KR20030043190A - 레지스트 제거용 신너 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 TFT-LCD 디바이스 또는 반도체 디바이스 제조 공정에서 기판 위에 코팅되는 레지스트 막의 가장자리 부분 또는 기판의 후면에 형성되는 불필요한 막 성분을 제거하기 위한 신너 조성물에 관한 것으로서, 상기 신너 조성물은 a) 무기 및/또는 유기 알칼리 0.1 내지 10 중량%; b) 유기용제 0.1 내지 30 중량%; c) 비이온계 계면활성제 0.01 내지 10 중량%; 및 d) 물 50 내지 99 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물을 제공한다. 여기서, 상기 신너 조성물은 음이온계 계면활성제 0.01 내지 5 중량% 및/또는 소포제 0.01 내지 1.0 중량%를 더욱 포함하는 것이 바람직하다.

Description

레지스트 제거용 신너 조성물 {Thinner composition for removing resist}
본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display: TFT-LCD) 또는 반도체 디바이스 제조 공정에서 사용되는 감광성 수지막(레지스트) 제거용 신너(Thinner) 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 TFT-LCD 디바이스 또는 반도체 디바이스 제조 공정에서 기판 위에 코팅되는 레지스트 막의 가장자리 부분 또는 기판의 후면에 형성되는 불필요한 막 성분을 제거하기 위한 신너 조성물에 관한 것이다.
TFT-LCD 회로 또는 반도체 집적회로와 같이 미세한 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 먼저 유리 기판 등의 기판 상에 형성된 절연막 또는 도전성 금속막에 레지스트 조성물을 균일하게 스핀 코팅 또는 도포하고, 적당한 건조 공정을 거친 후, 소정 형상의 마스크 존재 하에서 레지스트 조성물을 노광, 현상함으로서 목적하는 형상의 패턴을 만든다. 이와 같이 리쏘그라피법에 의해 TFT-LCD 또는 반도체 디바이스를 제조하는 경우, 글라스, 실리콘웨이퍼 등의 기판 상에 레지스트 막을 필수적으로 형성하여야 하며, 형성된 레지스트 막의 가장자리에 불필요하게 도포된 레지스트 및 기판 하부에 형성될 수 있는 불필요한 막을 기판으로부터 제거하기 위하여, 레지스트 막의 노광 및 현상 공정 이전에 기판을 신너로 세정하는 공정이 필요하다.
기판 상의 레지스트 막을 세정, 제거하는 신너로는 불필요한 레지스트 막이 건조되기 전에 용해시켜 제거할 수 있는 유기계 신너와, 유기계 신너의 인체에 대한 독성, 높은 인화점, 고가의 제조원가 등의 단점이 없는 알칼리 수용액을 주성분으로 하는 수계 신너로 구분할 수 있다. 특히 수계 신너의 경우 종래의 유기계 신너와 비교하여 화학적으로 안정하므로 화재 위험이 없고, 휘발에 따른 인체에 대한 독성이 현저히 적어, 작업자에 대한 안전성이 보장된다는 장점이 있다. 또한 제조 단가 측면에서도 고가의 유기계 신너에 비해 훨씬 유리하므로 유기계 신너보다는 알칼리계 수계 신너의 사용이 점차적으로 증대되고 있다. 알칼리 수계 신너는 사용되는 알칼리의 종류에 따라 무기 알칼리계 신너와 유기 알칼리계 신너로 구분된다. 무기 알칼리계 신너는 불량 레지스트 막 제거 작업 후, 무기물이 잔류하여 공정 장비의 오염 및 부식을 유발할 우려가 있으며, 레지스트 제거효율이 낮은 단점이 있다. 따라서, 근래에는 유기 알칼리만을 사용하거나 무기, 유기 알칼리를 혼용한 신너가 사용되고 있다. 유기 알칼리는 용제 휘발 후 잔존 이물질이 거의 없어, 장비에 대한 부식의 우려가 적으며, 레지스트에 대한 용해도가 우수하여 뛰어난 레지스트 제거 성능을 나타낸다. 현재 알칼리 수계 신너 조성물에 사용되는 무기 알칼리로는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등이 있으며, 유기 알칼리로는 테트라메틸암모늄하이드록사이드가 널리 이용되고 있다.
현재 TFT-LCD 또는 반도체 집적회로 제조 공정에 적용되고 있는, 기판 가장자리 및 후면에 형성된 불필요한 레지스트를 제거하기 위한 통상적인 알칼리 수계 신너는 코팅된 레지스트의 두께가 수㎛ 이하의 박막일 경우에는 우수한 레지스트 제거 성능을 발휘한다. 그러나, 기판의 가장자리에 코팅된 레지스트의 두께가 10㎛ 이상으로 두꺼워지거나, TFT-LCD 제조 공정에 사용되며, 다량의 안료를 포함하는 칼라 레지스트, 유기 블랙매트릭스(black matrix: BM) 등과 같이, 유기물 성분 외에 신너에 대한 용해성이 현저히 낮은 안료 성분을 포함하는 레지스트의 경우에는, 통상의 알카리 수계 신너로 세정하여도 기판 상에 다량의 안료 성분이 잔존하며, 잔막이 용이하게 제거되지 않는다. 또한 종래의 알칼리 수계 신너는 레지스트를 용해 및 제거한 다음의 후속 작업 공정 중에 거품이 발생하여 장비를 오염시키거나, 스테인레스 재질의 장비를 부식시킬 우려가 있다. 또한 칼라 레지스트나 유기 BM과 같은 용해성이 현저히 낮은 안료 성분을 포함하는 레지스트를 제거하는 경우에는, 용해된 레지스트의 안료입자가 알칼리 수계 신너에 불안정하게 분산되므로, 안료입자가 뭉쳐서 가라앉거나, 레지스트 제거용 장비의 배수관이 막히는 등의 문제점을 유발할 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 다량의 안료를 포함함으로써 일반적인 수계 신너로는 용이하게 제거되지 않는 칼라 레지스트, 레지스트 코팅막 외면의 막 두께가 10㎛ 이상인 레지스트, 오버코팅(overcoating)액 등의 제거에 특히 유용한 알칼리 수계 신너 조성물을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 공정 장비에 대한 부식 및 공정 진행 중에 발생할 수 있는 거품 발생을 억제할 수 있는 알칼리 수계 신너 조성물을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 용해된 레지스트를 안정하게 분산시킬 수 있는 알카리 수계 신너 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 a) 무기 및/또는 유기 알칼리 0.1 내지 10 중량%; b) 유기용제 0.1 내지 30 중량%; c) 비이온계 계면활성제 0.01 내지 10 중량%; 및d) 물 50 내지 99 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물을 제공한다. 여기서, 상기 신너 조성물은 음이온계 계면활성제 0.01 내지 5 중량% 및/또는 소포제 0.01 내지 1.0 중량%를 더욱 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 비이온계 계면활성제는 폴리옥시에틸에테르, 폴리옥시프로필에테르, 폴리옥시에틸프로필에테르, 폴리옥시에틸알킬페닐에테르, 폴리옥시프로필알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸옥시프로필알킬페닐에테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 물질이며, 상기 음이온계 계면활성제는 알킬에테르설페이트, 알킬설페이트, 알킬벤젠술폰산, 알킬벤젠설포네이트, 알킬나프탈렌설포네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 물질인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 레지스트 제거용 신너 조성물에 있어서, 상기 a)무기및/또는유기 알칼리 성분으로는 수산화칼륨, 수산화나트륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등의 무기 알카리 성분과, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄하이드록사이드, 디메틸디에틸암모늄하이드록사이드, 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드, 트리에틸(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드, 트리프로필(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드, 트리메틸(1-하이드록시프로필)암모늄하이드록사이드, 트리부틸(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드 등의 유기 알카리 성분을 단독 혹은 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 무기 및/또는 유기 알칼리의 함량은 전체 신너 조성물에 대하여 0.1 내지 10 중량%인 것이 바람직하며, 0.5 내지 5.0 중량%이면 더욱 바람직하다. 특히 무기 알칼리 함량은 단독으로 사용하거나, 유기 알칼리와 혼합하여 사용할 경우에도 3.0 중량%이하인 것이 바람직하다. 상기 무기 또는 유기 알칼리의 함량이 0.1 중량% 미만이면 신너 조성물의 레지스트 성분 내로의 침투력이 부족하여 레지스트 제거력이 저하되며, 10 중량%를 초과하면 신너 조성물의 침투력이 너무 강해서 레지스트 제거 경계면에 레지스트액이 누적(build-up)되어, 추후의 현상 공정에서 현상되지 않고 잔류할 우려가 있다. 또한 상기 무기 알칼리의 함량이 3.0 중량%를 초과하면 장비에 대한 오염 및 부식을 유발할 우려가 있다.
상기 b)유기 용제 성분으로는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 알칸올아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민 등의 알킬아민, 에틸렌글리콜아민, 프로필렌글리콜아민, 부틸렌글리콜아민, 디에틸렌글리콜아민, 디프로필렌글리콜아민 등의 알칼리성 유기 아민계 용제; 에틸렌글리콜알킬에테르(에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등), 프로필렌글리콜알킬에테르, 부틸렌글리콜알킬에테르, 디에틸렌글리콜알킬에테르(디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등), 디프로필렌글리콜알킬에테르(디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르 등), 디부틸렌글리콜알킬에테르, 알킬렌글리콜페닐에테르(에틸렌글리콜페닐에테르, 프로필렌글리콜페닐에테르, 부틸렌글리콜페닐에테르, 디에틸렌글리콜페닐에테르, 디프로필렌글리콜페닐에테르 등) 등의 알콜에테르 및 그들의 아세테이트 유도체를 포함하는 알콜에테르계 유기 용제; N-알킬피롤리돈(N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, N-프로필피롤리돈 등), N-하이드록시알킬피롤리돈(N-하이드록시메틸피롤리돈, N-하이드록시에틸피롤리돈 등) 등의 질소 함유 유기 용제; 디메틸설퍼옥사이드(DMSO) 등의 디알킬설퍼옥사이드, 설포란 등의 황 함유 유기 용제 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 알칼리성 유기 아민계 용제에서 알칸올아민과 알킬아민의 알킬기는 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하며, 탄소수 1 내지 5이면 더욱 바람직하다. 또한 상기 알킬기는 하나, 둘 혹은 세 개의 가지를 가지는 분지쇄 알킬기 일 수 있다. 상기 알콜에테르(아세테이트)계 유기 용제 및 질소 함유 유기 용제의 알킬기는 탄소수 1 내지 10인 것이 바람직하며, 탄소수 1 내지 5이면 더욱 바람직하다. 또한 상기 황 함유 유기 용제의 알킬기는 탄소수는 1 내지 10인 것이 바람직하며, 탄소수 1 내지 5이면 더욱 바람직하다.
상기 유기 용제의 함량은 전체 신너 조성물에 대하여, 0.1 내지 30 중량%인 것이 바람직하고, 1.0 내지 20 중량%이면 더욱 바람직하다. 상기 유기 용제의 함량이 0.1 중량% 미만이면 레지스트막에 대한 제거력이 떨어지며, 30 중량%를 초과하면 물에 대한 용해도가 저하되거나 폐액 처리가 쉽지 않은 문제점이 있다.
본 발명의 레지스트 제거용 신너 조성물에 있어서, 상기 c) 비이온계 계면활성제로는 폴리옥시에틸에테르, 폴리옥시프로필에테르, 폴리옥시에틸프로필에테르, 폴리옥시에틸알킬페닐에테르, 폴리옥시프로필알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸옥시프로필알킬페닐에테르 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 이들을 2종 이상 혼합하여 사용하면 더욱 바람직하다. 상기 계면활성제에서 알킬기는 탄소수 1 내지 15인 것이 바람직하며, 상기 폴리옥시에틸에테르 및 폴리옥시프로필에테르는 1 내지 30의 단량체 반복기를 가지는 것이 바람직하다. 상기 계면활성제는 물 및 유기용제에 잘 섞여 용해되는 성질을 가지는 것으로서, 상기 계면활성제의 함량은 0.01 내지 10 중량%가 바람직하며, 0.05 내지 5 중량%이면 더욱 바람직하다. 상기 비이온계 계면활성제의 함량이 0.01 중량% 미만인 경우에는 신너 조성물의 레지스트 막에 대한 습윤성이 저하되어 처리 후 레지스트 잔막이 기판에 남게 되어 레지스트 제거능력이 저하되는 단점이 있으며, 10 중량%를 초과하면 신너 조성물의 점도가 증가하여 처리 후 신너 조성물의 일부가 불순물로 남을 우려가 있을 뿐만 아니라, 신너 조성물의 습윤성이 너무 커져 레지스트 제거 경계면에 레지스트가 누적(build-up)되어, 추후의 현상 공정에서 현상되지 않고 잔류할 우려가 있다.
본 발명의 신너조성물에서, 필요에 따라 사용될 수 있는 상기 음이온계 계면활성제로는 알킬에테르설페이트, 알킬설페이트, 알킬벤젠술폰산, 알킬벤젠설포네이트, 알킬나프탈렌설포네이트 등을 단독 혹은 혼합하여 사용하며, 여기서 알킬기의 탄소수는 1 내지 15개이다. 이와 같은 음이온계 계면활성제는 유기용제와 물의 용해도를 높여 줄 뿐 아니라, 신너 조성물 내로 용해되는 레지스트, 칼라 레지스트 안료, 기타 레지스트 첨가물 등의 분산 안정성을 향상시킨다. 상기 음이온계 계면활성제의 함량은 0.01 내지 5 중량%인 것이 바람직하며, 만일 상기 계면활성제의 함량이 0.01 중량% 미만인 경우에는 유기아민, 유기용제 및 물의 혼합이 원활하지 않으며, 용해된 레지스트 성분의 분산안정성이 저하되어 침전물이 발생할 수 있으며, 상기 함량이 5 중량%를 초과하는 경우에는 신너 조성물의 레지스트 제거력이 저하되는 단점이 있다.
본 발명에 있어서, 필요에 따라 사용되는 상기 소포제로는 다우코닝사의 LDC-220A, 일본 일신화학(日信化學)사의 사피놀82, 사피놀104, BYK Chemi사의 BYK-019, BYK-024 등을 단독 혹은 혼합하여 사용할 수 있으며, 상기 소포제의 함량은 0.01 내지 1.0 중량%가 바람직하다. 상기 소포제의 함량이 0.01 중량% 미만이면 신너 조성물의 거품 발생이 과다하여 공정 진행 중, 장비 오염의 우려가 있으며, 1.0 중량%를 초과하면 신너 조성물의 레지스트 제거력이 저하되는 단점이 있다.
본 발명의 레지스트 제거용 케미칼 신너 조성물에 있어서, 필수 구성 성분인 d) 물은 이온교환수지를 통해 여과한 순수를 사용하는 것이 바람직하며, 비저항이 18메가오옴(Ω) 이상인 초순수를 사용하면 더욱 바람직하다. 전체 신너 조성물에 대하여 상기 물의 함량은 50 내지 99 중량%가 바람직하며, 상기 물의 함량이 50 중량% 미만이면 폐액 처리 등에 문제가 있으며, 99 중량%를 초과하면 레지스트 제거력이 떨어지는 문제점이 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 통해 더욱 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다. 하기 실시예에 있어서 별도의 언급이 없으면 백분율 및 혼합비는 중량을 기준으로 한 것이다.
[실시예]
시편제조: 크롬 블랙 매트릭스(Black Matrix)가 증착되어 있는 LCD 글라스(Glass)에 범용적으로 사용되는 칼라 레지스트(Color Resist) 조성물((FujiFilm Arch 사 제조, 상품명: CR-9110L, CG-9130L, CB-9110L, CR-8131L, CG-8130L, CB-8140L))을 스핀 코팅하여, 최종 막 두께가 1.0 내지 2.0 ㎛가 되도록 도포한 후, 챔버(chamber)에서 30초 동안 진공건조(0.5 torr) 하였다.
신너 조성물의 제조: 무기 및/또는 유기 알칼리, 유기용제, 계면활성제, 소포제 및 물의 함량을 하기 표 1과 같이 조절하여, 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 4의 신너 조성물을 제조하였다.
(a) 무기 및/또는유기 알칼리 (b) 유기 용제 (c) (d) (e) (e)물
실시예 KOH Na2CO3 TMAH DEGA TEA TEOA DMSO PPOH DPGME AS POEO LDC 물
1 0.1 3.0 1.0 5.0 1.0 1.0 0.5 0.1 88.3
2 0.1 2.0 1.0 5.0 5.0 1.0 0.5 0 85.4
3 0.5 3.0 1.0 10.0 1.0 0.5 0 84.0
4 0.5 2.0 1.0 5.0 5.0 1.0 0 0.1 85.4
5 1.0 3.0 1.0 1.0 10.0 1.0 0 0.1 82.9
6 1.0 2.0 1.0 5.0 5.0 1.0 0 0 85.0
7 2.0 0.1 1.0 10.0 1.0 1.0 0.5 0.1 84.3
8 3.0 1.0 10.0 5.0 10.0 1.0 0.5 0.1 69.4
비교예 NaOH TMAH n-BA PGME PGMEA DPGME 물
1 5.0 5.0 5.0 85.0
2 0.3 5.0 5.0 89.7
3 3.0 5.0 5.0 87.0
4 3.0 10.0 87.0
상기 표 1 에서, KOH는 수산화칼륨, Na2CO3는 탄산나트륨, TMAH는 테트라메틸암모늄하이드록사이드, NaOH는 수산화나트륨, DEGA는 디에틸렌글리콜아민, TEA는 트리에틸아민, TEOA는 트리에탄올아민, DMSO는 디메틸설퍼옥사이드, PPOH는 프로필렌글리콜페닐에테르, DPGME는 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, n-BA는 n-부틸아세테이트, PGME는 프로필렌글리콜모노메틸에테르, PGMEA는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, AS는 알킬설페이트, POEO는 폴리옥시에틸옥틸페닐에테르, LDC는 LDC-220A를 각각 나타낸다.
상기 실시예 및 비교예의 신너 조성물에 레지스트가 코팅된 글라스 기판을 2초간 침지(dip) 후, 탈이온수(D. I. Water)로 세정한 다음, 기판의 상태를 육안 및 광학전자현미경(LEICA사, 모델:FTM-200)으로 관찰하였다. 기판의 외면 및 후면 부분의 불량막 제거상태, 제거된 레지스트의 신너 조성물에 대한 분산 안정성 및 신너 조성물의 거품 발생 등을 양호, 불량으로 판정하여 그 결과를 표 2에 나타내었다.
레지스트제거력 관찰 육안 관찰 광학전자현미경 관찰 분산 안정성 거품 발생
실시예 1 양호 양호 양호 양호
실시예 2 양호 양호 양호 불량
실시예 3 양호 양호 불량 불량
실시예 4 양호 양호 불량 양호
실시예 5 양호 양호 양호 양호
실시예 6 양호 양호 불량 불량
실시예 7 양호 양호 양호 양호
실시예 8 양호 양호 양호 양호
비교예 1 불량 불량 불량 불량
비교예 2 불량 불량 불량 불량
비교예 3 양호 불량 불량 불량
비교예 4 양호 불량 불량 불량
상기 표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 신너 조성물로 레지스트가 도포된 세정을 한 경우에는, 육안 및 광학 전자 현미경 관찰에 의한 불량막 제거 상태, 분산안정성, 그리고 거품발생 항목이 모두 양호하였으나, 비교예의 신너 조성물로 세정을 한 경우에는 이들이 양호하지 못함을 알 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 신너 조성물은 종래에 사용되어 왔던 수산화칼륨, 수산화나트륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등의 무기알칼리, 테트라메틸암모늄아히드록사이드 등의 유기 알칼리와 n-부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 유기용제 혼합물이 가지는 레지스트에 대한 불완전한 세정성의 문제점을 해결한 것으로서, 다량의 안료를 포함하고 있는 칼라 레지스트 및 오버코팅(overcoating)액에 대하여도 미용해부를 남기지 않는 우수한 용해성능을 가지고 있다.

Claims (12)

  1. a) 무기 및/또는 유기 알칼리 0.1 내지 10 중량%;
    b) 유기용제 0.1 내지 30 중량%;
    c) 비이온계 계면활성제 0.01 내지 10 중량%; 및
    d) 물 50 내지 99 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 신너 조성물은 음이온계 계면활성제 0.01 내지 5 중량%를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 신너 조성물은 소포제 0.01 내지 1.0 중량%를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 무기 알카리 성분은 수산화칼륨, 수산화나트륨, 인산나트륨, 규산나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 물질이며, 상기 유기 알카리 성분은 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 테트라부틸암모늄하이드록사이드, 트리메틸에틸암모늄하이드록사이드, 디메틸디에틸암모늄하이드록사이드, 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드, 트리에틸(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드, 트리프로필(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드, 트리메틸(1-하이드록시프로필)암모늄하이드록사이드, 트리부틸(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 유기 용제는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌글리콜아민, 프로필렌글리콜아민, 부틸렌글리콜아민, 디에틸렌글리콜아민, 디프로필렌글리콜아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 유기 아민계 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 유기 용제는 에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜알킬에테르, 부틸렌글리콜알킬에테르, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 디프로필렌글리콜알킬에테르, 디부틸렌글리콜알킬에테르, 알킬렌글리콜페닐에테르, 이들의 아세테이트 유도체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 알콜에테르계 유기용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유기 용제는 N-알킬피롤리돈, N-하이드록시알킬피롤리돈 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 질소함유 유기용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 유기 용제는 디알킬설퍼옥사이드, 설포란 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 황 함유 유기용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 비이온계 계면활성제는 폴리옥시에틸에테르, 폴리옥시프로필에테르, 폴리옥시에틸프로필에테르, 폴리옥시에틸알킬페닐에테르, 폴리옥시프로필알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸옥시프로필알킬페닐에테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기 비이온계 계면활성제의 알킬기는 탄소수 1 내지 15이며, 상기 폴리옥시에틸에테르 및 폴리옥시프로필에테르는 1 내지 30의 단량체 반복기를 가지는 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  11. 제2항에 있어서, 상기 음이온계 계면활성제는 알킬에테르설페이트, 알킬설페이트, 알킬벤젠술폰산, 알킬벤젠설포네이트, 알킬나프탈렌설포네이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택되는 물질인 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
  12. 제11항에 있어서, 상기 음이온계 계면활성제의 알킬기의 탄소수는 1 내지 15개인 것을 특징으로 하는 레지스트 제거용 신너 조성물.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030046868A (ko) * 2001-12-07 2003-06-18 주식회사 덕성 유기막 제거용 시너
KR100945157B1 (ko) * 2008-01-04 2010-03-08 주식회사 켐트로닉스 티에프티 엘씨디용 칼라 레지스트 박리액 조성물
KR20140006660A (ko) * 2012-07-06 2014-01-16 동우 화인켐 주식회사 감방사선성 조성물용 현상액 조성물
WO2019240397A1 (ko) * 2018-06-14 2019-12-19 영창케미칼 주식회사 극자외선 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용하는 패턴 형성 방법
WO2019240398A1 (ko) * 2018-06-14 2019-12-19 영창케미칼 주식회사 극자외선 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용하는 패턴 형성 방법
CN110727180A (zh) * 2018-07-17 2020-01-24 南昌欧菲显示科技有限公司 一种自净化型显影液组合物及其制备方法及使用其的显影方法
CN112114502A (zh) * 2020-08-27 2020-12-22 江苏中德电子材料科技有限公司 一种cf返工液
KR20230044773A (ko) * 2021-09-27 2023-04-04 재원산업 주식회사 포토레지스트 공정에 사용되는 고순도 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르 카르복실산 에스테르의 정제방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101769098B1 (ko) * 2014-05-22 2017-08-17 덕산약품공업주식회사 포토레지스트 잉크 제거제 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 잉크 제거 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5977041A (en) * 1997-09-23 1999-11-02 Olin Microelectronic Chemicals Aqueous rinsing composition
US5962197A (en) * 1998-03-27 1999-10-05 Analyze Inc. Alkaline organic photoresist stripper
KR100286860B1 (ko) * 1998-12-31 2001-07-12 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
KR20000006831A (ko) * 1999-11-05 2000-02-07 윤세훈 수용성 포지티브 스트리퍼의 조성
KR100378552B1 (ko) * 2000-01-14 2003-03-29 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 리무버 조성물
KR100361482B1 (ko) * 2000-12-19 2002-11-23 주식회사 동진쎄미켐 환경친화형 케미칼 린스 조성물
KR100361481B1 (ko) * 2000-12-19 2002-11-23 주식회사 동진쎄미켐 케미칼 린스 조성물
KR100646793B1 (ko) * 2001-11-13 2006-11-17 삼성전자주식회사 씬너 조성물

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030046868A (ko) * 2001-12-07 2003-06-18 주식회사 덕성 유기막 제거용 시너
KR100945157B1 (ko) * 2008-01-04 2010-03-08 주식회사 켐트로닉스 티에프티 엘씨디용 칼라 레지스트 박리액 조성물
KR20140006660A (ko) * 2012-07-06 2014-01-16 동우 화인켐 주식회사 감방사선성 조성물용 현상액 조성물
WO2019240397A1 (ko) * 2018-06-14 2019-12-19 영창케미칼 주식회사 극자외선 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용하는 패턴 형성 방법
WO2019240398A1 (ko) * 2018-06-14 2019-12-19 영창케미칼 주식회사 극자외선 리소그래피용 공정액 조성물 및 이를 이용하는 패턴 형성 방법
US11473035B2 (en) 2018-06-14 2022-10-18 Young Chang Chemical Co., Ltd. Process solution composition for extreme ultraviolet lithography, and method for forming pattern by using same
US11624984B2 (en) 2018-06-14 2023-04-11 Young Chang Chemical Co., Ltd Process liquid composition for extreme ultraviolet lithography and pattern forming method using same
CN110727180A (zh) * 2018-07-17 2020-01-24 南昌欧菲显示科技有限公司 一种自净化型显影液组合物及其制备方法及使用其的显影方法
CN112114502A (zh) * 2020-08-27 2020-12-22 江苏中德电子材料科技有限公司 一种cf返工液
KR20230044773A (ko) * 2021-09-27 2023-04-04 재원산업 주식회사 포토레지스트 공정에 사용되는 고순도 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르 카르복실산 에스테르의 정제방법

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