투명한 화소전극(249)을 형성한다.Next, after depositing a selected one of a transparent conductive metal material including indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) on the entire surface of the substrate 222 on which the drain contact hole 247 is formed In a fifth mask process, a transparent pixel electrode 249 in contact with the drain electrode 237 is formed.

상기 투명 화소전극(249)은 상기 반사전극(241)과 평면적으로 겹쳐 구성하며, 상기 반사전극(241) 보다는 넓은 면적으로 형성한다.The transparent pixel electrode 249 overlaps the reflective electrode 241 in a planar manner, and has a larger area than the reflective electrode 241.

전술한 바와 같은 공정으로, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반사투과형 어레이기판을 제작할 수 있다.By the above-described process, it is possible to manufacture a reflective array substrate according to a third embodiment of the present invention.

제 3 실시예의 어레이기판 보다 반사광의 휘도를 더욱 개선할 수 있는 어레이기판 구성을 이하, 제 4 실시예를 통해 설명한다.An array substrate configuration capable of further improving the luminance of reflected light than the array substrate of the third embodiment will be described below with reference to the fourth embodiment.

-- 제 4 실시예 --Fourth Embodiment

본 발명의 제 4 실시예는 상기 제 3 실시예와 동일한 공정으로 어레이기판을 제작하되, 상기 반사전극의 평면적인 형상을 변형하여 반사광의 산란 효과를 더욱 크게 하는 것을 특징으로 한다.According to the fourth embodiment of the present invention, an array substrate is manufactured by the same process as the third embodiment, but the scattering effect of the reflected light is further increased by modifying the planar shape of the reflective electrode.

도시한 바와 같이, 기판(222)상에 서로 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 게이트 배선(225)과 데이터 배선(239)을 형성한다.As shown in the drawing, a gate line 225 and a data line 239 are formed on the substrate 222 to cross each other to define the pixel region P. Referring to FIG.

상기 게이트 배선(225)과 데이터 배선(239)의 교차지점에는 게이트 전극(223)과 액티브층(231)과 소스 및 드레인전극(235,237)을 포함하는 박막트랜지스터(T)를 형성한다.A thin film transistor T including a gate electrode 223, an active layer 231, and source and drain electrodes 235 and 237 is formed at an intersection point of the gate line 225 and the data line 239.

상기 화소영역(P)에는 반사전극(241)과 투명한 화소전극(247)을 구성하는데, 상기 반사전극(241)은 상기 드레인 전극(237)에서 연장하여 형성한다.A reflective electrode 241 and a transparent pixel electrode 247 are formed in the pixel region P. The reflective electrode 241 extends from the drain electrode 237.

상기 반사전극(241)의 형상을 상세히 설명하면, 상기 드레인 전극(237)에서 상기 화소영역으로 연장된 반사전극(241)은 상기 화소영역으로 연장된 제 1 연장부(241a)와, 상기 제 1 연장부(241a)의 양쪽으로 각각 돌출 연장된 다수의 제 2 연장부(241b)와 제 3 연장부(241c)를 가진다.The shape of the reflective electrode 241 will be described in detail. The reflective electrode 241 extending from the drain electrode 237 to the pixel region includes a first extension portion 241a extending to the pixel region and the first extension portion 241a. Each of the extension part 241a has a plurality of second extension parts 241b and third extension parts 241c which protrude and extend.

전술한 바와 같이 다수의 연장부(241b,241c)를 가지는 반사전극(241)의 하부에 상기 액티브층(233)과 동일층 동일물질로 형성된 다수의 미소패턴(234)을 구성한다.As described above, a plurality of minute patterns 234 formed of the same material as the active layer 233 is formed under the reflective electrode 241 having the plurality of extension parts 241b and 241c.

이와 같이 상기 다수이 미소패턴의 상부에 다수의 돌출 연장부를 가지는 반사전극을 구성하면, 외부로부터 입사된 빛에 산란효과를 주어 액정표시장치의 휘도를 더욱 개선할 수 있다.As described above, when the plurality of reflective electrodes having a plurality of protruding extensions are formed on the micro pattern, scattering effects are applied to light incident from the outside, thereby improving the luminance of the LCD.

상기 투명한 화소전극(247)과 병렬로 연결되는 캐패시터(C)는 상기 게이트 배선(225)의 일부인 제 1 캐패시터 전극(226)과 상기 반사전극(241)의 일부인 제 2 캐패시터 전극(243)으로 구성한다.The capacitor C connected in parallel with the transparent pixel electrode 247 includes a first capacitor electrode 226 that is a part of the gate line 225 and a second capacitor electrode 243 that is a part of the reflective electrode 241. do.

본 발명에 따른 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판을 제작하게 되면 첫째, 상기 소스 및 드레인전극과 동일 층 동일물질로 반사전극을 형성하기 때문에 종래와 비교하여 공정을 단순화 할 수 있다.When the array substrate for the reflective transmissive liquid crystal display according to the present invention is manufactured, first, since the reflective electrode is formed of the same material as the source and drain electrodes, the process can be simplified.

따라서, 제품의 수율을 개선하는 효과가 있다.Therefore, there is an effect of improving the yield of the product.

둘째, 상기 반사전극의 하부에 다수의 미소패턴을 형성하여, 상기 미소패턴을 따라 증착된 반사전극을 요철형상으로 패턴하고, 이러한 반사전극의 모양을 변형하여 형성함으로써 반사광을 산란하여 휘도를 개선하는 효과가 있다.Second, a plurality of micro patterns are formed below the reflective electrode to pattern the reflective electrodes deposited along the micro pattern in a concave-convex shape, and by modifying the shape of the reflective electrode to scatter the reflected light to improve luminance. It works.

Claims (21)

다수의 화소영역이 정의된 기판 상에 일 방향으로 형성된 다수의 게이트배선과, 상기 게이트배선에서 상기 화소영역으로 소정면적으로 연장된 제 1 캐패시터 전극과;A plurality of gate wirings formed in one direction on a substrate having a plurality of pixel regions defined therein, a first capacitor electrode extending from the gate wiring to the pixel region by a predetermined area; 상기 게이트 배선과 교차하여 구성된 데이터배선과;Data wiring configured to intersect the gate wiring; 상기 두 배선의 교차지점에 구성되고, 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와;A thin film transistor configured at an intersection point of the two wires, the thin film transistor including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode; 상기 드레인 전극에서 상기 화소영역 상부로 연장된 반사전극과, 상기 반사전극에서 상기 제 1 캐패시터 전극 상부로 연장된 제 2 캐패시터 전극과;A reflective electrode extending from the drain electrode to the upper portion of the pixel region, and a second capacitor electrode extending from the reflective electrode to the upper portion of the first capacitor electrode; 상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 반사전극 상부에 구성된 투명 화소전극을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And a transparent pixel electrode formed on the reflective electrode while in contact with the drain electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사전극은 상기 투명화소전극 보다 작은 면적으로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the reflective electrode has a smaller area than the transparent pixel electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사전극은 알루미늄과 알루미늄 합금을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나인 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the reflecting electrode is one selected from a group of conductive metals including aluminum and an aluminum alloy. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사전극은 상기 드레인전극에서 상기 화소영역으로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부의 양측에서 돌출 연장된 다수의 제 1 연장부와 제 2 연장부로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.The reflective electrode includes a first extension part extending from the drain electrode to the pixel area, a plurality of first extension parts and second extension parts protruding from both sides of the first extension part, and an array substrate for a reflective liquid crystal display device. . 화소영역이 정의된 기판 상에 다수의 게이트 배선과 게이트 전극과, 게이트 배선에서 화소영역으로 연장된 제 1 캐패시터 전극을 형성하는 단계와;Forming a plurality of gate wirings and gate electrodes on the substrate on which the pixel region is defined, and a first capacitor electrode extending from the gate wiring to the pixel region; 상기 게이트 배선이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와;Forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate on which the gate wiring is formed; 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 액티브층과 오믹콘택층을 형성하는 단계와;Forming an active layer and an ohmic contact layer on the gate insulating layer on the gate electrode; 상기 오믹콘택층과 접촉하는 소스전극과 드레인전극과 상기 드레인전극에서 상기 화소영역과 상기 제 1 캐패시터 전극의 상부로 연장된 반사전극을 형성하는 단계와;Forming a reflective electrode extending from the source electrode, the drain electrode, and the drain electrode in contact with the ohmic contact layer to an upper portion of the pixel region and the first capacitor electrode; 상기 반사전극이 형성된 기판의 상부에, 상기 드레인전극의 일부가 노출 되도록 패턴된 제 2 절연막인 보호막을 형성하는 단계와;Forming a protective film on the substrate on which the reflective electrode is formed, the protective film being a second insulating film patterned to expose a part of the drain electrode; 상기 드레인전극과 접촉하면서 상기 화소영역 상에 구성된 투명 화소전극을 형성하는 단계Forming a transparent pixel electrode formed on the pixel region while being in contact with the drain electrode; 를 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.Array substrate manufacturing method for a reflective transmissive liquid crystal display device comprising a. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 반사전극은 상기 투명화소전극 보다 작은 면적으로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And the reflective electrode has a smaller area than the transparent pixel electrode. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 반사전극은 알루미늄과 알루미늄 합금을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And the reflective electrode is formed of one selected from the group of conductive metals including aluminum and an aluminum alloy. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 반사전극은 상기 드레인전극에서 상기 화소영역 상부로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부의 양측에서 각각 돌출 연장된 다수개의 제 1 연장부와 제 2 연장부로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.The reflective electrode may include a first extension part extending from the drain electrode to the upper portion of the pixel region, and a plurality of first extension parts and second extension parts protruding from both sides of the first extension part, respectively. Array substrate manufacturing method. 다수의 화소영역이 정의된 기판 상에 일 방향으로 형성된 다수의 게이트배선과, 상기 게이트배선에서 상기 화소영역으로 소정면적으로 연장된 제 1 캐패시터 전극과;A plurality of gate wirings formed in one direction on a substrate having a plurality of pixel regions defined therein, a first capacitor electrode extending from the gate wiring to the pixel region by a predetermined area; 상기 게이트 배선과 교차하여 구성된 데이터배선과;Data wiring configured to intersect the gate wiring; 상기 두 배선의 교차지점에 구성되고, 게이트 전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터와;A thin film transistor configured at an intersection point of the two wires, the thin film transistor including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode; 상기 화소영역에 구성된 다수의 미소패턴과;A plurality of micro patterns formed in the pixel region; 상기 드레인 전극에서 상기 미소패턴이 형성된 화소영역으로 연장된 반사전극과, 상기 반사전극에서 상기 제 1 캐패시터 전극 상부로 연장된 제 2 캐패시터 전극과;A reflective electrode extending from the drain electrode to the pixel region where the minute pattern is formed, and a second capacitor electrode extending from the reflective electrode to the upper portion of the first capacitor electrode; 상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 반사전극 상부에 구성된 투명 화소전극을 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And a transparent pixel electrode formed on the reflective electrode while in contact with the drain electrode. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 반사전극은 상기 투명화소전극 보다 작은 면적으로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the reflective electrode has a smaller area than the transparent pixel electrode. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 반사전극은 알루미늄과 알루미늄 합금을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나인 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the reflecting electrode is one selected from a group of conductive metals including aluminum and an aluminum alloy. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 반사전극은 상기 드레인전극에서 상기 화소영역으로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부의 양측에서 돌출 연장된 다수의 제 1 연장부와 제 2 연장부로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.The reflective electrode includes a first extension part extending from the drain electrode to the pixel area, a plurality of first extension parts and second extension parts protruding from both sides of the first extension part, and an array substrate for a reflective liquid crystal display device. . 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 미소패턴은 상기 액티브층 및 오믹콘택층과 동일층 동일물질로 형성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the micro pattern is formed of the same material as the active layer and the ohmic contact layer. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 미소패턴은 상기 반사전극의 하부에만 구성된 액정표시장치용 어레이기판.And the micro pattern is formed only under the reflective electrode. 화소영역이 정의된 기판 상에 다수의 게이트 배선과 게이트 전극과, 게이트 배선에서 화소영역으로 연장된 제 1 캐패시터 전극을 형성하는 단계와;Forming a plurality of gate wirings and gate electrodes on the substrate on which the pixel region is defined, and a first capacitor electrode extending from the gate wiring to the pixel region; 상기 게이트 배선이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와;Forming a gate insulating film on the entire surface of the substrate on which the gate wiring is formed; 상기 게이트 전극 상부의 게이트 절연막 상에 액티브층과 오믹콘택층과, 다수의 미소패턴을 형성하는 단계와;Forming an active layer, an ohmic contact layer, and a plurality of micro patterns on the gate insulating layer on the gate electrode; 상기 오믹콘택층과 접촉하는 소스전극과 드레인전극과 상기 드레인전극에서 상기 화소영역의 미소패턴 상부로 연장된 반사전극과, 상기 반사전극에서 상기 제 1 캐패시터전극의 상부로 연장된 제 2 캐패시터 전극을 형성하는 단계와;A source electrode and a drain electrode contacting the ohmic contact layer, a reflective electrode extending from the drain electrode to an upper portion of the micropattern of the pixel region, and a second capacitor electrode extending from the reflective electrode to the upper portion of the first capacitor electrode; Forming; 상기 반사전극이 형성된 기판의 상부에, 상기 드레인전극의 일부가 노출 되도록 패턴된 제 2 절연막인 보호막을 형성하는 단계와;Forming a protective film on the substrate on which the reflective electrode is formed, the protective film being a second insulating film patterned to expose a part of the drain electrode; 상기 드레인전극과 접촉하면서 상기 화소영역 상에 구성된 투명 화소전극을 형성하는 단계Forming a transparent pixel electrode formed on the pixel region while being in contact with the drain electrode; 를 포함하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.Array substrate manufacturing method for a reflective transmissive liquid crystal display device comprising a. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 반사전극은 상기 투명화소전극 보다 작은 면적으로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And the reflective electrode has a smaller area than the transparent pixel electrode. 제 15 에 있어서,The method of claim 15, 상기 반사전극은 알루미늄과 알루미늄 합금을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나로 형성하는 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the reflective electrode is formed of one selected from the group of conductive metals including aluminum and an aluminum alloy. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 반사전극은 상기 드레인전극에서 상기 화소영역으로 연장된 제 1 연장부와, 상기 제 1 연장부의 양측에서 돌출 연장된 다수의 제 1 연장부와 제 2 연장부로 구성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.The reflective electrode includes a first extension part extending from the drain electrode to the pixel area, a plurality of first extension parts and second extension parts protruding from both sides of the first extension part, and an array substrate for a reflective liquid crystal display device. Manufacturing method. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 미소패턴은 상기 액티브층 및 오믹콘택층과 동일층 동일물질로 형성된 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판.And the micro pattern is formed of the same material as the active layer and the ohmic contact layer. 제 19 항에 있어서,The method of claim 19, 상기 액티브층은 순수한 비정질 실리콘으로 형성하고, 상기 오믹콘택층은 불순물이 포함된 비정질 실리콘으로 형성한 액정표시장치용 어레이기판.And the active layer is formed of pure amorphous silicon, and the ohmic contact layer is formed of amorphous silicon containing impurities. 제 15 항에 있어서,The method of claim 15, 상기 미소패턴은 상기 반사전극의 하부에만 형성된 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.And the micro pattern is formed only under the reflective electrode.
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