KR20030054931A - Method for fabricating of fingerprint sensing device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A fingerprint recognition device manufacturing method is provided to secure a feature of a protection film and to prevent an exfoliation from the protection film by enhancing a scanning window so that it can increase a reliability in a fingerprint recognition. CONSTITUTION: Wiring layers, connected to a lower transistor and transistor poles, are formed, and a metal wiring portion(21) is formed. The first TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) layer(22) is formed on a surface including the metal wiring portion(21). An HSG(Hemispherical Grain) layer is formed over the first TEOS layer(22) and is flattened, and then the second TEOS layer(24) on the flattened surface. An ESD(Electro Static Discharge) insulation film is formed. The ESD insulation film is made of a flattened layer and a protection film. The flattened layer is formed by making an ESD oxide film(25) with the TEOS or HLD(High Temperature Low Pressure) oxide film, and flattening the ESD oxide film(25) with a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process. Then an ESD nitride film(26) as the protection film is formed on the ESD oxide film(25). A trench is formed on the ESD nitride film(26) by etching selectively the ESD nitride film(26) with a regular depth, and a barrier layer(27) is formed on a surface of the trench. An ESD layer(28) as a scanning window is formed on the barrier layer(27) in the trench.

Description

지문 인식 소자의 제조 방법{Method for fabricating of fingerprint sensing device}Method for fabricating a fingerprint sensing device

본 발명은 MOSFET에 관한 것으로, 구체적으로는 지문 인식에 스캐닝 윈도우 부분을 개선하여 보호막의 특성을 확보하고 보호막과의 박리 현상을 억제하여 신뢰성을 높인 지문 인식 소자의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a MOSFET, and more particularly, to a method of manufacturing a fingerprint recognition device having improved reliability by securing a scanning window portion for fingerprint recognition to secure the characteristics of the protective film and suppressing a peeling phenomenon with the protective film.

지문은 개개인마다 다른 모양과 특징을 가지고 있기 때문에 전통적으로 개개인의 신분을 확인 및 입증하는데 널리 사용되었다.Fingerprints have traditionally been widely used to verify and verify an individual's identity because each person has a different shape and characteristics.

근래에 들어서는 이러한 지문을 전기적으로 감지하여 저장함으로써 빠른 시간 내에 신분확인을 처리할 수 있게끔 하고 있다.In recent years, these fingerprints are electrically detected and stored so that identification can be processed quickly.

이러한 지문감지센서는 이제 특수한 보안장치에만 응용되는 데서 벗어나 저가의 센서들이 등장함에 따라 키보드, 마우스,등 PC의 주변장치에 사용되는 등 점차 사용범위가 증가하는 추세이다.These fingerprint sensors are not only applied to special security devices, but as the low-cost sensors are used, the range of use is gradually increasing, such as those used in peripheral devices of the PC such as keyboards, mice, and the like.

따라서 이러한 시장에 참여하기 위해서는 사용하기 편리하고 소규모, 저전력, 저가의 지문감지센서 기술을 확보하는 것이 필수적이다.Therefore, in order to participate in such a market, it is essential to secure a fingerprint sensor technology that is easy to use and small, low power, and low cost.

이러한 이유로 지문을 감지하기 위해서 많은 방법이 연구되어 왔는데, 현재까지 연구된 지문감지 방식은 대체적으로 광학식(optical type), 정전용량식 (capacitive type), 그리고 열감지식(thermal type) 등의 기술로 크게 구분할 수 있다.For this reason, many methods have been studied to detect fingerprints. Until now, the fingerprint detection methods studied are largely classified into optical, capacitive, and thermal types. Can be distinguished.

정전용량식 방식은 CMOS 공정만으로 부가적 장치 없이 센서를 구현할 수 있으나, 접촉되는 손가락의 표면 피부가 건조한 경우(dry finger), 전도도가 떨어지게 되어 지문영상의 검출이 잘 되지 않을 가능성이 있다.In the capacitive type, the sensor can be implemented without an additional device using only a CMOS process. However, if the surface of the contacted finger is dry finger, the conductivity may be reduced, and thus the fingerprint image may not be detected.

또한 손가락의 압력과 자연세계에서 발생하는 전기장에 매우 민감하여 손가락 표면과 센서의 접촉표면에서의 정전기방전으로 인해 센서가 파괴될 수 있다.It is also very sensitive to finger pressure and the electric field in the natural world, which can destroy the sensor due to electrostatic discharge on the finger surface and the contact surface of the sensor.

이하에서 종래 기술의 지문 인식 소자의 제조 공정에 관하여 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of the fingerprint recognition device of the prior art will be described.

도 1은 종래 기술의 지문 인식 소자의 구조 단면도이다.1 is a structural cross-sectional view of a fingerprint recognition device of the prior art.

제조 공정은 먼저, 하부의 트랜지스터 및 트랜지스터의 전극에 연결되는 배선층들이 형성되고, 배선층들에 연결되는 다층의 배선의 하나로 금속 배선(M2)(11)을 형성한다.In the manufacturing process, first, wiring layers connected to the lower transistors and the electrodes of the transistors are formed, and metal wiring M2 11 is formed as one of the multilayer wirings connected to the wiring layers.

그리고 상기 금속 배선(11)을 포함하는 전면에 제 1 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)층(12)을 형성한다.In addition, a first TEOS (Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) layer 12 is formed on the entire surface including the metal line 11.

이어, 상기 제 1 TEOS층(12)상에 HSG(HemiSpherical Grain)층(13)을 형성하고 평탄화한후, 전면에 제 2 TEOS층(14)을 형성한다.Subsequently, a HSG (HemiSpherical Grain) layer 13 is formed and planarized on the first TEOS layer 12, and then a second TEOS layer 14 is formed on the entire surface.

그리고 ESD(Electro Static Discharge) 절연막을 형성한다. ESD 절연막은 평탄화층과 보호막으로 나누어 형성하는데, 평탄화층으로 제 1 ESD 질화막(P-SiN)(15)을 13000Å의 두께로 형성하고 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 평탄화한다.An electrostatic discharge (ESD) insulating film is formed. The ESD insulating layer is formed by dividing the planarization layer and the passivation layer. The planarization layer forms a first ESD nitride film (P-SiN) 15 to a thickness of 13000 GPa and is planarized by a chemical mechanical polishing (CMP) process.

이어, 상기 평탄화된 제 1 ESD 질화막(15)상에 보호막으로 제 2 ESD 질화막(P-SiN)(16)을 8000Å의 두께로 형성한다.Subsequently, a second ESD nitride film (P-SiN) 16 is formed on the planarized first ESD nitride film 15 to have a thickness of 8000 두께.

여기서, 상기 CMP 공정에 의해 제 1 ESD 질화막(15)이 5000Å 정도의 두께가 제거되어 전체적인 ESD 절연막의 두께는 16000Å이다.In this case, the thickness of the first ESD nitride film 15 is removed to about 5000 kPa by the CMP process, so that the overall thickness of the ESD insulating film is 16000 kPa.

그리고 상기 제 2 ESD 질화막(16)을 포토리소그래피 공정으로 선택적으로 일정 깊이 식각하여 트렌치를 6000Å의 깊이로 형성하고 트렌치를 포함하는 전면에 베리어층(17)으로 TiN을 330Å의 두께로 증착한다.The second ESD nitride film 16 is selectively etched to a predetermined depth by a photolithography process to form a trench to a depth of 6000 Å and to deposit TiN with a barrier layer 17 on the entire surface including the trench with a thickness of 330 Å.

이어, 다마신 공정을 이용하여 상기 트렌치를 포함하는 전면에 텅스텐을 증착하고 CMP 공정으로 평탄화하여 트렌치를 매립하는 지문 인식을 위한 스캐닝 윈도우층으로 ESD층(18)을 형성한다.Next, an ESD layer 18 is formed as a scanning window layer for fingerprint recognition that fills the trench by depositing tungsten on the entire surface including the trench using a damascene process and flattening the same by using a CMP process.

최종적으로 P-SiN 필름의 두께가 14250Å 정도 남도록 제어된다.Finally, the thickness of the P-SiN film is controlled to be about 14250Å.

이런 지문 인식 소자의 경우 항상 칩의 표면이 노출되는 어플리케이션에 적용되므로 고수준의 환경 신뢰성을 요구한다.Such fingerprint identification devices require high levels of environmental reliability because they are applied to applications where the surface of the chip is always exposed.

그러나 이와 같은 종래 기술의 지문 인식 소자에 있어서는 다음과 같은 문제가 있다.However, such a fingerprint recognition device of the prior art has the following problems.

나이트라이드 필름 설계가 적용된 제품에서 신뢰성 시험 결과 나이트라이드가 지나치게 두껍게 증착되는 경우에는 리프팅(lifting)현상이 발생되어 양산 및 상용화가 지연되는 문제가 있다.(신뢰성 시험 항목 : A.H.T : Active Himidity Test, 85℃, 85% 상대습도 방치 시험)If the nitride film is deposited too thick in the product to which the nitride film design is applied, there is a problem in that a lifting phenomenon occurs and mass production and commercialization are delayed. (Reliability test item: AHT: Active Himidity Test, 85 ℃, 85% relative humidity leaving test)

이는 패시베이션(passivation)층에 나이트라이드 필름이 두껍게 적용될 때 발생되는 과도한 스트레스로 인하여 발생되는 것이다.This is caused by excessive stress generated when the nitride film is thickly applied to the passivation layer.

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 지문 인식 소자의 문제를 해결하기 위한 것으로, 지문 인식에 스캐닝 윈도우 부분을 개선하여 보호막의 특성을 확보하고 보호막과의 박리 현상을 억제하여 신뢰성을 높인 지문 인식 소자의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention is to solve the problem of the conventional fingerprint recognition device, to improve the scanning window portion in the fingerprint recognition to secure the characteristics of the protective film and to suppress the peeling phenomenon with the protective film to manufacture a fingerprint recognition device with high reliability It is to provide a method.

도 1은 종래 기술의 지문 인식 소자의 구조 단면도1 is a structural cross-sectional view of a fingerprint recognition device of the prior art

도 2는 본 발명에 따른 지문 인식 소자의 구조 단면도2 is a cross-sectional view of a fingerprint recognition device according to the present invention

-도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명-Explanation of symbols on main parts of drawing

21. 금속 배선 22. 제 1 TEOS층21. Metal Wiring 22. First TEOS Layer

23. HSG층 24. 제 2 TEOS층23. HSG layer 24. Second TEOS layer

25. ESD 산화막 26. ESD 질화막25.ESD oxide film 26.ESD nitride film

27. 베리어층 28. ESD층27. Barrier Layer 28. ESD Layer

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 지문 인식 소자의 제조 방법은 하부의 트랜지스터 및 트랜지스터의 전극에 연결되는 배선층들이 형성되고, 배선층들에 연결되는 다층의 배선의 하나로 금속 배선 및 층간 절연층을 형성하는 단계;상기 층간 절연층상에 평탄화층과 보호막층이 연속적으로 증착되는 ESD 절연막을 형성하는 공정에서,평탄화층과 보호막층을 서로 다른 물질로 형성하고, 평탄화층을 보호막층보다 정전용량이 더 큰 물질을 사용하여 형성하는 단계;상기 보호막층을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하고 트렌치내에 베리어층 및 지문 인식을 위한 스캐닝 윈도우층으로 ESD층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a fingerprint recognition device according to the present invention for achieving the above object, a wiring layer is formed to be connected to a lower transistor and an electrode of the transistor, and a metal wiring and an interlayer insulating layer are formed as one of the multilayer wirings connected to the wiring layers. In the process of forming an ESD insulating film in which the planarization layer and the passivation layer is continuously deposited on the interlayer insulating layer, the planarization layer and the passivation layer is formed of a different material, the planarization layer has a higher capacitance than the passivation layer Forming a trench by selectively etching the passivation layer, and forming an ESD layer in the trench as a barrier layer and a scanning window layer for fingerprint recognition.

이하에서 본 발명에 따른 지문 인식 소자의 제조 공정에 관하여 설명한다.Hereinafter, a manufacturing process of the fingerprint recognition device according to the present invention will be described.

도 2는 본 발명에 따른 지문 인식 소자의 구조 단면도이다.2 is a structural cross-sectional view of the fingerprint recognition device according to the present invention.

지문 인식 소자의 신뢰성 시험 중 P-SiN 필름의 들뜸과 떨어짐 현상의 원인은 P-SiN 필름이 너무 두꺼워 과도한 스트레스를 유발하고 이 스트레스가 A.H.T시 유발되는 팩터와 결합하여 나이트라이드 필름이나 하지의 IMD(TEOS층)의 리프팅을 유발하는 것으로 추정된다.During the reliability test of the fingerprint recognition device, the cause of the lifting and falling of the P-SiN film is that the P-SiN film is so thick that it causes excessive stress, and this stress is combined with the factor induced during AHT, and the IMD of the nitride film or the lower limb ( It is assumed that the lifting of the TEOS layer).

따라서 본 발명은 2차례에 걸친 P-SiN 필름 증착 대신에 하나의 층을 산화 필름으로 대체하여 과도한 스트레스 발생을 억제, 감소시켜 신뢰성 시험시의 불량을 개선하기 위한 것이다.Therefore, the present invention is to replace the one layer with an oxide film instead of two times P-SiN film deposition to suppress and reduce the excessive stress generation to improve the defect in the reliability test.

표면 보호막은 그대로 P-SiN을 사용하여 산화+라이트라이드 조합으로 패시베이션 필름 고유의 기능인 보호막 역할을 하도록 하고, 변화되는 커패시터값을 확인하여 산화 필름으로 대체시에도 커패시터값이 유지되도록 보상한다.The surface protective film uses P-SiN as an oxide + lightride combination to act as a protective film inherent to the passivation film, and checks the changed capacitor value to compensate for maintaining the capacitor value even when the oxide film is replaced with the oxide film.

제조 공정은 먼저, 하부의 트랜지스터 및 트랜지스터의 전극에 연결되는 배선층들이 형성되고, 배선층들에 연결되는 다층의 배선의 하나로 금속 배선(M2)(21)을 형성한다.In the manufacturing process, first, wiring layers connected to the lower transistors and the electrodes of the transistors are formed, and the metal wiring M2 21 is formed as one of the multilayer wirings connected to the wiring layers.

그리고 상기 금속 배선(21)을 포함하는 전면에 제 1 TEOS(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate)층(22)을 형성한다.In addition, a first TEOS (Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate) layer 22 is formed on the entire surface including the metal line 21.

이어, 상기 제 1 TEOS층(22)상에 HSG(HemiSpherical Grain)층(23)을 형성하고 평탄화한후, 전면에 제 2 TEOS층(24)을 형성한다.Subsequently, a HSG (HemiSpherical Grain) layer 23 is formed and planarized on the first TEOS layer 22, and then a second TEOS layer 24 is formed on the entire surface thereof.

그리고 ESD(Electro Static Discharge) 절연막을 형성한다.An electrostatic discharge (ESD) insulating film is formed.

ESD 절연막은 평탄화층과 보호막으로 나누어 형성하는데, 평탄화층으로 TEOS 또는 HLD(High Temperature Low pressure) 산화막등과 같이 P-SiN보다 정전 용량이 큰 물질을 사용하여 ESD 산화막(25)을 10000Å두께로 형성하고 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정으로 평탄화한다.The ESD insulating layer is formed by dividing the planarization layer and the protective layer, and the ESD oxide layer 25 is formed to a thickness of 10000 kPa using a material having a larger capacitance than P-SiN, such as TEOS or a high temperature low pressure (HLD) oxide layer. And planarization by a chemical mechanical polishing (CMP) process.

이어, 상기 평탄화된 ESD 산화막(25)상에 보호막으로 ESD 질화막(P-SiN)(26)을 8000Å의 두께로 형성한다.Subsequently, an ESD nitride layer (P-SiN) 26 is formed on the planarized ESD oxide layer 25 to have a thickness of 8000 Å.

여기서, 상기 CMP 공정에 의해 ESD 산화막(25)이 4200Å 정도의 두께가 제거된다.In this case, the thickness of the ESD oxide film 25 is about 4200 Å by the CMP process.

최종적으로 ESD 산화막(25)의 두께는 2000 ~ 8000Å을 유지시킨다.Finally, the thickness of the ESD oxide film 25 is maintained at 2000 to 8000 Å.

그리고 상기 ESD 질화막(26)을 포토리소그래피 공정으로 선택적으로 일정 깊이 식각하여 트렌치를 6000Å의 깊이로 형성하고 트렌치를 포함하는 전면에 베리어층(27)으로 TiN을 330Å의 두께로 증착한다.The ESD nitride layer 26 is selectively etched to a predetermined depth by a photolithography process to form a trench to a depth of 6000 μm, and TiN is deposited to a barrier layer 27 on the entire surface including the trench with a thickness of 330 μm.

이어, 다마신 공정을 이용하여 상기 트렌치를 포함하는 전면에 텅스텐을 9000Å의 두께로 증착하고 CMP 공정으로 평탄화하여 트렌치를 매립하는 지문 인식을 위한 스캐닝 윈도우층으로 ESD층(28)을 형성한다.Next, the ESD layer 28 is formed as a scanning window layer for fingerprint recognition that fills the trench by depositing tungsten to a thickness of 9000 Å on the entire surface including the trench using a damascene process and flattening by a CMP process.

이와 같은 공정으로 본 발명에서는 최종 패시베이션층(보호막 역할을 하는 ESD 질화막(26))의 두께는 11500Å정도 남는다.In this process, in the present invention, the thickness of the final passivation layer (ESD nitride film 26 serving as a protective film) remains about 11500 kPa.

결론적으로 패시베이션층의 두께 감소와 함께 상대적으로 소프트한 산화층을 사이에 추가함으로써 과도한 나이트라이드 필름 두께에 기인한 스트레스의 감소를 시키는 효과를 얻을 수 있다.In conclusion, by reducing the thickness of the passivation layer and adding a relatively soft oxide layer therebetween, an effect of reducing the stress due to excessive nitride film thickness can be obtained.

평탄화층 역할을 하는 ESD 절연막을 TEOS로 본 발명에서와 같이 변경할 경우에는 재료 자체가 가지고 있는 커패시터 값도 반드시 고려하여야 한다.When changing the ESD insulating film serving as the planarization layer to TEOS as in the present invention, the capacitor value of the material itself must also be considered.

지문 인식 소자의 이미지 센싱의 기초 설계가 금속 배선(21) 위에 존재하는 IMD층과 패시베이션층이 갖는 커패시터값과 그 차이의 분석에 있으므로 스트레스의 감소를 위하여 메탈을 변경하더라도 반드시 커패시터 값은 보정하여야 한다.Since the basic design of the image sensing of the fingerprint recognition element is in analyzing the capacitor values of the IMD layer and the passivation layer existing on the metal wiring 21 and the difference, the capacitor values must be corrected even if the metal is changed to reduce the stress. .

본 발명에서 평탄화층으로 TEOS 필름을 증착할 때 두께를 13000Å을 10000Å으로 변경한 것은 커패시터값을 보정을 위한 것이다.In the present invention, when the TEOS film is deposited with the planarization layer, the thickness is changed from 13000 mW to 10000 mW for correcting the capacitor value.

P-SiN을 사용하는 경우 CMP후에 8000Å의 두께가 남는다. 이 경우 커패시터 값이 0.0000642 pF/㎛2정도로 계산된다. 이를 TEOS 필름으로 역환산하면 약 5800Å정도이다.If P-SiN is used, the thickness of 8000 Å remains after CMP. In this case, the capacitor value is calculated to be 0.0000642 pF / μm 2 . In terms of TEOS film, it is about 5800 5.

이 값의 만족을 위하여 본 발명에서는 TEOS 필름의 최종 두께 목표를 5800Å으로 한 것이다.In order to satisfy this value, in the present invention, the final thickness target of the TEOS film is 5800 mm 3.

보통 P-SiN 1000Å의 커패시터 값은 0.000514pF/㎛2이고, TEOS 1000Å의 커패시터 값은 0.000677pF/㎛2이다.Usually, the capacitor value of P-SiN 1000Å is 0.000514pF / μm 2 and the TEOS 1000Å capacitor value is 0.000677pF / μm 2 .

지문 인식 칩에서 가장 중요한 프로세스는 손가락 지문 부위와 콘택되는 센싱 윈도우이다. 이 부분은 효과적으로 이미지를 인식하여야 하며 추가적으로 패시베이션층 역할도 다른 MOSFET 소자보다 더욱 완벽한 것이 요구된다.The most important process in a fingerprint chip is a sensing window that contacts the finger fingerprint area. This part requires effective image recognition and additionally requires the passivation layer to be more complete than other MOSFET devices.

이와 같은 본 발명에 따른 지문 인식 소자의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.Such a method of manufacturing a fingerprint recognition device according to the present invention has the following effects.

지문 인식 소자에서 발생되는 AHT 신뢰성 시험 불량의 중요한 원인으로 추정되는 과도한 P-SiN 필름 두께에서 기인되는 스트레스를 효과적으로 감소시켜서 ESD층을 구성하는 텅스텐층의 박리(peeling)나 리프팅(lifting) 불량의 감소 효과를 얻을 수 있다.Reduction of peeling or lifting defects in the tungsten layer constituting the ESD layer by effectively reducing the stress caused by excessive P-SiN film thickness, which is considered to be an important cause of AHT reliability test failure in the fingerprint recognition device. The effect can be obtained.

Claims (5)

하부의 트랜지스터 및 트랜지스터의 전극에 연결되는 배선층들이 형성되고, 배선층들에 연결되는 다층의 배선의 하나로 금속 배선 및 층간 절연층을 형성하는 단계;Forming a wiring and an interlayer insulating layer, the wiring layers being connected to the lower transistor and the electrodes of the transistor and being one of the multilayer wirings connected to the wiring layers; 상기 층간 절연층상에 평탄화층과 보호막층이 연속적으로 증착되는 ESD 절연막을 형성하는 공정에서,In the process of forming an ESD insulating film on which the planarization layer and the protective film layer is continuously deposited on the interlayer insulating layer, 평탄화층과 보호막층을 서로 다른 물질로 형성하고, 평탄화층을 보호막층보다 정전용량이 더 큰 물질을 사용하여 형성하는 단계;Forming the planarization layer and the passivation layer by using different materials, and forming the planarization layer by using a material having a larger capacitance than the passivation layer; 상기 보호막층을 선택적으로 식각하여 트렌치를 형성하고 트렌치내에 베리어층 및 지문 인식을 위한 스캐닝 윈도우층으로 ESD층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 소자의 제조 방법.Selectively etching the passivation layer to form a trench, and forming an ESD layer as a barrier layer and a scanning window layer for fingerprint recognition in the trench. 제 1 항에 있어서, 층간 절연층을 형성하기 위한 공정을 금속 배선을 포함하는 전면에 제 1 TEOS층을 형성하는 공정, 상기 제 1 TEOS층상에 HSG층을 형성하고 평탄화한후, 전면에 제 2 TEOS층을 형성하는 공정으로 진행하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 소자의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the step of forming the interlayer insulating layer is performed by forming a first TEOS layer on the front surface including the metal wiring, forming and planarizing an HSG layer on the first TEOS layer, and then forming a second surface on the front surface. Proceeding to the step of forming a TEOS layer, the method of manufacturing a fingerprint recognition device. 제 1 항에 있어서, ESD(Electro Static Discharge) 절연막을,The method of claim 1, wherein the electrostatic discharge (ESD) insulating film, 평탄화층으로 TEOS 또는 HLD 산화막을 사용하여 ESD 산화막을 10000Å두께로 형성하고 CMP 공정으로 평탄화한후, 보호막으로 ESD 질화막을 8000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 소자의 제조 방법.A method of manufacturing a fingerprint recognition device, characterized in that an ESD oxide film is formed to a thickness of 10000 kPa using a TEOS or HLD oxide film as a planarization layer, and planarized by a CMP process, and then an ESD nitride film is formed to a thickness of 8000 kPa using a protective film. 제 1 항에 있어서, ESD 산화막은 CMP 공정으로 평탄화된후 2000 ~ 8000Å의 두께를 유지하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 소자의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the ESD oxide film is planarized by a CMP process to maintain a thickness of 2000 to 8000 Å. 제 1 항에 있어서, ESD층을 트렌치를 6000Å의 깊이로 형성하고 트렌치를 포함하는 전면에 베리어층으로 TiN을 330Å의 두께로 증착한후, 전면에 텅스텐을 9000Å의 두께로 증착하고 CMP 공정으로 평탄화하여 형성하는 것을 특징으로 하는 지문 인식 소자의 제조 방법.2. The trench of claim 1, wherein the ESD layer is formed to a trench depth of 6000 mV, TiN is deposited to a thickness of 330 mV as a barrier layer on the front surface including the trench, and then tungsten is deposited to a thickness of 9000 mW on the front surface, and planarized by a CMP process. Forming by forming a fingerprint recognition device, characterized in that.
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